CN113228239A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113228239A
CN113228239A CN201980086960.5A CN201980086960A CN113228239A CN 113228239 A CN113228239 A CN 113228239A CN 201980086960 A CN201980086960 A CN 201980086960A CN 113228239 A CN113228239 A CN 113228239A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
unit
processing
conveying
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201980086960.5A
Other languages
English (en)
Inventor
菊本宪幸
桥本光治
天久贤治
冨田毅
高山祐一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN113228239A publication Critical patent/CN113228239A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J9/00—Programme-controlled manipulators
    • B25J9/0084—Programme-controlled manipulators comprising a plurality of manipulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种减轻加热处理后搬送的基板的污染的技术。基板处理装置(1)具有分度部(ID)及处理部(PU)。处理部(PU)具有流体处理部(30)、加热处理部(40)、梭式搬送机构(50)、第一搬送机器人(60)以及第二搬送机器人(70)。分度部(ID)将收纳于载体(C)的基板(W)供给至处理部(PU)。加热处理部(40)设置于分度部(ID)与流体处理部(30)之间。从分度部(ID)供给的基板(W)被梭式搬送机构(50)、第一搬送机器人(60)及第二搬送机器人(70)依次搬送至分度部(ID)、流体处理部(30)、加热处理部(40)、分度部(ID)。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种对基板进行包含加热处理的各处理的基板处理装置。成为处理对象的基板例如包括半导体基板、液晶显示设备及有机EL(Electroluminescence)显示设备等FPD(Flat Panel Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板、印刷基板等。
背景技术
在基板的制造步骤中，有时在基板处理装置中，在对基板进行预定处理后，对该基板进行加热处理。例如，在专利文献1中，搬送机构将从匣盒台(cassette station)供给来的半导体晶圆依次搬送至表面清洗单元、背面清洗单元、加热单元、冷却单元，之后再次搬送至匣盒台。通过对进行了清洗的半导体晶圆进行加热处理，将半导体晶圆干燥。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平10-242109号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在专利文献1中，匣盒台、表面清洗单元、背面清洗单元以及加热单元依该顺序配置。即，加热单元设置于各清洗单元的与匣盒台相反的侧。因此，从加热单元取出的半导体晶圆在各清洗单元的旁边通过而返回至匣盒台。因此，有可能因在各清洗单元产生的异物(包括清洗液)附着于加热处理后的半导体晶圆而使半导体晶圆被污染。
因此，本发明的目的在于提供一种减轻加热处理后搬送的基板的污染的技术。
用于解决课题的技术方案
为解决上述课题，方案1为一种基板处理装置，其对基板进行处理，其中，具备：规定处理部，其具有容纳上述基板的规定处理室及在上述规定处理室内对上述基板进行规定处理的处理工具；基板供给部，其将来自收纳上述基板的收纳室的上述基板供给至上述规定处理部；加热处理部，其设置于上述基板供给部与上述规定处理部之间，且具有容纳上述基板的加热处理室及在上述加热处理室对上述基板进行加热的加热器；以及搬送部，其将从上述基板供给部供给的上述基板依次搬送至上述规定处理部、上述加热处理部、上述基板供给部。
方案2根据方案1记载的基板处理装置，其中，上述处理工具包括向上述基板供给流体的喷嘴。
方案3根据方案2记载的基板处理装置，其中，上述流体包括处理液。
方案4根据方案1至3中任一项记载的基板处理装置，其中，上述加热处理部和上述规定处理部在第一方向上分离配置，上述搬送部包括第一搬送部，该第一搬送部配置于上述加热处理室与上述规定处理室之间，上述第一搬送部具有保持上述基板的第一基板保持件、及使上述第一基板保持件在第一方向上移动的第一马达。
方案5根据方案4记载的基板处理装置，其中，上述搬送部包括：第二搬送部，其具有保持上述基板的第二基板保持件，且在上述基板供给部、上述加热处理部与上述第一搬送部之间搬送上述基板；以及第三搬送部，其具有保持上述基板的第三基板保持件，且在上述第一搬送部与上述规定处理部之间搬送上述基板。
方案6根据方案5记载的基板处理装置，其中，上述第二搬送部还具有回转马达，该回转马达使上述第二基板保持件绕铅垂方向的回转轴线回转。
方案7根据方案5或6记载的基板处理装置，其中，上述加热处理部包括在铅垂方向上重叠的多个上述加热处理室，上述规定处理部包括在铅垂方向上重叠的多个上述规定处理室，上述第二搬送部及上述第三搬送部的每一个具有使上述第二基板保持件及上述第三基板保持件的每一个在铅垂方向上移动的移动马达。
方案8根据方案7记载的基板处理装置，其中，上述第二搬送部向上述加热处理部中的最高的上述加热处理室搬送上述基板时的上述基板的铅垂位置和上述第三搬送部向上述规定处理部中的最高的上述规定处理室搬送上述基板时的上述基板的铅垂位置相同。
方案9根据方案5至8中任一项记载的基板处理装置，其中，上述基板供给部包括基板交接部，该基板交接部设置于比上述收纳室接近上述规定处理部的位置，且保持上述基板，上述第二搬送部以相对于上述基板交接部及上述第一搬送部相同的高度搬送上述基板。
方案10根据方案4至9中任一项记载的基板处理装置，其中，还具备空气供给部，该空气供给部从比上述第一基板保持件靠上方的位置朝向下方供给空气。
发明效果
根据方案1的基板处理装置，在加热处理部完成了加热处理的基板被朝向与规定处理部相反的侧的基板供给部搬送。因此，在加热处理部进行了加热处理的基板不通过规定处理部的附近而被搬送至基板供给部。因此，能够减轻在规定处理部及其周边所产生的异物附着于从加热处理部搬出的基板的情况，因此，能够减轻加热处理后搬送的基板的污染。
根据方案2的基板处理装置，通过从喷嘴向基板供给流体，能够对基板进行处理。
根据方案3的基板处理装置，通过从喷嘴向基板供给处理液，能够对基板进行处理。
根据方案4的基板处理装置，通过具备移动搬送部，能够将加热处理部和规定处理部在第一方向上分离。因此，能够减轻在规定处理部及其周边所产生的异物附着于从加热处理部搬出的基板的情况。另外，能够降低加热处理部的热对规定处理部造成影响。
根据方案5的基板处理装置，能够进行基板供给部、加热处理部与第一搬送部间的基板的搬送、以及第一搬送部与加热处理部间的基板的搬送。
根据方案6的基板处理装置，通过使第二基板保持件绕铅垂方向的回转轴线回转，能够变更基板的水平位置。因此，通过将基板供给部、第一搬送部以及加热处理部配置于第二基板搬送部的周围，能够在它们之间搬送基板。
根据方案7的基板处理装置，各加热处理室及各规定处理室在铅垂方向上重叠，因此，能够减小加热处理部及规定处理部的占有面积，并且能够同时处理多个基板。另外，第二及第三搬送部各自的第二及第三基板保持件能够在铅垂方向上移动。因此，第二及第三搬送部能够相对于在铅垂方向上堆积的各加热处理室及各规定处理室搬送基板。
根据方案8的基板处理装置，第二及第三搬送部在相同的铅垂位置向最上的加热处理室及规定处理室的每一个搬送基板，因此，使第二及第三搬送部的第二及第三基板保持件升降的机构能够采用共通的结构。
根据方案9的基板处理装置，能够在基板交接部与第一搬送部之间使基板在铅垂方向上不移动地进行水平移动来搬送基板，因此能够顺滑地搬送基板。
根据方案10的基板处理装置，在第一搬送部，从比基板靠上方向下方形成空气的气流。通过该气流的作用，能够降低从规定处理部侧向加热处理部侧的异物移动。
附图说明
图1是表示实施方式的基板处理装置1的整体布局的概略俯视图。
图2是表示实施方式的基板处理装置1的概略侧视图。
图3是表示实施方式的流体处理室32的概略侧视图。
图4是表示实施方式的加热处理室42的概略侧视图。
图5是表示实施方式的梭式搬送机构50的概略侧视图。
图6是表示变形例的基板处理装置1A的整体布局的概略俯视图。
图7是变形例的搬送机器人60A的概略侧视图。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行说明。此外，该实施方式中所记载的构成要素仅为示例，并非旨在将本发明的范围仅限定于此。附图中，为了容易理解，有时根据需要将各部的尺寸、数量夸张或简化地图示。
在附图中，有时标注表示右手系XYZ正交坐标系的各方向的箭头。此处，将X轴方向及Y轴方向设为水平方向，将Z轴方向设为铅垂方向。将各箭头的前端朝向的一方设为+(正)方向，将其相反方向设为-(负)方向。
表示相对或绝对的位置关系的表述(例如“在一方向上”、“沿一方向”、“平行”、“正交”、“中心”、“同心”、“同轴”等)只要未特别说明，则不仅严格地表示其位置关系，也表示在公差或可获得相同程度的功能的范围内相对地在角度或距离上发生了位移的状态。表示处于相等的状态的表述(例如“相同”、“相等”、“均质”等)只要未特别说明，则不仅表示定量地严格相等的状态，也表示存在公差或可获得相同程度的功能的差的状态。表示形状的表述(例如“四边形状”或“圆筒形状”等)只要未特别说明，则不仅在几何学上严格地表示该形状，也表示在可获得相同程度的效果的范围内具有例如凹凸、倒角等的形状。“具备”、“包括”、“配备”、“包含”或“具有”一构成要素的表述并非排除其他构成要素的存在的排他性表现。就“～之上”而言，只要未特别说明，则除了两个要素相接的情况，还包括两个要素分离的情况。
＜1.实施方式＞
图1是表示实施方式的基板处理装置1的整体布局的概略俯视图。图2是表示实施方式的基板处理装置1的概略侧视图。基板处理装置1是逐张处理半导体的基板W的单片式的处理装置，在此，对圆形的硅基板W进行规定处理及加热处理，该规定处理进行能够执行加热处理以外的处理的规定处理。本例中，规定处理是流体处理。流体处理是指将液体或气体供给至基板W，对基板W的表面进行处理。
基板处理装置1是将分度部ID及处理部PU在作为水平方向的X方向上连结而构成。本例中，分度部ID配置于-X侧，处理部PU配置于+X侧。处理部PU包括配置于+X侧的加热处理部40及配置于-X侧的流体处理部30。加热处理部40及流体处理部30在X轴方向上分离配置。
基板处理装置1具备梭式搬送机构50(第一搬送部)。梭式搬送机构50设置于处理部PU，在此，设置于比加热处理部40靠+X侧(流体处理部30侧)且比流体处理部30靠-X侧(加热处理部40侧)。
基板处理装置1具备控制部90，该控制部90控制设置于基板处理装置1的要素的动作，实现基板W的处理。
分度部ID包括载置多个载体C(收纳室)的载置台11、相对于各载体C搬送基板W的分度机器人12以及通道部80。
在载置台11，沿着作为水平方向的Y轴方向以对齐状态载置有多个(在此为四个)载体C。相对于载置台11，通过AGV(automated guided vehicle)等无人搬送机构进行载体C的搬入及搬出。载体C是收纳多张基板W的收纳室的一例。作为载体C，也可以采用将多张基板W以预定间隔的层叠状态收纳于密闭空间的FOUP(front opening unified pod)。此外，作为载体C，除了FOUP，也可以采用SMIF(Standard Mechanical Inter Face)晶圆盒、将所收纳的基板W暴露于外部大气的OC(open cassette)。载置于载置台11的载体C的数量并不限定于四个，也可以为一～三个或五个以上。
分度机器人12将未处理的基板W从各载体C搬出并递交至处理部PU，并且从处理部PU接收处理完成的处理完毕的基板W并搬入至各载体C。分度机器人12在沿着Y轴方向形成的搬送路径10移行，并且在各载体C与通道部80之间搬送基板W。
分度机器人12是能够独立驱动两个臂13a、13b的所谓的双臂型的搬送机器人。在各臂13a、13b的前端分别结合有在铅垂方向上错位的机器手14a及机器手14b。机器手14b设置于机器手14a的-Z侧。机器手14a及机器手14b分别将一张基板W以水平姿势保持。
分度机器人12具备包括马达的进退驱动机构15，该马达通过独立地驱动臂13a、13b使机器手14a及机器手14b个别地沿水平方向进退移动。另外，分度机器人12具备回转驱动机构、升降驱动机构以及滑动驱动机构(均省略图示)，该回转驱动机构包括使臂13a、13b绕与Z轴方向平行的铅垂轴线回转的回转马达，该升降驱动机构包括使臂13a、13b在铅垂方向上升降的升降马达，该滑动驱动机构包括使分度机器人12整体沿搬送路径10水平移动的移动马达。分度机器人12利用各马达的作用使机器手14a及机器手14b个别地进入载置台11的各载体C的内部，由此进行未处理的基板W的取出及处理完毕的基板W的储存。另外，分度机器人12使机器手14a及机器手14b个别地进入通道部80的内部，由此进行未处理的基板W的交付及处理完毕的基板W的接收。
通道部80设置于比分度部ID靠+X侧(即，接近包括流体处理部30的处理部PU的侧)。本例中，通道部80设置于分度机器人12与第一搬送机器人60之间。如后述地，从分度机器人12递交至通道部80的未处理的基板W由第一搬送机器人60搬送至流体处理部30。分度部ID及通道部80是将收纳于载体C的基板W供给至流体处理部30的基板供给部的一例。
处理部PU除了梭式搬送机构50，还具备第一搬送机器人60及第二搬送机器人70。
第一搬送机器人60配置于通道部80与梭式搬送机构50之间。第一搬送机器人60设置于配置在+Y侧及-Y侧的加热处理塔41之间。加热处理塔41由在铅垂方向上堆叠的多个(本例中为五个)加热处理室42构成。另外，本例中，通道部80设置于两个加热处理塔41之间。通过将多个加热处理室42堆叠形成加热处理塔41，能够减小加热处理部40的专有面积，并且能够通过加热处理多个基板W。
第二搬送机器人70在流体处理部30的水平方向中央部设置于中央。在此，设置于流体处理部30具备的四个流体处理塔31的中央。流体处理塔31由在铅垂方向上堆叠的多个(本例中为三个)流体处理室32构成。四个流体处理塔31中的两个在流体处理部30的+Y侧沿X轴方向排列，其余两个在流体处理部30的-Y侧沿X轴方向排列。通过将多个流体处理室32堆叠形成流体处理塔31，能够减小流体处理部30的专有面积，并且能够同时加热处理多个基板W。
第二搬送机器人70具备与第一搬送机器人60相同的结构，因此在此对第一搬送机器人60的结构进行说明。但是，第二搬送机器人70并非必须具备与第一搬送机器人60相同的结构。
第一搬送机器人60具备在铅垂方向上错位配置的两个机器手61a、61b。第一搬送机器人60具备回转驱动机构62及升降驱动机构63，该回转驱动机构62包括使机器手61a、61b绕沿着铅垂方向的回转轴线回转的回转马达，该升降驱动机构63包括使机器手61a及机器手61b在铅垂方向上升降的升降马达。而且，第一搬送机器人60具备进退驱动机构64，该进退驱动机构64包括使机器手61a、61b沿着与上述回转轴线正交的回转半径方向(与回转轴线正交的水平方向)独立地进退移动的马达。进退驱动机构64例如由多关节臂构成，马达使关节屈曲，由此使前端的机器手61a、61b在水平方向上进退。此外，进退驱动机构64也可以具备滚珠丝杠、线性马达或缸筒等直线驱动机构。
第一搬送机器人60通过各驱动机构使各机器手61a、61b个别地进入通道部80、各加热处理室42以及梭式搬送机构50，进行基板W的搬送。例如，第一搬送机器人60进入通道部80并从通道部80接收未处理的基板W，然后回转180度将基板W递交至梭式搬送机构50(详细而言为第一授受位置L51)的梭主体部51。另外，第一搬送机器人60从梭式搬送机构50(详细而言为第一授受位置L51)的梭主体部51接收流体处理完毕的基板W，然后将基板W搬入空的加热处理室42。另外，第一搬送机器人60从加热处理完成的加热处理室42取出基板W，然后回转预定的角度正对通道部80，将基板W递交至通道部80。
第二搬送机器人70通过各驱动机构使各机器手61a、61b个别地进入梭式搬送机构50及各流体处理室32，进行基板W的搬送。例如，第二搬送机器人70从梭式搬送机构50(详细而言为第二授受位置L52)的梭主体部51接收未处理的基板W，然后将基板W搬入空的流体处理室32。另外，第二搬送机器人70从流体处理完成的流体处理室32接收基板W，然后将该基板W递交至梭式搬送机构50(详细而言为第二授受位置L52)的梭主体部51。
搬送机器人60、70通过使各自的机器手61a、61b在铅垂方向上升降，能够针对在铅垂方向上堆积的多个加热处理室42或多个流体处理室32中的一个搬送基板W。
在基板处理装置1中，梭式搬送机构50、搬送机器人60、70将从基板供给部(分度部ID及通道部80)供给来的基板W依次搬送至流体处理部30、加热处理部40，之后再次返回基板供给部。梭式搬送机构50、搬送机器人60、70是搬送部的一例。
如图2所示，流体处理部30中位于最高位置的流体处理室32的挡板33与加热处理部40中位于最高位置的加热处理室42的挡板43位于相同的高度(铅垂位置)。因此，第一搬送机器人60将基板W搬送至最上的加热处理室42时的基板W的铅垂位置与第二搬送机器人70将基板W搬送至最上的流体处理室32时的基板W的铅垂位置相同。这样，搬送机器人60、70在相同的铅垂位置向加热处理室42及流体处理室32的每一个搬送基板W，因此能够采用共通的升降驱动机构63以使各自的机器手61a、61b(第二及第三基板保持件)升降。这样，关于搬送机器人60、70实现结构的共通化，由此能够降低基板处理装置1的制造成本。
搬送机器人60、70的基台部65相对于处理部PU固定，在处理部PU内不能沿着水平方向移动。但是，搬送机器人60、70也可以通过具备包括移动马达的水平移动机构而在水平方向上移动。
图3是表示实施方式的流体处理室32的概略侧视图。在流体处理室32中，对基板W进行使用了处理液的表面处理。“处理液”是对基板W的表面进行处理的液体的统称，包括药液及冲洗液双方。药液例如包括氢氟酸、氨过氧化氢水(SC-1)、盐酸过氧化氢水(SC-2)、硫酸过氧化氢水(SPM)等。在流体处理室32进行的流体处理也可以为使用氢氟酸去除形成于基板W的表面的多余的膜的蚀刻处理、利用SC-1从基板W的表面去除颗粒的处理、利用SC-2除去基板W的金属污染的处理、或者利用SPM去除基板W的表面的抗蚀剂的处理。另外，在流体处理室32进行的处理也可以为利用作为冲洗液的纯水清洗基板W的表面的处理。
在流体处理室32的侧壁面的一部分设置有用于相对于流体处理室32搬入/搬出基板W的开口部，该开口部由挡板33开闭。挡板33通过未图示的马达进行开闭。在挡板33打开时，第二搬送机器人70经由开口部将基板W搬入流体处理室32，并且从流体处理室32搬出基板W。在挡板33关闭时，流体处理室32的内部实质上为密闭空间，可抑制流体处理室32的内部的气体介质泄漏至外侧(配置有第二搬送机器人70的空间侧)。
在流体处理室32的内部设置有旋转保持部34，该旋转保持部34将基板W以水平姿势保持，并且使基板W绕沿着通过该旋转保持部34的中心的铅垂方向的中心轴旋转。旋转保持部34具备旋转卡盘35、旋转轴36以及旋转马达37。旋转卡盘35是通过利用卡盘销把持基板W的端缘部而不接触基板W的下表面中央部地将基板W以大致水平姿势保持的基板保持件。旋转轴36垂直设置于旋转卡盘35的下表面侧中心部。旋转马达37经由旋转轴36使旋转卡盘35在水平面内旋转。保持于旋转卡盘35的基板W与旋转卡盘35及旋转轴36一起在水平面内绕沿着铅垂方向的中心轴线旋转。
在流体处理室32的内部设置有包围旋转保持部34的旋转卡盘35的处理杯38。由于基板W旋转而从基板W的上表面向外方甩出的处理液被处理杯38的内表面接住，并适当地从排出端口排出至流体处理室32外。处理杯38通过未图示的包含升降马达的升降机构在铅垂方向上升降。
在流体处理室32的内部设置有喷嘴39。喷嘴39从设于流体处理室32的流体箱32B被供给处理液。喷嘴39从设置于下方的喷出口朝向基板W喷出处理液。由此，向基板W的上表面供给处理液。在流体箱32B容纳有用于向喷嘴39供给处理液的配管或安装于配管的阀等多个流体设备。喷嘴39是对基板W进行处理的处理工具的一例。
此外，也可以设置向保持于旋转卡盘35的基板W的背面供给处理液的喷嘴。在该情况下，也可以例如将旋转轴36设为中空，在该空间内设置处理液的流路和连接于该流路并在旋转卡盘35的中心部向上侧开口的喷嘴。通过从该喷嘴喷出处理液，能够向基板W的背面侧的中心部供给处理液。
喷嘴39安装于未图示的喷嘴臂。喷嘴臂连接于马达，通过马达的动作能够在水平方向上移动。喷嘴39通过该喷嘴臂的水平移动能够在保持于旋转卡盘35的基板W的上方的位置和从该基板W的上方离开的位置之间移动。
本例中，在流体处理室32利用处理液对基板W进行液体处理。然而，并非必须在流体处理室32进行液体处理。例如，也可以在流体处理室32进行使基板W的表面暴露于预定的处理气体的干式处理。
图4是表示实施方式的加热处理室42的概略侧视图。在加热处理室42的侧壁面的一部分设置有用于相对于加热处理室42搬入/搬出基板W的开口部，该开口部通过挡板43开闭。挡板43通过未图示的马达进行开闭。在挡板43打开时，第一搬送机器人60经由开口部将基板W搬入至加热处理室42，并且从加热处理室42搬出基板W。在挡板43关闭时，加热处理室42的内部实质上为密闭空间，可抑制加热处理室42的内部的气体介质泄漏至外侧(配置有第一搬送机器人60的空间侧)。
加热处理室42在内部容纳基板W，并对该基板W进行加热。在加热处理室42的内部设置有以水平姿势支撑基板W的载物台44。载物台44是基板保持件的一例。在载物台44的内部设置有加热器45。加热器45包括电阻线及对该电阻线施加电压的电源等。在此，在载物台44的内部设置有电阻线，通过对该电阻线施加电压，向载物台44的上表面放射辐射热。通过该辐射热，支撑于载物台44的基板W被加热。此外，在加热处理室42中，对基板W进行加热的机构并不限定于图示的例。例如，也可以在加热处理室42的内部设置喷出被热源进行了加热的热风的暖风机，通过该热风直接或间接地加热基板W。
图5是表示实施方式的梭式搬送机构50的概略侧视图。梭式搬送机构50具有在X轴方向上延伸并且在Y轴方向上隔开间隔配置的两个轨道501、连结于各轨道501的梭主体部51、以及使梭主体部51在各轨道501上往复移动的直线马达53(第一马达)。
在梭主体部51的上表面设置有两个基板保持件52a、52b。基板保持件52a、52b设置于在X轴方向上错开的位置。具体而言，基板保持件52a设置于梭主体部51的靠-X侧的位置，基板保持件52b设置于梭主体部51的靠+X侧的位置。基板保持件52a、52b分别具有在Y轴方向上隔开间隔设置的一对机器手521。一对机器手521具有向内侧凹陷的圆弧状的内面，且以该内面彼此在Y轴方向上对置的朝向安装于梭主体部51。如图1所示，在各机器手521的内面设置有朝内方突出的两个支撑爪54。基板保持件52a、52b通过利用多个支撑爪54从下方支撑基板W，将基板W以大致水平姿势支撑。此外，也可以在机器手521设置沿着基板W的周缘部的形状的凸缘部来代替设置多个支撑爪54。
梭主体部51具备使基板保持件52a在铅垂方向上升降的升降机构55a及使基板保持件52b在铅垂方向上升降的升降机构55b。基板保持件52a、52b能够通过升降机构55a、55b独立地升降。升降机构55a使基板保持件52a的一对机器手521一体地以相同的高度升降，升降机构55b使基板保持件52b的一对机器手521一体地以相同的高度升降。通过将基板保持件52a、52b配置于不同的高度，各基板保持件52a、52b能够搬送基板W，梭主体部51能够同时搬送两个基板W。
在梭主体部51的底面安装有能够在轨道501滑动自如地移动的滑动块56。梭主体部51通过直线马达53一边在各轨道501上滑动自如地被引导，一边在第一授受位置L51与第二授受位置L52之间往复移动。
第一授受位置L51是梭式搬送机构50中的靠-X侧的位置。在梭主体部51位于第一授受位置L51时，在第一搬送机器人60与梭式搬送机构50之间进行基板W的授受。具体而言，在机器手61a与基板保持件52a之间、机器手61b与基板保持件52b之间进行基板W的授受。此时，各机器手61a、61b进出至与基板保持件52a或基板保持件52b对应的水平位置，通过基板保持件52a、52b上升或下降，进行基板W的授受。
第二授受位置L52是梭式搬送机构50中的靠+X侧的位置。在梭主体部51位于第二授受位置L52时，在第二搬送机器人70与梭式搬送机构50之间进行基板W的授受。具体而言，在机器手61a与基板保持件52a之间、机器手61b与基板保持件52b之间进行基板W的授受。此时，各机器手61a、61b进出至与基板保持件52a或基板保持件52b对应的水平位置，通过基板保持件52a、52b上升或下降，进行基板W的授受。
梭式搬送机构50具备空气供给头57。空气供给头57设置于比位于第二授受位置L52的梭主体部51靠上方的位置。空气供给头57在下表面具备多个喷出孔，并且经由阀571连接于空气供给源572。通过将阀571开放，从空气供给头57的各喷出孔朝向下方喷出空气。由此，在梭式搬送机构50的搬送室500的内部形成下降流的气流。通过这样在搬送室500的内部形成下降流，例如能够减少在流体处理部30所产生的异物穿过梭式搬送机构50向加热处理部40侧移动。此外，空气供给源572也可以为例如供给相对于基板W的表面呈惰性的作为惰性气体的氮气(N2)的供给源。由此，能够形成氮气的下降流。另外，也可以通过空气供给头57供给可与基板W的表面发生反应的处理用气体(臭氧气体等)，在梭式搬送机构50对基板W的表面进行处理。
在通道部80的内部设置有将基板W以水平姿势支撑的载物台81(基板保持件)。载物台81具备竖立设置于其上表面的多个销，通过利用该各销的上端从下方支撑基板W，将基板W以水平姿势保持。分度机器人12的机器手14a、14b及第一搬送机器人60的机器手61a、61b进入各销之间并上升，由此从各销接收基板W。
第一搬送机器人60(第二搬送部)以相对于通道部80(基板交接部)及梭式搬送机构50(第一搬送部)相同的高度搬送基板W。即，第一搬送机器人60从通道部80接收基板W之后，将该基板W不上升或下降地向梭式搬送机构50搬送。同样地，第一搬送机器人60从梭式搬送机构50接收基板W之后，将该基板W不上升或下降地向通道部80搬送。这样，使基板W在铅垂方向上不移动，由此能够缩短通道部80与梭式搬送机构50之间的基板W的搬送时间。
控制部90具备CPU(处理器)、ROM、RAM(存储器)、固定磁盘以及将它们互相连接的总线。固定磁盘是存储CPU能够执行的程序或各种数据的辅助存储装置。
控制部90例如连接于分度机器人12具备的各马达、各加热处理室42的挡板43及加热器45、以及梭式搬送机构50的直线马达53、升降机构55a、55b及阀571，并根据程序控制它们的动作。另外，控制部90例如连接于搬送机器人60、70中的回转驱动机构62、升降驱动机构63、进退驱动机构64的各马达、各流体处理部30的挡板33、旋转马达37、以及各流体箱32B的阀类，并根据程序控制它们的动作。
在控制部90连接有显示图像的显示部以及包括键盘或鼠标等的操作部。显示部也可以由触控面板构成，该情况时，显示部还作为操作部发挥功能。
在控制部90的总线也可以连接有读取装置及通信部。读取装置从光盘、磁盘、磁光盘等计算机可读取的非暂时性的存储媒体进行信息的读取。通信部能够在控制部90与其他计算机(服务器等)之间进行信息通信。通过利用读取装置读取存储有程序的存储媒体，该程序被提供至控制部90。此外，程序也可以经由通信部提供至控制部90。
如上所述，在基板处理装置1中，在流体处理部30进行了处理的基板W被第二搬送机器人70、梭式搬送机构50以及第一搬送机器人60搬送至比流体处理部30靠-X侧(分度部ID侧)的加热处理部40。然后，在加热处理部40完成了加热处理的基板W被第一搬送机器人60搬送至与流体处理部30相反的侧的分度部ID侧。这样，加热处理后的基板W不通过流体处理部30的附近，由此能够抑制在流体处理部30所产生的异物(包括处理液)附着于基板W。由此，能够抑制加热处理后搬送的基板W被污染。另外，本例中，在梭式搬送机构50的搬送室500的内部形成下降流，因此能够有效地抑制在加热处理部40中在流体处理部30所产生的异物附着于板W。
在基板处理装置1中，在流体处理部30与加热处理部40之间设置有在X轴方向上搬送基板W的梭式搬送机构50。因此，能够使流体处理部30和加热处理部40在X轴方向上分离。由此，在加热处理部40能够抑制在流体处理部30所产生的异物(包含处理液)附着于基板W。另外，通过将加热处理部40从流体处理部30分离，能够降低流体处理部30中的气体介质的温度因加热处理部40具有的热而上升的情况。
＜变形例＞
上述实施方式的搬送机器人60、70通过具备由多关节臂构成的进退驱动机构64使机器手61a、61b前后进退。然而，搬送机器人并不限定于具备多关节臂。
图6是表示变形例的基板处理装置1A的整体布局的概略俯视图。图7是变形例的搬送机器人60A的概略侧视图。如图6所示，基板处理装置1A代替搬送机器人60、70而具备搬送机器人60a、70a。搬送机器人60a、70a具备相同的结构，以下主要对搬送机器人60a的结构进行说明。
搬送机器人60a具备基台部65a、进退驱动机构64a、回转驱动机构62a、升降驱动机构63a。搬送机器人60a的基台部65a固定于处理部PU，且固定于沿X轴方向排列的加热处理塔41和流体处理塔31之间的位置。另外，搬送机器人60a的基台部65a设置于通道部80的+X侧。此外，搬送机器人70a的基台部65a固定于沿Y轴方向排列的两个流体处理塔31、31之间的位置。在基台部65a的上表面竖立设置有沿铅垂方向延伸的支柱651。
进退驱动机构64a使机器手61a、61b在水平方向上移动。进退驱动机构64a具备载物台641、在水平方向上往复移动的水平滑块642、以及使水平滑块642移动的水平马达643。在载物台641的上表面设置有以直线状延伸的轨道(未图示)，水平滑块642的移动方向被该轨道限制。水平滑块642的移动例如通过线性马达机构或滚珠丝杠机构等众所周知的机构实现。在水平滑块642的前端部设置有两个机器手61a、61b。利用水平马达643使水平滑块642沿轨道移动，从而机器手61a、61b能够在水平方向上进退移动。换言之，进退驱动机构64a使机器手61a、61b在相对于基台部65a及支柱651沿水平方向分离及接近的方向上移动。
回转驱动机构62a具备使载物台641绕沿着铅垂方向的转动轴线CA1转动的转动马达。通过该转动马达的驱动，机器手61a、61b能够绕转动轴线CA1在与支柱651不干涉的范围内转动。
升降驱动机构63a具备铅垂滑块631、铅垂马达632、连结件633。铅垂滑块631卡合于设置在支柱651且沿铅垂方向延伸的轨道(未图示)。铅垂马达632使铅垂滑块631沿着该轨道在铅垂方向上往复移动。铅垂马达632例如设置于基台部65a。铅垂滑块631的移动由例如通过线性马达机构或滚珠丝杠机构等众所周知的机构实现。连结件633将铅垂滑块631及载物台641连结，从下方支撑载物台641。通过铅垂马达632使铅垂滑块631移动，载物台641在铅垂方向上移动。由此，机器手61a、61b能够在铅垂方向上升降移动。
通过具备搬送机器人60a，能够在通道部80与梭式搬送机构50之间搬送基板W，并且能够相对于在铅垂方向上堆积的各加热处理室42搬送基板W。与此同样地，通过具备搬送机器人70a，能够相对于在铅垂方向上堆积的各流体处理室32搬送基板W。采用搬送机器人60a、70a的基板处理装置1A起到与基板处理装置1大致相同的作用效果。
对本发明详细地进行了说明，但上述的说明在所有方面为示例，本发明并不限定于此。应当理解的是，在不脱离本发明的范围的情况下可以想到未示例的无数变形例。上述各实施方式及各变形例中所说明的各结构只要不相互矛盾就能够适当组合、省略。
符号说明
1—基板处理装置，12—分度机器人，30—流体处理部(规定处理部)，32—流体处理室(规定处理室)，39—喷嘴(处理工具)，40—加热处理部，42—加热处理室，45—加热器，50—梭式搬送机构，500—搬送室，501—轨道，51—梭主体部，52a、52b—基板保持件(第一基板保持件)，53—直线马达(第一马达)，57—空气供给头，60—第一搬送机器人，61a、61b—机器手(第二基板保持件、第三基板保持件)，62—回转驱动机构，63—升降驱动机构，70—第二搬送机器人，80—通道部，81—载物台，90—控制部，C—载体(收纳室)，ID—分度部(基板供给部)，W—基板。

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其对基板进行处理，其特征在于，
具备：
规定处理部，其具有容纳上述基板的规定处理室及在上述规定处理室内对上述基板进行规定处理的处理工具；
基板供给部，其将来自收纳上述基板的收纳室的上述基板供给至上述规定处理部；
加热处理部，其设置于上述基板供给部与上述规定处理部之间，且具有容纳上述基板的加热处理室及在上述加热处理室对上述基板进行加热的加热器；以及
搬送部，其将从上述基板供给部供给的上述基板依次搬送至上述规定处理部、上述加热处理部、上述基板供给部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述处理工具包括向上述基板供给流体的喷嘴。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
上述流体包括处理液。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
上述加热处理部和上述规定处理部在第一方向上分离配置，
上述搬送部包括第一搬送部，该第一搬送部配置于上述加热处理室与上述规定处理室之间，
上述第一搬送部具有保持上述基板的第一基板保持件、及使上述第一基板保持件在第一方向上移动的第一马达。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
上述搬送部包括：
第二搬送部，其具有保持上述基板的第二基板保持件，且在上述基板供给部、上述加热处理部与上述第一搬送部之间搬送上述基板；以及
第三搬送部，其具有保持上述基板的第三基板保持件，且在上述第一搬送部与上述规定处理部之间搬送上述基板。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二搬送部还具有回转马达，该回转马达使上述第二基板保持件绕铅垂方向的回转轴线回转。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其特征在于，
上述加热处理部包括在铅垂方向上重叠的多个上述加热处理室，
上述规定处理部包括在铅垂方向上重叠的多个上述规定处理室，
上述第二搬送部及上述第三搬送部的每一个具有使上述第二基板保持件及上述第三基板保持件的每一个在铅垂方向上移动的移动马达。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
上述第二搬送部向上述加热处理部中的最高的上述加热处理室搬送上述基板时的上述基板的铅垂位置和上述第三搬送部向上述规定处理部中的最高的上述规定处理室搬送上述基板时的上述基板的铅垂位置相同。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
上述基板供给部包括基板交接部，该基板交接部设置于比上述收纳室接近上述规定处理部的位置，且保持上述基板，
上述第二搬送部以相对于上述基板交接部及上述第一搬送部相同的高度搬送上述基板。
10.根据权利要求4至9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
还具备空气供给部，该空气供给部从比上述第一基板保持件靠上方的位置朝向下方供给空气。
CN201980086960.5A 2018-12-28 2019-12-16 基板处理装置 Pending CN113228239A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018247438A JP7156940B2 (ja) 2018-12-28 2018-12-28 基板処理装置
JP2018-247438 2018-12-28
PCT/JP2019/049110 WO2020137646A1 (ja) 2018-12-28 2019-12-16 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113228239A true CN113228239A (zh) 2021-08-06

Family

ID=71129019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980086960.5A Pending CN113228239A (zh) 2018-12-28 2019-12-16 基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7156940B2 (zh)
KR (1) KR102500916B1 (zh)
CN (1) CN113228239A (zh)
TW (1) TWI747074B (zh)
WO (1) WO2020137646A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023140751A (ja) * 2022-03-23 2023-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス レンズ検査装置
US20240213078A1 (en) * 2022-12-22 2024-06-27 Applied Materials, Inc. Substrate supports and transfer apparatus for substrate deformation

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070093071A1 (en) * 2001-08-31 2007-04-26 Steven Verhaverbeke Method and apparatus for processing a wafer
JP2010225935A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016035973A (ja) * 2014-08-01 2016-03-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2016219471A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 液充填方法
JP2017162978A (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3330300B2 (ja) 1997-02-28 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
JP2003179025A (ja) 2001-09-27 2003-06-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008172160A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2011071169A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP6376960B2 (ja) * 2014-11-28 2018-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070093071A1 (en) * 2001-08-31 2007-04-26 Steven Verhaverbeke Method and apparatus for processing a wafer
JP2010225935A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2016035973A (ja) * 2014-08-01 2016-03-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2016219471A (ja) * 2015-05-15 2016-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 液充填方法
JP2017162978A (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210091218A (ko) 2021-07-21
WO2020137646A1 (ja) 2020-07-02
JP2020107804A (ja) 2020-07-09
JP7156940B2 (ja) 2022-10-19
TW202044470A (zh) 2020-12-01
KR102500916B1 (ko) 2023-02-17
TWI747074B (zh) 2021-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
JP5274339B2 (ja) 基板処理装置および基板搬送方法
CN108701636B (zh) 基板处理装置
KR101932777B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN112570331B (zh) 基板处理装置
CN216773187U (zh) 基板处理装置
US11251060B2 (en) Substrate treating apparatus, carrier transporting method, and carrier buffer device
CN112509955B (zh) 基板处理装置
JP2014072490A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2023090874A (ja) 連結モジュール
CN113228239A (zh) 基板处理装置
CN109585339B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
KR20150058255A (ko) 기판 처리 장치
CN117438336A (zh) 基板处理装置
TWI808489B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN112242319B (zh) 衬底处理系统及衬底搬送方法
CN112570332B (zh) 基板处理装置
JP4886669B2 (ja) 基板処理装置
CN115916673A (zh) 对基板进行处理的装置和对基板进行处理的方法
CN112447553B (zh) 衬底处理系统及衬底搬送方法
JP6404303B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202401640A (zh) 基板處理裝置
JP2024046367A (ja) 基板処理装置
CN117855085A (zh) 基板处理设备
JP2024046368A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination