KR20080089240A - 도포, 현상 장치 및 그 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 반송 프로그램의 작성을 용이하게 하면서, 처리량의 향상을 도모할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
제1 처리 블록과 제2 처리 블록 사이에 전달 블록을 설치하고, 캐리어 블록으로부터 제1 직통 반송 수단에 의해 기판을 전달 블록으로 반송하고, 여기로부터 기판을 제1 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록과 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 나누어 전달한다. 계속해서 제1 및 제2 처리 블록으로 각각 도포막이 형성된 기판을 일단 전달 블록에 모아, 여기로부터 제2 직통 반송 수단에 의해 기판을 인터페이스 블록으로 반송한다. 처리 블록이 증가하므로 처리량의 향상을 도모할 수 있고, 또한 캐리어 블록으로부터 제1 처리 블록으로의 반송 경로와, 제2 처리 블록으로의 반송 경로가 동일해지므로, 반송 프로그램의 작성이 용이해진다.
Figure P1020080028806
반도체 웨이퍼, 노광 장치, 전달 아암, 셔틀 아암, 인터페이스 아암

Description

도포, 현상 장치 및 그 방법 및 기억 매체 {COATING-DEVELOPING APPARATUS, METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 글래스 기판) 등의 기판에 대해 레지스트액의 도포 처리나, 노광 후의 현상 처리 등을 행하는 도포, 현상 장치 및 그 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 LCD 기판의 제조 프로세스에 있어서는, 포토리소그래피라 불리는 기술에 의해, 기판에 대해 레지스트 패턴의 형성이 행해지고 있다. 이 기술은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함) 등의 기판에, 레지스트액을 도포하여 당해 웨이퍼의 표면에 액막을 형성하고, 포토마스크를 이용하여 당해 레지스트막을 노광한 후, 현상 처리를 행함으로써 원하는 패턴을 얻는, 일련의 공정에 의해 행해지고 있다.
이와 같은 처리는, 일반적으로 레지스트액의 도포나 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치를 이용하여 행해지지만, 도포, 현상 장치의 처리 속도를 더욱 증대시키기 위해, 노광 처리 전의 모듈을 수납하는 영역과, 노광 처리 후의 모듈을 수납하는 영역을 상하에 배치하고, 각각의 영역에 반송 수단을 마련함으로써, 반송 수단의 부하를 경감시켜 반송 효율을 높이고, 이에 의해 도포, 현상 장치의 처리량을 향상시키는 구성이 특허문헌 1에 제안되어 있다.
이 기술은, 예를 들어 도17에 도시한 바와 같이, 캐리어 블록(S1)과 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)을 이 순서로 접속하여 설치하는 동시에, 상기 처리 블록(S2)은 현상 처리를 행하는 현상 블록(B1, B2)과, 레지스트액의 도포 처리를 행하는 도포 블록(B4)과, 레지스트액의 도포 전후에 각각 반사 방지막의 형성을 행하는 반사 방지막 형성 블록(B3, B5)을 서로 적층하여 구성되어 있다. 상기 처리 블록(S2)의 각 블록(B1 내지 B5)에는, 현상 처리나 레지스트액의 도포 처리, 반사 방지막 형성용 약액의 도포 처리 등의 액 처리를 행하기 위한 액 처리부와, 상기 액 처리 전후의 처리를 행하는 처리 유닛을 다단으로 배열한 선반 유닛과, 액 처리부와 선반 유닛의 각 부와의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 반송 수단(A1 내지 A5)이 마련되는 동시에, 선반 유닛(U5, U6)을 통해 각 블록(B)끼리의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전용의 전달 아암이 설치되어 있다.
그리고 캐리어 블록(S1)에 설치된 트랜스퍼 아암(C)에 의해 처리 블록(S2)에 웨이퍼(W)를 반송하고, 반송 수단(A1 내지 A5)과 전달 아암(D1, D2)을 이용하여 웨이퍼(W)를 소정의 처리 유닛으로 반송함으로써, 이들 트랜스퍼 아암(C), 반송 수단(A1 내지 A5), 전달 아암의 부담을 경감시켜 장치 전체의 처리량의 향상을 도모하고 있다.
상기 장치에서는, 상기 액 처리부로서 예를 들어 3개의 액 처리 유닛이 준비 되는 동시에, 이 액 처리 유닛에 대응한 개수의 상기 처리 유닛을 구비하고 있고, 예를 들어 180매/시간 정도의 처리량을 확보할 수 있지만, 시장에서는 200매/시간 내지 250매/시간 정도의 가일층의 고처리량화를 도모하는 장치가 요구되고 있다.
그러나 현상 블록(B1)이나 도포 블록(B3)에 설치하는 액 처리부나, 액 처리부의 전후의 처리를 행하는 처리 유닛을 많게 함으로써 처리량의 향상을 도모하고자 하면, 반송 수단의 부담이 증대해 버려, 결과적으로 장치 전체의 처리량을 향상시키는 것은 어렵다. 또한 현상 블록(B1) 등의 적층수를 증가시켜, 상기 액 처리부나 처리 유닛의 수를 많게 하는 것을 생각할 수 있지만, 이 경우에는 각 블록(B1 내지 B5) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 아암의 부담이 증대해 버리므로, 역시 장치 전체의 처리량을 향상시키는 것은 곤란하다.
또한 상기 처리 블록(S2)을 복수개 가로로 배열함으로써 처리량의 향상을 도모하는 것도 생각할 수 있지만, 이와 같이 처리 블록(S2) 자체를 증가시켜 도포 블록(B4) 등의 개수를 늘리면, 캐리어 블록(S1)에 가까운 처리 블록(S2)의 도포 블록(B3)으로 웨이퍼(W)를 반송할 때와, 캐리어 블록(S1)으로부터 먼 처리 블록(S2)의 도포 블록(B4)으로 웨이퍼(W)를 반송할 때의 반송 경로가 각각 다르기 때문에, 반송 경로가 복잡해지고, 반송 프로그램의 작성이 매우 번잡해져 버리는 문제도 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-203075호 공보
본 발명은, 이와 같은 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 도포, 현상 장치에 있어서, 반송 프로그램의 작성을 용이하게 하면서, 처리량의 향상을 도모할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 도포, 현상 장치는, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판에 대해 도포막 형성용 단위 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀해 온 노광 후의 기판을 현상 처리용 단위 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 동시에, 상기 도포막 형성용 단위 블록 및 현상 처리용 단위 블록은 모두 약액을 기판에 도포하기 위한 액 처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 기판을 냉각하는 냉각 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하는 단위 블록용 기판 반송 수단을 구비하는 도포, 현상 장치에 있어서,
상기 캐리어 블록에 접속되도록 설치되는 동시에, 도포막 형성용 단위 블록을 포함하는 복수의 단위 블록을 적층하여 구성되고, 캐리어 블록에 설치된 전달 수단에 의해 캐리어 블록과의 사이에서 기판의 전달이 행해지는 제1 처리 블록과,
상기 인터페이스 블록에 접속되도록 설치되는 동시에, 도포막 형성용 단위 블록을 포함하는 복수의 단위 블록을 적층하여 구성되고, 인터페이스 블록에 설치된 인터페이스 아암에 의해 인터페이스 블록과의 사이에서 기판의 전달이 행해지는 제2 처리 블록과,
제1 처리 블록과 제2 처리 블록 사이에 설치되고, 제1 처리 블록의 단위 블록의 기판 반송 수단 및 제2 처리 블록의 단위 블록의 기판 반송 수단에 의해 기판의 전달이 행해지는 공용 전달부가 다단으로 설치되는 동시에, 이들 공용 전달부끼리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 전달 아암을 구비한 전달 블록과,
제1 처리 블록과 제2 처리 블록 중 적어도 한쪽에 설치되고, 상기 도포막 형성용 단위 블록에 적층된 현상 처리용 단위 블록과,
상기 제1 처리 블록에 설치되고 캐리어 블록과 전달 블록의 공용 전달부 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 제1 직통 반송 수단과,
상기 제2 처리 블록에 설치되고 전달 블록의 공용 전달부와 인터페이스 블록 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 제2 직통 반송 수단과,
캐리어 블록으로부터 제l의 직통 반송 수단에 의해 기판을 전달 블록에 반송하여, 이 전달 블록으로부터 기판을 제1 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록과 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록으로 나누어 전달하고, 계속해서 제1 처리 블록 및 제2 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막이 형성된 기판을 제1 처리 블록 및 제2 처리 블록으로부터 전달 블록에 전달하고, 이 후 전달 블록으로부터 제2 직통 반송 수단에 의해 기판을 인터페이스 블록에 반송하도록 상기 전달 수단과 직통 반송 수단과 전달 아암과 기판 반송 수단과 인터페이스 아암을 제어하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명의 도포, 현상 장치에서는, 레지스트막을 포함하는 도포막이 형 성된 기판을 전달 블록으로부터 제2 직통 반송 수단에 의해 인터페이스 블록에 반송하는 대신에, 레지스트막을 포함하는 도포막이 형성된 기판을 제2 처리 블록으로부터 기판 반송 수단에 의해 인터페이스 블록에 반송하도록 해도 좋다.
또한 상기 제1 처리 블록에는, 캐리어 블록과 인접하는 영역에, 당해 제1 처리 블록의 적층된 단위 블록끼리의 사이에서 기판의 전달을 행하는 동시에, 제1 처리 블록과 캐리어 블록 사이에서 기판의 전달을 행하는 제1 전달부가 다단으로 설치되고, 이들 제1 전달부끼리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 제1 전달 아암이 설치되도록 구성해도 좋다.
또한 상기 제2 처리 블록에는, 인터페이스 블록과 인접하는 영역에, 당해 제2 처리 블록의 적층된 단위 블록끼리의 사이에서 기판의 전달을 행하는 동시에, 제2 처리 블록과 인터페이스 블록 사이에서 기판의 전달을 행하는 제2 전달부가 다단으로 설치되고, 이들 제2 전달부끼리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 제2 전달 아암이 설치되도록 구성해도 좋다.
상기 제1 직통 반송 수단 및 제2 직통 반송 수단은, 캐리어 블록으로부터 인터페이스 블록을 향해 기판을 반송하기 위한 왕로용 직통 반송 수단과, 인터페이스 블록으로부터 캐리어 블록을 향해 기판을 반송하기 위한 귀로용 직통 반송 수단을 구비하는 것이라도 좋다.
제1 처리 블록과 제2 처리 블록에는, 같은 종류의 도포막의 형성을 행하는 단위 블록이 전달 블록을 개재하여 인접하도록 설치되어 있고, 상기 같은 종류의 도포막의 형성을 행하는 단위 블록의 기판 반송 수단이 전달 블록의 공통의 공용 전달부에 대해 기판의 전달을 행하도록 해도 좋다.
상기 도포막 형성용 단위 블록은, 기판에 레지스트막을 형성하는 단위 블록과, 기판에 레지스트막을 형성하기 전 또는 후에 이 기판에 반사 방지막을 형성하는 단위 블록을 포함하는 것으로 할 수 있고, 제1 처리 블록과 제2 처리 블록에는, 기판에 레지스트막을 형성하는 단위 블록과, 기판에 레지스트막을 형성하기 전 또는 후에 이 기판에 반사 방지막을 형성하는 단위 블록이 전달 블록을 개재하여 인접하도록 설치되어 있고, 상기 단위 블록의 기판 반송 수단이 전달 블록의 공통의 공용 전달부에 대해 기판의 전달을 행하도록 해도 좋다.
상기 전달 블록은, 제1 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 대해 기판의 전달을 행하기 위한 다단으로 설치된 제1 처리 블록용 전달부와, 이들 제1 처리 블록용 전달부끼리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 제1 처리 블록용 전달 아암과, 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 대해 기판의 전달을 행하기 위한 다단으로 설치된 제2 처리 블록용 전달부와, 이들 제2 처리 블록용 전달부끼리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 제2 처리 블록(B)의 전달 아암을 구비하도록 구성해도 좋다.
본 발명의 도포, 현상 방법은, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판에 대해 도포막 형성용 단위 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀해 온 노광 후의 기판을 현상 처리용 단위 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 방법에 있어서,
상기 캐리어 블록으로부터, 이 캐리어 블록의 전달 수단에 의해, 이 캐리어 블록에 접속되고, 도포막 형성용 단위 블록을 포함하는 복수의 단위 블록을 적층하여 구성된 제1 처리 블록의 제1 직통 반송 수단에 기판을 전달하는 공정과, 계속해서 기판을 상기 제1 직통 반송 수단에 의해, 상기 제1 처리 블록과, 도포막 형성용 단위 블록을 포함하는 복수의 단위 블록을 적층하여 구성된 제2 처리 블록에 접속된 전달 블록에 반송하는 공정과, 계속해서 기판을 전달 블록에 설치된 전달 아암에 의해, 전달 블록에 다단으로 설치되고, 제1 처리 블록 및 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 대해 기판의 전달을 행하기 위한 공용 전달부에 반송하는 공정과, 계속해서 공용 전달부의 기판을, 제1 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 설치된 기판 반송 수단 또는 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 설치된 기판 반송 수단에 의해 각각의 단위 블록으로 수취하는 공정과, 계속해서 기판이 수취된 도포막 형성용 단위 블록 내에 있어서, 소정의 도포막의 형성 처리를 행하는 공정과, 계속해서 기판 반송 수단에 의해 도포막이 형성된 기판을 전달 블록의 공용 전달부에 반송하는 공정과, 계속해서 전달 블록의 공용 전달부의 기판을 제2 처리 블록에 설치된 제2 직통 반송 수단에 의해 인터페이스 블록에 반송하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에서는, 전달 블록의 공용 전달부의 기판을 제2 처리 블록에 설치된 제2 직통 반송 수단에 의해 인터페이스 블록에 반송하는 대신에, 제2 처리 블록의 기판 반송 수단에 의해 인터페이스 블록에 반송하는 공정을 포함하는 것이라도 좋다.
본 발명의 기억 매체는, 캐리어 블록으로부터 수취한 기판에 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 동시에, 노광 후의 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
상기 프로그램은, 상기 도포, 현상 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 제1 처리 블록과 제2 처리 블록 사이에, 이들 제1 처리 블록 및 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 대해 기판을 나누어 전달하기 위한 전달 블록을 설치하고, 캐리어 블록으로부터 일단 전달 블록에 기판을 반송하고, 이 전달 블록을 기점으로 하여 제1 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록과 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록으로 각각 기판을 나누도록 기판의 전달을 행하고 있다. 이로 인해 처리 블록이 2대가 되므로 처리량의 향상을 도모할 수 있고, 또한 제1 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 반송할 때의 반송 경로와, 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 반송할 때의 반송 경로가 동일해지므로, 반송 프로그램의 작성이 용이해진다.
우선 본 발명의 도포, 현상 장치의 실시 형태에 관한 레지스트 패턴 형성 장치에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 도1은 상기 장치의 일 실시 형태의 평면도를 도시하고, 도2는 도1의 개략 사시도, 도3은 도1의 개략 측면도이다. 이 장치는, 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들어 13매 밀폐 수납된 캐리어(20)를 반입 반출하기 위한 캐리어 블록(S1)과, 제1 처리 블록(S2)과, 전달 블록(S3)과, 제2 처리 블록(S4)과, 인터페이스 블록(S5)과, 노광 장치(S6)를 구비하고 있다.
상기 캐리어 블록(S1)에는, 상기 캐리어(20)를 복수개 적재 가능한 적재대(21)와, 이 적재대(21)로부터 보아 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(22)와, 개폐부(22)를 통해 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 수단을 이루는 트랜스퍼 아암(C)이 설치되어 있다. 이 트랜스퍼 아암(C)은, 후술하는 단위 블록(B11)의 전달 모듈(TRS11)과 입력 포트(P1)와 출력 포트(P2)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 진퇴 가능하게, 승강 가능하게, 연직축 주위로 회전 가능하게, 캐리어(20)의 배열 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
캐리어 블록(S1)의 안쪽에는 하우징(24)으로 주위가 둘러싸이는 제1 처리 블록(S2)이 접속되어 있고, 이 처리 블록(S2)은 복수개 예를 들어 3개의 단위 블록(B11 내지 B13)을 세로로 배열하여 구성되고, 이 예에서는, 하방측으로부터 현상 처리용 단위 블록인 제1 현상 처리층(DEV1층)(B11)과, 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막(이하「제1 반사 방지막」이라 함)의 형성 처리를 행하기 위한 단위 블록인 제1 반사 방지막 형성 처리층(BCT1층)(B12)과, 레지스트막의 형성 처리를 행하기 위한 단위 블록인 제1 도포 처리층(COT1층)(B13)으로서 할당되어 있고, 이들 DEV1층(B11), BCT1층(B12), COT1층(B13)은 각각 구획되어 있다. 여기서 상기 BCT1층(B12), COT1층(B13)은 도포막 형성용 단위 블록에 상당한다.
상기 단위 블록(B11, B12, B13)은 각각 마찬가지로 구성되고, 웨이퍼(W)에 대해 도포액을 도포하기 위한 액 처리 모듈과, 상기 액 처리 모듈에서 행해지는 처 리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 처리 모듈과, 상기 액 처리 모듈과 각종 처리 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전용의 기판 반송 수단인 메인 아암(A11 내지 A13)을 구비하고 있다.
또한 각 단위 블록(B11, B12, B13)의 캐리어 블록(S1)과 인접하는 영역에는, 도1 및 도3에 도시한 바와 같이 트랜스퍼 아암(C)과 각 메인 아암(A11 내지 A13)이 액세스할 수 있는 위치에 전달용 선반 유닛(U1)이 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U1)에는, 예를 들어 단위 블록마다, 다른 단위 블록과의 사이 또는, 캐리어 블록(S1)과 제1 처리 블록(S2) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 제1 전달부가 설치되어 있고, 진퇴 및 승강 가능하게 구성된 제1 전달 아암(D1)에 의해 선반 유닛(U1)에 설치된 각 전달부에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 구성되어 있다.
계속해서 상기 단위 블록(B11 내지 B13)의 구성에 대해, 우선 COT1층(B13)을 예로 하여 도4 및 도5를 기초로 하여 설명한다. 이 COT1층(B13)의 대략 중앙에는, COT1층(B13)의 길이 방향(도4, 도5 중 Y 방향)으로 웨이퍼(W)의 반송 영역(R1)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1)측으로부터 본 양측에는, 전방[캐리어 블록(S1)측]으로부터 안쪽을 향해 우측으로, 액 처리 모듈을 이루는 레지스트액의 도포를 행하기 위한 도포 모듈을 구비한 도포 처리부(31)가 설치되어 있다.
이 도포 처리부(31)는, 복수개 예를 들어 3개의 도포 모듈(COT11 내지 COT13)이 공통의 처리 용기(30)의 내부에, 각각이 반송 영역(R1)에 면하도록 Y 방 향으로 배열된 상태로 수납되어 있다. 각 도포 모듈(COT11 내지 COT13)은, 예를 들어 스핀 척 상에 수평으로 흡착 보유 지지된 웨이퍼(W)에 대해, 공통의 약액 노즐로부터 도포액인 레지스트액을 공급하는 동시에, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써 레지스트액을 웨이퍼(W)의 전체면에 널리 퍼지게 하고, 이렇게 하여 웨이퍼(W)의 표면에 레지스트액을 도포하도록 구성되어 있다. 상기 처리 용기(30)는 각 도포 모듈(COT11 내지 COT13)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)의 반송구(33A 내지 33C)(도5 참조)를 구비하고 있고, 웨이퍼(W)는 각각의 반송구(33A 내지 33C)를 통해 대응하는 도포 모듈(COT11 내지 COT13)과 메인 아암(A13) 사이에서 반송되도록 되어 있다.
또한 이 도포 처리부(31)의 반송 영역(R1)의 맞은편 측에는, 처리 모듈을 예를 들어 2단×4열로 설치한 선반 유닛(U4)이 설치되어 있고, 이 도면에서는 도포 처리부(31)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 처리 모듈이 설치되어 있다. 상술한 각종 처리 모듈로서는, 레지스트액 도포 후의 웨이퍼(W)에 대해 가열 처리를 행하고, 계속해서 냉각 처리를 행하는 가열 냉각 모듈(LHP)이나, 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 조절하는 온도 조절 모듈(CPL), 주연 노광 장치(WEE) 등이 설치되어 있다.
상기 가열 냉각 모듈(LHP)로서는, 예를 들어 웨이퍼(W)를 그 위에 적재하여 가열하기 위한 가열 플레이트(34)와, 반송 아암을 겸용하는 냉각 플레이트(35)를 구비하고, 메인 아암(A13)과 가열 플레이트(34) 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 냉각 플레이트(35)에 의해 행하는, 즉 가열 모듈과 냉각 모듈을 1개의 유닛에 구비한 구 성의 장치가 이용되지만, 가열 모듈과 냉각 모듈은 별개의 구성이라도 좋다. 또한 온도 조절 모듈(CPL)로서는, 예를 들어 수냉 방식으로 냉각되는 냉각 플레이트를 구비하는 장치가 이용된다. 이들 가열 냉각 모듈(LHP)이나 온도 조절 모듈(CPL) 등의 각 처리 모듈은, 도5에 도시한 바와 같이 각각 처리 용기(36) 내에 수납되어 있고, 각 처리 용기(36)의 반송 영역(R1)에 면하는 면에는 웨이퍼 반출입구(37)가 형성되어 있다.
COT1층(B13)의 선반 유닛(U1)에는, 상기 제1 전달부로서, 전달 모듈(TRS13)이 설치되어 있고, 이 전달 모듈(TRS13)에 대해서는, COT1층(B13)의 메인 아암(A13)과 제1 전달 아암(D1)이 액세스할 수 있도록 구성되어 있다. 이 예에서는 전달 모듈(TRS13)에는, 웨이퍼(W)의 이면측을 보유 지지하는 복수개 예를 들어 3개의 돌기가, 메인 아암(A13)과 제1 전달 아암(D1)이 진입해 왔을 때에, 이들과 간섭하지 않는 위치에 형성되어 있다.
계속해서 상기 반송 영역(R1)에 설치된 메인 아암(A13)에 대해 설명한다. 이 메인 아암(A13)은, 당해 COT1층(B13) 내의 모든 모듈[웨이퍼(W)가 놓이는 장소], 예를 들어 도포 모듈(COT11 내지 COT13)과, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS13)과, 선반 유닛(U4)의 각 처리 모듈과, 후술하는 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS23) 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하도록 구성되어 있고, 이를 위해 진퇴 가능하게, 승강 가능하게, 연직축 주위로 회전 가능하게, Y 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
이 메인 아암(A13)은, 도4 및 도5에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면측 주연 영역을 지지하기 위한 2개의 보유 지지 아암(51, 52)을 구비하고 있고, 이들 보유 지지 아암(51, 52)은 기대(基臺)(53) 상을 서로 독립하여 진퇴 가능하게 구성되어 있다. 또한 기대(53)는 반송 기체(基體)(55) 상에 회전 기구(54)를 통해 연직축 주위로 회전 가능에 설치되어 있다. 도면 중 56은, 반송 영역(R1)의 길이 방향(도면 중 Y 방향)으로 신장하는 가이드 레일(56), 도면 중 57은 승강용 가이드 레일이며, 상기 반송 기체(55)는 이 승강용 가이드 레일(57)을 따라 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한 상기 승강용 가이드 레일(57)의 하단부는 가이드 레일(56)의 하방에 잠입하여 계지되어 있고, 승강용 가이드 레일(57)이 가이드 레일(56)을 따라 횡방향(도면 중 Y 방향)으로 이동함으로써, 반송 기체(55)가 반송 영역(R1)을 횡방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다. 여기서 승강용 가이드 레일(57)은 선반 유닛(U4)의 각 처리 모듈에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행할 때에, 보유 지지 아암(51, 52)과 간섭하지 않도록, 보유 지지 아암(51, 52)이 진퇴하는 위치로부터 어긋난 위치에 있어서 반송 기체(55)에 설치되어 있다.
또 다른 단위 블록에 대해 간단히 설명하면, 상기 BCT1층(B12)은 COT1층(B13)과 마찬가지로 구성되어 있고, BCT1층(B12)은 액 처리 모듈로서, 웨이퍼(W)에 대해 제1 반사 방지막 형성용 도포액을 공급하여, 제1 반사 방지막을 형성하기 위한 복수개 예를 들어 3개의 제1 반사 방지막 형성 모듈(BCT11 내지 BCT13)을 구비한 제1 반사 방지막 형성 처리부가 설치되고, 선반 유닛(U4)에는 반사 방지막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 플레이트 상에 적재하여 가열 처리를 행하고, 계속해서 냉각 플레이트에 의해 보유 지지하여 냉각 처리를 행하는 가열 냉각 모 듈(LHP)과, 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 온도 조절 모듈(CPL) 등을 구비하고 있다. 또한 선반 유닛(U1)에는, 제1 전달부로서, 제1 전달 아암(D1)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS12)이 설치되고, 이들 제1 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)과, 선반 유닛(U1) 및 선반 유닛(U4)에 설치된 각종 모듈과, 후술하는 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS22)과의 사이에서 메인 아암(A12)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
또한 DEV1층(B11)은, 도3 및 도13에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U4)이 3단×4열로 구성되고, 셔틀 아암(G1, G4)이 설치되어 있는 이외는, 상술한 COT1층(B13)과 거의 마찬가지로 구성되어 있고, 웨이퍼(W)에 대해 도포액인 현상액을 공급하여 현상 처리를 행하기 위한 현상 처리부(32)가 2단으로 설치되고, 이 현상 처리부(32)의 1단에는, 액 처리 모듈을 이루는 예를 들어 3개의 현상 모듈(DEV11 내지 DEV13)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U4)에는, 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 익스포저 베이킹 모듈 등이라 불리고 있는 가열 모듈(PEB), 이 가열 모듈(PEB)에 있어서의 처리 후에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 모듈(COL), 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 수분을 날려 버리기 위해 가열 처리하는 포스트 베이킹 모듈 등으로 불리고 있는 가열 모듈(POST), 이 가열 모듈(POST)에 있어서의 처리 후에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 온도 조절 모듈(CPL) 등이 설치되어 있다. 상기 제1 반사 방지막 형성 처리부나 현상 처리부(32)는 도포 처리부(31)와 거의 마찬가지로 구성되어 있다.
또한 선반 유닛(U1)에는, 제1 전달부로서 전달 모듈(TRS11)이 설치되고, 현 상 모듈(DEV11 내지 DEV13)과 선반 유닛(U1) 및 선반 유닛(U4)에 설치된 각종 모듈과, 후술하는 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS21) 사이에서 메인 아암(A11)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다. 또한 선반 유닛(U1)에는, 제1 전달부로서, 캐리어 블록(S1)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 입력 포트(P1)와 출력 포트(P2)가 설치되고, 이들은 후술하는 셔틀 아암(G1, G4) 전용의 전달부로서 이용된다.
제1 처리 블록(S2)의 안쪽에는 하우징(25)으로 주위가 둘러싸이는 전달 블록(S3)이 접속되어 있고, 또한 그 안쪽에는 하우징(26)으로 주위가 둘러싸이는 제2 처리 블록(S4)이 접속되어 있다. 우선 제2 처리 블록(S4)에 대해 설명하면, 이 제2 처리 블록(S4)은 전달용 선반 유닛(U3)이 인터페이스 블록(S5)에 인접하는 영역에 설치되는 것 이외에는, 제1 처리 블록(S2)과 마찬가지로 구성되어 있다.
즉 이 처리 블록(S4)은 하방측으로부터, 현상 처리용 단위 블록인 제2 현상 처리층(DEV2층)(B21)과, 제1 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 단위 블록인 제2 반사 방지막 형성 처리층(BCT2층)(B22)과, 레지스트막의 형성 처리를 행하기 위한 단위 블록인 제2 도포 처리층(COT2층)(B23)이 적층되어 설치되어 있다. 여기서 상기 BCT2층(B22), COT2층(B23)은 도포막 형성용 단위 블록에 상당한다. 또한 선반 유닛(U3)에는 제2 처리 블록(S4)의 단위 블록(B21 내지 B23)끼리의 사이나, 제2 처리 블록(S4)과 인터페이스 블록(S5) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 제2 전달부가 다단으로 설치되어 있다.
계속해서 제2 처리 블록(S4)의 단위 블록(B21 내지 B23)에 대해 간단히 설명 하면, 이미 서술한 바와 같이 선반 유닛(U3)이 인터페이스 블록(S5)측에 설치되는 것 이외에는, COT2층(B23)은 COT1층(B13)과, BCT2층(B22)은 BCT1층(B12)과, DEV2층(B21)은 DEV1층(B11)과 각각 마찬가지로 구성되어 있다. 즉 COT2층(B23)에는, 액 처리 모듈로서, 웨이퍼(W)에 대해 레지스트액을 도포하기 위한 복수개 예를 들어 3개의 도포 모듈(COT21 내지 COT23)이 설치되고, 선반 유닛(U5)에는 가열 냉각 모듈(LHP)이나 온도 조절 모듈(CPL), 주연 노광 장치(WEE) 등을 구비하고 있고, 선반 유닛(U3)에는 제2 전달부로서, 제2 전달 아암(D2)에 의해 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS33)이 설치되어 있다. 그리고 이들 도포 모듈(COT21 내지 COT23)과, 선반 유닛(U3) 및 선반 유닛(U5)에 설치된 각종 모듈 사이에서 메인 아암(A23)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
또한 BCT2층(B22)은 액 처리 모듈로서, 웨이퍼(W)에 대해 제1 반사 방지막을 형성하기 위한 복수개 예를 들어 3개의 제1 반사 방지막 형성 모듈(BCT21 내지 BCT23)이 설치되고, 선반 유닛(U5)에는, 가열 냉각 모듈(LHP)과, 온도 조절 모듈(CPL) 등을 구비하고 있다. 또한 선반 유닛(U3)에는, 제2 전달부로서, 제2 전달 아암(D2)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS32)이 설치되고, 이들 제1 반사 방지막 형성 모듈(BCT21 내지 BCT23)과, 선반 유닛(U3) 및 선반 유닛(U5)에 설치된 각종 모듈 사이에서 메인 아암(A22)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
또한 DEV2층(B21)은 액 처리 모듈로서, 웨이퍼(W)에 대해 현상 처리를 행하기 위한 복수개 예를 들어 3개의 현상 처리 모듈(DEV21 내지 DEV23)이 설치되고, 선반 유닛(U5)에는, 가열 모듈(PEB)과, 냉각 모듈(COL)과, 가열 모듈(POST)과, 온도 조절 모듈(CPL) 등을 구비하고 있다. 또한 선반 유닛(U3)에는, 제2 전달부로서 인터페이스 아암(F)과 제2 전달 아암(D2)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS31)이 설치되고, 이들 현상 처리 모듈(DEV21 내지 DEV23)과, 선반 유닛(U3) 및 선반 유닛(U5)에 설치된 각종 모듈과의 사이에서, 메인 아암(A21)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
또한 선반 유닛(U3)에는 제2 전달부로서, 인터페이스 아암(F)과 제2 전달 아암(D2)이 액세스할 수 있는 위치에 출력 포트(P3)와 입력 포트(P4)가 설치되어 있고, 이들은 후술하는 셔틀 아암(G2, G3) 전용의 전달부로서 이용된다.
계속해서 전달 블록(S3)에 대해 설명한다. 이 전달 블록(S3)은, 제1 처리 블록(S2)과 제2 처리 블록(S4)에 대해 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 블록으로, 도1 및 도3에 도시한 바와 같이 제1 처리 블록(S2)의 각 단위 블록(B11 내지 B13)의 메인 아암(A11 내지 A13)이 액세스할 수 있는 동시에, 제2 처리 블록(S4)의 각 단위 블록(B21 내지 B23)의 메인 아암(A21 내지 A23)이 액세스할 수 있는 위치에 선반 유닛(U2)이 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U2)에는, 예를 들어 단위 블록마다, 다른 단위 블록과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 공용 전달부가 설치되어 있고, 진퇴 및 승강 가능하게 구성된 전달 수단을 이루는 전달 아암(E)에 의해 선반 유닛(U2)에 설치된 각 공용 전달부에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 구성되어 있다.
이 예에서는, 도3에 도시한 바와 같이 제1 처리 블록(S2)의 BCT1층(B12)과 제2 처리 블록(S4)의 BCT2층(B22)과, 제1 처리 블록(S2)의 COT1층(B13)과 제2 처리 블록(S4)의 COT2층(B23)과, 제1 처리 블록(S2)의 DEV1층(B11)과 제2 처리 블록(S4)의 DEV2층(B21)이 각각 전달 블록(S3)을 개재하여 인접하도록 설치되어 있고, 후술하는 바와 같이 동일한 처리를 행하는 단위 블록의 메인 아암끼리가 전달 블록(S3)의 공통의 공용 전달부에 대해 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.
구체적으로는, COT1층(B13), COT2층(B23)의 양 메인 아암(A13, A23)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS23), BCT1층(B12), BCT2층(B22)의 양 메인 아암(A12, A22)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS22), DEV1층(B11), DEV2층(B21)의 양 메인 아암(A11, A21)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS21), DEV1층(B11) 및 DEV2층(B21)의 셔틀 아암(G1, G2)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS-A), 셔틀 아암(G3, G4)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS-B)이 각각 설치되어 있다.
여기서 선반 유닛(U1, U2, U3)에 설치되는 전달 모듈(TRS11 내지 TRS33)은 이미 서술한 전달 모듈(TRS13)과 마찬가지로 구성되어 있고, 이 전달 모듈(TRS11 내지 TRS33)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 아암(D1, D2, E)도 각각 마찬가지로 구성되어 있다.
한편, 제2 처리 블록(S4)에 있어서의 선반 유닛(U3)의 안쪽에는, 인터페이스 블록(S5)을 개재하여 노광 장치(S6)가 접속되어 있다. 인터페이스 블록(S5)에는, 상기 제2 처리 블록(S4)의 선반 유닛(U3)의 제2 전달부와 노광 장치(S6)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한, 진퇴 가능하게, 승강 가능하게, 연직축 주위로 회 전 가능에 구성된 인터페이스 아암(F)이 설치되어 있다.
여기서 상기 셔틀 아암(G1 내지 G4)에 대해, 도3 및 도6을 이용하여 설명한다. 상기 셔틀 아암(G1), 셔틀 아암(G2)은, 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S5)을 향해 웨이퍼(W)의 반송을 행하기 위한 전용의 왕로용 직통 반송 수단이며, 상기 셔틀 아암(G3), 셔틀 아암(G4)은, 인터페이스 블록(S5)으로부터 캐리어 블록(S1)을 향해 웨이퍼(W)의 반송을 행하기 위한 전용의 귀로용 직통 반송 수단이다.
우선 셔틀 아암(G1)에 대해 설명하면, 웨이퍼(W)의 이면측 주연부가 적재되는 아암(61A)이 구동 기구(62A)를 통해 제1 처리 블록(S2)의 길이 방향(도1 중 Y 방향)으로 신장하는 베이스 플레이트(63A)를 따라 이동 가능하게 구성되어 있다. 도6 중 64A는 아암(61A) 상에 적재된 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 방지하기 위한 규제 부재이다.
상기 베이스 플레이트(63A)의 일단부측은, 아암(61A)이 캐리어 블록(S1)의 트랜스퍼 아암(C)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 제1 전달 위치로 이동할 수 있도록 캐리어 블록(S1)과 인접하는 영역까지 신장되어 있고, 타단부측은 아암(61A)이 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS-A)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 제2 전달 위치로 이동할 수 있도록 전달 블록(S3)과 인접하는 영역까지 신장되어 있다.
그리고 상기 베이스 플레이트(63A)의 일단부측에는, 트랜스퍼 아암(C)이 액세스할 수 있는 위치에 승강 핀 기구(65A)가 내장되어 있다. 이 승강 핀 기 구(65A)는, 도6에 도시한 바와 같이 상기 제1 전달 위치에 아암(61A)이 이동하였을 때에, 아암(61A)의 내측 영역에 있어서 출몰되어, 트랜스퍼 아암(C)과 셔틀 아암(G1) 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달에 이용되는 것이다.
계속해서 셔틀 아암(G2)에 대해 설명하면, 도면 중 61B는 아암, 63B는 제2 처리 블록(S4)의 길이 방향(도1 중 Y 방향)으로 신장하는 베이스 플레이트, 62B는 구동 기구, 64B는 규제 부재이다. 상기 베이스 플레이트(63B)의 일단부측은, 아암(61B)이 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS-A)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 제3 전달 위치로 이동할 수 있도록 전달 블록(S3)과 인접하는 영역까지 신장되어 있고, 타단부측은 아암(61B)이 인터페이스 블록(S5)의 인터페이스 아암(F)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 제4 전달 위치로 이동할 수 있도록 인터페이스 블록(S5)과 인접하는 영역까지 신장되어 있다.
그리고 상기 베이스 플레이트(63B)의 타단부측에는, 인터페이스 아암(F)이 액세스할 수 있는 위치에 승강 핀 기구(65B)가 내장되어 있다. 이 승강 핀 기구(65B)는, 도6에 도시한 바와 같이 상기 제4 전달 위치로 아암(61B)이 이동하였을 때에, 인터페이스 아암(F)과 셔틀 아암(G2) 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달에 이용되는 것이다.
또한 상기 전달 모듈(TRS-A)은, 전달 스테이지(66)의 내부에 승강 핀 기구(67)가 내장되어 있고, 도6에 도시한 바와 같이 상기 제2 전달 위치로 셔틀 아암(G1)의 아암(61A)이 이동하였을 때에, 아암(61A)의 내측 영역에 있어서 출몰되어, 전달 아암(E)과 셔틀 아암(G1) 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달에 이용되는 동시에, 상기 제3 전달 위치로 셔틀 아암(G2)의 아암(61B)이 이동하였을 때에, 아암(61B)의 내측 영역에 있어서 출몰되어, 전달 아암(E)과 셔틀 아암(G2) 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달에 이용된다.
또한 이 전달 모듈(TRS-A)은, 상기 전달 블록(S3)의 전달 아암(E) 사이에 있어서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 경우에는, 전달 아암(E)과 간섭하지 않도록 승강 핀 기구(67)의 승강 핀의 배치 위치가 결정되어 있어, 예를 들어 미리 승강 핀을 전달 스테이지(66)로부터 돌출시켜 두고, 이 승강 핀에 대해 전달 아암(E)측을 승강시킴으로써, 전달 모듈(TRS-A)과 전달 아암(E) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
여기서 셔틀 아암(G1), 셔틀 아암(G2)은 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S5)을 향해 일 방향으로 웨이퍼(W)를 반송하기 위해 이용되고, 베이스 플레이트(63A)의 일단부측이 제1 전달부의 입력 포트(P1)로서 이용되고, 베이스 플레이트(63B)의 타단부측이 제2 전달부의 출력 포트(P3)로서 이용된다.
또한 셔틀 아암(G3), 셔틀 아암(G4)은 각각 셔틀 아암(G1), 셔틀 아암(G2)과 마찬가지로 구성되어 있고, 셔틀 아암(G4)의 베이스 플레이트(63D)의 일단부측에는 승강 핀 기구(65D)가 내장되고, 당해 일단부측은 트랜스퍼 아암(C)과 셔틀 아암(G4) 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달용 출력 포트(P2)로서 이용된다. 또한, 셔틀 아암(G3)의 베이스 플레이트(63C)의 타단부측에는 승강 핀 기구(65C)가 내장되고, 당해 타단부측은 인터페이스 아암(F)과 셔틀 아암(G3) 사이에 있어서의 웨이퍼(W)의 전달용 입력 포트(P4)로서 이용된다. 또한 전달 블록(S3)에는 셔틀 아 암(G3) 및 셔틀 아암(G4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달에 이용되는 전달 모듈(TRS-B)이 설치되고, 이 전달 모듈(TRS-B)은 전달 모듈(TRS-A)과 마찬가지로 구성되어 있다.
그리고 상술한 레지스트 패턴 형성 장치는, 각 처리 모듈의 레시피의 관리나, 웨이퍼(W)의 반송 플로우(반송 경로)의 레시피의 관리나, 각 처리 모듈에 있어서의 처리나, 메인 아암(A11 내지 A13, A21 내지 A23), 트랜스퍼 아암(C), 제1 및 제2 전달 아암(D1, D2), 전달 아암(E), 셔틀 아암(G1 내지 G4), 인터페이스 아암(F)의 구동 제어를 행하는 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)를 구비하고 있다. 이 제어부(100)는, 예를 들어 컴퓨터 프로그램으로 이루어지는 프로그램 저장부를 갖고 있고, 프로그램 저장부에는 레지스트 패턴 형성 장치 전체의 작용, 즉 웨이퍼(W)에 대해 소정의 레지스트 패턴을 형성하기 위한, 각 처리 모듈에 있어서의 처리나 웨이퍼(W)의 반송 등이 실시되도록 스텝(명령)군을 구비한 예를 들어 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장된다. 그리고 이들 프로그램이 제어부(100)에 판독됨으로써, 제어부(100)에 의해 레지스트 패턴 형성 장치 전체의 작용이 제어된다. 또 이 프로그램은, 예를 들어 플렉시블 디스크, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태에서 프로그램 저장부에 저장된다.
이와 같은 이 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해, 제1 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하는 경우를 예로 하여, 도7을 이용하여 설명한다. 웨이퍼(W)의 반송은, 제어부(100)에 의해, 반송 플로우(반송 경 로)의 레시피를 기초로 하여, 메인 아암(A11 내지 A13, A21 내지 A23), 트랜스퍼 아암(C), 제1 및 제2 전달 아암(D1, D2), 전달 아암(E), 셔틀 아암(G1 내지 G4), 인터페이스 아암(F)을 제어함으로써 행해진다.
우선 외부로부터 캐리어 블록(S1)에 반입된 캐리어(20) 내의 웨이퍼(W)는, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 선반 유닛(U1)의 입력 포트(P1)에서 셔틀 아암(G1)으로 전달된다. 그리고 셔틀 아암(G1)에 의해 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS-A)로 반송되고, 계속해서 전달 아암(E)에 의해 전달 모듈(TRS22)로 반송된다. 계속해서 이 전달 모듈(TRS22)의 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A12) 또는 메인 아암(A22)에 의해 제1 처리 블록(S2)의 BCT1층 또는 제2 처리 블록(S4)의 BCT2층에서 각각 수취된다.
제1 처리 블록(S2)에서는, 상기 BCT1층에 수취된 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A12)에 의해 온도 조절 모듈(CPL) → 제1 반사 방지막 형성 모듈(BCT) → 가열 모듈(LHP) → 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS12)의 경로로 반송되어, 웨이퍼(W)의 표면에 제1 반사 방지막이 형성된다.
계속해서 전달 모듈(TRS12)의 웨이퍼(W)는 제1 전달 아암(D1)에 의해 전달 모듈(TRS13)로 반송되어, 여기로부터 메인 아암(A13)에 의해 COT1층에 수취된다. COT1층에서는, 온도 조절 모듈(CPL) → 도포 모듈(COT) → 가열 모듈(LHP) → 주변 노광 장치(WEE) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS23)의 경로로 반송되어, 제1 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다.
한편, 제2 처리 블록(S4)에 반송된 웨이퍼(W)에 대해서는, 상기 BCT2층에 수취된 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A22)에 의해 온도 조절 모듈(CPL) → 제1 반사 방지 막 형성 모듈(BCT) → 가열 모듈(LHP) → 선반 유닛(U3)의 전달 모듈(TRS32)의 경로로 반송되어, 웨이퍼(W)의 표면에 제1 반사 방지막이 형성된다.
계속해서 전달 모듈(TRS32)의 웨이퍼(W)는, 제2 전달 아암(D2)에 의해 전달 모듈(TRS33)로 반송되어, 메인 아암(A23)에 의해 COT2층에 수취된다. COT2층에서는, 온도 조절 모듈(CPL) → 도포 모듈(COT) → 가열 모듈(LHP) → 주변 노광 장치(WEE) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS23)의 경로로 반송되어, 제1 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다.
이렇게 하여 제1 처리 블록(S2) 및 제2 처리 블록(S4)에서, 각각 제1 반사 방지막과 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS23)에 모인다. 그리고 전달 아암(E)에 의해 전달 모듈(TRS-A)로 반송되어, 여기로부터 셔틀 아암(G2)에 의해 선반 유닛(U3)의 출력 포트(P3)로 반송되고, 여기서 인터페이스 아암(F)으로 전달된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 의해 노광 장치(S6)로 반송되어, 소정의 노광 처리가 행해진다.
계속해서 노광 처리 후의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 설명한다. 우선 제1 처리 블록(S2)에서 현상 처리를 행하는 경우에 대해 설명하면, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 의해 입력 포트(P4)로 반송되고, 여기서 셔틀 아암(G3)으로 전달된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 셔틀 아암(G3)에 의해 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS-B)로 반송되고, 계속해서 전달 모듈(TRS-B)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(E)에 의해 전달 모듈(TRS21)로 반송되고, 여기로부터 메인 아암(A11)에 의해 제1 처리 블록(S2)의 DEV1층에 수취된다.
DEV1층에서는, 가열 모듈(PEB) → 냉각 모듈(COL) → 현상 모듈(DEV) → 가열 모듈(POST) → 온도 조절 모듈(CPL) → 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS11)의 경로로 반송되어, 소정의 현상 처리가 행해진다. 이렇게 하여 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 상기 전달 모듈(TRS11)을 통해 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.
한편 제2 처리 블록(S4)에서 현상 처리를 행하는 경우에 대해 설명하면, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 의해 전달 모듈(TRS31)로 반송되고, 여기로부터 메인 아암(A21)에 의해 제2 처리 블록(S4)의 DEV2층에 수취된다. DEV2층에서는, 가열 모듈(PEB) → 냉각 모듈(COL) → 현상 모듈(DEV) → 가열 모듈(POST) → 온도 조절 모듈(CPL) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS21)의 경로로 반송되어, 소정의 현상 처리가 행해진다.
계속해서 웨이퍼(W)는 전달 아암(E)에 의해 전달 모듈(TRS-B)로 반송되고, 계속해서 셔틀 아암(G4)에 의해 선반 유닛(U1)의 출력 포트(P2)까지 이동된다. 이렇게 하여 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 상기 출력 포트(P2)에서 셔틀 아암(G4)으로부터 트랜스퍼 아암(C)으로 전달되어, 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.
이와 같은 레지스트 패턴 형성 장치에서는, 처리량의 향상을 도모할 수 있다. 즉 제1 처리 블록(S2) 및 제2 처리 블록(S4)의 각 단위 블록(B11 내지 B13, B21 내지 B23)에는, 예를 들어 3개의 액 처리 모듈과, 이 액 처리 모듈에 대응한 개수의 처리 모듈을 구비하고 있으므로, 각 처리 블록(S2, S4)의 처리량은, 배경 기술의 란에서 설명한 종래의 레지스트 패턴 형성 장치와 대략 동일한 정도이지만, 이들 2개의 처리 블록(S2, S4)을 전달 블록(S3)을 개재시켜 접속하고 있으므로, 1개의 처리 블록이 증가한 만큼, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
이 때 제1 및 제2 처리 블록(S2, S4)의 내부에 삽입되는 모듈의 개수는, 종래의 장치와 대략 동일하므로, 각 단위 블록(B11 내지 B13, B21 내지 B23) 내에 있어서는, 메인 아암(A11 내지 A13, A21 내지 A23)의 부담이 증대하지 않아, 반송 처리량의 저하의 우려가 없다.
또한 각 단위 블록(B11 내지 B13, B21 내지 B23)으로의 웨이퍼(W)의 반송에 대해서는, 제1 및 제2 처리 블록(S2, S4) 내의 웨이퍼(W)의 반송은, 제1 및 제2 전달 아암(D1, D2)과 각 메인 아암(A11 내지 A13, A21 내지 A23)을 이용하여 행하는 한편, 캐리어 블록(S1)으로부터 제1 처리 블록(S2) 또는 제2 처리 블록(S4)으로의 웨이퍼(W)의 반송은, 셔틀 아암(G1)과 전달 아암(E), 제1 처리 블록(S2) 또는 제2 처리 블록(S4)으로부터 인터페이스 블록(S5)으로의 웨이퍼(W)의 반송은, 전달 아암(E)과 셔틀 아암(G2)을 각각 이용하여 행하고, 또한 인터페이스 블록(S5)으로부터 전달 블록(S3)으로의 반송과 전달 블록(S3)으로부터 캐리어 블록(S1)으로의 반송은 각각 셔틀 아암(G3, G4)에 의해 행하고 있다.
이로 인해 처리 블록이 증가하였다고 해도, 웨이퍼(W)의 반송을 제1 및 제2 처리 블록(S2, S4)의 메인 아암(A11 내지 A13, A21 내지 A23)과, 제1 및 제2 전달 아암(D1, D2)과, 셔틀 아암(G1 내지 G4)과, 전달 블록(S3)의 전달 아암(E)에 의해 분담하여 행하고 있으므로, 1개의 아암으로의 부하가 경감되어, 반송 처리량의 저 하를 억제할 수 있다.
또한 이 예에서는, 캐리어 블록(S1)으로부터 전달 블록(S3)으로 웨이퍼(W)를 반송한 후, 이곳을 기점으로 하여 제1 및 제2 처리 블록(S2, S4)에 웨이퍼(W)를 나누어 반송한다고 하는 것과 같이, 제1 처리 블록(S2)으로부터 보면 웨이퍼(W)가 당해 처리 블록(S2)의 후방측으로부터 반입되므로, 웨이퍼(W)가 반입될 때까지의 시간이 길어져, 반송 처리량이 저하된다고도 생각할 수 있지만, 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S5)을 향하는 왕로용 셔틀 아암(G1, G2)과, 인터페이스 블록(S5)으로부터 캐리어 블록(S1)을 향하는 귀로용 셔틀 아암(G3, G4)을 준비함으로써, 셔틀 아암(G1)은 캐리어 블록(S1)으로부터 전달 블록(S3)까지의 반송만을 행하면 되어, 반송 처리량의 저하의 우려는 적다.
또한, 셔틀 아암(G1 내지 G4)은 베이스 플레이트(63A 내지 63D) 상을 횡방향으로 이동할 뿐이며, 웨이퍼(W)의 전달은 승강 핀 기구(65A 내지 65D)를 이용하여 행하고 있으므로, 셔틀 아암(G1 내지 G4) 자체에 승강 기구를 설치하는 경우보다도, 셔틀 아암(G1 내지 G4)의 구동 제어가 용이한 동시에, 셔틀 아암(G1 내지 G4)이 경량이 되므로, 반송 속도의 증가를 기대할 수 있다.
또한 본 발명의 레지스트 패턴 형성 장치는 반송 프로그램의 작성이 용이하다. 즉 2개의 처리 블록(S2, S4)이 설치되어 있어도, 노광 처리 전의 웨이퍼(W)는 캐리어 블록(S1)으로부터 전달 블록(S3)으로 반송되고, 이곳을 기점으로 하여 제1 처리 블록(S2)의 BCT1층 또는 제2 처리 블록(S4)의 BCT2층으로 나뉘어진다.
따라서 캐리어 블록(S1)으로부터 BCT1층 또는 BCT2층에 이르기까지의 웨이 퍼(W)의 반송 경로가 동일해지므로, 캐리어 블록(S1)에 인접하는 제1 처리 블록(S2)으로 반송할 때에는 셔틀 아암(G1)을 이용하지 않고, 제2 처리 블록(S4)으로 반송할 때에는 셔틀 아암(G1)을 이용한다고 하는 것과 같이, 웨이퍼(W)의 반송에 사용하는 아암이 반송처의 처리 블록(S2, S4)에 따라서 다르거나, 캐리어 블록(S1)으로부터 제1 처리 블록(S2), 제2 처리 블록(S4)에 웨이퍼(W)를 전달할 때까지의 반송 공정수가 다른 것이 아니므로, 반송 프로그램의 작성이 용이해진다.
또한 제1 처리 블록(S2), 제2 처리 블록(S4) 내에 있어서는, 각각 독립하여 BCT1층 → COT1층의 경로, 또는 BCT2층 → 0COT2층의 경로로 웨이퍼(W)가 반송되고, 이 후 COT1층이나 COT2층에서 처리가 행해진 웨이퍼(W)는 전달 블록(S3)에 모인다. 이로 인해 제1 처리 블록(S2), 제2 처리 블록(S4) 내에 있어서의 반송 경로에 대해서는 서로 독립하여 제어할 수 있으므로, 이 점으로부터도 반송 프로그램의 작성이 용이해진다.
또한 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 전달 블록(S3)에 일단 모여, 여기로부터 인터페이스 블록(S5)으로 반송되므로, 제1 및 제2 처리 블록(S2, S4) → 전달 블록(S3) → 인터페이스 블록(S5)에 이르는 반송 경로가 제1 처리 블록(S2)에서 처리를 행하는 경우라도, 제2 처리 블록(S4)에서 처리를 행하는 경우라도 동일해진다. 따라서 인터페이스 블록(S5)에 인접하는 제2 처리 블록(S4)으로부터 반송할 때에는 셔틀 아암(G2)을 이용하지 않고, 제1 처리 블록(S2)으로부터 반송할 때에는 셔틀 아암(G2)을 이용한다고 하는 것과 같이, 처리가 행해지는 처리 블록에 따라서 웨이퍼(W)의 반송에 사용하는 아암이 다르거나, 인터페이스 블록(S5)에 웨이퍼(W) 를 전달할 때까지의 반송 공정수가 다른 것이 아니므로, 이 점에서도 반송 프로그램의 작성이 용이해진다.
또한 상술한 예에서는, 제1 처리 블록(S2)과 제2 처리 블록(S4)에서는, DEV1층과 DEV2층, BCT1층과 BCT2층, COT1층과 COT2층이 서로 전달 블록(S3)을 개재하여 인접하도록 설치되어 있고, BCT1층, BCT2층끼리나, COT1층, COT2층끼리 등 동일한 도포막의 형성 처리를 행하는 단위 블록에 설치된 메인 아암[A12, A22(A13, A23)]이 각각 공통의 전달 모듈[TRS22(TRS23)]에 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.
이로 인해 전달 블록(S3)에 설치된 전달 아암(E)으로부터 보면, BCT1층 또는 BCT2층으로 반송하기 전의 웨이퍼(W)는 전달 모듈(TRS-A)로부터 전달 모듈(TRS22)로 반송되고, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 모듈(TRS23)로부터 전달 모듈(TRS-A)로 반송된다고 하는 것과 같이, 웨이퍼(W)가 어느 쪽의 처리 블록(S2, S4)에서 처리되는지에 상관없이 웨이퍼(W)의 반송을 행할 수 있으므로, 이 점으로부터도 반송 프로그램의 작성이 용이해진다.
이상에 있어서, 상술한 예에서는, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 제2 처리 블록(S4)으로 반송할 때에는, 전달 모듈(TRS31)로부터 DEV2층의 메인 아암(A21)에 의해 직접 수취하도록 하였지만, 일단 셔틀 아암(G3)에 의해 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS-B)로 반송하고, 여기로부터 전달 아암(E) → 전달 모듈(TRS21) → 메인 아암(A21)의 경로로 DEV2층 내로 반송하도록 해도 좋다.
계속해서 본 발명의 다른 실시 형태에 대해 도8 내지 도10을 이용하여 설명한다. 이 예의 레지스트 패턴 형성 장치가, 상술한 장치와 다른 점은, 제1 처리 블록(S2)과 제2 처리 블록(S4)에 제1 및 제2 전달 아암(D1, D2)이 설치되어 있지 않은 것과, 전달 블록(S3)에 상하 2단의 전달 아암(E1, E2)이 설치되어 있는 것과, 선반 유닛(U1 내지 U3)에 설치되어 있는 모듈과, 웨이퍼의 반송 경로이다.
이 예에서는 선반 유닛(U1)에는, 캐리어 블록(S1)과 제1 처리 블록(S2)의 DEV1층 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 제1 전달부로서, 전달 모듈(TRS11)과 입력 포트(P1)와 출력 포트(P2)가 설치되어 있고, 선반 유닛(U3)에는 제2 처리 블록(S4)의 DEV2층과 인터페이스 블록(S5) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 제2 전달부로서, 전달 모듈(TRS31)과 출력 포트(P3)와 입력 포트(P4)가 설치되어 있다.
또한 전달 블록(S3)의 선반 유닛(U2)에는, DEV1층, DEV2층의 메인 아암(A11, A21)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS21)과, 셔틀 아암(G1, G2)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS-A)과, 셔틀 아암(G3, G4)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS-B)과, BCT1층, BCT2층의 메인 아암(A12, A22)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS22, TRS23)과, COT1층, COT2층의 메인 아암(A13, A23)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS24, TRS25)이 각각 설치되어 있다.
그리고 전달 블록(S3)에는 전달 아암(E1, E2)이 상하로 2단으로 설치되어 있고, 예를 들어 상기 전달 모듈(TRS21, TRS-A, TRS-B)에 대해서는 전달 아암(E2)에 의해 웨이퍼(W)의 전달을 행하고, 상기 전달 모듈(TRS-A, TRS22, TRS23, TRS24, TRS25)에 대해서는 전달 아암(E1)에 의해 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록 구성되어 있다.
이와 같은 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해, 제1 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하는 경우를 예로 하여, 도10을 이용하여 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어 블록(S1) → 트랜스퍼 아암(C) → 선반 유닛(U1)의 입력 포트(P1) → 셔틀 아암(G1) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS-A) → 전달 아암(E1) → 전달 모듈(TRS22)의 경로로 반송되고, 전달 모듈(TRS22)의 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A12, A22)에 의해 각각 BCT1층, BCT2층에 수취된다.
그리고 BCT1층의 내부에서는, 메인 아암(A12)에 의해 이미 서술한 바와 같이 소정 모듈로 순차 반송된 후, 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS23)로 반송된다. 한편 BCT2층의 내부에 있어서는, 메인 아암(A22)에 의해 이미 서술한 바와 같이 소정 모듈로 순차 반송된 후, 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS23)로 반송된다.
계속해서 전달 모듈(TRS23)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(E1)에 의해 전달 모듈(TRS24)로 반송되고, 여기로부터 메인 아암(A13, A23)에 의해 각각 COT1층, COT2층에 수취된다. 그리고 COT1층에서는, 메인 아암(A13)에 의해 이미 서술한 바와 같이 소정 모듈로 순차 반송된 후, 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS25)로 반송된다. 한편 COT2층에 있어서도 메인 아암(A23)에 의해 소정 모듈로 순차 반송된 후, 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS25)로 반송된다.
이렇게 하여 제1 반사 방지막과 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS25)에 모여, 전달 아암(E1)에 의해 전달 모듈(TRS-A)로 반송되고, 여기로부터 셔틀 아암(G2)에 의해 선반 유닛(U3)의 출력 포트(P3)까지 이동한다. 계속해서 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 전달되어 노광 장치(S6)로 반송되어, 소정의 노광 처리가 행해진다.
노광 처리 후의 웨이퍼(W)에 대해서는, 제1 처리 블록(S2)에서 현상 처리를 행하는 경우에는, 인터페이스 아암(F) → 입력 포트(P4) → 셔틀 아암(G3) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS-B) → 전달 아암(E2) → 전달 모듈(TRS21) → 메인 아암(A11) → DEV1층의 경로로 반송된다. 그리고 DEV1층에서는, 메인 아암(A11)에 의해 이미 서술한 바와 같이 소정 모듈로 순차 반송된 후, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS11)로 반송되고, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.
한편 제2 처리 블록(S4)에서 현상 처리를 행하는 경우에 대해서는, 인터페이스 아암(F)에 의해 전달 모듈(TRS31)로 반송되고, 여기로부터 메인 아암(A21)에 의해 DEV2층에 수취된다. 그리고 DEV2층에서는, 메인 아암(A21)에 의해 소정 모듈로 순차 반송된 후, 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS21)로 반송된다. 계속해서 웨이퍼(W)는, 전달 아암(E2) → 전달 모듈(TRS-B) → 셔틀 아암(G4) → 출력 포트(P2)의 경로로 반송된다. 이렇게 하여 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는, 출력 포트(P2)를 통해 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.
이와 같은 웨이퍼(W)의 반송은 제어부(100)에 의해, 이 제어부(100)에 저장된 반송 레시피를 기초로 하여 메인 아암(A11 내지 A13, A21 내지 A23), 트랜스퍼 아암(C), 전달 아암(E1, E2), 셔틀 아암(G1 내지 G4), 인터페이스 아암(F)을 제어함으로써 행해진다.
이와 같은 장치에 있어서도, 2개의 처리 블록(S2, S4)에 있어서 웨이퍼(W)가 처리되므로, 처리량의 향상을 도모할 수 있다. 또한 각 처리 블록(S2, S4)에는 전달 아암(D1, D2)을 설치하지 않고, 전달 블록(S3)에 2단으로 전달 아암(E1, E2)을 설치하고 있으므로, 전체 아암의 개수가 적어져, 저비용화를 도모할 수 있다. 이 때, 전달 블록(S3)에는 전달 아암(E1, E2)을 상하로 2단으로 설치함으로써, 반송을 분담하여 행하는 동시에, 각 아암(E1, E2)의 이동 영역을 좁힐 수 있으므로, 반송 처리량의 저하에 대해 고려할 필요는 없다.
또한 이 예에 있어서도, 전달 블록(S3)을 기점으로 하여 캐리어 블록(S1)으로부터 제1 처리 블록(S2) 또는 제2 처리 블록(S4)에 이르는 웨이퍼(W)의 반송과, 제1 처리 블록(S2) 또는 제2 처리 블록(S4)으로부터 인터페이스 블록(S5)에 이르는 웨이퍼(W)의 반송을 행하고 있으므로, 캐리어 블록(S1) → 제1 처리 블록(S2) → 인터페이스 블록(S5)의 반송 경로와, 캐리어 블록(S1) → 제2 처리 블록(S4) → 인터페이스 블록(S5)의 반송 경로가 동일해져, 반송 프로그램의 작성이 용이해진다.
이 때 이 예에 있어서도, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 제2 처리 블록(S4)으로 반송할 때에는, 일단 셔틀 아암(G3)에 의해 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS-B)로 반송하고, 여기로부터 전달 모듈(TRS21) → 메인 아암(A21)의 경로로 DEV2층 내로 반송하도록 해도 좋다.
계속해서 본 발명의 또 다른 실시 형태에 대해 도11 내지 도13을 이용하여 설명한다. 이 예의 레지스트 패턴 형성 장치가, 상술한 제1 실시 형태의 장치와 다른 점은, 제1 처리 블록(S2)과 제2 처리 블록(S4)에 제1 및 제2 전달 아암(D1, D2)이 설치되어 있지 않은 것과, 전달 블록(S3)에 상하 2단으로 전달 아암(E1, E2)이 설치되어 있는 것과, 제1 처리 블록(S2) 및 제2 처리 블록(S4)에 설치되어 있는 단위 블록과, 선반 유닛(U1 내지 U3)에 설치되어 있는 모듈과, 웨이퍼의 반송 경로이다.
이 예에서는, 제1 처리 블록(S2)은 하방측으로부터 DEV1층과 2개의 BCT1층, BCT2층을 적층하여 구성되고, 제2 처리 블록(S4)은 하방측으로부터 TCT1층, TCT2층, COT1층, COT2층을 적층하여 구성되어 있다. 여기서 TCT1층, TCT2층은 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막(이하「제2 반사 방지막」이라 함)의 형성 처리를 행하기 위한 제2 반사 방지막 형성 처리층으로, 도포막 형성용 단위 블록에 상당한다.
그리고 상기 제1 처리 블록(S2)의 DEV1층과 제2 처리 블록(S4)의 TCT1층, TCT2층, 상기 제1 처리 블록(S2)의 BCT1층과 제2 처리 블록(S4)의 COT1층, 상기 제1 처리 블록(S2)의 BCT2층과 제2 처리 블록(S4)의 COT2층은 각각 전달 블록(S3)을 개재하여 인접하도록 설치되어 있다.
여기서 BCT2층은 BCT1층과 마찬가지로 구성되어 있고, 메인 아암(A14)에 의해 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다. 또한 COT1층, COT2층은 상술한 실시 형태의 COT2층과 마찬가지로 구성되어 있고, 각각 메인 아암(A24, A25)에 의해 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
또한 TCT1층, TCT2층은, 상술한 실시 형태의 COT2층과 거의 마찬가지로 구성되어 있고, TCT1층의 내부에는, 액 처리 모듈로서, 웨이퍼(W)에 대해 제2 반사 방 지막을 형성하기 위한 복수개 예를 들어 3개의 제2 반사 방지막 형성 모듈(TCT)이 설치되고, 선반 유닛(U5)에는 가열 냉각 모듈(LHP)과 온도 조절 모듈(CPL)과 주변 노광 장치(WEE) 등이 설치되어 있다. 또한 선반 유닛(U3)에는, 제2 전달부로서 인터페이스 아암(F)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS31)이 설치되고, 이들 모듈 사이에서 메인 아암(A26)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
한편 TCT2층의 내부에는, 액 처리 모듈로서, 예를 들어 3개의 제2 반사 방지막 형성 모듈(TCT)이 설치되는 동시에, 선반 유닛(U5)에는, 가열 냉각 모듈(LHP)과 온도 조절 모듈(CPL)과 주변 노광 장치(WEE) 등이 설치되어 있다. 또한 선반 유닛(U3)에는, 제2 전달부로서 인터페이스 아암(F)이 액세스할 수 있는 위치에 전달 모듈(TRS30, TRS32)이 설치되고, 이들 모듈 사이에서 메인 아암(A27)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 구성되어 있다. 또한 TCT2층은, 셔틀 아암(G6)을 구비하고 있고, 상기 전달 모듈(TRS30)는 셔틀 아암(G6) 전용의 전달 모듈로서 이용된다.
또한 선반 유닛(U1)에는, 캐리어 블록(S1)과 제1 처리 블록(S2)의 DEV1층 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 제1 전달부로서, 전달 모듈(TRS10, TRS11)이 설치되어 있고, 이 중 전달 모듈(TRS10)은 셔틀 아암(G5) 전용의 전달부로서 이용된다.
또한 전달 블록(S3)의 선반 유닛(U2)에는, DEV1층의 메인 아암(A11)과 TCT1층의 메인 아암(A26) 및 TCT2층의 메인 아암(A27)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS21, TRS22)과, 셔틀 아암(G5, G6)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS20)과, BCT1층의 메인 아암(A12)과 COT1층의 메인 아암(A24)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS23, TRS24)과, BCT2층의 메인 아암(A14)과 COT2층의 메인 아암(A25)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS25, TRS26)이 설치되어 있고, 이 중 전달 모듈(TRS20)은 셔틀 아암(G5, G6) 전용의 전달부로서 이용된다.
그리고 전달 블록(S3)에는 전달 아암(E1, E2)이 상하로 2단으로 설치되어 있고, 예를 들어 상기 전달 모듈(TRS21, TRS22, TRS20)에 대해서는 전달 아암(E2)에 의해 웨이퍼(W)의 전달을 행하고, 상기 전달 모듈(TRS20, TRS23, TRS24, TRS25, TRS26)에 대해서는 전달 아암(E1)에 의해 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록 구성되어 있다.
이 예의 셔틀 아암(G5, G6)에 대해, DEV층(1)에 설치되는 셔틀 아암(G5)을 예로 하여 도13을 이용하여 설명하면, 웨이퍼(W)의 이면측 주연 영역을 지지하고, 기대(72)를 따라 진퇴하기 위한 1개의 보유 지지 아암(71)을 구비하고 있고, 상기 기대(72)는 반송 기체(74) 상에 회전 기구(73)를 통해 연직축 주위로 회전 가능하게 설치되어 있다. 상기 반송 기체(74)는 예를 들어 선반 유닛(U4)의 상부측에, 선반 유닛의 길이 방향(도면 중 Y 방향)을 따라 설치된 지지 부재(76)의 반송 영역(R1)에 면하는 면에, 반송 영역(R1)의 길이 방향으로 신장하도록 설치된 가이드 레일(75)을 따라 상기 길이 방향으로 이동하도록 구성되고, 이렇게 하여 상기 선반 유닛(U1)의 전달 유닛(TRS10)과 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS20) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하도록 구성되어 있다.
또한 셔틀 아암(G6)도 셔틀 아암(G5)과 마찬가지로 구성되고, 전달 블록(S3) 의 전달 모듈(TRS20)과 선반 유닛(U3)의 전달 모듈(TRS30) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하도록 구성되어 있다. 또 전달 모듈(TRS10, TRS20, TRS30)은 이미 서술한 전달 모듈(TRS13)과 마찬가지로 구성되어 있다.
이와 같은 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해, 제1 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하고, 또한 그 위에 제2 반사 방지막을 형성하는 경우를 예로 하여, 도12를 이용하여 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어 블록(S1) → 트랜스퍼 아암(C) → 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS10) → 셔틀 아암(G5) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS20) → 전달 아암(E1) → 전달 모듈(TRS23) 또는 전달 모듈(TRS25)의 경로로 반송된다. 그리고 전달 모듈(TRS23) 또는 전달 모듈(TRS25)의 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A12, A14)에 의해 각각 BCT1층, BCT2층에 수취된다.
그리고 BCT1층의 내부에서는, 메인 아암(A12)에 의해 소정 모듈로 순차 반송된 후, 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS24)로 반송된다. 한편 BCT2층의 내부에 있어서는, 메인 아암(A14)에 의해 소정 모듈로 순차 반송된 후, 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS26)로 반송된다.
계속해서 전달 모듈(TRS24, TRS26)의 웨이퍼(W)는, 여기로부터 메인 아암(A24, A25)에 의해 각각 COT1층, COT2층에 수취된다. 그리고 COT1층에서는, 온도 조절 모듈(CPL) → 도포 모듈(COT) → 가열 모듈(LHP) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS23)의 경로로 반송되어, 제1 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다. 또한 COT2층에서는, 온도 조절 모듈(CPL) → 도포 모듈(COT) → 가열 모듈(LHP) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS25)의 경로로 반송되어, 제1 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다.
계속해서 웨이퍼(W)는, 각각의 전달 모듈(TRS23, TRS25)로부터 전달 아암(E1)에 의해 일단 전달 모듈(TRS20)로 반송된 후, 전달 아암(E2)에 의해 각각 전달 모듈(TRS21, TRS22)로 반송되어, 여기로부터 메인 아암(A26, A27)에 의해 각각 TCT1층, TCT2층에 수취된다. TCT1층에서는, 온도 조절 모듈(CPL) → 제2 반사 방지막 형성 모듈(TCT) → 가열 모듈(LHP) → 주변 노광 장치(WEE) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS31)의 경로로 반송되어, 레지스트막 상에 제2 반사 방지막이 형성된다. 한편 TCT2층에서는, 온도 조절 모듈(CPL) → 제2 반사 방지막 형성 모듈(TCT) → 가열 모듈(LHP) → 주변 노광 장치(WEE) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS32)의 경로로 반송되어, 레지스트막 상에 제2 반사 방지막이 형성된다.
그리고 전달 모듈(TRS31, TRS32)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 의해 노광 처리 장치(S6)로 반송되고, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다. 한편 노광 처리 후의 웨이퍼(W)에 대해서는, 인터페이스 아암(F) → 전달 모듈(TRS30) → 셔틀 아암(G6) → 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS20) → 전달 아암(E2) → 전달 모듈(TRS21 또는 TRS22) → 메인 아암(A11) → DEV1층의 경로로 반송된다.
그리고 DEV1층에서는, 메인 아암(A11)에 의해 소정 모듈로 순차 반송된 후, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS11)로 반송되고, 계속해서 전달 모듈(TRS11)의 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.
이와 같은 웨이퍼(W)의 반송은, 제어부(100)에 의해, 이 제어부(100)에 저장된 반송 레시피를 기초로 하여 메인 아암(A11 내지 A14, A24 내지 A27), 트랜스퍼 아암(C), 전달 아암(E1, E2), 셔틀 아암(G5, G6), 인터페이스 아암(F)을 제어함으로써 행해진다.
이와 같이 제1 처리 블록(S2)에 DEV1층을 마련하는 동시에, 제2 처리 블록(S4)에 TCT1층 및 TCT2층을 마련하도록 해도 좋고, 이 경우에 있어서도 2개의 처리 블록(S2, S4)을 이용하여 처리를 행하고 있으므로, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
이 때, BCT1층과 COT1층, 및 BCT2층과 COT2층을 전달 블록(S3)을 사이에 끼워 이웃하게 설치하고 있으므로, BCT1층으로부터 COT1층(BCT2층으로부터 COT2층)으로의 사이의 웨이퍼(W)의 전달은, 공통의 전달 모듈[TRS24(TRS26)]를 통해 행할 수 있다. 따라서 BCT1층 → COT1층(BCT2층 → COT2층)으로의 웨이퍼(W)의 반송은, 메인 아암(A12) → 전달 모듈(TRS24) → 메인 아암(A24)[메인 아암(A14) → 전달 모듈(TRS26) → 메인 아암(A25)]에 의해 행해지고, 이들 반송시에 전달 아암(E1)을 이용할 필요가 없으므로, 전달 아암(E1)의 부담이 경감되어 반송 처리량의 향상에 공헌할 수 있다.
또한 캐리어 블록(S1)으로부터 BCT1층 또는 BCT2층으로의 웨이퍼(W)의 전달 방법이 동일하고, 또한 BCTl(BCT2)층으로부터 COT1(COT2)층의 웨이퍼(W)의 전달 방법도 동일하므로, 반송 프로그램의 작성도 용이하다.
계속해서 본 발명의 또 다른 실시 형태에 대해 도14 내지 도16을 이용하여 설명한다. 이 예의 레지스트 패턴 형성 장치가 상술한 제1 실시 형태의 장치와 다른 점은, 제1 및 제2 처리 블록(S2, S4)에 설치된 단위 블록의 배치와, 제1 처리 블록(S2)과 제2 처리 블록(S4)에 제1 및 제2 전달 아암(D1, D2)이 설치되어 있지 않은 것과, 전달 블록(S3)의 구성과, 선반 유닛(U1, U3)에 설치되어 있는 모듈과, 웨이퍼의 반송 경로이다.
제1 처리 블록(S2)에는, 하방측으로부터 DEV1층, COT1층, BCT1층이 이 순서로 적층되어 있고, 제2 처리 블록(S4)에는, 하방측으로부터 DEV2층, COT2층, BCT2층이 이 순서로 적층되어 있다. 그리고 DEV1층, DEV2층끼리와, COT1층, COT2층끼리와, BCT1층, BCT2층끼리는, 각각 전달 블록(S3)을 개재하여 인접하도록 설치되어 있다. 또 DEV1층, DEV2층, COT1층, COT2층, BCT1층, BCT2층의 구성은 각각 상술한 제1 실시 형태의 구성과 마찬가지이다.
그리고 전달 블록(S3)은, 서로 인접하는 2개의 선반 유닛(U21, U22)을 구비하고 있고, 이들 선반 유닛(U21, U22)에는 각각 전달부가 다단으로 구성되는 동시에, 선반 유닛(U21)에 대해서는 전달 아암(E3), 선반 유닛(U22)에 대해서는 전달 아암(E4)에 의해, 각각 전달부에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.
상기 선반 유닛(U21)은 제1 처리 블록(S2)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위해 이용되므로, 선반 유닛(U21)의 각 전달부는 제1 처리 블록(S2)의 메인 아암(A11 내지 A13)이 액세스할 수 있는 위치에 설치된다. 또한 선반 유닛(U22)은, 제2 처리 블록(S4)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위해 이용되므로, 선반 유닛(U22)의 각 전달부는 처리 블록(S4)의 메인 아암(A21 내지 A23)이 액세스할 수 있는 위치에 설치된다.
또한 이들 선반 유닛(U21, U22)은 셔틀 아암(G1, G2) 전용의 공통의 전달 모듈(TRS-A)과, 셔틀 아암(G3, G4) 전용의 공통의 전달 모듈(TRS-B)을 구비하고 있고, 이들 전달 모듈(TRS-A, TRS-B)은 각각 양 셔틀 아암(G1, G2), 양 셔틀 아암(G3, G4)이 액세스할 수 있는 위치에 설치된다. 한편 상기 전달 아암(E3, E4)은 진퇴 가능하게, 승강 가능하게 그리고 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되고, 이들 전달 모듈(TRS-A, TRS-B)에 대해서는 양 전달 아암(E3, E4)을 액세스할 수 있도록 구성되어 있다.
그리고 전달 블록(S3)의 선반 유닛(U21)에는, DEV1층의 메인 아암(A11)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS21)과, COT1층(B13)의 메인 아암(A13)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS22, TRS23)과, BCT1층의 메인 아암(A12)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS24, TRS25)이 설치된다. 또한 전달 블록(S3)의 선반 유닛(U22)에는, DEV2층의 메인 아암(A21)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS41)과, COT2층의 메인 아암(A23)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS42, TRS43)과, BCT2층의 메인 아암(A22)에 의해 액세스되는 전달 모듈(TRS44, TRS45)이 설치된다.
또한 제1 처리 블록(S2)의 선반 유닛(U1)에는, 캐리어 블록(S1)과 DEV1층 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 제1 전달부로서, 전달 모듈(TRS11)과, 입력 포트(P1)와, 출력 포트(P2)가 설치되어 있다. 그리고 제2 처리 블록(S4)의 선반 유닛(U3)에는, DEV2층과 인터페이스 블록(S5) 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 제2 전달부로서, 출력 포트(P3)와 입력 포트(P4)가 설치되어 있다.
이와 같은 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해, 제1 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하는 경우를 예로 하여, 도16을 이용하여 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어 블록(S1)의 트랜스퍼 아암(C)으로부터 선반 유닛(U1)의 입력 포트(P1)를 통해 셔틀 아암(G1)에 전달되고, 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS-A)로 반송되어, 여기로부터 제1 처리 블록(S2)과 제2 처리 블록(S4)으로 나누어 반송된다.
즉 제1 처리 블록(S2)으로 반송할 때에는, 우선 전달 모듈(TRS-A) → 전달 아암(E3) → 전달 모듈(TRS24)의 경로로 반송되어, 메인 아암(A12)에 의해 BCT1층에 수취된다. 그리고 BCT1층의 내부에서는, 메인 아암(A12)에 의해 소정 모듈로 순차 반송된 후, 선반 유닛(U21)의 전달 모듈(TRS25)로 반송된다.
이 후 웨이퍼(W)는 전달 모듈(TRS25) → 전달 아암(E3) → 전달 모듈(TRS22)의 경로로 반송되어, 여기로부터 COT1층의 메인 아암(A13)에 의해 수취된다. 그리고 COT1층에서는, 소정 모듈로 순차 반송된 후, 선반 유닛(U21)의 전달 모듈(TRS23)로 반송된다. 계속해서 웨이퍼(W)는 전달 모듈(TRS23)로부터 전달 아암(E3)에 의해 전달 모듈(TRS-A)로 반송되고, 여기로부터 셔틀 아암(G2)에 의해 출력 포트(P3)를 통해 인터페이스 아암(F)으로 전달된다. 그리고 노광 장치(S6)에 반송되어, 소정의 노광 처리가 행해진다.
한편, 제2 처리 블록(S4)으로 반송할 때에는, 전달 모듈(TRS-A) → 전달 아암(E4) → 전달 모듈(TRS44)로 반송되어, 여기로부터 메인 아암(A22)에 의해 BCT2층에 수취된다. 그리고 BCT2층에서는, 메인 아암(A22)에 의해 소정 모듈로 순차 반송된 후, 선반 유닛(U22)의 전달 모듈(TRS45)로 반송된다.
이 후 웨이퍼(W)는 전달 모듈(TRS45) → 전달 아암(E4) → 전달 모듈(TRS42)의 경로로 반송되어, COT2층의 메인 아암(A23)에 의해 수취되고, COT2층 내에 있어서, 소정 모듈로 순차 반송된 후, 선반 유닛(U22)의 전달 모듈(TRS43)로 반송된다. 이 후 웨이퍼(W)는 전달 모듈(TRS43)로부터 전달 아암(E4)에 의해 전달 모듈(TRS-A)로 반송되고, 여기로부터 셔틀 아암(G2)에 의해 출력 포트(P3)로 반송되어, 인터페이스 아암(F)에 전달된다.
계속해서 노광 처리 후의 웨이퍼(W)에 대해서는, 제1 처리 블록(S2)의 DEV1층으로 반송할 때에는, 인터페이스 아암(F) → 입력 포트(P4) → 셔틀 아암(G3) → 전달 모듈(TRS-B) → 전달 아암(E3) → 전달 모듈(TRS21) → 메인 아암(A11) → DEV1층의 경로로 반송된다. 그리고 DEV1층 내에 있어서, 이미 서술한 바와 같이 소정 모듈로 순차 반송된 후, 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(TRS11)을 통해 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.
한편 제2 처리 블록(S4)의 DEV2층으로 반송할 때에는, 인터페이스 아암(F) → 전달 모듈(TRS31) → 메인 아암(A21) → DEV2층의 경로로 반송된다. 그리고 DEV2층 내에 있어서, 이미 서술한 바와 같이 소정 모듈로 순차 반송된 후, 선반 유닛(U22)의 전달 모듈(TRS41) → 전달 아암(E4) → 전달 모듈(TRS-B) → 셔틀 아암(G4) → 선반 유닛(U1)의 출력 포트(P2)의 경로로 반송되어, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.
이와 같은 웨이퍼(W)의 반송은, 제어부(100)에 의해, 이 제어부(100)에 저장 된 반송 레시피를 기초로 하여 메인 아암(A11 내지 A13, A21 내지 A23), 트랜스퍼 아암(C), 전달 아암(E3, E4), 셔틀 아암(G1 내지 G4), 인터페이스 아암(F)을 제어함으로써 행해진다.
이와 같이 전달 블록(S3)에, 제1 처리 블록(S2)과의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하기 위한 전달부를 다단으로 설치한 선반 유닛(U21)과, 제2 처리 블록(S4)과의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하기 위한 전달부를 다단으로 설치한 선반 유닛(U22)과, 이들 선반 유닛(U21, U22)의 전달부에 대해 액세스하는 전달 아암(E3, E4)을 설치하였으므로, 전달 아암(E3, E4)의 부담이 경감되어 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
또한 이 예에 있어서도, 전달 블록(S3)을 기점으로 하여 캐리어 블록(S1)으로부터 제1 처리 블록(S2) 또는 제2 처리 블록(S4)에 이르는 웨이퍼(W)의 반송과, 제1 처리 블록(S2) 또는 제2 처리 블록(S4)으로부터 인터페이스 블록(S5)에 이르는 웨이퍼(W)의 반송을 행하고 있으므로, 캐리어 블록(S1) → 제1 처리 블록(S2) → 인터페이스 블록(S5)의 반송 경로와, 캐리어 블록(S1) → 제2 처리 블록(S4) → 인터페이스 블록(S5)의 반송 경로가 동일해져, 반송 프로그램의 작성이 용이해진다.
이 때 이 예에 대해서도, 노광 처리 후의 웨이퍼(W)를 제2 처리 블록(S4)으로 반송할 때에는, 일단 셔틀 아암(G3)에 의해 전달 블록(S3)의 전달 모듈(TRS-B)에 반송하고, 여기로부터 전달 모듈(TRS41) → 메인 아암(A21)의 경로로 DEV2층 내로 반송하도록 해도 좋다.
이상에 있어서 본 발명에서는, 제1 처리 블록(S2)과 제2 처리 블록(S4)의 각 각에 셔틀 아암을 설치하도록 하였지만, 공통의 셔틀 아암을 이용하여 반송을 행하도록 해도 좋다. 또한 셔틀 아암은 왕로용과 귀로용을 별개로 설치하도록 하였지만, 왕로용과 귀로용으로서 공통의 셔틀 아암을 설치하도록 해도 좋다. 또한 셔틀 아암은, 제1 처리 블록(S2)과 제2 처리 블록(S4)의 최상층의 단위 블록에 설치해도 좋고, 왕로용 셔틀 아암과 귀로용 셔틀 아암을 별개의 단위 블록에 설치하도록 해도 좋다. 또한 셔틀 아암으로서는, 도6에 도시하는 구성이나 도13에 도시하는 구성 중 어느 쪽의 구성도 이용할 수 있다.
또한 본 발명은, 도포막으로서 레지스트막만을 형성하는 경우나, 레지스트막 상에 제2 반사 방지막을 형성하는 경우, 제1 반사 방지막과 레지스트막과 제2 반사 방지막을 형성하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한 제1 처리 블록(S2) 및 제2 처리 블록(S4)의 양방에 도포막 형성용 단위 블록이 포함되어 있고, 제1 처리 블록(S2) 및 제2 처리 블록(S4) 중 어느 하나에 현상 처리용 단위 블록이 포함되어 있으면, 제1 및 제2 처리 블록(S2, S4)에 설치하는 단위 블록은, BCT층과 COT층과 TCT층과 DEV층으로부터 자유자재로 선택할 수 있고, 각각의 적층 순서도 자유롭게 설정할 수 있다.
또한 선반 유닛(U4, U5)에 설치되는 처리 모듈로서는, 상술한 예와는 별도의 다른 모듈을 설치하도록 해도 좋다. 또한 선반 유닛(U1, U2, U3)에 설치되는 전달부로서는, 전달 모듈의 수를 많게 하도록 해도 좋고, 온도 조절 기구를 전달부를 겸용하는 타입의 구성의 모듈을 설치하도록 해도 좋다. 또한 선반 유닛(U1 내지 U3)에는, 소수화 처리를 행하는 모듈을 설치해도 좋고, 도포막의 막 두께의 검사나 웨이퍼(W)의 휨량의 검사를 행하는 검사 유닛을 설치하도록 해도 좋다.
또한 본 발명은 반도체 웨이퍼뿐만 아니라 액정 디스플레이용 글래스 기판(LCD 기판) 등의 기판을 처리하는 도포, 현상 장치에도 적용할 수 있다.
도1은 본 발명에 관한 도포, 현상 장치의 실시 형태를 나타내는 평면도.
도2는 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 사시도.
도3은 상기 도포, 현상 장치를 나타내는 측부 단면도.
도4는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 COT1층의 단위 블록을 도시하는 평면도.
도5는 상기 COT1층의 단위 블록을 도시하는 사시도.
도6은 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 셔틀 아암을 도시하는 단면도와 평면도.
도7은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로를 설명하기 위한 측면도.
도8은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 다른 실시 형태를 나타내는 평면도.
도9는 상기 도포, 현상 장치를 도시하는 측면도.
도10은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로를 설명하기 위한 측면도.
도11은 상기 도포, 현상 장치의 또 다른 실시 형태를 나타내는 측면도.
도12는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로를 설명하기 위한 측면도.
도13은 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 셔틀 아암을 설명하기 위한 사시도.
도14는 상기 도포, 현상 장치의 또 다른 실시 형태를 나타내는 평면도.
도15는 상기 도포, 현상 장치의 또 다른 실시 형태를 나타내는 측면도.
도16은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로를 설명하기 위한 측면도.
도17은 종래의 도포, 현상 장치를 도시하는 측면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
W : 반도체 웨이퍼
20 : 캐리어
S1 : 캐리어 블록
S2 : 제1 처리 블록
S3 : 전달 블록
S4 : 제2 처리 블록
S5 : 인터페이스 블록
S6 : 노광 장치
A11 내지 A23 : 메인 아암
C : 트랜스퍼 아암
D1 : 제1 전달 아암
D2 : 제2 전달 아암
E : 전달 아암
G1, G2 : 셔틀 아암
F : 인터페이스 아암
100 : 제어부

Claims (13)

  1. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판에 대해 도포막 형성용 단위 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀해 온 노광 후의 기판을 현상 처리용 단위 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 동시에, 상기 도포막 형성용 단위 블록 및 현상 처리용 단위 블록은 모두 약액을 기판에 도포하기 위한 액 처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 기판을 냉각하는 냉각 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하는 단위 블록용 기판 반송 수단을 구비하는 도포, 현상 장치에 있어서,
    상기 캐리어 블록에 접속되도록 설치되는 동시에, 도포막 형성용 단위 블록을 포함하는 복수의 단위 블록을 적층하여 구성되고, 캐리어 블록에 설치된 전달 수단에 의해 캐리어 블록과의 사이에서 기판의 전달이 행해지는 제1 처리 블록과,
    상기 인터페이스 블록에 접속되도록 설치되는 동시에, 도포막 형성용 단위 블록을 포함하는 복수의 단위 블록을 적층하여 구성되고, 인터페이스 블록에 설치된 인터페이스 아암에 의해 인터페이스 블록과의 사이에서 기판의 전달이 행해지는 제2 처리 블록과,
    제1 처리 블록과 제2 처리 블록 사이에 설치되고, 제1 처리 블록의 단위 블록의 기판 반송 수단 및 제2 처리 블록의 단위 블록의 기판 반송 수단에 의해 기판의 전달이 행해지는 공용 전달부가 다단으로 설치되는 동시에, 이들 공용 전달부끼 리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 전달 아암을 구비한 전달 블록과,
    제1 처리 블록과 제2 처리 블록 중 적어도 한쪽에 설치되고, 상기 도포막 형성용 단위 블록에 적층된 현상 처리용 단위 블록과,
    상기 제1 처리 블록에 설치되고, 캐리어 블록과 전달 블록의 공용 전달부 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 제1 직통 반송 수단과,
    상기 제2 처리 블록에 설치되고, 전달 블록의 공용 전달부와 인터페이스 블록 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 제2 직통 반송 수단과,
    캐리어 블록으로부터 제1 직통 반송 수단에 의해 기판을 전달 블록으로 반송하여, 이 전달 블록으로부터 기판을 제1 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록과 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 나누어 전달하고, 계속해서 제1 처리 블록 및 제2 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막이 형성된 기판을 제1 처리 블록 및 제2 처리 블록으로부터 전달 블록에 전달하고, 이 후 전달 블록으로부터 제2 직통 반송 수단에 의해 기판을 인터페이스 블록에 반송하도록, 상기 전달 수단과 직통 반송 수단과 전달 아암과 기판 반송 수단과 인터페이스 아암을 제어하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 레지스트막을 포함하는 도포막이 형성된 기판을 전달 블록으로부터 제2 직통 반송 수단에 의해 인터페이스 블록에 반송하는 대신에, 레지스트막을 포함하는 도포막이 형성된 기판을 제2 처리 블록으로부터 기판 반송 수단에 의해 인터페이스 블록에 반송하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 처리 블록에는, 캐리어 블록과 인접하는 영역에, 당해 제1 처리 블록의 적층된 단위 블록끼리의 사이에서 기판의 전달을 행하는 동시에, 제1 처리 블록과 캐리어 블록 사이에서 기판의 전달을 행하는 제1 전달부가 다단으로 설치되고, 이들 제1 전달부끼리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 제1 전달 아암이 설치되는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 처리 블록에는, 캐리어 블록과 인접하는 영역에, 당해 제1 처리 블록의 적층된 단위 블록끼리의 사이에서 기판의 전달을 행하는 동시에, 제1 처리 블록과 캐리어 블록 사이에서 기판의 전달을 행하는 제1 전달부가 다단으로 설치되고, 이들 제1 전달부끼리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 제1 전달 아암이 설치되는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 처리 블록에는, 인터페이스 블록과 인접하는 영역에, 당해 제2 처리 블록의 적층된 단위 블록끼리의 사이에서 기판의 전달을 행하는 동시에, 제2 처리 블록과 인터페이스 블록 사이에서 기판의 전달을 행하는 제2 전달부가 다단으로 설치되고, 이들 제2 전달부끼리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 제2 전달 아암이 설치되는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 직통 반송 수단 및 제2 직통 반송 수단은, 캐리어 블록으로부터 인터페이스 블록을 향해 기판을 반송하기 위한 왕로용 직통 반송 수단과, 인터페이스 블록으로부터 캐리어 블록을 향해 기판을 반송하기 위한 귀로용 직통 반송 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 처리 블록과 제2 처리 블록에는, 같은 종류의 도포막의 형성을 행하는 단위 블록이 전달 블록을 개재하여 인접하도록 설치되어 있고, 상기 같은 종류의 도포막의 형성을 행하는 단위 블록의 기판 반송 수단이 전달 블록의 공통의 공용 전달부에 대해 기판의 전달을 행하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도포막 형성용 단위 블록은, 기판에 레지스트막을 형성하는 단위 블록과, 기판에 레지스트막을 형성하기 전 또는 후에 이 기판에 반사 방지막을 형성하는 단위 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  9. 제8항에 있어서, 제1 처리 블록과 제2 처리 블록에는, 기판에 레지스트막을 형성하는 단위 블록과, 기판에 레지스트막을 형성하기 전 또는 후에 이 기판에 반사 방지막을 형성하는 단위 블록이 전달 블록을 개재하여 인접하도록 설치되어 있 고, 상기 단위 블록의 기판 반송 수단이 전달 블록의 공통의 공용 전달부에 대해 기판의 전달을 행하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전달 블록은, 제1 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 대해 기판의 전달을 행하기 위한 다단으로 설치된 제1 처리 블록용 전달부와, 이들 제1 처리 블록용 전달부끼리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 제1 처리 블록용 전달 아암과, 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 대해 기판의 전달을 행하기 위한 다단으로 설치된 제2 처리 블록용 전달부와, 이들 제2 처리 블록용 전달부끼리의 사이에서 기판의 반송을 행하는 제2 처리 블록의 전달 아암을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  11. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판에 대해 도포막 형성용 단위 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀해 온 노광 후의 기판을 현상 처리용 단위 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 방법에 있어서,
    상기 캐리어 블록으로부터, 이 캐리어 블록의 전달 수단에 의해, 이 캐리어 블록에 접속되고, 도포막 형성용 단위 블록을 포함하는 복수의 단위 블록을 적층하여 구성된 제1 처리 블록의 제1 직통 반송 수단에 기판을 전달하는 공정과,
    계속해서 기판을 상기 제1 직통 반송 수단에 의해, 상기 제1 처리 블록과 도 포막 형성용 단위 블록을 포함하는 복수의 단위 블록을 적층하여 구성된 제2 처리 블록에 접속된 전달 블록에 반송하는 공정과,
    계속해서 기판을 전달 블록에 설치된 전달 아암에 의해, 전달 블록에 다단으로 설치되고, 제1 처리 블록 및 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 대해 기판의 전달을 행하기 위한 공용 전달부에 반송하는 공정과,
    계속해서 공용 전달부의 기판을, 제1 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 설치된 기판 반송 수단 또는 제2 처리 블록의 도포막 형성용 단위 블록에 설치된 기판 반송 수단에 의해, 각각의 단위 블록으로 수취하는 공정과,
    계속해서 기판이 수취된 도포막 형성용 단위 블록 내에 있어서, 소정의 도포막의 형성 처리를 행하는 공정과,
    계속해서 기판 반송 수단에 의해 도포막이 형성된 기판을 전달 블록의 공용 전달부에 반송하는 공정과,
    계속해서 전달 블록의 공용 전달부의 기판을 제2 처리 블록에 설치된 제2 직통 반송 수단에 의해 인터페이스 블록에 반송하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  12. 제11항에 있어서, 전달 블록의 공용 전달부의 기판을, 제2 처리 블록에 설치된 제2 직통 반송 수단에 의해 인터페이스 블록에 반송하는 대신에, 제2 처리 블록의 기판 반송 수단에 의해 인터페이스 블록에 반송하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.
  13. 캐리어 블록으로부터 수취한 기판에 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 동시에, 노광 후의 기판에 대해 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
    상기 프로그램은, 제11항 또는 제12항에 기재된 도포, 현상 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120005938A (ko) * 2010-07-09 2012-01-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체
KR20160113024A (ko) * 2015-03-19 2016-09-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4924186B2 (ja) * 2007-04-27 2012-04-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP4924187B2 (ja) * 2007-04-27 2012-04-25 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び塗布、現像装置並びに記憶媒体
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) * 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5408059B2 (ja) * 2010-07-09 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5348083B2 (ja) * 2010-07-16 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5212443B2 (ja) * 2010-09-13 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP6058999B2 (ja) 2012-12-11 2017-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法
JP5644915B2 (ja) * 2013-08-13 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP6003859B2 (ja) * 2013-09-18 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP7360849B2 (ja) * 2019-08-30 2023-10-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板搬送方法
JP2022083842A (ja) 2020-11-25 2022-06-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2023027655A (ja) 2021-08-17 2023-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000068118A1 (fr) * 1999-05-06 2000-11-16 Tokyo Electron Limited Systeme de transfert pour substrat de verre d'affichage a cristaux liquides
JP3462426B2 (ja) * 1999-05-24 2003-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4376072B2 (ja) * 2004-01-16 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4356936B2 (ja) * 2005-01-21 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
US7267497B2 (en) * 2005-01-21 2007-09-11 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method
JP4459831B2 (ja) * 2005-02-01 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
US7403260B2 (en) * 2005-03-11 2008-07-22 Tokyo Electron Limited Coating and developing system
JP4685584B2 (ja) * 2005-03-11 2011-05-18 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4687682B2 (ja) * 2007-03-30 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120005938A (ko) * 2010-07-09 2012-01-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체
KR20160113024A (ko) * 2015-03-19 2016-09-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

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CN101276745B (zh) 2011-05-11

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