KR101060368B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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요시오 키무라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서 기판 처리 장치는 캐리어 재치부(21)상의 기판 캐리어 (C)의 사이에 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단(22)을 포함하는 캐리어 블럭(B1)과 이 캐리어 블럭(B1)에 인접하여 설치되고 제 2의 반송수단(23)을 구비한 반송 블럭(B2)과 제1의 반송 수단(22)과 제2의 반송 수단(23)의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제1의 수수 스테이지(24)와 반송 블럭(B2)에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리블럭(B3, B4)를 구비하고 있다. 처리 블럭(B3, B4)은 각 처리블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 처리를 실시하고 있으므로 처리 블럭을 탈착에 의해 기판의 대폭적인 처리 매수의 증감에 대응할 수 있고 또 처리 블럭의 변경에 의해 다른 품종의 변경에 용이에 대응할 수 있다.기판의 처리 매수의 증감이나 품종의 변경에 용이하게 대응할 수 있는 기술을 제공한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 예를 들면 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스브레이용 유리 기판) 등의 기판의 표면에 처리액을 공급해 소정의 기판 처리 예를 들면 레지스트액의 도포나 노광 후의 현상 처리 등을 실시하는 기판 처리 장치에 관한다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 한다) 등의 기판에 레지스트액을 도포해 포토마스크를 이용해 그 레지스트막을 노광해 현상하는 것에 의해 원하는 레지스트 패턴을 기판상에 제작하는 포트리소그래피 기술이 이용되고 있다. 이러한 처리는 일반적으로 레지스트액의 도포·현상을 실시하는 도포·현상 장치에 노광 장치를 접속한 기판 처리 장치를 이용해 행해진다.
기판 처리 장치는 높은 수율을 확보하면서 장치 점유 면적의 소용량화를 도모하기 위해서 도포 처리 현상 처리 가열·냉각 처리 등 기판에 대해서 복수가 다른 처리를 실시하는 처리 장치를 각각 유니트화하고 이들의 각 처리마다 필요한 수의 유니트가 조립되어 구성되고 있고 한층 더 각 처리 유니트에 기판을 반입출하기 위한 반송 수단이 설치되고 있다.
이러한 기판 처리 장치의 일례에 대해서 특허 문헌 1의 구성을 참조해 설명한다. 도 18안에 11은 예를 들면 웨이퍼 (W)를 25매 수납한 캐리어 (10)이 반출입 되는 캐리어 스테이지 (11)이고 이 캐리어 스테이지 (11)에는 예를 들면 3개의 처리 블럭 (12A ·12B ·12C)가 접속되고 제3의 처리 블럭 (12C)에는 인터페이스 블럭 (12D)를 개재하여 노광 장치 (12E)가 접속되고 있다. 처리 블럭 (12A ·12B ·12C)는 각각 중앙에 반송 수단 (13A·13B ·13C)를 갖춤과 동시에 이 주위에 제 1 및 제2의 처리 블럭 (12A·12B)에서는 웨이퍼에 도포액을 도포하기 위한 도포 유니트 (14A·14B)· 제3의 처리 블럭 (12C)에서는 노광 후의 웨이퍼에 현상 처리를 행하기 위한 현상 유니트 (15) ·모든 처리 블럭 (12A∼12C)에서는 도포 유니트 (14)나 현상 유니트 (15)의 처리의 전후에 웨이퍼에 대해서 소정의 가열 처리나 냉각 처리를 행하기 위한 가열 유니트 ·냉각 유니트나 수수 유니트 등을 구비한 선반 유니트 (16A∼16G)가 설치되고 있다.
이 장치에서는 캐리어 스테이지 (11)의 캐리어 (10)내의 웨이퍼는 수수 아암 (17)에 의해 꺼내져 선반 유니트 (16A)의 수수 유니트를 개재하여 제1의 처리 블럭 (12A)에 반송되어 차례로 제 1 및 제 2의 처리 블럭 (12A · 12B)가 비어 있는 처리 유니트에 소정의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리를 한 후 처리 블럭 (12C) ·인터페이스 블럭 (12D)를 개재하여 노광 장치 (12E)에 반송되어 여기서 소정의 노광 처리를 한다. 이 후 다시 제3의 처리 블럭 (12C)가 비어 있는 처리 유니트에 소정의 순서로 반송되어 현상 처리를 한다. 또한 도포 처리나 현상 처리의 전후에는 비어 있는 처리 유니트에서 가열 처리나 냉각 처리를 한다. 여기서 제1의 처리 블럭 (12A)와 제2의 처리 블럭 (12B)의 사이 ;제2의 처리 블럭 (12B)와 제3의 처리 블럭 (12C)의 사이; 제3의 처리 블럭 (12C)와 인터페이스 블럭 (12D)의 사이에서는 각각 선반 유니트 (16C·16E·16G)의 수수 유니트를 개재하여 웨이퍼의 수수를 행한다.
[특허 문헌1] : 일본국 특개평2000-124124호 공보(도 2참조)
그런데 상술의 도포·현상 장치는 당초부터 노광 장치 (12E)의 처리 매수에 맞춘 처리 능력을 갖춘 장치로서 납품되어 예를 들면 노광 장치 (12E)의 최대 처리 능력을 미리 고려한 수율을 확보할 수 있도록 각 처리 유니트의 개수나 처리 유니트의 배열을 고려하고 있어 예를 들면 처리 매수의 최대값은 약 150매/시간 정도로 설정되어 있다.
그렇지만 실제로는 노광 장치 (12E)의 납품 당초의 처리 매수는 50매/시간 정도이고 또 요즈음의 미세화 프로세스의 진보와 함께 노광 장치 (12E)의 조건 방식이 곤란하게 되고 처리 매수를 100매/시간 정도로 높이기 위해서는 1년 이상의 조정 시간이 필요하고 있다. 이 때문에 도포·현상 장치는 납품시에는 필요 이상의 처리 능력을 갖춘 장치로서 납품되어지고 초기의 설비투자가 너무 커져 납품시의 설비투자에 쓸데없는 부분이 생기고 있다.
따라서 도포 현상 장치에 있어서도 노광 장치 (12E)의 수율에 맞추어 처리 매수를 예를 들면 50매/시간 정도로부터 100매/시간 정도까지의 단계적으로 큰폭으로 높여 가는 것이 합리적이지만 실제로는 도포·현상 장치에서는 제1 ∼제 3의 처리 블럭 (12A∼12C) 전체로 일련의 처리를 실시하고 있고 각각의 처리 블럭 (12A∼12C)에 설치된 반송 수단 (13A∼13C)는 각각의 처리 블럭 (12A∼12C)내의 웨이퍼의 반송 뿐만 아니라 제1의 처리 블럭 (12A)의 반송 수단 (13A)는 제 1 및 제2의 처리 블럭 (12A·12B)동지 사이의 웨이퍼의 반송을; 제2의 처리 블럭 (12B)의 반송수단 (13B)는 제 2 및 제 3의 처리 블럭 (12B·12C)동지 사이의 웨이퍼의 반송을; 제3의 처리 블럭 (12C)의 반송수단 (13C)는 제3의 처리 블럭 (12C)와 인터페이스 블럭 (12D) 사이의 웨이퍼의 반송을 각각 실시하지 않으면 안 되기 때문에 반송 수단 (13A~13C)의 부하가 크고 도포·현상 장치의 토탈의 처리 매수를 100매 정도까지 증가하려고 하면 맞춤 작업은 용이하지 않다.
한층 더 납품처의 각사마다 요구하는 처리 매수가 달라 특히 가열 유니트에서의 베이크 처리나 현상 시간이 달라 지지만 기술과 같이 제1~ 제 3의 처리 블럭 (12A∼12C) 전체로 일련의 처리를 행하는 경우에는 1개의 처리 유니트에서의 처리 시간의 차이가 반송 수단 (13A∼13C)의 반송 프로그램에 크게 영향을 미치고 각회사별 처리 매수의 맞춤이 번잡하게 된다. 또 종래에서는 도포·현상 장치는 소정의 품종의 전용의 장치로서 이용되고 있어 품종이 다른 처리에 대해서는 다른 장치를 이용한다고 하는 생각이었지만 최근에는 1대의 장치에 의해 소량 다품종의 생산에 대응할 수 있는 것이 바람직하고 있다.
본 발명은 이러한 사정 아래에 이루어진 것이고 그 목적은 기판의 처리 매수의 증감이나 품종의 변경에 용이하게 대응할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
이 때문에 본 발명의 기판 처리 장치는 복수 매수의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어 재치부와 이 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과 ; 이 캐리어 블럭에 인접해 설치되어 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과 ; 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와 ; 반송로를 따라 배열되어 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리 블럭을 구비하고 각 처리 블럭은 레지스트액을 기판에 도포하기 위한 도포 유니트와 노광 후의 기판에 대해서 현상 처리를 행하기 위한 현상 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제2의 수수 스테이지를 포함하고 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 레지스트액의 도포 및/또는 노광 후의 현상 처리를 실시한다.
여기서 기판 처리 장치는 반송로의 캐리어 블럭에 접속된 측의 반대 측에 노광 장치가 접속되는 인터페이스부가 접속되도록 구성해도 괜찮고 반송로의 처리 블럭에 접속된 측의 반대 측에 노광 장치가 접속되는 인터페이스부가 접속되도록 구성해도 괜찮다.
또 본 발명의 다른 기판 처리 장치는 복수 매수의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어 재치부와 이 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제1의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과 이 캐리어 블럭에 인접해 설치되어 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와 반송로를 따라 배열되어 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리 블럭을 구비하고 각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 처리를 실시한다. 여기서 예를 들면 액처리 유니트는 도포막을 형성하는 처리를 실시하는 것이고 또 액처리 유니트는 절연막의 전구(前驅) 물질을 포함한 약액을 기판에 도포하는 것이다.
이러한 기판 처리 장치에서는 처리 블럭은 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되고 있고 각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 일련의 처리를 실시하고 있으므로 기판의 처리 매수를 큰폭으로 증감시키고 싶을 때에는 처리 블럭을 장치 본체에 대해서 탈착하는 것으로써 대응할 수 있고 또 각 처리 블럭마다 처리가 완결 하고 있으므로 처리 블럭의 변경에 의해 다른 품종의 변경에 용이하게 대응할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치에서는 처리 블럭은 평면적인 크기가 동일하게 형성되는 것이 바람직하다. 또 제2의 반송 수단은 복수의 처리 블럭 그리고 연장하는 반송 블럭에 설치되고 각 처리 블럭은 반송 블럭에 대해서 탈착할 수 있도록 구성되고 있는 것이 바람직하다. 또한 처리 블럭이 배치되는 영역의 저부 또는 측부에 처리 블럭의 위치 결정을 하기 위해서 설치된 위치 결정 부재를 구비하도록 구성해도 좋고 처리 블럭이 배치되는 영역의 저부 또는 측부에 처리 블럭을 인입하기 위해서 설치된 가이드 부재와 이 가이드 부재에 처리 블럭의 위치 결정을 하기 위해서 설치된 위치 결정 부재를 구비하도록 구성해도 괜찮다.
또 각 처리 블럭은 외부에서 용력을 수중에 넣기 위한 복수의 용력 라인과 외부의 대응하는 용력 라인의 접속단에 대해서 탈착할 수 있도록 구성된 각 용력 라인의 접속단을 구비하고 외부측의 접속단은 제2의 반송 수단의 하부 측에 설치되어 처리 블럭을 제2의 반송 수단 측에 밀어 넣을 때에 해당 외부의 접속단과 처리 블럭측의 접속단이 접속되도록 구성하도록 해도 괜찮다. 또한 복수의 용력 라인은 서로 다른 용력을 공급하는 것이고 그들 복수의 용력 라인의 각각은 하류측에서 분기되어 각 처리 유니트에 이끌리고 있어 복수의 용력 라인은 온도 조절용 유체의 공급 라인 불활성 가스의 공급 라인 ·급전선 및 신호선이나 약액 공급관을 포함하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본발명의 실시의 형태와 관련되는 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.
도 3은 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 4는 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 5는 기판 처리 장치의 처리 블럭의 내부를 나타내는 사시도이다.
도 6A는 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭의 용력 라인의 접속의 모 습을 나타내는 설명도이다.
도 6B는 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭의 용력 라인의 접속의 모습을 나타내는 설명도이다.
도 7은 기판 처리 장치에 처리 블럭을 추가하는 모습을 나타내는 평면도이다.
도 8A는 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭 접속의 모습을 나타내는 평면도이다.
도 8B는 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭 접속의 모습을 나타내는 평면도이다.
도 9는 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭 접속의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 10은 기판 처리 장치의 반송 블럭과 처리 블럭 접속의 모습을 나타내는 측면도이다.
도 11은 기판 처리 장치에 설치되는 도포 유니트를 나타내는 단면도이다.
도 12는 기판 처리 장치에 설치되는 가열 유니트(PEB)를 나타내는 단면도이다.
도 13은 기판 처리 장치에 설치되는 제3의 반송 수단을 나타내는 사시도이다.
도 14는 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다.
도 15는 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 16은 기판 처리 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 17은 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다.
도 18은 종래의 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 19는 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시의 형태를 나타내는 평면도이다.
**주요부위를 나타내는 도면부호의 설명**
B1 캐리어 블럭
B2 반송 블럭
B3 제 1의 처리 블럭
B4 제 2의 처리 블럭
B5 인터페이스부
B6 노광 장치
C 기판 캐리어
22 제 1의 반송 수단
23 제 2의 반송 수단
24 수수 스테이지
31 제 3의 반송 수단
32 도포 유니트
33 현상 유니트
이하에 본 발명의 기판 처리 장치의 일실시의 형태에 대해서 설명한다. 여기서 도 1은 기판 처리 장치의 일실시의 형태와 관련되는 전체 구성을 나타내는 평면도로서 도 2는 그 개략 사시도이다. 도중 B1은 예를 들면 25매의 기판 예를 들면 반도체 웨이퍼 (W)가 수납된 기판 캐리어 (C)를 반입출하기 위한 캐리어 블럭이고 이 캐리어 블럭 (B1)은 기판 캐리어 (C)를 재치하는 캐리어 재치부 (21)과 제1의 반송 수단 (22)를 구비하고 있다.
이 캐리어 블럭 (B1)의 예를 들면 한쪽측 예를 들면 캐리어 재치부 (21)측으로부터 볼때 좌단 측에는 캐리어 (C)의 배열 방향으로 대략 직교 하는 방향으로 직선형상으로 연장하는 반송로를 구비한 반송 블럭 (B2)가 캐리어 블럭 (B1)와 접속하도록 설치되고 있다. 그리고 캐리어 블럭 (B1)의 제1의 반송 수단 (22)는 기판 캐리어 (C)로부터 웨이퍼 (W)를 꺼내 꺼낸 웨이퍼 (W)를 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)으로 수수하도록 좌우 전후에 이동 자유·승강 자유·수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다.
여기서 캐리어 블럭 (B1)의 반송 블럭 (B2)가 접속된 영역의 근방에는 캐리어 블럭 (B1)의 제1의 반송 수단 (22)와 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지 (24)가 설치되고 있다. 이 수수 스테이지 (24)는 예를 들면 반송 블럭 (B2)에 웨이퍼 (W)를 반입 할 때에 이용하는 반입용 수수 스테이지와 반송 블럭 (B2)로부터 웨이퍼 (W)를 반출 할 때에 이용하는 반출용 수수 스테이지의 2단 구성으로 되어 있다. 또한 수수 스테이지 (24)는 반송 블럭 (B2)내로서 제1의 반송 수단 (22)를 액세스 할 수 있는 영역에 설치하도록 해도 괜찮고 반송 블럭 (B2)에 대해서 웨이퍼 (W)를 반출입할 때에 공통의 수수 스테이지를 이용하도록 한 1단 구성의 것으로서도 좋다.
반송 블럭 (B2)에는 캐리어 (C)의 배열 방향으로 대략 직교하는 방향으로 직선 형상으로 연장하도록 반송로를 이루는 가이드 레일 (25)가 설치되고 있어 제2의 반송 수단 (23)은 예를 들면 웨이퍼 (W)를 보지하기 위한 2매의 보지 아암을 구비함과 동시에 가이드 레일 (25)를 따라 캐리어 (C)의 배열 방향으로 대략 직교 하는 방향으로 이동 자유·승강 자유·진퇴 자유·수직축주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다.
또 반송 블럭 (B2)에는 반송로를 따라 배열된 복수의 처리 블럭이 장치 본체를 이루는 반송 블럭 (B2)에 대해서 탈착 자유롭게 설치되고 있다. 구체적으로는 반송 블럭 (B2)에는 캐리어 블럭 (B1)의 안쪽 측에 소정의 공간을 개재하여 캐리어 블럭 (B1)측으로부터 볼때 1번째의 처리 블럭 (B3) 및 2번째의 처리 블럭 (B4)가 접속되고 있다. 이 예에서는 처리 블럭 (B3) 및 처리 블럭 (B4)는 각 부분의 배치의 레이아웃도 포함해 동일한 구성으로 구성되고 있다. 즉 처리 블럭 (B3)(B4)는 동일한 크기로 형성됨과 동시에 웨이퍼 (W)에 대해서 같은 품종의 일련의 처리를 실시하도록(듯이) 처리 블럭 (B3)(B4)에 배치 설치되는 처리 유니트의 종류나 개수 레이아웃이 동일한 구성으로 설정되어 있다.
구체적으로 제1의 처리 블럭 (B3)을 예로 해 도 3· 도 4 ·도 5도 참조해 설명하면 처리 블럭 (B3)의 중앙에는 제3의 반송 수단 (31)이 설치되고 있고 이것을 둘러싸도록 예를 들면 캐리어 블럭 (B1)로부터 안쪽을 볼때 예를 들면 우측에는 예를 들면 2개의 도포 유니트(COT, 32)와 2개의 현상 유니트(DEV, 33)과 1개의 반사 방지막 형성 유니트 (ARC, 34)를 다단 예를 들면 5단으로 겹쳐 쌓은 액처리 유니트군 (U1)이 좌측의 앞측· 안쪽 측에는 가열·냉각계의 유니트 등을 다단 예를 들면 이 예에서는 각각 예를 들면 6단· 10단으로 겹쳐 쌓은 선반 유니트(U2· U3)가 각각 배치되고 있다.
도포 유니트 (32)·현상 유니트 (33)·반사 방지막형성 유니트 (34)는 각각액처리 유니트를 이루는 것이고 도포 유니트 (32)는 웨이퍼 (W)에 레지스트액을 도포하는 처리를 실시하는 유니트 ·현상 유니트 (33)은 예를 들면 노광 후의 기판에 현상액을 액활성 해 소정 시간 그대로의 상태로 해 현상 처리를 실시하는 유니트 ·반사 방지막 형성 유니트 (34)는 예를 들면 레지스트액을 도포하기 전에 웨이퍼 표면에 반사 방지막(Bottom-ARC)을 형성하기 위한 반사 방지막형성 유니트이다. 또 레지스트 성막 후에 그 표면에 반사 방지막(Top-ARC)을 형성하는 경우도 있다.
선반 유니트(U2· U3)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)을 액세스 할 수 있는 영역에 복수의 유니트를 쌓아올려 구성되고 예를 들면 이 예에서는 도포 유니트 (32)나 반사 방지막형성 유니트 (34)등에서의 액처리의 뒤에 도포액에 포함되는 용매를 제거하기 위한 예를 들면 3개의 감압 건조 유니트(VD)· 레지스트액의 도포전에 웨이퍼 (W)에 소정의 가열 처리를 행하기 위한 예를 들면 4개의 가열 유니트(LHP) ·레지스트액의 도포 후에 웨이퍼의 가열 처리를 행하기 위한 프리베이킹 유니트등으로 불리고 있는 예를 들면 1개의 가열 유니트(PAB)· 노광 후의 웨이퍼 (W)를 가열 처리하는 포스트 익스포져 베이킹 유니트등으로 불리고 있는 예를 들면 2개의 가열 유니트(PEB)·웨이퍼 (W)를 소정 온도로 조정하기 위한 온조유니트인 예를 들면 2개의 온조유니트(CPL) 외 처리 블럭 (B3)에 웨이퍼 (W)를 반입하기 위한 예를 들면 1개의 수수 유니트(TRS1)나 처리 블럭 (B3)으로부터 웨이퍼 (W)를 반출하기 위한 예를 들면 1개의 수수 유니트(TRS2) 등이 상하로 할당되어 있다.
이들 수수 유니트 (TRS1·TRS2)는 본 발명의 제2의 수수 스테이지에 상당하는 것이다. 도 3일~도 5는 이들 유니트의 레이아웃의 일례를 나타내고 있지만 유니트의 종류나 수는 이것에 한정되는 것은 아니고 이 예에 있어서도 수수 유니트를 1개로 해 해당 수수 유니트를 웨이퍼 (W)를 처리 블럭 (B3)에 반입할때에도 처리 블럭 (B3)로부터 웨이퍼 (W)를 반출 할 경우에도 이용하도록 해도 괜찮다.
제3의 반송 수단 (31)은 후술 하는 바와 같이 승강 자유·진퇴 자유 및 수직축주위에 회전 자유롭게 구성되어 액처리 유니트군 (U1)· 선반 유니트(U2· U3)의 사이에 웨이퍼 (W)를 반송하는 역할을 가지고 있다. 단 도 2에서는 편의상 제 2의 반송 수단 (23)은 그리지 않고 있다. 또 제2의 반송 수단 (23)은 제1의 반송 수단 (22)로부터 수수되어진 웨이퍼 (W)를 처리 블럭 (B3)의 수수 유니트(TRS1·TRS2)에 수수하도록 기술과 같이 가이드 레일 (25)를 따라 도 1중 좌우 방향으로 이동 자유·승강 자유·진퇴 자유·수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다.
또 이 예에서는 반송 블럭 (B2)의 윗쪽측과 처리 블럭 (B3)의 제3의 반송 수단 (31)이 설치되고 있는 영역의 윗쪽측에는 회전날개가 붙은 팬과 ULPA 필터나 케 미컬 필터로 구성된 팬 필터 유니트(FFU, 35)가 설치되어 이 팬 필터 유니트 (35)에 의해 파티클 및 아암모니아 성분이 제거되어 청정화된 공기가 반송 블럭 (B2)내의 하부측 및 제3의 반송 수단 (31)이 설치되고 있는 영역의 하부 측에 각각 공급되게 되어 있다. 또한 처리 블럭 (B3)내의 선반 유니트(U2· U3)가 설치되고 있는 영역의 윗쪽측과 처리 블럭 (B3)내의 액처리 유니트군 (U1)이 설치되고 있는 영역의 윗쪽측과 각각 전장 품격납부(Elec, 36)이 설치되어 이 안에는 반송 수단 등의 모터에 접속되는 드라이버나 각 유니트에 접속되는 I/0 보트나 각 유니트를 제어하는 제어부 등이 격납된다.
액처리 유니트군 (U1)의 아래쪽측의 바닥면 가까운 곳에는 현상액이나 반사 방지막형성액 등의 도포액등의 약액이나 온도 조절용 유체 현상액 불활성 가스등의 각각의 탱크 등을 수납한 케미컬 유니트 (U4)가 설치됨과 동시에 선반 유니트(U2· U3)의 하부측의 바닥면 가까운 곳에는 외부에서 용력을 수중에 넣기 위한 복수의 용력 라인을 구비한 제1의 용력 유니트 (U5)가 설치되고 있다. 복수의 용력 라인은 서로 다른 용력을 공급하는 것이고 그들 복수의 용력 라인의 각각은 하류측에서 분기되어 각 처리 유니트에 이끌리고 있다. 구체적으로는 용력 유니트 (U5)에는 예를 들면 도 5 ·도 6A 및 도 6B에 나타나는 바와 같이 온도 조절용 유체를 이루는 시수 ·현상액 등의 약액 불활성 가스나 드라이 에어의 공급 라인 등을 포함한 제1의 용력 라인 (41)과 해당 처리 블럭 (B3)에 설치된 액처리계 유니트 가열·냉각계 유니트 등을 작동시키기 위한 급전선이나 INPUT/OUTPUT인 I/O신호선 등의 신호선을 포함한 제2의 용력 라인 (42)가 설치되고 있다. 여기서 케미컬 유니트 (U4)의 약액 등의 탱크는 제1의 용력 라인 (41)과 접속되고 있다.
제 1 및 제2의 용력 라인 (41,42)는 외부의 대응하는 용력 라인의 접속단에 대해서 탈착할 수 있도록 구성된 각 용력 라인의 접속단 (41a, 42a)를 구비하고 있다. 한편 반송 블럭 (B2)에는 도 7에 나타나는 바와 같이 제1의 용력 유니트 (U5)에 대응하는 외부측의 제2의 용력 유니트 (U6)가 설치되고 있고 이 용력 유니트 (U6)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)의 하부 측에 외부의 용력 라인의 접속단 (41b, 42b)를 구비하고 있다(도 3 참조). 또 제2의 용력 유니트 (U6)의 외부의 용력 라인의 접속단 (41b, 42b)의 타단측은 시수나 현상액 불활성 가스나 드라이 에어의 공급원 ·급전케이블 (I/0) 신호선 등에 각각 접속되고 있다. 이렇게 해 처리 블럭 (B3)을 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)측에 밀어 넣을때에 외부측(반송 블럭 (B2)측)의 접속단 (41b, 42b)와 처리 블럭 (B3)측의 접속단 (41a, 42a)가 접속되도록 구성되고 있다. 여기서 반송 블럭 (B2)측의 용력 라인은 전장품 격납부 (36)을 개재하여 각 유니트에 분기되게 되어 있다.
제2의 처리 블럭 (B4)의 제1의 처리 블럭 (B3)의 반대측은 인터페이스부 (B5)를 개재하여 노광 장치 (B6)와 접속되고 있다. 또 인터페이스부 (B5)는 반송 블럭 (B2)의 캐리어 블럭 (B1)에 접속된 측의 반대측과 접속하도록 설정되어 있다. 인터페이스부 (B5)는 수수 수단 (26)을 구비하고 있고 이 수수 수단 (26)은 예를 들면 승강 자유· 좌우 전후에 이동 자유 또한 수직축주위에 회전 자유롭게 구성되어 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)과 노광 장치 (B6)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하게 되어 있다. 여기서 인터페이스부 (B5)의 반송 블럭 (B2)가 접속된 영역의 근방에는 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (26)과 반송 블럭 (B2)의 반송 수단 (23)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 예를 들면 2단으로 구성된 수수 스테이지 (27)이 설치되고 있다. 또한 수수 스테이지 (27)은 반송 블럭 (B2)내부로서 제2의 반송 수단 (23)과 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (26)이 액세스 할 수 있는 영역에 설치하도록 해도 좋고 1단 구성의 것으로서도 좋다.
또 이 예에서는 캐리어 블럭 (B1)과 제1의 처리 블럭 (B3)의 사이의 공간은 처리 블럭 1대분을 수납할 수 있는 공간으로서 구성되고 있어 새롭게 처리 블럭 (B0)를 장착할 수 있게 되어 있다. 여기서 예를 들면 캐리어 블럭 (B1)과 반송 블럭 (B2)의 사이는 회전축 (28)을 개재하여 접속되고 있고 새롭게 처리 블럭 (B0)를 조립하는 경우에는 도 8A에 나타나는 바와 같이 캐리어 블럭 (B1)을 회전축 (28)을 개재하여 회동시켜 반송 블럭 (B2)로부터 분리하고 반송 블럭 (B2)와 캐리어 블럭 (B1)의 사이를 연 상태로 해당 공간내에 새로운 처리 블럭 (B0)를 반송하고 기술과 같이 해당 처리 블럭 (B0)를 반송 블럭 (B2)로 인입하여 처리 블럭 (B0)측의 용력 라인의 접속단 (41a, 42a)와 반송 블럭 (B2)측의 용력 라인의 접속단 (41b, 42b)동지를 접속해(도 6A 참조) 반송 블럭 (B2)에 경첩 (528)을 이용해 새로운 처리 블럭 (B0)를 장착하고 그 다음에 도 8B에 나타나는 바와 같이 캐리어 블럭 (B1)을 원래의 위치 즉 캐리어 재치부 (21)이 반송 블럭 (B2)와 새로운 처리 블럭 (B0)에 인접하는 위치까지 되돌린다. 즉 캐리어 블럭 (B1)은 반송 블럭 (B2)의 단부에 설치된 회전축 (28)을 중심으로 해 회전하는 것이 가능하다. 처리 블럭 (B0)(B3)(B4)는 반송 블럭 (B2)에 경첩 (528)에 의해 장착된 후 경첩 (528)을 중심으로 해 회전되는 것으로 위치 결정된다.
이 때 예를 들면 도 9·도 10에 나타나는 바와 같이 처리 블럭 (B0)의 하단 측에는 예를 들면 처리 블럭 (BO)의 진행 방향(반송 블럭 (B2)측으로 진행하는 방향)의 전방측과 후방측의 진행 방향으로부터 볼때 폭방향의 양측으로 캐스터 (43)이 장착되고 있다. 한편 반송 블럭 (B2)의 하부 측에는 폭방향의 캐스터 (43) 동지의 간격보다 좁은 폭의 가이드 부재를 이루는 가이드 플레이트 (44)가 설치되고 있고 이 가이드 플레이트 (44)의 양측을 캐스터 (43)이 통과하게 되어 있다. 또 가이드 플레이트 (44)의 반입측(앞측)과 처리 블럭 (B0)의 하단측의 반입측(앞측)에는 처리 블럭 (BO)를 반송 블럭 (B2)에 장착했을 때에 원터치로 맞춤 접속할 수 있는 고정 부재 (45;45a, 45b)가 설치되고 있다. 이 고정 부재 (45)는 위치 결정 부재로서도 작용하는 것이다.
이 예에서는 처리 블럭 (B0)를 새롭게 장착 할 경우에는 예를 들면 처리 블럭 (B0)를 캐스터 (43)이 가이드 플레이트 (44)의 양측을 통과하도록 끌어 들여 처리 블럭 (B0)와 가이드 플레이트 (44)가 고정 부재 (45)에 의해 위치 결정되어 맞춤 접속되면 처리 블럭 (B0)측의 용력 라인의 접속단 (41a, 42a)와 외부(반송 블럭 (B2)) 측의 용력 라인의 접속단 (41b, 42b)가 일괄해 접속된다. 또한 처리 블럭 (B0)를 끌어 들이기 위해서 설치된 가이드 플레이트 (44)나 고정 부재 (45)는 처리 블럭 (B0)와 인접하는 캐리어 블럭 (B1)나 제1의 처리 블럭 (B3)의 측부에 마련하도록(듯이) 해도 괜찮다.
여기서 도 3중 (29a, 29b)는 반송 블럭 (B2)의 처리 블럭 (B0)의 수수 유니 트 (TRS1) TRS2에 대응하는 위치에 형성된 웨이퍼 (W)의 반송구이고 웨이퍼 (W)는 이 반송구 (29a, 29b)를 개재하여 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 해당 처리 블럭 (B0)내에 수수되어진다.
이어서 처리 블럭 (B3)(B4)에 설치되는 도포 유니트 (32)나 가열 유니트(PEB) 등의 구성에 대해서 간단하게 설명한다. 먼저 도포 유니트 (32)에 대해서 도 11을 이용해 설명한다. 도포 유니트는 공지인 기판상에 처리액을 공급해 회전시켜 액을 펼치는 스핀 도포식의 구성을 이용해도 괜찮지만 여기에서는 스캔식 도포 장치를 예로 해 설명한다. 웨이퍼 (W)의 주변부는 일부 노치되어 있고 웨이퍼 (W)의 방향을 나타내는 노치 (N)이 설치되고 있다. 도안에 51은 기판 보지부이고 웨이퍼 (W)의 이면측을 흡착해 대략 수평으로 유지하는 흡착부 (51a)와 흡착부 (51a)를 승강 자유 및 수직축 주위에 회동 자유롭게 함과 동시에 X방향으로 이동 가능한 구동 기체 (52)로 구성되고 구동 기체 (52)는 그 하단을 이동체 (53)에 의해 지지를 받고 있다.
이 이동체 (53)의 바닥면 근방에는 모터 (M1)에 의해 구동되는 볼 나사부 (54)가 설치되고 모터 (M1)이 볼 나사부 (54)를 회전시키는 것으로 이동체 (53)은 도하지 않은 레일에 가이드되어 도안 Y방향으로 이동 하도록 되어 있다. 또 이동체 (53)의 상면에는 구동 기체 (52)를 X방향으로 가이드 하는 미도시의 레일이 설치되고 있고 구동 기체 (52) 및 이동체 (53)의 기능에 의해 기판 보지부 (51)에 보지되는 웨이퍼 (W)가 각각 X 및 Y 방향의 임의의 위치로 이동 가능하게 구성되고 있다. 이들 이동체 (53)· 미도시 레일· 볼 나사부 (54)및 모터 (M1)에 의해 웨이퍼 (W) 를 웨이퍼 (W)의 윗쪽 측에 설치된 도포액 노즐 (55)에 대해서 상대적으로 전후방향으로 이동시킨다. 즉 웨이퍼 (W)를 도 11에 있어서의 Y축 방향으로 이동시키게 되어 있다.
도포액 노즐 (55)는 도시하지 않는 구동 풀리와 종동 풀리와 이들 각 풀리에 걸쳐지는 엔드레스 벨트와 구동 풀리를 회전시키는 모터 (M2)등이 조립되어 X방향으로 연장하는 직사각형 형상의 구동 기체 (56)에 의해 X방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다. 도중 (57; 57a, 57b)은 윗쪽으로부터 낙하해 오는 도포액을 받아서웨이퍼 (W)의 외주변 근방 영역으로의 도포액의 공급을 막기 위한 한 쌍의 액받이부이다.
이 도포 유니트 (32)에 있어서는 도포액노즐 (55)가 웨이퍼의 일단면으로부터 타단면으로 이동하면 그 타이밍에 맞추어 웨이퍼 (W)가 거기에 교차하는 방향으로 간헐적으로 보내진다. 이러한 동작을 반복하는 것으로 이른바 한번에 획을 긋는 요령으로 도포액이 웨이퍼 (W)에 도포되도록 되어 있다.
또 반사 방지막형성 유니트 (34)는 예를 들면 도포 유니트 (32)와 동일하게 구성되고 있고 도포 유니트 (32)의 다음 공정의 처리 유니트인 감압 건조 유니트(VD)는 예를 들면 밀폐 용기내에서 소정의 진공도로 감압하면서 웨이퍼 (W)를 소정 온도로 가열함으로써 도포막안의 용매를 증발시켜 이것에 의해 도포막을 형성하도록 구성되고 있다. 또한 현상 유니트 (33)은 공급 노즐로부터 웨이퍼 (W)의 중앙부에 웨이퍼 (W)의 지름 방향의 폭을 따라 현상액을 공급함과 동시에 웨이퍼 (W)를 반회전시키는 것으로 웨이퍼 (W)상에 현상액을 액활성해 이렇게 해 웨이퍼 (W)상에 현상액을 소정 시간 액활성한채로의 상태로 해 소정의 현상 처리를 행하게 되어 있다.
또 가열 유니트인 포스트 익스포져 베이킹 유니트(PEB)에 대해서 도 12에 의해 설명한다. 프레임체 (6)안에는 스테이지 (60)의 상면에 전방 측에 냉각 플레이트 (61)이 ; 후방 측에 히터 (62a)를 구비한 가열 플레이트 (62)가 각각 설치되고 있다. 냉각 플레이트 (61)은 프레임체 (6)내에 셔터 (63a)를 구비한 개구부 (63)을 개재하여 진입해 오는 제3의 반송 수단 (31)과 가열 플레이트 (62)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시함과 동시에 반송시에 있어서는 가열된 웨이퍼 (W)를 결점 냉각하는(조열잡기를 실시한다) 역할을 가지는 것이다. 이 때문에 도에 나타나는 바와 같이 다리부 (61a)가 도시하지 않는 가이드 수단을 따라 Y방향으로 진퇴 가능하게 구성되고 있어 이것에 의해 냉각 플레이트 (61)이 개구부 (63)의 옆쪽 위치로부터 가열 플레이트 (62)의 윗쪽 위치까지 이동할 수 있게 되어 있다. 또 냉각 플레이트 (61)의 이면 측에는 도시하지 않는 냉각 유로가 설치되고 있다.
스테이지 (60)에 있어서의 제3의 반송 수단 (31)과 냉각 플레이트 (61)의 웨이퍼 (W)의 수수 위치 및 가열 플레이트 (62)와 냉각 플레이트 (61)의 웨이퍼 (W)의 수수 위치의 각각에는 지지 빔 (64)가 출몰 자유롭게 설치되고 있고 냉각 플레이트 (61)에는 이들 지지 빔 (64)가 상승했을 때에 해당 냉각 플레이트 (61)을 관통해 웨이퍼 (W)를 들어 올릴 수가 있도록 도시하지 않는 슬릿이 형성되고 있다. 도중 66은 팬 (66a)를 개재하여 연통하는 환기실이고 도중 67은 팬 (66a)를 구비한환기구이다.
이러한 가열 유니트(PEB)에서는 웨이퍼 (W)는 제3의 반송 수단 (31)으로부터 냉각 플레이트 (61)상에 수수되고 그 다음에 냉각 플레이트 (61)에 의해 가열 플레이트 (62)상에 수수되고 여기서 소정의 가열 처리를 한다. 가열 처리 후의 웨이퍼는 가열 플레이트 (62)로부터 다시 냉각 플레이트 (61)에 수취되어 여기서 결점 냉각된 후 제3의 반송 수단에 수취되어 다음 공정에 반송된다.
또 그 외의 가열 유니트(LHP)(PAB)는 각각 웨이퍼 (W)를 소정 온도까지 가열하기 위한 가열 플레이트만을 구비하는 구성이고 온조유니트(CPL)는 웨이퍼 (W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 플레이트만을 구비하는 구성이다.
또 제3의 반송 수단 (31)에 대해서 도 13에 의해 설명하면 이 반송 수단 (31)은 웨이퍼 (W)를 보지하는 예를 들면 3매의 아암 (71)과 이 아암 (71)을 진퇴 자유롭게 지지하는 기초대 (72)와 이 기초대 (72)를 승강 자유롭게 지지하는 한 쌍의 안내 레일 (73a, 73b)와 이들 안내 레일 (73a, 73b)의 상단 및 하단을 각각 연결하는 연결 부재 (74a, 74b)와 안내 레일 (73a, 73b) 및 연결 부재 (74a, 74b)로 이루어지는 틀을 수직축주위에 회전 자유롭게 구동하기 위해서 안내 레일 하단의 연결 부재 (74b)에 일체적으로 장착된 회전 구동부 (75)와 안내 레일 상단의 연결 부재 (74a)에 설치된 회전축부 (76)을 구비하고 있다.
아암 (71)은 각각 웨이퍼 (W)를 보지할 수 있도록 3단 구성으로 되어 있고 아암 (71)의 기단부는 기초대의 긴 방향을 따라 슬라이드 이동할 수 있게 되어 있다. 그 슬라이드 이동에 의한 아암 (71)의 진퇴 이동은 도시하지 않는 구동 수단에 의해 구동 제어된다. 또 기초대 (72)의 승강 이동은 도시하지 않는 다른 구동 수단 에 의해 구동 제어된다. 이와 같이 해 아암 (71)은 수직축 주위에 회전 자유 또한 승강 자유 또한 진퇴 자유롭게 구동되게 되어 있다.
이러한 기판 처리 장치에 있어서의 웨이퍼의 흐름에 대해서 제1의 처리 블럭 (B3) 및 제2의 처리 블럭 (B4)에서 웨이퍼 (W)에 대해서 같은 품종의 도포막을 형성하는 경우를 예로 해 설명하면 자동 반송 로보트(혹은 작업자)에 의해 예를 들면 25매의 웨이퍼 (W)를 수납한 캐리어 (C)가 외부로부터 캐리어 블럭 (B1)의 캐리어 재치부 (21)에 반입된다. 그 다음에 제1의 반송 수단 (22)에 의해 이들 캐리어 (C)내로부터 n번째의 웨이퍼 (W)가 꺼내져 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)에 수수되어진다. 이 수수 스테이지 (24)의 웨이퍼 (W)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 예를 들면 제1의 처리 블럭 (B3)의 수수 유니트 (TRS1)을 개재하여 제3의 반송 수단 (31)에 수수되어진다. 동일하게 캐리어 (C)내의(n+1) 번째의 웨이퍼 (W)는 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24) ·반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)을 개재하여 예를 들면 제2의 처리 블럭 (B4)의 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 제3의 반송 수단 (31)에 수수되어진다. 이렇게 해 캐리어 (C)내의 웨이퍼 (W)는 예를 들면 제1의 처리 블럭 (B3)와 제2의 처리 블럭 (B4)로 차례로 수수되어진다.
이 예에서는 제1의 처리 블럭 (B3)와 제2의 처리 블럭 (B4)는 같은 품종의 처리 예를 들면 레지스트막의 형성 처리가 블럭 단위로 행해지므로 여기에서는 제1의 처리 블럭 (B3)을 예로 해 처리 블럭 (B3)내에서의 웨이퍼 (W)의 흐름에 대해서 설명한다. 먼저 수수 유니트 (TRS1)의 웨이퍼 (W)는 제3의 반송 수단 (31)에 의해 온조유니트(CPL)→반사 방지막형성 유니트(Bottom-ARC, 34)→감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되어 반사 방지막이 형성된 후 가열 유니트(LHP)→온조유니트(CPL) →도포 유니트 (32)→ 감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리가 행해진다. 이 때 종래의 스핀식 도포 장치를 이용했을 경우에는 조건에 의해 반드시 감압 건조 유니트(VD)는 필요하지 않다.
가열 유니트(PAB)에서 소정의 가열 처리가 행해진 후 웨이퍼 (W)는 출력용의 수수 유니트 (TRS2)를 개재하여 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 수수되고 이 제2의 반송 수단 (23)에 의해 인터페이스부 (B5)의 수수 스테이지 (27)에 수수되어진다. 그 다음에 웨이퍼 (W)는 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (26)에 의해 노광 장치 (B6)에 반송되어 소정의 노광 처리가 행해진다.
노광 후의 웨이퍼 (W)는 다시 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (26)· 수수 스테이지 (27)· 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)을 개재하여 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭 즉 제1의 처리 블럭 (B3)의 입력용 수수 유니트(TRS1)을 개재하여 해당 처리 블럭 (B3)에 반송되어 여기서 제3의 반송 수단 (31)에 의해 가열 유니트(PEB)→온조유니트(CPL)→ 현상 유니트 (33)의 순서로 반송되어 소정의 현상 처리가 행해진 후 가열 유니트(LHP)에서 소정 온도로 조정되어 출력용 수수 유니트 (TRS2)를 개재하여 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 수수되어진다. 그리고 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)· 제 1의 수수 수단 (22)를 개재하여 예를 들면 원래의 캐리어 (C)내에 되돌려진다.
동일하게 제2의 처리 블럭 (B4)에서 반사 방지막과 레지스트액이 도포된 웨 이퍼 (W)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 인터페이스부 (B5)를 개재하여 노광 장치 (B6)에 반송되어 소정의 노광 처리가 행해진 후 인터페이스부 (B5)· 제2의 반송 수단 (23)을 개재하여 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭 즉 제2의 처리 블럭 (B4)에 되돌려져 여기서 현상 처리가 행해진다. 이 후 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)· 제1의 반송 수단 (22)를 개재하여 캐리어 블럭 (B1)에 되돌려진다.
이와 같이 이 예에서는 제1의 처리 블럭 (B3)(또는 제2의 처리 블럭 (B4))에서 레지스트액이 도포된 웨이퍼 (W)는 해당 블럭 (B3)(B4)에서 현상 처리가 행해지도록 제1의 처리 블럭 (B3) 제2의 처리 블럭 (B4)의 각각에 있어서 블럭 단위로 하나의 품종의 도포막의 형성이 행해지고 각각의 처리 블럭 (B3)(B4)내에서 도포막의 형성이 완결하도록 되어 있다.
이러한 구성에서는 반송 블럭 (B2)가 설치되고 있어 해당 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 캐리어 블럭 (B1)와 각 처리 블럭 (B3)(B4) 동지의 사이나 각 처리 블럭 (B3)(B4)와 인터페이스부 (B5) 동지의 사이에서의 웨이퍼 (W)가 행해지도록 되어 있다. 또 각 처리 블럭 (B3)(B4)에서는 블럭마다 병렬처리가 행해진다. 즉 각 처리 블럭 (B3)(B4)의 제3의 반송 수단 (31)은 해당 처리 블럭 (B3)(B4)내에 있어서의 웨이퍼 (W)의 반송만을 담당하면 좋고 종래에 비해 해당 반송 수단 (31)의 부담이 경감한다. 이것에 의해 처리 후의 웨이퍼 (W)가 반송 수단 (31)에 의한 반송을 대기한다고 하는 사태가 일어나기 어렵고 반송 시간의 단축이 도모되고 장치 전체로부터 보면 수율의 향상을 도모할 수가 있다.
또 처리 블럭은 반송 블럭 (B2)(장치 본체)에 대해서 탈착 자유롭게 설치되고 있으므로 납품시에는 처리 블럭을 1대 또는 2대로 해 두어 노광 장치 (B6)의 처리 매수의 조정에 맞추어 나중에 처리 블럭을 추가할 수가 있다. 즉 처리 블럭의 처리 매수를 예를 들면 10매/시간 정도 늘린다면 처리 블럭 마다의 조정에 의해 대응할 수 있지만 50매/시간 정도 늘리는 것은 곤란하다. 그렇지만 1개의 처리 블럭의 처리 매수는 50매 정도이므로 노광 장치 (B6)의 조정의 정도에 맞추어 처리 블럭 자체를 증가해 나가는 것으로 대폭적인 장치의 변경을 행하는 경우 없이 처리 블럭 토탈의 처리 매수를 50매10 100매10유 50매와 단계적으로 큰폭으로 증가시킬 수가 있다. 이 때문에 납품시의 설비투자나 처리 매수의 증가시의 장치의 변경에 필요로 하는 시간을 최소한으로 억제할 수가 있다.
또 처리 블럭 단위로 하나의 품종의 처리가 완결하고 있으므로 출하전에 조정이나 조건출하를 미리 실시할 수가 있고 이것에 의해 처리 블럭의 증설시의 현지에서의 조정 작업의 수고나 시간을 삭감할 수가 있다.
흔하게 납품처의 각사마다 요구하는 처리 매수가 달라 특히 가열 유니트로 에서의 베이크 처리 등이 다른 경우에 있어서도 처리 블럭 단위로 처리가 완결하고 있어 해당 처리 블럭내에서의 반송 수단 (31)의 반송 프로그램만을 고려하면 좋기 때문에 종래와 같이 제1~제 3의 처리 블럭 (12A∼12C) 전체로 일련의 처리를 행하는 경우에 비해 1개의 처리 유니트에서의 처리 시간의 차이가 반송 수단 (31)에 주는 영향이 작아져 각사 마다의 처리 매수의 맞춤 포함이 쉽다.
또한 처리 블럭을 추가 할 경우에는 기술과 같이 처리 블럭측의 용력 라인의 접속단 (41a, 42a)와 외부(반송 블럭) 측의 용력 라인의 접속단 (41b, 42b)를 일괄해 접속하면 좋기 때문에 처리 블럭을 증설할 때의 용력계의 접속 작업이 용이하다.
이 실시의 형태에서는 복수의 처리 블럭에서 같은 품종의 처리를 행하는 경우를 예로 해 설명했지만 복수의 처리 블럭의 각각에 있어서 다른 품종의 처리를 행하도록 해도 괜찮다.
또 본 발명의 기판 처리 장치는 도 14~도 16과 같이 구성해도 괜찮다. 이 예의 기판 처리 장치가 상술의 예와 다른 점은 제1~제 3의 처리 블럭 (S1∼S3)의 내부의 구성 죄이다. 이 기판 처리 장치에 대해서 복수의 처리 블럭 (S1∼S3)에 다른 품종의 처리를 행하는 경우를 예로 해 설명한다. 3개의 처리 블럭 (S1∼S3)는 같은 크기로 형성되어 블럭마다 웨이퍼 (W)에 대해서 다른 품종의 일련의 처리를 실시하지만 처리 블럭에 배치 설치되는 처리 유니트의 레이아웃은 동일하게 구성되고 있다.
즉 캐리어 블럭 (B1)측에서 볼때 앞측에 액처리계의 처리 유니트를 다단 예를 들면 5단으로 배열한 2개의 액처리 유니트군 (81A, 81B); 이 안쪽 측에는 제3의 반송 수단 (82)를 사이에 두고 가열·냉각계의 처리 유니트를 다단 예를 들면 10단과 6단으로 배열한 2개의 선반 유니트 (83A, 83B)가 각각 설치되고 있고 제3의 반송 수단 (82)에 의해 액처리 유니트군 (81A, 81B)· 선반 유니트 (83A, 83B)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 하게 되어 있다. 또 반송 블럭 (B2)측의 선반 유니트 (83A)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 액세스 할 수 있는 위치에 제2의 반송 수단 (23)과 제3의 반송 수단 (82)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 수수 스테이지를 이루는 수수 유니트(TRS1, TRS2)를 구비하고 있다.
제1의 처리 블럭 (S1)에서는 예를 들면 웨이퍼 (W)에 대해서 하층측 반사 방지막(BARC)과 레지스트막과 상층측 반사 방지막(TARC)을 형성하는 처리를 하도록 ;액처리 유니트군 (81A, 81B)에는 예를 들면 1개의 하층측 반사 방지막형성 유니트(BARC)와 1개의 도포 유니트(COT)와 1개의 상층측 반사 방지막형성 유니트(TARC)와 2개의 현상 유니트(DEV)가 배열되고 선반 유니트 (82A, 82B)에는 예를 들면 3개의 감압 건조 유니트(VD); 예를 들면 3개의 가열 유니트(LHP); 예를 들면 1개의 가열 유니트(PAB); 예를 들면 2개의 가열 유니트(PEB); 예를 들면 3개의 온조유니트(CPL) 외 예를 들면 2개의 수수 유니트(TRS1, TRS2) 등을 상하로 할당되어 있다.
제2의 처리 블럭 (S2)에서는 예를 들면 웨이퍼 (W)에 대해서 레지스트막과 상층측 반사 방지막의 형성 처리를 하도록 액처리 유니트군 (81A, 81B)에는 예를 들면 1개의 도포 유니트(COT)와 1개의 상층측 반사 방지막형성 유니트(TARC)와 2개의 현상 유니트(DEV)가 배열되고 선반 유니트 (82A, 82B)에는 예를 들면 1개의 소수화 처리 유니트(ADH); 2개의 감압 건조 유니트(VD); 예를 들면 2개의 가열 유니트(LHP); 예를 들면 1개의 가열 유니트(PAB) ;예를 들면 2개의 가열 유니트(PEB) ;예를 들면 3개의 온조유니트(CPL) 외 예를 들면 2개의 수수 유니트(TRS1, TRS2) 등을 상하로 할당되어 있다.
제3의 처리 블럭 (S3)에서는 예를 들면 웨이퍼 (W)에 대해서 하층측 반사 방지막과 레지스트막의 형성 처리를 하도록 액처리 유니트군 (81A, 81B)에는 예를 들 면 1개의 도포 유니트(COT)와 1개의 하층측 반사 방지막형성 유니트(BARC)와 2개의 현상 유니트(DEV)가 배열되고 선반 유니트 (82A, 82B)에는 예를 들면 2개의 감압 건조 유니트(VD); 예를 들면 3개의 가열 유니트(LHP); 예를 들면 1개의 가열 유니트(PAB); 예를 들면 2개의 가열 유니트(PEB); 예를 들면 3개의 온조유니트(CPL) 외 예를 들면 2개의 수수 유니트(TRS1, TRS2) 등을 상하로 할당되어 있다. 그 외의 구성은 상술의 도 1에 나타내는 기판 처리 장치와 동일하게 구성되고 있다.
이러한 기판 처리 장치에 있어서의 웨이퍼 (W)의 흐름에 대해서 동일한 캐리어 (C)내에 제1의 처리가 행해지는 웨이퍼 (W1)과 제2의 처리가 행해지는 웨이퍼 (W2)와 제3의 처리가 행해지는 웨이퍼 (W3)이 수납되고 있는 경우를 예로 해 설명한다. 먼저 캐리어 블럭 (B1)의 캐리어 재치부 (21)에 반입된 캐리어 (C)내로부터 제1의 반송 수단 (22)에 의해 제1의 처리를 하는 웨이퍼 (W1)가 꺼내져 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)에 수수되어진다.
이 수수 스테이지 (24)의 웨이퍼 (W)는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)에 의해 예를 들면 제1의 처리 블럭 (S1)의 선반 유니트 (83A)의 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 제3의 반송 수단 (82)에 수수되고 처리 블럭 (S1)내 에 있어서 예를 들면 온조유니트(CPL) → 하층측 반사 방지막형성 유니트(BARC) → 감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되고 하층측 반사 방지막이 형성된 후 가열 유니트(LHP) → 온조유니트(CPL) → 도포 유니트→ 감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리가 행해진다. 그 다음에 가열 유니트(PAB)→온조유니트(CPL) → 상층측 반사 방지막형성 유니트(TARC) → 감압 건조 유니트(VD) → 가열 유니트(LHP)의 순서로 반송되어 상층측 반사 방지막이 형성된 후 출력용의 수수 유니트 (TRS2)→ 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)-인터페이스부 (B5)의 수수 스테이지 (27)→수수 수단 (26)→ 노광 장치 (B6)의 경로로 반송되어 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.
그 다음에 노광 후의 웨이퍼 (W)는 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (26)→수수 스테이지 (27)→제 2의 반송 수단 (23)의 경로에서 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭 즉 제1의 처리 블럭 (S1)의 인력용 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 해당 처리 블럭 (S1)에 반송되어 여기서 가열 유니트(PEB) → 온조유니트(CPL) → 현상 유니트(DEV)에 반송되어 소정의 현상 처리가 행해진 후 가열 유니트(LHP)에서 소정 온도로 조정되고 이렇게 해 하층측 반사 방지막과 레지스트막과 상층측 반사 방지막이 형성되는 제1의 처리를 한 웨이퍼 (W)는 출력용 수수 유니트 (TRS2) → 제 2의 반송 수단 (23)→캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24) → 제1의 수수 수단 (22)의 경로에서 예를 들면 원래의 캐리어 (C)내에 되돌려진다.
또 같은 캐리어 (C)내로부터 꺼내진 제2의 처리를 행하는 웨이퍼 (W2)는 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)를 개재하여 제2의 반송 수단 (23)에 의해 예를 들면 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 제2의 처리 블럭 (S2)의 제3의 반송 수단 (31)에 수수되고 처리 블럭 (S2)내에 있어서 예를 들면 소수화 처리 유니트(ADH) →온조유니트(CPL) → 도포 유니트(COT) → 감압 건조 유니트(VD)의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리가 행해진다. 그 다음에 가열 유니트(PAB) →온조유니트(CPL) → 상층측 반사 방지막형성 유니트(TARC) → 감압 건조 유니트(VD) → 가열 유니트(LHP)의 순서로 반송되어 상층측 반사 방지막이 형성된 후 출력용의 수수 유니트 (TRS2) → 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)→인터페이스부 (B5)의 수수 스테이지 (27) → 수수 수단 (26)→ 노광 장치 (B6)의 경로에서 반송되어 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.
그 다음에 노광 후의 웨이퍼 (W)는 상술의 제1의 처리와 같은 경로에서 레지스트액의 도포와 상층측 반사 방지막이 형성된 제2의 처리 블럭 (S2)에 반송되어 소정의 현상 처리를 한 후 이렇게 해 레지스트막과 상층측 반사 방지막이 형성되는 제2의 처리를 한 웨이퍼 (W)는 예를 들면 원래의 캐리어 (C)내에 되돌려진다.
또 같은 캐리어 (C)내로부터 꺼내진 제3의 처리를 하는 웨이퍼 (W3)는 캐리어 블럭 (B1)의 수수 스테이지 (24)를 개재하여 제2의 반송 수단 (23)에 의해 예를 들면 제3의 처리 블럭 (S3)의 수수 유니트 (TRS1)를 개재하여 제3의 반송 수단 (82)에 수수되고 처리 블럭 (S3)내 에 있어서 예를 들면 온조유니트(CPL) → 하층측 반사 방지막형성 유니트(BARC) → 감압 건조 유니트(VD) → 가열 유니트(LHP)의 순서로 반송되어 하층측 반사 방지막이 형성된 후 온조유니트(CPL) → 도포 유니트(COrr) → 감압 건조 유니트(VD) → 가열 유니트(PAB)의 순서로 반송되어 레지스트액의 도포 처리가 행해진다. 그 다음에 출력용의 수수 유니트 (TRS2) → 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)→인터페이스부 (B5)의 수수 스테이지 (27) → 수수 수단 (26) → 노광 장치 (B6)의 경로에서 반송되어 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.
그 다음에 노광 후의 웨이퍼 (W)는 상술의 제1의 처리와 같은 경로에서 레지 스트액의 도포와 하층측 반사 방지막이 형성된 제3의 처리 블럭 (S3)에 반송되어 소정의 현상 처리를 한 후 이렇게 해 하층측 반사 방지막과 레지스트막이 형성되는 제3의 처리를 한 웨이퍼 (W)는 예를 들면 원래의 캐리어 (C)내에 되돌려진다.
또한 상술의 제1~제 3의 처리에 있어서도 도포 유니트로서 스핀 도포식의 구성을 이용하는 경우에는 필히 감압 건조 유니트(VD)에 있어서의 처리를 행하지 않아도 좋다.
이러한 구성에서는 복수의 처리 블럭 (S)단위로 다른 품종의 일련의 처리가 완결하고 있으므로 예를 들면 품종의 확장을 실시하는 경우 새로운 품종에 대응한 처리 블럭 (S)를 추가함으로써 대응할 수 있고 해당 장치에서 행해지는 처리의 자유도가 크다. 이것에 의해 상술의 실시의 형태로 설명한 것처럼 예를 들면 같은 캐리어 (C)내에 품종이 다른 처리를 실시하는 웨이퍼를 탑재하는 경우 등의 소량 다품종의 생산에 대응할 수 있다.
또 캐리어 (C)마다 품종이 다른 처리를 실시하도록 설정해도 좋고 이 경우에는 예를 들면 캐리어 재치부 (21)에 제1의 처리를 실시하는 웨이퍼 (W1)가 수납된 캐리어 (C1)과 제2의 처리를 실시하는 웨이퍼 (W2)가 수납된 캐리어 (C2)와 제3의 처리를 실시하는 웨이퍼 (W3)이 수납된 캐리어 (C3)을 재치해 두어 제1의 반송 수단 (22)에 의해 캐리어 (C1-C3)로부터 차례로 웨이퍼 (W1-W3)을 꺼내 제2의 반송 수단 (23)에 의해 대응하는 처리 블럭 (S1∼S3)에 반송해 각각의 처리 블럭 (S1∼S3)내에서 소정의 처리를 행한 후 다시 제2의 반송 수단 (23) ;제1의 반송 수단 (22)에 의해 대응하는 원래의 캐리어 (C1-C3)내에 되돌려진다. 또한 수수 스테이지 (27)은 웨이퍼 (W)를 수수하기 전에 기판 온도를 일정화 시키기 위해서 온조기능을 구비한 것으로서도 좋고 복수로서도 좋다.
이상에 있어서 이 실시의 형태에서는 예를 들면 처리 블럭 (S1∼S3)에 하층측 반사 방지막형성 유니트(BARC)· 도포 유니트(COT)· 상층측 반사 방지막형성 유니트 (TRS1, TRS2)를 동일한 개수분·동일한 레이아웃으로 배열한 처리 블럭을 준비해 두고 각 처리 블럭 (S1∼S3) 에 있어서 필요한 처리 유니트를 사용하도록 해도 괜찮다. 이 경우 각 처리 유니트는 필요하게 되는 최대 몇분 미리 탑재해 둔다.
또한 본 발명의 기판 처리 장치는 반송 블럭 (B2)의 캐리어 블럭 (B1)에 접속된 측의 반대 측에 인터페이스부 (B5)를 개재하여 노광 장치 (B6)를 접속하는 구성의 그 밖에 예를 들면 도 17에 나타나는 바와 같이 반송 블럭 (B2)의 처리 블럭 (B0)(B3)(B4)에 접속된 측의 반대 측에 인터페이스부 (B5)를 개재하여 노광 장치 (B6)를 접속하도록 구성해도 괜찮다. 이 경우 예를 들면 도 17에 나타나는 바와 같이 인터페이스부 (B5)에는 반송 블럭 (B2)의 제2의 반송 수단 (23)과 인터페이스부 (B5)의 수수 수단 (91)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 수수 스테이지 (92)가 설치된다. 여기서 처리 블럭의 구성은 도 1에 나타나는 바와 같이 레이아웃되어도 좋고 도 14에 나타나는 바와 같이 레이아웃 되어도 좋다.
또한 본 발명에서는 도 1에 나타나는 바와 같이 처리 블럭을 3대용으로 하면서 2대 접속한 모양으로 납품하고 다음에 처리 매수가 증가했을 때에 새롭게 처리 블럭을 추가시키는 구성으로서도 좋고 처음부터 처리 블럭의 빈 공간을 설치하지 않고 처리 블럭을 2대 또는 3대 설치하는 구성으로서도 좋다. 이와 같이 처리 블럭의 빈공간을 설치하지 않는 구성으로서도 나중에 새롭게 처리 유니트를 추가할 수도 있다. 이 경우에는 처리 블럭의 추가시에 반송로를 연장해 노광 장치의 위치를 빗겨 놓을 필요가 있지만 전자빔(EB)을 이용한 노광 장치에서는 나중에 이동할 수가 있으므로 이 모양도 유효하다.
한층 더 또 본 발명에서는 웨이퍼 (W)의 로트마다 대응하는 처리 블럭을 할당해 두어 제1의 로트의 웨이퍼 (W)는 제1의 처리 블럭 (B3)에서 처리를 행하고 제2의 로트의 웨이퍼 (W)는 제2의 처리 블럭 (B4)에서 처리를 행하도록 웨이퍼 (W)를 처리 블럭에 대해서 반송하도록 해도 괜찮다.
또 본 발명에서는 노광 장치를 처리 블럭에 접속하는 구성외 노광 장치를 처리 블럭과는 분리하여 다른 장소에 설치하는 구성으로서도 좋다. 이 경우에는 캐리블럭 (B1)의 캐리어 (C)내의 웨이퍼 (W)를 제1의 반송 수단· 제2의 반송 수단을 개재하여 소정의 처리 블럭에 반송하고 여기에서 예를 들면 레지스트액의 도포 처리를 행한 후 제2의 반송 수단·제1의 반송 수단을 개재하여 다시 캐리어 블럭 (B1)에 되돌려 이 후 해당 웨이퍼 (W)를 다른 장소에 설치된 노광 장치에 반송해 소정의 노광 처리를 행한다. 그 다음에 노광 처리가 행해진 웨이퍼 (W)를 다시 캐리어 블럭 (B1)· 제1의 반송 수단 ·제2의 반송 수단을 개재하여 레지스트액이 도포된 원래의 처리 블럭에 되돌려 여기서 소정의 현상 처리를 행한 후 다시 제2의 반송 수단· 제1의 반송 수단에 의해 캐리어 블럭 (B1)내의 원래의 캐리어 (C)내에 되돌리는 것이 행해진다.
한층 더 본 발명의 기판 처리 장치에서는 예를 들면 인터페이스부 (B5)내에 가열 유니트(PEB)를 탑재해 노광 장치 (B6)에서 노광 처리한 후의 웨이퍼 (W)를 수수 수단 (26)에 의해 소정 시간내에 우선적으로 가열 유니트(PEB)에 반송하도록 해도 괜찮다. 이 경우 인터페이스부 (B5)내에 수수 수단 (26)의 그 밖에 노광 장치 (B6) → 가열 유니트(PEB)의 반송을 행하기 위한 전용의 반송 아암을 갖추도록 해도 괜찮다.
또 본 발명의 기판 처리 장치에서는 복수의 처리 블럭은 평면적인 크기가 같으면 각각의 처리 블럭은 내부의 처리 유니트의 종류나 개수 레이아웃이 각각 다른 것으로서도 좋다. 또 기술과 같이 복수의 처리 블럭에 있어서 같은 품종의 처리를 행하도록 해도 괜찮고 다른 품종의 처리를 행해도 괜찮다. 또 노광 장치를 포함하지 않는 구성이라고 해도 좋고 예를 들면 층간 절연막을 용도로 하는 처리로서도 좋다. 기판에 SOG(Spin On Glass) 막을 형성하는 처리에도 적용할 수 있다. 또 본 발명에 있어서는 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고 예를 들면 액정 디스플레이용의 유리 기판이나 포토마스크 기판 등으로 있어도 괜찮다.
또한 복수의 노광 장치를 포함한 구성으로 해도 좋다. 도 19는 노광 장치를 공유하기 위한 실시예이다. 노광 장치 (B6)는 ArF 노광기와 KrF 노광기를 포함하고 2개의 노광 장치 (B6)의 사이의 거리 L은 1000 mm이상이 된다. 양쪽 모두의 노광 장치 (B6)는 인터페이스부 (B5)에 의해 도포 현상 장치와 접속된다. 노광 장치 (B6)간은 오퍼레이션-메인터넌스가 가능한 스페이스를 확보하고 있다. 노광기는 동시에 처리가 가능하게 하고 그것을 위한 도포 현상의 PRB를 가지는 처리 블럭 (B3)(B4)(B5)를 접속하고 있다. 소량 다품종 생산전용으로 노광 장치 (B6)로서 EB(전자빔) 노광기를 접속한 경우는 노광기의 병행처리에 의해 TP(수율)의 향상을 실현할 수 있다. 또한 도 19에서는 반입로 (700)으로부터 캐리어 스테이션 (CS)를 가지는 캐리어 블럭 (B1)에 웨이퍼의 로트가 도입되어 도킹 스테이션 (DS)에 내장되는 제2의 반송 수단 (23)을 경유해 처리 블럭 (B3)(B4)(B5)에 도입된다.
본 발명의 기판 처리 장치에 의하면 기판의 처리 매수의 증감이나 품종의 변경에 용이하게 대응할 수 있다.

Claims (17)

  1. 복수 매수의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어재치부와, 상기 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제l의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과,
    상기 캐리어 블럭에 인접하여 설치되고 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과,
    상기 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와,
    상기 반송로를 따라 배열되어 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리 블럭과,
    상기 반송로와 노광기의 사이에 위치 하는 인터페이스부를 구비하고,
    각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고,
    상기 반송로는 상기 인터페이스부로부터 상기 캐리어 블럭까지 연장하고 상기 반송로의 한쪽측에만 상기 복수의 처리 블럭이 존재하고 상기 복수의 처리 블럭의 각각은 동일한 처리를 실시하고,
    각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 처리가 실시되며,
    상기 제2의 반송 수단은 복수의 처리 블럭 배열에 따라서 반송 블럭에 설치되고 각 처리 블럭은 반송 블럭에 대해서 탈착할 수 있도록 구성되고,
    상기 캐리어 블럭은 상기 반송 블럭의 단부에 설치된 회전축을 중심으로 하여 회전하는 것이 가능한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 복수 매수의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어재치부와, 상기 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제l의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과,
    상기 캐리어 블럭에 인접하여 설치되고 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과,
    상기 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와,
    상기 반송로를 따라 배열되어 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리 블럭과,
    상기 반송로와 노광기의 사이에 위치 하는 인터페이스부를 구비하고,
    각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고,
    상기 반송로는 상기 인터페이스부로부터 상기 캐리어 블럭까지 연장하고 상기 반송로의 한쪽측에만 상기 복수의 처리 블럭이 존재하고 상기 복수의 처리 블럭의 각각은 동일한 처리를 실시하고,
    각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 처리가 실시되며,
    상기 제2의 반송 수단은 복수의 처리 블럭 배열에 따라서 반송 블럭에 설치되고 각 처리 블럭은 반송 블럭에 대해서 탈착할 수 있도록 구성되고,
    상기 처리 블럭은 상기 반송 블럭에 경첩에 의해 장착된 후 상기 경첩을 중심으로 해 회전되는 것으로 위치 결정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 복수 매수의 기판이 수납된 기판 캐리어가 반입출되는 캐리어재치부와, 상기 캐리어 재치부에 재치된 기판 캐리어에 대해서 기판의 수수를 실시하는 제l의 반송 수단을 포함한 캐리어 블럭과,
    상기 캐리어 블럭에 인접하여 설치되고 직선 형상의 반송로를 따라 기판을 반송하는 제2의 반송 수단과,
    상기 제1의 반송 수단과 제2의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 1의 수수 스테이지와,
    상기 반송로를 따라 배열되어 장치 본체에 대해서 탈착 자유롭게 설치되는 복수의 처리 블럭과,
    상기 반송로와 노광기의 사이에 위치 하는 인터페이스부를 구비하고,
    각 처리 블럭은 기판에 대해서 약액에 의해 처리를 실시하는 액처리 유니트와 기판을 가열하기 위한 가열 유니트와 이들 유니트의 사이에 기판을 반송하는 제3의 반송 수단과 상기 제2의 반송 수단과 제3의 반송 수단의 사이에 기판의 수수를 행하기 위한 제 2의 수수 스테이지를 포함하고,
    상기 반송로는 상기 인터페이스부로부터 상기 캐리어 블럭까지 연장하고 상기 반송로의 한쪽측에만 상기 복수의 처리 블럭이 존재하고 상기 복수의 처리 블럭의 각각은 동일한 처리를 실시하고,
    각 처리 블럭 단위로 기판에 대해서 처리가 실시되며,
    상기 처리 블럭이 배치되는 영역의 바닥부 또는 측부에 처리 블럭을 끌어 들이기 위해서 설치된 가이드 부재와 이 가이드 부재에 처리 블럭의 위치 결정을 하기 위해서 설치된 위치 결정 부재를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액처리 유니트(U1)는 도포막을 형성하는 처리인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액처리 유니트(U1)는 절연막의 전구 물질을 포함하는 약액을 기판에 도포하는 것인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 처리 블럭은 평면적인 크기가 같게 형성되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 블럭이 배치되는 영역의 바닥부 또는 측부에 처리 블럭의 위치 결정을 하기 위해서 설치된 위치 결정 부재를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    각 처리 블럭은 외부에서 용력을 수중에 넣기 위한 복수의 용력 라인과 외부의 대응하는 용력 라인의 접속단에 대해서 탈착할 수 있도록 구성된 각 용력 라인의 접속단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 복수의 용력 라인은 서로 다른 용력을 공급하는 것이고 그들 복수의 용력 라인의 각각은 하류측에서 분기되어 각 처리 유니트에 이끌리고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 청구항 13에 있어서,
    복수의 용력 라인은 온도 조절용 유체의 공급 라인· 불활성 가스의 공급 라인· 급전선 및 신호선을 포함한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 청구항 13에 있어서,
    외부측의 접속단은 제2의 반송 수단의 하부 측에 설치되고 처리 블럭을 제2의 반송 수단측에 밀어 넣을 때에 상기 외부의 접속단과 처리 블럭측의 접속단이 접속되도록 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    용력 라인은 또한 약액 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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