CN218498037U - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供基板处理装置。针对基板处理装置提高生产率且省空间。以具备如下构件的方式构成装置：送入送出区块；处理站，在其与送入送出区块之间输送基板，其相对于送入送出区块设置于左右的一侧；中继区块，其相对于处理站设置于左右的一侧，在其与处理站之间输送基板；处理区块，其左右排列地设置有多个而构成处理站，且均具备：处理模块，其对基板进行处理；和主输送机构，其相对于该处理模块交接基板；以及旁通输送机构，其在每个左右排列的处理区块设置，以便独立于主输送机构地在左右的区块之间输送基板。作为利用旁通输送机构输送基板的输送路径的旁通输送路径彼此的高度不同，且在俯视时该旁通输送路径的局部相互重叠。

Description

基板处理装置

技术领域

本实用新型涉及基板处理装置。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，通过在各种处理模块之间输送半导体晶圆(以下，记载为晶圆)来进行液处理、加热处理等各处理。

在专利文献1中记载了涂敷、显影装置，该涂敷、显影装置包括处理区块S2、S4，该处理区块S2、S4均具备：多个单位区块，其分别设置有多个处理模块，并且相互层叠；和主臂，其设置于每个单位区块，以便在处理模块之间输送晶圆。处理区块S2、S4夹在载体区块和曝光装置之间，并且，将晶圆升降输送的区块S3介于处理区块S2、S4之间。并且，在各处理区块S2、S4的下侧的单位区块设置有多个以不借助处理模块的方式输送晶圆的梭动臂作为与主臂不同的输送机构。

利用处理区块S2的梭动部输送到臂区块S3的晶圆在被分配到处理区块S2、S4的上侧的单位区块之后，返回区块S3而利用处理区块S4的梭动臂向曝光装置输送。之后，当在处理区块S2、S4中的一者进行处理时，利用梭动臂以绕过未进行处理的区块的处理模块的方式向载体区块侧输送。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-258208号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

本实用新型提供一种针对基板处理装置能够提高生产率并且省空间的技术。

用于解决问题的方案

本实用新型的基板处理装置具备：

送入送出区块，在该送入送出区块中进行基板的送入和送出；

处理站，在该处理站与所述送入送出区块之间输送所述基板，该处理站相对于该载体区块设置于左右的一侧；

中继区块，其相对于所述处理站设置于左右的一侧，在该中继区块与该处理站之间输送所述基板；

处理区块，其左右排列地设置有多个而构成所述处理站，且多个处理区块均具备：处理模块，其对所述基板进行处理；和主输送机构，其相对于该处理模块交接所述基板；以及

旁通输送机构，其在每个左右排列的所述处理区块设置，以便独立于所述主输送机构地在左右的区块间输送基板，

作为利用所述旁通输送机构输送基板的输送路径的旁通输送路径彼此的高度不同，并且，在俯视时，该旁通输送路径的局部相互重叠。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述处理区块从左右的一方朝向另一方按照第1处理区块、第2处理区块、第3处理区块的顺序设置有至少3个，若将所述旁通输送机构的所述旁通输送路径分别设为第1旁通输送路径、第2旁通输送路径、第3旁通输送路径，则所述第2旁通输送路径的左端部在俯视时与所述第1旁通输送路径和所述第3旁通输送路径中的一者重叠，所述第2旁通输送路径的右端部在俯视时与所述第1旁通输送路径和所述第3旁通输送路径中的另一者重叠，所述第1旁通输送路径和所述第3旁通输送路径相对于所述第2旁通输送路径位于上方或下方。

对于上述基板处理装置，也可以是，该基板处理装置设置有基板载置部，该基板载置部相对于所述旁通输送路径的端部升降而相对于所述旁通输送机构交接所述基板，并且载置该基板。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述旁通输送机构具备：基体，其设置于所述处理区块；移动体，其相对于所述基体左右移动；以及基板支承体，其用于支承所述基板，并相对于所述移动体左右移动。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述处理模块左右排列地设置有多个，所述主输送机构具备在俯视时设置于该多个处理模块之间的柱，所述旁通输送路径包括前后方向的输送路径，且是使该基板绕过所述柱的旁通路径。

对于上述基板处理装置，也可以是，在所述基体和所述移动体中的一者设置有用于引导所述支承体的前后方向上的移动和左右方向上的移动的引导构件。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述引导构件是弯曲的轨道，所述基板支承体沿着所述弯曲的轨道移动，形成所述旁通路径。

对于上述基板处理装置，也可以是，在所述基体和所述移动体中的设置有所述引导构件那一侧设置有：连接部，其与该引导构件连接，能够与所述基板支承体一起在左右方向上且在前后方向上移动；以及移动构件，其与所述连接部连接，并且，能够在左右方向上移动，在所述连接部和所述移动构件中的一者设置有在前后方向上延伸的轨道部，以便使该一者相对于另一者前后滑动。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述在前后方向上延伸的轨道部设置于所述连接部。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述旁通输送路径包括：两个第1区域，其在左右方向上且在前后方向上输送所述基板；以及第2区域，其由所述第1区域夹着，仅在左右方向上输送所述基板，所述第1区域中的左右方向上的所述基板的移动速度比所述第2区域中的左右方向上的所述基板的移动速度小。

实用新型的效果

本实用新型能够针对基板处理装置提高生产率并且省空间。

附图说明

图1是本实用新型的第1实施方式的基板处理装置的横剖俯视图。

图2是所述基板处理装置的纵剖主视图。

图3是所述基板处理装置的纵剖主视图。

图4是所述基板处理装置的纵剖侧视图。

图5是设置于所述基板处理装置的梭动部的横剖俯视图。

图6是所述梭动部的立体图。

图7是设置于所述梭动部的晶圆输送部的上表面侧立体图。

图8是所述晶圆输送部的下表面侧立体图。

图9是所述梭动部的俯视图。

图10是所述梭动部的俯视图。

图11是表示所述梭动部的左右方向上的移动速度的曲线图。

图12是表示所述晶圆输送部的位置的说明图。

图13是所述梭动部输送晶圆的输送路径的俯视图。

图14是表示所述基板处理装置中的晶圆的输送路径的说明图。

图15是表示所述基板处理装置的变形例的概略主视图。

图16是第2实施方式的基板处理装置的概略主视图。

图17是表示所述基板处理装置中的晶圆的输送路径的说明图。

具体实施方式

〔第1实施方式〕

分别参照图1的横剖俯视图、图2、图3的纵剖主视图而对本实用新型的第1实施方式的基板处理装置1进行说明。对于图2、图3，表示装置的不同的位置的截面。基板处理装置1以载体区块D1、第1层叠处理区块D2、第2层叠处理区块D3、转接区块D4的顺序依次在横向上呈直线状并列排列。并且，对于这些区块(载体区块、第1层叠处理区块和第2层叠处理区块、转接区块)D1～D4，相邻的区块之间相互连接。另外，这些区块D1～D4分别具备壳体而相互划分开，在各壳体的内部形成有作为圆形的基板的晶圆W的输送区域。

将区块D1～D4的排列方向设为左右方向，为了方便说明，将载体区块D1侧设为左侧，将转接区块D4侧设为右侧。另外，对于装置的前后方向，将载体区块D1设为左时的近前设为前方，将深处设为后方。在作为中继区块的转接区块D4从右侧连接有曝光机20。

在详细地说明各区块D1～D4之前，说明基板处理装置1的概略结构。将晶圆W以收纳到例如称为FOUP(前开式晶圆传送盒：Front Opening Unify Pod)的载体C的状态向上述的载体区块D1输送，在该晶圆W的表面形成有抗蚀剂膜。基板处理装置1具备进行作为液处理的清洗处理和显影处理、曝光后且显影处理前的晶圆W的加热处理(曝光后烘烤：PEB：Post Exposure Bake)等各种处理的处理模块，另外，为了在进行PEB之前对抗蚀剂膜进行曝光，相对于曝光机20交接晶圆W。

进行包括液处理在内的各种处理的处理站G由第1层叠处理区块D2和第2层叠处理区块D3构成。并且，第1层叠处理区块D2和第2层叠处理区块D3均在纵向上被一分为二，被划分出的各处理区块构成具备处理模块和能够相对于该处理模块进行交接的主输送机构的处理区块。将如上述那样划分成两部分的第1层叠处理区块D2的下侧、上侧分别设为处理区块2A、处理区块2B，将划分成两部分的第2层叠处理区块D3的下侧、上侧分别设为处理区块2C、处理区块2D。

处理区块2A、2C彼此相邻，有时将这些处理区块2A、2C统一记载为下侧处理区块。另外，处理区块2B、2D彼此相邻，有时将这些处理区块2B、2D统一记载为上侧处理区块，在图1中示出了该上侧处理区块。在作为该上侧处理区块的处理区块2B、2D分别设置有独立于主输送机构的输送机构(旁通输送机构)。对于该独立的输送机构，以下记载为梭动部。该梭动部以不经由处理模块的方式朝向输送路径的下游侧的区块输送晶圆W。

下侧处理区块形成从载体区块D1朝向转接区块D4输送晶圆W的往路。并且，上侧处理区块形成从转接区块D4朝向载体区块D1输送利用曝光机20曝光完毕的晶圆W的复路。该复路中，晶圆W由处理区块2B和处理区块2D中的一个处理区块处的输送机构向处理模块输送并受到处理，在另一个处理区块由梭动部输送。也就是说，具有两个输送路径作为复路，晶圆W在该两个中的任一个路径被输送。此外，模块是指除了输送机构(包括梭动部在内)以外的供晶圆W载置的场所。将对晶圆W进行处理的模块如上述那样记载为处理模块，作为该处理，也包括为了检查而获取图像的处理。

以下，对各区块进行说明。载体区块D1是相对于收纳晶圆W的载体C进行晶圆W的送入和送出的送入送出区块。在构成载体区块D1的壳体的左侧的侧面以纵向排列的方式设置有3个支承载体C的支承台，从下侧起设为支承台11、12、13。对于该支承台11～13，均设置有各4个前后排列的载体C的载物台。支承台11、12各自的前方侧的两个载物台是为了相对于装置进行晶圆W的送入送出而供载体C载置的载物台14。对于其他载物台，构成为载体C相对于基板处理装置1的送入送出用的载物台、或者在无法进行向移载目标的移载时使载体C暂时退避的载物台，其表示为载物台15。设置有在载物台14、15之间移载载体C的移载机构16。

在载体区块D1的壳体内的输送区域17的前方侧、后方侧分别设置有输送机构18、19，而且，以在俯视时夹在输送机构18、19之间的方式设置有模块层叠体T1。模块层叠体T1是通过使供晶圆W临时载置的交接模块TRS、调整所载置的晶圆W的温度的温度调整模块SCPL等在纵向上重叠而构成的。此外，随后论述的其他模块层叠体也是同样的结构。此外，在本说明书中，在模块彼此在俯视时重叠的情况下，即使是彼此分离开的，也构成层叠体。

不过，对于温度调整模块SCPL，能够进行所载置的晶圆W的温度调整，并利用输送机构的升降动作交接晶圆W。对于交接模块TRS，例如是如下结构：设置有沿横向排列的多个销，并利用输送机构的升降动作相对于该销交接晶圆W。TRS、SCPL以也在除了载体区块D1以外的区块中构成模块层叠体的方式设置，在构成各模块层叠体的模块包括具有在区块之间交接晶圆W的作用的模块。此外，对于与梭动部之间交接晶圆W的梭动部用TRS，能够与上述的结构不同地升降，详细情况与梭动部一起说明。另外，以下，为了相互区别各处的SCPL、TRS，在SCPL、TRS之后标注数字来表示。对于构成模块层叠体T1的模块，从下侧朝向上侧表示为TRS1、TRS2、SCPL1、TRS3、SCPL2。

SCPL1为了形成往路而位于下侧处理区块的高度，TRS3、SCPL2为了形成复路而位于上侧处理区块的高度。TRS1、TRS2用于晶圆W在输送机构18、19之间的交接。输送机构18能够到达TRS1、TRS2，输送机构19能够到达TRS1～TRS3、SCPL1以及梭动部用TRS12B，以便能够以随后在图14中所示的输送路径输送晶圆W。此外，在构成模块层叠体T1的模块之间设置有处理前检查模块29，该处理前检查模块29的一部分部位向区块的壳体的外部突出。处理前检查模块29为了对利用基板处理装置1进行处理之前的晶圆W进行检查而进行上述的图像的获取。输送机构18也能够到达该检查模块29。

接下来，也参照作为纵剖侧视图的图4而对第1层叠处理区块D2(处理区块2A、2B)进行说明。第1层叠处理区块D2的前方侧在纵向上被划分开，从而形成有8个层，对于各层，从下侧朝向上侧设为E1～E8。下侧的E1～E4的层包含于处理区块2A，上侧的E5～E8的层包含于处理区块2B。各层是能够设置液处理模块的区域。

首先，对处理区块2B进行说明，在层E5～E8分别设置有向晶圆W供给显影液的显影模块21作为液处理模块。并且，在层E5～E8的后方设置有晶圆W的输送区域22。该输送区域22从处理区块2B的左端到右端、并且从层E5的高度到层E8的高度地在俯视时形成为直线状。在输送区域22的后方，处理模块例如在纵向上层叠成7层，从而设为处理模块层叠体23，该处理模块层叠体23以左右隔开间隔的方式设置有两个。在该两个处理模块层叠体23包括进行PEB的加热模块24和处理后检查模块25。处理后检查模块25除了图像的获取对象是利用装置进行处理后的晶圆W之外，与处理前检查模块29同样。

在处理区块2B设置有主输送机构3B。主输送机构3B具备支柱31、主体部32、以及保持晶圆W的保持部33。支承主体部32的支柱31在处理区块2B的左右的中央部从该处理区块2B的下端部向上端部在铅垂方向上延伸，位于由两个处理模块层叠体23从左右夹着的位置。更详细而言，位于该两个处理模块层叠体23之间的区域的前端侧。并且，作为多关节臂的主体部32的基端侧支承于支柱31的前方侧的侧面而设置于输送区域22，并沿着支柱31的延伸方向升降。如此使主体部32升降的机构设置于例如支柱31。主体部32的顶端侧的腕部构成为使两个保持部33独立地进退的基座。

利用主输送机构3B相对于如下模块交接晶圆W，在处理区块2B内的各处理模块以及设置于与处理区块2B相邻的区块的模块层叠体(T1和随后论述的T2)中该模块位于与该处理区块2B的高度相同的高度。此外，主输送机构3B也能够相对于在该处理区块2B设置的随后论述的梭动部用TRS交接晶圆W。

处理模块层叠体23的下方侧构成为被划分出的扁平的空间5B，空间5B从处理区块2B的左端设置到右端。上述的支柱31以陷入该空间5B的左右的中心部的前端部的方式定位。因而，空间5B的左右的中心部的前端部朝向后方凹陷。梭动部4B和该梭动部用TRS12B、TRS12D设置于该空间5B中。随后详细论述这些梭动部和梭动部用TRS。

不过，对于除了以下说明的处理区块2B以外的各处理区块，若除了随后说明的差异点，则为与该处理区块2B的结构大致同样的结构。各处理区块均具备相当于主输送机构3B的主输送机构，作为该主输送机构的附图标记，替代“B”而标注与标注于该处理区块的英文相同的英文来表示。具体而言，若是处理区块“2A”，则对于该主输送机构，表示为“3A”。并且，对于相当于主输送机构3B的其他主输送机构，也构成为能够相对于设置有该主输送机构的处理区块内的处理模块和梭动部用TRS、该处理区块内或者在左右方向上与该处理区块相邻的区块的模块层叠体交接晶圆W。

另外，对于相当于上述的空间5B的、能够设置梭动部的空间的附图标记，也替代“B”而标注与标注于处理区块的英文相同的英文来表示。而且，对于在处理区块设置有梭动部的情况，作为该梭动部的附图标记，也标注与标注于该处理区块的英文相同的英文来表示。另外，对于梭动部用TRS，标注与设置有梭动部的处理区块相同的英文，并且，对成为输送源头的TRS将11标注于英文之前来表示，对成为输送目的地的TRS将12标注于英文之前来表示。并且，对于梭动部输送晶圆W的输送路径，在数字40之后标注与标注到梭动部的英文相同的英文来表示。对于以上的附图标记的规则，若列举具体例来表示，则随后论述的设置于处理区块2D的梭动部表示为4D。并且，该梭动部4D的输送源头、输送目的地的TRS分别表示为TRS11D、TRS12D，梭动部4D输送晶圆W的输送路径表示为40D，设置有梭动部4D的空间表示为5D。

回到处理区块的结构的说明，使用图4对处理区块2B的下侧的处理区块2A进行说明。作为与处理区块2B之间的差异点，能列举出如下几点：在各层E1～E4设置有向晶圆W的背面供给清洗液来进行清洗的背面清洗模块26作为液处理模块；输送区域22跨层E1～E4的高度地设置。另外，作为构成处理模块层叠体23的处理模块，包括用于在显影时去除晶圆W的周缘部的不需要的抗蚀剂膜的周缘曝光模块27。并且，在处理区块2A中，替代处理模块层叠体23的下方侧而在上方侧设置有空间5A，在本例中，在该空间5A中未设置梭动部。如此，空间与处理模块层叠体23之间的上下的位置关系与处理区块2B不同，但在处理区块2A，也在由两个处理模块层叠体23夹着的位置设置有主输送机构3A的支柱31。并且，俯视时的处理模块层叠体23、主输送机构3A、输送区域22、液处理模块的布局与处理区块2B的布局相同。

接下来，使用图1～图3对构成装置的右侧的各处理区块的第2层叠处理区块D3(处理区块2C、2D)进行说明。该第2层叠处理区块D3是与第1层叠处理区块D2的结构大致相同的结构，以与第1层叠处理区块D2之间的差异点为中心进行说明。首先，若对上侧的处理区块2D进行说明，则关于输送区域22、处理模块层叠体23、主输送机构以及与处理模块层叠着的梭动部设置用的空间的位置关系，与处理区块2B相同。另外，搭载于处理区块2D的处理模块与处理区块2B的处理模块相同。并且，处理区块2D中的梭动部用的空间5D位于与空间5B的高度相同的高度，并且，与空间5B连通。在该空间5D中设置有梭动部4D、梭动部用TRS11B、TRS11D。

并且，对于下侧的处理区块2C，同样地是与下侧的处理区块2A的结构大致相同的结构，若列举差异点，则能列举出如下内容：在层E1～E4设置有在由曝光机20进行的曝光后向晶圆W的表面供给清洗液来进行清洗的曝光后清洗模块28。另外，在处理区块2C不进行除了该清洗以外的处理，而未设置处理模块层叠体23。并且，空间5C位于与空间5A的高度相同的高度并与空间5A连通，在本例中，在该空间5C未设置梭动部。

不过，在第2层叠处理区块D3的输送区域22的左端部设置有模块层叠体T2，模块层叠体T2位于在俯视时其局部占据第1层叠处理区块D2的输送区域22的右端部的位置。在模块层叠体T2包括位于下侧处理区块的高度的TRS4和位于上侧处理区块的高度的SCPL3。

对转接区块D4进行说明。转接区块D4在前后的中央部设置有模块层叠体T3。在该模块层叠体T3包括相互层叠着的TRS5～TRS8、温度调整模块ICPL。ICPL在即将由曝光机20进行曝光之前与SCPL同样地用于调整晶圆W的温度。TRS5～TRS7设置于下侧处理区块的高度，TRS8设置于上侧处理区块的高度。在模块层叠体T3的前方、后方分别设置有输送机构34、35。输送机构34在曝光机20、TRS5和位于靠模块层叠体T3的下方的位置的ICPL之间交接晶圆W。输送机构35相对于构成模块层叠体T3的各模块和处理区块2D的梭动部用TRS11D进行晶圆W的交接。

接下来，对梭动部4B、4D和梭动部用TRS11B、TRS12B、TRS11D、TRS12D进行说明。通过如上述那样使用梭动部4B、4D，而在晶圆W的复路包括两个输送路径。在其中的一个输送路径中，晶圆W从转接区块D4向处理区块2D输送而在该处理区块2D进行了处理之后，由梭动部4B从TRS11B向处理区块2B的TRS12B输送，返回载体区块D1。在另一个输送路径中，从转接区块D4输送到处理区块2D的TRS11D的晶圆W由梭动部4D向处理区块2B的TRS12D输送，在该处理区块2B进行处理而返回载体区块D1。

如图1所示，对于梭动部4B用的TRS11B、TRS12B中的、输送目的地的TRS12B，设置于空间5B的左端部、即相对于主输送机构3B的支柱31设置于左方，以便能够与载体区块D1的输送机构19之间交接晶圆W。并且，对于输送源头的TRS11B，相对于主输送机构3D的支柱31位于左方且位于比模块层叠体T2靠右方的位置，以便能够进行与主输送机构3D之间的晶圆W的交接，并且防止由梭动部4B导致的输送区域的大型化。对于梭动部4D用的TRS11D、TRS12D中的、输送源头的TRS11D，设置于空间5D的右端部、即相对于主输送机构3D的支柱31设置于右方，以便能够与转接区块D4的输送机构35之间进行晶圆W的交接。对于输送目的地的TRS12D，相对于该主输送机构3B的支柱31位于右方且位于比模块层叠体T2靠左方的位置，以便能够进行与主输送机构3B之间的晶圆W的交接，并且防止由梭动部4D导致的输送区域的大型化。

并且，为了能够进行除了梭动部以外的各输送机构对晶圆W的交接，这些梭动部用的TRS11B、TRS12B、TRS11D、TRS12D均设置于空间5B或5D中的靠前方的位置。因而，主输送机构3B的支柱31位于在俯视时连结TRS11B和TRS12B的直线上，主输送机构3D的支柱31位于在俯视时连结TRS11D和TRS12D的直线上。

因此，梭动部4B构成为，以绕过主输送机构3B的支柱31的方式从TRS11B向TRS12B输送晶圆W，梭动部4D构成为，以绕过主输送机构3D的支柱31的方式从TRS11D向TRS12D输送晶圆W。因而，梭动部4B输送晶圆W的输送路径40B、梭动部4D输送晶圆W的输送路径40D成为除了包括左右的移动路径之外、还包括前后的移动路径的旁通路径。此外，这些输送路径40B、40D分别是水平的输送路径，在图1中以虚线的箭头、双点划线的箭头分别表示。

上述的输送路径40B、40D是由作为旁通输送机构的梭动部4B、4D进行输送的旁通输送路径。并且，由于与梭动部4B之间交接晶圆W这样的作用，作为梭动部用的基板载置部的TRS11B、TRS12B分别位于输送路径40B的长度方向上的一端部、另一端部。同样地，由于与梭动部4D之间交接晶圆W这样的作用，作为梭动部用的基板载置部的TRS11D、TRS12D分别位于输送路径40D的长度方向上的一端部、另一端部。

以下，对梭动部4B的结构的概要进行说明。梭动部4B具备基体41、中间移动体61以及晶圆输送部71，这3个构件在左右方向上相对移动。基体41是在空间5B的靠后方的位置处左右延伸的纵长的构件，以固定于该位置的方式设置。因而，基体41在处理区块2B相对于处理模块层叠体23、液处理模块的位置固定。中间移动体61是设置于基体41的前方侧、且左右延伸的纵长的构件。晶圆输送部71设置于中间移动体61的前方侧，用于支承并输送晶圆W。

中间移动体61是能够相对于基体41左右水平移动的移动体。晶圆输送部71能够相对于中间移动体61左右、并且前后水平移动。中间移动体61向左方的移动和晶圆输送部71向左方的移动一起进行，中间移动体61向右方的移动和晶圆输送部71向右方的移动一起进行。并且，晶圆输送部71的前后的位置根据相对于晶圆输送部71的左右的位置变化，从而进行晶圆W在上述的TRS11B、TRS12B之间的输送。中间移动体61的移动、晶圆输送部71的移动以设置于基体41的马达42为动力源而一起进行。

以下，参照图5的俯视图和图6的概略立体图而详细地说明梭动部4B的各部的结构。在图5、图6中，切除基体41和中间移动体61的上部侧而示出内部。基体41具备呈方型且左右纵长的壳体43，以从该壳体43的左端部向后方突出的方式设置有马达42。在壳体43内的后端侧的左端部、右端部分别设置有带轮44、45。带轮44、45能够绕前后延伸的水平轴线转动，在这些带轮44、45架设有环形的带46。带轮44与马达42连接，利用该马达42使带46借助带轮44、45转动。

在壳体43内、且比设置有带46的位置靠前方侧的位置设置有左右呈直线状延伸的导轨47、48。导轨47、48以前后隔开间隔、且相互平行的方式设置，导轨47设置于壳体43的前后的中央部，导轨48设置于壳体43的靠前方的位置。并且，在壳体43内设置有滑块51，该滑块51具备构成方型的台的主体部51A和从主体部51A向后方突出的连接部51B。主体部51A与导轨47、48连接，该连接部51B与带46连接。并且，由于上述的带46的转动，该滑块51沿着导轨47、48左右水平移动。此外，与滑块51连接的导轨如此设有两个、且设置于已述的位置的原因在于，对于将中间移动体61和晶圆输送部71支承于前方侧的基体41，保证较高的刚性而抑制变形，而向所期望的位置更可靠地输送晶圆W。

在壳体43的前方侧的侧面形成有左右延伸并在壳体43内开口的狭缝49，滑块51的主体部51A的前方侧经由该狭缝49向壳体43的外部突出。并且，在壳体43内，在左端侧的前后和右端侧的前后的共计4个部位设置有能够绕铅垂轴线转动的辊52。在各辊52架设有密封带53，并且，密封带53的一端、另一端分别与主体部51A的左端、右端连接。由此，狭缝49处的除了主体部51A所位于的部位以外的部位由该密封带53从壳体43的内侧封堵。此外，连接部51B位于比密封带53靠下方的位置，以使在俯视时密封带53的在壳体43内的后方侧左右延伸的部位与滑块51的连接部51B重叠但不相互干涉。

另外，在壳体43内的左端部和右端部设置有能够绕铅垂轴线转动的辊54。带55从前方架设在该两个辊54，该带55在两个辊54之间与导轨47、48平行，并且，位于滑块51的主体部51A上。并且，带55的一端、另一端与设置于各辊54的后方的固定构件56连接，从而固定于壳体43内。

在主体部51A的后部上，能够分别绕铅垂轴线转动的带轮57、58依次朝向上方层叠而设置，这些带轮57、58联动。也就是说，若带轮57、58中的一者转动，则另一者也转动。在带轮58连接有上述的带55，如上述那样滑块51左右移动，从而带轮58在带55上滚动，由此，带轮57转动。另外，在主体部51A的前部上以左右分开的方式设置有两个能够分别绕铅垂轴线转动的带轮59，相对于带轮57、58分别位于左侧、右侧。带轮57、58设置于壳体43的内侧，带轮59设置于壳体43的外侧。

接下来，对中间移动体61进行说明。中间移动体61具备方型的壳体62，上述的滑块51的主体部51A的前方侧经由壳体62的后方侧的开口部进入壳体62内，并相对于该壳体62固定。并且，壳体62的前方侧开口。该开口是为了在晶圆输送部71前后移动时使该晶圆输送部71和晶圆W能够进入壳体62内而使壳体62不与该前后移动干涉而形成的。

在壳体62内的前端部设置有左右呈直线状延伸的导轨69，滑块63与该导轨69连接。在壳体62内的4角附近设置有能够绕铅垂轴线转动的带轮60。并且，在该带轮60和上述的滑块51上的带轮57、59架设有环形的带64，在该带64连接有滑块63的后部侧。通过如此构成，若如上述那样滑块51上的带轮57转动，则带64转动，滑块63沿着导轨69左右水平移动。在作为该能够左右移动的移动体的滑块63的上部形成有朝向前后延伸的槽65。槽65是与随后论述的导轨74成对的引导件。

在壳体62内的导轨69的后方且在俯视时由带64包围的位置设置有弯曲轨道66。弯曲轨道66是以在壳体62内的左端部与右端部之间左右延伸的方式形成的轨道，但其局部由于弯曲而在前后方向上延伸。若进一步详细地说明弯曲轨道66的形状，则左右延伸的直线状的导轨的左端部、右端部以朝向前方且分别朝向左侧、右侧的方式弯曲。并且，对于如此弯曲而成的左端部的顶端侧、右端部的顶端侧，其以分别再朝向左侧、右侧的方式弯曲。如此在共计4个部位处弯曲而成的弯曲轨道66是左右对称的形状。另外，在弯曲轨道66的上表面，沿着该弯曲轨道66的延伸方向形成有引导用槽67。

接下来也参照图7的上表面侧立体图、图8的下表面侧立体图而对晶圆输送部71进行说明。晶圆输送部71具备水平的方板状的晶圆支承体(基板支承体)72和从晶圆支承体72的背面侧向后方延伸的臂73。晶圆支承体72的前后宽度比晶圆W的直径小，晶圆W以该晶圆W的周缘部在晶圆支承体72的前后露出的方式载置于该晶圆支承体72上(参照图5)。

在臂73的背面设置有导轨74和辊75。导轨74以从臂73的顶端部(前端部)朝向基端侧在前后方向上呈直线状延伸的方式形成。辊75位于自导轨74向后方分开的位置，能够绕铅垂轴线转动。导轨74位于滑块63的槽65内，能够相对于该槽65前后滑动。另外，辊75位于弯曲轨道66的引导用槽67内，能够在该引导用槽67的侧壁滚动。如此，臂73构成为借助辊75与弯曲轨道66连接的连接部。

根据以上的结构，随着滑块63的左右的移动，臂73以其基端部位于弯曲轨道66上的方式左右移动。即、借助臂73，支承晶圆W的晶圆支承体72沿着弯曲轨道66的形状移动，能够以图1所示的输送路径40B输送晶圆W。

接下来，对图5、图6所示的、作为梭动部4B输送晶圆W的输送目的地的TRS12B进行说明。TRS12B具备主体部77和升降机构78(仅表示在图2中)，利用升降机构78使主体部77在上方位置与下方位置之间沿铅垂方向升降。主体部77具备：销支承体77A，其以构成在俯视时朝向右侧开口的凹部的方式形成；和3根销77B，其设置到该销支承体77A上。销支承体77A位于输送路径40B的下方侧，对于各销77B，其在铅垂上延伸，并且，以相互隔开间隔的方式配置。利用升降机构78使主体部77相对于输送路径40B升降，从而使销77B支承晶圆W的如已述那样在俯视时在梭动部4B的晶圆支承体72的前后露出来的周缘部，能够在该晶圆支承体72与TRS12B之间交接晶圆W。

此外，升降机构78包括例如缸、马达等，设置于例如TRS12B的主体部77的下方侧，以便不与梭动部4B的中间移动体61以及晶圆输送部71、TRS12B的主体部77干涉。另外，对于TRS11B，在本例中，除了俯视时的主体部77所构成的凹部的开口的朝向向左之外，是与TRS12B的结构同样的结构。由于如上述那样由梭动部4B进行输送的输送路径40B水平，因此，TRS11B、TRS12B设置于相同的高度。

参照图9、图10和已述的图5而进一步详细地说明梭动部4B对晶圆W的输送。图9是通过支承晶圆W的TRS11B的主体部77从上方位置向下方位置移动、晶圆输送部71刚刚接收晶圆W之后、即、即将向TRS12B进行输送之前的状态。图10是晶圆W向TRS12B输送的过程中的状态。并且，图5是TRS12B的主体部77向上方位置移动而即将接收晶圆W之前的状态、即晶圆W朝向TRS12B的输送结束时的状态。

从图9所示的与TRS11B重叠的位置(相对于TRS11B进行交接的位置，输送开始位置)向左方移动了的晶圆W在其移动中途成为一边向左方移动一边向后方移动的状态。然后，向后方的移动停止，成为仅向左方的移动，并在支柱31的后方经过(图10)。并且，若进一步向左方移动，则成为一边向左方移动一边向前方移动的状态，然后，向前方的移动停止，成为仅向左方的移动，向与TRS12B重叠的位置(相对于TRS12B进行交接的位置，输送结束位置)移动(图5)。在利用TRS12B的升降动作而使TRS12B接收到晶圆W之后，晶圆输送部71在与朝向TRS12B以相反的路径中朝向TRS11B返回，并从TRS11B重新接收晶圆W。

如图9所示，在相对于TRS11B进行晶圆W的交接之际，中间移动体61的右端位于比基体41的右端靠右侧的位置，晶圆输送部71的右端位于比中间移动体61的右端靠右侧的位置。在如图5所示那样相对于TRS12B进行晶圆W的交接之际，中间移动体61的左端位于比基体41的左端靠左侧的位置，晶圆输送部71的左端位于比中间移动体61的左端靠左侧的位置。中间移动体61、晶圆输送部71分别如此移动，从而使能够输送晶圆W的区域的左右的长度扩大，并且谋求了梭动部4B的小型化、乃至基板处理装置1的小型化。

此外，如迄今为止所述这样在前后方向上设置的多个构件(基体41、中间移动体61、晶圆输送部71)改变彼此的相对的左右方向上的位置，从而进行梭动部4B对晶圆W的输送。通过构件彼此的左右的相对位置如此变化，TRS11B、TRS12B难以与梭动部4B干涉。这有助于TRS11B、TRS12B的配置、设计的自由度变高，针对各销77B的配置的自由度也较高。此外，销77B也可以设置有3个以上。

接下来，参照图11、图12而晶圆输送部71对如已述那样从输送开始位置向输送结束位置移动之际的速度控制、即、使晶圆输送部71移动的马达42的动作控制的例子进行说明。图11是表示上述的移动中的晶圆输送部71的左右方向上的移动速度的变化的图表。图12表示该移动中的弯曲轨道66的各位置处的晶圆输送部71。不过，在图12中，对于该晶圆输送部71，为了与图11的图表中的标注到横轴的时刻t1～t8相对应，标注与该时刻t1～t8相同的附图标记来表示。此外，在图12中，省略时刻t4、t5处的晶圆输送部71的图示，另外，也省略了支承于晶圆输送部71的晶圆W的表示。为了方便说明，将从输送开始位置到输送结束位置为止的弯曲轨道66的4个弯曲部依次设为66A、66B、66C、66D。

从静止到输送开始位置的状态起向左方开始移动(时刻t1)，向左方的移动速度持续上升。若晶圆输送部71的臂73到达弯曲部66A，则该移动速度停止上升(时刻t2)，并以恒定的速度向左方移动。若臂73到达弯曲部66B，则晶圆输送部71向左方的移动速度再次开始上升(时刻t3)，然后，该移动速度的上升停止而成为恒定(时刻t4)。之后，在臂73即将到达弯曲部66C之前，晶圆输送部71向左方的移动速度下降(时刻t5)，若臂73到达弯曲部66C，则晶圆输送部71向左方的移动速度的降低停止而成为恒定(时刻t6)。然后，若臂73到达弯曲部66D，则晶圆输送部71向左方的移动速度降低，晶圆输送部71到达输送结束位置而移动停止(时刻t7)。

如此与弯曲部66A～66D的位置相对应地控制晶圆输送部71的左右方向上的移动速度。更详细地说明，将晶圆W的输送路径40B中的、臂73的基端部从弯曲部66A向弯曲部66B移动而形成的区域以及从弯曲部66C向弯曲部66D移动而形成的区域(也就是说，晶圆W除了左右移动之外也前后移动的区域)设为第1区域。并且，将输送路径40B中的臂73的基端部从弯曲部66B向弯曲部66C移动而形成且由两个上述的第1区域夹着的区域(也就是说，晶圆W仅左右移动的区域)设为第2区域。

如已经详细地表示的那样，对于晶圆W的左右方向上的移动速度，控制为，各第1区域中的该左右方向上的移动速度比第2区域中的左右方向上的移动速度小。其原因在于，在进行前后移动及左右移动的第1区域中，基于各方向上的移动的矢量的合计的矢量作用于晶圆W。也就是说，若假设使晶圆W在第1区域和第2区域中等速移动，则在第1区域，更大的力施加于晶圆W。因而，对于左右的移动速度，设为第2区域＞第1区域，以便能够在该第1区域更可靠地防止发生晶圆W相对于晶圆输送部71的错位、脱离。若换个想法，则通过增大不包括前后移动的第2区域中的晶圆W的左右的速度，谋求了生产率的提高。

此外，在晶圆输送部71返回TRS11B侧的输送开始位置之际，由于没有被支承的晶圆W，因此，可以与朝向TRS12B侧的输送结束位置时同样地进行使左右方向上的移动速度阶段性变化的控制，但也可以不进行这样的控制。也就是说，在使速度从向TRS12B交接晶圆W的输送结束位置起上升了之后，使速度上升停止而以速度恒定的状态移动，在向TRS11B交接晶圆W的输送开始位置的附近使其减速。即、若如图12所示那样以速度变化的图表表示，则控制为，速度以图表描绘成梯形的方式变化。也就是说，也可以是，速度的变化的阶段数比向TRS12B输送晶圆W之际少，而谋求生产率的提高。

接下来，若对处理区块2D的梭动部4D进行说明，则该梭动部4D除了与TRS11D、TRS12D的配置相应地使中间移动体61左右方向上的相对于基体41的连接位置不同之外，是与梭动部4B的结构同样的结构，进行与梭动部4B同样的速度控制。对于TRS11D、TRS12D，也是分别与TRS11B、TRS12B的结构同样的结构，利用升降机构78使具备销77B的主体部77相对于输送路径40D升降。

对于梭动部4B的输送路径40B、梭动部4D的输送路径40D的位置关系，也参照作为俯视图的图13进行说明。如由迄今为止所述的各梭动部用TRS的配置所示这样，输送路径40B、40D均从处理区块2B的空间5B到处理区块2D的空间5D地设置。梭动部4B、TRS11B、TRS12B这组与梭动部4D、TRS11D、TRS12D这组在纵向(垂直方向)上设置于彼此错开了的位置(参照图2、图4)，以使不在输送路径40B、40D之间干涉。即、对于输送路径40B、40D，高度互不相同。并且，如图13所示，输送路径40B的右端部与输送路径40D的左端部在俯视时重叠。此外，在本例中，输送路径40B处于上侧，输送路径40D处于下侧，但也可以是相反的配置。

不过，基板处理装置1具备控制部10(参照图1)。该控制部10由计算机构成，具备程序、存储器、CPU。在程序中编入有步骤组，以便能够实施基板处理装置1的一系列的动作。并且，利用该程序，控制部10向基板处理装置1的各部送出控制信号，控制该各部的动作。具体而言，控制主输送机构3A～3D、梭动部4B、4D、各处理模块的动作。由此，进行随后论述的晶圆W的输送和晶圆W的处理。此外，作为梭动部4B、4D的动作控制，也包括利用图12进行了说明的速度控制。另外，在控制部10所进行的模块的动作的控制中也包括基于从各检查模块发送的图像数据来实施异常判定的控制。上述的程序收纳于例如光盘、硬盘、DVD等存储介质，并安装于控制部10。

接下来，参照表示输送路径的概略的图14而对基板处理装置1中的晶圆W的处理和输送进行说明。在图14中，在表示晶圆W在模块之间的输送的一部分箭头上或者箭头的附近示出有用于该输送的输送机构。此外，在本例中，设为：晶圆W从支承台11上的载体C交出，处理完毕的晶圆W朝向支承台12上的载体C返回。

首先，晶圆W被输送机构18从支承台11的载体C送出，以处理前检查模块29→输送机构18→TRS1→输送机构19→SCPL1的顺序在载体区块D1内被输送。然后，晶圆W以主输送机构3A→背面清洗模块26→主输送机构3A→周缘曝光模块27→主输送机构3A→TRS4→主输送机构3C的顺序在下侧处理区块内输送，向转接区块D4的TRS5输送。然后，晶圆W以输送机构35→ICPL→输送机构34→曝光机20→输送机构35→TRS6→主输送机构3C→曝光后清洗模块28→主输送机构3C→TRS7→输送机构35的顺序输送，在转接区块D4、曝光机20、处理区块2C之间交接。

之后的晶圆W的输送路径如上述那样被分成在处理区块2D进行处理的路径(一个输送路径)和在处理区块2B进行处理的路径(另一个输送路径)。若对一个输送路径进行说明，则转接区块D4的输送机构35向TRS8输送晶圆W，晶圆W由主输送机构3D装入处理区块2D。接着，对于晶圆W，以加热模块24→SCPL3→显影模块21→处理后检查模块25→主输送机构3D的顺序输送，进行根据曝光机20的曝光图案的图案掩模的形成和检查。之后，晶圆W如在图5、图9、图10中进行了说明那样以TRS11B→梭动部4B→TRS12B的顺序输送，载体区块D1的输送机构19接收该晶圆W，并向模块层叠体T1的TRS2输送。

若对另一个输送路径进行说明，则晶圆W以输送机构35→TRS11D→梭动部4D→TRS12D→主输送机构3B的顺序输送，晶圆W装入处理区块2B。然后，该晶圆W由主输送机构3B以加热模块24→SCPL3→显影模块21→处理后检查模块25的顺序输送，在与输送到处理区块2D的晶圆W同样地进行了处理之后，向载体区块D1的TRS3输送。接下来，晶圆W由输送机构19向TRS2输送。在这两个输送路径中，输送到TRS2的晶圆W由输送机构18向支承台12上的载体C输送。

通过如以上所述这样构成基板处理装置1并且进行输送，从而处理区块2B的主输送机构3B、处理区块2D的主输送机构3D无需分别朝向载体区块D1侧输送在设置有主输送机构3B、3D的区块中未受到处理的晶圆W。也就是说，可降低主输送机构3B、3D各自的负载，更具体而言减少在区块内所需要的输送工序的数量。在处理区块2B、处理区块2D分别如已述那样设置有许多模块，但通过如此降低负载，主输送机构3B、3D能够迅速地到达各模块而接收晶圆W，并向下游侧的模块输送该晶圆W。即、对于基板处理装置1，能够利用许多处理模块处理晶圆W，并且，能够在模块之间迅速地输送晶圆W。因而，根据该基板处理装置1，能够提高生产率。

并且，独立于主输送机构3B、3D地在处理区块2B、2D分别设置有梭动部4B、4D，以使主输送机构3B、3D无需分别以跨左右排列的区块的方式移动。该梭动部4B的输送路径40B向处理区块2D突出，梭动部4D的输送路径40D向处理区块2B突出。并且，对于如此以跨左右相邻的各区块的方式设置的输送路径40B、40D，其高度彼此错开，不相互交叉，因此，能够相互独立地进行梭动部4B的输送和梭动部4D的输送。更详细而言，在由4A、4B中的一个梭动部进行的输送中，无需为了避免与该一个梭动部之间的干涉而使由另一个梭动部进行的输送停止。因而，能够更可靠地提高基板处理装置1的生产率。另外，高度这样错开了的输送路径40B、40D在俯视时重叠，因此，能够防止基板处理装置1的前后宽度的扩大，使基板处理装置1的占用空间减少，谋求省空间化。

不过，需要以不与洁净室的顶部干涉的方式设定基板处理装置1的高度。另一方面，显影模块21等液处理模块具备收纳晶圆W的杯(未图示)，因此，高度相对较大。不过，在基板处理装置1，如上述那样以与进行不同于液处理的种类的处理的处理模块层叠体23重叠的方式设置有梭动部4B、4D。因此，在有限的装置的高度中，为了增多能够设置液处理模块的层的数量，并且能够相对于各层交接晶圆W，而能够充分地确保输送区域22的高度。因而，根据基板处理装置1，能够更可靠地提高晶圆W的生产率。

而且，梭动部4B、4D相对于上侧处理区块处的处理模块层叠体23位于下方、即、位于靠下侧处理区块侧的高度。也就是说，相对于处理模块层叠体23而言位于上侧处理区块和下侧处理区块中的、从下方与设置有梭动部用的旁通输送路径的区块连接的区块侧的位置设置有梭动部4B、4D。假设梭动部4B、4D设置于上侧处理区块处的比较高的位置，梭动部4B、4D用的各TRS也设置于比较高的位置。在该情况下，对于相对于TRS12B、TRS11D分别交接晶圆W的输送机构19、35，认为需要向比构成模块层叠体T1、T3的各模块的位置靠上方的位置移动。即、如上述那样将梭动部4B、4D相对于处理模块层叠体23设置于靠下侧处理区块侧的高度的做法抑制输送机构19、35的升降量。因而，该梭动部4B、4D的配置有助于更可靠地提高生产率。

并且，梭动部4B的输送路径40B、梭动部4D的输送路径40D如上述那样分别绕过主输送机构3B、3D的支柱31。对于该输送路径40B、40D，想到：不设为如此绕过的路径而是以在支柱31的后方侧经过的方式设置成直线状，并且，增大除了梭动部以外的输送机构的横向上的移动量而在梭动部4B、4D之间交接晶圆W。不过，在这样的结构中，基板处理装置1的占用空间变大。因而，输送路径40B、40D如上述那样设为支柱31的旁通路径，从而防止基板处理装置1的大型化。另外，若换个想法，则通过使梭动部4B、4D如此形成支柱31的旁通路径，从而无需使支柱31的前后的位置与处理模块层叠体23的前后的位置错开。因此，抑制基板处理装置1的前后宽度的扩大，防止基板处理装置1的大型化。

另外，梭动部4B、4D如已述那样是基体41、中间移动体61、晶圆输送部71的左右的相对位置变化的结构。通过如此使相对位置变化，梭动部4B、4D能够设为这些构件(基体41、中间移动体61、晶圆输送部71)分别收纳到处理区块2B、处理区块2D的状态。因而，当在装置的制造工厂中装配处理区块2B、处理区块2D之后，在向用于设置基板处理装置1的洁净室输送时，能够缩小处理区块2B、处理区块2D各自的左右的宽度。因此，能够简化该输送时的劳力和时间、输送用的设备。另外，如此将梭动部4B、4D分别收纳于处理区块2B、2D来输送的做法有助于在输送目的地迅速地组装装置而使其能够运转。

并且，以设置于基体41的马达42作为共用的驱动源来进行中间移动体61和晶圆输送部71的移动。如此，由于驱动源如此共用，因此能够谋求制造成本的降低、装置结构的简化。不过，梭动部4B、4D是晶圆输送部71的臂73如上述那样沿着弯曲轨道66移动的结构。根据该结构，不分别设置该臂73的左右移动用、前后移动用的驱动源，就能够向臂73传递作为上述的驱动源的马达42的驱动力而进行左右移动、前后移动。出于这点考虑，也能够避免装置结构的复杂化，能够防止制造成本的上升，因此是有利的。

并且，其是如下结构：在用于控制臂73的移动轨迹的弯曲轨道66的前方侧(晶圆支承体72所位于的那一侧)设置有滑块63，在该滑块63支承有臂73，并且该滑块63沿着臂73的导轨74移动，因此，臂73被支承在晶圆支承体72附近。因此，能抑制由臂73的自重、晶圆W的重量导致的臂73的负载的增大，抑制构成梭动部4B、4D的各零部件的劣化，除此之外，还能抑制臂73的动作的晃动。因而，能够利用该结构向输送目的地的所期望的位置高精度地输送晶圆W。

不过，对于梭动部用TRS11D，也可以是，配置于转接区块D4，梭动部4D从转接区块D4经过处理区块2D而向处理区块2B的TRS11D输送。另外，对于梭动部用TRS12B，也可以是，配置于载体区块D1，梭动部4B从处理区块2D的TRS11B经过处理区块2B而向TRS11B输送。也就是说，对于梭动部用的各TRS，并不限于设置于处理区块。并且，作为梭动部，用于在左右排列的区块的一侧与另一侧之间朝向晶圆W的输送路径的下游侧的区块输送晶圆W，并不限于如在基板处理装置1中所示那样在左右相邻的区块之间交接晶圆W的结构。

〔第1实施方式的变形例〕

示出了在复路设置有梭动部和梭动部用TRS的例子，但也可以设为在往路设置有梭动部和梭动部用TRS的装置结构。在图15中，表示在往路和复路设置有梭动部和梭动部用TRS的基板处理装置1A的概略主视图。以下，以与基板处理装置1之间的差异点为中心进行说明，基板处理装置1A的下侧的处理区块2A、2C具备彼此相同的处理模块，例如包括抗蚀剂膜形成模块作为液处理模块，在模块层叠体23中包含抗蚀剂膜形成后的加热模块。

在处理区块2A的空间5A中的靠前方的位置设置有梭动部4A、TRS11A、TRS11C，在处理区块2C的空间5C的靠前方的位置设置有梭动部4C、TRS12A、TRS12C。在空间5A中，TRS11A、TRS11C以隔着主输送机构3A的支柱31的方式朝向右侧依次设置，在空间5C中，TRS12A、TRS12C以隔着主输送机构3C的支柱31的方式朝向右侧依次设置。并且，梭动部4A、TRS11A、TRS12A这组的高度与梭动部4C、TRS11C、TRS12C这组的高度彼此错开。

由于其是以上这样的各构件的布局，因此，梭动部4A的输送路径40A、梭动部4C的输送路径40C的位置关系与利用图13进行了说明的输送路径40B、40D的位置关系同样。即、输送路径40A、40C的高度互不相同，并且其端部在俯视时相互重叠。此外，在下侧的处理区块2A、2C，将梭动部和梭动部用TRS设置于处理模块层叠体23的上侧的原因在于，与在上侧的处理区块2B、2D将梭动部和梭动部用TRS设置于处理模块层叠体23的下侧的理由同样，防止输送机构19、35的移动范围的增大。

对该基板处理装置1B中的往路的两个输送路径进行说明。在一个输送路径中，从载体C送出而输送到载体区块D1的模块层叠体T1的晶圆W由主输送机构3A接收，在处理区块2A内进行了处理之后，以TRS11C→梭动部4C→TRS12C→转接区块D4的顺序输送。并且，在另一个输送路径中，从载体C送出来的晶圆W以载体区块D1的输送机构19→TRS11A→梭动部4A→TRS12A→主输送机构3C的顺序输送，在处理区块2C内进行了处理之后，向转接区块D4输送。这些往路中的梭动部4A、4C对晶圆W的输送与复路中的梭动部4B、4D的晶圆W的输送同样，以分别绕过主输送机构3B的支柱31、主输送机构3D的支柱31的方式进行。

〔第2实施方式〕

作为横向相邻、并且具备梭动部的处理区块的数量，也可以是3个以上，作为第2实施方式，将具备3个该处理区块的基板处理装置1B的概略主视图表示在图16中。对于该基板处理装置1B，例如是进行与第1实施方式的基板处理装置1的处理同样的处理的装置，以下，以与基板处理装置1之间的差异点为中心进行说明。

对于基板处理装置1B，在第2层叠处理区块D3与转接区块D4之间以与这些区块D3、D4相邻的方式设置有第3层叠处理区块D5，处理站G由这些第1～第3层叠处理区块D2、D3、D5构成。第3层叠处理区块D5是与第1层叠处理区块D3的结构同样的结构，由下侧的处理区块2E和上侧的处理区块2F构成。在复路中，在处理区块2B、2D、2F中的任一者处理晶圆W。处理区块2B、2D、2F分别是第1处理区块、第2处理区块、第3处理区块，梭动部4B、4D、4F分别是第1旁通输送机构、第2旁通输送机构、第3旁通输送机构，输送路径40B、40D、40F分别是第1旁通输送路径、第2旁通输送路径、第3旁通输送路径。

在处理区块2F的梭动部4F的设置用的空间5F，相对于主输送机构3F的支柱31而言在右侧、左侧分别设置有TRS11F、TRS11D，转接区块D4的输送机构35能够到达TRS11F。而且，在空间5D中，相对于主输送机构3D的支柱31而言在右侧设置有TRS12F。

对于梭动部4B、TRS11B、TRS12B这组(设为第1组)、梭动部4D、TRS11D、TRS12D这组(设为第2组)、梭动部4F、TRS11F、TRS12F这组(设为第3组)，第2组的高度与第1组以及第3组的高度不同。在本例中，第2组位于比第1组和第3组靠上方的位置，第1组与第3组设置于彼此相同的高度。因而，输送路径40B、40F位于彼此相同的高度，输送路径40D位于比输送路径40B、40F的位置高的位置。并且，如图17所示，在俯视时，输送路径40B的右端部与输送路径40D的左端部相互重叠，输送路径40D的右端部与输送路径40F的左端部相互重叠。

说明复路中的输送路径的一个例子。对于在处理区块2F中处理晶圆W的情况，晶圆W以转接区块D4的模块层叠体T3→主输送机构3F的顺序输送，在利用处理区块2F的各处理模块进行了处理之后，向TRS11D输送。然后，以梭动部4D→TRS12D→主输送机构3B→载体区块D1的模块层叠体T1的顺序输送晶圆W。

对于在处理区块2D中处理晶圆W的情况，晶圆W以转接区块D4的输送机构35→TRS11F→梭动部4F→TRS12F→主输送机构3D的顺序输送，在利用处理区块2D的各处理模块进行了处理之后，以TRS11B→梭动部4B→TRS12B的顺序输送，而向载体区块D1输送。对于在处理区块2B中处理晶圆W的情况，晶圆W以模块层叠体T3→主输送机构3F→TRS11D→梭动部4D→TRS12D→主输送机构3B的顺序输送，在利用处理区块2B的各处理模块进行了处理之后，向模块层叠体T1输送。

此外，在基板处理装置1B，以跨第2层叠处理区块D3和第3层叠处理区块D5的方式设置有相当于模块层叠体T2的模块层叠体。通过利用各模块层叠体，晶圆W在下侧的各处理区块2A、2C、2E中输送自由，由该处理区块2A、2C、2E形成往路。

在上述的基板处理装置1B，为了在上侧的处理区块之间交接晶圆W，如已述那样输送路径40D的端部在俯视时与输送路径40B、40F分别重叠。该输送路径40D如已述那样配置于比各输送路径40B、40F的位置高的位置，从而与在纵向上依次设置该输送路径40B、40D、40F相比，能抑制这些输送路径40B、40D、40F的设置所需的高度，因此，能够防止基板处理装置1B的大型化。此外，也可以将输送路径40D设置于比输送路径40B、40F靠下方的位置。并且，对于将输送路径40D设置于输送路径40B、40F的上侧的情况和设置于下侧的情况中的任一者，均出于抑制装置的高度的观点考虑而优选对于输送路径40B、40F设为相同或大致相同的高度。

此外，在该基板处理装置1B，也可以是，在下侧的处理区块2A、2C、2E设置有梭动部，与在上侧的处理区块2B、2D、2F之间的输送同样地，以在2A、2C、2E中的所期望的处理区块中处理晶圆W的方式进行输送。在该情况下，对于下侧的处理区块的梭动部的各输送路径40A、40C、40E，也优选设为与上侧处理区块的梭动部的各输送路径40B、40D、40F的位置关系同样的位置关系。也就是说，作为左右的中央的输送路径的40D优选相对于输送路径40B、40F设置于上侧或者下侧，输送路径40B、40F更优选是相同的高度。

不过，在已述的各装置的结构例中设置有梭动部用的TRS，但也可以设为不设置该梭动部用TRS的装置结构，在各输送机构与梭动部之间直接进行晶圆W的交接。不过，若如此不设置梭动部用TRS，则各输送机构和梭动部以保持支承着晶圆W的原样的状态待机。因此，为了提高生产率，优选设置有梭动部用TRS。

另外，在已述的各装置中，液处理模块位于前方，处理模块层叠体23位于后方，但其布局也可以前后相反。对于装置的左右的布局，也可以与已述的例子相反。另外，转接区块D4也可以不用于相对于曝光机20输送晶圆W，而是用于仅进行在下侧处理区块的高度与上侧处理区块的高度之间的晶圆W的升降输送。另外，上侧处理区块和下侧处理区块也可以不与相对于装置送入送出晶圆W的载体区块D1直接连接，而是例如使对晶圆W进行升降输送的区块介于载体区块D1与这些上侧处理区块以及下侧处理区块之间。而且，处理区块并不限于采取上下的层叠构造。对于例如往路和复路中的一者，也可以通过利用主输送机构输送来形成，对于另一者，也可以通过使用梭动部输送来形成。

另外，在各梭动部中，例如弯曲轨道66、导轨69以及滑块63设置于基体41来替代设置于中间移动体61。并且，相当于臂73的臂与该弯曲轨道66以及滑块63连接，并且，该臂与由马达42驱动的带46连接。而且，在该臂的前端部连接有中间移动体61，该中间移动体61也可以是如下结构：与连接于其前方侧的晶圆支承体72一起沿着弯曲轨道66移动。在该情况下，设为如下结构即可：在滑块63、臂以及中间移动体61设置有由带轮、带、齿轮箱等构成的动力传递机构，从而使晶圆支承体72相对于中间移动体61的左右的位置根据滑块63的左右的位置的变化而变化。并不限于设为如以上所述那样将图5等所示的弯曲轨道66设置于中间移动体61这样的梭动部的结构。

此外，对于在图5等中所示的梭动部，也可以在滑块63设置有导轨74，在臂73设置有槽65来替代在中间移动体61的滑块63设置有槽65而在臂73设置有导轨74。另外，对于臂73的要陷入弯曲轨道66的引导用槽67的辊75，也可以设置由相对于该弯曲轨道66的摩擦系数足够低的材质形成的圆形突起来替代该辊73。而且，也可以使用厚板且在其上表面形成有引导用槽67的构件来替代弯曲轨道66，作为引导晶圆输送部71的引导构件，并不限于其是轨道的情况。另外，在已述的结构例中晶圆支承体72借助臂73与弯曲轨道66连接，晶圆支承体72追随臂73而移动，但也可以不设置相当于臂73的构件。也就是说，也可以是如下结构：晶圆支承体72与弯曲轨道66直接连接，该晶圆支承体72兼用作连接部。在该情况下，对于设置到臂73的导轨74，其设置于该晶圆支承体72即可。如此进行了说明的梭动部的结构能够适当变更。

不过，在图5中表示为：在梭动部4B相对于TRS12B交接晶圆W时，TRS11B的3个销77B中的两个销77B在俯视时隔着臂73，但对于这两个销77B，也可以均设置于臂73的左侧。由于该销77B的配置和主体部77是右侧开放的凹部形状，而能够在TRS11B的主体部77向上方位置移动而使销77B支承着晶圆W之后而在返回下方位置之前，使梭动部4B的晶圆输送部71朝向TRS11B开始移动。也就是说，在TRS11B接收到晶圆W之际，从晶圆输送部71向行进方向(在该情况下，是右方)看来，以该TRS11B的构成构件未位于未位于晶圆输送部71的行进方向上的方式构成该TRS11B，不会引起彼此的干涉。由此，能够使晶圆输送部71的移动开始的时刻提前而谋求装置的生产率的提高。同样地，在图9中表示为：在相对于TRS11B交接晶圆W时，TRS11B的3个销77B中的两个77B在俯视时隔着臂73，但对于这些销77B，也可以设置于臂73的右侧。

作为在基板处理装置进行的液处理，并不限于上述的例子，例如也可以包括由化学溶液的涂敷进行的绝缘膜的形成、用于使晶圆W相互贴合的粘接剂的涂敷处理等。应该认为此次所公开的实施方式在全部的点上均为例示，而并非限制性的。上述的实施方式不脱离所附的权利要求书及其主旨，就可以以各种各样的形态进行省略、置换、变更和/或组合。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置具备：

送入送出区块，在该送入送出区块进行基板的送入和送出；

处理站，在该处理站与所述送入送出区块之间输送所述基板，该处理站相对于该送入送出区块设置于左右的一侧；

中继区块，其相对于所述处理站设置于左右的一侧，在该中继区块与该处理站之间输送所述基板；

处理区块，其左右排列地设置有多个而构成所述处理站，且多个处理区块均具备：处理模块，其对所述基板进行处理；和主输送机构，其相对于该处理模块交接所述基板；以及

旁通输送机构，其在每个左右排列的所述处理区块设置，以便独立于所述主输送机构地在左右的区块间输送基板，

作为利用所述旁通输送机构输送基板的输送路径的旁通输送路径彼此的高度不同，并且，在俯视时，该旁通输送路径的局部相互重叠。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理区块从左右的一方朝向另一方按照第1处理区块、第2处理区块、第3处理区块的顺序设置有至少3个，若将所述旁通输送机构的所述旁通输送路径分别设为第1旁通输送路径、第2旁通输送路径、第3旁通输送路径，则

所述第2旁通输送路径的左端部在俯视时与所述第1旁通输送路径和所述第3旁通输送路径中的一者重叠，所述第2旁通输送路径的右端部在俯视时与所述第1旁通输送路径和所述第3旁通输送路径中的另一者重叠，

所述第1旁通输送路径和所述第3旁通输送路径相对于所述第2旁通输送路径位于上方或下方。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置设置有基板载置部，该基板载置部相对于所述旁通输送路径的端部升降而相对于所述旁通输送机构交接所述基板，并且载置该基板。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述旁通输送机构具备：

基体，其设置于所述处理区块；

移动体，其相对于所述基体左右移动；以及

基板支承体，其用于支承所述基板，并相对于所述移动体左右移动。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理模块左右排列地设置有多个，

所述主输送机构具备在俯视时设置于该多个处理模块之间的柱，

所述旁通输送路径包括前后方向的输送路径，且是使该基板绕过所述柱的旁通路径。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述基体和所述移动体中的一者设置有用于引导所述支承体的前后方向上的移动和左右方向上的移动的引导构件。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述引导构件是弯曲的轨道，

所述基板支承体沿着所述弯曲的轨道移动，形成所述旁通路径。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述基体和所述移动体中的设置有所述引导构件那一侧设置有：

连接部，其与该引导构件连接，能够与所述基板支承体一起在左右方向上且在前后方向上移动；以及

移动构件，其与所述连接部连接，并且，能够在左右方向上移动，

在所述连接部和所述移动构件中的一者设置有在前后方向上延伸的轨道部，以便使该一者相对于另一者前后滑动。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

所述在前后方向上延伸的轨道部设置于所述连接部。

10.根据权利要求5～9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述旁通输送路径包括：

两个第1区域，其在左右方向上且在前后方向上输送所述基板；以及

第2区域，其由所述第1区域夹着，仅在左右方向上输送所述基板，

所述第1区域中的左右方向上的所述基板的移动速度比所述第2区域中的左右方向上的所述基板的移动速度小。

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