JP2023027655A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置に関してスループットを高くすると共に省スペースとする。【解決手段】搬入出ブロックと、搬入出ブロックとの間で基板が搬送され、搬入出ブロックに対して左右の一方側に設けられる処理ステーションと、処理ステーションに対して左右の一方側に設けられ、処理ステーションとの間で基板が搬送される中継ブロックと、基板に対して処理を行う処理モジュールと、当該処理モジュールに対して前記基板を受け渡す主搬送機構と、を各々備え、左右に並んで複数設けられて処理ステーションを構成する処理ブロックと、主搬送機構とは別に、左右のブロック間で基板を搬送するために左右に並ぶ処理ブロック毎に設けられるバイパス搬送機構と、を備えるように装置を構成する。バイパス搬送機構による基板の搬送路であるバイパス搬送路について、互いの高さが異なり、且つ平面視でその一部が互いに重なる。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）が、各種の処理モジュール間を搬送されることで液処理や加熱処理などの各処理が行われる。特許文献１には、複数の処理モジュールが各々設けられると共に互いに積層される複数の単位ブロックと、処理モジュール間でウエハを搬送するために単位ブロック毎に設けられるメインアームと、を各々備える処理ブロックＳ２、Ｓ４を含む塗布、現像装置について記載されている。処理ブロックＳ２、Ｓ４はキャリアブロックと露光装置とに挟まれると共に、処理ブロックＳ２、Ｓ４間にはウエハを昇降搬送するブロックＳ３が介在する。そして、各処理ブロックＳ２、Ｓ４の下側の単位ブロックにはメインアームとは別の搬送機構として、処理モジュールを介さずにウエハを搬送するシャトルアームが複数設けられている。

処理ブロックＳ２のシャトルアームを利用してブロックＳ３に搬送されたウエハは、処理ブロックＳ２、Ｓ４の上側の単位ブロックに振り分けられた後、ブロックＳ３に戻されて処理ブロックＳ４のシャトルアームを利用して露光装置に搬送される。その後、処理ブロックＳ２、Ｓ４の一方で処理を行うにあたり、シャトルアームを利用して処理を行わないブロックの処理モジュールについてバイパスされるようにキャリアブロック側へ搬送される。

特開２００８－２５８２０８号公報

本開示は、基板処理装置に関してスループットを高くすると共に、省スペースとすることができる技術を提供する。

本開示の基板処理装置は、基板の搬入及び搬出を行う搬入出ブロックと、
前記搬入出ブロックとの間で前記基板が搬送され、当該キャリアブロックに対して左右の一方側に設けられる処理ステーションと、
前記処理ステーションに対して左右の一方側に設けられ、当該処理ステーションとの間で前記基板が搬送される中継ブロックと、
前記基板に対して処理を行う処理モジュールと、当該処理モジュールに対して前記基板を受け渡す主搬送機構と、を各々備え、左右に並んで複数設けられて前記処理ステーションを構成する処理ブロックと、
前記主搬送機構とは別に、左右のブロック間で基板を搬送するために前記左右に並ぶ処理ブロック毎に設けられるバイパス搬送機構と、を備え、
前記バイパス搬送機構による基板の搬送路であるバイパス搬送路について、互いの高さが異なり、且つ平面視でその一部が互いに重なる。

本開示は、基基板処理装置に関してスループットを高くすると共に、省スペースとすることができる。

本開示の第１の実施形態に係る基板処理装置の横断平面図である。 前記基板処理装置の縦断正面図である。 前記基板処理装置の縦断正面図である。 前記基板処理装置の縦断側面図である。 前記基板処理装置に設けられるシャトルの横断平面図である。 前記シャトルの斜視図である。 前記シャトルに設けられるウエハ搬送部の上面側斜視図である。 前記ウエハ搬送部の下面側斜視図である。 前記シャトルの平面図である。 前記シャトルの平面図である。 前記シャトルの左右方向の移動速度を示すグラフ図である。 前記ウエハ搬送部の位置を示す説明図である。 前記シャトルによるウエハの搬送路の平面図である。 前記基板処理装置におけるウエハの搬送経路を示す説明図である。 前記基板処理装置の変形例を示す概略正面図である。 第２の実施形態に係る基板処理装置の概略正面図である。 前記基板処理装置におけるウエハの搬送経路を示す説明図である。

〔第１の実施形態〕
本開示の第１の実施形態に係る基板処理装置１について、図１の横断平面図、図２、図３の縦断正面図を夫々参照して説明する。図２、図３については装置の異なる位置の断面を示している。基板処理装置１は、キャリアブロックＤ１と、第１の積層処理ブロックＤ２と、第２の積層処理ブロックＤ３と、インターフェイスブロックＤ４と、がこの順で横方向に直線状に並んで配列されている。そして、これらのブロック（キャリアブロック、第１及び第２の積層処理ブロック、インターフェイスブロック）Ｄ１～Ｄ４について、隣り合うもの同士は互いに接続されている。また、これらのブロックＤ１～Ｄ４は、各々筐体を備えて互いに区画されており、各筐体の内部には、円形の基板であるウエハＷの搬送領域が形成されている。

ブロックＤ１～Ｄ４の配列方向を左右方向とし、説明の便宜上、キャリアブロックＤ１側を左側、インターフェイスブロックＤ４を右側とする。また、装置の前後方向について、キャリアブロックＤ１を左としたときの手前を前方、奥を後方とする。中継ブロックであるインターフェイスブロックＤ４には、右側から露光機２０が接続されている。

ブロックＤ１～Ｄ４の各々について詳細に説明する前に、基板処理装置１の概略構成を述べる。上記のキャリアブロックＤ１には、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）と呼ばれるキャリアＣに格納された状態でウエハＷが搬送され、当該ウエハＷの表面にはレジスト膜が形成されている。基板処理装置１は、液処理である洗浄処理及び現像処理、露光後で現像処理前のウエハＷの加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake)などの各種の処理を行う処理モジュールを備え、また、ＰＥＢを行う前にレジスト膜を露光するために露光機２０にウエハＷを受け渡す。

第１の積層処理ブロックＤ２及び第２の積層処理ブロックＤ３により、液処理を含む各種の処理が行われる処理ステーションＧが構成されている。そして、第１の積層処理ブロックＤ２及び第２の積層処理ブロックＤ３は、各々縦方向において２分割されるように区画されており、区画された各々が、処理モジュールと、当該処理モジュールに対する受け渡しが可能な主搬送機構と、を備える処理ブロックをなす。上記のように２つに区画された第１の積層処理ブロックＤ２の下側、上側を夫々処理ブロック２Ａ、処理ブロック２Ｂとし、２つに区画された第２の積層処理ブロックＤ３の下側、上側を夫々処理ブロック２Ｃ、処理ブロック２Ｄとする。

処理ブロック２Ａ、２Ｃは互いに隣接しており、これらの処理ブロック２Ａ、２Ｃをまとめて下側処理ブロックと記載する場合が有る。また、処理ブロック２Ｂ、２Ｄは互いに隣接しており、これらの処理ブロック２Ｂ、２Ｄをまとめて上側処理ブロックと記載する場合が有り、図１では当該上側処理ブロックを示している。この上側処理ブロックである処理ブロック２Ｂ、２Ｄの各々には、主搬送機構とは別の搬送機構（バイパス搬送機構）が設けられる。当該別の搬送機構について、以降はシャトルとして記載する。当該シャトルは、処理モジュールを経由しないようにウエハＷを、搬送経路の下流側のブロックに向けて搬送する。

下側処理ブロックは、キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ４へ向けてウエハＷを搬送する往路を形成する。そして上側処理ブロックは、露光機２０にて露光済みのウエハＷを、インターフェイスブロックＤ４からキャリアブロックＤ１へ向けて搬送する復路を形成する。当該復路においてウエハＷは、処理ブロック２Ｂ及び２Ｄのうちの一方の処理ブロックにおける搬送機構によって処理モジュールへ搬送されて処理を受け、他方の処理ブロックではシャトルによって搬送される。つまり復路としては２つの搬送経路が有り、ウエハＷはその２つのうちのいずれかの経路で搬送される。なお、モジュールとは搬送機構（シャトルを含む）以外でのウエハＷが載置される場所である。ウエハＷに処理を行うモジュールを、上記のように処理モジュールとして記載するが、この処理としては検査のために画像を取得することも含む。

以下、各ブロックについて説明する。キャリアブロックＤ１は、ウエハＷを格納するキャリアＣに対してウエハＷの搬入及び搬出を行う搬入出ブロックである。キャリアブロックＤ１を構成する筐体の左側の側面には、キャリアＣを支持する支持台が３つ、縦方向に並んで設けられ、下側から支持台１１、１２、１３とする。当該支持台１１～１３については各々４つずつ、前後に並ぶキャリアＣのステージを備えている。支持台１１、１２の各々の前方側の２つのステージは、装置に対してウエハＷの搬入出を行うためにキャリアＣが載置されるステージ１４である。その他のステージについては、基板処理装置１に対するキャリアＣの搬入出用のステージ、あるいは移載先への移載が不可であるときにキャリアＣを一時的に退避させるステージとして構成されており、ステージ１５として示している。ステージ１４、１５間でキャリアＣを移載する移載機構１６が設けられている。

キャリアブロックＤ１の筐体内における搬送領域１７の前方側、後方側に搬送機構１８、１９が夫々設けられており、さらに平面視で搬送機構１８、１９に挟まれて、モジュール積層体Ｔ１が設けられている。モジュール積層体Ｔ１は、ウエハＷが仮置きされる受け渡しモジュールＴＲＳ、載置されたウエハＷの温度を調整する温度調整モジュールＳＣＰＬなどが縦方向に重なることで構成されている。なお、後述の他のモジュール積層体も同様の構成である。なお、本明細書ではモジュール同士が平面視で重なっている場合には、互いに離れていても積層体をなすものとする。

ところで温度調整モジュールＳＣＰＬについては載置されたウエハＷの温度調整が可能であり、搬送機構の昇降動作によってウエハＷが受け渡される。受け渡しモジュールＴＲＳについては、例えば横方向に並んだ複数のピンを備え、搬送機構の昇降動作によって当該ピンに対してウエハＷが受け渡される構成である。ＴＲＳ、ＳＣＰＬは、キャリアブロックＤ１以外のブロックにおいてもモジュール積層体をなすように設けられており、各モジュール積層体を構成するモジュールの中にはブロック間でウエハＷを受け渡す役割を有するものが含まれる。なお、シャトルとの間でウエハＷを受け渡すシャトル用ＴＲＳについては上記した構成とは異なり昇降が可能であるが、詳しくはシャトルと共に述べる。また、以降は各所のＳＣＰＬ、ＴＲＳを互いに区別するために、ＳＣＰＬ、ＴＲＳの後に数字を付して示す。モジュール積層体Ｔ１を構成するモジュールについて、下側から上側に向けてＴＲＳ１、ＴＲＳ２、ＳＣＰＬ１、ＴＲＳ３、ＳＣＰＬ２として示している。

ＳＣＰＬ１は往路を形成するために下側処理ブロックの高さに、ＴＲＳ３、ＳＣＰＬ２は復路を形成するために上側処理ブロックの高さに夫々位置している。ＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、搬送機構１８、１９間でのウエハＷの受け渡しに用いられる。後に図１４で示す搬送経路でウエハＷを搬送できるように、搬送機構１８はＴＲＳ１、ＴＲＳ２に対して、搬送機構１９はＴＲＳ１～ＴＲＳ３、ＳＣＰＬ１及びシャトル用ＴＲＳ１２Ｂに対して、夫々アクセス可能である。なお、モジュール積層体Ｔ１を構成するモジュール間に処理前検査モジュール２９が設けられており、当該処理前検査モジュール２９の一部の部位は、ブロックの筐体の外部に突出している。処理前検査モジュール２９は、基板処理装置１で処理を行う前のウエハＷについて、検査のために上記した画像の取得を行う。搬送機構１８は当該検査モジュール２９にもアクセス可能である。

続いて、第１の積層処理ブロックＤ２（処理ブロック２Ａ、２Ｂ）について、縦断側面図である図４も参照して説明する。第１の積層処理ブロックＤ２の前方側は縦方向において区画されることで８つの階層が形成されており、各階層について下側から上側に向けてＥ１～Ｅ８とする。下側のＥ１～Ｅ４の階層が処理ブロック２Ａに、上側のＥ５～Ｅ８の階層が処理ブロック２Ｂに夫々含まれる。各階層は、液処理モジュールを設置可能な領域である。

先ず、処理ブロック２Ｂについて説明すると、階層Ｅ５～Ｅ８に液処理モジュールとして、ウエハＷに現像液を供給する現像モジュール２１が各々設けられている。そして、階層Ｅ５～Ｅ８の後方にはウエハＷの搬送領域２２が設けられている。この搬送領域２２は、処理ブロック２Ｂの左端から右端に亘り、且つ階層Ｅ５の高さから階層Ｅ８の高さに亘って、平面視で直線状に形成されている。搬送領域２２の後方には、処理モジュールが例えば縦方向に７段に積層されることで処理モジュール積層体２３として設けられており、この処理モジュール積層体２３は左右に間隔を空けて２つ設けられている。その２つの処理モジュール積層体２３には、ＰＥＢを行う加熱モジュール２４及び処理後検査モジュール２５が含まれる。処理後検査モジュール２５は画像の取得対象が、装置で処理後のウエハＷであることを除いて、処理前検査モジュール２９と同様である。

処理ブロック２Ｂには、主搬送機構３Ｂが設けられている。主搬送機構３Ｂは、支柱３１と、本体部３２と、ウエハＷを保持する保持部３３と、を備えている。本体部３２を支持する支柱３１は、処理ブロック２Ｂの左右の中央部を、当該処理ブロック２Ｂの下端部から上端部へ鉛直方向に伸長しており、２つの処理モジュール積層体２３によって左右から挟まれて位置する。より詳しくは、その２つの処理モジュール積層体２３の間の領域の前端側に位置している。そして、多関節アームである本体部３２の基端側が、支柱３１の前方側の側面に支持されて搬送領域２２に設けられており、支柱３１の伸長方向に沿って昇降する。そのように本体部３２を昇降させる機構が、例えば支柱３１に設けられている。本体部３２の先端側の腕部は、２つの保持部３３を独立して進退させる基台として構成されている。

主搬送機構３Ｂにより、処理ブロック２Ｂ内の各処理モジュール、及び処理ブロック２Ｂに隣接するブロックに設けられるモジュール積層体（Ｔ１及び後述のＴ２）において当該処理ブロック２Ｂと同じ高さに位置するモジュールに対して、ウエハＷが受け渡される。なお、主搬送機構３Ｂは、当該処理ブロック２Ｂに設けられる、後述のシャトル用ＴＲＳに対してもウエハＷを受け渡すことができる。

処理モジュール積層体２３の下方側は、区画された扁平なスペース５Ｂとして構成されており、スペース５Ｂは、処理ブロック２Ｂの左端から右端に亘って設けられている。上記の支柱３１は、このスペース５Ｂの左右の中心部の前端部に食い込むように位置する。従って、スペース５Ｂの左右の中心部の前端部は、後方に向けて凹んでいる。シャトル４Ｂ及び当該シャトル用ＴＲＳ１２Ｂ、ＴＲＳ１２Ｄが、当該スペース５Ｂに設けられている。これらシャトル及びシャトル用ＴＲＳについては後に詳述する。

ところで、以降に述べる処理ブロック２Ｂ以外の各処理ブロックについては、後に説明する差異点を除けば、当該処理ブロック２Ｂと概ね同様の構成である。各処理ブロックは各々主搬送機構３Ｂに相当する主搬送機構を備えるが、この主搬送機構の符号としては「Ｂ」の代わりに、その処理ブロックに付されているものと同じ英字を付して示す。具体的には、処理ブロック「２Ａ」であれば、その主搬送機構について「３Ａ」として示す。そして、主搬送機構３Ｂに相当する他の主搬送機構についても、当該主搬送機構が設けられる処理ブロック内の処理モジュール及びシャトル用ＴＲＳや、当該処理ブロック内あるいは当該処理ブロックに左右方向に隣接するブロックのモジュール積層体に対して、ウエハＷを受け渡し可能に構成されている。

また、上記のスペース５Ｂに相当する、シャトルを設置可能なスペースの符号についても「Ｂ」の代わりに、処理ブロックに付されている英字と同じ英字を付して示す。さらに、処理ブロックにシャトルが設けられる場合には、そのシャトルの符号としても、当該処理ブロックに付される英字と同じ英字を付して示す。また、シャトル用ＴＲＳについては、シャトルが設けられる処理ブロックと同じ英字を付すと共に、搬送元となるＴＲＳに１１、搬送先となるＴＲＳに１２を夫々英字の前に付して示す。そして、シャトルによるウエハＷの搬送路について、数字４０の後に、シャトルに付した英字と同じ英字を付して示す。以上の符号の規則について具体例を挙げて示すと、後述する処理ブロック２Ｄに設けられるシャトルは４Ｄとして示す。そして、このシャトル４Ｄの搬送元、搬送先のＴＲＳは夫々ＴＲＳ１１Ｄ、ＴＲＳ１２Ｄとして示し、シャトル４ＤによるウエハＷの搬送路は４０Ｄとして示し、シャトル４Ｄが設けられるスペースは５Ｄとして示す。

処理ブロックの構成の説明に戻り、処理ブロック２Ｂの下側の処理ブロック２Ａについて図４を用いて説明する。処理ブロック２Ｂとの差異点としては各階層Ｅ１～Ｅ４に液処理モジュールとして、ウエハＷの裏面に洗浄液を供給して洗浄する裏面洗浄モジュール２６が設けられること、及び搬送領域２２は階層Ｅ１～Ｅ４の高さに亘って設けられることが挙げられる。また、処理モジュール積層体２３を構成する処理モジュールとして、現像時にウエハＷの周縁部の不要なレジスト膜が除去されるようにするための周縁露光モジュール２７が含まれている。そして、処理ブロック２Ａでは処理モジュール積層体２３の下方側の代わりに、上方側にスペース５Ａが設けられているが、本例では当該スペース５Ａにシャトルは設けられていない。そのようにスペースと処理モジュール積層体２３との上下の位置関係は処理ブロック２Ｂと異なるが、処理ブロック２Ａでも２つの処理モジュール積層体２３に挟まれた位置に、主搬送機構３Ａの支柱３１が設けられている。そして、平面視での処理モジュール積層体２３、主搬送機構３Ａ、搬送領域２２、液処理モジュールのレイアウトは、処理ブロック２Ｂのレイアウトと同じである。

続いて、図１～図３を用いて装置の右側の各処理ブロックをなす第２の積層処理ブロックＤ３（処理ブロック２Ｃ、２Ｄ）について説明する。当該第２の積層処理ブロックＤ３は、第１の積層処理ブロックＤ２と略同様の構成であり、第１の積層処理ブロックＤ２との差異点を中心に説明する。先ず、上側の処理ブロック２Ｄについて述べると、搬送領域２２、処理モジュール積層体２３、主搬送機構及び処理モジュールに積層されたシャトル設置用のスペースの位置関係について、処理ブロック２Ｂと同じである。また、処理ブロック２Ｄに搭載される処理モジュールは、処理ブロック２Ｂの処理モジュールと同じである。そして、処理ブロック２Ｄにおけるシャトル用のスペース５Ｄは、スペース５Ｂと同じ高さに位置すると共に、スペース５Ｂと連通している。当該スペース５Ｄには、シャトル４Ｄ、シャトル用ＴＲＳ１１Ｂ、１１Ｄが設けられている。

そして、下側の処理ブロック２Ｃについては、同じく下側の処理ブロック２Ａと略同様の構成であり、差異点を挙げると、階層Ｅ１～Ｅ４には、露光機２０による露光後にウエハＷの表面に洗浄液を供給して洗浄する露光後洗浄モジュール２８が設けられていることが挙げられる。また、処理ブロック２Ｃでは当該洗浄以外の処理は行われず、処理モジュール積層体２３が設けられていない。そして、スペース５Ｃはスペース５Ａと同じ高さに位置してスペース５Ａと連通するが、本例ではこのスペース５Ｃにはシャトルが設けられていない。

ところで第２の積層処理ブロックＤ３の搬送領域２２の左端部には、モジュール積層体Ｔ２が設けられており、モジュール積層体Ｔ２は平面視で第１の積層処理ブロックＤ２の搬送領域２２の右端部にその一部が掛かるように位置している。モジュール積層体Ｔ２には、下側処理ブロックの高さに位置するＴＲＳ４、及び上側処理ブロックの高さに位置するＳＣＰＬ３が含まれる。

インターフェイスブロックＤ４について説明する。インターフェイスブロックＤ４は、前後の中央部にモジュール積層体Ｔ３を備える。このモジュール積層体Ｔ３には、互いに積層されたＴＲＳ５～ＴＲＳ８、温度調整モジュールＩＣＰＬが含まれる。ＩＣＰＬは露光機２０による露光の直前に、ＳＣＰＬと同様にウエハＷの温度を調整する。ＴＲＳ５～ＴＲＳ７は下側処理ブロックの高さに、ＴＲＳ８は上側処理ブロックの高さに夫々設けられている。モジュール積層体Ｔ３の前方、後方には夫々搬送機構３４、３５が設けられている。搬送機構３４は、露光機２０とＴＲＳ５とモジュール積層体Ｔ３の下方寄りに位置するＩＣＰＬとの間でウエハＷを受け渡す。搬送機構３５は、モジュール積層体Ｔ３を構成する各モジュールと、処理ブロック２Ｄのシャトル用ＴＲＳ１１Ｄと、に対してウエハＷの受け渡しを行う。

続いて、シャトル４Ｂ、４Ｄ、及びシャトル用ＴＲＳ１１Ｂ、１２Ｂ、１１Ｄ、１２Ｄについて説明する。上記したようにシャトル４Ｂ、４Ｄを用いることで、ウエハＷの復路には２つの搬送経路が含まれる。そのうちの一方の搬送経路では、ウエハＷがインターフェイスブロックＤ４から処理ブロック２Ｄに搬送されて当該処理ブロック２Ｄで処理された後、シャトル４ＢによりＴＲＳ１１Ｂから処理ブロック２ＢのＴＲＳ１２Ｂへ搬送され、キャリアブロックＤ１に戻される。他方の搬送経路では、インターフェイスブロックＤ４から処理ブロック２ＤのＴＲＳ１１Ｄに搬送されたウエハＷが、シャトル４Ｄにより処理ブロック２ＢのＴＲＳ１２Ｄに搬送され、当該処理ブロック２Ｂにて処理されて、キャリアブロックＤ１に戻される。

図１に示すように、シャトル４Ｂ用のＴＲＳ１１Ｂ、１２Ｂのうち、搬送先のＴＲＳ１２Ｂについては、キャリアブロックＤ１の搬送機構１９との間でウエハＷの受け渡しができるように、スペース５Ｂの左端部、即ち主搬送機構３Ｂの支柱３１に対して左方に設けられている。そして搬送元のＴＲＳ１１Ｂについては、主搬送機構３Ｄとの間でのウエハＷの受け渡しを可能にしつつ、シャトル４Ｂによる搬送領域の大型化が防止されるように、主搬送機構３Ｄの支柱３１に対して左方且つモジュール積層体Ｔ２よりも右方に位置する。シャトル４Ｄ用のＴＲＳ１１Ｄ、１２Ｄのうち、搬送元のＴＲＳ１１Ｄについては、インターフェイスブロックＤ４の搬送機構３５との間でウエハＷの受け渡しができるように、スペース５Ｄの右端部、即ち主搬送機構３Ｄの支柱３１に対して右方に設けられている。搬送先のＴＲＳ１２Ｄについては、主搬送機構３Ｂとの間でのウエハＷの受け渡しを可能にしつつ、シャトル４Ｄによる搬送領域の大型化が防止されるように、当該主搬送機構３Ｂの支柱３１に対して右方且つモジュール積層体Ｔ２よりも左方に位置する。

そして、これらのシャトル用のＴＲＳ１１Ｂ、１２Ｂ、１１Ｄ、１２Ｄについては、シャトル以外の各搬送機構によるウエハＷの受け渡しができるようにするために、いずれもスペース５Ｂまたは５Ｄにおける前方寄りの位置に設けられている。従って、平面視でＴＲＳ１１ＢとＴＲＳ１２Ｂとを結ぶ直線上には主搬送機構３Ｂの支柱３１が、平面視でＴＲＳ１１ＤとＴＲＳ１２Ｄとを結ぶ直線上には主搬送機構３Ｄの支柱３１が夫々位置する。

そこで、シャトル４Ｂは主搬送機構３Ｂの支柱３１を迂回するようにＴＲＳ１１ＢからＴＲＳ１２ＢへウエハＷを搬送し、シャトル４Ｄは主搬送機構３Ｄの支柱３１を迂回するようにＴＲＳ１１ＤからＴＲＳ１２ＤへウエハＷを搬送するように構成されている。従って、シャトル４ＢによるウエハＷの搬送路４０Ｂ、シャトル４ＤによるウエハＷの搬送路４０Ｄは、左右の移動路の他に前後の移動路を含む迂回路をなす。なお、これらの搬送路４０Ｂ、４０Ｄは夫々水平な搬送路であり、図１では点線の矢印、二点鎖線の矢印で夫々示している。

上記の搬送路４０Ｂ、４０Ｄは、バイパス搬送機構であるシャトル４Ｂ、４Ｄによって搬送がなされるバイパス搬送路である。そして、シャトル用の基板載置部であるＴＲＳ１１Ｂ、１２Ｂはシャトル４Ｂとの間でウエハＷを受け渡すという役割から、搬送路４０Ｂの長さ方向の一端部、他端部に夫々位置する。同様に、シャトル用の基板載置部であるＴＲＳ１１Ｄ、１２Ｄはシャトル４Ｄとの間でウエハＷを受け渡すという役割から、搬送路４０Ｄの長さ方向の一端部、他端部に夫々位置する。

以下、シャトル４Ｂの構成の概要について説明する。シャトル４Ｂは、ベース体４１と、中間移動体６１と、ウエハ搬送部７１と、を備えており、これらの３つの部材が左右方向に相対移動する。ベース体４１はスペース５Ｂの後方寄りの位置にて左右に伸びる長尺な部材であり、当該位置に固定されて設けられている。従って、ベース体４１は処理ブロック２Ｂにおいて、処理モジュール積層体２３や液処理モジュールに対する位置が固定されている。中間移動体６１はベース体４１の前方側に設けられ、左右に延びる長尺な部材である。ウエハ搬送部７１は中間移動体６１の前方側に設けられ、ウエハＷを支持して搬送する。

中間移動体６１は、ベース体４１に対して左右に水平移動可能な移動体である。ウエハ搬送部７１は中間移動体６１に対して左右且つ前後に水平移動可能である。中間移動体６１の左方への移動とウエハ搬送部７１の左方への移動が共に行われ、中間移動体６１の右方への移動とウエハ搬送部７１の右方への移動が共に行われる。そして、ウエハ搬送部７１に対する左右の位置に応じて、ウエハ搬送部７１の前後の位置が変化することで、上記したＴＲＳ１１Ｂ、ＴＲＳ１２Ｂ間でのウエハＷの搬送が行われる。中間移動体６１の移動、ウエハ搬送部７１の移動は共に、ベース体４１に設けられるモータ４２を動力源として行われる。

以下、図５の平面図及び図６の概略斜視図を参照してシャトル４Ｂの各部の構成を詳しく説明する。図５、図６では、ベース体４１及び中間移動体６１の上部側を切り欠いて、内部を示している。ベース体４１は角型で左右に長尺な筐体４３を備えており、当該筐体４３の左端部から後方に突出するようにモータ４２が設けられている。筐体４３内の後端側における左端部、右端部にはプーリ４４、４５が夫々設けられている。プーリ４４、４５は前後に伸びる水平軸回りに回動可能であり、これらプーリ４４、４５には無端のベルト４６が掛けられている。プーリ４４はモータ４２に接続されており、当該モータ４２によってプーリ４４、４５を介してベルト４６が回動する。

筐体４３内で、ベルト４６が設けられる位置よりも前方側には、左右に直線状に伸びるガイドレール４７、４８が設けられている。ガイドレール４７、４８は、前後に間隔を空けて、互いに並行するように設けられており、ガイドレール４７は筐体４３の前後の中央部に、ガイドレール４８は筐体４３の前方寄りの位置に設けられる。そして筐体４３内にはスライダ５１が設けられており、当該スライダ５１は角型の台をなす本体部５１Ａと、本体部５１Ａから後方に突出する接続部５１Ｂと、を備えている。本体部５１Ａはガイドレール４７、４８に接続され、当該接続部５１Ｂはベルト４６に接続されている。そして、上記したベルト４６の回動により、当該スライダ５１はガイドレール４７、４８に沿って、左右に水平移動する。なお、スライダ５１に接続されるガイドレールをこのように２つ、既述した位置に設けるのは、前方側に中間移動体６１及びウエハ搬送部７１を支持するベース体４１について高い剛性を担保して歪みを抑え、ウエハＷを所望の位置へとより確実には搬送するためである。

筐体４３の前方側の側面には、左右に伸びて筐体４３内に開口するスリット４９が形成されており、スライダ５１の本体部５１Ａの前方側は、当該スリット４９を介して筐体４３の外部に突出している。そして筐体４３内には、左端側の前後及び右端側の前後の計４箇所に、鉛直軸回りに回動可能なローラ５２が設けられている。各ローラ５２にシールベルト５３が掛けられると共に、シールベルト５３の一端、他端は夫々本体部５１Ａの左端、右端に接続される。それによって、スリット４９における本体部５１Ａが位置する箇所以外の箇所が、当該シールベルト５３によって筐体４３の内側から塞がれる。なお、平面視でシールベルト５３の筐体４３内の後方側を左右に伸びる部位と、スライダ５１の接続部５１Ｂとは重なるが、互いに干渉しないように接続部５１Ｂはシールベルト５３よりも下方に位置する。

また、筐体４３内における左端部と右端部とに、鉛直軸回りに回動可能なローラ５４が設けられている。この２つのローラ５４に前方からベルト５５が掛けられており、当該ベルト５５は２つのローラ５４間にて、ガイドレール４７、４８と並行すると共にスライダ５１の本体部５１Ａ上に位置する。そして、ベルト５５の一端、他端は、各ローラ５４の後方に設けられる固定部材５６に接続されることで、筐体４３内に固定されている。

本体部５１Ａの後部上には、鉛直軸回りに各々回動可能なプーリ５７、５８が、この順に上方へ向けて積層されて設けられており、これらプーリ５７、５８については連動する。つまりプーリ５７、５８のうち、一方が回動すると他方も回動する。プーリ５８には上記のベルト５５が接続されており、上記したようにスライダ５１が左右に移動することで、プーリ５８がベルト５５を転動し、それによってプーリ５７が回動する。また、本体部５１Ａの前部上には、鉛直軸回りに各々回動可能なプーリ５９が２つ、左右に離れて設けられており、プーリ５７、５８に対して左側、右側に各々位置している。プーリ５７、５８は筐体４３の内側に、プーリ５９は筐体４３の外側に夫々設けられている。

続いて中間移動体６１について説明する。中間移動体６１は角型の筐体６２を備えており、上記のスライダ５１における本体部５１Ａの前方側は、筐体６２の後方側の開口部を介して筐体６２内に進入し、当該筐体６２に対して固定されている。そして、筐体６２の前方側は開口している。この開口はウエハ搬送部７１が前後移動するにあたり、当該ウエハ搬送部７１及びウエハＷの筐体６２内への進入を可能として、筐体６２が当該前後移動に干渉しないようにするために形成されている。

筐体６２内の前端部には、左右に直線状に伸びるガイドレール６９が設けられており、スライダ６３が、当該ガイドレール６９に接続されている。筐体６２内の４隅付近には、鉛直軸回りに回動可能なプーリ６０が設けられている。そして当該プーリ６０及び上記のスライダ５１上のプーリ５７、５９に無端のベルト６４が掛けられており、当該ベルト６４にスライダ６３の後部側が接続されている。そのように構成されることで、上記したようにスライダ５１上のプーリ５７が回動すると、ベルト６４が回動して、ガイドレール６９に沿って左右にスライダ６３が水平移動する。この左右に移動可能な移動体であるスライダ６３の上部には、前後に向けて伸びる溝６５が形成されている。溝６５は、後述のガイドレール７４と対になるガイドである。

筐体６２内のガイドレール６９の後方で、平面視でベルト６４に囲まれる位置には、湾曲レール６６が設けられている。湾曲レール６６は筐体６２内の左端部と右端部との間を左右に伸びるように形成されたレールであるが、湾曲することでその一部については前後方向に伸びている。さらに詳しく湾曲レール６６の形状を述べると、左右に伸びる直線状のガイドレールの左端部、右端部が前方へ向うと共に夫々左側、右側へ向うように湾曲されている。そして、そのように湾曲された左端部における先端側、右端部の先端側については、さらに夫々左側、右側に向うように湾曲されている。このように計４箇所で湾曲された湾曲レール６６は、左右対称の形状である。また、湾曲レール６６の上面には、当該湾曲レール６６の伸長方向に沿ってガイド用溝６７が形成されている。

続いて図７の上面側斜視図、図８の下面側斜視図も参照して、ウエハ搬送部７１について説明する。ウエハ搬送部７１は、水平な角板状のウエハ支持体（基板支持体）７２と、ウエハ支持体７２の裏面側から後方に伸びるアーム７３と、を備える。ウエハ支持体７２の前後幅はウエハＷの直径よりも小さく、ウエハ支持体７２の前後にウエハＷの周縁部がはみ出るように、当該ウエハＷは当該ウエハ支持体７２上に載置される（図５参照）。

アーム７３の裏面には、ガイドレール７４とローラ７５とが設けられている。ガイドレール７４は、アーム７３の先端部（前端部）から基端側に向かって、前後方向に直線状に伸びるように形成されている。ローラ７５はガイドレール７４から後方に離れて位置し、鉛直軸回りに回動可能である。ガイドレール７４はスライダ６３の溝６５内に位置し、当該溝６５に対して前後に摺動可能である。また、ローラ７５は湾曲レール６６のガイド用溝６７内に位置して、当該ガイド用溝６７の側壁を転動可能である。このようにアーム７３は、ローラ７５を介して湾曲レール６６に接続される接続部として構成されている。

以上の構成によって、スライダ６３の左右の移動に伴って、アーム７３はその基端部が湾曲レール６６上に位置するように左右に移動する。即ち、アーム７３を介して、ウエハＷを支持するウエハ支持体７２は、湾曲レール６６の形状に沿って移動し、図１で示した搬送路４０ＢでウエハＷを搬送することができる。

続いて図５、図６に示す、シャトル４ＢによるウエハＷの搬送先であるＴＲＳ１２Ｂについて説明する。ＴＲＳ１２Ｂは本体部７７と、昇降機構７８（図２のみに表示）とを備えており、昇降機構７８によって本体部７７が上方位置と下方位置との間で、鉛直方向に昇降する。本体部７７は、平面視で右側に向けて開口する凹部をなすように形成されたピン支持体７７Ａと、当該ピン支持体７７Ａ上に設けられた３本のピン７７Ｂと、を備えている。ピン支持体７７Ａは、搬送路４０Ｂの下方側に位置しており、各ピン７７Ｂについては鉛直に伸びると共に互いに間隔を空けて配置されている。昇降機構７８によって本体部７７が、搬送路４０Ｂに対して昇降することで、既述したように平面視でシャトル４Ｂのウエハ支持体７２の前後にはみ出したウエハＷの周縁部をピン７７Ｂが支持し、当該ウエハ支持体７２とＴＲＳ１２Ｂとの間でウエハＷを受け渡すことができる。

なお昇降機構７８は例えばシリンダやモータ等を含み、シャトル４Ｂの中間移動体６１及びウエハ搬送部７１や、ＴＲＳ１２Ｂの本体部と７７干渉しないように、例えば当該本体部７７の下方側に設けられている。また、ＴＲＳ１１Ｂについては、本例では平面視での本体部７７がなす凹部の開口の向きが左向きであることを除いて、ＴＲＳ１２Ｂと同様の構成である。上記したようにシャトル４Ｂによる搬送路４０Ｂは水平であるため、ＴＲＳ１１Ｂ、ＴＲＳ１２Ｂは同じ高さに設けられている。

シャトル４ＢによるウエハＷの搬送について、図９、図１０及び既述の図５を参照してさらに詳しく述べる。図９は、ウエハＷを支持するＴＲＳ１１Ｂの本体部７７が上方位置から下方位置に移動することで、ウエハ搬送部７１がウエハＷを受け取った直後、即ちＴＲＳ１２Ｂへ搬送を行う直前の状態である。図１０は、ＴＲＳ１２ＢへのウエハＷの搬送中の状態である。そして図５はＴＲＳ１２Ｂの本体部７７が上方位置に移動してウエハＷを受け取る直前の状態、即ちＴＲＳ１２Ｂに向けたウエハＷの搬送終了時の状態である。

図９に示すＴＲＳ１１Ｂに重なる位置（ＴＲＳ１１Ｂに対する受け渡し位置であり、搬送開始位置）から左方へと移動したウエハＷは、その移動途中で、左方に移動しつつ後方に移動する状態となる。然る後、後方への移動が止まり、左方へのみの移動となって、支柱３１の後方を通過する（図１０）。そして、さらに左方に移動すると、左方に移動しつつ前方に移動する状態となり、然る後、前方への移動が止まり、左方へのみの移動となって、ＴＲＳ１２Ｂに重なる位置（ＴＲＳ１２Ｂに対する受け渡し位置であり、搬送終了位置）に移動する（図５）。ＴＲＳ１２Ｂの昇降動作によりウエハＷがＴＲＳ１２Ｂに受け取られた後は、ウエハ搬送部７１はＴＲＳ１２Ｂに向うときとは逆の経路でＴＲＳ１１Ｂに向けて戻り、ＴＲＳ１１Ｂから新たにウエハＷを受け取る。

図９に示すように、ＴＲＳ１１Ｂに対してウエハＷの受け渡しを行う際には、中間移動体６１の右端はベース体４１の右端よりも右側に位置し、ウエハ搬送部７１の右端は、中間移動体６１の右端よりも右側に位置する。図５に示すようにＴＲＳ１２Ｂに対してウエハＷの受け渡しを行う際には、中間移動体６１の左端はベース体４１の左端よりも左側に位置し、ウエハ搬送部７１の左端は、中間移動体６１の左端よりも左側に位置する。このように中間移動体６１、ウエハ搬送部７１の各々が移動することで、ウエハＷを搬送可能な領域の左右の長さを拡大させつつ、シャトル４Ｂの小型化ひいては基板処理装置１の小型化が図られている。

なお、シャトル４ＢによるウエハＷの搬送は、これまでに述べたように前後方向に設けられた複数の部材（ベース体４１、中間移動体６１、ウエハ搬送部７１）が、互いの相対的な左右方向の位置を変えることで行われる。そのように部材同士の左右の相対位置が変化することで、ＴＲＳ１１Ｂ、ＴＲＳ１２Ｂとシャトル４Ｂとは干渉し難い。これはＴＲＳ１１Ｂ、ＴＲＳ１２Ｂの配置、設計の自由度が高くなることに寄与し、各ピン７７Ｂの配置についての自由度も高い。なお、ピン７７Ｂは３つ以上設けられていてもよい。

続いて、既述したようにウエハ搬送部７１が搬送開始位置から搬送終了位置へ移動する際の速度制御、即ちウエハ搬送部７１を移動させるモータ４２の動作制御の例について、図１１、図１２を参照して説明する。図１１は、上記の移動中のウエハ搬送部７１の左右方向における移動速度の変化を示すグラフである。図１２は、その移動中の湾曲レール６６の各位置におけるウエハ搬送部７１を示している。ただし図１２ではそのウエハ搬送部７１について、図１１のグラフ中の横軸に付した時刻ｔ１～ｔ８に対応させるために、この時刻ｔ１～ｔ８と同じ符号を付して示している。なお、図１２中、時刻ｔ４、ｔ５におけるウエハ搬送部７１の図示は省略しており、またウエハ搬送部７１に支持されるウエハＷの表示についても省略している。説明の便宜上、搬送開始位置から搬送終了位置に至るまでの湾曲レール６６における４つの湾曲部を、順に６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃ、６６Ｄとする。

搬送開始位置で静止した状態から左方に移動開始し（時刻ｔ１）、左方への移動速度が上昇を続ける。ウエハ搬送部７１のアーム７３が湾曲部６６Ａに至ると、当該移動速度上昇が停止し（時刻ｔ２）、一定の速度で左方へ移動する。アーム７３が湾曲部６６Ｂに至ると、ウエハ搬送部７１の左方への移動速度が再度上昇開始し（時刻ｔ３）、然る後、当該移動速度の上昇が停止して一定となる（時刻ｔ４）。その後、アーム７３が湾曲部６６Ｃに至る直前で、ウエハ搬送部７１の左方への移動速度が下降し（時刻ｔ５）、アーム７３が湾曲部６６Ｃに至ると、ウエハ搬送部７１の左方への移動速度の低下が停止して一定となる（時刻ｔ６）。然る後、アーム７３が湾曲部６６Ｄに至ると、ウエハ搬送部７１の左方への移動速度が低下し、ウエハ搬送部７１が搬送終了位置に到達して移動が停止する（時刻ｔ７）。

このように湾曲部６６Ａ～６６Ｄの位置に対応して、ウエハ搬送部７１の左右方向の移動速度が制御される。より詳しく述べると、ウエハＷの搬送路４０Ｂのうち、アーム７３の基端部が湾曲部６６Ａから湾曲部６６Ｂへ移動することで形成される領域、及び湾曲部６６Ｃから湾曲部６６Ｄへ移動することで形成される領域（つまりウエハＷが左右の他に前後にも移動する領域）を第１領域とする。そして、搬送路４０Ｂにおいてアーム７３の基端部が湾曲部６６Ｂから湾曲部６６Ｃへ移動することで形成され、２つの上記の第１領域に挟まれる領域（つまりウエハＷが左右にのみ移動する領域）を第２領域とする。

既に詳しく示したように、ウエハＷの左右方向の移動速度について、第２領域よりも各第１領域の方が小さくなるように制御されている。これは、前後移動及び左右移動が行われる第１領域では、各方向の移動によるベクトルの合算のベクトルがウエハＷに作用するためである。つまり、仮に第１領域及び第２領域でウエハＷを等速移動させると、第１領域にて、ウエハＷにより大きな力が加わる。従って当該第１領域において、ウエハ搬送部７１に対するウエハＷのずれや脱離の発生が、より確実に防止できるように、左右の移動速度について第２領域＞第１領域とされている。見方を変えれば、前後移動を含まない第２領域におけるウエハＷの左右の速度が大きくされることで、スループットの向上が図られている。

なお、ウエハ搬送部７１がＴＲＳ１１Ｂ側の搬送開始位置に戻る際には、支持されるウエハＷが無いため、ＴＲＳ１２Ｂ側の搬送終了位置に向うときと同様に左右方向における移動速度を段階的に変化させる制御を行ってもよいが、そのような制御を行わなくてもよい。つまり、ＴＲＳ１２ＢにウエハＷを受け渡す搬送終了位置から速度を上昇させた後に、速度上昇を停止して速度一定の状態で移動させ、ＴＲＳ１１ＢにウエハＷを受け渡す搬送開始位置の近くで減速させる。即ち、図１２に示したように速度変化のグラフで表すとすると、グラフが台形を描くように速度が変化するように制御する。つまり速度の変化の段数がウエハＷをＴＲＳ１２Ｂへ搬送する際よりも少なくなるようにして、スループットの向上を図るようにしてもよい。

続いて、処理ブロック２Ｄのシャトル４Ｄについて述べると、当該シャトル４Ｄは、ＴＲＳ１１Ｄ、１２Ｄの配置に合わせてベース体４１に対する中間移動体６１の左右方向の接続位置が異なることを除いて、シャトル４Ｂと同様の構成であり、シャトル４Ｂと同様の速度制御がなされる。ＴＲＳ１１Ｄ、ＴＲＳ１２Ｄについても、ＴＲＳ１１Ｂ、１２Ｂと夫々同様の構成であり、昇降機構７８によってピン７７Ｂを備える本体部７７が、搬送路４０Ｄに対して昇降する。

シャトル４Ｂの搬送路４０Ｂ、シャトル４Ｄの搬送路４０Ｄの位置関係について、平面図である図１３も参照して説明する。これまでに述べた各シャトル用ＴＲＳの配置により示されるように、搬送路４０Ｂ、４０Ｄは共に、処理ブロック２Ｂのスペース５Ｂから処理ブロック２Ｄのスペース５Ｄに亘って設けられている。搬送路４０Ｂ、４０Ｄ間で干渉しないように、シャトル４Ｂ、ＴＲＳ１１Ｂ及びＴＲＳ１２Ｂの組、シャトル４Ｄ、ＴＲＳ１１Ｄ、ＴＲＳ１２Ｄの組は、縦方向（垂直方向）にて、互いにずれた位置に設けられている（図２、図４参照）。即ち、搬送路４０Ｂ、４０Ｄについては互いに高さが異なる。そして、図１３に示すように、搬送路４０Ｂの右端部と、搬送路４０Ｄの左端部とは、平面視で重なる。なお本例では搬送路４０Ｂが上側、搬送路４０Ｄが下側であるが、逆の配置であってもよい。

ところで、基板処理装置１は制御部１０を備えている（図１参照）。この制御部１０はコンピュータにより構成されており、プログラム、メモリ、ＣＰＵを備えている。プログラムには、基板処理装置１における一連の動作を実施することができるようにステップ群が組み込まれている。そして、当該プログラムによって制御部１０は基板処理装置１の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。具体的に主搬送機構３Ａ～３Ｄ、シャトル４Ｂ、４Ｄ、各処理モジュールの動作が制御される。それにより、後述のウエハＷの搬送及びウエハＷの処理が行われる。なお、シャトル４Ｂ、４Ｄの動作制御としては図１２で説明した速度制御も含まれる。また、制御部１０が行うモジュールの動作の制御には、各検査モジュールから送信される画像データに基づいて異常判定を実施することも含まれる。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部１０にインストールされる。

続いて、基板処理装置１におけるウエハＷの処理及び搬送について、搬送経路の概略を示した図１４を参照して説明する。図１４では、モジュール間でのウエハＷの搬送を表す一部の矢印上あるいは矢印の近傍に、当該搬送に用いる搬送機構を表示している。なお、本例では支持台１１上のキャリアＣからウエハＷが払い出され、支持台１２上のキャリアＣへ向けて処理済みのウエハＷが戻されるものとする。

先ず、支持台１１のキャリアＣから搬送機構１８によりウエハＷが搬出され、処理前検査モジュール２９→搬送機構１８→ＴＲＳ１→搬送機構１９→ＳＣＰＬ１の順でキャリアブロックＤ１内を搬送される。然る後、ウエハＷは主搬送機構３Ａ→裏面洗浄モジュール２６→主搬送機構３Ａ→周縁露光モジュール２７→主搬送機構３Ａ→ＴＲＳ４→主搬送機構３Ｃの順で下側処理ブロック内を搬送されて、インターフェイスブロックＤ４のＴＲＳ５に搬送される。そして、ウエハＷは搬送機構３５→ＩＣＰＬ→搬送機構３４→露光機２０→搬送機構３５→ＴＲＳ６→主搬送機構３Ｃ→露光後洗浄モジュール２８→主搬送機構３Ｃ→ＴＲＳ７→搬送機構３５の順で搬送され、インターフェイスブロックＤ４、露光機２０、処理ブロック２Ｃの間を受け渡される。

その後のウエハＷの搬送経路は、上記したように処理ブロック２Ｄで処理を行う経路（一方の搬送経路）と、処理ブロック２Ｂで処理を行う経路（他方の搬送経路）と、に分かれる。一方の搬送経路について説明すると、インターフェイスブロックＤ４の搬送機構３５がＴＲＳ８にウエハＷを搬送し、主搬送機構３ＤによりウエハＷが処理ブロック２Ｄに取り込まれる。そしてウエハＷについては、加熱モジュール２４→ＳＣＰＬ３→現像モジュール２１→処理後検査モジュール２５→主搬送機構３Ｄの順で搬送され、露光機２０での露光パターンに沿ったパターンマスクの形成と検査とがなされる。その後、ウエハＷは図５、図９、図１０で説明したように、ＴＲＳ１１Ｂ→シャトル４Ｂ→ＴＲＳ１２Ｂの順で搬送され、キャリアブロックＤ１の搬送機構１９が当該ウエハＷを受け取り、モジュール積層体Ｔ１のＴＲＳ２に搬送する。

他方の搬送経路について説明すると、ウエハＷは搬送機構３５→ＴＲＳ１１Ｄ→シャトル４Ｄ→ＴＲＳ１２Ｄ→主搬送機構３Ｂの順で搬送されて、処理ブロック２ＢにウエハＷが取り込まれる。そして、当該ウエハＷは主搬送機構３Ｂにより、加熱モジュール２４→ＳＣＰＬ３→現像モジュール２１→処理後検査モジュール２５の順で搬送されて、処理ブロック２Ｄに搬送されたウエハＷと同様に処理された後、キャリアブロックＤ１のＴＲＳ３に搬送される。続いてウエハＷは、搬送機構１９によりＴＲＳ２に搬送される。これらの２つの搬送経路において、ＴＲＳ２に搬送されたウエハＷは、搬送機構１８により支持台１２上のキャリアＣへ搬送される。

以上に述べたように基板処理装置１が構成されると共に搬送が行われることで、処理ブロック２Ｂの主搬送機構３Ｂ、処理ブロック２Ｄの主搬送機構３Ｄは、夫々主搬送機構３Ｂ、３Ｄが設けられるブロックにて処理を受けないウエハＷをキャリアブロックＤ１側へ向けて搬送する必要が無い。つまり、主搬送機構３Ｂ、３Ｄの各々の負荷、より具体的にはブロック内で必要な搬送工程の数が低減される。処理ブロック２Ｂ、処理ブロック２Ｄの各々には既述したようにモジュールが多数設けられるが、そのように負荷が低減されることで主搬送機構３Ｂ、３Ｄは、各モジュールへ速やかにアクセスしてウエハＷを受け取り、下流側のモジュールへと当該ウエハＷを搬送することができる。即ち、基板処理装置１については、多数の処理モジュールでウエハＷを処理し、且つモジュール間でウエハＷを速やかに搬送することができる。従って、当該基板処理装置１によれば、スループットを高くすることができる。

そして主搬送機構３Ｂ、３Ｄが各々左右に並ぶブロックを跨いで移動する必要が無いように、主搬送機構３Ｂ、３Ｄとは別に、処理ブロック２Ｂ、２Ｄにはシャトル４Ｂ、４Ｄが夫々設けられる。そのシャトル４Ｂの搬送路４０Ｂは処理ブロック２Ｄへ、シャトル４Ｄの搬送路４０Ｄは処理ブロック２Ｂへ夫々突出している。そして、そのように左右に隣接する各ブロックに亘って設けられた搬送路４０Ｂ、４０Ｄについては、高さが互いにずれており、互いに交差しないので、シャトル４Ｂの搬送及びシャトル４Ｄの搬送を互いに独立して行うことができる。より詳しくは、４Ａ、４Ｂのうちの一方のシャトルによる搬送中、当該一方のシャトルとの干渉を回避するために他方のシャトルによる搬送を停止させる必要が無い。従って、より確実に基板処理装置１のスループットを高くすることができる。また、そのように高さがずれた搬送路４０Ｂ、４０Ｄは平面視で重なるため、基板処理装置１の前後幅の拡大を防止し、基板処理装置１のフットプリントを低減させ、省スペース化を図ることができる。

ところでクリーンルームの天井に干渉しないように、基板処理装置１の高さを設定する必要が有る。その一方で、現像モジュール２１等の液処理モジュールはウエハＷを格納するカップ（不図示）を備えるので比較的高さが大きくなる。しかし基板処理装置１においては、上記のように液処理とは異なる種類の処理を行う処理モジュール積層体２３に重なって、シャトル４Ｂ、４Ｄが設けられている。そのために限られた装置の高さにおいて、液処理モジュールが設けられる階層の数を多くし、且つ各階層にウエハＷを受け渡すことができるように、搬送領域２２の高さを十分に確保することができる。従って、基板処理装置１によれば、より確実にウエハＷのスループットを高くすることができる。

さらにシャトル４Ｂ、４Ｄは、上側処理ブロックにおける処理モジュール積層体２３に対して下方、即ち、下側処理ブロック側の高さに位置している。つまり、処理モジュール積層体２３に対して、上側処理ブロック及び下側処理ブロックのうち、シャトル用のバイパス搬送路が設けられるブロックに対して下方から接続されるブロック側にシャトル４Ｂ、４Ｄが設けられている。仮に、シャトル４Ｂ、４Ｄが上側処理ブロックにおける比較的高い位置に設けられ、シャトル４Ｂ、４Ｄ用の各ＴＲＳについても比較的高い位置に設けられるとする。その場合には、ＴＲＳ１２Ｂ、ＴＲＳ１１Ｄに対して夫々ウエハＷを受け渡す搬送機構１９、３５について、モジュール積層体Ｔ１、Ｔ３を構成する各モジュールの位置よりも上方の位置への移動が必要になることが考えられる。即ち、上記のようにシャトル４Ｂ、４Ｄを、処理モジュール積層体２３に対して下側処理ブロック側の高さに設けることは、搬送機構１９、３５の昇降量を抑えることになる。従って、当該シャトル４Ｂ、４Ｄの配置は、スループットをより確実に高くすることに寄与する。

そして、シャトル４Ｂの搬送路４０Ｂ、シャトル４Ｄの搬送路４０Ｄは、上記したように主搬送機構３Ｂ、３Ｄの支柱３１を夫々迂回する。この搬送路４０Ｂ、４０Ｄについて、そのように迂回する経路とはせずに支柱３１の後方側を通過するように直線状に設けると共に、シャトル以外の搬送機構の横方向への移動量を大きくして、シャトル４Ｂ、４Ｄとの間でウエハＷが受け渡されるようにすることが考えられる。しかし、そのような構成では基板処理装置１のフットプリントが大きくなってしまう。従って、搬送路４０Ｂ、４０Ｄが上記のように支柱３１の迂回路とされることで、基板処理装置１の大型化が防止される。また、別の見方をすれば、シャトル４Ｂ、４Ｄがこのように支柱３１の迂回路を形成することによって、支柱３１と処理モジュール積層体２３との前後の位置をずらす必要が無くなる。そのため、基板処理装置１の前後幅の拡大を抑え、基板処理装置１の大型化が防止される。

また、シャトル４Ｂ、４Ｄは、既述したようにベース体４１、中間移動体６１、ウエハ搬送部７１の左右の相対位置が変化する構成である。そのように相対位置が変化することでシャトル４Ｂ、４Ｄは、処理ブロック２Ｂ、Ｄに夫々これらの部材（ベース体４１、中間移動体６１、ウエハ搬送部７１）が収まった状態とすることができる。従って、装置の製造工場で処理ブロック２Ｂ、処理ブロック２Ｄを組み立て後、基板処理装置１を設置するクリーンルームへ輸送するにあたり、処理ブロック２Ｂ、処理ブロック２Ｄの各々の左右の幅を小さくすることができる。そのためこの輸送時の手間や輸送用の設備を簡素化することができる。また、そのように処理ブロック２Ｂ、２Ｄにシャトル４Ｂ、４Ｄを夫々収めて輸送することは、輸送先で速やかに装置を組み上げて稼働可能とすることに寄与する。

そして、中間移動体６１及びウエハ搬送部７１の移動が、ベース体４１に設けられるモータ４２を共通の駆動源としてなされる。そのように駆動源が共通であるため、製造コストの低減や装置構成の簡素化を図ることができる。ところでシャトル４Ｂ、４Ｄは、上記のように湾曲レール６６に沿って、ウエハ搬送部７１のアーム７３が移動する構成である。当構成によって、当該アーム７３の左右移動用、前後移動用の駆動源を夫々設けることなく、上記した駆動源であるモータ４２の駆動力をアーム７３に伝達して左右移動、前後移動を行うことができる。この点からも装置構成の複雑化を避けることができ、製造コストの上昇を防ぐことができるので有利である。

そして、アーム７３の移動軌跡を制御するための湾曲レール６６の前方側（ウエハ支持体７２が位置する側）にスライダ６３が設けられ、このスライダ６３にアーム７３は支持されつつ、アーム７３のガイドレール７４に沿って移動する構成であるため、アーム７３はウエハ支持体７２付近で支持される。そのためアーム７３の自重やウエハＷの重量によるアーム７３の負荷の増大が抑えられ、シャトル４Ｂ、４Ｄを構成する各部品の劣化が抑制される他、アーム７３の動作のぶれが抑制される。従って、当構成によってウエハＷを搬送先の所望の位置に精度高く搬送することができる。

ところで、シャトル用ＴＲＳ１１ＤについてはインターフェイスブロックＤ４に配置され、シャトル４ＤがインターフェイスブロックＤ４から処理ブロック２Ｄを通過して、処理ブロック２ＢのＴＲＳ１１Ｄへ搬送されるようにしてもよい。また、シャトル用ＴＲＳ１２ＢについてはキャリアブロックＤ１に配置され、シャトル４Ｂが処理ブロック２ＤのＴＲＳ１１Ｂからから処理ブロック２Ｂを通過して、ＴＲＳ１１Ｂへ搬送されるようにしてもよい。つまり、シャトル用の各ＴＲＳについては処理ブロックに設けることには限られない。そしてシャトルとしては、左右に並ぶブロックの一方側と他方側との間で、ウエハＷの搬送経路の下流側のブロックへ向けてウエハＷを搬送するためのものであり、基板処理装置１で示したように、左右に隣接するブロック間でウエハＷが受け渡される構成であることには限られない。

〔第１の実施形態の変形例〕
復路にシャトル及びシャトル用ＴＲＳを設けた例を示したが、往路にシャトル及びシャトル用ＴＲＳを設けた装置構成としてもよい。図１５では、往路及び復路にシャトル及びシャトル及びシャトル用ＴＲＳが設けられた基板処理装置１Ａの概略正面図を示している。以下、基板処理装置１との差異点を中心に説明すると、基板処理装置１Ａの下側の処理ブロック２Ａ、２Ｃは、互いに同様の処理モジュールを備えており、例えば液処理モジュールとしてレジスト膜形成モジュールが含まれ、モジュール積層体２３にはレジスト膜形成後の加熱モジュールが含まれる。

処理ブロック２Ａのスペース５Ａにおける前方寄りの位置には、シャトル４Ａ、ＴＲＳ１１Ａ、ＴＲＳ１１Ｃが設けられ、処理ブロック２Ｃのスペース５Ｃにおける前方寄りの位置にはシャトル４Ｃ、ＴＲＳ１２Ａ、ＴＲＳ１２Ｃが設けられる。スペース５Ａでは、主搬送機構３Ａの支柱３１を挟むようにＴＲＳ１１Ａ、ＴＲＳ１１Ｃが右側へ向って順に設けられ、スペース５Ｃでは、主搬送機構３Ｃの支柱３１を挟むようにＴＲＳ１２Ａ、ＴＲＳ１２Ｃが右側へ向って順に設けられている。そして、シャトル４Ａ、ＴＲＳ１１Ａ、ＴＲＳ１２Ａの組と、シャトル４Ｃ、ＴＲＳ１１Ｃ、ＴＲＳ１２Ｃの組とは高さが互いにずれている。

以上のような各部材のレイアウトであるため、シャトル４Ａの搬送路４０Ａ、シャトル４Ｃの搬送路４０Ｃは、図１３で説明した搬送路４０Ｂ、４０Ｄの位置関係と同様である。即ち、搬送路４０Ａ、４０Ｃは互いに高さが異なり、且つその端部同士が平面視で重なっている。なお下側の処理ブロック２Ａ、２Ｃで、シャトル及びシャトル用ＴＲＳを処理モジュール積層体２３の上側に設けるのは、上側の処理ブロック２Ｂ、２Ｄでシャトル及びシャトル用ＴＲＳを処理モジュール積層体２３の下側に設ける理由と同様、搬送機構１９、３５の移動範囲の増大を防止するためである。

この基板処理装置１Ｂにおける往路の２つの搬送経路について述べる。一方の搬送経路では、キャリアＣから搬出されてキャリアブロックＤ１のモジュール積層体Ｔ１に搬送されたウエハＷが、主搬送機構３Ａに受け取られ、処理ブロック２Ａ内で処理された後、ＴＲＳ１１Ｃ→シャトル４Ｃ→ＴＲＳ１２Ｃ→インターフェイスブロックＤ４の順で搬送される。そして、他方の搬送経路では、キャリアＣから搬出されたウエハＷがキャリアブロックＤ１の搬送機構１９→ＴＲＳ１１Ａ→シャトル４Ａ→ＴＲＳ１２Ａ→主搬送機構３Ｃの順で搬送され、処理ブロック２Ｃ内で処理された後に、インターフェイスブロックＤ４に搬送される。これらの往路でのシャトル４Ａ、４ＣによるウエハＷの搬送は、復路でのシャトル４Ｂ、４ＤのウエハＷと同様に、主搬送機構３Ｂの支柱３１、主搬送機構３Ｄの支柱３１を夫々迂回するように行われる。

〔第２の実施形態〕
横方向に隣接すると共にシャトルを備える処理ブロックの数としては３つ以上であってもよく、第２の実施形態として、当該処理ブロックを３つ備えた基板処理装置１Ｂの概略正面図を図１６に示している。この基板処理装置１Ｂについては、例えば第１の実施形態の基板処理装置１と同様の処理を行う装置であり、以下、基板処理装置１との差異点を中心に説明する。

基板処理装置１Ｂでは、第２の積層処理ブロックＤ３とインターフェイスブロックＤ４との間に、第３の積層処理ブロックＤ５が、これらのブロックＤ３、Ｄ４に隣接して設けられており、これらの第１～第３の積層処理ブロックＤ２、Ｄ３、Ｄ５により処理ステーションＧが構成されている。第３の積層処理ブロックＤ５は、第１の積層処理ブロックＤ３と同様の構成であり、下側の処理ブロック２Ｅ及び上側の処理ブロック２Ｆにより構成されている。復路では処理ブロック２Ｂ、２Ｄ、２ＦのうちのいずれかでウエハＷは処理される。処理ブロック２Ｂ、２Ｄ、２Ｆが夫々、第１処理ブロック、第２処理ブロック、第３処理ブロックであり、シャトル４Ｂ、４Ｄ、４Ｆが夫々第１バイパス搬送機構、第２バイパス搬送機構、第３バイパス搬送機構であり、搬送路４０Ｂ、４０Ｄ、４０Ｆが夫々第１バイパス搬送路、第２バイパス搬送路、第３バイパス搬送路である。

処理ブロック２Ｆにおけるシャトル４Ｆの設置用のスペース５Ｆには、主搬送機構３Ｆの支柱３１に対して右側、左側にＴＲＳ１１Ｆ、１１Ｄが夫々設けられており、ＴＲＳ１１ＦにはインターフェイスブロックＤ４の搬送機構３５がアクセス可能である。さらにスペース５Ｄにおいて、主搬送機構３Ｄの支柱３１に対して右側にＴＲＳ１２Ｆが設けられている。

シャトル４Ｂ、ＴＲＳ１１Ｂ及びＴＲＳ１２Ｂの組（第１の組とする）、シャトル４Ｄ、ＴＲＳ１１Ｄ、ＴＲＳ１２Ｄの組（第２の組とする）、シャトル４Ｆ、ＴＲＳ１１Ｆ及びＴＲＳ１２Ｆの組（第３の組とする）について、第２の組と、第１及び第３の組との高さは異なっている。本例では第２の組は、第１及び第３の組よりも上方に位置し、第１の組と第３の組とは互いに同じ高さに設けられている。従って、搬送路４０Ｂ、４０Ｆが互いに同じ高さに位置し、搬送路４０Ｄが搬送路４０Ｂ、４０Ｆよりも高く位置している。そして図１７に示すように平面視において、搬送路４０Ｂの右端部と搬送路４０Ｄの左端部とが互いに重なり、搬送路４０Ｄの右端部と搬送路４０Ｆの左端部とが互いに重なる。

復路での搬送経路の一例を説明する。処理ブロック２ＦでウエハＷが処理される場合、ウエハＷはインターフェイスブロックＤ４のモジュール積層体Ｔ３→主搬送機構３Ｆの順で搬送され、処理ブロック２Ｆの各処理モジュールにて処理がなされた後、ＴＲＳ１１Ｄに搬送される。そして、シャトル４Ｄ→ＴＲＳ１２Ｄ→主搬送機構３Ｂ→キャリアブロックＤ１のモジュール積層体Ｔ１の順でウエハＷが搬送される。

処理ブロック２ＤでウエハＷが処理される場合、ウエハＷはインターフェイスブロックＤ４の搬送機構３５→ＴＲＳ１１Ｆ→シャトル４Ｆ→ＴＲＳ１２Ｆ→主搬送機構３Ｄの順で搬送され、処理ブロック２Ｄの各処理モジュールにて処理がなされた後、ＴＲＳ１１Ｂ→シャトル４Ｂ→ＴＲＳ１２Ｂの順で搬送され、キャリアブロックＤ１に搬送される。処理ブロック２ＢでウエハＷが処理される場合、ウエハＷはモジュール積層体Ｔ３→主搬送機構３Ｆ→ＴＲＳ１１Ｄ→シャトル４Ｄ→ＴＲＳ１２Ｄ→主搬送機構３Ｂの順で搬送され、処理ブロック２Ｂの各処理モジュールにて処理がなされた後、モジュール積層体Ｔ１に搬送される。

なお基板処理装置１Ｂにおいて、第２の積層処理ブロックＤ３と第３の積層処理ブロックＤ５とに跨がるように、モジュール積層体Ｔ２に相当するモジュール積層体が設けられる。各モジュール積層体を利用することで下側の各処理ブロック２Ａ、２Ｃ、２ＥをウエハＷは搬送自在であり、当該処理ブロック２Ａ、２Ｃ、２Ｅにより往路が形成されるものとする。

上記の基板処理装置１Ｂにおいて、上側の処理ブロック間でウエハＷを受け渡すために、既述したように搬送路４０Ｄの端部は、搬送路４０Ｂ、４０Ｆの各々に平面視で重なる。その搬送路４０Ｄが、既述したように搬送路４０Ｂ、４０Ｆの各々よりも高い位置に配置されることで、当該搬送路４０Ｂ、４０Ｄ、４０Ｆを縦方向に順に設けるよりも、これら搬送路４０Ｂ、４０Ｄ、４０Ｆの設置に要する高さが抑えられるので、基板処理装置１Ｂの大型化を防ぐことができる。なお、搬送路４０Ｂ、４０Ｆよりも下方に搬送路４０Ｄを設けてもよい。そして、搬送路４０Ｄを搬送路４０Ｂ、４０Ｆの上側に設ける場合、下側に設ける場合のいずれにおいても、装置の高さを抑える観点から搬送路４０Ｂ、４０Ｆについては同一ないしは略同一の高さとすることが好ましい。

なお、この基板処理装置１Ｂにおいても、下側の処理ブロック２Ａ、２Ｃ、２Ｅにシャトルを設けて、上側の処理ブロック２Ｂ、２Ｄ、２Ｆ間での搬送と同様、２Ａ、２Ｃ、２Ｅのうちの所望の処理ブロックでウエハＷが処理されるように搬送が行われてもよい。その場合においても、下側の処理ブロックのシャトルの各搬送路４０Ａ、４０Ｃ、４０Ｅについては、上側処理ブロックのシャトルの各搬送路４０Ｂ、４０Ｄ、４０Ｆと同様の位置関係とすることが好ましい。つまり左右の中央の搬送路である４０Ｄは、搬送路４０Ｂ、４０Ｆに対して上側あるいは下側に設けることが好ましく、４０Ｂ、４０Ｆが同じ高さであるとより好ましい。

ところで既述した各装置の構成例ではシャトル用のＴＲＳが設けられるが、このシャトル用ＴＲＳが設けられない装置構成とし、各搬送機構とシャトルとの間で直接ウエハＷの受け渡しがなされてもよい。ただし、そのようにシャトル用ＴＲＳが設けられていないと、各搬送機構及びシャトルがウエハＷを支持したままの状態で待機することになる。そのため、スループットを向上させるためにシャトル用ＴＲＳを設けることが好ましい。

また、既述の各装置では液処理モジュールが前方、処理モジュール積層体２３が後方に夫々位置するが、このレイアウトは前後逆であってもよい。装置の左右のレイアウトについても既述した例と逆であってもよい。また、インターフェイスブロックＤ４は、露光機２０に対してウエハＷを搬送するものではなく、下側処理ブロックの高さと上側処理ブロックの高さとの間でのウエハＷの昇降搬送のみを行うものであってもよい。また、上側処理ブロック及び下側処理ブロックは、ウエハＷを装置に搬入出するキャリアブロックＤ１に直接接続されるものではなく、例えばキャリアブロックＤ１と、これらの上側及び下側処理ブロックとの間にウエハＷを昇降搬送するブロックが介在する構成であってもよい。さらに、処理ブロックは上下の積層構造をとることに限られない。例えば往路及び復路のうち一方については主搬送機構で搬送することで形成し、他方についてはシャトルを用いて搬送することで形成してもよい。

また各シャトルにおいて、例えば湾曲レール６６、ガイドレール６９及びスライダ６３が、中間移動体６１の代わりにベース体４１に設けられるようにする。そして、アーム７３に相当するアームが当該湾曲レール６６及びスライダ６３に接続されると共に、そのアームがモータ４２によって駆動するベルト４６に接続される。さらに、当該アームの前端部に中間移動体６１が接続され、当該中間移動体６１が、その前方側に接続されるウエハ支持体７２と共に、湾曲レール６６に沿って移動する構成であってもよい。その場合には、スライダ６３、アーム及び中間移動体６１に、プーリ、ベルト、ギアボックスなどからなる動力伝達機構を設けることで、スライダ６３の左右の位置の変化に応じて、中間移動体６１に対するウエハ支持体７２の左右の位置が変化する構成とすればよい。以上に述べたように、図５等に示した湾曲レール６６が中間移動体６１に設けられるシャトルの構成とすることには限られない。

なお、図５等で示したシャトルについて、中間移動体６１のスライダ６３に溝６５、アーム７３にガイドレール７４を夫々設ける代りに、スライダ６３にガイドレール７４を、アーム７３に溝６５を夫々設けてもよい。また湾曲レール６６のガイド用溝６７に陥入されるアーム７３のローラ７５について、当該ローラ７３の代わりに当該湾曲レール６６に対する摩擦係数が十分低い材質により形成された円形突起を設けてもよい。さらに、湾曲レール６６の代わりに、厚板であって、その上面にガイド用溝６７が形成されたものを用いてもよく、ウエハ搬送部７１をガイドするガイド部材としては、レールであることには限られない。また、既述の構成例ではアーム７３を介して湾曲レール６６にウエハ支持体７２が接続され、アーム７３に追従してウエハ支持体７２が移動するが、アーム７３に相当する部材が設けられなくてもよい。つまり、ウエハ支持体７２が湾曲レール６６に直接接続され、当該ウエハ支持体７２が接続部を兼ねる構成であってもよい。その場合には、アーム７３に設けていたガイドレール７４については、当該ウエハ支持体７２に設ければよい。このように既述したシャトルの構成は適宜変更可能である。

ところで図５でＴＲＳ１２Ｂにシャトル４ＢがウエハＷを受け渡すときに、ＴＲＳ１１Ｂの３つのピン７７Ｂのうちの２つが平面視でアーム７３を挟むように示しているが、これら２つのピン７７Ｂについて、いずれもアーム７３の左側に設けるようにしてもよい。そのピン７７Ｂの配置、及び本体部７７が右側に開放された凹部形状であることによって、ＴＲＳ１１Ｂの本体部７７が上方位置に移動してピン７７ＢがウエハＷを支持した後、下方位置に戻る前に、シャトル４Ｂのウエハ搬送部７１がＴＲＳ１１Ｂに向けて移動開始することができる。つまりＴＲＳ１１ＢがウエハＷを受け取った際に、ウエハ搬送部７１から進行方向（この場合は右方）に見て、当該ＴＲＳ１１Ｂの構成部材が位置しないように当該ＴＲＳ１１Ｂを構成し、互いの干渉が起きないようにする。それによって、ウエハ搬送部７１の移動開始のタイミングを早めて、装置のスループットの向上を図ることができる。同様に、図９でＴＲＳ１１ＢにウエハＷを受け渡すときに、ＴＲＳ１１Ｂの３つのピン７７Ｂのうちの２つが平面視でアーム７３を挟むように示しているが、これらのピン７７Ｂについて、アーム７３の右側に設けてもよい。

基板処理装置で行う液処理としては上記した例に限られず、例えば薬液の塗布による絶縁膜の形成や、ウエハＷを互いに貼り合わせるための接着剤の塗布処理などが含まれていてもよい。今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び／または組み合わせがなされてもよい。

Ｃ キャリア
Ｄ１ キャリアブロック
Ｄ３ インターフェイスブロック
Ｇ 処理ステーション
２４ 加熱モジュール
２Ａ～２Ｄ 処理ブロック
４Ａ～４Ｄ シャトル
４０Ａ～４０Ｄ 搬送路

Claims (11)

1. 基板の搬入及び搬出を行う搬入出ブロックと、
   前記搬入出ブロックとの間で前記基板が搬送され、当該搬入出ブロックに対して左右の一方側に設けられる処理ステーションと、
   前記処理ステーションに対して左右の一方側に設けられ、当該処理ステーションとの間で前記基板が搬送される中継ブロックと、
   前記基板に対して処理を行う処理モジュールと、当該処理モジュールに対して前記基板を受け渡す主搬送機構と、を各々備え、左右に並んで複数設けられて前記処理ステーションを構成する処理ブロックと、
   前記主搬送機構とは別に、左右のブロック間で基板を搬送するために前記左右に並ぶ処理ブロック毎に設けられるバイパス搬送機構と、を備え
   前記バイパス搬送機構による基板の搬送路であるバイパス搬送路について、互いの高さが異なり、且つ平面視でその一部が互いに重なる基板処理装置。
2. 前記処理ブロックは少なくとも３つ、左右の一方から他方に向けて第１処理ブロック、第２処理ブロック、第３処理ブロックの順で設けられ、夫々の前記バイパス搬送機構による前記バイパス搬送路を第１バイパス搬送路、第２バイパス搬送路、第３バイパス搬送路とすると、
   前記第２バイパス搬送路の左端部は、前記第１バイパス搬送路及び前記第３バイパス搬送路のうちの一方、前記第２バイパス搬送路の右端部は、前記第１バイパス搬送路及び前記第３バイパス搬送路のうちの他方に夫々平面視で重なり、
   前記第２バイパス搬送路に対して、前記第１バイパス搬送路及び前記第３バイパス搬送路は上方または下方に位置する請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記バイパス搬送路の端部に対して昇降して、前記バイパス搬送機構に対して前記基板を受け渡すと共に、当該基板が載置される基板載置部が設けられる請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記バイパス搬送機構は、前記処理ブロックに設けられるベース体と、
   前記ベース体に対して左右に移動する移動体と、
   前記基板を支持して、前記移動体に対して左右に移動する基板支持体と、
   を備える請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記処理モジュールは左右に並んで複数設けられ、
   前記主搬送機構は、平面視で当該複数の処理モジュールの間に設けられる柱を備え、
   前記バイパス搬送路は前後方向の搬送路を含み、当該基板が前記柱を迂回する迂回路である請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記ベース体及び前記移動体のうちの一方に、前記支持体の前後方向の移動及び左右方向の移動をガイドするためのガイド部材が設けられる請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記ガイド部材は湾曲したレールであり、
   前記基板支持体は前記湾曲したレールに沿って移動して、前記迂回路が形成される請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記ベース体及び前記移動体のうちの前記ガイド部材が設けられる側に、
   当該ガイド部材に接続されて前記基板支持体と共に、左右方向且つ前後方向に移動可能な接続部と、
   前記接続部に接続されると共に左右方向に移動可能な移動体と、が設けられ、
   前記接続部及び前記移動体のうちの一方には、当該一方を他方に対して前後に摺動させるために前後方向に伸びるレールが設けられる請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記前後方向に伸びるレールは、前記接続部に設けられる請求項８記載の基板処理装置。
10. 前記バイパス搬送路は、
    左右方向且つ前後方向に前記基板を搬送する２つの第１領域と、
    前記第１領域に挟まれ、左右方向にのみ前記基板を搬送する第２領域と、を含み、
    前記第１領域における左右方向の前記基板の移動速度は、前記第２領域における左右方向の前記基板の移動速度よりも小さい請求項５ないし９のいずれか一つに記載の基板処理装置。
11. 搬入出ブロックにおいて、基板の搬入及び搬出を行う工程と、
    当該搬入出ブロックに対して左右の一方側に設けられる処理ステーションと前記搬入出ブロックとの間で前記基板を搬送する工程と、
    前記処理ステーションに対して左右の一方側に設けられる中継ブロックと、当該処理ステーションとの間で前記基板を搬送する工程と、
    左右に並んで複数設けられて前記処理ステーションを構成し、処理モジュール、主搬送機構及び前記主搬送機構とは別に前記基板を搬送するバイパス搬送機構を各々備える処理ブロックにおいて、前記主搬送機構により前記基板を前記処理モジュールに対して受け渡し、当該処理モジュールにて当該基板を処理する工程と、
    前記各バイパス搬送機構による前記基板の搬送路であると共に、互いの高さが異なり、且つ平面視でその一部が互いに重なる各バイパス搬送路を用いて、左右のブロック間で当該基板を搬送する工程と、
    を備える基板処理方法。

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