JP2015050301A - 光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法 - Google Patents

光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015050301A
JP2015050301A JP2013180668A JP2013180668A JP2015050301A JP 2015050301 A JP2015050301 A JP 2015050301A JP 2013180668 A JP2013180668 A JP 2013180668A JP 2013180668 A JP2013180668 A JP 2013180668A JP 2015050301 A JP2015050301 A JP 2015050301A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light irradiation
light
stage
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013180668A
Other languages
English (en)
Inventor
太 島井
Futoshi Shimai
太 島井
晶彦 佐藤
Masahiko Sato
晶彦 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2013180668A priority Critical patent/JP2015050301A/ja
Publication of JP2015050301A publication Critical patent/JP2015050301A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】基板に対して均一な照射量となるように光を照射すること。【解決手段】基板を保持して移動可能なステージと、所定波長の光を発光する直管状の光源を有し、前記光源の長手方向における寸法が前記基板の径よりも大きく、前記光源からの前記光を射出するスリットが前記長手方向に沿って設けられた光照射部と、平面視において前記基板の所定領域が前記光源から前記長手方向にはみ出さずに前記基板と前記光源とが対向してすれ違うように前記ステージと前記光照射部とを相対的に移動させる相対移動部とを備える。【選択図】図1

Description

本発明は、光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法に関する。
半導体基板などの基板に、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンを形成する手法として、例えばフォトリソグラフィ法が知られている。フォトリソグラフィ法では、基板上にレジスト膜を塗布する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後のレジスト膜を現像する工程及び現像後のレジスト膜に対して紫外線などの光を照射する工程(キュア工程)が行われる。
キュア工程は、基板に対して光を照射する光照射装置によって行われる(例えば、特許文献1参照)。このような光照射装置には、略円形に形成された基板の全面に光を照射するため、1回又は複数回に折り曲げられた管状のランプが搭載される場合がある。このランプを用いることにより、直線状の部分と折り曲げられた部分とからそれぞれ光が射出されるため、基板の全面に光が行き届くようになっている。
特開2001−332712号公報
しかしながら、上記構成においては、直線部分と折り曲げられた部分とで光の強度が異なってしまい、基板に照射される光の照射量がばらついてしまうという問題がある。
以上のような事情に鑑み、本発明は、基板に対して均一な照射量となるように光を照射することが可能な光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置に製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第一の態様に係る光照射装置は、基板を保持して移動可能なステージと、所定波長の光を発光する直管状の光源を有し、前記光源の長手方向における寸法が前記基板の径よりも大きく、前記光源からの前記光を射出するスリットが前記長手方向に沿って設けられた光照射部と、平面視において前記基板の所定領域が前記光源から前記長手方向にはみ出さずに前記基板と前記光源とが対向してすれ違うように前記ステージと前記光照射部とを相対的に移動させる相対移動部とを備える。
この構成によれば、スリットから射出される光を基板に照射しつつ、基板の所定領域が直管状の光源から長手方向にはみ出さずに基板と光源とが対向してすれ違うようにステージと光照射部とを相対的に移動させることにより、スリットからの光を基板上に走査させることができる。これにより、基板に対して均一な照射量となるように光を照射することが可能となる。
上記の光照射装置において、前記所定領域は、パターンが形成される領域である。
この構成によれば、基板のうちパターンが形成される領域に対して、均一な照射量となるように光を照射することが可能となるため、パターンを高精度に形成することが可能となる。
上記の光照射装置において、前記相対移動部は、前記ステージを移動させるステージ駆動部を有する。
この構成によれば、相対移動部がステージを移動させるステージ駆動部を有するため、基板と光源とを効率的に相対移動させることができる。
上記の光照射装置において、前記ステージ駆動部は、直線状の第一経路及び曲線状の第二経路に沿って前記ステージを移動可能である。
この構成によれば、ステージを直線状に移動させる場合であっても、また、ステージを曲線状に移動させる場合であっても、容易にステージを移動させることができる。
上記の光照射装置において、前記第一経路及び前記第二経路は、連続して設けられている。
この構成によれば、第一経路及び第二経路が連続して設けられているため、直線状の第一経路と曲線状の第二経路との間において、一動作でステージを移動させることができる。これにより、ステージの移動制御を容易に行うことができる。
上記の光照射装置において、前記光源は、当該光源の前記長手方向と前記第一経路の延在方向とが直交するように前記第一経路上に配置されている。
この構成によれば、光源とステージとがすれ違う際に、光源の長手方向と直交する方向に基板を移動させることができるため、基板を光源の長手方向にはみ出しにくくすることができる。
上記の光照射装置は、前記基板の搬入及び搬出が行われる搬入出部を更に備え、前記第二経路は、前記第一経路と前記搬入出部と接続している。
この構成によれば、第二経路が、上記第一経路と、基板の搬入及び搬出が行われる搬入出部と接続しているため、搬入出部から光源までステージをスムーズに移動させることができる。
上記の光照射装置において、前記第二経路は、円弧状に形成されている。
この構成によれば、第二経路が円弧状に形成されているため、第二経路上においてステージをスムーズに移動させることができる。
上記の光照射装置において、前記ステージは、複数設けられている。
この構成によれば、ステージが複数設けられているため、一のステージが光源とすれ違う間に他のステージにおいて準備動作を行わせることができる。これにより、タクトの短縮を図ることができる。
上記の光照射装置において、前記ステージは、2つ設けられており、2つの前記ステージは、互いに反対方向に前記光源とすれ違うように移動可能である。
この構成によれば、ステージが2つ設けられており、2つのステージが互いに反対方向に光源とすれ違うように移動可能であるため、ステージ同士が干渉するのを抑制することができる。
上記の光照射装置において、2つの前記ステージは、前記光源を挟んで対称の軌道を移動可能である。
この構成によれば、2つのステージが光源を挟んで対称の軌道を移動可能であるため、装置の設計が行いやすくなる。
上記の光照射装置において、前記相対移動部は、2つの前記ステージが交互に前記光源とすれ違うように移動させる。
この構成によれば、2つのステージを交互に光源とすれ違うように移動させることにより、複数の基板に対して効率的に光を照射することができる。
上記の光照射装置において、前記光源は、所定の光強度以上の前記光を発光する発光領域を有し、前記光源の長手方向において前記発光領域の寸法は、前記基板の径よりも大きい。
この構成によれば、光源が所定の光強度以上の光を発光する発光領域を有し、光源の長手方向において発光領域の寸法が基板の径よりも大きいため、基板に対して十分な照射量の光を効率的に照射することができる。
本発明の第二の態様に係る基板処理装置は、基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置とを備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置であって、前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方から接続され、現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置と、前記基板搬送ラインと前記光照射装置との間で前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置とを更に備え、前記光照射装置として、本発明の第一の態様に係る光照射装置が用いられている。
この構成によれば、基板に対して均一な照射量となるように光を照射することが可能な光照射装置が用いられているため、処理精度の高い基板処理装置が得られる。
本発明の第三の態様に係る基板処理装置の製造方法は、基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置とを備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置の製造方法であって、現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置を、前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方から接続する工程を有し、前記光照射装置として、本発明の第一の態様に係る光照射装置を用いる。
この構成によれば、現像装置よりも下流側に配置される関連装置の一部に基板搬送ラインの側方から接続することにより、光照射装置を容易に取り付けることができる。
本発明によれば、基板に対して均一な照射量となるように光を照射することが可能な光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置に製造方法を提供することができる。
光照射装置を含むコーターデベロッパー装置の構成を示す平面図。 光照射装置の構成を示す側面図。 光照射装置の構成を示す側面図。 光照射装置の構成を示す平面図。 図4におけるA−A断面に沿った構成を示す図。 光照射装置の動作を示す平面図。 光照射装置の動作を示す平面図。 光照射装置の動作を示す平面図。 光照射装置の動作を示す平面図。 光照射装置の動作を示す平面図。 光照射装置の動作を示す平面図。 光照射装置の動作を示す平面図。 光照射装置の動作を示す平面図。 光照射装置の動作を示す平面図。 光照射装置の他の配置例を示す図。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
図1は、本実施形態に係る光照射装置100を含むコーターデベロッパー装置CDの構成を示す平面図である。
コーターデベロッパー装置CDは、半導体デバイス製造用の半導体基板(以下、「基板」と表記する)Wに対する感光材塗布処理を行うとともに、露光処理が施された基板Wに対して現像処理を施す装置である。図1に示すように、コーターデベロッパー装置CDは、例えばクリーンルームの床面上に設置されている。コーターデベロッパー装置CDは、インターフェース部IFを介して露光装置EXに接続されている。
コーターデベロッパー装置CDは、基板搬入搬出部LUと、基板処理部SPと、システム全体を制御する制御部CONTとを有している。
基板搬入搬出部LUは、基板Wを搬入及び搬出する。基板処理部SPは、処理ユニットU1〜U6と、搬送部TRとを備えている。搬送部TRは、基板Wを保持可能なアームARを有している。アームARは、処理ユニットU1〜U6に対して選択的にアクセスできるように設けられている。
処理ユニットU3では、基板Wを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば基板Wに所定の加熱処理を施す高温度熱処理ユニット、基板Wに精度の良い温度管理化で加熱処理を施す高精度温調ユニット、基板Wの受け渡しを行うトランジションユニット、基板Wの温度を調整する温調ユニットが上から順に重ねられている。処理ユニットU4では、例えば熱処理ユニットとしてプリベークユニット、レジスト塗布後の基板Wに加熱処理を施すポストベークユニット、高精度温調ユニットが上から順に重ねられている。処理ユニットU5では、例えば露光後の基板Wに加熱処理を施すポストエクスポージャーベーキングユニット、高精度温調ユニットが例えば上から順に重ねられている。
基板処理部SPの装置正面側(図中−X側)には、処理ユニットU1と、処理ユニットU2と、処理ユニットU6とがY方向に併設されている。処理ユニットU1では、カップ内で半導体基板Wをスピンチャックに載せて所定の処理を行うレジスト塗布ユニット、露光時の光の反射を防止するために反射防止膜を形成するボトムコーティングユニットが下方から順に重ねられている。処理ユニットU2では、例えば現像ユニットが下方から順に複数段重ねられている。
処理ユニットU6は、光照射装置100を有している。光照射装置100は、現像後の基板Wに対してキュア処理を行うための装置である。
図2〜図4は、光照射装置100の構成を示す図であり、図2は搬送部TR側から−X方向に見た時の構成を示す側面図、図3は−Y方向に見た時の構成を示す側面図、図4は−Z方向に見た時の構成を示す平面図である。
図2〜図4に示すように、光照射装置100は、本体部10と、カバー部20と、光照射部30とを備えている。なお、図4は、説明の便宜上、カバー部20を一転鎖線で示している。
本体部10は、ステージSTと、ステージ駆動部ACとを有している。
ステージSTは、基板Wを保持して移動可能である。ステージSTは、例えば円柱状に形成されている。ステージSTには、不図示のホットプレートが設けられている。このホットプレートにより、基板Wの温度を調整(例、加熱)することができるようになっている。ステージSTは、基板Wを載置する載置面STaを有している。載置面STaは、平坦に形成されている。載置面STaには、基板Wを載置した状態で保持する不図示の保持部が設けられている。ステージSTは、XY平面に沿って移動可能に設けられている。
ステージSTは、2つのステージ(第一ステージST1及び第二ステージST2)を有している。なお、図2では、説明の便宜上、第一ステージST1のみが示されており、第二ステージST2の図示が省略されている。第一ステージST1及び第二ステージST2は、例えば同一構成となっている。第一ステージST1の載置面STa及び第二ステージST2の載置面STaは、同一平面に配置されている。このため、各載置面STaに保持される基板Wは、同一平面上を移動するようになっている。また、ステージSTの載置面STaに保持される基板Wの一部の領域(所定領域)には、上記の処理ユニットU2の現像処理によってパターンPTが形成されている。
ステージ駆動部ACは、ステージSTを移動させる。ステージ駆動部ACは、テーブル駆動源40と、回転テーブル41と、直線駆動源42と、支持軸43とを有している。テーブル駆動源40は、例えばモータなどの不図示の回転駆動機構を有しており、回転テーブル41に対してθZ方向の回転力を付与する。回転テーブル41は、テーブル駆動源40からの回転力により、θZ方向に回転する。テーブル駆動源40による回転テーブル41の回転量や回転速度、回転のタイミングなどについては、制御部CONT(図1参照)によって制御されるようになっている。
直線駆動源42は、例えばリニアモータやLMガイド、ACサーボモータなどの直線駆動機構を有しており、支持軸43に対して直線方向の移動力を付与する。支持軸43は、ステージST(第一ステージST1、第二ステージST2)に連結されている。支持軸43は、直線駆動源42からの移動力により、当該直線方向に沿って移動する。直線駆動源42による支持軸43の移動量や移動速度、移動のタイミングなどについては、制御部CONT(図1参照)によって制御されるようになっている。
直線駆動源42及び支持軸43は、回転テーブル41と一体で移動するように設けられている。このため、ステージSTは、直線駆動源42によって直線方向に移動可能であると共に、回転テーブル41の回転によってθZ方向に移動可能となっている。また、第一ステージST1及び第二ステージST2は、直線駆動源42a及び直線駆動源42bによってそれぞれ直線方向には独立して移動可能となっているが、回転方向(θZ方向)には一体で移動するようになっている。
本実施形態では、図4に示すように、第一ステージST1及び第二ステージST2は、第一位置P1、第二位置P2、第三位置P3、第四位置P4及び第五位置P5の間で移動可能である。なお、第一位置P1は、基板Wの搬入位置及び搬出位置である。第二位置P2及び第三位置P3は、平面視において第一位置P1をY方向に挟む位置である。第四位置P4及び第五位置P5は、平面視において光照射部30をY方向に挟む位置である。
より具体的には、第一ステージST1及び第二ステージST2は、第一位置P1と第二位置P2の間、及び、第一位置P1と第三位置P3との間では、直線駆動源42の駆動により、Y方向に延びる直線経路(直線状の第一経路)R1、R2に沿って直線移動(往復移動)する。また、第二位置P2と第四位置P4との間、及び、第三位置P3と第五位置P5との間では、例えば回転テーブル41を回転させることにより、当該回転テーブル41と一体でθZ方向に延びる曲線経路(曲線状の第二経路)R3、R4に沿って移動する構成とすることができる。この場合、第一ステージST1及び第二ステージST2は、回転テーブル41と一体的に移動するため、回転テーブル41が回転した場合、当該回転テーブル41の回転量と同一の回転量かつ同一方向に回転する。なお、第一ステージST1及び第二ステージST2は、回転テーブル41と一体的に移動する構成には限られず、曲線経路R3、R4の少なくとも一部において、回転テーブル41に対して個別に移動可能な構成であってもよい。例えば、第一ステージST1及び第二ステージST2が回転テーブル41とは独立して曲線経路R3、R4に沿って移動可能な構成とすることができる。また、第一ステージST1及び第二ステージST2は、第四位置P4と第五位置P5との間では、直線駆動源42の駆動により、Y方向に延びる直線経路(直線状の第一経路)R5に沿って直線移動(往復移動)する。
曲線経路R3及び曲線経路R4は、基板Wの搬入及び搬出が行われる第一位置P1と直線経路R5との間を接続している。また、曲線経路R3と直線経路R5とが連続して設けられており、曲線経路R4と直線経路R5とが連続して設けられている。曲線経路R3及び曲線経路R4は、回転テーブル41の回転による第一ステージST1及び第二ステージST2の軌道であり、円弧状に形成されている。
カバー部20は、本体部10の+Z側に配置されている。カバー部20は、基板Wの搬入位置及び搬出位置(第一位置P1)を露出させると共に、光照射部30及びこの光照射部30を挟む第二位置P2及び第三位置P3を覆うように設けられている。図2に示すように、カバー部20の+X側の面には、開口部20aが設けられている。開口部20aが形成されることにより、第一ステージST1及び第二ステージST2がカバー部20の内外に跨って移動可能となっている。
光照射部30は、筐体31及び光源32を有している。光照射部30は、本体部10の+Z側に配置されている。光照射部30は、不図示の固定機構によって本体部10に対して固定されている。したがって、第一ステージST1及び第二ステージST2が直線方向(Y方向)又は回転方向(θZ方向)移動することにより、当該第一ステージ及び第二ステージST2と光照射部30との間が相対的に移動することになる。
筐体31は、矩形の箱状に形成されている。筐体31は、内部に光源32を収容している。光源32は、直管状に形成されており、一方向に長手となるように形成されている。光源32は、Z方向視において直線経路R3上の位置に配置されている。本実施形態では、光源32の長手方向がY方向に沿うように配置されている。このように、光源32は、当該光源32の長手方向と、ステージST(第一ステージST1及び第二ステージST2)の直線経路R3の延在方向とが直交するように直線経路R3上に配置されている。このため、第一ステージST1及び第二ステージST2は、互いに反対方向に光源32とすれ違うように移動可能となっている。
光源32は、300nm以上の波長の光を射出する。光源32としては、例えばメタルハライドランプなどが挙げられる。光照射部30は、光源32から射出される光のうち波長が300nmよりも低い成分をカットするフィルタ32aを有している。光照射部30は、このフィルタ32aを介して光を射出するため、スリット31aから射出される光の波長は300nm以上となる。このように光の波長を300nm以上とすることにより、光の照射によって基板Wの温度が上がり過ぎるのを防ぐことができる。
図5は、図4におけるA−A断面に沿った構成を示す図であり、光照射部30の断面構成を示す図である。
図2〜図5に示すように、筐体31の−Z側の面には、スリット31aが形成されている。スリット31aは、矩形に形成されている。X方向に沿った方向がスリット31aの長手方向となっている。
光源32には、所定の光強度以上の光を発光する発光領域32bが設けられている。発光領域32bのX方向の寸法L2は、スリット31aのX方向の寸法L1よりも大きくなっている。このため、スリット31aからは、所定の光強度以上の光が発光されることになる。また、スリット31aのX方向の寸法L1及び発光領域32bのX方向の寸法L2は、共に基板Wの径L3よりも大きくなっている。このため、基板Wには、所定の光強度以上の光が照射されることになる。なお、スリット31aのX方向の寸法L1及び発光領域32bのX方向の寸法L2は、少なくとも基板W上のパターンPTのX方向の寸法よりも大きくなるように形成されていればよい。
(基板処理方法)
以上のように構成された基板処理装置SPAを用いる基板処理方法を説明する。
第1枚目の基板W1が基板搬入搬出部LU上に搬入されると、制御部CONTは、搬送部TRのアームARを移動させて基板搬入搬出部LUから基板W1を受け取らせる。基板W1を受け取らせた後、制御部CONTは、アームARを移動させて処理ユニットU1内に搬入させる。その後、制御部CONTは、処理ユニットU1のレジスト塗布ユニットにおいて、基板W1に対してレジスト(感光材)の塗布を行わせる。基板W1のレジスト塗布が終了すると、制御部CONTは、基板W1をレジスト塗布ユニットからポストベークユニットに移動させ、ポストベーキング処理を行わせる。
ポストベーキング処理を行った基板W1を例えば20〜25℃の範囲で定められた温度に冷却した後、制御部CONTは、インターフェース部IFを介して基板W1を露光装置EXに搬入させ、露光処理を行わせる。露光処理が終了すると、制御部CONTは、インターフェース部IFを介して基板W1を処理ユニットU5のPEベーキングユニット内に搬入させ、PEベーキングユニット内でポストエクスポージャーベークを行わせる。
その後、制御部CONTは、ポストエクスポージャーベークが終了した基板W1をPEベーキングユニットから取り出すと共に、処理ユニットU2の現像ユニット内に基板W1を搬入させ、基板W1に対して現像処理を行わせる。現像が終了した後、制御部CONTは、基板W1を処理ユニットU6の光照射装置100に搬入させる。
図6(a)に示すように、制御部CONTは、予め第一ステージST1を第一位置P1に配置させておく。これにより、光照射装置100に搬入された基板W1は、第一ステージST1の載置面STaに載置される。制御部CONTは、載置面STaに載置された基板W1を不図示の保持部によって保持させる。また、制御部CONTは、第一ステージST1の内部のホットプレートを作動させ、基板W1を所定の温度に調整する。
基板W1を第一ステージST1に保持させた後、制御部CONTは、直線駆動源42aによって支持軸43aを−Y方向に所定距離だけ移動させる。この動作により、図6(b)に示すように、基板W1を保持する第一ステージST1が第一位置P1から第二位置P2へ直線経路R1に沿って直線移動する。
次に、制御部CONTは、テーブル駆動源40によって回転テーブル41を時計回りに180°程度の角度だけ回転させる。この動作により、図7(a)に示すように、基板W1を保持する第一ステージST1が第二位置P2から第四位置P4へ曲線経路R3に沿って移動し、第二ステージST2が第五位置P5から第三位置P3へ曲線経路R4に沿って移動する。なお、図7では、第一ステージST1及び第二ステージST2が個別に移動するのではなく、回転テーブル41と一体で移動する様子を判別しやすくするため、直線駆動源42a、42bにおける位置関係を示すと共に、図6(b)からの回転の途中の状態を一転鎖線で示している。
次に、制御部CONTは、直線駆動源42bによって支持軸43bを−Y方向に所定距離だけ移動させる。この動作により、図7(b)に示すように、第二ステージST2が第三位置P3から第一位置P1へ直線経路R2に沿って−Y方向に移動する。なお、制御部CONTは、当該第二ステージST2の移動の間、第一ステージST1については、停止させておく。
次に、制御部CONTは、現像が終了した後の基板W2を処理ユニットU6の光照射装置100に搬入させる。光照射装置100に搬入された基板W2は、図8(a)に示すように、第一位置P1に配置されるステージST2の載置面に載置される。制御部CONTは、第二ステージST2に載置された基板W2を不図示の保持部によって保持させる。また、制御部CONTは、第二ステージST2の内部のホットプレートを作動させ、基板W2を所定の温度に調整する。
基板W2を第二ステージST2に保持させた後、制御部CONTは、直線駆動源42bによって支持軸43bを+Y方向に所定距離だけ移動させる。この動作により、図8(b)に示すように、基板W2を保持する第二ステージST2が第一位置P1から第三位置P3へ直線経路R3に沿って直線移動する。
次に、制御部CONTは、直線駆動源42aによって支持軸43aを−Y方向に所定距離だけ移動させる。この動作により、第一ステージST1は、第四位置P4から第五位置P5へ直線経路R5に沿って直線移動する。制御部CONTは、基板W1がスリット31aの−Z側を通過する際、光源32から光を射出させる。これにより、スリット31aから射出された波長300nm以上の光が基板W1に照射される。このとき、制御部CONTは、第一ステージST1の内部のホットプレートの温度を調整し、光の照射を受ける基板W1を加熱する。この加熱により、基板W1の温度が100℃程度となるようにする。
また、スリット31aのX方向の寸法及び発光領域32bのX方向の寸法が共に基板W1の径よりも大きくなっているため、第一ステージST1を移動させる場合、基板W1が光源32から長手方向にはみ出さずに基板W1と光源32とがZ方向に対向してすれ違うことになる。このため、基板W1には、所定の光強度以上の光が照射されることになり、基板W1の領域による照射光量のバラつきが抑制される。基板W1の全体が光照射部30を−Y方向に通り過ぎることにより、図9(a)に示すように、基板W1の表面に光照射部分Faが形成される。
次に、制御部CONTは、直線駆動源42aによって支持軸43aを+Y方向に所定距離だけ移動させる。この動作により、図9(b)に示すように、第一ステージST1が第五位置P5から第四位置P4へ直線経路R5に沿って+Y方向に移動する。この場合においても、制御部CONTは、基板W1がスリット31aの−Z側を通過する際、光源32から光を射出させる。これにより、スリット31aから射出された波長300nm以上の光が基板W1に照射される。また、制御部CONTは、第一ステージST1の内部のホットプレートの温度を調整し、光の照射を受ける基板W1の温度が100℃程度となるようにする。
また、この場合においても、スリット31aのX方向の寸法及び発光領域32bのX方向の寸法が共に基板W1の径よりも大きくなっているため、第一ステージST1を移動させる場合、基板W1が光源32から長手方向にはみ出さずに基板W1と光源32とがZ方向に対向してすれ違うことになる。このため、基板W1には、所定の光強度以上の光が照射されることになり、基板W1の領域による照射光量のバラつきが抑制される。基板W1の全体が光照射部30を+Y方向に通り過ぎることにより、図9(b)に示すように、基板W1の表面には、光照射部分Faよりも光照射量が多い光照射部分Fbが形成される。
基板W1の表面に光照射部分Fbが形成され、第二ステージST2上の基板W2が適温に調整された後、制御部CONTは、テーブル駆動源40によって回転テーブル41を反時計回りに180°程度の角度だけ回転させる。この動作により、図10(a)に示すように、基板W1を保持する第一ステージST1が第四位置P4から第二位置P2へ曲線経路R3に沿って移動し、基板W2を保持する第二ステージST2が第三位置P3から第五位置P5へ曲線経路R4に沿って移動する。
次に、制御部CONTは、直線駆動源42aによって支持軸43aを+Y方向に所定距離だけ移動させる。この動作により、図10(b)に示すように、基板W1を保持する第一ステージST1が第二位置P2から第一位置P1へ直線経路R1に沿って直線移動する。
次に、制御部CONTは、図11(a)に示すように、第一ステージST1によって第一位置P1に戻された基板W1を光照射装置100から搬出させる。基板W1の搬出後、制御部CONTは、現像が終了した後の基板W3を処理ユニットU6の光照射装置100に搬入させる。光照射装置100に搬入された基板W3は、図11(b)に示すように、第一位置P1に配置される第一ステージST1の載置面に載置される。制御部CONTは、第一ステージST1に載置された基板W3を不図示の保持部によって保持させる。また、制御部CONTは、第一ステージST1の内部のホットプレートを作動させ、基板W3を所定の温度に調整する。
基板W3を第一ステージST1に保持させた後、制御部CONTは、直線駆動源42aによって支持軸43aを−Y方向に所定距離だけ移動させる。この動作により、図12(a)に示すように、基板W3を保持する第一ステージST1が第一位置P1から第二位置P2へ直線経路R1に沿って直線移動する。
次に、制御部CONTは、直線駆動源42bによって支持軸43bを+Y方向に所定距離だけ移動させる。第二ステージST2は、第五位置P5から第四位置P4へ直線経路R5に沿って直線移動する。制御部CONTは、基板W2がスリット31aの−Z側を通過する際、光源32から光を射出させる。これにより、スリット31aから射出された波長300nm以上の光が基板W2に照射される。このとき、制御部CONTは、第二ステージST2の内部のホットプレートの温度を調整し、光の照射を受ける基板W2を加熱する。この加熱により、基板W2の温度が100℃程度となるようにする。
また、スリット31aのX方向の寸法及び発光領域32bのX方向の寸法が共に基板W2の径よりも大きくなっているため、第二ステージST2を移動させる場合、基板W2が光源32から長手方向にはみ出さずに基板W2と光源32とがZ方向に対向してすれ違うことになる。このため、基板W2には、所定の光強度以上の光が照射されることになり、基板W2の領域による照射光量のバラつきが抑制される。基板W2の全体が光照射部30を+Y方向に通り過ぎることにより、図12(b)に示すように、基板W1の表面に光照射部分Faが形成される。
次に、制御部CONTは、直線駆動源42bによって支持軸43bを−Y方向に所定距離だけ移動させる。この動作により、図13(a)に示すように、第二ステージST2が第四位置P4から第五位置P5へ直線経路R5に沿って−Y方向に移動する。この場合においても、制御部CONTは、基板W2がスリット31aの−Z側を通過する際、光源32から光を射出させる。これにより、スリット31aから射出された波長300nm以上の光が基板W2に照射される。また、制御部CONTは、第二ステージST2の内部のホットプレートの温度を調整し、光の照射を受ける基板W2の温度が100℃程度となるようにする。
また、この場合においても、スリット31aのX方向の寸法及び発光領域32bのX方向の寸法が共に基板W2の径よりも大きくなっているため、第二ステージST2を移動させる場合、基板W2が光源32から長手方向にはみ出さずに基板W2と光源32とがZ方向に対向してすれ違うことになる。このため、基板W2には、所定の光強度以上の光が照射されることになり、基板W2の領域による照射光量のバラつきが抑制される。基板W2の全体が光照射部30を+Y方向に通り過ぎることにより、図12(a)に示すように、基板W2の表面には、光照射部分Faよりも光照射量が多い光照射部分Fbが形成される。
基板W2の表面に光照射部分Fbが形成され、第一ステージST1上の基板W3が適温に調整された後、制御部CONTは、テーブル駆動源40によって回転テーブル41を反時計回りに180°程度の角度だけ回転させる。この動作により、図13(b)に示すように、基板W2を保持する第二ステージST2が第五位置P5から第三位置P3へ曲線経路R4に沿って移動し、基板W3を保持する第一ステージST1が第二位置P2から第四位置P4へ曲線経路R3に沿って移動する。
次に、制御部CONTは、直線駆動源42bによって支持軸43bを−Y方向に所定距離だけ移動させる。この動作により、図14(a)に示すように、基板W2を保持する第二ステージST2が第三位置P3から第一位置P1へ直線経路R2に沿って直線移動する。
次に、制御部CONTは、図14(a)に示すように、第二ステージST2によって第一位置P1に戻された基板W2を光照射装置100から搬出させる。基板W1の搬出後、制御部CONTは、現像が終了した後の次の基板を処理ユニットU6の光照射装置100に搬入させる。その後、制御部CONTは、上記動作を繰り返すことにより、複数の基板に対して順に光を照射することができる。このように、制御部CONTは、第一ステージST1と第二ステージST2とが交互に光源32(スリット31a)とすれ違うように移動させる。
以上のように、本実施形態によれば、スリット31aから射出される光を基板Wに照射しつつ、基板Wの所定領域(パターンPT)が直管状の光源32から長手方向にはみ出さずに基板Wと光源32とが対向してすれ違うようにステージSTと光照射部30とを相対的に移動させることにより、スリット31aからの光を基板W上に走査させることができる。これにより、基板Wに対して均一な照射量となるように光を照射することが可能となる。
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態においては、光照射装置100をコーターデベロッパー装置CDの内部に配置させる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。
図15は、光照射装置100Aの他の配置例を示す図である。
図15に示すように、基板Wを処理する既成の搬送ラインTR2に対して外部から取り付ける構成であってもよい。この場合、光照射装置100Aは、搬送ラインTR2に対して接続する接続部101が設けられた構成とすることができる。例えば、光照射装置100Aは、処理ラインSLと並ぶ方向上に配置することができる。
上記構成の光照射装置100Aを搬送ラインTR2に取り付ける場合、例えば現像ユニットDPの下流側に光照射装置100Aの接続部101Aを接続させることにより、容易に取り付けることができる。この場合、接続部101Aを介して光照射装置100Aと搬送ラインTR2との間を物理的に、かつ、電気的に接続することが可能となる。
また、図1に示すコーターデベロッパー装置CDに光照射装置100を取り付ける場合においても同様に、搬送部TRのうち現像を行う処理ユニットU2の下流側に光照射装置100の接続部101を接続させる。これにより、光照射装置100を容易に取り付けることができる。
また、上記実施形態では、基板Wとして半導体基板を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば金属基板やガラス基板など、他の材料によって形成される基板を用いる場合であっても、上記構成を適用可能である。
W、W1、W2、W3…基板 CONT…制御部 TR…搬送部 ST…ステージ AC…ステージ駆動部 PT…パターン R1、R2…曲線経路 R3…直線経路 SL…処理ライン DP…現像ユニット ST1…第一ステージ ST2…第二ステージ TR2…搬送ライン 10…本体部 20…カバー部 20a…開口部 30…光照射部 31…筐体 31a…スリット 32…光源 32a…フィルタ 32b…発光領域 40…テーブル駆動源 41…回転テーブル 42…直線駆動源 43…支持軸 100、100A…光照射装置 101、101A…接続部

Claims (15)

  1. 基板を保持して移動可能なステージと、
    所定波長の光を発光する直管状の光源を有し、前記光源の長手方向における寸法が前記基板の径よりも大きく、前記光源からの前記光を射出するスリットが前記長手方向に沿って設けられた光照射部と、
    平面視において前記基板の所定領域が前記光源から前記長手方向にはみ出さずに前記基板と前記光源とが対向してすれ違うように前記ステージと前記光照射部とを相対的に移動させる相対移動部と
    を備える光照射装置。
  2. 前記所定領域は、パターンが形成される領域である
    請求項1に記載の光照射装置。
  3. 前記相対移動部は、前記ステージを移動させるステージ駆動部を有する
    請求項1又は請求項2に記載の光照射装置。
  4. 前記ステージ駆動部は、直線状の第一経路及び曲線状の第二経路に沿って前記ステージを移動可能である
    請求項3に記載の光照射装置。
  5. 前記第一経路及び前記第二経路は、連続して設けられている
    請求項4に記載の光照射装置。
  6. 前記光源は、当該光源の前記長手方向と前記第一経路の延在方向とが直交するように前記第一経路上に配置されている
    請求項4又は請求項5に記載の光照射装置。
  7. 前記基板の搬入及び搬出が行われる搬入出部
    を更に備え、
    前記第二経路は、前記第一経路と前記搬入出部と接続している
    請求項4から請求項6のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
  8. 前記第二経路は、円弧状に形成されている
    請求項4から請求項7のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
  9. 前記ステージは、複数設けられている
    請求項1から請求項8のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
  10. 前記ステージは、2つ設けられており、
    2つの前記ステージは、互いに反対方向に前記光源とすれ違うように移動可能である
    請求項1から請求項9のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
  11. 2つの前記ステージは、前記光源を挟んで対称の軌道を移動可能である
    請求項10に記載の光照射装置。
  12. 前記相対移動部は、2つの前記ステージが交互に前記光源とすれ違うように移動させる
    請求項10又は請求項11に記載の光照射装置。
  13. 前記光源は、所定の光強度以上の前記光を発光する発光領域を有し、
    前記光源の長手方向において前記発光領域の寸法は、前記基板の径よりも大きい
    請求項1から請求項12のうちいずれか一項に記載の光照射装置。
  14. 基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、
    前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、
    前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置と
    を備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置であって、
    前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方から接続され、現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置と、
    前記基板搬送ラインと前記光照射装置との間で前記基板の受け渡しを行う基板搬送装置と
    を更に備え、
    前記光照射装置として、請求項1から請求項13のうちいずれか一項に記載の光照射装置が用いられている
    基板処理装置。
  15. 基板に処理膜の塗布処理を行う塗布装置と、
    前記基板に塗布された前記処理膜の現像処理を行う現像装置と、
    前記塗布処理、前記現像処理及び前記光照射処理の関連処理を行う関連装置と
    を備え、前記塗布装置、前記現像装置及び前記関連装置の間で直列的に前記基板を搬送する基板搬送ラインが形成された基板処理装置の製造方法であって、
    現像後の前記処理膜に光照射処理を行う光照射装置を、前記現像装置よりも下流側に配置される前記関連装置の一部に前記基板搬送ラインの側方から接続する工程を有し、
    前記光照射装置として、請求項1から請求項13のうちいずれか一項に記載の光照射装置を用いる
    基板処理装置の製造方法。
JP2013180668A 2013-08-30 2013-08-30 光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法 Pending JP2015050301A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013180668A JP2015050301A (ja) 2013-08-30 2013-08-30 光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013180668A JP2015050301A (ja) 2013-08-30 2013-08-30 光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015050301A true JP2015050301A (ja) 2015-03-16

Family

ID=52700076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013180668A Pending JP2015050301A (ja) 2013-08-30 2013-08-30 光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015050301A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018084804A (ja) * 2016-11-17 2018-05-31 東京エレクトロン株式会社 露光装置、露光装置の調整方法及び記憶媒体
JP2018097352A (ja) * 2016-12-13 2018-06-21 東京エレクトロン株式会社 光処理装置及び基板処理装置
CN112987412A (zh) * 2019-12-18 2021-06-18 优志旺电机株式会社 光照射装置及光照射方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018084804A (ja) * 2016-11-17 2018-05-31 東京エレクトロン株式会社 露光装置、露光装置の調整方法及び記憶媒体
JP2018097352A (ja) * 2016-12-13 2018-06-21 東京エレクトロン株式会社 光処理装置及び基板処理装置
KR20180068289A (ko) * 2016-12-13 2018-06-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 광처리 장치 및 기판 처리 장치
JP7124277B2 (ja) 2016-12-13 2022-08-24 東京エレクトロン株式会社 光処理装置及び基板処理装置
KR102471485B1 (ko) * 2016-12-13 2022-11-28 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 광처리 장치 및 기판 처리 장치
CN112987412A (zh) * 2019-12-18 2021-06-18 优志旺电机株式会社 光照射装置及光照射方法
CN112987412B (zh) * 2019-12-18 2024-02-13 优志旺电机株式会社 光照射装置及光照射方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4887329B2 (ja) 基板処理システム
KR20130055701A (ko) 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR102576504B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법 및 기억 매체
CN103713475A (zh) 用于光刻掩模版的快速交换装置
KR20120038886A (ko) 열처리방법 및 열처리장치
KR20240068615A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP2015050301A (ja) 光照射装置、基板処理装置及び基板処理装置の製造方法
TWI477923B (zh) 微影裝置及微影投影方法
KR102477369B1 (ko) 광조사 장치
US20170212425A1 (en) Exposure apparatus
JP7008466B2 (ja) 紫外線照射装置および紫外線照射方法
JP5415881B2 (ja) 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2009239097A (ja) 搬送装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2005244232A (ja) リソグラフィ装置用の搬送システム及びデバイス製造方法
JP2015023149A (ja) インプリント装置、インプリント方法、プログラム、インプリントシステム、それらを用いた物品の製造方法
JP4954693B2 (ja) 基板の処理方法、基板の処理システム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN102819195B (zh) 曝光装置和曝光方法、以及曝光单元及使用该单元的曝光方法
KR20130058413A (ko) 기판 처리 장치
JP5799304B2 (ja) 露光ユニット及びそれを用いた露光方法
JP6015984B2 (ja) 物体搬出方法、物体交換方法、物体保持装置、物体交換システム、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP2010192559A (ja) 基板処理システム
WO2016063860A1 (ja) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
KR101927695B1 (ko) 반송 로봇의 자세 보정 방법
JP2006066636A (ja) 搬送装置とその方法、及び露光装置
JP5352433B2 (ja) 露光装置