CN100538520C - 涂敷·显影装置和涂敷·显影方法 - Google Patents

涂敷·显影装置和涂敷·显影方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种涂敷·显影装置，其具备：处理块，在晶片上形成抗蚀剂膜后，将其运送至曝光装置，并对曝光后的基板进行显影处理；和设置在处理块和曝光装置之间的接口运送机构，上述处理块具有涂敷膜形成用的单位块、和显影处理用的单位块，它们以层叠的状态配置。在接口块运送机构发生异常时，对存在于涂敷膜形成用的单位块内的晶片，在该单位块内进行了通常的处理后，使处理后的晶片退避至收纳组件，并且禁止晶片向涂敷膜形成用的单位块内的运入。

Description

涂敷·显影装置和涂敷·显影方法
技术领域
本发明涉及对例如半导体晶片或液晶显示器用玻璃基板(LCD基板)等基板进行抗蚀剂液等的涂敷处理和曝光后的显影处理的涂敷·显影装置和涂敷·显影方法。
背景技术
在半导体设备和LCD基板的制造工艺中，利用称为光刻法的技术对基板进行抗蚀剂图形的形成。在该技术中，在基板，例如半导体晶片的表面上涂敷抗蚀剂液而形成液膜，干燥成为抗蚀剂膜后，使用光掩模以所希望的图形将该抗蚀剂膜曝光，其后，通过进行显影处理，获得与曝光图形对应的抗蚀剂图形。
这样的处理，一般在进行抗蚀剂液等的涂敷和显影的涂敷·显影装置上，使用连接有曝光装置的抗蚀剂图形形成装置进行。作为这样的装置，已知的有特开2004-193597号公报中公开的装置。
该文献中公开的装置，如图1所示，具有承载块1A、处理块1B、接口块1C和曝光装置1D。在该装置中，收纳有多片晶片W的承载器10被运入承载块1A的承载台11，承载器10内的晶片由运送机构12交接至处理块1B。然后运送至处理块1B内的涂敷组件13a，涂敷抗蚀剂液，接下来经由接口块1C运送至曝光装置1D。曝光处理后的晶片，再次返回至处理块1B，运入显影组件13b并被显影处理，其后，返回至原来的承载器10内。
在图1中，附图标记14a～14c，是将用于在涂敷组件13a和显影组件13b的处理前后对晶片进行规定的加热处理和冷却处理的加热组件、冷却组件、和交接台等多层重叠而构成的搁板组件。晶片W借助设在处理块1B上的2个运送机构15a、15b，在涂敷组件13a、显影组件13b和搁板组件14a～14c的各部分等、处理块1B内放置有晶片W的模块间运送。再者，在接口块1C上，设置有在处理块1B和曝光装置1D之间进行晶片W的交接的运送机构16a、16b。
再者，在特开2004-193597号公报中，记载了在对晶片W实施上述处理时，根据预先确定了分别在什么时刻运送至哪个模块的运送计划，运送预定处理的全部晶片W。
这时，如下制定上述运送计划：在由设在处理块1B的2个运送机构15a、15b，将晶片W依次运送至进行曝光处理前的处理的模块后，交接至接口块1C，接下来从接口块1C接取被曝光处理了的晶片，并依次运送至进行曝光处理后的处理的模块。通过运送机构15a、15b这样在处理块1B内巡回而执行一个运送循环，每进行一个运送循环，便将从承载器10运出的新的晶片W运送到处理块1B内。
另外，在这样的抗蚀剂图形形成装置中，若设在接口块1C上的运送机构16a、16b产生故障，或者与交接台碰撞，又或从曝光装置1D的晶片运出延迟等某些异常产生，则有时运送机构16a、16b不能在上述运送计划中设定的时刻从处理块1B接取晶片W，或不能向处理块1B交接晶片W。
在上述文献中所述的抗蚀剂图形形成装置中，在发生这样的事态的情况下，运送机构15a、15b的动作被停止。其理由为，上述运送程序复杂，如果运送机构15a、15b进行沿运送路线后退的动作，则该运送程序变得极其烦杂，不实用。
然而，如果运送机构15a、15b停止，则在各模块中晶片W不被取出，而是残留在模块内。如果晶片W这样残存在模块内则会产生种种问题。例如，在由涂敷组件13a处理过的晶片W保持放置在该组件13a内的状态的情况下，涂敷的抗蚀剂膜的膜质恶化，即使其后运送机构15a、15b再次开始运送，也不能确保规定质量的抗蚀剂膜。这样残存在各模块内的晶片W往往不能满足规定的质量，在该情况下，不能作为产品而出厂从而合格率下降。
另外，近年来，曝光装置的生产能力提高，在涂敷·显影装置中也追求与曝光装置的生产能力一致的处理能力。因此，正在研究以下方案：通过将收纳曝光处理前的模块的区域、和收纳曝光处理后的模块的区域上下配置，并在各自的区域分别设置运送机构，降低运送机构的负荷，提高运送效率，由此提高涂敷、显影装置的生产能力。在例如日本专利第3337677号公报中公开了这样将进行涂敷处理的区域、和进行显影处理的区域上下配置，并在各区域分别设置运送机构的构成。
然而即使在这样的构成中，由于在涂敷·显影装置和曝光装置之间还是借助设在接口块内的运送机构进行晶片W的交接，在各区域内由设在其中的运送机构遵照运送计划进行晶片W的运送，所以在设在接口块内的运送机构产生异常的情况下，有可能产生与上述同样问题。但是，关于消除这样的问题的方法，在该文献中没有任何记载。
发明内容
本发明的目的在于提供一种涂敷·显影装置和涂敷·显影方法，其在与曝光装置之间运送基板的运送机构产生异常的情况下，对处理块内的基板可以进行通常的处理，并可以抑制基板的合格率下降。
再者，另一目的在于提供一种用于执行这样的涂敷·显影装置中的处理且计算机可以读取的存储介质和计算机程序。
根据本发明的第1观点，提供一种涂敷·显影装置，具备：
承载块，用于运入运出可以搭载多个基板的承载器；
处理块，将运入上述承载块的承载器内的基板运入，并对基板进行包含抗蚀剂膜的涂敷膜的形成、和对其涂敷膜实施的曝光后的显影、以及这些处理附带的热处理；
和接口块，设在上述处理块和对基板上形成的涂敷膜进行曝光处理的曝光装置之间，用于在上述处理块和上述曝光装置之间进行基板的交接，
在从上述承载器运入上述处理块的基板上形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜后，将上述基板经由上述接口块运送至上述曝光装置，并使曝光后的基板经由上述接口块返回上述处理块，在该处进行显影处理后，交接至上述承载块，
上述处理块包括：一个或相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块、和相对于上述涂敷膜形成用的单位块层叠的显影处理用的单位块，
上述涂敷膜形成用的单位块具备：用于将药液涂敷在基板上的液体处理组件；加热基板的加热组件；冷却基板的冷却组件；在这些组件之间运送基板的第1运送机构；和退避用的第1基板收纳部，设在上述涂敷膜形成用的单位块上，且可以收纳片数对应于该单位块中的基板的收纳片数的基板，
还具备：第2运送机构，夹设在上述处理块和上述曝光装置之间，且在它们之间运送基板；和输出控制指令的控制装置，该指令用于在上述第2运送机构发生异常时，控制该单位块内的上述第1运送机构，使得在对存在于上述涂敷膜形成用的单位块内的基板，在该单位块内进行了通常的处理后，使基板退避至上述第1基板收纳部，并且禁止基板向上述涂敷膜形成用的单位块内的运入。
在上述涂敷·显影装置中，可以采用下述构成，即、具备：退避用的第2基板收纳部，设置在上述显影处理用的单位块上，并可以收纳片数对应于该单位块中基板的收纳片数的基板；和第3运送机构，用于从上述显影处理用的单位块运出显影处理后的基板，
上述控制装置输出控制指令，该控制指令用于控制该单位块内的第1运送机构，使得在该第3运送机构发生异常时，对存在于显影处理用的单位块内的基板在该单位块内进行了通常的处理后，使基板退避至上述第2基板收纳部，并且禁止基板向上述显影处理用的单位块内的运入。
在上述涂敷·显影装置中，上述相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块可以具有：用于把抗蚀剂液涂敷在基板上的单位块、和用于在涂敷抗蚀剂液之前把反射防止膜用药液涂敷在基板上的单位块。再者，上述相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块也可以具有：用于把抗蚀剂液涂敷在基板上的单位块、用于在涂敷抗蚀剂液之前把反射防止膜用药液涂敷在基板上的单位块、和用于在涂敷抗蚀剂液后把反射防止膜用药液涂敷在基板上的单位块。进而，上述相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块可以具有：用于把抗蚀剂液涂敷在基板上的单位块、用于在涂敷抗蚀剂液之前把反射防止膜用药液涂敷在基板上的单位块、和用于在涂敷抗蚀剂液后把反射防止膜用药液涂敷在基板上的单位块。
在上述涂敷·显影装置中，可以采用下述构成，即、上述涂敷膜形成用的单位块具有载置基板并且确定了运送序号的多个模块，上述第1运送机构具有2个运送臂，由一个运送臂把基板从上述多个模块中的一个模块取出，由另一个运送臂接取存在于下一个模块中的其他基板，将上述一个运送臂上的先前的基板交接至该下一个模块中，通过重复这些动作而把放置在各模块中的基板移至序号靠后一个的模块中，来执行一个运送循环，在执行了该一个运送循环后，移至下一个运送循环，通过依次执行各运送循环，按照上述序号将基板依次运送至上述模块组的上述多个模块中，并在基板上进行规定的涂敷膜形成处理，
上述控制装置具备：存储部，存储将使对基板分配的序号和涂敷膜形成用的单位块内的模块对应来指定运送循环的运送循环数据按时间序列排列而制定的、该单位块内的运送计划；
改写部，在上述第2运送机构发生异常时，将上述运送计划的最后的模块改写为第1基板收纳部；
和运送控制部，根据上述运送计划或改写的运送计划，控制由上述涂敷膜形成用的单位块内的第1运送机构进行的基板的运送。
在上述涂敷·显影装置中，可以采用下述构成，即、在上述涂敷膜形成用的单位块中具有载置基板并且确定了运送序号的多个模块，上述第1运送机构具有2个运送臂，由一个运送臂把基板从上述多个模块中的一个模块取出，由另一个运送臂接取存在于下一个模块中的其他基板，将上述一个运送臂上的先前的基板交接至该下一个模块中，通过重复这些动作而把放置在各模块中的基板移至序号靠后一个的模块中，来执行一个运送循环，在执行了该一个运送循环后，移至下一个运送循环，通过依次执行各运送循环，按照上述序号将基板依次运送至上述模块组的上述多个模块中，并在基板上进行规定的涂敷膜形成处理，
上述控制装置具备：存储部，存储将使对基板分配的序号和涂敷膜形成用的单位块内的模块对应来指定运送循环的运送循环数据按时间序列排列而制定的、该单位块内的运送计划；
改写部，在上述第3运送机构发生异常时，将上述运送计划的最后的模块改写为第2基板收纳部；
和运送控制部，根据上述运送计划或改写的运送计划，控制由上述涂敷膜形成用的单位块内的第1运送机构进行的基板的运送。
根据本发明的第2观点，提供一种涂敷·显影方法，使用涂敷·显影装置进行涂敷·显影处理，该涂敷·显影装置具备：
承载块，用于运入运出可以搭载多个基板的承载器；
处理块，将运入上述承载块的承载器内的基板运入，并对基板进行包含抗蚀剂膜的涂敷膜的形成、和对其涂敷膜实施的曝光后的显影、以及这些处理附带的热处理；
和接口块，设在上述处理块和对基板上形成的涂敷膜进行曝光处理的曝光装置之间，用于在上述处理块和上述曝光装置之间进行基板的交接，
上述处理块包括：一个或相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块、和相对于上述涂敷膜形成用的单位块层叠的显影处理用的单位块，
上述涂敷膜形成用的单位块具备：用于将药液涂敷在基板上的液体处理组件；加热基板的加热组件；冷却基板的冷却组件；在这些组件之间运送基板的第1运送机构；和退避用的第1基板收纳部，设在上述涂敷膜形成用的单位块上，且可以收纳片数对应于该单位块中的基板的收纳片数的基板，
还具备第2运送机构，夹设在上述处理块和上述曝光装置之间，且在它们之间运送基板，
该方法包括：从上述承载器向上述处理块运入基板；
借助上述涂敷膜形成用的单位块，在上述基板上形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；
经由上述接口块将上述基板运送至上述曝光装置；
经由上述接口块使曝光后的基板返回至上述处理块；
在上述显影处理用的单位块中进行显影处理；
将显影处理后的基板交接至上述承载块，
在上述第2运送机构发生异常时，对存在于涂敷膜形成用的单位块内的基板，在该涂敷膜形成用的单位块内进行通常的处理，使各基板退避至设在该单位块内的上述退避用的第1基板收纳部，并且禁止基板向该涂敷膜形成用的单位块内的运入。
在上述涂敷·显影方法中，可以如下设计，即、上述涂敷·显影装置还具备：退避用的第2基板收纳部，设置在上述显影处理用的单位块上，并可以收纳片数对应于该单位块中基板的收纳片数的基板；和第3运送机构，用于从上述显影处理用的单位块运出显影处理后的基板，
在上述第3运送机构发生异常时，对存在于上述显影处理用的单位块内的基板在该显影处理用的单位块内进行了通常的处理后，使各基板退避至设置在该显影处理用的单位块内的上述第2退避用的基板收纳部，并且禁止基板向该显影处理用的单位块内的运入。
根据本发明的第3观点，提供一种存储介质，包含使计算机控制下述涂敷·显影装置的软件，可由计算机读取，该涂敷·显影装置具备：
承载块，用于运入运出可以搭载多个基板的承载器；
处理块，将运入上述承载块的承载器内的基板运入，并对基板进行包含抗蚀剂膜的涂敷膜的形成、和对其涂敷膜实施的曝光后的显影、以及这些处理附带的热处理；
和接口块，设在上述处理块和对基板上形成的涂敷膜进行曝光处理的曝光装置之间，用于在上述处理块和上述曝光装置之间进行基板的交接，
上述处理块包括：一个或相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块、和相对于上述涂敷膜形成用的单位块层叠的显影处理用的单位块，
上述涂敷膜形成用的单位块具备：用于将药液涂敷在基板上的液体处理组件；加热基板的加热组件；冷却基板的冷却组件；在这些组件之间运送基板的第1运送机构；和退避用的第1基板收纳部，设在上述涂敷膜形成用的单位块上，且可以收纳片数对应于该单位块中的基板的收纳片数的基板，
还具备第2运送机构，夹设在上述处理块和上述曝光装置之间，且在它们之间运送基板，
上述软件使计算机控制上述涂敷·显影装置，使得在上述第2运送机构发生异常时，对存在于涂敷膜形成用的单位块内的基板，在该涂敷膜形成用的单位块内进行通常的处理，使各基板退避至设在该单位块内的上述退避用的第1基板收纳部，并且禁止基板向该涂敷膜形成用的单位块内的运入。
在上述存储介质中，可以设计成，上述涂敷·显影装置还具备：退避用的第2基板收纳部，设置在上述显影处理用的单位块上，并可以收纳片数对应于该单位块中基板的收纳片数的基板；和第3运送机构，用于从上述显影处理用的单位块运出显影处理后的基板，
上述软件使计算机控制上述涂敷·显影装置，使得在上述第3运送机构发生异常时，对存在于上述显影处理用的单位块内的基板，在该显影处理用的单位块内进行了通常的处理后，使各基板退避至设在该显影处理用的单位块内的上述第2退避用的基板收纳部，并且禁止基板向该显影处理用的单位块内的运入。
根据本发明的第4观点，提供一种计算机程序，包含使计算机控制下述涂敷·显影装置的软件，该涂敷·显影装置具备：
承载块，用于运入运出可以搭载多个基板的承载器；
处理块，将运入上述承载块的承载器内的基板运入，并对基板进行包含抗蚀剂膜的涂敷膜的形成、和对其涂敷膜实施的曝光后的显影、以及这些处理附带的热处理；
和接口块，设在上述处理块和对基板上形成的涂敷膜进行曝光处理的曝光装置之间，用于在上述处理块和上述曝光装置之间进行基板的交接，
上述处理块包括：一个或相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块、和相对于上述涂敷膜形成用的单位块层叠的显影处理用的单位块，
上述各单位块具备：用于将药液涂敷在基板上的液体处理组件；加热基板的加热组件；冷却基板的冷却组件；在这些组件之间运送基板的第1运送机构；和退避用的第1基板收纳部，设在上述涂敷膜形成用的单位块上，且可以收纳片数对应于该单位块中的基板的收纳片数的基板，
还具备第2运送机构，夹设在上述处理块和上述曝光装置之间，且在它们之间运送基板，
上述软件使计算机控制上述涂敷·显影装置，使得在上述第2运送机构发生异常时，对存在于涂敷膜形成用的单位块内的基板，在该涂敷膜形成用的单位块内进行通常的处理，使各基板退避至设在该单位块内的上述退避用的第1基板收纳部，并且禁止基板向该涂敷膜形成用的单位块内的运入。
在上述计算机程序中，可以设计成，上述涂敷·显影装置还具备：退避用的第2基板收纳部，设置在上述显影处理用的单位块上，并可以收纳片数对应于该单位块中基板的收纳片数的基板；和第3运送机构，用于从上述显影处理用的单位块运出显影处理后的基板，
上述软件使计算机控制上述涂敷·显影装置，使得在上述第3运送机构发生异常时，对存在于上述显影处理用的单位块内的基板，在该显影处理用的单位块内进行了通常的处理后，使各基板退避至设在该显影处理用的单位块内的上述第2退避用的基板收纳部，并且禁止基板向该显影处理用的单位块内的运入。在这样的涂敷·显影装置中，可以构成为，使计算机控制上述涂敷·显影装置，使得在上述运送机构B发生异常时，对存在于涂敷膜形成用的单位块内的基板，在该单位块内进行了通常的处理后，使各基板退避至设在该单位块内的退避用的上述第1基板收纳部，并且禁止基板向涂敷膜形成用的单位块内的运入。
根据本发明，控制涂敷膜形成用的单位块内的第1运送机构，使得在夹设在处理块和曝光装置之间的第2运送机构发生异常的情况下，对该单位块内的基板，在该单位块内进行了通常的处理后，使基板退避至设在该单位块内的第1基板收纳部，并且禁止基板向涂敷膜形成用的单位块内的运入。因此，在涂敷膜形成用的单位块中，即使在上述第2运送机构发生异常的情况下，对该单位块内的基板，也能将预定处理进行到最后。因此，不会将基板保持于放置在该单位块内的液体处理组件或加热组件等的各组件内的状态下，可以防止不能在设定的时刻进行以后的处理，结果涂敷膜的膜质恶化的问题。由此，可以抑制浪费的基板的产生，从而抑制基板的合格率的下降。
附图说明
图1是表示现有技术的涂敷·显影装置的俯视图。
图2是表示本发明的一个实施方式的涂敷·显影装置的俯视图。
图3是表示图2的涂敷·显影装置的立体图。
图4是表示图2的涂敷·显影装置的概略垂直剖视图。
图5是表示图2的涂敷·显影装置中的第4单位块的立体图。
图6是表示图2的涂敷·显影装置中，设在单位块中的加热冷却区段的主视图。
图7是表示图2的涂敷·显影装置中接口块的概略垂直剖视图。
图8是表示从接口块侧观看图2的涂敷·显影装置的概略图。
图9是表示图2的涂敷·显影装置中的接口运送机构的一个例子的立体图。
图10A是表示搭载在图2的涂敷·显影装置上的涂敷组件的俯视图。
图10B是其纵剖视图。
图11是表示搭载在图2的涂敷·显影装置上的收纳组件的立体图。
图12是表示图2的涂敷·显影装置中的控制装置的一个例子的构成图。
图13是表示运送计划的一个例子的说明图。
图14是表示进行了模块改写的运送计划的一个例子的说明图。
图15是表示图2的涂敷·显影装置的COT层中的处理流程的流程图。
图16是表示图2的涂敷·显影装置的DEV层中的处理流程的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
图2表示具备本发明的一个实施方式的涂敷·显影装置的抗蚀剂图形形成装置的俯视图，图3是该装置的概略立体图，图4是该装置的概略侧视图。涂敷·显影装置具备：用于运入运出密闭收纳有例如13片作为基板的晶片W的承载器20的承载块S1；与承载块S1邻接设置的、具备5个单位块B1～B5的处理块S2；和在处理块S2的与承载块S1相反的一侧邻接设置的接口块S3。另外，以曝光装置S4连接在接口块S3上的状态构成抗蚀剂图形形成装置。由计算机构成的控制装置6控制该抗蚀剂图形形成装置的动作。
承载块S1具有：可以载置多个承载器20的载置台21；设置在从该载置台21看时位于前方的壁面上的开闭部22；和用于经由开闭部22将晶片W从承载器20取出的承载块运送机构C。该承载块运送机构C构成为，进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如、在承载器20的排列方向上移动自如。
上述处理块S2，连接在承载块S1上，且周围被筐体24包围。处理块S2为多层结构，下层侧的2层为用于进行显影处理的第1和第2单位块(DEV层)B1、B2，在其上依次形成用于进行形成在抗蚀剂膜的上层侧的反射防止膜(以下称为第2反射防止膜)的形成处理的第3单位块(TCT层)B3；用于进行抗蚀剂液的涂敷处理的第4单位块(COT层)B4；和用于进行形成在抗蚀剂膜的下层侧的反射防止膜(以下称为第1反射防止膜)的形成处理的第5单位块(BCT层)B5。在此，DEV层B1、B2相当于显影处理用的单位块，TCT层B3、COT层B4和BCT层B5相当于涂敷膜形成用的单位块。
再者，处理块S2在其承载块S1侧部分，具有贯通单位块B1～B5地层叠多个交接台而构成的搁板组件U5，再者，在接口块S3侧部分具有贯通单位块B1～B5地层叠多个交接台而构成的搁板组件U6。
接下来，关于第1～第5单位块B1～B5的构成进行说明。
这各个单位块B1～B5具备：用于对晶片W涂敷药液的液体处理组件；和用于进行由液体处理组件进行的处理的前处理和后处理的各种加热·冷却系统的多个处理组件。另外，第1～第5单位块B1～B5分别具备用于在上述液体处理组件和加热·冷却系统的处理组件之间进行晶片W的交接的专用主运送臂A1～A5。
这些单位块B1～B5，由于由大致同样的布局构成，所以以图2所示的第4单位块(COT层)B4为例进行说明。
在该COT层B4的大致中央，从承载块S1侧至接口块S3侧沿图中Y方向形成有晶片W的运送区域R1。在从该运送区域R1的承载块S1侧观看时的右侧，设置有具备用于进行抗蚀剂的涂敷处理的多个涂敷部的涂敷组件34作为上述液体处理组件，在左侧设置有加热冷却区段54。加热冷却区段54，具有从承载块S1侧起按序号设置的将加热冷却系统的组件多层化了的4个搁板组件U1、U2、U3、U4。
在上述涂敷组件34的接口块S3侧，设置有构成退避用的第1基板收纳部的收纳组件4。收纳组件4具备用于收纳片数对应于第4单位块(COT层)B4中的晶片W收纳片数的晶片W的多个载置台。
上述加热冷却区段54的搁板组件U1、U2、U3、U4为下述结构，即、将用于进行由涂敷组件34进行的处理的前处理或后处理的各种组件层叠为多层，例如2层。
如上所述，由加热冷却区段54和涂敷组件34限定上述运送区域R1，通过向这样限定的运送区域R1排出清洁空气而进行排气，来抑制该运送区域R1内的微粒的浮游。
构成上述加热冷却区段54的用于进行前处理和后处理的多个处理组件，如图5所示，包括：用于在抗蚀剂液涂敷前将晶片W调节至规定温度的冷却组件(COL4)；用于在抗蚀剂液涂敷后进行晶片W的加热处理的称为预烘焙组件等的加热组件(CHP4)；和用于选择性地只使晶片W的缘部曝光的周缘曝光装置(WEE)。这些冷却组件(COL4)和加热组件(CHP4)等处理组件，分别收纳在处理容器501内，搁板组件U1～U4通过将处理容器501层叠2层而构成，在各处理容器501的朝向运送区域R1的表面上形成有晶片运入运出口502。
在上述运送区域R1中设置有上述主运送机构A4。该主运送机构A4是在该第4单位块(COT层)B4内的全部模块(放置晶片W的场所)，例如搁板组件U1～U4的多个处理组件、涂敷组件34的多个涂敷部、收纳组件4的各载置台、搁板组件U5和搁板组件U6的各交接台之间进行晶片的交接的构成，因此构成为，进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如、在Y轴方向上移动自如。
运送区域R1的与承载块S1邻接的区域，成为第1晶片交接区域R2。如图2和图4所示，在该区域R2的承载块运送机构C和主运送机构A4可以访问的位置上设置上述搁板组件U5。再者，用于相对于搁板组件U5进行晶片W的交接的第1副运送机构D1可以通过区域R2。第1副运送机构D1可以沿搁板组件U5，贯通第1～第5单位块B1～B5上下移动。
运送区域R1的与接口块S3邻接的区域，成为第2晶片交接区域R3。如图2和图4所示，在该区域R3的主运送机构A4可以访问的位置上设置上述搁板组件U6。再者，用于相对于搁板组件U6进行晶片W的交接的第2副运送机构D2可以通过区域R3。第2副运送机构D2可以沿搁板组件U6，贯通第1～第5单位块B1～B5上下移动。
以上为第4单位块B4的构成。虽然如上所述，其他单位块B1、B2、B3、和B5的基本构成和上面说明的第4单位块B4大致同样，但是如图6和图8所示，在以下点上和第4单位块B4不同。在此，图6为从运送区域R1侧观看处理块S2中的单位块B1～B5的加热冷却区段的图，图8是从接口块S3侧观看处理块S2的图。
即，在单位块B1、B2、B3、和B5中的与第4单位块B4的涂敷组件34对应的部分上，分别设置有显影组件31、显影组件32、第2反射防止膜形成组件33、和第1反射防止膜形成组件35作为液体处理组件，在与加热冷却区段54对应的部分上，设置有具备对应于各自的处理的处理组件的加热冷却区段51、52、53、和55。这些加热冷却区段51、52、53和55都与加热冷却区段54一样，具有规定组件层叠2层而成的搁板组件U1～U4。关于这些单位块B1、B2、B3和B5各自的结构在后边描述。
上述搁板组件U5，如图4所示，在与各单位块B1～B5对应的位置上分别具有2个第1交接台TRS1～TRS5。这些第1交接台TRS1～TRS5分别与单位块B1～B5的主运送机构A1～A5之间进行晶片W的交接。再者上述第1副运送机构D1构成为进退自如和升降自如，以便可以向第1交接台TRS1～TRS5进行晶片W的交接。此外，虽然在该例中，第1交接台TRS1～TRS5分别设置了2个，但是也可以分别为1个或3个以上。
上述第1和第2单位块B1和B2的第1交接台TRS1和TRS2构成为，与承载块S1的承载块运送机构C之间进行晶片W的交接。再者，搁板组件U5在与第2单位块B2的对应部分上，还具备2个交接台TRS～F，该交接台TRS～F，作为用于借助承载块运送机构C将晶片W运入处理块S2中的专用交接台使用。该交接台TRS～F也可以设置在第1单位块B1上，也可以不另外设置该交接台TRS～F，在将晶片W从承载块运送机构C运入处理块S2中时，使用交接台TRS1和TRS2进行。此外，在该例中，承载块运送机构C相当于用于从显影处理用的第1和第2单位块B1和B2运出显影处理后的晶片的运送机构。
上述搁板组件U6，如图4和图7所示，在与各单位块B1～B5对应的位置上分别具有2个第2交接台TRS6～TRS10。这些第2交接台TRS6～TRS10分别与单位块B1～B5的主运送机构A1～A5之间进行晶片W的交接。再者上述第2副运送机构D2构成为进退自如和升降自如，以便可以相对于第2交接台TRS6～TRS10进行晶片W的交接。此外，虽然在该例中，分别设置了2个第2交接台TRS6～TRS10，但是也可以分别为1个或3个以上。
这样，在本实施方式中，在层叠5层的各单位块B1～B5之间，可以借助上述第1副运送机构D1和第2副运送机构D2分别经由第1交接台TRS1～TRS5和TRS～F、第2交接台TRS6～TRS10，自由进行晶片W的交接。
接下来，参照上述图6和图8说明第4单位块(COT层)B4以外的单位块的构成。
第1和第2单位块(DEV层)B1和B2，作为液体处理组件，分别设置有用于对晶片W进行显影处理的显影组件31和32。显影组件31和32具有相同构成。再者，分别设置有加热冷却区段51和52，这些也互相具有相同的构成。各加热冷却区段51、52具备：对曝光后的晶片W进行加热处理的称为后曝光烘焙组件的加热组件(PEB1、PEB2)；用于在这些加热组件(PEB1、PEB2)中的处理后将晶片W调节至规定温度的冷却组件(COL1、COL2)；和为了蒸发显影处理后的晶片W的水分而进行加热处理的称为后烘焙组件的加热组件(POST1、POST2)。
另外，在这些DEV层B1中，由主运送机构A1对第1交接台TRS1、第2交接台TRS6、显影组件31、加热冷却区段51中的搁板组件U1～U4的各处理组件、和构成退避用的第2基板收纳部的收纳组件4进行晶片W的交接。再者，在这些DEV层B2中，由主运送机构A2对第1交接台TRS2、TRS～F、第2交接台TRS7、显影组件32、加热冷却区段52中搁板组件U1～U4的各处理组件、和构成退避用的第2基板收纳部的收纳组件4进行晶片W的交接。
第3单位块(TCT层)B3，作为液体处理组件，设置有用于对晶片W进行第2反射防止膜形成处理的第2反射防止膜形成组件33。再者，设置有加热冷却区段53，该加热冷却区段53除了具备：用于在反射防止膜形成处理前将晶片W调节至规定温度的冷却组件(COL3)；和加热处理反射防止膜形成处理后的晶片W的加热组件(CHP3)以外，具有与第4单位块(COT层)B4的加热冷却区段54基本相同的构成。
另外，在该TCT层B3中，由主运送机构A3对第1交接台TRS3、第2交接台TRS8、第2反射防止膜形成组件33、加热冷却区段53中的搁板组件U1～U4的各处理组件、和收纳组件4进行晶片W的交接。
第5单位块(BCT层)B5，作为液体处理组件，设置有用于对晶片W进行第1反射防止膜形成处理的第1反射防止膜形成组件35。再者，设置有加热冷却区段55，该加热冷却区段55除了具备：用于在反射防止膜形成处理前将晶片W调节至规定温度的冷却组件(COL5)；和加热处理反射防止膜形成处理后的晶片W的加热组件(CHP5)，不具备周缘曝光装置(WEE)以外，具有与COT层B4的加热冷却区段54相同的构成。
另外，在该第5单位块B5中，由主运送机构A5对第1交接台TRS5、第2交接台TRS10、第1反射防止膜形成组件35、加热冷却区段55中的搁板组件U1～U4的各处理组件、和收纳组件4进行晶片W的交接。
作为上述加热组件(CHP3～5、POST1、2、PEB1、2)，如图2所示，可以使用具备加热板503、和兼用作运送臂的冷却板504的构成。这样的加热组件，用冷却板504进行对主运送机构的晶片W交接，通过移动该冷却板504，可以进行冷却板504和加热板503之间的晶片W交接，由此既可以进行加热又可以进行冷却。
再者，作为冷却组件(COL1～5)，使用构成为具备例如水冷方式的冷却板、且将晶片W载置在该冷却板上来进行冷却的装置。
此外，图6为表示这些处理组件的布局的一个例子的图，该布局比较方便，作为配置在加热冷却区段上的处理组件，不限于加热组件(CHP、PEB、POST)、冷却组件(COL)、和周缘曝光装置(WEE)，也可以设置其他处理组件。例如，在涂敷膜形成用的单位块B3～B5中，可以设置用于提高抗蚀剂液和晶片W的紧贴性的、在HMDS气氛中进行气体处理的疏水化处理组件(ADH)。在实际的装置中，考虑各处理组件的处理时间等来确定组件的设置数量。
接口块S3，具备用于向处理块S2的搁板组件U6和曝光装置S4进行晶片W交接的接口块运送机构B。该接口块运送机构B，介于处理块S2和曝光装置S4之间，构成晶片W的运送机构，在该例中，如图7所示，构成为进退自如、升降自如、绕铅直轴旋转自如，以便向第1～第4单位块B1～B4的交接台TRS6～9进行晶片W的交接。
此外，接口块运送机构B可以构成为向全部单位块B1～B5的第2交接台TRS6～10进行晶片W的交接。
接下来简单说明主运送机构A1～A5、第1和第2副运送机构D1、D2、接口块运送机构B、液体处理组件、和收纳组件4的构成。
首先，主运送机构，例如如图5所示，具备用于支承晶片W的背面侧周缘区域的2个臂101、102；进退自如地支承这些臂101、102的基座103；使基座103绕铅直轴旋转的旋转机构104；使基座103在运送区域的Y轴方向和上下方向上移动的移动机构105；Y轴轨道107，在支承搁板组件U1～U4的底座部106的朝向运送区域的表面上沿Y轴方向设置，且沿Y轴方向引导基座103；和沿上下方向引导基座103的升降轨道108。利用这样的构成，臂101、102进退自如，沿Y轴方向移动自如，升降自如，绕铅直轴旋转自如，并可以在搁板组件U5、U6的交接台TRS1～TRS10、搁板组件U1～U4的处理组件、液体处理组件31～35、和收纳组件4之间进行晶片W的交接。
各运送机构A1～A5基于来自后述的控制装置6的指令而由未图示的控制器控制驱动。再者，为了防止臂在加热组件处的蓄热，可以用程序任意控制晶片W的接取顺序。
接口块运送机构B，如图9所示，具备用于支承晶片W的背面侧中央区域的1个臂201；进退自如地支承臂201的基座202；使基座202升降的升降台203；使基座202在升降台203上绕铅直轴旋转的旋转机构204；和引导升降台203的升降轨道205。利用这样的构成，臂201进退自如，升降自如，绕铅直轴旋转自如，并可以在搁板组件U6的各交接台TRS6～TRS9和曝光装置S4之间进行晶片W的交接。
第1和第2副运送机构D1、D2，除不绕铅直轴旋转以外，与接口块运送机构B的构成一样。
这些第1和第2副运送机构D1、D2、和接口块运送机构B基于来自后述的控制装置6的指令由未图示的控制器控制驱动。
接下来，利用图10A、10B简单说明第4单位块(COT层)B4的涂敷组件34。该涂敷组件34具有3个涂敷部301、302、303和收纳它们的共用的处理容器300。3个涂敷部301、302、303以朝向运送区域R1的方式以沿Y轴方向排列的状态设置在共用的基座304上。由于这些涂敷部301、302、303具有相同的构成，所以以涂敷部301为例进行说明。涂敷部301具有构成基板保持部的旋转夹头(spin chuck)305。旋转夹头305，利用真空吸附将晶片W保持为水平，并借助驱动部306绕铅直轴旋转和升降。涂敷部301还具有：包围晶片W和旋转夹头305的侧部的杯体307；在该杯体307的底面包括排气管和排液管等的排液部308；用于向保持在旋转夹头305上的晶片W的周缘部供给漂洗液的侧漂洗机构309。侧漂洗机构309构成为升降自如且绕铅直轴旋转自如。
再者，涂敷组件34具有用于向3个涂敷部301、302、303供给涂敷液的共用的涂敷液供给喷嘴310。该供给喷嘴310构成为，能借助移动机构312而沿着沿处理容器300的长度方向(Y方向)设置的导轨311，从一端侧的涂敷部301的杯体307的外侧自由移动至另一端侧的涂敷部303的杯体307的外侧，并且升降自如。利用这样的涂敷液供给喷嘴310，将抗蚀剂液供给至保持在各涂敷部301～303的旋转夹头305上的晶片W的大致中央区域。在涂敷部303的侧面设置有涂敷液供给喷嘴310的待机区域313。
进而，涂敷组件34具有安装在处理容器300的顶板部上的过滤器组件314和设置在处理容器300的底面上的排气部315。通过从排气部315以规定的排气量排气，并且从过滤器组件314供给规定流量的调整了温度和湿度的清洁气体，在处理容器300内形成清洁气体的下流，设定为其中比主运送机构A4的运送区域R1压力更大。在处理容器300朝向运送区域R1的面上，在对应于涂敷部301、302、303的位置上分别设置有3个晶片W的运入运出口316。在这些运入运出口316上，设置有开闭门。
在该涂敷组件34中，由主运送机构A4将晶片W经由某一个运入运出口316运入处理容器300内，并交接至预先确定的涂敷部301、302、303的某一个旋转夹头305上。另外从涂敷液供给喷嘴310向该晶片W的中央部供给抗蚀剂液，并使旋转夹头305旋转，利用离心力使抗蚀剂液向晶片W的径向扩散。由此，在晶片W表面形成抗蚀剂的液膜。这样形成有抗蚀剂液膜的晶片W经由运入运出口316由主运送机构A4运送至涂敷组件34的外部。
在这样的涂敷组件34中，由于3个涂敷部301～303设置在共用的处理容器300的内部，并由共用的涂敷液供给喷嘴310供给抗蚀剂液，因此与对应各涂敷部301～303分别设置处理容器300和供给喷嘴310的情况相比，可以减少总的部件个数和占有面积。
再者，由于3个涂敷部301～303设置在共用的基座304上，所以在进行旋转夹头305和主运送机构A4的臂101、102的高度调节时，对1个涂敷部301～303进行即可。再者，由于构成为由共用的涂敷液供给喷嘴310向各涂敷部301～303供给抗蚀剂液(涂敷液)，所以关于各旋转夹头305和供给喷嘴310的高度调整，也是对1个涂敷部301～303进行即可。因此，减少了它们的高度调整所需要的功夫，还缩短了调整时间。
进而通过在共用的处理容器300内设置3个涂敷部301～303，可以使形成下流的空气的供给和该空气的排出共用化，所以从这点考虑也可以减少总的部件个数和占有面积，较为有效。
接下来，关于第1和第2单位块(DEV层)B1、B2的显影组件31、32进行说明。显影组件31、32在代替上述涂敷液供给喷嘴310，设置沿长度方向形成有排出区域的长条的显影液供给喷嘴这点，和具备清洗液喷嘴这点上，与涂敷组件34不同，除此以外，与涂敷组件34的构成大致相同。显影液供给喷嘴其排出区域具有相当于晶片W的直径的长度。清洗液喷嘴与涂敷液供给喷嘴310相同，构成为借助移动机构而可以沿导轨311自由移动，并且升降自如，向保持在旋转夹头305上的晶片W供给清洗液。
在这样的显影组件31、32中，与涂敷组件34一样，由主运送机构A1、A2，经由运入运出口将晶片W运入处理容器内，并将晶片W交接至预先确定的涂敷部的旋转夹头。另外，使显影液供给喷嘴位于晶片W的中央并供给显影液，并且借助旋转夹头例如使晶片W半旋转，由此将显影液供给至晶片W的整个面。然后经过规定时间后，将清洗液从清洗液喷嘴供给至晶片W，洗掉清洗晶片W表面的显影液，接下来使晶片W旋转并干燥，来结束显影处理。
第5单位块(BCT层)B5的第1反射防止膜形成组件35，用于在涂敷抗蚀剂液前在晶片W上涂敷反射防止膜用的药液，第3单位块(TCT层)B3的第2反射防止膜形成组件33，用于在涂敷了抗蚀剂液后在晶片W上涂敷反射防止膜用的药液，这些组件35、33，除了代替涂敷液供给喷嘴310，具备具有与涂敷液供给喷嘴310相同构成的反射防止膜用药液供给喷嘴以外，与涂敷组件34构成相同。
接下来，参照图11说明收纳组件4。如图11所示，收纳组件4具备多层载置台41，其用于载置并收纳片数与设置有该收纳组件4的单位块中的晶片W的收纳片数对应的晶片W。在该例中设置6层载置台41，可以收纳6片晶片W。在载置台41上，设置有用于支承晶片W的背面侧的突起42。该突起42设置在不与主运送机构的臂干涉的位置，可以和主运送机构之间进行晶片W的交接。
接下来，以在抗蚀剂膜上下分别形成反射防止膜的情况为例说明以上那样构成的抗蚀剂图形形成装置中的晶片的路径。
首先，从外部向承载块21运入承载器20。在该状态下，利用承载块运送机构C取出一片承载器20内的晶片W。晶片W，从承载块运送机构C运送至搁板组件U5的第1交接台TRS～F。接下来，由第1副运送机构D1将晶片W运送至搁板组件U5的第1交接台TRS5，进而从这里被接取至第5单位块(BCT层)B5的主运送机构A5。另外在BCT层B5中，由主运送机构A5，以冷却组件(COL5)→第1反射防止膜形成组件35→加热组件(CHP5)→搁板组件U6的交接台TRS10的顺序依次运送晶片W，形成第1反射防止膜。
接下来，由第2副运送机构D2将第2交接台TRS10的晶片W运送至搁板组件U6的第2交接台TRS9。接下来，第2交接台TRS9的晶片W被接取至第4单位块(COT层)B4的主运送机构A4。另外，在COT层B4中，由主运送机构A4，以冷却组件COL4→涂敷组件34→加热组件CHP4→搁板组件U5的第1交接台TRS4的顺序运送晶片W，在第1反射防止膜的上层形成抗蚀剂膜。
其后，由第1副运送机构D1将第1交接台TRS4的晶片W运送至第1交接台TRS3。接下来，第1交接台TRS3的晶片W被接取至第3单位块(TCT层)B3的主运送机构A3。另外，在TCT层B3中，由主运送机构A3，以冷却组件(COL3)→第2反射防止膜形成组件33→加热组件(CHP3)→周缘曝光装置(WEE)→搁板组件U6的第2交接台TRS8的顺序运送晶片W，在抗蚀剂膜的上层形成第2反射防止膜。
接下来，由接口块运送机构B接取第2交接台TRS8的晶片W，并运送至曝光装置S4。运送至曝光装置S4的晶片W，在那里被施以规定的曝光处理。
曝光处理后的晶片W，由接口块运送机构B运送至搁板组件U6的第2交接台TRS6或TRS7。交接台TRS6或TRS7上的晶片W，被接取至第1或第2单位块(DEV层)B1或B2的主运送机构A1或A2。在该DEV层B1或B2中，首先以加热组件(PEB1或PEB2)→冷却组件(COL1或COL2)→显影组件31或32→加热组件(POST1或POST2)的顺序运送，进行规定的显影处理。这样进行了显影处理的晶片W，被运送至搁板组件U5的交接台TRS1或TRS2，并由承载块运送机构C，返回至载置在承载块S1上的原来的承载器20。
在如上动作的抗蚀剂图形形成装置中，各处理组件的方法的管理、主运送机构A1～A5、承载块运送机构C、第1和第2副运送机构D1、D2、接口块运送机构B的驱动控制，在上述控制装置6中进行。图12表示该控制装置6的构成。虽然该控制装置6实际上由CPU(中央处理器)、程序和存储器等构成，但是在本发明中，由于在晶片W的运送上具有特征，所以在此将与其关联的构成要素的一部分块化进行说明。
图中60为总线，在该总线60上连接有臂运送程序61、COT层运送部62、DEV层运送部63、BCT层运送部64、TCT层运送部65、各层主运送机构A1～A5、第1和第2副运送机构D1、D2、接口块运送机构B、和承载块运送机构C的控制器(未图示)。
上述臂运送程序61为控制各层主运送机构A1～A5、第1和第2副运送机构D1、D2、承载块运送机构C、接口块运送机构B的运送的程序。
上述COT层运送部62具备COT层运送计划62A、模块改写程序62B、和COT层运送计划程序62C。在此所谓的COT层运送计划62A为，在COT层B4中，确定将晶片W在什么时刻运送至哪个模块的运送计划。例如如图13所示对晶片W分配序号，按时间序列排列运送循环数据而制定运送计划，所述运送循环数据使晶片W的序号和各模块对应来指定运送循环(阶段)。在该例中表示，在阶段1中，将先头的晶片W1运送至冷却组件(COL4)，在阶段2中，将先头的晶片W1运送至涂敷组件34(COT)，将接下来的第2个晶片W2运送至冷却组件(COL4)。虽然在该例中，用冷却组件(COL4)、涂敷组件34(涂敷部301～303)、加热组件(CHP4)的每一个集中起来作为一个模块进行了记载，但是在实际中对每个模块均记载晶片W的运送顺序。
在此由于主运送机构A1～A5具备2个以上的臂，所以COT层B4的主运送机构A4，由一个臂将晶片W从一个模块取出，由另一个臂接取下一个模块的晶片W，将上述一个臂上的先前的晶片W交接至该下一个模块。通过这样将放置在各模块中的晶片W移至序号靠后一个的模块来执行一个运送循环(阶段)，执行了该一个运送循环后，移至下一个运送循环，从而依次执行各运送循环。由此，以冷却组件(COL4)→涂敷组件34→加热组件(CHP4)→交接台TRS4的顺序依次运送晶片W来进行规定的处理。因此，通常情况下交接台TRS4成为COT层B4最后的模块。
再者，上述模块改写程序62B为，在该例中接口块运送机构B发生一些异常的情况下，如图14所示，将COT层运送计划62A的最后的模块改写为收纳组件4的程序。进而，上述COT层运送计划程序62C为，用于依照上述图13和图14的运送计划控制主运送机构A4，并将晶片W运送至COT层B4内的各模块的程序。
上述DEV层运送部63，与COT层运送部62同样，具备DEV层运送计划、模块改写程序、和DEV层运送计划程序。运送计划制定为以加热组件(PEB1(PEB2))→显影组件31(32)→冷却组件(COL1(COL2))→加热组件(POST1(POST2))→交接台TRS1(TRS2)的顺序运送晶片W。在模块改写程序中，承载块运送机构C发生一些异常时，与COT层运送部62同样，将最后的模块从交接台TRS1(TRS2)改写为收纳组件4。
上述BCT层运送部64，与COT层运送部62同样，具备BCT层运送计划、模块改写程序、和BCT层运送计划程序。运送计划制定为以冷却组件(COL5)→第1反射防止膜形成组件35→加热组件(CHP5)→交接台TRS10的顺序运送晶片W。在模块改写程序中，接口块运送机构B发生一些异常时，与COT层运送部62同样，将最后的模块从交接台TRS10改写为收纳组件4。
上述TCT层运送部65，与COT层运送部62同样，具备TCT层运送计划、模块改写程序、和TCT层运送计划程序。运送计划制定为以冷却组件(COL3)→第2反射防止膜形成组件33→加热组件(CHP3)→周缘曝光装置(WEE)→交接台TRS8的顺序运送晶片W。在模块改写程序中，接口块运送机构B发生一些异常时，与COT层运送部62同样，将最后的模块从交接台TRS8改写为收纳组件4。
在此，所谓接口块运送机构B或承载块运送机构C发生一些异常的情况是指，它们产生故障，或者与交接台TRS碰撞，或者从曝光装置S4的运出延迟等一些异常产生，而不能在上述运送计划设定的时刻在规定交接台TRS和主运送机构A1～A5之间进行晶片W的交接的情况。
控制装置6存储有包含以上动作的、整个装置的处理的控制所必需的控制程序、和用于对应于处理条件使各构成部执行处理的程序即方法。方法可以存储在硬盘或半导体存储器中，也可以以收纳在CDROM、DVD等可运输性的存储介质中的状态设置在规定位置。进而，可以从其它装置经由例如专用线路适当传送方法。
接下来，就本实施方式中的作用进行说明。在本实施方式中，在DEV层B1、B2、TCT层B3、COT层B4、BCT层B5的各单位块中，由各主运送机构A1～A5根据各自的运送计划进行晶片W的运送。再者，在该例中由于与在涂敷膜形成用的单位块(TCT层B3、COT层B4、BCT层B5)的各单位块中一样进行晶片W的运送控制，所以在此基于图15以COT层B4为例进行说明。
在这种情况下，首先询问接口块运送机构B是否正常(步骤S1)。在正常的情况下前进至步骤S2，一边参照运送计划一边由主运送机构A4执行一个循环的运送。另一方面，在接口块运送机构B有一些异常的情况下，前进至步骤S3，将运送计划的最后的模块从交接台TRS4改写为收纳组件4。然后在步骤S4中，禁止从BCT层B5向该COT层B4运入晶片W，在步骤S5中禁止晶片W从承载器20运出。接下来在步骤S6中，关于COT层B4的晶片W，参照改写后的运送计划执行运送。
再者在TCT层B3中，在接口块运送机构B发生异常的情况下，与COT层B4一样也进行晶片W的运送控制。即，首先判断接口块运送机构B是否正常，在正常的情况下，一边参照运送计划一边由主运送机构A3执行一个循环的运送。另一方面，在接口块运送机构B有一些异常的情况下，将运送计划的最后的模块从交接台TRS8改写为收纳组件4，禁止向TCT层B3运入晶片W，并且禁止晶片W从承载块B1运出，关于TCT层B3的晶片W，参照改写后的运送计划执行运送。
进而，在BCT层B5中，也与COT层B4一样进行晶片W的运送控制。在接口块运送机构B正常的情况下，一边参照运送计划一边由主运送机构A5执行一个循环的运送。另一方面，在接口块运送机构B有一些异常的情况下，将运送计划的最后的模块从交接台TRS10改写为收纳组件4，禁止从承载块S1向BCT层B5运入晶片W，并且禁止晶片W从承载器20运出，关于BCT层B5的晶片W，参照改写后的运送计划执行运送。
再者，在DEV层B1中，如图16所示，判断承载块运送机构C是否正常(步骤S11)。在承载块运送机构C正常的情况下，与COT层B4一样地进行晶片W的运送控制，一边参照运送计划一边由主运送机构A1执行一个循环的运送(步骤S12)。另一方面，在承载块运送机构C有一些异常的情况下，将运送计划的最后的模块从交接台TRS1(TRS2)改写为收纳组件4(步骤S13)，禁止从接口块S3向DEV层B1运入晶片W，(步骤S14)，并且禁止晶片W从承载器20运出(步骤S15)，关于DEV层B1的晶片W，参照改写后的运送计划执行运送(步骤S16)。在DEV层B2中，也与DEV层B1完全一样地进行晶片W的运送控制。
在这样的抗蚀剂图形形成装置中，由于把各涂敷膜形成用的单位块、和显影处理用的单位块设置在不同的区域，并在各个区域上分别设置专用的主运送机构，所以主运送机构的负荷降低。因此，由于主运送机构的运送效率提高，所以作为结果可以提高生产能力。
再者，在接口块运送机构B有一些异常时，在涂敷膜形成用的TCT层B3、COT层B4、BCT层B5的各单位块中，将运送计划的最后的模块改写为收纳组件4，禁止晶片W向各个单位块的运入，并依照改写后的运送计划向各个单位块内运送晶片W。因此即使在接口块运送机构B有异常时，关于存在于各单位块内的晶片W进行了通常的处理后，由于退避至该单位块内的收纳组件4内，可以对各单位块内的晶片W将通常的处理进行到最后。因此，在各单位块内的各模块中，由于可以进行预先设定的规定的处理，所以不会发生抗蚀剂膜的膜质恶化，单位块内的晶片W不会浪费，可抑制合格率的下降。
在此如果以COT层B4为例，假定在接口块运送机构B有异常时，在各个单位块中不使晶片W退避至收纳组件4的情况，则在该情况下，由于接口块运送机构B不能接取作为TCT层B3的最后的模块的交接台TRS8的晶片W，所以在TCT层B3中如果欲将该晶片W的后续的晶片W载置在交接台TRS8上时，后续的晶片W的放置位置不存在。因此主运送机构A3成为保持着该后续的晶片W的状态，在该状态下由主运送机构A3进行的运送停止。
如果主运送机构A3这样停止，则在用于从COT层B4向TCT层B3交接晶片W的交接台TRS3上也保持载置有前面的晶片W的状态，变得不能由第1副运送机构D1从COT层B4向TCT层B3新运入晶片W。因此，在该COT层B4中，变得不由第1副运送机构D1接取作为最后的模块的交接台TRS4上的晶片W，在欲将该晶片W的后续的晶片W载置时，后续的晶片W的放置位置不存在。因此主运送机构A4成为保持着该后续的晶片W的状态，由于在哪一个位置上都不能载置该晶片W，所以在该状态下由主运送机构A4进行的运送停止。
因此晶片W在该COT层B4内的各模块中不能由主运送机构A4在规定的时刻取出，成为保持放置在模块内的状态，如已经说明的那样，抗蚀剂膜的膜质恶化，晶片W的合格率下降。
再者在承载块运送机构C有一些异常时，关于该DEV层B1(B2)内的晶片W，进行了通常的处理后，由于退避至收纳组件4A(4B)内，所以可以将在这些DEV层B1(B2)中进行的处理进行到最后。因此，不会发生保持将晶片W放置在DEV层B1(B2)内的各模块中的状态、而导致抗蚀剂膜的膜质恶化的问题，能抑制晶片W的合格率的下降。
在此在承载块运送机构C有一些异常时，如果假定在显影处理用的单位块中不使晶片W退避至收纳组件4的情况，则由于承载块运送机构C不能接取作为该DEV层B1或B2内的最后的模块的交接台TRS1或TRS2内的晶片W，所以保持将晶片W放置在DEV层B1或B2内的各模块中的状态，抗蚀剂膜的膜质恶化。
这样在本发明中，在接口块运送机构B或承载块运送机构C发生异常时，针对存在于单位块B1～B5内的晶片W，控制主运送机构的运送以便在单位块B1～B5内进行了通常的处理后，将晶片W运送至各单位块内的退避用的收纳组件4，并且控制由第1副运送机构D1或接口块运送机构B进行的运送，以便不将晶片W向单位块B1～B5运入，因此如已经说明的那样，可以抑制形成在晶片W上的涂敷膜的膜质恶化，可以抑制合格率的下降。
再者，这样只以运送计划的最后的模块的改写即可进行主运送机构A1～A5的运送控制，运送程序变得容易。
此外，以上说明的实施方式，仅旨在明确本发明的技术内容，本发明不应解释为仅限于这样的具体例，在本发明的精神和权利要求书所述的范围内，可以实施各种变更。
例如，在本发明中各单位块的层叠数和层叠的顺序不限于上述例子，也可以使显影处理用的单位块为1层，也可以排列涂敷膜形成用的单位块使从下方侧至上方侧依次为BCT层、COT层和TCT层。再者，可以将涂敷膜形成用的单位块配置在下方侧，在其上配置显影处理用的单位块。
再者，可以从DEV层B1、B2、TCT层B3、COT层B4和BCT层B5选择使用的单位块。在该情况下，可以只选择DEV层B1和B2中的一个。例如，TCT层B3、COT层B4和BCT层B5并不是全都需要，在只在抗蚀剂膜下部形成反射防止膜的情况下，不需要TCT层B3，所以可以从TCT层B3、COT层B4和BCT层B5中选择BCT层B5和COT层B4使用。当然，在这样的情况下，可以不设置TCT层B3。
这时，以承载器20→承载块运送机构C→搁板组件U5的第1交接台TRS～F→第1副运送机构D1→第1交接台TRS5→BCT层B5的主运送机构A5→冷却组件(COL5)→第1反射防止膜形成组件35→加热组件(CHP5)→搁板组件U6的第2交接台TRS10→第2副运送机构D2→第2交接台TRS9→COT层B4的主运送机构A4→冷却组件(COL4)→涂敷组件34→加热组件(CHP4)→搁板组件U6的第2交接台TRS9→接口块运送机构B→曝光装置S4→接口块运送机构B→搁板组件U6的交接台TRS6(TRS7)→DEV层B1(B2)的路线进行运送。
在这种情况下，关于BCT层B5和COT层B4，在接口块运送机构B发生异常时，也将运送计划的最后的模块改写为收纳组件4，并依照该改写的运送计划运送该BCT层B5和COT层B4内的晶片W。
再者在只在抗蚀剂膜上部形成反射防止膜的情况下，不需要BCT层B5，所以可以从TCT层B3、COT层B4和BCT层B5中选择TCT层B3和COT层B4使用。当然，在这样的情况下，可以不设置BCT层B5。这时，以承载器20→承载块运送机构C→搁板组件U5的第1交接台TRS～F→第1副运送机构D1→第1交接台TRS4→COT层B4的主运送机构A4的顺序进行运送。COT层B4内的晶片W的运送路线和COT层B4以后的晶片W的运送路线与上述例子同样。
在这种情况下，关于COT层B4和TCT层B3，在接口块运送机构B发生异常时，也将运送计划的最后的模块改写为收纳组件4，并依照该改写的运送计划运送该COT层B4和TCT层B3内的晶片W。
在上述实施方式中，以作为夹设在处理块S2和曝光装置S4之间的运送机构，接口块运送机构B发生异常的情况为例进行了说明，但是在也包括第2副运送机构D2作为这样的运送机构，该第2副运送机构D2发生异常的情况下，在TCT层B3、COT层B4和BCT层B5中，与接口块运送机构B发生异常时同样，也将运送计划的最后的模块改写为收纳组件4，并依照该改写的运送计划运送该TCT层B3、COT层B4和BCT层B5内的晶片W。
再者，与在TCT层B3、COT层B4和BCT层B5中，第1副运送机构D1发生一些异常时，与接口块运送机构B发生异常时同样，也将运送计划的最后的模块改写为收纳组件4，并依照该改写的运送计划运送该TCT层B3、COT层B4和BCT层B5内的晶片W。
由此，即使在第1和第2副运送机构D1、D2发生异常时，主运送机构A3～A5也可以对上述单位块B3～B5内的晶片W进行通常的运送，所以可以将通常的处理进行到最后，抑制涂敷膜的膜质恶化，也抑制晶片W的合格率的下降。再者如已经说明的那样，运送程序变得容易。
再者在DEV层B1、B2中，也与承载块运送机构C发生异常的情况同样，在接口块运送机构B发生一些异常时，也可以将运送计划的最后的模块改写为收纳组件4，并依照该改写的运送计划运送该DEV层B1、B2内的晶片W。这样，在接口块运送机构B发生异常时，由于没有晶片W从DEV层B1、B2向承载块S1的运送，所以可以使承载块运送机构C停止，运送程序的制定变得更容易。
进而，在TCT层B3、COT层B4和BCT层B5中，在承载块运送机构C发生一些异常时，也可以将运送计划的最后的模块改写为收纳组件4，并依照该改写的运送计划运送该TCT层B3、COT层B4和BCT层B5内的晶片W。这样，在承载块运送机构C发生异常时，由于没有晶片W从TCT层B3、COT层B4和BCT层B5向接口块S3的运送，所以可以使接口块运送机构B停止，运送程序的制定变得更容易。
虽然在上述实施方式中，作为第1基板收纳部和第2基板收纳部，邻接于涂敷组件和显影组件等设置了收纳组件4，但是并不局限于此，可以组装入各单位块B1～B5内的搁板组件U5、U6的某一个或两个中而进行设置。在该情况下，可以预先在各搁板组件U5、U6上形成多个交接台，并将其一部分用作基板收纳部。这样，由于各单位块B1～B5的最后的模块为搁板组件U5、U6的某一个交接台，所以在依照改写的运送计划运送晶片W时，也可以运送至同一搁板组件U5、U6的基板收纳部。因此，主运送机构A1～A5的运送路线几乎不变化，运送程序的制定变得更容易。再者由于不需要另外设置收纳组件，所以可以实现单位块的小型化，可以减少构成单位块的部件。
再者，虽然在上述实施方式中，在各单位块B1～B5内设置了收纳组件4作为基板收纳部，但是并不局限于此，例如也可以设在接口块S3上。不过，如果设在接口块S3上，则为了访问而需要使用接口块运送机构B，这些接口块运送机构B的负荷变大，所以最后设在各单位块B1～B5内的主运送机构A1～5可以访问的位置上。
进而，在本发明中，如果各单位块具备液体处理组件、加热组件、冷却组件和运送机构A，则这些各组件(模块)的个数、种类和布局不限于上述实施方式。再者，用承载块运送机构C可以访问的搁板组件U5的交接台TRS，并不限于对应于DEV层B1、DEV层B2的位置，只要为在承载块运送机构C和层叠的单位块的一个以上之间进行晶片W的交接的位置即可。再者，关于搁板组件U6，也可以设置用于与接口块运送机构B之间进行晶片W的交接的专用的第2交接台TRS，并经由该第2交接台TRS和第2副运送机构D2在各单位块B1～B5和接口块S3之间进行晶片W的交接。
进而，涂敷膜形成用的单位块之间，可以用第1和第2副运送机构D1、D2的某一个臂进行晶片W的交接。再者，关于DEV层B1、B2内的模块可以使用共用的主运送机构A来进行晶片W的运送。搁板组件U5、U6的交接台TRS的个数只要为1个以上即可。再者，交接台TRS可以具备冷却功能，也可以设置交接台TRS以外的模块，例如冷却组件等。
进而，在上述实施方式中，就使用半导体晶片作为基板的情况为例进行了说明，但是本发明并不局限于此，也可以应用于处理以液晶显示器用玻璃基板代表的平板显示器(FPD)基板等其他基板的涂敷·显影装置。

Claims (9)

1.一种涂敷·显影装置，具备：
承载块，用于运入运出可以搭载多个基板的承载器；
处理块，将运入上述承载块的承载器内的基板运入，并对基板进行包含抗蚀剂膜的涂敷膜的形成、和对其涂敷膜实施的曝光后的显影、以及这些处理附带的热处理；
和接口块，设在上述处理块和对基板上形成的涂敷膜进行曝光处理的曝光装置之间，用于在上述处理块和上述曝光装置之间进行基板的交接，
在从上述承载器运入上述处理块的基板上形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜后，将上述基板经由上述接口块运送至上述曝光装置，并使曝光后的基板经由上述接口块返回上述处理块，在该处进行显影处理后，交接至上述承载块，其特征在于，
上述处理块包括：一个或相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块、和相对于上述涂敷膜形成用的单位块层叠的显影处理用的单位块，
上述涂敷膜形成用的单位块具备：用于将药液涂敷在基板上的液体处理组件；加热基板的加热组件；冷却基板的冷却组件；在这些组件之间运送基板的第1运送机构；和退避用的第1基板收纳部，设在上述涂敷膜形成用的单位块上，且可以收纳片数对应于该单位块中的基板的收纳片数的基板，
还具备：第2运送机构，夹设在上述处理块和上述曝光装置之间，且在它们之间运送基板；和输出控制指令的控制装置，该指令用于在上述第2运送机构发生异常时，控制该单位块内的上述第1运送机构，使得在对存在于上述涂敷膜形成用的单位块内的基板，在该单位块内进行了通常的处理后，使基板退避至上述第1基板收纳部，并且禁止基板向上述涂敷膜形成用的单位块内的运入。
2.如权利要求1所述的涂敷·显影装置，其特征在于，具备：退避用的第2基板收纳部，设置在上述显影处理用的单位块上，并可以收纳片数对应于该单位块中基板的收纳片数的基板；和第3运送机构，用于从上述显影处理用的单位块运出显影处理后的基板，
上述控制装置输出控制指令，该控制指令用于控制该单位块内的第1运送机构，使得在该第3运送机构发生异常时，对存在于显影处理用的单位块内的基板在该单位块内进行了通常的处理后，使基板退避至上述第2基板收纳部，并且禁止基板向上述显影处理用的单位块内的运入。
3.如权利要求1所述的涂敷·显影装置，其特征在于，上述相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块具有：用于把抗蚀剂液涂敷在基板上的单位块、和用于在涂敷抗蚀剂液之前把反射防止膜用药液涂敷在基板上的单位块。
4.如权利要求1所述的涂敷·显影装置，其特征在于，上述相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块具有：用于把抗蚀剂液涂敷在基板上的单位块、和用于在涂敷抗蚀剂液后把反射防止膜用药液涂敷在基板上的单位块。
5.如权利要求1所述的涂敷·显影装置，其特征在于，上述相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块具有：用于把抗蚀剂液涂敷在基板上的单位块、用于在涂敷抗蚀剂液之前把反射防止膜用药液涂敷在基板上的单位块、和用于在涂敷抗蚀剂液后把反射防止膜用药液涂敷在基板上的单位块。
6.如权利要求1所述的涂敷·显影装置，其特征在于，上述涂敷膜形成用的单位块具有载置基板并且确定了运送序号的多个模块，上述第1运送机构具有2个运送臂，由一个运送臂把基板从上述多个模块中的一个模块取出，由另一个运送臂接取存在于下一个模块中的其他基板，将上述一个运送臂上的先前的基板交接至该下一个模块中，通过重复这些动作而把放置在各模块中的基板移至序号靠后一个的模块中，来执行一个运送循环，在执行了该一个运送循环后，移至下一个运送循环，通过依次执行各运送循环，按照上述序号将基板依次运送至上述多个模块中，并在基板上进行规定的涂敷膜形成处理，
上述控制装置具备存储部，存储该单位块内的运送计划，所述运送计划是将运送循环数据按时间序列排列而制定的，所述运送循环数据是将使对基板分配的序号和涂敷膜形成用的单位块内的模块对应来指定运送循环的；
改写部，在上述第2运送机构发生异常时，将上述运送计划的最后的模块改写为第1基板收纳部；
和运送控制部，根据上述运送计划或改写的运送计划，控制由上述涂敷膜形成用的单位块内的第1运送机构进行的基板的运送。
7.如权利要求2所述的涂敷·显影装置，其特征在于，在上述显影处理用的单位块中具有载置基板并且确定了运送序号的多个模块，上述第1运送机构具有2个运送臂，由一个运送臂把基板从上述多个模块中的一个模块取出，由另一个运送臂接取存在于下一个模块中的其他基板，将上述一个运送臂上的先前的基板交接至该下一个模块中，通过重复这些动作而把放置在各模块中的基板移至序号靠后一个的模块中，来执行一个运送循环，在执行了该一个运送循环后，移至下一个运送循环，通过依次执行各运送循环，按照上述序号将基板依次运送至上述多个模块中，并在基板上进行规定的涂敷膜形成处理，
上述控制装置具备存储部，存储该单位块内的运送计划，所述运送计划是将运送循环数据按时间序列排列而制定的，所述运送循环数据是将使对基板分配的序号和涂敷膜形成用的单位块内的模块对应来指定运送循环的；
改写部，在上述第3运送机构发生异常时，将上述运送计划的最后的模块改写为第2基板收纳部；
和运送控制部，根据上述运送计划或改写的运送计划，控制由上述显影处理用的单位块内的第1运送机构进行的基板的运送。
8.一种涂敷·显影方法，使用涂敷·显影装置进行涂敷·显影处理，该涂敷·显影装置具备：
承载块，用于运入运出可以搭载多个基板的承载器；
处理块，将运入上述承载块的承载器内的基板运入，并对基板进行包含抗蚀剂膜的涂敷膜的形成、和对其涂敷膜实施的曝光后的显影、以及这些处理附带的热处理；
和接口块，设在上述处理块和对基板上形成的涂敷膜进行曝光处理的曝光装置之间，用于在上述处理块和上述曝光装置之间进行基板的交接，
上述处理块包括：一个或相互层叠的多个涂敷膜形成用的单位块、和相对于上述涂敷膜形成用的单位块层叠的显影处理用的单位块，
上述涂敷膜形成用的单位块具备：用于将药液涂敷在基板上的液体处理组件；加热基板的加热组件；冷却基板的冷却组件；在这些组件之间运送基板的第1运送机构；和退避用的第1基板收纳部，设在上述涂敷膜形成用的单位块上，且可以收纳片数对应于该单位块中的基板的收纳片数的基板，
还具备第2运送机构，夹设在上述处理块和上述曝光装置之间，且在它们之间运送基板，其特征在于，
该方法包括：从上述承载器向上述处理块运入基板；
借助上述涂敷膜形成用的单位块，在上述基板上形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；
经由上述接口块将上述基板运送至上述曝光装置；
经由上述接口块使曝光后的基板返回至上述处理块；
在上述显影处理用的单位块中进行显影处理；
将显影处理后的基板交接至上述承载块，
在上述第2运送机构发生异常时，对存在于涂敷膜形成用的单位块内的基板，在该涂敷膜形成用的单位块内进行通常的处理，使各基板退避至设在该单位块内的上述退避用的第1基板收纳部，并且禁止基板向该涂敷膜形成用的单位块内的运入。
9.如权利要求8所述的涂敷·显影方法，其特征在于，上述涂敷·显影装置还具备：退避用的第2基板收纳部，设置在上述显影处理用的单位块上，并可以收纳片数对应于该单位块中基板的收纳片数的基板；和第3运送机构，用于从上述显影处理用的单位块运出显影处理后的基板，
在上述第3运送机构发生异常时，对存在于上述显影处理用的单位块内的基板在该显影处理用的单位块内进行了通常的处理后，使各基板退避至设置在该显影处理用的单位块内的上述第2退避用的基板收纳部，并且禁止基板向该显影处理用的单位块内的运入。
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