CN101086625A - 光刻装置及其方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光刻装置和方法以通过最小化光刻工艺线的总体布局而提高产量，其中光刻装置包括加载或者卸载基板的加载/卸载单元；在基板上涂敷光刻胶的涂敷线；曝光基板上涂敷的光刻胶的曝光线；显影曝光的基板的显影线；以及临时存放涂敷有光刻胶的基板并将该基板加载到曝光线上的传输线，并且所述传输线还临时存放曝光后的基板并将该基板加载到显影线上。

Description

光刻装置及其方法
本申请要求享有2006年6月5日在韩国递交的韩国专利申请No.P2006-50468的权益，在此将该申请结合进来作为参考。
技术领域
本发明涉及一种光刻装置及其方法，并尤其涉及一种通过最小化光刻工艺线的整体布局以提高产量的光刻装置及其方法。
背景技术
通常在制造半导体器件、平板显示器等装置时，采用光刻工艺对基板进行构图。光刻工艺包括在基板上涂敷光刻胶、对涂敷在基板上的光刻胶执行曝光，以及对曝光的基板执行显影步骤。在执行曝光时，对所涂敷的光刻胶进行选择性的曝光。
图1所示为现有技术光刻装置的示意图。
如图1所示，现有技术光刻装置设置有加载或者卸载基板的加载/卸载单元10、清洗基板的清洗单元20、在清洗的基板上涂敷光刻胶的涂敷线、对在基板上涂敷的光刻胶执行曝光工艺的曝光单元110、在暴露的基板上形成识别码的打码装置(titler)120，以及通过打码装置120对基板施加显影工艺的显影线。
在从通过传输设备移动的基板盒中取出基板后，加载/卸载单元10将基板加载到清洗单元20。同样，加载/卸载单元10从显影线上卸载基板，然后将该基板加载到基板盒中。
清洗单元20清洗通过加载/卸载单元10加载的基板。清洗单元20设置有将基板传输到涂敷线的清洗传送装置，以及将清洗溶液喷射到传输的基板上以清洗该基板的清洗部件。
涂敷线具有从清洗单元20取出清洗后的基板的第一机械手30；对通过第一机械手30提供的基板进行脱水的脱水烘焙处理装置(DHP)40；传送脱水基板的第一传送装置50；在通过第一传送装置50传送的基板上涂敷光刻胶的涂敷装置60；硬化基板上所涂敷的光刻胶的真空干燥处理装置(VCD)70；从基板上去除溶剂的溶剂去除装置80；临时存放去除溶剂的基板的缓冲器90；降低从缓冲器提供的基板温度的降温装置92以及将缓冲器90中的基板传输到降温装置92、将降温后的基板加载到曝光单元110、从曝光单元110中取出曝光后的基板并将曝光后的基板加载到打码装置120的第二机械手100。
第一机械手30从清洗单元20取出清洗后的基板并将清洗后的基板加载到脱水烘焙处理装置40。同样，该第一机械手30从脱水烘焙处理装置40中取出脱水基板并将该脱水后的基板加载到第一传送装置50。
脱水烘焙处理装置40由加热温度介于110℃到130℃的加热板形成。此外，脱水烘焙处理装置40采用该加热板对通过第一机械手30加载的基板进行脱水。
第一传送装置50将通过第一机械手30加载的脱水基板传输给涂敷单元60。
涂敷单元60设置有从第一传送装置50中取出基板的第三机械手62、在通过第三机械手62加载的基板上涂敷光刻胶的涂敷装置64以及从涂敷装置64上取出基板并将其加载到VCD 70上的第四机械手66，该第四机械手66从VCD70上取出基板并将其加载到溶剂去除装置80。
第三机械手62从第一传送装置50上取出基板，并将该基板加载到涂敷装置64上。涂敷装置64在通过第三机械手62加载的基板上涂敷光刻胶。
在通过涂敷装置64对基板涂敷光刻胶后，第四机械手66从涂敷装置64上取出涂敷有光刻胶的基板，并将该基板加载到真空干燥处理装置70。此外，在通过真空干燥处理装置70对涂敷在基板上的光刻胶进行硬化后，第四机械手66从真空干燥处理装置70上取出硬化的基板并将该基板加载到溶剂去除装置80。
真空干燥处理装置70在低真空状态下干燥通过第四机械手66加载的基板的光刻胶。
溶剂去除装置80设置有从具有软烘焙加热板(SHP)的基板上去除溶剂的溶剂去除炉82以及从该溶剂去除炉82中取出基板并将该基板加载到缓冲器90的第五机械手84。
溶剂去除炉82从通过第四机械手66加载的基板上去除溶剂，其中该基板具有以介于110℃到130℃温度加热的SHP。
在溶剂去除炉82中从基板上去除溶剂后，第五机械手84从溶剂去除炉82中取出没有溶剂的基板并将该基板加载到缓冲器90上。
缓冲器90临时存放由第五机械手84加载的基板。
降温装置92将由第五机械手84加载的基板温度降低到约23℃。为此，以包括冷却板的双层结构形成该降温装置92。
第二机械手100从缓冲器90中取出临时存放的基板并将该基板加载到降温装置92中。此外，随着通过降温装置92将基板温度逐渐降低，第二机械手100从降温装置92中取出已经降温的基板并将该基板加载到曝光单元110。而且，第二机械手100从曝光单元110中取出曝光后的基板，并将该基板加载到打码装置120。
曝光单元110设置由第二机械手100加载的基板，并通过向设置的基板施加光线而构图基板上的光刻胶。
打码装置120在由第二机械手100加载的基板一侧形成识别码。此时，在传输装置上设置该打码装置120，从而在传输的基板上形成识别码。
显影线具有显影基板的显影单元130、干燥显影后的基板的干燥单元140、转变干燥后基板传输方向的转向传输装置，以及将转向后的基板传送到加载/卸载单元10的第二传输装置160。
显影单元130显影通过曝光单元110曝光并具有通过打码装置形成的识别码的基板。为此，显影单元130具有与打码装置120连接的显影传输装置、以及用于通过向显影传输装置喷射显影液以显影基板的显影部件。
干燥单元140具有通过采用硬质加热板(HHP)干燥显影基板的干燥炉142以及从干燥炉142中取出基板并将其加载到转向传输装置150的第六机械手144。
干燥炉142通过HHP加热并干燥由显影单元130的显影传输装置传输的基板，其中以介于110℃到130℃的温度加热HHP。
在通过干燥炉142干燥基板后，第六机械手144从干燥炉142中取出基板并将该基板加载到转向传输装置150。
转向传输装置150将通过第六机械手144加载的基板的传输方向转向到第二传输装置。第二传输装置160将通过转向传输装置150转向的基板传输给加载/卸载单元160。
现有技术的光刻装置具有按照一条线排列的清洗单元20、涂敷线、曝光单元110、打码装置120以及显影线。因此，对通过加载/卸载单元10加载的基板依次进行清洗、涂敷和曝光处理，然后该基板经过打码线和显影线，从而完成该光刻工艺。
但是，现有技术光刻装置及其方法存在如下缺点。
在现有技术的光刻工艺装置中，涂敷线和与显影线连接的曝光单元构成一条光刻线，从而增加了整体布局。同时，涂敷线、显影线和曝光线具有不同的处理(tact)时间，导致产生等待时间，从而增加了整体处理时间。
如果在光刻装置的任一单元中产生所述问题，则会降低整体工作速率。如果在曝光单元110中产生上述问题，则不可能对涂敷线、打码线和显影线进行操作。
发明内容
因此，本发明提供一种光刻装置和方法，其能够基本上避免由现有技术的限制和缺陷引起的一个或多个问题。
本发明的目的在于提供一种通过最小化光刻工艺线总体布局以提高产量的光刻装置和方法。
本发明另外的优点、目的和特征将在以下描述中加以阐述，其中部分特征和优点对于熟悉本领域的普通技术人员来说可以从以下描述中显而易见地看到，或者从本发明的实践中得知。通过在本发明的说明书、权利要求书以及附图中具体指明的结构，本发明的目的和其它优点会得到了解和实现。
为了实现这些目的和其它优点，并根据本发明的目的，这里进行具体和广泛描述，一种光刻装置包括加载或者卸载基板的加载/卸载单元、在基板上涂敷光刻胶的涂敷线、对在基板上涂敷的光刻胶执行曝光工艺的曝光线、显影曝光的基板的显影线以及临时存放涂敷有光刻胶的基板并将该基板加载到曝光线上并且临时存放曝光后的基板并将该基板加载到显影线上的传输线。
此时，涂敷线包括加载基板的第一机械手、在通过第一机械手加载的基板上涂敷光刻胶的涂敷装置、从所述涂敷装置上取出涂敷后的基板的第二机械手、硬化由第二机械手加载的基板上的光刻胶的真空干燥处理装置、从通过真空干燥处理装置硬化的基板上去除溶剂的溶剂去除装置、降低去除溶剂的基板温度的降温装置，以及从所述第一降温装置上取出具有降低后温度的基板并将所述基板加载到传输线上的第三机械手。
此外，所述传输线包括传输由涂敷线涂敷的基板的第一传输装置、将曝光的基板传输给显影线的第二传输装置、临时存放由所述第一传输装置传输的涂敷基板并且临时存放通过曝光线曝光的基板的堆栈，以及在第一和第二传输装置以及堆栈之间传送基板的传输单元。
在本发明的另一方面，一种光刻装置包括多条平行设置的光刻工艺线，各条光刻工艺线包括用于加载或者卸载基板的加载/卸载单元、用于在基板上涂敷光刻胶的涂敷线、用于曝光基板上涂敷的光刻胶的曝光线，和用于显影曝光基板的显影线，以及根据光刻工艺线的工艺状态在各光刻工艺线中将基板传送给所述涂敷线、曝光线和显影线的传输线。
此时，传输线临时存放通过各涂敷线涂敷光刻胶的基板，并对于需要涂敷基板的光刻工艺线将涂敷有光刻胶的基板加载到曝光线，或者所述传输线临时存放由曝光线曝光的基板，并对于需要曝光基板的各光刻工艺线将曝光后的基板加载到显影线。
在本发明的另一方面，一种光刻方法包括加载基板；在加载的基板上涂敷光刻胶；临时存放涂敷有光刻胶的基板；接收临时存放的基板，并曝光涂敷有光刻胶的基板；临时存放曝光后的基板；接收临时存放的基板，并显影该曝光的基板；以及卸载显影后的基板。
此时，涂敷工艺包括在加载的基板上涂敷光刻胶；硬化涂敷在基板上的光刻胶；从所述硬化的基板上去除溶剂；并降低去除溶剂的基板的温度。
在本发明的另一方面，公开了一种包括多条平行设置的光刻工艺线的光刻方法，各条光刻工艺线包括用于加载或者卸载基板的加载/卸载单元、用于在基板上涂敷光刻胶的涂敷线、用于曝光基板上涂敷的光刻胶的曝光线，以及用于显影所述曝光后基板的显影线，该光刻方法包括将基板加载到各涂敷线上以在各基板上涂敷光刻胶；通过采用用于将基板传输到涂敷线、曝光线和显影线上的传输线而在各传输线临时存放所述经过涂敷的基板；通过所述传输线将基板加载到需要涂敷基板的光刻工艺线的曝光线上以曝光涂敷基板上的光刻胶；通过采用传输线将曝光基板临时存放到各曝光线上；对于需要曝光基板的各光刻工艺线通过传输线将曝光基板加载到显影线上以显影曝光后的基板；通过加载/卸载单元卸载所述基板。
此时，所述涂敷工艺包括在加载的基板上涂敷光刻胶；硬化涂敷在基板上的光刻胶；从所述硬化的基板上去除溶剂；降低去除溶剂的基板的温度；并将降低温度的基板提供给所述传输线。
附图说明
所包括的附图用于提供对本发明的进一步理解，并包含在说明书中构成说明书的一部分，附图描述了本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1所示为现有技术光刻装置的示意图；
图2所示为根据本发明一优选实施方式的光刻装置的示意图；以及
图3所示为根据本发明另一优选实施方式的光刻装置的示意图。
具体实施方式
下面详细参考本发明的优选实施方式，其实施例在附图中示出。尽可能地，在整个附图中使用相同的附图标记来表示相同或者相似的部件。
以下将参照附图描述根据本发明的光刻装置和方法。
图2所示为根据本发明一优选实施方式的光刻装置的示意图。
参照图2，根据本发明优选实施方式的光刻装置设置有加载或者卸载基板的加载/卸载单元300、清洗基板的清洗线400、在清洗的基板上涂敷光刻胶的涂敷线500、曝光涂敷在基板上的光刻胶的曝光线700、在曝光的基板上形成识别码的打码线800，临时存放涂敷有光刻胶的基板并将所述基板传输到曝光线700或者临时存放曝光后的基板并将其传输到打码线800的传输线600，以及显影经由打码线800的基板并且将显影的基板加载到加载/卸载单元300的显影线900。
在从通过传输设备移动的基板盒中取出基板后，加载/卸载单元300将基板加载到清洗线400。同样，加载/卸载单元300从显影线900上取出基板，然后将该基板加载到基板盒中。在这种情况下，尽管未示出，加载/卸载单元300包括至少一个用于加载以及卸载基板的机械手。
同时，加载/卸载单元300可以包括具有用于将基板加载到清洗线400的机械手的加载部件，以及具有用于从显影线900上卸载曝光基板的机械手的卸载部件。由于提供了包括加载部件和卸载部件的加载/卸载单元300，因此可以降低用于加载和卸载基板的处理时间。
清洗线400清洗从加载/卸载单元300卸载的基板。清洗线400设置有将基板传输给涂敷线500的清洗传送装置410，以及通过向基板喷射清洗溶液以清洗该基板的清洗单元420。
涂敷线500具有从清洗传送装置410取出清洗后的基板的第一机械手510、对通过第一机械手510加载的基板涂敷光刻胶的涂敷装置520、从涂敷装置520中取出涂敷有光刻胶的基板的第二机械手530、硬化通过第二机械手530加载的基板上所涂敷的光刻胶的真空干燥处理装置(VCD)540、从光刻胶得到硬化的基板上去除溶剂的溶剂去除装置550、降低去除溶剂的基板温度的第一温度控制器560以及从第一温度控制器560取出具有降低的温度的基板的第三机械手570。
第一机械手510从清洗传送装置410取出清洗后的基板，并将清洗后的基板加载到涂敷装置520。涂敷装置520采用旋转或者非旋转的方法，将光刻胶涂敷在通过第一机械手510加载的基板上。
在通过涂敷装置520在基板上涂敷光刻胶以后，第二机械手530从涂敷装置520中取出涂敷后的基板，并将该基板加载到真空干燥处理装置540。
真空干燥处理装置540在低真空状态下干燥通过第二机械手530加载的基板的光刻胶，从而固化该基板的光刻胶。
溶剂去除装置550包括从真空干燥处理装置540中取出光刻胶得到硬化的基板的第四机械手552以及通过使用软烘焙加热板(SHP)从基板上去除溶剂的溶剂去除炉554。
第四机械手552从真空干燥处理装置540中取出光刻胶经过硬化的基板，并将基板加载到溶剂去除炉554中。此外，第四机械手552从溶剂去除炉554中取出去除溶剂的基板，并将该基板加载到第一温度控制器560中。
溶剂去除炉554通过采用SHP以介于110℃到130℃的温度加热由第四机械手552加载的基板，从而从基板上去除溶剂。
第一温度控制器560加热或者冷却由第四机械手552加载的基板，从而使得基板温度为约23℃。为此，第一温度控制器560由双层结构形成。
在通过第一温度控制器560降低基板温度后，第三机械手570从第一温度控制器560中取出基板，并且将基板加载到传输线600中。
传输线600具有传输由第三机械手570加载的基板的第一传输装置610、将曝光的基板传输给打码线800的第二传输装置640、临时存放由第一传输装置610传输的涂敷基板并且临时存放在曝光线700中曝光的基板的堆栈630，以及在第一、第二传输装置610、640和堆栈630之间传输基板的传输单元620(AGV)。
第一传输装置610将通过第三机械手570加载的涂敷基板传输给图中未示出的基板盒。
随着传输单元620沿着第一传输装置610和堆栈630之间的预定路径移动，传输单元620在堆栈630中存放容纳多个基板的基板盒。在传输单元620沿着第二传输装置640和堆栈630之间的预定路径移动时，传输单元620向第二传输装置640提供位于堆栈630中容纳多个暴露在堆栈中的基板的基板盒。
堆栈630临时存放容纳多个涂敷有光刻胶的基板并通过传输单元620传输的基板盒。同样，堆栈630还临时存放容纳多个由曝光线700曝光的基板的基板盒。
第二传输装置640从通过传输单元620传输的基板盒中取出曝光的基板，并将该曝光的基板传输给打码线800。
曝光线700具有从堆栈630接收包括多个基板的基板盒的第二温度控制器710，并保持适于曝光工艺的基板温度；从第二温度控制器710取出基板的第五机械手720，以及曝光通过第五机械手720加载的基板的曝光单元730。
第二温度控制器710加热或者冷却容纳在基板盒中的基板，从而使基板温度为约23℃。为此，第二温度控制器710由双层结构形成。同时，第二温度控制器710包括为了从基板上去除颗粒而向基板喷射高压气体的颗粒去除单元。
第五机械手720从第二温度控制器710上取出基板，并将该基板加载到曝光单元730。此外，在完成曝光工艺后，第五机械手720从曝光单元730上取出曝光后的基板，并将曝光后的基板加载到设置在堆栈630中的基板盒中。
曝光单元730对通过第五机械手720加载的基板进行排列，并向排列的基板上施加光束以在其上构图光刻胶。
打码线800包括从第二传输装置640上取出基板的第六机械手810，以及在通过第六机械手810加载的基板中形成识别码的打码装置820。第六机械手810从第二传输装置640上取出曝光后的基板，并将该曝光基板加载到打码装置820。打码装置820在通过第六机械手810加载的基板一侧形成识别码。此时，在传输装置上安装打码装置820，从而形成该基板的识别码。
显影线900设置有传输具有识别码的基板的显影传输装置910，以及通过向基板喷射显影液而显影该基板的显影单元920。
显影传输装置910将具有识别码的基板从打码装置820传输给加载/卸载单元300。
显影单元920向通过显影传输装置910传输的基板喷射显影液。因此，通过从显影单元920喷射的显影液而显影由曝光单元730曝光和打码装置820打码的基板。
在根据本发明的光刻装置和方法中，沿一条线设置清洗线400和涂敷线500，从而在传输线600中临时存放涂敷有光刻胶的基板，并且将存放在传输线600中的基板提供给曝光线700，从而执行曝光工艺。然后，在传输线600中临时存放由曝光线700曝光的基板，并且将存放在传输线600中的基板提供给打码线800，从而执行打码工艺。此后，将基板提供给显影线900，从而执行显影工艺，然后将基板卸载到外部。
在根据本发明的光刻装置和方法中，将涂敷线500、曝光线700和显影线900彼此分隔开排列。在该状态下，设置传输线600以在涂敷线500、曝光线700和显影线900之间传输基板，从而减小光刻工艺线的总体布局。此外，尽管涂敷线500、显影线900和曝光线700彼此具有不同的处理时间，但是可以通过由传输线600临时存放基板而降低光刻线的整体处理时间。尽管在任一条线中会存在问题，但是对总体工艺线没有很坏的影响，从而可以提供工作速率。
如图3所示，根据本发明的光刻装置包括并行排列的多个光刻工艺线(2001-200n)。
各光刻工艺线(2001-200n)与图2所示的光刻装置具有相同的结构。在涂敷线500、曝光线700和显影线900中，涂敷线500具有最大的工艺时间周期，而显影线900具有最短的工艺时间周期。因此，为了对每条线最大化处理时间，可以控制线的数量。例如，如果曝光线700设置为12条线，则沿一条线设置的清洗线400和涂敷线500形成为9条，并且沿一条线设置的打码线800显影线900为6条，从而可以最大化各条线的工作速率。
传输线600包括至少一个传输单元620，其中传输单元620在各光刻工艺线(2001-200n)中将基板传输给涂敷线500、曝光线700和打码线800。
参照与图2相关的图3，至少一个传输单元620将在各涂敷线500中涂敷有光刻胶的基板存放在堆栈630中。基于在各曝光线700中的工艺执行状态，传输单元620从堆栈630中取出涂敷有光刻胶的基板，并将该涂敷有光刻胶的基板加载到光刻工艺线(2001-200n)的曝光线700中。
此外，至少一个传输单元620将在各曝光线700中曝光的基板存放在堆栈630中。基于在各显影线900中的工艺执行状态，至少一个传输单元620从堆栈630中取出曝光的基板，并将曝光的基板加载到光刻工艺线(2001-200n)的打码线800中。
在根据本发明的另一实施方式的光刻装置中，通过单独设置涂敷线500、曝光线700和显影线900的方式排列多个光刻工艺线(2001-200n)。在该状态下，采用传输线600将基板传输到各光刻工艺线(2001-200n)，从而减小总体布局。此外，基于各光刻工艺线(2001-200n)的工艺执行状态传输基板，从而可以降低总体处理时间。尽管在任一线中可能存在问题，但是由于其他光刻工艺线(2001-200n)可以替换存在问题的线，因此这不会影响到整体的工艺线，从而可以提高工作速率。
如上所述，依照本发明的光刻装置和方法具有如下优点。
首先，单独排列涂敷线、曝光线和显影线。在这种状态下，采用传输线在涂敷线、曝光线和显影线之间传输基板，从而减小了光刻工艺线的总体布局。
即使涂敷线、曝光线和显影线具有不同的处理时间，但是由于通过传输线可以临时存放基板，因此可以降低光刻工艺的总体处理时间。
如果在各条线中的任一条线中产生任何问题，不会对其他工艺线产生很大的影响，从而提高了工作速率。
基于各条光刻工艺线的工艺执行状态，传输基板，从而降低了光刻工艺的总体处理时间。
即使各条光刻工艺线中的任一条线产生任何问题，都可以由其他工艺线进行替代，从而可以提高工作速率。
显然在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本领域的普通技术人员可以对本发明做出各种改进和变型。因此，本发明意图覆盖所有落入所附权利要求及其等效物的范围之内的改进和变型。

Claims (29)

1、一种光刻装置，包括
加载或者卸载基板的加载/卸载单元；
在基板上涂敷光刻胶的涂敷线；
曝光基板上涂敷的光刻胶的曝光线；
显影曝光的基板的显影线；以及
临时存放涂敷有光刻胶的基板并将该基板加载到曝光线上并且临时存放曝光后的基板并将该基板加载到显影线上的传输线。
2、根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述涂敷线包括：
加载基板的第一机械手；
在通过第一机械手加载的基板上涂敷光刻胶的涂敷装置；
从所述涂敷装置上取出涂敷有光刻胶的基板的第二机械手；
硬化由第二机械手加载的基板上的光刻胶的真空干燥处理装置；
从通过所述真空干燥处理装置硬化的基板上去除溶剂的溶剂去除装置；
降低去除溶剂的基板温度的第一降温装置；以及
从所述第一降温装置上取出具有降低温度的基板并将所述基板加载到传输线上的第三机械手。
3、根据权利要求2所述的光刻装置，其特征在于，所述溶剂去除装置包括：
从所述真空干燥处理装置中取出没有溶剂的基板的第四机械手；
从所述基板上去除溶剂的溶剂去除炉。
4、根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述传输线包括：
传输由涂敷线涂敷的基板的第一传输装置；
将曝光的基板传输到显影线的第二传输装置；
临时存放由所述第一传输装置传输的涂敷基板并且临时存放通过曝光线曝光的基板的堆栈；以及
在第一和第二传输装置以及堆栈之间传送基板的传输单元。
5、根据权利要求4所述的光刻装置，其特征在于，还包括在从所述第二传输装置传输的曝光基板上形成识别码并且将所述具有识别码的基板传输给显影线的打码线。
6、根据权利要求5所述的光刻装置，其特征在于，所述打码线包括：
从所述第二传输装置取出曝光基板的第六机械手；以及
在通过第六机械手加载的基板上形成识别码的打码装置。
7、根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述曝光线包括：
将通过所述传输线传输的基板温度保持为适于曝光工艺的第二温度控制器；
从第二温度控制器中取出基板的第五机械手；以及
曝光通过第五机械手加载的基板的曝光单元。
8、根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，还包括清洗通过加载/卸载单元加载的基板并向所述涂敷线提供清洗基板的清洗线。
9、根据权利要求8所述的光刻装置，其特征在于，所述加载/卸载单元包括：
设置与清洗线连接以向所述清洗线提供基板的加载部件；以及
设置与显影线连接以向外部传输来自所述显影线的基板的卸载部件。
10、一种光刻装置，包括：
多条平行设置的光刻工艺线，各条光刻工艺线包括用于加载或者卸载基板的加载/卸载单元、用于在基板上涂敷光刻胶的涂敷线、用于曝光基板上涂敷的光刻胶的曝光线，和用于显影曝光基板的显影线；以及
根据光刻工艺线的处理状态在各光刻工艺线中将基板传送给所述涂敷线、曝光线和显影线的传输线。
11、根据权利要求10所述的光刻装置，其特征在于，所述传输线临时存放通过各涂敷线涂敷有光刻胶的基板，并对于各需要涂敷基板的光刻工艺线将涂敷有光刻胶的基板加载到曝光线，或者所述传输线临时存放由曝光线曝光的基板，并对于需要曝光基板的各光刻工艺线将曝光后的基板加载到显影线。
12、根据权利要求11所述的光刻装置，其特征在于，所述传输线包括：
传输通过涂敷线涂敷的基板的第一传输装置；
将曝光基板传输给显影线的第二传输装置；
临时存放由所述第一传输装置传输的涂敷基板并且临时存放通过曝光线曝光的基板的堆栈；以及
在第一和第二传输装置以及堆栈之间传送基板的传输单元。
13、根据权利要求12所述的光刻装置，其特征在于，还包括：
在从所述第二传输装置传输的曝光基板上形成识别码并且将所述具有识别码的基板传输给显影线的打码线。
14、根据权利要求13所述的光刻装置，其特征在于，所述各打码线包括：
从所述第二传输装置取出曝光基板的第六机械手；以及
在通过第六机械手加载的基板上形成识别码的打码装置。
15、根据权利要求10所述的光刻装置，其特征在于，所述各涂敷线包括：
加载基板的第一机械手；
在通过第一机械手加载的基板上涂敷光刻胶的涂敷装置；
从所述涂敷装置上取出涂敷后的基板的第二机械手；
硬化由第二机械手加载的基板上的光刻胶的真空干燥处理装置；
从通过所述真空干燥处理装置硬化的基板上去除溶剂的溶剂去除装置；
降低去除溶剂的基板温度的第一降温装置；以及
从所述第一降温装置上取出具有降低温度的基板并将所述基板加载到传输线上的第三机械手。
16、根据权利要15所述的光刻装置，其特征在于，所述各溶剂去除装置包括：
从所述真空干燥处理装置中取出没有溶剂的基板的第四机械手；
从所述基板上去除溶剂的溶剂去除炉。
17、根据权利要求10所述的光刻装置，其特征在于，所示各曝光线包括：
将通过所述传输线传输的基板温度保持为适于曝光工艺的第二温度控制器；
从第二温度控制器中取出基板的第五机械手；以及
曝光通过第五机械手加载的基板的曝光单元。
18、根据权利要求10所述的光刻装置，其特征在于，各光刻工艺线还包括对于各光刻工艺线清洗通过所述加载/卸载单元加载的基板并向所述涂敷线提供清洗基板的清洗线。
19、根据权利要求18所述的光刻装置，其特征在于，所述各加载/卸载单元包括：
设置与清洗线连接以向所述清洗线提供基板的加载部件；以及
设置与显影线连接以向外部传输来自所述显影线的基板的卸载部件。
20、一种光刻方法，包括：
加载基板；
在加载的基板上涂敷光刻胶；
临时存放涂敷有光刻胶的基板；
接收临时存放的基板，并曝光涂敷有光刻胶的基板；
临时存放曝光的基板；
接收临时存放的基板，并显影该曝光的基板；以及
卸载显影的基板。
21、根据权利要求20所述的光刻方法，其特征在于，所述涂敷工艺包括：
在加载的基板上涂敷光刻胶；
硬化涂敷在基板上的光刻胶；
从所述硬化的基板上去除溶剂；以及
降低去除溶剂的基板的温度。
22、根据权利要求20所述的光刻方法，其特征在于，还包括在显影工艺前并且收到临时存放的基板后在曝光的基板上形成识别码。
23、根据权利要求20所述的光刻方法，其特征在于，所述曝光工艺包括：
接收临时存放的基板，并将涂敷基板保持在适于曝光工艺的温度；以及
曝光保持在适于曝光工艺温度的基板。
24、根据权利要求20所述的光刻方法，其特征在于，还包括在基板上涂敷光刻胶以前清洗所加载的基板。
25、一种包括多条平行设置的光刻工艺线的光刻方法，各条光刻工艺线包括用于加载或者卸载基板的加载/卸载单元、用于在基板上涂敷光刻胶的涂敷线、用于曝光基板上涂敷的光刻胶的曝光线，和用于显影曝光基板的显影线，该方法包括：
向各涂敷线加载基板以在各基板上涂敷光刻胶；
通过采用用于将在各涂覆线中涂覆的基板传输给涂敷线、曝光线和显影线的传输线而临时存储所述基板；
对于需要涂敷基板的各光刻工艺线，通过传输线将基板加载到曝光线上而曝光所述基板上涂敷的光刻胶；
通过采用传输线而临时将曝光的基板存放到各曝光线；
对于需要曝光基板的各光刻工艺线，通过传输线将曝光的基板加载到显影线上而显影所述曝光基板；以及
通过所述加载/卸载单元卸载所述基板。
26、根据权利要求25所述的光刻方法，其特征在于，所述涂敷工艺包括：
在加载的基板上涂敷光刻胶；
硬化涂敷在基板上的光刻胶；
从所述硬化的基板上去除溶剂；
降低去除溶剂的基板的温度；以及
将所述降低温度的基板提供给所述传输线。
27、根据权利要求25所述的光刻方法，其特征在于，还包括在通过所述传输线提供的曝光基板上形成识别码并将具有识别码的基板提供给所述显影线。
28、根据权利要求25所述的光刻方法，其特征在于，所述曝光工艺包括：
将通过所述传输线提供的所述涂敷基板保持在适于曝光工艺的温度；以及
曝光保持在适于曝光工艺温度的基板。
29、根据权利要求25所述的光刻方法，其特征在于，还包括清洗通过加载/卸载单元加载的基板，并将所述清洗的基板提供给涂敷线。
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