CN101060093B - 基板搬送处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种尽可能缩小基板收纳部的基板的收纳空间，以实现装置的小型化、增大基板的收纳数量，并且提高生产率的基板搬送处理装置。该基板搬送处理装置包括：配置收容晶片的载体的载体块；具有晶片的处理单元的处理块；将晶片交接至处理单元的主臂；配置在载体块和处理块之间，能够收纳晶片的架单元；以及将晶片交接至架单元的交接臂。架单元具有能够从主臂与交接臂交叉的两个方向进行晶片交接的开口部，并且，将支撑晶片的多个载置架相互隔开间隔而叠层，将主臂和交接臂形成为以在截面方向上与载置架的厚度重叠的位置关系相对于基板收纳部进退。

Description

基板搬送处理装置
技术领域
本发明涉及对例如半导体晶片、LCD玻璃基板等基板进行搬送并进行处理的基板搬送处理装置。
背景技术
在半导体器件的制造过程中，为了在半导体晶片、LCD玻璃基板等基板上形成ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)的薄膜或电极图案，通常利用光刻(photolithography)技术。该光刻技术通过以下一系列的工序而进行：将光致抗蚀剂(photoresist)涂敷在基板上，形成抗蚀剂膜，根据规定的电路图案将所形成的抗蚀剂膜曝光，对该曝光图案进行显影处理，由此在抗蚀剂膜上形成期望的电路图案。
在这样的处理中，通常，将抗蚀剂液涂敷在基板上并进行处理的抗蚀剂涂敷处理单元、对抗蚀剂涂敷处理结束后的基板或曝光处理后的基板进行加热处理的加热处理单元、将加热处理后的基板冷却处理至规定温度的冷却处理单元、以及向基板供给显影液以进行显影处理的显影处理单元等分别在多段中重叠，这些各处理单元间的基板搬送、以及基板的搬入搬出由搬送装置进行。
另外，加热处理结束后的基板如果没有立即进行冷却，则有可能基板被过度地进行加热处理、产生由所谓的过度烘焙(overbake)造成的处理不良。因此，包括在将基板冷却至规定温度之前、使该基板待机并对其进行冷却的预冷却处理单元，多个基板搬送装置分担地搬送基板，即，在抗蚀剂涂敷处理单元和加热处理单元之间、加热处理单元和冷却处理单元之间、以及预冷却处理单元和冷却处理单元之间进行基板的搬送(例如，参照专利文献1)。
另外，为了与各处理单元中的基板处理时间的时间差对应而高效地搬送基板，从而提高生产率，在具有多个处理单元的处理块与接口块(interface block)之间或者在接口块内，设置能够收纳多块基板的多段状的基板收纳部，利用不同的基板搬送装置，从该基板收纳部的两个方向相对于基板收纳部进行基板的交接(例如，参照专利文献2)。
然而，根据作为目标的抗蚀剂膜的种类，在抗蚀剂膜的上下侧形成防反射膜的情况、在抗蚀剂膜上下的一侧上形成防反射膜的情况、以及仅形成抗蚀剂膜而不形成防反射膜的情况等，涂敷的方式不同，因此，因批次不同，有时所需要的涂敷处理单元、加热处理单元、冷却处理单元、预冷却处理单元等用于形成涂敷膜的单元中的处理条件不同。在该情况下，在涂敷处理单元、加热处理单元、和冷却处理单元设置在相同的处理块内的结构中，使用的单元因作为目标的抗蚀剂膜的种类而不同，因此基板的搬送流程也不同。因此，基板的搬送时间表变得更复杂，所以，可以增加上述基板收纳部的基板收纳数量，使供给至下一个处理之前的多块基板待机。
【专利文献1】日本特开2001-57336号公报(权利要求书，段落编号0046，图1、图2)
【专利文献2】日本特开平9-74127号公报(权利要求书，段落编号0042、0043，图1、图2)
但是，在上述日本特开2001-57336号公报和日本特开平9-74127号公报所记载的装置中，均在收纳多块基板的多段状或架状的载置部中直立设置有多根(例如三根或四根)支撑销，利用这些支撑销支撑基板，在与基板搬送装置之间进行基板的交接。因此，基板收纳部中收纳1块基板的空间的高度需要考虑了基板搬送装置的交接的高度，存在由于装置整体的高度而无法增加载置部的数量的问题。
发明内容
本发明鉴于上述情况而做出，其目的在于提供一种尽可能缩小基板收纳部的基板的收纳空间，以实现装置的小型化、增大基板的收纳数量，并且提高生产率的基板搬送处理装置。
为了解决上述课题，本发明的基板搬送处理装置的特征在于，包括：配置能够收容多块基板的载体的载体块；具有对从所述载体中取出的基板进行适当处理的处理单元的处理块；在所述处理块内、将从所述载体块搬送的基板交接至所述处理单元的至少能够沿铅垂方向和水平方向移动的基板搬送单元；配置在所述载体块与处理块之间，能够收纳多块基板的基板收纳部；和能够在与所述载体块之间进行基板的交接，将所述基板交接至所述基板收纳部的至少能够沿铅垂方向和水平方向移动的基板交接单元，其中，所述基板收纳部具有能够从所述基板搬送单元与基板交接单元交叉的两个方向进行基板交接的开口部，并且，将支撑基板下面的多个载置架相互隔开间隔而叠层，所述基板搬送单元和基板交接单元分别形成为能够以在截面方向上与所述载置架的厚度重叠的位置关系相对于基板收纳部进退(第一方面)。在这种情况下，优选将所述多个载置架的间隔形成为小于所述基板搬送单元和基板交接单元的厚度(第二方面)。
通过这样构成，基板搬送单元或基板交接单元能够分别从设置在基板收纳部的两个方向上的开口部相对于基板收纳部进入和退出，当进入时，以在截面方向上与载置架的厚度重叠的位置关系、沿铅垂方向移动(升降)，以进行基板的交接。在该情况下，通过将多个载置架的间隔形成为小于基板搬送单元和基板交接单元的厚度，能够进一步尽可能地缩小基板的收纳空间(第二方面)。
另外，本发明的第三方面的特征在于，在第一方面或第二方面所述的基板搬送处理装置中，所述处理块包括：在基板上形成包括抗蚀剂膜的涂敷膜的涂敷膜形成用处理单元；用于将防反射膜用的药液涂敷在基板上的防反射膜形成用处理单元；以及对基板进行加热处理的加热处理单元，所述基板收纳部包括将基板冷却的冷却板。在这种情况下，所述处理块将以下的块叠层：利用基板搬送单元的水平移动区域分割涂敷膜形成用处理单元和加热处理单元的涂敷膜形成用单位块；利用所述基板搬送单元的水平移动区域分割在涂敷膜的下侧形成防反射膜的第一防反射膜形成用单元和加热处理单元的第一防反射膜形成用单位块；以及利用所述基板搬送单元的水平移动区域分割在涂敷膜的上侧形成防反射膜的第二防反射膜形成用单元和加热处理单元的第二防反射膜形成用单位块，所述基板收纳部具有用于与所述涂敷膜形成用单位块、第一防反射膜形成用单位块和第二防反射膜形成用单位块相对应的被分割为多个的收纳块，并且，各收纳块中具有多个载置架和冷却板(第四方面)。
通过这样构成，当与在基板上涂敷的抗蚀剂膜的种类以及各处理单元中的处理时间相对应，在抗蚀剂膜的上下的一侧或两侧上形成防反射膜、或者仅形成抗蚀剂膜而不形成防反射膜的情况下，能够确保基板在进行下一个处理前待机，并且，能够在基板收纳部中将基板冷却并调整至规定的温度。
另外，本发明的第五方面的特征在于，在第一方面至第四方面中任一方面所述的基板搬送处理装置中，所述载置架中，在从所述基板收纳部的一侧突入该基板收纳部内的板状臂的前端部的被同心圆状等分的3处，突出设置有与板状臂的表面稍微隔开间隙而支撑基板的销，并且，将其中之一的第一销配置成与基板交接单元进入基板收纳部内的方向平行，所述基板搬送单元具有，在与所述第一销以外的第二和第三销不干涉的范围内，一个弯曲臂片比另一个弯曲臂片更向前端侧延伸的变形马蹄形状的臂本体，并且，在两臂片的前端侧下部和臂本体的基部侧下部的三处，设置有支撑基板的支撑爪。
通过这样构成，能够使基板搬送单元在支撑基板的3个销所形成的最窄宽度侧进退移动，从而能够使基板搬送单元的基板支撑部的形状为最小限度的大小，使基板的支撑和搬送稳定。另外，与此相对，在支撑基板的3个销所形成的最大宽度侧进退移动的基板交接单元，包括在与配置成与基板交接单元进入基板收纳部内的方向平行的第一销以外的第二和第三销不干涉的范围内，一个弯曲臂片比另一个弯曲臂片更向前端侧延伸的变形马蹄形状的臂本体，在两臂片的前端侧下部和臂本体的基部侧下部的三处，设置有支撑基板的支撑爪，由此，不需要将基板交接单元的基板支撑部的形状增大到必要以上，能够以稳定的状态支撑和搬送基板。
另外，本发明的第六方面的特征在于，在第一方面至第五方面中任一方面所述的基板搬送处理装置中，所述载置架由从所述基板收纳部的一侧突入该基板收纳部内的板状臂构成，各板状臂彼此隔着垫片由连结部件能够装卸地呈叠层状连结固定。
通过这样构成，能够根据需要增减载置架的数量。
此外，本发明的第七方面的特征在于，在第一方面至第六方面中任一方面所述的基板搬送处理装置中，设置有检测所述基板收纳部的各载置架上有无基板的基板检测传感器，并且具有根据由该基板检测传感器检测出的信号，控制基板搬送单元将基板交接至所述基板收纳部的动作的控制单元。
通过这样构成，利用基板检测传感器对基板收纳部的各载置架上有无基板进行检测，并将该检测信号传递至控制单元，控制单元能够识别各载置架上有无基板，并根据来自控制单元的控制信号，将基板向未载置基板的载置架上交接(搬送)。
如以上说明的那样，本发明的基板搬送处理装置如以上那样构成，因而可以获得以下的效果。
(1)根据本发明的第一方面，基板搬送单元或基板交接单元能够分别从设置在基板收纳部的两个方向上的开口部相对于基板收纳部进入和退出，当进入时，以在截面方向上与载置架的厚度重叠的位置关系、沿铅垂方向移动(升降)，以进行基板的交接，因此，能够尽可能缩小基板收纳部的基板的收纳空间，实现装置的小型化，并且，能够增大基板的收纳数量，而且能够提高生产率。在该情况下，通过将多个载置架的间隔形成为小于基板搬送单元和基板交接单元的厚度，能够进一步尽可能地缩小基板的收纳空间(第二方面)。
(2)根据本发明的第三、第四方面，当与在基板上涂敷的抗蚀剂膜的种类以及各处理单元中的处理时间相对应，在抗蚀剂膜的上下的一侧或两侧上形成防反射膜、或者仅形成抗蚀剂膜而不形成防反射膜的情况下，能够确保基板在进行下一个处理前待机，并且，能够将加热处理后的基板冷却。因此，除了(1)的效果以外，还能够高效地进行与在基板上涂敷的抗蚀剂膜的种类和各处理单元的处理时间对应的复杂的处理。
(3)根据本发明的第五方面，能够使基板搬送单元的基板支撑部的形状为最小限度的大小，使基板的支撑和搬送稳定，并且，不需要将基板交接单元的基板支撑部的形状增大到必要以上，能够以稳定的状态支撑和搬送基板，因此，除了上述(1)、(2)的效果以外，还能够以稳定的状态进行基板的支撑和搬送，而不需要增大基板搬送单元和基板交接单元。
(4)根据本发明的第六方面，能够根据需要增减载置架的数量，因此，除了上述(1)～(3)的效果以外，还能够与基板的搬送时间表和处理时间的改变等相对应而容易地改变基板收纳部中载置架的数量。
(5)根据本发明的第七方面，利用基板检测传感器对基板收纳部的各载置架上有无基板进行检测，并将该检测信号传递至控制单元，控制单元能够识别各载置架上有无基板，并根据来自控制单元的控制信号，将基板向未载置基板的载置架上交接(搬送)，因此，除了上述(1)～(4)的效果以外，还能够可靠地进行基板相对于基板收纳部的交接，从而提高生产率。
附图说明
图1是表示应用了本发明的基板搬送处理装置的抗蚀剂涂敷-显影处理装置的一个例子的概略平面图。
图2是上述抗蚀剂涂敷-显影处理装置的概略立体图。
图3是上述抗蚀剂涂敷-显影处理装置的概略图，是仅将处理部的单位块以平面状态重叠显示的概略结构图。
图4是表示本发明中的处理块的单位块(DEV层)的概略立体图。
图5是表示本发明中的基板收纳部和基板交接单元的概略侧面图。
图6是表示上述基板收纳部的概略立体图。
图7是表示本发明中的载置架和冷却板的局部分解立体图。
图8是表示本发明中的载置架和基板交接单元的概略平面图。
图9是表示本发明中晶片在基板搬送单元和载置架之间的交接状态的概略平面图。
图10是表示本发明中晶片在基板交接单元和载置架之间的交接状态的概略平面图。
图11是图9的截面立体图。
图12是图10的截面立体图。
图13是表示本发明中的处理块的处理单元的一个例子的概略截面图。
图14是表示本发明中的处理块的单位块(COT层)的概略平面图。
符号说明
W  半导体晶片(基板)
A  往复移送臂(shuttle arm)(基板搬送单元)
A1、A3～A5  主臂(基板搬送单元)
B1、B2      第一、第二单位块(DEV层)
B3 第三单位块(BCT层)
B4 第四单位块(COT层)
B5 第五单位块(TCT层)
C  传送臂(transfer arm)
D  交接臂(基板交接单元)
S1 载体块(carrier block)
S2 处理块
R1、R3～R5搬送区域
R2 交接区域
U1～U4      架单元(处理单元)
U5 架单元(基板收纳部)
10a～10d    收纳块
11、12      开口部
13  载置架
13a 板状臂
h   载置架(板状臂)的厚度
14  冷却板(CPL)
18a、18b、18c接近销(proximity pin)(支撑销)
19a 垫片(spacer)
19b 连结螺栓(连结部件)
20  载体(carrier)
31  显影单元(处理单元)
32  涂敷单元(处理单元)
33  第一防反射膜形成单元(处理单元)
34  第二防反射膜形成单元(处理单元)
40  基板检测传感器
60 臂本体
h1 臂本体60的厚度
61 一个弯曲臂片
62 另一个弯曲臂片
63 支撑爪
80 臂本体
h2 臂本体80的厚度
具体实施方式
以下，根据附图，对本发明的优选实施方式进行说明。在此，对将本发明的基板搬送处理装置应用于半导体晶片的抗蚀剂涂敷-显影处理装置的情况进行说明。
图1是表示上述抗蚀剂涂敷-显影处理装置的一个例子的概略平面图，图2是表示上述抗蚀剂涂敷-显影处理装置的概略立体图，图3是表示上述抗蚀剂涂敷-显影处理装置的概略图，是仅将处理部的单位块以平面状态重叠显示的概略结构图。
上述抗蚀剂涂敷-显影处理装置包括：用于将密闭地收容有例如13块作为基板的半导体晶片W(以下称为晶片W)的载体(carrier)20搬入搬出的载体块(carrier block)S1；将多个、例如5个单位块B1～B5纵向排列而构成的处理块S2；接口块(interface block)S3；以及曝光装置S4。
在上述载体块S1中设置有：能够载置多个(例如4个)载体20的载置台21；从该载置台21看，设置在前方的壁面上的开关部22；以及用于经由开关部22将晶片W从载体20中取出的传送臂C。为了在与设置在构成后述的基板收纳部的架单元U5中的交接台TRS1、TRS2之间进行晶片W的交接，该传送臂C被构成为在水平的X和Y方向以及铅垂的Z方向上自由移动、以及围绕铅垂轴自由旋转、自由移动。
周围被框体24包围的处理块S2与载体块S1的内侧连接。在该例子中，处理块S2从下方侧开始被分配为：下段侧的两段为用于进行显影处理的第一和第二单位块(DEV层)B1、B2；用于进行在抗蚀剂膜的下层侧上形成的防反射膜(以下称为“第一防反射膜”)的形成处理的作为第一防反射膜形成用单位块的第三单位块(BCT层)B3；用于进行抗蚀剂液涂敷处理的作为涂敷膜形成用单位块的第四单位块(COT层)B4；以及用于进行在抗蚀剂膜的上层侧上形成的防反射膜(以下称为“第二防反射膜”)的形成处理的作为第二防反射膜形成用单位块的第五单位块(TCT层)B5。在此，上述DEV层B1、B2相当于显影处理用的单位块，BCT层B3、COT层B4、TCT层B5相当于涂敷膜形成用的单位块。
接着，对第一～第五单位块B(B1～B5)的结构进行说明。这些各单位块B1～B5包括：配设在前面侧，用于向晶片W涂敷药液的液处理单元；配设在背面侧，用于进行在上述液处理单元中进行的处理的前处理和后处理的各种加热单元等处理单元；用于在配设在前面侧的上述液处理单元与配设在背面侧的加热单元等处理单元之间进行晶片W的交接的、作为专用的基板搬送单元的主臂A1、A3～A5。
就这些单位块B1～B5而言，在本例子中，在各单位块B1～B5之间形成有上述液处理单元、加热单元等处理单元、和搬送单元的相同的配置布局。在此，所谓配置布局相同是指：各处理单元中的载置晶片W的中心相同，即液处理单元中的作为晶片W的保持机构的旋转卡盘(spin chuck)的中心、加热单元中的加热板或冷却板的中心相同。
上述DEV层B1、B2同样地构成，在该情况下，共用地形成。该DEV层B1、B2，如图1所示，在DEV层B1、B2的大致中央，沿DEV层B1、B2的长度方向(图中的Y方向)形成有用于将载体块S1与接口块S3连接的晶片W的搬送区域R1(主臂A1的水平移动区域)。
在从该搬送区域R1的载体块S1侧所看到的两侧，从跟前侧(载体块S1侧)朝向内侧，在右侧，作为上述液处理单元，具有用于进行显影处理的多个显影处理部的显影单元31例如设置有2层。各单位块中，从跟前侧朝向内侧，在左侧依次设置有将加热系统的单元多段化的例如四个架单元U1、U2、U3、U4，在该图中，将用于进行在显影单元31中进行的处理的前处理和后处理的各种单元形成为叠层为多段的结构、例如各叠层为3段的结构。这样，显影单元31和架单元U1～U4被上述搬送区域R1分割，通过向搬送区域R1喷出清洁空气并进行排气，抑制该区域内的颗粒的浮游。
用于进行上述的前处理和后处理的各种单元中，例如如图4所示，包括：对曝光后的晶片W进行加热处理的被称为曝光后烘焙单元(postexposure baking unit)等的加热单元(PEB1)；以及用于除去显影处理后的晶片W的水分而进行加热处理的被称为后烘焙单元(post bakingunit)等的加热单元(POST1)等。这些加热单元(PEB1、POST1)等各处理单元分别被收容在处理容器51内，架单元U1～U4中，上述处理容器51构成为各叠层3段，在各处理容器51的面向搬送区域R1的面上形成有晶片搬入搬出口52。
在上述搬送区域R1中设置有上述主臂A1。该主臂A1构成为在与DEV层B1内的全部模块(放置晶片W的地方)之间进行晶片的交接，例如在与架单元U1～U4的各处理单元、显影单元31、架单元U5的各部之间进行晶片的交接，为此而构成为在水平的X、Y方向以及铅垂的Z方向上自由移动、并围绕铅垂轴自由旋转。
另外，上述涂敷膜形成用的单位块B3～B5均同样地构成，均与上述的显影处理用的单位块B1、B2同样地构成。具体地说，以COT层B4为例，参照图3、图13和图14进行说明，作为液处理单元，设置有用于对晶片W进行抗蚀剂液的涂敷处理的涂敷单元32，在COT层B4的架单元U1～U4中设置有对抗蚀剂液涂敷后的晶片W进行加热处理的加热单元(CLHP4)、以及用于提高抗蚀剂液与晶片W的密着性的疏水化处理单元(ADH)，与DEV层B1、B2同样地构成。即，构成为利用主臂A4的搬送区域R4(主臂A4的水平移动区域)分割涂敷单元32与加热单元(CLHP4)和疏水化处理单元(ADH)。在该COT层B4中，利用主臂A4相对于架单元U5的第三收纳块10c的载置架BUF2、冷却板CPL3(CPL4)、涂敷单元32、以及架单元U1～U4的各处理单元进行晶片W的交接。此外，上述疏水化处理单元(ADH)在HMDS气氛内进行气体处理，只要在涂敷膜形成用的单位块B3～B5的任一个中设置即可。
另外，在BCT层B3中，作为液处理单元，设置有用于对晶片W进行第一防反射膜的形成处理的第一防反射膜形成单元33，在架单元U1～U4中设置有对防反射膜形成处理后的晶片W进行加热处理的加热单元(CLHP3)，与COT层B4同样地构成。即，构成为利用主臂A3的搬送区域R3(主臂A3的水平移动区域)分割第一防反射膜形成单元33与加热单元(CLHP3)。在该第三单位块B3中，利用主臂A3相对于架单元U5的第二收纳块10b的载置架BUF1、冷却板CPL1(CPL2)、第一防反射膜形成单元33、以及架单元U1～U4的各处理单元进行晶片W的交接。
另外，在TCT层B5中，作为液处理单元，设置有用于对晶片W进行第二防反射膜的形成处理的第二防反射膜形成单元34，架单元U1～U4除了具有对防反射膜形成处理后的晶片W进行加热处理的加热单元(CLPH5)和周边曝光装置(WEE)以外，与COT层B4同样地构成。即，构成为利用主臂A5的搬送区域R5(主臂A5的水平移动区域)分割第二防反射膜形成单元34与加热单元(CLHP5)和周边曝光装置(WEE)。另外，在该TCT层B5中，利用主臂A5，相对于架单元U5的第四收纳块10d的载置架BUF3、冷却板CPL5(CPL6)、第二防反射膜形成单元34、以及架单元U1～U4的各处理单元进行基板W的交接。
另外，在设置在架单元U5中的交接台TRS2、与接口块S3侧的架单元U6之间进行晶片W的交接的基板搬送单元、即往复移送臂(shuttlearm)A，在水平的Y方向上自由移动、并且在铅垂的Z方向上自由升降地配设在处理块S2中。
此外，往复移送臂A的搬送区域与上述主臂A1、A3～A5的搬送区域R1、R3～R5被分别分割。
另外，处理块S2与载体块S1之间的区域，成为晶片W的交接区域R2，如图1所示，在该区域R2中，在传送臂C、主臂A1和A3～A5、以及往复移送臂A能够访问的位置，设置有作为基板收纳部的架单元U5，并且，具有作为用于相对于该架单元U5进行晶片W交接的基板交接单元的交接臂D。在该情况下，架单元U5被配置在主臂A1和A3～A5、以及往复移送臂A的水平移动方向(Y方向)的轴线上，在主臂A1和A3～A5、以及往复移送臂A的进退方向(Y方向)上设置有第一开口部11，并且，在交接臂D的进退方向(X方向)上设置有第二开口部12。
另外，上述架单元U5，如图3、图5和图6所示，为了在与各单位块B1～B5的主臂A1、A3～A5以及往复移送臂A之间进行晶片W的交接，例如，具有2个交接台TRS1、TRS2，另外，具有用于与单位块B1～B5相对应的被分割为多个的收纳块10a～10d，并且，各收纳块10a～10d中具有：多个载置架13；以及用于在抗蚀剂涂敷前将晶片W调整至规定温度、或者用于在防反射膜形成处理前将晶片W调整至规定温度、或者用于将在曝光处理后被加热的晶片W调整至规定温度的冷却板14(CPL1～CPL6)。
在该情况下，第一收纳块10a与第一和第二单位块B1、B2(DEV层)对应，第二收纳块10b与第三单位块B3(BCT层)对应，第三收纳块10c与第四单位块B4(COT层)对应，第四收纳块10d与第五单位块B5(TCT层)对应。另外，如图6所示，冷却板14(CPL1～CPL6)被载置在保持基板17上，该保持基板17被架设在竖立设置于矩形的底板15上的4根支柱16上。此外，冷却板14(CPL1～CPL6)能够使用例如使恒温的冷却水在设置在冷却板14(CPL1～CPL6)中的制冷剂通路内循环的水冷方式的冷却板，但也可以是水冷方式以外的方式。
另外，如图7～图12所示，载置架13由从架单元U5的一侧突入该架单元U5内的多个板状臂13a形成。在该情况下，板状臂13a具有例如在前端以大约120℃的角度分叉的两分叉部13b，在包含该两分叉部13b的板状臂13a的前端部的被同心圆状等分的3处，突出设置有与板状臂13a表面稍微隔开间隙例如约0.5mm而支撑晶片W的接近销(proximity pin)18a、18b、18c，并且，将其中之一的第一销18a配置成与交接臂D进入架单元U5内的方向平行。
此外，在上述说明中，对载置架13的板状臂13a具有两分叉部13b的情况进行了说明，但只要从第一开口部11进入的主臂的臂本体80与从第二开口部12进入的交接臂D的臂本体60不干涉，就可以是任意的形状，例如可以形成为圆形状。
另外，板状臂13a以一端安装在架单元U5的支柱16上、从架单元U5的一侧突入该架单元U5内的方式设置，各板状臂13a的基端部彼此隔着垫片(spacer)19a由连结部件、例如连结螺栓19b，能够装卸地呈叠层状连结固定(参照图7)。这样，由连结螺栓19b将构成载置架13的板状臂13a能够装卸地呈叠层状连结固定，由此，能够对应于处理时间表或处理时间，容易地增减载置架13的段数、即板状臂13a的数量。
此外，如图5所示，构成为从架单元U5的载体块S1侧向架单元U5内供给规定流量的清洁气体。
上述交接臂D具有，在与上述第一销18a以外的第二销18b和第三销18c不干涉的范围内，一个弯曲臂片61比另一个弯曲臂片62更向前端侧延伸的变形马蹄形状的臂本体60，并且，在两臂片61、62的前端侧下部和臂本体60的基部侧下部的3处，设置有支撑晶片W的支撑爪63。另外，臂本体60的厚度h1与上述板状臂13a的厚度h形成为大致相同，在交接臂D进入架单元U5内时，臂本体60在截面方向上与板状臂13a的厚度h重叠(参照图12)。
如上所述，通过将臂本体60的厚度h1与载置架13即板状臂13a的厚度h形成为大致相同，能够使载置架13彼此间的空间成为交接臂D的臂本体60能够在铅垂方向上移动、并在与载置架13的接近销18a、18b、18c之间进行晶片W交接的最小空间，因此，能够在有限的空间内设置多个载置架13。另外，通过将交接臂D形成为，在设置在载置架13上的3个接近销18a、18b、18c所形成的最大宽度侧的第二接近销18b和第三接近销18c不干涉的范围内，一个弯曲臂片61比另一个弯曲臂片62更向前端侧延伸的变形马蹄形状，能够以稳定的状态支撑并搬送晶片W，而不需要将交接臂D的臂本体60增大为必要以上。
另外，如图8所示，交接臂D构成为具有上述弯曲臂片61、62和支撑爪63的臂本体60沿着基台64相对于架单元U5自由进退。另外，该基台64构成为通过移动机构沿着Z轴导轨在Z方向上自由升降，该Z轴导轨被安装在支撑架单元U5的底板15的与第二开口部12相对的面上。这样，臂本体60构成为在X方向上自由进退和自由升降，并能够在与架单元U5的各收纳块10a～10d、以及交接台TRS1、TRS2之间进行晶片W的交接。这样的交接臂D根据来自后述的控制部70的指令，由未图示的控制器控制驱动。
上述主臂A1和A3～A5以及往复移送臂A基本上同样地构成，以往复移送臂A为例进行说明，如图9所示，往复移送臂A包括具有一对弯曲臂片81的马蹄形状的臂本体80，该一对弯曲臂片81与接近销18a、18b、18c所形成的最窄宽度侧的接近销18a、以及18b、18c不干涉，并且，在各弯曲臂片81的前端部以及基端部侧下部的4处设置有支撑晶片W的支撑爪82。此外，臂本体80的厚度h2和上述板状臂13a的厚度h，形成为与交接臂D大致相同，当往复移送臂A进入架单元U5内时，臂本体80在截面方向上与板状臂13a的厚度h重叠(参照图11)。
因此，与交接臂D的情况同样，能够使载置架13彼此间的空间成为：往复移送臂A的臂本体80能够沿铅垂方向移动、并在与载置架13的接近销18a、18b、18c之间进行晶片W的交接的最小空间，因此能够在有限的空间内设置多个载置架13。另外，往复移送臂A在马蹄形状的臂本体80的4处设置有支撑爪82，因此能够以稳定的状态支撑并搬送晶片W。
此外，上述多个载置架13的间隔形成为小于交接臂D的臂本体60的厚度h1和主臂A的臂本体80的厚度h2。由此，能够使架单元U5的收纳空间尽可能地缩小，从而，收纳在架单元U5内的晶片W的数量增大，或者，在晶片W的收纳数量少的情况下实现装置的小型化。
此外，主臂A1(A3～A5)同样地构成，以主臂A1为代表进行说明，例如，如图4所示，包括具有用于支撑晶片W的背面侧周边区域的2根弯曲臂片81的臂本体80，这些弯曲臂片81构成为沿着基台83相互独立地自由进退。另外，该基台83构成为通过旋转机构84围绕铅垂轴自由旋转，并且，构成为通过移动机构85沿Y轴导轨87在Y方向上自由移动并沿着升降导轨88自由升降，该Y轴导轨87被安装在支撑架单元U1～U4的台部86的与搬送区域R1相对的面上。这样，弯曲臂片81构成为在X方向上自由进退、在Y方向上自由移动、自由升降以及围绕铅垂轴自由旋转，能够在与架单元U1～U6的各单元、交接台TRS3、液处理单元之间进行晶片W的交接。这样的主臂A1，根据来自控制部70的指令，通过未图示的控制器控制驱动。另外，为了防止主臂A1(A3～A5)在加热单元中蓄积热量，能够利用程序任意地控制晶片W的接收顺序。
另外，在上述处理块S2与接口块S3相邻的区域，如图1和图3所示，在主臂A1、往复移送臂A能够访问的位置，设置有架单元U6。该架单元U6，如图3所示，为了在与各DEV层B1、B2的主臂A1之间进行晶片W的交接，在本例子中，各DEV层B1、B2包括：2个交接台TRS3；和在与往复移送臂A之间进行晶片W的交接的具有冷却功能的交接台ICPL。
此外，图13表示这些处理单元的布局的一个例子，在该布局中，为了方便，处理单元不限于加热单元(CLHP、PEB、POST)、疏水化处理装置(ADH)、周边曝光装置(WEE)，也可以设置其他单元，在实际的装置中，考虑各处理单元的处理时间等，决定单元的设置数量。
另一方面，曝光装置S4通过接口块S3与处理块S2的架单元U6的内侧连接。接口块S3中包括用于相对于处理块S2的DEV层B1、B2的架单元U6的各部和曝光装置S4进行晶片W的交接的接口臂(interface arm)E。该接口臂E构成介于处理块S2与曝光装置S4之间晶片W的搬送单元，在本例子中，为了相对于上述DEV层B1、B2的交接台TRS3、ICPL进行晶片W的交接，构成为在水平的X、Y方向和铅垂的Z方向上自由移动、并围绕铅垂轴自由旋转。
在上述构成的抗蚀剂涂敷-显像处理装置中，在叠层成5段的各单元块B1～B5间，由上述交接臂D，分别通过交接台TRS1、TRS2，能够自由地进行晶片W的交接，并由上述的接口臂E，通过显像处理用的单位块B1、B2，在处理块S2和曝光装置S4之间，能够进行晶片W的交接。
以下，针对如上所述构成的抗蚀剂涂敷-显像处理装置中的晶片W的搬送处理方式，参照图1～图4和图13进行说明。此外，这里，针对以下的情形进行说明：在架单元U5的收纳块10a～10d的最下段的第一收纳块10a上，配置有两段的冷却板CPL9、CPL10，在其上段的第二收纳块10b上配置有两段的冷却板CPL1、CPL2和多个载置架13(BUF1)，在其上段的第三收纳块10c上配置有两段的冷却板CPL3、CPL4和多个载置架13(BUF2)，另外，其上段即最上段的第四收纳块10d上配置两段的冷却板CPL5、CPL6和多个载置架13(BUF3)。
没有防反射膜的搬送处理方式
首先，载体20从外部被搬入载体块S1，通过传送臂C从该载体20内将晶片W取出。晶片W通过传送臂C被搬送至架单元U5的交接台TRS1后，通过交接臂D被搬送至架单元U5的第三收纳块10c的冷却板CPL3上，并通过该冷却板CPL3被交接至COT层B4的主臂A4上。之后，晶片W通过主臂A4被搬送至疏水化处理单元(ADH)并进行疏水化处理后，再次被搬送至架单元U5的第三收纳块10c的冷却板CPL4上，并被调整至规定温度。之后，通过主臂A4从架单元U5取出的晶片W，被搬送至涂敷单元32，在涂敷单元32形成抗蚀剂膜。形成抗蚀剂膜的晶片W，通过主臂A4被搬送至加热单元(CLHP4)，进行用于使溶剂从抗蚀剂膜蒸发的预烘焙。之后，晶片W通过主臂A4被搬送至架单元U5的第三收纳块10c的载置架BUF2上并暂时等候，之后，交接臂D进入架单元U5的第三收纳块10c的载置架BUF2接收晶片W，并交接至架单元U5的交接台TRS2。接着，通过往复移送臂A被搬送至架单元U6的交接台ICPL。然后，交接台ICPL的晶片W通过接口臂E被搬送至曝光装置S4，并在此处进行规定的曝光处理。
曝光处理后的晶片W，为了通过接口臂E将晶片W交接至DEV层B1(或DEV层B2)而被搬送至架单元U6的交接台TRS3，该台TRS3上的晶片W被DEV层B1(DEV层B2)的主臂A1接收，在该DEV层B1(DEV层B2)中，首先利用加热单元(PEB1)进行加热处理后，主臂A1被搬送至架单元U6的冷却板CPL7(CPL8)，并被调整至规定温度。之后，晶片W通过主臂A1从架单元U6被取出并被搬送至显影单元31，并涂敷显影液。之后，通过主臂A1被搬送至加热单元(POST1)，进行规定的显影处理。为了将晶片W交接至传送臂C，如上进行显影处理的晶片W，被搬送至架单元U5的第一收纳块10a的冷却板CPL9(CPL10)，并被调整至规定温度后，通过传送臂C被返回至载置于载体块S1上的原载体20。
<在抗蚀剂膜的下侧形成防反射膜的搬送处理方式>
首先，载体20从外部被搬入载体块S1，通过传送臂C从该载体20内将晶片W取出。晶片W从传送臂C被交接至交接臂D后，通过交接臂D搬送至架单元U5的第二收纳块10b的冷却板CPL1，通过该冷却板CPL1交接至BCT层B3的主臂A3上。
然后在BCT层B3上，通过主臂A3按照以下顺序被搬送：第一防反射膜形成单元33→加热单元(CLHP3)→架单元U5的第二收纳块10b的载置架BUF1，形成第一防反射膜。载置在第二收纳块10b内的载置架BUF1上的晶片W，通过交接臂D被搬送至第三收纳块10c的冷却板CPL3(CPL4)上，并被调整至规定温度。
然后，第三收纳块10c的晶片W通过主臂A4按照以下顺序被搬送：涂敷单元32→加热单元CLHP4→架单元U5的第三收纳块10c的载置架BUF2，在第一防反射膜的上层形成抗蚀剂膜。
之后，交接臂D进入架单元U5的第三收纳块10c的载置架BUF2接收晶片W，并交接至架单元U5的交接台TRS2上。接着，通过往复移送臂A被搬送至架单元U6的交接台ICPL。接着，交接台ICPL的晶片W通过接口臂E被搬送至曝光装置S4并在此处进行规定的曝光处理。
曝光处理后的晶片W，通过接口臂E按照以下顺序被搬送：架单元U6的交接台TRS3→加热单元(PEB1)→架单元U6的冷却板CPL7(CPL8)→显影单元31→加热单元(POST1)，并进行规定的显影处理。为了将晶片W交接至往复移送臂C，进行了上述显影处理的晶片W，被搬送至架单元U5的第一收纳块10a的冷却板CPL9(CPL10)并被调整至规定温度后，通过传送臂C被返回载置于载体块S1的原载体20内。
<在抗蚀剂膜的上侧形成防反射的搬送处理方式>
首先，载体20从外部被搬入载体块S1，通过传送臂C从该载体20内将晶片W取出。晶片W通过传送臂C被搬送至架单元U5的交接台TRS1后，通过交接臂D被搬送至架单元U5的第三收纳块10c的冷却板CPL3上，并通过该冷却板CPL3被交接至COT层B4的主臂A4上。之后，晶片W，通过主臂A4被搬送至疏水化处理单元(ADH)→架单元U5的第三收纳块10c的冷却板CPL4，并被调整至规定的温度。之后，通过主臂A4从架单元U5取出的晶片W，被搬送至涂敷单元32，在涂敷单元32形成抗蚀剂膜。形成抗蚀剂膜的晶片W，通过主臂A4被搬送至加热单元(CLHP4)，进行用于使溶剂从抗蚀剂膜蒸发的预烘焙。之后，晶片W通过主臂A4被收纳至架单元U5的第三收纳块10c的载置架BUF2上并暂时等候。
接着，第三收纳块10c上的晶片W，通过交接臂D被搬送至架单元U5的第四收纳块10d的冷却板CPL5(CPL6)，被调整至规定温度后，被交接至TCT层B5的主臂A5。然后，在TCT层B5上，通过主臂A5按照以下顺序被搬送：第二防反射膜形成单元34→加热单元(CLHP5)→架单元U5的第四收纳块10d的载置棚BUF3，形成第二防反射膜。此外，此时也可以通过加热单元(CLHP5)在加热处理后搬送至周边曝光装置(WEE)，进行周边曝光处理后，搬送至架单元U5的第四收纳块10d的载置架BUF3上。
之后，交接臂D进入架单元U5的第四收纳块10d的载置架BUF3接收晶片W，并交接至架单元U5的交接台TRS2上。接着，通过往复移送臂A被搬送至架单元U6的交接台ICPL。接着，交接台ICPL的晶片W通过接口臂E被搬送至曝光装置S4并在此处进行规定的曝光处理。
曝光处理后的晶片W，通过接口臂E按照以下顺序被搬送：架单元U6的交接台TRS3→加热单元(PEB1)→架单元U6的冷却板CPL7(CPL8)→显影单元31→加热单元(POST1)，并进行规定的显影处理。为了将晶片W交接至传送臂C，进行了上述显影处理的晶片W，被搬送至架单元U5的第一收纳块10a的冷却板CPL9(CPL10)并被调整至规定温度后，通过传送臂C被返回载置于载体块S1的原载体20内。
<在抗蚀剂膜的下侧和上侧形成防反射膜的搬送处理方式>
在抗蚀剂膜的下侧和上侧形成防反射膜时，将在上述抗蚀剂膜的下侧形成防反射膜的搬送处理与在抗蚀剂膜的下侧形成防反射膜的搬送处理组合，能够在抗蚀剂膜的下侧和上侧形成防反射膜。即，首先，载体20从外部被搬入载体块S1，通过传送臂C从该载体20内将晶片W取出，交接至交接臂D后，通过交接臂D搬送至架单元U5的第二收纳块10b的冷却板CPL1，通过该冷却板CPL1交接至BCT层B3的主臂A3上。
然后在BCT层B3上，通过主臂A3按照以下顺序被搬送：第一防反射膜形成单元33→加热单元(CLHP3)→架单元U5的第二收纳块10b的载置架BUF1，形成第一防反射膜。载置在第二收纳块10b内的载置架BUF1上的晶片W，通过交接臂D被搬送至第三收纳块10c的冷却板CPL3(CPL4)上，并被调整至规定温度。
然后，第三收纳块10c的晶片W通过主臂A3按照以下顺序进行搬送：涂敷单元32→加热单元CLHP4→架单元U5的第三收纳块10c的载置架BUF2，在第一防反射膜的上层形成抗蚀剂膜。
接着，第三收纳块10c的晶片W，通过交接臂D被搬送至架单元U5的第四收纳块10d的冷却板CPL5(CPL6)，并被调整至规定温度后，交接至TCT层B5的主臂A5。然后，TCT层B5通过主臂A5按照以下顺序被搬送：第二防反射膜形成单元34→加热单元(CLHP5)→架单元U5的第四收纳块10d的载置棚BUF3，在抗蚀剂膜的上层形成第二防反射膜。另外，此时也可以通过加热单元(CLHP5)加热处理后搬送至周边曝光装置(WEE)，进行周边曝光处理后，搬送至架单元U5的第四收纳块10c的载置架BUF3上。
之后，交接臂D进入架单元U5的第四收纳块10d的载置架BUF3接收晶片W，并交接至架单元U5的交接台TRS2上。接着，通过往复移送臂A搬送至架单元U6的交接台ICPL。接着，交接台ICPL的晶片W通过接口臂E搬送至曝光装置S4，并在此进行规定的曝光处理。
曝光处理后的晶片W，通过接口臂E按照以下顺序被搬送：架单元U6的交接台TRS3→加热单元(PEB1)→架单元U6的冷却板CPL7(CPL8)→显影单元31→加热单元(POST1)，并进行规定的显影处理。为了将晶片W交接至传送臂C，进行了上述显影处理的晶片W，被搬送至架单元U5的第一收纳块10a的冷却板CPL9(CPL10)并被调整至规定温度后，通过传送臂C返回载置于载体块S1的原载体20。
以上，上述涂敷·显影处理装置具有由计算机构成的控制部70，该计算机进行以下操作：各处理单元的方案的管理、晶片W的搬送流程(搬送路径)的时间表管理、各处理单元中的处理、主臂A1、A3～A5、传送臂C、交接臂D、接口臂E的驱动控制，在该控制部70中，使用单位块B1～B5对晶片W进行搬送、处理。
上述搬送流程的时间表是指定单位块内的晶片W的搬送路径(搬送的顺序)的时间表，每个单位块B1～B5根据形成的涂敷膜的种类作成，据此，每个单位块B1～B5的多个搬送流程的时间表被收纳在控制部70。
另外，根据形成的涂敷膜，包括以下搬送模式：将晶片W搬送至全部单位块B1～B5的搬送模式；将晶片W搬送至进行显影处理的单位块(DEV层B1、B2)、进行抗蚀剂液的涂敷的单位块(COT层B4)和用于形成第一防反射膜的单位块(BCT层B3)的搬送模式；将晶片W搬送至进行显影处理的单位块(DEV层B1、B2)、进行抗蚀剂液的涂敷的单位块(COT层B4)和用于形成第二防反射膜的单位块(TCT层B5)的搬送模式；仅将晶片W搬送至进行显影处理的单位块(DEV层B1、B2)的搬送模式。通过控制部70的模式选择部件，根据将要形成的涂敷膜的种类选择搬送晶片W的单位块，同时，通过从针对每个被选择的单位块而准备的多个搬送流程的时间表中选择最佳方案，根据形成的涂敷膜而选择所使用的单位块，在该单位块中，各处理单元或臂的驱动被控制，并进行一系列的处理。
这种涂敷·显影处理装置，由于将各涂敷膜形成用的单位块和显影处理用的单位块设置在不同区域，分别设置了专用的主臂A1、A3～A5和往复移送臂A，因此减轻了这些主臂A1、A3～A5和往复移送臂A的负荷。因此，由于提高了主臂A1、A3～A5和往复移送臂A的搬送效率，其结果能够提高生产率。
另外，通过将上述交接臂D和主臂A1、A3～A5、往复移送臂A的臂本体60(80)的厚度h1、h2与上述载置架13(板状臂13a)的厚度h设为大致相同的厚度，由于交接臂D和主臂A1、A3～A5、往复移送臂A的臂本体60(80)形成为分别以与载置架13(板状臂13a)的厚度h在截面方向重合的位置关系，能够进退地形成在架单元U5，因此，不需要提高架单元U5，就能够增加载置架13的数量，能够节省空间。
此外，上述实施方式，针对载置架13突出设置支持晶片W的接近销18a、18b、18c的情况进行了说明，也可以不用接近销18a、18b、18c而在载置架13上设置吸附孔，选择在吸附孔上连接真空装置的真空吸附方式。
此外，在上述实施方式中，也可以根据上述架单元U5的第二～第四收纳块10b、10c、10d中各载置架13(BUF1～BUF3)的晶片W的有无状况将晶片W搬送(交接)至架单元U5。即，如图1和图14所示，在各载置架13上设置检测晶片W有无的例如静电容量式的基板检测传感器40，将通过该基板检测传感器40检测的信号传达至作为控制单元的控制部70，通过控制部70确定架单元U5的收纳块10b～10d的晶片W的收纳状况。另外，也可以根据来自控制部70的控制信号使主臂A3～A5动作，在没有晶片W的空的载置架13上进行晶片W的交接(搬送)。由此，晶片W的交接(搬送)能够确实的进行，可以实现生产率的提高。
另外，尽管上述实施方式，针对将本发明的基板搬送处理装置应用于半导体晶片的抗蚀剂涂敷-显影处理系统的情形进行说明，但本发明的基板搬送处理装置不言而喻同样适用于LCD玻璃基板的抗蚀剂涂敷-显影处理系统。

Claims (8)

1.一种基板搬送处理装置，其特征在于，包括：
配置能够收容多块基板的载体的载体块；
具有对从所述载体中取出的基板进行适当处理的处理单元的处理块；
在所述处理块内、将从所述载体块搬送的基板交接至所述处理单元的至少能够沿铅垂方向和水平方向移动的基板搬送单元；
配置在所述载体块与处理块之间，能够收纳多块基板的基板收纳部；和
能够在与所述载体块之间进行基板的交接，将所述基板交接至所述基板收纳部的至少能够沿铅垂方向和水平方向移动的基板交接单元，
其中，所述基板收纳部具有能够从所述基板搬送单元与基板交接单元交叉的两个方向进行基板交接的开口部，并且，将支撑基板下面的多个载置架相互隔开间隔而叠层，
所述基板搬送单元和基板交接单元分别形成为能够以在截面方向上与所述载置架的厚度重叠的位置关系相对于基板收纳部进退，
所述多个载置架的间隔形成为小于所述基板搬送单元和基板交接单元的厚度。
2.如权利要求1所述的基板搬送处理装置，其特征在于：
所述处理块包括：在基板上形成包括抗蚀剂膜的涂敷膜的涂敷膜形成用处理单元；用于将防反射膜用的药液涂敷在基板上的防反射膜形成用处理单元；以及对基板进行加热处理的加热处理单元，
所述基板收纳部包括将基板冷却的冷却板。
3.如权利要求2所述的基板搬送处理装置，其特征在于：
所述处理块将以下的块叠层：利用基板搬送单元的水平移动区域分割涂敷膜形成用处理单元和加热处理单元的涂敷膜形成用单位块；利用所述基板搬送单元的水平移动区域分割在涂敷膜的下侧形成防反射膜的第一防反射膜形成用单元和加热处理单元的第一防反射膜形成用单位块；以及利用所述基板搬送单元的水平移动区域分割在涂敷膜的上侧形成防反射膜的第二防反射膜形成用单元和加热处理单元的第二防反射膜形成用单位块，
所述基板收纳部具有用于与所述涂敷膜形成用单位块、第一防反射膜形成用单位块和第二防反射膜形成用单位块相对应的被分割为多个的收纳块，并且，各收纳块中具有多个载置架和冷却板。
4.如权利要求1所述的基板搬送处理装置，其特征在于：
所述处理块包括：在基板上形成包括抗蚀剂膜的涂敷膜的涂敷膜形成用处理单元；用于将防反射膜用的药液涂敷在基板上的防反射膜形成用处理单元；以及对基板进行加热处理的加热处理单元，
所述基板收纳部包括将基板冷却的冷却板。
5.如权利要求4所述的基板搬送处理装置，其特征在于：
所述处理块将以下的块叠层：利用基板搬送单元的水平移动区域分割涂敷膜形成用处理单元和加热处理单元的涂敷膜形成用单位块；利用所述基板搬送单元的水平移动区域分割在涂敷膜的下侧形成防反射膜的第一防反射膜形成用单元和加热处理单元的第一防反射膜形成用单位块；以及利用所述基板搬送单元的水平移动区域分割在涂敷膜的上侧形成防反射膜的第二防反射膜形成用单元和加热处理单元的第二防反射膜形成用单位块，
所述基板收纳部具有用于与所述涂敷膜形成用单位块、第一防反射膜形成用单位块和第二防反射膜形成用单位块相对应的被分割为多个的收纳块，并且，各收纳块中具有多个载置架和冷却板。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板搬送处理装置，其特征在于：
所述载置架中，在从所述基板收纳部的一侧突入该基板收纳部内的板状臂的前端部的被同心圆状等分的3处，突出设置有与板状臂的表面稍微隔开间隙而支撑基板的销，并且，将其中之一的第一销配置成与基板交接单元进入基板收纳部内的方向平行，
所述基板搬送单元具有，在与所述第一销以外的第二和第三销不干涉的范围内，一个弯曲臂片比另一个弯曲臂片更向前端侧延伸的变形马蹄形状的臂本体，并且，在两臂片的前端侧下部和臂本体的基部侧下部的三处，设置有支撑基板的支撑爪。
7.如权利要求1至5中任一项所述的基板搬送处理装置，其特征在于：
所述载置架由从所述基板收纳部的一侧突入该基板收纳部内的板状臂构成，各板状臂彼此隔着垫片由连结部件能够装卸地呈叠层状连结固定。
8.如权利要求1至5中任一项所述的基板搬送处理装置，其特征在于：
设置有检测所述基板收纳部的各载置架上有无基板的基板检测传感器，并且具有根据由该基板检测传感器检测出的信号，控制基板搬送单元将基板交接至所述基板收纳部的动作的控制单元。
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