JP2009049060A - 基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】第1処理装置から非定常状態の基板が供給された場合でも、第2処理装置にダメージが及ぶことを防止する。
【解決手段】基板Wに第1処理を行う第1処理装置50と、第1処理が行われて供給された基板に所定の処理経路で第2処理を行う第2処理装置10とを備える。第1処理装置と第2処理装置とを接続し、第1処理に関する情報を第2処理装置に受信させる通信装置CS2と、第1処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、非定常状態の基板に対する第2処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第2処理経路に変更する制御装置120とを有する。
【選択図】図1
【解決手段】基板Wに第1処理を行う第1処理装置50と、第1処理が行われて供給された基板に所定の処理経路で第2処理を行う第2処理装置10とを備える。第1処理装置と第2処理装置とを接続し、第1処理に関する情報を第2処理装置に受信させる通信装置CS2と、第1処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、非定常状態の基板に対する第2処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第2処理経路に変更する制御装置120とを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法に関するものである。
電子部品等の物体の製造工程では、複数の処理装置を用いた処理が行われることがある。このような複数の処理装置を用いて処理が行われる電子部品の製造工程の一例として、半導体のリソグラフィ工程では、例えば基板(物体)上に感光材を塗布する機能と、露光後に基板の現像を行う機能とを有するコータ・デベロッパ装置(以下C/D装置)を露光装置にインラインで接続したインライン・リソグラフィシステムを用いることがある(例えば、特許文献1参照)。
この種のインライン・リソグラフィシステムでは、C/D装置において定期的なメンテナンス、部品交換等、運転を停止した場合に露光装置の運転も停止しなければならないことから、露光装置の稼働率を低下させる要因が露光装置単体の場合に比べて、明らかに多くなる。
特開2005−45131号公報
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
上記リソグラフィシステムにおける一方の装置、例えばC/D装置において基板に対する感光材塗布処理またはこれに関連する処理で不測の事態が生じてしまい、正常な処理が施された定常状態に基板がならない可能性がある。
このような非定常状態の基板に対して、リソグラフィシステムにおける他方の装置(第2処理装置)、例えば露光装置において、基板が定常状態であることを前提として所定の処理経路を辿って露光処理を施すと、経路途中に設けられた基板処理機器にダメージを与える可能性がある。
上記リソグラフィシステムにおける一方の装置、例えばC/D装置において基板に対する感光材塗布処理またはこれに関連する処理で不測の事態が生じてしまい、正常な処理が施された定常状態に基板がならない可能性がある。
このような非定常状態の基板に対して、リソグラフィシステムにおける他方の装置(第2処理装置)、例えば露光装置において、基板が定常状態であることを前提として所定の処理経路を辿って露光処理を施すと、経路途中に設けられた基板処理機器にダメージを与える可能性がある。
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、第1処理装置から非定常状態の基板が供給された場合でも、第2処理装置にダメージが及ぶことを防止できる基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図1ないし図5に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の基板処理システムは、基板(W)に第1処理を行う第1処理装置(50)と、第1処理が行われて供給された基板に所定の処理経路で第2処理を行う第2処理装置(10)とを備えた基板処理システム(100)であって、第1処理装置と第2処理装置とを接続し、第1処理に関する情報を第2処理装置に受信させる通信装置(CS2)と、第1処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する第2処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第2処理経路に変更する制御装置(120)とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の基板処理システムでは、第1処理装置(50)における第1処理で不測の事態が生じて基板(W)が非定常状態となった場合、制御装置(120)が通信装置(CS2)を介して基板(W)が非定常状態である情報を受信する。
そして、制御装置は、この情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、第2処理を非処理とする第2処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に第2処理を行うことにより、第2処理装置にダメージが及ぶことを防止できる。
本発明の基板処理システムは、基板(W)に第1処理を行う第1処理装置(50)と、第1処理が行われて供給された基板に所定の処理経路で第2処理を行う第2処理装置(10)とを備えた基板処理システム(100)であって、第1処理装置と第2処理装置とを接続し、第1処理に関する情報を第2処理装置に受信させる通信装置(CS2)と、第1処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する第2処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第2処理経路に変更する制御装置(120)とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の基板処理システムでは、第1処理装置(50)における第1処理で不測の事態が生じて基板(W)が非定常状態となった場合、制御装置(120)が通信装置(CS2)を介して基板(W)が非定常状態である情報を受信する。
そして、制御装置は、この情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、第2処理を非処理とする第2処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に第2処理を行うことにより、第2処理装置にダメージが及ぶことを防止できる。
また、本発明の露光装置は、所定の基板処理が行われて供給された基板(W)に所定の処理経路で露光処理を行う露光装置(10)であって、所定の基板処理に関する情報を受信する通信装置(CS2)と、所定の基板処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する露光処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第2処理経路に変更する制御装置(120)とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の露光装置では、制御装置(120)が通信装置(CS2)を介して基板(W)が非定常状態である情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、露光処理を非処理とする第2処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に露光処理を行うことにより、露光装置にダメージが及ぶことを防止できる。
従って、本発明の露光装置では、制御装置(120)が通信装置(CS2)を介して基板(W)が非定常状態である情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、露光処理を非処理とする第2処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に露光処理を行うことにより、露光装置にダメージが及ぶことを防止できる。
そして、本発明の基板処理方法は、第1処理装置(50)で第1処理が行われた基板(W)が第2処理装置(10)に供給されて、所定の処理経路で第2処理が行われる基板処理方法であって、第1処理に関する情報を第2処理装置に受信させる工程と、第1処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する第2処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第2処理経路に変更する工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の基板処理方法では、第1処理装置(50)における第1処理で不測の事態が生じて基板(W)が非定常状態となった場合、基板が非定常状態である情報を受信する。
そして、この情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、第2処理を非処理とする第2処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に第2処理を行うことにより、第2処理装置にダメージが及ぶことを防止できる。
従って、本発明の基板処理方法では、第1処理装置(50)における第1処理で不測の事態が生じて基板(W)が非定常状態となった場合、基板が非定常状態である情報を受信する。
そして、この情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、第2処理を非処理とする第2処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に第2処理を行うことにより、第2処理装置にダメージが及ぶことを防止できる。
また、本発明の露光方法は、所定の基板処理が行われて供給された基板(W)に所定の処理経路で露光処理を行う露光方法であって、所定の基板処理に関する情報を受信する工程と、所定の基板処理に関する情報が、基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する露光処理を非処理とすべく、所定の処理経路を第2処理経路に変更する工程とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の露光方法では、基板(W)が非定常状態である情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、露光処理を非処理とする第2処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に露光処理を行うことにより、露光装置にダメージが及ぶことを防止できる。
従って、本発明の露光方法では、基板(W)が非定常状態である情報を受信すると、定常状態の基板に対する処理経路とは異なり、露光処理を非処理とする第2処理経路で非定常状態の基板に処理を行うように切り換える。
従って、本発明では、非定常状態の基板に露光処理を行うことにより、露光装置にダメージが及ぶことを防止できる。
また、本発明の電子部品の製造方法は、先に記載の基板処理方法と、先に記載の露光方法とのいずれか一項を用いることを特徴とするものである。
そして、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の電子部品の製造方法を用いることを特徴とするものである。
従って、本発明の電子部品の製造方法及びデバイス製造方法では、装置にダメージが及ぶことなく、基板に対する処理を実施でき、安定した電子部品製造及びデバイス製造が可能になる。
なお、本発明に係る基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法は、半導体デバイス製造用に限られず、例えば液晶露光用など他の各種デバイス製造用露光装置を含んだ基板処理システムにも適用可能である。
そして、本発明のデバイス製造方法は、先に記載の電子部品の製造方法を用いることを特徴とするものである。
従って、本発明の電子部品の製造方法及びデバイス製造方法では、装置にダメージが及ぶことなく、基板に対する処理を実施でき、安定した電子部品製造及びデバイス製造が可能になる。
なお、本発明に係る基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法は、半導体デバイス製造用に限られず、例えば液晶露光用など他の各種デバイス製造用露光装置を含んだ基板処理システムにも適用可能である。
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
本発明では、第1処理装置から非定常状態の基板が供給された場合でも、第2処理装置にダメージが及ぶことを防止できる。
以下、本発明の基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法の実施の形態を、図1ないし図5を参照して説明する。
ここでは、例えば、第1処理装置として、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ(基板)に対して撥液性が付与された感光材の塗布処理を第1処理として行うとともに、露光処理が施されたウエハに現像処理を施すコータデベロッパ装置(以下、C/D装置と称する)を用い、第2処理装置として、C/D装置から搬送されたウエハに対して、第2処理として、液体を介して露光処理(液浸露光処理)を施す露光装置を用いる場合について説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
ここでは、例えば、第1処理装置として、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ(基板)に対して撥液性が付与された感光材の塗布処理を第1処理として行うとともに、露光処理が施されたウエハに現像処理を施すコータデベロッパ装置(以下、C/D装置と称する)を用い、第2処理装置として、C/D装置から搬送されたウエハに対して、第2処理として、液体を介して露光処理(液浸露光処理)を施す露光装置を用いる場合について説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
(第1実施形態)
図1には、本発明に係る露光装置及びC/D装置を含んで構成された第1実施形態に係るリソグラフィシステムの構成が、平面図にて示されている。
この図1に示されるリソグラフィシステム(基板処理システム)100は、クリーンルーム内に設置されている。このリソグラフィシステム100は、クリーンルームの床面上に設置された露光装置(第2処理装置)10と、該露光装置10の−Y側(図1における紙面左側)に、インライン・インタフェース部(以下、「インラインI/F部」と呼ぶ)110を介して接続された第1処理装置としてのC/D装置50とを備えている。
図1には、本発明に係る露光装置及びC/D装置を含んで構成された第1実施形態に係るリソグラフィシステムの構成が、平面図にて示されている。
この図1に示されるリソグラフィシステム(基板処理システム)100は、クリーンルーム内に設置されている。このリソグラフィシステム100は、クリーンルームの床面上に設置された露光装置(第2処理装置)10と、該露光装置10の−Y側(図1における紙面左側)に、インライン・インタフェース部(以下、「インラインI/F部」と呼ぶ)110を介して接続された第1処理装置としてのC/D装置50とを備えている。
露光装置10は、図1におけるY軸方向の中央やや−Y側寄りの位置に仕切り壁14が設けられたチャンバ16と、該チャンバ16内部の仕切り壁14によって区画されたX軸方向一側(−X側)の大部屋12Aの内部に収容された露光装置本体10A(図1では、ウエハステージWST及び投影光学系PL以外の部分は図示省略)と、チャンバ16内部の仕切り壁14によって区画されたX軸方向他側(+X側)の小部屋12Bの内部にその大部分が収容された基板搬送系としてのウエハローダ系40とを備えている。露光装置本体10Aには、チャンバ16の外部に配置された光源としてのレーザ装置1が、引き回し光学系BMUを介して接続されている。
図2には、露光装置10の構成が正面図にて概略的に示されている。但し、この図2では、チャンバ16が仮想線(二点鎖線)にて示されている。この露光装置10は、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置、すなわちいわゆるスキャナ(スキャニング・ステッパとも呼ばれる)である。
前記レーザ装置1としては、KrFエキシマレーザ(発振波長248nm)あるいはArFエキシマレーザ(発振波長193nm)などの遠紫外域のパルス光を発振するパルスレーザが用いられている。なお、レーザ装置1として、F2レーザ(発振波長157nm)等の真空紫外光源を用いても良い。
前記露光装置本体10Aは、照明ユニットILU、マスクとしてのレチクルRを保持するレチクルステージRST、投影光学系PL、ウエハWを保持してXY平面内を自在に移動可能なウエハステージWST、前記レチクルステージRST及び投影光学系PLなどが搭載されたボディBD、並びに装置全体を統括的に制御する主制御装置120等を備えている。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ等の基材上に感光材(レジスト)を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
また、本実施形態では、露光装置本体10AとしてレチクルRとウエハWとを走査方向における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつレチクルRに形成されたパターンをウエハWに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。
また、本実施形態では、露光装置本体10AとしてレチクルRとウエハWとを走査方向における互いに異なる向き(逆方向)に同期移動しつつレチクルRに形成されたパターンをウエハWに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)を使用する場合を例にして説明する。
また、露光装置本体10Aは、本実施形態では露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、不図示の液体供給・回収機構を用いて、投影光学系PLの直下の露光位置(処理位置)EPに位置するウエハステージWSTに保持されたウエハW上に液体LQの液浸領域AR2を形成し、液浸領域AR2の液体LQを介してウエハW上に露光光ILを照射してウエハWを露光する。
なお、本発明は、上記液浸法が適用されな露光装置にも用いることができる。
なお、本発明は、上記液浸法が適用されな露光装置にも用いることができる。
前記照明ユニットILUは、照明系ハウジング111と、該照明系ハウジング111内に所定の位置関係で配置されたビーム整形光学系、エネルギ粗調器、オプティカルインテグレータ、照明系開口絞り板、ビームスプリッタ及びリレー光学系等(いずれも図示せず)から成る照明光学系と、を備えている。また、照明光学系のリレー光学系の内部には、不図示の固定ブラインド及び可動ブラインドから成る視野絞り(レチクルブラインド又はマスキングブレードとも呼ばれる)が配置されている。なお、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッド型(内面反射型)インテグレータ、あるいは回折光学素子などが用いられる。
この照明ユニットILUの入射端部、すなわち照明光学系の入射端部に設けられた上記ビーム整形光学系に、送光光学系BMUを介してレーザ装置1が接続されている。
この照明ユニットILUは、レチクルステージRST上に保持されたレチクルR上でX軸方向に細長く延びる矩形(例えば長方形)スリット状の照明領域IAR(固定ブラインドの開口で規定される)を均一な照度分布で照明する。本実施形態と同様の照明ユニットの内部構成は、例えば特開平6−349701号公報などに詳細に開示されている。
この照明ユニットILUは、レチクルステージRST上に保持されたレチクルR上でX軸方向に細長く延びる矩形(例えば長方形)スリット状の照明領域IAR(固定ブラインドの開口で規定される)を均一な照度分布で照明する。本実施形態と同様の照明ユニットの内部構成は、例えば特開平6−349701号公報などに詳細に開示されている。
前記レチクルステージRSTは、ボディBDを構成する第2コラム134の天板部であるレチクルベース136の上面の上方に設けられている。このレチクルステージRST上には、レチクルRが、例えば真空吸着(又は静電吸着など)により固定されている。レチクルステージRSTは、リニアモータ等を含むレチクルステージ駆動部112により、照明光学系の光軸(投影光学系PLの光軸AXに一致)に垂直なXY平面内で2次元的に(X軸方向、Y軸方向及びXY平面に直交するZ軸回りの回転方向(θz方向)に)微少駆動可能であるとともに、レチクルベース136上をY軸方向に指定された走査速度で駆動可能となっている。
レチクルステージRSTのXY面内の位置(Z軸回りの回転方向であるθz方向の回転を含む)は、移動鏡15(及びX軸方向計測用のX移動鏡(不図示))を介してレチクルベース136に固定されたレチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)13によって常時検出されている。
レチクルステージRSTの位置情報(又は速度情報)は、主制御装置120に送られ、主制御装置120では該位置情報(又は速度情報)に基づいてレチクルステージ駆動部112を介してレチクルステージRSTを駆動する。レチクルステージRSTのレチクルRの載置領域の−Y側の位置には、不図示のレチクルフィデューシャルマーク板(RFM板)が設けられている。このRFM板には、複数種類の計測用マークが形成されている。本実施形態と同様の、RFM板については、例えば特開2002−198303号公報などに詳細に開示されている。
レチクルステージRSTの位置情報(又は速度情報)は、主制御装置120に送られ、主制御装置120では該位置情報(又は速度情報)に基づいてレチクルステージ駆動部112を介してレチクルステージRSTを駆動する。レチクルステージRSTのレチクルRの載置領域の−Y側の位置には、不図示のレチクルフィデューシャルマーク板(RFM板)が設けられている。このRFM板には、複数種類の計測用マークが形成されている。本実施形態と同様の、RFM板については、例えば特開2002−198303号公報などに詳細に開示されている。
前記ボディBDは、第1コラム132と、この第1コラム132上に配置された第2コラム134とを備えている。第1コラム132は、3本の脚部137A、137B、137C(但し、図2における紙面奥側の脚部137Cは図示省略)と、これらの脚部137A〜137Cによって支持され、第1コラム132の天板を構成する鏡筒定盤(メインフレームとも呼ばれる)138とを備えている。脚部137A〜137Cのそれぞれは、支柱140と、該支柱140の上部に固定された防振ユニット139とを備えている。各防振ユニット139によって、床面からの微振動ができるだけ絶縁され、鏡筒定盤138に殆ど伝達されないようになっている。鏡筒定盤138には、そのほぼ中央部に、不図示の円形開口が形成され、この開口内に投影光学系PLが上方から挿入されている。この投影光学系PLの鏡筒には、フランジFLGが設けられ、該フランジFLGを介して投影光学系PLが鏡筒定盤138によって支持されている。前記第2コラム134は、鏡筒定盤138の上面に、投影光学系PLを取り囲んで設けられ、上下方向にそれぞれ延びる複数本、例えば3本の脚41A、41B、41C(但し、図2における紙面奥側の脚41Cは図示省略)と、これらの脚41A〜41Cの上端面相互間を連結するとともに、これらの脚41A〜41Cによって支持された前述のレチクルベース136とを備えている。
前記投影光学系PLとしては、ここでは両側テレセントリックな縮小系であり、共通のZ軸方向の光軸AXを有する複数枚のレンズエレメントから成る屈折光学系が使用されている。この投影光学系PLとしては投影倍率βが、一例として1/4の縮小光学系が用いられている。このため、照明ユニットILU(照明光学系)からの照明光ILによってレチクルR上のスリット状照明領域IARが照明されると、このレチクルRを通過した照明光ILにより、そのスリット状照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの投影光学系PLを介した縮小像(部分倒立像)が表面にフォトレジストが塗布されたウエハ(基板)W上の前記照明領域IARに共役な露光領域に形成される。
前記ウエハステージWSTは、リニアモータあるいは平面モータ等の不図示の駆動系によってXY2次元面内(θz回転を含む)でステージベースSB上面に沿って自在に駆動されるXYステージ141と、該XYステージ141上に搭載されたウエハテーブルTBとを含んで構成されている。前記ステージベースSBは、定盤とも呼ばれ、本実施形態では、床面上に設置された複数、例えば3つ又は4つの防振ユニット43を介して支持されている。なお、実際には露光装置本体10Aには、各種較正処理を行うための計測マークや計測装置を有してステージベースSB上面をウエハステージWSTとは独立して移動する計測ステージが設けられているが、本実施形態では図示を省略している。
ウエハテーブルTB上には、ウエハホルダ25を介してウエハWが真空吸着(又は静電吸着)によって保持されている。また、ウエハテーブルTBには、鏡筒定盤138から吊り下げ支持されたウエハレーザ干渉計(以下、「ウエハ干渉計」という)31からレーザビームが照射され、その反射光に基づいてウエハテーブルTB(ウエハW)のXY面内の位置が常時検出されている。以下の説明ではウエハ干渉計31によって、ウエハテーブルTBのX、Y、θz、θy、θxの5自由度方向の位置が計測されるものとする。ウエハテーブルTBの位置情報(又は速度情報)は主制御装置120に送られ、主制御装置120では前記位置情報(又は速度情報)に基づいてウエハステージ駆動部128を介してウエハテーブルTBを制御する。
ウエハステージ駆動部128はリニアモータあるいは平面モータ、ボイスコイルモータなどを含んで構成されるが、図2では図示の便宜上から単なるブロックとして示されている。ウエハテーブルTB上には、その表面がウエハWの表面とほぼ同一の高さとされた基準マーク板FM及び基準平面板(いずれも不図示)が固定されている。
基準平面板の一部には、スリット開口が形成されており、このスリット開口を除く部分は、反射膜が成膜された反射面とされている。スリット開口下方のウエハテーブルTBの内部には、フォトマルチプライヤチューブ(PMT)などの不図示の光電変換素子が配置されている。この光電変換素子からの光電変換信号が主制御装置120に供給されている。主制御装置120は、前述のRFM板を投影光学系PLの視野内に位置させ、ウエハテーブルTBをY軸方向又はX軸方向に移動しつつ、光電変換素子からの光電変換信号を受信することで、投影光学系PLによって像面に形成された各種計測用マークの空間像をスリットスキャン方式で計測できるようになっている。すなわち、本実施形態では、基準平面板143に形成されたスリット開口及びウエハテーブルTB内の光電変換素子等を含んで、前述の特開2002−198303号公報などに開示される空間像計測器が構成されている。
さらに、本実施形態の露光装置本体10Aには、送光系160a及び受光系160bを有し、ウエハW表面の光軸AX方向(Z軸方向)に関する位置及びXY面に対する傾斜を検出する斜入射方式の多点焦点位置検出系(以下、適宜「多点AF系」と呼ぶ)が設けられている。本実施形態の多点AF系と同様の多点AF系は、例えば特開平6−283403号公報などに詳細に開示されている。主制御装置120では、走査露光時等に、多点AF系160a,160bからのフォーカス信号に基づいてウエハステージ駆動部128を介してウエハステージWSTのZ軸方向への移動に加え、2次元的な傾斜(すなわち、θx,θy方向の回転)をも制御する、すなわち多点AF系を用いてウエハステージWSTの移動を制御することにより、照明光ILの照射領域(前述の露光領域IA)内で投影光学系PLの結像面とウエハWの表面とを実質的に合致させるオートフォーカス(自動焦点合わせ)及びオートレベリングを実行する。
また、露光装置本体10Aでは、ウエハW上のアライメントマーク、基準マーク板FM上の基準マークなどを検出するオフアクシス方式のアライメント系ALGが投影光学系PLの鏡筒の側面に配置されている。このアライメント系ALGとしては、例えばウエハW上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子(CCD等)を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系のセンサが用いられる。なお、FIA系に限らず、コヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光又は回折光を検出したり、その対象マークから発生する2つの回折光(例えば同次数)を干渉させて検出するアライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせてもよい。
また、図1に戻って、ローダ室12B内には、温調・アライメントユニットPSUが設けられている。温調・アライメントユニットPSUには、不図示のウエハエッジセンサ及びターンテーブルが配置されていると共に、ウエハステージWSTに搬送されるウエハWに対して当該ウエハステージWSTの温度(露光装置本体10Aの雰囲気温度)に温度調整する例えばクールプレートなどの温調ユニットが設けられている。また、ローダ室12B内には、ウエハローダ系40の各部を制御するとともに、後述するC/D側の制御装置との間で通信回線を介して搬送中のウエハに関する情報の交換、すなわち通信を行うローダ制御装置34が設けられている。
インラインI/F部110は、インライン受け渡し部114、キャリア台118及び水平多関節型ロボット116等を備えている。なお、インライン受け渡し部114には、供給用テーブル114Aと回収用テーブル114Bとが設けられている。
前記C/D装置50は、C/D装置50の構成各部を統括的に制御する制御用コンピュータとしての塗布・現像制御装置62、ウエハ受け渡し部64、Y軸方向に延びるYガイド66、Yガイド66に沿って移動する水平多関節型のロボット68、Yガイド66に対向配置された第1現像部70、第2現像部72、及びベーク部74、第1塗布部76、第2塗布部78、冷却部80を有している。第1現像部70、第2現像部72は、露光装置本体10Aで露光処理が施されたウエハW(に塗布されたレジスト(感光材))に対して現像処理を行うものである。また、第1塗布部76、第2塗布部78は、露光装置本体10Aで露光処理が施されるウエハW上にレジストを塗布するとともに、当該レジストに液体LQに対する撥液性を付与するものである。撥液性の付与としては、撥液性を有するレジストをウエハW上に塗布したり、ウエハWに塗布されたレジストの表面をフッ素樹脂等の撥液材でコーティングする方法等を選択できる。
塗布・現像制御装置62は、C/D装置50内のウエハの搬送系等の他、前述したインラインI/F部110内のスカラーロボット116等をも制御する。Yガイド66の端部近傍には、インラインI/F部110との境界部分にウエハ受け渡し部82が設けられている。
図3には、本発明に係る露光装置及びC/D装置を含んで構成されたリソグラフィシステムの搬送系の概略構成が示されている。
図1及び図3に示すように、当該ウエハローダ系40は、搬送アームH1、H3、H4を備えている。搬送アームH1は、Yガイド18に沿って移動し、インラインI/F部110における供給用テーブル114A、回収用テーブル114Bとの間、温調・アライメントユニットPSUとの間、及び搬送アームH3、H4との間でそれぞれウエハWを搬送するものである。搬送アームH3は、Xガイド20に沿って移動して温調・アライメントユニットPSUから露光装置本体10Aにおけるローディングポジション(載置位置)LPに位置するウエハステージ(ステージ)WSTにウエハWを受け渡し、載置するものである。搬送アームH4は、Xガイド20に沿って移動して、ローディングポジションと略同位置のアンローディングポジション(第2載置位置)UPでウエハステージWSTから受け渡されたウエハWを搬送アームH1に受け渡すものである。
なお、仕切り壁14には、搬送アームH3、H4がそれぞれ通過可能な開口が形成されている。
図1及び図3に示すように、当該ウエハローダ系40は、搬送アームH1、H3、H4を備えている。搬送アームH1は、Yガイド18に沿って移動し、インラインI/F部110における供給用テーブル114A、回収用テーブル114Bとの間、温調・アライメントユニットPSUとの間、及び搬送アームH3、H4との間でそれぞれウエハWを搬送するものである。搬送アームH3は、Xガイド20に沿って移動して温調・アライメントユニットPSUから露光装置本体10Aにおけるローディングポジション(載置位置)LPに位置するウエハステージ(ステージ)WSTにウエハWを受け渡し、載置するものである。搬送アームH4は、Xガイド20に沿って移動して、ローディングポジションと略同位置のアンローディングポジション(第2載置位置)UPでウエハステージWSTから受け渡されたウエハWを搬送アームH1に受け渡すものである。
なお、仕切り壁14には、搬送アームH3、H4がそれぞれ通過可能な開口が形成されている。
また、本実施形態では、露光装置10側のローダ制御装置34とC/D装置50の塗布・現像制御装置62との間、及び主制御装置120と塗布・現像制御装置62との間で、それぞれに接続された通信装置CS1を介してそれぞれデータ通信が可能な構成となっている。また、ローダ制御装置34と塗布・現像制御装置62との間にも通信装置CS2が設けられている。通信装置CS1は、例えばLANで構成され、コマンド指令を用いてウエハWに対する塗布処理・現像処理・露光処理に関する情報(処理条件等)、ウエハWのロット情報等が通信される。また、通信装置CS2は、例えばパラレルI/Oの信号線で構成され、フラグ信号を用いてC/D装置50と露光装置10との間におけるウエハWの受け渡しに関する情報が通信される。
また、本実施形態では、露光装置10の主制御装置120に表示装置200が接続されている。この表示装置200は、露光装置10における処理状況及びC/D装置50における処理状況を表示可能になっている。露光装置10における処理状況の情報は、例えば主制御装置120を介して表示装置200に供給されるようになっている。また、C/D装置50における処理状況の情報は、例えば塗布・現像制御装置62から通信装置CS及び主制御装置120を介して表示装置200に供給されるようになっている。この表示装置200は、塗布・現像制御装置62に接続されていても良いし、主制御装置120及び塗布・現像制御装置62の両方にそれぞれ接続されていても良い。また、露光装置10における処理状況及びC/D装置50における処理状況のいずれか一方のみを表示可能になっている構成であっても構わない。
次に、リソグラフィシステム100によるウエハの処理動作について説明する。
まず、C/D装置50でウエハWに所定の塗布処理が行われて、定常状態のウエハWが露光装置10に供給される場合について説明する。
ここでは、基板としての第1枚目のウエハWがウエハ受け渡し部64上に載置されているものとする。そこで、スカラーロボット68は、ウエハ受け渡し部64上からウエハWを例えば第1塗布部76内に搬入する。これにより、ウエハWは、第1塗布部76内でレジスト(感光材)の塗布処理及び上記撥液性付与処理が開始される。そして、ウエハWのレジスト塗布及び撥液性付与が終了すると、ロボット68は、ウエハWを第1塗布部76からベーク部74に搬入する。これにより、ウエハWは、ベーク部74内で加熱処理(PB)される。
まず、C/D装置50でウエハWに所定の塗布処理が行われて、定常状態のウエハWが露光装置10に供給される場合について説明する。
ここでは、基板としての第1枚目のウエハWがウエハ受け渡し部64上に載置されているものとする。そこで、スカラーロボット68は、ウエハ受け渡し部64上からウエハWを例えば第1塗布部76内に搬入する。これにより、ウエハWは、第1塗布部76内でレジスト(感光材)の塗布処理及び上記撥液性付与処理が開始される。そして、ウエハWのレジスト塗布及び撥液性付与が終了すると、ロボット68は、ウエハWを第1塗布部76からベーク部74に搬入する。これにより、ウエハWは、ベーク部74内で加熱処理(PB)される。
そして、加熱処理されたウエハWは、冷却部80内に搬入されて、露光室12A内に搬入された際に、その露光室12A内の各部に影響を与えない温度、例えば20〜25℃の範囲で定められた温度に冷却される。そして、冷却部80内での冷却が終了すると、ウエハWは、ロボット68によりウエハ受け渡し部82上に載置された後、ロボット116によってインライン受け渡し部114の供給用テーブル114A上に載置される。
このとき、塗布・現像制御装置62からは、通信装置CS2を介してウエハWの供給が可能になった(すなわち、搬送アームH1によるウエハWの受け取りが可能になった)ことを示すフラグ信号がローダ制御装置34に送信されるとともに、当該ウエハWに対する感光材塗布処理及び撥液性付与処理が定常状態で行われたことを示すフラグ信号がそれぞれ同じ信号線で送信される。なお、ウエハWに対する感光材塗布処理及び撥液性付与処理が定常状態に行われずに非定常状態であった場合にフラグ信号が送信される設定の場合には、ローダ制御装置34は、ウエハWの受け取りが可能であることを信号を受信し、且つ、ウエハWの処理状態に関するフラグ信号を受信しないことにより、ウエハWが定常状態であることを認識することができる。
このように、ウエハWの受け取りが可能になると、露光装置10側では、定常状態のウエハWに対する所定の処理経路で露光処理を行う。
具体的には、まず、搬送アームH1が、供給用テーブル114AからウエハWを受け取り、温調・アライメントユニットPSUのターンテーブル上に載置する。ここでウエハエッジセンサによってウエハエッジの検出が行われ、その検出信号に基づいてローダ制御装置34によってターンテーブルを回転させてウエハWのノッチ部の方向を所定方向に合わせる。また、ウエハステージWSTに搬送されるウエハWが当該ウエハステージWSTの温度に温度調整される。温度調整が終了したら、搬送アームH1が搬送アームH3にウエハWを受け渡し、搬送アームH3によってウエハWをローディングポジションLPに位置するウエハステージWSTに搬送し載置する。
なお、ウエハステージWSTがローディングポジションLP(またはアンローディングポジションUP)に位置する際には、ウエハステージWSTと入れ代わって不図示の計測ステージが投影光学系PLの直下の露光位置EPに位置し当該計測ステージ上に、液体LQが供給されて液浸領域AR2が保持されている。
具体的には、まず、搬送アームH1が、供給用テーブル114AからウエハWを受け取り、温調・アライメントユニットPSUのターンテーブル上に載置する。ここでウエハエッジセンサによってウエハエッジの検出が行われ、その検出信号に基づいてローダ制御装置34によってターンテーブルを回転させてウエハWのノッチ部の方向を所定方向に合わせる。また、ウエハステージWSTに搬送されるウエハWが当該ウエハステージWSTの温度に温度調整される。温度調整が終了したら、搬送アームH1が搬送アームH3にウエハWを受け渡し、搬送アームH3によってウエハWをローディングポジションLPに位置するウエハステージWSTに搬送し載置する。
なお、ウエハステージWSTがローディングポジションLP(またはアンローディングポジションUP)に位置する際には、ウエハステージWSTと入れ代わって不図示の計測ステージが投影光学系PLの直下の露光位置EPに位置し当該計測ステージ上に、液体LQが供給されて液浸領域AR2が保持されている。
ウエハWが載置されると、ウエハステージWSTが移動してウエハWを露光位置EPに位置決めする。露光位置EPに搬送されたウエハWに対しては、レチクルR(レチクルステージRST)とウエハW(ウエハステージWST)とを各ショット領域の露光のための走査開始位置へ位置決めする動作と、レチクルRとウエハWとを同期移動しつつレチクルR上のスリット状の照明領域を露光用照明光により照明して、レチクルRのパターンを投影光学系PL及び液体LQを介してウエハW上の各ショット領域に逐次転写する走査露光動作とを、繰り返すことにより液浸露光処理が行われる。上記の液浸露光処理が終了すると、ウエハステージWSTがアンローディングポジションUPに移動し、搬送アームH4が、露光済みのウエハWをウエハステージWSTから受け取り、搬送アームH1に渡す。搬送アームH1は、ウエハWを受け取った後、当該ウエハWをインライン受け渡し部114の回収用テーブル114Bに搬送する。
このように、露光装置10においては、定常状態のウエハWに対して、供給用テーブル114A→温調・アライメントユニットPSU→ローディングポジションLP→露光位置EP→アンローディングポジションUP→回収用テーブル114Bと順次設定された処理経路で露光処理が行われる。
この後、露光済みのウエハWは、ロボット116により回収用テーブル114Bからウエハ受け渡し部82上に搬送され、さらにロボット68によりベーク部74内に搬入され、該ベーク部74内でPEB(ポストベーク)が行われる。
一方、PEBが終了したウエハWは、ロボット68によりベーク部74から取り出され、例えば第1現像部70内に搬入され、現像処理される。現像が終了したウエハWは、ロボット68によりウエハ受け渡し部64上に載置される。
このように、リソグラフィシステム100における一連の処理が完了する。
一方、PEBが終了したウエハWは、ロボット68によりベーク部74から取り出され、例えば第1現像部70内に搬入され、現像処理される。現像が終了したウエハWは、ロボット68によりウエハ受け渡し部64上に載置される。
このように、リソグラフィシステム100における一連の処理が完了する。
次に、C/D装置50におけるレジストの塗布処理及び撥液性付与処理に何らかの不具合が生じ、撥液性が十分に付与されなかった非定常状態のウエハW(以下、非定常ウエハと称する)が露光装置10に供給される場合について説明する。
上記と同様の手順で非定常ウエハWがインライン受け渡し部114の供給用テーブル114A上に載置されると、塗布・現像制御装置62からは、通信装置CS2を介してウエハWの供給が可能になったことを示すフラグ信号がローダ制御装置34に送信されるとともに、当該ウエハWに対する感光材塗布処理及び撥液性付与処理が定常状態で行われず、ウエハが非定常状態であることを示すフラグ信号が送信される。なお、ウエハWに対する感光材塗布処理及び撥液性付与処理が定常状態であった場合にフラグ信号が送信される設定の場合には、ローダ制御装置34は、ウエハWの受け取りが可能であることを信号を受信し、且つ、ウエハWの処理状態に関するフラグ信号を受信しないことにより、ウエハWが非定常状態であることを認識することができる。
このように、非定常ウエハが供給される信号をローダ制御装置34が受信すると、露光装置10側では、主制御装置120が定常状態のウエハWとは異なる第2処理経路に切り換えて非定常ウエハWを処理する。
具体的には、まず、定常状態のウエハと同様に、搬送アームH1により非定常ウエハWを温調・アライメントユニットPSUのターンテーブル上に載置した後に、搬送アームH3にウエハWを受け渡し、搬送アームH3によってウエハWをローディングポジションLPに位置するウエハステージWSTに搬送し載置する。
具体的には、まず、定常状態のウエハと同様に、搬送アームH1により非定常ウエハWを温調・アライメントユニットPSUのターンテーブル上に載置した後に、搬送アームH3にウエハWを受け渡し、搬送アームH3によってウエハWをローディングポジションLPに位置するウエハステージWSTに搬送し載置する。
ここで、非定常ウエハWをローディングポジションLPから露光位置EPに移動させると、撥液性が十分ではないウエハ上に供給された液体LQがウエハ上で保持されずにウエハステージWSTから漏れ出す可能性がある。そのため、第2処理経路としてはウエハステージWSTを露光位置EPに移動させずに、ローディングポジションLP(すなわちアンローディングポジションUP)に位置させる。そして、定常状態のウエハWをローディングポジションLPのウエハステージWSTに載置してから露光位置EPにおける露光処理を行い、アンローディングポジションUPに移動させるまでに要する時間が経過した後に、搬送アームH4が、非定常ウエハWをウエハステージWSTから受け取り、搬送アームH1に渡す。搬送アームH1は、非定常ウエハWを受け取った後、当該非定常ウエハWをインライン受け渡し部114の回収用テーブル114Bに搬送する。
このように、露光装置10においては、非定常ウエハWに対して、供給用テーブル114A→温調・アライメントユニットPSU→ローディングポジションLP→アンローディングポジションUP→回収用テーブル114Bと順次設定された、露光処理を非処理とする第2処理経路に切り換えて搬送処理が行われる。
なお、上記通信装置CS2による通信工程及び処理工程を含めた一連のリソグラフィシステム100によるウエハの処理動作は、露光装置10における処理状況、C/D装置50における処理状況を表示装置200によって表示しながら行われる。
なお、上記通信装置CS2による通信工程及び処理工程を含めた一連のリソグラフィシステム100によるウエハの処理動作は、露光装置10における処理状況、C/D装置50における処理状況を表示装置200によって表示しながら行われる。
以上説明したように、本実施形態では、塗布・現像制御装置62から通信装置CS2を介してウエハWが非定常状態である情報を受信すると、非定常ウエハW上に液体LQを供給する露光処理を非処理とする第2処理経路に切り換えるため、液体LQが非定常ウエハWが漏れだして露光装置本体10Aにダメージが及ぶことを防止できる。また、本実施形態では、第2処理経路ではローディングポジションLPで非定常ウエハWを待機させるため、非定常ウエハWの後に露光処理を行う定常状態のウエハWを温調・アライメントユニットPSUにおいてプリアライメント処理及び温調処理を実施でき、スループットが低下することを回避できる。
加えて、本実施形態では、ローディングポジションLPにおいて非定常ウエハWを待機させる時間を、定常状態のウエハWをローディングポジションLPのウエハステージWSTに載置してから露光位置EPにおける露光処理を行い、アンローディングポジションUPに移動させるまでに要する時間と同一としているため、ウエハWが露光装置10に搬入され、露光処理を行った後に露光装置10から搬出されるまでの時間(すなわちウエハWに感光材が塗布されてから、現像処理が施されるまでの時間)を一定に維持することができ、ウエハWに形成されるパターン品質を安定させることが可能になる。さらに、本実施形態では、露光装置10に搬入された非定常ウエハWを排出せず、定常状態のウエハWとの搬入順序を維持するため、露光装置10(主制御装置120)で想定していたウエハWと露光条件との組み合わせ関係を狂わせることなく維持することが可能になる。
また、本実施形態では、非定常ウエハWに対して露光処理を実施しないという待機状況が表示装置200に表示されるため、オペレータ等の作業者が処理状況を容易に把握することが可能となっている。
また、本実施形態では、非定常ウエハWに対して露光処理を実施しないという待機状況が表示装置200に表示されるため、オペレータ等の作業者が処理状況を容易に把握することが可能となっている。
(第2実施形態)
続いて、第2実施形態に係るリソグラフィシステムについて説明する。
第2実施形態では、図1及び図3に二点鎖線で示すように、搬送アームH1によるウエハWの搬送経路上に、非定常ウエハWを待機させるための待機部300が設けられており、搬送アームH1はこの待機部300との間でウエハWを受け渡し可能となっている。
他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
続いて、第2実施形態に係るリソグラフィシステムについて説明する。
第2実施形態では、図1及び図3に二点鎖線で示すように、搬送アームH1によるウエハWの搬送経路上に、非定常ウエハWを待機させるための待機部300が設けられており、搬送アームH1はこの待機部300との間でウエハWを受け渡し可能となっている。
他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
上記構成のリソグラフィシステム100においては、通信装置CS2を介してウエハWが非定常状態であることを示す情報が送信され、当該非定常ウエハWが搬入されると、搬送アームH1は供給用テーブル114Aから受け取った非定常ウエハWを待機部300に載置するとともに、この非定常ウエハWが含まれるロットにおける当該非定常ウエハWが搬送された順番(例えば、n番目)を記憶しておく。
そして、露光装置10においては、非定常ウエハWを待機させた状態で、C/D装置50から順次供給される定常状態のウエハWに対して上述した所定の経路で露光処理を行う。
そして、露光装置10においては、非定常ウエハWを待機させた状態で、C/D装置50から順次供給される定常状態のウエハWに対して上述した所定の経路で露光処理を行う。
露光装置10において、正常に露光処理が行われた定常状態のウエハWは、搬送アームH1によって順次回収用テーブル114Bに搬出されるが、(n−1)番目のウエハWが搬出された後には、(n+1)番目のウエハを搬出する前に、待機部300に待機させた非定常ウエハWを回収用テーブル114Bに搬出する。これにより、C/D装置50に対しては、C/D装置50から搬出された順番を保持した状態で複数枚のウエハを搬送することができる。また、本実施形態でも、ウエハWが露光装置10に搬入され、露光処理を行った後に露光装置10から搬出されるまでの時間が一定になるように搬送される。
このように、本実施形態では、上記第1実施形態と同様の効果が得られることに加えて、非定常ウエハWが供給された場合でも、非定常ウエハWを待機部300で待機させることにより、定常状態のウエハWに対する露光処理を停滞させることなく、円滑に実施することが可能になり、よりスループットを向上させることができる。
なお、露光装置10に非定常のウエハWが複数枚搬入された場合でも対応可能なように、上記待機部300としては、複数枚の非定常ウエハが載置可能なように、複数段で設けられる構成や、ウエハポッドのように複数の収容部を有する構成とすることが好ましい。
なお、露光装置10に非定常のウエハWが複数枚搬入された場合でも対応可能なように、上記待機部300としては、複数枚の非定常ウエハが載置可能なように、複数段で設けられる構成や、ウエハポッドのように複数の収容部を有する構成とすることが好ましい。
(第3実施形態)
続いて、第2実施形態に係るリソグラフィシステムについて、図4を参照して説明する。この図において、図1に示す第1実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記実施形態では、インラインI/F部110と露光装置10とC/D装置50とがそれぞれ独立して設けられる構成としたが、本実施形態では、I/F部110を構成していたインライン受け渡し部114が露光装置10に収納して設けられ、I/F部110を構成していたキャリア台118及び水平多関節型ロボット116がC/D装置50に収納して設けられている。
続いて、第2実施形態に係るリソグラフィシステムについて、図4を参照して説明する。この図において、図1に示す第1実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
上記実施形態では、インラインI/F部110と露光装置10とC/D装置50とがそれぞれ独立して設けられる構成としたが、本実施形態では、I/F部110を構成していたインライン受け渡し部114が露光装置10に収納して設けられ、I/F部110を構成していたキャリア台118及び水平多関節型ロボット116がC/D装置50に収納して設けられている。
すなわち、本実施形態におけるC/D装置50には、露光装置10側に位置してキャリア台118及び水平多関節型ロボット116が設置されている。また、露光装置10には、小部屋12Bの内部にウエハローダ系40とともに、当該ウエハローダ系40とC/D装置50との間に位置して、インライン受け渡し部114(供給用テーブル114A及び回収用テーブル114B)が設置されている。
他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
上記構成のリソグラフィシステム100において、例えば(n−1)番目に定常状態のウエハWが露光装置10に搬入された後に、通信装置CS2を介してn番目のウエハWが非定常状態であることを示す情報が送信され、当該非定常ウエハWがウエハ受け渡し部82に載置されると、まず、ロボット116がウエハ受け渡し部82から受け取った非定常ウエハWを露光装置10内の供給用テーブル114Aに載置して待機させるとともに、この非定常ウエハWが含まれるロットにおける当該非定常ウエハWが搬送された順番(n番目)を記憶しておく。
そして、露光装置10においては、非定常ウエハWを供給用テーブル114Aで待機させた状態で、上記(n−1)番目の定常状態のウエハWに対して上述した所定の経路で露光処理を行う。なお、このようにn番目の非定常ウエハWが供給用テーブル114Aで待機している間は、露光装置10に(n+1)番目以降のウエハWを搬入することはできない。
そして、露光処理が行われた上記(n−1)番目の定常状態のウエハWは、搬送アームH1によって回収用テーブル114Bに載置された後に、ロボット116によってウエハ受け渡し部82へ載置された後に、ロボット68によりC/D装置50に搬送される。
一方、ロボット116は、(n−1)番目の定常状態のウエハWを回収用テーブル114Bから搬出すると、供給用テーブル114Aに載置されているn番目の非定常ウエハWを回収用テーブル114Bに移送した後に、ウエハ受け渡し部82に搬送する。なお、供給用テーブル114Aに載置されているn番目の非定常ウエハWを直接ウエハ受け渡し部82に搬送する手順としてもよいが、ウエハWをウエハ受け渡し部82(すなわちC/D装置50)に搬送する時間を一定にするためには、さらに供給用テーブル114Aで待機させる時間が長くなり、その分、(n+1)番目のウエハWを供給用テーブル114Aに搬入するまでの時間が遅くなるため、上述したように、(n−1)番目の定常状態のウエハWを回収用テーブル114Bから搬出した後に直ちにn番目の非定常ウエハWを回収用テーブル114Bに移送することが好ましい。
一方、ロボット116は、(n−1)番目の定常状態のウエハWを回収用テーブル114Bから搬出すると、供給用テーブル114Aに載置されているn番目の非定常ウエハWを回収用テーブル114Bに移送した後に、ウエハ受け渡し部82に搬送する。なお、供給用テーブル114Aに載置されているn番目の非定常ウエハWを直接ウエハ受け渡し部82に搬送する手順としてもよいが、ウエハWをウエハ受け渡し部82(すなわちC/D装置50)に搬送する時間を一定にするためには、さらに供給用テーブル114Aで待機させる時間が長くなり、その分、(n+1)番目のウエハWを供給用テーブル114Aに搬入するまでの時間が遅くなるため、上述したように、(n−1)番目の定常状態のウエハWを回収用テーブル114Bから搬出した後に直ちにn番目の非定常ウエハWを回収用テーブル114Bに移送することが好ましい。
そして、n番目の非定常ウエハWが供給用テーブル114Aから搬出されると、(n+1)番目以降のウエハWをロボット116により順次露光装置10に搬入するが、搬入するウエハが定常状態であれば上記(n−1)番目のウエハWと同様の手順(経路)で露光処理が行われ、搬入するウエハが非定常状態であれば上記n番目のウエハWと同様の手順(経路)で搬送処理が行われる。
上記第2実施形態では、非定常ウエハWを待機部300で待機させることで、定常状態のウエハWに対する露光処理を停滞させることを防止できるが、非定常ウエハWが待機部300で待機している状態で、さらに非定常ウエハWがC/D装置50から供給されると、待機部300で待機させることができないことから、通常の経路で露光処理が行われる可能性があるが、本実施形態では、定常状態のウエハWに対する処理経路に位置する供給用テーブル114Aで非定常ウエハWを待機させるため、さらなる非定常ウエハWが供給されようとしている場合でも、この非定常ウエハWが露光装置10に搬入されて露光処理が行われてしまうことを回避できる。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
例えば、上記第1実施形態では、非定常ウエハWをローディングポジションLP(アンローディングポジションUP)で待機させる構成としたが、これに限定されるものではなく、定常状態のウエハWと同様に、露光位置EPで待機させる構成としてもよい。この場合、非定常ウエハWから液体LQの漏れ出しを防ぐために、非定常ウエハWの表面に液体LQを供給して満たす液体供給処理(第3処理)を非処理とすることが肝要である。
この場合、ウエハステージWST及び計測ステージについては、別途、非定常ウエハWに対応した移動シーケンスを設定する必要がなくなり、シーケンス設定を容易に作成することができる。
この場合、ウエハステージWST及び計測ステージについては、別途、非定常ウエハWに対応した移動シーケンスを設定する必要がなくなり、シーケンス設定を容易に作成することができる。
また、上記実施形態では、通信装置CS2を介して非定常ウエハWに関する情報を通信する構成としたが、これに限定されるものではなく、通信装置CS1を用いてコマンド指令により情報を通信する構成としてもよい。
また、上記実施形態では、表示装置200がウエハWに関する通信処理、現像・撥液性付与処理及び露光処理に関する情報を表示する構成としたが、さらに非定常ウエハWの待機状態を含めたウエハWの搬送状況も表示する構成としてもよい。さらに、ウエハWの搬送状況を表示する第2表示装置を別途設ける構成としてもよい。これにより、ウエハWの搬送状況を容易に視認することが可能になる。
また、上記実施形態では、露光装置10にダメージを与える場合として、ウエハWに対する撥液性付与が十分に行われない場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えばウエハに塵埃が付着した場合にも同様に適用可能である。具体的には、露光装置10に搬送されるウエハWに付着した塵埃を検出する検出装置を設け、その検出結果に応じてウエハを非定常ウエハと定常のウエハとに区分し、非定常ウエハについては露光処理や上記液体供給処理を非実施とする第2処理経路を選択すればよい。
なお、上記各実施形態の基板(物体)としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。すなわち、本発明に係る基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法は、半導体デバイス製造用に限られず、例えば液晶露光用など他の各種デバイス製造用露光装置を含んだ基板処理システムにも適用可能である。
露光装置10としては、レチクルRとウエハWとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRのパターンを一括露光し、ウエハWを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。また、本発明はウエハW上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
露光装置10の種類としては、ウエハWに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
また、本発明が適用される露光装置の光源には、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)等のみならず、g線(436nm)及びi線(365nm)を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸(レチクル中心)と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第99/49504号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平6−124873号公報、特開平10−303114号公報、米国特許第5,825,043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
また、本発明は、基板ステージ(ウエハステージ)が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平10−163099号公報及び特開平10−214783号公報(対応米国特許6,341,007号、6,400,441号、6,549,269号及び6,590,634号)、特表2000−505958号(対応米国特許5,969,441号)或いは米国特許6,208,407号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願2004−168481号のウエハステージに適用してもよい。
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図5は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図6は、半導体デバイスの場合におけるステップS13の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(深紫外)やVUV(真空紫外)光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、WO99/34255号、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。
10…露光装置(第2処理装置)、 50…C/D装置(第1処理装置)、 100…リソグラフィシステム(基板処理システム)、 120…主制御装置(制御装置)、 200…表示装置、 CS2…通信装置、 EP…露光位置(処理位置)、 LP…ローディングポジション(載置位置)、 UP…アンローディングポジション(第2載置位置)、 W…ウエハ(基板)、 WST…ウエハステージ(ステージ)
Claims (40)
- 基板に第1処理を行う第1処理装置と、前記第1処理が行われて供給された前記基板に所定の処理経路で第2処理を行う第2処理装置とを備えた基板処理システムであって、
前記第1処理装置と前記第2処理装置とを接続し、前記第1処理に関する情報を前記第2処理装置に受信させる通信装置と、
前記第1処理に関する情報が、前記基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する前記第2処理を非処理とすべく、前記所定の処理経路を第2処理経路に変更する制御装置とを有することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1記載の基板処理システムにおいて、
前記所定の処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記第2処理を行う処理位置と、前記第2処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第2載置位置とを含み、
前記第2処理経路には、前記載置位置と前記第2載置位置とが順次設定されていることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1記載の基板処理システムにおいて、
前記所定の処理経路及び前記第2処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記第2処理を行う処理位置と、前記第2処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第2載置位置とをそれぞれ含み、
前記制御装置は、前記処理位置にある前記非定常状態の基板に対して、前記第2処理に関する第3処理を非実施とすることを特徴とする基板処理システム。(第3処理;液体供給・回収処理を想定) - 請求項3記載の基板処理システムにおいて、
前記第3処理は、前記基板の表面に液体を満たす処理であることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1記載の基板処理システムにおいて、
前記第2処理経路には、前記非定常状態の基板を待機させる待機部が設けられることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項5記載の基板処理システムにおいて、
前記制御装置は、前記第2処理装置に複数の前記基板が順次供給されたときの前記非定常状態の基板の順番を記憶し、前記待機部で待機する前記非定常状態の基板を、前記第2処理が行われた前記複数の基板とともに前記順番を維持して搬出させることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第2処理は、露光処理であり、
前記基板が非定常状態である情報は、当該非定常状態の基板が前記露光処理にダメージを与えることに関する情報であることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項7記載の基板処理システムにおいて、
前記第2処理は、液体を介してパターンを露光する液浸露光処理であり、
前記第1処理は、前記基板の表面に感光材を塗布する処理と、前記感光剤を含む基板の表面に撥液性を付与する処理との少なくとも一方であることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記通信装置は、基板受け渡し情報を通信する信号線と同じ信号線で、前記第1処理に関する情報を前記第2処理装置に受信させることを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1処理の処理状況と、前記第2処理の処理状況との少なくとも一方を表示する表示装置を有することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板の搬送状況を表示する第2表示装置を有することを特徴とする基板処理システム。 - 所定の基板処理が行われて供給された基板に所定の処理経路で露光処理を行う露光装置であって、
前記所定の基板処理に関する情報を受信する通信装置と、
前記所定の基板処理に関する情報が、前記基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する前記露光処理を非処理とすべく、前記所定の処理経路を第2処理経路に変更する制御装置とを有することを特徴とする露光装置。 - 請求項12記載の露光装置において、
前記所定の処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記露光処理を行う処理位置と、前記露光処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第2載置位置とを含み、
前記第2処理経路には、前記載置位置と前記第2載置位置とが順次設定されていることを特徴とする露光装置。 - 請求項12記載の露光装置において、
前記所定の処理経路及び前記第2処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記露光処理を行う処理位置と、前記露光処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第2載置位置とをそれぞれ含み、
前記制御装置は、前記処理位置にある前記非定常状態の基板に対して、前記露光処理に関する第3処理を非実施とすることを特徴とする露光装置。 - 請求項14記載の露光装置において、
前記第3処理は、前記基板の表面に液体を満たす処理であることを特徴とする露光装置。 - 請求項12記載の露光装置において、
前記第2処理経路には、前記非定常状態の基板を待機させる待機部が設けられることを特徴とする露光装置。 - 請求項16記載の露光装置において、
前記制御装置は、複数の前記基板が順次供給されたときの前記非定常状態の基板の順番を記憶し、前記待機部で待機する前記非定常状態の基板を、前記露光処理が行われた前記複数の基板とともに前記順番を維持して搬出させることを特徴とする露光装置。 - 請求項12から17のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記露光処理は、液体を介してパターンを露光する液浸露光処理であり、
前記所定の基板処理は、前記基板の表面に感光材を塗布する処理と、前記感光剤を含む基板の表面に撥液性を付与する処理との少なくとも一方であることを特徴とする露光装置。 - 請求項12から18のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記露光処理の処理状況を表示する表示装置を有することを特徴とする露光装置。 - 第1処理装置で第1処理が行われた基板が第2処理装置に供給されて、所定の処理経路で第2処理が行われる基板処理方法であって、
前記第1処理に関する情報を前記第2処理装置に受信させる工程と、
前記第1処理に関する情報が、前記基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する前記第2処理を非処理とすべく、前記所定の処理経路を第2処理経路に変更する工程を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項20記載の基板処理方法において、
前記所定の処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記第2処理を行う処理位置と、前記第2処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第2載置位置とを含み、
前記第2処理経路には、前記載置位置と前記第2載置位置とが順次設定されていることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項20記載の基板処理方法において、
前記所定の処理経路及び前記第2処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記第2処理を行う処理位置と、前記第2処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第2載置位置とをそれぞれ含み、
前記第2処理経路では、前記処理位置にある前記非定常状態の基板に対して、前記第2処理に関する第3処理を非実施とすることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項21記載の基板処理方法において、
前記第3処理は、前記基板の表面に液体を満たす処理であることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項20記載の基板処理方法において、
前記第2処理経路では、前記非定常状態の基板を待機部で待機させる工程を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項24記載の基板処理方法において、
前記第2処理装置に複数の前記基板が順次供給されたときの前記非定常状態の基板の順番を記憶する工程と、
前記待機部で待機する前記非定常状態の基板を、前記第2処理が行われた前記複数の基板とともに前記順番を維持して搬出させる工程とを有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項20から25のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記第2処理は、露光処理であり、
前記基板が非定常状態である情報は、当該非定常状態の基板が前記露光処理にダメージを与えることに関する情報であることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項24記載の基板処理方法において、
前記第2処理は、液体を介してパターンを露光する液浸露光処理であり、
前記第1処理は、前記基板の表面に感光材を塗布する処理と、前記感光剤を含む基板の表面に撥液性を付与する処理との少なくとも一方であることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項20から27のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
基板受け渡し情報を通信する信号線と同じ信号線で、前記第1処理に関する情報を前記第2処理装置に受信させることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項20から28のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記第1処理の処理状況と、前記第2処理の処理状況との少なくとも一方を表示する表示工程を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項20から29のいずれか一項に記載の基板処理方法において、
前記基板の搬送状況を表示する第2表示工程を有することを特徴とする基板処理方法。 - 所定の基板処理が行われて供給された基板に所定の処理経路で露光処理を行う露光方法であって、
前記所定の基板処理に関する情報を受信する工程と、
前記所定の基板処理に関する情報が、前記基板が非定常状態であるという情報であるときは、当該非定常状態の基板に対する前記露光処理を非処理とすべく、前記所定の処理経路を第2処理経路に変更する工程とを有することを特徴とする露光方法。 - 請求項31記載の露光方法において、
前記所定の処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記露光処理を行う処理位置と、前記第2処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第2載置位置とを含み、
前記第2処理経路には、前記載置位置と前記第2載置位置とが順次設定されていることを特徴とする露光方法。 - 請求項31記載の露光方法において、
前記所定の処理経路及び前記第2処理経路は、前記基板を保持して移動するステージが当該基板を受け取る載置位置と、前記ステージに保持された基板に前記第2処理を行う処理位置と、前記第2処理が行われて前記ステージが前記基板を受け渡す第2載置位置とをそれぞれ含み、
前記第2処理経路では、前記処理位置にある前記非定常状態の基板に対して、前記露光処理に関する第3処理を非実施とすることを特徴とする露光方法。 - 請求項33記載の露光方法において、
前記第3処理は、前記基板の表面に液体を満たす処理であることを特徴とする露光方法。 - 請求項31記載の露光方法において、
前記第2処理経路では、前記非定常状態の基板を待機部で待機させる工程を有することを特徴とする露光方法。 - 請求項35記載の露光方法において、
複数の前記基板が順次供給されたときの前記非定常状態の基板の順番を記憶する工程と、
前記待機部で待機する前記非定常状態の基板を、前記第2処理が行われた前記複数の基板とともに前記順番を維持して搬出させる工程とを有することを特徴とする露光方法。 - 請求項31から36のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記露光処理は、液体を介してパターンを露光する液浸露光処理であり、
前記所定の基板処理は、前記基板の表面に感光材を塗布する処理と、前記感光剤を含む基板の表面に撥液性を付与する処理との少なくとも一方であることを特徴とする露光方法。 - 請求項31から37のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記露光処理の処理状況を表示する表示工程を有することを特徴とする露光方法。 - 請求項20から30のいずれか一項に記載の基板処理方法と、請求項31から38のいずれか一項に記載の露光方法とのいずれか一項を用いることを特徴とする電子部品の製造方法。
- 請求項39記載の電子部品の製造方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
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JP2007211385A JP2009049060A (ja) | 2007-08-14 | 2007-08-14 | 基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法 |
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JP2007211385A JP2009049060A (ja) | 2007-08-14 | 2007-08-14 | 基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009049060A true JP2009049060A (ja) | 2009-03-05 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007211385A Pending JP2009049060A (ja) | 2007-08-14 | 2007-08-14 | 基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009049060A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011065380A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | 日本精工株式会社 | プリアライメント装置及びプリアライメント方法 |
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2007
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---|---|---|---|---|
WO2011065380A1 (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | 日本精工株式会社 | プリアライメント装置及びプリアライメント方法 |
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KR101408521B1 (ko) * | 2009-11-25 | 2014-06-17 | 엔에스케이 테쿠노로지 가부시키가이샤 | 프리 얼라이먼트 장치 및 프리 얼라이먼트 방법 |
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