JP3143896B2 - 荷電粒子線露光装置 - Google Patents
荷電粒子線露光装置Info
- Publication number
- JP3143896B2 JP3143896B2 JP09290591A JP29059197A JP3143896B2 JP 3143896 B2 JP3143896 B2 JP 3143896B2 JP 09290591 A JP09290591 A JP 09290591A JP 29059197 A JP29059197 A JP 29059197A JP 3143896 B2 JP3143896 B2 JP 3143896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- wafer
- sample stage
- beam exposure
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ製造分野に
おけるリソグラフィに用いられる荷電粒子線露光装置に
関し、詳しくは荷電粒子線露光装置における試料台に関
するものである。
おけるリソグラフィに用いられる荷電粒子線露光装置に
関し、詳しくは荷電粒子線露光装置における試料台に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、超ＬＳＩの設計ルール即ち最小線
幅の微細化に伴って、従来の紫外光を用いた縮小投影露
光法に比較して、より解像度の高い電子線直接描画法が
多用されるようになってきている。電子線露光に限らず
一般的に、パターンをウェハ上の正確な位置に露光する
ためには、露光中のウェハは試料台上に正確に位置決め
された上で固定されていなければならない。電子線露光
では、露光は真空容器に納められた試料台上で真空中に
て行われる。従って試料台上にウェハを固定する手段と
して、縮小投影露光装置に用いられているような真空吸
着方式は用いることはできず、静電吸着力を利用した静
電チャックが用いられる。図３に静電チャックを備えた
電子線露光装置の試料台の構造を示す。図３（ａ）は試
料台を上面から見た概略の平面図であり、図３（ｂ）は
図３（ａ）中のＡ−Ａ′線での概略の断面図である。試
料台１１にはウェハの位置決め用のピン１３が３箇所に
設置されており、この位置決めピンによりウェハのオリ
エンテーションフラットおよびオリエンテーションフラ
ットを下に見たときのウェハ右側面の位置が規制され
る。この３箇所の位置決めピン全てに接するようにウェ
ハ１２を押し付けることにより、ウェハを試料台上に搬
送、設置した時点の位置シフトおよび回転が補正され、
通常±１０μｍ程度の再現性でウェハ１２の機械的位置
決めが行われる。
幅の微細化に伴って、従来の紫外光を用いた縮小投影露
光法に比較して、より解像度の高い電子線直接描画法が
多用されるようになってきている。電子線露光に限らず
一般的に、パターンをウェハ上の正確な位置に露光する
ためには、露光中のウェハは試料台上に正確に位置決め
された上で固定されていなければならない。電子線露光
では、露光は真空容器に納められた試料台上で真空中に
て行われる。従って試料台上にウェハを固定する手段と
して、縮小投影露光装置に用いられているような真空吸
着方式は用いることはできず、静電吸着力を利用した静
電チャックが用いられる。図３に静電チャックを備えた
電子線露光装置の試料台の構造を示す。図３（ａ）は試
料台を上面から見た概略の平面図であり、図３（ｂ）は
図３（ａ）中のＡ−Ａ′線での概略の断面図である。試
料台１１にはウェハの位置決め用のピン１３が３箇所に
設置されており、この位置決めピンによりウェハのオリ
エンテーションフラットおよびオリエンテーションフラ
ットを下に見たときのウェハ右側面の位置が規制され
る。この３箇所の位置決めピン全てに接するようにウェ
ハ１２を押し付けることにより、ウェハを試料台上に搬
送、設置した時点の位置シフトおよび回転が補正され、
通常±１０μｍ程度の再現性でウェハ１２の機械的位置
決めが行われる。
【０００３】一方、試料台１１本体或いは試料台上のウ
ェハの設置される部分は、セラミック等の絶縁体で形成
されており、内部にはウェハとほぼ同一形状で、概ね一
回り小さな静電チャック電極１５が埋め込まれている。
その電極の一部は外部端子として試料台下面に露出して
おり、ウェハ１２の機械的位置決めが終了した時点で静
電チャック用の高電圧が給電される。電圧としては通常
４００〜８００Ｖ程度の高電庄が用いられる。これによ
り静電チャック電極とウェハ間に静電吸着力が発生し、
ウェハは試料台上に固定される。なお、この種の試料台
の構造については、例えば特開昭５９−０７９５２４号
公報、特開平０６−１０４１６４号公報などにより公知
となっている。
ェハの設置される部分は、セラミック等の絶縁体で形成
されており、内部にはウェハとほぼ同一形状で、概ね一
回り小さな静電チャック電極１５が埋め込まれている。
その電極の一部は外部端子として試料台下面に露出して
おり、ウェハ１２の機械的位置決めが終了した時点で静
電チャック用の高電圧が給電される。電圧としては通常
４００〜８００Ｖ程度の高電庄が用いられる。これによ
り静電チャック電極とウェハ間に静電吸着力が発生し、
ウェハは試料台上に固定される。なお、この種の試料台
の構造については、例えば特開昭５９−０７９５２４号
公報、特開平０６−１０４１６４号公報などにより公知
となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】静電チャックを用いた
試料台では、ウェハ又は試料台或いはその両方が予め帯
電していた場合、ウェハを試料台上に搬送、設置した時
点で静電吸着力により、ウェハが試料台上に吸着され、
その後の位置決めピンヘの押し付けによる機械的位置決
めが行えなくなる。この場合、ウェハの搬送精度にも依
存するが、通常１〜２ｍｍ程度のウェハの位置ズレが生
じ、その結果、露光時の位置合わせマークの検出が行え
ず、露光が行えないという問題が生じる。本発明の課題
は、上記の問題点を解決することであって、その目的
は、荷電粒子線露光装置の試料台において、ウェハの異
常な吸着を起こすことなく、精度よくウェハの位置合わ
せが行えるようにすることである。
試料台では、ウェハ又は試料台或いはその両方が予め帯
電していた場合、ウェハを試料台上に搬送、設置した時
点で静電吸着力により、ウェハが試料台上に吸着され、
その後の位置決めピンヘの押し付けによる機械的位置決
めが行えなくなる。この場合、ウェハの搬送精度にも依
存するが、通常１〜２ｍｍ程度のウェハの位置ズレが生
じ、その結果、露光時の位置合わせマークの検出が行え
ず、露光が行えないという問題が生じる。本発明の課題
は、上記の問題点を解決することであって、その目的
は、荷電粒子線露光装置の試料台において、ウェハの異
常な吸着を起こすことなく、精度よくウェハの位置合わ
せが行えるようにすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、試料を試
料台表面と平行な状態で試料台表面から浮かし、試料の
位置決めを行った後、試料を試料台上に載置するように
することにより、解決することができる。
料台表面と平行な状態で試料台表面から浮かし、試料の
位置決めを行った後、試料を試料台上に載置するように
することにより、解決することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の荷電粒子線露光装置は、
内部に試料固定手段としての静電チャック（１５）を有
する試料台（１１）と、試料を前記試料台上に位置決め
する位置決め手段（１３）と試料を前記試料台表面の法
線方向に移動させる試料移動機構を有する荷電粒子線露
光装置であって、前記試料移動機構（１４；１７）によ
り試料を前記試料台表面から浮かした状態で、前記位置
決め手段により試料の位置決めを行い、その後に、試料
を前記試料台上に載置することを特徴としている。
内部に試料固定手段としての静電チャック（１５）を有
する試料台（１１）と、試料を前記試料台上に位置決め
する位置決め手段（１３）と試料を前記試料台表面の法
線方向に移動させる試料移動機構を有する荷電粒子線露
光装置であって、前記試料移動機構（１４；１７）によ
り試料を前記試料台表面から浮かした状態で、前記位置
決め手段により試料の位置決めを行い、その後に、試料
を前記試料台上に載置することを特徴としている。
【０００７】そして、好ましくは、前記試料移動機構
は、少なくとも３個所で試料の裏面から試料に接する試
料接触部を有し、その接触部の形状がピン状、ニードル
状または板状になされる。また、前記試料台には貫通孔
が開孔されており、前記試料移動機構の一部は該貫通孔
の内部に摺動自在に収容される。さらに、前記試料移動
機構は、金属体により構成され、少なくとも試料と接触
する部分および試料台との摺動部分がポリテトラフルオ
ロエチレン（テフロン）により被覆される。
は、少なくとも３個所で試料の裏面から試料に接する試
料接触部を有し、その接触部の形状がピン状、ニードル
状または板状になされる。また、前記試料台には貫通孔
が開孔されており、前記試料移動機構の一部は該貫通孔
の内部に摺動自在に収容される。さらに、前記試料移動
機構は、金属体により構成され、少なくとも試料と接触
する部分および試料台との摺動部分がポリテトラフルオ
ロエチレン（テフロン）により被覆される。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）は本発明の第１の実施例に
おける電子線露光装置の試料台を上面から見た概略の平
面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ′−
Ａ″線断面での概略の断面図である。図１（ａ）におい
て、試料台１１はセラミック等の絶縁体で形成されてお
り、その内部にウェハ１２より一回り径が小さい静電チ
ャック電極１５が埋め込まれている。静電チャック電極
１５にはこれに所定の電圧の高電圧を印加するための高
圧電源が接続されている。本実施例ではウェハサイズは
６インチ（約１５ｃｍ）径のものを用いており、埋め込
まれている静電チャック電極の直径は１４ｃｍとした。
試料台１１上の３箇所には、ウェハの機械的位置決めを
行うための位置決めピン１３が設置されている。
て説明する。 ［第１の実施例］図１（ａ）は本発明の第１の実施例に
おける電子線露光装置の試料台を上面から見た概略の平
面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ′−
Ａ″線断面での概略の断面図である。図１（ａ）におい
て、試料台１１はセラミック等の絶縁体で形成されてお
り、その内部にウェハ１２より一回り径が小さい静電チ
ャック電極１５が埋め込まれている。静電チャック電極
１５にはこれに所定の電圧の高電圧を印加するための高
圧電源が接続されている。本実施例ではウェハサイズは
６インチ（約１５ｃｍ）径のものを用いており、埋め込
まれている静電チャック電極の直径は１４ｃｍとした。
試料台１１上の３箇所には、ウェハの機械的位置決めを
行うための位置決めピン１３が設置されている。
【０００９】そして試料台１１の中心から直径１０ｃｍ
の同心円上に１２０°の間隔で３箇所に、試料台を貫通
する円形の開口が形成されている。その開口には、ウェ
ハの上下駆動機構である押し上げピン１４がそれぞれ挿
入されており、試料台裏面からの駆動により３本の押し
上げピンは、試料台表面と垂直方向に同時に上下動作す
る。押し上げピン１４は、直経２ｍｍのステンレス棒の
先端を鋭利に尖らせたものを用い、表面をポリテトラフ
ルオロエチレン（テフロン）のコーティングをすること
により、上下動作に伴う発塵量を低減している。また押
し上げピン１４は駆動機構（図示なし）により押し上げ
た場合、その先端が試料台１１表面から１ｍｍ飛び出
て、また駆動機構により下げた場合にはその先端が試料
台表面より０．５ｍｍ下がるように、上下動の移動量お
よび移動位置が設定されている。
の同心円上に１２０°の間隔で３箇所に、試料台を貫通
する円形の開口が形成されている。その開口には、ウェ
ハの上下駆動機構である押し上げピン１４がそれぞれ挿
入されており、試料台裏面からの駆動により３本の押し
上げピンは、試料台表面と垂直方向に同時に上下動作す
る。押し上げピン１４は、直経２ｍｍのステンレス棒の
先端を鋭利に尖らせたものを用い、表面をポリテトラフ
ルオロエチレン（テフロン）のコーティングをすること
により、上下動作に伴う発塵量を低減している。また押
し上げピン１４は駆動機構（図示なし）により押し上げ
た場合、その先端が試料台１１表面から１ｍｍ飛び出
て、また駆動機構により下げた場合にはその先端が試料
台表面より０．５ｍｍ下がるように、上下動の移動量お
よび移動位置が設定されている。
【００１０】図１（ｂ）において、まず試料台１１上に
ウェハ１２を搬送する前に、押し上げピン１４を駆動機
構により矢印Ｂの方向に押し上げ、その先端が試料台表
面上から１ｍｍ飛び出る位置に固定する。この状態でウ
ェハ１２を試料台１１上に搬入する。この時ウェハ１２
は３本の押し上げピン１４によって支持され、試料台１
１表面に直接接してはいない。ついでウェハ１２を位置
決めピン１３に押し当て、ウェハの機械的位置決めを行
う。
ウェハ１２を搬送する前に、押し上げピン１４を駆動機
構により矢印Ｂの方向に押し上げ、その先端が試料台表
面上から１ｍｍ飛び出る位置に固定する。この状態でウ
ェハ１２を試料台１１上に搬入する。この時ウェハ１２
は３本の押し上げピン１４によって支持され、試料台１
１表面に直接接してはいない。ついでウェハ１２を位置
決めピン１３に押し当て、ウェハの機械的位置決めを行
う。
【００１１】その後押し上げピン１４を駆動機構により
矢印Ｃの方向に下げることにより、ウェハ１２は３本の
位置決めピン１３と接する正規の位置を保ったまま試料
台１１表面に設置される。最後に高圧電源１６にて、静
電チャック電極１５に高電圧を印加することにより静電
吸着力を生じさせ、ウェハ１２を試料台１１上に固定す
る。ここで静電チャック電極に印加する電圧は＋４００
Ｖとした。そして、この状態で電子線露光を行った。
矢印Ｃの方向に下げることにより、ウェハ１２は３本の
位置決めピン１３と接する正規の位置を保ったまま試料
台１１表面に設置される。最後に高圧電源１６にて、静
電チャック電極１５に高電圧を印加することにより静電
吸着力を生じさせ、ウェハ１２を試料台１１上に固定す
る。ここで静電チャック電極に印加する電圧は＋４００
Ｖとした。そして、この状態で電子線露光を行った。
【００１２】従来、ウェハを試料台上に搬送設置した状
態では、正規の位置とはシフト量で１ｍｍ程度、また回
転角で２°程度の位置ズレがあり、ウェハがそれ以前の
プロセスにより帯電していた場合その位置で吸着されて
しまい、位置決めピンヘの押し当てによる位置決めが行
えず、その後の電子ビームによるマーク検出が行えない
という問題点があったが、本実施例の試料台を用いるこ
とにより、搬送されてきたウェハはそれ以前のプロセス
により帯電した状態であっても、試料台表面と１ｍｍの
間隔があるため静電吸着力が大幅に緩和され、また押し
上げピンの３点にて支持されており、ウェハ押しつけの
際の摩擦力も大幅に低減されるため、ウェハを３本の位
置決めピンに接する正規の位置に位置決めすることが可
能であった。
態では、正規の位置とはシフト量で１ｍｍ程度、また回
転角で２°程度の位置ズレがあり、ウェハがそれ以前の
プロセスにより帯電していた場合その位置で吸着されて
しまい、位置決めピンヘの押し当てによる位置決めが行
えず、その後の電子ビームによるマーク検出が行えない
という問題点があったが、本実施例の試料台を用いるこ
とにより、搬送されてきたウェハはそれ以前のプロセス
により帯電した状態であっても、試料台表面と１ｍｍの
間隔があるため静電吸着力が大幅に緩和され、また押し
上げピンの３点にて支持されており、ウェハ押しつけの
際の摩擦力も大幅に低減されるため、ウェハを３本の位
置決めピンに接する正規の位置に位置決めすることが可
能であった。
【００１３】［第２の実施例］図２（ａ）は本発明の第
２の実施例における電子線露光装置の試料台を上面から
見た概略の平面図であり、図２（ｂ）は図１（ａ）中の
Ａ−Ａ′線断面での概略の断面図である。図２（ａ）に
おいて、試料台１１はセラミック等の絶縁体で形成され
ており、その内部にウェハ１２より一回り径が小さい静
電チャック電極１５が埋め込まれていることは先の第１
の実施例と同様である。本実施例ではウェハサイズは８
インチ（約２０ｃｍ）径のものを用いており、埋め込ま
れている静電チャック電極の直径は１９ｃｍとした。試
料台１１上の３箇所には、ウェハの機械的位置決めを行
うための位置決めピン１３が設置されていることも同様
である。そしてウェハ１２の外周部に、互いに９０°の
角度を持って４箇所の押し上げ板１７が設置されてい
る。
２の実施例における電子線露光装置の試料台を上面から
見た概略の平面図であり、図２（ｂ）は図１（ａ）中の
Ａ−Ａ′線断面での概略の断面図である。図２（ａ）に
おいて、試料台１１はセラミック等の絶縁体で形成され
ており、その内部にウェハ１２より一回り径が小さい静
電チャック電極１５が埋め込まれていることは先の第１
の実施例と同様である。本実施例ではウェハサイズは８
インチ（約２０ｃｍ）径のものを用いており、埋め込ま
れている静電チャック電極の直径は１９ｃｍとした。試
料台１１上の３箇所には、ウェハの機械的位置決めを行
うための位置決めピン１３が設置されていることも同様
である。そしてウェハ１２の外周部に、互いに９０°の
角度を持って４箇所の押し上げ板１７が設置されてい
る。
【００１４】この押し上げ板１７は幅４ｍｍ、長さ８ｍ
ｍ、厚さ１ｍｍのステンレス板で形成されており、ウェ
ハおよび試料台との接触による発塵を防止するため、表
面にはポリテトラフルオロエチレンによるコーティング
が施されている。押し上げ板１７は試料台中心側４ｍｍ
程度がウェハ１２裏面と接し、また押し上げ板１７外周
端は逆Ｌ字型に折れ曲がり、試料台１１中を貫通して試
料台裏面にて駆動機構と結合しており、４箇所の押し上
げ板１７が同時に上下動作する。試料台１１表面には、
この押し上げ板１７を収納するための切り欠きが設けら
れており、押し上げ板１７を駆動機構により下げた場合
には、押し上げ板１７表面は試料台１１表面より０．５
ｍｍ程度下がった位置に固定され、また押し上げた場合
にはウェハ１２裏面が試料台１１表面から１ｍｍ持ち上
がった位置に固定される。
ｍ、厚さ１ｍｍのステンレス板で形成されており、ウェ
ハおよび試料台との接触による発塵を防止するため、表
面にはポリテトラフルオロエチレンによるコーティング
が施されている。押し上げ板１７は試料台中心側４ｍｍ
程度がウェハ１２裏面と接し、また押し上げ板１７外周
端は逆Ｌ字型に折れ曲がり、試料台１１中を貫通して試
料台裏面にて駆動機構と結合しており、４箇所の押し上
げ板１７が同時に上下動作する。試料台１１表面には、
この押し上げ板１７を収納するための切り欠きが設けら
れており、押し上げ板１７を駆動機構により下げた場合
には、押し上げ板１７表面は試料台１１表面より０．５
ｍｍ程度下がった位置に固定され、また押し上げた場合
にはウェハ１２裏面が試料台１１表面から１ｍｍ持ち上
がった位置に固定される。
【００１５】図２（ｂ）において、まず試料台１１上に
ウェハ１２を搬送する前に、押し上げ板１７を駆動機構
により矢印Ｂの方向に押し上げ、その表面が試料台表面
上から１ｍｍ飛び出る位置に固定する。この状態でウェ
ハ１２を試料台１１上に搬送する。この時ウェハ１２は
４本の押し上げ板１７によって支持され、試料台１１表
面に直接接してはいない。ついでウェハ１２を位置決め
ピンに押し当て、ウェハの機械的位置決めを行う。その
後押し上げ板１７を駆動機構により矢印Ｃの方向に下げ
ることにより、ウェハ１２は３本の位置決めピンと接す
る正規の位置を保ったまま、試料台１１表面に設置され
る。最後に高圧電源１６にて、静電チャック電極１５に
高電圧を印加することにより静電吸着力が生じ、ウェハ
１２は試料台１１上に固定される。ここで静電チャック
電極に印加する電圧は＋６００Ｖとした。この状態で電
子線露光が行われる。本実施例においても、第１の実施
例と同様の効果が得られた。
ウェハ１２を搬送する前に、押し上げ板１７を駆動機構
により矢印Ｂの方向に押し上げ、その表面が試料台表面
上から１ｍｍ飛び出る位置に固定する。この状態でウェ
ハ１２を試料台１１上に搬送する。この時ウェハ１２は
４本の押し上げ板１７によって支持され、試料台１１表
面に直接接してはいない。ついでウェハ１２を位置決め
ピンに押し当て、ウェハの機械的位置決めを行う。その
後押し上げ板１７を駆動機構により矢印Ｃの方向に下げ
ることにより、ウェハ１２は３本の位置決めピンと接す
る正規の位置を保ったまま、試料台１１表面に設置され
る。最後に高圧電源１６にて、静電チャック電極１５に
高電圧を印加することにより静電吸着力が生じ、ウェハ
１２は試料台１１上に固定される。ここで静電チャック
電極に印加する電圧は＋６００Ｖとした。この状態で電
子線露光が行われる。本実施例においても、第１の実施
例と同様の効果が得られた。
【００１６】以上本発明の実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本究
明の要旨を逸脱しない範囲内において各種の変更が可能
である。例えば、実施例で述べたウェハの押し上げピン
および押し上げ板の形状、構造、材質および設置数は、
ウェハの押しつけによる位置合わせの際に、ウェハを試
料台表面から一定の間隔を保って支持できる形状、構
造、材質および設置数で有ればよい。またウェハを押し
上げた際の試料台表面とウェハ裏面の間隔も適宜の値を
用いることが可能である。また、本発明は、半導体ウェ
ハに対して露光を行う場合ばかりでなく、マスクを製作
する際のリソグラフィにおいても適用が可能なものであ
る。さらに、本発明は電子線露光装置ばかりでなくイオ
ンビーム露光装置においても適用が可能なものである。
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本究
明の要旨を逸脱しない範囲内において各種の変更が可能
である。例えば、実施例で述べたウェハの押し上げピン
および押し上げ板の形状、構造、材質および設置数は、
ウェハの押しつけによる位置合わせの際に、ウェハを試
料台表面から一定の間隔を保って支持できる形状、構
造、材質および設置数で有ればよい。またウェハを押し
上げた際の試料台表面とウェハ裏面の間隔も適宜の値を
用いることが可能である。また、本発明は、半導体ウェ
ハに対して露光を行う場合ばかりでなく、マスクを製作
する際のリソグラフィにおいても適用が可能なものであ
る。さらに、本発明は電子線露光装置ばかりでなくイオ
ンビーム露光装置においても適用が可能なものである。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、荷電粒
子線露光装置の試料台に試料台表面から一定の間隔を保
って試料を支持するための試料移動機構を設置したもの
であるので、本発明によれば、試料台上での試料の機械
的位置決め時に、試料および試料台の帯電による予期し
ない吸着の影響を受けることなく、正確な位置にウェハ
を位置決めすることが可能となる。
子線露光装置の試料台に試料台表面から一定の間隔を保
って試料を支持するための試料移動機構を設置したもの
であるので、本発明によれば、試料台上での試料の機械
的位置決め時に、試料および試料台の帯電による予期し
ない吸着の影響を受けることなく、正確な位置にウェハ
を位置決めすることが可能となる。
【図１】 本発明の第１の実施例を説明するための、試
料台の概略の平面図と断面図。
料台の概略の平面図と断面図。
【図２】 本発明の第１の実施例を説明するための、試
料台の概略の平面図と断面図。
料台の概略の平面図と断面図。
【図３】 従来例の概略の平面図と断面図。
１１ 試料台 １２ ウェハ １３ 位置決めピン １４ 押し上げピン １５ 静電チャック電極 １６ 高圧電源 １７ 押し上げ板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 504 G03F 9/00 H01J 37/20 H01J 37/305
Claims (4)
- 【請求項１】 内部に試料固定手段としての静電チャッ
クを有する試料台と、試料を前記試料台上に位置決めす
る位置決め手段と試料を前記試料台表面の法線方向に移
動させる試料移動機構を有する荷電粒子線露光装置であ
って、前記試料移動機構により試料を前記試料台表面か
ら浮かした状態で、前記位置決め手段により試料の位置
決めを行い、その後に、試料を前記試料台上に載置する
ことを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項２】 前記位置決め手段は、少なくとも３本の
位置決めピンを有し、前記試料を前記位置決めピンの全
てに接するように押し当てることにより位置決めを行う
ことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線露光装置。 - 【請求項３】 前記試料移動機構は、少なくとも３個所
で試料の裏面から試料に接する試料接触部を有し、該試
料接触部の形状がピン状、ニードル状または板状であ
り、試料を前記試料台表面と平行な状態に保持し、か
つ、その状態でこれを試料台表面の法線方向に移動させ
ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の荷電粒
子線露光装置。 - 【請求項４】 前記試料台には貫通孔が開孔されてお
り、前記試料移動機構の一部は該貫通孔の内部に摺動自
在に収容されていることを特徴とする請求項１又は請求
項３記載の荷電粒子線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09290591A JP3143896B2 (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 荷電粒子線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09290591A JP3143896B2 (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 荷電粒子線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126739A JPH11126739A (ja) | 1999-05-11 |
| JP3143896B2 true JP3143896B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=17758004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09290591A Expired - Fee Related JP3143896B2 (ja) | 1997-10-23 | 1997-10-23 | 荷電粒子線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3143896B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103035465A (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-10 | 无锡华润上华科技有限公司 | 用于关键尺寸扫描电子显微镜的真空套管 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011065380A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | 日本精工株式会社 | プリアライメント装置及びプリアライメント方法 |
| JP5694885B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2015-04-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Ｚステージ装置及び荷電粒子線装置 |
-
1997
- 1997-10-23 JP JP09290591A patent/JP3143896B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103035465A (zh) * | 2011-09-29 | 2013-04-10 | 无锡华润上华科技有限公司 | 用于关键尺寸扫描电子显微镜的真空套管 |
| CN103035465B (zh) * | 2011-09-29 | 2015-09-09 | 无锡华润上华科技有限公司 | 关键尺寸扫描电子显微镜及其真空套管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11126739A (ja) | 1999-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0244137A2 (en) | Semiconductor wafer processing | |
| JPH0541133U (ja) | 静電カセツトアセンブリ | |
| US8218284B2 (en) | Apparatus for increasing electric conductivity to a semiconductor wafer substrate when exposure to electron beam | |
| US3887811A (en) | Electro mechanical alignment apparatus for electron image projection systems | |
| US6487063B1 (en) | Electrostatic wafer chuck, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same | |
| JPH0515057B2 (ja) | ||
| JP3143896B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置 | |
| JP5351316B1 (ja) | 試料保持具及びこれを用いた電子ビーム露光方法 | |
| US8772737B2 (en) | Conductive element for electrically coupling an EUVL mask to a supporting chuck | |
| JP2002252275A (ja) | ウエハの導通機構、導通方法及び電子ビーム近接露光装置 | |
| JP3373762B2 (ja) | 静電吸着装置およびそれを用いた電子線描画装置 | |
| JP2020155598A (ja) | 静電チャック | |
| JP3123956B2 (ja) | 静電吸着装置及びそれを用いた電子線描画装置 | |
| KR20010100758A (ko) | 복수의 대전입자 빔 조정과 차폐된 대전입자 빔리소그래피를 위한 미세가공된 템플릿 | |
| JP2750554B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
| JPH09237827A (ja) | 静電吸着装置及びそれを用いた電子ビーム露光装置 | |
| JP2862632B2 (ja) | 基板の縦型搬送装置 | |
| JPS6156868B2 (ja) | ||
| JPH1167647A (ja) | フォトマスクの帯電防止方法およびそれに用いる装置 | |
| JP2004165439A (ja) | ステージ装置 | |
| JP2016027600A (ja) | 低エネルギー電子ビームリソグラフィ | |
| JP2000100917A (ja) | 静電チャック装置 | |
| CN117438359A (zh) | 一种半导体设备的基片盘 | |
| JP2006261156A (ja) | 原版保持装置およびそれを用いた露光装置 | |
| JPH08288371A (ja) | 被処理材の固定装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |