KR102500916B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102500916B1
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노리유키 기쿠모토
고지 하시모토
겐지 아마히사
쓰요시 도미타
유이치 다카야마
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

가열 처리 후에 반송되는 기판의 오염을 경감하는 기술을 제공한다. 기판 처리 장치(1)는, 인덱서부(ID) 및 처리부(PU)를 갖는다. 처리부(PU)는, 유체 처리부(30), 가열 처리부(40), 셔틀 반송 기구(50), 제1 반송 로봇(60) 및 제2 반송 로봇(70)을 갖는다. 인덱서부(ID)는, 캐리어(C)에는 수납된 기판(W)을, 처리부(PU)에는 기판(W)을 공급한다. 가열 처리부(40)는, 인덱서부(ID)와 유체 처리부(30) 사이에 설치되어 있다. 인덱서부(ID)로부터 공급되는 기판(W)은, 셔틀 반송 기구(50), 제1 반송 로봇(60) 및 제2 반송 로봇(70)에 의해서, 인덱서부(ID), 유체 처리부(30), 가열 처리부(40), 인덱서부(ID)의 순서대로 반송된다.

Description

기판 처리 장치
이 발명은, 기판에 대해서 가열 처리를 포함하는 각 처리를 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체 기판, 액정 표시 장치 및 유기 EL(Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판, 프린트 기판 등이 포함된다.
기판의 제조 공정에 있어서는, 기판 처리 장치에 있어서, 기판에 대해서 규정 처리가 행해진 후, 당해 기판에 가열 처리가 행해지는 경우가 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1에서는, 카세트 스테이션으로부터 공급된 반도체 웨이퍼를, 반송 기구가, 순서대로 표면 세정 유닛, 이면 세정 유닛, 가열 유닛, 냉각 유닛에 반송하고, 그 후 다시 카세트 스테이션에 반송한다. 세정된 반도체 웨이퍼를 가열 처리함으로써, 반도체 웨이퍼가 건조된다.
일본국 특허공개 평 10-242109호 공보
그러나, 특허 문헌 1에서는, 카세트 스테이션, 표면 세정 유닛, 이면 세정 유닛 및 가열 유닛이, 이 순서로 배치되어 있다. 즉, 가열 유닛은, 각 세정 유닛의, 카세트 스테이션과는 반대 측에 설치되어 있다. 이 때문에, 가열 유닛으로부터 취출(取出)된 반도체 웨이퍼는, 각 세정 유닛의 옆을 통과하여 카세트 스테이션으로 되돌려진다. 따라서, 가열 처리 후의 반도체 웨이퍼에 각 세정 유닛에서 발생한 이물(세정액을 포함한다.)이 부착됨으로써, 오염될 우려가 있었다.
그래서, 본 발명은, 가열 처리 후에 반송되는 기판의 오염을 경감하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 제1 양태는, 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 기판을 수용하는 규정 처리실 및 상기 규정 처리실에 있어서 상기 기판에 대해서 규정 처리를 행하는 처리 툴을 갖는 규정 처리부와, 상기 기판을 수납하는 수납실로부터의 상기 기판을 상기 규정 처리부에 공급하는 기판 공급부와, 상기 기판 공급부와 상기 규정 처리부 사이에 설치되고, 상기 기판을 수용하는 가열 처리실 및 상기 가열 처리실에서 상기 기판을 가열하는 히터를 갖는 가열 처리부와, 상기 기판 공급부로부터 공급되는 상기 기판을, 순서대로, 상기 규정 처리부, 상기 가열 처리부, 상기 기판 공급부에 반송하는 반송부를 구비한다.
제2 양태는, 제1 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 처리 툴은, 상기 기판에 유체를 공급하는 노즐을 포함한다.
제3 양태는, 제2 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 유체는, 처리액을 포함한다.
제4 양태는, 제1 양태 내지 제3 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 가열 처리부와 상기 규정 처리부가 제1 방향으로 이격되어 배치되어 있고, 상기 반송부는, 상기 가열 처리실과 상기 규정 처리실 사이에 배치되는 제1 반송부를 포함하고, 상기 제1 반송부는, 상기 기판을 유지하는 제1 기판 유지구, 및 상기 제1 기판 유지구를 제1 방향으로 이동시키는 제1 모터를 갖는다.
제5 양태는, 제4 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 반송부는, 상기 기판을 유지하는 제2 기판 유지구를 갖고, 상기 기판 공급부, 상기 가열 처리부 및 상기 제1 반송부와의 사이에서 상기 기판을 반송하는 제2 반송부와, 상기 기판을 유지하는 제3 기판 유지구를 갖고, 상기 제1 반송부 및 상기 규정 처리부와의 사이에서 상기 기판을 반송하는 제3 반송부를 포함한다.
제6 양태는, 제5 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 제2 반송부는, 상기 제2 기판 유지구를 연직 방향의 선회축선 둘레로 선회시키는 선회 모터를 더 갖는다.
제7 양태는, 제5 양태 또는 제6 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 가열 처리부는, 연직 방향으로 겹치는 복수의 상기 가열 처리실을 포함하고, 상기 규정 처리부는, 연직 방향으로 겹치는 복수의 상기 규정 처리실을 포함하고, 상기 제2 반송부 및 상기 제3 반송부 각각은, 상기 제2 기판 유지구 및 상기 제3 기판 유지구 각각을 연직 방향으로 이동시키는 이동 모터를 갖는다.
제8 양태는, 제7 양태의 기판 처리 장치로서, 상기 제2 반송부가 상기 가열 처리부에 있어서의 가장 높은 상기 가열 처리실에 상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 연직 위치, 및 상기 제3 반송부가 상기 규정 처리부에 있어서의 가장 높은 상기 규정 처리실에 상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 연직 위치가 동일하다.
제9 양태는, 제5 양태 내지 제8 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 기판 공급부는, 상기 수납실보다 상기 규정 처리부에 가까운 위치에 설치되고, 상기 기판을 유지하는 기판 수도부(受渡部)를 포함하고, 상기 제2 반송부는, 상기 기판 수도부 및 상기 제1 반송부에 대해서 동일한 높이에서 상기 기판을 반송한다.
제10 양태는, 제4 양태 내지 제9 양태 중 어느 하나의 기판 처리 장치로서, 상기 제1 기판 유지구보다 상방의 위치로부터 하방을 향하여 에어를 공급하는 에어 공급부를 더 구비한다.
제1 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 가열 처리부에서 가열 처리가 완결된 기판이, 규정 처리부와는 반대측의 기판 공급부로 반송된다. 이 때문에, 가열 처리부에서 가열 처리된 기판이, 규정 처리부의 부근을 지나지 않고 기판 공급부로 반송된다. 따라서, 규정 처리부 및 그 주변에서 발생한 이물이, 가열 처리부로부터 반출된 기판에 부착되는 것을 경감할 수 있기 때문에, 가열 처리 후에 반송되는 기판의 오염을 경감할 수 있다.
제2 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 노즐로부터 유체를 기판에 공급함으로써, 기판을 처리할 수 있다.
제3 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 노즐로부터 처리액을 기판에 공급함으로써, 기판을 처리할 수 있다.
제4 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 이동 반송부를 구비함으로써, 가열 처리부와 규정 처리부를 제1 방향으로 떨어뜨려 놓을 수 있다. 이 때문에, 규정 처리부 및 그 주변에서 발생한 이물이, 가열 처리부로부터 반출된 기판에 부착되는 것을 경감할 수 있다. 또, 가열 처리부의 열이, 규정 처리부에 영향을 미치는 것을 저감할 수 있다.
제5 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 기판 공급부, 가열 처리부 및 제1 반송부 간의 기판의 반송, 및 제1 반송부 및 가열 처리부 간의 기판의 반송을 행할 수 있다.
제6 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 제2 기판 유지구를 연직 방향의 선회축선 둘레로 선회시킴으로써, 기판의 수평 위치를 변경할 수 있다. 이 때문에 기판 공급부, 제1 반송부, 및 가열 처리부를 제2 기판 반송부의 주위에 배치함으로써, 이들의 사이에서 기판을 반송할 수 있다.
제7 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 각 가열 처리실 및 각 규정 처리실이 연직 방향으로 겹쳐져 있기 때문에, 가열 처리부 및 규정 처리부의 점유 면적을 작게 하면서, 복수의 기판을 병행으로 처리할 수 있다. 또, 제2 및 제3 반송부 각각의 제2 및 제3 기판 유지구가 연직 방향으로 이동할 수 있다. 이 때문에, 제2 및 제3 반송부가 연직 방향으로 쌓인 각 가열 처리실 및 각 규정 처리실에 대해서 기판을 반송할 수 있다.
제8 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 제2 및 제3 반송부는, 동일한 연직 위치에서 최상의 가열 처리실 및 규정 처리실 각각에 기판을 반송하기 때문에, 제2 및 제3 반송부의 제2 및 제3 기판 유지구를 승강시키는 기구에 대해서, 공통의 구성을 채용할 수 있다.
제9 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 기판 수도부와 제1 반송부 사이에서, 기판을 연직 방향으로 이동시키지 않고 수평 이동시킴으로써 기판을 반송할 수 있기 때문에 기판을 원활하게 반송할 수 있다.
제10 양태의 기판 처리 장치에 의하면, 제1 반송부에 있어서, 기판보다 상방으로부터 하방으로 에어의 기류가 형성된다. 이 기류의 작용에 의해서, 규정 처리부 측으로부터 가열 처리부 측으로 이물이 이동하는 것을 저감할 수 있다.
도 1은, 실시형태의 기판 처리 장치(1)의 전체 레이아웃을 나타낸 개략 평면도이다.
도 2는, 실시형태의 기판 처리 장치(1)를 나타낸 개략 측면도이다.
도 3은, 실시형태의 유체 처리실(32)을 나타낸 개략 측면도이다.
도 4는, 실시형태의 가열 처리실(42)을 나타낸 개략 측면도이다.
도 5는, 실시형태의 셔틀 반송 기구(50)를 나타낸 개략 측면도이다.
도 6은, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1A)의 전체 레이아웃을 나타낸 개략 평면도이다.
도 7은, 변형예에 따른 반송 로봇(60A)의 개략 측면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 또한, 이 실시형태에 기재되어 있는 구성 요소는 어디까지나 예시이며, 본 발명의 범위를 그들만으로 한정하는 취지의 것은 아니다. 도면에 있어서는, 이해 용이를 위해서, 필요에 따라 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화되어 도시되어 있는 경우가 있다.
첨부된 도면에서는, 오른손계의 XYZ 직교좌표계의 각 방향을 나타내는 화살표가 붙여져 있는 경우가 있다. 여기서는, X축 방향 및 Y축 방향을 수평 방향으로 하고, Z축 방향을 연직 방향으로 한다. 각 화살표의 선단이 향하는 쪽을 ＋(플러스) 방향으로 하고, 그 역방향을 -(마이너스) 방향으로 한다.
상대적 또는 절대적인 위치 관계를 나타내는 표현(예를 들면 「일방향으로」, 「일방향을 따라서」, 「평행」, 「직교」, 「중심」, 「동심」, 「동축」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 그 위치 관계를 엄밀하게 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 같은 정도의 기능을 얻을 수 있는 범위에서 상대적으로 각도 또는 거리에 관해서 변위된 상태도 나타내는 것으로 한다. 동일한 상태인 것을 나타내는 표현(예를 들면 「동일」, 「동일하다」, 「균질」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 정량적으로 엄밀하게 동일한 상태를 나타낼 뿐만 아니라, 공차 혹은 같은 정도의 기능을 얻을 수 있는 차이가 존재하는 상태도 나타내는 것으로 한다. 형상을 나타내는 표현(예를 들면, 「사각 형상」 또는 「원통 형상」 등)은, 특별히 언급하지 않는 한, 기하학적으로 엄밀하게 그 형상을 나타낼 뿐만 아니라, 같은 정도의 효과를 얻을 수 있는 범위에서, 예를 들면 요철이나 면취 등을 갖는 형상도 나타내는 것으로 한다. 하나의 구성 요소를 「갖추다」, 「지니다」, 「구비하다」, 「포함하다」 또는 「가지다」라는 표현은, 다른 구성 요소의 존재를 제외하는 배타적 표현은 아니다. 「~의 위」란, 특별히 언급하지 않는 한, 2개의 요소가 접해 있는 경우 외에, 2개의 요소가 떨어져 있는 경우도 포함한다.
＜1. 실시형태＞
도 1은, 실시형태의 기판 처리 장치(1)의 전체 레이아웃을 나타내는 개략 평면도이다. 도 2는, 실시형태의 기판 처리 장치(1)를 나타내는 개략 측면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 반도체의 기판(W)을 1장씩 처리하는 매엽식의 처리 장치이며, 여기서는, 원형의 실리콘의 기판(W)에 가열 처리 이외의 처리를 실행하는 것이 가능한 규정 처리를 행하는 규정 처리, 및 가열 처리를 행한다. 본 예에서는, 규정 처리는 유체 처리이다. 유체 처리는, 액체 또는 가스를 기판(W)에 공급하여 기판(W)의 표면을 처리하는 것을 말한다.
기판 처리 장치(1)는, 인덱서부(ID) 및 처리부(PU)를 수평 방향인 X방향으로 연결하여 구성된다. 본 예에서는, 인덱서부(ID)는 -X 측에 배치되고, 처리부(PU)는 ＋X 측에 배치되어 있다. 처리부(PU)는, ＋X 측에 배치된 가열 처리부(40)와 -X 측에 배치된 유체 처리부(30)를 포함한다. 가열 처리부(40) 및 유체 처리부(30)는, X축 방향으로 이격되어 배치되어 있다.
기판 처리 장치(1)는, 셔틀 반송 기구(50)(제1 반송부)를 구비한다. 셔틀 반송 기구(50)는, 처리부(PU)에 설치되어 있고, 여기서는, 가열 처리부(40)보다 ＋X 측(유체 처리부(30)의 측)으로서, 유체 처리부(30)보다 -X 측(가열 처리부(40)의 측)에 설치되어 있다.
기판 처리 장치(1)는, 기판 처리 장치(1)에 설치된 요소의 동작을 제어하고, 기판(W)의 처리를 실현하는 제어부(90)를 구비한다.
인덱서부(ID)는, 복수의 캐리어(C)(수납실)를 재치(載置)하는 재치대(11), 및 각 캐리어(C)에 대해서 기판(W)을 반송하는 인덱서 로봇(12) 및 패스부(80)를 포함한다.
재치대(11)에는, 수평 방향인 Y축 방향을 따라서 복수(여기서는 4개)의 캐리어(C)가 정렬 상태로 재치된다. 재치대(11)에 대해서는 AGV(automated guided vehicle) 등의 무인 반송 기구에 의해서 캐리어(C)의 반입 및 반출이 행해진다. 캐리어(C)는, 복수 장의 기판(W)을 수납하는 수납실의 일례이다. 캐리어(C)로서, 복수 장의 기판(W)을 소정 간격의 적층 상태로 밀폐 공간에 수납하는 FOUP(front opening unified pod)이 채용되어도 된다. 또한, 캐리어(C)로서, FOUP 외에, SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포드나 수납된 기판(W)을 외기에 노출시키는 OC(open cassette)가 채용되어도 된다. 재치대(11)에 재치되는 캐리어(C)의 수량은, 4개로 한정되는 것이 아니며, 1~3개, 혹은 5개 이상이어도 된다.
인덱서 로봇(12)은, 미처리 기판(W)을 각 캐리어(C)로부터 반출하여 처리부(PU)에 건네줌과 더불어, 처리가 완료된 처리 완료 기판(W)을 처리부(PU)로부터 수취하여 각 캐리어(C)에 반입한다. 인덱서 로봇(12)은, Y축 방향을 따라서 형성된 반송로(10)를 주행함과 더불어, 각 캐리어(C)와 패스부(80) 사이에서 기판(W)을 반송한다.
인덱서 로봇(12)은, 2개의 아암(13a, 13b)을 독립적으로 구동할 수 있는 이른바 더블 아암형의 반송 로봇이다. 각 아암(13a, 13b)의 선단에는, 연직 방향으로 위치를 어긋나게 한 핸드(14a) 및 핸드(14b)가 각각 결합되어 있다. 핸드(14b)는, 핸드(14a)의 -Z측에 설치되어 있다. 핸드(14a) 및 핸드(14b)는, 각각 1장의 기판(W)을 수평 자세로 유지한다.
인덱서 로봇(12)은, 아암(13a, 13b)을 독립적으로 구동함으로써, 핸드(14a) 및 핸드(14b)를 개별적으로 수평 방향으로 진퇴 이동시키는 모터를 포함하는 진퇴 구동 기구(15)를 구비하고 있다. 또, 인덱서 로봇(12)은, 아암(13a, 13b)을 Z축 방향과 평행한 연직축선 둘레로 선회시키는 선회 모터를 포함하는 선회 구동 기구, 아암(13a, 13b)을 연직 방향으로 승강시키는 승강 모터를 포함하는 승강 구동 기구, 및, 인덱서 로봇(12) 전체를 반송로(10)를 따라서 수평 이동시키는 이동 모터를 포함하는 슬라이드 구동 기구(모두 도시 생략)를 구비한다. 인덱서 로봇(12)은, 각 모터의 작용에 의해 핸드(14a) 및 핸드(14b)를 개별적으로 재치대(11)의 각 캐리어(C)의 내부에 진입시킴으로써, 미처리 기판(W)의 취출, 및 처리 완료 기판(W)의 격납을 행한다. 또, 인덱서 로봇(12)은, 핸드(14a) 및 핸드(14b)를 개별적으로 패스부(80)의 내부에 진입시킴으로써, 미처리 기판(W)의 인도, 및 처리 완료 기판(W)의 수취를 행한다.
패스부(80)는, 인덱서부(ID)보다 ＋X 측(즉, 유체 처리부(30)를 포함하는 처리부(PU)에 가까운 측)에 설치되어 있다. 본 예에서는, 패스부(80)는, 인덱서 로봇(12)과 제1 반송 로봇(60) 사이에 설치되어 있다. 후술하는 바와 같이, 인덱서 로봇(12)으로부터 패스부(80)로 건네진 미처리 기판(W)은, 제1 반송 로봇(60)에 의해서 유체 처리부(30)에 반송된다. 인덱서부(ID) 및 패스부(80)는, 캐리어(C)에 수납된 기판(W)을 유체 처리부(30)에 공급하는 기판 공급부의 일례이다.
처리부(PU)는, 셔틀 반송 기구(50) 외에, 제1 반송 로봇(60) 및 제2 반송 로봇(70)을 구비한다.
제1 반송 로봇(60)은, 패스부(80)와 셔틀 반송 기구(50) 사이에 배치되어 있다. 제1 반송 로봇(60)은, ＋Y 측 및 -Y 측에 배치된 가열 처리 타워(41)의 사이에 설치되어 있다. 가열 처리 타워(41)는, 연직 방향으로 겹쳐 쌓인 복수(본 예에서는 5개)의 가열 처리실(42)로 구성된다. 또, 본 예에서는, 패스부(80)는 2개의 가열 처리 타워(41)의 사이에 설치되어 있다. 복수의 가열 처리실(42)을 겹쳐 쌓아 가열 처리 타워(41)를 형성함으로써, 가열 처리부(40)의 전유 면적을 작게 하면서, 복수의 기판(W)을 병행으로 가열 처리할 수 있다.
제2 반송 로봇(70)은, 유체 처리부(30)의 수평 방향 중앙부의 중앙에 설치되어 있다. 여기서는, 유체 처리부(30)가 구비하는 4개의 유체 처리 타워(31)의 중앙에 설치되어 있다. 유체 처리 타워(31)는, 연직 방향으로 겹쳐 쌓인 복수(본 예에서는 3개)의 유체 처리실(32)로 구성되어 있다. 4개의 유체 처리 타워(31) 중, 2개는 유체 처리부(30)의 ＋Y 측에서 X축 방향으로 배열되어 있고, 나머지 2개는 유체 처리부(30)의 -Y 측에서 X축 방향으로 배열되어 있다. 복수의 유체 처리실(32)을 겹쳐 쌓아 유체 처리 타워(31)를 형성함으로써, 유체 처리부(30)의 전유 면적을 작게 하면서, 복수의 기판(W)을 병행으로 가열 처리할 수 있다.
제2 반송 로봇(70)은, 제1 반송 로봇(60)과 동일한 구성을 구비하고 있기 때문에, 여기서는 제1 반송 로봇(60)의 구성에 대해 설명한다. 단, 제2 반송 로봇(70)이 제1 반송 로봇(60)과 동일한 구성을 구비하는 것은 필수는 아니다.
제1 반송 로봇(60)은, 연직 방향으로 위치를 어긋나게 해 배치된 2개의 핸드(61a, 61b)를 구비한다. 제1 반송 로봇(60)은, 핸드(61a, 61b)를 연직 방향을 따른 선회축선 둘레로 선회시키는 선회 모터를 포함하는 선회 구동 기구(62), 및 핸드(61a) 및 핸드(61b)를 연직 방향으로 승강시키는 승강 모터를 포함하는 승강 구동 기구(63)를 구비한다. 또한, 제1 반송 로봇(60)은, 핸드(61a, 61b)를 상기 선회축선과 직교하는 선회 반경 방향(선회축선과 직교하는 수평 방향)을 따라서 독립적으로 진퇴 이동시키는 모터를 포함하는 진퇴 구동 기구(64)를 구비하고 있다. 진퇴 구동 기구(64)는, 예를 들면 다관절 아암으로 구성되어 있고, 모터가 관절을 굴곡시킴으로써, 선단의 핸드(61a, 61b)를 수평 방향으로 진퇴시킨다. 또한, 진퇴 구동 기구(64)는, 볼 나사, 리니어 모터 또는 실린더 등의 직동 구동 기구를 구비하고 있어도 된다.
제1 반송 로봇(60)은, 각 구동 기구에서 각 핸드(61a, 61b)를 개별적으로 패스부(80), 각 가열 처리실(42) 및 셔틀 반송 기구(50)에 진입시켜, 기판(W)의 반송을 행한다. 예를 들면, 제1 반송 로봇(60)은, 패스부(80)에 진입하여 패스부(80)로부터 미처리 기판(W)을 수취한 후, 180도 선회하여 셔틀 반송 기구(50)(상세하게는, 제1 수수(授受) 위치(L51))의 셔틀 본체부(51)에 기판(W)을 건네준다. 또, 제1 반송 로봇(60)은, 셔틀 반송 기구(50)(상세하게는, 제1 수수 위치(L51))의 셔틀 본체부(51)로부터 유체 처리 완료 기판(W)을 수취한 후, 비어 있는 가열 처리실(42)에 기판(W)을 반입한다. 또, 제1 반송 로봇(60)은, 가열 처리가 완료된 가열 처리실(42)로부터 기판(W)을 취출한 후, 소정의 각도분만큼 선회하여 패스부(80)를 정면으로 마주보고, 기판(W)을 패스부(80)에 건네준다.
제2 반송 로봇(70)은, 각 구동 기구로 각 핸드(61a, 61b)를 개별적으로 셔틀 반송 기구(50) 및 각 유체 처리실(32)에 진입시키고, 기판(W)의 반송을 행한다. 예를 들면, 제2 반송 로봇(70)은, 셔틀 반송 기구(50)(상세하게는, 제2 수수 위치(L52))의 셔틀 본체부(51)로부터 미처리 기판(W)을 수취한 후, 비어 있는 유체 처리실(32)에 기판(W)을 반입한다. 또, 제2 반송 로봇(70)은, 유체 처리가 완료된 유체 처리실(32)로부터 기판(W)을 수취한 후, 당해 기판(W)을 셔틀 반송 기구(50)(상세하게는, 제2 수수 위치(L52))의 셔틀 본체부(51)에 건네준다.
반송 로봇(60, 70)은, 각각의 핸드(61a, 61b)를 연직 방향으로 승강시킴으로써, 연직 방향으로 쌓인 복수의 가열 처리실(42) 또는 복수의 유체 처리실(32) 중 하나에 대해서, 기판(W)을 반송할 수 있다.
기판 처리 장치(1)에 있어서는, 셔틀 반송 기구(50), 반송 로봇(60, 70)이, 기판 공급부(인덱서부(ID) 및 패스부(80))로부터 공급된 기판(W)을, 순서대로, 유체 처리부(30), 가열 처리부(40)에 반송하고, 그 후 다시 기판 공급부로 되돌린다. 셔틀 반송 기구(50), 반송 로봇(60, 70)은, 반송부의 일례이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 유체 처리부(30)에 있어서 가장 높은 위치에 있는 유체 처리실(32)의 셔터(33)와, 가열 처리부(40)에 있어서 가장 높은 위치에 있는 가열 처리실(42)의 셔터(43)는, 동일한 높이(연직 위치)에 있다. 이 때문에, 제1 반송 로봇(60)이 최상의 가열 처리실(42)에 기판(W)을 반송할 때의 기판(W)의 연직 위치와, 제2 반송 로봇(70)이 최상의 유체 처리실(32)에 기판(W)을 반송할 때의 기판(W)의 연직 위치가 동일하다. 이와 같이, 반송 로봇(60, 70)은, 동일한 연직 위치에서 가열 처리실(42) 및 유체 처리실(32) 각각에 기판(W)을 반송하기 때문에, 각각의 핸드(61a, 61b)(제2 및 제3 기판 유지구)를 승강시키기 위해서 공통의 승강 구동 기구(63)를 채용할 수 있다. 이와 같이 반송 로봇(60, 70)에 대해서, 구성의 공통화를 도모함으로써, 기판 처리 장치(1)의 제조 비용을 경감할 수 있다.
반송 로봇(60, 70)은, 그 기대부(65)가 처리부(PU)에 대해서 고정되어 있으며, 처리부(PU) 내에서 수평 방향을 따라서 이동하는 것은 아니다. 단, 반송 로봇(60, 70)이, 이동 모터를 포함하는 수평 이동 기구를 구비함으로써, 수평 방향으로 이동해도 된다.
도 3은, 실시형태의 유체 처리실(32)을 나타내는 개략 측면도이다. 유체 처리실(32)에 있어서는, 기판(W)에 처리액을 이용한 표면 처리가 행해진다. 「처리액」이란, 기판(W)의 표면을 처리하는 액의 총칭이며, 약액 및 린스액 쌍방을 포함한다. 약액에는, 예를 들면, 불산, 암모니아과산화수소수(SC-1), 염산과산화수소수(SC-2), 황산과산화수소수(SPM) 등이 포함된다. 유체 처리실(32)에서 행해지는 유체 처리는, 불산을 이용하여 기판(W)의 표면에 형성된 불필요한 막을 제거하는 에칭 처리, SC-1로 기판(W)의 표면으로부터 파티클을 제거하는 처리, SC-2로 기판(W)의 금속 오염을 제거하는 처리, 혹은, SPM으로 기판(W)의 표면의 레지스트를 제거하는 처리로 해도 된다. 또, 유체 처리실(32)에서 행해지는 처리는, 린스액인 순수로 기판(W)의 표면을 세정하는 처리로 해도 된다.
유체 처리실(32)의 측벽면의 일부에는, 유체 처리실(32)에 대해서 기판(W)을 반출입하기 위한 개구부가 형성되어 있고, 당해 개구부는 셔터(33)에 의해서 개폐된다. 셔터(33)는, 도시하지 않은 모터에 의해서 개폐한다. 셔터(33)가 열려 있을 때에는, 제2 반송 로봇(70)이 개구부를 통해 유체 처리실(32)에 기판(W)을 반입함과 더불어 유체 처리실(32)로부터 기판(W)을 반출한다. 셔터(33)가 닫혀 있을 때에는, 유체 처리실(32)의 내부는 실질적으로 밀폐 공간이 되고, 유체 처리실(32)의 내부의 분위기가 외측(제2 반송 로봇(70)이 배치되어 있는 공간 측)에 누설되는 것이 억제된다.
유체 처리실(32)의 내부에는, 기판(W)을 수평 자세로 유지함과 더불어, 그 중심을 통과하는 연직 방향을 따른 중심축 둘레로 기판(W)을 회전시키는 회전 유지부(34)가 설치되어 있다. 회전 유지부(34)는, 스핀 척(35), 회전축(36) 및 회전 모터(37)를 구비한다. 스핀 척(35)은, 척 핀에 의해서 기판(W)의 단연부(端緣部)를 파지함으로써, 기판(W)의 하면 중앙부에 접촉하지 않고 기판(W)을 거의 수평 자세로 유지하는 기판 유지구이다. 회전축(36)은, 스핀 척(35)의 하면 측 중심부에 수설(垂設)되어 있다. 회전 모터(37)는, 회전축(36)을 통해 스핀 척(35)을 수평면 내에서 회전시킨다. 스핀 척(35)에 유지된 기판(W)은, 스핀 척(35) 및 회전축(36)과 더불어, 수평면 내에서 연직 방향을 따른 중심축선 둘레에서 회전한다.
유체 처리실(32)의 내부에는, 회전 유지부(34)의 스핀 척(35)을 둘러싸는 처리 컵(38)이 설치되어 있다. 기판(W)이 회전함으로써, 기판(W)의 상면으로부터 외방으로 떨쳐내어진 처리액은, 처리 컵(38)의 내면으로 받아지고, 적절히 배출 포트로부터 유체 처리실(32)의 밖으로 배출된다. 처리 컵(38)은, 도시 생략된 승강 모터를 포함하는 승강 기구에 의해서, 연직 방향으로 승강한다.
유체 처리실(32)의 내부에는, 노즐(39)이 설치되어 있다. 노즐(39)은, 유체 처리실(32)에 병설된 유체 박스(32B)로부터 처리액이 공급된다. 노즐(39)은, 하방에 형성된 토출구로부터 기판(W)을 향하여 처리액을 토출한다. 이에 의해, 기판(W)의 상면에 처리액이 공급된다. 유체 박스(32B)에는, 노즐(39)에 처리액을 공급하기 위한 배관이나 배관에 개재 설치된 밸브 등의 복수의 유체 기기가 수용되어 있다. 노즐(39)은, 기판(W)에 대해서 처리를 행하는 처리 툴의 일례이다.
또한, 스핀 척(35)에 유지된 기판(W)의 이면에 처리액을 공급하는 노즐이 설치되어도 된다. 이 경우, 예를 들면 회전축(36)을 중공에, 당해 공간 내에 처리액의 유로와, 당해 유로에 접속되어 스핀 척(35)의 중심부에 있어서 상측으로 개구하는 노즐을 설치해도 된다. 당해 노즐로부터 처리액을 토출함으로써, 기판(W)의 이면 측의 중심부에 처리액을 공급할 수 있다.
노즐(39)은, 도시 생략된 노즐 아암에 장착된다. 노즐 아암은 모터에 접속되어 있고, 모터의 작동에 의해서, 수평 방향으로 이동할 수 있다. 노즐(39)은, 이 노즐 아암의 수평 이동에 의해서, 스핀 척(35)에 유지된 기판(W)의 상방의 위치와, 그 기판(W)의 상방으로부터 빗겨난 위치 사이에서 이동할 수 있다.
본 예에서는, 유체 처리실(32)에 있어서, 처리액으로 기판(W)을 액처리하고 있다. 그러나, 유체 처리실(32)에 있어서 액처리하는 것은 필수는 아니다. 예를 들면, 유체 처리실(32)에 있어서, 기판(W)의 표면을 소정의 처리 가스에 폭로시키는 드라이 처리가 행해져도 된다.
도 4는, 실시형태의 가열 처리실(42)을 나타내는 개략 측면도이다. 가열 처리실(42)의 측벽면의 일부에는, 가열 처리실(42)에 대해서 기판(W)을 반출입하기 위한 개구부가 형성되어 있고, 당해 개구부는 셔터(43)에 의해서 개폐된다. 셔터(43)는, 도시되지 않은 모터에 의해서 개폐된다. 셔터(43)가 열려 있을 때에는, 제1 반송 로봇(60)이 개구부를 통해 가열 처리실(42)에 기판(W)을 반입함과 더불어 가열 처리실(42)로부터 기판(W)을 반출한다. 셔터(43)가 닫혀 있을 때에는, 가열 처리실(42)의 내부는 실질적으로 밀폐 공간이 되고, 가열 처리실(42)의 내부의 분위기가 외측(제1 반송 로봇(60)이 배치되어 있는 공간의 측)에 누설되는 것이 억제된다.
가열 처리실(42)은, 기판(W)을 내부에 수용하여 당해 기판(W)을 가열한다. 가열 처리실(42)의 내부에는, 기판(W)을 수평 자세로 지지하는 스테이지(44)가 설치되어 있다. 스테이지(44)는, 기판 유지구의 일례이다. 스테이지(44)의 내부에는, 히터(45)가 설치되어 있다. 히터(45)는, 저항선, 및 당해 저항선에 전압을 인가하는 전원 등을 포함한다. 여기서는, 스테이지(44)의 내부에 저항선이 설치되어 있고, 당해 저항선에 전압이 인가됨으로써, 스테이지(44)의 상면에 복사열이 방사된다. 이 복사열에 의해서, 스테이지(44)에 지지된 기판(W)이 가열된다. 또한, 가열 처리실(42)에 있어서, 기판(W)을 가열하는 기구는 도시된 예로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 가열 처리실(42)의 내부에, 열원에 의해서 가열된 열풍을 분출하는 팬 히터를 설치하고, 당해 열풍에 의해서 기판(W)을 직접 또는 간접적으로 가열해도 된다.
도 5는, 실시형태의 셔틀 반송 기구(50)를 나타내는 개략 측면도이다. 셔틀 반송 기구(50)는, X축 방향으로 연장됨과 더불어 Y축 방향으로 간격을 두고 배치된 2개의 레일(501), 각 레일(501)에 연결되어 있는 셔틀 본체부(51), 각 레일(501) 상을 따라서 셔틀 본체부(51)를 왕복 이동시키는 직동 모터(53)(제1 모터)를 갖는다.
셔틀 본체부(51)의 상면에는, 2개의 기판 유지구(52a, 52b)가 설치되어 있다. 기판 유지구(52a, 52b)는, X축 방향으로 어긋난 위치에 설치되어 있다. 구체적으로는, 기판 유지구(52a)는 셔틀 본체부(51)의 -X 측 쪽의 위치에, 기판 유지구(52b)는 셔틀 본체부(51)의 ＋X 측 쪽의 위치에 설치되어 있다. 기판 유지구(52a, 52b)는, 각각, Y축 방향으로 간격을 두고 설치된 한 쌍의 핸드(521)를 갖는다. 한 쌍의 핸드(521)는, 내측으로 패이는 원호형의 내면을 가지고 있고, 그 내면끼리가 Y축 방향으로 대향하는 방향으로 셔틀 본체부(51)에 장착되어 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 각 핸드(521)의 내면에는, 내방을 향하여 돌출하는 2개의 지지 클로(54)가 설치되어 있다. 기판 유지구(52a, 52b)는, 복수의 지지 클로(54)로 기판(W)을 하방으로부터 지지함으로써, 기판(W)을 대략 수평 자세로 지지한다. 또한, 핸드(521)에 복수의 지지 클로(54)를 설치하는 대신에, 기판(W)의 주연부를 따르는 형상의 플랜지부를 설치해도 된다.
셔틀 본체부(51)는, 기판 유지구(52a)를 연직 방향으로 승강시키는 승강 기구(55a) 및 기판 유지구(52b)를 연직 방향으로 승강시키는 승강 기구(55b)를 구비한다. 기판 유지구(52a, 52b)는, 승강 기구(55a, 55b)에 의해서 독립적으로 승강할 수 있다. 승강 기구(55a)는 각 기판 유지구(52a)의 한 쌍의 핸드(521)를 일체적으로 같은 높이로 승강시키고, 승강 기구(55b)는 기판 유지구(52b)의 한 쌍의 핸드(521)를 일체적으로 같은 높이로 승강시킨다. 기판 유지구(52a, 52b)가 상이한 높이에 배치됨으로써, 각 기판 유지구(52a, 52b)는 기판(W)을 셔틀 본체부(51)는 2개의 기판(W)을 동시에 반송할 수 있다.
셔틀 본체부(51)의 바닥면에는, 레일(501)을 슬라이딩 가능하게 이동시키는 것이 가능한 슬라이딩 블록(56)이 장착되어 있다. 셔틀 본체부(51)는, 직동 모터(53)에 의해서, 각 레일(501) 상을 슬라이딩 가능하게 안내되면서, 제1 수수 위치(L51) 및 제2 수수 위치(L52) 사이에서 왕복 이동된다.
제1 수수 위치(L51)는, 셔틀 반송 기구(50)에 있어서의 -X 측 쪽의 위치이다. 셔틀 본체부(51)가 제1 수수 위치(L51)에 있을 때, 제1 반송 로봇(60)과 셔틀 반송 기구(50) 사이에서 기판(W)의 수수가 행해진다. 구체적으로는, 핸드(61a)와 기판 유지구(52a) 사이, 핸드(61b)와 기판 유지구(52b) 사이에서 기판(W)의 수수가 행해진다. 이 때, 각 핸드(61a, 61b)가 기판 유지구(52a) 또는 기판 유지구(52b)에 대응하는 수평 위치까지 진출하고, 기판 유지구(52a, 52b)가 상승 또는 하강함으로써, 기판(W)의 수수가 행해진다.
제2 수수 위치(L52)는, 셔틀 반송 기구(50)에 있어서의 ＋X 측 쪽의 위치이다. 셔틀 본체부(51)가 제2 수수 위치(L52)에 있을 때, 제2 반송 로봇(70)과 셔틀 반송 기구(50) 사이에서 기판(W)의 수수가 행해진다. 구체적으로는, 핸드(61a)와 기판 유지구(52a) 사이, 핸드(61b)와 기판 유지구(52b) 사이에서 기판(W)의 수수가 행해진다. 이 때, 각 핸드(61a, 61b)가 기판 유지구(52a) 또는 기판 유지구(52b)에 대응하는 수평 위치까지 진출하고, 기판 유지구(52a, 52b)가 상승 또는 하강함으로써, 기판(W)의 수수가 행해진다.
셔틀 반송 기구(50)는, 에어 공급 헤드(57)를 구비하고 있다. 에어 공급 헤드(57)는, 제2 수수 위치(L52)에 있는 셔틀 본체부(51)보다 상방의 위치에 설치되어 있다. 에어 공급 헤드(57)는, 하면에 복수의 토출 구멍을 구비함과 더불어, 밸브(571)를 통해 에어 공급원(572)에 접속되어 있다. 밸브(571)가 개방됨으로써, 에어 공급 헤드(57)의 각 토출 구멍으로부터 하방을 향하여 에어가 분출된다. 이에 의해서, 셔틀 반송 기구(50)의 반송실(500)의 내부에 다운 플로우의 기류가 형성된다. 이와 같이, 반송실(500)의 내부에 다운 플로우가 형성됨으로써, 예를 들면, 유체 처리부(30)에 있어서 발생한 이물이, 셔틀 반송 기구(50)를 통과하여 가열 처리부(40) 측으로 이동하는 것을 저감할 수 있다. 또한, 에어 공급원(572)은, 예를 들면 기판(W)의 표면에 대해서 불활성인 불활성 가스인 질소 가스(N2)를 공급하는 공급원으로 해도 된다. 이에 의해, 질소 가스의 다운 플로우를 형성할 수 있다. 또, 에어 공급 헤드(57)로서, 기판(W)의 표면과 반응할 수 있는 처리용 가스(오존 가스 등)를 공급함으로써, 셔틀 반송 기구(50)에 있어서 기판(W)의 표면이 처리되어도 된다.
패스부(80)의 내부에는, 기판(W)을 수평 자세로 지지하는 스테이지(81)(기판 유지구)가 설치되어 있다. 스테이지(81)는, 그 상면에 세워 설치된 복수의 핀을 구비하고 있고, 그 각 핀의 상단으로 기판(W)을 하방으로부터 지지함으로써, 기판(W)을 수평 자세로 유지한다. 인덱서 로봇(12)의 핸드(14a, 14b) 및 제1 반송 로봇(60)의 핸드(61a, 61b)는, 각 핀의 사이에 진입하고, 상승함으로써 기판(W)을 각 핀으로부터 수취한다.
제1 반송 로봇(60)(제2 반송부)은, 패스부(80)(기판 수도부) 및 셔틀 반송 기구(50)(제1 반송부)에 대해서 동일한 높이로 기판(W)을 반송한다. 즉, 제1 반송 로봇(60)은, 패스부(80)로부터 기판(W)을 수취한 후, 당해 기판(W)을 상승 또는 하강시키지 않고, 셔틀 반송 기구(50)로 반송한다. 마찬가지로, 제1 반송 로봇(60)은, 셔틀 반송 기구(50)로부터 기판(W)을 수취한 후, 당해 기판(W)을 상승 또는 하강시키지 않고 패스부(80)로 반송한다. 이와 같이, 기판(W)을 연직 방향으로 이동시키지 않음으로써, 패스부(80)와 셔틀 반송 기구(50) 간에 있어서의 기판(W)의 반송 시간을 단축할 수 있다.
제어부(90)는, CPU(프로세서), ROM, RAM(메모리), 고정 디스크, 및 이들을 서로 접속하는 버스 라인을 구비하고 있다. 고정 디스크는, CPU가 실행 가능한 프로그램, 또는 각종 데이터를 기억하는 보조 기억 장치이다.
제어부(90)는, 예를 들면, 인덱서 로봇(12)이 구비하는 각 모터, 각 가열 처리실(42)의 셔터(43) 및 히터(45), 및 셔틀 반송 기구(50)의 직동 모터(53), 승강 기구(55a, 55b) 및 밸브(571)에 접속되어 있고, 이들의 동작을 프로그램에 따라서 제어한다. 또, 제어부(90)는, 예를 들면, 반송 로봇(60, 70)에 있어서의 선회 구동 기구(62), 승강 구동 기구(63), 진퇴 구동 기구(64)의 각 모터, 각 유체 처리부(30)의 셔터(33), 회전 모터(37), 및 각 유체 박스(32B)의 밸브류에 접속되어 있고, 이들의 동작을 프로그램에 따라서 제어한다.
제어부(90)에는, 화상을 표시하는 표시부, 및 키보드 또는 마우스 등을 포함한 조작부가 접속된다. 표시부는, 터치 패널로 구성되어 있어도 되고, 이 경우, 표시부는 조작부로서도 기능한다.
제어부(90)의 버스 라인에는, 판독 장치 및 통신부가 접속되어도 된다. 판독 장치는, 광 디스크, 자기 디스크, 광자기 디스크 등의 컴퓨터 판독이 가능한 비일과성의 기록 매체로부터 정보의 판독을 행한다. 통신부는, 제어부(90)와 다른 컴퓨터(서버 등) 사이에서 정보 통신을 가능하게 한다. 프로그램이 기록된 기록 매체를 판독 장치로 판독함으로써, 당해 프로그램이 제어부(90)에 제공된다. 또한, 프로그램은, 통신부를 통해 제어부(90)에 제공되어도 된다.
이상과 같이, 기판 처리 장치(1)에서는, 유체 처리부(30)에서 처리된 기판(W)은, 제2 반송 로봇(70), 셔틀 반송 기구(50) 및 제1 반송 로봇(60)에 의해서, 유체 처리부(30)보다 -X 측(인덱서부(ID) 측)의 가열 처리부(40)에 반송된다. 그리고, 가열 처리부(40)에 있어서 가열 처리가 완료된 기판(W)은, 제1 반송 로봇(60)에 의해서, 유체 처리부(30)와는 반대측의 인덱서부(ID) 측에 반송된다. 이와 같이, 가열 처리 후의 기판(W)을 유체 처리부(30)의 부근으로 통과시키지 않음으로써, 유체 처리부(30)에서 발생한 이물(처리액을 포함한다.)이 기판(W)에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해서, 가열 처리 후에 반송되는 기판(W)이 오염되는 것을 억제할 수 있다. 또, 본 예에서는, 셔틀 반송 기구(50)의 반송실(500)의 내부에 있어서, 다운 플로우가 형성되기 때문에, 가열 처리부(40)에 있어서 유체 처리부(30)에서 발생한 이물이 기판(W)에 부착되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
기판 처리 장치(1)에서는, 유체 처리부(30)와 가열 처리부(40) 사이에서, X축 방향으로 기판(W)을 반송하는 셔틀 반송 기구(50)가 설치되어 있다. 이 때문에, 유체 처리부(30)와 가열 처리부(40)를 X축 방향으로 이격시킬 수 있다. 이에 의해, 가열 처리부(40)에 있어서, 유체 처리부(30)에서 발생한 이물(처리액을 포함한다.)이 기판(W)에 부착되는 것을 억제할 수 있다. 또, 가열 처리부(40)를 유체 처리부(30)로부터 떨어뜨림으로써, 가열 처리부(40)가 갖는 열에 의해서, 유체 처리부(30)에 있어서의 분위기의 온도가 상승하는 것을 저감할 수 있다.
＜변형예＞
상기 실시형태에 따른 반송 로봇(60, 70)은, 다관절 아암으로 구성된 진퇴 구동 기구(64)를 구비함으로써, 핸드(61a, 61b)를 전후로 진퇴시키고 있다. 그러나, 반송 로봇은, 다관절 아암을 구비하는 것에 한정되지 않는다.
도 6은, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1A)의 전체 레이아웃을 나타내는 개략 평면도이다. 도 7은, 변형예에 따른 반송 로봇(60A)의 개략 측면도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(1A)는, 반송 로봇(60, 70) 대신에, 반송 로봇(60a, 70a)를 구비하고 있다. 반송 로봇(60a, 70a)는, 동일한 구성을 구비하고 있어, 이하, 반송 로봇(60a)의 구성에 대해 주로 설명한다.
반송 로봇(60a)은, 기대부(65a), 진퇴 구동 기구(64a), 선회 구동 기구(62a), 승강 구동 기구(63a)를 구비한다. 반송 로봇(60A)의 기대부(65a)는, 처리부(PU)에 고정되어 있고, 또한 X축 방향으로 늘어서는 가열 처리 타워(41)와 유체 처리 타워(31) 사이의 위치에 고정되어 있다. 또, 반송 로봇(60a)의 기대부(65a)는, 패스부(80)의 ＋X 측에 설치되어 있다. 또한, 반송 로봇(70a)의 기대부(65a)는, Y축 방향으로 늘어서는 2개의 유체 처리 타워(31, 31)의 사이의 위치에 고정되어 있다. 기대부(65a)의 상면에는, 연직 방향으로 연장되는 지주(651)가 세워 설치되어 있다.
진퇴 구동 기구(64a)는, 핸드(61a, 61b)를 수평 방향으로 이동시킨다. 진퇴 구동 기구(64a)는, 스테이지(641), 수평 방향으로 왕복 이동하는 수평 슬라이더(642), 수평 슬라이더(642)를 이동시키는 수평 모터(643)를 구비한다. 스테이지(641)의 상면에는 직선상으로 연장되는 레일(도시 생략)이 설치되어 있고, 수평 슬라이더(642)의 이동 방향이 당해 레일에 의해서 규제된다. 수평 슬라이더(642)의 이동은, 예를 들면 리니어 모터 기구 또는 볼 나사 기구 등의 주지의 기구로 실현된다. 수평 슬라이더(642)의 선단부에, 2개의 핸드(61a, 61b)가 설치되어 있다. 수평 모터(643)에 의해서 수평 슬라이더(642)가 레일을 따라서 이동함으로써, 핸드(61a, 61b)는 수평 방향으로 진퇴 이동할 수 있다. 바꾸어 말하면, 진퇴 구동 기구(64a)는, 핸드(61a, 61b)를 기대부(65a) 및 지주(651)에 대해서 수평 방향으로 이격 및 접근하는 방향으로 이동시킨다.
선회 구동 기구(62a)는, 스테이지(641)를 연직 방향을 따르는 회동축선(CA1) 둘레로 회동시키는 회동 모터를 구비하고 있다. 이 회동 모터의 구동에 의해서, 핸드(61a, 61b)는 회동축선(CA1) 둘레로, 지주(651)에 간섭하지 않는 범위에서 회동할 수 있다.
승강 구동 기구(63a)는, 연직 슬라이더(631), 연직 모터(632), 연결구(633)를 구비하고 있다. 연직 슬라이더(631)는, 지주(651)에 설치된 연직 방향으로 연장되는 레일(도시 생략)에 걸어맞추어져 있다. 연직 모터(632)는, 연직 슬라이더(631)를 당해 레일을 따라서 연직 방향으로 왕복 이동 시킨다. 연직 모터(632)는, 예를 들면, 기대부(65a)에 설치되어 있다. 연직 슬라이더(631)의 이동은, 예를 들면 리니어 모터 기구 또는 볼 나사 기구 등의 주지의 기구로 실현된다. 연결구(633)는, 연직 슬라이더(631) 및 스테이지(641)를 연결하고 있고, 스테이지(641)를 하방으로부터 지지하고 있다. 연직 모터(632)가 연직 슬라이더(631)를 이동시킴으로써, 스테이지(641)가 연직 방향으로 이동한다. 이에 의해서, 핸드(61a, 61b)가 연직 방향으로 승강 이동할 수 있다.
반송 로봇(60a)를 구비함으로써, 패스부(80)와 셔틀 반송 기구(50) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있음과 더불어, 연직 방향으로 쌓인 각 가열 처리실(42)에 대해서 기판(W)을 반송할 수 있다. 이와 마찬가지로, 반송 로봇(70a)을 구비함으로써, 연직 방향으로 쌓인 각 유체 처리실(32)에 대해서 기판(W)을 반송할 수 있다. 반송 로봇(60a, 70a)을 채용하는 기판 처리 장치(1A)는, 기판 처리 장치(1)와 대략 동일한 작용 효과를 발휘한다.
이 발명은 상세하게 설명되었지만, 상기의 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시이며, 이 발명이 그에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 이 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 상정될 수 있는 것으로 해석된다. 상기 각 실시형태 및 각 변형예에서 설명한 각 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적절히 조합하거나 생략할 수 있다.
1 기판 처리 장치
12 인덱서 로봇
30 유체 처리부(규정 처리부)
32 유체 처리실(규정 처리실)
39 노즐(처리 툴)
40 가열 처리부
42 가열 처리실
45 히터
50 셔틀 반송 기구
500 반송실
501 레일
51 셔틀 본체부
52a, 52b 기판 유지구(제1 기판 유지구)
53 직동 모터(제1 모터)
57 에어 공급 헤드
60 제1 반송 로봇
61a, 61b 핸드(제2 기판 유지구, 제3 기판 유지구)
62 선회 구동 기구
63 승강 구동 기구
70 제2 반송 로봇
80 패스부
81 스테이지
90 제어부
C 캐리어(수납실)
ID 인덱서부(기판 공급부)
W 기판

Claims (10)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 기판을 수용하여 기판에 대해서 액처리를 행하는 액처리실 및 상기 액처리실에 있어서 상기 기판에 대해서 노즐로부터 처리액을 공급하는 액처리부와,
    상기 기판을 수납하는 수납실로부터의 상기 기판을 상기 액처리부에 공급하는 기판 공급부와,
    상기 기판 공급부와 상기 액처리부 사이에 설치되고, 상기 기판을 수용하는 가열 처리실 및 상기 가열 처리실에서 상기 기판을 가열하는 히터를 갖는 가열 처리부와,
    상기 기판 공급부로부터 공급되는 상기 기판을, 순서대로, 상기 액처리부, 상기 가열 처리부, 상기 기판 공급부에 반송하는 반송부
    를 구비하고,
    상기 기판 공급부는, 상기 수납실과 상기 기판을 반출입하는 인덱서 로봇 및 당해 인덱서 로봇으로부터 상기 기판이 건네지는 기판 수도부(受渡部)를 포함하고,
    상기 반송부는,
    상기 기판 수도부로부터 상기 기판의 수수를 행하는 것과 더불어, 상기 기판을 상기 가열 처리부에 반출입하는 제1 반송 로봇과,
    상기 제1 반송 로봇과 상기 기판의 수수가 행해지는 제1 반송부와,
    상기 제1 반송부와의 사이에서 상기 기판의 수수가 행해지는 것과 더불어, 상기 액처리부에 상기 기판을 반출입하는 제2 반송 로봇을 포함하고,
    상기 제1 반송 로봇은, 상기 인덱서 로봇으로부터 수취한 상기 기판을 상기 제1 반송부를 통해 상기 제2 반송 로봇으로 건네고, 상기 제2 반송 로봇은 상기 제1 반송부를 통해 수취한 상기 기판을 상기 액처리부에 반입하고, 상기 액처리부에서 상기 액처리가 행해진 상기 기판을 상기 액처리부로부터 수취하여, 상기 제1 반송부를 통해 상기 제1 반송 로봇으로 건네고, 상기 제1 반송 로봇은 상기 제1 반송부를 통해 수취한 상기 기판을 상기 가열 처리부에 반입하고, 상기 가열 처리부에서 가열된 상기 기판을 수취하여 상기 기판 수도부에 건네고, 상기 인덱서 로봇은 상기 기판 수도부로부터 상기 기판을 수취하여 상기 수납실에 상기 기판을 반입하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 가열 처리부와 상기 액처리부가 제1 방향으로 이격되어 배치되어 있고,
    상기 제1 반송부는,
    상기 제1 반송 로봇과 상기 제2 반송 로봇 사이에 배치되고,
    상기 기판을 유지하는 기판 유지구, 및 상기 기판 유지구를 제1 방향으로 이동시키는 제1 모터를 갖고,
    상기 기판 유지구는, 제1 수수 위치에서 상기 제1 반송 로봇과 상기 기판의 수수를 행하는 것과 더불어 제2 수수 위치에서 상기 제2 반송 로봇과 상기 기판의 수수를 행하고,
    상기 제1 모터는, 상기 제1 수수 위치와 상기 제2 수수 위치 사이에서 상기 기판 유지구를 상기 제1 방향을 따라 이동시키는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 반송 로봇은, 상기 기판을 유지하는 핸드와, 상기 핸드를 연직 방향의 선회축선 둘레로 선회시키는 선회 모터를 더 갖는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 가열 처리부는, 연직 방향으로 겹치는 복수의 상기 가열 처리실을 포함하고,
    상기 액처리부는, 연직 방향으로 겹치는 복수의 상기 액처리실을 포함하고,
    상기 제1 반송 로봇 및 상기 제2 반송 로봇 각각은, 상기 기판을 유지하는 핸드와, 상기 핸드를 연직 방향으로 이동시키는 이동 모터를 갖는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 반송 로봇이 상기 가열 처리부에 있어서의 가장 높은 상기 가열 처리실에 상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 연직 위치, 및 상기 제2 반송 로봇이 상기 액처리부에 있어서의 가장 높은 상기 액처리실에 상기 기판을 반송할 때의 상기 기판의 연직 위치가 동일한, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 반송 로봇은, 상기 기판 수도부 및 상기 제1 반송부에 대해서 동일한 높이에서 상기 기판을 반송하는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 유지구보다 상방의 위치로부터 하방을 향하여 에어를 공급하는 에어 공급부를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023140751A (ja) * 2022-03-23 2023-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス レンズ検査装置
US20240213078A1 (en) * 2022-12-22 2024-06-27 Applied Materials, Inc. Substrate supports and transfer apparatus for substrate deformation

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003179025A (ja) 2001-09-27 2003-06-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010225935A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016219471A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 液充填方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3330300B2 (ja) 1997-02-28 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
WO2003021642A2 (en) * 2001-08-31 2003-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
JP2008172160A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2011071169A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP6407609B2 (ja) * 2014-08-01 2018-10-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6376960B2 (ja) 2014-11-28 2018-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6706935B2 (ja) 2016-03-09 2020-06-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003179025A (ja) 2001-09-27 2003-06-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010225935A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016219471A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 液充填方法

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Publication number Publication date
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