CN114551284A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。抑制基板处理装置的占地面积。基板处理装置包括：载体模块，其载置收纳基板的载体；一个处理模块，自载体模块向一个处理模块输送基；另一处理模块，其与一个处理模块重叠并且自另一处理模块向载体模块输送基板；升降移载机构，其具备沿横向延伸的轴和与基板相对并进行支承的支承面，使轴和支承部在用于相对于第1处理模块输送机构交接基板的位置和用于相对于第2处理模块交接基板的位置之间升降；以及转动机构，其使支承部绕轴转动，以当升降移载部位于第1区域和第2区域时使支承面成为第1朝向，当升降移载部在第1区域与第2区域之间升降时使支承面成为相对于水平面的倾斜度大于第1朝向的第2朝向。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，将半导体晶圆(以下记载为晶圆)在各种处理组件之间输送而进行液处理、加热处理等各处理。在专利文献1中记载有一种包含处理模块的涂布装置，该处理模块均包括：多个单位模块，其均设有多个处理组件并且互相层叠；以及主臂，其设于每个单位模块，以在处理组件之间输送晶圆。在该例子中，构成为，形成SOC膜、防反射膜、抗蚀膜的单位模块自下层侧各层叠有两层。而且，记载有，按照形成SOC膜的单位模块、形成防反射膜的单位模块、形成抗蚀膜的单位模块的顺序自下层朝向上层输送晶圆，层叠三种膜，而进行成膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-208004号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供能够抑制基板处理装置的占地面积的技术。
用于解决问题的方案
本技术方案的基板处理装置包括：
载体模块，其供收纳基板的载体载置；
一个处理模块，自所述载体模块向该一个处理模块输送所述基板，该一个处理模块包括：多个第1处理组件，其分别处理所述基板；和第1输送机构，其共用于所述多个第1处理组件地输送所述基板；
另一处理模块，其与所述一个处理模块重叠，并且自该另一处理模块向所述载体模块输送所述基板，该另一处理模块包括：多个第2处理组件，其分别处理所述基板；和第2输送机构，其共用于所述多个第2处理组件地输送所述基板；
升降移载机构，其包括：轴，其沿横向延伸；和支承部，其具备与所述基板相对并进行支承的支承面，并且该支承部自该轴沿与所述轴的延伸方向交叉的方向延伸，使所述轴和所述支承部在用于相对于所述第1输送机构交接所述基板的第1位置和用于相对于所述第2输送机构交接所述基板的第2位置之间升降；以及
转动机构，其使所述支承部绕所述轴转动，以使所述支承部的朝向在第1朝向和第2朝向之间变化，该第1朝向用于在所述第1位置、所述第2位置分别交接所述基板，该第2朝向的所述支承面相对于水平面的倾斜度比所述第1朝向大，以在所述第1位置与所述第2位置之间移动。
发明的效果
本公开能够抑制基板处理装置的占地面积。
附图说明
图1是本公开的实施方式的基板处理装置的横剖俯视图。
图2是所述基板处理装置的纵剖主视图。
图3是所述基板处理装置的纵剖主视图。
图4是所述基板处理装置的左侧视图。
图5是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
图6是所述基板处理装置的纵剖侧视图。
图7是表示设于所述基板处理装置的升降移载机构的侧视图。
图8是表示所述升降移载机构的俯视图。
图9是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
图10是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
图11是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
图12是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
图13是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
图14是表示所述升降移载机构的动作的说明图。
图15是所述基板处理装置中的输送路径的概略图。
图16是本公开的实施方式的另一例子的基板处理装置的横剖俯视图。
图17是所述基板处理装置的纵剖主视图。
图18是表示所述升降移载机构的另一配置例的说明图。
具体实施方式
分别参照图1的横剖俯视图、图2、图3的纵剖主视图，说明本公开的实施方式的基板处理装置1的一个例子。图2、图3示出了装置的不同位置的剖面。在基板处理装置1中，载体模块D1、第1处理模块D2、第2处理模块D3按照该顺序在横向上呈直线状排列，相邻的模块彼此互相连接。这些模块(载体模块、第1处理模块以及第2处理模块)D1～D3分别包括壳体而互相划分，在各壳体的内部形成有作为基板的晶圆W的输送区域。
在之后的说明中，将这些模块D1～D3的排列方向设为左右方向，将载体模块D1侧设为左侧，将第2处理模块D3设为右侧。另外，关于装置的前后方向，将使载体模块D1处于左侧地观察时的近前设为前方，将里侧设为后方。
在详细地说明各个模块D1～D3之前，对基板处理装置1的概略结构进行叙述。例如，将晶圆W以收纳于被称作FOUP(Front Opening Unify Pod：前开式晶圆传送盒)的载体C的状态向基板处理装置1输送。基板处理装置1包括进行涂布膜的形成、涂布膜形成后的晶圆W的加热等各种处理的处理组件，该涂布膜的形成通过对晶圆W作为液处理而涂布各种涂布液来进行。
第1处理模块D2和第2处理模块D3分别在纵向上以分割为两部分的方式被划分。将像这样互相划分而成的第1处理模块D2的下侧、上侧分别设为第1下侧处理模块D21、第1上侧处理模块D22。另外，将互相划分而成的第2处理模块D3的下侧、上侧分别设为第2下侧处理模块D31、第2上侧处理模块D32。因而，第1下侧处理模块D21和第1上侧处理模块D22互相层叠，第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32互相层叠。于是，第1下侧处理模块D21和第1上侧处理模块D22互相相邻，第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32互相相邻。
按照载体模块D1→第1下侧处理模块D21→第2下侧处理模块D31→第2上侧处理模块D32→第1上侧处理模块D22→载体模块D1的顺序输送晶圆W。因而，在以载体模块D1为基准时，第1下侧处理模块D21和第2下侧处理模块D31形成晶圆W的前进路径，第1上侧处理模块D22和第2上侧处理模块D32形成晶圆W的返回路径。有时将构成前进路径的下侧的处理模块统一记载为下侧处理模块G1，将构成返回路径的上侧的处理模块统一记载为上侧处理模块G2。
于是，像这样在前进路径、返回路径进行输送，从而在晶圆W依次形成三种涂布膜且互相层叠。这些涂布膜中的最上层的膜是抗蚀膜，将其下侧的膜记载为中间膜，将其再下侧的膜记载为下层膜。下层膜在前进路径的处理组件中形成，中间膜和抗蚀膜在返回路径的处理组件中形成。此外，组件是指除了输送机构以外的载置晶圆W的部位。将对晶圆W进行处理的组件如上述这样记载为处理组件，该处理也包含为了检查而获得图像的情况。
以下，也参照图4的侧视图，说明载体模块D1。利用在设置基板处理装置1的洁净室内设置的未图示的载体用的输送机构(外部输送机构)相对于该载体模块D1送入送出载体C。载体模块D1是相对于该载体C进行晶圆W的送入送出的模块。
将构成载体模块D1的上述的壳体设为11。该壳体11形成为方形，其下部侧向左方突出而形成支承台12。另外，壳体11的位于支承台12的上侧的左侧面的在纵向上互相分离开的两个部位向左方突出，而分别形成支承台13、14。将下方侧的支承台、上方侧的支承台分别设为13、14。
支承台12～14例如能够将载体C在前后方向上空开间隔地各载置4个，并设有像这样分别载置载体C的载物台，在从左方观察时，该载物台例如配置为3×4的矩阵状。此外，支承台12的左端部比支承台13、14向左方侧突出，支承台12的载物台设于该支承台12的右侧且是支承台13、14的下方位置。支承台12的内部设为收纳瓶的区域，该瓶如上述那样贮存有第1处理模块D2和第2处理模块D3中的液处理用的处理液。
利用后述的载体移载机构21，能够进行各载物台之间的载体C的移载。对该各载物台进行叙述，支承台12、13的各自的前方侧的两个载物台构成为载置载体C以相对于装置进行晶圆W的送入送出的移动载物台15。因而，从左方观察时，移动载物台15配置为2×2的矩阵状。该移动载物台15在上述的用于进行晶圆W的送入送出的右方侧的装载位置和用于在与载体移载机构21之间进行载体C的交接的左方侧的卸载位置之间移动。在本例子中，支承台12的移动载物台15作为载置载体C以向装置内交付未处理的晶圆W的载物台(装载构件)，支承台13的移动载物台15作为载置载体C以收纳已利用装置处理完的晶圆W的载物台(卸载构件)，对用途进行了区分。但是，一个移动载物台15也可以兼用作装载构件和卸载构件。
对其他的载物台进行叙述，支承台12、13的后侧的两个载物台和支承台14的两个载物台构成为临时载置载物台16。另外，支承台14的另外两个载物台构成为送入载物台17、送出载物台18。例如，支承台14的后端侧的载物台、前端侧的载物台分别是送入载物台17、送出载物台18。这些送入载物台17、送出载物台18是载置该载体C以使上述的外部输送机构相对于该基板处理装置1分别进行载体C的送入、送出的载物台。
载体C按照送入载物台17→支承台12的移动载物台15→支承台13の移动载物台15→送出载物台18的顺序被移载。在像这样在各载物台之间移载载体C时，若作为移载目的地的载物台未空出(被其他的载体C占据)，则将该载体C载置于临时载置载物台16而待机，直到作为该移载目的地的载物台空出。
在支承台12的左侧的上方设有载体移载机构21。载体移载机构21包括：多关节臂22，其能够保持设于载体C的上部的被保持部；以及移动机构23，其能够使该多关节臂22升降移动和前后移动，该载体移载机构21能够像上述那样在载物台之间移载载体C。
在壳体11的左侧壁形成有用于进行晶圆W的送入送出的输送口24，该输送口24与上述的移动载物台15的配置相对应地形成为2×2的矩阵状。在各输送口24设有门25。该门25能够保持上述的装载位置处的移动载物台15上的载体C的盖，并且能够在保持着该盖的状态下移动而将输送口24开闭。
上述的输送口24面向在壳体11内形成的晶圆W的输送区域31，该输送区域31形成为俯视时前后较长的直线状。在该输送区域31的前方侧设有输送机构32。该输送机构32包括前后移动自如、升降自如、且绕铅垂轴线转动自如的基台和在基台上进退自如的晶圆W的保持部。该输送机构32能够接近上述的装载位置处的移动载物台15上的载体C和后述的组件层叠体T1以及后述的处理前检查组件41并进行晶圆W的交接。
在载体模块D1设有处理前检查组件41，该处理前检查组件41对利用基板处理装置1进行的处理前的晶圆W的表面进行拍摄。将该拍摄得到的图像数据向后述的控制部10发送，由该控制部10基于该图像数据进行晶圆W的异常的有无的判断。处理前检查组件41构成为左右细长且扁平的长方体形状，右侧位于输送区域31的前后的中央部，左侧贯穿壳体11的左侧壁而向该壳体11的外侧突出。
处理前检查组件41包括：在该组件内左右移动自如的载物台42、在载物台42的移动通路的上方设置的半透半反镜43、借助半透半反镜43向下方照射光的照明部44、在半透半反镜43的左方设置的照相机45(参照图3)。利用输送机构32相对于位于组件内的右侧的载物台42交接晶圆W。在像这样交接到晶圆W的载物台42向左侧移动而经过半透半反镜43的下方的过程中，利用照明部44照射光，并且利用照相机45对映射在半透半反镜43的晶圆W进行拍摄，而获得上述的图像数据。
而且，如图1所示，在输送区域31以俯视时位于处理前检查组件41的后方的方式设有输送机构33。该输送机构33包括升降自如且绕铅垂轴线转动自如的基台和在基台上进退自如的晶圆W的保持部，该输送机构33能够相对于后述的组件层叠体T1交接晶圆W。
接着，说明组件层叠体T1。该组件层叠体T1通过将温度调整组件SCPL和临时载置晶圆W的交接组件TRS在纵向上重叠而构成，该组件层叠体T1设于输送区域31的前后的中央部。因而，该组件层叠体T1在俯视时被输送机构32、33在前后方向上夹在之间，并且与处理前检查组件41重叠地配置于该处理前检查组件41的右侧。交接组件TRS例如包括在横向上排列着的多个销，利用输送机构的升降动作相对于该销交接晶圆W。SCPL例如设为在载置晶圆W的板连接制冷剂的流路从而冷却所载置的晶圆W的结构，利用输送机构的升降动作相对于该板交接晶圆W。
此外，SCPL还设于载体模块D1以外的模块，D1以外的模块的SCPL例如也是与载体模块D1的SCPL同样的结构。而且，TRS也设于D1以外的模块。以后，在SCPL、TRS之后标注数字来进行表示，以将各处的SCPL、TRS互相区分。而且，各处的TRS、SCPL例如层叠地设有多个。也就是说，标注相同数字的TRS、SCPL分别各设有多个，但为了方便图示，仅显示一个。此外，在本说明书中，组件的层叠体是指俯视时重叠地设置的组件，组件彼此既可以互相分离，也可以互相接触。
构成组件层叠体T1的组件的一部分设于处理前检查组件41的下侧，另一部分设于处理前检查组件41的上侧。例如，自下侧朝向上侧按照TRS1、TRS2、SCPL1、TRS3的顺序设置，处理前检查组件41位于SCPL1与TRS3之间(参照图3)。而且，例如，TRS1、TRS2、SCPL1分别位于第1下侧处理模块D21的高度，TRS3位于第1上侧处理模块D22的高度。输送机构33能够接近这些构成组件层叠体T1的各组件，输送机构32能够接近TRS1、TRS2。
TRS1、TRS2用于输送机构32、33之间的晶圆W的交接。SCPL1用于第1下侧处理模块D21与载体模块D1之间的晶圆W的交接。因而，后述的第1下侧处理模块D21的输送机构6A也能够接近SCPL1。另外，TRS3用于第1上侧处理模块D22与载体模块D1之间的晶圆W的交接。因而，后述的第1上侧处理模块D22的输送机构6B也能够接近TRS3。
在输送机构33的后方侧设有疏水化处理组件30，该疏水化处理组件30在涂布膜的形成前向晶圆W供给处理气体而进行疏水化处理。例如，疏水化处理组件30例如层叠地设于第2上侧处理模块D32的高度，利用输送机构33相对于该疏水化处理组件30进行晶圆W的交接。疏水化处理组件30包含与在后述的加热组件54设置的热板55同样地载置晶圆W的热板和覆盖该热板的升降自如的罩，通过向热板上的由该罩形成的密闭空间供给处理气体，从而对晶圆W进行疏水化处理。
接着，也参照作为纵剖侧视图的图5，说明第1处理模块D2。第1处理模块D2的前方侧在纵向上被划分而形成8个分层，将各分层自下侧朝向上侧设为E1～E8。下侧的分层E1～E4包含在第1下侧处理模块D21内，上侧的分层E5～E8包含在第1上侧处理模块D22内。各分层构成能够设置液处理组件的区域。
首先，说明第1上侧处理模块D22。在分层E5～E8分别设有抗蚀剂涂布组件51作为液处理组件。抗蚀剂涂布组件51包括喷嘴(未图示)和左右排列并且分别收纳晶圆W的两个杯52，利用未图示的泵将自上述的瓶供给的抗蚀液向晶圆W的表面供给而进行处理。
在分层E5～E8的后方侧设有晶圆W的输送区域53，该输送区域53自上侧处理模块D22的左端遍及右端地形成为俯视时呈直线状。因而，输送区域53的伸长方向与载体模块D1的输送区域31的伸长方向正交。此外，输送区域53自分层E5的高度遍及分层E8的高度地形成。也就是说，输送区域53未以每个分层E5～E8为单位进行划分。
而且，在输送区域53的后方，处理组件例如在纵向上层叠地设为7层，该处理组件的层叠体左右排列地配置有两个。即，该处理组件的层叠体和上述的杯52分别沿着输送区域53的伸长方向设置。
将上述的左右排列着的处理组件的层叠体设为后部侧处理部50。作为构成该后部侧处理部50的处理组件，包含多个加热组件54。第1上侧处理模块D22中的加热组件54是用于去除涂布膜中的溶剂的组件，包括载置并加热晶圆W的热板55和进行晶圆W的温度调整的冷却板56。冷却板56能够在利用后述的输送机构6B的升降动作交接晶圆W的前方位置和与热板55重叠的后方位置之间移动。在热板55所具备的未图示的销的升降动作和冷却板56的该移动的协作下，在热板55与冷却板56之间交接晶圆W。
在作为主输送通路的输送区域53设有上述的作为主输送机构的输送机构6B，输送机构6B包括左右移动自如、升降自如、且绕铅垂轴线转动自如的基台61和在基台61上进退自如的晶圆W的保持部62。此外，包含该输送机构6B在内的、基板处理装置1内的各输送机构的保持部各设有两个，能够在基台上互相独立地进退。
用于使上述的输送机构6B的基台61左右移动的移动机构63设于后部侧处理部50的下方。上述的输送机构6B能够相对于第1上侧处理模块D22内的各处理组件、上述的载体模块D1的TRS3以及后述的第2上侧处理模块D32的SCPL进行晶圆W的交接。因而，输送机构6B共用于这些组件。
接着，说明第1下侧处理模块D21。该第1下侧处理模块D21是与上述的第1上侧处理模块D22大致同样的结构，以下，以与第1上侧处理模块D22的不同点为中心进行说明。在分层E1未设置液处理组件，在分层E2～E4设有涂布下层膜形成用的药液的药液涂布组件47作为液处理组件。药液涂布组件47除了自喷嘴供给上述的下层膜形成用的药液来代替抗蚀液以外是与抗蚀剂涂布组件51同样的结构。
设于输送区域53的主输送机构表示为输送机构6A，是与上述的输送机构6B同样的结构。该输送机构6A相对于第1下侧处理模块D21的各处理组件、上述的组件层叠体T1的SCPL1以及后述的第2下侧处理模块D31的SCPL交接晶圆W。
接着，说明第2处理模块D3。该第2处理模块D3是与第1处理模块D2大致同样的结构，以下，以与第1处理模块D2的不同点为中心进行说明。首先，第2上侧处理模块D32在分层E5未设置处理组件，而在分层E6～E8设有中间膜形成用的药液涂布组件48作为液处理组件。药液涂布组件48除了设有供给中间膜形成用的药液的喷嘴来代替自喷嘴供给抗蚀液以外是与抗蚀剂涂布组件51同样的结构。将第2上侧处理模块D32的主输送机构设为输送机构6D。该输送机构6D能够相对于在第2上侧处理模块D32内设置的包含后述的SCPL、TRS在内的各组件进行晶圆W的交接。
接着，说明第2下侧处理模块D31，在第2下侧处理模块D31未设置液处理组件。此外，包含加热组件54在内的后部侧处理部50与其他的处理模块D21、D22、D32同样地设置。该第2下侧处理模块D31的加热组件54是用于与第1下侧处理模块D21的加热组件54一起阶段性地加热下层膜而使该下层膜固化的组件。将第2下侧处理模块D31的主输送机构设为输送机构6C。该输送机构6C相对于在第2下侧处理模块D31内设置的包含后述的SCPL、TRS在内的各组件进行晶圆W的交接。
另外，至此所述的各个第1下侧处理模块D21、第1上侧处理模块D22、第2下侧处理模块D31、第2上侧处理模块D32中的各液处理组件的左侧构成为液处理组件用的附加设备设置区域91。该附加设备设置区域91相对于各处理模块D21、D22、D31、D32的输送区域53位于前方，并自下侧处理模块G1的下部遍及上侧处理模块G2的上部地设置。因而，在第1处理模块D2、第2处理模块D3分别设有附加设备设置区域91，在图6的纵剖侧视图中，示出了第2处理模块D3的附加设备设置区域91。在第1处理模块D2的附加设备设置区域91、第2处理模块D3的附加设备设置区域91设置有与各个处理模块中的液处理组件连接的排气通路、排液通路以及电力供给用线缆等。
而且，各处理模块D21、D22、D31、D32的各自的后部侧处理部50的左侧且是输送区域53的后方侧构成为附加设备设置区域92。因而，附加设备设置区域92也与附加设备设置区域91同样地分别设于第1处理模块D2、第2处理模块D3，并自下侧处理模块G1的下部遍及上侧处理模块G2的上部。附加设备设置区域92的上部侧构成设置用于使设有该附加设备设置区域92的处理模块中的各处理组件运行的各种电装设备(电气装置)的区域。而且，附加设备设置区域92的下部侧与上述的载体模块D1的支承台12相同地构成液处理用的瓶的设置区域，自该瓶向设有该附加设备设置区域92的处理模块中的各液处理组件供给涂布液。
在各处理模块D21、D22、D31、D32之间，液处理组件、后部侧处理部50、附加设备设置区域91、92的布局除了在第2下侧处理模块D31没有液处理组件以外是同样的。另外，如图3、图6所示，在第2上侧处理模块D32的输送区域53中的靠左端部上方的位置设有SCPL3、SCPL4。另外，在第2下侧处理模块D31的输送区域53中的靠左端部下方的位置设有SCPL2。
在SPCL2与SCPL3、SCPL4之间设有TRS11、TRS12，作为第1基板载置部的TRS11位于第2下侧处理模块D31，作为第2基板载置部的TRS12位于第2上侧处理模块D32。这些SCPL2～SCPL4、TRS11、TRS12在俯视时互相重叠地构成层叠体，该层叠体位于被附加设备设置区域91、92从前后夹在之间的位置。
而且，用于自TRS11向TRS12、即自第2下侧处理模块D31向第2上侧处理模块D32输送晶圆W的升降移载机构7设于附加设备设置区域92的前方侧。以下，也参照图7的侧视图、图8的俯视图，说明该升降移载机构7。升降移载机构7例如包括两个支柱72、转动轴73、支承部74和转动机构75。两个支柱72在附加设备设置区域92的前方在靠近该附加设备设置区域92的位置(即输送区域53的后端部)左右排列地配置，分别在铅垂方向上延伸。
转动轴73水平地、即横向地自一个支柱72朝向另一支柱72延伸，在转动轴73的一端连接有转动机构75。转动机构75包括马达等，使转动轴73绕轴线转动。转动轴73的另一端例如连接于轴承76。转动机构75和轴承76例如分别设于支柱72的内部，支柱72构成为使转动机构75和轴承76一起沿铅垂方向升降的升降机构。
如图7中实线所示，板状的支承部74自转动轴73以向前方侧(前后的一侧)水平地延伸的方式形成。因而，支承部74以沿与转动轴73的轴向交叉的方向延伸的方式设置。在延伸的中途，支承部74二分叉，构成左右对称的叉形状。关于支承部74，将像这样分支而成的顶端部表示为77，将比该顶端部77靠转动轴73侧的基部表示为76。另外，支承部74的上表面构成与晶圆W的下表面(背面)相对而进行支承的支承面74A。
将至此所述的支承部74的朝向设为第1朝向，在该第1朝向中，支承面74A为水平，晶圆W被支承为水平。利用上述的转动机构75，支承部74绕转动轴73转动，如图7中点划线所示，成为该支承部74的顶端侧朝向上方而立起着的第2朝向。因而，支承面74A的基端侧(转动轴73侧)相对于顶端侧位于下方的位置。如此，支承部74的朝向在第1朝向和第2朝向之间切换。在支承部74像这样成为第2朝向时，支承面74A以其顶端侧位于比基端侧略靠前方的位置的方式倾斜。因而，支承面74A相对于铅垂面(在图7中由双点划线表示)倾斜，支承面74A相对于该铅垂面的倾斜度θ例如是30°以下，以如后述那样输送晶圆W。
在上述的支承面74A，在各顶端部77和基部76分别开设有用于对晶圆W的背面的周缘部进行抽吸的抽吸孔81，即使支承部74是上述的第2朝向，也能够将晶圆W吸附并保持于该支承面74A。如图7所示，各抽吸孔81连接于在支承部74的内部形成的抽吸通路82，抽吸通路82的下游侧向支承部74的外部引出，并连接于对该抽吸通路82进行排气的抽吸部83。在支承部74的外部，阀V82设于抽吸通路82。利用该阀V82的开闭，互相切换自抽吸孔81抽吸的抽吸状态、非抽吸状态。在晶圆W的背面支承于支承部74时，设为抽吸状态，将晶圆W吸附于支承面74A。
另外，在抽吸通路82设有压力检测部84，该压力检测部84将与抽吸通路82的压力对应的检测信号向后述的控制部10发送。基于该检测信号，由作为保持异常检测部的控制部10判断晶圆W的保持有无异常。更详细地叙述，在如上述这样将阀V82开放而成为抽吸状态时，若晶圆W自支承部74脱落等而未被正常地支承，则所检测的压力由于来自抽吸孔81的气体的抽吸而比较高。因而，通过比较所检测的压力值和预先设定的阈值，能够进行上述的异常的有无的判断。
另外，在支承部74的基部76形成有防落下部85。该防落下部85通过支承部74中的支承面74A的外侧区域相对于该支承面74A隆起而形成，当支承部74成为第2朝向时，该防落下部85位于晶圆W的下方。通过设置该防落下部85、如上述这样在成为第2朝向时使支承面74A相对于铅垂面倾斜这各方面，即使假设自抽吸孔81的抽吸产生不良情况，也能够防止晶圆W朝向支承部74的基端侧滑动并自该支承部74落下而破损。
参照图8，补充说明上述的升降移载机构7用的TRS11、TRS12。在将升降移载机构7的支承部74设为上述的水平的第1朝向时，这些TRS11、TRS12在俯视时构成为收容于由基部76和两个顶端部77包围的凹部，并且支承晶圆W的中心部。此外，在图8中仅代表性地示出了TRS11。通过这样的结构，各个TRS11、TRS12能够以不干涉的方式相对于以第1朝向进行升降的支承部74交接晶圆W。
接着，参照图9～图14，按照顺序说明利用升降移载机构7进行的晶圆W的输送。顶端朝向上侧的第2朝向的支承部74自载置有晶圆W的TRS11的上方朝向比该TRS靠下方的位置移动。通过像这样成为第2朝向，从而支承部74不与该晶圆W干涉(图9)。然后，支承部74成为水平的第1朝向(图10)。此外，支承部74通过该朝向的变更而下降到不与晶圆W干涉的位置。接着，使支承部74自载置有晶圆W的TRS11的下方向上方移动，自该TRS11向支承部74交接晶圆W(图11)。
接着，使支承部74成为第2朝向，并使其向比TRS12靠上方的位置移动。此时，由于成为第2朝向，因而保持于支承部74的晶圆W与TRS12不干涉(图12)。然后，使支承部74成为第1朝向(图13)，并使支承部74自TRS12的上方向下方移动，自支承部74向TRS12交接晶圆W。然后，使支承部74成为第2朝向，并使其向下方移动(图14)。此外，支承部74通过该朝向的变更而下降到不与载置于TRS12的晶圆W干涉的位置，并且该朝向的变更以也不与载置于TRS11的后续的晶圆W干涉的方式在比TRS11靠上方的位置进行。此外，TRS11的高度位置相当于第1位置，TRS12的高度位置相当于第2位置。
之后，升降移载机构7重复图9～图14所示的动作，将输送到TRS11的晶圆W依次向TRS12输送。此外，上述的自支承部74的抽吸孔81的抽吸和抽吸通路82的压力的检测在支承部74自TRS11接收到晶圆W之后且在向TRS12交接该晶圆W之前的期间进行。
另外，基板处理装置1包括控制部10(参照图1)。该控制部10由计算机构成，包括程序、存储器、CPU。在程序中以能够实施基板处理装置1中的一系列的动作的方式编入有步骤组。检测晶圆W的保持有无异常。而且，利用该程序，控制部10向基板处理装置1的各部分输出控制信号，而控制该各部分的动作。具体而言，对输送机构6A～6D、升降移载机构7、各处理组件的动作进行控制。由此，进行后述的晶圆W的输送、晶圆W的处理。另外，利用该程序，基于上述的抽吸通路82的压力进行保持的异常的有无的检测，基于所获得的晶圆W的图像进行异常的检测。上述的程序例如存储于光盘、硬盘、DVD等存储介质，并加载于控制部10。
此外，第1下侧处理模块D21(一个左侧处理模块)和第2下侧处理模块D31(一个右侧处理模块)的各处理组件是第1处理组件，形成下层膜(第1涂布膜)的药液涂布组件47是第1涂布膜形成组件。处理模块D21、D31的对形成有该下层膜的晶圆W进行加热的加热组件54是第1加热组件。而且，这些处理模块D21、D31的输送机构6A、6C是第1输送机构，这些处理模块D21、D31的输送区域53是第1输送区域。第1上侧处理模块D22(另一右侧处理模块)和第2上侧处理模块D32(另一右侧处理模块)的各处理组件是第2处理组件。而且，形成中间膜以及抗蚀膜(第2涂布膜)的药液涂布组件48以及抗蚀剂涂布组件51是第2涂布膜形成组件，处理模块D22、D32的对形成有这些中间膜以及抗蚀膜的晶圆W进行加热的加热组件54是第2加热组件。另外，这些处理模块D22、D32的输送机构6B、6D是第2输送机构，这些处理模块D22、D32的输送区域53是第2输送区域。
而且，将构成第1处理模块D2的第1下侧处理模块D21和第1上侧处理模块D22设为处理模块的一个组，将构成第2处理模块D3的第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32设为处理模块的另一组。如以上所述的那样，载体模块D1沿着这些组的排列设置，并且上述的升降移载机构7设于这些组中的更远离载体模块D1的另一组(第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32)。而且，在第2下侧处理模块D31和第2上侧处理模块D32中，升降移载机构7的转动轴73所设置的位置的前方侧是输送区域53，该输送区域向右侧(左右的一侧)延伸。沿着该输送区域的延伸方向设置处理组件。
接着，参照表示输送路径的概略的图15，说明基板处理装置1中的晶圆W的处理和输送。在图15中，在表示组件之间的晶圆W的输送的一部分的箭头上或箭头的附近，示出了该输送所使用的输送机构。首先，利用输送机构32将晶圆W从在支承台12的移动载物台15载置的载体C送出，将晶圆W向处理前检查组件41输送并获得图像数据而判断异常的有无，之后，将该晶圆W向TRS1输送。然后，利用输送机构33将晶圆W向疏水化处理组件30输送并接受疏水化处理，之后，将该晶圆W向SCPL1输送。接着，利用输送机构6A将晶圆W收进第1下侧处理模块D21，并按照药液涂布组件47→加热组件54的顺序输送，将该晶圆W在形成有下层膜的状态下向第2下侧处理模块D31的SPCL2输送。
然后，利用输送机构6C将晶圆W向第2下侧处理模块D31的加热组件54输送并接受加热处理，之后，将该晶圆W向TRS11输送，如在图9～图14中所说明的那样，利用升降移载机构7将该晶圆W向第2上侧处理模块D32的TRS12输送。然后，利用该第2上侧处理模块D32中的输送机构6D将晶圆W按照SCPL3→药液涂布组件48→加热组件54的顺序输送，将该晶圆W在形成有中间膜的状态下向SCPL4输送。
然后，利用输送机构6B将晶圆W收进第1上侧处理模块D22，并按照抗蚀剂涂布组件51→加热组件54的顺序输送，将该晶圆W在形成有抗蚀膜的状态下向载体模块D1的TRS3输送。之后，将晶圆W按照输送机构33→TRS2→输送机构32的顺序输送，并收纳于支承台13的移动载物台15上的载体C。
如以上所述的那样，基板处理装置1设有用于自第2下侧处理模块D31向第2上侧处理模块D32输送晶圆W的升降移载机构7。而且，保持晶圆W的升降移载机构7的支承部74以在水平的第1朝向和立起着的第2朝向之间切换姿势的方式转动。假设，设置晶圆W的保持部相对于基台在前后方向上进退自如并且该基台升降自如的输送机构(即，与输送机构6A～6D等同样的输送机构)来代替升降移载机构7，而进行TRS11、TRS12之间的晶圆W的输送。但是，在该情况下，需要在相对于TRS11和TRS12的前方侧或后方侧设置该输送机构的升降空间，该升降空间的前后宽度是与输送机构的前后宽度相当的大小。因此，将后部侧处理部50以及附加设备设置区域92或者药液涂布组件48以及附加设备设置区域91自上述的位置向右侧偏移与该升降空间的左右宽度对应的量地配置，以确保该升降空间。因此，第2处理模块D3的左右的长度较大，使基板处理装置1的占地面积(占用面积)增大。
但是，升降移载机构7是如上述那样支承部74转动的结构，因此，抑制为了避免与载置于各个TRS11的晶圆W的干涉所需的前后宽度，因此，能够利用附加设备设置区域92的前方侧的空间进行设置。因而，根据基板处理装置1，抑制设有升降移载机构7的第2处理模块D3的左右的长度，因此，能够使基板处理装置1的占地面积降低。此外，当在有限的空间设置基板处理装置1时，像这样抑制占地面积，不使搭载于基板处理装置1的处理组件的数量降低，就能够在该空间设置基板处理装置1。因而，基板处理装置1还起到确保足够的处理组件的数量而防止生产率的降低这样的效果。
另外，设置上述的升降移载机构7作为下侧处理模块(一个处理模块)G1与上侧处理模块G2(另一处理模块)之间的专用的输送机构，从而抑制各处理模块的输送机构6A～6D的负荷。因而，该输送机构6A～6D能够相对于在各处理模块分别设有多个的处理组件快速地交接晶圆W，因此，从该观点来看，基板处理装置1也能够得到较高的生产率。
而且，如上所述，升降移载机构7在输送区域53设于附加设备设置区域92的前方侧。也就是说，以面向未设置处理组件的区域的方式设置。由于是这样的配置，因此，不会由于设置该升降移载机构7而降低处理组件的设置数量，因此，更可靠地防止生产率的降低。
另外，升降移载机构7仅进行升降动作和转动动作，因此，相比于如上述那样设置输送机构6A～6D这样的结构的输送机构来代替升降移载机构7的情况，驱动机构较简单。因而，能够谋求装置的制造成本的降低。
此外，作为第2朝向，并不限定于使支承部74的顶端朝向上方，也可以朝向下方。但是，根据使支承部74的顶端朝向上方的结构，即使假设自抽吸孔81的抽吸产生不良情况，晶圆W也会由于朝向后方的支柱72侧滑落而被该支柱72支承。因而，能够防止晶圆W由于向处理模块的地面落下而引起的破损。此外，如上述那样，在本例子中设有防落下部85，因此，更可靠地防止该晶圆W由于落下而引起的破损。
另外，也可以是，在如上述那样按照第2下侧处理模块D31→第2上侧处理模块D32的顺序输送晶圆W时，在第2下侧处理模块D31也配置有液处理组件，在利用该液处理组件进行了处理之后，向第2上侧处理模块D32输送晶圆W。另外，也可以仅在第1下侧处理模块D21、第2下侧处理模块D31中的一者设置加热组件54。在该情况下，在利用第1下侧处理模块D21的药液涂布组件47形成了下层膜之后，利用该加热组件54仅进行一次处理，并利用升降移载机构7将晶圆W向上侧处理模块G2输送即可。而且，在将加热组件54仅设于第1下侧处理模块D21的情况下，也可以将第2下侧处理模块D31中的设置加热组件54的区域设为设置附加设备的区域。
而且，也可以将基板处理装置构成为，将设于下侧处理模块G1的所述的各组件设于上侧处理模块G2，将设于上侧处理模块G2的所述的各组件设于下侧处理模块G1。也就是说，在该基板处理装置中，以上侧处理模块G2为前进路径且以下侧处理模块G1为返回路径地输送晶圆W，升降移载机构7将晶圆W自TRS12朝向TRS11输送。因而，升降移载机构7也可以是将晶圆W自上方朝向下方输送的结构。此外，作为升降移载机构7交接晶圆W的组件，并不限定于TRS，例如也可以是向SCPL交接晶圆W的结构。而且，升降移载机构7并不限定于相对于组件交接晶圆W的结构，例如也可以相对于输送机构6B、6D直接交接晶圆W。但是，考虑到，对于像这样进行交接，输送机构6B、6D不进行晶圆W的输送而待机的时间较长，因此，如上述那样，升降移载机构7优选相对于组件进行交接。
另外，基板处理装置也可以是不具备第2处理模块D3而仅具备第1处理模块D2的结构。参照图16的俯视图、图17的主视图，说明这样的结构的基板处理装置8。该基板处理装置8利用第1处理模块D2在晶圆W依次形成防反射膜、抗蚀膜，第1下侧处理模块D21的药液涂布组件48向晶圆W供给防反射膜形成用的药液来代替下层膜形成用的药液。
在该基板处理装置8中，升降移载机构7以及TRS11、TRS12以不妨碍组件层叠体T1与输送机构6A、6B之间的晶圆W的交接的方式位于比后部侧处理部50靠右侧的位置。与该配置相对应地，附加设备设置区域91、92也设于第1处理模块D2的右端部。
在该基板处理装置8中，与基板处理装置1同样地自载体模块D1借助组件层叠体T1的SCPL1向第1下侧处理模块D21输送晶圆W，进而按照药液涂布组件48→加热组件54的顺序输送而形成防反射膜。然后，将晶圆W依次经由TRS11、升降移载机构7、TRS12而向第1上侧处理模块D22输送，并按照在组件层叠体T1中设于第1上侧处理模块D22的高度的SCPL→抗蚀剂涂布组件51→加热组件54的顺序输送而形成抗蚀膜。之后，将该晶圆W与基板处理装置1同样地自载体模块D1送回载体C。如此，作为装置的结构，并不限定于左右连接的处理模块的数量是两个。而且，作为升降移载机构7和升降移载机构7用的TRS11、TRS12的位置，根据处理模块的结构适当设定即可。
升降移载机构7并不限定于如上述的例子那样支承部74自转动轴73向前方侧伸出的结构。如图18所示，也可以是如下这样的结构：在输送区域53的前方侧，在附加设备设置区域91的附近设置支柱72，转动轴73自该支柱72沿左右方向延伸，支承部74自该转动轴73朝向输送区域53的后方伸出。另外，在图17中所述的基板处理装置8中，也可以是如下这样的结构：在输送区域53的右端设置支柱72，转动轴73自该支柱72在输送区域53中前后延伸，支承部74自该转动轴73朝向左方伸出。
此外，在图9～图14中示出了，在TRS11的附近的高度区域(第1区域)、TRS12的附近的高度区域，将支承部74设为第1朝向，在第1区域与第2区域之间的区域，支承部74成为第2朝向。也可以是，在该中间区域，也在不妨碍晶圆W的输送的范围内将支承部74设为第1朝向。也就是说，在TRS11与TRS12之间的升降过程中，并不限定于将支承部74持续设为第2朝向。另外，关于第2朝向，若支承面74A相对于水平面的倾斜度比较小，则即使不设置抽吸孔81，也能够利用支承面74A与晶圆W的背面之间的摩擦力来保持晶圆W。此外，在支承部74设置多个按压机构。将各按压机构设为自晶圆W的外方朝向晶圆W的中心侧按压该晶圆W的结构，从而也可以在各按压机构的作用下将晶圆W保持于支承部74。因而，支承部74并不限定于设置抽吸孔81的结构。
此外，支承部74的第1朝向成为水平，但只要能够支承晶圆W即可，也可以是相对于水平面倾斜的朝向。另外，示出了在板状的支承部74的上表面以接触的方式支承晶圆W的结构，但也可以在该支承部74的上表面设置晶圆W的支承用的构件，该构件与晶圆W的下表面相对并且以接触的方式支承晶圆W。在该情况下，该构件形成晶圆W的支承面。
作为在装置中进行的液处理，并不限定于上述的例子，也可以包含利用药液的涂布进行的与上述的涂布膜不同的涂布膜的形成、用于使晶圆W互相贴合的粘接剂的涂布处理、向晶圆W的表面或背面供给清洗液而进行清洗的清洗处理等。除此以外，还可以包含显影处理。例如，也可以是，在利用下侧处理模块G1进行了曝光后的清洗处理之后，利用上侧处理模块G2进行显影处理。另外，作为上述的涂布膜，具体而言，例如，也可以对绝缘膜、在抗蚀膜上层叠的保护膜等进行成膜。另外，设于后部侧处理部50的处理组件也可以配置加热组件以外的组件。例如，也可以设置对抗蚀膜的周缘部进行曝光的周缘曝光组件，还可以设置与处理前检查组件41同样的结构的检查组件，以对形成了膜之后的晶圆W的表面进行检查。
此外，载体模块D1与处理模块的排列也可以左右颠倒，各模块的结构要素的布局也可以前后颠倒。此外，应该认为，此次公开了的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离添附的权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的形态进行省略、置换、变更和组合。

Claims (12)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
载体模块，其供收纳基板的载体载置；
一个处理模块，自所述载体模块向该一个处理模块输送所述基板，该一个处理模块包括：多个第1处理组件，其分别处理所述基板；和第1输送机构，其共用于所述多个第1处理组件地输送所述基板；
另一处理模块，其与所述一个处理模块重叠，并且自该另一处理模块向所述载体模块输送所述基板，该另一处理模块包括：多个第2处理组件，其分别处理所述基板；和第2输送机构，其共用于所述多个第2处理组件地输送所述基板；
升降移载机构，其包括：轴，其沿横向延伸；和支承部，其具备与所述基板相对并进行支承的支承面，并且该支承部自该轴沿与所述轴的延伸方向交叉的方向延伸，使所述轴和所述支承部在用于相对于所述第1输送机构交接所述基板的第1位置和用于相对于所述第2输送机构交接所述基板的第2位置之间升降；以及
转动机构，其使所述支承部绕所述轴转动，以使所述支承部的朝向在第1朝向和第2朝向之间变化，该第1朝向用于在所述第1位置、所述第2位置分别交接所述基板，该第2朝向的所述支承面相对于水平面的倾斜度比所述第1朝向大，以在所述第1位置与所述第2位置之间移动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述一个处理模块包括第1基板载置部，该第1基板载置部载置所述基板，以相对于所述第1输送机构交接该基板，
所述另一处理模块包括第2基板载置部，该第2基板载置部载置所述基板，以相对于所述第2输送机构交接该基板，
所述第1位置、所述第2位置分别是相对于所述第1基板载置部、所述第2基板载置部交接所述基板的位置。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述第2朝向是所述支承面的作为所述轴侧的基端侧相对于顶端侧位于下方的位置并且相对于铅垂面倾斜的朝向。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
在所述支承部，对所述支承面而言的基端侧相对于该支承面隆起，而形成防止所述基板自所述支承面的基端侧落下的防落下部。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述支承面开设有用于抽吸并保持所述基板的抽吸孔。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：抽吸通路，其与所述抽吸孔连接；压力检测部，其检测所述抽吸通路的压力；和保持异常检测部，其基于所述检测到的压力来检测所述基板的保持有无异常。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述支承部自所述轴向前后的一侧延伸，
利用所述第1输送机构输送所述基板的第1输送区域相对于所述轴位于前后的一侧并且向左右的一侧延伸，沿着该第1输送区域的延伸方向分别设有所述多个第1处理组件，
利用所述第2输送机构输送所述基板的第2输送区域相对于所述轴位于前后的一侧并且向左右的一侧延伸，沿着该第2输送区域的伸长方向分别设有所述多个第2处理组件。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
在对所述轴而言的前后的另一侧，设有所述第1处理组件或第2处理组件的附加设备。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述一个处理模块由一个左侧处理模块、一个右侧处理模块构成，该一个左侧处理模块、一个右侧处理模块均具备所述多个第1处理组件、所述第1输送机构，且以能够互相交接所述基板的方式左右排列，
所述另一处理模块由另一左侧处理模块、另一右侧处理模块构成，该另一左侧处理模块、另一右侧处理模块均具备所述多个第2处理组件、所述第2输送机构，且以能够互相交接所述基板的方式左右排列，
一个左侧处理模块与另一左侧处理模块互相重叠，一个右侧处理模块与另一右侧处理模块互相重叠。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述载体模块沿着由一个左侧处理模块和另一左侧处理模块构成的一个组、由一个右侧处理模块和另一右侧处理模块构成的另一组的排列设置，所述升降移载机构设于所述一个组和所述另一组中的更远离所述载体模块的组。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述多个第1处理组件包括：第1涂布膜形成组件，其向所述基板供给涂布液而形成第1涂布膜；和第1加热组件，其对形成有所述第1涂布膜的所述基板进行加热，
所述多个第2处理组件包括：第2涂布膜形成组件，其向所述基板供给涂布液，而形成层叠于所述第1涂布膜的第2涂布膜；以及第2加热组件，其对形成有所述第2涂布膜的所述基板进行加热。
12.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括以下工序：
在载体模块载置用于收纳基板的载体；
自所述载体模块向一个处理模块输送所述基板，该一个处理模块包括：多个第1处理组件，其分别处理所述基板；和第1输送机构，其共用于所述多个第1处理组件地输送所述基板；
自与所述一个处理模块重叠的另一处理模块向所述载体模块输送所述基板，该另一处理模块包括：多个第2处理组件，其分别处理所述基板；和第2输送机构，其共用于所述多个第2处理组件地输送所述基板；
使升降移载机构在用于相对于所述第1输送机构交接所述基板的第1位置和用于相对于所述第2输送机构交接所述基板的第2位置之间升降，该升降移载机构包括：轴，其沿横向延伸；和支承部，其具备与所述基板相对并进行支承的支承面，并且该支承部自该轴沿与所述轴的延伸方向交叉的方向延伸；
利用转动机构使所述支承部绕所述轴转动；
使所述支承部的朝向在第1朝向和第2朝向之间变化，该第1朝向用于在所述第1位置、所述第2位置分别交接所述基板，该第2朝向的所述支承面相对于水平面的倾斜度比所述第1朝向大，以在所述第1位置与所述第2位置之间移动。
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