KR101408521B1 - 프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법 - Google Patents

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Abstract

노광 유닛 전체를 소형화할 수 있고, 또한 택트 타임의 단축을 도모할 수 있는 프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법을 제공한다. 프리 얼라이먼트 장치 (20) 는, 정밀 온조 플레이트 (22) 에 재치된 기판 (W) 을 온조하는 기판 온조 기구, 정밀 온조 플레이트 (22) 에 재치된 기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구 (34) 를 가짐으로써, 프리 얼라이먼트 장치 (20) 와 기판 온조 기구와 이물질 검출 기구가 단일 장치가 되고, 또한 반송용 로봇의 수도 삭감할 수 있어, 노광 유닛 전체를 소형화할 수 있다. 또, 온조가 실시되어 있는 기판에 프리 얼라이먼트, 이물질 검출을 실시함으로써, 택트 타임의 단축을 도모할 수 있다.

Description

프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법{PRE-ALIGNMENT APPARATUS AND PRE-ALIGNMENT METHOD}
본 발명은, 프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 노광 장치에 반송되는 기판을 프리 얼라이먼트하기 위한 프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법에 관한 것이다.
도 9 는, 유리 기판을 노광할 때의 순서의 일례를 나타내고 있다. 먼저, 세정된 유리 기판은, 코터 (101) 에 의해 레지스트가 도포되고, 반송되는 과정에서 핫 플레이트 (102) (HP) 에 의해 데워져 레지스트를 건조시킨 후, 콜드 플레이트 (103) (CP) 에 의해 남은 열을 제거한다. 그리고, 반송용 로봇 (104) 에 의해 정밀 온조 (溫調) 장치 (105) 에 반송하고, 기판을 냉각시켜 온조한다. 다음으로, 반송용 로봇 (106) 에 의해 이물질 검사기 (107) 로 기판을 반송하고, 이물질의 유무를 검사한다. 그리고, 이물질이 없는 기판을 반송용 로봇 (106) 에 의해 프리 얼라이먼트 장치 (108) 에 반송하고, 기판의 프리 얼라이먼트를 실시한다. 프리 얼라이먼트 후의 기판은, 반송용 로봇 (109) 에 의해 노광 장치 본체 (110) 로 보내지고, 마스크 (M) 의 패턴이 노광 전사된다. 노광 후의 기판은, 반송용 로봇 (109) 에 의해 하류의 컨베이어 (111) 에 전달되고, 다음 공정으로 보내지고 있었다.
또, 노광 전에 기판을 온조하는 장치로는, 다양한 것이 고안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 및 2 참조). 특허문헌 1 에 기재된 노광 장치는, 유리 기판을 반송하는 1 쌍의 스테이지 장치를 구비하고, 유리 기판의 노광을 실시하는 노광 위치와, 그 좌우에 스테이지 장치에 대해 유리 기판의 로드/언로드를 실시하는 1 쌍의 로드/언로드 위치가 형성되어 있다. 그리고, 일방의 스테이지 장치가 노광되고 있는 동안에, 타방의 스테이지 장치가 기판을 온조하는 것이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 2 에 기재된 프리 얼라이먼트 장치는, 웨이퍼를 회전시켜 프리 얼라이먼트하면서, 웨이퍼의 하면으로부터 램프를 조사시켜 웨이퍼를 가열한다.
또한, 프록시미티 노광 전에 기판의 이물질을 검출하는 장치로서, 특허문헌 3 에서는, 이물질 검출을 위한 재치대를 프리 얼라이먼트 스테이지나 온도 조정 기능을 가진 플레이트로 하고, 또한 이물질 검출 장치로서, 복수의 레이저 광 조사부와, 이물질에 있어서의 산란광을 촬상하는 복수의 촬상 수단과, 화상 처리부를 갖는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 제4020261호 일본 공개특허공보 2005-32906호 일본 공개특허공보 2007-40862호
그런데, 도 9 에 나타내는 바와 같은 유닛에서는, 정밀 온조 장치 (105), 이물질 검사기 (107), 및 프리 얼라이먼트 장치 (108) 가 개별로 배치되어 있었기 때문에, 기판의 온조, 이물질 검사, 프리 얼라이먼트를 순서대로 실시해야 하여 택트 손실이 발생하고, 또한 복수의 반송용 로봇 (104, 106, 109) 도 필요해져 유닛 전체가 대형화된다.
또, 특허문헌 1 에 기재된 바와 같은 노광 장치에서는, 일방의 스테이지 장치의 노광 시간과 타방의 스테이지 장치의 온조 시간에 차이가 발생하면, 택트 손실이 발생한다는 과제가 있다. 또한, 특허문헌 2 에 기재된 프리 얼라이먼트 장치는, 회전 구동에 의해 웨이퍼를 프리 얼라이먼트할 때에 온조하는 것으로, 플랫 패널 디스크 플레이를 제조할 때에 사용되는 마더 유리와 같은 기판을 프리 얼라이먼트하는 장치와 상이한 것이다.
본 발명은, 전술한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 노광 유닛 전체를 소형화할 수 있고, 또한 택트 타임의 단축을 도모할 수 있는 프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 상기 목적은 하기의 구성에 의해 달성된다.
(1) 노광 장치에 반송되는 기판을 프리 얼라이먼트하기 위한 프리 얼라이먼트 장치로서,
상기 기판을 재치 (載置) 하기 위한 기판 유지부와,
상기 기판 유지부를 소정의 방향 및 그 소정의 방향과 직교하는 방향으로 구동시킴과 함께, 이들 방향과 직교하는 축 둘레로 회전 구동시키는 기판 구동 기구와,
상기 기판 유지부에 재치된 기판을 온조하는 기판 온조 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 장치.
(2) 상기 기판 유지부에 재치된 기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 (1) 에 기재된 프리 얼라이먼트 장치.
(3) 노광 장치에 반송되는 기판을 프리 얼라이먼트하기 위한 프리 얼라이먼트 장치로서,
상기 기판을 재치하기 위한 기판 유지부와,
상기 기판 유지부를 소정의 방향 및 그 소정의 방향과 직교하는 방향으로 구동시킴과 함께, 이들 방향과 직교하는 축 둘레로 회전 구동시키는 기판 구동 기구와,
상기 기판 유지부에 재치된 기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 장치.
(4) 상기 이물질 검출 기구는, 상기 기판 유지부의 상방에 배치되고, 상기 소정의 방향으로 직선상으로 배치되는 복수의 카메라와, 그 카메라가 촬상하는 기판의 위치에 광을 조사하는 광원을 갖는 것을 특징으로 하는 (2) 또는 (3) 에 기재된 프리 얼라이먼트 장치.
(5) 상기 이물질 검출 기구는, 상기 복수의 카메라 및 상기 광원을 상기 직교 방향으로 반송하는 반송 기구를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 (4) 에 기재된 프리 얼라이먼트 장치.
(6) 상기 복수의 카메라 및 상기 광원은, 상기 직교 방향에 있어서, 상기 기판 유지부에 상기 기판을 주고 받기 위한 반송용 로봇 가까운 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 (4) 에 기재된 프리 얼라이먼트 장치.
(7) 상기 이물질 검출 기구는, 상기 소정의 방향에 있어서의 상기 기판 유지부의 측방에 각각 배치된 레이저 투광기와 레이저 수광기를 갖는 것을 특징으로 하는 (2) 또는 (3) 에 기재된 프리 얼라이먼트 장치.
(8) 상기 이물질 검출 기구는, 상기 레이저 투광기와 레이저 수광기를 상기 직교 방향으로 반송하는 반송 기구를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 (7) 에 기재된 프리 얼라이먼트 장치.
(9) 상기 레이저 투광기와 레이저 수광기는, 상기 기판 유지부의 직교 방향에 있어서, 상기 기판 유지부에 상기 기판을 주고 받기 위한 반송용 로봇 가까운 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 (7) 에 기재된 프리 얼라이먼트 장치.
(10) 기판을 재치하기 위한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 소정의 방향 및 그 소정의 방향과 직교하는 방향으로 구동시킬 수 있고, 그리고 이들 방향과 직교하는 축 둘레로 회전 구동시킬 수 있는 기판 구동 기구와, 상기 기판 유지부에 재치된 기판을 온조하는 기판 온조 기구를 갖는 프리 얼라이먼트 장치의 프리 얼라이먼트 방법으로서,
상기 기판 유지부에 재치된 기판을 온조하는 공정과,
상기 온조가 실시되어 있는 기판에 프리 얼라이먼트를 실시하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 방법.
(11) 기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구에 의해, 상기 온조가 실시되어 있는 기판의 이물질을 검출하는 공정을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 (10) 에 기재된 프리 얼라이먼트 방법.
(12) 기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구에 의해, 반송용 로봇이 상기 기판 유지부에 상기 기판을 주고 받을 때에, 상기 기판의 이물질을 검출하는 공정을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 (10) 에 기재된 프리 얼라이먼트 방법.
본 발명의 프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법에 의하면, 기판 유지부에 재치된 기판을 온조하는 기판 온조 기구를 가짐으로써, 프리 얼라이먼트 장치와 기판 온조 기구가 단일 장치가 되어, 노광 유닛 전체를 소형화할 수 있다. 또, 온조가 실시되어 있는 기판에 프리 얼라이먼트를 실시함으로써, 택트 타임의 단축을 도모할 수 있다.
본 발명의 다른 프리 얼라이먼트 장치에 의하면, 기판 유지부에 재치된 기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구를 가짐으로써도, 프리 얼라이먼트 장치와 이물질 검출 기구가 단일 장치가 되어, 노광 유닛 전체를 소형화할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 프리 얼라이먼트 장치가 적용되는 제 1 실시형태의 노광 유닛을 설명하기 위한 개략도이다.
도 2 는, 본 발명의 프리 얼라이먼트 장치를 나타내는 측면도이다.
도 3 은, 본 발명의 프리 얼라이먼트 장치를 나타내는 상면도이다.
도 4(a) 는, 본 발명의 프리 얼라이먼트 유닛의 제 1 변형예를 나타내는 상면도이고, 도 4(b) 는, 도 4(a) 의 측면도이다.
도 5 는, 본 발명의 프리 얼라이먼트 유닛의 제 2 변형예를 나타내는 상면도이다.
도 6 은, 본 발명의 프리 얼라이먼트 유닛의 제 3 변형예를 나타내는 측면도이다.
도 7 은, 도 6 의 프리 얼라이먼트 유닛의 상면도이다.
도 8 은, 본 발명의 변형예에 관련된 드라이 에어를 분사하는 장치를 나타내는 상면도이다.
도 9 는, 종래의 프리 얼라이먼트 장치가 적용되는 노광 유닛을 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명의 프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법이 적용되는 일 실시형태의 노광 유닛에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
(제 1 실시형태)
도 1 에 나타내는 일 실시형태의 노광 유닛 (10) 은, 코터 (11), 핫 플레이트 (12), 및 콜드 플레이트 (13) 를 구비한 처리 유닛 (14) 과, 프리 얼라이먼트 장치 (20) 와, 노광 장치 본체 (15) 와, 반출 장치로서의 컨베이어 (16) 와, 처리 유닛 (14) 과 프리 얼라이먼트 장치 (20) 사이에서 기판의 주고 받음을 실시하는 제 1 반송용 로봇 (17) 과, 프리 얼라이먼트 장치 (20) 와 노광기 본체 (15) 와 컨베이어 (16) 사이에서 기판의 주고 받음을 실시하는 제 2 반송용 로봇 (18) 을 갖는다. 또한, 처리 유닛 (14), 노광기 본체 (15), 컨베이어 (16), 제 1 및 제 2 반송용 로봇 (17, 18) 은, 도 8 에 나타낸 것과 동일하게 공지된 것이 적용된다. 또, 코터 (11) 는, 핫 플레이트 (12) 및 콜드 플레이트 (13) 와 개별로 형성되어도 되고, 그 경우, 도시하지 않은 다른 반송용 로봇에 의해 기판의 주고 받음을 실시한다.
본 실시형태의 프리 얼라이먼트 장치 (20) 는, 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 기대 (基臺) (21) 와, 기판 (W) 을 유지하는 기판 유지부인 정밀 온조 플레이트 (PCP) (22) 와, 정밀 온조 플레이트 (22) 를 지지하는 지지 부재 (23) 를, 기대 (21) 에 대해 X 방향, X 방향과 직교하는 Y 방향, 및 X, Y 방향에 수직인 축 둘레의 θ 방향으로 회전 구동시키는 기판 구동 기구 (24) 와, 지지 부재 (23) 에 대해, 복수의 핀 (25) 을 상하 방향 (Z 방향) 으로 구동시켜, 정밀 온조 플레이트 (22) 에 형성된 복수의 핀 구멍 (22a) 으로부터 진퇴시키는 핀 구동 기구 (26) 와, 기대 (21) 에 장착되고, X 방향과 Y 방향 중 일방에 2 지점, 타방에 1 지점 형성된 복수의 얼라이먼트 카메라 (에지 센서) (27) 를 구비한다. 또, 정밀 온조 플레이트 (22) 는, 기판 (W) 을 온조하는 기판 온조 기구를 이루고 있고, 핀 구멍 (22a) 을 우회하도록 형성된 내부의 냉각 배관을 통과하는 냉각 매체에 의해 기판 (W) 의 열을 방열시켜 기판 (W) 을 냉각시킨다.
또한, 프리 얼라이먼트 장치 (20) 에는, 정밀 온조 플레이트 (22) 의 상방에 배치되고, X 방향으로 직선상으로 배치되는 복수의 카메라 (30) 와, 카메라 (30) 가 촬상하는 기판 (W) 의 위치에 광을 조사하는 광원 (31) 과, 복수의 카메라 (30) 및 광원 (31) 이 장착된 가동 부재 (32) 를 Y 방향으로 반송하는 반송 기구 (33) 를 구비한 이물질 검출 기구 (34) 가 형성되어 있다. 반송 기구 (33) 는, 볼 나사와 같은 구동 장치와 가이드 장치를 조합한 공지된 기구에 의해 구성되어 있고, 가동 부재 (32) 를 기대 (21) 의 X 방향 양측에서 지지하여, 가동 부재 (32) 가 정밀 온조 플레이트 (22) 상을 걸치도록 구동된다. 또, 본 실시형태의 광원 (31) 은, 봉상의 LED 조명에 의해 구성되고, 카메라 (30) 의 시야 내의 밝기가 균일해지도록 가동 부재 (32) 의 Y 방향 양측에 형성되어 있는데, 가동 부재 (32) 의 Y 방향 편측에 형성되어도 된다. 이 광원 (31) 의 LED 의 파장은, 가시 광선의 파장 (590 ㎚ 이상) 이다.
따라서, 본 실시형태의 노광 유닛 (10) 에서는, 세정된 유리 기판 (W) 은 코터 (11) 에 의해 레지스트가 도포되고, 핫 플레이트 (12) 에 의해 데워져 레지스트를 건조시킨 후, 콜드 플레이트 (13) 에 의해 남은 열을 제거한다. 그 후, 기판 (W) 은, 제 1 반송용 로봇 (17) 에 의해 복수의 핀 (25) 이 상승된 상태의 프리 얼라이먼트 장치 (20) 에 주고 받게 된다. 핀 (25) 이 하강하여 기판 (W) 을 정밀 온조 플레이트 (22) 에 접촉시켜 흡착 유지한다. 이로써, 정밀 온조 플레이트 (22) 에 의해 기판 (W) 은 냉각된다.
그리고, 기판 (W) 을 냉각시키고 있는 동안, 기판 (W) 의 단면을 에지 센서 (27) 에 의해 위치 검출하고, 정밀 온조 플레이트 (22) 를 X, Y, θ 방향으로 구동시켜 기판 (W) 의 프리 얼라이먼트를 실시한다. 그리고, 프리 얼라이먼트가 완료된 기판 (W) 에 대해, 광원 (31) 으로부터 광을 조사하고, 반송 기구 (33) 에 의해 가동 부재 (32) 를 이동시키면서 카메라 (30) 에 의해 이물질 검출을 실시한다. 구체적으로, 이물질이 존재한 경우에는, 카메라 (30) 가 이물질에 의해 확산된 광을 촬상함으로써 이물질 검출을 실시한다.
그리고, 이물질 검사 및 온조가 완료되면, 핀 (25) 을 상승시켜 제 2 반송용 로봇 (18) 에 의해 기판 (W) 을 노광 장치 본체 (15) 로 반송하고, 마스크 (M) 의 패턴이 노광 전사된다. 노광 후의 기판 (W) 은, 제 2 반송용 로봇 (18) 에 의해 하류의 컨베이어 (16) 에 전달되고, 다음 공정으로 보내진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태의 프리 얼라이먼트 장치 (20) 및 프리 얼라이먼트 방법에 의하면, 프리 얼라이먼트할 때에 기판을 유지하는 기판 유지부를 기판을 온조하는 정밀 온조 플레이트 (22) 로 함으로써, 프리 얼라이먼트 장치 (20) 와 기판 온조 기구가 단일 장치가 되고, 반송용 로봇의 수도 삭감할 수 있어, 노광 유닛 전체를 소형화할 수 있다. 또, 온조가 실시되어 있는 기판에 프리 얼라이먼트를 실시함으로써, 택트 타임의 단축을 도모할 수 있다.
또한, 프리 얼라이먼트 장치 (20) 에 의하면, 기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구 (34) 를 갖기 때문에, 프리 얼라이먼트 장치 (20) 와 이물질 검출 기구 (34) 가 단일 장치가 되어, 노광 유닛 전체를 소형화할 수 있다.
또, 본 실시형태와 같이, 온조가 실시되어 있는 기판 (W) 에 이물질 검출을 실시함으로써, 택트 타임의 단축을 도모할 수 있다. 또한, 이물질 검출 공정은, 본 실시형태와 같이 프리 얼라이먼트 공정 후에 실시함으로써, 기판 (W) 의 기울기에 따라 카메라 (30) 가 촬상할 수 없는 영역이 생길 가능성이 없어져, 이물질 검출의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
단, 기판 (W) 이 정밀 온조 플레이트 (22) 에 기울어져 재치되어도 카메라 (30) 가 충분히 촬상할 수 있는 경우에는, 이물질 검사는 프리 얼라이먼트를 실시하기 전에 실시되어도 된다.
또, 이물질 검출 기구 (34) 는, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 상기 실시형태와 같이 반송 기구를 형성하는 대신에, 기판 (W) 의 전체면을 촬상할 수 있도록 복수의 카메라 (30) 를 고정시켜 배치하고, 기판 (W) 의 X 방향 양측에 광원 (31) 을 배치하여 옆에서부터 광을 조사하도록 해도 된다. 그리고, 이물질 (f) 이 존재한 경우에는, 카메라 (30) 가 이물질에 의해 확산된 광을 촬상함으로써 이물질 검출을 실시한다. 또한, 상기 실시형태 및 그 변형예 중 어느 것에 있어서도, 이물질 검사시의 광원 (31) 의 위치는, 기판 (W) 의 면에 대해 옆, 바로 위, 비스듬한 방향 중 어느 방향으로부터 조사하도록 해도 된다.
또한, 상기 실시형태에서는, 온조가 실시되어 있는 기판 (W) 에 이물질 검출이 실시되고 있지만, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 이물질 검출은, 제 1 반송용 로봇 (17) 이 정밀 온조 플레이트 (22) 에 기판 (W) 을 주고 받을 때에 실시되도록 해도 된다. 이 경우, 이물질 검출 기구 (34) 는, 반송 기구를 형성할 필요가 없고, X 방향으로 직선상으로 배치되는 복수의 카메라 (30) 및 광원 (31) 은, Y 방향에 있어서, 제 1 반송용 로봇 (17) 가까운 위치에 고정시켜 배치된다. 그리고, 제 1 반송용 로봇 (17) 에 의해 반송되는 기판 (W) 이 복수의 카메라 (30) 의 하방을 통과할 때에 이물질 검사가 실시된다.
또, 이물질 검출 기구 (34) 는, 도 6 및 도 7 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부의 X 방향 양측에 각각 배치된 레이저 투광기 (40) 와 레이저 수광기 (41) 를 갖는 레이저 투과식의 구성이어도 된다. 레이저 광으로는, 파장이 670 ㎚ 이상인 것이 사용되며, 예를 들어, 적색 반도체 광이 사용된다. 이 경우, 레이저 투광기 (40) 는 수평으로 레이저 광을 출사하고, 이물질이 없는 경우에는, 레이저 수광기 (41) 는 그 레이저 광을 직접 수광하기 때문에, 기판 (W) 에 레이저 광이 조사되는 것이 방지되어 기판의 온도 상승이 억제된다. 또, 레이저 투광기 (40) 의 레이저 광은, 기판의 표면보다 높게, 또한 노광시에 있어서의 마스크 (M) 와 기판 (W) 의 갭 (예를 들어, 500 ㎛ 이하) 의 범위에서 수평으로 출사되는 것이 바람직하다.
이 경우에도, 온조되어 있는 기판 (W) 에 대해, 반송 기구 (33) 에 의해 레이저 투광기 (40) 와 레이저 수광기 (41) 를 Y 방향으로 동기하여 이동시키면서 이물질 검사를 실시할 수 있다. 혹은, 이물질 검출 기구 (34) 는, 반송 기구를 형성하지 않고, 레이저 투광기 (40) 와 레이저 수광기 (41) 를, Y 방향에 있어서 제 1 반송용 로봇 (17) 가까운 위치에 고정시켜 배치하고, 제 1 반송용 로봇 (17) 이 정밀 온조 플레이트 (22) 에 기판 (W) 을 주고 받을 때에 이물질 검출이 실시되도록 해도 된다.
또한, 본 발명은, 전술한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 적절히 변형, 개량 등이 가능하다.
본 실시형태의 프리 얼라이먼트 장치는, 기판 온조 기구와 이물질 검출 기구의 양방을 구비하고 있는데, 어느 일방을 구비하는 구성이어도 본 발명의 효과를 발휘할 수 있다.
또, 본 발명의 이물질 검사는, 검사 전에 있어서 기판 (W) 의 상면에 드라이 에어를 분사함으로써, 기판 (W) 상면의 이물질을 날려 보내고 나서 실시하도록 해도 되고, 또는 이물질 검사 후에 발견된 기판 (W) 상면의 이물질을 드라이 에어에 의해 제거하도록 해도 된다. 예를 들어, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 제 1 반송용 로봇 (17) 과 프리 얼라이먼트 장치 (20) 사이에, 드라이 에어를 분사하는 장치 (50) 를 배치하고, 기판 (W) 을 프리 얼라이먼트 장치 (20) 에 반송을 진행하는 도중에, 기판 (W) 상면의 이물질을 날려 보내도록 해도 된다. 물론, 프리 얼라이먼트 장치 (20) 와 제 2 반송용 로봇 (18) 사이에 그 장치 (50) 을 배치하여, 프리 얼라이먼트 장치 (20) 로부터 기판을 수취하는 도중에, 기판 (W) 상면의 이물질을 날려 보내도록 해도 된다.
또한, 검사 장치로서의 카메라나 레이저는, 마스크와 기판의 갭이나 비용면을 고려해서 선택하여 사용해도 된다.
본 발명은, 2009년 11월 25일 출원된 일본 특허출원 (일본 특허출원 2009-267917) 에 기초하는 것으로, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.
10 : 노광 유닛
14 : 처리 유닛
15 : 노광 장치 본체
16 : 컨베이어 (반출 장치)
17 : 제 1 반송용 로봇
18 : 제 2 반송용 로봇
20 : 프리 얼라이먼트 장치
22 : 정밀 온조 플레이트 (기판 유지부, 기판 온조 기구)
24 : 기판 구동 기구
30 : 카메라
31 : 광원
33 : 반송 기구
34 : 이물질 검출 기구
40 : 레이저 투광기
41 : 레이저 수광기

Claims (12)

  1. 노광 장치에 반송되는 기판을 프리 얼라이먼트하기 위한 프리 얼라이먼트 장치로서,
    상기 기판을 재치 (載置) 하기 위한 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 소정의 방향 및 그 소정의 방향과 직교하는 방향으로 구동시킴과 함께, 이들 방향과 직교하는 축 둘레로 회전 구동시키는 기판 구동 기구와,
    상기 기판 유지부에 재치된 기판을 온조 (溫調) 하는 기판 온조 기구와,
    상기 기판 유지부에 재치된 기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 장치.
  2. 삭제
  3. 노광 장치에 반송되는 기판을 프리 얼라이먼트하기 위한 프리 얼라이먼트 장치로서,
    상기 기판을 재치하기 위한 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 소정의 방향 및 그 소정의 방향과 직교하는 방향으로 구동시킴과 함께, 이들 방향과 직교하는 축 둘레로 회전 구동시키는 기판 구동 기구와,
    상기 기판 유지부에 재치된 기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 이물질 검출 기구는, 상기 기판 유지부의 상방에 배치되고, 상기 소정의 방향으로 직선상으로 배치되는 복수의 카메라와, 그 카메라가 촬상하는 기판의 위치에 광을 조사하는 광원을 갖는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 이물질 검출 기구는, 상기 복수의 카메라 및 상기 광원을 상기 직교 방향으로 반송하는 반송 기구를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수의 카메라 및 상기 광원은, 상기 직교 방향에 있어서, 상기 기판 유지부에 상기 기판을 주고 받기 위한 반송용 로봇 가까운 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 이물질 검출 기구는, 상기 소정의 방향에 있어서의 상기 기판 유지부의 측방에 각각 배치된 레이저 투광기와 레이저 수광기를 갖는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 이물질 검출 기구는, 상기 레이저 투광기와 레이저 수광기를 상기 직교 방향으로 반송하는 반송 기구를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 레이저 투광기와 레이저 수광기는, 상기 기판 유지부의 직교 방향에 있어서, 상기 기판 유지부에 상기 기판을 주고 받기 위한 반송용 로봇 가까운 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 장치.
  10. 기판을 재치하기 위한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 소정의 방향 및 그 소정의 방향과 직교하는 방향으로 구동시킬 수 있고, 그리고 이들 방향과 직교하는 축 둘레로 회전 구동시킬 수 있는 기판 구동 기구와, 상기 기판 유지부에 재치된 기판을 온조하는 기판 온조 기구를 갖는 프리 얼라이먼트 장치의 프리 얼라이먼트 방법으로서,
    상기 기판 유지부에 재치된 기판을 온조하는 공정과,
    상기 온조가 실시되어 있는 기판에 프리 얼라이먼트를 실시하는 공정과,
    기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구에 의해, 상기 온조가 실시되어 있는 기판의 이물질을 검출하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 방법.
  11. 삭제
  12. 제 10 항에 있어서,
    기판의 이물질을 검출하는 이물질 검출 기구에 의해, 반송용 로봇이 상기 기판 유지부에 상기 기판을 주고 받을 때에, 상기 기판의 이물질을 검출하는 공정을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 프리 얼라이먼트 방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102914951B (zh) * 2011-08-04 2014-11-12 上海微电子装备有限公司 用于光刻设备的预对准装置
NL2009533A (en) * 2011-10-27 2013-05-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN105549239B (zh) * 2016-03-03 2019-07-16 武汉华星光电技术有限公司 精密测长机的遮蔽装置
JP6735155B2 (ja) * 2016-05-31 2020-08-05 株式会社オーク製作所 露光装置
CN106249446A (zh) * 2016-07-20 2016-12-21 武汉华星光电技术有限公司 测试平台及具有所述测试平台的测长机
KR101949367B1 (ko) * 2016-12-09 2019-02-18 주식회사 아바코 마스크 정렬장치용 기판 리프트 장치
CN109789568A (zh) * 2017-09-11 2019-05-21 深圳市柔宇科技有限公司 机械手臂、曝光机前单元和温度控制方法
JP7296740B2 (ja) * 2019-02-04 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009049060A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Nikon Corp 基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3668294B2 (ja) * 1995-08-22 2005-07-06 オリンパス株式会社 表面欠陥検査装置
JP3143896B2 (ja) * 1997-10-23 2001-03-07 日本電気株式会社 荷電粒子線露光装置
JPH11337504A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Central Glass Co Ltd ガラス板の欠陥識別検査方法および装置
JP4002429B2 (ja) * 2001-12-18 2007-10-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物検査機能を備えた露光装置及びその装置における異物検査方法
JP3816426B2 (ja) * 2002-09-09 2006-08-30 株式会社ルネサステクノロジ プロセス処理装置
JP2004309266A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Horiba Ltd 異物検査装置および異物検査方法
JP2005032906A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp ウェハローダ及び露光装置
JP4314091B2 (ja) * 2003-10-03 2009-08-12 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4020261B2 (ja) * 2003-11-05 2007-12-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光方法、露光装置、及び基板製造方法
JP2005311113A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Nikon Corp 位置合わせ装置と位置合わせ方法、搬送システムと搬送方法、及び露光システムと露光方法並びにデバイス製造方法
JP4626976B2 (ja) * 2005-01-14 2011-02-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板検査装置及び基板検査方法
JP2007010502A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Sunx Ltd 異物検出装置
JP2007040682A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Katsuyuki Kihira 立体型換気扇フィルター
JP4748353B2 (ja) * 2005-08-04 2011-08-17 大日本印刷株式会社 異物検査装置
JP2007071763A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Opto One Kk 検査用照明装置
JP5128065B2 (ja) * 2005-12-06 2013-01-23 株式会社ニコン 情報処理装置、デバイス製造処理システム、デバイス製造処理方法、プログラム
JP5090725B2 (ja) * 2006-12-20 2012-12-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物検査装置
JP4917981B2 (ja) * 2007-07-10 2012-04-18 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査方法を記録したプログラム記録媒体
US7875987B2 (en) * 2007-09-26 2011-01-25 International Business Machines Corporation Method and apparatus for measurement and control of photomask to substrate alignment
JP2009198794A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Nsk Ltd 近接露光装置及び異物検出方法並びに基板の製造方法
JP5235480B2 (ja) * 2008-04-17 2013-07-10 キヤノン株式会社 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009049060A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Nikon Corp 基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI428707B (zh) 2014-03-01
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