CN108227398B - 光处理装置和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。

Description

光处理装置和基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种向基板的表面照射光而进行处理的技术。
背景技术
作为在半导体晶圆、液晶显示器用的玻璃基板等形成抗蚀剂图案的方法，公知有使用了光敏化学放大型抗蚀剂的方法。若利用曝光机进行使用了图案掩模的曝光(图案曝光)，该抗蚀剂在所曝光的部位产生酸，若进一步加热，则酸觉醒而成为例如碱溶解性。并且，通过向成为该碱溶解性的部位供给显影液，形成电路图案。
另一方面，随着电路图案的微细化进展，在电路图案中要求较高的分辨率。作为应对该要求的方法，公知有例如极端紫外线(EVU)曝光，对于EUV曝光，若增大曝光光源的光强度，则装置变得大型化，成本增大，因此不得不使装置小型化，减小光强度，生产率就变低。
另外，在专利文献1公知有一种使用了LED的曝光装置，其中，在使用图案掩模对涂敷有光敏化学放大型抗蚀剂的晶圆进行了图案曝光之后，进一步对图案曝光区域进行成批曝光，使晶圆上的图案的线宽度的面内均匀性良好。该曝光装置构成为，使例如晶圆从壳体内的一方朝向另一方移动，以沿着宽度方向跨越晶圆的移动区域的方式从LED照射光。并且，一边照射光，一边使晶圆从一方向另一方移动，使晶圆横穿照射区域，从而照射晶圆的整个表面。
不过，在基板形成涂敷膜后，使用图案掩模来进行图案曝光处理，接下来进行显影处理，此时，使用将进行涂敷膜的形成和显影处理的涂敷、显影装置和进行图案曝光处理的曝光装置连接起来的基板处理系统。在这样的情况下，在图案曝光处理后进一步对图案曝光区域进行曝光的曝光装置装入涂敷、显影装置。在该情况下，出于避免装置的大型化的观点考虑，优选的是，在成批曝光装置设置有进行晶圆的输入和输出的通用的输入输出口，避免基板处理装置内的基板的输送区域的大型化。
在这样的曝光装置的情况下，在向曝光装置输入晶圆并对晶圆的整个面进行了曝光处理之后，为了输出晶圆，在使晶圆从输入输出口侧向里侧移动时以及从里侧向输入输出口侧移动时这两次通过光的照射区域，若晶圆多次经过光的照射区域，则难以进行照射量的调整。因此，需要不以曝光为目的而使晶圆在光源的下方经过，但如果为了不对晶圆进行曝光，而若使LED断开，则在使LED连通时直到LED的光强度稳定为止花费时间，存在装置的生产率降低的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-156472号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是在这样的状况下做成的，其目的在于提供一种在向基板的表面照射光而进行基板处理时抑制生产率的降低并向基板进行稳定的光照射的技术。
用于解决问题的方案
本发明的光处理装置的特征在于，具备：
壳体，其形成进行基板的输入输出的输入输出口；
载置台，其设置于所述壳体内，并用于载置基板；
光照射单元，其设置于所述载置台的上方，该光照射单元使光源部发光而形成在比基板的左右方向的宽度宽的区域内延伸的带状的照射区域；
移动机构，其使所述载置台和光照射单元沿着前后方向彼此相对地移动；
光路变更部，其用于使从所述光照射单元照射的光偏离基板的相对的移动区域；以及
控制部，其输出控制信号，以便在所述基板不以由光的照射进行的处理为目的而在光照射单元的下方侧移动时，在使所述光源部发光了的状态下，利用所述光路变更部不在基板的表面形成照射区域。
本发明的基板处理装置是对形成有抗蚀剂膜的基板进行处理的基板处理装置，其特征在于，具备上述的光处理装置。
发明的效果
本发明构成为，利用光照射单元在壳体内形成在比基板的左右方向上的宽度宽的区域内延伸的带状的照射区域，使载置基板的载置台和光照射单元沿着前后方向相对地移动而向基板照射光。然后，在基板不以由光的照射进行的处理为目的而在光照射单元的下方侧移动时，利用光路变更部使从光照射单元照射的光脱离基板的相对的移动区域。因而，在对基板进行基于光的照射的处理时，能够避免在刚刚将光源部从断开切换成连通之后引起的光的照射的不稳定性导致的不良情况，另外，由光源部的预热时间的介入导致的生产率的降低的担心也被消除。
附图说明
图1是本发明的实施方式的涂敷、显影装置的俯视图。
图2是本发明的实施方式的涂敷、显影装置的立体图。
图3是表示成批曝光装置的立体图。
图4是表示对位机构的侧视图。
图5是表示光照射单元的纵剖主视图。
图6是光照射单元的纵剖侧视图。
图7是光照射单元的立体图。
图8是表示本发明的实施方式的作用的说明图。
图9是表示本发明的实施方式的作用的说明图。
图10是表示本发明的实施方式的作用的说明图。
图11是表示本发明的实施方式的成批曝光装置的另一个例子的剖视图。
图12是表示本发明的实施方式的成批曝光装置的另一个例子的作用的说明图。
图13是表示本发明的实施方式的成批曝光装置的另一个例子的剖视图。
图14是表示本发明的实施方式的成批曝光装置的另一个例子的作用的说明图。
图15是表示成批曝光装置的处理序列的一个例子的说明图。
附图标记说明
3、成批曝光装置；4、光照射单元；5、对位机构；6、照度检测部；7、旋转轴；30、壳体；31、载置台；32、驱动部；33、导轨；34、输入输出口；40、壳体；42、LED；43、狭缝；45、开闭器；47、开闭器驱动部；48、旋转轴；49、镜构件；400、LED光源组。
具体实施方式
作为本发明的实施方式的基板处理装置，对适用到涂敷、显影装置的例子进行说明，该涂敷、显影装置将光敏化学放大型抗蚀剂涂敷于晶圆W，对曝光后的晶圆W进行显影而形成抗蚀剂图案。如图1所示，涂敷、显影装置是通过将承载区块D1、检查区块D2、处理区块D3、转接区块D4沿着横向连接成直线状而构成的。另外，在转接区块D4连接有曝光装置D5。承载区块D1具备供储存作为圆形的基板的晶圆W的承载件C载置的载置台11。图中的附图标记12是开闭部，图中的附图标记13是用于在承载件C与检查区块D2之间输送晶圆W的移载机构。
在检查区块D2以从承载区块D1侧观察而沿着左右排列的方式设置有两台检查装置23，在检查装置23之间的、承载区块D1侧设置有暂时载置晶圆W的交接载置台10，在检查装置23之间的、处理区块D3侧设置有用于在交接载置台10、检查装置23、处理区块D3之间进行晶圆W的交接的移载机构19。在检查装置23中，在显影处理后进行在晶圆W形成的图案的线宽度的检查。具体而言，沿着径向分割晶圆W，对各分割区域中的图案的线宽度进行检测，将晶圆W内的分割区域的位置和图案的线宽度相关联地作为图案信息存储于控制部100。
处理区块D3是如图2所示那样对晶圆W进行液处理的单位区块E1～E6从下方依次层叠而构成的，在这些单位区块E1～E6中彼此并行地进行晶圆W的输送和处理。单位区块E1、E2彼此同样地构成，单位区块E3、E4彼此同样地构成，单位区块E5、E6彼此同样地构成。
在此，一边参照图1一边说明作为单位区块中代表的单位区块E5。在从承载区块D1朝向转接区块D4的输送区域F5的左右的一侧，沿着前后方向配置有多个架单元U，在另一侧沿着前后方向排列设置有两个显影模块21。显影模块21向在晶圆W的表面形成的抗蚀剂膜供给显影液。架单元U具备对晶圆W进行加热的加热模块22和作为光处理装置的成批曝光装置3。另外，在上述的输送区域F5设置有作为晶圆W的输送机构的输送臂14，在设置于该单位区块E5的各模块和随后论述的塔架T1、T2中的设置于与单位区块E5相同的高度的模块间输送晶圆W。
单位区块E1～E4除了向晶圆W供给的化学溶液不同之外，与单位区块E5、E6同样地构成。单位区块E1、E2具备向晶圆W供给防反射膜形成用的化学溶液的防反射膜形成模块来替代显影模块21，单位区块E3、E4具备向晶圆W供给化学放大型的抗蚀剂作为化学溶液来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成模块来替代显影模块21。
在处理区块D3中的检查区块D2侧设置有：塔架T1，其跨各单位区块E1～E6地上下延伸；以及作为升降自由的交接机构的交接臂15，其相对于塔架T1进行晶圆W的交接。塔架T1由彼此层叠起来的多个模块构成，并具备供晶圆W载置的交接模块。
转接区块D4具备跨单位区块E1～E6地上下延伸的塔架T2、T3、T4，并设置有：用于相对于塔架T2和塔架T3进行晶圆W的交接的作为升降自由的交接机构的转接臂16；用于相对于塔架T2和塔架T4进行晶圆W的交接的作为升降自由的交接机构的转接臂17；以及用于在塔架T2与曝光装置D5之间进行晶圆W的交接的转接臂18。曝光装置D5使用图案掩模来对晶圆W的表面进行曝光。塔架T2是交接模块、对曝光处理前的多张晶圆W进行储存而使其滞留的缓冲模块、对曝光处理后的多张晶圆W进行储存的缓冲模块、以及进行晶圆W的温度调整的温度调整模块等彼此层叠而构成的。
接下来，对成批曝光装置3进行说明。如图3所示，成批曝光装置设置于壳体30内，在壳体30，在例如输送区域F5侧设置有输入输出口34，在输入输出口34设置有对输入输出口34进行开闭的开闭板34a。在壳体30的底面设置有载置晶圆W的载置台31，载置台31在壳体30内沿着从输入输出口34侧的晶圆W的交接位置A延伸到壳体30的里侧的成批曝光处理前的晶圆W待机的待机位置B的导轨33移动，并且，与用于使载置到载置台31的晶圆W绕铅垂轴线旋转的驱动部32连接。此外，驱动部32相当于移动机构。
在成批曝光装置3的里侧的待机位置B设置有图4所示的对位机构5。对位机构5具备框部50、对准用光源51以及传感器52，对准用光源51和传感器52分别以与框部50的顶板部下表面和底板部的上表面彼此相对的方式固定。
若载置到载置台31的晶圆W向待机位置B移动，则晶圆W的周缘部以遮挡从对准用光源51照射来的光的光路的一部分的方式定位，未被晶圆W遮挡而在晶圆W的侧方经过了的光向传感器52照射。然后，基于使晶圆W旋转了时的传感器52所感知的照射区域的变化对在例如晶圆W的周缘形成的凹口的朝向进行检测，并进行控制，以使进行曝光处理的晶圆W的朝向恒定。
另外，在晶圆W的移动的区域中的晶圆W的交接位置A与晶圆W的待机位置B之间的上方设置有向晶圆W照射紫外线的光照射单元4。若将晶圆W的移动方向设为前后方向，则光照射单元4如图5、图6所示那样具备横向宽度比晶圆W的移动区域的左右宽度长的矩形的壳体40，在壳体40的内部设置有作为光源部的LED(Light Emitting Diode：发光二极管)光源组400。LED光源组400是将沿着前后方向排列多个、例如“4个”LED42而构成的作为LED42的列的单体沿着左右方向排列88列而构成。此外，在附图中，为了使作图的困难性和构造的把握的容易性优先，将LED的排列记载为在方便基础上的个数。
LED光源组400固定于被设置于壳体40内的通用的LED基板41，并以朝向下方照射紫外线的方式配置。在壳体40的底面形成有作为照射口的狭缝43，该狭缝43沿着左右方向延伸，并在跨在晶圆W的移动区域的范围内形成，从LED光源组400发出的紫外线经由狭缝43朝向光照射单元4的下方照射。因而，从光照射单元4照射的光在比晶圆W的移动区域的左右方向的宽度宽的区域内照射。另外，光照射单元4在LED基板41的上表面侧设置有LED控制部44，LED控制部44构成为，基于从控制部100输入的信号，按照各单体对LED42的光强度进行调整。
如图6所示，在壳体40的下端部的前方侧(交接位置A侧)设置有沿着晶圆W的移动区域的左右方向延伸的作为遮蔽构件的金属制的开闭器45和收纳开闭器45的开闭器收纳部46。开闭器45使平板的跟前侧部分弯曲而截面构成为L字状，但在图中，为了避免烦杂化，以平板表示。如图7所示，在开闭器45的左右方向一端侧设置有开闭器驱动部47。开闭器45利用该开闭器驱动部47沿着前后水平移动，开闭器45位于壳体40的下方，在堵塞狭缝43的位置与开闭器45收纳于开闭器收纳部46、狭缝43的下方被敞开的位置之间移动。开闭器45和开闭器驱动部47构成遮蔽机构。
另外，开闭器45的在使开闭器45关闭时面对狭缝43的面的表面即LED42的光所照射的面被凹凸加工，若LED42的光照射到开闭器45，则光散射。由此，在使开闭器45关闭时从LED42照射出来的光不会以较强的照度朝向LED42反射。另外，也可以在光照射单元4内设置吸光部而使阻断或者进行了光路的变更的光不向LED42的附近反射。
另外，如图6、图7所示，成批曝光装置3具备用于按照各单体对光照射单元4中的LED42的照度进行检测的照度检测部6，在照度检测部6的顶端设置有聚光部60。聚光部60具备沿着单体的长度方向水平地延伸的方筒状的壳体61，在壳体61，沿着聚光部60的长度方向在LED42的单体的照射区域内形成有狭缝62。聚光部60经由光纤63与照度传感器64连接，照度传感器64固定于沿着导轨65移动的移动机构66，该导轨65沿着形成在光照射单元4的里侧背面的成批曝光装置3的左右方向延伸。并且，构成为，通过使照度检测部6移动，聚光部60沿着左右方向水平地移动，位于聚光部60的上方的LED42的单体被变更。
在聚光部60的壳体61的内部设置有由长方体的荧光玻璃构成的聚光体，聚光体以与经由狭缝62进入了的光的照度相对应的照度发光。聚光体根据所吸收的光的总照度、即构成该单体的4个LED42的合计的照度发光，聚光体的照度经由光纤63由照度传感器64测定，从而对构成单体的4个LED42的总照度进行测定。此外，图5中以实线表示的照度检测部6的位置表示在对晶圆W进行曝光处理时照度检测部6所待机的位置，位于该位置的聚光部60偏离晶圆W的移动区域，晶圆W和聚光部60以彼此不干涉的方式配置。
如图1所示，在涂敷、显影装置设置有由例如计算机构成的控制部100。控制部100具有程序储存部，在程序储存部与涂敷、显影装置中的晶圆W的处理的序列一起储存有编入有命令的程序，以实施成批曝光装置3中的载置台31的移动、光照射单元4的光的照射、开闭器45的开闭、进而实施LED光源组400的各单体的照度的调整。该程序由例如软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)、存储卡等存储介质储存而安装于控制部100。
对由上述的涂敷、显影装置和曝光装置D5构成的系统中的晶圆W的处理进行说明，首先，对涂敷、显影装置和曝光装置D5的整体的晶圆W的流程进行说明。晶圆W被移载机构13从承载件C载置于检查区块D2中的交接载置台10，接下来，被移载机构19向处理区块D3中的塔架T1的交接模块输送。晶圆W被从该交接模块向塔架T1中的与单位区块E1、E2分别对应的交接模块分别分配而被输送。
如此分配好的晶圆W按照交接模块→防反射膜形成模块→加热模块→交接模块的顺序被输送，接下来被交接臂15向与单位区块E3、E4分别对应的交接模块分配。如此分配到交接模块的晶圆W被向分别对应的抗蚀剂膜形成模块输送，向整个表面涂敷光敏化学放大型的抗蚀剂，形成抗蚀剂膜。之后，晶圆W按照加热模块→塔架T2的交接模块的顺序被输送，被经由塔架T3向曝光装置D5输入，使用图案掩模来进行曝光处理。由此，由于晶圆W的曝光处理，在图案曝光后的区域产生酸和光敏剂。
图案曝光后的晶圆W被向单位区块E5、E6分别输送。然后，晶圆W的整个表面被随后论述的成批曝光装置3曝光，已述的光敏剂吸收光，在图案曝光后的区域中进一步产生酸和光敏剂。通过如此进行成批曝光，酸在抗蚀剂膜的图案曝光后的区域中增生。之后，晶圆W被向加热模块22输送而被加热。利用该加热模块22，图案曝光后的区域由于酸而变质，相对于显影液变得可溶。接下来，晶圆W被向显影模块21输送而显影液被供给，变质后的区域溶解于显影液而形成抗蚀剂图案。之后，在晶圆W被输送到塔架T1后，经过检查区块D2而被输入承载区块D1，借助移载机构13返回承载件11。
接下来，对成批曝光装置3的作用进行说明，但在由上述的涂敷、显影装置和曝光装置D5构成的系统中，在作为产品的晶圆W的处理之前使用检查用晶圆来进行成膜，基于由检查装置23取得的检查用晶圆的图案信息来决定成批曝光装置3中的LED光源组400的各单体的照度。
具体而言，在涂敷、显影装置内开始进行产品用晶圆W的处理之前，使用与例如晶圆W所使用的抗蚀剂相同的抗蚀剂、以及图案曝光掩模而在检查用晶圆形成图案。接着，除了利用成批曝光装置3对检查用晶圆使用成为基准的曝光量之外，与产品晶圆相同地进行成批曝光，接着，进行显影。随后，进行了显影处理的晶圆W被输入检查区块D2，被向检查装置23输送。
然后，利用检查装置23对在检查用晶圆获得的图案的线宽度进行检查。在检查装置23中，将例如检查用晶圆沿着宽度方向分割成与例如成批曝光装置3中的LED42的单体的数相同数量的区域，取得各区域中的图案的线宽度的大小和晶圆W的位置相关联而成的图案信息。控制部100接收该图案信息，生成使晶圆W的位置、例如分割区域的位置和标准化的曝光量值相关联而成的数据，在成批曝光装置3中，以晶圆W的各分割区域的累计光量一致的方式与各分割区域的位置相对应地设定向该区域照射光的各LED42的单体的光强度。
接着，利用照度传感器64进行各单体的照度的测定，按照LED42的各单体对是否成为设定值那样的照度进行判定，利用LED控制部44对向该LED42供给的电流进行调整，从而对LED42的光强度进行调整而照度被调整成设定值的照度。
之后，将开闭板34a打开，如图8所示，首先，进行了图案曝光的产品用的晶圆W被输送臂14向位于交接位置A的载置台31交接。此时，在光照射单元4中，LED光源组400按照针对各单体由检查装置23取得的图案信息，以设定好的光强度(供给所设定好的电流)照射光，开闭器45成为关闭的状态。接着，将开闭板34a关闭，进一步在如图9所示那样使开闭器45关闭的状态下，使载置台31向待机位置B前进。此时，使开闭器45关闭，因此，光不向晶圆W的移动区域照射，晶圆W能够不被曝光地向待机位置B移动。然后，在待机位置B如已述那样进行晶圆W的对位。由此，由检查装置23取得了图案信息时的分割区域的排列方向与LED光源组400中的LED42的单体的排列方向一致。
接下来，如图10所示那样使开闭器45打开。由此，光向晶圆W的移动区域照射。此时按照LED光源组400中的LED42的各单体进行设定，因此，沿着晶圆W的移动区域的宽度方向形成有预定的照度的分布的照射区域被形成。
然后，LED光源组400的各单体设定成，在对所对应的晶圆W的分割区域分别进行了曝光时，累计曝光量在晶圆W的整个表面变得均匀。因此，通过使晶圆W从待机位置B向交接位置A移动而进行曝光，晶圆W的整个表面与曝光装置D5中的图案曝光时的曝光量相应地晶圆W整体的曝光量变得均匀。并且，若晶圆W的曝光处理结束，则在光照射单元4中，将开闭器45关闭而待机。而且，若晶圆W返回交接位置A，则开闭板34a被打开，位于交接位置A的晶圆W被向输送臂14取出，被向显影装置输送。晶圆W的累计曝光量在整个表面变得均匀，因此，在进行了显影处理时，晶圆W的整个表面上的线宽度一致。并且，在如已述那样进行了加热处理之后，返回承载件C。在成批曝光装置3中，例如后续的产品用的晶圆W被输入，同样地进行光照射处理。
在上述的实施方式中，在使输入到成批曝光装置3内的晶圆W从输入输出口34侧朝向进行里侧的对位的待机位置B移动时，使作为光的照射口的狭缝43关闭。接着，在使晶圆W从待机位置B向交接位置A移动时，使开闭器45打开而向晶圆W照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆W在LED光源组400的下方经过时，晶圆W不被曝光，并且，保持使LED光源组400发光的状态且不断开。因此，在使LED光源组400从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。因而，能够以稳定的光的照度迅速地对晶圆W进行曝光。
另外，在不设置开闭器45、保持使LED光源组400发光的状态的情况下，必须从图2所示的待机位置B输出晶圆W，但在已述的实施方式中，能够在相同的交接位置A进行晶圆W的输入、输出。因此，在将成批曝光装置3设置于图1所示那样的涂敷、显影装置时，以面对晶圆W的输送区域的方式设置的成批曝光装置3的输入输出口34成为一处，因此，涂敷、显影装置内的模块的配置布局变得简单，能够避免装置的大型化。
另外，若LED光源组400被较强的光照射，则LED光源组400的寿命变短、或LED光源组400的温度上升，有可能带来照度相对于设定照度偏离等不良影响。因此，也可以使从遮蔽机构反射而到达LED光源组400的光的照度减弱。此外，有可能带来不良影响的照度是例如LED光源组400的使用寿命减少到90％的照度、或LED光源组400的照度偏离±5％的照度。
作为这样的例子，列举出对开闭器45的表面进行了凹凸加工的例子。通过设为在开闭器45的表面设置有凹凸面的结构，从LED光源组400照射的光散射，利用开闭器45进行反射，能够使朝向LED光源组400反射的光的照度衰减，向LED光源组400反射的光的照度变弱。也可以在开闭器45的LED光源组400的光所照射的面形成防反射膜。如此在开闭器45中的LED光源组400的光所照射的照射面使光散射或衰减，通过设置使被反射而返回LED光源组400的光的光强度衰减的凹凸面、防反射膜等光衰减部，能够防止LED光源组400被较大的照度的光照射。
另外，也可以使开闭器45构成为，LED光源组400的光的受光面相对于LED光源组400的方向倾斜几度。或者，也可以是，进行表面的曲面加工，使光的反射方向偏离LED光源组400的方向。若照射到开闭器45的光被向LED光源组400的方向反射，则LED光源组400就被照度较大的光(光强度的较强的光)照射，通过向与LED光源组400的方向不同的方向反射，同样地能够抑制朝向LED光源组400反射的反射光的光强度，因此，同样地能够防止LED光源组400被较强的光照射。
另外，也可以在光照射单元4设置对开闭器45进行冷却的例如水冷式的冷却机构。开闭器45将从LED光源组400照射的光阻断，因此，易于蓄积热。若热蓄积于开闭器45，则产生光学系统的变形，有时照射的光量偏离。因此，通过使开闭器45冷却，能够使晶圆W的照度准确。
而且，也可以是，在使晶圆W从交接位置A向待机位置B不以曝光为目的而在LED光源组400的下方经过了之后，以曝光为目的而使晶圆W在交接位置A与待机位置B之间多次移动。而且，也可以是如下结构：载置台31的位置被固定，光照射单元4沿着前后方向移动而向晶圆W照射光。
而且，本发明也可以是如下光照射装置：向晶圆W的移动区域照射光，一边使晶圆W绕铅垂轴线旋转一边使其在光的照射区域经过，进行晶圆W的光处理。而且，也可以是，以曝光为目的而使晶圆W在LED光源组400的下方而在交接位置A与待机位置B之间多次移动时，使例如晶圆W旋转而使其在交接位置A与待机位置B之间移动来进行光处理，接着，不使晶圆W旋转而使其在交接位置A与待机位置B之间移动来进行光处理。
另外，本发明的成批曝光装置3不限于光敏化学放大型的抗蚀剂，也可以是进行涂敷有通常的抗蚀剂的晶圆W的敏化、线宽度的调整的装置。另外，也可以是例如照射光而使涂敷膜中的碳膜的交联反应进行而使难蚀刻性提高的装置、促进抗蚀剂膜的硬化的装置。另外，也可以是用于使有机膜硬化的装置、或者通过向晶圆W照射光、来对涂敷膜中的下层膜的膜厚进行调整的装置。
接下来，对本发明的实施方式的成批曝光装置的另一个例子进行说明。如图11所示那样构成为，改变LED光源组400的照射方向而使在光照射单元4的下方经过的晶圆W不被曝光。构成为，例如使LED光源组400绕沿着左右方向延伸的旋转轴48转动。此外，图中的附图标记8是用于使从LED光源组400照射的光按照各单体聚焦的柱面型的透镜。而且，将照度传感器64设置于壳体40内的使LED光源组400的照射方向朝向水平方向时的光所照射的位置。并且，构成为使照度传感器64沿着LED光源组400中的单体的排列方向(左右方向)移动，构成为能够对LED42的各单体的照度进行计量。
并且，在向光照射单元4的下方照射光、并对晶圆W进行曝光的情况下，如图11所示那样使LED光源组400的照射方向朝向下方(穿过狭缝43的方向)。由此，从LED光源组400照射的光经由狭缝43向光照射单元4的下方的晶圆W的移动区域照射。在如此光照射到光照射单元4的下方的状态下，通过使晶圆W从例如待机位置B向交接位置A移动，晶圆W的整个表面被光照射而被曝光。
而且，在使晶圆W不以曝光为目的而在光照射单元4的下方移动时，例如在使输入到成批曝光装置3的晶圆W从交接位置A向待机位置B移动时，如图12所示那样使LED光源组400绕旋转轴48转动而使LED光源组400的照射方向朝向水平方向。由此，从LED光源组400照射的光的光路偏离狭缝43。因而，能够不使光向晶圆W的表面照射而使晶圆W在光照射单元4的下方移动。
另外，在壳体40内已散射了的光有可能从狭缝43漏出的情况下，也可以设置如图7所示那样的对狭缝43进行开闭的开闭器45。由此，从LED光源组400照射的光的光路偏离狭缝43，并且，利用开闭器45使狭缝43关闭，从而能够更可靠地防止光向在光照射单元4的下方经过的晶圆W照射。
另外，光照射单元4也可以构成为，利用镜构件49对LED光源组400的光路的方向进行切换。例如，如图13所示那样设置成使LED光源组400沿着水平方向照射，在LED光源组400的光路中的狭缝45的上方设置倾斜了例如45°的镜构件49而使光路朝向下方侧。由此，由镜构件49反射了的光穿过狭缝43，朝向晶圆W的移动区域照射。另外，构成为使镜构件49以沿着左右方向延伸的旋转轴7为中心转动，构成为能够对镜构件49的设置角度进行调整。
并且，在使晶圆W不以曝光为目的而在光照射单元4的下方移动时，例如在使晶圆W从交接位置A向待机位置B移动时，通过如图14所示那样改变镜构件49的角度而使镜构件49偏离从LED光源组400照射的光的光路。由此，切换成LED光源组400照射的光沿着水平方向直行，光路偏离狭缝43，能够防止光向在光照射单元4的下方经过的晶圆W照射。
另外，本发明也可以是，在各晶圆W被光处理装置连续地处理的情况下，仅在晶圆W不以光的照射为目的而在光照射单元4的下方经过时，使照射的光偏离基板的相对的移动区域，在除此之外的时候，设为光照射到基板的相对的移动区域的状态。
针对这样的例子，参照图15对使用了图3～7所示的成批曝光装置3的处理序列进行说明。在该例子中，在时刻t0，使开闭板34a打开，已经利用成批曝光装置3进行基于光照射的处理并返回到交接位置A的晶圆W被输送臂14输出，接下来应该处理的晶圆W向位于交接位置A的载置台31交接(处理完毕的晶圆W与处理前晶圆W之间的更换)。而且，使输送臂14向成批曝光装置3外退避，在时刻t1，使开闭板34a关闭，并且使开闭器45关闭。接着，在使开闭器45关闭的状态下，使载置台31向待机位置(对准位置)B前进(时刻t2～t3)，在待机位置B如已述那样进行晶圆W的对位(对准)。在晶圆W的对位结束后的时刻t4使开闭器45打开，并且开始晶圆W的旋转。
然后，在光照射到晶圆W的移动区域的状态下，在维持晶圆W的转速的状态下使晶圆W在光照射单元4的下方经过。更详细而言，在载置台31在对准位置被加速到预定的转速之后，载置台31花费例如1秒向后方侧移动而到达晶圆W的曝光区域，曝光被开始。因此，图15中的时刻t5表示包括晶圆W到达了预定的转速的时间点及其后的1秒钟。
由此，晶圆W的整个表面被光照射而被曝光(时刻t6)。在晶圆W经过了曝光区域之后，在使开闭器45打开了的状态下，使晶圆W的旋转减速而使晶圆W的旋转停止，使晶圆W向交接位置A移动(时刻t7)。而且，在使开闭器45打开了的状态下，使开闭板34a打开，将结束了光照射处理的晶圆W输出，并且，将后续的产品用晶圆W向载置台31交接，同样地对晶圆W进行光照射处理。
在该实施方式中，晶圆W为了进行其对位而仅在从交接位置A向待机位置B移动时使开闭器45关闭。如此仅在晶圆W不以由光的照射进行的处理为目的而在光照射单元4的下方经过时，使开闭器45关闭，从而能够缩短LED光源部400照射光、且使光照射单元4的开闭器45关闭时间的合计时间。在上述的实施方式中，在进行装置的运用期间内，使LED光源部400设为连通的状态，因此，若开闭器45的关闭时间变长，则LED42的光向开闭器45照射的时间变长，开闭器45有时因材质而由于热产生变形。另外，LED42的光被开闭器45反射的时间也变长，LED42被暴露于反射光的时间也变长，因此，易于缩短LED光源组400的寿命。
因而，如此仅在晶圆W不以由光的照射进行的处理为目的而在光照射单元4的下方经过时使开闭器45关闭，在其他的时间设为使开闭器45打开了的状态，从而，开闭器45的材质的自由度变大，能够进一步抑制LED光源组400的劣化等不良情况。

Claims (10)

1.一种光处理装置，其特征在于，该光处理装置包括：
壳体，其形成进行基板的输入输出的输入输出口；
载置台，其设置于所述壳体内，并用于载置基板；
光照射单元，其设置于所述载置台的上方，该光照射单元使光源部发光而形成在比基板的左右方向的宽度宽的区域内延伸的带状的照射区域；
移动机构，其使所述载置台和光照射单元沿着前后方向彼此相对地移动；
光路变更部，其用于使从所述光照射单元照射的光偏离基板的相对的移动区域；以及
控制部，其输出控制信号，以便在所述基板不以由光的照射进行的处理为目的而在光照射单元的下方侧相对地移动时，在使所述光源部发光了的状态下，利用所述光路变更部在基板的表面不形成照射区域，
其中，所述光路变更部是遮蔽被形成于所述光照射单元的底部的光的照射口的遮蔽机构，
所述遮蔽机构在遮蔽了所述光的照射口时反射光而使到达光源部的反射光的照度是不给所述光源部带来不良影响的照度。
2.根据权利要求1所述的光处理装置，其特征在于，
所述遮蔽机构在所述遮蔽机构中的被光源部的光所照射的照射面设置有凹凸。
3.根据权利要求1所述的光处理装置，其特征在于，
所述遮蔽机构在所述遮蔽机构中的被光源部的光所照射的照射面设置有防反射膜。
4.根据权利要求1所述的光处理装置，其特征在于，
所述遮蔽机构的光源部的光照射的照射面以反射光向与光源部的方向不同的角度反射的方式倾斜。
5.根据权利要求1所述的光处理装置，其特征在于，
所述光路变更部是使所述光源部绕水平轴线转动的转动部。
6.根据权利要求1所述的光处理装置，其特征在于，
所述光路变更部是能够使从所述光源部照射的光的光路在穿过狭缝的方向与偏离该狭缝的方向之间切换的镜构件。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的光处理装置，其特征在于，
所述载置台构成为在经由所述输入输出口向所述壳体内交接基板的交接位置与基板待机的待机位置之间移动自由，
所述光照射单元设置于所述载置台的移动区域的交接位置与待机位置之间的上方，
载置台在所述交接位置与所述待机位置之间移动时包括从光照射单元向基板照射光的步骤和所述基板不以由光的照射进行的处理为目的而在光照射单元的下方侧移动的步骤。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的光处理装置，其特征在于，
该光处理装置是在使用图案掩模来对形成有抗蚀剂膜的基板进行了图案曝光之后对图案曝光区域进行曝光的装置。
9.根据权利要求1～6中任一项所述的光处理装置，其特征在于，
所述光源部是LED。
10.一种基板处理装置，其是对形成有抗蚀剂膜的基板进行处理的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具备权利要求1～9中任一项所述的光处理装置。
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