CN102257437B - 预对准装置以及预对准方法 - Google Patents

预对准装置以及预对准方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102257437B
CN102257437B CN201080002389.3A CN201080002389A CN102257437B CN 102257437 B CN102257437 B CN 102257437B CN 201080002389 A CN201080002389 A CN 201080002389A CN 102257437 B CN102257437 B CN 102257437B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
storage unit
described substrate
foreign matter
prealignment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201080002389.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102257437A (zh
Inventor
桥永宙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vn Systems Ltd
V Technology Co Ltd
Original Assignee
NSK Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NSK Ltd filed Critical NSK Ltd
Publication of CN102257437A publication Critical patent/CN102257437A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102257437B publication Critical patent/CN102257437B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7011—Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Abstract

本发明提供一种能够使曝光单元整体变得小型化，并且能够缩短生产节拍时间的预对准装置以及预对准方法。通过预对准装置(20)具有：对载置在精密温度调整板(22)上的基板W进行温度调整的基板温度调整机构；和检测载置在精密温度调整板(22)上的基板的异物的异物检测机构(34)；这样能够使预对准装置(20)、基板温度调整机构和异物检测机构成为简单的装置，并且能够减少搬送用机器人的数量，并使曝光单元整体变得小型化。并且，通过对进行温度调整中的基板进行预对准和异物检测，能够缩短生产节拍时间。

Description

预对准装置以及预对准方法
技术领域
本发明涉及预对准装置以及预对准方法，更详细涉及用于对搬送到曝光装置的基板进行预对准的预对准装置以及预对准方法。
背景技术
图9是表示将玻璃基板曝光时的步骤的一例。首先，洗净的玻璃基板由涂料器101被涂敷上抗蚀剂，在搬送过程中由热板102(HP)加温而使抗蚀剂干燥之后，由冷凝板103(CP)消除余热。然后，由搬送用机器人104搬送到精密温度调整装置105，以对基板进行冷却调温。接着，由搬送用机器人106将基板搬送到异物检查机107，并检查是否存在异物。再接着，由搬送用机器人106将不存在异物的基板搬送到预对准装置108，并进行基板的预对准。预对准后的基板由搬送用机器人109搬送到曝光装置本体110，从而掩膜M的图案被曝光转印。曝光后的基板由搬送用机器人10传送到下游的输送机111，而输送到下一工序。
并且，作为曝光前对基板进行温度调整的装置，提出了各种装置(例如参照专利文献1以及2)。专利文献1所述的曝光装置具有搬送玻璃基板的一对载物台装置，设有进行玻璃基板的曝光的曝光位置和在所述位置左右对载物台装置进行加载/卸载玻璃基板的一对加载/卸载位置。并且，公开了如下构成：在一台载物台装置曝光的期间，另一台载物台装置对基板进行温度调整。并且，专利文献2所述的预对准装置使晶片旋转以进行预对准的同时，将光从晶片的下表面照射出以加热晶片。
并且，在专利文献3中公开了如下的构成：作为在接近曝光前检测出基板的异物的装置，将用于进行异物检测的载置台作为预对准载物台或温度调整功能板，并且，作为异物检测装置具有：多个激光照射部、对异物的散射光进行摄像的多个摄像机构以及图像处理部。
专利文献1：日本专利第4020261号公报
专利文献2：日本特开2005-32906号公报
专利文献3：日本特开2007-40862号公报
但是，在如图9所示的单元中，由于分别配置有精密温度调整装置105、异物检查机107以及预对准装置108，因而需要依次进行基板的温度调整、异物检查和预对准，并发生管道(阻力)损失，并且，还需要多个搬送用机器人104、106、109，从而导致单元整体变得大型化。
并且，在专利文献1所述的曝光装置中，如果一台载物台装置的曝光时间与另一台载物台装置的温度调整时间发生时间差，就会出现发生管道损失的问题。并且，专利文献2所述的预对准装置是在通过旋转驱动对晶片进行预对准时进行温度调整的，而不同于对制造平板显示器时所用的母体玻璃那种基板进行预对准的装置。
发明内容
本发明是鉴于所述问题而作出的，其目的在于提供一种能够使曝光单元整体变得小型化，并且缩短生产节拍(tact time)时间的预对准装置以及预对准方法。
通过下述构成实现本发明的所述目的。
(1)一种预对准装置，用于对搬送到曝光装置的基板进行预对准，其特征在于，具有：
基板保存部，其用于载置所述基板；
基板驱动机构，其沿预定方向以及与该预定方向正交的方向驱动所述基板保存部，并且绕与所述方向正交的轴进行旋转驱动；以及
基板温度调整机构，其对载置在所述基板保存部上的基板进行温度调整。
(2)根据(1)项所述的预对准装置，其特征在于，
还具有用于检测出载置在所述基板保存部上的基板的异物的异物检测机构。
(3)一种预对准装置，用于对搬送到曝光装置的基板进行预对准，其特征在于，具有：
基板保存部，其用于载置所述基板；
基板驱动机构，其沿预定方向以及与该预定方向正交的方向驱动所述基板保存部，并且绕与所述方向正交的轴进行旋转驱动；
以及异物检测机构，其用于检测出载置在所述基板保存部上的基板的异物。
(4)根据(2)或(3)项所述的预对准装置，其特征在于，
所述异物检测机构具有多个摄像机，其配置在所述基板保存部的上方，沿所述预定方向配置成直线状；和光源，其向该摄像机所摄像的基板的位置照射光。
(5)根据(4)项所述的预对准装置，其特征在于，
所述异物检测机构还具有用于向所述正交方向搬送所述多个摄像机和所述光源的搬送机构。
(6)根据(4)项所述的预对准装置，其特征在于，
所述多个摄像机和所述光源沿所述正交方向配置在靠近搬送用机器人的位置，所述搬送用机器人用于向所述基板保存部传递所述基板。
(7)根据(2)或(3)项所述的预对准装置，其特征在于，
所述异物检测机构具有分别配置在所述预定方向上的所述基板保存部的侧方激光投光器和激光受光器。
(8)根据(7)项所述的预对准装置，其特征在于，
所述异物检测机构还具有向所述正交方向搬送所述激光投光器和激光受光器的搬送机构。
(9)根据(7)项所述的预对准装置，其特征在于，
所述激光投光器和激光受光器沿所述基板保存部的正交方向配置在靠近搬送用机器人的位置，所述搬送用机器人用于向所述基板保存部传递所述基板。
(10)一种预对准装置的预对准方法，所述预对准装置具有基板保存部，用于载置基板；基板驱动机构，能够沿预定方向以及与该预定方向正交的方向驱动所述基板保存部，并且能够绕与所述方向正交的轴进行旋转驱动；以及基板温度调整机构，对载置在所述基板保存部上的基板进行温度调整，其特征在于，具有：
对载置在所述基板保存部上的基板进行温度调整的工序；和
对进行所述温度调整的基板进行预对准的工序。
(11)根据(10)项所述的预对准方法，其特征在于，
由用于检测基板的异物的异物检测机构检测出进行所述温度调整中的基板的异物。
(12)根据(10)项所述的预对准方法，其特征在于，
还具有在搬送用机器人向所述基板保存部传递所述基板时，由用于检测基板的异物的异物检测机构检测出所述基板的异物的工序。
根据本发明的预对准装置以及预对准方法，能够通过具有对载置在基板保存部上的基板进行温度调整的基板温度调整机构，使预对准装置和基板温度调整机构成为简单的装置，使曝光单元整体变得小型化。并且，能够通过对进行温度调整中的基板进行预对准，缩短生产节拍时间。
根据本发明的另一预对准装置，能够通过具有载置在基板保存部上的、检测出基板的异物的异物检测机构，使预对准装置和异物检测机构成为简单的装置，并使曝光单元(曝光装置，exposal unit)整体变得小型化。
附图说明
图1是用于对适用本发明的预对准装置的第1实施方式的曝光单元进行说明的概略图。
图2是表示本发明的预对准装置的侧视图。
图3是表示本发明的预对准装置的俯视图。
图4(a)是表示本发明的预对准单元的第一变形例的俯视图，图4(b)是图4(a)的侧视图。
图5是表示本发明的预对准单元的第二变形例的侧视图。
图6是表示本发明的预对准单元的第三变形例的侧视图。
图7是图6的预对准单元的俯视图。
图8是表示本发明的变形例的喷出干空气的装置的俯视图。
图9是表示适用以往的预对准装置的曝光单元的概略图。
附图标记的说明
10曝光单元
14处理单元
15曝光装置本体
16输送机(搬出装置)
17第一搬送用机器人
18第二搬送用机器人
20预对准装置
22精密温度调整板(基板保存部，基板温度调整机构)
24基板驱动机构
30摄像机
31光源
33搬送机构
34异物检测机构
40激光投光器
41激光受光器
具体实施方式
以下，参照附图对适用本发明的预对准装置以及预对准方法的一实施方式的曝光单元进行详细说明。
(第1实施方式)
图1所示的一实施方式的曝光单元10具有：处理单元14，其具有涂料器11、热板12以及冷凝板13；预对准装置20；曝光装置本体15；作为搬出装置的输送机16；第一搬送用机器人17，其用于在处理单元14和预对准装置20之间传递基板；第二搬送用机器人18，其用于在预对准装置20、曝光机本体15和输送机16之间传递基板。其中，处理单元14、曝光机本体15、输送机16、第一以及第二搬送用机器人17、18与图8所示的同样，适用公开的这样机构。并且，涂料器11可以与热板12以及冷凝板13分开设置，此时，通过未图示的另一搬送用机器人进行基板的传递。
如图2以及图3所示，本实施方式的预对准装置20具有：基台21；精密温度调整板(PCP)22，其成为保存基板W的基板保存部；支承部件23，其用于支承精密温度调整板22；基板驱动机构24，其相对于基台21沿着X方向、与X方向正交的Y方向以及绕着与X、Y方向垂直的轴的θ方向进行旋转驱动；销驱动机构26，其相对于支承部件23沿上下方向(Z方向)驱动多个销25，从形成在精密温度调整板22上的多个销孔22a中进行前进、后退动作；多个对准摄像机(边缘传感器器)27，其安装在基台21上，设置在X方向和Y方向中的一方向上的两个部位以及另一方向的一个部位。并且，精密温度调整板22成为对基板W进行温度调整的基板温度调整机构，利用流通过迂回销孔22a地形成的内部冷却管道中的冷却介质来释放基板W的热量，从而冷却基板W。
并且，在预对准装置20中设有异物检测机构34，该异物检测机构34具有：多个摄像机30，其配置在精密温度调整板22的上方，沿X方向配置成直线状；光源31，其用于向摄像机30所摄像的基板W的位置照射光；搬送机构33，其用于将安装有多个摄像机30以及光源31的可动部件32向Y方向搬送。搬送机构33由对如滚珠丝杠那样的驱动装置和引导装置进行组合而成的公开机构构成，并在基台21的X方向两侧支承可动部件32，可动部件32以跨跃精密温度调整板22的方式进行驱动。并且，本实施方式的光源31由棒状的LED照明构成，并使摄像机30的视野内的亮度均衡地设置在可动部件32的Y方向两侧，但也可以设置在可动部件32的Y方向单侧。该光源31的LED的波长为可见光线的波长(590nm以上)。
由此，在本实施方式的曝光单元10中，所洗净的玻璃基板W由涂料器11被涂敷上抗蚀剂，由热板12加温而使抗蚀剂干燥之后，由冷凝板13消除余热。其后，基板W通由第一搬送用机器人17传递至处于多个销25上升的状态的预对准装置20。销25下降使基板W接触到精密温度调整板22以进行吸附保存。由此，利用精密温度调整板22冷却了基板W。
并且，在对基板W进行冷却的期间，由边缘传感器27对基板W的端面进行位置检测，并沿Y、θ方向驱动精密温度调整板22从而进行基板W的预对准。并且，从光源31对结束预对准的基板W照射光，并由搬送机构33移动可动部件32，同时由摄像机30进行异物检测。具体地说，在存在异物的情况下，通过摄像机30对因异物而扩散了的光进行摄像来进行异物检测。
并且，若完成异物检查和温度调整，则使销25上升，从而由第二搬送用机器人18将基板W搬送到曝光装置本体15，掩膜M的图案被曝光转印。曝光后的基板W由第二搬送用机器人18搬送到下游的输送机16，并搬送到下一工序。
如上所述，根据本实施方式的预对准装置20以及预对准方法，能够通过将在进行预对准时用于保存基板的基板保存部作为对基板进行温度调整的精密温度调整板22，能够使预对准装置20和基板温度调整机构成为简单的装置，减少搬送用机器人的数量，使曝光单元整体变得小型化。并且，通过对进行温度调整中的基板进行预对准，实现生产节拍时间的缩短。
并且，根据预对准装置20，由于具有检测出基板的异物的异物检测机构34，因而能够使预对准装置20和异物检测机构34成为简单的装置，并使曝光单元整体变得小型化。
并且，如本实施方式那样，对进行温度调整中的基板W进行异物检测，因而能够缩短生产节拍时间。此外，由于如本实施方式那样，异物检测工序在预对准工序后进行，因而不会存在产生因基板W的倾斜引起摄像机30不能进行摄像的区域的可能性，并能够提高异物检测的精度。
但是，即使基板W倾斜载置在精密温度调整板22上，在摄像机30充分能够进行摄像的情况下，异物检查也可以在进行预对准之前进行。
并且，如图4所示，异物检测机构34可以不设置如所述实施方式的搬送机构，作为替代，可以固定地配置多个摄像机30，使其能够对整个基板W进行摄像，并在基板W的X方向两侧配置光源31而从侧面照射光。并且，在存在异物f的情况下，通过摄像机30对通过异物扩散的光进行摄像进行异物检测。此外，在所述实施方式以及该变形例中的任一方式中，异物检查时的光源31的位置可以从针对基板W的面的侧面、正上方、倾斜方向中的任一方向照射。
并且，在所述实施方式中，是对进行温度调整中的基板W进行异物检测，但可以如图5所示，异物检测可以在第一搬送用机器人17将基板W传递到精密温度调整板221时进行。在这种情况下，异物检测机构34不需要设置搬送机构，沿X方向配置成直线状的多个摄像机30以及光源31沿Y方向固定地配置在靠近第一搬送用机器人17的位置。并且，通过第一搬送用机器人17搬送的基板W经过多个摄像机30的下方时，进行异物检查。
并且，如图6以及图7所示，异物检测机构34可以是具有分别配置于基板保存部的X方向两侧的激光投光器40和激光受光器41的激光穿透式结构。作为激光，使用波长为670nm以上的光，例如使用红色半导体光。在这种情况下，由于激光投光器40水平地射出激光，并在不存在异物的情况下，激光受光器41直接接受该激光，因而能够防止激光照射基板W，并抑制基板的温度上升。并且，优选激光投光器40的激光高于基板的表面，而且在曝光时的掩膜M与基板W之间的间隙(例如500μm以下)的范围内进行水平射出。
在这种情况下，也能够由搬送机构33使激光投光器40和激光受光器41沿Y方向同步地移动，同时对进行温度调整中的基板W进行异物检查。或者异物检测机构34不设置搬送机构，可以沿Y方向在靠近第一搬送用机器人17的位置固定地配置激光投光器40和激光受光器41，并在第一搬送用机器人17将基板W传递到精密温度调整板22时进行异物检测。
另外，本发明不局限于上述实施方式，可以进行适当的变形、改良等。
本实施方式的预对准装置同时具有基板温度调整机构和异物检测机构双者，但即使只具有其中一者也能发挥本发明的效果。
并且，本发明的异物检查也可以通过在检查前向基板W的上面喷吹入空气，吹飞基板W的上面的异物之后进行，并且，也可以通过干空气除去异物检查后所发现的基板W上面的异物。例如、如图8所示，可以在第一搬送用机器人17与预对准装置20之间配置喷吹干空气的装置50，并在正将基板W搬送到预对准装置20的时候，吹飞基板W的上面的异物。当然，也可以在预对准装置20与第二搬送用机器人18之间配置该装置50，从而正在从预对准装置20取得基板的时候，吹飞基板W上面的异物。
并且，考虑到掩膜与基板的间隙以及成本方面，可以选择使用作为检查装置的摄像机。
本发明基于2009年11月25日申请的日本专利申请(特愿2009-267917)，在这里作为参考援引了其内容。

Claims (8)

1.一种预对准装置，所述预对准装置用于对搬送到曝光装置的基板进行预对准，其特征在于，具有：
基板保存部，所述基板保存部载置所述基板，并具有多个销孔；
基板驱动机构，所述基板驱动机构沿预定方向以及与该预定方向正交的方向驱动所述基板保存部，并且绕与所述方向正交的轴进行旋转驱动；
基板温度调整机构，所述基板温度调整机构对载置在所述基板保存部上的基板进行温度调整；
异物检测机构，所述异物检测机构用于检测出载置在所述基板保存部上的基板的异物；和
销驱动机构，所述销驱动机构沿着与所述轴平行的方向驱动多个销，使多个所述销在多个所述销孔中前进、后退，
在所述基板温度调整机构对所述基板进行冷却的期间，所述基板驱动机构驱动所述基板保存部，进行所述基板的预对准，
通过使所述销下降，使所述基板接触到所述基板保存部以进行吸附保存，由此利用所述基板温度调整机构冷却所述基板。
2.根据权利要求1所述的预对准装置，其特征在于，
所述异物检测机构具有多个摄像机，多个所述摄像机配置在所述基板保存部的上方，沿所述预定方向配置成直线状；和光源，所述光源向所述摄像机所摄像的基板的位置照射光，所述光源向所述基板的表面的侧面、正上方或倾斜方向照射光。
3.根据权利要求2所述的预对准装置，其特征在于，
所述异物检测机构还具有用于向所述正交方向搬送所述多个摄像机和所述光源的搬送机构。
4.根据权利要求2所述的预对准装置，其特征在于，
所述多个摄像机和所述光源沿所述正交方向配置在靠近搬送用机器人的位置，所述搬送用机器人用于向所述基板保存部传递所述基板。
5.根据权利要求1所述的预对准装置，其特征在于，
所述异物检测机构具有分别配置在所述预定方向的所述基板保存部的侧方的激光投光器和激光受光器。
6.根据权利要求5所述的预对准装置，其特征在于，
所述异物检测机构还具有向所述正交方向搬送所述激光投光器和激光受光器的搬送机构。
7.根据权利要求5所述的预对准装置，其特征在于，
所述激光投光器和激光受光器沿所述基板保存部的正交方向配置在靠近搬送用机器人的位置，所述搬送用机器人用于向所述基板保存部传递所述基板。
8.一种预对准装置的预对准方法，其特征在于，所述预对准装置具有基板保存部，所述基板保存部载置基板，并具有多个销孔；基板驱动机构，所述基板驱动机构能够沿预定方向以及与该预定方向正交的方向驱动所述基板保存部，并且能够绕与所述方向正交的轴进行旋转驱动；基板温度调整机构，所述基板温度调整机构对载置在所述基板保存部上的基板进行温度调整；异物检测机构，所述异物检测机构检测出载置在所述基板保存部上的基板的异物；和销驱动机构，所述销驱动机构沿着与所述轴平行的方向驱动多个销，使多个所述销在多个所述销孔中前进、后退，通过使所述销下降，使所述基板接触到所述基板保存部以进行吸附保存，由此利用所述基板温度调整机构冷却所述基板，
在所述预对准装置的预对准方法中，具有：
对载置在所述基板保存部上的基板进行冷却的工序；
在所述冷却工序的期间，对进行冷却中的所述基板进行预对准的工序；和
在搬送用机器人向所述基板保存部传递所述基板时，检测出进行温度调节中的所述基板的异物的工序。
CN201080002389.3A 2009-11-25 2010-11-24 预对准装置以及预对准方法 Active CN102257437B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-267917 2009-11-25
JP2009267917 2009-11-25
PCT/JP2010/070933 WO2011065380A1 (ja) 2009-11-25 2010-11-24 プリアライメント装置及びプリアライメント方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102257437A CN102257437A (zh) 2011-11-23
CN102257437B true CN102257437B (zh) 2014-05-28

Family

ID=44066485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080002389.3A Active CN102257437B (zh) 2009-11-25 2010-11-24 预对准装置以及预对准方法

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JPWO2011065380A1 (zh)
KR (1) KR101408521B1 (zh)
CN (1) CN102257437B (zh)
TW (1) TWI428707B (zh)
WO (1) WO2011065380A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102914951B (zh) * 2011-08-04 2014-11-12 上海微电子装备有限公司 用于光刻设备的预对准装置
NL2009533A (en) * 2011-10-27 2013-05-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN105549239B (zh) * 2016-03-03 2019-07-16 武汉华星光电技术有限公司 精密测长机的遮蔽装置
JP6735155B2 (ja) * 2016-05-31 2020-08-05 株式会社オーク製作所 露光装置
CN106249446A (zh) * 2016-07-20 2016-12-21 武汉华星光电技术有限公司 测试平台及具有所述测试平台的测长机
KR101949367B1 (ko) * 2016-12-09 2019-02-18 주식회사 아바코 마스크 정렬장치용 기판 리프트 장치
CN109789568A (zh) * 2017-09-11 2019-05-21 深圳市柔宇科技有限公司 机械手臂、曝光机前单元和温度控制方法
JP7296740B2 (ja) * 2019-02-04 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101344570A (zh) * 2007-07-10 2009-01-14 东京毅力科创株式会社 检查方法和记录有检查方法的程序记录介质

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3668294B2 (ja) * 1995-08-22 2005-07-06 オリンパス株式会社 表面欠陥検査装置
JP3143896B2 (ja) * 1997-10-23 2001-03-07 日本電気株式会社 荷電粒子線露光装置
JPH11337504A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Central Glass Co Ltd ガラス板の欠陥識別検査方法および装置
JP4002429B2 (ja) * 2001-12-18 2007-10-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物検査機能を備えた露光装置及びその装置における異物検査方法
JP3816426B2 (ja) * 2002-09-09 2006-08-30 株式会社ルネサステクノロジ プロセス処理装置
JP2004309266A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Horiba Ltd 異物検査装置および異物検査方法
JP2005032906A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp ウェハローダ及び露光装置
JP4314091B2 (ja) * 2003-10-03 2009-08-12 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4020261B2 (ja) * 2003-11-05 2007-12-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光方法、露光装置、及び基板製造方法
JP2005311113A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Nikon Corp 位置合わせ装置と位置合わせ方法、搬送システムと搬送方法、及び露光システムと露光方法並びにデバイス製造方法
JP4626976B2 (ja) * 2005-01-14 2011-02-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板検査装置及び基板検査方法
JP2007010502A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Sunx Ltd 異物検出装置
JP2007040682A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Katsuyuki Kihira 立体型換気扇フィルター
JP4748353B2 (ja) * 2005-08-04 2011-08-17 大日本印刷株式会社 異物検査装置
JP2007071763A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Opto One Kk 検査用照明装置
JP5128065B2 (ja) * 2005-12-06 2013-01-23 株式会社ニコン 情報処理装置、デバイス製造処理システム、デバイス製造処理方法、プログラム
JP5090725B2 (ja) * 2006-12-20 2012-12-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物検査装置
JP2009049060A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Nikon Corp 基板処理システム、基板処理方法、露光装置、露光方法及び電子部品の製造方法並びにデバイス製造方法
US7875987B2 (en) * 2007-09-26 2011-01-25 International Business Machines Corporation Method and apparatus for measurement and control of photomask to substrate alignment
JP2009198794A (ja) * 2008-02-21 2009-09-03 Nsk Ltd 近接露光装置及び異物検出方法並びに基板の製造方法
JP5235480B2 (ja) * 2008-04-17 2013-07-10 キヤノン株式会社 異物検査装置、露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101344570A (zh) * 2007-07-10 2009-01-14 东京毅力科创株式会社 检查方法和记录有检查方法的程序记录介质

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特開2005-311113A 2005.11.04
JP特開2007-40682A 2007.02.15
JP特開2009-198794A 2009.09.03

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011065380A1 (ja) 2011-06-03
TW201126281A (en) 2011-08-01
KR20120088757A (ko) 2012-08-08
JP2015172774A (ja) 2015-10-01
TWI428707B (zh) 2014-03-01
CN102257437A (zh) 2011-11-23
KR101408521B1 (ko) 2014-06-17
JPWO2011065380A1 (ja) 2013-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102257437B (zh) 预对准装置以及预对准方法
US8730317B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and non-transitory computer storage medium
JP2007240519A (ja) 欠陥検査方法、欠陥検査装置及びコンピュータプログラム
JP7333710B2 (ja) 接合装置及び接合方法
JP2015018920A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2007294594A (ja) 露光装置及び露光方法
JP2015015269A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR200487281Y1 (ko) 기판 검사 장치
JP2006228862A (ja) 異物除去装置，処理システム及び異物除去方法
JP5766316B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2007212230A (ja) 欠陥検査方法，欠陥検査システム及びコンピュータプログラム
JP5828178B2 (ja) プリアライメント装置及びプリアライメント方法
CN111009460A (zh) 基板处理装置和检查方法
JP5652870B2 (ja) 異物検出装置及び異物検出方法
JP5825268B2 (ja) 基板検査装置
KR20190079199A (ko) 마스크 지지 장치 및 이를 이용한 마스크 정렬 방법
TWI834875B (zh) 接合裝置及接合方法
KR102569167B1 (ko) 자외선 처리 장치, 접합 시스템, 자외선 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
WO2012157466A1 (ja) Ｘ線検査装置
JP2009158792A (ja) 基板処理装置
JP2012220896A (ja) 周辺露光方法及び周辺露光装置
JP2011082336A (ja) 部品実装装置及び部品実装方法
JP2010197726A (ja) 近接スキャン露光装置及び近接スキャン露光方法
JP2012112678A (ja) 基板検査装置
JP2008310163A (ja) 近接スキャン露光装置及びその照度制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NSK TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: NSK LTD.

Effective date: 20120411

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20120411

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: NSK Technology Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: NSK Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: Kanagawa, Japan

Patentee after: VN Systems Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: NSK Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160106

Address after: Kanagawa, Japan

Patentee after: V TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Kanagawa, Japan

Patentee before: VN Systems Ltd.