JP2010034480A - ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 - Google Patents
ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010034480A JP2010034480A JP2008197781A JP2008197781A JP2010034480A JP 2010034480 A JP2010034480 A JP 2010034480A JP 2008197781 A JP2008197781 A JP 2008197781A JP 2008197781 A JP2008197781 A JP 2008197781A JP 2010034480 A JP2010034480 A JP 2010034480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- mover
- mask
- stator
- driving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 100
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 36
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】移動体2を支持して第1方向Yに移動する可動子75Aと、可動子を第1方向に沿って駆動する固定子74Aとを有する。磁力により可動子に対して第1方向と交差する第2方向Zに作用する力を発生させて、可動子と固定子とを非接触状態とする第1駆動装置78と、可動子と固定子との相対位置に応じて、可動子に対して第2方向に作用する電磁力を発生させ、可動子の第1方向への移動に伴う第1駆動装置の駆動に関する較正に用いられる第2駆動装置79とを有する。
【選択図】図2
Description
また、近年では、パターンの微細化を図って、例えば下記特許文献1に開示されているような、露光光として極端紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光を用いるEUV露光装置が案出されている。
EUV露光装置は、真空環境下で露光処理を行うため、ステージの駆動ガイドとしてエアベアリングを用いると、エアが各種機器に悪影響を及ぼす可能性がある。
そこで、エアベアリングの周囲のエアを吸引しながら駆動ガイドとして用いることも考えられるが、パターンの線幅の微細化に伴い高精度の露光処理が要求されている現状を考慮すると、吸引しきれないエアが及ぼす悪影響を無視することはできない。
また、エアを用いずに他の駆動源(例えば電磁力)を用いることも考えられるが、重量が大きいステージに対して駆動時のガイド精度を確保することは困難である。
本発明のステージ装置は、移動体(2)を支持して第1方向(Y)に移動する可動子(75A)と、可動子を第1方向に沿って駆動する固定子(74A)とを有するステージ装置(ST)であって、磁力により可動子に対して第1方向と交差する第2方向(Z)に作用する力を発生させて、可動子と固定子とを非接触状態とする第1駆動装置(78)と、可動子と固定子との相対位置に応じて、可動子に対して第2方向に作用する電磁力を発生させ、可動子の第1方向への移動に伴う第1駆動装置の駆動に関する較正に用いられる第2駆動装置(79)とを有するものである。
従って、本発明のステージ装置では、第1駆動装置において磁力により可動子に第2方向の力を作用させることにより、エアによる悪影響を排除しつつ移動体を移動させることができる。また、本発明では、可動子の第1方向への移動時に、第1駆動装置により可動子に第2方向の力を作用させる際の誤差を第2駆動装置による電磁力で較正することにより、移動体の駆動時に第2方向のガイド精度を確保することができる。
従って、本発明の露光装置では、例えばマスクステージや基板ステージ等の移動体の第1方向の移動時に、エアによる悪影響を排除しつつ、第2方向の移動時のガイド精度を確保することができる。
従って、本発明のデバイス製造方法では、移動体の移動時のガイド精度を確保しつつ、エアによる悪影響を排除できるため、高品質のデバイスを製造することが可能になる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
ここでは、ステージ装置として、露光装置においてウエハ等の基板を保持して移動する基板ステージに適用する例を用いて説明する。
図1において、露光装置EXは、パターンが形成されたマスクMを保持しながら移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持しながら移動可能な基板ステージ2を含むステージ装置STと、露光光ELを発生する光源装置3と、光源装置3からの露光光ELでマスクMを照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置4とを備えている。基板Pは、半導体ウエハ等の基材の表面に感光材(レジスト)等の膜が形成されたものを含む。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
本実施形態において、第1調整装置8は、真空システムを含み、第1空間5を真空状態に調整する。制御装置4は、第1調整装置8を用いて、露光光ELが進行する第1空間5をほぼ真空状態に調整する。一例として、本実施形態においては、第1空間5の圧力は、1×10−7〔Pa〕程度の減圧雰囲気に調整される。
なお、本実施の形態での説明では、光源装置3からマスクMを照明するまでのEUV光を照明光、マスクMで反射して基板Pに投影されるまでのEUV光を露光光ELとして説明するが、説明の都合上名称を使い分けたものであり、両者を露光光ELとして扱ってもよい。
これにより、第1空間形成部材7に対して第1ステージ13を移動した場合においても、第1空間5の内側にガスが流入することが抑制される。
投影光学系PLの複数の光学素子は、鏡筒28に保持されている。鏡筒28は、フランジ29を有する。フランジ29には、第2フレーム部材30の下端が接続されている。第2フレーム部材30の上端は、防振システム31を介して、第1フレーム部材24の支持部26と接続されている。鏡筒28(フランジ29)は、第2フレーム部材30に吊り下げられている。
図2に示すように、ステージ装置STは、定盤JBと、ウエハ等の基板を保持してY軸方向に連続移動するとともにX軸方向にステップ移動し、更にθZ方向に微少移動可能な基板ステージ(移動体)2とを主体に構成されている。
固定子74Aは、内部に複数のコイル体(不図示)を有し、当該コイル体への通電を制御することにより、可動子75AをY方向及びX方向(第3方向)の2方向に(2自由度で)駆動する。
これらの図に示すように、第2駆動系73Aには、磁力により可動子75AをZ方向(第2方向)に作用させる力を発生させて、可動子75Aと固定子74Aとを非接触状態とするE型コアとI型コアとの結合によるEIコア型の第1駆動装置78が設けられている。
これら第1駆動装置78、第2駆動装置79の駆動は、制御装置4に制御される。
固定子74Bは、内部に複数のコイル体(不図示)を有し、当該コイル体への通電を制御することにより、可動子75BをY方向及びZ方向(ここでは第3方向)の2方向に駆動可能である。すなわち、第2駆動系73Aと第2駆動系73Bとは、基板ステージ2を挟んだ両側に設けられるが、可動子75A、75Bを駆動する方向が長ストロークのY方向については同一方向であるが、短ストロークで駆動する方向についてはX方向とZ方向とで異ならせてある。
第2駆動系73Bにおいても、第2駆動系73Aと同様に、磁力により可動子75BをZ方向に作用させる力を発生させて、可動子75Bと固定子74Bとを非接触状態とするE型コアとI型コアとの結合によるEIコア型の第1駆動装置88が設けられている。
これら第1駆動装置88、98、第2駆動装置99の駆動は、制御装置4に制御される。
基板ステージ2は、第1駆動系90の駆動により固定子90Aに沿ってX方向に移動し、第2駆動系73A、73Bの駆動による可動子75A、75Bの移動に伴って、固定子90Aを介してY方向に移動する。
基板ステージ2の移動に伴い、バネ性により固定子98Aに対する可動子98BのZ方向の位置が変動すると、第2駆動装置99において固定子99Aに対する可動子99BのZ方向の位置も変動するため、制御装置4は計測装置として、第2駆動装置99における推力の変動に基づいて、基板ステージ2のX方向の位置に応じた可動子98BのZ方向の位置変動を計測することができる。そして、計測した可動子98BのZ方向の位置変動をキャンセルする補正値を基板ステージ2のX方向の位置に応じて求め記憶しておく。
可動子75A、75Bの移動に伴い、バネ性により固定子78Aに対する可動子78BのZ方向の位置が変動すると、第2駆動装置79において固定子79Aに対する可動子79BのZ方向の位置も変動するため、制御装置4は計測装置として、第2駆動装置79における推力の変動に基づいて、基板ステージ2のY方向の位置に応じた可動子78BのZ方向の位置変動を計測することができる。そして、計測した可動子78BのZ方向の位置変動をキャンセルする補正値を基板ステージ2のY方向の位置に応じて求め記憶しておく。
これにより、基板ステージ2は、Z方向の位置が変動することなく、所定の軌跡で移動することになる。なお、露光処理時には、第2駆動装置79、99の作動は停止させればよい。
第1空間5は、第1調整装置8によって、真空状態(第1の圧力値)に調整される。また、第2空間15が、第2調整装置17によって、第1空間5の圧力とほぼ同じか、または第1空間5の圧力より高く、かつ大気圧よりも低い圧力(第2の圧力値)に調整される。あるいは、第2空間15が第1空間5よりも低い圧力に設定されるようにしてもよい。第1面11と第2面12とのギャップG1は、ギャップ調整機構35によって所定量に調整されており、第1面11と第2面12との間に形成されたガスシール機構10によって、第1空間5の内側にガスが流入することが抑制されている。これにより、第1空間5の真空状態、環境が維持される。
また、露光装置以外でも本発明を使用することができる。例えば、真空環境下で用いられる各種計測機器や製造装置に対しても本発明は適用可能である。本発明の技術思想及び技術的範囲から逸脱することなく、本発明に対して様々な変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
この場合、従来では基板ステージ2に搭載されていたセンサ類(照明むらセンサ等)をチューブキャリアに設ける構成としてもよい。
これにより、基板ステージ2の軽量化を図ることができ、基板ステージ2の駆動に伴う発熱を抑制することができる。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
Claims (9)
- 移動体を支持して第1方向に移動する可動子と、前記可動子を前記第1方向に沿って駆動する固定子とを有するステージ装置であって、
磁力により前記可動子に対して前記第1方向と交差する第2方向に作用する力を発生させて、前記可動子と前記固定子とを非接触状態とする第1駆動装置と、
前記可動子と前記固定子との相対位置に応じて、前記可動子に対して前記第2方向に作用する電磁力を発生させ、前記可動子の前記第1方向への移動に伴う前記第1駆動装置の駆動に関する較正に用いられる第2駆動装置とを有するステージ装置。 - 前記可動子の前記第1方向への移動時に、前記第1駆動装置の駆動よる前記可動子と前記固定子との相対位置を前記第2駆動装置の推力に基づいて予め計測する計測装置と、
前記計測装置の計測結果に基づいて、前記可動子の前記第1方向への移動時に、前記第1駆動装置の駆動を制御する制御装置とを有する請求項1記載のステージ装置。 - 前記固定子は前記可動子に対して、前記第1方向及び前記第2方向とそれぞれ交差する第3方向に作用する力を発生させる請求項1または2記載のステージ装置。
- 前記固定子及び前記可動子は、前記移動体を挟んだ両側にそれぞれ対で、且つ前記第3方向を異ならせて設けられる請求項3記載のステージ装置。
- 前記第1駆動装置は、前記可動子に設けられたE型コアと、前記固定子に前記可動子の移動範囲に亘って設けられたI型コアとを有する請求項1から4のいずれか一項に記載のステージ装置。
- 前記第2駆動装置は、リニアモータを有する請求項1から5のいずれか一項に記載のステージ装置。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載のステージ装置を備える露光装置。
- 前記ステージ装置を収容する空間を負圧状態に維持する収容体を有する請求項7記載の露光措置。
- 請求項7または8記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008197781A JP5233483B2 (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008197781A JP5233483B2 (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010034480A true JP2010034480A (ja) | 2010-02-12 |
JP5233483B2 JP5233483B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=41738578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008197781A Active JP5233483B2 (ja) | 2008-07-31 | 2008-07-31 | ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5233483B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010258107A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Canon Inc | 駆動装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
CN104701228A (zh) * | 2013-12-05 | 2015-06-10 | 李建金 | 一种改进型uvw工作平台 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002238235A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-23 | Nikon Corp | アクチュエータ、ギャップ測定装置、非接触倣い装置、6自由度テーブル駆動装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP2005079368A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Nikon Corp | 磁気浮上式ステージ装置及び露光装置 |
JP2006147919A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Canon Inc | 位置決め装置 |
JP2006173500A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Nikon Corp | アクチュエータ、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2006287033A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Yaskawa Electric Corp | ステージ装置およびその露光装置 |
JP2006304470A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Yaskawa Electric Corp | 電磁石ユニット、電磁アクチュエータ、電磁アクチュエータの駆動制御装置、およびステージ装置 |
JP2008060563A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Asml Netherlands Bv | 可動物体の位置を制御するための方法、位置決めシステム、および、リソグラフィ装置 |
JP2009170504A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
-
2008
- 2008-07-31 JP JP2008197781A patent/JP5233483B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002238235A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-23 | Nikon Corp | アクチュエータ、ギャップ測定装置、非接触倣い装置、6自由度テーブル駆動装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP2005079368A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Nikon Corp | 磁気浮上式ステージ装置及び露光装置 |
JP2006147919A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Canon Inc | 位置決め装置 |
JP2006173500A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Nikon Corp | アクチュエータ、ステージ装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2006287033A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Yaskawa Electric Corp | ステージ装置およびその露光装置 |
JP2006304470A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Yaskawa Electric Corp | 電磁石ユニット、電磁アクチュエータ、電磁アクチュエータの駆動制御装置、およびステージ装置 |
JP2008060563A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Asml Netherlands Bv | 可動物体の位置を制御するための方法、位置決めシステム、および、リソグラフィ装置 |
JP2009170504A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010258107A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Canon Inc | 駆動装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
CN104701228A (zh) * | 2013-12-05 | 2015-06-10 | 李建金 | 一种改进型uvw工作平台 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5233483B2 (ja) | 2013-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4985691B2 (ja) | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
US8421994B2 (en) | Exposure apparatus | |
US20110026005A1 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device | |
JPWO2008041575A1 (ja) | ステージ装置および露光装置 | |
JP2009088037A (ja) | 露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 | |
JP5353005B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2009147341A (ja) | 露光装置とその製造方法並びに露光装置のメンテナンス方法 | |
JP2009177184A (ja) | 露光装置とその製造方法及び支持方法 | |
JP2009170504A (ja) | ステージ装置及び露光装置 | |
EP1850370A1 (en) | Stage apparatus and exposure apparatus | |
JP5233483B2 (ja) | ステージ装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 | |
JP2008084953A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP5245740B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
JP5146183B2 (ja) | 露光方法、デバイスの製造方法及び露光装置 | |
JP2014060217A (ja) | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 | |
JP2010087156A (ja) | ステージ装置及び露光装置 | |
JP2009049168A (ja) | 温度調整構造及びステージ装置並びに露光装置 | |
JP2019032552A (ja) | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法 | |
JP2011108983A (ja) | 多関節型アーム装置及びステージ装置並びに露光装置 | |
JP6418281B2 (ja) | 露光装置 | |
JP2009076583A (ja) | ステージ装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2009170503A (ja) | 露光装置とその製造方法、及びステージ装置とその搬送方法 | |
JP2010182788A (ja) | ステージ装置及び露光装置 | |
JP2009076584A (ja) | 支持装置、ステージ装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP2009135145A (ja) | 支持装置及び露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130311 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5233483 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |