JP2009283539A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】搬送機構の負荷を軽減可能な技術を提供する。
【解決手段】メインロボットＴ２１とＰＥＢロボットＴ３１との間の基板の受け渡しを、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の備える仮置部Ｔを介して行わせる。すなわち、メインロボットＴ２１に、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）内の仮置部Ｔに送り基板を載置させ、ＰＥＢロボットＴ３１に、仮置部Ｔに載置された送り基板を取り出させる。また、ＰＥＢロボットＴ３１に、仮置部ＴにＰＥＢ処理前の送り基板を載置させ、メインロボットＴ２１に、仮置部Ｔに載置されたＰＥＢ処理後の戻り基板を取り出させる。この構成によると、送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳを介して基板を受け渡す場合に比べて搬送機構の搬送工程数を少なくすることができる。
【選択図】図１２

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して一連の処理を行う装置および方法に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。

これらの諸処理を行う基板処理装置の一例として、例えば特許文献１および特許文献２には、レジスト膜の形成処理、現像処理、熱処理等の各種処理を行う処理部を所定の位置に配置したコータ＆デベロッパについて開示されている。このような基板処理装置は、別体の露光装置に隣接配置されて用いられる。すなわち、基板は、基板処理装置内の各処理部でレジスト膜形成などの処理を施された後に、一旦、別体の露光装置に搬入される。そこで露光処理を施された基板は、再び基板処理装置に搬入されて、今度は現像処理等の処理を施される。

したがって、基板処理装置には、別体の露光装置との間で基板を受け渡しする搬送機構が必要となってくる。例えば特許文献１や特許文献２に開示されている基板処理装置においては、基板処理装置内の処理部に対して基板を搬出入するための搬送手段（メインロボット）と、当該搬送手段から基板を受け取って、露光装置に対して基板を搬出入するための搬送手段（インターフェイスロボット）との２種類の搬送機構を設けている。

特開２００７−２５０６７８号公報 特開２００７−５６５９号公報

ところで、基板処理装置においては、装置内に設けられる各搬送機構の負荷を少しでも軽減することが望まれている。このためには、搬送機構の搬送工程数をなるべく少なくする必要がある。

この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、搬送機構の負荷を軽減可能な技術を提供することを目的とする。

請求項１の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の処理ユニットと、前記１以上の処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、前記処理部から基板を受け取って前記基板処理装置に隣接して配置される外部装置に向けて送るとともに、前記外部装置から送られた基板を前記処理部に渡すインターフェイス搬送機構と、前記主搬送機構および前記インターフェイス搬送機構を駆動制御する搬送制御手段と、を備え、前記１以上の処理ユニットが、１以上の仮置部付き処理ユニット、を備え、前記仮置部付き処理ユニットが、基板を一時的に載置するための仮置部と、所定の処理位置におかれた基板に対して所定の処理を実行する処理手段と、前記仮置部に載置された基板を前記所定の処理位置まで搬送するとともに、前記処理手段にて処理された基板を前記所定の処理位置から前記仮置部まで搬送するローカル搬送機構と、を備え、前記搬送制御手段が、前記主搬送機構と前記インターフェイス搬送機構との間の基板の受け渡しを前記仮置部を介して行わせる。

請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記搬送制御手段が、前記処理部から前記外部装置に送られる送り基板を前記主搬送機構から前記インターフェイス搬送機構へ受け渡す場合と、前記外部装置から前記処理部に戻される戻り基板を前記インターフェイス搬送機構から前記主搬送機構へ受け渡す場合とのいずれの場合も、その受け渡しを前記仮置部を介して行わせる。

請求項３の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記主搬送機構と前記インターフェイス搬送機構との間に配置された基板載置部、を備え、前記搬送制御手段が、前記処理部から前記外部装置に送られる送り基板を前記主搬送機構から前記インターフェイス搬送機構へ受け渡す場合に、その受け渡しを前記基板載置部を介して行わせ、前記外部装置から前記処理部に戻される戻り基板を前記インターフェイス搬送機構から前記主搬送機構へ受け渡す場合に、その受け渡しを前記仮置部を介して行わせる。

請求項４の発明は、請求項２または３に記載の基板処理装置であって、前記搬送制御手段が、前記主搬送機構に前記仮置部に載置されている戻り基板を受け取らせると同時に、前記インターフェイス搬送機構に当該仮置部へ次の戻り基板を載置させる。

請求項５の発明は、請求項３または４に記載の基板処理装置であって、前記搬送制御手段が、送り基板を前記インターフェイス搬送機構が前記外部装置に向けて送れない場合に、前記インターフェイス搬送機構に、前記主搬送機構から受け取った送り基板を所定のバッファに収納させる。

請求項６の発明は、請求項２から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記主搬送機構と前記インターフェイス搬送機構との間に配置された基板載置部、を備え、前記搬送制御手段が、戻り基板を前記主搬送機構が受け取れない場合に、前記処理部から前記外部装置に送られる送り基板を前記主搬送機構から前記インターフェイス搬送機構へ受け渡す場合と、前記外部装置から前記処理部に戻される戻り基板を前記インターフェイス搬送機構から前記主搬送機構へ受け渡す場合とのいずれの場合も、その受け渡しを前記基板載置部を介して行わせるとともに、前記インターフェイス搬送機構に、前記仮置部付き処理ユニットの処理手段により処理を施されて前記仮置部に載置された基板を取り出させて、所定のバッファに収納させる。

請求項７の発明は、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記外部装置が、露光処理を実行する露光装置であり、前記仮置部付き処理ユニットが、前記露光処理に引き続いて実行される熱処理を行う熱処理ユニットであり、前記仮置部が、載置された基板を所定の温度に温調する温調手段、を備える。

請求項８の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、未処理の基板を外部から搬入するとともに、処理済みの基板を外部に搬出するインデクサ搬送機構を備えるインデクサ部と、所定の搬送経路に面して配置され、それぞれが基板に対して所定の処理を行う１以上の処理ユニットと、前記所定の搬送経路に沿って移動しながら前記１以上の処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構と、を備える処理部と、前記処理部に隣接して配置され、前記処理部から基板を受け取って前記基板処理装置に隣接して配置される外部装置に向けて送るとともに前記外部装置から送られた基板を前記処理部に渡すインターフェイス搬送機構を備えるインターフェイス部と、前記インデクサ搬送機構、前記主搬送機構および前記インターフェイス搬送機構を駆動制御する搬送制御手段と、を備え、前記１以上の処理ユニットが、１以上の仮置部付き処理ユニット、を備え、前記仮置部付き処理ユニットが、基板を一時的に載置するための仮置部と、所定の処理位置におかれた基板に対して所定の処理を実行する処理手段と、前記仮置部に載置された基板を前記所定の処理位置まで搬送するとともに、前記処理手段にて処理された基板を前記所定の処理位置から前記仮置部まで搬送するローカル搬送機構と、前記主搬送機構を前記仮置部にアクセス可能とさせるために、前記仮置部付き処理ユニットを収納する筐体の壁面であって前記搬送経路に対向する側の面に形成された第１の開口と、前記インターフェイス搬送機構を前記仮置部にアクセス可能とさせるために、前記筐体の壁面であって、前記第１の開口が形成された面を正面とした場合に側面にあたる面に形成された第２の開口と、を備える。

請求項９の発明は、請求項８に記載の基板処理装置であって、前記ローカル搬送機構の搬送駆動部を、前記仮置部と前記インターフェイス搬送機構との間で搬送される基板の移動経路よりも低い位置に配置して、前記第２の開口を、前記第１の開口が形成された面を正面とした場合の両側面に形成可能である。

請求項１０の発明は、基板に処理を行う基板処理方法において、ａ）主搬送機構に、それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の処理ユニットのうちの所定の処理ユニットに対して所定の順序で基板を搬送させていくことによって、基板に対する一連の前処理を施す工程と、ｂ）前記前処理を施された基板を、送り基板として前記主搬送機構からインターフェイス搬送機構へ受け渡す工程と、ｃ）前記インターフェイス搬送機構に、送り基板を所定の外部装置に送らせる工程と、ｄ）前記インターフェイス搬送機構に、前記所定の外部装置にて所定の処理が施された基板を、戻り基板として前記所定の外部装置から受け取らせる工程と、ｅ）戻り基板を、前記インターフェイス搬送機構から前記主搬送機構へ受け渡す工程と、ｆ）前記主搬送機構に、前記１以上の処理ユニットのうちの所定の処理ユニットに対して所定の順序で基板を搬送させていくことによって、戻り基板に対する一連の後処理を施す工程と、を備え、前記１以上の処理ユニットのうちの少なくとも１つの処理ユニットが、当該処理ユニットにて処理される基板を一時的に載置するために用いられる仮置部を有する仮置部付き処理ユニット、であり、前記ｂ）工程の基板の受け渡しと、前記ｅ）工程の基板の受け渡しとのうちの少なくとも一方を、前記仮置部を介して行う。

請求項１１の発明は、請求項１０に記載の基板処理方法であって、前記ｂ）工程の基板の受け渡しと、前記ｅ）工程の基板の受け渡しとの両方を、前記仮置部を介して行う。

請求項１２の発明は、請求項１０に記載の基板処理方法であって、前記ｂ）工程の基板の受け渡しを、前記主搬送機構と前記インターフェイス搬送機構との間に配置された基板載置部を介して行い、前記ｅ）工程の基板の受け渡しを前記仮置部を介して行う。

請求項１３の発明は、請求項１１または１２に記載の基板処理方法であって、前記ｅ）工程において、前記主搬送機構に前記仮置部に載置されている戻り基板を受け取らせると同時に、前記インターフェイス搬送機構に当該仮置部へ次の戻り基板を載置させる。

請求項１４の発明は、請求項１０から１３のいずれかに記載の基板処理方法であって、前記外部装置が、露光処理を実行する露光装置であり、前記仮置部付き処理ユニットが、前記露光処理に引き続いて実行される熱処理を行う熱処理ユニットであり、前記仮置部が、載置された基板を所定の温度に温調する温調手段、を備える。

請求項１、請求項１０の発明によると、主搬送機構とインターフェイス搬送機構との間での基板の受け渡しが、処理ユニットの仮置部を介して行われる。この構成によると、搬送機構間の間に配置され、基板を受け渡しするために設けられた所定の載置部を介して基板の受け渡しを行う場合に比べて、主搬送機構およびインターフェイス搬送機構のうちの少なくとも一方の搬送機構の搬送工程数を減らすことが可能となる。これによって、搬送機構の負荷を軽減することができる。

請求項２、請求項１１の発明によると、主搬送機構およびインターフェイス搬送機構の両方の搬送工程数を減らすことが可能となり、両方の搬送機構の負荷を軽減することができる。

請求項３、請求項１２の発明によると、インターフェイス搬送機構の搬送工程数を減らすことが可能となり、その負荷を軽減することができる。また、処理ユニット（すなわち、その仮置部が基板の受け渡しに用いられる処理ユニット）のオーバーヘッドタイムを抑えることができる。

請求項４、請求項１３の発明によると、処理ユニット（すなわち、その仮置部が基板の受け渡しに用いられる処理ユニット）のオーバーヘッドタイムをさらに短く抑えることができる。

請求項５の発明によると、送り基板を外部装置に向けて送れない場合に、基板載置部を介して送り基板の受け渡しを行うとともに、受け取られた送り基板を所定のバッファに収納させる搬送態様に切り換えるので、処理が止まることがない。これによって、スループットを確保することができる。

請求項６の発明によると、戻り基板を主搬送機構が受け取れない場合に、基板載置部を介して戻り基板の受け渡しを行うとともに、受け取られた戻り基板を所定のバッファに収納させる搬送態様に切り換えるので、処理が止まることがない。これによって、スループットを確保することができる。

請求項７、請求項１４の発明によると、露光処理に引き続いて実行される熱処理を行う熱処理ユニットの仮置部を介して基板を受け渡す。この仮置部は、載置された基板を所定の温度に温調する温調手段を備えているので、露光処理に引き続いて実行される熱処理後の基板を、主搬送機構に受け取られる直前まで所定の温度に温調しておくことができる。

請求項８の発明によると、仮置部付き処理ユニットを収納する筐体壁面の正面および側面に、それぞれ主搬送機構およびインターフェイス搬送機構をアクセスさせるための開口が形成される。したがって、装置レイアウトを効率的なものとしながら仮置部に２つの搬送機構をアクセスさせることができる。

請求項９の発明によると、仮置部付き処理ユニットの両側面のどちらにもインターフェイス搬送機構をアクセスさせる開口を形成することができるので、インターフェイス部が仮置部付き処理ユニットのどちら側に接続される場合であっても共通のユニットで対応することができる。これによって、生産性を向上させることができる。また、インターフェイス部の接続方向の変更に即時に対応することが可能となる。

この発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照される図には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が適宜付されている。

〈１．全体構成〉
基板処理装置（基板処理装置１）の全体構成について図１を参照しながら説明する。図１は、基板処理装置１の全体構成を模式的に示す平面図である。

この基板処理装置１は、露光処理の前後において、基板Ｗに塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。基板処理装置１は、主として、インデクサ部（ＩＤ部）１０、処理部２０およびインターフェイス（ＩＦ部）３０を備え、これら各部１０，２０，３０をこの順に並設した構成となっている。なお、ＩＦ部３０の−Ｙ側には、基板処理装置１とは別体の露光装置ＥＸＰが接続される。

また、基板処理装置１は、各部１０，２０，３０の動作を制御する制御部（メインコントローラ９０および第１〜第４コントローラ９１〜９４（図１０参照））を備えている。また、ユーザインターフェイスである操作部および表示部（いずれも図示省略）を備えている。制御部は、図示しないＬＡＮ回線等を通じて露光装置ＥＸＰとも接続されている。

さらに、基板処理装置１は、各搬送機構の間で基板Ｗを受け渡すための載置部を複数個備えている。

〈１−１．ＩＤ部〉
ＩＤ部１０は、複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣに対する基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＤ部１０は、複数個（この実施の形態においては４個）のキャリアＣを、１列に並べて載置するキャリア載置台１１と、基板Ｗを搬送する機構（ＩＤロボット）Ｔ１０とを備える。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であってもよい。

ＩＤロボットＴ１０は、キャリア載置台１１の側方を、キャリアＣの配列方向に沿って水平に移動する可動台１０１と、可動台１０１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸１０２と、昇降軸１０２を中心として旋回するとともに、旋回半径方向に進退するハンドＨ１０とを有している。ハンドＨ１０は、基板Ｗを保持して基板Ｗの受け渡しを行う。これにより、ＩＤロボットＴ１０は、キャリア載置台１１に載置されたキャリアＣと、ＰＡＳＳ１ａ，１ｂ・ＰＡＳＳ２ａ，２ｂとの間で基板Ｗを搬送することができる。

〈１−２．処理部〉
処理部２０は、積層配置された２つの基板処理列２０１，２０２を備える。各基板処理列２０１，２０２は、ＩＤ部１０とＩＦ部３０との間を結ぶ１つの処理列を構成する。

基板処理列２０１は、基板Ｗを搬送する機構（メインロボット）Ｔ２１と、メインロボットＴ２１の搬送スペースＡを挟んで互いに対向配置された、２つの処理ブロック（主として基板Ｗに対する熱処理を行う熱処理ブロック２１、および、主として基板Ｗに所定の処理液を供給する液処理を行う液処理ブロック２２）を備える。ただし、メインロボットＴ２１の搬送スペースＡは、ＩＤ部１０とＩＦ部３０とを結ぶよう、Ｙ方向に沿って形成されている。

基板処理列２０２は、基板処理列２０１と同様、基板Ｗを搬送する機構（メインロボット）Ｔ２２と、メインロボットＴ２２の搬送スペースＡを挟んで互いに対向配置された、２つの処理ブロック（熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２）を備える。

〈メインロボットＴ２１，Ｔ２２〉
メインロボットＴ２１，Ｔ２２について、図１、図３および図６を参照しながら説明する。なお、メインロボットＴ２１とメインロボットＴ２２とは同じ構成を有しているので、以下においてはメインロボットＴ２１について説明する。図３は、基板処理装置１を図１の矢印Ｑ２方向からみた縦断面図である。図６は、メインロボットＴ２１の構成を示す斜視図である。

搬送スペースＡの両端（Ｙ方向についての両端）には、上下方向（Ｚ方向）について垂直に案内する上下ガイドレール５１がそれぞれ配設されている。上下ガイドレール５１には、Ｙ方向について水平に案内する横ガイドレール５２の両端が摺動可能に取り付けられている。横ガイドレール５２には、横ガイドレール５２と直交する方向（Ｘ方向）に張り出すように設けられたベース部５３が摺動可能に取り付けられている。

横ガイドレール５２には、これを上下ガイドレール５１に沿う方向（Ｚ方向）に移動させる駆動機構（図示省略）が取り付けられている。また、ベース部５３には、これを横ガイドレール５２に沿う方向（Ｙ方向）に移動させる駆動機構（図示省略）が取り付けられている。これらの駆動機構が、横ガイドレール５２およびベース部５３をそれぞれ駆動制御することによって、ベース部５３をＹＺ平面上の任意の位置へと移動させることができる。すなわち、ベース部５３を、後述するＰＡＳＳや、各処理ユニット（後述する熱処理ブロック２１および液処理ブロック２２が備える各処理ユニット）に対向する位置に移動させることができる。

ベース部５３上には、縦軸心Ｑ周りに回転可能な回転台５４が設けられている。回転台５４には、基板Ｗを保持するハンドＨ２１が２つ取り付けられている。２つのハンドＨ２１は、上下に近接した位置に配置される。

回転台５４には、これを縦軸心Ｑを中心に回転させる駆動機構（図示省略）が取り付けられている。また、ハンドＨ２１のそれぞれには、これを回転台５４の旋回半径方向に沿って進退させる駆動機構（図示省略）が取り付けられている。ベース部５３を所定の処理部等に対向させた状態で、これら駆動機構が、回転台５４およびハンドＨ２１をそれぞれ駆動制御することによって、当該処理部等にハンドＨ２１をアクセスさせることができる。

〈熱処理ブロック２１〉
熱処理ブロック２１について、図１および図２を参照しながら説明する。図２は、基板処理装置１を図１の矢印Ｑ１方向からみた縦断面図である。熱処理ブロック２１は、隣接配置された複数のユニット列２１１を備える。

最もＩＤ部１０に近い側に配置されたユニット列２１１（第１ユニット列２１１ａ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の熱処理ユニット（より具体的には、３個の密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰと２個の冷却ユニットＣＰ）を備える。密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰは、基板Ｗに対して密着強化処理（レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを加熱する処理）を行う。冷却ユニットＣＰは、基板Ｗを冷却処理する。

第１ユニット列２１１ａのＩＦ部３０側に隣接配置されたユニット列２１１（第２ユニット列２１１ｂ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、５個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。熱処理ユニットＰ−ＨＰは、後述するように、基板Ｗを一時的に載置するための仮置部を備える処理ユニットであり、基板Ｗを熱処理する。

第２ユニット列２１１ｂのＩＦ部３０側に配置されたユニット列２１１（第３ユニット列２１１ｃ）は、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光部ＥＥＷを備える。その下側に、積層配置された複数個のバッファ（送りバッファ）を設けてもよい。

第３ユニット列２１１ｃのＩＦ部３０側に配置されたユニット列２１１（ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄ）は、積層配置された複数個（この実施の形態においては、３個）の熱処理ユニットＰ−ＨＰを備える。このユニット列２１１ｄに配置された熱処理ユニットＰ−ＨＰでは、露光に引き続いて行われる熱処理（ＰＥＢ（post-exposure-bake）処理）が実行される。以下において、このユニット列２１１ｄが備える熱処理ユニットＰ−ＨＰを、特に「ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）」という。ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の構成については、後に説明する。

以上が熱処理ブロック２１の全体構成である。

〈液処理ブロック２２〉
液処理ブロック２２について、図１および図４を参照しながら説明する。図４は、基板処理装置１を図１の矢印Ｑ３方向からみた縦断面図である。液処理ブロック２２は、積層配置された複数のユニット列２２１を備える。

最上段に配置されたユニット列２２１（現像ユニット列２２１ａ）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）の現像処理ユニットＤＥＶを備える。現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗに対して現像処理を行う。

現像ユニット列２２１ａの下側に配置されたユニット列２２１（レジストユニット列２２１ｂ）は、隣接配置された複数個（この実施の形態においては、２個）のレジスト塗布処理ユニットＲＥＳを備える。レジスト塗布処理ユニットＲＥＳは、基板Ｗに対してレジスト膜の塗布形成処理を行う。

以上が液処理ブロック２２の全体構成である。

〈１−３．ＩＦ部〉
再び図１を参照する。ＩＦ部３０は、処理部２０と露光装置ＥＸＰとの間での基板Ｗの受け渡しを行う。ＩＦ部３０は、インターフェイス搬送機構として、２つの搬送機構（ＰＥＢロボットＴ３１、ＩＦロボットＴ３２）とを備える。また、これら２つの搬送機構Ｔ３１，Ｔ３２の間で基板Ｗを受け渡しするために用いられる２個の基板載置部（ＩＦ送りＰＡＳＳ、ＩＦ戻りＰＡＳＳ）とを備える。

ＩＦ送りＰＡＳＳとＩＦ戻りＰＡＳＳとは互いに積層されて、２つの搬送機構Ｔ３１，Ｔ３２の間に配置される。また、図３に示すように、ＩＦ送りＰＡＳＳおよびＩＦ戻りＰＡＳＳの下側（もしくは上側）には、複数個のバッファＢＦを備える。バッファＢＦは、装置内で基板Ｗを一時的に収納する処理ユニットであり、複数枚の基板Ｗを収納することができる。

〈ＰＥＢロボットＴ３１〉
ＰＥＢロボットＴ３１について、図１および図５を参照しながら説明する。図５は、基板処理装置１を図１の矢印Ｑ４方向からみた縦断面図である。

ＰＥＢロボットＴ３１は、処理部２０から基板Ｗを受け取って、露光装置ＥＸＰに向けて送る（より具体的には、ＩＦロボットＴ３２を介して露光装置ＥＸＰに送る）とともに、露光装置ＥＸＰから送られた（より具体的には、ＩＦロボットＴ３２を介して露光装置ＥＸＰから受け取った）基板Ｗを、処理部２０に渡す搬送機構である。

ＰＥＢロボットＴ３１は、熱処理ブロック２１（より具体的には、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄ）に隣接し、かつ、ＩＦ送りＰＡＳＳおよびＩＦ戻りＰＡＳＳ（以下において、ＩＦＰＡＳＳと総称する。）を挟んでＩＦロボットＴ３２と対向する位置に固定的に配置された基台８３と、基台８３に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸８４と、昇降軸８４を中心として旋回するとともに旋回半径方向に進退するハンドＨ３１とを有している。ハンドＨ３１は、基板Ｗを保持して基板Ｗの受け渡しを行う。

昇降軸８４には、これを昇降させる駆動機構（図示省略）が取り付けられている。また、ハンドＨ３１には、これを旋回させる駆動機構（図示省略）と、旋回半径方向に沿って進退させる駆動機構（図示省略）とが取り付けられている。これら駆動機構が、昇降軸８４、ハンドＨ３１をそれぞれ駆動制御することによって、ハンドＨ３１を、熱処理ブロック２１（より具体的には、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ））、送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳ、ＩＦ送りＰＡＳＳ・ＩＦ戻りＰＡＳＳおよびバッファＢＦの各位置にアクセスさせることができる。

〈ＩＦロボットＴ３２〉
ＩＦロボットＴ３２について、引き続き図１および図５を参照しながら説明する。

ＩＦロボットＴ３２は、露光装置ＥＸＰ（より具体的には、露光装置ＥＸＰの基板受渡位置）に隣接し、かつ、ＩＦＰＡＳＳを挟んでＰＥＢロボットＴ３１と対向する位置に固定的に配置された基台８５と、基台８５に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸８６と、昇降軸８６を中心として旋回するとともに旋回半径方向に進退するハンドＨ３２とを有している。ハンドＨ３２は、基板Ｗを保持して基板Ｗの受け渡しを行う。

昇降軸８６には、これを昇降させる駆動機構（図示省略）が取り付けられている。また、ハンドＨ３２には、これを旋回させる駆動機構（図示省略）と、旋回半径方向に沿って進退させる駆動機構（図示省略）とが取り付けられている。これら駆動機構が、昇降軸８６、ハンドＨ３２をそれぞれ駆動制御することによって、ハンドＨ３２を、露光装置の基板受渡位置、ＩＦ送りＰＡＳＳ・ＩＦ戻りＰＡＳＳの各位置にアクセスさせることができる。

〈１−４．載置部〉
〈ＰＡＳＳ１ａ，１ｂ・ＰＡＳＳ２ａ，２ｂ〉
基板処理装置１は、ＩＤロボットＴ１０と基板処理列２０１の備える搬送機構（メインロボットＴ２１）との間で基板Ｗを受け渡す際に用いる載置部（ＰＡＳＳ１ａ，１ｂ）を備えている（図３参照）。また、ＩＤロボットＴ１０と基板処理列２０２の備える搬送機構（メインロボットＴ２２）との間で基板Ｗを受け渡す際に用いる載置部（ＰＡＳＳ２ａ，２ｂ）を備えている（図３参照）。

ＰＡＳＳ１ａ，１ｂは、ＩＤ部１０と基板処理列２０１との間に互いに積層して配置される。ＰＡＳＳ１ａは、ＩＤロボットＴ１０からメインロボットＴ２１へ未処理基板を受け渡す際に用いられる。また、ＰＡＳＳ１ａの下側に配置されたＰＡＳＳ１ｂは、メインロボットＴ２１からＩＤロボットＴ１０へ処理済基板を受け渡す際に用いられる。

ＰＡＳＳ２ａ，２ｂは、ＩＤ部１０と基板処理列２０２との間に互いに積層して配置される。ＰＡＳＳ２ａは、ＩＤロボットＴ１０からメインロボットＴ２２へ未処理基板を受け渡す際に用いられる。また、ＰＡＳＳ２ａの下側に配置されたＰＡＳＳ２ｂは、メインロボットＴ２２からＩＤロボットＴ１０へ処理済基板を受け渡す際に用いられる。

〈送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳ〉
基板処理装置１は、メインロボットＴ２１，Ｔ２２とＰＥＢロボットＴ３１との間で基板Ｗを受け渡す際に用いる載置部（送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳ）を備えている（図２および図５参照）。

送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳは、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄの上方に互いに積層して配置される。送りＰＡＳＳは、メインロボットＴ２１，Ｔ２２からＰＥＢロボットＴ３１へ送り基板（処理部２０から露光装置ＥＸＰに送られる基板）を受け渡す際に用いられる。また、送りＰＡＳＳの下側に配置された戻りＰＡＳＳは、ＰＥＢロボットＴ３１からメインロボットＴ２１，Ｔ２２へ戻り基板（露光装置ＥＸＰから処理部２０に戻される基板）を受け渡す際に用いられる。

〈ＩＦ送りＰＡＳＳ・ＩＦ戻りＰＡＳＳ〉
基板処理装置１は、ＰＥＢロボットＴ３１とＩＦロボットＴ３２との間で基板Ｗを受け渡す際に用いる載置部（ＩＦ送りＰＡＳＳ・ＩＦ戻りＰＡＳＳ）を備えている（図５参照）。

ＩＦ送りＰＡＳＳ・ＩＦ戻りＰＡＳＳは、上述の通り、ＰＥＢロボットＴ３１とＩＦロボットＴ３２との間に互いに積層して配置される。ＩＦ送りＰＡＳＳは、ＰＥＢロボットＴ３１からＩＦロボットＴ３２へ送り基板を受け渡す際に用いられる。また、ＩＦ送りＰＡＳＳの下側に配置されたＩＦ戻りＰＡＳＳは、ＩＦロボットＴ３２からＰＥＢロボットＴ３１へ戻り基板を受け渡す際に用いられる。

〈載置部の構成〉
上述した各載置部（ＰＡＳＳ１ａ，１ｂ、ＰＡＳＳ２ａ，２ｂ、送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳおよびＩＦ送りＰＡＳＳ・ＩＦ戻りＰＡＳＳ）（以下において、各載置部を特に区別しない場合は、単に「ＰＡＳＳ」と示す）は、図１に示すように、平板状のプレートＰＬと、プレートＰＬの表面に突出成型された複数個（この実施の形態においては３本）の支持ピンＰＩとを備える。ＰＡＳＳを介して基板Ｗを受け渡す場合、まず、基板Ｗを渡す側の搬送機構が、プレートＰＬ上に基板Ｗを載置する。載置された基板Ｗは、その裏面を各支持ピンＰＩにより点で支持され、プレートＰＬの上面から所定距離だけ離間した位置で水平姿勢で支持される。一方、基板Ｗを受ける側の搬送機構は、そのハンドをプレートＰＬの上面と基板Ｗの裏面との間に挿入し、支持ピンＰＩ上に支持された基板Ｗをすくい上げてそのハンド上に移載する。これによって、２つの搬送機構の間でＰＡＳＳを介して基板Ｗが受け渡される。

なお、特定のＰＡＳＳ（例えば、ＩＦ戻りＰＡＳＳ）については、冷却機能をもたせてもよい。すなわち、ＰＡＳＳを、搬送機構間で受け渡しされる基板Ｗを載置する機能部としてだけでなく、載置された基板Ｗを冷却する冷却ユニットとしても機能させてもよい（冷却機能付き載置部（ＰＡＳＳ−ＣＰ））。

この場合、支持ピンＰＩを、プレートＰＬに対して出没可能に構成するとともに、プレートＰＬに温度調整装置（例えば、吸熱および放熱を行う複数のペルチェ素子）を取り付ける。ＰＡＳＳ−ＣＰを介して基板Ｗを冷却しつつ受け渡す場合、まず、基板Ｗを渡す側の搬送ロボットが、プレートＰＬ上に基板Ｗを載置する。載置された基板Ｗは、その裏面を各支持ピンＰＩにより点で支持され、プレートＰＬの上面から所定距離だけ離間した位置で水平姿勢で支持される。続いて、支持ピンＰＩがその先端がプレートＰＬ上面よりも下側にくるような位置まで埋没する。すると、基板ＷはプレートＰＬ（すなわち、温度調整装置により所定の設定温度に温調されたプレートＰＬ）の上面により面で支持される。これによって基板Ｗが冷却される。所定時間が経過すると、支持ピンＰＩが再び支持位置まで上昇する。すると、基板Ｗを受ける側の搬送ロボットが、そのハンドをプレートＰＬの上面と基板Ｗの裏面との間に挿入し、支持ピンＰＩ上に支持された基板Ｗをすくい上げてそのハンド上に移載する。これによって、ＰＡＳＳ−ＣＰを介して基板Ｗが受け渡される。

〈１−５．ＰＥＢ処理ユニット〉
〈構成〉
ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）について、図７を参照しながら説明する。図７は、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）を示す概略斜視図である。なお、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）以外の熱処理ユニットＰ−ＨＰも、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）とほぼ同様の構成を備えている。ただし、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の筐体Ｋには、図７に示されるように、メインロボットＴ２１（もしくは、メインロボットＴ２２）がアクセスするための基板搬出入口Ｌ１と、ＰＥＢロボットＴ３１がアクセスするための基板搬出入口Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとが形成されているのに対し、それ以外の熱処理ユニットＰ−ＨＰは、メインロボットＴ２１（もしくは、メインロボットＴ２２）がアクセスするための基板搬出入口Ｌ１のみが形成される。

ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）は、基板Ｗを加熱する処理部（加熱部）Ｈと、加熱部Ｈにて処理される前後の基板Ｗを一時的に載置する仮置部Ｔと、加熱部Ｈと仮置部Ｔとの間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構ＬＲとを備える。

加熱部Ｈは、ニクロム線（ヒータ）等の加熱装置が取り付けられた平板状のプレート（ホットプレート）ＨＰと、ホットプレートＨＰに対して出没可能に構成された複数個（この実施の形態においては、３個）の支持ピンＰＩとを備える。

仮置部Ｔは、加熱部Ｈにて処理される前後の基板Ｗを一時的に載置する機能部としてだけでなく、基板Ｗを冷却する冷却部としても機能する。すなわち、仮置部Ｔは、温度調整装置（例えば、複数のペルチェ素子）が取り付けられた平板状のプレート（冷却プレート）ＣＰと、冷却プレートＣＰに対して出没可能に構成された複数個の支持ピンＰＩとを備える。

ローカル搬送機構ＬＲは、加熱部ＨのホットプレートＨＰと仮置部Ｔの冷却プレートＣＰとが配列された方向（図１においては、Ｘ方向）について水平に案内するガイドレール７１と、ガイドレール７１に摺動可能に取り付けられた移載ハンドＨ７とを備える。

移載ハンドＨ７には、駆動機構Ｍが取り付けられている。より具体的には、これをガイドレール７１に沿う方向に移動させる第１の駆動機構と、これを僅かに昇降移動させる第２の駆動機構が取り付けられている。第１の駆動機構が、移載ハンドＨ７を駆動制御することによって、移載ハンドＨ７を、仮置部Ｔの備える冷却プレートＣＰの上方位置と加熱部Ｈの備えるホットプレートＨＰの上方位置との間で移動させることができる。また、第２の駆動機構が、移載ハンドＨ７を駆動制御することによって、移載ハンドＨ７を、これがガイドレール７１に沿って移動する際の高さ位置（移動高さ位置）と、その裏面が冷却プレートＣＰの上面に接する位置（冷却位置）との間で移動させることができる。

〈レイアウト〉
ここで、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の配置について、図７に加え、図８および図９を参照しながらさらに説明する。図８は、基板処理装置１を図１の矢印Ｑ５方向からみた縦断面図である。図９は、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）を正面方向からみた縦断面図である。

ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）は、加熱部Ｈと仮置部Ｔとローカル搬送機構ＬＲとをその内部に収納する筐体Ｋを備えている。搬送スペースＡと仮置部Ｔとの間の筐体壁面（以下においてこの壁面を筐体Ｋの正面とする）には、メインロボットＴ２１（もしくは、メインロボットＴ２２）を仮置部Ｔにアクセスさせるための基板搬出入口Ｌ１が形成される。また、筐体Ｋの両側面には、ＰＥＢロボットＴ３１を仮置部Ｔにアクセスさせるための基板搬出入口Ｌ２ａ，Ｌ２ｂがそれぞれ形成されている。

図８に示すように、ローカル搬送機構ＬＲが備える駆動機構Ｍは、ＰＥＢロボットＴ３１により搬送される基板Ｗが移動する際の経路（パスライン）よりも低い位置に配置されている。すなわち、仮置部ＴにアクセスするＰＥＢロボットＴ３１のハンドＨ３１がローカル搬送機構ＬＲの駆動機構と干渉しないように、駆動機構Ｍの形状やＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）のレイアウトを調整しておく。例えば、ローカル搬送機構ＬＲの備える昇降駆動機構を、ボールネジとモータとをタイミングベルトの折り返しにより並行配置とすることによって、昇降駆動機構をパスラインよりも低い形状とすることができる。

なお、２つの側面にそれぞれ形成された基板搬出入口Ｌ２ａ，Ｌ２ｂのうち、実際にＰＥＢロボットＴ３１がアクセスするための搬出入口として用いられるのはいずれか一方のみである。どちらを実際の搬出入口として用いるかは、ＩＦ部３０の接続方向による。例えば、図８および図９（ａ）に示すように、ＩＦ部３０が筐体Ｋの正面からみて右側に接続される場合、筐体Ｋの右側面に形成された基板搬出入口（図９（ａ）の例では基板搬出入口Ｌ２ａ）を実際の搬出入口として用いる。この場合、実際の搬出入口として用いられない方の基板搬出入口Ｌ２ｂは、カバー部材等によって塞いでおく。逆に、図９（ｂ）に示すように、ＩＦ部３０が筐体Ｋの正面からみて左側に接続される場合、左側面に形成された基板搬出入口（図９の例では基板搬出入口Ｌ２ｂ）を実際の搬出入口として用い、他方の方の基板搬出入口Ｌ２ａはカバー部材等によって塞いでおく。

このように、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の筐体Ｋの両方の側面にＰＥＢロボットＴ３１がアクセスするための基板搬出入口を形成しておくことによって、ＩＦ部３０の接続方向がいずれであっても、同一のＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）で対応することができる。したがって、ＩＦ部３０の接続方向に応じるべくミラー対称ユニットを準備しておく必要がなく、生産性を向上させることができる。また、装置仕様の変更によりＩＦ部３０の接続方向が変更された場合であっても、基板搬出入口を変更するだけで即時に対応することが可能となる。

〈処理動作〉
ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）にて実行される処理の流れを説明する。なお、以下の処理は、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰを制御下におくコントローラ（後述する第４コントローラ９４）が、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の各構成部を制御することによって行われる。

被処理基板Ｗが仮置部Ｔの冷却プレートＣＰから突出する支持ピンＰＩ上に載置されると、支持ピンＰＩが支持位置から待避位置（その先端が冷却プレートＣＰ上面よりも下側にくる位置）まで埋没する。ただし、メインロボットＴ２１が基板Ｗを仮置部Ｔに搬入する時点において、ローカル搬送機構ＬＲの移載ハンドＨ７は冷却位置におかれている。したがって、基板Ｗは、移載ハンドＨ７を介して冷却プレートＣＰに載置された状態となる。つまり、基板Ｗの熱は移載ハンドＨ７を介して冷却プレートＣＰに流れ込み、これによって基板Ｗが冷却される。

続いて、移載ハンドＨ７が冷却位置から移動高さ位置まで移動し、さらに、ガイドレール７１に沿ってホットプレートＨＰの上方まで移動する。そして、当該位置で移載ハンドＨ７が下降する。これによって、移載ハンドＨ７上に保持されていた基板Ｗが、ホットプレートＨＰから突出する支持ピンＰＩ上に載置されることになる。

続いて、ホットプレートＨＰから突出する支持ピンＰＩが、支持位置から待避位置（その先端がホットプレートＨＰ上面よりも下側にくる位置）まで埋没する。すると、基板Ｗは、ホットプレートＨＰの上面（すなわち、加熱装置により所定の設定温度に温調されたホットプレートＨＰの上面）に載置された状態となる。所定時間ホットプレートＨＰ上に載置されることによって、基板Ｗが所定の処理温度まで昇温する。

基板Ｗに対する加熱処理が終了すると、ホットプレートＨＰの支持ピンＰＩが、待避位置から支持位置まで突出する。すると、基板Ｗは支持ピンＰＩで支持された状態となる。この状態で、ローカル搬送機構ＬＲが、その移載ハンドＨ７をホットプレートＨＰの上面と基板Ｗの裏面との間に挿入する。

続いて、移載ハンドＨ７が移動高さ位置まで移動し、さらに、ガイドレール７１に沿って冷却プレートＣＰの上方まで移動する。そして、当該位置で移載ハンドＨ７が下降する。これによって、移載ハンドＨ７上に保持されていた基板Ｗが、冷却プレートＣＰから突出する支持ピンＰＩ上に載置されることになる。

ローカル搬送機構ＬＲが、基板Ｗを、冷却プレートＣＰから突出する支持ピンＰＩ上に載置すると、支持ピンＰＩが、支持位置から待避位置まで埋没する。すると、基板Ｗは、移載ハンドＨ７を介して冷却プレートＣＰに載置された状態となり、これによって基板Ｗが冷却される。

基板Ｗに対する冷却処理が終了すると、冷却プレートＣＰの支持ピンＰＩが、待避位置から支持位置まで突出する。すると、基板Ｗは支持ピンＰＩで支持された状態となる。この状態で、所定の搬送機構（例えば、メインロボットＴ２１）が、そのハンドＨ２１を移載ハンドＨ７の上面と基板Ｗの裏面との間に挿入する。そして、支持ピンＰＩ上に支持された基板Ｗをすくい上げてハンドＨ２１上に移載し、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）内から基板Ｗを搬出する。以上が、熱処理ユニットＰ−ＨＰにて実行される処理の流れである。

〈１−６．制御系〉
基板処理装置の制御系について図１０を参照しながら説明する。図１０は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、複数個（この実施の形態においては４個）のコントローラ（第１コントローラ９１〜第４コントローラ９４）と、これら複数個のコントローラ９１〜９４と接続されたメインコントローラ９０とを備える。

第１コントローラ９１〜第４コントローラ９４およびメインコントローラ９０のそれぞれは、各種の処理を実行するＣＰＵ、演算処理の作業領域となるＲＡＭ、予め設定された（もしくは操作部、表示部等のユーザインターフェイスを介してオペレータより入力された）処理レシピ（処理プログラム）等の各種情報を記憶する記憶媒体（例えば、固定ディスク）等により実現されている。

第１コントローラ９１は、ＩＤロボットＴ１０の搬送動作を制御する。第２コントローラ９２は、メインロボットＴ２１の搬送動作と基板処理列２０１が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄを除く）それぞれの処理動作とを制御する。第３コントローラ９３は、メインロボットＴ２２の搬送動作と基板処理列２０２が備える処理ユニット（ただし、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄを除く）それぞれの処理動作とを制御する。第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１の搬送動作と、ＩＦロボットＴ３２の搬送動作と、基板処理列２０１，２０２のＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備えるＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）それぞれの処理動作とを制御する。なお、これら第１コントローラ９１〜第４コントローラ９４の各制御は、互いに独立して行われる。

メインコントローラ９０は、４個のコントローラ９１〜９４を統括的に制御する。すなわち、基板処理装置１の備える複数の搬送機構Ｔ１０，Ｔ２１，Ｔ２２，Ｔ３１，Ｔ３２の連携を制御する。例えば、各搬送機構が所定の載置部や処理ユニット等にアクセスするタイミング等を調整する。また、メインコントローラ９０は、基板Ｗが、キャリアＣから搬出されたのと同じ順序で各処理ユニットや露光装置ＥＸＰに搬入されるように各搬送機構を制御する。

〈２．基板処理装置の動作〉
基板処理装置１にて実行される処理の流れを説明する。基板処理装置１においては、上述した通り、第１〜第４コントローラ９１〜９４のそれぞれが、所定の搬送機構および所定の処理ユニットを制御することによって所定の処理が実行される。また、上述した通り、第１〜第４コントローラ９１〜９４は、メインコントローラ９０により統括的に制御される。

以下においては、第１〜第４コントローラ９１〜９４およびメインコントローラ９０の搬送制御の態様（各搬送機構にどのような搬送動作を実行させるか）を説明することによって、基板処理装置１にて実行される処理の流れを説明する。なお、ここでは４種類の搬送制御の態様を提案する。第１〜第４コントローラ９１〜９４およびメインコントローラ９０は、これら４種類のうちのいずれかの態様（例えば、オペレータにより選択された態様）で、各搬送機構を制御することができるものとする。

〈２−０．通常の搬送制御〉
４種類の搬送制御について説明する前に、通常の搬送制御（例えば特許文献２に開示されている基板処理装置のように基板載置部を介して搬送機構間の基板の受け渡しを行う装置構成において採用されている搬送制御の考え方を、上記基板処理装置１にそのまま用いた場合に行われることになる搬送制御）を、図１１を参照しながら説明する。図１１は、通常の搬送制御を行った場合に各搬送機構Ｔ１０，Ｔ２１（Ｔ２２），Ｔ３１，Ｔ３２が反復して行う動作の流れを示す図である。

〈ＩＤロボットの搬送動作〉
第１コントローラ９１は、ＩＤロボットＴ１０を、キャリア載置台１１に載置された複数のキャリアＣのうち、所定のキャリアＣに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｄ１）。ハンドＨ１０が基板Ｗ（基板処理列２０２で処理された基板）を保持している場合は、ここで、当該基板ＷをキャリアＣに収納させる。さらに、キャリアＣに収容された基板Ｗ（未処理基板）を一枚取り出してハンドＨ１０に保持させる。

続いて、ＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｄ２）。ここで、ハンドＨ１０が保持していた基板ＷをＰＡＳＳ１ａ上に載置させる。また、ＰＡＳＳ１ｂに基板Ｗ（基板処理列２０１にて処理された基板）が載置されている場合は、当該基板Ｗを保持させる。ＰＡＳＳ１ａに載置された基板Ｗは、基板処理列２０１にて処理されることになる。

続いて、所定のキャリアＣに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｄ３）。ここで、ハンドＨ１０が基板Ｗを保持している場合は、ここで、当該基板ＷをキャリアＣに収納させる。さらに、キャリアＣに収容されている基板Ｗ（未処理基板）を一枚取り出させる。

続いて、ＰＡＳＳ２ａ，ＰＡＳＳ２ｂに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｄ４）。ここで、ハンドＨ１０が保持していた基板ＷをＰＡＳＳ２ａ上に載置させる。また、ＰＡＳＳ２ｂに基板Ｗ（基板処理列２０２にて処理された基板）が載置されている場合は、当該基板Ｗを保持させる。ＰＡＳＳ２ａに載置された基板Ｗは、基板処理列２０２にて処理されることになる。

続いて、再び搬送工程Ｄ１を行わせる。第１コントローラ９１は、ＩＤロボットＴ１０に、以上の搬送動作を反復して実行させる。ＩＤロボットＴ１０が上述した一連の搬送工程Ｄ１〜Ｄ４を繰り返して行うことによって、キャリアＣに収容された未処理基板が交互に次々とＰＡＳＳ１ａおよびＰＡＳＳ２ａのそれぞれに搬送されていく。また、ＰＡＳＳ１ｂおよびＰＡＳＳ２ｂのそれぞれに載置された処理済基板が交互に次々とキャリアＣに収容されていく。

〈メインロボットの搬送動作〉
第２コントローラ９２は、メインロボットＴ２１を、ＰＡＳＳ１ａ，ＰＡＳＳ１ｂに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ１）。ここで、空のハンドＨ２１で、ＰＡＳＳ１ａに載置された基板Ｗ（未処理基板）を保持させるとともに、他方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（処理済基板）をＰＡＳＳ１ｂに載置させる。

続いて、熱処理ブロック２１内に配置された所定の冷却ユニットＣＰに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ２）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該冷却ユニットＣＰ内の基板Ｗ（冷却処理された基板）を保持させるとともに、他方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（未処理基板）を冷却ユニットＣＰ内のプレート上に載置させる。載置された基板Ｗは、当該冷却ユニットＣＰにて冷却処理される。

続いて、熱処理ブロック２１内に配置された所定の密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ３）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰ内の基板Ｗ（密着強化処理された基板）を保持させるとともに、他方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（冷却処理された基板）を密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰ内の仮置部Ｔに載置する。載置された基板Ｗは、当該密着強化処理ユニットＰ−ＡＨＰにて密着強化処理される。

続いて、液処理ブロック２２内に配置された所定のレジスト塗布処理ユニットＲＥＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ４）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該レジスト塗布処理ユニットＲＥＳ内の基板Ｗ（レジスト膜が塗布形成された基板）を保持させるとともに、他方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（密着強化処理された基板）を当該レジスト塗布処理ユニットＲＥＳ内の所定のレジスト処理セットＳＣが備える回転保持部３１に載置させる。載置された基板Ｗは、当該レジスト塗布処理ユニットＲＥＳにてレジスト膜を塗布形成される。

続いて、熱処理ブロック２１内に配置された第２ユニット列２１１ｂが備える熱処理ユニットＰ−ＨＰのうちの所定の熱処理ユニットに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ５）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該熱処理ユニットＰ−ＨＰ内の仮置部Ｔに載置された基板Ｗ（加熱処理された基板）を保持させるとともに、他方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（レジスト膜が塗布形成された基板）を当該仮置部Ｔに載置させる。載置された基板Ｗは、当該熱処理ユニットＰ−ＨＰにて加熱処理（塗布後ベーク）される。

続いて、熱処理ブロック２１内に配置された所定の冷却ユニットＣＰに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ６）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該冷却ユニットＣＰ内の基板Ｗ（冷却処理された基板）を保持させるとともに、他方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（加熱処理された基板）を冷却ユニットＣＰ内のプレート上に載置させる。載置された基板Ｗは、当該冷却ユニットＣＰにて冷却処理される。

続いて、熱処理ブロック２１内に配置された所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ７）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該エッジ露光部ＥＥＷ内の基板Ｗ（エッジ露光された基板）を保持させるとともに、他方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（冷却処理された基板）をエッジ露光部ＥＥＷ内に搬入させる。搬入された基板Ｗは、当該エッジ露光部ＥＥＷにてエッジ露光される。

続いて、送りＰＡＳＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ８）。ここで、一方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（エッジ露光された基板（送り基板））を送りＰＡＳＳに載置させる。載置された基板Ｗは、ＰＥＢロボットＴ３１により受け取られる。

続いて、戻りＰＡＳＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ９）。ここで、空のハンドＨ２１で、戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の戻り基板）を保持させる。

続いて、液処理ブロック２２内に配置された所定の現像処理ユニットＤＥＶに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ１０）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該現像処理ユニットＤＥＶ内の基板Ｗ（現像処理された基板）を保持させるとともに、他方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の戻り基板）を当該現像処理ユニットＤＥＶ内の所定の現像処理セットＳＤが備える回転保持部４１に載置させる。載置された基板Ｗは、当該現像処理ユニットＤＥＶにて現像処理される。

続いて、熱処理ブロック２１内に配置された第２ユニット列２１１ｂが備える熱処理ユニットＰ−ＨＰのうちの所定の熱処理ユニットに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ１１）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該熱処理ユニットＰ−ＨＰ内の仮置部Ｔに載置された基板Ｗ（加熱処理された基板）を保持させるとともに、他方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（現像処理された基板）を当該仮置部Ｔに載置させる。載置された基板Ｗは、当該熱処理ユニットＰ−ＨＰにて加熱処理される。

続いて、熱処理ブロック２１内に配置された所定の冷却ユニットＣＰに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ１２）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該冷却ユニットＣＰ内の基板Ｗ（冷却処理された基板）を保持させるとともに、他方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（加熱処理された基板）を冷却ユニットＣＰ内のプレート上に載置させる。載置された基板Ｗは、当該冷却ユニットＣＰにて冷却処理される。

続いて、再び搬送工程Ｅ１を行わせる。第２コントローラ９２は、メインロボットＴ２１に、以上の搬送動作を反復して実行させる。

なお、第３コントローラ９３は、メインロボットＴ２２に、上記と同様の搬送動作を実行させる。ただし、メインロボットＴ２１は基板処理列２０１の各処理ユニットおよびＰＡＳＳ１ａ，１ｂにアクセスするところ、メインロボットＴ２２は基板処理列２０２の各処理ユニットおよびＰＡＳＳ２ａ，２ｂにアクセスする。

〈ＰＥＢロボットの搬送動作〉
第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１を、送りＰＡＳＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ１）。ここで、ハンドＨ３１で、送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗ（送り基板）を保持させる。

続いて、ＩＦ送りＰＡＳＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ２）。ここで、ハンドＨ３１が保持していた基板Ｗ（送り基板）をＩＦ送りＰＡＳＳ上に載置させる。

続いて、ＩＦ戻りＰＡＳＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ３）。ここで、ハンドＨ３１で、ＩＦ戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理前の戻り基板）を保持させる。

続いて、所定のＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）に対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ４）。ここで、当該ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の仮置部Ｔに載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の戻り基板）を保持させる。また、ハンドＨ３１が保持していた基板Ｗ（ＰＥＢ処理前の戻り基板）を、当該ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の仮置部Ｔに載置させる。

仮置部Ｔに載置された基板Ｗは、ローカル搬送機構ＬＲによりホットプレートＨＰまで搬送され（搬送工程Ｈ１）、そこで加熱処理（ＰＥＢ処理）される。ＰＥＢ処理が終了すると、再びローカル搬送機構ＬＲにより仮置部Ｔまで搬送される（搬送工程Ｈ２）。

続いて、戻りＰＡＳＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ５）。ここで、ハンドＨ３１が保持していた基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の戻り基板）を、戻りＰＡＳＳに載置させる。

続いて、再び搬送工程Ｆ１を行わせる。第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、以上の搬送動作を反復して実行させる。

〈ＩＦロボットの搬送動作〉
第４コントローラ９４は、ＩＦロボットＴ３２を、ＩＦ送りＰＡＳＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｇ１）。ここで、ハンドＨ３１で、ＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗ（送り基板）を保持させる。

続いて、露光装置ＥＸＰの基板受渡部に対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｇ２）。ここで、露光装置から露光処理後の基板Ｗ（戻り基板）を受け取らせる。また、ハンドＨ３１が保持していた基板Ｗ（送り基板）を露光装置に渡させる。

続いて、ＩＦ戻りＰＡＳＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｇ３）。ここで、ハンドＨ３１が保持していた基板Ｗ（戻り基板）をＩＦ戻りＰＡＳＳ上に載置させる。

続いて、再び搬送工程Ｇ１を行わせる。第４コントローラ９４は、ＩＦロボットＴ３２に、以上の搬送動作を反復して実行させる。

〈搬送不順の場合〉
ところで、各種の要因によって、搬送動作が順調でなくなる場合がある。例えば、処理部２０の処理速度に比べて露光装置ＥＸＰの処理速度が遅い場合には、送り基板を露光装置ＥＸＰが受け入れられないといった事態が生じることがある（送り基板の搬送不順）。この場合、ＩＦロボットＴ３２がＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗ（送り基板）を取り出すことができない。ＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板ＷがＩＦロボットＴ３２により取り出されず、当該ＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない状態となっている場合、第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、上記の搬送工程Ｆ２に変えて、次の搬送工程Ｆ２ａ，Ｆ２ｂを行わせる。

すなわち、第４コントローラ９４は、搬送工程Ｆ１に続いて、ＰＥＢロボットＴ３１を、バッファＢＦに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ２ａ）。ここで、ハンドＨ３１が保持していた基板Ｗ（送り基板）をバッファＢＦに収納させる。ＩＦロボットＴ３２がＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗ（送り基板）を取り出すことが再び可能となると、第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、バッファＢＦに収納された基板Ｗ（送り基板）を、収納された順に搬出させて順次ＩＦ送りＰＡＳＳに載置させていく（搬送工程Ｆ２ｂ）。バッファＢＦに収納された基板Ｗが全て搬出されると、第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、再び上記の搬送工程Ｆ２を行わせる。

また例えば、ＰＥＢ処理後の基板Ｗを処理する処理ユニット（例えば現像処理ユニットＤＥＶ）にてトラブル等が発生して、当該処理ユニットに基板Ｗを搬入できない事態が生じることがある（戻り基板の搬送不順）。この場合、メインロボットＴ２１（もしくは、メインロボットＴ２２）が戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の戻り基板）を取り出すことができない。戻りＰＡＳＳに載置された基板ＷがメインロボットＴ２１により取り出されず、当該ＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない状態となっている場合、第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、上記の搬送工程Ｆ５に変えて、次の搬送工程Ｆ５ａ，Ｆ５ｂを行わせる。

すなわち、第４コントローラ９４は、搬送工程Ｆ４に続いて、ＰＥＢロボットＴ３１を、バッファＢＦに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ５ａ）。ここで、ハンドＨ３１が保持していた基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の戻り基板）をバッファＢＦに収納させる。メインロボットＴ２１が戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗを取り出すことが再び可能となると、第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、バッファＢＦに収納された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の戻り基板）を、収納された順に搬出させて順次戻りＰＡＳＳに載置させていく（搬送工程Ｆ５ｂ）。バッファＢＦに収納された基板Ｗが全て搬出されると、第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、再び上記の搬送工程Ｆ５を行わせる。

以上が、通常の搬送制御である。次に、基板処理装置１にて実際に実行させる４種類の搬送制御について説明する。

〈２−１．第１の搬送制御〉
第１の搬送制御について、図１２および図１３を参照しながら説明する。図１２は、基板Ｗを受け渡しする際のメインロボットＴ２１，Ｔ２２、ＰＥＢロボットＴ３１およびＩＦロボットＴ３２の動きを模式的に示す図である。図１３は、第１の搬送制御を行った場合に各搬送機構Ｔ１０，Ｔ２１（Ｔ２２），Ｔ３１，Ｔ３２が反復して行う動作の流れを示す図である。

第１の搬送制御においては、メインロボットＴ２１，Ｔ２２とＰＥＢロボットＴ３１との間での基板Ｗの受け渡しを、送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳを介してではなく、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の仮置部Ｔを介して行わせる。以下において、第２コントローラ９２がメインロボットＴ２１に実行させる搬送動作（第３コントローラ９３がメインロボットＴ２２に実行させる搬送動作もこれと同様である）および、第４コントローラ９４がＰＥＢロボットＴ３１に実行させる搬送動作について説明する。なお、第１コントローラ９１がＩＤロボットＴ１０を制御する態様、および第４コントローラ９４がＩＦロボットＴ３２を制御する態様は、上述した通常の搬送制御態様と同様であるので説明は省略する。

〈メインロボットの搬送動作〉
第２コントローラ９２は、メインロボットＴ２１に、上述した搬送工程Ｅ１〜Ｅ７と同じ同じ搬送動作を実行させる（搬送工程Ｅ１０１〜Ｅ１０７）。

続いて、所定のＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）に対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ１０８）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）内の仮置部Ｔに載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の戻り基板）を保持させる。また、一方のハンドＨ２１が保持している基板Ｗ（エッジ露光された基板（送り基板））を当該仮置部Ｔに載置させる。載置された基板Ｗは、ＰＥＢロボットＴ３１により受け取られる。

続いて、上述した搬送工程Ｅ１０〜Ｅ１２と同じ搬送動作を実行させる（搬送工程Ｅ１０９〜Ｅ１１１）。第２コントローラ９２は、メインロボットＴ２１に、以上の搬送動作を反復して実行させる。

〈ＰＥＢロボットの搬送動作〉
第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１を、所定のＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）に対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ１０１）。ここで、ハンドＨ３１で、当該ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）内の仮置部Ｔに載置された基板Ｗ（送り基板）を保持させる。また、ハンドＨ３１が保持していた基板Ｗ（ＰＥＢ処理前の戻り基板）を、当該ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）内の仮置部Ｔに載置させる。

仮置部Ｔに載置された基板Ｗは、ローカル搬送機構ＬＲによりホットプレートＨＰまで搬送され（搬送工程Ｈ１）、そこで加熱処理（ＰＥＢ処理）される。ＰＥＢ処理が終了すると、再びローカル搬送機構ＬＲにより仮置部Ｔまで搬送される（搬送工程Ｈ２）。

続いて、ＩＦ送りＰＡＳＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ１０２）。ここで、ハンドＨ３１に保持していた基板Ｗ（送り基板）をＩＦ送りＰＡＳＳ上に載置させる。

続いて、ＩＦ戻りＰＡＳＳに対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ１０３）。ここで、ハンドＨ３１で、ＩＦ戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理前の戻り基板）を保持させる。

続いて、再び搬送工程Ｆ１０１を行わせる。第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、以上の搬送動作を反復して実行させる。

〈効果〉
第１の搬送制御によると、メインロボットＴ２１，Ｔ２２の搬送工程数を、通常の搬送制御より１工程少なくすることができる。また、ＰＥＢロボットＴ３１の搬送工程数を、通常の搬送制御より２工程少なくすることができる。これにより、メインロボットＴ２１，Ｔ２２およびＰＥＢロボットＴ３１の負荷を軽減することができる。

また、ＰＥＢ処理後の基板Ｗを、ＰＥＢロボットＴ３１ではなく、メインロボットＴ２１，Ｔ２２に直接受け取らせて現像処理ユニットＤＥＶまで搬送させるので、基板Ｗを現像処理の直前までＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）内（より具体的には載置された基板Ｗを所定の温度に温調する機能を備える仮置部Ｔ内）におくことができる。したがって、ＰＥＢ処理後の基板Ｗを現像処理の直前まで所定温度に温調しておくことができる。

〈２−２．第２の搬送制御〉
第２の搬送制御について、図１４を参照しながら説明する。図１４は、第２の搬送制御を行った場合に各搬送機構Ｔ１０，Ｔ２１（Ｔ２２），Ｔ３１，Ｔ３２が反復して行う動作の流れを示す図である。

第２の搬送制御においては、ＰＥＢロボットＴ３１からメインロボットＴ２１への基板Ｗの受け渡しを、戻りＰＡＳＳを介してではなく、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の仮置部Ｔを介して行わせる。以下において、第２コントローラ９２がメインロボットＴ２１に実行させる搬送動作（第３コントローラ９３がメインロボットＴ２２に実行させる搬送動作もこれと同様である）および、第４コントローラ９４がＰＥＢロボットＴ３１に実行させる搬送動作について説明する。なお、第１コントローラ９１がＩＤロボットＴ１０を制御する態様、および第４コントローラ９４がＩＦロボットＴ３２を制御する態様は、上述した通常の搬送制御態様と同様であるので説明は省略する。

〈メインロボットの搬送動作〉
第２コントローラ９２は、メインロボットＴ２１に、上述した搬送工程Ｅ１〜Ｅ８と同じ同じ搬送動作を実行させる（搬送工程Ｅ２０１〜Ｅ２０８）。

続いて、所定のＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）に対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｅ２０９）。ここで、空のハンドＨ２１で、当該熱処理ユニットＰ−ＨＰ内の仮置部Ｔに載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の戻り基板））を保持させる。

続いて、上述した搬送工程Ｅ１０〜Ｅ１２と同じ搬送動作を実行させる（搬送工程Ｅ２１０〜Ｅ２１２）。第２コントローラ９２は、メインロボットＴ２１に、以上の搬送動作を反復して実行させる。

〈ＰＥＢロボットの搬送動作〉
第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、上述した搬送工程Ｆ１〜Ｆ３と同じ同じ搬送動作を実行させる（搬送工程Ｆ２０１〜Ｆ２０３）。

続いて、所定のＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）に対向する位置まで移動させる（搬送工程Ｆ２０４）。ここで、ハンドＨ３１に保持していた基板Ｗ（ＰＥＢ処理前の戻り基板）を、当該熱処理ユニットＰ−ＨＰ内の仮置部Ｔに載置させる。

仮置部Ｔに載置された基板Ｗは、ローカル搬送機構ＬＲによりホットプレートＨＰまで搬送され（搬送工程Ｈ１）、そこで加熱処理（ＰＥＢ処理）される。ＰＥＢ処理が終了すると、再びローカル搬送機構ＬＲにより仮置部Ｔまで搬送される（搬送工程Ｈ２）。

続いて、再び搬送工程Ｆ２０１を行わせる。第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、以上の搬送動作を反復して実行させる。

なお、上記の搬送制御を行っている際に、ＩＦロボットＴ３２がＩＦ送りＰＡＳＳに載置された基板Ｗ（送り基板）を取り出すことができない事態（送り基板の搬送不順）が生じた場合、第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１に、上記の搬送工程Ｆ２０２に代えて、上述した搬送工程Ｆ２ａ，Ｆ２ｂを実行させる（搬送工程Ｆ２０２ａ〜Ｆ２０２ｂ）。

〈効果〉
第２の搬送制御によると、ＰＥＢロボットＴ３１の搬送工程数を、通常の搬送制御より１工程少なくすることができる。これにより、ＰＥＢロボットＴ３１の負荷を軽減することができる。

また、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）のオーバーヘッドタイムを、第１の搬送制御の場合よりも短縮することができる。その理由は次の通りである。第１の搬送制御においては、ＰＥＢロボットＴ３１とメインロボットＴ２１との両方が、各熱処理ユニットＰ−ＨＰに対して基板入れ替え動作（仮置部Ｔに載置されている基板Ｗを取り出し、ハンドに保持している基板Ｗを仮置部Ｔに載置する一連の動作）を行う。したがって、それぞれのロボットの基板入れ替え動作に要する時間を例えば２．６秒とすると、熱処理ユニットＰ−ＨＰのオーバーヘッドタイムは５．２秒となる。一方、第２の搬送制御においては、各熱処理ユニットＰ−ＨＰに対して、ＰＥＢロボットＴ３１は、基板入れ替え動作ではなく、ハンドに保持している基板Ｗを仮置部Ｔに載置する動作を行うだけでよい。また、メインロボットＴ２１も、仮置部Ｔに載置されている基板Ｗを取り出す動作を行うだけでよい。したがって、熱処理ユニットＰ−ＨＰのオーバーヘッドタイムを第１の搬送制御に比べて短縮（例えば、５．２秒かかっていたオーバーヘッドタイムを３．９秒まで短縮）することができる。

また、送り基板の搬送不順が生じた場合は、送り基板Ｗを順次バッファＢＦに収納していく。したがって、搬送不順が生じた場合であっても処理が止まることがなく、スループットを確保することができる。また、バッファＢＦに収納された基板Ｗは、その処理順序を維持したまま再び搬出されるので、基板Ｗの処理順序が維持される。したがって、基板Ｗの処理不良が発生させることなく処理を継続することができる。

〈２−３．第３の搬送制御〉
第３の搬送制御について説明する。第３の搬送制御では、第１〜第４コントローラ９１〜９４がＩＤロボットＴ１０、メインロボットＴ２１、メインロボットＴ２２、ＰＥＢロボットＴ３１、およびＩＦロボットＴ３２のそれぞれを、上述した第２の搬送制御態様で制御する。すなわち、各搬送機構が実行する搬送動作は、第２の搬送制御に係る搬送動作と同じである。

第３の搬送制御においては、コントローラ９０が、第２コントローラ９２、第３コントローラ９３および第４コントローラ９４を連携させて、メインロボットＴ２１，Ｔ２２と、ＰＥＢロボットＴ３１とを同期させる。より具体的には、メインコントローラ９０は、第２コントローラ９２がメインロボットＴ２１に仮置部Ｔに載置されているＰＥＢ処理後の戻り基板Ｗを保持させるタイミング（搬送工程Ｅ２０９）と、第４コントローラ９４がＰＥＢロボットＴ３１に当該仮置部ＴにＰＥＢ処理前の戻り基板Ｗを載置させるタイミング（搬送工程Ｆ２０４）とが同時になるように各コントローラ９２，９４をタイミング制御する。また同様に、第３コントローラ９３がメインロボットＴ２２に仮置部Ｔに載置されているＰＥＢ処理後の戻り基板Ｗを保持させるタイミングと、第４コントローラ９４がＰＥＢロボットＴ３１に当該仮置部ＴにＰＥＢ処理前の戻り基板Ｗを載置させるタイミングとが同時になるように各コントローラ９３，９４をタイミング制御する。

〈効果〉
第３の搬送制御によると、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）のオーバーヘッドタイムを、第２の搬送制御の場合よりもさらに短縮することができる。その理由は次の通りである。第３の搬送制御においては、各ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）に対して、ＰＥＢロボットＴ３１がハンドに保持している基板Ｗ（ＰＥＢ処理前の基板）を仮置部Ｔに載置する動作と、メインロボットＴ２１が、仮置部Ｔに載置されている基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の基板）を取り出す動作とが同時に行われる。すなわち、１個の搬送機構により１回の基板入れ替え動作を行う場合と同じオーバーヘッドタイムですんでしまう。したがって、１個の搬送機構が１回の基板入れ替え動作に要する時間を例えば２．６秒とすると、第１の搬送制御では５．２秒であったオーバーヘッドタイムが、第３の搬送制御ではその半分の２．６秒となる。このように、ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）のオーバーヘッドタイムを第１の搬送制御や第２の搬送制御に比べて短縮することができる。

第１〜第３の各搬送制御を比較すると、上述した通り、搬送機構の負荷が最も小さいのは第１の搬送制御である。一方、オーバーヘッドタイムは、第３の搬送制御、第２の搬送制御、第１の搬送制御の順で短くなる。例えば、装置内に搭載できるＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の個数が比較的少なく、各ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）での処理枚数をなるべく多く確保する必要がある場合は、オーバーヘッドタイムをなるべく短く抑える必要がある。この場合は、第２、もしくは第３の搬送制御を採用することが望ましい。一方、搭載できるＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の個数が比較的多く、オーバーヘッドタイムにある程度の余裕が許される場合は、搬送機構の負荷が小さい第１の搬送制御を採用すればよい。このように、基板処理装置１の仕様等に応じて、最適な搬送制御を選択して実行することができる。

〈２−４．第４の搬送制御〉
第４の搬送制御について説明する。第４の搬送制御では、平常時（搬送不順がなく順調に基板Ｗが搬送されている時）においては、第１〜第４コントローラ９１〜９４がＩＤロボットＴ１０、メインロボットＴ２１、メインロボットＴ２２、ＰＥＢロボットＴ３１、およびＩＦロボットＴ３２のそれぞれを、上述した第２の搬送制御態様（もしくは、第１、第３の搬送制御態様であってもよい）で制御する。すなわち、平常時においては、各搬送機構が実行する搬送動作は、第２の搬送制御に係る搬送動作と同じである。

一方、第２の搬送制御を行っている際に、メインロボットＴ２１（もしくは、メインロボットＴ２２）が戻りＰＡＳＳに載置された基板Ｗ（ＰＥＢ処理後の戻り基板）を取り出すことができない事態（戻り基板の搬送不順）が生じた場合、第２〜第４コントローラ９２〜９４は、メインロボットＴ２１、メインロボットＴ２２およびＰＥＢロボットＴ３１のそれぞれの搬送制御を、上述した通常の搬送制御に切り換える。特に、第４コントローラ９４は、ＰＥＢロボットＴ３１の搬送制御を、上述した戻り基板Ｗの搬送不順の場合の搬送制御（搬送工程Ｆ５に代えて、搬送工程Ｆ５ａ，搬送工程Ｆ５ｂを行わせる搬送制御）に切り換える。

ただし、バッファＢＦに収納された基板Ｗが全て搬出されると、第２〜第４コントローラ９２〜９４は、メインロボットＴ２１、メインロボットＴ２２およびＰＥＢロボットＴ３１のそれぞれの搬送制御を、通常の搬送制御から再び第２の搬送制御（もしくは、第１、第３の搬送制御態様）に切り換える。

〈効果〉
第４の搬送制御によると、戻り基板の搬送不順が生じた場合は、搬送制御の態様を通常の搬送制御に切り換えて、メインロボットＴ２１とＰＥＢロボットＴ３１との間の基板Ｗの受け渡しを、送りＰＡＳＳ・戻りＰＡＳＳを介して行わせるとともに、露光処理後の戻り基板Ｗを順次バッファＢＦに収納していく。したがって、搬送不順が生じた場合であっても処理が止まることがなく、スループットを確保することができる。また、バッファＢＦに収納された基板Ｗは、その処理順序を維持したまま再び搬出されるので、基板Ｗの処理順序が維持される。したがって、基板Ｗの処理不良が発生させることなく処理を継続することができる。

また、バッファＢＦ内の基板Ｗが全て搬出されると、再び第２の搬送制御（もしくは、第１、第３の搬送制御態様）に切り換えるので、上述した各効果を得ることができる。

〈３．変形例〉
上記の各実施の形態においては、基板処理装置１は、処理部２０において積層配置された基板処理列２０１，２０２を１個備える構成としたが、このような基板処理列を複数個隣接配置する構成としてもよい。

また、上記の実施の形態に係る熱処理ブロック２１や液処理ブロック２２のユニット構成は上記のものに限らない。例えば、ＰＥＢ処理ユニット列２１１ｄが備えるＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ）の個数は３個ではなく５個であってもよい。

また、上記の実施の形態においては、メインロボットＴ２１とＰＥＢロボットＴ３１とが、ＰＥＢ処理を行う処理ユニット（ＰＥＢ処理ユニットＰ−ＨＰ（ＰＥＢ））の仮置部Ｔを介して基板Ｗを受け渡す構成としたが、その仮置部Ｔが搬送機構間の基板Ｗの受け渡しに用いられる処理ユニットは、必ずしもＰＥＢ処理を行う処理ユニットでなくともよい。

また、上記の実施の形態においては、基板処理装置１に隣接配置されるのは露光装置ＥＸＰであるとしたが、その他の各種の装置が隣接配置されてもよい。

基板処理装置の全体構成を模式的に示す平面図である。 基板処理装置を矢印Ｑ１方向からみた縦断面図である。 基板処理装置を矢印Ｑ２方向からみた縦断面図である。 基板処理装置を矢印Ｑ３方向からみた縦断面図である。 基板処理装置を矢印Ｑ４方向からみた縦断面図である。 メインロボットの構成を示す斜視図である。 ＰＥＢ処理ユニットの概略斜視図である。 基板処理装置を矢印Ｑ５方向からみた縦断面図である。 ＰＥＢ処理ユニットを正面方向からみた縦断面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 通常の搬送制御を行った場合に各搬送機構が反復して行う動作の流れを示す図である。 基板を受け渡しする際の搬送機構の動きを模式的に示す図である。 第１の搬送制御を行った場合に各搬送機構が反復して行う動作の流れを示す図である。 第２の搬送制御を行った場合に各搬送機構が反復して行う動作の流れを示す図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
１０ ＩＤ部
２０ 処理部
３０ ＩＦ部
Ｔ１０ ＩＤロボット
Ｔ２１，Ｔ２２ メインロボット
Ｔ３１ ＰＥＢロボット
Ｔ３２ ＩＦロボット
Ｐ−ＨＰ（ＰＥＢ） ＰＥＢ処理ユニット
Ｔ 仮置部
Ｈ 加熱部
ＬＲ ローカル搬送機構

Claims (14)

1. 基板に処理を行う基板処理装置において、
   それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の処理ユニットと、前記１以上の処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構とを備える処理部と、
   前記処理部から基板を受け取って前記基板処理装置に隣接して配置される外部装置に向けて送るとともに、前記外部装置から送られた基板を前記処理部に渡すインターフェイス搬送機構と、
   前記主搬送機構および前記インターフェイス搬送機構を駆動制御する搬送制御手段と、
   を備え、
   前記１以上の処理ユニットが、
   １以上の仮置部付き処理ユニット、
   を備え、
   前記仮置部付き処理ユニットが、
   基板を一時的に載置するための仮置部と、
   所定の処理位置におかれた基板に対して所定の処理を実行する処理手段と、
   前記仮置部に載置された基板を前記所定の処理位置まで搬送するとともに、前記処理手段にて処理された基板を前記所定の処理位置から前記仮置部まで搬送するローカル搬送機構と、
   を備え、
   前記搬送制御手段が、
   前記主搬送機構と前記インターフェイス搬送機構との間の基板の受け渡しを前記仮置部を介して行わせることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記搬送制御手段が、
   前記処理部から前記外部装置に送られる送り基板を前記主搬送機構から前記インターフェイス搬送機構へ受け渡す場合と、前記外部装置から前記処理部に戻される戻り基板を前記インターフェイス搬送機構から前記主搬送機構へ受け渡す場合とのいずれの場合も、その受け渡しを前記仮置部を介して行わせることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記主搬送機構と前記インターフェイス搬送機構との間に配置された基板載置部、
   を備え、
   前記搬送制御手段が、
   前記処理部から前記外部装置に送られる送り基板を前記主搬送機構から前記インターフェイス搬送機構へ受け渡す場合に、その受け渡しを前記基板載置部を介して行わせ、前記外部装置から前記処理部に戻される戻り基板を前記インターフェイス搬送機構から前記主搬送機構へ受け渡す場合に、その受け渡しを前記仮置部を介して行わせることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項２または３に記載の基板処理装置であって、
   前記搬送制御手段が、
   前記主搬送機構に前記仮置部に載置されている戻り基板を受け取らせると同時に、前記インターフェイス搬送機構に当該仮置部へ次の戻り基板を載置させることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項３または４に記載の基板処理装置であって、
   前記搬送制御手段が、
   送り基板を前記インターフェイス搬送機構が前記外部装置に向けて送れない場合に、
   前記インターフェイス搬送機構に、前記主搬送機構から受け取った送り基板を所定のバッファに収納させることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項２から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記主搬送機構と前記インターフェイス搬送機構との間に配置された基板載置部、
   を備え、
   前記搬送制御手段が、
   戻り基板を前記主搬送機構が受け取れない場合に、
   前記処理部から前記外部装置に送られる送り基板を前記主搬送機構から前記インターフェイス搬送機構へ受け渡す場合と、前記外部装置から前記処理部に戻される戻り基板を前記インターフェイス搬送機構から前記主搬送機構へ受け渡す場合とのいずれの場合も、その受け渡しを前記基板載置部を介して行わせるとともに、前記インターフェイス搬送機構に、前記仮置部付き処理ユニットの処理手段により処理を施されて前記仮置部に載置された基板を取り出させて、所定のバッファに収納させることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記外部装置が、露光処理を実行する露光装置であり、
   前記仮置部付き処理ユニットが、前記露光処理に引き続いて実行される熱処理を行う熱処理ユニットであり、
   前記仮置部が、
   載置された基板を所定の温度に温調する温調手段、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
8. 基板に処理を行う基板処理装置において、
   未処理の基板を外部から搬入するとともに、処理済みの基板を外部に搬出するインデクサ搬送機構を備えるインデクサ部と、
   所定の搬送経路に面して配置され、それぞれが基板に対して所定の処理を行う１以上の処理ユニットと、前記所定の搬送経路に沿って移動しながら前記１以上の処理ユニットに所定の順序で基板を搬送していく主搬送機構と、を備える処理部と、
   前記処理部に隣接して配置され、前記処理部から基板を受け取って前記基板処理装置に隣接して配置される外部装置に向けて送るとともに前記外部装置から送られた基板を前記処理部に渡すインターフェイス搬送機構を備えるインターフェイス部と、
   前記インデクサ搬送機構、前記主搬送機構および前記インターフェイス搬送機構を駆動制御する搬送制御手段と、
   を備え、
   前記１以上の処理ユニットが、
   １以上の仮置部付き処理ユニット、
   を備え、
   前記仮置部付き処理ユニットが、
   基板を一時的に載置するための仮置部と、
   所定の処理位置におかれた基板に対して所定の処理を実行する処理手段と、
   前記仮置部に載置された基板を前記所定の処理位置まで搬送するとともに、前記処理手段にて処理された基板を前記所定の処理位置から前記仮置部まで搬送するローカル搬送機構と、
   前記主搬送機構を前記仮置部にアクセス可能とさせるために、前記仮置部付き処理ユニットを収納する筐体の壁面であって前記搬送経路に対向する側の面に形成された第１の開口と、
   前記インターフェイス搬送機構を前記仮置部にアクセス可能とさせるために、前記筐体の壁面であって、前記第１の開口が形成された面を正面とした場合に側面にあたる面に形成された第２の開口と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置であって、
   前記ローカル搬送機構の搬送駆動部を、前記仮置部と前記インターフェイス搬送機構との間で搬送される基板の移動経路よりも低い位置に配置して、前記第２の開口を、前記第１の開口が形成された面を正面とした場合の両側面に形成可能としたことを特徴とする基板処理装置。
10. 基板に処理を行う基板処理方法において、
    ａ）主搬送機構に、それぞれが基板に対する所定の処理を行う１以上の処理ユニットのうちの所定の処理ユニットに対して所定の順序で基板を搬送させていくことによって、基板に対する一連の前処理を施す工程と、
    ｂ）前記前処理を施された基板を、送り基板として前記主搬送機構からインターフェイス搬送機構へ受け渡す工程と、
    ｃ）前記インターフェイス搬送機構に、送り基板を所定の外部装置に送らせる工程と、
    ｄ）前記インターフェイス搬送機構に、前記所定の外部装置にて所定の処理が施された基板を、戻り基板として前記所定の外部装置から受け取らせる工程と、
    ｅ）戻り基板を、前記インターフェイス搬送機構から前記主搬送機構へ受け渡す工程と、
    ｆ）前記主搬送機構に、前記１以上の処理ユニットのうちの所定の処理ユニットに対して所定の順序で基板を搬送させていくことによって、戻り基板に対する一連の後処理を施す工程と、
    を備え、
    前記１以上の処理ユニットのうちの少なくとも１つの処理ユニットが、当該処理ユニットにて処理される基板を一時的に載置するために用いられる仮置部を有する仮置部付き処理ユニット、
    であり、
    前記ｂ）工程の基板の受け渡しと、前記ｅ）工程の基板の受け渡しとのうちの少なくとも一方を、前記仮置部を介して行うことを特徴とする基板処理方法。
11. 請求項１０に記載の基板処理方法であって、
    前記ｂ）工程の基板の受け渡しと、前記ｅ）工程の基板の受け渡しとの両方を、前記仮置部を介して行うことを特徴とする基板処理方法。
12. 請求項１０に記載の基板処理方法であって、
    前記ｂ）工程の基板の受け渡しを、前記主搬送機構と前記インターフェイス搬送機構との間に配置された基板載置部を介して行い、前記ｅ）工程の基板の受け渡しを前記仮置部を介して行うことを特徴とする基板処理方法。
13. 請求項１１または１２に記載の基板処理方法であって、
    前記ｅ）工程において、前記主搬送機構に前記仮置部に載置されている戻り基板を受け取らせると同時に、前記インターフェイス搬送機構に当該仮置部へ次の戻り基板を載置させることを特徴とする基板処理方法。
14. 請求項１０から１３のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記外部装置が、露光処理を実行する露光装置であり、
    前記仮置部付き処理ユニットが、前記露光処理に引き続いて実行される熱処理を行う熱処理ユニットであり、
    前記仮置部が、
    載置された基板を所定の温度に温調する温調手段、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。

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