CN116400569A - 辅助曝光装置、曝光方法和存储介质 - Google Patents

辅助曝光装置、曝光方法和存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供使被处理基片的各产品区域周边的曝光分辨率提高的辅助曝光装置、曝光方法和存储介质。辅助曝光装置包括输送部、光源单元和聚光透镜。输送部在第一方向上输送包含多个产品区域和位于各产品区域的周边的周边区域的被处理基片。光源单元在与第一方向交叉的第二方向上排列地形成有多个光源，向在第一方向上被输送的被处理基片照射光。聚光透镜配置在光源单元与被处理基片之间，将利用光源单元向被处理基片的在第二方向上延伸的周边区域照射的光沿着第一方向聚光。

Description

辅助曝光装置、曝光方法和存储介质
技术领域
本发明涉及辅助曝光装置、曝光方法和存储介质。
背景技术
以往，对于涂敷于被处理基片上的抗蚀剂膜，已知有例如不同于将掩模的图案转印的通常的曝光装置的、进行局部曝光处理的辅助曝光装置。
例如，在专利文献1中，公开了具有将多个LED(Light Emitting Diode：发光二极管)元件排列成线状而成的光源单元的辅助曝光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-186191号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够提高被处理基片的各产品区域周边的曝光分辨率的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的辅助曝光装置包括输送部、光源单元和聚光透镜。输送部在第一方向上输送包含多个产品区域和位于各产品区域的周边的周边区域的被处理基片。光源单元在与第一方向交叉的第二方向上排列地形成有多个光源，向在第一方向上输送的被处理基片照射光。聚光透镜配置在光源单元与被处理基片之间，将利用光源单元向被处理基片的在第二方向上延伸的周边区域照射的光沿着第一方向聚光。
发明效果
依照本发明，能够提高被处理基片的各产品区域周边的曝光分辨率。
附图说明
图1是表示第一实施方式的基片处理系统的结构的示意性的俯视图。
图2是表示基片处理系统中的对一个玻璃基片的全部步骤的处理流程的流程图。
图3是表示第一实施方式的玻璃基片的结构的图。
图4是从左右方向观察第一实施方式的辅助曝光装置的图。
图5是从前后方向观察第一实施方式的辅助曝光装置的图。
图6是表示利用第一实施方式的辅助曝光装置进行的处理工作的一例的说明图。
图7是表示第二实施方式的玻璃基片的结构的图。
图8是从左右方向观察第二实施方式的辅助曝光装置的图。
图9是从前后方向观察第二实施方式的辅助曝光装置的图。
图10是表示利用第二实施方式的辅助曝光装置进行的处理工作的一例的说明图。
图11是从左右方向观察第三实施方式的辅助曝光装置的图。
图12是从前后方向观察第三实施方式的辅助曝光装置的图。
图13是表示利用第三实施方式的辅助曝光装置进行的处理工作的一例的说明图。
图14是从左右方向观察第四实施方式的辅助曝光装置的图。
图15是从前后方向观察第四实施方式的辅助曝光装置的图。
图16是表示利用第四实施方式的辅助曝光装置进行的处理工作的一例的说明图。
附图标记说明
11 辅助曝光装置
17 控制部
30 平流输送部
32 光源单元
33 局部光源
34 聚光透镜
35 局部聚光透镜
36 遮挡部件
37 移动部
38 液晶模块
100 基片处理系统
321 光源
A1 产品区域
A2 周边区域
A2a 第一周边区域
A2b 第二周边区域
G 玻璃基片。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的用于实施喷嘴、辅助曝光装置、曝光方法和存储介质的方式(以下记载为“实施方式”)详细地进行说明。此外，本发明并不由该实施方式限定。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
另外，在以下所示的实施方式中，有时使用“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”这样的表达，但这些表达不需要严格地为“一定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表达例如允许制造精度、设置精度等的偏差。
另外，在以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系。
另外，在此，规定以X轴正方向为前方、以X轴负方向为后方的前后方向，规定以Y轴正方向为左方、以Y轴负方向为右方的左右方向。另外，规定以Z轴正方向为上方、以Z轴负方向为下方的上下方向。
然而，使用LED元件的情况下的曝光分辨率有可能受到由从LED元件照射的光的扩大所导致的限制。例如，在对被处理基片的位于各产品区域的周边的周边区域进行局部曝光处理的情况下，从LED元件照射的光的照射范围比周边区域扩大而与各产品区域重叠，因此各产品区域周边的曝光分辨率降低。
因此，人们希望提高被处理基片的各产品区域周边的曝光分辨率。
(第一实施方式)
＜基片处理系统的结构＞
参照图1，对第一实施方式的基片处理系统100的结构进行说明。图1是表示第一实施方式的基片处理系统100的结构的示意性的俯视图。
基片处理系统100设置在清洁室(clean room)内。基片处理系统100例如将LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)用的玻璃基片G作为被处理基片，在LCD制造工艺中进行光刻步骤中的清洗、抗蚀剂涂敷、预烘烤、显影和后烘烤等一连串处理。曝光处理由与基片处理系统100相邻地设置的外部的曝光装置20(EXP)进行。
基片处理系统100包括盒站1和送入部2(IN PASS)。另外，基片处理系统100包括清洗装置3(SCR)、第一干燥部4(DR)、第一冷却部5(COL)、涂敷装置6(COT)、第二干燥部7(DR)、预烘烤部8(PRE BAKE)和第二冷却部9(COL)。另外，基片处理系统100包括接口站10和辅助曝光装置11(AE)。另外，基片处理系统100包括显影装置12(DEV)、后烘烤部13(POST BAKE)、第三冷却部14(COL)、检查部15(IP)、送出部16(OUT PASS)和控制部17。
在盒站1与接口站10之间设置有将玻璃基片G从盒站1输送到接口站10的输送去路。在该输送去路上，从盒站1去往接口站10依次设置有送入部2、清洗装置3、第一干燥部4、第一冷却部5、涂敷装置6、第二干燥部7、预烘烤部8和第二冷却部9。
另外，在盒站1与接口站10之间，设置有用于将玻璃基片G从接口站10向盒站1输送的输送回路。在该输送回路上，从接口站10去往盒站1依次配置有辅助曝光装置11、显影装置12、后烘烤部13、第三冷却部14、检查部15和送出部16。另外，输送去路和输送回路例如由辊子输送路径等构成。
盒站1是将多层层叠地收纳有多个玻璃基片G的盒C送入送出的端口。盒站1包括：能够在水平的一个方向(Y轴方向)上排列地载置例如4个的盒载置台1a；和对盒载置台1a上的盒C进行玻璃基片G的取放的输送装置1b。输送装置1b具有保持玻璃基片G的输送臂，能够以X、Y、Z、θ这4个轴进行动作，能够与相邻的盒工作台1a、送入部2和送出部16之间进行玻璃基片G的交接。
接口站10包括输送装置10a。输送装置10a具有保持玻璃基片G的输送臂，能够以X、Y、Z、θ这4个轴进行动作，能够与相邻的第二冷却部9、辅助曝光装置11和曝光装置20之间进行玻璃基片G的交接。另外，在接口站10，除了输送装置10a以外，也可以配置有例如周边曝光装置、信息记录器(Titler)等装置。周边曝光装置进行用于在显影时除去附着于玻璃基片G的周边部的抗蚀剂的曝光处理。信息记录器在玻璃基片G上的规定部位记录规定的信息。
控制部17例如是CPU(Central Processing Unit：中央处理器)，通过读出并执行存储于未图示的存储部的未图示的程序，来控制基片处理系统100整体。控制部17也可以不使用程序而仅由硬件构成。
图2是表示基片处理系统100中的对一个玻璃基片G的全部步骤的处理流程的流程图。首先，在盒站1中，输送装置1b从盒载置台1a上的任意一个盒C取出玻璃基片G，将所取出的玻璃基片G送入送入部2(步骤S101)。
送入至送入部2的玻璃基片G在输送去路上被输送而送入清洗装置3，被实施清洗处理(步骤S102)。在此，清洗装置3对在输送去路上水平移动的玻璃基片G实施刷洗、吹洗，由此从基片表面除去颗粒状的污垢，然后实施冲洗处理。当清洗装置3中的一连串清洗处理结束时，玻璃基片G被送入第一干燥部4。
接着，玻璃基片G在第一干燥部4中被实施了规定的干燥处理之后(步骤S103)，被送入第一冷却部5并冷却至规定的温度(步骤S104)。然后，玻璃基片G被送入涂敷装置6。
在涂敷装置6中，玻璃基片G通过例如使用隙缝喷嘴的非旋转法在基片上表面(被处理面)涂敷抗蚀剂液(步骤S105)。然后，玻璃基片G被送入第二干燥部7，接受例如通过减压进行的常温的干燥处理(步骤S106)。
从第二干燥部7送出的玻璃基片G被送入预烘烤部8，在预烘烤部8中以规定的温度被加热(步骤S107)。通过该处理，残留于玻璃基片G上的抗蚀剂膜中的溶剂蒸发而被除去，抗蚀剂膜相对于玻璃基片G的紧贴性得到强化。
接着，玻璃基片G被送入第二冷却部9，在第二冷却部9中被冷却至规定的温度(步骤S108)。之后，玻璃基片G由接口站10的输送装置10a送入曝光装置20。另外，玻璃基片G也可以在被送入曝光装置20之前送入未图示的周边曝光装置。
在曝光装置20中，在玻璃基片G上的抗蚀剂上将规定的电路图案曝光(步骤S109)。然后，结束了图案曝光的玻璃基片G由接口站10的输送装置10a从曝光装置20送出而送入辅助曝光装置11。此外，玻璃基片G也可以在被送入辅助曝光装置11之前送入未图示的信息记录器。
在辅助曝光装置11中，对曝光处理后的玻璃基片G进行用于提高显影处理后得到的抗蚀剂图案的膜厚、线宽的均匀性的局部曝光处理(以下，适当地称为“辅助曝光处理”)(步骤S110)。结束了辅助曝光处理的玻璃基片G被送入显影装置12，在显影装置12中实施显影、冲洗和干燥这一连串显影处理(步骤S111)。
结束了显影处理的玻璃基片G被送入后烘烤部13，在后烘烤部13中实施显影处理后的热处理(步骤S112)。由此，残留于玻璃基片G的抗蚀剂膜的显影液、清洗液蒸发而被除去，抗蚀剂图案相对于基片的紧贴性得到强化。之后，玻璃基片G被送入第三冷却部14，在第三冷却部14中被冷却至规定的温度(步骤S113)。
接着，玻璃基片G被送入检查部15。在检查部15中，对玻璃基片G上的抗蚀图案进行非接触的线宽检查、膜质/膜厚检查等(步骤S114)。检查部15的检查结果被输出到控制部17，并由控制部17存储在未图示的存储部中。
送出部16从检查部15接收结束了检查的玻璃基片G，并将其向盒站1的输送装置1b交送。输送装置1b将从送出部16接收到的已处理的玻璃基片G收纳在盒C中(步骤S115)。通过以上，对一个玻璃基片G的基片处理的全部步骤结束。
＜玻璃基片的结构＞
接下来，参照图3，对第一实施方式的玻璃基片G的结构进行说明。图3是表示第一实施方式的玻璃基片G的结构的图。如图3所示，玻璃基片G构成为包含多个(在此为8个)产品区域A1和位于各产品区域A1的周边的周边区域A2。
产品区域A1是形成有与LCD对应的电路图案的抗蚀剂的区域。在玻璃基片G，以矩阵状排列有多个产品区域A1。
周边区域A2是与驱动LCD的驱动电路对应的电路图案(以下适当地称为“驱动电路图案”)的抗蚀剂的区域。周边区域A2包括第一周边区域A2a和第二周边区域A2b。第一周边区域A2a在与辅助曝光装置11中的玻璃基片G的扫描方向(X轴负方向，参照图4)交叉的左右方向(Y轴方向)上延伸。第二周边区域A2b在辅助曝光装置11中的玻璃基片G的扫描方向(X轴负方向)上延伸。在玻璃基片G中，驱动电路图案形成于第一周边区域A2a或第二周边区域A2b。在本实施方式中，在3个第一周边区域A2a分别形成有驱动电路图案。在图3中，分别形成于3个第一周边区域A2a的驱动电路图案由斜线表示。
＜辅助曝光装置的结构＞
接下来，参照图4和图5，对第一实施方式的辅助曝光装置11的结构进行说明。图4是从左右方向观察第一实施方式的辅助曝光装置11的图。图5是从前后方向观察第一实施方式的辅助曝光装置的图。
如图4所示，辅助曝光装置11包括：在扫描方向(X轴负方向)上输送玻璃基片G的平流输送部30；和光源单元32，其对由平流输送部30输送的玻璃基片G上的抗蚀剂照射光，具体而言照射规定波长的紫外线(UV)。另外，辅助曝光装置11包括用于控制装置内的各部的控制部17和对控制部17中使用的各种程序和数据进行累积或者保存的存储器42。
平流输送部30例如具有：在输送方向上铺设大量辊子44而成的辊子输送路径46；和为了在辊子输送路径46上输送玻璃基片G而经由具有例如带、齿轮等的传动机构48对各辊子44进行旋转驱动的扫描驱动部50。在图1所示的基片处理系统100中，辊子输送路径46构成从接口站10去往盒站1的输送路径的一部分。
平流输送部30将曝光处理后的玻璃基片G平流地送入辅助曝光装置11内，在辅助曝光装置11内为了辅助曝光处理的扫描而平流地输送玻璃基片G，将结束了辅助曝光处理的玻璃基片G平流地向显影装置12送出。此外，控制部17能够通过配置于辊子输送路径46的各处的位置传感器(未图示)来检测或掌握玻璃基片G的当前位置。
光源单元32配置在辊子输送路径46的上方，由未图示的支承部件支承。如图5所示，光源单元32通过在与扫描方向交叉的左右方向(Y轴方向)上排列多个光源321而形成。光源321出射紫外线(UV)。光源321例如是LED元件。作为光源321，例如也可以使用激光束发生器等其他光源。光源单元32能够使多个光源321单独地点亮和熄灭。该光源单元32向在扫描方向(X轴负方向)上被输送的玻璃基片G照射光。
然而，在辅助曝光装置11中，使用作为LED元件的光源321的情况下的曝光分辨率有可能受到由从光源321照射的光的放大所导致的限制。例如，在对玻璃基片G的第一周边区域A2a(参照图3)进行局部曝光处理的情况下，从光源321照射的光的照射范围比第一周边区域A2a扩大而与各产品区域A1重叠，因此各产品区域A1周边的曝光分辨率降低。
因此，如图4和图5所示，本实施方式的辅助曝光装置11在光源单元32与玻璃基片G之间配置有聚光透镜34。聚光透镜34例如是具有相对于扫描方向(X轴负方向)的聚光性的线性菲涅尔透镜。聚光透镜34将由光源单元32照射到玻璃基片G的第一周边区域A2a的光沿着扫描方向(X轴负方向)聚光。
具体而言，聚光透镜34对通过光源单元32的下方的玻璃基片G的第一周边区域A2a，将从光源单元32照射的光沿着扫描方向(X轴负方向)缩小并投射到该区域。
在该聚光透镜34中，能够使从光源单元32照射的光的照射范围处于玻璃基片G的第一周边区域A2a的范围内。换言之，通过使用聚光透镜34，能够避免由光源单元32照射到玻璃基片G的第一周边区域A2a的光的照射范围与各产品区域A1的重叠。因此，依照本实施方式的辅助曝光装置11，与受到由从LED元件照射的光的放大所导致的限制的现有的辅助曝光装置相比，能够提高玻璃基片G的各产品区域A1周边的曝光分辨率。特别是，依照本实施方式的辅助曝光装置11，能够提高玻璃基片G的在左右方向(Y轴方向)上延伸的第一周边区域A2a的曝光分辨率。
＜利用辅助曝光装置进行的处理工作>
接下来，参照图6，说明利用第一实施方式的辅助曝光装置11进行的处理工作。图6是表示利用第一实施方式的辅助曝光装置11进行的处理工作的一例的说明图。
控制部17控制平流输送部30，在扫描方向(X轴负方向)上输送玻璃基片G。控制部17在对玻璃基片G的在左右方向(Y轴方向)上延伸的第一周边区域A2a进行辅助曝光处理的情况下，在第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的位置利用光源单元32向第一周边区域A2a照射光。由此，每当玻璃基片G的第一周边区域A2a与聚光透镜34相对时，从光源单元32照射的光被聚光透镜34沿着扫描方向(X轴负方向)缩小而投射到第一周边区域A2a。在图6的例子中，第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的3个位置由虚线表示。
这样，也可以为，辅助曝光装置11的控制部17在对玻璃基片G的第一周边区域A2a进行辅助曝光处理的情况下，在第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的位置利用光源单元32向第一周边区域A2a照射光。由此，在第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的每个位置，从光源单元32照射的光被聚光透镜34沿着扫描方向(X轴负方向)缩小，因此能够提高沿着扫描方向的曝光分辨率。
(第二实施方式)
然而，在玻璃基片G中，有时代替第一周边区域A2a而在第二周边区域A2b形成驱动电路图案。在该情况下，形成驱动电路图案的第二周边区域A2b成为辅助曝光处理的对象。
以下，在说明第二实施方式的辅助曝光装置11的结构之前，参照图7对第二实施方式的玻璃基片G的结构进行说明。图7是表示第二实施方式的玻璃基片G的结构的图。在图7所示的玻璃基片G中，驱动电路图案形成于第二周边区域A2b。在本实施方式中，在3个第二周边区域A2b分别形成有驱动电路图案。在图7中，分别形成于3个第二周边区域A2b的驱动电路图案由斜线表示。
另外，第二实施方式的玻璃基片G的结构也可以与图3所示的第一实施方式的玻璃基片G的结构相同。即，也可以为，在玻璃基片G中，驱动电路图案形成于第一周边区域A2a。在该情况下，形成驱动电路图案的第一周边区域A2a成为辅助曝光处理的对象。用于确定成为辅助曝光处理的对象的区域的数据被预先存储在存储器42中。
接着，参照图8和图9，对第二实施方式的辅助曝光装置11的结构进行说明。图8是从左右方向观察第二实施方式的辅助曝光装置11的图。图9是从前后方向观察第二实施方式的辅助曝光装置11的图。
图8和图9所示的辅助曝光装置11除了图4所示的结构以外，还包括局部光源33和局部聚光透镜35。
局部光源33配置于与玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b对应的位置，由未图示的支承部件支承。局部光源33的配置位置能够通过未图示的位置调整机构进行微调。局部光源33照射紫外线(UV)。局部光源33例如是LED元件。作为局部光源33，例如也可以使用激光束发生器等其他光源。该局部光源33向在扫描方向(X轴负方向)上被输送的玻璃基片G照射光。
局部聚光透镜35配置在局部光源33与玻璃基片G之间。局部聚光透镜35例如是具有相对于左右方向(Y轴方向)的聚光性的线性菲涅尔透镜。局部聚光透镜35将由局部光源33照射到玻璃基片G的第二周边区域A2b的光沿着左右方向(Y轴方向)聚光。
具体而言，局部聚光透镜35对通过局部光源33的下方的玻璃基片G的第二周边区域A2b，将从局部光源33照射的光沿着左右方向(Y轴方向)缩小并投射到该区域。
在该局部聚光透镜35中，能够使从局部光源33照射的光的照射范围处于玻璃基片G的第二周边区域A2b的范围内。换言之，通过使用局部光源33和局部聚光透镜35，能够避免由局部光源33照射到玻璃基片G的第二周边区域A2b的光的照射范围与各产品区域A1的重叠。因此，依照本实施方式的辅助曝光装置11，与受到由从LED元件照射的光的放大所导致的限制的现有的辅助曝光装置相比，能够提高玻璃基片G的各产品区域A1周边的曝光分辨率。特别是，依照本实施方式的辅助曝光装置11，能够提高玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b的曝光分辨率。
接着，参照图10，说明利用第二实施方式的辅助曝光装置11进行的处理工作。图10是表示利用第二实施方式的辅助曝光装置11进行的处理工作的一例的说明图。
控制部17控制平流输送部30，在扫描方向(X轴负方向)上输送玻璃基片G。控制部17参照存储器42，基于用于确定成为辅助曝光处理的对象的区域的数据，将第一周边区域A2a和第二周边区域A2b中的任一者确定为辅助曝光处理的对象。
控制部17在对玻璃基片G的在左右方向(Y轴方向)上延伸的第一周边区域A2a进行辅助曝光处理的情况下，在第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的位置利用光源单元32向第一周边区域A2a照射光。由此，在玻璃基片G的第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的每个位置，从光源单元32照射的光被聚光透镜34沿着扫描方向(X轴负方向)缩小而投射到第一周边区域A2a。控制部17在利用光源单元32向第一周边区域A2a照射光的期间，使局部光源33熄灭。
另一方面，控制部17在对玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b进行辅助曝光处理的情况下，如图10所示，利用局部光源33向第二周边区域A2b照射光。由此，从局部光源33照射的光被局部聚光透镜35沿着左右方向(Y轴方向)缩小而投射到第二周边区域A2b。控制部17在利用局部光源33向第二周边区域A2b照射光的期间，使光源单元32熄灭。在图10的例子中，向第二周边区域A2b照射光的局部光源33和局部聚光透镜35的位置由虚线表示。
这样，也可以为，辅助曝光装置11的控制部17在对玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b进行辅助曝光处理的情况下，利用局部光源33向第二周边区域A2b照射光。由此，从局部光源33照射的光被局部聚光透镜35沿着左右方向(Y轴方向)缩小，因此能够提高沿着左右方向的曝光分辨率。
(第三实施方式)
接着，参照图11和图12，对第三实施方式的辅助曝光装置11的结构进行说明。图11是从左右方向观察第三实施方式的辅助曝光装置11的图。图12是从前后方向观察第三实施方式的辅助曝光装置11的图。第三实施方式的辅助曝光装置11除了用于对玻璃基片G的第一周边区域A2a进行辅助曝光处理的结构以外，还具有用于对玻璃基片G的第二周边区域A2b进行辅助曝光处理的结构，这一点与第一实施方式不同。
图11和图12所示的辅助曝光装置11除了图4所示的结构以外，还包括遮挡部件36和移动部37。
遮挡部件36配置在聚光透镜34与玻璃基片G之间。遮挡部件36遮挡玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b(参照图7)所相邻的其他区域。遮挡部件36在与玻璃基片G的第二周边区域A2b对应的位置具有宽度比第二周边区域A2b窄的隙缝。
移动部37使遮挡部件36在聚光透镜34与玻璃基片G之间的处理位置、与预先设定的避让位置之间移动。在图11和图12的例子中，示出了位于处理位置的遮挡部件36。
如图12所示，本实施方式的光源单元32隔着位于处理位置的遮挡部件36向玻璃基片G的第二周边区域A2b照射光。由光源单元32照射的光透射遮挡部件36的隙缝。在该遮挡部件36中，能够使由光源单元32照射的光的照射范围处于玻璃基片G的第二周边区域A2b的范围内。换言之，通过使用遮挡部件36，能够避免由光源单元32照射到玻璃基片G的第二周边区域A2b的光的照射范围与各产品区域A1的重叠。因此，依照本实施方式的辅助曝光装置11，与受到由从LED元件照射的光的放大所导致的限制的现有的辅助曝光装置相比，能够提高玻璃基片G的各产品区域A1周边的曝光分辨率。特别是，依照本实施方式的辅助曝光装置11，能够提高在玻璃基片G的扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b的曝光分辨率。
接着，参照图13，说明利用第三实施方式的辅助曝光装置11进行的处理工作。图13是表示利用第三实施方式的辅助曝光装置11进行的处理工作的一例的说明图。
控制部17控制平流输送部30，在扫描方向(X轴负方向)上输送玻璃基片G。控制部17参照存储器42，基于用于确定成为辅助曝光处理的对象的区域的数据，将第一周边区域A2a和第二周边区域A2b中的任一者确定为辅助曝光处理的对象。
控制部17在对玻璃基片G的在左右方向(Y轴方向)上延伸的第一周边区域A2a进行辅助曝光处理的情况下，利用移动部37使遮挡部件36避让到避让位置。在图13的例子中，位于避让位置的遮挡部件36由虚线表示。然后，控制部17利用光源单元32在第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的位置向第一周边区域A2a照射光。由此，在玻璃基片G的第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的每个位置，从光源单元32照射的光被聚光透镜34沿着扫描方向(X轴负方向)缩小而投射到第一周边区域A2a。
另一方面，控制部17在对玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b进行辅助曝光处理的情况下，如图13所示，利用移动部37使遮挡部件36从避让位置移动到处理位置。然后，控制部17利用光源单元32隔着位于处理位置的遮挡部件36向第二周边区域A2b照射光。由此，从光源单元32照射的光被遮挡部件36沿着左右方向(Y轴方向)缩小而投射到第二周边区域A2b。
这样，也可以为，辅助曝光装置11的控制部17在对玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b进行辅助曝光处理的情况下，利用光源单元32隔着遮挡部件36向第二周边区域A2b照射光。由此，从光源单元32照射的光被遮挡部件36沿着左右方向(Y轴方向)缩小，因此能够提高沿着左右方向的曝光分辨率。
(第四实施方式)
接着，参照图14和图15，对第四实施方式的辅助曝光装置11的结构进行说明。图14是从左右方向观察第四实施方式的辅助曝光装置11的图。图15是从前后方向观察第四实施方式的辅助曝光装置11的图。第四实施方式的辅助曝光装置11除了用于对玻璃基片G的第一周边区域A2a进行辅助曝光处理的结构以外，还具有用于对玻璃基片G的第二周边区域A2b进行辅助曝光处理的结构，这一点与第一实施方式不同。
图14和图15所示的辅助曝光装置11除了图4所示的结构以外，还包括液晶模块38。
液晶模块38配置在聚光透镜34与玻璃基片G之间。液晶模块38是将多个透射型液晶元件排列成矩阵状而形成的透射型液晶模块。液晶模块38能够在不遮挡玻璃基片G的透射模式与遮挡玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b(参照图7)所相邻的其他区域的遮挡模式之间转变。根据控制部17的控制，执行液晶模块38中的透射模式与遮挡模式之间的转变。遮挡模式的液晶模块38在与玻璃基片G的第二周边区域A2b对应的位置形成宽度比第二周边区域A2b窄的隙缝。在图15的例子中，示出了遮挡模式的液晶模块38。
如图15所示，本实施方式的光源单元32隔着遮挡模式的液晶模块38向玻璃基片G的第二周边区域A2b照射光。由光源单元32照射的光，透射液晶模块38的隙缝。在该液晶模块38中，能够使由光源单元32照射的光的照射范围处于玻璃基片G的第二周边区域A2b的范围内。换言之，通过使用液晶模块38，能够避免由光源单元32照射到玻璃基片G的第二周边区域A2b的光的照射范围与各产品区域A1的重叠。因此，依照本实施方式的辅助曝光装置11，与受到由从LED元件照射的光的放大所导致的限制的现有的辅助曝光装置相比，能够提高玻璃基片G的各产品区域A1周边的曝光分辨率。特别是，依照本实施方式的辅助曝光装置11，能够提高在玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b的曝光分辨率。
接着，参照图16，说明利用第四实施方式的辅助曝光装置11进行的处理工作。图16是表示利用第四实施方式的辅助曝光装置11进行的处理工作的一例的说明图。
控制部17控制平流输送部30，在扫描方向(X轴负方向)上输送玻璃基片G。控制部17参照存储器42，基于用于确定成为辅助曝光处理的对象的区域的数据，将第一周边区域A2a和第二周边区域A2b中的任一者确定为辅助曝光处理的对象。
控制部17在对玻璃基片G的在左右方向(Y轴方向)上延伸的第一周边区域A2a进行辅助曝光处理的情况下，使液晶模块38转变为透射模式。然后，控制部17利用光源单元32在第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的位置，隔着透射模式的液晶模块38向第一周边区域A2a照射光。由此，在玻璃基片G的第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的每个位置，从光源单元32照射的光被聚光透镜34沿着扫描方向(X轴负方向)缩小而投射到第一周边区域A2a。
另一方面，控制部17在对玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)上延伸的第二周边区域A2b进行辅助曝光处理的情况下，如图16所示，使液晶模块38转变为遮挡模式。然后，控制部17利用光源单元32隔着遮挡模式的液晶模块38向第二周边区域A2b照射光。由此，从光源单元32照射的光被液晶模块38沿左右方向(Y轴方向)缩小而投射到第二周边区域A2b。
这样，也可以为，辅助曝光装置11的控制部17在对玻璃基片G的在扫描方向(X轴负方向)延伸的第二周边区域A2b进行辅助曝光处理的情况下，利用光源单元32隔着液晶模块38向第二周边区域A2b照射光。由此，从光源单元32照射的光被液晶模块38沿着左右方向(Y轴方向)缩小，因此能够提高沿着左右方向的曝光分辨率。
＜变形例＞
在上述的第一实施方式中，说明了对玻璃基片G的在左右方向(Y轴方向)上延伸的第一周边区域A2a进行辅助曝光处理的情况的例子。但是，也可以在扫描方向(X轴负方向)上输送玻璃基片G的期间，对第一周边区域A2a和各产品区域A1连续地进行辅助曝光处理。在该情况下，也可以为，例如，在扫描方向(X轴负方向)上输送玻璃基片G的期间，辅助曝光装置11的控制部17进行以下那样的处理。即，控制部17利用光源单元32在沿玻璃基片G的左右方向(Y轴方向)延伸的第一周边区域A2a与聚光透镜34相对的位置，以第一照度向第一周边区域A2a照射光。另外，控制部17利用光源单元32在玻璃基片G的各产品区域A1与聚光透镜34相对的位置，以与第一照度不同的第二照度向各产品区域A1照射光。这样，在扫描方向(X轴负方向)上输送玻璃基片G的期间，通过对第一周边区域A2a和各产品区域A1连续地进行辅助曝光处理，能够提高辅助曝光处理的处理效率。
＜其他变形例＞
在上述的各实施方式中，包括平流地输送玻璃基片G的平流输送部30，将光源单元32在扫描方向上固定于一定位置。但是，也能够实现将玻璃基片G固定在例如载置台并在载置台上使光源单元32在扫描方向上移动的扫描方式、使玻璃基片G和光源单元32这两者移动的扫描方式。
另外，在上述的各实施方式中，被处理基片是FPD用的玻璃基片，但不限于此，也可以是其他平板显示器用基片、半导体晶片、有机EL、太阳能电池用的各种基片、CD基片、光掩模、印刷基板等。
如上所述，实施方式的辅助曝光装置(例如，辅助曝光装置11)包括输送部(例如平流输送部30)、光源单元(例如光源单元32)和聚光透镜(例如聚光透镜34)。输送部在第一方向(例如，扫描方向)上输送包括多个产品区域(例如，产品区域A1)和位于各产品区域的周边的周边区域(例如，周边区域A2)的被处理基片(例如，玻璃基片G)。光源单元在与第一方向交叉的第二方向(例如，左右方向)上排列地形成有多个光源(例如，光源321)，向在第一方向上被输送的被处理基片照射光。聚光透镜配置在光源单元与被处理基片之间，将由光源单元向被处理基片的在第二方向上延伸的周边区域(第一周边区域A2a)照射的光沿着第一方向聚光。因此，依照实施方式的辅助曝光装置，能够提高被处理基片的各产品区域周边的曝光分辨率。
另外，实施方式的辅助曝光装置也可以还包括局部光源(例如，局部光源33)和局部聚光透镜(例如，局部聚光透镜35)。也可以为，局部光源配置于与被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域(例如第二周边区域A2b)对应的位置，向在第一方向上被输送的被处理基片照射光。也可以为，局部聚光透镜配置在局部光源与被处理基片之间，将由局部光源向被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域照射的光沿着第二方向聚光。因此，依照实施方式的辅助曝光装置，能够提高被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域的曝光分辨率。
另外，实施方式的辅助曝光装置也可以还包括控制各部的控制部(例如，控制部17)。也可以为，控制部在对被处理基片的在第二方向上延伸的周边区域进行曝光处理(例如，局部曝光处理)的情况下，在周边区域与聚光透镜相对的位置利用光源单元向周边区域照射光。另外，也可以为，控制部在对被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域进行曝光处理的情况下，利用局部光源向周边区域照射光。因此，依照实施方式的辅助曝光装置，由于从局部光源照射的光被局部聚光透镜沿着第二方向缩小，因此能够提高沿着第二方向的曝光分辨率。
另外，实施方式的辅助曝光装置也可以还包括遮挡部件(例如，遮挡部件36)，该遮挡部件配置在聚光透镜与被处理基片之间，遮挡被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域所相邻的其他区域进行。另外，也可以为，光源单元隔着遮挡部件向被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域照射光。因此，依照实施方式的辅助曝光装置，能够提高被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域的曝光分辨率。
另外，实施方式的辅助曝光装置也可以还包括：移动部(例如移动部37)，其使遮挡部件在聚光透镜与被处理基片之间的处理位置、与预先决定的避让位置之间移动；和控制各部的控制部(例如，控制部17)。也可以为，控制部在对被处理基片的在第二方向上延伸的周边区域进行曝光处理的情况下，利用移动部使遮挡部件避让到避让位置，在聚光透镜与周边区域相对的位置利用光源单元向周边区域照射光。另外，也可以为，控制部在对被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域进行曝光处理的情况下，利用移动部使遮挡部件从避让位置移动到处理位置，利用光源单元隔着位于处理位置的遮挡部件向周边区域照射光。因此，依照实施方式的辅助曝光装置，从光源单元照射的光被遮挡部件沿着第二方向缩小，因此能够提高沿着第二方向的曝光分辨率。
另外，实施方式的辅助曝光装置也可以还包括液晶模块(例如，液晶模块38)，该液晶模块配置在聚光透镜与被处理基片之间，能够在不遮挡被处理基片的第一模式(例如，透射模式)与遮挡被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域所相邻的其他区域的第二模式(例如，遮挡模式)之间转变。另外，也可以为，光源单元隔着第二模式的液晶模块向被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域照射光。因此，依照实施方式的辅助曝光装置，能够提高被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域的曝光分辨率。
另外，实施方式的辅助曝光装置也可以还包括控制各部的控制部(例如，控制部17)。也可以为，控制部在对被处理基片的在第二方向上延伸的周边区域进行曝光处理的情况下，使液晶模块转变为第一模式，在聚光透镜与周边区域相对的位置利用光源单元隔着第一模式的液晶模块向周边区域照射光。另外，也可以为，控制部在对被处理基片的在第一方向上延伸的周边区域进行曝光处理的情况下，使液晶模块转变为第二模式，利用光源单元隔着第二模式的液晶模块向周边区域照射光。因此，依照实施方式的辅助曝光装置，从光源单元照射的光被液晶模块沿着第二方向缩小，因此能够提高沿着第二方向的曝光分辨率。
另外，实施方式的辅助曝光装置也可以还包括控制各部的控制部(例如，控制部17)。也可以为，控制部在第一方向上输送被处理基片的期间，在被处理基片的在第二方向上延伸的周边区域与聚光透镜相对的位置利用光源单元以第一照度向周边区域照射光。另外，也可以为，控制部在被处理基片的各产品区域与聚光透镜相对的位置利用光源单元以与第一照度不同的第二照度向各产品区域照射光。因此，依照实施方式的辅助曝光装置，能够提高辅助曝光处理的处理效率。
本次公开的实施方式在所有方面均为例示而不应该认为是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种方式实现。另外，上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书(发明范围)和其主旨的情况下，能够以各种方式进行省略、替换、变更。

Claims (10)

1.一种辅助曝光装置，其特征在于，包括：
在第一方向上输送被处理基片的输送部，其中，所述被处理基片包含多个产品区域和位于各所述产品区域的周边的周边区域；
光源单元，其在与所述第一方向交叉的第二方向上排列地形成有多个光源，向在所述第一方向上被输送的所述被处理基片照射光；以及
聚光透镜，其配置在所述光源单元与所述被处理基片之间，将利用所述光源单元向所述被处理基片的在所述第二方向上延伸的所述周边区域照射的光沿着所述第一方向聚光。
2.如权利要求1所述的辅助曝光装置，其特征在于，还包括：
局部光源，其配置于与所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域对应的位置，向在所述第一方向上被输送的所述被处理基片照射光；和
局部聚光透镜，其配置在所述局部光源与所述被处理基片之间，将由所述局部光源向所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域照射的光沿着所述第二方向聚光。
3.如权利要求2所述的辅助曝光装置，其特征在于：
还包括控制各部的控制部，
所述控制部，在对所述被处理基片的在所述第二方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，利用所述光源单元在所述周边区域与所述聚光透镜相对的位置向所述周边区域照射光，
所述控制部，在对所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，利用所述局部光源向所述周边区域照射光。
4.如权利要求1所述的辅助曝光装置，其特征在于：
还包括遮挡部件，其配置在所述聚光透镜与所述被处理基片之间，遮挡所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域所相邻的其他区域，
所述光源单元隔着所述遮挡部件向所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域照射光。
5.如权利要求4所述的辅助曝光装置，其特征在于，还包括：
移动部，其使所述遮挡部件在所述聚光透镜与所述被处理基片之间的处理位置、与预先决定的避让位置之间移动；和
控制各部的控制部，
所述控制部，在对所述被处理基片的在所述第二方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，利用所述移动部使所述遮挡部件避让到所述避让位置，在所述聚光透镜与所述周边区域相对的位置利用所述光源单元向所述周边区域照射光，
所述控制部，在对所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，利用所述移动部使所述遮挡部件从所述避让位置移动到所述处理位置，利用所述光源单元隔着位于所述处理位置的所述遮挡部件向所述周边区域照射光。
6.如权利要求1所述的辅助曝光装置，其特征在于，还包括：
液晶模块，其配置于所述聚光透镜与所述被处理基片之间，且能够在不遮挡所述被处理基片的第一模式与遮挡所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域所相邻的其他区域的第二模式之间转变，
所述光源单元隔着所述第二模式的所述液晶模块向所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域照射光。
7.如权利要求6所述的辅助曝光装置，其特征在于：
还包括控制各部的控制部，
所述控制部，在对所述被处理基片的在所述第二方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，使所述液晶模块转变为所述第一模式，在所述聚光透镜与所述周边区域相对的位置，利用所述光源单元隔着所述第一模式的所述液晶模块向所述周边区域照射光，
所述控制部，在对所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，使所述液晶模块转变为所述第二模式，利用所述光源单元隔着所述第二模式的所述液晶模块向所述周边区域照射光。
8.如权利要求1所述的辅助曝光装置，其特征在于，还包括：
控制各部的控制部，
所述控制部，在所述第一方向上输送所述被处理基片的期间，在所述被处理基片的在所述第二方向上延伸的所述周边区域与所述聚光透镜相对的位置利用所述光源单元以第一照度向所述周边区域照射光，
所述控制部，在所述被处理基片的各所述产品区域与所述聚光透镜相对的位置利用所述光源单元以与所述第一照度不同的第二照度向各所述产品区域照射光。
9.一种曝光方法，其特征在于：
所述曝光方法是辅助曝光装置中的曝光方法，
所述辅助曝光装置包括：
在第一方向上输送被处理基片的输送部，其中，所述被处理基片包含多个产品区域和位于各所述产品区域的周边的周边区域；
光源单元，其在与所述第一方向交叉的第二方向上排列地形成有多个光源，向在所述第一方向上被输送的所述被处理基片照射光；
聚光透镜，其配置在所述光源单元与所述被处理基片之间，将从所述光源单元向所述被处理基片的在所述第二方向上延伸的所述周边区域照射的光沿着所述第一方向聚光；
局部光源，其配置在与所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域对应的位置，向在所述第一方向上被输送的所述被处理基片照射光；以及
局部聚光透镜，其配置在所述局部光源与所述被处理基片之间，将从所述局部光源向所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域照射的光沿着所述第二方向聚光，
所述曝光方法包括如下处理：
在对所述被处理基片的在所述第二方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，在所述周边区域与所述聚光透镜相对的位置利用所述光源单元向所述周边区域照射光，
在对所述被处理基片的在所述第一方向上延伸的所述周边区域进行曝光处理的情况下，利用所述局部光源向所述周边区域照射光。
10.一种存储介质，其特征在于：
存储有使计算机执行权利要求9所述的曝光方法的程序。
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