CN111383974A - 基片处理装置和基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括前处理作业线、涂敷作业线、显影处理作业线、第1输送部、第2输送部和第3输送部。前处理作业线对基片进行前处理。涂敷作业线与前处理作业线并排地配置，在进行了前处理的基片涂敷处理液。显影处理作业线配置在前处理作业线的上方或者下方，对涂敷了处理液的基片进行显影处理。第1输送部设置在前处理作业线与涂敷作业线之间，将基片从前处理作业线输送到涂敷作业线。第2输送部与第1输送部直列地配置，将基片经外部装置输送到显影处理作业线。第3输送部与第1输送部直列地配置，从显影处理作业线输送基片。本发明能够缩短基片处理装置的全长。

Description

基片处理装置和基片处理方法
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
专利文献1公开了一种技术，其沿第1输送作业线输送基片，且在基片形成光致抗蚀剂膜，在基片被曝光后一边沿第2输送作业线输送基片，一边对基片进行显影处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-158253号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种缩短基片处理装置的全长的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括前处理作业线、涂敷作业线、显影处理作业线、第1输送部、第2输送部和第3输送部。前处理作业线对基片进行前处理。涂敷作业线与前处理作业线并排地配置，在进行了前处理的基片涂敷处理液。显影处理作业线配置在前处理作业线的上方或者下方，对涂敷了处理液的基片进行显影处理。第1输送部设置在前处理作业线与涂敷作业线之间，将基片从前处理作业线输送到涂敷作业线。第2输送部与第1输送部直列地配置，将基片经外部装置输送到显影处理作业线。第3输送部与第1输送部直列地配置，从显影处理作业线输送基片。
发明效果
依照本发明，能够缩短基片处理装置的全长。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基片处理装置的概略构成的俯视图。
图2是表示第1实施方式的基片处理装置的一部分的概略构成的左侧图。
图3是表示第1实施方式的基片处理的流程图。
图4A是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的的图(其1)。
图4B是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其2)。
图4C是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其3)。
图4D是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其4)。
图4E是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其5)。
图4F是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其6)。
图4G是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其7)。
图4H是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其8)。
图4I是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其9)。
图4J是表示第1实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其10)。
图5是表示第2实施方式的基片处理装置的概略构成的俯视图。
图6A是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其1)。
图6B是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其2)。
图6C是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其3)。
图6D是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其4)。
图6E是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其5)。
图6F是表示第2实施方式的基片处理装置的基片的输送路径的图(其6)。
图7是表示变形例的基片处理装置的第1热处理单元的从X轴正方向观察到的概略构成的框图。
附图标记说明
1 基片处理装置
3 第1处理作业线(前处理作业线)
4 第2处理作业线(涂敷作业线)
5 第3处理作业线(显影处理作业线)
6 减压干燥单元(载置部)
7 第1热处理单元(载置部、热处理部)
8 第2热处理单元
9B 第2输送部
10 第1输送部
11 第3输送部
27 光致抗蚀剂涂敷单元
30 第1加热单元(加热部)
31 第2冷却单元(冷却部)
50 第2加热单元(显影加热部)
51 第3冷却单元
60 曝光系统
61 曝光装置
62 周边装置(外部装置)。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明公开的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行详细说明。此外，不限于由以下所示的实施方式公开的基片处理装置和基片处理方法。
在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向且以Z轴正方向为铅垂向上方向的正交坐标系。X轴方向和Y轴方向是水平方向。
另外，此处，规定以X轴正方向为前方且以X轴负方向为后方的前后方向，规定以Y轴负方向为左方且以Y轴正方向为右方的左右方向。此外，规定以Z轴正方向为上方且以Z轴负方向为下方的上下方向。
(第1实施方式)
<整体构成>
参照图1和图2，说明第1实施方式的基片处理装置1。图1是表示第1实施方式的基片处理装置1的概略构成的俯视图。图2是表示第1实施方式的基片处理装置1的一部分的概略构成的左侧图。
基片处理装置1包括盒站2、第1处理作业线3(前处理作业线的一例)、第2处理作业线4(涂敷作业线的一例)和第3处理作业线5(显影处理作业线的一例)。此外，基片处理装置1包括减压干燥单元(DP)(载置部、减压干燥部的一例)6、第1热处理单元7(载置部、热处理部的一例)和第2热处理单元8。另外，基片处理装置1包括包含第2输送部9B的接口站9、第1输送部10、第3输送部11和控制装置12。
在盒站2载置收纳多个玻璃基片S(以下称为“基片S”。)的盒C。盒站2包括在能够载置多个盒C的载置台13以及在盒C与第1处理作业线3之间、和后述的检查单元(IP)65与盒C之间进行基片S的输送的输送装置14。此外，基片S是矩形形状。另外，盒站2可以设置为外部装置。即，基片处理装置1可以为不包含盒站2的结构。
输送装置14包括输送臂14a。输送臂14a能够在水平方向(前后方向和左右方向)和铅垂方向移动。此外，输送装置14能够以铅垂轴为中心旋转。
第1处理作业线3对被输送到第2处理作业线4的基片S进行前处理。具体而言，第1处理作业线3包括准分子UV照射单元(e-UV) 20、擦洗清洁单元(SCR)21、预热单元(PH)22、附着单元(AD)23和第1冷却单元(COL)24。
在第1处理作业线3中，单元20～24并排地配置在从盒站2去往曝光系统60的曝光装置61的方向。具体而言，单元20～24按照准分子UV照射单元20、擦洗清洁单元21、预热单元22、附着单元23和第1冷却单元24的顺序沿X轴正方向配置。第1处理作业线3配置在第3处理作业线5的上方。此外，第1处理作业线3也可以配置在第3处理作业线5的下方。
准分子UV照射单元20从发出紫外光的紫外光灯对基片S照射紫外光，除去附着在基片S上的有机物。
擦洗清洁单元21一边对已除去了有机物的基片S供给清洗液(例如，去离子水(DIW))，一边用刷子等清洗部件对基片S的表面进行清洗。此外，擦洗清洁单元21用送风机等使已清洗的基片S干燥。
预热单元22加热由擦洗清洁单元21干燥的基片S，将基片S进一步干燥。
附着单元23将六甲基二硅烷(HMDS)吹到干燥的基片S，对基片S进行疏水处理。
第1冷却单元24对进行了疏水处理的基片S吹冷风以冷却基片S。由第1冷却单元24冷却了的基片S被输送到与第1冷却单元24相邻地配置在X轴正方向侧的送出部25。此外，送出部25也可以包含于第1冷却单元24。
在第1处理作业线3中，沿X轴正方向平流地输送基片S。例如用辊输送机构15输送基片S。辊输送机构15通过驱动装置(未图示)使多个辊15a旋转，从而输送基片S。辊输送机构15在图2中记载一部分，其他省略。平流输送是指在基片S保持为水平的状态或者向Y轴方向倾斜的状态下，沿规定的方向例如X轴方向进行输送。此外，也可以用输送机构等来平流地输送基片S。
在第1处理作业线3中，在基片S的长边(长边方向)与输送方向(X轴正方向)平行的状态下平流地输送基片S。以下，将在基片S的长边与基片S的输送方向平行的状态下进行输送的动作称为“长边平流输送”。此外，将在基片S的短边与基片S的输送方向平行的状态下进行输送的动作称为“短边平流输送”。
在第2处理作业线4中，将光致抗蚀剂液(处理液的一例)涂敷到基片S，进行形成光致抗蚀剂膜的形成处理。第2处理作业线4与第1处理作业线3并排地配置。具体而言，第2处理作业线4配置在第1处理作业线3的左方。即，第1处理作业线3和第2处理作业线4在左右方向并排地配置。在第2处理作业线4中，用第1输送部10输送由第1处理作业线3的第1冷却单元24冷却了的基片S。
第2处理作业线4包含光致抗蚀剂涂敷单元(CT)27。光致抗蚀剂涂敷单元27在基片S上涂敷光致抗蚀剂液，在基片S上形成光致抗蚀剂膜。
在第2处理作业线4中，沿X轴负方向平流地输送基片S。例如，由浮上式的输送机构(未图示)输送基片S。浮上式的输送机构例如在左右方向的两端从下方支承基片S，一边从下方向基片S吹压缩空气以将基片S保持为水平一边使基片S移动。
另外，在第2处理作业线4中，可以为为了在涂敷光致抗蚀剂液的部位附近输送基片S而使用浮上式的输送机构，在其他部位，为了输送基片S而使用例如辊输送机构15。在第2处理作业线4中，长边平流地输送基片S。此外，在第2处理作业线4中，也可以为基片S以载置于载置台的状态被输送，形成光致抗蚀剂膜。
第1输送部10配置在第1处理作业线3与第2处理作业线4之间。第1输送部10具有在水平方向可伸缩的输送臂(SA)10A。此外，第1输送部10能够沿前后方向移动，沿上下方向移动，并且以铅垂轴为中心旋转。
第1输送部10进行从第1处理作业线3将基片S输送到第2处理作业线4的第1输送处理(第1输送步骤的一例)。此外，第1输送部10进行从第2处理作业线4将基片S输送到减压干燥单元6的第2输送处理。此外，第1输送部10进行从减压干燥单元6将基片S输送到第1热处理单元7的第3输送处理。此外，第1输送部10进行第4输送处理(第2输送步骤的一例)的一部分。具体而言，作为第4输送处理的一部分，第1输送部10将基片S从第1热处理单元7输送到接口站9。
减压干燥单元6与第2处理作业线4直列地配置。具体而言，减压干燥单元6与第2处理作业线4相邻地配置在X轴负方向侧。由第2处理作业线4形成了光致抗蚀剂膜的基片S被第1输送部10输送到减压干燥单元6。
减压干燥单元6对形成了光致抗蚀剂膜的基片S进行减压干燥处理。具体而言，减压干燥单元6使形成于基片S上的光致抗蚀剂膜在减压气氛下干燥。此外，减压干燥单元6也可以在上下方向配置多层。
第1热处理单元7与第1输送部10相邻地配置在X轴负方向侧。由减压干燥单元6进行了减压干燥处理的基片S被第1输送部10输送到第1热处理单元7。即，基片S被第1输送部10载置在第1热处理单元7。
第1热处理单元7对进行了减压干燥处理的基片S进行第1热处理。第1热处理单元7包括第1加热单元(PE/BAKE)30(加热部的一例)和第2冷却单元(COL)31(冷却部的一例)。
在第1热处理单元7中，用第1输送部10将基片S送入第2冷却单元31。此外，在第1热处理单元7中，用第1输送部10从第2冷却单元31送出基片S。第1热处理单元7中设有辊输送机构、传送带输送机构、输送臂等内部输送机构(未图示)，能够在第2冷却单元31与第1加热单元30之间输送基片S。
另外，在第1热处理单元7中，也可以用第1输送部10将基片S送入第1加热单元30。此外，在第1热处理单元7中，也可以从第1加热单元30送出由第2冷却单元31冷却了的基片S。
第1加热单元30加热涂敷了光致抗蚀剂液的基片S，即形成了光致抗蚀剂膜且进行了减压干燥的基片S。光致抗蚀剂膜已干燥的基片S被内部输送机构从第2冷却单元31输送到第1加热单元30。第1加热单元30加热基片S，除去光致抗蚀剂膜所含的溶剂等。第1加热单元30是板式的加热单元，在基片S载置于板(未图示)的状态下，通过对板进行加热来加热基片S。此外，第1加热单元30可以设置多个。
第2冷却单元31冷却由第1加热单元30加热了的基片S。由第1加热单元30加热了的基片S被内部输送机构输送到第2冷却单元31。第2冷却单元31例如可以是板式的冷却单元，进一步将冷风吹到基片S来冷却基片S。由第2冷却单元31冷却了的基片S被第1输送部10送出。此外，第2冷却单元31可以设置多个。
接口站9与第1输送部10和第2处理作业线4相邻地配置在X轴正方向侧。具体而言，接口站9配置在曝光装置61与第1输送部10及第2处理作业线4之间。接口站9包括旋转台(ROT)9A和第2输送部9B。
旋转台9A以与第2处理作业线4在X轴正方向侧相邻的方式配置。由第1热处理单元7进行了第1热处理的基片S被第1输送部10输送到旋转台9A。
旋转台9A使基片S在水平方向旋转90度或者﹣90度。此外，旋转台9A也可以设置调节基片S的温度的温度调节装置。
第2输送部9B与第1输送部10直列地配置。具体而言，第2输送部9B与第1输送部10相邻地配置在X轴正方向侧。第2输送部9B包括在水平方向可伸缩的输送臂(SA)9C。此外，第2输送部9B能够沿上下方向移动并且以铅垂轴为中心旋转。
第2输送部9B进行第4输送处理的一部分。具体而言，第2输送部9B将基片S从旋转台9A输送到曝光系统60的曝光装置61。此外，第2输送部9B将基片S从曝光装置61输送到曝光系统60的周边装置62。另外，输送到周边装置62的基片S从作为外部装置的周边装置62被输送到第3处理作业线5。即，第2输送部9B将基片S经周边装置62输送到第3处理作业线5。
此外，接口站9也可以具有暂时载置由曝光装置61曝光了的基片S的缓冲部(未图示)。缓冲部例如配置在周边曝光装置62的上方。由此，例如在第3处理作业线5中处理发生了延迟的情况下，基片处理装置1能够将曝光结束的基片S暂时载置在缓冲部，继续进行对基片S的处理、形成处理、第1热处理等。
曝光系统60包括曝光装置61和周边装置(EE/TITLER)62。
曝光装置61使用具有与电路图案对应的图案的光掩模来对光致抗蚀剂膜进行曝光。
周边曝光装置62以与第3处理作业线5在X轴正方向侧相邻的方式配置。周边装置62包括周边曝光装置(EE)和打标机(TITLER)。周边曝光装置除去基片S的外周部的光致抗蚀剂膜。打标机将管理用码写到基片S。
第3处理作业线5对由曝光系统60曝光了的基片S进行显影处理。第3处理作业线5对从周边装置62输送来的基片S进行显影处理。换言之，第3处理作业线5对经周边装置62被第2输送部9B输送来的基片S进行显影处理。
第3处理作业线5配置在第1处理作业线3的下方。第3处理作业线5配置在比周边装置62靠X轴负方向侧处。此外，第3处理作业线5和周边装置62也可以配置在比第1处理作业线3靠上方处。
在第3处理作业线5中，沿X轴负方向平流地输送基片S。在第3处理作业线5中，短边平流地输送基片S。例如，用辊输送机构15输送基片S。
第3处理作业线5包括显影单元(DEV)40、清洁单元(RIN)41和干燥单元(DRY)42。在第3处理作业线5中，单元40～42按照显影单元40、清洁单元41和干燥单元42的顺序沿X轴负方向配置。
显影单元40对从周边装置62输送来的基片S，用显影液使已曝光的光致抗蚀剂膜显影。清洁单元41用清洗液(例如去离子水(DIW))冲洗光致抗蚀剂膜显影了的基片S上的显影液。干燥单元42使用清洗液冲洗后的基片S上的清洗液干燥。由干燥单元42干燥了的基片S被输送到与干燥单元42相邻地配置在X轴负方向侧的送出部43。此外，送出部43也可以包含于干燥单元42。
在基片处理装置1中，第3处理作业线5配置于第1处理作业线3的下方。因此，能够从共用的清洗液罐(未图示)供给要供给到清洁单元41的清洗液和要供给到第1处理作业线3的擦洗清洁单元21的清洗液。此外，基片处理装置1能够缩短将清洁单元41及擦洗清洁单元21与清洗液罐连接的配管(未图示)。
由第3处理作业线5进行了显影处理的基片S被第3输送部11从送出部43输送到第2热处理单元8。
第2热处理单元8对进行了显影处理的基片S进行第2热处理。第2热处理单元8包括第2加热单元(PO/BAKE)50(显影加热部的一例)和第3冷却单元(COL)51。
第2加热单元50加热进行了显影处理的基片S。第2加热单元50与第3输送部11相邻地配置在X轴负方向侧。具体而言，第2加热单元50配置在第3输送部11和盒站2之间。第2加热单元50例如在上下方向配置多层。
由第3处理作业线5进行了显影处理的基片S被第3输送部11输送到第2加热单元50。第2加热单元50加热将冲洗液干燥后的基片S，除去残留在光致抗蚀剂膜的溶剂和冲洗液。第2加热单元50与第1加热单元30同样是板式的加热单元。
第3冷却单元51配置在第3处理作业线5的送出部43的上方，冷却由第2加热单元50加热了的基片S。由第2加热单元50除去了溶剂和冲洗液的基片S被第3输送部11输送到第3冷却单元51。由第3冷却单元51冷却了的基片S被第3输送部11输送到检查单元65。此外，第3冷却单元51可以设置多个。第3冷却单元51也可以配置在检查单元65的上方。
第3输送部11与第1输送部10直列地配置。第3输送部11配置在比第1输送部10靠X轴负方向侧处。此外，在第3输送部11与第1输送部10之间配置第1热处理单元7。第3输送部11包括在水平方向可伸缩的输送臂(SA)11A。另外，第3输送部11能够沿上下方向移动并且以铅垂轴为中心旋转。
第3输送部11进行将基片S从第3处理作业线5输送到第2加热单元50的第5输送处理(第3输送步骤的一例)。此外，第3输送部11进行将基片S从第3冷却单元51输送到检查单元65的第6输送处理。此外，第3输送部11在第2热处理单8中进行基片S的输送。具体而言，第3输送部11将基片S从第2加热单元50输送到第3冷却单元51。
检查单元65进行光致抗蚀剂图案(线)的极限尺寸(CD)的测量等的检查。由检查单元65进行了检查的基片S被输送到盒站2。
在基片处理装置1中，第1输送部10、第2输送部9B和第3输送部11沿X轴方向并排地配置。具体而言，在基片处理装置1中，第1输送部10、第2输送部9B和第3输送部11沿X轴正方向按第3输送部11、第1输送部10和第2输送部9B的顺序配置。
控制装置12例如是计算机，包括控制部12A和存储部12B。存储部12B例如由RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件或者硬盘、光盘等的存储装置实现。
控制部12A包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)、RAM、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。微型计算机的CPU通过读取并执行存储于ROM中的程序，来实现盒站2、各处理作业线3～5等的控制。
此外，程序也可以记录于计算机可读取的存储介质中，从存储介质安装到控制装置12的存储部12B。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
<基片处理>
接着，参照图3和图4A～图4J，说明第1实施方式的基片处理。图3是表示第1实施方式的基片处理的流程图。图4A～图4J是表示第1实施方式的基片处理装置1的基片S的输送路径的图(其1～其10)。此外，为了进行说明，在图4A～图4J中并排地记载第1处理作业线3和第3处理作业线5。
基片处理装置1进行前处理(S10)。如图4A所示，基片处理装置1从盒站2将基片S输送到第1处理作业线3，一边平流地输送基片S，一边对基片S进行前处理。
基片处理装置1进行第1输送处理(S11)。如图4B所示，基片处理装置1用第1输送部10将基片S从第1处理作业线3输送到第2处理作业线4。
基片处理装置1进行光致抗蚀剂膜的形成处理(S12)。如图4B所示，基片处理装置1一边平流地输送基片S，一边用光致抗蚀剂涂敷单元27在基片S涂敷光致抗蚀剂液，在基片S形成光致抗蚀剂膜。
基片处理装置1进行第2输送处理(S13)。如图4C所示，基片处理装置1用第1输送部10将基片S从第2处理作业线4输送到减压干燥单元6。
基片处理装置1进行减压干燥处理(S14)。基片处理装置1由减压干燥单元6对基片S进行减压干燥。
基片处理装置1进行第3输送处理(S15)。如图4D所示，基片处理装置1用第1输送部10将基片S从减压干燥单元6输送到第1热处理单元7的第2冷却单元31。
基片处理装置1进行第1热处理(S16)。如图4E所示，基片处理装置1将基片S从第2冷却单元31输送到第1加热单元30，用第1加热单元30加热基片S。
然后，基片处理装置1将由第1加热单元30加热了的基片S输送到第2冷却单元31。接着，基片处理装置1用第2冷却单元31冷却基片S。
基片处理装置1进行第4输送处理(S17)。如图4F所示，基片处理装置1用第1输送部10将基片S从第1热处理单元7的第2冷却单元31输送到接口站9的旋转台9A。然后，基片处理装置1用第2输送部9B将由旋转台9A使之在水平方向旋转了90度或者﹣90度的基片S输送到曝光系统60的曝光装置61。此外，基片处理装置1用第2输送部9B将基片S从曝光装置61输送到周边装置62。
基片处理装置1进行显影处理(S18)。具体而言，如图4G所示，基片处理装置1将基片S从周边装置62输送到第3处理作业线5。然后，基片处理装置1一边平流地输送基片S，一边用显影单元40对基片S进行显影。此外，基片处理装置1用清洁单元41冲洗已显影的基片S，用干燥单元42使其干燥。
基片处理装置1进行第5输送处理(S19)。如图4H所示，基片处理装置1用第3输送部11将基片S从第3处理作业线5的送出部43输送到第2热处理单元8的第2加热单元50。
基片处理装置1进行第2热处理(S20)。具体而言，基片处理装置1用第2加热单元50加热基片S。然后，如图4I所示，基片处理装置1用第3输送部11将已加热的基片S输送到配置于第3处理作业线5的送出部43的上方的第3冷却单元51，冷却基片S。
基片处理装置1进行第6输送处理(S21)。如图4J所示，基片处理装置1用第3输送部11将基片S从第3冷却单元51输送到检查单元65。检查结束的基片S被输送到盒站2。
<效果>
基片处理装置1包括：对基片S进行前处理的第1处理作业线3；和第2处理作业线4，其与第1处理作业线3并排地配置，将光致抗蚀剂液涂敷在进行了前处理的基片S上。此外，基片处理装置1包括第3处理作业线5，该第3处理作业线5配置在第1处理作业线3的上方，对涂敷了光致抗蚀剂液的基片S进行显影处理。此外，基片处理装置1包括第1输送部10，该第1输送部10设置在第1处理作业线3与第2处理作业线4之间，将基片S从第1处理作业线3输送到第2处理作业线4。此外，基片处理装置1包括第2输送部9B，该第2输送部9B与第1输送部10直列地配置，将基片S经周边装置62输送到第3处理作业线5。此外，基片处理装置1包括第3输送部11，该第3输送部11与第1输送部10直列地配置，从第3处理作业线5输送基片S。
由此，基片处理装置1中，能够在左右方向并排配置进行前处理的第1处理作业线3和形成光致抗蚀剂膜的第2处理作业线4。因此，能够缩短基片处理装置1的X轴方向(前后方向)的长度即基片处理装置1的全长。
另外，基片处理装置1通过在上下方向层叠地配置第1处理作业线3和第3处理作业线5，能够抑制Y轴方向(左右方向)的长度变长。此外，基片处理装置1例如能够从相同的清洗液罐对第1处理作业线3的擦洗清洁单元21和第3处理作业线5的清洁单元41供给清洗液。此外，基片处理装置1能够缩短将各清洁单元21、41与清洗液罐连接的配管。即，基片处理装置1能够使用共用的清洗液罐，并且能够缩短连接清洗液罐和各清洁单元21、41的配管。因此，基片处理装置1能够使装置整体小型化并且削减成本。
另外，在基片处理装置1中，将第1输送部10配置在第1处理作业线3与第2处理作业线4之间，并且将第2输送部9B和第3输送部11与第1输送部10直列地配置。具体而言，基片处理装置1中，沿X轴方向配置第1输送部10、第2输送部9B、和第3输送部11。
由此，基片处理装置1能够缩短第1处理作业线3、第3处理作业线5的X轴方向的长度，能够缩短基片处理装置1的全长。
基片处理装置1包括第1热处理单元7，该第1热处理单元7配置在第1输送部10与第3输送部11之间，用第1输送部10输送基片S。
由此，基片处理装置1能够缩短第1处理作业线3、第2处理作业线4的X轴方向的长度，能够缩短基片处理装置1的全长。此外，基片处理装置1能够用相同的第1输送部10进行从第1处理作业线3至第2处理作业线4的第1输送处理和从减压干燥单元6至第1热处理单元7的第3输送处理。因此，基片处理装置1能够减少输送部的数量，削减成本。
另外，基片处理装置1包括作为第1热处理单元7的加热基片S的第1加热单元30和第2冷却单元31，该第2冷却单元31冷却由第1加热单元30加热了的基片S。而且，基片处理装置1用第1输送部10将基片S送入第2冷却单元31，并且用第1输送部10从第2冷却单元31送出基片S。即，第1输送部10不插入第1加热单元30内。
另外，基片处理装置1通过将第1加热单元30和第2冷却单元31设置成1个第1热处理单元7，能够在第1加热单元30与第2冷却单元31之间不使用第1输送部10地输送基片S。
由此，基片处理装置1能够防止第1输送部10被加热。因此，基片处理装置1在用第1输送部10输送基片S的情况下，能够抑制热从第1输送部10传递到基片S。所以，能够抑制输送到第2处理作业线4的基片S的温度变高，抑制在基片S上产生光致抗蚀剂液的涂敷斑。此外，基片处理装置1能够以不实施抑制热从第1输送部10传递到基片S的热转印对策的方式，用第1输送部10输送基片S。因此，基片处理装置1能够削减成本。另外，基片处理装置1能够减少基于第1输送部10的输送作业量。
另外，基片处理装置1将第2热处理单元8的第2加热单元50与第1输送部10直列地配置。而且，基片处理装置1用第3输送部11将基片S从第3处理作业线5输送到第2加热单元50。
由此，基片处理装置1能够缩短第1处理作业线3、第3处理作业线5的X轴方向的长度，能够缩短基片处理装置1的全长。
(第2实施方式)
<整体构成>
接着，参照图5，说明第2实施方式的基片处理装置1。图5是表示第2实施方式的基片处理装置1的概略构成的俯视图。此处，以与第1实施方式不同的部位为中心进行说明。此外，在第2实施方式的基片处理装置1中，对与第1实施方式相同的结构标注与第1实施方式相同的附图标记。并且，省略与第1实施方式相同的结构的一部分的说明。
减压干燥单元6与第1输送部10直列地配置，与第1输送部10相邻地配置在X轴负方向侧。减压干燥单元6配置在第1输送部10和第3输送部11之间。
第1热处理单元7与第1输送部10直列地配置，与第1输送部10相邻地配置在X轴正方向侧。第1热处理单元7配置在第1输送部10与接口站9之间。第1热处理单元7的第2冷却单元31在前后方向的两端具有开口部(未图示)，能够从前方用第1输送部10送入基片S。此外，第2冷却单元31能够从后方用第2输送部9B送出基片S。
在接口站9中，旋转台9A相对于第2输送部9B配置在左方。
第1输送部10进行将基片S从第1处理作业线3输送到第2处理作业线4的第1输送处理。此外，第1输送部10进行将基片S从第2处理作业线4输送到减压干燥单元6的第2输送处理。此外，第1输送部10进行将基片S从减压干燥单元6输送到第1热处理单元7的第3输送处理。
第2输送部9B进行将基片S从第1热处理单元7输送到接口站9，将基片S从接口站9输送到曝光系统60的第4输送处理。具体而言，第2输送部9B将基片S从第1热处理单元7的第2冷却单元31输送到接口站9的旋转台9A。此外，第2输送部9B将基片S从旋转台9A输送到曝光系统60的曝光装置61。此外，第2输送部9B将基片S从曝光装置61输送到曝光系统60的周边装置62。即，第2输送部9B将基片S从第1热处理单元7经周边装置62输送到第3处理作业线5。
<基片处理>
接着，参照图3和图6A～图6F，说明第2实施方式的基片处理装置1中的基片处理。第2实施方式的基片处理装置1中的基片处理的流程图与第1实施方式相同。图6A～图6F是表示第2实施方式的基片处理装置1中的基片S的输送路径的图(其1～其7)。此外，图6A～图6F中为了说明，将第1处理作业线3和第3处理作业线5并排地记载。
基片处理装置1进行前处理(S10)。如图6A所示，基片处理装置1基片S从盒站2输送到第1处理作业线3，一边平流地输送基片S，一边对基片S进行前处理。
基片处理装置1进行第1输送处理(S11)。如图6B所示，基片处理装置1用第1输送部10将基片S从第1处理作业线3输送到第2处理作业线4。
基片处理装置1进行光致抗蚀剂膜的形成处理(S12)。如图6B所示，基片处理装置1一边平流地输送基片S，一边用光致抗蚀剂涂敷单元27在基片S涂敷光致抗蚀剂液，在基片S形成光致抗蚀剂膜。
基片处理装置1进行第2输送处理(S13)。如图6C所示，基片处理装置1用第1输送部10将基片S从第2处理作业线4输送到减压干燥单元6。
基片处理装置1进行减压干燥处理(S14)。基片处理装置1用减压干燥单元6对基片S进行减压干燥。
基片处理装置1进行第3输送处理(S15)。如图6D所示，基片处理装置1用第1输送部10将基片S从减压干燥单元6输送到第1热处理单元7的第2冷却单元31。
基片处理装置1进行第1热处理(S16)。如图6E所示，基片处理装置1将基片S从第2冷却单元31输送到第1加热单元30，用第1加热单元30加热基片S。
然后，基片处理装置1将由第1加热单元30加热了的基片S输送到第2冷却单元31。然后，基片处理装置1用第2冷却单元31冷却基片S。
基片处理装置1进行第4输送处理(S17)。如图6F所示，基片处理装置1用第1输送部10将基片S从第1热处理单元7的第2冷却单元31输送到接口站9的旋转台9A。然后，基片处理装置1用第2输送部9B将通过旋转台9A在水平方向旋转了90度或者﹣90度的基片S输送到曝光系统60的曝光装置61。另外，基片处理装置1用第2输送部9B将基片S从曝光装置61输送到周边装置62。
显影处理(S18)～第6输送处理(S21)的处理和基片S的输送路径与第1实施方式相同，省略详细的说明。
<效果>
基片处理装置1包括减压干燥单元6，该减压干燥单元6配置在第1输送部10与第3输送部11之间，用第1输送部10输送基片S，对基片S进行减压干燥处理。此外，基片处理装置1包括第1热处理单元7，该第1热处理单元7配置在第1输送部10与第2输送部9B之间，用第1输送部10从减压干燥单元6输送基片S。第2输送部9B从第1热处理单元7输送基片S。
由此，基片处理装置1能够减少基于第1输送部10的输送作业量。因此，基片处理装置1例如能够缩短基于第1输送部10的基片输送的等待时间，能够缩短装置整体中的基片S的处理时间。
另外，关于基片处理装置1，例如与减压干燥单元6及第1热处理单元7相对于第2处理作业线4直列地配置的情况相比，能够缩短X轴方向上的第1输送部10的长度。因此，基片处理装置1能够缩短X轴方向上的第1输送部10的移动距离，即缩短移动时间，能够缩短装置整体中的基片S的处理时间。
另外，基片处理装置1能够在减压干燥单元6的左方，在图5中示出阴影的区域配置泵等辅助装置，能够使装置整体小型化。
(变形例)
接着，说明本实施方式的变形例。
变形例的基片处理装置1在第2处理作业线4中可以在基片S多次涂敷处理液。例如变形例的基片处理装置1也可以在形成光致抗蚀剂膜前，形成防反射膜。在该情况下，变形例的基片处理装置1中，在光致抗蚀剂涂敷单元27设有多个喷嘴。
变形例的基片处理装置1用光致抗蚀剂涂敷单元27在由第1输送部10从第1处理作业线3输送来的基片S形成防反射膜。然后，变形例的基片处理装置1用减压干燥单元6、第1热处理单元7进行各处理，用第1输送部10将基片S再次送入光致抗蚀剂涂敷单元27。然后，变形例的基片处理装置1用光致抗蚀剂涂敷单元27在形成了防反射膜的基片S上形成光致抗蚀剂膜。
如上所述，变形例的基片处理装置1能够用第2处理作业线4多次涂敷处理液的涂敷。即，变形例的基片处理装置1在多次涂敷处理液的情况下，能够用第1输送部10将基片S从第1热处理单元7输送到第2处理作业线4。因此，变形例的基片处理装置1能够缩短X轴方向上的装置的长度。此外，变形例的基片处理装置1也可以在上下方向层叠用于多次涂敷处理液的单元。
另外，变形例的基片处理装置1可以为不进行显影处理的装置。变形例的基片处理装置1例如在第1实施方式的基片处理装置1的构成中，用第1处理作业线3清洗基片S，用第2处理作业线4涂敷处理液后，用第1输送部10将基片S载置在第1热处理单元7的上部。然后，变形例的基片处理装置1也可以将用第3输送部11载置的基片S输送到检查单元65、盒站2。例如，变形例的基片处理装置1也可以为对基片S多次涂敷处理液，在基片S形成偏光膜的装置。此外，作为对第1热处理单元7载置基片S的载置方法，例如也可以能够在第2冷却单元31的前后方向的两端设置开口部，用第3输送部11从第2冷却单元31输送基片S。
如上所述，变形例的基片处理装置1能够缩短对基片S多次涂敷处理液的装置的X轴方向的长度。
另外，变形例的基片处理装置1例如也可以在第1输送部10中具有多个输送臂，用多个输送臂输送基片S。
另外，变形例的基片处理装置1也可以在第1热处理单元7中在上下方向设置多层第1加热单元30和第2冷却单元31。变形例的基片处理装置1例如如图7所示，在上下方向层叠用第1输送部10送入基片S的送入部(PAS)70、第1加热单元30和第2冷却单元31。图7是表示变形例的基片处理装置1的第1热处理单元7的从X轴正方向观察到的概略构成的框图。
而且，变形例的基片处理装置1用第4输送部71将基片S从送入部70输送到第1加热单元30。此外，变形例的基片处理装置1用第4输送部71将基片S从第1加热单元30输送到第2冷却单元31。
由此，变形例的基片处理装置1能够与上述实施方式同样地抑制第1输送部10被加热，抑制热从第1输送部10传递到基片S。
也可以为将上述实施方式和变形例的构成适当组合而成的基片处理装置。
另外，应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均是例示，并非限制性的。实际上，上述的实施方式能够通过各种各样的方式实现。此外，上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种方式省略、置换、变更。

Claims (9)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
对基片进行前处理的前处理作业线；
涂敷作业线，其与所述前处理作业线并排地配置，在进行了所述前处理的所述基片涂敷处理液；
显影处理作业线，其配置在所述前处理作业线的上方或者下方，对涂敷了所述处理液的所述基片进行显影处理；
第1输送部，其设置在所述前处理作业线与所述涂敷作业线之间，将所述基片从所述前处理作业线输送到所述涂敷作业线；
第2输送部，其与所述第1输送部直列地配置，将所述基片经外部装置输送到所述显影处理作业线；以及
第3输送部，其与所述第1输送部直列地配置，从所述显影处理作业线输送所述基片。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
包括载置部，其配置在所述第1输送部与所述第3输送部之间，用所述第1输送部载置涂敷了所述处理液的所述基片。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第3输送部能够从所述载置部输送所述基片。
4.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述载置部是对涂敷了所述处理液的所述基片进行热处理的热处理部。
5.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：
包括热处理部，其配置在所述第1输送部与所述第2输送部之间，用所述第1输送部从所述载置部输送所述基片，对所述基片进行热处理，
所述载置部是对涂敷了所述处理液的所述基片进行减压干燥处理的减压干燥部，
所述第2输送部从所述热处理部输送所述基片。
6.如权利要求4或5所述的基片处理装置，其特征在于：
所述热处理部包括加热所述基片的加热部和冷却由所述加热部加热了的所述基片的冷却部，
所述冷却部用所述第1输送部送入涂敷了所述处理液的所述基片，并且用所述第1输送部送出已冷却的所述基片。
7.如权利要求4或5所述的基片处理装置，其特征在于：
所述热处理部包括：
用所述第1输送部输送涂敷了所述处理液的所述基片的送入部；
加热部，其用与所述第1输送部不同的第4输送部从所述送入部输送所述基片，加热所述基片；和
冷却部，其用所述第4输送部从所述加热部输送所述基片，冷却由所述加热部加热了的所述基片。
8.如权利要求1～7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括显影加热部，其与所述第1输送部直列地配置，加热进行了所述显影处理的所述基片，
所述第3输送部将所述基片从所述显影处理作业线输送到所述显影加热部。
9.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
第1输送步骤，其用设置在前处理作业线与涂敷作业线之间的第1输送部将由所述前处理作业线进行了前处理的基片输送到所述涂敷作业线，其中所述涂敷作业线与所述前处理作业线并排地配置，在所述基片涂敷处理液；
第2输送步骤，其用与所述第1输送部直列地配置的第2输送部将涂敷了所述处理液的所述基片经外部装置输送到显影处理作业线，所述显影处理作业线配置在所述前处理作业线的上方或下方，进行显影处理；和
第3输送步骤，其用与所述第1输送部直列地配置的第3输送部从所述显影处理作业线输送进行了所述显影处理的所述基片。
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