TW202044470A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種減輕加熱處理後被搬送之基板之污染之技術。 基板處理裝置1具有移載傳送部ID及處理部PU。處理部PU具有流體處理部30、加熱處理部40、梭式搬送機構50、第1搬送機器人60及第2搬送機器人70。移載傳送部ID將收納至載體C之基板W供給至處理部PU。加熱處理部40設置於移載傳送部ID與流體處理部30之間。自移載傳送部ID供給之基板W藉由梭式搬送機構50、第1搬送機器人60及第2搬送機器人70依序搬送至移載傳送部ID、流體處理部30、加熱處理部40、移載傳送部ID。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對基板進行包含加熱處理之各處理之基板處理裝置。成為處理對象之基板例如包含半導體基板、液晶顯示裝置及有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置等FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板、印刷基板等。
於基板之製造步驟中，有於基板處理裝置中在對基板進行規定處理之後對該基板進行加熱處理之情形。例如，於專利文獻1中，搬送機構將自匣盒台供給之半導體晶圓依序搬送至正面洗淨單元、背面洗淨單元、加熱單元、冷卻單元，之後再次將其搬送至匣盒台(cassette station)。藉由對已被洗淨之半導體晶圓進行加熱處理而將半導體晶圓乾燥。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平10-242109號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於專利文獻1中，匣盒台、正面洗淨單元、背面洗淨單元及加熱單元係依序配置。即，加熱單元設置於各洗淨單元之與匣盒台相反側。因此，自加熱單元取出之半導體晶圓通過各洗淨單元之旁邊而返回至匣盒台。因此，有因各洗淨單元中產生之異物(包含洗淨液)附著於加熱處理後之半導體晶圓而將其污染之虞。
因此，本發明之目的在於提供一種減輕加熱處理後被搬送之基板之污染之技術。 [解決問題之技術手段]
為解決上述課題，第1態樣係一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且具備：規定處理部，其具有收容上述基板之規定處理室及於上述規定處理室內對上述基板進行規定處理之處理工具；基板供給部，其將來自收納上述基板之收納室之上述基板供給至上述規定處理部；加熱處理部，其設置於上述基板供給部與上述規定處理部之間，具有收容上述基板之加熱處理室及於上述加熱處理室內對上述基板進行加熱之加熱器；及搬送部，其將自上述基板供給部供給之上述基板依序搬送至上述規定處理部、上述加熱處理部、上述基板供給部。
第2態樣係如第1態樣之基板處理裝置，其中上述處理工具包含對上述基板供給流體之噴嘴。
第3態樣係如第2態樣之基板處理裝置，其中上述流體包含處理液。
第4態樣係如第1態樣至第3態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中上述加熱處理部與上述規定處理部於第1方向上相隔配置，上述搬送部包含配置於上述加熱處理室與上述規定處理室之間之第1搬送部，上述第1搬送部具有保持上述基板之第1基板保持器、及使上述第1基板保持器於第1方向上移動之第1馬達。
第5態樣係如第4態樣之基板處理裝置，其中上述搬送部包含：第2搬送部，其具有保持上述基板之第2基板保持器，且與上述基板供給部、上述加熱處理部及上述第1搬送部之間搬送上述基板；及第3搬送部，其具有保持上述基板之第3基板保持器，且與上述第1搬送部及上述規定處理部之間搬送上述基板。
第6態樣係如第5態樣之基板處理裝置，其中上述第2搬送部進而具有回轉馬達，該回轉馬達使上述第2基板保持器繞鉛直方向之回轉軸線回轉。
第7態樣係如第5態樣或第6態樣之基板處理裝置，其中上述加熱處理部包含有於鉛直方向上重疊之複數個上述加熱處理室，上述規定處理部包含有於鉛直方向上重疊之複數個上述規定處理室，上述第2搬送部及上述第3搬送部之各者具有使上述第2基板保持器及上述第3基板保持器之各者於鉛直方向上移動之移動馬達。
第8態樣係如第7態樣之基板處理裝置，其中上述第2搬送部向上述加熱處理部中之最高之上述加熱處理室搬送上述基板時之上述基板的鉛直位置、及上述第3搬送部向上述規定處理部中之最高之上述規定處理室搬送上述基板時之上述基板的鉛直位置相同。
第9態樣係如第5態樣至第8態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中上述基板供給部包含基板交接部，該基板交接部設置於較上述收納室更接近上述規定處理部之位置，且保持上述基板，上述第2搬送部以相對於上述基板交接部及上述第1搬送部相同之高度搬送上述基板。
第10態樣係如第4態樣至第9態樣中任一態樣之基板處理裝置，其進而具備空氣供給部，該空氣供給部自較上述第1基板保持器更靠上方之位置朝向下方供給空氣。 [發明之效果]
根據第1態樣之基板處理裝置，於加熱處理部完成了加熱處理之基板被朝與規定處理部相反側之基板供給部搬送。因此，於加熱處理部被加熱處理後之基板不通過規定處理部之附近而被朝基板供給搬送。因此，可減輕規定處理部及其周邊所產生之異物附著於自加熱處理部搬出之基板，故可減輕加熱處理後被搬送之基板之污染。
根據第2態樣之基板處理裝置，藉由自噴嘴將流體供給至基板，可對基板進行處理。
根據第3態樣之基板處理裝置，藉由自噴嘴將處理液供給至基板，可對基板進行處理。
根據第4態樣之基板處理裝置，藉由具備移動搬送部，可將加熱處理部與規定處理部於第1方向上分離。因此，可減輕規定處理部及其周邊所產生之異物附著於已自加熱處理部搬出之基板。又，可減少加熱處理部之熱對規定處理部造成影響。
根據第5態樣之基板處理裝置，可進行基板供給部、加熱處理部及第1搬送部間之基板之搬送、以及第1搬送部及加熱處理部間之基板之搬送。
根據第6態樣之基板處理裝置，藉由使第2基板保持器繞鉛直方向之回轉軸線回轉，可變更基板之水平位置。因此，藉由將基板供給部、第1搬送部及加熱處理部配置於第2基板搬送部之周圍，可於其等之間搬送基板。
根據第7態樣之基板處理裝置，由於各加熱處理室及各規定處理室於鉛直方向上重疊，故可減小加熱處理部及規定處理部之佔據面積，並且可並行地處理複數個基板。又，第2及第3搬送部各者之第2及第3基板保持器可於鉛直方向上移動。因此，第2及第3搬送部可將基板搬送至在鉛直方向上堆積之各加熱處理室及各規定處理室。
根據第8態樣之基板處理裝置，第2及第3搬送部係於相同之鉛直位置將基板搬送至最上之加熱處理室及規定處理室之各者，故使第2及第3搬送部之第2及第3基板保持器升降之機構可採用共通之構成。
根據第9態樣之基板處理裝置，於基板交接部與第1搬送部之間，可藉由使基板不於鉛直方向上移動而水平移動來搬送基板，故可順利地搬送基板。
根據第10態樣之基板處理裝置，於第1搬送部，自較基板更靠上方朝向下方形成空氣之氣流。藉由該氣流之作用，可減少自規定處理部側向加熱處理部側之異物移動之情形。
以下，一面參照隨附之圖式，一面對本發明之實施形態進行說明。再者，該實施形態中所記載之構成要素僅為例示，並不旨在將本發明之範圍僅限定於該等實施形態。圖式中，為了容易理解，有視需要將各部之尺寸或數量誇張或簡化圖示之情形。
於隨附之圖式中，有標註表示右手系XYZ正交座標系統之各方向之箭頭之情形。此處，將X軸方向及Y軸方向設為水平方向，將Z軸方向設為鉛直方向。將各箭頭之前端朝向之一方設為+(正)方向，將其相反方向設為-(負)方向。
表示相對或絕對之位置關係之表現(例如「於一方向」「沿一方向」「平行」「正交」「中心」「同心」「同軸」等)只要未特別說明，則不僅嚴格地表示其位置關係，亦表示於公差或可獲得相同程度之功能之範圍內相對地使角度或距離位移之狀態。表示處於同等狀態之表現(例如「相同」「同等」「均質」等)只要未特別說明，則不僅表示定量地嚴格相等之狀態，亦表示存在公差或可獲得相同程度之功能之差之狀態。表示形狀之表現(例如「四邊形狀」或「圓筒形狀」等)只要未特別說明，則不僅表示幾何學上嚴格之該形狀，亦表示於可獲得相同程度之效果之範圍內具有例如凹凸或倒角等之形狀。「具備」「包括」「配備」「包含」或「具有」一構成要素之表現並非排除其他構成要素之存在之排他性表現。「～之上」只要未特別說明，則除包含兩個要素相接之情形以外，亦包含兩個要素分離之情形。
＜1.實施形態＞ 圖1係表示實施形態之基板處理裝置1之整體佈局之概略俯視圖。圖2係表示實施形態之基板處理裝置1之概略側視圖。基板處理裝置1係逐片處理半導體之基板W之單片式處理裝置，此處，對圓形之矽基板W進行規定處理及加熱處理，該規定處理進行能夠執行加熱處理以外之處理的規定處理。本例中，規定處理係流體處理。流體處理係指將液體或氣體供給至基板W而對基板W之正面進行處理。
基板處理裝置1係將移載傳送部ID及處理部PU於作為水平方向之X方向上連結而構成。本例中，移載傳送部ID配置於-X側，處理部PU配置於+X側。處理部PU包含配置於+X側之加熱處理部40及配置於-X側之流體處理部30。加熱處理部40及流體處理部30於X軸方向上相隔配置。
基板處理裝置1具備梭式搬送機構50(第1搬送部)。梭式搬送機構50設置於處理部PU，此處設置於較加熱處理部40更靠+X側(流體處理部30之側)且較流體處理部30更靠-X側(加熱處理部40之側)。
基板處理裝置1具備控制部90，該控制部90控制設置於基板處理裝置1之要素之動作，實現基板W之處理。
移載傳送部ID包含載置複數個載體C(收納室)之載置台11、以及相對於各載體C搬送基板W之移載傳送機器人12及通道部80。
於載置台11，沿著作為水平方向之Y軸方向將複數個(此處為4個)載體C載置對齊狀態。相對於載置台11，藉由AGV(automated guided vehicle，無人搬運車)等無人搬送機構進行載體C之搬入及搬出。載體C係收納複數片基板W之收納室之一例。作為載體C，亦可採用將複數片基板W以特定間隔之積層狀態收納於密閉空間之FOUP(front opening unified pod，前開式單元匣)。再者，作為載體C，除FOUP以外，亦可採用SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械化介面)箱或將所收納之基板W暴露於外部大氣之OC(open cassette，開放式卡匣)。載置於載置台11之載體C之數量並不限定於4個，亦可為1～3個或5個以上。
移載傳送機器人12將未處理之基板W自各載體C搬出並交遞至處理部PU，並且自處理部PU接收完成處理之已處理之基板W並搬入至各載體C。移載傳送機器人12一面於沿著Y軸方向形成之搬送路徑10上移行，一面於各載體C與通道部80之間搬送基板W。
移載傳送機器人12係可獨立驅動2個臂13a、13b之所謂之雙臂型搬送機器人。於各臂13a、13b之前端分別結合有在鉛直方向上錯開位置之機器手14a及機器手14b。機器手14b設置於機器手14a之-Z側。機器手14a及機器手14b分別將1片基板W以水平姿勢保持。
移載傳送機器人12具備包含馬達之進退驅動機構15，該馬達藉由獨立驅動臂13a、13b而使機器手14a及機器手14b個別地向水平方向進退移動。又，移載傳送機器人12具備回轉驅動機構、升降驅動機構及滑動驅動機構(均省略圖示)，該回轉驅動機構包含使臂13a、13b繞與Z軸方向平行之鉛直軸線回轉之回轉馬達，該升降驅動機構包含使臂13a、13b於鉛直方向升降之升降馬達，該滑動驅動機構包含使移載傳送機器人12整體沿搬送路徑10水平移動之移動馬達。移載傳送機器人12藉由利用各馬達之作用使機器手14a及機器手14b個別地進入載置台11之各載體C之內部，而進行未處理之基板W之取出及已處理之基板W之儲存。又，移載傳送機器人12藉由使機器手14a及機器手14b個別地進入通道部80之內部，而進行未處理之基板W之傳遞及已處理之基板W之接收。
通道部80設置於較移載傳送部ID更靠+X側(即，接近包含流體處理部30之處理部PU之側)。本例中，通道部80設置於移載傳送機器人12與第1搬送機器人60之間。如下所述，自移載傳送機器人12交遞至通道部80之未處理之基板W藉由第1搬送機器人60搬送至流體處理部30。移載傳送部ID及通道部80係將收納於載體C之基板W供給至流體處理部30之基板供給部之一例。
處理部PU除梭式搬送機構50以外，還具備第1搬送機器人60及第2搬送機器人70。
第1搬送機器人60配置於通道部80與梭式搬送機構50之間。第1搬送機器人60設置於配置在+Y側及-Y側之加熱處理塔41之間。加熱處理塔41由在鉛直方向上堆疊之複數個(本例中為5個)加熱處理室42構成。又，本例中，通道部80設置於2個加熱處理塔41之間。藉由將複數個加熱處理室42堆疊而形成加熱處理塔41，可減小加熱處理部40之佔有面積，並且並行地加熱處理複數個基板W。
第2搬送機器人70在流體處理部30之水平方向中央部設置於中央。此處，設置於流體處理部30所具備之4個流體處理塔31之中央。流體處理塔31由在鉛直方向上堆疊之複數個(本例中為3個)流體處理室32構成。4個流體處理塔31中之2個於流體處理部30之+Y側排列於X軸方向，其餘2個於流體處理部30之-Y側排列於X軸方向。藉由將複數個流體處理室32堆疊而形成流體處理塔31，可減小流體處理部30之佔有面積，並且並行地加熱處理複數個基板W。
第2搬送機器人70具備與第1搬送機器人60相同之構成，故此處對第1搬送機器人60之構成進行說明。但是，第2搬送機器人70並非必須具備與第1搬送機器人60相同之構成。
第1搬送機器人60具備於鉛直方向上錯開位置而配置之2個機器手61a、61b。第1搬送機器人60具備回轉驅動機構62及升降驅動機構63，該回轉驅動機構62包含使機器手61a、61b繞沿著鉛直方向之回轉軸線回轉之回轉馬達，該升降驅動機構63包含使機器手61a及機器手61b於鉛直方向上升降之升降馬達。進而，第1搬送機器人60具備進退驅動機構64，該進退驅動機構64包含使機器手61a、61b沿著與上述回轉軸線正交之回轉半徑方向(與回轉軸線正交之水平方向)獨立地進退移動之馬達。進退驅動機構64例如由多關節臂構成，藉由利用馬達使關節彎曲而使前端之機器手61a、61b於水平方向進退。再者，進退驅動機構64亦可具備滾珠螺桿、線性馬達或汽缸等直動驅動機構。
第1搬送機器人60藉由各驅動機構使各機器手61a、61b個別地進入通道部80、各加熱處理室42及梭式搬送機構50，從而進行基板W之搬送。例如，第1搬送機器人60進入通道部80並自通道部80接收未處理之基板W之後，回轉180度而將基板W交遞至梭式搬送機構50(詳細而言為第1授受位置L51)之梭本體部51。又，第1搬送機器人60自梭式搬送機構50(詳細而言為第1授受位置L51)之梭本體部51接收已完成流體處理之基板W之後，將基板W搬入至空加熱處理室42。又，第1搬送機器人60自完成加熱處理後之加熱處理室42取出基板W之後，回轉特定之角度而與通道部80面對，將基板W交遞至通道部80。
第2搬送機器人70藉由各驅動機構使各機器手61a、61b個別地進入梭式搬送機構50及各流體處理室32，從而進行基板W之搬送。例如，第2搬送機器人70自梭式搬送機構50(詳細而言為第2授受位置L52)之梭本體部51接收未處理之基板W之後，將基板W搬入至空流體處理室32。又，第2搬送機器人70自完成流體處理後之流體處理室32接收基板W之後，將該基板W交遞至梭式搬送機構50(詳細而言為第2授受位置L52)之梭本體部51。
搬送機器人60、70藉由使各自之機器手61a、61b於鉛直方向上升降，可將基板W搬送至在鉛直方向上堆積之複數個加熱處理室42或複數個流體處理室32中之一個。
於基板處理裝置1中，梭式搬送機構50、搬送機器人60、70將自基板供給部(移載傳送部ID及通道部80)供給之基板W依序搬送至流體處理部30、加熱處理部40，之後再次返回至基板供給部。梭式搬送機構50、搬送機器人60、70係搬送部之一例。
如圖2所示，流體處理部30中位於最高位置之流體處理室32之擋板33與加熱處理部40中位於最高位置之加熱處理室42之擋板43處於相同之高度(鉛直位置)。因此，第1搬送機器人60將基板W搬送至最上之加熱處理室42時之基板W的鉛直位置與第2搬送機器人70將基板W搬送至最上之流體處理室32時之基板W的鉛直位置相同。如此，搬送機器人60、70係於相同之鉛直位置將基板W搬送至加熱處理室42及流體處理室32之各者，故可採用共通之升降驅動機構63以使各自之機器手61a、61b(第2及第3基板保持器)升降。如此，關於搬送機器人60、70，藉由謀求構成之共通化而可減少基板處理裝置1之製造成本。
搬送機器人60、70之基台部65相對於處理部PU被固定，故不會在處理部PU內沿著水平方向移動。但是，搬送機器人60、70亦可藉由具備包含移動馬達之水平移動機構而於水平方向上移動。
圖3係表示實施形態之流體處理室32之概略側視圖。於流體處理室32中，對基板W進行使用處理液之正面處理。所謂「處理液」係對基板W之正面進行處理之液體之統稱，包含藥液及清洗液之兩者。藥液例如包含氫氟酸、氨過氧化氫水(SC-1)、鹽酸過氧化氫水(SC-2)、硫酸過氧化氫水(SPM)等。於流體處理室32進行之流體處理亦可為使用氫氟酸去除形成於基板W之正面之多餘之膜的蝕刻處理、利用SC-1自基板W之正面去除顆粒之處理、利用SC-2除去基板W之金屬污染之處理、或者利用SPM去除基板W之正面之抗蝕劑之處理。又，於流體處理室32中進行之處理亦可為利用作為清洗液之純水將基板W之正面洗淨之處理。
於流體處理室32之側壁面之一部分，設置有用以相對於流體處理室32搬入搬出基板W之開口部，該開口部藉由擋板33開閉。擋板33藉由未圖示之馬達而開閉。當擋板33打開時，第2搬送機器人70經由開口部將基板W搬入至流體處理室32並且自流體處理室32搬出基板W。當擋板33關閉時，流體處理室32之內部成為實質上密閉空間，從而抑制流體處理室32之內部之氣體氛圍洩漏至外側(配置有第2搬送機器人70之空間側)。
於流體處理室32之內部設置有旋轉保持部34，該旋轉保持部34將基板W以水平姿勢保持，並且使基板W繞沿著通過該旋轉保持部34之中心之鉛直方向之中心軸旋轉。旋轉保持部34具備旋轉夾頭35、旋轉軸36及旋轉馬達37。旋轉夾頭35係藉由利用夾盤銷固持基板W之端緣部而不接觸基板W之下表面中央部地將基板W以大致水平姿勢保持之基板保持器。旋轉軸36垂直設置於旋轉夾頭35之下表面側中心部。旋轉馬達37經由旋轉軸36使旋轉夾頭35於水平面內旋轉。保持於旋轉夾頭35之基板W與旋轉夾頭35及旋轉軸36一起於水平面內繞沿著鉛直方向之中心軸線旋轉。
於流體處理室32之內部，設置有包圍旋轉保持部34之旋轉夾頭35之處理護罩38。藉由基板W旋轉，自基板W之上表面被甩向外側之處理液於處理護罩38之內面被接住，並適當地自排出埠口排出至流體處理室32之外。處理護罩38藉由未圖示之包含升降馬達之升降機構於鉛直方向上升降。
於流體處理室32之內部設置有噴嘴39。噴嘴39自並設於流體處理室32之流體箱32B被供給處理液。噴嘴39自設置於下方之噴出口朝向基板W噴出處理液。藉此，對基板W之上表面供給處理液。於流體箱32B收容有用以對噴嘴39供給處理液之配管或介裝於配管之閥門等複數個流體設備。噴嘴39係對基板W進行處理之處理工具之一例。
再者，亦可設置對保持於旋轉夾頭35之基板W之背面供給處理液之噴嘴。於此情形時，例如亦可將旋轉軸36設為中空，於該空間內設置處理液之流路、及連接於該流路並於旋轉夾頭35之中心部朝上側開口之噴嘴。藉由自該噴嘴噴出處理液，可對基板W之背面側之中心部供給處理液。
噴嘴39安裝於未圖示之噴嘴臂。噴嘴臂連接於馬達，藉由馬達之作動可於水平方向上移動。噴嘴39藉由該噴嘴臂之水平移動而可於保持於旋轉夾頭35之基板W之上方之位置與自該基板W之上方偏移之位置之間移動。
本例中，於流體處理室32，利用處理液對基板W進行液體處理。然而，並非必須於流體處理室32進行液體處理。例如，亦可於流體處理室32，進行使基板W之正面暴露於特定之處理氣體之乾式處理。
圖4係表示實施形態之加熱處理室42之概略側視圖。於加熱處理室42之側壁面之一部分，設置有用以相對於加熱處理室42搬入搬出基板W之開口部，該開口部藉由擋板43而開閉。擋板43藉由未圖示之馬達而開閉。當擋板43打開時，第1搬送機器人60經由開口部將基板W搬入至加熱處理室42並且自加熱處理室42搬出基板W。當擋板43關閉時，加熱處理室42之內部成為實質上密閉空間，從而抑制加熱處理室42之內部之氣體氛圍洩漏至外側(配置有第1搬送機器人60之空間之側)。
加熱處理室42將基板W收容於內部並對該基板W進行加熱。於加熱處理室42之內部，設置有將基板W以水平姿勢支持之載置台44。載置台44係基板保持器之一例。於載置台44之內部設置有加熱器45。加熱器45包含電阻線及對該電阻線施加電壓之電源等。此處，於載置台44之內部設置電阻線，藉由對該電阻線施加電壓，而對載置台44之上表面放射輻射熱。藉由該輻射熱，支持於載置台44之基板W被加熱。再者，於加熱處理室42，對基板W進行加熱之機構並不限定於圖示之例。例如，亦可於加熱處理室42之內部，設置噴出被熱源加熱後之熱風之風扇式空氣加熱器，藉由該熱風直接或間接地加熱基板W。
圖5係表示實施形態之梭式搬送機構50之概略側視圖。梭式搬送機構50具有於X軸方向上延伸並且於Y軸方向上隔開間隔配置之2條軌道501、連結於各軌道501之梭本體部51、使梭本體部51沿著各軌道501上往復移動之直動馬達53(第1馬達)。
於梭本體部51之上表面，設置有2個基板保持器52a、52b。基板保持器52a、52b設置於X軸方向上錯開之位置。具體而言，基板保持器52a設置於梭本體部51之靠-X側之位置，基板保持器52b設置於梭本體部51之靠+X側之位置。基板保持器52a、52b分別具有於Y軸方向上隔開間隔設置之一對機器手521。一對機器手521具有朝內側凹陷之圓弧狀之內面，並以其內面彼此於Y軸方向上對向之朝向安裝於梭本體部51。如圖1所示，於各機器手521之內面，設置有朝內側突出之2個支持爪54。基板保持器52a、52b藉由利用複數個支持爪54自下方支持基板W，而將基板W以大致水平姿勢支持。再者，亦可於機器手521設置沿著基板W之周緣部之形狀之凸緣部，以代替設置複數個支持爪54。
梭本體部51具備使基板保持器52a於鉛直方向上升降之升降機構55a及使基板保持器52b於鉛直方向上升降之升降機構55b。基板保持器52a、52b可藉由升降機構55a、55b獨立地升降。升降機構55a使各基板保持器52a之一對機器手521一體地以相同之高度升降，升降機構55b使基板保持器52b之一對機器手521一體地以相同之高度升降。藉由將基板保持器52a、52b配置於不同之高度，各基板保持器52a、52b可搬送基板W而梭本體部51可同時搬送2個基板W。
於梭本體部51之底面安裝有能夠在軌道501上滑動自如地移動之滑動塊56。梭本體部51藉由直動馬達53一面於各軌道501上滑動自如地被導引，一面於與第1授受位置L51及第2授受位置L52之間往復移動。
第1授受位置L51係梭式搬送機構50中之靠-X側之位置。當梭本體部51處於第1授受位置L51時，於第1搬送機器人60與梭式搬送機構50之間進行基板W之授受。具體而言，於機器手61a與基板保持器52a之間、機器手61b與基板保持器52b之間進行基板W之授受。此時，各機器手61a、61b進出至與基板保持器52a或基板保持器52b對應之水平位置，藉由基板保持器52a、52b上升或下降而進行基板W之授受。
第2授受位置L52係梭式搬送機構50中之靠+X側之位置。當梭本體部51處於第2授受位置L52時，於第2搬送機器人70與梭式搬送機構50之間進行基板W之授受。具體而言，於機器手61a與基板保持器52a之間、機器手61b與基板保持器52b之間進行基板W之授受。此時，各機器手61a、61b進出至與基板保持器52a或基板保持器52b對應之水平位置，藉由基板保持器52a、52b上升或下降而進行基板W之授受。
梭式搬送機構50具備空氣供給頭57。空氣供給頭57設置於較位於第2授受位置L52之梭本體部51更靠上方之位置。空氣供給頭57於下表面具備複數個噴出孔，並且經由閥門571連接於空氣供給源572。藉由將閥門571打開而自空氣供給頭57之各噴出孔朝下方噴出空氣。藉此，於梭式搬送機構50之搬送室500之內部形成降流之氣流。如此，藉由於搬送室500之內部形成降流，例如可減少流體處理部30所產生之異物通過梭式搬送機構50移動至加熱處理部40側。再者，空氣供給源572亦可設為供給例如對基板W之正面呈惰性之作為惰性氣體之氮氣(N2 )之供給源。藉此，可形成氮氣之降流。又，亦可藉由空氣供給頭57供給可與基板W之正面發生反應之處理用氣體(臭氧氣體等)，而於梭式搬送機構50對基板W之正面進行處理。
於通道部80之內部設置有將基板W以水平姿勢支持之載置台81(基板保持器)。載置台81具備豎立設置於其上表面之複數個銷，藉由利用該各銷之上端自下方支持基板W，而將基板W呈水平姿勢保持。移載傳送機器人12之機器手14a、14b及第1搬送機器人60之機器手61a、61b藉由進入各銷之間並上升而自各銷接收基板W。
第1搬送機器人60(第2搬送部)以相對於通道部80(基板交接部)及梭式搬送機構50(第1搬送部)相同之高度搬送基板W。即，第1搬送機器人60自通道部80接收基板W之後，不使該基板W上升或下降而將其朝向梭式搬送機構50搬送。同樣地，第1搬送機器人60自梭式搬送機構50接收基板W之後，不使該基板W上升或下降而將其朝向通道部80搬送。如此，由於不使基板W於鉛直方向上移動，故可縮短通道部80與梭式搬送機構50之間的基板W之搬送時間。
控制部90具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)(處理機)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)(記憶體)、固定磁碟及將其等相互連接之匯流排線。固定磁碟係記憶CPU能夠執行之程式或各種資料之輔助記憶裝置。
控制部90例如連接於移載傳送機器人12所具備之各馬達、各加熱處理室42之擋板43及加熱器45、以及梭式搬送機構50之直動馬達53、升降機構55a、55b及閥門571，根據程式控制該等構件之動作。又，控制部90例如連接於搬送機器人60、70中之回轉驅動機構62、升降驅動機構63、進退驅動機構64之各馬達、各流體處理部30之擋板33、旋轉馬達37、以及各流體箱32B之閥門類，根據程式控制該等構件之動作。
於控制部90連接有顯示圖像之顯示部、及包含鍵盤或滑鼠等之操作部。顯示部可由觸控面板構成，於此情形時，顯示部亦作為操作部發揮功能。
於控制部90之匯流排線亦可連接讀取裝置及通信部。讀取裝置自光碟、磁碟、磁光碟等電腦可讀取之非暫態之記錄媒體進行資訊之讀取。通信部能夠於控制部90與其他電腦(伺服器等)之間實現資訊通信。藉由利用讀取裝置讀取記錄有程式之記錄媒體，而將該程式提供至控制部90。再者，程式亦可經由通信部被提供至控制部90。
如上所述，於基板處理裝置1中，由流體處理部30處理過之基板W藉由第2搬送機器人70、梭式搬送機構50及第1搬送機器人60搬送至較流體處理部30更靠-X側(移載傳送部ID側)之加熱處理部40。繼而，於加熱處理部40完成加熱處理之基板W藉由第1搬送機器人60搬送至與流體處理部30相反側之移載傳送部ID側。如此，加熱處理後之基板W不通過流體處理部30之附近，由此可抑制流體處理部30所產生之異物(包含處理液)附著於基板W。藉此，可抑制加熱處理後被搬送之基板W受污染。又，本例中，由於在梭式搬送機構50之搬送室500之內部形成降流，故可有效地抑制加熱處理部40中流體處理部30所產生之異物附著於板W。
於基板處理裝置1中，在流體處理部30與加熱處理部40之間，設置有於X軸方向上搬送基板W之梭式搬送機構50。因此，可使流體處理部30與加熱處理部40於X軸方向上隔開。藉此，可抑制加熱處理部40中流體處理部30所產生之異物(包含處理液)附著於基板W。又，藉由將加熱處理部40與流體處理部30分離，可減少流體處理部30中之氣體氛圍之溫度因加熱處理部40所具有之熱而上升之情形。
＜變化例＞ 上述實施形態之搬送機器人60、70係藉由具備由多關節臂構成之進退驅動機構64而使機器手61a、61b前後進退。然而，搬送機器人並不限定於具備多關節臂者。
圖6係表示變化例之基板處理裝置1A之整體佈局之概略俯視圖。圖7係變化例之搬送機器人60A之概略側視圖。如圖6所示，基板處理裝置1A代替搬送機器人60、70而具備搬送機器人60a、70a。搬送機器人60a、70a具備相同之構成，以下主要對搬送機器人60a之構成進行說明。
搬送機器人60a具備基台部65a、進退驅動機構64a、回轉驅動機構62a、升降驅動機構63a。搬送機器人60a之基台部65a固定於處理部PU，且固定於排列在X軸方向上之加熱處理塔41與流體處理塔31之間之位置。又，搬送機器人60a之基台部65a設置於通道部80之+X側。再者，搬送機器人70a之基台部65a固定於排列在Y軸方向上2個流體處理塔31、31之間之位置。於基台部65a之上表面豎立設置有在鉛直方向上延伸之支柱651。
進退驅動機構64a使機器手61a、61b於水平方向上移動。進退驅動機構64a具備載置台641、於水平方向上往復移動之水平滑塊642、使水平滑塊642移動之水平馬達643。於載置台641之上表面設置有呈直線狀延伸之軌道(未圖示)，藉由該軌道限制水平滑塊642之移動方向。水平滑塊642之移動由例如線性馬達機構或滾珠螺桿機構等眾所周知之機構實現。於水平滑塊642之前端部設置有2個機器手61a、61b。藉由利用水平馬達643使水平滑塊642沿軌道移動，機器手61a、61b可於水平方向上進退移動。換言之，進退驅動機構64a使機器手61a、61b朝相對於基台部65a及支柱651在水平方向上離開及接近之方向移動。
回轉驅動機構62a具備使載置台641繞沿著鉛直方向之旋動軸線CA1旋動之旋動馬達。藉由該旋動馬達之驅動，機器手61a、61b可繞旋動軸線CA1於不干涉支柱651之範圍內旋動。
升降驅動機構63a具備鉛直滑塊631、鉛直馬達632、連結件633。鉛直滑塊631卡合於設置在支柱651之沿鉛直方向延伸之軌道(未圖示)。鉛直馬達632使鉛直滑塊631沿著該軌道於鉛直方向上往復移動。鉛直馬達632例如設置於基台部65a。鉛直滑塊631之移動由例如線性馬達機構或滾珠螺桿機構等眾所周知之機構實現。連結件633將鉛直滑塊631及載置台641連結，且自下方支持載置台641。藉由利用鉛直馬達632使鉛直滑塊631移動，而載置台641於鉛直方向上移動。藉此，機器手61a、61b可於鉛直方向上升降移動。
藉由具備搬送機器人60a，可於通道部80與梭式搬送機構50之間搬送基板W，並且可將基板W搬送至在鉛直方向上堆積之各加熱處理室42。與此同樣地，藉由具備搬送機器人70a，可將基板W搬送至在鉛直方向上堆積之各流體處理室32。採用搬送機器人60a、70a之基板處理裝置1A發揮與基板處理裝置1大致相同之作用效果。
已對本發明詳細地進行了說明，但上述說明於所有方面為例示，本發明並不限定於此。應當理解的是未例示之數個變化例可在不偏離本發明之範圍之情況下而想到。上述各實施形態及各變化例中所說明之各構成只要不相互矛盾則可適當組合或省略。
1:基板處理裝置 1A:基板處理裝置 10:搬送路徑 11:載置台 12:移載傳送機器人 13a、13b:臂 14a:機器手 14b:機器手 15:進退驅動機構 30:流體處理部(規定處理部) 31:流體處理塔 32:流體處理室(規定處理室) 32B:流體箱 33:擋板 34:旋轉保持部 35:旋轉夾頭 36:旋轉軸 37:旋轉馬達 38:處理護罩 39:噴嘴(處理工具) 40:加熱處理部 41:加熱處理塔 42:加熱處理室 43:擋板 44:載置台 45:加熱器 50:梭式搬送機構 51:梭本體部 52a:基板保持器(第1基板保持器) 52b:基板保持器(第1基板保持器) 53:直動馬達(第1馬達) 54:支持爪 55a:升降機構 55b:升降機構 56:滑動塊 57:空氣供給頭 60:第1搬送機器人 61a:機器手(第2基板保持器) 61b:機器手(第3基板保持器) 62:回轉驅動機構 62a:回轉驅動機構 63:升降驅動機構 63a:升降驅動機構 64:進退驅動機構 64a:進退驅動機構 65:基台部 65a:基台部 70:第2搬送機器人 70a:搬送機器人 80:通道部 81:載置台 90:控制部 500:搬送室 501:軌道 521:機器手 571:閥門 572:空氣供給源 631:鉛直滑塊 632:鉛直馬達 633:連結件 641:載置台 642:水平滑塊 643:水平馬達 651:支柱 C:載體(收納室) CA1:旋動軸線 ID:移載傳送部(基板供給部) L51:第1授受位置 L52:第2授受位置 PU:處理部 W:基板
圖1係表示實施形態之基板處理裝置1之整體佈局之概略俯視圖。 圖2係表示實施形態之基板處理裝置1之概略側視圖。 圖3係表示實施形態之流體處理室32之概略側視圖。 圖4係表示實施形態之加熱處理室42之概略側視圖。 圖5係表示實施形態之梭式搬送機構50之概略側視圖。 圖6係表示變化例之基板處理裝置1A之整體佈局之概略俯視圖。 圖7係變化例之搬送機器人60A之概略側視圖。
1:基板處理裝置
10:搬送路徑
11:載置台
12:移載傳送機器人
13a、13b:臂
14a:機器手
14b:機器手
15:進退驅動機構
30:流體處理部(規定處理部)
31:流體處理塔
32:流體處理室(規定處理室)
32B:流體箱
33:擋板
40:加熱處理部
41:加熱處理塔
42:加熱處理室
43:擋板
50:梭式搬送機構
51:梭本體部
52a:基板保持器(第1基板保持器)
52b:基板保持器(第1基板保持器)
54:支持爪
60:第1搬送機器人
61a:機器手(第2基板保持器)
61b:機器手(第3基板保持器)
62:回轉驅動機構
63:升降驅動機構
64:進退驅動機構
65:基台部
70:第2搬送機器人
80:通道部
81:載置台
90:控制部
521:機器手
C:載體(收納室)
ID:移載傳送部(基板供給部)
L51:第1授受位置
L52:第2授受位置
PU:處理部
W:基板

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且具備： 規定處理部，其具有收容上述基板之規定處理室及於上述規定處理室內對上述基板進行規定處理之處理工具； 基板供給部，其將來自收納上述基板之收納室之上述基板供給至上述規定處理部； 加熱處理部，其設置於上述基板供給部與上述規定處理部之間，具有收容上述基板之加熱處理室及於上述加熱處理室內對上述基板進行加熱之加熱器；及 搬送部，其將自上述基板供給部供給之上述基板依序搬送至上述規定處理部、上述加熱處理部、上述基板供給部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述處理工具包含對上述基板供給流體之噴嘴。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述流體包含處理液。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述加熱處理部與上述規定處理部於第1方向上相隔配置， 上述搬送部包含第1搬送部，該第1搬送部配置於上述加熱處理室與上述規定處理室之間， 上述第1搬送部具有保持上述基板之第1基板保持器、及使上述第1基板保持器於第1方向上移動之第1馬達。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中上述搬送部包含： 第2搬送部，其具有保持上述基板之第2基板保持器，且與上述基板供給部、上述加熱處理部及上述第1搬送部之間搬送上述基板；及 第3搬送部，其具有保持上述基板之第3基板保持器，且與上述第1搬送部及上述規定處理部之間搬送上述基板。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述第2搬送部進而具有回轉馬達，該回轉馬達使上述第2基板保持器繞鉛直方向之回轉軸線回轉。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述加熱處理部包含有於鉛直方向上重疊之複數個上述加熱處理室， 上述規定處理部包含有於鉛直方向上重疊之複數個上述規定處理室， 上述第2搬送部及上述第3搬送部之各者具有使上述第2基板保持器及上述第3基板保持器之各者於鉛直方向上移動之移動馬達。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述第2搬送部向上述加熱處理部中之最高之上述加熱處理室搬送上述基板時之上述基板的鉛直位置、及上述第3搬送部向上述規定處理部中之最高之上述規定處理室搬送上述基板時之上述基板的鉛直位置相同。
  9. 如請求項5之基板處理裝置，其中上述基板供給部包含基板交接部，該基板交接部設置於較上述收納室更接近上述規定處理部之位置，且保持上述基板， 上述第2搬送部以相對於上述基板交接部及上述第1搬送部相同之高度搬送上述基板。
  10. 如請求項4之基板處理裝置，其進而具備空氣供給部，該空氣供給部自較上述第1基板保持器更靠上方之位置朝向下方供給空氣。
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