JP2001351852A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2001351852A
JP2001351852A JP2000172338A JP2000172338A JP2001351852A JP 2001351852 A JP2001351852 A JP 2001351852A JP 2000172338 A JP2000172338 A JP 2000172338A JP 2000172338 A JP2000172338 A JP 2000172338A JP 2001351852 A JP2001351852 A JP 2001351852A
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substrate
unit
processing
processing apparatus
units
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JP2000172338A
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Kiyohisa Tateyama
清久 立山
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】フットプリントを低く抑えながら、同時に、ユ
ニット数を増加させることができる基板処理装置の提供
を目的としている。 【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板を回転させ
て処理する複数の回転系ユニット19,30,31と、
基板を回転させることなく加熱・冷却処理する複数の熱
系ユニット20〜23,32〜34と、基板を搬送して
前記各ユニットに搬出入する搬送装置15,25の移動
経路を形成する搬送路16,24とを備え、回転系ユニ
ット19,30,31は搬送路15,25に沿って並設
され、熱系ユニット20〜23,32〜34は多段に積
み重ねて配置されるとともに搬送路15,25上もしく
はその延長線上の一点を取り囲むように配列されている
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
(LCD)基板等に薄膜や回路パターンを形成するため
の基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイ(LCD)の製造にお
いては、ガラス製の矩形のLCD基板にフォトレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応
してレジスト膜を露光し、これを現像するという、いわ
ゆるフォトリソグラフィ技術により回路パターンが形成
される。
【0003】このような回路パターンを形成する処理に
おいて、矩形のLCD基板は、まず洗浄処理が施され、
その後、加熱乾燥処理が施されて冷却され、レジスト液
が塗布される。このレジスト液の塗布工程において、L
CD基板は、レジストの定着性を高めるために、アドヒ
ージョン処理ユニットにて疎水化処理(HMDS処理)
が施され、冷却ユニットで冷却された後、レジスト塗布
ユニットに搬入される。
【0004】レジスト塗布ユニットでは、矩形の基板が
スピンチャック上に保持された状態で回転され、スピン
チャックの上方に設けられたノズルから回転する基板の
表面中心部にレジスト液が供給される。この時、レジス
ト液は基板の回転による遠心力によって拡散され、これ
により、基板の表面全体にレジスト液が塗布される。
【0005】レジスト液が塗布された基板は、その後、
周縁部処理ユニットに搬入され、ここで周縁の余分なレ
ジストが除去される。その後、基板は、加熱処理装置に
搬入されてプリベーグ処理が施され、冷却処理装置で冷
却された後、露光装置に搬送されて、そこで所定のパタ
ーンが露光される。そして、露光された基板は、最終的
に現像処理ユニットに搬入され、ここでレジスト膜に露
光された回路パターンが現像され、さらに、加熱処理装
置でポストベーグ処理が施される。
【0006】このような一連の処理を行なう基板処理装
置は、一般に、基板を回転させて洗浄処理、レジスト塗
布処理、現像処理を行なういわゆる回転系のユニット
と、加熱・冷却処理やアドヒージョン処理を行なういわ
ゆる熱系のユニットとが、基板を搬送するための搬送路
に沿って直列的に並設されることによって構成されてい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近のよう
に、回路の高集積化・微細化の要求が高まり、また、基
板が大型化し、工程が複雑化してユニットの数が増加す
ると、それに伴って、処理装置のフットプリントも大き
くなる。クリーンルームの単位面積当たりの製造、維持
管理コストは非常に高いため、クリーンルームの床面積
を有効に利用することが望まれるが、各ユニットが単に
搬送路に沿って並設される従来の構成では、フットプリ
ントを小さくしようとすれば、ユニット数の増加に限界
があり、一方、ユニット数を増加してスループットの向
上を図ろうとすると、フットプリントが大きくなってし
まう。
【0008】ユニット数の増加およびフットプリントの
削減という互いに相反する2つの条件を同時に満たすこ
とができてこそ、高度化・複雑化する基板処理のニーズ
に十分に対応することができ、また、そのような装置の
出現が強く望まれている。
【0009】本発明は前記事情に着目してなされたもの
であり、その目的とするところは、フットプリントを低
く抑えながら、同時に、ユニット数を増加させることが
できる基板処理装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、基板に塗布液を塗布して薄膜を形成する
とともに、回路パターンに対応して露光された前記薄膜
を現像する基板処理装置において、基板を回転させて処
理する複数の回転系ユニットと、基板を回転させること
なく加熱・冷却処理する複数の熱系ユニットと、基板を
搬送して前記各ユニットに搬出入する搬送装置の移動経
路を形成する搬送路とを備え、前記回転系ユニットは前
記搬送路に沿って並設され、前記熱系ユニットは多段に
積み重ねて配置されるとともに前記搬送路上もしくはそ
の延長線上の一点を取り囲むように配列されていること
を特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について詳細に説明する。
【0012】図1〜図5は本発明をLCD基板の塗布現
像処理システム(基板処理装置)1に適用した第1の実
施形態を示している。この塗布現像処理システム1は、
LCD基板に対してレジスト液を塗布した後、図に2で
示す露光システム(EXP)に一旦受け渡し、この露光
システム2によって露光処理された後の基板を再度受け
取って現像処理を行なう。
【0013】このような一連の処理を行なうため、この
塗布現像処理システム1は、LCD基板のローディング
およびアンローディングを行なうためのローダ/アンロ
ーダ部3と、基板を回転させて洗浄処理を行なうための
第1の回転系プロセス部4と、主に加熱・冷却処理を行
なうための第1の熱系プロセス部5と、基板を回転させ
てレジスト液の塗布(コーティング)および周縁レジス
ト除去処理等を行なうとともに現像処理を行なうための
第2の回転系プロセス部6と、加熱・冷却処理を行なう
ための第2の熱系プロセス部7と、露光システム2との
間で基板の受け渡しを行なうためのインターフェース部
(I.F.)8とを備えている。
【0014】ローダ/アンローダ部3は、カセット載置
台10と搬送部(CS)11とを備えている。カセット
載置台10上には2種類のカセットC1,C2が載置さ
れている。例えば、第1のカセットC1には処理前のL
CD基板が収納され、第2のカセットC2には処理後の
LCD基板が収納される。
【0015】また、搬送部11には、第1のサブアーム
機構13が設けられている。この第1のサブアーム機構
13は、基板を保持できるアーム14を有し、このアー
ム14を旋回させ進退させ上下させることにより、第1
のカセットC1に収納された基板を取り出して第1の回
転系プロセス部4側に受け渡せるようになっている。な
お、全ての処理が終了した基板は、この第1のサブアー
ム機構13によって、例えば第1の回転系プロセス部4
側から第2のカセットC2へと収納される。
【0016】第1の回転系プロセス部4は、第1のサブ
アーム機構13から基板を受け取る第1のメインアーム
機構15を有している。このメインアーム機構15は、
Y方向に沿って延設された第1の中央搬送路16上を走
行するベース17と、このベース17上で旋回、進退、
上下駆動される例えばアーム18とを備えている。
【0017】第1のメインアーム機構15の一方側に
は、中央搬送路16に沿って、例えばブラシスクラバか
らなる2つの洗浄ユニット(SCR)19が並設されて
いる。また、第1のメインアーム機構15の他方側に
は、中央搬送路16に沿って、有機物洗浄を行なうエキ
シマユニット(Excimer Unit)12と、ブラシスクラバ
からなる洗浄ユニット(SCR)19とがそれぞれ並設
されている。
【0018】第1のメインアーム機構15は、ローダ/
アンローダ部3から受け取った基板を各処理ユニット1
2,19若しくは第1の熱系プロセス部5に搬入すると
ともに、必要な処理が施された基板を各処理ユニット1
2,19から取り出して順次別の処理ユニット12,1
9若しくは第1の熱系プロセス部5に搬送するようにな
っている。
【0019】第1の熱系プロセス部5は第1の中央搬送
路16と直列(中央搬送路16の延長線上)に配置され
ている。この第1の熱系プロセス部5には、第2のサブ
アーム機構13Aが設けられている。この第2のサブア
ーム機構13Aは、基板を保持できるアーム14を有
し、このアーム14を旋回させ進退させ上下させること
により、基板を後述する周囲の処理ユニットの所定の装
置に受け渡せるようになっている。
【0020】第2のサブアーム機構13Aの周囲には、
第1のポストベーク処理ユニット20と、アドヒージョ
ン処理/冷却ユニット21と、第2のポストベーク処理
ユニット22と、加熱処理/冷却ユニット23とが、第
2のサブアーム機構13Aを外側から取り囲むようにし
て設けられている。この場合、第1および第2のポスト
ベーク処理ユニット20,22は、ポストベーク処理を
行なう3つの加熱処理装置(POST)を上下3段に積
み重ねることによって構成され、第2のサブアーム機構
13Aを挟んで互いにX方向で向き合うように配設され
ている。また、加熱処理/冷却ユニット23は、第1の
回転系プロセス部4と第1の熱系プロセス部5との間の
基板の受け渡しに使用される(出口を構成する)中継装
置を兼ねる冷却処理装置(EXT COL)と、加熱乾
燥処理を行なう2つの加熱処理装置(HP)とから成
り、これら3つの処理装置を上下3段に積み重ねること
によって構成されている。また、アドヒージョン処理/
冷却ユニット21は、第2の回転系プロセス部6と第1
の熱系プロセス部5との間の基板の受け渡しに使用され
る(出口を構成する)中継装置を兼ねる冷却処理装置
(EXT COL)と、疎水化処理を行なうアドヒージ
ョン処理装置(AD)と、冷却処理装置(COL)とか
ら成り、これら3つの処理装置を上下3段に積み重ねる
ことによって構成されている。なお、アドヒージョン処
理/冷却ユニット21および加熱処理ユニット23は、
第1の回転系プロセス部4の第1の中央搬送路16また
は第2の回転系プロセス部6の後述する第2の中央搬送
路24に接続しており、第2のサブアーム機構13Aを
挟んで互いにY方向で向き合うように配設されている。
【0021】第2のサブアーム機構13Aは、第1のメ
インアーム機構15によって加熱処理/冷却ユニット2
3の中継装置を兼ねる冷却処理装置(EXT COL)
に受け渡された基板を受け取って、これを周囲のユニッ
ト20〜23の処理装置に搬入するとともに、必要な処
理が施された基板を各処理ユニット20〜23から取り
出して順次別の処理ユニット20〜23若しくはアドヒ
ージョン処理/冷却ユニット21の中継台を兼ねる冷却
処理装置(EXT COL)に搬送するようになってい
る。あるいは、この逆の操作を行なうようになってい
る。
【0022】ここで、図1中、例えば「POST/PO
ST/POST」の表記は、ポストベーク処理を行なう
3つの加熱処理装置(POST)が上下3段に積み重ね
て設置されていることを示している(その他の処理装置
およびユニットについても同様である)。その状態の一
例が図2に明確に示されている。図2は第2のサブアー
ム機構13Aを挟んで互いにY方向で向き合うように配
設されているアドヒージョン処理/冷却ユニット21と
加熱処理ユニット23の処理装置の積み重ね状態を明確
に示している。
【0023】一方、第2の回転系プロセス部6は、Y方
向に沿って延設された第2の中央搬送路24上を走行す
る第2のメインアーム機構25を備えている。この第2
のメインアーム機構25は、第1のメインアーム機構1
5と同様に構成されたベース26およびアーム27を有
している。
【0024】また、この第2のメインアーム機構25の
一方側には、塗布系ユニット群30が設けられている。
この塗布系ユニット群30は、基板にレジスト液を塗布
するレジスト液塗布処理ユニット(CT)と、レジスト
液が塗布された基板を乾燥処理する減圧乾燥処理ユニッ
ト(VD)と、乾燥後の基板の周縁部の不要レジストを
除去するエッジリムーバ(ER)とから成り、これらは
互いに一体となって第2の中央搬送路24に沿って配列
されている。また、第2のメインアーム機構25の他方
側には、第2の中央搬送路24に沿って、露光処理後の
LCD基板を現像処理するための3つの現像処理ユニッ
ト(DEV)31が並設されている。
【0025】第2のメインアーム機構24は、第1の熱
系プロセス部5から受け取った基板を塗布系ユニット群
30に搬入し、処理が施された基板を塗布系ユニット群
30から取り出して第2の熱系プロセス部7側に搬送す
るようになっている。あるいは、第2の熱系プロセス部
7から受け取った基板を現像処理ユニット31に搬入
し、処理が施された基板を現像処理ユニット31から取
り出して第1の熱系プロセス部5側に搬送するようにな
っている。
【0026】第2の熱系プロセス部7は第2の中央搬送
路24と直列(中央搬送路24の延長線上)に配置され
ている。この第2の熱系プロセス部7には、第3のサブ
アーム機構13Bが設けられている。この第3のサブア
ーム機構13Bは、基板を保持できるアーム14を有
し、このアーム14を旋回させ進退させ上下させること
により、基板を後述する周囲の処理ユニットの所定の装
置に受け渡せるようになっている。
【0027】第3のサブアーム機構13Bの周囲には、
プリベーク処理ユニット32と、第1および第2のプリ
ベーク処理/冷却ユニット33,34とが、第3のサブ
アーム機構13Bを外側から取り囲むようにして設けら
れている。この場合、プリベーク処理ユニット32は、
第2の回転系プロセス部6と第2の熱系プロセス部7と
の間の基板の受け渡しに使用される(出口を構成する)
中継装置と、プリベーク処理を行なう2つの加熱処理装
置(PRE)とを上下3段に積み重ねることによって構
成され、第2の回転系プロセス部6の第2の中央搬送路
24と接続するとともに、第2のサブアーム機構13A
を挟んでインターフェース部(I.F.)8とY方向で
向き合うように配設されている。また、第1および第2
のプリベーク処理/冷却ユニット33,34は、プリベ
ーク処理を行なう2つの加熱処理装置(PRE)と冷却
処理装置(COL)とから成り、これら3つの処理装置
を上下3段に積み重ねることによって構成されるととも
に、第3のサブアーム機構13Bを挟んで互いにX方向
で向き合うように配設されている。
【0028】第3のサブアーム機構13Bは、第2の回
転系プロセス部6から受け取ったレジスト液塗布済みの
基板を周囲の処理ユニット32〜34の所定の処理装置
に搬入するとともに、処理済みの基板を処理ユニット3
2〜34から取り出して露光システム2側(インターフ
ェース部8)に移送する。また、第3のサブアーム機構
13Bは、露光済みの基板を露光システム2側から受け
取って、これを再び第2の回転系プロセス部6側に搬送
するようになっている。
【0029】また、インターフェース部8は、搬送・待
機部37と受け渡し部38とから成る。搬送・待機部3
7は、第2の熱系プロセス部7とインターフェース部8
との間の基板の受け渡しに使用される(出口を構成す
る)中継装置を兼ねる冷却処理装置(EXT COL)
36と、バッファーカセット(Buf)35と、図示し
ない第4のサブアーム機構とを有している。また、受け
渡し部38は、前記第4のサブアーム機構と露光システ
ム2との間で基板の受け渡しを行なわせるための受け渡
し台(図示せず)を有している。
【0030】サブアーム機構、特に熱系プロセス部5,
7に配設された第2および第3のサブアーム機構13
A,13Bは、図3および図4に示されるように構成さ
れた水平スカラ型のロボットであり、基板を保持する2
つのハンド42,44を上下に有している。上側のハン
ド42は、その両側の支軸50,50に回動可能に連結
された一対の第1のアーム52,52とこれらのアーム
52,52に支軸57,57を介して回動可能に連結さ
れた一対の第2のアーム56,56とによって、上側か
ら吊り下げ支持されている。また、一対の第2のアーム
56,56はそれぞれ一対の第1の回転駆動軸55,5
5に個別に固定されている。 この場合、第1の回転駆
動軸55,55はそれぞれ、図示しない旋回軸によって
旋回し且つ上下動する旋回板40の両側から上方に延び
ている。
【0031】一方、下側のハンド44は、その両側の支
軸60,60に回動可能に連結された一対の第3のアー
ム62,62とこれらのアーム62,62に支軸67,
67を介して回動可能に連結された一対の第4のアーム
66,66とによって、下側から支持されている。ま
た、一対の第4のアーム66,66はそれぞれ、旋回板
40の両側から上方に延びる一対の第2の回転駆動軸6
5,65に固定されている。
【0032】図示のように、第1の回転駆動軸55と第
2の回転駆動軸65は互いに同軸に配置されている。ま
た、これらの回転駆動軸55,65は、サブアーム機構
13A,13Bの旋回半径の内側で且つハンド42,4
4の外側に位置されている。なお、各回転駆動軸55,
65にはプーリが固着されており、このプーリに掛け渡
されたタイミングベルトによって各アーム52,56,
62,66が回動するようになっている。
【0033】次に、前記構成の塗布現像処理システム1
における処理手順の一例を図5のフローチャートを参照
しながら説明する。なお、フローチャート内の英字記号
は、図1の同符号が付された処理ユニット(処理装置)
で処理が行なわれることを意味している。
【0034】まず、載置台10上の第1のカセットC1
内に収納された未処理の基板が、ローダ/アンローダ部
3から搬送部(CS)11を介して第1の回転系プロセ
ス部4の第1のメインアーム機構15に受け渡される
(ステップS1,S2)。次いで、この基板は、エキシ
マユニット(Excimer Unit)12によって有機物洗浄さ
れ(ステップS3)、その後、例えば第1の熱系プロセ
ス部5の加熱処理/冷却ユニット23の中継装置を兼ね
る冷却処理装置(EXT COL)で第1の冷却処理が
施される(ステップS4)。
【0035】次に、第1の冷却処理が施された基板は、
湿式洗浄ユニット19によってブラシ洗浄(SCR)さ
れ(ステップS5)、第2のサブアーム機構13Aによ
る搬出入動作により、第1の熱系プロセス部5の加熱処
理/冷却ユニット23の加熱処理装置(HP)で第1の
加熱処理(加熱乾燥処理)が施された後(ステップS
6)、アドヒージョン処理/冷却ユニット21の冷却処
理装置(COL)で第2の冷却処理が施される(ステッ
プS7)。その後、基板は、レジストの定着性を高める
ため、アドヒージョン処理装置(AD)で表面の疎水化
処理(AD)が行われた後(ステップS8)、アドヒー
ジョン処理/冷却ユニット21の中継装置を兼ねる冷却
処理装置(EXT COL)で第3の冷却処理が施され
る(ステップS9)。
【0036】次いで、疎水化処理後の基板は、第2のメ
インアーム機構25により第2の回転系プロセス部6へ
と導入され、レジスト液塗布(CT)、減圧乾燥処理
(VD)および基板周縁の不要なレジスト液の除去(E
R)が行われる(ステップS10)。
【0037】このように処理された基板は、プリベーク
処理ユニット32の中継装置を通じて第3のサブアーム
機構13Bにより第2の熱系プロセス部7へと導入さ
れ、このプロセス部7内の任意の加熱処理装置(PR
E)でプリベーク処理(第2の加熱処理)が施される
(ステップS11)。これにより、基板に塗布されたレジ
スト液に含まれる溶剤が揮発される。次いで、この基板
はプロセス部7内の任意の冷却処理装置(COL)で略
室温まで冷却(第4の冷却処理)される(ステップS1
2)。その後、この基板は、第3のサブアーム機構13
Bにより、インターフェース部8の中継装置を兼ねる冷
却処理装置(EXT COL)36に搬入されるととも
に、インターフェース部8を介して露光システム2に受
け渡される(ステップS13)。そして、この露光シス
テム2において露光処理(EXP)が施される(ステッ
プS14)。
【0038】露光処理が行なわれた基板は、タイトラ3
9に挿入されタイトリング処理が行なわれる(ステップ
S15)。その後、基板は、インターフェース部8と第
2の熱系プロセス部7とを介して、第2の回転系プロセ
ス部6に導入され、所定の現像処理ユニット(DEV)
31で現像処理が行なわれる(ステップS16)。この
現像処理ユニット31では、例えば基板が回転された状
態で基板上に現像液が供給されて現像が行なわれる。ま
た、リンス液で現像液が洗い流された後、振り切り乾燥
が行なわれる。
【0039】現像処理された基板は、第1の熱系プロセ
ス部5内に導入され、第1または第2のポストベーク処
理ユニット20,22の加熱処理装置(POST)でポ
ストベーク処理(第3の加熱処理)が施された後(ステ
ップS17)、アドヒージョン処理/冷却ユニット21
または加熱処理/冷却ユニット23の冷却処理装置(C
OLまたはEXT COL)で冷却(第5の冷却処理)
される(ステップS18)。
【0040】以上の処理が全て施された基板は、第2の
サブアーム機構13Aから、第1のメインアーム機構1
5を介して,搬送部11(C/S)に設けられた第1の
サブアーム機構13に受け渡される(ステップS1
9)。そして、この第1のサブアーム機構13によって
ローダ/アンローダ部3に載置された第2のカセットC
2内に収容される(ステップS20)。
【0041】以上のように、本実施形態の塗布現像処理
システム1では、比較的大型となる回転系のユニット、
すなわち、洗浄ユニット(SCR)19、塗布系ユニッ
ト群30を構成するレジスト液塗布処理ユニット(C
T)、減圧乾燥処理ユニット(VD)、エッジリムーバ
(ER)、および現像処理ユニット(DEV)31が中
央搬送路16,24に沿って並設され、回転系のユニッ
トよりも小型の熱系ユニット、すなわち、加熱処理装置
(HP,PRE,POST)、冷却処理装置(CO
L)、アドヒージョン処理装置(AD)が、中央搬送路
16,24の延長線上に位置するサブアーム機構13
A,13Bの周囲(搬送路16,24の延長線上の一点
の周り)に多段に積み重ねて配置されている。このよう
に、熱系のユニットを集約して一体化すれば、省スペー
ス化および処理の効率化を図ることができる。すなわ
ち、フットプリントを低く抑えながら、同時に、ユニッ
ト数を増加させることができる。また、熱系のユニット
を集約して一体化すると、ここに電気配線や配管を集中
させることができるため、各種ラインをコンパクトに配
置することが可能になる。
【0042】また、本実施形態では、回転系のユニット
から成るプロセス部と熱系のユニットから成るプロセス
部とが中央搬送路を介して直列的に接続されることによ
って互いに区分されている。そのため、熱系ユニットか
ら回転系ユニットへの熱的な影響を最小限に抑えること
ができる。
【0043】また、本実施形態において熱系プロセス部
5,7(あるいはローダ/アンローダ部3およびインタ
ーフェース部8も)に設けられた基板搬送装置としての
第2および第3のサブアーム機構13A,13B(ある
いは第1および第4のサブアーム機構も)は、基板を保
持するためのハンド42(44)が2つのアーム52,
52(62,62)によって両側から支持されている。
したがって、剛性が高く、大型で矩形のLCD基板を高
速で且つ安定して支持することができる。また、第1の
回転駆動軸55と第2の回転駆動軸65は、互いに同軸
に配置されるとともに、サブアーム機構13A,13B
の旋回半径の内側で且つハンド42,44の外側に位置
されている。そのため、ハンド42,44と回転駆動軸
55,65との干渉を防止しつつアーム機構の小型化を
図ることができる。
【0044】このような特有の構成を成す基板搬送装置
は、本実施形態のように特有の配置構成を成す塗布現像
処理システム1において特に有益である。すなわち、本
実施形態の塗布現像処理システム1では、前述したよう
に、熱系のユニットが集約して一体化されることによ
り、省スペース化および処理の効率化が図られている
(フットプリントを低く抑えながら、同時に、ユニット
数を増加させることができる)。したがって、前記特有
の構成によってサブアーム機構13A,13Bの小型化
が図られると、前記特有の構成を成す塗布現像処理シス
テム1のフットプリントの削減がより促進されるととも
に、サブアーム機構13A,13Bの高剛性に伴って高
速搬送が可能になると、ユニット数の増加を可能にした
塗布現像処理システム1によるスループットの向上がさ
らに促進される。
【0045】図6は第2および第3のサブアーム機構1
3A,13Bの変形例を示している。この変形例におい
て、下側のハンド44を動作させるための第2の回転駆
動軸65,65は、上側のハンド42を動作させるため
の第1の回転駆動軸55,55よりも前方側(X方向ま
たはY方向に沿ってずれた位置)であって且つ第1の回
転駆動軸55,55の外側(旋回台40の中心に対して
径方向外側)にオフセットされて位置されている。な
お、それ以外の構成は図3および図4の構成と同一であ
るため、同一符号を付してその説明を省略する。
【0046】この変形例の構成によれば、図3および図
4の構成と同様の作用効果を得ることができるととも
に、第2の回転駆動軸65,65が第1の回転駆動軸5
5,55の外側にオフセットされているため、ハンド4
2,44と回転駆動軸55,65との干渉を確実に防止
することができる。
【0047】図7は本発明の第2の実施形態を示してい
る。なお、本実施形態において、第1の実施形態と共通
する構成部分については、以下、同一符号を付してその
説明を省略する。
【0048】本実施形態の塗布現像処理システム1A
は、LCD基板のローディングおよびアンローディング
を行なうためのローダ/アンローダ部3と、基板を回転
させて洗浄処理を行なうための第1の回転系プロセス部
4と、主に加熱・冷却処理を行なうための第1の熱系プ
ロセス部5と、基板を回転させてレジスト液の塗布(コ
ーティング)および周縁レジスト除去処理等を行なう第
2の回転系プロセス部6と、加熱・冷却処理を行なうた
めの第2の熱系プロセス部7と、回転系/熱系兼用プロ
セス部9と、露光システム2との間で基板の受け渡しを
行なうためのインターフェース部(I.F.)8とを備
えている。また、回転系/熱系兼用プロセス部9は、加
熱・冷却処理を行なうための第3の熱系プロセス部9A
と、基板を回転させて現像処理を行なうための第3の回
転系プロセス部9Bとから成る。なお、ローダ/アンロ
ーダ部3、第1の回転系プロセス部4、インターフェー
ス部(I.F.)8は、第1の実施形態と全く同一であ
るため、その説明を省略する。
【0049】第1の熱系プロセス部5は、第1の中央搬
送路16と直列(中央搬送路16の延長線上)に配置さ
れており、第2のサブアーム機構13Aを備えている。
第2のサブアーム機構13Aの周囲には、アドヒージ
ョン処理/加熱冷却ユニット70と、アドヒージョン処
理/冷却ユニット71と、プリベーク処理/冷却ユニッ
ト72とが、第2のサブアーム機構13Aを外側から取
り囲むようにして設けられている。この場合、アドヒー
ジョン処理/加熱冷却ユニット70は、第1の回転系プ
ロセス部4と第1の熱系プロセス部5との間の基板の受
け渡しに使用される(出口を構成する)中継装置を兼ね
る冷却処理装置(EXT COL)と、疎水化処理を行
なうアドヒージョン処理装置(AD)と、加熱乾燥処理
を行なう2つの加熱処理装置(HP)とから成り、これ
ら4つの処理装置を上下4段に積み重ねることによって
構成されている。また、アドヒージョン処理/冷却ユニ
ット71は、疎水化処理を行なうアドヒージョン処理装
置(AD)と、2つの冷却処理装置(COL)とから成
り、これら3つの処理装置を上下3段に積み重ねること
によって構成されている。また、プリベーク処理/冷却
ユニット72は、第1の熱系プロセス部5と第2の熱系
プロセス部7との間の基板の受け渡しに使用される(出
口を構成する)中継装置を兼ねる冷却処理装置(EXT
COL)と、冷却処理装置(COL)と、プリベーク
処理を行なう2つの加熱処理装置(PRE)とを上下4
段に積み重ねることによって構成されている。この場
合、アドヒージョン処理/加熱冷却ユニット70は、第
1の回転系プロセス部4の第1の中央搬送路16に接続
しており、第2のサブアーム機構13Aを挟んでプリベ
ーク処理/冷却ユニット72とY方向で向き合うように
配設されている。
【0050】第2の熱系プロセス部7は、回転系/熱系
兼用プロセス部9の後述する第2の中央搬送路24と直
列(中央搬送路24の延長線上)に配置されており、第
3のサブアーム機構13Bを備えている。 第3のサブ
アーム機構13Bの周囲には、プリベーク処理/冷却ユ
ニット72と、プリベーク処理ユニット73と、ポスト
ベーク処理/冷却ユニット74とが、第3のサブアーム
機構13Bを外側から取り囲むようにして設けられてい
る。すなわち、プリベーク処理/冷却ユニット72は、
第2のサブアーム機構13Aと第3のサブアーム機構1
3Bとの間に配置され、第1の熱系プロセス部5と第2
の熱系プロセス部7との間で兼用されている。
【0051】プリベーク処理ユニット73は、プリベー
ク処理を行なう4つの加熱処理装置(PRE)を上下4
段に積み重ねることによって構成されている。また、ポ
ストベーク処理/冷却ユニット74は、第2の熱系プロ
セス部7と回転系/熱系兼用プロセス部9との間の基板
の受け渡しに使用される(出口を構成する)中継装置を
兼ねる冷却処理装置(EXT COL)と、冷却処理装
置(COL)と、ポストベーク処理を行なう加熱処理装
置(POST)とを上下3段に積み重ねることによって
構成されている。この場合、ポストベーク処理/冷却ユ
ニット74は、回転系/熱系兼用プロセス部9の後述す
る第2の中央搬送路24に接続しており、第3のサブア
ーム機構13Bを挟んでプリベーク処理/冷却ユニット
72とY方向で向き合うように配設されている。
【0052】一方、第2の回転系プロセス部6は、塗布
系ユニット群30から成り、第1の中央搬送路16の延
長線上に直列的に配置された第2および第3のサブアー
ム機構13A,13Bとプリベーク処理/冷却ユニット
72の側方にこれらに沿って並設され、第2および第3
のサブアーム機構13A,13Bと隣接している。
【0053】回転系/熱系兼用プロセス部9は、Y方向
に沿って延設された第2の中央搬送路24上を走行する
第2のメインアーム機構25を備えている。この第2の
メインアーム機構25は、第1のメインアーム機構15
と同様に構成されたベース26およびアーム27を有し
ている。
【0054】また、この第2のメインアーム機構25の
両側にはそれぞれ、第2の中央搬送路24に沿って、露
光処理後のLCD基板を現像処理するための2つの現像
処理ユニット(DEV)31とポストベーク処理ユニッ
ト75とが並設されている。ポストベーク処理ユニット
75は、ポストベーク処理を行なう2つの加熱処理装置
(POST)を上下2段に積み重ねることによって構成
されており、第2のメインアーム機構25が2つのポス
トベーク処理ユニット75間に位置された状態ではポス
トベーク処理/冷却ユニット74とともに第3の熱系プ
ロセス部9Aを形成することができる。この場合、ポス
トベーク処理/冷却ユニット74は、第2の熱系プロセ
ス部7と第3の熱系プロセス部9Aの間で兼用される結
果となる。また、第2のメインアーム機構25の両側に
配置された4つの現像処理ユニット(DEV)31は、
第2のメインアーム機構25とともに第3の回転系プロ
セス部9Bを構成している。
【0055】なお、このように構成される塗布現像処理
システム1Aを用いた処理の基本的な流れは第1の実施
形態と同様であるため、ここでは説明しない。
【0056】以上のように、本実施形態においても、回
転系のユニット(SCR,CT,VD,ER,DEV)
19,30,31が中央搬送路16,24に沿って並設
され且つ熱系ユニット(HP,PRE,POST,CO
L,AD)が中央搬送路16,24の延長線上に位置す
るサブアーム機構13A,13Bの周囲(搬送路16,
24上もしくはその延長線上の一点の周り)に多段に積
み重ねて配置されている。したがって、第1の実施形態
と同様の作用効果を得ることができる。
【0057】図8は本発明の第3の実施形態を示してい
る。なお、本実施形態において、第1の実施形態と共通
する構成部分については、以下、同一符号を付してその
説明を省略する。
【0058】本実施形態の塗布現像処理システム1B
は、LCD基板のローディングおよびアンローディング
を行なうためのローダ/アンローダ部3と、基板を回転
させて洗浄処理を行なうための第1の回転系プロセス部
4と、主に加熱・冷却処理を行なうための第1の熱系プ
ロセス部5と、基板を回転させてレジスト液の塗布(コ
ーティング)および周縁レジスト除去処理等を行なうた
めの第2の回転系プロセス部6と、加熱・冷却処理を行
なうための第2の熱系プロセス部7と、基板を回転させ
て現像処理を行なうための第3の回転系プロセス部9C
と、露光システム2との間で基板の受け渡しを行なうた
めのインターフェース部(I.F.)8とを備えてい
る。なお、ローダ/アンローダ部3およびインターフェ
ース部(I.F.)8は、第1の実施形態と全く同一で
あるため、その説明を省略する。
【0059】第1の回転系プロセス部4は、第1のサブ
アーム機構13から基板を受け取る第1のメインアーム
機構15を有している。この第1のメインアーム機構1
5の一方側には、中央搬送路16に沿って、例えばブラ
シスクラバからなる2つの洗浄ユニット(SCR)19
と、有機物洗浄を行なうエキシマユニット(Excimer Un
it)12とが並設されている。
【0060】第1の熱系プロセス部5は第1の中央搬送
路16と直列(中央搬送路16の延長線上)に配置され
ている。この第1の熱系プロセス部5には、第2のサブ
アーム機構13Aが設けられている。この第2のサブア
ーム機構13Aは、基板を保持できるアーム14を有
し、このアーム14を旋回させ進退させ上下させること
により、基板を後述する周囲の処理ユニットの所定の装
置に受け渡せるようになっている。
【0061】第2のサブアーム機構13Aの周囲には、
加熱処理/冷却ユニット76と、第1および第2のアド
ヒージョン処理/冷却ユニット77,78とが、第2の
サブアーム機構13Aを外側から取り囲むようにして設
けられている。この場合、加熱処理/冷却ユニット76
は、第1の回転系プロセス部4と第1の熱系プロセス部
5との間の基板の受け渡しに使用される(出口を構成す
る)中継装置を兼ねる冷却処理装置(EXT COL)
と、加熱乾燥処理を行なう2つの加熱処理装置(HP)
とから成り、これら3つの処理装置を上下3段に積み重
ねることによって構成されている。また、第1のアドヒ
ージョン処理/冷却ユニット77は、疎水化処理を行な
うアドヒージョン処理装置(AD)と、2つの冷却処理
装置(COL)とから成り、これら3つの処理装置を上
下3段に積み重ねることによって構成されている。ま
た、第2のアドヒージョン処理/冷却ユニット78は、
第2の回転系プロセス部6と第1の熱系プロセス部5と
の間の基板の受け渡しに使用される(出口を構成する)
中継装置を兼ねる2つの冷却処理装置(EXT CO
L)と、疎水化処理を行なうアドヒージョン処理装置
(AD)とから成り、これら3つの処理装置を上下3段
に積み重ねることによって構成されている。なお、加熱
処理/冷却ユニット76および第2のアドヒージョン処
理/冷却ユニット78は、第1の回転系プロセス部4の
第1の中央搬送路16または第2の回転系プロセス部6
の後述する第2の中央搬送路24に接続しており、第2
のサブアーム機構13Aを挟んで互いにY方向で向き合
うように配設されている。
【0062】一方、第2の回転系プロセス部6は、Y方
向に沿って延設された第2の中央搬送路24上を走行す
る第2のメインアーム機構25を備えている。この第2
のメインアーム機構25は、第1のメインアーム機構1
5と同様に構成されたベース26およびアーム27を有
している。また、この第2のメインアーム機構25の一
方側には、塗布系ユニット群30が設けられている。
【0063】第2の熱系プロセス部7は第2の中央搬送
路24と直列(中央搬送路24の延長線上)に配置され
ている。この第2の熱系プロセス部7には、第3のサブ
アーム機構13Bが設けられている。この第3のサブア
ーム機構13Bは、基板を保持できるアーム14を有
し、このアーム14を旋回させ進退させ上下させること
により、基板を後述する周囲の処理ユニットの所定の装
置に受け渡せるようになっている。第3のサブアーム機
構13Bの周囲には、プリベーク処理/冷却ユニット7
9と、プリベーク処理ユニット80と、ポストベーク処
理ユニット81と、ポストベーク処理/冷却ユニット8
2とが、第3のサブアーム機構13Bを外側から円弧状
の取り囲むようにして設けられている。この場合、プリ
ベーク処理/冷却ユニット79は、第2の回転系プロセ
ス部6と第2の熱系プロセス部7との間の基板の受け渡
しに使用される(出口を構成する)中継装置を兼ねる冷
却処理装置(EXT COL)と、プリベーク処理を行
なう2つの加熱処理装置(PRE)とを上下3段に積み
重ねることによって構成されている。また、プリベーク
処理ユニット80は、プリベーク処理を行なう3つの加
熱処理装置(PRE)を上下3段に積み重ねることによ
って構成されている。ポストベーク処理ユニット81
は、ポストベーク処理を行なう3つの加熱処理装置(P
OST)を上下3段に積み重ねることによって構成され
ている。また、ポストベーク処理/冷却ユニット82
は、第3の回転系プロセス部9Cと第2の熱系プロセス
部7との間の基板の受け渡しに使用される(出口を構成
する)中継装置を兼ねる冷却処理装置(EXT CO
L)と、ポストベーク処理を行なう2つの加熱処理装置
(POST)とを上下3段に積み重ねることによって構
成されている。なお、プリベーク処理/冷却ユニット7
9およびポストベーク処理/冷却ユニット82は、第2
の回転系プロセス部6の第2の中央搬送路24または第
3の回転系プロセス部9Cの後述する第3の中央搬送路
91に接続しており、第3のサブアーム機構13Bを挟
んで互いにY方向で向き合うように配設されている。
【0064】第3の回転系プロセス部9Cは、Y方向に
沿って延設された第3の中央搬送路91上を走行する第
3のメインアーム機構90を備えている。この第3のメ
インアーム機構90は、第1のメインアーム機構15と
同様に構成されたベース93およびアーム92を有して
いる。また、この第3のメインアーム機構90の一方側
には、第3の中央搬送路91に沿って、露光処理後のL
CD基板を現像処理するための3つの現像処理ユニット
(DEV)31が並設されている。
【0065】なお、このように構成される塗布現像処理
システム1Bを用いた処理の基本的な流れは第1の実施
形態と同様であるため、ここでは説明しない。
【0066】以上のように、本実施形態では、第1およ
び第2の実施形態と同様に、回転系のユニット(SC
R,CT,VD,ER,DEV)19,30,31が中
央搬送路16,24,91に沿って並設され且つ熱系ユ
ニット(HP,PRE,POST,COL,AD)が中
央搬送路16,24,91の延長線上に位置するサブア
ーム機構13A,13Bの周囲に多段に積み重ねて配置
されている。したがって、第1の実施形態と同様の作用
効果を得ることができる。また、本実施形態では、ユニ
ットが基板搬送路の片側だけに設けられている。したが
って、基板搬送経路は長くなるが、システムの奥行き
(幅)を第1および第2の実施形態よりも小さくするこ
とができる。また、本実施形態では、ポストベーク処置
を行なう加熱処理装置(POST)とプリベーク処理を
行なう加熱処理装置(PRE)とが一括して塗布系ユニ
ット群30と現像処理ユニット(DEV)31との間に
位置する第2の熱系プロセス部7に集中して設けられて
いる。したがって、プリベーク処理から露光処理を経て
ポストベーク処理に至るまでの基板搬送時間を短くする
ことが可能になる。
【0067】図9は本発明の第4の実施形態を示してい
る。なお、本実施形態において、第1の実施形態と共通
する構成部分については、以下、同一符号を付してその
説明を省略する。
【0068】本実施形態の塗布現像処理システム1C
は、LCD基板のローディングおよびアンローディング
を行なうためのローダ/アンローダ部3と、基板を回転
させて洗浄処理を行なうための第1の回転系プロセス部
4と、基板を回転させてレジスト液の塗布(コーティン
グ)および周縁レジスト除去処理等を行なうための第2
の回転系プロセス部6と、加熱・冷却処理を行なうため
の熱系プロセス部7と、基板を回転させて現像処理を行
なうための第3の回転系プロセス部9Dと、露光システ
ム2との間で基板の受け渡しを行なうためのインターフ
ェース部(I.F.)8とを備えている。なお、ローダ
/アンローダ部3およびインターフェース部(I.
F.)8は、第1の実施形態と全く同一であるため、そ
の説明を省略する。
【0069】第1の回転系プロセス部4は、第1のサブ
アーム機構13から基板を受け取る第1のメインアーム
機構15を有している。この第1のメインアーム機構1
5の両側にはそれぞれ、中央搬送路16に沿って対称
に、例えばブラシスクラバからなる2つの洗浄ユニット
(SCR)19と、有機物洗浄を行なうエキシマユニッ
ト(Excimer Unit)12とが並設されている。
【0070】第1の回転系プロセス部4と第2の回転系
プロセス部6との間には、アドヒージョン処理/冷却ユ
ニット94が、第1および第2の中央搬送路16,24
に接続された状態で配設されている。このアドヒージョ
ン処理/冷却ユニット94は、第1の回転系プロセス部
4と第2の回転系プロセス部6との間の基板の受け渡し
に使用される(出口を構成する)中継装置を兼ねる2つ
の冷却処理装置(EXT COL)と、疎水化処理を行
なうアドヒージョン処理装置(AD)とから成り、これ
ら3つの処理装置を上下3段に積み重ねることによって
構成されている。
【0071】一方、第2の回転系プロセス部6は、Y方
向に沿って延設された第2の中央搬送路24上を走行す
る第2のメインアーム機構25を備えている。この第2
のメインアーム機構25は、第1のメインアーム機構1
5と同様に構成されたベース26およびアーム27を有
している。また、この第2のメインアーム機構25の両
側には、塗布系ユニット群30が対称に設けられてい
る。
【0072】熱系プロセス部7は第2の中央搬送路24
と直列(中央搬送路24の延長線上)に配置されてい
る。この熱系プロセス部7には、第2のサブアーム機構
13Aが設けられている。この第2のサブアーム機構1
3Aは、基板を保持できるアーム14を有し、このアー
ム14を旋回させ進退させ上下させることにより、基板
を後述する周囲の処理ユニットの所定の装置に受け渡せ
るようになっている。第2のサブアーム機構13Aの周
囲には、第1および第2のプリベーク処理/冷却ユニッ
ト95,96と、第1および第2のポストベーク処理ユ
ニット97,98とが、第2のサブアーム機構13Aを
外側から取り囲むようにして設けられている。この場
合、第1および第2のプリベーク処理/冷却ユニット9
5,96は、第2または第3の回転系プロセス部6,9
Dと熱系プロセス部7との間の基板の受け渡しに使用さ
れる(出口を構成する)中継装置を兼ねる冷却処理装置
(EXT COL)と、プリベーク処理を行なう2つの
加熱処理装置(PRE)とを上下3段に積み重ねること
によって構成され、第2の回転系プロセス部6の第2の
中央搬送路24または第3の回転系プロセス部9Dの後
述する第3の中央搬送路91に接続しており、第2のサ
ブアーム機構13Aを挟んで互いにY方向で向き合うよ
うに配設されている。また、第1および第2のポストベ
ーク処理ユニット97,98は、ポストベーク処理を行
なう3つの加熱処理装置(POST)を上下3段に積み
重ねることによって構成されており、第2のサブアーム
機構13Aを挟んで互いにX方向で向き合うように配設
されている。
【0073】また、第3の回転系プロセス部9Dは、Y
方向に沿って延設された第3の中央搬送路91上を走行
する第3のメインアーム機構90を備えている。この第
3のメインアーム機構90は、第1のメインアーム機構
15と同様に構成されたベース93およびアーム92を
有している。また、この第3のメインアーム機構90の
両側には、第3の中央搬送路91に沿って対称に、露光
処理後のLCD基板を現像処理するための3つの現像処
理ユニット(DEV)31が並設されている。
【0074】なお、このように構成される塗布現像処理
システム1Cを用いた処理の基本的な流れは第1の実施
形態と同様であるため、ここでは説明しない。
【0075】以上のように、本実施形態では、第3の実
施形態と同様に、回転系のユニット(SCR,CT,V
D,ER,DEV)19,30,31が中央搬送路1
6,24,91に沿って並設され且つ熱系ユニット(H
P,PRE,POST,COL,AD)が中央搬送路1
6,24,91の延長線上に位置するサブアーム機構1
3A,13Bの周囲に多段に積み重ねて配置されるとと
もに、ポストベーク処置を行なう加熱処理装置(POS
T)とプリベーク処理を行なう加熱処理装置(PRE)
とが一括して塗布系ユニット群30と現像処理ユニット
(DEV)31との間に位置する第2の熱系プロセス部
7に集中して設けられている。したがって、第3の実施
形態と同様の作用効果を得ることができる。また、第3
の実施形態に比べて回転系ユニットが倍増されているた
め、第3の実施形態よりもスループットを向上させるこ
とが可能になる。なお、本発明は、前記実施形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変形実施できることは言うまでもない。例えば、前記実
施形態では、本発明をLCD基板の塗布現像処理システ
ムに適用した例が示されているが、これに限らず、カラ
ーフィルタ等、他の基板の塗布・現像処理システムに本
発明を適用できることは言うまでもない。
【0076】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、フットプリントを低く抑えながら、同時
に、ユニット数を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の
平面図である。
【図2】図1の基板処理装置の熱系ユニットの一部を示
す側面図である。
【図3】図1の基板処理装置に適用される基板搬送装置
の平面図である。
【図4】図3の基板搬送装置の正面図である。
【図5】図1の基板処理装置を用いた処理工程のフロー
チャートである。
【図6】図3の基板搬送装置の変形例を示す平面図であ
る。
【図7】本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置の
平面図である。
【図8】本発明の第3の実施形態に係る基板処理装置の
平面図である。
【図9】本発明の第4の実施形態に係る基板処理装置の
平面図である。
【符号の説明】
1…塗布現像処理システム(基板処理装置) 4,6,9B,9C,9D…回転系プロセス部 5,7,9A…熱系プロセス部 15,24,91…中央搬送路(搬送路) 19,30,31…回転系ユニット 20,21,22,23…熱系ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H096 GA29 HA01 5F031 CA05 FA02 FA12 FA14 FA15 GA02 GA42 GA47 GA48 GA49 GA50 LA13 MA02 MA03 MA06 MA09 MA23 MA24 MA26 MA30 5F046 CD01 CD05 CD06 JA04 JA22 LA01 LA18

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に塗布液を塗布して薄膜を形成する
    とともに、回路パターンに対応して露光された前記薄膜
    を現像する基板処理装置において、 基板を回転させて処理する複数の回転系ユニットと、基
    板を回転させることなく加熱・冷却処理する複数の熱系
    ユニットと、基板を搬送して前記各ユニットに搬出入す
    る搬送装置の移動経路を形成する搬送路とを備え、 前記回転系ユニットは前記搬送路に沿って並設され、前
    記熱系ユニットは多段に積み重ねて配置されるとともに
    前記搬送路上もしくはその延長線上の一点を取り囲むよ
    うに配列されていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 回転系ユニットから成る回転系プロセス
    部と熱系ユニットから成る熱系プロセス部とを備え、前
    記回転系プロセス部と前記熱系プロセス部は搬送路を介
    して直列的に接続されることによって互いに区分されて
    いることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記回転系ユニットは、基板の洗浄処理
    を行なう洗浄処理装置と、基板に塗布液を塗布して薄膜
    を形成する薄膜形成装置および基板の周縁部の不要な薄
    膜を除去する薄膜除去装置を有する塗布系装置と、回路
    パターンに対応して露光された前記薄膜を現像する現像
    処理装置とを少なくとも有し、また、前記熱系ユニット
    は、加熱乾燥処理またはベーク処理を行なう加熱処理装
    置と、冷却処理装置と、アドヒージョン処理を行なうア
    ドヒージョン処理装置とを少なくとも有することを特徴
    とする請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 回転系ユニットが搬送路の片側だけに設
    けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項3
    のいずれか1項に記載の基板処理装置。
  5. 【請求項5】 ベーク処置を行なう加熱処理装置が一括
    して塗布系装置と現像処理装置との間に集中して設けら
    れていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のい
    ずれか1項に記載の基板処理装置。
  6. 【請求項6】 前記基板が矩形状のLCD基板であるこ
    とを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項
    に記載の基板処理装置。
  7. 【請求項7】 基板に塗布液を塗布して薄膜を形成する
    とともに、回路パターンに対応して露光された前記薄膜
    を現像する基板処理装置において、 基板上に所定の液を供給する複数の液供給系ユニット
    と、基板に対して熱的処理を行う複数の熱処理系ユニッ
    トと、基板を搬送して前記各ユニットに搬出入する搬送
    装置の移動経路を形成する搬送路とを備え、 前記液供給系ユニットは前記搬送路に沿って並設され、
    前記熱処理系ユニットは多段に積み重ねて配置されると
    ともに前記搬送路上もしくはその延長線上の一点を取り
    囲むように配列されていることを特徴とする基板処理装
    置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006013493A (ja) * 2004-06-21 2006-01-12 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2009194067A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN111383974A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法

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