KR20060085178A - 도포·현상 장치 및 도포·현상 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 도포· 현상장치 및 도포 · 현상방법에 관한 것으로서 도포·현상 장치는 웨이퍼에 대해서 레지스트막을 형성한 후 노광 장치에 반송하고 노광후의 기판을 현상 처리하는 처리 블럭과 처리 블럭과 노광 장치와의 사이에 설치된 인터페이스 반송 기구를 구비하고 상기 처리 블럭은 도포막 형성용의 단위 블럭과 현상 처리용의 단위 블럭을 갖고 이들이 적층된 상태로 배치되고 있다. 상기 인터페이스 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 웨이퍼에 대해서 상기 단위 블럭내에서 통상의 처리를 실시한 후처리 후의 웨이퍼를 수용유니트에 퇴피시키는 것과 동시에 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 웨이퍼의 반입을 금지하는 기술을 제공한다.
Description
도 1은 종래 기술과 관련되는 도포·현상 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시 형태와 관련되는 도포·현상 장치를 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 도포·현상 장치를 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 2의 도포·현상 장치를 나타내는 개략 수직 단면도이다.
도 5는 도 2의 도포·현상 장치에 있어서의 제 4의 단위 플로터를 나타내는 사시도이다.
도 6은 도 2의 도포·현상 장치에 있어서 단위 플로터에 설치된 가열 냉각 섹션을 나타내는 정면도이다.
도 7은 도 2의 도포·현상 장치에 있어서의 인터페이스 블럭을 나타내는 개략 수지 단면도이다.
도 8은 도 2의 도포·현상 장치를 인터페이스 블럭측에서 본 개략도이다.
도 9는 도 2의 도포·현상 장치에 있어서의 인터페이스 반송 기구의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 10A는 도 2의 도포·현상 장치에 탑재된 도포 유니트를 나타내는 평면도 이다.
도 10B는 도 2의 도포·현상 장치에 탑재된 도포 유니트를 나타내는 종단 단면도이다.
도 11은 도 2의 상기 도포·현상 장치에 탑재된 수용 유니트를 나타내는 사시도이다.
도 12는 도 2의 도포·현상 장치에 있어서의 제어장치의 일례를 나타내는 구성도이다.
도 13은 반송 스케쥴의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 14는 모듈의 개서가 행해진 반송 스케쥴의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 15는 도 2의 도포·현상 장치의 COT층에 있어서의 처리 플로우를 나타내는 플로차트이다.
도 16은 도 2의 도포 ; 현상 장치의 DEV층에 있어서의 처리 플로우를 나타내는 플로차트이다.
본 발명의 실시예에 있어서의 칼라 음극선관의 보강 밴드의 투자율(透磁率) 과 형광면코너부에 있어서의 전자빔 드리프트량과의 관계를 나타내는 도이다.
** 주요부위를 나타내는 도면부호의 설명*
W 반도체 웨이퍼
20 캐리어
S1 캐리어 블럭
S2 처리 블럭
S3 인터페이스 블럭
S4 노광 장치
A1~A5 메인 반송 기구
B 인터페이스 블럭 반송 기구
C 캐리어 블럭 반송 기구
D1 ; D2 서브 반송 기구
4 수용 유니트 6 제어부
31 도포 유니트 32 현상 유니트
33 (34) 반사 방지막 형성 유니트
61 반송 프로그램 62 COT층 반송부
63 DEV층 반송부 64 BCT층 반송부
65 TCT층 반송부
본 발명은 예를 들면 반도체 웨이퍼나 액정 디스플레이용 유리 기판(LCD 기판) 등의 기판에 대해서 레지스트액 등의 도포 처리 및 노광 후의 현상 처리를 실시하는 도포·현상 장치 및도포·현상 방법에 관한다.
반도체 디바이스나 LCD 기판의 제조 프로세스에 있어서는 포트리소그래피로 불리는 기술에 의해 기판에 대해서 레지스트 패턴의 형성이 행해지고 있다. 이 기 술에 있어서는 기판 예를 들면 반도체 웨이퍼의 표면에 레지스트액을 도포하고 액막을 형성하고 건조하여 레지스트막으로 한 후 포토마스크를 이용해 상기 레지스트막을 원하는 패턴으로 노광하고 그 후 현상 처리를 행하는 것으로 노광 패턴에 대응한 레지스트 패턴을 구한다.
이러한 처리는 일반적으로 레지스트액 등의 도포나 현상을 실시하는 도포·현상 장치에 노광장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치를 이용해 행해진다. 이러한 장치로서는 일본국 특개 2004-193597호 공보에 개시된 것이 알려져 있다.
이 문헌에 개시된 장치는 도 1에 나타나는 바와 같이 캐리어 블럭(1A) 처리 블럭(1B) 인터페이스 블럭(1C) 및 노광 장치(1D)를 가지고 있다. 이 장치에 있어서는 다수매의 웨이퍼(W)를 수납한 캐리어(10)가 캐리어 블럭(1A)의 캐리어 스테이지 (11)에 반입되어 캐리어(10)내의 웨이퍼는 반송 기구(12)에 의해 처리 블럭(1B)에 인도된다. 그리고 처리 블럭(1B)내의 도포 유니유니트(13a)에 반송되어 레지스트액이 도포되고 그 다음에 인터페이스 블럭(1C)을 개입시켜 노광 장치(1D)에 반송된다. 노광 처리 후의 웨이퍼는 다시 처리 블럭(1B)에 되돌려져 현상 유니트 (13b)에 반송되고 현상 처리되어 그 후 원래의 캐리어(10)내에 되돌려지게 되어 있다.
도 1에 있어서 참조 부호 14a~14c는 도포 유니트(13a)나 현상 유니트(13b)의 처리의 전후에 웨이퍼에 대해서 소정의 가열 처리나 냉각 처리를 행하기 위한 가열 유니트; 냉각 유니트 및 인도 스테이지 등을 다단에 겹쳐 쌓아 구성된 선반 유니트이다.
웨이퍼(W)는 처리 블럭(1B)에 설치된 2개의 반송 장치 (15a ; 15b)에 의해 도포 유니트(13a)와 현상 유니트(13b)와 선반 유니트 (14a~14c)의 용부 등의 처리블럭(1B)내에 있어서 웨이퍼(W)가 놓여지는 모듈간을 반송시킨다. 또 인터페이스 블럭(1C)에는 처리 블럭(1B)과 노광 장치(1D)의 사이에 웨이퍼(W)의 인도를 실시하는 반송 기구(16a ; 16b)가 설치되고 있다.
일본국 특개 2004-193597 호 공보에는 또 웨이퍼(W)가 상기가 처리가 가해질 때 처리 예정의 모든 웨이퍼(W)에 대해서 미리 각각이 어느 타이밍에 어느 모듈에 반송될지를 정한 반송 스케쥴에 따라서 반송되는 것이 기재되어 있다.
이 때 상기 반송 스케쥴은 처리 블럭(1B)의 2개의 반송 장치(15a ; 15b)에 의해 웨이퍼(W)를 노광 처리전의 처리를 실시하는 모듈에 차례차례 반송한 후 인터페이스 블럭(1C)에 인도하고 그 다음에 노광 처리된 웨이퍼를 인터페이스 블럭(1C)으로부터 받아 노광 처리 후의 처리를 실시하는 모듈에 차례차례 반송하도록 작성되어 있다. 이렇게 하여 반송 장치(15a ; 15b)가 처리 블럭(1B)내를 1주함으로써 1개의 반송 사이클을 실행해 1개의 반송 사이클마다 캐리어(10)으로부터 배출된 새로운 웨이퍼(W)를 처리 블럭(1B)내에 반송하도록 되어 있다.
그런데 이러한 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서는 인터페이스에 설치된 반송기구(16a ; 16b)가 고장나거나 인도 스테이지에 충돌하거나 또한 노광장치(1D)로부터의 웨이퍼(W)의 배출이 늦어지는 등 어떠한 이상이 발생하여 반송기구(16a ; 16b)가 상기 반송스케쥴에서 설정된 타이밍으로 처리블럭(1B)으로부터 웨이퍼(W)를 수취할 수 할 수 없는 경우나 처리블럭(1B)에 웨이퍼(W)를 인도할 수 없는 경우가 있다.
상기 문헌에 기재된 레지스트 패턴 형성 장치에서는 이러한 사태가 발생한 경우반송 장치 (15a ; 15b)의 동작이 정지되게 되어 있다. 그 이유는 상기 반송프로그램은 복잡하고 반송 장치(15a ; 15b)가 반송 경로를 후퇴하는 동작을 실시하도록 하면 이 반송 프로그램이 매우 번잡하게 되어 실용적이지 않기 때문이다.
그렇지만 반송 장치(15a ; 15b)가 정지해 버리면 각 모듈에서는 웨이퍼(W)가
꺼내지고 두 모듈내에 남겨진 채로 되어 버린다. 이와 같이 웨이퍼(W)가 모듈내에 남겨지면 여러 가지가 사정이 생긴다. 예를 들면 도포 유니트(13a)로 처리된 웨이퍼(W)가 상기 유니트(13a)내에 놓여진 채로의 상태로 된 경우에는 도포된 레지스트막의 막질이 악화되어 버려 그 후에 반송 장치(15a ; 15b)에 의한 반송을 재개하여도 소정의 품질의 레지스트막을 확보할 수 없다. 이와 같이 각 모듈내에 남겨진 웨이퍼(W)는 소정의 품질을 만족하지 않는 경우가 많고 그 경우에는 제품으로서 출하하지 못하고 제품 비율이 저하해 버린다.
그런데 근년 노광 장치의 수율이 높아지고 있어 도포·현상 장치에 있어도 노광 장치의 수율에 맞춘 처리 능력이 요구되고 있다. 이 때문에 노광처리전의 모듈을 수납하는 에리어와 노광 처리 후의 모듈을 수납하는 에리어를 상하에 배치해 각각의 에리어에 반송 수단을 설치하는 것으로 반송 수단의 부하를 저감하여 반송 효율을 높여 이것에 의해 도포 현상 장치의 수율를 높이는 것이 검토되고 있다. 이와 같이 도포 처리를 실시하는 에리어와 현상 처리를 실시하는 에리어를 상하에 배치해 각 에리어에 반송 수단을 설치하는 구성이 예를 들면 일본 특허 제 3337677호 공보에 개시되고 있다.
그렇지만 이러한 구성에 있어서도 도포·현상 장치와 노광 장치와의 사이에서는 인터페이스 블럭내에 설치된 반송 기구에 의해 웨이퍼(W)의 인도를 실시하고 각 에리어 안에서는 그 중에 설치된 반송 기구에 의해 반송 스케쥴을 따라 웨이퍼(W)의 반송이 행해지므로 인터페이스 블럭내에 설치된 반송 기구에 이상이 발생한 경우에는 상술과 같은 문제가 발생할 우려가 있다. 그러나 이러한 문제를 해소하는
수단에 대해서는 이 문헌에도 어떠한 기재가 되지 않았다.
본 발명의 목적은 노광 장치와의 사이에 기판을 반송하는 반송 기구에 이상이 발생한 경우에 처리 블럭내의 기판에 대해서 통상의 처리를 실시할 수가 있고 기판의 제품 비율의 저하를 억제할 수 있는 도포·현상 장치 및 도포·현상 방법을 제공하는 것에 있다.
또 다른 목적은 이러한 도포·현상 장치에 있어서의 처리를 실행하기 위한 컴퓨터 독출 가능한 기억 매체 및 컴퓨터 프로그램을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 1의 관점에 의하면 복수의 기판을 탑재 가능한 캐리어를 반입출하기 위한 캐리어 블럭과 ; 상기 캐리어 블럭에 반입된 캐리어내의 기판이 반입되어 기판에 대해로 레지스트막을 포함한 도포막의 형성 및 그 도포막에 대한 노광 후의 현상 및 이들에 부수하는 열적 처리를 실시하는 처리 블럭과 ; 상기 처리 블럭 및 기판에 형성된 도포막에 대해서 노광 처리를 실시하는 노광 장치의 사이에 설치되어 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 기판의 인도를 행하기 위한 인터페이스 블럭을 갖추고; 상기 캐리어로부터 상기 처리 블럭에 반입된 기판에 대 해서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후 상기 기판을 상기 인터페이스 블럭을 개입시켜 상기 노광 장치에 반송해 노광 후의 기판을 상기 인터페이스 블럭을 개입시켜 상기 처리 블럭에 되돌리고 거기서 현상 처리를 실시한 후 상기 캐리어 블럭에 인도하는 도포·현상 장치로서; 상기 처리 블럭은 1개 또는 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭과 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 대해서 적층된 현상 처리용의 단위 블럭을 포함하고 ; 상기 도포막 형성용의 단위 블럭은 약액을 기판에 도포하기 위한 액처리 유니트와 기판을 가열하는 가열유니트와 기판을 냉각하는 냉각유니트와 이들을 유니트 사이에서 기판을 반송하는 제 1의 반송 기구와 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 설치되어 그 단위블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 1의 기판수용부를 갖추고; 또한 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치의 사이에 개재되어 이들의 사이에 기판을 반송하는 제 2의 반송 기구와 상기 제 2의 반송 기구에 이상이 발생하였을때 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 단위 블럭내에서 통상의 처리를 한 후 상기 제 1의 기판 수용부에 기판을 퇴피하도록 그 단위 블럭내의 상기 제 1의 반송 기구를 제어함과 동시에 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하기 위한 제어 지령을 출력하는 제어장치를 갖추는 도포·현상 장치가 제공된다.
상기 도포·현상 장치에 있어서 상기 현상 처리용의 단위 블럭에 설치되어 그 단위블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 2의 기판 수용부와 상기 현상 처리용의 단위 블럭으로부터 현상 처리 후의 기판을 배출하기 위한 제 3의 반송기구를 갖추고 ;상기 제어장치는 이 제 3의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 현상 처리용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 단위 블럭내에서 통상의 처리를 한 후 상기 제 2의 기판 수용부에 기판을 퇴피하도록 그 단위 블럭내의 제 1의 반송 기구를 제어함과 동시에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하기 위한 제어 지령을 출력하도록 구성할 수가 있다.
상기 도포·현상 장치에 있어서 상기 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭은 기판에 레지스트액을 도포하기 위한 단위 블럭 및 레지스트액을 도포하기 전에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 단위 블럭을 가질 수 있다. 또 상기 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭은 기판에 레지스트액을 도포하기 위한 단위 블럭 레지스트액을 도포하기 전에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 단위 블럭 및 레지스트액을 도포한 후에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 단위 블럭을 가지는 것도 할 수도 있다. 또한 상기 상호 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭은 기판에 레지스트액을 도포하기 위한 단위 블럭 레지스트액을 도포하기 전에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 단위 블럭 및 레지스트액을 도포한 후에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 단위 블럭을 가지는 것도 할 수 있다.
상기 도포·현상 장치에 있어서 상기 도포막 형성용의 단위 블럭은 기판이 재치됨과 동시에 반송의 차례가 결정되어지는 복수의 모듈을 갖고 상기 제 1의 반송 기구는 2개의 반송 아암을 갖고 한쪽의 반송 아암에 의해 상기 복수의 모듈 중 하나의 모듈로부터 기판을 취출하고 다른쪽의 반송 아암에 의해 다음의 모듈에 존재하는 다른 기판을 수취하고 상기 다음의 모듈에 상기 한쪽의 반송 아암상의 앞의 기판을 인도하고 이들 동작을 반복하여 각 모듈에 놓여진 기판을 1개씩 다음의 모듈로 이동함으로써 하나의 반송 사이클을 실행하고 상기 하나의 반송 사이클을 실행한 후 다음의 반송 사이클로 이행하고 각 반송 사이클을 차례차례 실행함으로써 기판이 상기 모듈군의 상기 복수의 모듈에 상기 차례로 반송되어 기판에 소정의 도포막 형성 처리가 실행되고,
상기 제어장치는 기판에 할당된 차례와 도포막 형성용의 단위 블럭내의 모듈을 대응 지어 반송 사이클을 지정한 반송 사이클 데이터를 시계열로 늘어놓아 작성된 상기 단위 블럭내의 반송 스케쥴을 기억하는 기억부와,
상기 제 2의 반송 기구에 이상이 발생했을 때에 상기 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 제 1의 기판 수용부에 개서하는 개서부와,
상기 반송 스케쥴 또는 개서된 반송 스케쥴에 따라서 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내에 있어서의 제 1의 반송 기구에 의한 기판의 반송을 제어하는 반송 제어부를 갖춘 것으로 할 수가 있다.
상기 도포·현상 장치에 있어서 상기 현상 처리용의 단위 블럭에서는 기판이 재치됨과 동시에 반송의 차례가 결정되어 있는 복수의 모듈을 갖고 상기 제 1의 반송 기구는 2개의 반송 아암을 갖고 한쪽의 아암에 의해 상기 복수의 모듈 중 하나의 모듈로부터 기판을 취출하고 다른쪽의 아암에 의해 다음의 모듈에 존재하는 다른 기판을 인도하고 상기 다음의 모듈에 상기 한쪽의 아암상의 앞의 기판을 인도하 고 이들 동작을 반복하여 각 모듈에 놓여진 기판을 1개의 순번이 다음의 모듈로 옮김으로써 반송사이클을 실행하고 상기 하나의 반송 사이클을 실행한 후 다음의 반송 사이클로 이행하고 각 반송 사이클을 차례차례 실행함으로써 기판이 상기 모듈군의 상기 복수의 모듈에 상기 차례로 반송되어 기판에 소정의 도포막 형성 처리가 실행되고,
상기 제어장치는 기판에 할당되어진 차례와 도포막 형성용의 단위 블럭내의 모듈을 대응 지어 반송 사이클을 지정한 반송 사이클 데이터를 시계열에 늘어놓아 작성된 상기 단위 블럭내의 반송 스케쥴을 기억하는 기억부와,
상기 제 3의 반송 기구에 이상이 발생했을 때에 상기 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 제 2의 기판 수용부에 개서하는 개서부와,
상기 반송 스케쥴 또는 개서된 반송 스케쥴에 따라서 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 있어서의 제 1의 반송 기구에 의한 기판의 반송을 제어하는 반송 제어부를 구비한 것으로 할 수가 있다.
본 발명의 제 2의 관점에 의하면 복수의 기판을 탑재 가능한 캐리어를 반입출하기 위한 캐리어 블럭과,
상기 캐리어 블럭에 반입된 캐리어내의 기판이 반입되어 기판에 대해서 레지스트막을 포함한 도포막의 형성 및 그 도포막에 대한 노광 후의 현상 및 이들에 부수하는 열적 처리를 실시하는 처리 블럭과,
상기 처리 블럭 및 기판에 형성된 도포막에 대해서 노광 처리를 실시하는 노광 장치의 사이에 설치되어 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 기판의 인도를 행하기 위한 인터페이스 블럭을 구비하고,
상기 처리 블럭은 1개 또는 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭
과 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 대해서 적층된 현상 처리용의 단위 블럭을 포함하고,
상기 도포막 형성용의 단위 블럭은 약액을 기판에 도포하기 위한 액처리 유니트와 기판을 가열하는 가열 유니트와 기판을 냉각하는 냉각 유니트와 이들 유니트간에 기판을 반송하는 제 1의 반송 기구와 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 설치되어 그 단위블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 1의 기판수용부를 구비하고,
또한 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치의 사이에 개재되어 이들의 사이에 기판을 반송하는 제 2의 반송 기구를 가지는 도포·현상 장치를 이용하여 도포·현상 처리하는 도포·현상 방법으로서,
상기 캐리어로부터 상기 처리 블럭에 기판을 반입하는 것과,
상기 도포막 형성용의 단위 블럭으로 상기 기판에 대해서 레지스트막을 포함한 도포막을 형성하는 것과,
상기 기판을 상기 인터페이스 블럭을 개입시켜 상기 노광 장치에 반송하는 것과,
노광 후의 기판을 상기 인터페이스 블럭을 개입시켜 상기 처리 블럭에 되돌리는 것과,
상기 현상 처리용의 단위 블럭으로 현상 처리를 실시하는 것과,
현상 처리 후의 기판을 상기 캐리어 블럭에 인도하는 것을 갖고,
상기 제 2의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내에서의 통상의 처리를 실시하고 상기 단위 프로그램내에 설치된 상기 퇴피용의 제 1의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하는 도포·현상 방법이 제공된다.
상기 도포·현상 방법에 있어서 상기 도포·현상 장치는 또한 상기 현상 처리용의 단위블럭에 설치되고 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 2의 기판 수용부와 상기 현상 처리용의 단위 블럭으로부터 현상 처리 후의 기판을 배출하기 위한 제 3의 반송 기구를 구비하고,
상기 제 3의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에서 통상의 처리를 한 후 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 설치된 상기 제 2의 퇴피용의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 동시에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하도록 하는 것을 할 수 있다.
본 발명의 제 3의 관점에 의하면 복수의 기판을 탑재 가능한 캐리어를 반입출하기 위한 캐리어 블럭과,
상기 캐리어 블럭에 반입된 캐리어내의 기판이 반입되어 기판에 대해서 레지스트막을 포함한 도포막의 형성 및 그 도포막에 대한 노광 후의 현상 및 이들에 부수하는 열적 처리를 실시하는 처리 블럭과,
상기 처리 블럭 및 기판에 형성된 도포막에 대해서 노광 처리를 실시하는 노광 장치의 사이에 설치되어 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 기판의 인도를 행하기 위한 인터페이스 블럭을 구비하고,
상기 처리 블럭은 1개 또는 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭과 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 대해서 적층된 현상 처리용의 단위 블럭을
포함하고,
상기 도포막 형성용의 단위 블럭은 약액을 기판에 도포하기 위한 액처리 유니트와 기판을 가열하는 가열 유니트와 기판을 냉각하는 냉각 유니트와 이들 유니트간에 기판을 반송하는 제 1의 반송 기구와 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 설치되어 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 1의 기판수용부를 구비하고,
또한 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 개재되어 이들의 사이에 기판을 반송하는 제 2의 반송 기구를 가지는 도포·현상 장치를 컴퓨터에 제어시키는 소프트웨어를 포함한 컴퓨터에 의해 독해 할 수 있는 기억 매체로서,
상기 소프트웨어는 상기 제 2의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내에서의 통상의 처리를 실시하고 상기 단위 블럭내에 설치된 상기 퇴피용의 제 1의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하도록 상기 도포·처리 장치를 컴퓨터에 제어시키는 컴퓨터에 의해 독해 할 수 있는 기억매체가 제공된다.
상기 기억 매체에 있어서 상기 도포·현상 장치는 또한 상기 현상 처리용의 단위 블럭에 설치되어 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 2의 기판 수용부와 상기 현상 처리용의 단위 블럭으로부터 현상 처리 후의 기판을 배출하기 위한 제 3의 반송 기구를 구비하고,
상기 소프트웨어는 상기 제 3의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에서 통상의 처리가 행해진 후 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 설치된 상기 제 2의 퇴피용의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지 하도록 상기 도포·처리 장치를 컴퓨터에 제어시키도록 구성할 수 있다.
본 발명의 제 4의 관점에 의하면 복수의 기판을 탑재 가능한 캐리어를 반입출하기 위한 캐리어 블럭과 상기 캐리어 블럭에 반입된 캐리어내의 기판이 반입되어 기판에 대해서 레지스트막을 포함한 도포막의 형성 및 그 도포막에 대한 노광 후의 현상 및 이들에 부수하는 열적 처리를 실시하는 처리 블럭과,
상기 처리 블럭 및 기판에 형성된 도포막에 대해서 노광 처리를 실시하는 노광 장치의 사이에 설치되어 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 기판의 인도를 행하기 위한 인터페이스 블럭을 구비하고,
상기 처리 블럭은 1개 또는 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭과 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 대해서 적층된 현상 처리용의 단위 블럭을 포함하고,
상기 각 단위 블럭은 약액을 기판에 도포하기 위한 액처리 유니트와 기판을 가열하는 가열 유니트와 기판을 냉각하는 냉각 유니트와 이들 유니트간에 기판을 반송하는 제 1의 반송 기구와 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 설치되고 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 1의 기판 수용부를 구비하고,
또한 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 개재되어 이들의 사이에 기판을 반송하는 제 2의 반송 기구를 가지는 도포·현상 장치를 컴퓨터에 제어시키는 소프트웨어를 포함하는 컴퓨터프로그램으로서,
상기 소프트웨어는 상기 제 2의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내에서의 통상의 처리를 실시하고 상기 단위 블럭내에 설치된 상기 퇴피용의 제 1의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하도록 상기 도포·처리 장치를 컴퓨터에 제어시키는 컴퓨터 프로그램이 제공된다.
상기 컴퓨터프로그램에 있어서 상기 도포·현상 장치는 또한 상기 현상 처리
용의 단위 블럭에 설치되어 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 2의 기판 수용부와 상기 현상 처리용의 단위 블럭으로부터 현상 처리 후의 기판을 배출하기 위한 제 3의 반송 기구를 구비하고,
상기 소프트웨어는 상기 제 3의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 현상 처리용의 단위 블럭 내에서 통상의 처리가 행해진 후 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 설치된 상기 제 2의 퇴피용의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지 하도록 상기 도포·처리 장치를 제어한다.
이러한 도포 현상 장치에서는 상기 반송 수단 B에 이상이 일어났을 때에 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 단위 블럭내에서 통상의 처리를 한 후 상기 단위 블럭내에 설치된 퇴피용의 제 1의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하도록 상기 도포·처리 장치를 컴퓨터에 제어시키도록 구성할 수가 있다.
이하 첨부 도면을 참조해 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다.
도 2는 본 발명의 일실시 형태와 관련되는 도포·현상 장치를 갖춘 레지스트 패턴 형성 장치의 평면도를 나타내고 도 3은 동개략 사시도 ; 도 4는 동개략 측면도이다. 도포·현상 장치는 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들면 13매 밀폐 수납된 캐리어(20)을 반입출하기 위한 캐리어 블럭(S1)과 캐리어 블럭(S1)에 인접하여 설치된 5개의 단위 블럭(B1~B5)을 갖춘 처리 블럭(S2)과 처리 블럭(S2)의 캐리어 블럭(S1)과는 반대측에 인접하게 설치된 인터페이스 블럭(S3)을 구비하고 있다. 그리고 인터페이스 블럭(S3)에 노광 장치S4가 접속된 상태로 레지스트 패턴 형성 장치가 구성된다. 이 레지스트 패턴 형성 장치의 동작은 컴퓨터로부터 되는 제어장치(6)에 의해 제어된다.
캐리어 블럭(S1)은 캐리어(20)를 복수개 재치 가능한 재치대(21)와 이 재치대(21)로부터 볼때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(22)와 개폐부(22)를 개입시켜 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내기 위한 캐리어 블럭 반송 기구(C)를 가지고 있다. 이 캐리어 블럭 반송 기구(C)는 진퇴 자유롭게 ; 승강 자유롭게 ; 수직축 주위에 회전 자유롭게; 캐리어(20)의 배열방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다.
상기 처리 블럭(S2)은 캐리어 블럭(S1)에 접속되고 있고 프레임체(24)에서 주위를 둘러싸고 있다. 처리 블럭(S2)은 다단 구조로 되어 있어 하단측의 2단이 현상 처리를 행하기 위한 제 1 및 제 2의 단위 블럭(DEV층; B1,B2)이고 그 위에 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막(이하 제 2의 반사 방지막이라고 한다)의 형성 처리를 행하기 위한 제 3의 단위 블럭(TCT층, B3); 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제 4의 단위 블럭(COT층; B4); 레지스트막의 하층 측에 형성되는 반사 방지막(이하 제 1의 반사 방지막이라 한다)의 형성 처리를 행하기 위한 제 5의 단위 블럭(BCT층,B5)이 차례차례 형성되고 있다. 여기서 DEV층 (B1;B2)이 현상 처리용의 단위 블럭 TCT층(B3) ; COT층(B4) ; BCT층(B5)이 도포막 형성용의 단위 블럭에 상당한다.
또 처리 블럭(S2)은 그 캐리어 블럭(S1)측 부분에 단위 블럭(B1~B5)을 관통해 복수의 인도 스테이지가 적층되어 구성된 선반 유니트 (U5)를 갖고 있고 또 인터페이스 블럭(S3)측 부분에 단위 블럭 (B1~B5)를 관통하여 복수의 인도 스테이지가 적층되어 구성된 선반 유니트 (U6)를 가지고 있다.
다음에 제 1~ 제 5의 단위 블럭 (B1~B5)의 구성에 대해서 설명한다.
이들 각 단위 블럭 (B1~B5)는 웨이퍼(W)에 대해서 약액을 도포하기 위한 액처리 유니트와 액처리 유니트에서 행해지는 처리의 사전 처리 및 후처리를 행하기 위한 각종의 가열·냉각계의 복수의 처리 유니트를 구비하고 있다. 그리고 제 1~ 제 5의 단위 블럭 (B1~B5)는 각각 상기 액처리 유니트와 가열·냉각계의 처리 유니트와의 사이에 웨이퍼(W)의 인도를 행하기 위한 전용의 메인 반송 아암 (A1~A5)를 구비하고 있다.
이들 단위 블럭 (B1~B5)는 거의 동일한 레이아웃으로 구성되고 있으므로 도 2에 나타내는 제 4의 단위 블럭(COT층; B4)을 예로 하여 설명한다.
이 COT층(B4)의 거의 중앙에는 캐리어 블럭(S1)측으로부터 인터페이스블럭(S3)측에 도달하도록 도안에 Y방향을 따라 웨이퍼(W)의 반송 영역(R1)이 형성되고 있다.
이 반송 영역(R1)의 캐리어 블럭(S1)측에서 본 우측에는 상기 액처리 유니트로 하여 레지스트의 도포 처리를 행하기 위한 복수개의 도포부를 갖춘 도포 유니트 (34)가 설치되고 좌측에는 가열 냉각 섹션(54)이 설치되고 있다. 가열 냉각 섹션(54)은 캐리어 블럭(S1)측으로부터 차례에 설치된 가열·냉각계의 유니트를 다단화한 4개의 선반 유니트(U1; U2; U3; U4)를 가지고 있다.
상기 도포 유니트 (34)의 인터페이스 블럭(S3)측에는 퇴피용의 제 1의 기판수용부를 이루는 수용 유니트(4)가 설치되고 있다. 수용 유니트(4)는 제 4의 단위 블럭(COT층; B4)에 있어서의 웨이퍼(W)의 수용 매수에 따른 매수의 웨이퍼(W)를 수용하기 위한 다수의 재치 스테이지를 구비하고 있다.
상기 가열 냉각 섹션(54)의 선반 유니트 (U1; U2; U3; U4)는 도포 유니트(34)에서 행해지는 처리의 사전 처리 또는 후처리를 행하기 위한 각종 유니트를 복수단 예를 들면 2단으로 적층한 구성으로 되어 있다.
상술한 바와 같이 상기 반송 영역(R1)은 가열 냉각 섹션(54) 및 도포 유니트 (34)에 의해 규정되어 있고 이와 같이 규정된 반송 영역(R1)에 청정에어를 분출시켜 배기함으로써 상기 반송 영역(R1)내의 파티클의 부유를 억제하도록 되어 있다.
상술의 가열 냉각 섹션(54)을 구성하는 사전 처리 및 후처리를 행하기 위한 복수의 처리 유니트는 도 5에 나타나는 바와 같이 레지스트액의 도포전에 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트(COL4); 레지스트액의 도포 후에 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하기 위한 프리베이킹 유니트등으로 불리고 있는 가열 유니트(CHP4) ; 웨이퍼(W)의 엣지부만을 선택적으로 노광하기 위한 주변 노광 장치(WEE)를 포함하고 있다. 또 이들 냉각 유니트(COL4)나 가열 유니트(CHP4) 등의 처리 유니트는 각각 처리 용기(501)내에 수납되고 있고 선반 유니트 (U1~U4)는 처리 용기(501)가 2단으로 적층으로 구성되고 각 처리 용기(501)의 반송 영역(R1)에 임하는 면에는 웨이퍼 반출입구(502)가 형성되어 있다.
상기 반송 영역(R1)에는 상기 메인 반송 기구(A4)가 설치되고 있다. 이 메인 반송 기구(A4)는 상기 제 4의 단위 블럭(COT층; B4)내의 모든 모듈(웨이퍼(W)가 놓여지는 장소) 예를 들면 선반 유니트 (U1~U4)의 복수의 처리 유니트; 도포 유니트 (34)의 복수의 도포부 수용 유니트(4)의 각 재치 스테이지 선반 유니트 (U5) 및 (U6)의 각 인도 스테이지와의 사이에 웨이퍼의 인도를 실시하도록 구성되고 있기 때문에 진퇴 자유롭게; 승강 자유롭게 수직축 주위에 회전 자유롭게 Y축 방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다.
반송 영역(R1)의 캐리어 블럭(S1)과 인접하는 영역은 제 1의 웨이퍼 인도 영역(R2)으로 되어 있다. 도 2 및 도 4에 나타나는 바와 같이 이 영역(R2)의 캐리어 블럭 반송기구(C)와 메인 반송 기구(A4)를 액세스 할 수 있는 위치에 상기 선반 유니트 (U5)가 설치되고 있다.
또 영역(R2)은 선반 유니트 (U5)에 대해서 웨이퍼(W)의 인도를 행하기 위한 제 1의 서브반송기구(D1)가 통과 가능하게 되어 있다. 제 1의 서브 반송 기구(D1)는 선반 유니트 (U5)를 따라서 제 1~ 제 5의 단위 블럭 (B1~B5)를 관통하여 상하에 이동 가능하게 되어 있다.
반송 영역(R1)의 인터페이스 블럭(S3)과 인접하는 영역은 제 2의 웨이퍼 인도하고 영역 (R3)으로 되어 있다. 도 2 및 도 4에 나타나는 바와 같이 이 영역 (R3)의 메인 반송 기구(A4)를 액세스 할 수 있는 위치에 상기 선반 유니트 (U6)이 설치되고 있다. 또 영역 (R3)은 선반유니트 (U6)에 대해서 웨이퍼(W)의 인도를 행하기 위한 제 2의 서브 반송 기구 (D2)가 통과 가능하게 되어 있다. 제 2의 서브 반송 기구 (D2)는 선반 유니트 (U6)를 따라 제 1~ 제 5의 단위블럭 (B1~B5)를 관통하여 상하에 이동 가능하게 되어 있다.
이상이 제 4의 단위 블럭 (B4)의 구성이다. 상술한 것처럼 다른 단위 블럭 (B1;B2;B3;B5)의 기본 구성은 위에서 설명한 제 4의 단위 블럭 (B4)와 거의 동일하지만 도 6 및 도 8에 나타나는 바와 같이 이하의 점에 있어서 제 4의 단위 블럭 (B4)와 다르게 되어 있다.
여기서 도 6은 처리 블럭(S2)에 있어서의 단위 블럭 (B1~B5)의 가열 냉각 섹션을 반송 영역(R1)측에서 본 도이고 도 8은 처리 블럭 (S2)를 인터페이스 블럭(S3)측에서 본 도이다.
즉 단위 블럭 (B1; B2; B3; B5)에 있어서의 제 4의 단위 블럭 (B4)의 도포 유니트(34)에 대응하는 부분에는 액처리 유니트로서 각각 현상 유니트 (31 ; 32) 제 2의 반사 방지막 형성 유니트(33); 제 1의 반사 방지막 형성 유니트 (35)가 설치되고 있어 가열 냉각 섹션(54)에 대응하는 부분에는 각각의 처리에 응한 처리 유니트를 갖춘 가열 냉각 섹션 (51 ; 52 ; 53 ; 55)가 설치되어 있다. 이들 가열 냉각 섹션 (51 ; 52 ; 53 ; 55)는 모두 가열 냉각 섹션 (54)와 같이 소정의 유니트가 2단으로 적층하여 이루어지는 선반 유니트 (U1~U4)를 가지고 있다. 이들 단위 블럭 (B1; B2; B3; B5)의 개개의 구조에 대해서는 후술한다.
상기 선반 유니트 (U5)는 도 4에 나타나는 바와 같이 각 단위 블럭 (B1~B5)에 각각 대응하는 위치에 2개씩의 제 1의 인도 스테이지 (TRS1~TRS5)를 가지고 있다. 이들 제 1의 인도 스테이지 (TRS1~TRS5)는 각각 단위 블럭 (B1~B5)의 메인 반송 기구 (A1~A5)와의 사이에 웨이퍼(W)의 인도를 실시한다. 또 상기 제 1의 서브 반송 기구(D1)는 제 1의 인도 스테이지 (TRS1~TRS5)에 대해서 웨이퍼(W)의 인도를 실시할 수 있도록 진퇴 자유롭게 및 승강 자유롭게 구성되고 있다. 또한 이 예에서는 제 1의 인도 스테이지 (TRS1~TRS5)가 2 개씩 설치되고 있지만 이들은 1개씩으로 하여도 3개 이상씩으로서도 좋다.
상기 제 1 및 제 2의 단위 블럭 (B1;B2)의 제 1의 인도 스테이지 (TRS1 ; T
RS2)는 캐리어 블럭(S1)의 캐리어 블럭 반송 기구(C)와의 사이에 웨이퍼(W)의 인도가 행해지도록 구성되고 있다. 또 선반 유니트 (U5)는 제 2의 단위 블럭 (B2)에 대응하는 부분에 또한 2개의 인도 스테이지 (TRS-F)를 구비하고 있고 이 인도 스테이지 (TRS-F)는 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 의해 웨이퍼(W)를 처리 블럭 (S2)에 반입하기 위한 전용의 인도 스테이지로서 이용된다. 이 인도 스테이지 (TRS-F)는 제 1의 단위 블럭 (B1)에 설치하도록 해도 괜찮고 이 인도 스테지 (TRS-F)를 별개에 설치하지 않고 캐리어 블럭 반송 기구(C)로부터 웨이퍼(W)를 처리 블럭(S2)에 반입할 때에 인도 스테이지 (TRS1 ; (TRS2))를 이용하여 행해지도록 하여도 좋다. 또한 이 예에서는 캐리어 블럭 반송 기구(C)가 현상 처리용의 제 1 및 제 2의 단위 블럭 (B1;B2)로부터 현상 처리 후의 웨이퍼를 배출하기 위한 반송 수단에 상당한다.
상기 선반 유니트 (U6)는 도 4 및 도 7에 나타나는 바와 같이 각 단위 블럭 (B1~B5) 대응하는 위치에 2개씩의 제 2의 인도 스테이지 (TRS6~TRS10)을 갖고 있다. 이들 제 2의 인도 스테이지 (TRS6~TRS10)는 각각 단위 블럭 (B1~B5)의 메인 반송 기구 (A1~A5)와의 사이에 웨이퍼(W)의 인도를 실시한다. 또 상기 제 2의 서브 반송 기구 (D2)는 제 2의 인도 스테이지 (TRS6~TRS10)에 대해서 웨이퍼(W)의 인도를 실시할 수가 있도록 진퇴 자유롭게 및 승강 자유롭게 구성되고 있다. 또한 이 예에서는 제 2의 인도 스테이지 (TRS6~TRS10)이 2 개씩 설치되고 있지만 이들은 1 개씩으로서도 3개 이상씩으로서도 좋다.
이와 같이 본 실시 형태에서는 5단에 적층된 각 단위 블럭 (B1~B5)의 사이로 상술의 제 1의 서브 반송 기구(D1)와 제 2의 서브 반송 기구 (D2)에 의해 각각 제 1의 인도 스테이지 (TRS1~TRS5 와 TRS-F); 제 2의 인도 스테이지 (TRS6~TRS10)를 개입시켜 자유롭게 웨이퍼(W)의 인도를 행할 수가 있도록 구성되고 있다.
다음에 제 4의 단위 블럭(COT층 ;B4) 이외의 단위 블럭의 구성에 대해서 전술의 도 6 및 도 8을 참조해 설명한다.
제 1 및 제 2의 단위 블럭(DEV층; B1 및 B2)은 각각 액처리 유니트로서 웨이퍼(W)에 대해서 현상 처리를 행하기 위한 현상 유니트 (31 ; 32)가 설치되어 있다. 현상 유니트 (31 ; 32)는 동일한 구성을 가지고 있다. 또 각각 가열 냉각 섹션(51 ; 52)이 설치되고 있어 이들도 서로 동일한 구성을 가지고 있다. 각 가열 냉각 섹션 (51 ; 52)는 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트익스포져 베이킹 유니트로 불리고 있는 가열 유니트(PEB1 ; PEB2)나 이들 가열 유니트(PEB1 PEB2)에 있어서의 처리 뒤에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각유니트(COL1 ; COL2) 현상 처리 후의 웨이퍼(W)의 수분을 날리기 위해서 가열 처리하는 포스트베이킹 유니트로 불리고 있는 가열 유니트(POST1; POST2)를 구비하고 있다.
그리고 이들 DEV층 (B1)에서는 메인 반송 기구 (A1)에 의해 제 1의 인도 스테이지 (TRS1)와 제 2의 인도 스테이지 (TRS6)와 현상 유니트(31)와 가열 냉각 섹션(51)에 있어서의 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리 유니트와 퇴피용의 제 2의 기판 수용부를 이루는 수용 유니트(4)와에 대해서 웨이퍼(W)의 인도를 한다. 또 DEV층 (B2)에서는 메인 반송 기구(A2)에 의해 제 1의 인도 스테이지 ((TRS2) ;TRS-F)와 제 2의 인도 스테이지 (TRS7)와 현상 유니트(32)와 가열 냉각 섹션(52)에 있어서의 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리 유니트와 퇴피용의 제 2의 기판 수용부를 이루는 수용 유니트(4)에 대해서 웨이퍼(W)의 인도가 행해진다.
제 3의 단위 블럭(TCT층, B3)은 액처리 유니트로서 웨이퍼(W)에 대해서 제
2의 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 2의 반사 방지막 형성 유니트(33)이 설치되어 있다. 또 가열 냉각 섹션(53)이 설치되고 있고 이 가열 냉각 섹션(53)은 반사 방지막 형성 처리전에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트(COL3)나 반사 방지막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유니트(CHP3)를 구비하고 있는 이외는 기본적으로 제 4의 단위 블럭(COT층; B4)의 가열 냉각 섹션(54)와 동일한 구성을 가지고 있다.
그리고 이 TCT층(B3)에서는 메인 반송 기구(A3)에 의해 제 1의 인도 스테이지((TRS3))와 제 2의 인도 스테이지 (TRS8)와 제 2의 반사 방지막 형성 유니트(33)와 가열 냉각 섹션(53)에 있어서의 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리 유니트와 수용 유니트(4)에 대해서 웨이퍼(W)의 인도가 행해진다.
제 5의 단위 블럭(BCT층, B5)은 액처리 유니트로서 웨이퍼(W)에 대해서 제 1의 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제 1의 반사 방지막 형성 유니트(35)가 설치되고 있다. 또 가열 냉각 섹션(55)이 설치되고 있어 이 가열 냉각 섹션(55)은 반사 방지막 형성 처리전에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트(COL5)나 반사 방지막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유니트(CHP5)를 구비하고 주변 노광 장치(WEE)를 구비하고 있지 않은 이외는 COT층(B4)의 가열 냉각 섹션(54)과 동일하게 구성되고 있다.
그리고 이 제 5의 단위 블럭 (B5)에서는 메인 반송 기구 (A5)에 의해 제 1의 인도 스테이지 (TRS5)와 제 2의 인도 스테이지 (TRS10)와 제 1의 반사 방지막 형성유니트(35)와 가열 냉각 섹션(55)에 있어서의 선반 유니트 (U1~U4)의 각 처리 유니트와 수용 유니트(4)와에 대해서 웨이퍼(W)의 인도를 하게 되어 있다.
상기 가열 유니트(CHP3~5; POST1,2 ; PEB1,2) 로써는 도 2에 나타나는 바와 같이 가열 플레이트(503)와 반송 아암을 겸용하는 냉각 플레이트(504)를 구비한 구성을 가지는 것을 이용할 수가 있다. 이러한 가열 유니트는 메인 반송 기구에 대한 웨이퍼(W)의 인도를 냉각 플레이트(504)로 실시하고 이 냉각 플레이트(504)를 이동시킴으로써 냉각 플레이트(504)와 가열 플레이트(503)의 사이의 웨이퍼(W)의 인도를 실시할 수가 있고 이것에 의해 가열 및 냉각의 양쪽 모두를 실시할 수 있게 되어 있다.
또 냉각 유니트(COL1~5)로서는 예를 들면 수냉 방식의 냉각 플레이트를 구비하고 이 냉각 플레이트상에 웨이퍼(W)를 재치하여 냉각하는 구성의 장치가 이용된다.
또한 도 6은 이들 처리 유니트의 레이아웃의 일례를 나타내는 것으로서 이 레이아웃은 편의상의 것이고 가열 냉각 섹션에 배치되는 처리 유니트로서는 가열 유니트(CHP; PEB; POST); 냉각 유니트(COL) ;주변 노광 장치(WEE)에 한정하지 않고 다른 처리 유니트를 설치하도록 해도 괜찮다. 예를 들면 도포막 형성용의 단위블럭 (B3~B5)에 있어서는 레지스트액과 웨이퍼(W)와의 밀착성을 향상시키기 위한 HMDS 환경안에서 가스 처리를 행하는 소수화 처리 유니트(ADH)를 설치하도록 할 수 있다. 실제의 장치에서는 각 처리 유니트의 처리 시간 등을 고려해 유니트의 설치수를 결정할 수 있다.
인터페이스 블럭 S3은 처리 블럭 (S2)의 선반 유니트 (U6)와 노광 장치(S4)에 대해서 웨이퍼(W)의 인도를 행하기 위한 인터페이스 블럭 반송 기구(B)를 구비하고 있다. 이 인터페이스 블럭 반송 기구(B)는 처리 블럭 (S2)와 노광 장치(S4) 사이에 개재해 웨이퍼(W)의 반송 수단을 이루는 것이고 이 예에서는 도 7에 나타나는 바와 같이 제 1~ 제 4의 단위 블럭 (B1~B4)의 인도 스테이지 (TRS6~(TRS9))에 대해서 웨이퍼(W)의 인도를 실시할 수 있도록 진퇴 자유롭게 승강 자유롭게 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다.
또한 인터페이스 블럭 반송 기구(B)는 모든 단위 블럭 (B1~B5)의 제 2의 인도 스테이지 (TRS6~TRS10)에 대해서 웨이퍼(W)의 인도를 실시하도록 구성해도 괜찮다.
이어서 메인 반송 기구 (A1~A5) ; 제 1 및 제 2의 서브 반송 기구 (D1;D2) 인터페이스 블럭 반송 기구(B); 액처리 유니트 ;수용 유니트(4)의 구성에 대해서 간단하게 설명한다.
먼저 메인 반송 기구는 예를 들면 도 5에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면측 주변 영역을 지지하기 위한 2개의 아암 (101 ; 102)과 이들 아암 (101 ; 102)을 진퇴 자유롭게 지지하는 기초대 (103)과 기초대 (103)을 수직축 주위에 회전시키는 회전 기구 (104)와 기초대 (103)을 반송 영역의 Y축방향 및 상하 방향으 로 이동시키는 이동 기구 (105)와 선반 유니트 (U1~U4)를 지지하는 받침부 (106)의 반송 영역에 임하는 면에 Y축 방향을 따라 설치되고 기초대 (103)을 Y축 방향으로 가이드 하는 Y축 레일 (107)과 기초대 (103)을 상하 방향으로 가이드 하는 승강레일 (108)을 구비하고 있다. 이러한 구성에 의해 아암 (101 ; 102)는 진퇴 자유롭게 ; Y축방향으로 이동 자유롭게 ; 승강 자유롭게 수직축 주위에 회전 자유롭게 되어 선반 유니트 (U5 ; U6)의 인도 스테이지 (TRS1~TRS10) ; 선반 유니트 (U1~U4)의 처리 유니트 ; 액처리 유니트(31)~35 수용 유니트(4)와의 사이에 웨이퍼(W)의 인도를 실시할 수가 있게 되어 있다.
각 반송 기구 (A1~A5)는 후술 하는 제어장치(6)로부터의 지령에 근거해 도시하지 않는 콘트롤러에 의해 구동이 제어된다. 또 아암의 가열 유니트에서의 비축열을 방지하기 위해서 웨이퍼(W)의 수취 차례를 프로그램으로 임의로 제어할 수 있게 되어 있다.
인터페이스 블럭 반송 기구(B)는 도 9에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면측 중앙영역을 지지하기 위한 1개의 아암 (201)과 아암 (201)을 진퇴 자유롭게지지하는 기초대 (202)와 기초대 (202)를 승강시키는 승강대 (203)과 승강대 (203)상에서 기초대 (202)를 수직축 주위로 회전시키는 회전 기구 (204)와 승강대 (203)을 가이드 하는 승강 레일 (205)를 구비하고 있다. 이러한 구성에 의해 아암 (201)은 진퇴 자유롭게 ; 승강 자유롭게 ; 수직축 주위에 회전자유롭게 되고 선반 유니트 (U6)의 각 인도 스테이지 (TRS6~(TRS9))와 노광 장치(S4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 인도를 실시할 수가 있게 되어 있다.
제 1 및 제 2의 서브 반송 기구 (D1;D2)는 수직축 주위에 회전하지 않는 이외는 인터페이스 블럭 반송 기구(B)와 동일하게 구성되고 있다.
이들 제 1 및 제 2의 서브 반송 기구 (D1;D2) ; 인터페이스 블럭 반송 기구(B)는 후술하는 제어장치(6)로부터의 지령에 근거해 도시하지 않는 콘트롤러에 의해 구동이 제어된다.
다음에 제 4의 단위 블럭(COT층; B4)의 도포 유니트(34)에 대해서 도 10A, 10B를 이용해 간단하게 설명한다. 이 도포 유니트(34)는 3개의 도포부 (301,302,303)와 이들을 수납하는 공통의 처리 용기(300)를 가지고 있다. 3개의 도포부 (301,302,303)는 반송 영역(R1)에 임하도록 Y축방향으로 배열한 상태로 공통의 베이스(304)에 설치되고 있다. 이들 도포부 (301,302,303)은 동일한 구성을 가지고 있으므로 도포부(301)를 예로하여 설명한다. 도포부(301)는 기판 보지부를 이루는 스핀 척(305)을 가지고 있다. 스핀 척(305)은 진공 흡착에 의해 웨이퍼(W)를 수평으로 보지하고 구동부(306)에 의해 수직축 주위에 회전 및 승강되도록 되어 있다. 도포부(301)는 또한 웨이퍼(W) 및 스핀 척(305)의 측쪽 부분을 둘러싸는 컵 (307)과 상기 컵(307)의 저면에는 배기관이나 드레인관 등을 포함한 배액부(308)와 스핀 척 (302)에 보지된 웨이퍼(W)의 주변부에 린스액을 공급하기 위한 사이드 린스 기구(309)를 가지고 있다. 사이드 린스 기구(309)는 승강 자유롭게 ; 수직축 주위에 회전 자유롭게 이루어지고 있다.
또 도포 유니트(34)는 3개의 도포부(301 ; 302 ; 303)에 대해서 도포액을 공급하기 위한 공통의 도포액 공급 노즐(310)을 가지고 있다. 이 공급 노즐(310)은 이동기구(312)에 의해 처리 용기(300)의 길이 방향(Y방향)을 따라 설치된 가이드 레일(311)에 따라서 일단측의 도포부(301)의 컵(307)의 바깥쪽측으로부터 타단측의 도포부(303)의 컵(307)의 바깥쪽측까지 이동자유롭게 또한 승강자유롭게 구성되어 있다. 이와 같은 도포액 공급 노즐(310)에 의해 각 도포부(301~303)의 스핀척(305)에 보지된 웨이퍼(W)의 거의 중앙 영역에 레지스트액을 공급하도록 되어 있다. 도포부(303)의 측쪽에는 도포액 공급 노즐(310)의 대기 영역(313)이 설치되고 있다.
또한 도포 유니트 (34)는 처리 용기(300)의 천정부에 장착된 필터 유니트(314)와 처리 용기(300)의 저면에 설치된 배기부(315)를 가지고 있다. 배기부(315)로부터 소정의 배기량으로 배기함과 동시에 필터 유니트(314)로부터 소정 유량의 온도와 습도가 조정된 청정 기체를 공급함으로써 처리 용기(300)내에 청정 기체의 다운 플로우가 형성되고 그 안이 메인 반송 기구(A4)의 반송 영역(R1)보다 양압이 되도록 설정되어 있다. 처리 용기(300)의 반송 영역(R1)에 임하는 면에는 각각 도포부 (301 ; 302 ; 303)에 대응하는 위치에 3개의 웨이퍼(W)의 반입출구(316)가 설치되어 있다. 이들 반입출구(316)에는 개폐 셔터가 설치되고 있다.
이 도포 유니트 (34)에서는 웨이퍼(W)는 메인 반송 기구(A4)에 의해 몇개의 반입출구(316)를 개재하여 처리용기(300)내에 반입되고 미리 결정된 도포부(301 ; 302 ; 303)의 어느 한 스핀 척(305)에 인도된다. 그리고 도포액 공급 노즐(310)로부터 상기 웨이퍼(W)의 중앙부에 레지스트액을 공급함과 동시에 스핀 척(305)을 회전시키고 레지스트액을 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 지름방향으로 퍼진다. 이것에 의해 웨이퍼(W) 표면에 레지스트의 액막이 형성된다. 이렇게 해 레지스트의 액막이 형성된 웨이퍼(W)는 반입출구(316)를 개입시켜 메인 반송 기구(A4)에 의해 도포 유니트(34)의 외부에 반출된다.
이러한 도포 유니트(34)에서는 3개의 도포부(301~303)가 공통의 처리 용기 (300)의 내부에 설치되어 공통의 도포액 공급 노즐 (310)에 의해 레지스트액이 공급되도록 되어 있으므로 각 도포부(301~303) 마다 처리 용기(300)와 공급 노즐 (310)을 설차는 경우에 비해 토탈의 부재 점수나 점유 면적을 삭감할 수가 있다.
또 3개의 도포부 (301~303)이 공통의 베이스(304)에 설치되고 있으므로 스핀척(305)과 메인 반송 기구(A4)의 아암 (101 ;102)과의 높이 조정을 실시할 때 1개의 도포부 (301~303)에 대해서 실시하면 좋다. 또 공통의 도포액 공급 노즐 (310)에 각 도포부(301~303)에 대해서 레지스트액(도포액)이 공급되도록 구성되고 있으므로 각 스핀 척(305)과 공급 노즐 (310)의 높이의 조정에 대해서도 1개의 도포부(301~303)에 대해서 실시하면 좋다. 이 때문에 이들의 높이 조정에 필요로 하는 수고가 경감하고 또한 조정 시간이 단축된다.
또한 공통의 처리 용기(300)내에 3개의 도포부 (301~303)을 설치하는 것에 의해 다운로드를 형성하는 에어의 공급이나 이 에어의 배기를 공통화할 수 있으므로 이 점으로부터도 토탈 부재 점수나 점유 면적을 삭감할 수 있어 유효하다.
다음에 제 1 및 제 2의 단위 블럭(DEV층, B1 ; B2)의 현상 유니트(31 ; 32)에 대해서 설명한다. 현상 유니트(31; 32)는 상기 도포액 공급 노즐 (310) 대신에 긴 방향을 따라 토출 영역이 형성된 길이가 긴 현상액 공급 노즐이 설치되고 있는 점 및 세정액 노즐을 구비하는 점이 도포 유니트 (34)와 다르게 되어 있지만 그 이외는 도포 유니트(34)와 거의 동일하게 구성되고 있다. 현상액 공급 노즐은 그 토출 영역이 웨이퍼(W)의 직경에 상당하는 길이를 가지고 있다. 세정액 노즐은 도포액공급 노즐 (310)과 동일하게 이동 기구에 의해 가이드 레일(311)을 따라 이동 자유롭게 한편 승강 자유롭게 구성되어 스핀 척(305)에 보지된 웨이퍼(W)에 대해서 세정액을 공급하도록 되어 있다.
이러한 현상 유니트 (31 ; 32)에서는 메인 반송 기구 (A1 ; A2)에 의해 도포 유니트(34)와 동일하게 반입출구를 개입시켜 처리 용기내에 웨이퍼(W)가 반입되어 미리 결정된 도포부의 스핀 척에 웨이퍼(W)가 인도된다. 그리고 현상액 공급 노즐을 웨이퍼(W)의 중앙에 위치시켜 현상액을 공급함과 동시에 스핀 척에 의해 예를 들면 웨이퍼(W)를 반회전 시켜 이것에 의해 현상액을 웨이퍼(W)의 전면에 공급한다. 그리고 소정 시간 경과후 세정액 노즐로부터 웨이퍼(W)에 세정액을 공급하고 웨이퍼(W) 표면의 현상액을 씻어 흘리고 그 다음에 웨이퍼(W)를 회전시켜 건조시키는 것으로 현상 처리를 종료한다.
제 5의 단위 블럭(BCT층, B5)의 제 1의 반사 방지막 형성 유니트(35)는 레지스트액을 도포하기 전에 웨이퍼(W)에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 것 제 3의 단위 블럭(TCT층, B3)의 제 2의 반사 방지막 형성 유니트(33)는 레지스트액을 도포한 후에 웨이퍼(W)에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 것이고 이들의 유니트(35 ; 33)는 도포액 공급 노즐(310)대신에 도포액 공급 노즐(310)과 동일한 구성을 가지는 반사 방지막용 약액 공급 노즐을 구비하는 이외는 도포 유니트(34)와 동일하게 구성되어 있다.
다음에 수용 유니트(4)에 대해서 도 11을 참조해 설명한다. 도 11에 나타나는 바와 같이 수용유니트(4)는 그것이 설치되고 있는 단위 블럭에 있어서의 웨이퍼(W)의 수용 매수에 따른 매수의 웨이퍼(W)를 재치하여 수용하기 위한 복수단의 재치 스테이지(41)를 구비하고 있다. 이 예에서는 재치 스테이지(41)가 6단 설치되고 있고 6매의 웨이퍼(W)가 수용 가능하게 되어 있다. 재치 스테이지(41)에는 웨이퍼(W)의 이면측을 지지하기 위한 돌기(42)가 설치되어 있다. 이 돌기(42)는 메인 반송 기구의 아암과 간섭하지 않는 위치에 설치되고 있어 메인 반송 기구와의 사이에 웨이퍼(W)의 인도를 실시할 수가 있게 되어 있다.
다음에 이상과 같이 구성되는 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼의 흐름에 대해서 레지스트막의 상하에 각각 반사 방지막을 형성하는 경우를 예로 들어 설명한다.
우선 외부로부터 캐리어(20)가 캐리어 블럭 (21)에 반입된다. 이 상태로 캐리어(20)내의 웨이퍼(W)가 1매 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 의해 취출된다. 웨이퍼(W)는 캐리어 블럭 반송 기구(C)로부터 선반 유니트 (U5)의 제 1의 인도 스테이지 (TRS-F)에 반송된다. 그 다음에 웨이퍼(W)는 제 1의 서브 반송 기구(D1)에 의해 선반 유니트 (U5)의 제 1의 인도 스테이지 (TRS5)에 반송되고 또한 그곳으로부터 제 5의 단위 블럭(BCT층, B5)의 메인 반송 기구 (A5)에 수취된다. 그리고 BCT층(B5)에서는 웨이퍼(W)는 메인 반송 기구 (A5)에 의해 냉각 유니트(COL5) → 제 1의 반사 방지막 형성 유니트(35) → 가열 유니트(CHP5) → 선반 유니트 (U6)의 인도 스테이 지 (TRS10)의 순서로 차례차례 반송되어 제 1의 반사 방지막이 형성된다.
이어서 제 2의 인도 스테이지 (TRS10)의 웨이퍼(W)는 제 2의 서브 반송 기구 (D2)에 의해 선반 유니트 (U6)의 제 2의 인도 스테이지 (TRS9)에 반송된다. 그 다음에 제 2의 인도 스테이지 (TRS9)의 웨이퍼(W)는 제 4의 단위 블럭(COT층; B4)의 메인 반송기구(A4)에 수취된다. 그리고 COT층(B4)에서는 웨이퍼(W)는 메인 반송 기구 (A4)에 의해 냉각 유니트(COL4) → 도포 유니트(34)→가열 유니트(CHP4)→ 선반 유니트 (U5)의 제 1의 인도 스테이지 (TRS4)의 순서로 반송되고 제 1의 반사 방지막의 상층에 레지스트막이 형성된다.
그 후 제 1의 인도 스테이지 (TRS4)의 웨이퍼(W)는 제 1의 서브 반송 기구(D1)에 제 1의 인도 스테이지 (TRS3)에 반송된다. 그 다음에 제 1의 인도 스테이지 (TRS3)의 웨이퍼(W)는 제 3의 단위 블럭(TCT층, B3)의 메인 반송 기구(A3)에 수취된다. 그리고 TCT층(B3)에서는 웨이퍼(W)는 메인 반송 기구(A3)에 의해 냉각 유니트(COL3) → 제 2의 반사 방지막 형성 유니트(33)→가열 유니트(CHP3)→주변 노광 장치(WEE) → 선반 유니트(6)의 제 2의 인도 스테이지 (TRS8)의 순서로 반송되고 레지스트막의 상층에 제 2의 반사 방지막이 형성된다.
이어서 제 2의 인도 스테이지 (TRS8)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 의해 수취되고 노광 장치(S4)에 반송된다. 노광 장치(S4)에 반송된 웨이퍼(W)는 거기서 소정의 노광 처리가 가해진다.
노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 의해 선반 유니트 (U6)의 제 2의 인도 스테이지 (TRS6) 또는 (TRS7)에 반송된다. 인도 스테이지 (TRS6) 또는 (TRS7)상의 웨이퍼(W)는 제 1 또는 제 2의 단위 블럭(DEV층) B1 또는 B2의 메인 반송 기구 A1 또는 A2에 수취된다. 상기 DEV층 B1 또는 B2에서 먼저 가열 유니트(PEB1 또는 PEB2) → 냉각 유니트(COL1 또는 COL2) → 현상 유니트 (31) 또는 (32)→ 가열 유니트(POST1 또는 POST2)의 순서로 반송되고 소정의 현상 처리를 한다. 이렇게 해 현상 처리를 한 웨이퍼(W)는 선반 유니트 (U5)의 인도 스테이지 (TRS1) 또는 (TRS2)에 반송되고 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 의해 캐리어 블럭(S1)에 재치되어 있는 원래의 캐리어(20)에 돌아간다.
이상과 같이 동작되는 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서 각 처리 유니트의 레시피의 관리나 메인 반송 기구 (A1~A5) ;캐리어 블럭 반송 기구(C) 제 1 및 제 2의 서브 반송 기구 (D1;D2); 인터페이스 블럭 반송 기구(B)의 구동 제어는 상술의 제어장치(6)에서 행해진다. 도 12는 이 제어장치(6)의 구성을 나타내는 것이다. 이 제어장치(6)는 실제로는 CPU(중앙 처리 유니트) ;프로그램 및 메모리 등에 의해 구성되고 본 발명에서는 웨이퍼(W)의 반송에 특징이 있으므로 여기에서는 거기에 관련하는 구성요소의 일부를 블럭화 하여 설명하는 것으로 한다.
도안에 60은 버스이고 이 버스(60에 아암 반송 프로그램 (61) COT층 반송부(62); DEV층 반송부(63) ; BCT층 반송부(64) ; TCT층 반송부(65)나 각층의 메인 반송 기구 (A1~A5); 제 1 및 제 2의 서브 반송 기구 (D1;D2) ; 인터페이스 블럭 반송 기구(B) 및 캐리어 블럭 반송 기구(C)의 콘트롤러(도시하지 않음)가 접속되고 있다.
상기 아암 반송 프로그램(61)은 각층의 메인 반송 기구 (A1~A5) 제 1 및 제 2의 서브 반송 기구 (D1 ; D2) ; 캐리어 블럭 반송 기구(C) ; 인터페이스 블럭 반송기구(B)의 반송을 제어하는 프로그램이다.
상기 COT층 반송부(62)는 COT층 반송 스케쥴(62A) ; 모듈 개서프로그램(62B) ; COT층 반송 스케쥴 프로그램(62C)를 구비하고 있다. 여기서 COT층 반송 스케쥴(62A)이라는 것은 COT층(B4)에 있어서 웨이퍼(W)가 어느 타이밍에 어느 모듈에 반송될지를 정한 반송 스케쥴이다. 예를 들면 도 13에 나타나는 바와 같이 웨이퍼(W)에 차례를 할당해 웨이퍼(W)의 차례와 각 모듈을 대응 지어 반송사이클(페이즈)을 지정한 반송 사이클 데이터를 시계열에 나열하여 작성된 것이다. 이 예에서는 페이즈 1에서는 선두의 웨이퍼 (W1)이 냉각 유니트(COL4)에 반송되고 페이즈 2에서는 선두의 웨이퍼(W1)가 도포 유니트 (34 ;COT)에 반송되고 다음의 2번째의 웨이퍼 (W2)가 냉각 유니트(COL4)에 반송되는 것을 나타내고 있다. 이 예에서는 냉각 유니트(COL4); 도포 유니트 (34 ; 도포부(301~303)) ;가열유니트(CHP4)의 각각으로 정리하여 하나의 모듈로서 기재하고 있지만 실제로는 모듈마다 웨이퍼(W)의 반송 순서가 기재되어 있다.
여기서 메인 반송 기구 (A1~A5)는 2개 이상의 아암을 갖추고 있으므로 COTB4의 메인 반송 기구(A4)는 한쪽의 아암에 의해 하나의 모듈로부터 웨이퍼(W)를 취출하고 다른쪽의 아암에 의해 다음의 모듈의 웨이퍼(W)를 수취하고 상기 다음의 모듈에 상기 한쪽의 아암상의 앞의 웨이퍼(W)를 인도한다. 이렇게 하여 각 모듈에 놓여진 웨이퍼(W)를 1개의 순번이 다음의 모듈로 옮기는 것으로 하나의 반송 사이클(페이즈)을 실행하고 상기 하나의 반송 사이클을 실행한 후 다음의 반송 사이클로 이 행하고 각 반송 사이클을 차례로 실행한다. 이것에 의해 냉각 유니트(COL4)→ 도포 유니트(34)→ 가열 유니트(CHP4)→ 인도 스테이지 (TRS4)의 차례로 웨이퍼(W)가 차례로 반송되어 소정의 처리가 행해진다. 따라서 통상시에는 인도하고 스테이지 (TRS4)가 COT층(B4)의 마지막 모듈이 된다.
또 상기 모듈 개서 프로그램(62B)는 이 예에서는 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 어떠한 이상이 발생한 경우에 도 14에 나타나는 바와 같이 COT층 반송 스케쥴(62A)의 마지막 모듈을 수용 유니트(4)에 개서하는 프로그램이다. 또한 상기 COT층 반송 스케쥴 프로그램(62C)은 상기 도 13 및 도 14의 반송스케쥴에 따라서 메인 반송 기구(A4)를 제어하고 웨이퍼(W)를 COT층(B4)내의 각 모듈에 반송시키기 위한 프로그램이다.
상기 DEV층 반송부(63)는 COT층 반송부(62)와 동일하게 DEV층 반송 스케쥴과 모듈 개서 프로그램과 DEV층 반송 스케쥴 프로그램을 구비하고 있다. 반송 스케쥴은 가열 유니트(PEBl(PEB2)→ 현상 유니트(31;32) → 냉각 유니트(COL1 ;COL2) →가열 유니트(POST1 ;POST2)→ 인도 스테이지 (TRS1) (TRS2)의 순서로 웨이퍼(W)가 반송되도록 작성되고 있다. 모듈 개서 프로그램에서는 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 어떠한 이상이 발생했을 때에 COT층 반송부(62)와 동일하게 마지막 모듈을 인도하고 스테이지 (TRS1) ;(TRS2)로부터 수용 유니트(4)에 개서하도록 되어 있다.
상기 BCT층 반송부(64)는 COT층 반송부(62)와 동일하게 BCT층 반송 스케쥴과 모듈 개서 프로그램과 BCT층 반송 스케쥴 프로그램을 구비하고 있다. 반송 스케쥴은 냉각 유니트(COL5) → 제 1의 반사 방지막 형성 유니트(35)→ 가열 유니트 (CHP5) → 인도 스테이지 (TRS10)의 순서로 웨이퍼(W)가 반송되도록 작성되고 있다. 모듈 개서 프로그램에서는 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 어떠한 이상이 발생했을 때에 COT층 반송부(62)와 동일하게 최후의 모듈을 인도하고 스테이지 (TRS10)로부터 수용 유니트(4)에 개서하도록 되어 있다.
상기 TCT층 반송부(65)는 COT층 반송부(62)와 동일하게 TCT층 반송 스케쥴과 모듈 개서 프로그램과 TCT층 반송 스케쥴 프로그램을 구비하고 있다. 반송 스케쥴은 냉각 유니트(COL3)→제 2의 반사 방지막 형성 유니트(33)→가열 유니트(CHP3) →주변 노광 장치(WEE)→ 인도 유니트 (TRS8)의 순서로 웨이퍼(W)가 반송되도록 작성되고 있다. 모듈 개서 프로그램으로는 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 어떠한 이상이 발생했을 때에 COT층 반송부(62)와 동일하게 마지막 모듈을 인도하고 유니트 (TRS8)로부터 수용 유니트(4)에 개서하게 되어 있다.
여기서 인터페이스 블럭 반송 기구(B)나 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 어떠한 이상이 발생한 경우라는 것은 이들이 고장나거나 인도 스테이지 (TRS)에 충돌하거나 노광 장치(S4)로부터의 배출이 늦는 등 어떠한 이상이 발생해 상기 반송 스케쥴 그리고 설정된 타이밍에 소정의 인도 스테이지 (TRS)와 메인 반송 기구 (A1~A5)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 인도를 할 수 없는 경우를 말한다.
제어장치(6)는 이상과 같은 동작을 포함한 장치 전체의 처리의 제어에 필요한 제어 프로그램이나 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램 즉 레시피가 격납되고 있다. 레시피는 하드 디스크나 반도체 메모리에 기억되고 있어도 좋고 CDROM DVD 등의 가반성의 기억 매체에 수용된 상태로 소정 위치에 세트 하도록 되어 있어도 괜찮다. 또한 다른 장치로부터 예를 들면 전용회선을 개입시켜 레시피를 적당히 전송시키도록 해도 괜찮다.
다음에 본 실시의 형태에 있어서의 작용에 대해서 설명한다. 본 실시의 형태에서는 DEV층(B1,B2) TCT층(B3) COT층(B4) BCT층(B5)의 각 단위 블럭에 있어서 각 메인 반송 기구 (A1~A5)에 의해 각각의 반송 스케쥴에 따라서 웨이퍼(W)의 반송이 실시된다. 또 이 예에서는 도포막 형성용의 단위 블럭(TCT층(B3); COT층(B4) ;BCT층(B5))의 각 단위 블럭에서는 똑같이 웨이퍼(W)의 반송 제어가 행해지므로 여기에서는 COT층(B4)을 예로 하여 도 15에 근거해 설명한다.
이 경우 먼저 인터페이스 블럭 반송 기구(B)가 정상적인지를 문의 한다(스텝 S1. 정상적인 경우에는 스텝 S2에 진행되어 반송 스케쥴을 참조하면서 메인 반송 기구(A4)에 의해 1 사이클의 반송을 실행한다. 한편 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 어떠한 이상이 있는 경우에는 스텝 S3에 진행되어 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 인도하고 스테이지 (TRS4)로부터 수용 유니트(4)에 개서한다. 그리고 스텝 S4에 있어서 상기 COT층(B4)에의 BCT층(B5)로부터의 웨이퍼(W)의 반입을 금지하고 스텝 S5에 있어서 캐리어(20)로부터의 웨이퍼(W)의 배출을 금지한다. 다음에 스텝 S6에 있어서 COT층(B4)의 웨이퍼(W)에 대해서 개서된 반송 스케쥴을 참조해 반송을 실행한다.
또 TCT층(B3)에 있어서도 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 이상이 일어난 경우에는 COT층(B4)과 동일하게 웨이퍼(W)의 반송 제어가 행해진다. 즉 먼저 인터페이스 블럭 반송 기구(B)가 정상적인지 아닌지를 판단해 정상적인 경우에는 반송 스 케줄을 참조하면서 메인 반송 기구(A3)에 의해 1 사이클의 반송을 실행한다. 한편인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 어떠한 이상이 있는 경우에는 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 인도하고 스테이지 (TRS8)로부터 수용 유니트(4)에 개서 TCT층(B3)에의 웨이퍼(W)의 반입을 금지함과 동시에 캐리어 블럭 (B1)로부터의 웨이퍼(W)의 배출을 금지하고 TCT층(B3)의 웨이퍼(W)에 대해서 개서된 반송 스케쥴을 참조해 반송을 실행한다.
또한 BCT층(B5)에 있어서도 COT층(B4)과 동일하게 웨이퍼(W)의 반송 제어가 행해지고 인터페이스 블럭 반송 기구(B)가 정상적인 경우에는 반송 스케쥴을 참조하면서 메인 반송 기구 (A5)에 의해 1 사이클의 반송을 실행한다. 한편 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 어떠한 이상이 있는 경우에는 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 인도 스테이지 (TRS10)로부터 수용 유니트(4)에 개서 BCT층(B5)에의 캐리어 블럭(S1)로부터의 웨이퍼(W)의 반입을 금지함과 동시에 캐리어(20)로부터의 웨이퍼(W)의 배출을 금지하고 BCT층(B5)의 웨이퍼(W)에 대해서 개서된 반송 스케쥴을 참조해 반송을 실행한다.
또 DEV층(B1)에 있어서는 도 16에 나타나는 바와 같이 캐리어 블럭 반송 기구(C)가 정상인지 아닌지가 판단되고(스텝 S11) 캐리어 블럭 반송 기구(C)가 정상적인 경우에는 COT층(B4)와 동일하게 웨이퍼(W)의 반송 제어가 행해져 반송 스케쥴을 참조하면서 메인 반송 기구 (A1)에 의해 1 사이클의 반송을 실행한다(스텝 S12). 한편 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 어떠한 이상이 있는 경우에는 반송 스케쥴의 최후의 모듈을 인도하고 스테이지 (TRS1)(TRS2)로부터 수용 유니트(4)에 개서( 스텝 S13) DEV층 (B1)에의 인터페이스 블럭(S3)으로부터의 웨이퍼(W)의 반입을 금지함과 동시에(스텝 S14) 캐리어(20)로부터의 웨이퍼(W)의 배출을 금지하고(스텝 S15) DEV층 (B1)의 웨이퍼(W)에 대해서 개서된 반송 스케쥴을 참조해 반송을 실행한다(스텝 S16). DEV층 B2에 있어서도 DEV층 (B1)와 완전히 동일하게 웨이퍼(W)의 반송 제어가 실시된다.
이러한 레지스트 패턴 형성 장치에서는 각 도포막 형성용의 단위 블럭과 현상 처리용의 단위 블럭을 다른 에리어에 설치하고 각각 전용의 메인 반송 기구를 설치하였으므로 메인 반송 기구의 부하가 경감한다. 이 때문에 메인 반송 기구의 반송 효율이 향상하므로 결과적으로 수율를 높일 수가 있다.
또 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 어떠한 이상이 있었을 때에 도포막 형성용의 TCT층(B3); COT층(B4); BCT층(B5)의 각 단위 블럭에서는 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 수용 유니트(4)에 개서 각각의 단위 블럭으로의 웨이퍼(W)의 반입을 금지해 개서한 반송 스케쥴에 따라서 각각의 단위 블럭내로의 웨이퍼(W)를 반송하고 있다. 이 때문에 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 이상이 있을때에도 각 단위 블럭내에 존재하는 웨이퍼(W)에 대해서는 통상의 처리를 한 후에 상기 단위 블럭내의 수용 유니트(4)에 퇴피되므로 각 단위 블럭내의 웨이퍼(W)에 대해 통상의 처리를 끝까지 실시할 수가 있다. 이 때문에 각 단위 블럭내의 각 모듈에서는 미리 설정된 소정의 처리를 실시할 수가 있으므로 레지스트막의 막질이 악화하는 경우가 발생하지 않고 단위 블럭내의 웨이퍼(W)가 무용하게 되는 경우도 없고 제품 비율의 저하가 억제된다.
여기서 만일 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 이상이 있었을 때에 각각의 단위블럭에서 웨이퍼(W)를 수용 유니트(4)에 퇴피하지 않는 경우를 COT층(B4)을 예로 하여 상정하면 이 경우에는 TCT층(B3)의 마지막 모듈인 인도 스테이지 (TRS8)의 웨이퍼(W)를 인터페이스 블럭 반송 기구(B)가 수취할 수가 없으므로 TCT층(B3)에서는 상기 웨이퍼(W)의 후속의 웨이퍼(W)를 인도하고 스테이지 (TRS8)에 재치하도록 할 때 후속의 웨이퍼(W)의 두는 장소가 없어져 버린다. 이 때문에 메인 반송 기구 (A3)가 이 후속의 웨이퍼(W)를 보지한 상태로 이루어지고 이 상태로 메인 반송 기구(A3)에 의한 반송이 정지하게 된다.
이와 같이 메인 반송 기구(A3)가 정지해 버리면 COT층(B4)으로부터 TCT층(B3)에 의 웨이퍼(W)를 인도하기 위한 인도 스테이지 (TRS3)상에도 앞의 웨이퍼(W)가 재치된 상태로 되어버리고 제 1의 서브 반송 기구(D1)에 의해 COT층(B4)로부터 TCT층(B3)에 새롭게 웨이퍼(W)를 반입할 수 없게 되어 버린다. 이 때문에 상기 COT층(B4)에 있어서는 최후의 모듈인 인도 스테이지 (TRS4)상의 웨이퍼(W)가 제 1의 서브 반송 기구(D1)에 의해 수취될 수 없게 되고 상기 웨이퍼(W)의 후속의 웨이퍼(W)를 재치하려고 할 때 후속의 웨이퍼(W)의 두는 장소가 없어져 버린다. 이 때문에 메인 반송 기구(A4)가 이 후속의 웨이퍼(W)를 보지한 상태로 이루어지고 이 웨이퍼(W)를 어디에도 재치할 수 없으므로 이 상태로 메인 반송 기구(A4)에 의한 반송이 정지하게 된다.
이 때문에 상기 COT층(B4)내의 각 모듈에서는 웨이퍼(W)가 소정의 타이밍에 메인반송 기구(A4)에 의해 취출되지 않고 두 모듈내에 놓여진 상태로 되어 버려 기 술한 바와 같이 레지스트막의 막질이 악화되어 버려 웨이퍼(W)의 제품 비율이 저하해 버린다.
[0104] 또는 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 어떠한 이상이 있었을 때에 상기 DEV층(B1 ;B2)) 내의 웨이퍼(W)에 대해서는 통상의 처리를 한 후 수용 유니트(4A ;4B)에 퇴피되므로 이들 DEV층 (B1)(B2)로 행해지는 처리를 끝까지 실시할 수가 있다. 이 때문에 DEV층 (B1)(B2) 내의 각 모듈에 웨이퍼(W)가 놓여진 채로 되어 레지스트막의 막질이 악화되는 바와 같은 경우가 발생하지 않고 웨이퍼(W)의 제품 비율의 악화가 억제된다.
여기서 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 어떠한 이상이 있었을 때에 현상 처리용의 단위블럭에서 수용 유니트(4)에 웨이퍼(W)를 퇴피하지 않는 경우를 상정하면(자) 상기 DEV층 B1 또는 B2내의 마지막 모듈인 인도 스테이지 (TRS1) 또는 (TRS2)내의 웨이퍼(W)를 캐리어 블럭 반송 기구(C)가 수취할 수가 없기 때문에 DEV층 (B1) 또는 (B2)내의 각 모듈에 웨이퍼(W)가 놓여진 채로 되어 레지스트막의 막질이 악화되어 버린다.
이와 같이 본 발명에서는 인터페이스 블럭 반송 기구(B) 또는 캐리어 블럭
반송 기구(C)에 이상이 발생했을 때에 단위 블럭 (B1~B5)내에 존재하는 웨이퍼(W)에 대해서 단위 블럭 (B1~B5)내에서 통상의 처리를 실시한 후에 각 단위 블럭내의 퇴피용의 수용 유니트(4)에 웨이퍼(W)를 반송하도록 메인 반송 기구의 반송을 제어하면 동시에 단위 블럭 (B1~B5)로 웨이퍼(W)를 반입하지 않도록 제 1의 서브 반송 기구(D1)나 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 의한 반송의 제어를 실시하고 있으므 로 기술과 같이 웨이퍼(W)상에 형성되는 도포막의 막질의 악화를 억제하고 제품 비율의 저하를 억제할 수 있다.
또 이와 같이 메인 반송 기구 (A1~A5)의 반송 제어를 반송 스케쥴의 마지막 모줄의 개서만으로 실시할 수가 있어 반송 프로그램이 용이해진다.
또한 이상 설명한 실시의 모양은 어디까지나 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하는 것을 의도하는 것으로서 본 발명은 이러한 구체적인 예에만 한정하여 해석되는 것이 아닌 본 발명의 의도와 클레임에 말하는 범위에서 여러 가지로 변경해 실시할 수가 있는 것이 가능한 것이다.
예를 들면 본 발명에서는 각 단위 블럭의 적층수나 적층의 차례는 상술의 예에 한정되지 않고 현상처리용의 단위 블럭을 1층으로 해도 좋고 도포막 형성용의 단위 블럭을 하부측으로부타 윗쪽 측에 향해 차례로 BCT층 ; COT층; TCT층이 되도록 배열해도 괜찮다. 또 도포막 형성용의 단위 블럭을 하부 측에 배치하고 그 위에 현상 처리용의 단위 블럭을 배치하도록 해도 괜찮다.
또 DEV층 (B1;B2) ;TCT층(B3) ;COT층(B4) ; BCT층(B5)로부터 사용하는 단위블럭을 선택하도록 해도 괜찮다. 이 경우에 DEV층 (B1;B2)의 한쪽만을 선택 가능하게 해도 괜찮다. 예를 들면 TCT층(B3)과 COT층(B4)과 BCT층(B5)은 모두 필요한 것은 아니고 레지스트막의 하부에만 반사 방지막을 형성하는 경우에는 TCT층(B3)은 불필요하기 때문에 TCT층(B3)과 COT층(B4)과 BCT층(B5)중에서 BCT층(B5)과 COT층(B4)을 선택하여 이용하면 좋다. 물론 이러한 경우에 TCT층(B3)이 설치되어 있지 않아도 좋다.
이 때에는 캐리어(20)→캐리어 블럭 반송 기구(C)→선반유니트 (U5)의 제 1의 인도 스테이지 (TRS-F)→ 제 1의 서브 반송 기구(D1)→ 제 1의 인도 스테이지 (TRS5)+BCT층(B5)의 메인 반송 기구 (A5)→ 냉각 유니트(COL5)→ 제 1의 반사 방지막 형성 유니트(35)→가열 유니트(CHP5)→ 선반 유니트 (U6)의 제 2의 인도 스테이지 (TRS10)→ 제 2의 서브 반송 기구 (D2)→제 2의 인도 스테이지 (TRS9)→COT층(B4)의 메인 반송 기구(A4)→ 냉각 유니트(COL4)→ 도포 유니트 (34)→가열 유니트(CHP4)→선반 유니트 (U6)의 제 2의 인도 스테이지 (TRS9)→인터페이스 블럭 반송 기구(B)→노광 장치(S4)→인터페이스 블럭 반송 기구(B)→ 선반 유니트 (U6)의 인도 스테이지 (TRS6 ; TRS7)→DEV층 (B1) (B2)의 경로에서 반송된다.
이 경우에 있어서도 BCT층(B5) COT층(B4)에 대해서는 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 이상이 발생했을 때에 반송 스케쥴을 마지막 모듈을 수용유니트(4)에 개서 이 개서된 반송 스케쥴에 따라서 상기 BCT층(B5); COT층(B4)내의 웨이퍼(W)가 반송된다.
또 레지스트막의 상부에만 반사 방지막을 형성하는 경우에는 BCT층(B5)은 불필요하기 때문에 TCT층(B3)과 COT층(B4)과 BCT층(B5)중에서 TCT층(B3)과 COT층(B4)을 선택해 이용하면 좋다. 물론 이러한 경우에 BCT층(B5)이 설치되어 있지 않아도 좋다. 이 때에는 캐리어(20)→캐리어 블럭 반송 기구(C)→선반 유니트 (U5)의 제 1의 인도 스테이지 (TRS-F)→제 1의 서브 반송 기구(D1)→제 1의 인도스테이지 (TRS4)→COT층(B4)의 메인 반송 기구(A4)의 순서로 반송한다. COT층(B4)내의 웨이퍼(W)의 반송 경로 및 COT층(B4) 이후의 웨이퍼(W)의 반송 경로는 상술의 예와 같 다.
이 경우에 있어서도 COT층(B4); TCT층(B3)에 대해서는 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 이상이 발생했을 때에 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 수용유니트(4)에 개서 이 개서된 반송 스케쥴에 따라서 상기 COT층(B4);TCT층(B3)내의 웨이퍼(W)가 반송된다.
상기 실시 형태에 있어서는 처리 블럭(S2)과 노광 장치(S4)와의 사이에 개재하는 반송 수단으로서 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 이상이 발생한 경우를 예를 들어 설명하였지만 이러한 반송 수단으로서는 제 2의 서브 반송 기구 (D2)도 포함되고 이 제 2의 서브 반송 기구 (D2)에 이상이 발생한 경우에도 TCT층(B3); COT층(B4) ; BCT층(B5)에 있어서는 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 이상이 발생했을 때와 동일하게 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 수용 유니트(4)에 개서 이 개서된 반송 스케쥴에 따라서 상기 TCT층(B3); COT층(B4); BCT층(B5)내의 웨이퍼(W)를 반송하도록 해도 괜찮다.
또 TCT층(B3); COT층(B4); BCT층(B5)에 있어서는 제 1의 서브 반송 기구(D1)에 어떠한 이상이 발생했을 때에 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 이상이 발생했을 때와 동일하게 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 수용 유니트(4)에 개서 이 개서된 반송 스케쥴에 따라서 상기 TCT층(B3); COT층(B4); BCT층(B5)내의 웨이퍼(W)를 반송하도록 하여도 괜찮다.
이와 같이 함으로써 제 1 및 제 2의 서브 반송 기구 (D1;D2)에 이상이 발생했을때에도 상기 단위 블럭 (B3~B5)내의 웨이퍼(W)에 대해서는 메인 반송 기구 (A3~A5)가 통상의 반송을 실시할 수가 있으므로 통상의 처리를 끝까지 실시할 수가 있고 도포막의 막질의 악화가 억제되어 웨이퍼(W)의 제품 비율의 저하도 억제된다. 또 기술한 바와 같이 반송 프로그램이 용이해진다.
또 DEV층 (B1 ; B2)에 있어서도 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 이상이 발생한 경우와 동일하게 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 어떠한 이상이 발생했을 때에 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 수용유니트 개서 이 개서된 반송 스케쥴에 따라서 상기 DEV층 (B1;B2)내의 웨이퍼(W)를 반송하도록 해도 좋다. 이와 같이 하면 인터페이스 블럭 반송 기구(B)에 이상이 발생했을 때에 DEV층 ((B1 ; B2)로부터 캐리어 블럭(S1)으로의 웨이퍼(W)의 반송이 없으므로 캐리어 블럭 반송 기구(C)를 정지시킬 수가 있고 더욱 반송 프로그램의 작성이 용이해진다.
또한 TCT층(B3) ;COT층(B4) ;BCT층(B5)에 있어서도 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 어떠한 이상이 발생했을 때에 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 수용 유니트(4)에 개서 이 개서된 반송 스케쥴에 따라서 상기 TCT층(B3) ;COT층(B4) ; BCT층(B5)내의 웨이퍼(W)를 반송하도록 해도 괜찮다. 이와 같이 하면 캐리어 블럭 반송 기구(C)에 이상이 발생했을 때에 TCT층(B3); COT층(B4); BCT층(B5)로부터 인터페이스 블럭(S3)으로의 웨이퍼(W)의 반송이 없기 때문에 인터페이스 블럭 반송 기구(B)의 반송을 정지시킬 수가 있고 더욱 반송 프로그램의 작성이 용이해진다.
상기 실시 형태에 있어서는 제 1의 기판 수용부 제 2의 기판 수용부로서 수용 유니트(4)를 도포 유니트나 현상 유니트 등에 인접하여 설치했지만 이것에 한정하지 않고 각 단위 블럭 (B1~B5)내의 선반 유니트 (U5 ; U6)의 어느쪽 또는 양쪽 모두에 짜넣어 설치하도록 해도 괜찮다. 이 경우에는 각 선반 유니트 (U5 ; U6)에 다수의 인도 스테이지를 형성해 두고 그 일부를 기판 수용부로서 이용할 수가 있다. 이와 같이 하면 각 단위 블럭 (B1~B5)의 마지막 모듈은 선반 유니트 (U5 ; U6)의 어느쪽을 인도하는 스테이지이므로 개서된 반송 스케쥴에 따라서 웨이퍼(W)를 반송할 때도 같은 선반 유니트 (U5 ; U6)의 기판 수용부에 반송하면 좋다. 이 때문에 메인 반송 기구 (A1~A5)의 반송 경로가 거의 변함없고 반송 프로그램의 작성이 더욱 용이하게 된다. 또 별개에 수용 유니트를 설치할 필요가 없기 때문에 단위 블럭을 소형화할 수가 있고 단위 블럭을 구성하는 부재를 줄일 수가 있다.
또 상기 실시 형태에 있어서는 기판 수용부로서 수용 유니트(4)를 각 단위 블럭 (B1~B5)내에 설치했지만 이것에 한정하지 않고 예를 들면 인터페이스 블럭(S3)에 설치하도록 하여도 괜찮다. 그러나 인터페이스 블럭(S3)에 설치하면 액세스 하기 위해서 인터페이스 블럭 반송 기구(B)를 이용할 필요가 있고 이들 인터페이스 블럭 반송 기구(B)의 부하가 커져 버리므로 각 단위 블럭 (B1~B5)내의 메인 반송 기구 (A1~5)를 액세스 할 수 있는 장소에 설치하는 편이 바람직하다.
또한 또 본 발명에서는 각 단위 블럭은 액처리 유니트와 가열 유니트와 냉각 유니트와 반송 수단 A를 구비하는 것이면 이들 각 유니트(모듈)의 개수나 종류 레이아웃은 상기의 실시 형태에는 한정되지 않는다. 또 캐리어 블럭 반송 기구(C)에서 액세스 할 수 있는 선반 유니트 (U5)의 인도 스테이지 (TRS)는 DEV층 (B1); DEV층(B2)에 대응하는 위치의 것에 한정되지 않고 캐리어 블럭 반송 기구(C)와 적층된 단위 블럭의 하나 이상과의 사이에 웨이퍼(W)의 인도를 하는 위치에 있는 것이면 좋다. 또 선반 유니트 (U6)에 대해서도 인터페이스 블럭 반송 기구(B)와의 사이에 웨이퍼(W)의 인도를 행하기 위한 전용의 제 2의 인도 스테이지 (TRS)를 설치해 이 제 2의 인도스테이지 (TRS)와 제 2의 서브 반송 기구 (D2)를 개입시켜 각 단위 블럭 (B1~B5)와 인터페이스 블럭(S3)의 사이에 웨이퍼(W)의 인도를 행하도록 해도 괜찮다.
또한 도포막 형성용의 단위 블럭간은 제 1 및 제 2의 서브 반송 기구 (D1 ; D2)의 어느 아암으로 웨이퍼(W)의 인도를 실시해도 괜찮다. 또 DEV층 (B1 ; B2)내의 모듈에 대해서는 공통의 메인 반송 기구 A를 이용해 웨이퍼(W)의 반송을 실시하도록 해도 괜찮다. 선반 유니트 (U5 ; U6)의 인도 스테이지 (TRS)의 개수는 1개 이상이면 좋다. 또 인도 스테이지 (TRS)는 냉각 기능을 갖춘 것으로서도 좋고 인도 스테이지 (TRS) 이외의 모듈 예를 들면 냉각 유니트 등을 설치하도록 해도 괜찮다.
상기 실시 형태에 있어서는 기판으로서 반도체 웨이퍼를 이용한 경우를 예로 들어 설명했지만 본 발명은 이것에 한정하지 않고 액정 디스플레이용의 유리 기판으로 대표되는 평면 표시 장치(FPD) 기판 등 다른 기판을 처리하는 도포·현상 장치에도 적용할 수가 있다.
본 발명에 의하면 처리 블럭과 노광 장치와의 사이에 개재하는 제 2의 반송 기구에 이상이 발생한 경우에 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 단위 블럭내에서 통상의 처리를 한 후 상기 단위 블럭내에 설치된 제 1의 기판 수용부에 기판을 퇴피시키도록 상기 단위 블럭내의 제 1의 반송 기구를 제 어함과 동시에 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하고 있다. 이 때문에 도포막 형성용의 단위 블럭에서는 상기 제 2의 반송 기구에 이상이 발생한 경우으로서도 상기 단위 블럭내의 기판에 대해서 예정하고 있던 처리를 최후까지 실시할 수가 있다. 따라서 상기 단위 블럭내의 액처리 유니트나 가열 유니트등의 각 유니트내에 기판이 놓여진 채로 되는 경우 없이 설정된 타이밍에 다음의 처리를 할 수 없게 되어 결과적으로 도포막의 막질이 악화 되는 것이 방지된다. 이것에 의해 쓸데없게 되어 버리는 기판의 발생을 억제하고 기판의 제품 비율의 저하를 억제할 수가 있다.
Claims (13)
- 복수의 기판을 탑재가능한 캐리어를 반입출하기 위한 캐리어 블럭과,상기 캐리어 블럭에 반입된 캐리어내의 기판이 반입되고 기판에 대해서 레지스트막을 포함하는 도포막의 형성 및 그 도포막에 대한 노광 후의 현상 그리고 이들에 부수하는 열적 처리를 행하는 처리 블럭과,상기 처리 블럭 및 기판에 형성된 도포막에 대해서 노광 처리를 실시하는 노광 장치의 사이에 설치되고 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 기판의 인도를 행하기 위한 인터페이스 블럭을 구비하고,상기 캐리어로부터 상기 처리 블럭에 반입된 기판에 대해서 레지스트막을 포함한 도포막을 형성한 후 상기 기판을 상기 인터페이스 블럭을 개입시켜 상기 노광 장치에 반송하고 노광 후의 기판을 상기 인터페이스 블럭을 개입시켜 상기 처리 블럭에 되돌리고 거기서 현상 처리를 실시한 후 상기 캐리어 블럭에 인도하는 도포·현상 장치로서,상기 처리 블럭은 1개 또는 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭과 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 대해서 적층된 현상 처리용의 단위 블럭을 포함하고,상기 도포막 형성용의 단위 블럭은 약액을 기판에 도포하기 위한 액처리 유니트와 기판을 가열하는 가열 유니트와 기판을 냉각하는 냉각 유니트와 이들 유니트간에 기판을 반송하는 제 1의 반송 기구와 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 설 치되고 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 1의 기판수용부를 구비하고,또한 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 개재되어 이들의 사이에 기판을 반송하는 제 2의 반송 기구와 상기 제 2의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 단위 블럭내에서 통상의 처리를 한 후 상기 제 1의 기판 수용부에 기판을 퇴피하도록 그 단위 블럭내의 상기 제 1의 반송 기구를 제어함과 동시에 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하기 위한 제어 지령을 출력하는 제어장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 현상 처리용의 단위 블럭에 설치되고 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 2의 기판 수용부와 상기 현상 처리용의 단위 블럭으로부터 현상 처리 후의 기판을 배출하기 위한 제 3의 반송 기구를 구비하고,상기 제어장치는 이 제 3의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 현상 처리용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 단위 블럭내에서 통상의 처리를 한 후 상기 제 2의 기판 수용부에 기판을 퇴피하도록 그 단위 블럭내의 제 1의 반송 기구를 제어함과 동시에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하기 위한 제어 지령을 출력하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭은 기판에 레지스트액을 도포하기 위한 단위 블럭 및 레지스트액을 도포하기 전에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 단위 블럭을 가지는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭은 기판에 레지스트액을 도포하기 위한 단위 블럭 및 레지스트액을 도포한 후에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 단위 블럭을 가지는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭은 기판에 레지스트액을 도포하기 위한 단위 블럭 레지스트액을 도포하기 전에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 단위 블럭 및 레지스트액을 도포한 후에 기판에 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 단위 블럭을 가지는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 도포막 형성용의 단위 블럭은 기판이 재치되는 것과 동시에 반송의 차 례가 결정되어 있는 복수의 모듈을 갖고 ; 상기 제 1의 반송 기구는 2개의 반송 아암을 갖고; 한쪽의 반송 아암에 의해 상기 복수의 모듈중 하나의 모듈로부터 기판을 취출하고 ; 다른쪽의 반송 아암에 의해 다음의 모듈에 존재하는 다른 기판을 수취하고 ; 상기 다음의 모듈에 상기 한쪽의 반송 아암상의 앞의 기판을 인도하고 ; 이들 동작을 반복하여 각 모듈에 놓여진 기판을 하나의 순번이 후의 모듈로 옮기는 것으로 하나의 반송 사이클을 실행하고 ; 상기 하나의 반송 사이클을 실행한 후 다음의 반송 사이클로 이행하고 ; 각 반송 사이클을 차례차례 실행함으로써 기판이 상기 모듈군의 상기 복수의 모듈에 상기 차례로 반송되어 기판에 소정의 도포막 형성 처리를 실시하고상기 제어장치는 기판에 할당된 차례와 도포막 형성용의 단위 블럭내의 모듈을 대응 지어 반송 사이클을 지정한 반송 사이클 데이터를 시계열에 늘어놓아 작성된 상기 단위 블럭내의 반송 스케쥴을 기억하는 기억부와,상기 제 2의 반송 기구에 이상이 발생했을 때에 상기 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 제 1의 기판 수용부에 개서하는 개서부와,상기 반송 스케쥴 또는 개서된 반송 스케쥴에 따라서 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내에 있어서의 제 1의 반송 기구에 의한 기판의 반송을 제어하는 반송 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
- 청구항 2에 있어서,상기 현상 처리용의 단위 블럭에서는 기판이 재치되는 것과 동시에 반송의 차례가 결정되어 있는 복수의 모듈을 갖고 ; 상기 제 1의 반송 기구는 2개의 반송 아암을 갖고 ; 한쪽의 아암에 의해 상기 복수의 모듈중 하나의 모듈로부터 기판을 취출하고 ; 다른쪽의 아암에 의해 다음의 모듈에 존재하는 다른 기판을 수취하고 ; 상기 다음 모듈에 상기 한쪽의 아암상의 앞의 기판을 인도하고 ; 이들 동작을 반복하여 각 모듈에 놓여진 기판을 하나의 순번이 후의 모듈로 옮기는 것으로 하나의 반송 사이클을 실행하고; 상기 하나의 반송 사이클을 실행한 후 다음의 반송 사이클로 이행하고 ;각 반송 사이클을 차례차례 실행함으로써 기판이 상기 모듈군의 상기 복수의 모듈에 상기 차례로 반송되어 기판에 소정의 도포막 형성 처리를 하고,상기 제어장치는 기판에 할당되어진 차례와 도포막 형성용의 단위 블럭내의 모듈을 대응 지어 반송 사이클을 지정한 반송 사이클 데이터를 시계열에 늘어놓아 작성된 상기 단위 블럭내의 반송 스케쥴을 기억하는 기억부와,상기 제 3의 반송 기구에 이상이 발생했을 때에 상기 반송 스케쥴의 마지막 모듈을 제 2의 기판 수용부에 개서하는 개서부와,상기 반송 스케쥴 또는 개서된 반송 스케쥴에 따라서 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 있어서의 제 1의 반송 기구에 의한 기판의 반송을 제어하는 반송 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 장치.
- 복수의 기판을 탑재 가능한 캐리어를 반입출하기 위한 캐리어 블럭과,상기 캐리어 블럭에 반입된 캐리어내의 기판이 반입되어 기판에 대해서 레지스트막을 포함한 도포막의 형성 및 그 도포막에 대한 노광 후의 현상 및 이들에 부 수하는 열적 처리를 실시하는 처리 블럭과,상기 처리 블럭 및 기판에 형성된 도포막에 대해서 노광 처리를 실시하는 노광 장치의 사이에 설치되고 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 기판의 인도를 행하기 위한 인터페이스 블럭을 구비하고,상기 처리 블럭은 1개 또는 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭과 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 대해서 적층된 현상 처리용의 단위 블럭을 포함하고,상기 도포막 형성용의 단위 블럭은 약액을 기판에 도포하기 위한 액처리 유니트와 ; 기판을 가열하는 가열 유니트와; 기판을 냉각하는 냉각 유니트와 ;이들 유니트간에 기판을 반송하는 제 1의 반송 기구와; 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 설치되고 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 1의 기판수용부를 구비하고,또한 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 개재되어 이들의 사이에 기판을 반송하는 제 2의 반송 기구를 가지는 도포·현상 장치를 이용해 도포·현상 처리하는 도포·현상 방법으로서,상기 캐리어로부터 상기 처리 블럭에 기판을 반입하는 것과,상기 도포막 형성용의 단위 블럭에서 상기 기판에 대해서 레지스트막을 포함한 도포막을 형성하는 것과,상기 기판을 상기 인터페이스 블럭을 개입시켜 상기 노광 장치에 반송하는 것과,노광 후의 기판을 상기 인터페이스 블럭을 개입시켜 상기 처리 블럭에 되돌리는 것과,상기 현상 처리용의 단위 블럭으로 현상 처리를 실시하는 것과,현상 처리 후의 기판을 상기 캐리어 블럭에 인도하는 것을 갖고,상기 제 2의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내에서의 통상의 처리를 실시하고 상기 단위 블럭내에 설치된 상기 퇴피용의 제 1의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하는 도포·현상 방법.
- 청구항 8에 있어서,상기 도포·현상 장치는 또한 상기 현상 처리용의 단위 블럭에 설치되고 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 2의 기판 수용부와 상기 현상 처리용의 단위 블럭으로부터 현상 처리 후의 기판을 배출하기 위한 제 3의 반송 기구를 구비하고,상기 제 3의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에서 통상의 처리를 한 후 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 설치된 상기 제 2의 퇴피용의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하는 것을 특징으로 하는 도포·현상 방법.
- 복수의 기판을 탑재 가능한 캐리어를 반입출하기 위한 캐리어 블럭과,상기 캐리어 블럭에 반입된 캐리어내의 기판이 반입되어 기판에 대해서 레지스트막을 포함한 도포막의 형성 및 그 도포막에 대한 노광 후의 현상 및 이들에 부수하는 열적 처리를 실시하는 처리 블럭과,상기 처리 블럭 및 기판에 형성된 도포막에 대해서 노광 처리를 실시하는 노광 장치의 사이에 설치되고 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 기판의 인도를 행하기 위한 인터페이스 블럭을 구비하고,상기 처리 블럭은 1개 또는 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭과 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 대해서 적층된 현상 처리용의 단위 블럭을 포함하고,상기 도포막 형성용의 단위 블럭은 약액을 기판에 도포하기 위한 액처리 유니트와 ; 기판을 가열하는 가열 유니트와 ; 기판을 냉각하는 냉각 유니트와 ; 이들 유니트간에 기판을 반송하는 제 1의 반송 기구와 ;상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 설치되고 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 1의 기판 수용부를 구비하고,또한 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 개재되어 이들의 사이에 기판을 반송하는 제 2의 반송 기구를 가지는 도포·현상 장치를 컴퓨터에 제어시키는 소프트웨어를 포함한 컴퓨터에 의해 독해 할 수 있는 기억 매체로서,상기 소프트웨어는 상기 제 2의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내에서의 통상의 처리를 실시하고 상기 단위 블럭내에 설치된 상기 퇴피용의 제 1의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하도록 상기 도포·처리 장치를 컴퓨터에 제어시키는 컴퓨터에 의해 독해 할 수 있는 것을 특징으로 하는 기억매체.
- 청구항 10에 있어서,상기 도포·현상장치는 또한 상기 현상 처리용의 단위블럭에 설치되고 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용매수에 응한 매수의 기판을 수용가능한 퇴피용의 제 2 기판수용부와 ; 상기 현상 처리용의 단위 블럭으로부터 현상처리 후의 기판을 배출하기 위한 제 3의 반송 기구를 구비하고,상기 소프트웨어는 상기 제 3의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에서 통상의 처리를 한 후 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 설치된 상기 제 2의 퇴피용의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하도록 상기 도포·처리 장치를 컴퓨터에 제어시키는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
- 복수의 기판을 탑재 가능한 캐리어를 반입출하기 위한 캐리어 블럭과,상기 캐리어 블럭에 반입된 캐리어내의 기판이 반입되어 기판에 대해서 레지 스트막을 포함한 도포막의 형성 및 그 도포막에 대한 노광 후의 현상 및 이들에 부수하는 열적 처리를 실시하는 처리 블럭과,상기 처리 블럭 및 기판에 형성된 도포막에 대해서 노광 처리를 실시하는 노광 장치의 사이에 설치되고 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 기판의 인도를 행하기 위한 인터페이스 블럭을 구비하고,상기 처리 블럭은 1개 또는 서로 적층된 복수의 도포막 형성용의 단위 블럭과 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 대해서 적층된 현상 처리용의 단위 블럭을 포함하고,상기 각 단위 블럭은 약액을 기판에 도포하기 위한 액처리 유니트와; 기판을 가열하는 가열 유니트와; 기판을 냉각하는 냉각 유니트와 ;이들 유니트간에 기판을 반송하는 제 1의 반송 기구와; 상기 도포막 형성용의 단위 블럭에 설치되고 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 1의 기판 수용부를 구비하고,또한 상기 처리 블럭과 상기 노광 장치와의 사이에 개재되어 이들의 사이에 기판을 반송하는 제 2의 반송 기구를 가지는 도포·현상 장치를 컴퓨터에 제어시키는 소프트웨어를 포함한 컴퓨터 프로그램으로서,상기 소프트웨어는 상기 제 2의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 도포막 형성용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내에서의 통상의 처리를 실시하고 ; 상기 단위 블럭내에 설치된 상기 퇴피용의 제 1의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 도포막 형성용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하도록 상기 도포·처리 장치를 컴퓨터에 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램.
- 청구항 12에 있어서,상기 도포·현상 장치는 또한 상기 현상 처리용의 단위 블럭에 설치되고 그 단위 블럭에 있어서의 기판의 수용 매수에 따른 매수의 기판을 수용 가능한 퇴피용의 제 2의 기판 수용부와 ; 상기 현상 처리용의 단위 블럭으로부터 현상 처리 후의 기판을 배출하기 위한 제 3의 반송 기구를 구비하고,상기 소프트웨어는 상기 제 3의 반송 기구에 이상이 일어났을 때에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 존재하는 기판에 대해서 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에서 통상의 처리를 한 후 상기 현상 처리용의 단위 블럭내에 설치된 상기 제 2의 퇴피용의 기판 수용부에 각 기판을 퇴피시키는 것과 동시에 상기 현상 처리용의 단위 블럭내로의 기판의 반입을 금지하도록 상기 도포·처리 장치를 컴퓨터에 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램.
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