CN109388028A - 一种离线光刻方法及其系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种离线光刻方法,包括:利用多个涂胶机分别对晶圆进行涂胶及涂胶后固化;控制装置实时检测多个光刻机是否被占用,并通过第一传送装置将涂胶后固化后的晶圆优先传送至未被占用的任一光刻机;控制装置实时检测多个显影机是否被占用,并通过第二传送装置将曝光后的晶圆优先传送至未被占用的任一显影机。本发明同时还提供一种离线光刻系统,包括:多个涂胶机、多个光刻机、多个显影机、第一传送装置、第二传送装置以及控制装置,其中,控制装置沟通连接至多个涂胶机、多个光刻机和多个显影机。本发明所提供的离线光刻方法,可使光刻设备持续不断地进行工艺流程,缩短了造价高昂的光刻设备的闲置时间,有效提高光刻生产效率和产能。

Description

一种离线光刻方法及其系统
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种离线光刻方法及其系统。
背景技术
目前,晶圆厂的光刻工艺及其生产通常是通过在线方式(in-line)实现的,即光刻设备(通常包括一台光刻胶涂布及显影的复合机track tool及一台光刻机)之间通过管线及传送装置彼此连接在一起。晶圆在光刻生产线上自动进行涂胶、曝光及显影等连续作业,设备间的制品传送也是自动完成的。这种在线方式的优势在于全自动化生产,减少了中间人工搬运,降低了搬运过程中可能出现的风险,同时更重要的是缩短了生产工期。但这种方式对设备硬件功能要求较高,设备间需要连接复杂的管线。并且,当线上的某一设备出现故障或设备定期维护(PM,Periodical Maintenance)致使线上的某一生产环节停止时,往往会造成整个生产线的停止运行。其结果就是可正常运行的其他设备也不得不停下来等待对象设备的恢复,从而造成其他设备在一定时间内的闲置,降低了设备的利用率,影响整体的产能和运行成本,尤其是对于一些造价昂贵的设备,如光刻机,即使短时间的设备闲置,也会造成整个生产成本的增加。此外,现有在线模式下,晶圆涂胶和显影作业集成在一台设备上,常常会出现其一部分机能,如涂胶机能,因为良率低下或硬件故障使得该设备停机检修,该设备的其他机能如显影,也因此停止作业,造成极大的浪费。
由此,现有在线技术的缺陷使光刻设备不能持续不断地进行生产流动,从而影响到晶圆光刻工艺的效率及整体的产能。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例希望提供一种离线光刻方法及其系统,以至少解决现有技术中存在的问题。本发明将现有技术中复合在一台设备中的光刻胶涂布及显影功能,分别由独立的涂胶机和显影机分别完成,同时将系统的设置由在线方式更改为离线方式(off-line)。其中,拆分后的所述涂胶机具有涂胶及涂胶后固化功能,所述显影机具有曝光后固化及显影功能。
本申请实施例的技术方案是这样实现的,根据本申请的一个实施例,提供一种离线光刻方法,包括:利用多个涂胶机分别对晶圆进行涂胶及涂胶后固化;检测多个光刻机是否被占用,检测多个光刻机是否被占用,并将涂胶后固化后的所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述光刻机进行曝光;检测多个显影机是否被占用,并将曝光后的所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述显影机进行曝光后固化及显影。
在一些实施例中,当所述晶圆具有相同光刻图形时,利用控制装置实时检测多个所述光刻机是否被占用,并控制第一传送装置将所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述光刻机,并利用所述控制装置实时检测多个所述显影机是否被占用,并控制第二传送装置将所述晶圆传送至未被占用的任一所述显影机。
在一些实施例中,当所述晶圆具有不同的光刻图形时,利用控制装置实时检测与所述晶圆的所述光刻图形相对应的所述光刻机是否被占用,并控制第一传送装置将所述晶圆优先传送至与所述晶圆的所述光刻图形相对应的且未被占用的任一所述光刻机,并利用所述控制装置实时检测与所述晶圆的所述光刻图形相对应的所述显影机是否被占用,并控制第二传送装置将所述晶圆优先传送至与所述晶圆的所述光刻图形相对应的且未被占用的任一所述显影机。
在一些实施例中,所述涂胶机对涂胶后固化后的所述晶圆进行检测,并将检测结果传送给所述控制装置;所述控制装置判断所述检测结果是否超出第一基准值,如果所述检测结果超出所述第一基准值,所述控制装置根据所述检测结果设定光刻参数补偿,并将补偿的所述光刻参数发送至所述光刻机。
在一些实施例中,所述光刻机对曝光后的所述晶圆进行检测,并将检测结果传送给所述控制装置;所述控制装置判断所述检测结果是否超出第二基准值,如果所述检测结果超出所述第二基准值,所述控制装置根据所述检测结果设定显影参数补偿,并将补偿的所述显影参数发送至所述显影机。
在一些实施例中,所述控制装置控制抓取手臂将所述晶圆从所述涂胶机抓取到所述第一传送装置,和/或所述控制装置控制抓取手臂将所述晶圆从所述第一传送装置抓取到所述光刻机;所述控制装置控制抓取手臂将所述晶圆从所述光刻机抓取到所述第二传送装置,和/或所述控制装置控制抓取手臂将所述晶圆从所述第二传送装置抓取到所述显影机。
一种离线光刻系统,包括:多个涂胶机、多个光刻机、多个显影机、第一传送装置、第二传送装置以及控制装置;其中,所述涂胶机包括涂胶部及涂胶后固化部,所述显影机包括曝光后固化部及显影部;所述第一传送装置将经所述涂胶机处理后的晶圆传送至所述光刻机;所述第二传送装置将经所述光刻机处理后的所述晶圆传送至所述显影机;以及所述控制装置沟通连接至所述涂胶机、所述光刻机和所述显影机;所述控制装置控制所述第一传送装置将所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述光刻机;所述控制装置控制所述第二传送装置将所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述显影机。
在一些实施例中,所述第一传送装置包括第一回转轨道、多个第一单向轨道以及多个第二单向轨道,各所述第一单向轨道的一端与一所述涂胶机相配合,另一端与所述第一回转轨道相连接,各所述第二单向轨道的一端与所述第一回转轨道相连接,另一端与一所述光刻机相配合。
在一些实施例中,所述第一回转轨道包括多个分回转轨道,用于将所述晶圆传送至与多个所述分回转轨道相对应的所述光刻机中的任意一个。
在一些实施例中,所述第二传送装置包括第二回转轨道、多个第三单向轨道以及多个第四单向轨道,各所述第三单向轨道的一端与一所述光刻机相配合,另一端与所述第二回转轨道相连接,各所述第四单向轨道的一端与所述第二回转轨道相连接,另一端与一所述显影机相配合。
在一些实施例中,所述第二回转轨道包括多个分回转轨道,用于将所述晶圆传送至与多个所述分回转轨道相对应的所述显影机中的任意一个。在一些实施例中,在所述第一传送装置和/或所述第二传送装置处设置有抓取手臂,所述控制装置沟通连接至所述抓取手臂。
本发明由于采用以上技术方案,其具有以下优点:使光刻设备持续不断地进行工艺流程,缩短设备的闲置时间,可有效地提高光刻生产效率和产能。
上述概述仅仅是为了说明书的目的,并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外,通过参考附图和以下的详细描述,本发明进一步的方面、实施方式和特征将会容易明白。
附图说明
在附图中,除非另外规定,否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解,这些附图仅描绘了根据本发明公开的一些实施方式,而不应将其视为是对本发明范围的限制。
图1为现有技术的在线光刻系统的构成示意图;
图2为现有技术的在线光刻方法的流程示意图;
图3为本发明一个优选实施例的离线光刻方法的流程示意图;
图4为本发明另一个优选实施例的离线光刻方法的流程示意图;
图5为本发明另一个优选实施例的离线光刻方法的流程示意图;
图6为本发明另一个优选实施例的离线光刻方法的流程示意图;
图7为本发明又另一个优选实施例的离线光刻方法的流程示意图;
图8为本发明一个优选实施例的离线光刻系统的构成示意图;
图9为本发明另一个优选实施例的离线光刻系统的构成示意图;
图10为本发明另一个优选实施例的离线光刻系统的构成示意图;
图11为本发明另一个优选实施例的离线光刻系统的构成示意图;
图12为本发明另一个优选实施例的离线光刻系统的构成示意图;
图13为本发明又另一个优选实施例的离线光刻系统的构成示意图。
附图标记
100:现有技术的光刻系统 101:涂胶显影一体机 102:光刻机 103传送装置1011:涂胶部 1012:涂胶后固化部 1013:曝光后固化部 1014:显影部 1021:曝光部
200:本发明的光刻系统 201:涂胶机 202:光刻机 203:显影机 204:第一传送装置 205:第二传送装置 206:控制装置 2011:涂胶部 2012:涂胶后固化部 2021:曝光部2031:曝光后固化部 2032:显影部
300:本发明的光刻系统 301:涂胶机 302:光刻机 303:显影机 304:第一传送装置 305:第二传送装置 306:控制装置 3011:涂胶部 3012:涂胶后固化部 3021:曝光部3031:曝光后固化部 3032:显影部 3041:第一回转轨道 3042:第一单向轨道 3043:第二单向轨道 3051:第二回转轨道 3052:第三单向轨道 3053:第四单向轨道
400:本发明的光刻系统 401:涂胶机 402:光刻机 403:显影机 404:第一传送装置 405:第二传送装置 406:控制装置 4011:涂胶部 4012:涂胶后固化部 4021:曝光部4031:曝光后固化部 4032:显影部 4041:第一回转轨道 4042:第一单向轨道 4043:第二单向轨道 4051:第二回转轨道 4052:第三单向轨道 4053:第四单向轨道 40411、40412、40413:第一回转轨道的分回转轨道 40511、40512、40513:第二回转轨道的分回转轨道
500:本发明的光刻系统 501:涂胶机 502:光刻机 503:显影机 504:第一传送装置 505:第二传送装置 506:控制装置 507:抓取手臂 5011:涂胶部 5012:涂胶后固化部5021:曝光部 5031:曝光后固化部 5032:显影部
600:本发明的光刻系统 601:涂胶机 602:光刻机 603:显影机 604:第一传送装置 605:第二传送装置 606:控制装置 607:抓取手臂 6011:涂胶部 6012:涂胶后固化部6021:曝光部 6031:曝光后固化部 6032:显影部 6041:第一回转轨道 6042:第一单向轨道6043:第二单向轨道 6051:第二回转轨道 6052:第三单向轨道 6053:第四单向轨道
700:本发明的光刻系统 701:涂胶机 702:光刻机 703:显影机 704:第一传送装置 705:第二传送装置 706:控制装置 707:抓取手臂 7011:涂胶部 7012:涂胶后固化部7021:曝光部 7031:曝光后固化部 7032:显影部 7041:第一回转轨道 7042:第一单向轨道7043:第二单向轨道 7051:第二回转轨道 7052:第三单向轨道 7053:第四单向轨道70411、70412、70413:第一回转轨道的分回转轨道 70511、70512、70513:第二回转轨道的分回转轨道
具体实施方式
在下文中,仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样,在不脱离本发明的精神或范围的情况下,可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此,附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语"中心"、"纵向"、"横向"、"长度"、"宽度"、"厚度"、"上"、"下"、"前"、"后"、"左"、"右"、"竖直"、"水平"、"顶"、"底"、"内"、"外"、"顺时针"、"逆时针"等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语"第一"、"第二"仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有"第一"、"第二"的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,"多个"的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语"安装"、"相连"、"连接"应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接:可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之"上"或之"下"可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征"之上"、"上方"和"上面"包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征"之下"、"下方"和"下面"包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体地,图1、图2分别是现有技术的在线光刻系统的构成及流程示意图。如图1所示,光刻系统100包括一台涂胶显影一体机101、一台光刻机102及传送装置103;其中,涂胶显影一体机101同时集成了涂胶、涂胶后固化、曝光后固化以及显影功能,相应地设备内部设置有涂胶部1011、涂胶后固化部1012、曝光后固化部1013及显影部1014;光刻机102内部设置有曝光部1021;传送装置103用于将涂胶及固化后的晶圆传送至光刻机102,并将曝光后的晶圆从光刻机102传送回涂胶显影一体机101进行后续的曝光后固化及显影作业,显影后的晶圆从涂胶显影一体机101卸下,完成整个光刻工艺过程。在现有在线模式下,上述涂胶显影一体机101经常会因为良率低下、硬件故障或设备PM而导致设备停机,从而致使整个生产线停产,不仅涂胶和显影同时停止作业,还会致使价格昂贵的光刻机处于闲置状态,造成资源浪费和生产成本的增加。
图3是本发明一个优选实施例提供的离线光刻方法的流程示意图。如图所示,本实施的光刻方法S200中,在步骤S201,利用多个涂胶机分别对晶圆进行涂胶及涂胶后固化处理。在步骤S202,对多个光刻机的运行状态进行实时检测,如果多个光刻机都处于被占用状态(即作业中),则晶圆等待光刻机处理完毕,同时,继续对多个光刻机的运行状态实施实时检测,直至光刻机处于未被占用状态(即闲时或待料)。在步骤S203,将涂胶后固化后的晶圆优先传送至未被占用的任一光刻机进行曝光。类似地,在步骤S204,对多个显影机的运行状态进行实时检测,如果多个显影机都处于被占用状态(即作业中),则晶圆等待显影机处理完毕,同时,继续对多个显影机的运行状态实施实时检测,直至显影机处于未被占用状态(即闲时或待料)。在步骤S205,将曝光后的晶圆优先传送至未被占用的任一显影机进行曝光后固化及显影作业。
图4是本发明另一个优选实施例提供的离线光刻方法的流程示意图。如图所示,本实施的光刻方法S300中,在步骤S301,当系统中待处理的晶圆全部具有相同的光刻图形时,利用多个涂胶机分别对晶圆进行涂胶及涂胶后固化。在步骤S302,控制装置对多个光刻机的运行状态进行实时检测,如果多个光刻机都处于被占用状态(即作业中),则晶圆等待光刻机处理完毕,同时,控制装置继续对多个光刻机的运行状态实施实时检测,直至光刻机处于未被占用状态(即闲时或待料)。在步骤S303,控制装置控制第一传送装置将晶圆优先传送至未被占用的任一光刻机进行曝光。类似地,在步骤S304,控制装置对多个显影机的运行状态进行实时检测,如果多个显影机都处于被占用状态(即作业中),则晶圆等待显影机处理完毕,同时,控制装置继续对多个显影机的运行状态实施实时检测,直至显影机处于未被占用状态(即闲时或待料)。在步骤S305,控制装置控制第二传送装置将曝光后的晶圆优先传送至未被占用的任一显影机进行曝光后固化及显影。
图5是本发明另一个优选实施例提供的离线光刻方法的流程示意图。如图所示,本实施的光刻方法S400中,在步骤S401,当系统中待处理的晶圆具有不同的光刻图形时,利用与晶圆的光刻图形相对应的涂胶机分别对晶圆进行涂胶及涂胶后固化处理。在步骤S402,控制装置对与晶圆的光刻图形相对应的光刻机的运行状态进行实时检测,如果与同一光刻图形相对应的光刻机都处于被占用状态(即作业中),则具有同一光刻图形的晶圆等待相应的光刻机处理完毕,同时,控制装置继续对上述与同一光刻图形相对应的光刻机的运行状态实施实时检测,直至光刻机处于未被占用状态(即闲时或待料)。在步骤S403,控制装置控制第一传送装置将晶圆优先传送至与晶圆的光刻图形相对应的且未被占用的任一光刻机进行曝光。类似地,在步骤S404,控制装置对与晶圆的光刻图形相对应的显影机的运行状态进行实时检测,如果与同一光刻图形相对应的显影机都处于被占用状态(即作业中),则晶圆等待相应的显影机处理完毕,同时,控制装置继续对上述与同一光刻图形相对应的显影机的运行状态实施实时检测,直至显影机处于未被占用状态(即闲时或待料)。在步骤S405,控制装置控制第二传送装置将晶圆优先传送至与晶圆的光刻图形相对应的且未被占用的任一显影机进行曝光后固化及显影作业。这里需要说明的是,多个光刻机中处理具有同一种光刻图形的晶圆的光刻机(即与同一种光刻图形相对应的光刻机)至少为一个,多个显影机中处理具有同一种光刻图形晶圆的显影机(即与同一种光刻图形相对应的显影机)至少为一个。例如,系统中待处理的晶圆分别具有光刻图形P、Q、Z,与光刻图形P、Q、Z相对应的光刻机(分别设置有与光刻图性P、Q、Z相对应的光刻掩膜)可以分别具有一个或多个,与光刻图形P、Q、Z相对应的显影机(分别设置有与光刻图形P、Q、Z相对应的工艺参数X、Y、Z)可以分别具有一个或多个。优选地,处理具有同一种光刻图形的晶圆的光刻机或显影机的数量大于一个,以防止在工作中处理具有该种光刻图形的晶圆的光刻机发生故障或PM时,没有可随时替换设备,而影响生产效率。其中,处理具有同一种光刻图形的晶圆的光刻机或显影机的数量可根据工作需要进行适应性调整,并不限于上述示例中所限定的数量。
图6是本发明另一个优选实施例提供的离线光刻方法的流程示意图。如图所示,本实施的光刻方法S500中,在步骤S501,利用多个涂胶机分别对晶圆进行涂胶及涂胶后固化处理。在步骤S502,涂胶机对涂胶后固化后的晶圆进行检测,并将检测结果传送给控制装置。在步骤S503,控制装置对多个光刻机的运行状态进行实时检测,如果多个光刻机都处于被占用状态(即作业中),则晶圆等待光刻机处理完毕,同时,控制装置继续对多个光刻机的运行状态实施实时检测,直至光刻机处于未被占用状态(即闲时或待料)。在步骤S504,控制装置对涂胶机发送的检测结果进行判断,如果检测结果未超出系统设定的第一基准值,则在步骤S506,控制装置控制第一传送装置直接将涂胶固化后的晶圆优先传送至未被占用的任一光刻机进行曝光;如果检测结果超出系统设定的第一基准值,则在步骤S505,控制装置根据检测结果设定光刻参数补偿,并将补偿的光刻参数发送至未被占用的任一光刻机,在步骤S506’,控制装置控制第一传送装置将涂胶固化后的晶圆传送至未被占用且具有补偿的光刻参数的光刻机进行曝光。在步骤S507,光刻机对曝光后的晶圆进行检测,并将检测结果传送给控制装置。在步骤S508,控制装置对多个显影机的运行状态进行实时检测,如果多个显影机都处于被占用状态(即作业中),则晶圆等待显影机处理完毕,同时,控制装置继续对多个显影机的运行状态实施实时检测,直至显影机处于未被占用状态(即闲时或待料)。在步骤S509,控制装置对光刻机发送的检测结果进行判断,如果检测结果未超出系统设定的第二基准值,则在步骤S511,控制装置控制第二传送装置直接将曝光后的晶圆优先传送至未被占用的任一显影机进行曝光后固化及显影;如果检测结果超出系统设定的第二基准值,则在步骤S510,控制装置根据检测结果设定显影参数补偿,并将补偿的显影参数发送至未被占用的任一显影机,在步骤S511’,控制装置控制第二传送装置将曝光后的晶圆传送至未被占用且具有补偿的显影参数的显影机进行曝光后固化及显影。在步骤S512,显影机对显影后的晶圆进行检测。
图7是本发明又另一个优选实施例提供的离线光刻方法的流程示意图。如图所示,本实施的光刻方法S600中,在步骤S601,利用多个涂胶机分别对晶圆进行涂胶及涂胶后固化。在步骤S602,控制装置对多个光刻机的运行状态进行实时检测,如果多个光刻机都处于被占用状态(即作业中),则晶圆等待光刻机处理完毕,同时,控制装置继续对多个光刻机的运行状态实施实时检测,直至光刻机处于未被占用状态(即闲时或待料)。在步骤S603,控制装置控制抓取手臂将晶圆从涂胶机抓取到第一传送装置,并控制抓取手臂将晶圆从第一传送装置优先抓取到未被占用的任一光刻机进行曝光。在步骤S604,控制装置对多个显影机的运行状态进行实时检测,如果多个显影机都处于被占用状态(即作业中),则晶圆等待显影机处理完毕,同时,控制装置继续对多个显影机的运行状态实施实时检测,直至显影机处于未被占用状态(即闲时或待料)。在步骤S605,控制装置控制抓取手臂将晶圆从光刻机抓取到第二传送装置,并控制抓取手臂将晶圆从第二传送装置优先抓取到未被占用的任一显影机进行曝光后固化及显影。
图8是本发明一个优选实施例提供的离线光刻系统的构成示意图。如图所示,本实施例的光刻系统200,包括:多个涂胶机201、多个光刻机202、多个显影机203、第一传送装置204和第二传送装置205、以及控制装置206。其中,涂胶机201至少包括涂胶部2011及涂胶后固化部2012,光刻机202至少包括曝光部2021,显影机203至少包括曝光后固化部2031及显影部2032;第一传送装置204将经涂胶机201处理后的晶圆传送至光刻机202;第二传送装置205将经光刻机202处理后的晶圆传送至显影机203;控制装置206沟通连接至涂胶机201、光刻机202、显影机203、第一传送装置204及第二传送装置205;控制装置206控制第一传送装置204将晶圆优先传送至未被占用的任一光刻机202;控制装置206控制第二传送装置205将晶圆优先传送至未被占用的任一显影机203。
图9是本发明的另一个优选实施例提供的离线光刻系统的构成示意图。如图所示的本实施例的光刻系统300,其中,第一传送装置304包括第一回转轨道3041、多个第一单向轨道3042以及多个第二单向轨道3043,各第一单向轨道3042的一端与一涂胶机301相配合(未连接),另一端与第一回转轨道3041相连接,各第二单向轨道3043的一端与第一回转轨道3041相连接,另一端与一光刻机302相配合(未连接)。第二传送装置305包括第二回转轨道3051、多个第三单向轨道3052以及多个第四单向轨道3053,各第三单向轨道3052的一端与一光刻机302相配合(未连接),另一端与第二回转轨道3051相连接,各第四单向轨道3053的一端与第二回转轨道3051相连接,另一端与一显影机303相配合(未连接)。
图10是本发明的另一个优选实施例提供的离线光刻系统的构成示意图。如图所示的本实施例的光刻系统400,其中,第一回转轨道4041包括多个分回转轨道4041x(x=1…n),用于将晶圆传送至与多个分回转轨道4041x相对应的光刻机402中的任意一个。优选地,优先选择分回转轨道内的传送,即分回转轨道4041x优先将晶圆传送给与该分回转轨道相对应的光刻机402,当其相对应的光刻机402发生故障或处于被占用状态时,可以启动分回转轨道间的传送,即可以将晶圆传送给与任一分回转轨道4041x相对应的光刻机402。第二回转轨道4051包括多个分回转轨道4051x(x=1…n),用于将晶圆传送至与多个分回转轨道4051x相对应的显影机403中的任意一个。优选地,优先选择分回转轨道内的传送,即分回转轨道4051x优先将晶圆传送给与该分回转轨道相对应的显影机403,当其相对应的显影机403发生故障或处于被占用状态时,可以启动分回转轨道间的传送,即可以将晶圆传送给与任一分回转轨道4051x相对应的显影机403。
图11是本发明的另一个优选实施例提供的离线光刻系统的构成示意图。如图所示的本实施例的光刻系统500,其中,在第一传送装置504以及第二传送装置505处设置有抓取手臂507,控制装置506沟通连接至抓取手臂507(未示出)。控制装置506控制抓取手臂507将晶圆从涂胶机501抓取到第一传送装置504,以及控制抓取手臂507将晶圆从第一传送装置504抓取到光刻机502。控制装置506控制抓取手臂507将晶圆从光刻机502抓取到第二传送装置505,以及控制抓取手臂507将晶圆从第二传送装置505抓取到显影机503。
图12是本发明的另一个优选实施例提供的离线光刻系统的构成示意图。如图所示的本实施例的光刻系统600,其中,在第一传送装置604的第一单向轨道6042和第二单向轨道6043、以及第二传送装置605的第三单向轨道6052和第四单向轨道6053处设置有抓取手臂607,控制装置606沟通连接至抓取手臂607(未示出)。控制装置606控制抓取手臂607将晶圆从涂胶机601抓取到第一传送装置604的第一单向轨道6042,以及控制抓取手臂607将晶圆从第一传送装置604的第二单向轨道6043抓取到光刻机602。控制装置606控制抓取手臂607将晶圆从光刻机602抓取到第二传送装置605的第三单向轨道6052,以及控制抓取手臂607将晶圆从第二传送装置605的第四单向轨道6053抓取到显影机603。
图13是本发明的又另一个优选实施例提供的离线光刻系统的构成示意图。如图所示的本实施例的光刻系统700,其中,在第一传送装置704的第一单向轨道7042和第二单向轨道7043、以及第二传送装置705的第三单向轨道7052和第四单向轨道7053处设置有抓取手臂707,控制装置706沟通连接至抓取手臂707(未示出)。控制装置706控制抓取手臂707将晶圆从涂胶机701抓取到第一传送装置704的第一单向轨道7042,以及控制抓取手臂707将晶圆从第一传送装置704的第二单向轨道7043抓取到光刻机702。控制装置706控制抓取手臂707将晶圆从光刻机702抓取到第二传送装置705的第三单向轨道7052,以及控制抓取手臂707将晶圆从第二传送装置705的第四单向轨道7053抓取到显影机703。
这里需要指出的是,以上只是本发明的优选实施例,并非本发明的全部示例。尤其是,其中的抓取手臂的配置可以根据实际操作环境进行选择。例如,可以设置成多个涂胶机共用一个抓取手臂等。
以上,参考具体实施例对本发明的实施方式进行了说明。然而,本发明并不限于这些具体实施例。即,本领域技术人员可以对这些具体实施例进行适当设计变更,只要具备本发明的特征都应该包含于本发明的范围内。例如,上述各具体实施例具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限于例示的内容,还可以进行适当变更。而且,前述的各实施方式具备的各要素、只要技术上允许,均可以组合,这些组合后的方式只要包含本发明的特征,也应该包含于本发明的范围内。

Claims (12)

1.一种离线光刻方法,其特征在于,包括:
利用多个涂胶机分别对晶圆进行涂胶及涂胶后固化;
检测多个光刻机是否被占用,并将涂胶后固化后的所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述光刻机进行曝光;以及
检测多个显影机是否被占用,并将曝光后的所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述显影机进行曝光后固化及显影。
2.如权利要求1所述的离线光刻方法,其特征在于,当所述晶圆具有相同光刻图形时,利用控制装置实时检测多个所述光刻机是否被占用,并控制第一传送装置将所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述光刻机,并利用所述控制装置实时检测多个所述显影机是否被占用,并控制第二传送装置将所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述显影机。
3.如权利要求1所述的离线光刻方法,其特征在于,当所述晶圆具有不同的光刻图形时,利用控制装置实时检测与所述晶圆的所述光刻图形相对应的所述光刻机是否被占用,并控制第一传送装置将所述晶圆优先传送至与所述晶圆的所述光刻图形相对应的且未被占用的任一所述光刻机,并利用所述控制装置实时检测与所述晶圆的所述光刻图形相对应的所述显影机是否被占用,并控制第二传送装置将所述晶圆优先传送至与所述晶圆的所述光刻图形相对应的且未被占用的任一所述显影机。
4.如权利要求2或3所述的离线光刻方法,其特征在于,所述涂胶机对涂胶后固化后的所述晶圆进行检测,并将检测结果传送给所述控制装置;所述控制装置判断所述检测结果是否超出第一基准值,如果所述检测结果超出所述第一基准值,所述控制装置根据所述检测结果设定光刻参数补偿,并将补偿的所述光刻参数发送至所述光刻机。
5.如权利要求4所述的离线光刻方法,其特征在于,所述光刻机对曝光后的所述晶圆进行检测,并将检测结果传送给所述控制装置;所述控制装置判断所述检测结果是否超出第二基准值,如果所述检测结果超出所述第二基准值,所述控制装置根据所述检测结果设定显影参数补偿,并将补偿的所述显影参数发送至所述显影机。
6.如权利要求2或3所述的离线光刻方法,其特征在于,所述控制装置控制抓取手臂将所述晶圆从所述涂胶机抓取到所述第一传送装置,和/或所述控制装置控制抓取手臂将所述晶圆从所述第一传送装置优先抓取到所述光刻机;所述控制装置控制抓取手臂将所述晶圆从所述光刻机抓取到所述第二传送装置,和/或所述控制装置控制抓取手臂将所述晶圆从所述第二传送装置优先抓取到所述显影机。
7.一种离线光刻系统,其特征在于,包括:多个涂胶机、多个光刻机、多个显影机、第一传送装置、第二传送装置以及控制装置;其中,
所述第一传送装置将经所述涂胶机处理后的晶圆传送至所述光刻机;
所述第二传送装置将经所述光刻机处理后的所述晶圆传送至所述显影机;以及
所述控制装置沟通连接至所述涂胶机、所述光刻机和所述显影机;所述控制装置控制所述第一传送装置将所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述光刻机;所述控制装置控制所述第二传送装置将所述晶圆优先传送至未被占用的任一所述显影机。
8.如权利要求7所述的离线光刻系统,其特征在于,所述第一传送装置包括第一回转轨道、多个第一单向轨道以及多个第二单向轨道,各所述第一单向轨道的一端与一所述涂胶机相配合,另一端与所述第一回转轨道相连接,各所述第二单向轨道的一端与所述第一回转轨道相连接,另一端与一所述光刻机相配合。
9.如权利要求8所述的离线光刻系统,其特征在于,所述第一回转轨道包括多个分回转轨道,用于将所述晶圆传送至与多个所述分回转轨道相对应的所述光刻机中的任意一个。
10.如权利要求7所述的离线光刻系统,其特征在于,所述第二传送装置包括第二回转轨道、多个第三单向轨道以及多个第四单向轨道,各所述第三单向轨道的一端与一所述光刻机相配合,另一端与所述第二回转轨道相连接,各所述第四单向轨道的一端与所述第二回转轨道相连接,另一端与一所述显影机相配合。
11.如权利要求10所述的离线光刻系统,其特征在于,所述第二回转轨道包括多个分回转轨道,用于将所述晶圆传送至与多个所述分回转轨道相对应的所述显影机中的任意一个。
12.如权利要求7至11任一项所述的离线光刻系统,其特征在于,在所述第一传送装置和/或所述第二传送装置处设置有抓取手臂,所述控制装置沟通连接至所述抓取手臂。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110908248A (zh) * 2019-11-14 2020-03-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光罩更换方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101086625A (zh) * 2006-06-05 2007-12-12 Lg.菲利浦Lcd株式会社 光刻装置及其方法
CN101458462A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 上海华虹Nec电子有限公司 降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法
CN102231050A (zh) * 2011-08-01 2011-11-02 上海先进半导体制造股份有限公司 提高光刻机工艺效率的方法
CN103199031A (zh) * 2012-01-04 2013-07-10 沈阳芯源微电子设备有限公司 全自动胶膜涂覆、显影装置
CN103365100A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻工艺分配系统及分配方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101086625A (zh) * 2006-06-05 2007-12-12 Lg.菲利浦Lcd株式会社 光刻装置及其方法
CN101458462A (zh) * 2007-12-13 2009-06-17 上海华虹Nec电子有限公司 降低半导体制造中光刻胶显影缺陷的光刻显影方法
CN102231050A (zh) * 2011-08-01 2011-11-02 上海先进半导体制造股份有限公司 提高光刻机工艺效率的方法
CN103199031A (zh) * 2012-01-04 2013-07-10 沈阳芯源微电子设备有限公司 全自动胶膜涂覆、显影装置
CN103365100A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻工艺分配系统及分配方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110908248A (zh) * 2019-11-14 2020-03-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 光罩更换方法

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