KR20200081256A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20200081256A
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히로노부 가지와라
미츠히로 사카이
슌이치 야히로
šœ이치 야히로
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 하는 기술을 제공한다.
[해결수단] 실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 전처리 라인과 도포 라인과 현상 처리 라인과 제1 반송부와 제2 반송부와 제3 반송부를 포함한다. 전처리 라인은 기판에 전처리를 행한다. 도포 라인은, 전처리 라인에 대하여 병렬로 배치되며, 전처리가 이루어진 기판에 처리액을 도포한다. 현상 처리 라인은, 전처리 라인의 상측 또는 하측에 배치되며, 처리액이 도포된 기판에 현상 처리를 행한다. 제1 반송부는, 전처리 라인과 도포 라인 사이에 마련되며, 전처리 라인으로부터 도포 라인에 기판을 반송한다. 제2 반송부는, 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 외부 장치를 통해 현상 처리 라인에 기판을 반송한다. 제3 반송부는, 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 현상 처리 라인으로부터 기판을 반송한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 제1 반송 라인을 따라 기판을 반송하면서 포토레지스트막을 기판에 형성하고, 기판이 노광된 후에 제2 반송 라인을 따라 기판을 반송하면서 현상 처리를 기판에 행하는 것이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허공개 2007-158253호 공보
본 개시는 기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 하는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 기판 처리 장치는, 전처리 라인과 도포 라인과 현상 처리 라인과 제1 반송부와 제2 반송부와 제3 반송부를 포함한다. 전처리 라인은 기판에 전처리를 행한다. 도포 라인은, 전처리 라인에 대하여 병렬로 배치되며, 전처리가 이루어진 기판에 처리액을 도포한다. 현상 처리 라인은, 전처리 라인의 상측 또는 하측에 배치되며, 처리액이 도포된 기판에 현상 처리를 행한다. 제1 반송부는, 전처리 라인과 도포 라인 사이에 마련되며, 전처리 라인으로부터 도포 라인에 기판을 반송한다. 제2 반송부는, 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 외부 장치를 통해 현상 처리 라인에 기판을 반송한다. 제3 반송부는, 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 현상 처리 라인으로부터 기판을 반송한다.
본 개시에 의하면, 기판 처리 장치의 전체 길이를 짧게 할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 일부의 개략 구성을 도시하는 좌측방도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 기판 처리를 도시하는 흐름도이다.
도 4a는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 1)이다.
도 4b는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 2)이다.
도 4c는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 3)이다.
도 4d는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 4)이다.
도 4e는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 5)이다.
도 4f는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 6)이다.
도 4g는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 7)이다.
도 4h는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 8)이다.
도 4i는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 9)이다.
도 4j는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 10)이다.
도 5는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도이다.
도 6a는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 1)이다.
도 6b는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 2)이다.
도 6c는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 3)이다.
도 6d는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 4)이다.
도 6e는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 5)이다.
도 6f는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 기판의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 6)이다.
도 7은 변형예에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 제1 열처리 유닛을 X축 정방향에서 본 개략 구성을 도시하는 블록도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 개시되는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법이 한정되는 것은 아니다.
이하 참조하는 각 도면에서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위해서, 상호 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 하는 직교 좌표계를 도시한다. X축 방향 및 Y축 방향은 수평 방향이다.
또한 여기서는, X축 정방향을 전방으로 하고, X축 부방향을 후방으로 하는 전후 방향을 규정하고, Y축 부방향을 좌측으로 하고, Y축 정방향을 우측으로 하는 좌우 방향을 규정한다. 또한, Z축 정방향을 상측으로 하고, Z축 부방향을 하측으로 하는 상하 방향을 규정한다.
(제1 실시형태)
<전체 구성>
제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 관해서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 도시하는 평면도이다. 도 2는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 일부의 개략 구성을 도시하는 좌측방도이다.
기판 처리 장치(1)는, 카세트 스테이션(2)과, 제1 처리 라인(3)(전처리 라인의 일례)과, 제2 처리 라인(4)(도포 라인의 일례)과, 제3 처리 라인(5)(현상 처리 라인의 일례)를 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조 유닛(DP)(배치부, 감압 건조부의 일례)(6)과, 제1 열처리 유닛(7)(배치부, 열처리부의 일례)과, 제2 열처리 유닛(8)을 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제2 반송부(9B)를 포함하는 인터페이스 스테이션(9)과 제1 반송부(10)와 제3 반송부(11)와 제어 장치(12)를 포함한다.
카세트 스테이션(2)에는, 복수의 유리 기판(S)(이하, 「기판(S)」이라고 부른다)을 수용하는 카세트(C)가 배치된다. 카세트 스테이션(2)은, 복수의 카세트(C)를 배치할 수 있는 배치대(13)와, 카세트(C)와 제1 처리 라인(3) 사이 및 후술하는 검사 유닛(IP)(65)과 카세트(C) 사이에서 기판(S)의 반송을 행하는 반송 장치(14)를 포함한다. 여기서, 기판(S)은 직사각형이다. 또한, 카세트 스테이션(2)은 외부 장치로서 설치되더라도 좋다. 즉, 기판 처리 장치(1)는 카세트 스테이션(2)을 포함하지 않는 구성이라도 좋다.
반송 장치(14)는 반송 아암(14a)을 포함한다. 반송 아암(14a)은 수평 방향(전후 방향 및 좌우 방향) 및 연직 방향으로의 이동이 가능하다. 또한, 반송 장치(14)는 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제1 처리 라인(3)은 제2 처리 라인(4)에 반송되는 기판(S)에 전처리를 행한다. 구체적으로는 제1 처리 라인(3)에는, 엑시머 UV 조사 유닛(e-UV)(20)과 스크럽 세정 유닛(SCR)(21)과 프리히트 유닛(PH)(22)과 어드히젼 유닛(AD)(23)과 제1 냉각 유닛(COL)(24)이 포함된다.
제1 처리 라인(3)에서는, 유닛(20∼24)은 카세트 스테이션(2)으로부터 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)로 향하는 방향으로 나란하게 배치된다. 구체적으로는 유닛(20∼24)은, 엑시머 UV 조사 유닛(20), 스크럽 세정 유닛(21), 프리히트 유닛(22), 어드히젼 유닛(23) 및 제1 냉각 유닛(24)의 순으로 X축 정방향을 따라 배치된다. 제1 처리 라인(3)은 제3 처리 라인(5)의 상측에 배치된다. 또한, 제1 처리 라인(3)은 제3 처리 라인(5)의 하측에 배치되어도 좋다.
엑시머 UV 조사 유닛(20)은, 자외역광을 발하는 자외역광 램프로부터 기판(S)에 대하여 자외역광을 조사하여, 기판(S) 상에 부착된 유기물을 제거한다.
스크럽 세정 유닛(21)은, 유기물이 제거된 기판(S)에, 세정액(예컨대 탈이온수(DIW))를 공급하면서 브러시 등의 세정 부재에 의해서 기판(S)의 표면을 세정한다. 또한, 스크럽 세정 유닛(21)은 블로워 등에 의해서 세정한 기판(S)을 건조시킨다.
프리히트 유닛(22)은, 스크럽 세정 유닛(21)에 의해서 건조된 기판(S)을 가열하여, 기판(S)을 더욱 건조시킨다.
어드히젼 유닛(23)은, 건조된 기판(S)에 헥사메틸디실란(HMDS)을 분무하여, 기판(S)에 소수 처리를 행한다.
제1 냉각 유닛(24)은, 소수 처리가 이루어진 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각한다. 제1 냉각 유닛(24)에 의해서 냉각된 기판(S)은, 제1 냉각 유닛(24)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하여 배치되는 반출부(25)에 반송된다. 또한, 반출부(25)는 제1 냉각 유닛(24)에 포함되어도 좋다.
제1 처리 라인(3)에서는, 기판(S)은 X축 정방향을 따라 평류(平流)로 반송된다. 예컨대, 기판(S)은 굴림대 반송 기구(15)에 의해서 반송된다. 굴림대 반송 기구(15)는, 복수의 굴림대(15a)를 구동 장치(도시하지 않음)로 회전시킴으로써 기판(S)을 반송한다. 굴림대 반송 기구(15)는, 도 2에 있어서 일부를 기재하고, 다른 것은 생략한다. 평류 반송이란, 기판(S)이 수평으로 유지된 상태, 또는 Y축 방향으로 경사진 상태에서, 미리정해진 방향, 예컨대 X축 방향을 따라 반송되는 것이다. 또한, 기판(S)은 컨베어 반송 기구 등에 의해서 평류 반송되어도 좋다.
제1 처리 라인(3)에서는, 기판(S)의 장변(긴 길이 방향)이 반송 방향(X축 정방향)에 평행하게 되는 상태에서 기판(S)이 평류로 반송된다. 이하에서는, 기판(S)의 장변이 기판(S)의 반송 방향에 평행하게 되는 상태에서 반송되는 것을, 「장변류 반송」이라고 부른다. 또한, 기판(S)의 단변이 기판(S)의 반송 방향에 평행하게 되는 상태에서 반송되는 것을 「단변류 반송」이라고 부른다.
제2 처리 라인(4)은, 기판(S)에 포토레지스트액(처리액의 일례)을 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 형성 처리를 행한다. 제2 처리 라인(4)은 제1 처리 라인(3)에 대하여 병렬로 배치된다. 구체적으로는 제2 처리 라인(4)은 제1 처리 라인(3)의 좌측에 배치된다. 즉, 제1 처리 라인(3) 및 제2 처리 라인(4)은 좌우 방향으로 나란하게 배치된다. 제2 처리 라인(4)에는, 제1 처리 라인(3)의 제1 냉각 유닛(24)에 의해서 냉각된 기판(S)이 제1 반송부(10)에 의해서 반송된다.
제2 처리 라인(4)에는 포토레지스트 도포 유닛(CT)(27)이 포함된다. 포토레지스트 도포 유닛(27)은, 기판(S) 상에 포토레지스트액을 도포하여, 기판(S) 상에 포토레지스트막을 형성한다.
제2 처리 라인(4)에서는, 기판(S)은 X축 부방향을 따라 평류로 반송된다. 예컨대, 기판(S)은 부상식(浮上式)의 반송 기구(도시하지 않음)에 의해서 반송된다. 부상식의 반송 기구는, 예컨대 좌우 방향 양끝에서 기판(S)을 하측에서 지지하고, 기판(S)으로 향해서 하측에서 압축 공기를 분무하여 기판(S)을 수평으로 유지하면서 기판(S)을 이동시킨다.
또한, 제2 처리 라인(4)에서는, 포토레지스트액을 도포하는 부위 부근의 기판(S)의 반송에 부상식의 반송 기구가 이용되고, 그 밖의 부위에서는 기판(S)의 반송에, 예컨대 굴림대 반송 기구(15)가 이용되어도 좋다. 제2 처리 라인(4)에서는 기판(S)은 장변류로 반송된다. 또한 제2 처리 라인(4)에서는, 기판(S)은 배치대에 배치된 상태로 반송되어, 포토레지스트막이 형성되어도 좋다.
제1 반송부(10)는 제1 처리 라인(3)과 제2 처리 라인(4) 사이에 배치된다. 제1 반송부(10)는 수평 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(10A)을 포함한다. 또한 제1 반송부(10)는, 전후 방향을 따른 이동, 상하 방향을 따른 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제1 반송부(10)는, 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(4)에 기판(S)을 반송하는 제1 반송 처리(제1 반송 공정의 일례)를 행한다. 또한 제1 반송부(10)는, 제2 처리 라인(4)으로부터 감압 건조 유닛(6)에 기판(S)을 반송하는 제2 반송 처리를 행한다. 또한 제1 반송부(10)는, 감압 건조 유닛(6)으로부터 제1 열처리 유닛(7)에 기판(S)을 반송하는 제3 반송 처리를 행한다. 또한 제1 반송부(10)는, 제4 반송 처리(제2 반송 공정의 일례)의 일부를 행한다. 구체적으로는 제1 반송부(10)는, 제4 반송 처리의 일부로서, 제1 열처리 유닛(7)으로부터 인터페이스 스테이션(9)에 기판(S)을 반송한다.
감압 건조 유닛(6)은 제2 처리 라인(4)에 대하여 직렬로 배치된다. 구체적으로는, 감압 건조 유닛(6)은 제2 처리 라인(4)에 대하여 X축 부방향 측에 인접하여 배치된다. 감압 건조 유닛(6)에는, 제2 처리 라인(4)에 의해서 포토레지스트막이 형성된 기판(S)이 제1 반송부(10)에 의해서 반송된다.
감압 건조 유닛(6)은 포토레지스트막이 형성된 기판(S)에 감압 건조 처리를 행한다. 구체적으로는 감압 건조 유닛(6)은, 기판(S) 상에 형성된 포토레지스트막을 감압 분위기 하에서 건조시킨다. 또한, 감압 건조 유닛(6)은 상하 방향으로 복수 단 배치되어도 좋다.
제1 열처리 유닛(7)은, 제1 반송부(10)에 대하여 X축 부방향 측에 인접하여 배치된다. 제1 열처리 유닛(7)에는, 감압 건조 유닛(6)에 의해서 감압 건조 처리가 이루어진 기판(S)이 제1 반송부(10)에 의해서 반송된다. 즉, 제1 열처리 유닛(7)에는 기판(S)이 제1 반송부(10)에 의해서 배치된다.
제1 열처리 유닛(7)은, 감압 건조 처리가 이루어진 기판(S)에 제1 열처리를 행한다. 제1 열처리 유닛(7)에는, 제1 가열 유닛(PE/BAKE)(30)(가열부의 일례)과 제2 냉각 유닛(COL)(31)(냉각부의 일례)이 포함된다.
제1 열처리 유닛(7)에서는, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)이 제2 냉각 유닛(31)에 반입된다. 또한 제1 열처리 유닛(7)에서는, 제1 반송부(10)에 의해서 제2 냉각 유닛(31)으로부터 기판(S)이 반출된다. 제1 열처리 유닛(7)에는, 굴림대 반송 기구나, 컨베어 반송 기구나, 반송 아암 등의 내부 반송 기구(도시하지 않음)가 마련되어, 제2 냉각 유닛(31)과 제1 가열 유닛(30) 사이에서 기판(S)을 반송할 수 있다.
또한 제1 열처리 유닛(7)에서는, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)이 제1 가열 유닛(30)에 반입되어도 좋다. 그리고, 제1 열처리 유닛(7)에서는, 제2 냉각 유닛(31)에 의해서 냉각한 기판(S)을 제1 가열 유닛(30)으로부터 반출하여도 좋다.
제1 가열 유닛(30)은, 포토레지스트액이 도포된 기판(S), 즉 포토레지스트막이 형성되고, 감압 건조된 기판(S)을 가열한다. 포토레지스트막이 건조된 기판(S)은, 내부 반송 기구에 의해서 제2 냉각 유닛(31)으로부터 제1 가열 유닛(30)에 반송된다. 제1 가열 유닛(30)은, 기판(S)을 가열하여, 포토레지스트막에 포함되는 용제 등을 제거한다. 제1 가열 유닛(30)은 플레이트식의 가열 유닛이며, 기판(S)이 플레이트(도시하지 않음)에 배치된 상태에서 플레이트를 가열함으로써 기판(S)을 가열한다. 또한, 제1 가열 유닛(30)은 복수개 마련되어도 좋다.
제2 냉각 유닛(31)은 제1 가열 유닛(30)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각한다. 제1 가열 유닛(30)에 의해서 가열된 기판(S)은 내부 반송 기구에 의해서 제2 냉각 유닛(31)에 반송된다. 제2 냉각 유닛(31)은 예컨대 플레이트식의 냉각 유닛이며, 또한 기판(S)에 냉풍을 분무하여 기판(S)을 냉각하여도 좋다. 제2 냉각 유닛(31)에 의해서 냉각된 기판(S)은 제1 반송부(10)에 의해서 반출된다. 또한, 제2 냉각 유닛(31)은 복수개 마련되어도 좋다.
인터페이스 스테이션(9)은, 제1 반송부(10) 및 제2 처리 라인(4)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하도록 배치된다. 구체적으로는 인터페이스 스테이션(9)은, 노광 장치(61)와 제1 반송부(10) 및 제2 처리 라인(4) 사이에 배치된다. 인터페이스 스테이션(9)은 로터리 스테이지(ROT)(9A)와 제2 반송부(9B)를 포함한다.
로터리 스테이지(9A)는, 제2 처리 라인(4)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하도록 배치된다. 로터리 스테이지(9A)에는, 제1 열처리 유닛(7)에 의해서 제1 열처리가 이루어진 기판(S)이 제1 반송부(10)에 의해서 반송된다.
로터리 스테이지(9A)는 기판(S)을 수평 방향으로 90도 또는 -90도 회전시킨다. 또한, 로터리 스테이지(9A)는 기판(S)의 온도를 조정하는 온도 조절 장치를 두어도 좋다.
제2 반송부(9B)는 제1 반송부(10)에 대하여 직렬로 배치된다. 구체적으로는, 제2 반송부(9B)는 제1 반송부(10)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하여 배치된다. 제2 반송부(9B)는 수평 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(9C)을 포함한다. 또한, 제2 반송부(9B)는 상하 방향에 따른 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제2 반송부(9B)는 제4 반송 처리의 일부를 행한다. 구체적으로는, 제2 반송부(9B)는 로터리 스테이지(9A)로부터 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 제2 반송부(9B)는 노광 장치(61)로부터 노광 시스템(60)의 주변 장치(62)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 주변 장치(62)에 반송된 기판(S)은 외부 장치인 주변 장치(62)로부터 제3 처리 라인(5)에 반송된다. 즉, 제2 반송부(9B)는 주변 장치(62)를 통해 기판(S)을 제3 처리 라인(5)에 반송한다.
또한 인터페이스 스테이션(9)은, 노광 장치(61)에 의해서 노광된 기판(S)을 일시적으로 배치하는 버퍼부(도시하지 않음)를 포함하여도 좋다. 버퍼부는 예컨대 주변 장치(62)의 상측에 배치된다. 이에 따라, 예컨대 제3 처리 라인(5)에 있어서 처리에 지연이 생긴 경우에, 기판 처리 장치(1)는, 노광이 종료된 기판(S)을 버퍼부에 일시적으로 배치하여, 기판(S)에 대한 처리, 형성 처리나 제1 열처리 등을 계속하여 행할 수 있다.
노광 시스템(60)은 노광 장치(61)와 주변 장치(EE/TITLER)(62)를 포함한다.
노광 장치(61)는, 회로 패턴에 대응한 패턴을 갖는 포토마스크를 이용하여 포토레지스트막을 노광한다.
주변 장치(62)는 제3 처리 라인(5)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하도록 배치된다. 주변 장치(62)는 주변 노광 장치(EE)와 타이틀러(TITLER)를 포함한다. 주변 노광 장치는 기판(S) 외주부의 포토레지스트막을 제거한다. 타이틀러는 기판(S)에 관리용 코드를 기록한다.
제3 처리 라인(5)은 노광 시스템(60)에 의해서 노광된 기판(S)에 현상 처리를 행한다. 제3 처리 라인(5)은 주변 장치(62)로부터 반송되는 기판(S)에 현상 처리를 행한다. 바꿔 말하면, 제3 처리 라인(5)은 주변 장치(62)를 통해 제2 반송부(9B)에 의해서 반송된 기판(S)에 현상 처리를 행한다.
제3 처리 라인(5)은 제1 처리 라인(3)의 하측에 배치된다. 제3 처리 라인(5)은 주변 장치(62)보다도 X축 부방향 측에 배치된다. 또한, 제3 처리 라인(5) 및 주변 장치(62)는 제1 처리 라인(3)보다도 상측에 배치되어도 좋다.
제3 처리 라인(5)에서는, 기판(S)은 X축 부방향을 따라 평류로 반송된다. 제3 처리 라인(5)에서는, 기판(S)은 단변 평류로 반송된다. 예컨대 기판(S)은 굴림대 반송 기구(15)에 의해서 반송된다.
제3 처리 라인(5)에는 현상 유닛(DEV)(40)과 세정 유닛(RIN)(41)과 건조 유닛(DRY)(42)이 포함된다. 제3 처리 라인(5)에서는, 유닛(40∼42)은 현상 유닛(40), 세정 유닛(41) 및 건조 유닛(42)의 순으로 X축 부방향을 따라 배치된다.
현상 유닛(40)은, 주변 장치(62)로부터 반송된 기판(S)에 대하여, 노광된 포토레지스트막을 현상액에 의해 현상한다. 세정 유닛(41)은, 포토레지스트막을 현상한 기판(S) 상의 현상액을 세정액(예컨대 탈이온수(DIW))에 의해서 씻어 버린다. 건조 유닛(42)은, 세정액에 의해서 씻어 버린 기판(S) 상의 세정액을 건조시킨다. 건조 유닛(42)에 의해서 건조된 기판(S)은, 건조 유닛(42)에 대하여 X축 부방향 측에 인접하여 배치된 반출부(43)에 반송된다. 또한, 반출부(43)는 건조 유닛(42)에 포함되어도 좋다.
기판 처리 장치(1)에서는, 제3 처리 라인(5)은 제1 처리 라인(3)의 하측에 배치되어 있다. 그 때문에, 세정 유닛(41)에 공급되는 세정액과 제1 처리 라인(3)의 스크럽 세정 유닛(21)에 공급되는 세정액을 공통의 세정액 탱크(도시하지 않음)로부터 공급할 수 있다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 세정 유닛(41) 및 스크럽 세정 유닛(21)과 세정액 탱크를 접속하는 배관(도시하지 않음)을 짧게 할 수 있다.
제3 처리 라인(5)에 의해서 현상 처리가 이루어진 기판(S)은, 제3 반송부(11)에 의해서 반출부(43)로부터 제2 열처리 유닛(8)에 반송된다.
제2 열처리 유닛(8)은 현상 처리가 이루어진 기판(S)에 제2 열처리를 행한다. 제2 열처리 유닛(8)은 제2 가열 유닛(PO/BAKE)(50)(현상 가열부의 일례)과 제3 냉각 유닛(COL)(51)을 포함한다.
제2 가열 유닛(50)은 현상 처리가 이루어진 기판(S)을 가열한다. 제2 가열 유닛(50)은 제3 반송부(11)에 대하여 X축 부방향 측에 인접하도록 배치된다. 구체적으로는, 제2 가열 유닛(50)은 제3 반송부(11)와 카세트 스테이션(2) 사이에 배치된다. 제2 가열 유닛(50)은 예컨대 상하 방향으로 복수 단 배치된다.
제2 가열 유닛(50)에는, 제3 처리 라인(5)에 의해서 현상 처리가 이루어진 기판(S)이 제3 반송부(11)에 의해서 반송된다. 제2 가열 유닛(50)은, 린스액이 건조된 기판(S)을 가열하여, 포토레지스트막에 남는 용제 및 린스액을 제거한다. 제2 가열 유닛(50)은, 제1 가열 유닛(30)과 마찬가지로 플레이트식의 가열 유닛이다.
제3 냉각 유닛(51)은, 제3 처리 라인(5)의 반출부(43)의 상측에 배치되어, 제2 가열 유닛(50)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각한다. 제3 냉각 유닛(51)에는, 제2 가열 유닛(50)에 의해서 용제 및 린스액이 제거된 기판(S)이, 제3 반송부(11)에 의해서 반송된다. 제3 냉각 유닛(51)에 의해서 냉각된 기판(S)은 제3 반송부(11)에 의해서 검사 유닛(65)에 반송된다. 또한, 제3 냉각 유닛(51)은 복수개 마련되어도 좋다. 제3 냉각 유닛(51)은 검사 유닛(65)의 상측에 배치되어도 좋다.
제3 반송부(11)는 제1 반송부(10)에 대하여 직렬로 배치된다. 제3 반송부(11)는 제1 반송부(10)보다도 X축 부방향 측에 배치된다. 또한, 제3 반송부(11)와 제1 반송부(10) 사이에는 제1 열처리 유닛(7)이 배치된다. 제3 반송부(11)는 수평 방향으로 신축 가능한 반송 아암(SA)(11A)을 포함한다. 또한, 제3 반송부(11)는 상하 방향에 따른 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다.
제3 반송부(11)는 제3 처리 라인(5)으로부터 제2 가열 유닛(50)에 기판(S)을 반송하는 제5 반송 처리(제3 반송 공정의 일례)를 행한다. 또한, 제3 반송부(11)는 제3 냉각 유닛(51)으로부터 검사 유닛(65)에 기판(S)을 반송하는 제6 반송 처리를 행한다. 또한, 제3 반송부(11)는 제2 열처리 유닛(8)에 있어서 기판(S)의 반송을 행한다. 구체적으로는, 제3 반송부(11)는 제2 가열 유닛(50)으로부터 제3 냉각 유닛(51)에 기판(S)을 반송한다.
검사 유닛(65)은, 포토레지스트 패턴(라인)의 한계 치수(CD)의 측정 등의 검사를 행한다. 검사 유닛(65)에 의해서 검사가 이루어진 기판(S)은 카세트 스테이션(2)에 반송된다.
기판 처리 장치(1)에서는, 제1 반송부(10), 제2 반송부(9B) 및 제3 반송부(11)는 X축 방향을 따라 나란하게 배치된다. 구체적으로는 기판 처리 장치(1)에서는, 제1 반송부(10), 제2 반송부(9B) 및 제3 반송부(11)는, X축 정방향을 따라, 제3 반송부(11), 제1 반송부(10) 및 제2 반송부(9B)의 순으로 나란히 배치된다.
제어 장치(12)는 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(12A)와 기억부(12B)를 포함한다. 기억부(12B)는 예컨대 RAM(Random Access Memory), 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는 하드디스크, 광디스크 등의 기억 장치에 의해서 실현된다.
제어부(12A)는 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM, 입출력 포트 등을 포함하는 마이크로 컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 마이크로컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 독출하여 실행함으로써, 카세트 스테이션(2)이나 각 처리 라인(3∼5) 등의 제어를 실현한다.
또한, 프로그램은 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있고, 기억 매체로부터 제어 장치(12)의 기억부(12B)에 인스톨된 것이라도 좋다. 컴퓨터에 의해서 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
<기판 처리>
이어서, 제1 실시형태에 따른 기판 처리에 관해서 도 3 및 도 4a∼도 4j를 참조하여 설명한다. 도 3은 제1 실시형태에 따른 기판 처리를 도시하는 흐름도이다. 도 4a∼도 4j는 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(S)의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 1∼반송 경로 10)이다. 또한, 도 4a∼도 4j는 설명을 위해서 제1 처리 라인(3)과 제3 처리 라인(5)을 나란하게 기재하고 있다.
기판 처리 장치(1)는 전처리를 행한다(S10). 기판 처리 장치(1)는, 도 4a에 도시하는 것과 같이, 카세트 스테이션(2)으로부터 제1 처리 라인(3)에 기판(S)을 반송하고, 기판(S)을 평류로 반송하면서 기판(S)에 전처리를 행한다.
기판 처리 장치(1)는 제1 반송 처리를 행한다(S11). 기판 처리 장치(1)는, 도 4b에 도시하는 것과 같이, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(4)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는 포토레지스트막의 형성 처리를 행한다(S12). 기판 처리 장치(1)는, 도 4b에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 평류로 반송하면서, 포토레지스트 도포 유닛(27)에 의해서 기판(S)에 포토레지스트액을 도포하여, 기판(S)에 포토레지스트막을 형성한다.
기판 처리 장치(1)는 제2 반송 처리를 행한다(S13). 기판 처리 장치(1)는, 도 4c에 도시하는 것과 같이, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 제2 처리 라인(4)으로부터 감압 건조 유닛(6)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는 감압 건조 처리를 행한다(S14). 기판 처리 장치(1)는 감압 건조 유닛(6)에 의해서 기판(S)을 감압 건조시킨다.
기판 처리 장치(1)는 제3 반송 처리를 행한다(S15). 기판 처리 장치(1)는, 도 4d에 도시하는 것과 같이, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 감압 건조 유닛(6)으로부터 제1 열처리 유닛(7)의 제2 냉각 유닛(31)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는 제1 열처리를 행한다(S16). 기판 처리 장치(1)는, 도 4e에 도시하는 것과 같이, 제2 냉각 유닛(31)으로부터 제1 가열 유닛(30)에 기판(S)을 반송하여, 제1 가열 유닛(30)에 의해서 기판(S)을 가열한다.
또한, 기판 처리 장치(1)는 제1 가열 유닛(30)에 의해서 가열한 기판(S)을 제2 냉각 유닛(31)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는 제2 냉각 유닛(31)에 의해서 기판(S)을 냉각한다.
기판 처리 장치(1)는 제4 반송 처리를 행한다(S17). 기판 처리 장치(1)는, 도 4f에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 제1 반송부(10)에 의해서 제1 열처리 유닛(7)의 제2 냉각 유닛(31)으로부터 인터페이스 스테이션(9)의 로터리 스테이지(9A)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 로터리 스테이지(9A)에 의해서 수평 방향으로 90도 또는 -90도 회전한 기판(S)을 제2 반송부(9B)에 의해서 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 반송한다. 또한, 기판 처리 장치(1)는 기판(S)을 제2 반송부(9B)에 의해서 노광 장치(61)로부터 주변 장치(62)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는 현상 처리를 행한다(S18). 구체적으로는 기판 처리 장치(1)는, 도 4g에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 주변 장치(62)로부터 제3 처리 라인(5)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는 기판(S)을 평류로 반송하면서 현상 유닛(40)에 의해서 기판(S)을 현상한다. 또한, 기판 처리 장치(1)는 현상한 기판(S)을 세정 유닛(41)에 의해서 씻어 버리고, 건조 유닛(42)에 의해서 건조시킨다.
기판 처리 장치(1)는 제5 반송 처리를 행한다(S19). 기판 처리 장치(1)는, 도 4h에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 제3 반송부(11)에 의해서 제3 처리 라인(5)의 반출부(43)로부터 제2 열처리 유닛(8)의 제2 가열 유닛(50)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는 제2 열처리를 행한다(S20). 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는 기판(S)을 제2 가열 유닛(50)에 의해서 가열한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 도 4i에 도시하는 것과 같이, 가열한 기판(S)을 제3 반송부(11)에 의해서 제3 처리 라인(5)의 반출부(43)의 상측에 배치된 제3 냉각 유닛(51)에 반송하여, 기판(S)을 냉각한다.
기판 처리 장치(1)는 제6 반송 처리를 행한다(S21). 기판 처리 장치(1)는, 도 4j에 도시하는 것과 같이, 제3 반송부(11)에 의해서 기판(S)을 제3 냉각 유닛(51)으로부터 검사 유닛(65)에 반송한다. 검사가 종료된 기판(S)은 카세트 스테이션(2)에 반송된다.
<효과>
기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 전처리를 행하는 제1 처리 라인(3)과, 제1 처리 라인(3)에 대하여 병렬로 배치되며, 전처리가 이루어진 기판(S)에 포토레지스트액을 도포하는 제2 처리 라인(4)을 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)의 상측에 배치되며, 포토레지스트액이 도포된 기판(S)에 현상 처리를 행하는 제3 처리 라인(5)을 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)과 제2 처리 라인(4) 사이에 마련되며, 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(4)에 기판(S)을 반송하는 제1 반송부(10)를 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(10)에 대하여 직렬로 배치되며, 주변 장치(62)를 통해 제3 처리 라인(5)에 기판(S)을 반송하는 제2 반송부(9B)를 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(10)에 대하여 직렬로 배치되며, 제3 처리 라인(5)으로부터 기판(S)을 반송하는 제3 반송부(11)를 포함한다.
이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 전처리를 행하는 제1 처리 라인(3)과, 포토레지스트막을 형성하는 제2 처리 라인(4)을 좌우 방향으로 나란하게 배치할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, X축 방향(전후 방향)의 길이, 즉, 기판 처리 장치(1)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다.
또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)과 제3 처리 라인(5)을 상하 방향으로 적층하여 배치함으로써, Y축 방향(좌우 방향)의 길이가 길어지는 것을 억제할 수 있다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 제1 처리 라인(3)의 스크럽 세정 유닛(21)과 제3 처리 라인(5)의 세정 유닛(41)에 동일한 세정액 탱크로부터 세정액을 공급할 수 있다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 각 세정 유닛(21, 41)과 세정액 탱크를 접속하는 배관을 짧게 할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)는, 공통의 세정액탱크를 사용하면서, 세정액 탱크와 각 세정 유닛(21, 41)을 접속하는 배관을 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는 장치 전체를 소형화함과 더불어 비용을 절감할 수 있다.
또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(10)를 제1 처리 라인(3)과 제2 처리 라인(4) 사이에 배치하며, 또한 제2 반송부(9B) 및 제3 반송부(11)를 제1 반송부(10)에 대하여 직렬로 배치한다. 구체적으로는, 기판 처리 장치(1)는 제1 반송부(10), 제2 반송부(9B) 및 제3 반송부(11)를 X축 방향을 따라 배치한다.
이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)이나 제3 처리 라인(5)에 있어서의 X축 방향의 길이를 짧게 할 수 있어, 기판 처리 장치(1)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(10)와 제3 반송부(11) 사이에 배치되어, 기판(S)이 제1 반송부(10)에 의해서 반송되는 제1 열처리 유닛(7)을 포함한다.
이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)이나 제2 처리 라인(4)에 있어서의 X축 방향의 길이를 짧게 할 수 있어, 기판 처리 장치(1)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)에서 제2 처리 라인(4)으로의 제1 반송 처리 및 감압 건조 유닛(6)에서 제1 열처리 유닛(7)으로의 제3 반송 처리를 동일한 제1 반송부(10)에 의해서 행할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는 반송부의 수를 적게 하여 비용을 절감할 수 있다.
또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 열처리 유닛(7)으로서, 기판(S)을 가열하는 제1 가열 유닛(30)과, 제1 가열 유닛(30)에 의해서 가열된 기판(S)을 냉각하는 제2 냉각 유닛(31)을 포함한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 제2 냉각 유닛(31)에 반입하며 또한 제1 반송부(10)에 의해서 제2 냉각 유닛(31)으로부터 기판(S)을 반출한다. 즉, 제1 반송부(10)는 제1 가열 유닛(30) 내에 삽입되지 않는다.
또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 가열 유닛(30)과 제2 냉각 유닛(31)을 하나의 제1 열처리 유닛(7)으로서 설치함으로써, 제1 가열 유닛(30)과 제2 냉각 유닛(31) 사이에서 제1 반송부(10)를 이용하지 않고서 기판(S)을 반송시킬 수 있다.
이에 따라, 기판 처리 장치(1)는 제1 반송부(10)가 가열되는 것을 방지할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 반송하는 경우에, 제1 반송부(10)로부터 기판(S)에 열이 전해지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 제2 처리 라인(4)에 반송되는 기판(S)의 온도가 높아지는 것을 억제하여, 기판(S)에 포토레지스트액의 도포 얼룩이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(10)로부터 기판(S)에 열이 전해지는 것을 억제하는 열전사 대책을 실시하지 않고서, 기판(S)을 제1 반송부(10)에 의해서 반송할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(1)는 비용을 절감할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는 제1 반송부(10)에 의한 반송 공정수를 적게 할 수 있다.
또한 기판 처리 장치(1)는, 제2 열처리 유닛(8)의 제2 가열 유닛(50)을, 제1 반송부(10)에 대하여 직렬로 배치한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는 제3 반송부(11)에 의해서 제3 처리 라인(5)으로부터 기판(S)을 제2 가열 유닛(50)에 반송한다.
이에 따라, 기판 처리 장치(1)는, 제1 처리 라인(3)이나 제3 처리 라인(5)에 있어서의 X축 방향의 길이를 짧게 할 수 있어, 기판 처리 장치(1)의 전체 길이를 짧게 할 수 있다.
(제2 실시형태)
<전체 구성>
이어서, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 관해서 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 도시하는 평면도이다. 여기서는 제1 실시형태와는 다른 부위를 중심으로 설명한다. 또한 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 제1 실시형태와 동일한 구성에 관해서는 제1 실시형태와 동일한 부호를 붙이고 있다. 또한, 제1 실시형태와 동일한 구성의 일부에 관한 설명은 생략한다.
감압 건조 유닛(6)은, 제1 반송부(10)에 대하여 직렬로 배치되고, 제1 반송부(10)에 대하여 X축 부방향 측에 인접하여 배치된다. 감압 건조 유닛(6)은 제1 반송부(10)와 제3 반송부(11) 사이에 배치된다.
제1 열처리 유닛(7)은, 제1 반송부(10)에 대하여 직렬로 배치되고, 제1 반송부(10)에 대하여 X축 정방향 측에 인접하여 배치된다. 제1 열처리 유닛(7)은 제1 반송부(10)와 인터페이스 스테이션(9) 사이에 배치된다. 제1 열처리 유닛(7)의 제2 냉각 유닛(31)은, 전후 방향의 양끝에 개구부(도시하지 않음)를 갖고 있고, 전방으로부터 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 반입할 수 있다. 또한, 제2 냉각 유닛(31)은 후방으로부터 제2 반송부(9B)에 의해서 기판(S)을 반출할 수 있다.
인터페이스 스테이션(9)에서는, 로터리 스테이지(9A)는 제2 반송부(9B)에 대하여 좌측에 배치된다.
제1 반송부(10)는, 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(4)에 기판(S)을 반송하는 제1 반송 처리를 행한다. 또한 제1 반송부(10)는, 제2 처리 라인(4)으로부터 감압 건조 유닛(6)에 기판(S)을 반송하는 제2 반송 처리를 행한다. 또한 제1 반송부(10)는, 감압 건조 유닛(6)으로부터 제1 열처리 유닛(7)에 기판(S)을 반송하는 제3 반송 처리를 행한다.
제2 반송부(9B)는, 제1 열처리 유닛(7)으로부터 인터페이스 스테이션(9)에 기판(S)을 반송하고, 인터페이스 스테이션(9)으로부터 노광 시스템(60)에 기판(S)을 반송하는 제4 반송 처리를 행한다. 구체적으로는 제2 반송부(9B)는, 제1 열처리 유닛(7)의 제2 냉각 유닛(31)으로부터 인터페이스 스테이션(9)의 로터리 스테이지(9A)에 기판(S)을 반송한다. 또한 제2 반송부(9B)는, 로터리 스테이지(9A)로부터 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 기판(S)을 반송한다. 또한 제2 반송부(9B)는, 노광 장치(61)로부터 노광 시스템(60)의 주변 장치(62)에 기판(S)을 반송한다. 즉, 제2 반송부(9B)는 제1 열처리 유닛(7)으로부터 주변 장치(62)를 통해 기판(S)을 제3 처리 라인(5)에 반송한다.
<기판 처리>
이어서, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판 처리에 관해서 도 3 및 도 6a∼도 6f를 참조하여 설명한다. 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판 처리의 흐름도는 제1 실시형태와 마찬가지다. 도 6a∼도 6f는 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 기판(S)의 반송 경로를 도시하는 도면(반송 경로 1∼반송 경로 7)이다. 또한, 도 6a∼도 6f는 설명을 위해서 제1 처리 라인(3)과 제3 처리 라인(5)을 나란하게 기재하고 있다.
기판 처리 장치(1)는 전처리를 행한다(S10). 기판 처리 장치(1)는, 도 6a에 도시하는 것과 같이, 카세트 스테이션(2)으로부터 제1 처리 라인(3)에 기판(S)을 반송하고, 기판(S)을 평류로 반송하면서 기판(S)에 전처리를 행한다.
기판 처리 장치(1)는 제1 반송 처리를 행한다(S11). 기판 처리 장치(1)는, 도 6b에 도시하는 것과 같이, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 제1 처리 라인(3)으로부터 제2 처리 라인(4)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는 포토레지스트막의 형성 처리를 행한다(S12). 기판 처리 장치(1)는, 도 6b에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 평류로 반송하면서 포토레지스트 도포 유닛(27)에 의해서 기판(S)에 포토레지스트액을 도포하여, 기판(S)에 포토레지스트막을 형성한다.
기판 처리 장치(1)는 제2 반송 처리를 행한다(S13). 기판 처리 장치(1)는, 도 6c에 도시하는 것과 같이, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 제2 처리 라인(4)으로부터 감압 건조 유닛(6)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는 감압 건조 처리를 행한다(S14). 기판 처리 장치(1)는 감압 건조 유닛(6)에 의해서 기판(S)을 감압 건조시킨다.
기판 처리 장치(1)는 제3 반송 처리를 행한다(S15). 기판 처리 장치(1)는, 도 6d에 도시하는 것과 같이, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 감압 건조 유닛(6)으로부터 제1 열처리 유닛(7)의 제2 냉각 유닛(31)에 반송한다.
기판 처리 장치(1)는 제1 열처리를 행한다(S16). 기판 처리 장치(1)는, 도 6e에 도시하는 것과 같이, 제2 냉각 유닛(31)으로부터 제1 가열 유닛(30)에 기판(S)을 반송하고, 제1 가열 유닛(30)에 의해서 기판(S)을 가열한다.
또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 가열 유닛(30)에 의해서 가열한 기판(S)을 제2 냉각 유닛(31)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는 제2 냉각 유닛(31)에 의해서 기판(S)을 냉각한다.
기판 처리 장치(1)는 제4 반송 처리를 행한다(S17). 기판 처리 장치(1)는, 도 6f에 도시하는 것과 같이, 기판(S)을 제1 반송부(10)에 의해서 제1 열처리 유닛(7)의 제2 냉각 유닛(31)으로부터 인터페이스 스테이션(9)의 로터리 스테이지(9A)에 반송한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)는, 로터리 스테이지(9A)에 의해서 수평 방향으로 90도 또는 -90도 회전한 기판(S)을 제2 반송부(9B)에 의해서 노광 시스템(60)의 노광 장치(61)에 반송한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)을 제2 반송부(9B)에 의해서 노광 장치(61)로부터 주변 장치(62)에 반송한다.
현상 처리(S18)부터 제6 반송 처리(S21)까지의 처리 및 기판(S)의 반송 경로에 관해서는 제1 실시형태와 같으며, 자세한 설명은 생략한다.
<효과>
기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(10)와 제3 반송부(11) 사이에 배치되며, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)이 반송되어, 기판(S)에 감압 건조 처리를 행하는 감압 건조 유닛(6)을 포함한다. 또한 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(10)와 제2 반송부(9B) 사이에 배치되며, 감압 건조 유닛(6)으로부터 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)이 반송되는 제1 열처리 유닛(7)을 포함한다. 제2 반송부(9B)는 제1 열처리 유닛(7)으로부터 기판(S)을 반송한다.
이에 따라, 기판 처리 장치(1)는 제1 반송부(10)에 의한 반송 공정수를 적게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 제1 반송부(10)에 의한 기판 반송의 대기 시간을 짧게 하여, 장치 전체에 있어서의 기판(S)의 처리 시간을 짧게 할 수 있다.
또한 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 감압 건조 유닛(6)과 제1 열처리 유닛(7)이 제2 처리 라인(4)에 대하여 직렬로 배치되는 경우보다도 X축 방향에 있어서의 제1 반송부(10)의 길이를 짧게 할 수 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치(1)는, X축 방향에 있어서의 제1 반송부(10)의 이동 거리, 즉 이동 시간을 짧게 하여, 장치 전체에 있어서의 기판(S)의 처리 시간을 짧게 할 수 있다.
또한 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조 유닛(6)의 좌측에 도 5에서 해칭을 띠는 영역에 펌프 등의 보조 기기를 배치할 수 있어, 장치 전체를 소형화할 수 있다.
(변형예)
이어서, 본 실시형태의 변형예에 관해서 설명한다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4)에 있어서 기판(S)에 복수 횟수 처리액을 도포하여도 좋다. 예컨대 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 포토레지스트막을 형성하기 전에 반사방지막을 형성하여도 좋다. 이 경우, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 포토레지스트 도포 유닛(27)에 복수의 노즐을 포함한다.
변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제1 반송부(10)에 의해서 제1 처리 라인(3)으로부터 반송된 기판(S)에, 포토레지스트 도포 유닛(27)으로 반사방지막을 형성한다. 그리고, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 감압 건조 유닛(6), 제1 열처리 유닛(7)에 의해 각 처리를 행하고, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 다시 포토레지스트 도포 유닛(27)에 반입한다. 그리고, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 반사방지막을 형성한 기판(S)에, 포토레지스트 도포 유닛(27)에 의해서 포토레지스트막을 형성한다.
이와 같이, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제2 처리 라인(4)에 의해서 복수 횟수의 처리액 도포를 행할 수 있다. 즉, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 복수 횟수의 처리액 도포를 행하는 경우에, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)을 제1 열처리 유닛(7)으로부터 제2 처리 라인(4)에 반송할 수 있다. 그 때문에, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 X축 방향에 있어서의 장치의 길이를 짧게 할 수 있다. 또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 복수 횟수의 처리액을 도포하는 유닛을 상하 방향으로 적층하여도 좋다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는 현상 처리를 행하지 않는 장치라도 좋다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 구성에 있어서, 제1 처리 라인(3)에 의해서 기판(S)을 세정하고, 제2 처리 라인(4)에 의해서 처리액을 도포한 후에, 제1 반송부(10)에 의해서 제1 열처리 유닛(7)의 상부에 기판(S)을 배치한다. 그리고, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제3 반송부(11)에 의해서 배치된 기판(S)을 검사 유닛(65)이나 카세트 스테이션(2)에 반송하여도 좋다. 예컨대 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 복수 횟수의 처리액 도포를 행하여, 기판(S)에 편광막을 형성하는 장치라도 좋다. 또한, 제1 열처리 유닛(7)에 기판(S)을 배치하는 방법으로서는, 예컨대 제2 냉각 유닛(31)의 전후 방향 양끝에 개구부를 형성하여, 제3 반송부(11)에 의해서 기판(S)을 제2 냉각 유닛(31)으로부터 반송할 수 있게 하여도 좋다.
이와 같이, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(S)에 복수 횟수의 처리액을 도포하는 장치에 있어서의 X축 방향의 길이를 짧게 할 수 있다.
또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 제1 반송부(10)에 있어서 복수의 반송 아암을 가지고, 복수의 반송 아암에 의해서 기판(S)을 반송하여도 좋다.
또한 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제1 열처리 유닛(7)에 있어서, 제1 가열 유닛(30) 및 제2 냉각 유닛(31)을 상하 방향으로 복수 단 설치하여도 좋다. 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 도 7에 도시하는 것과 같이, 제1 반송부(10)에 의해서 기판(S)이 반입되는 반입부(PAS)(70)와 제1 가열 유닛(30)과 제2 냉각 유닛(31)을 상하 방향으로 적층한다. 도 7은 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)에 있어서의 제1 열처리 유닛(7)을 X축 정방향에서 본 개략 구성을 도시하는 블록도이다.
그리고, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제4 반송부(71)에 의해서 기판(S)을 반입부(70)로부터 제1 가열 유닛(30)에 반송한다. 또한, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 제4 반송부(71)에 의해서 기판(S)을 제1 가열 유닛(30)으로부터 제2 냉각 유닛(31)에 반송한다.
이에 따라, 변형예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 상기 실시형태와 마찬가지로 제1 반송부(10)가 가열되는 것을 억제하여, 제1 반송부(10)로부터 기판(S)에 열이 전해지는 것을 억제할 수 있다.
상기 실시형태 및 변형예의 구성을 적절하게 조합한 기판 처리 장치라도 좋다.
한편, 이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기한 실시형태는 첨부한 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고서 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (9)

  1. 기판에 전처리를 행하는 전처리 라인과,
    상기 전처리 라인에 대하여 병렬로 배치되며, 상기 전처리가 이루어진 상기 기판에 처리액을 도포하는 도포 라인과,
    상기 전처리 라인의 상측 또는 하측에 배치되며, 상기 처리액이 도포된 상기 기판에 현상 처리를 행하는 현상 처리 라인과,
    상기 전처리 라인과 상기 도포 라인 사이에 마련되며, 상기 전처리 라인으로부터 상기 도포 라인에 상기 기판을 반송하는 제1 반송부와,
    상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 외부 장치를 통해 상기 현상 처리 라인에 상기 기판을 반송하는 제2 반송부와,
    상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 상기 현상 처리 라인으로부터 상기 기판을 반송하는 제3 반송부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 반송부와 상기 제3 반송부 사이에 배치되며, 상기 처리액이 도포된 상기 기판이 상기 제1 반송부에 의해서 배치되는 배치부를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제3 반송부는 상기 배치부로부터 상기 기판을 반송할 수 있는 것인 기판 처리 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 배치부는 상기 처리액이 도포된 상기 기판에 열처리를 행하는 열처리부인 것인 기판 처리 장치.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1 반송부와 상기 제2 반송부 사이에 배치되며, 상기 배치부로부터 상기 기판이 상기 제1 반송부에 의해서 반송되어, 상기 기판에 열처리를 하는 열처리부를 포함하고,
    상기 배치부는 상기 처리액이 도포된 상기 기판에 감압 건조 처리를 행하는 감압 건조부이고,
    상기 제2 반송부는 상기 열처리부로부터 상기 기판을 반송하는 것인 기판 처리 장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 열처리부는,
    상기 기판을 가열하는 가열부와,
    상기 가열부에 의해서 가열된 상기 기판을 냉각하는 냉각부를 포함하고,
    상기 냉각부는, 상기 처리액이 도포된 상기 기판이 상기 제1 반송부에 의해서 반입되며 또한 냉각된 상기 기판이 상기 제1 반송부에 의해서 반출되는 것인 기판 처리 장치.
  7. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 열처리부는,
    상기 처리액이 도포된 상기 기판이 상기 제1 반송부에 의해서 반송되는 반입부와,
    상기 제1 반송부와는 다른 제4 반송부에 의해서 상기 반입부로부터 상기 기판이 반송되어, 상기 기판을 가열하는 가열부와,
    상기 제4 반송부에 의해서 상기 가열부로부터 상기 기판이 반송되어, 상기 가열부에 의해서 가열된 상기 기판을 냉각하는 냉각부를 포함하는 것인 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치되며, 상기 현상 처리가 이루어진 상기 기판을 가열하는 현상 가열부를 포함하고,
    상기 제3 반송부는, 상기 현상 처리 라인으로부터 상기 현상 가열부에 상기 기판을 반송하는 것인 기판 처리 장치.
  9. 전처리 라인에 의해서 전처리가 이루어진 기판을, 상기 전처리 라인과, 상기 전처리 라인에 대하여 병렬로 배치되며, 상기 기판에 처리액을 도포하는 도포 라인 사이에 마련된 제1 반송부에 의해서 상기 도포 라인에 반송하는 제1 반송 공정과,
    상기 처리액이 도포된 상기 기판을, 상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치된 제2 반송부에 의해서, 상기 전처리 라인의 상측 또는 하측에 배치되며, 현상 처리를 행하는 현상 처리 라인에 외부 장치를 통해 반송하는 제2 반송 공정과,
    상기 현상 처리가 이루어진 상기 기판을, 상기 제1 반송부에 대하여 직렬로 배치된 제3 반송부에 의해서 상기 현상 처리 라인으로부터 반송하는 제3 반송 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
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