TWI802038B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI802038B
TWI802038B TW110137274A TW110137274A TWI802038B TW I802038 B TWI802038 B TW I802038B TW 110137274 A TW110137274 A TW 110137274A TW 110137274 A TW110137274 A TW 110137274A TW I802038 B TWI802038 B TW I802038B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
fluid
mentioned
supply
substrate
processing
Prior art date
Application number
TW110137274A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202226412A (zh
Inventor
澤島隼
山口貴大
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202226412A publication Critical patent/TW202226412A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI802038B publication Critical patent/TWI802038B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本發明之基板處理裝置係對基板供給流體而進行處理者，上述裝置包含以下要件：第1處理殼體；處理部，其設置於上述第1處理殼體之內部，用於藉由流體對載置於載置部之基板進行處理；第1供給部，其自上述第1處理殼體之進行維護之正側面觀察時，配置於上述處理部之一側方，對上述處理部供給第1流體；及第2供給部，其自上述正側面觀察時，配置於上述處理部之另一側方，對上述處理部供給第2流體。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置，其藉由對半導體晶圓、液晶顯示器或有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板(以下，簡稱為基板)供給處理液或處理氣體等流體來進行處理。
先前，作為此種裝置，存在具備殼體、處理部及供給部者。例如，參照日本專利特開2017-163103號公報(圖1)。殼體具備處理部及供給部。處理部利用各種處理液對基板進行處理。供給部向處理部供給各種處理液。供給部於自作業人員對裝置進行維護時所進出之正側面觀察時，僅與處理部之左右方向之一側鄰接而配置。該一側例如為右側。供給部例如對處理部供給兩種處理液(例如，酸、鹼)。
殼體於裝置之與正側面相反之側即背側面，設置有用以於與處理部之間交接基板之搬入搬出口。處理部於俯視時於中央具備載置基板之載置部。供給部具備供給處理液之噴嘴。噴嘴之前端部在位於載置部上方之供給位置與離開載置部之待機位置之間迴轉。迴轉係以噴嘴之基端部為軸來進行。此種構成中，配備兩根噴嘴之情形時，要使各噴嘴互不干涉地分散配置於處理部中。
各噴嘴之基端部分散地配置於處理部內之載置部之周圍。具體而言，一噴嘴之基端部於自處理部之正側面觀察時配置於右側。一噴嘴於俯視時沿著處理部之自正側面向背側面之一邊配置。一噴嘴自供給部起沿著正側面配置配管，並通過該配管被供給處理液。另一噴嘴之基端部於自處理部之正側面觀察時配置於左側。另一噴嘴於俯視時沿著處理部之自正側面向背側面之一邊配置。亦即，另一噴嘴與一噴嘴相比配置於遠離供給部之位置。換言之，另一噴嘴隔著處理部之載置部配置於供給部之相反側。
然而，具有此種構成之先前例存在如下問題。 即，於先前之裝置中，另一噴嘴為了避開沿著正側面配置之一噴嘴之配管，需要自供給部起沿著背側面連接配管。因此，另一噴嘴配置於距供進行維護之正側面最遠之位置，故而難以進出該配管。其結果，存在維護性較差之問題。又，若沿著背側面連接配管，則配管長度會變長。如此，當配管長度變長時，還會產生處理液之滯留量增加，或者未經調溫之處理液增加之問題。
本發明係鑒於此種情況而完成者，其目的在於提供一種藉由對配置進行設計，而能提高維護性且能縮短配管長度之基板處理裝置。
本發明為了達成此種目的而採用如下構成。
本發明係一種基板處理裝置，其對基板供給流體而進行處理，上述裝置包含以下要件：第1處理殼體；處理部，其設置於上述第1處理殼體之內部，用於藉由流體對載置於載置部之基板進行處理；第1供給部，其自上述第1處理殼體之進行維護之正側面觀察時，配置於上述處理部之一側方，對上述處理部供給第1流體；及第2供給部，其自上述正側面觀察時配置於上述處理部之另一側方，對上述處理部供給第2流體。
根據本發明，基板處理裝置於第1處理殼體中具備處理部，且具備對處理部供給第1流體之第1供給部、及對處理部供給第2流體之第2供給部。第1供給部於自第1處理殼體之正側面觀察時，配置於處理部之一側方，第2供給部於自第1處理殼體之正側面觀察時配置於處理部之另一側方。因此，並未在位於正側面之相反側且難以進出之背側面配置第1供給部或第2供給部。其結果，第1供給部及第2供給部均可容易地自正側面進出，故而能提高維護性。又，第1供給部及第2供給部可縮短配管長度。
又，於本發明中，較佳為，上述第1供給部具備：第1噴嘴，其對載置於上述載置部之基板供給上述第1流體；及第1流體供給部，其對上述第1噴嘴供給上述第1流體；上述第2供給部具備：第2噴嘴，其對載置於上述載置部之基板供給上述第2流體；及第2流體供給部，其對上述第2噴嘴供給上述第2流體。
第1噴嘴及第1流體供給部於自第1處理殼體之正側面觀察時配置於處理部之一側方。第2噴嘴及第2流體供給部於自第1處理殼體之正側面觀察時配置於處理部之另一側方。因此，第1噴嘴及第1流體供給部、與第2噴嘴及第2流體供給部均可容易地自正側面進出，故而能提高維護性。
又，於本發明中，較佳為，上述第1噴嘴具備：基端部，其自上述第1流體供給部被供給上述第1流體；噴出部，其與上述基端部連通連接；及臂，其將上述基端部與上述噴出部連結；且上述基端部配置於較上述載置部更靠上述第1流體供給部側，上述噴出部以上述基端部為中心，在位於上述載置部上方之供給位置與離開上述載置部之待機位置之間擺動，上述第2噴嘴具備：基端部，其自上述第2流體供給部被供給上述第2流體；噴出部，其與上述基端部連通連接；及臂，其將上述基端部與上述噴出部連結；且上述基端部配置於較上述載置部更靠上述第2流體供給部側，上述噴出部以上述基端部為中心，在位於上述載置部上方之供給位置與離開上述載置部之待機位置之間擺動。
第1噴嘴之基端部配置於較載置部更靠第1流體供給部側。第2噴嘴之基端部配置於較載置部更靠第2流體供給部側。因此，可將第1流體供給部與第1噴嘴之基端部於正側面側連通連接。又，可將第2流體供給部與第2噴嘴之基端部於正側面側連通連接。其結果，能縮短連通連接之距離，因此能提高維護性。
又，於本發明中，較佳為，上述第1流體與上述第2流體為不同之流體。
第1流體例如為有機溶劑、酸性溶液、鹼性溶液及惰性氣體中之任一種。第2流體為與第1流體不同之流體。由於可對處理部供給不同之流體，故而能進行各種處理。
又，於本發明中，較佳為，上述第1流體及上述第2流體為液體。
第1流體及第2流體例如為有機溶劑、酸性溶液或鹼性溶液。
又，於本發明中，較佳為，上述第1流體供給部具備：第1流體貯存部，其貯存上述第1流體，且具備輸出上述第1流體之輸送部及供上述第1流體回流之回流部；供給管，其與上述第1流體貯存部之上述輸送部連通連接；回收管，其與上述第1流體貯存部之上述回流部連通連接；回收部，其設置於上述待機位置，回收自上述第1噴嘴供給之上述第1流體；排出管，其與上述回收部連通連接，將由上述回收部回收之上述第1流體排出；供給分支管，其一端部與上述供給管連通連接，另一端部與上述基端部連通連接；流量計，其測量上述供給分支管中之上述第1流體之流量；流量調整閥，其設置於較上述流量計更靠上述供給分支管之上述基端部側，操控上述供給分支管中之上述第1流體之流量；及供給控制閥，其用於自上述噴嘴供給及停止供給經上述流量調整閥調整之上述第1流體。
第1流體供給部具備第1流體貯存部、與該輸送部連通連接之供給管、自供給管分支且與基端部連通連接之供給分支管、流量計、流量調整閥及供給控制閥。因此，可一面利用流量調整閥操控流量並利用流量計監視流量，一面利用供給控制閥操控第1流體自噴嘴之供給及停止。
又，於本發明中，較佳為，上述流量調整閥配置於上述第1處理殼體之靠近上述正側面之位置。
流量調整閥配置於第1處理殼體之靠近正側面之位置。因此，可容易地進行流量調整閥之維護。
又，於本發明中，較佳為，上述第1流體供給部進而具備：回流配管，其一端側連通連接於上述供給分支管中之上述供給控制閥與上述流量調整閥之間，另一端側與上述回收管連通連接；及回流開關閥，其設置於上述回流配管，容許及阻斷上述第1流體於上述回流配管中流通；且當上述第1噴嘴位於待機位置時，關閉上述供給控制閥，打開上述回流開關閥，使上述第1流體經由上述回流配管回流至上述第1流體貯存部，而使上述第1流體循環。
若第1流體長時間滯留於配管路徑中，則有污物積存於第1流體中或配管之成分溶出而使品質下降之情況。當第1噴嘴位於待機位置時，關閉供給控制閥，打開回流開關閥，使第1流體經由回流配管回流至第1流體貯存部，而使第1流體循環。因此，第1流體不會長時間滯留於配管路徑中。其結果，能抑制第1流體之品質下降，故而能高清潔度地對基板進行處理。
又，於本發明中，較佳為具備：第1手動開關閥，其設置於上述供給分支管，以手動之方式容許及阻斷上述第1流體於上述供給分支管中流通；及第2手動開關閥，其設置於上述回流配管，以手動之方式容許及阻斷上述第1流體於上述回流配管中流通。
藉由手動操控第1手動開關閥及第2手動開關閥來進行阻斷，可將第1噴嘴自供給管分離。因此，可於不停止自第1流體貯存部之供給之情況下，進行第1噴嘴之維護。
又，於本發明中，較佳為，上述第1流體為有機溶劑，上述流量計及上述流量調整閥收容於將氣體氛圍自周圍遮蔽之遮蔽容器中，上述遮蔽容器之內部被排氣。
設置於供給分支管之流量計及流量調整閥可能成為有機溶劑揮發而成之氣體之點火源。因此，將流量計及流量調整閥收容於遮蔽容器中，並將內部排氣，故而能防止有機溶劑揮發而成之氣體滯留於遮蔽容器中。因此，能構成防爆構造，從而能安全地進行處理。
又，於本發明中，較佳為，上述第1手動開關閥及上述第2手動開關閥配置於上述第1處理殼體之靠近上述正側面之位置。
第1手動開關閥及第2手動開關閥係為了進行維護而對供給分支管及回流配管之流通進行操控。因此，將第1手動開關閥及第2手動開關閥配置於第1處理殼體之靠近正側面之位置，故而能於維護時容易地進行操控。
又，於本發明中，較佳為，上述第1噴嘴及上述第2噴嘴之上述基端部配置於上述第1處理殼體之靠近上述正側面之位置。
基端部被供給第1流體或第2流體。因此，由於將基端部配置於第1處理殼體之靠近正側面之位置，故而能使與第1流體或第2流體之供給相關之維護變得容易。
又，於本發明中，較佳為，與上述第1供給部鄰接地配置有將來自上述處理部之氣體排出之排氣箱。
與第1供給部鄰接地具備排氣箱。因此，能提高第1處理殼體中第1供給部側之空間之使用效率。
又，於本發明中，較佳為進而具備配置於上述第1處理殼體下方之第2處理殼體，上述第2處理殼體具備：處理部，其設置於上述第2處理殼體之內部，用於藉由流體對載置於載置部之基板進行處理；第1流體供給部，其自上述第2處理殼體之進行維護之正側面觀察時，配置於上述處理部之一側方，對上述處理部供給第1流體；及第2流體供給部，其自上述正側面觀察時，配置於上述處理部之另一側方，對上述處理部供給第2流體。
即便為於第1處理殼體之下方配置有第2處理殼體之多層構成之基板處理裝置，亦未在位於正側面之相反側且難以進出之背側面配置第1供給部或第2供給部。其結果，第1供給部及第2供給部均可容易地自正側面進出，故而能提高維護性。
以下，參照圖式對本發明之實施例進行說明。圖1係表示實施例之基板處理裝置之橫剖視圖。圖2係基板處理裝置之前後方向X之縱剖視圖。
＜基板處理裝置之構成＞ 基板處理裝置1對基板W進行處理。基板W例如為半導體晶圓。基板W係大致圓形之薄平板。
基板處理裝置1具備移載傳送部3及處理區塊5。處理區塊5連接於移載傳送部3。移載傳送部3與處理區塊5沿水平方向排列。移載傳送部3於與處理區塊5之間交接基板W。處理區塊5利用流體對基板W進行處理。流體例如為處理液或處理氣體等。
於本說明書中，為方便起見，將移載傳送部3與處理區塊5排列之水平方向稱為「前後方向X」。將前後方向X上之自處理區塊5朝向移載傳送部3之方向稱為「前方」。將與前方相反之方向稱為「後方」。將與前後方向X正交之水平方向稱為「寬度方向Y」。將「寬度方向Y」之一方向適當地稱為「右方」。將與右方相反之方向稱為「左方」。將相對於水平方向垂直之方向稱為「鉛直方向Z」。於各圖中，作為參考，適當地示出前、後、右、左、上、下。當無須特別區分「前方」、「後方」、「右方」及「左方」時，稱為「側方」。
＜移載傳送部3之構成＞ 移載傳送部3具備複數個載具載置部7。於本實施例中，移載傳送部3具備4個載具載置部7。載具載置部7沿寬度方向Y排列。各載具載置部7分別載置1個載具C。載具C收容複數片基板W。載具C例如為FOUP(front opening unified pod，前開式晶圓傳送盒)。
移載傳送部3具備搬送空間9。搬送空間9配置於載具載置部7之後方。搬送空間9係沿著4個載具載置部7於寬度方向Y上延伸之空間。
移載傳送部3具備1個搬送機構11。搬送機構11設置於搬送空間9。搬送機構11配置於載具載置部7之後方。搬送機構11搬送基板W。搬送機構11能夠對載置於載具載置部4之載具C進出。
搬送機構11具備2個手13a、13b及手驅動部15。手13a、13b各自以水平姿勢支持1片基板W。手驅動部15具備多關節臂，使2個手13a、13b移動。手驅動部15使2個手13a、13b沿前後方向X、寬度方向Y及鉛直方向Z移動。手驅動部15使2個手13a、13b繞鉛直方向Z之軸旋轉。搬送機構11能夠對4個載具載置部4上之各載具C進出。搬送機構11本身被固定，不會沿寬度方向Y移動。只有2個手13a、13b可沿寬度方向Y移動。
＜處理區塊5之構成＞ 參照圖1及圖2。處理區塊5具備例如2個搬送機構17A、17B、及例如24個(複數個)處理單元19。24個處理單元19各自藉由規定之處理液或處理氣體，對由2個搬送機構17A、17B中之一者所搬送之基板W進行規定之處理。24個處理單元19沿著2個搬送機構17A、17B之搬送路徑排列配置。24個處理單元19隔著搬送路徑於寬度方向Y上對向配置，進而沿上下方向積層地配置。對處理區塊5之詳細構成進行說明。
處理區塊5具備搬送空間21A。搬送空間21A配置於寬度方向Y上之處理區塊11之中央部。搬送空間21A沿前後方向X延伸。搬送空間21A之前部與移載傳送部3之搬送空間9相連。
處理區塊5具備基板載置部23A。基板載置部23A設置於搬送空間12A中。基板載置部23A配置於搬送空間12A之前部。移載傳送部3之搬送機構11亦能夠進出基板載置部23A。基板載置部23A載置1片或複數片基板W。
處理區塊5具備搬送機構17A。搬送機構17A設置於搬送空間12A中。搬送機構17A搬送基板W。搬送機構17A能夠進出基板載置部23A。
如圖1所示，處理區塊5具備4個處理單元19A、19B、19C、19D。處理單元19A、19B配置於搬送空間21A之右方。處理單元19A、19B沿著搬送空間21A於前後方向X上排列。處理單元19B配置於處理單元19A之後方。處理單元19C、19D配置於搬送空間21A之左方。處理單元19C、19D沿著搬送空間21A於前後方向X上排列。處理單元19D配置於處理單元19C之後方。2個處理單元19A、19B與2個處理單元19C、19D隔著搬送空間21A對向地配置。
再者，當無須區分處理單元19A、19B、19C、19D時，簡稱為處理單元19。處理單元19對基板W進行處理。
參照圖2。處理區塊5除了具備搬送空間21A以外，進而具備搬送空間21B。搬送空間21B配置於搬送空間21A之下方。搬送空間21B於俯視時與搬送空間21A重疊。搬送空間21B具有與搬送空間21A大致相同之形狀。搬送空間21B亦與移載傳送部3之搬送空間9相連。當無須區分搬送空間21A、21B時，簡稱為搬送空間21。
處理區塊5具備1個間隔壁25。間隔壁25配置於搬送空間21A之下方，且配置於搬送空間21B之上方。間隔壁25具有水平之板形狀。間隔壁25將搬送空間21A與搬送空間21B隔開。
處理區塊5除了具備基板載置部23A以外，進而具備基板載置部23B。基板載置部23B設置於搬送空間21B中。基板載置部23B配置於基板載置部23A之下方。基板載置部23B於俯視時與基板載置部23A重疊。基板載置部23B於俯視時配置於與基板載置部23A相同之位置。基板載置部23B配置於搬送空間21B之前部。移載傳送部3之搬送機構11亦能夠進出基板載置部23B。基板載置部23B載置1片或複數片基板W。
處理區塊5除了具備搬送機構17A以外，進而具備搬送機構17B。搬送機構17B設置於搬送空間21B中。搬送機構17B搬送基板W。搬送機構17B能夠進出基板載置部23B。
搬送機構17B具有與搬送機構17A相同之構造。當無須區分搬送機構17A、17B時，簡稱為搬送機構17。
參照圖1及圖2。各搬送機構17具備手27及手驅動部29。手27以水平姿勢支持1片基板W。手驅動部29與手27連結。手驅動部29使手27沿前後方向X、寬度方向Y及鉛直方向Z移動。手驅動部29使手27繞鉛直方向Z之軸旋轉。
參照圖1～圖5。圖3係圖1之箭頭E-E之縱剖視圖。圖4係表示基板處理裝置之右部之構成之右側視圖。圖5係表示基板處理裝置之左部之構成之左側視圖。
處理區塊5具備6個處理單元19A。6個處理單元19A沿上下方向積層地配置。即，6個處理單元19A沿著鉛直方向Z排成一排。同樣，處理區塊5具備6個處理單元19B、6個處理單元19C及6個處理單元19D。6個處理單元19B、6個處理單元19C及6個處理單元19D分別沿上下方向積層地配置。
圖2所示之上層之搬送機構17A於與上側之12個(4個×上3層)處理單元19之間交接基板W。又，下層之搬送機構17B於與下側之12個(4個×下3層)處理單元19之間交接基板W。再者，搬送機構17能夠進出處理單元19之載置部31。
＜處理單元19之構成＞ 圖6係表示處理單元之橫剖視圖。24個處理單元19分別具備處理部33、第1空間35及第2空間37。再者，於以下說明中，以各處理單元19中配置於圖1中之前方及左方之處理單元19(19C)為例進行說明。
處理部33具備供載置基板W之載置部31。載置部31於保持著基板W之狀態下旋轉。處理部33對由載置部31保持並旋轉之基板W進行處理。第1空間35具備對處理部33供給第1流體之第1供給部41。第1流體例如為有機溶劑。又，第1空間35具備切換複數種排氣之排氣箱43。排氣箱43為了將處理部33內排氣而經由排氣口45與處理部33連通。又，排氣箱43與於上下方向上延伸之3根排氣管44連通。排氣箱43藉由切換動作而僅對3根排氣管44中之任一根進行排氣。排氣箱43於第1空間35中與第1供給部41於寬度方向Y上鄰接而配置。排氣箱43配置於寬度方向Y上之第1供給部41之右方。
第2空間37具備對處理部33供給第2流體之第2供給部45。第2流體例如為鹼性處理液。鹼性處理液例如包含氨水過氧化氫水混合液(SC1)、氨水、氟化銨溶液、及氫氧化四甲基銨(TMAH)中之至少1種。第2空間37具備對處理部33供給第3流體之第3供給部46。第3流體例如為酸性處理液。酸性處理液例如包含氫氟酸(hydrofluoric acid)、鹽酸過氧化氫水混合液、硫酸、硫酸過氧化氫水混合液、硝氟酸(氫氟酸與硝酸之混合液)及鹽酸中之至少1種。
處理單元19將第1空間35及第2空間37分開配置於處理部33之前後方向X上之前後。因此，可根據用途或種類，分開使用第1空間35與第2空間37。其結果，能提高第1空間35及第2空間37中之處理液或排氣之配管之配置效率。
再者，上述各處理單元19相當於本發明中之「第1處理殼體」，位於處理單元19下方之處理單元19相當於本發明中之「第2處理殼體」。上述第1供給部41相當於本發明中之「第1流體供給部」，第2供給部45相當於本發明中之「第2流體供給部」。上述第1供給部41及噴嘴51相當於本發明中之「第1供給部」，第2供給部45及噴嘴53相當於本發明中之「第2供給部」。
＜處理部33之構成＞ 首先，對處理部33之構成進行說明。處理部33具有大致箱形狀。處理部33於俯視、前視及側視時具有大致矩形形狀。
參照圖3～圖5。6個處理單元19A之6個處理部33相互積層。同樣，6個處理單元19B之6個處理部33相互積層。6個處理單元19C之6個處理部33相互積層。6個處理單元19D之6個處理部33相互積層。各處理部33與搬送空間21鄰接。
參照圖6。圖6係表示處理單元之橫剖視圖。
各處理部33具備4個側壁47a、47b、47c、47d及底板47f。側壁47a～47d分別為大致垂直之板形狀。底板47f具有大致水平之板形狀。由側壁47a～47d及底板47f劃分出處理部33。側壁47a、47c沿前後方向X延伸。側壁47c設置於側壁47a之相反側。側壁47b、47d沿寬度方向Y延伸。側壁47b、47d分別自側壁47a延伸至側壁47c。側壁47d設置於側壁47b之相反側。
上述構成之處理單元19係自側壁47c側進行裝置之維護。亦即，側壁47c之面相當於本發明中之「正側面」。於以下說明中，利用符號MS記載正側面。
處理部33具有基板搬送口39。基板搬送口39形成於側壁47a。基板W能夠通過基板搬送口39。基板W通過基板搬送口37於處理部33之外部與處理部33之內部之間移動。各處理單元19具備未圖示之擋板。擋板安裝於側壁47a。擋板將基板搬送口39開啟及關閉。
處理部33具備載置部31。載置部31設置於處理部33之內部。載置部31以水平姿勢保持1片基板W。載置部31用上表面來載置基板W。載置部31例如可藉由真空吸附來保持基板W之下表面。又，載置部31亦可具備旋轉基座、及豎立於旋轉基座上之3個以上之保持銷。於此情形時，3個以上之保持銷使旋轉基座與基板W之間具有間隙，並且為了保持基板W而夾住基板W之側面。再者，圖1中，用虛線表示載置於載置部31上之基板W。載置部31藉由未圖示之電動馬達等旋轉驅動構件，而繞鉛直方向Z之旋轉軸進行旋轉驅動。載置部31之周圍被防護罩49包圍。防護罩49防止處理液自載置於載置部31上之基板W向周圍飛散。
如圖6所示，處理部33例如具備3根噴嘴51、53、55。噴嘴51具備基端部51a、噴出部51b及臂51c。基端部51a自第1供給部41被供給第1流體。基端部51a與第1供給部41之側方鄰接而配置。噴出部51b與基端部51a連通連接。臂51c將基端部51a與噴出部51b連結。基端部51a保持臂51c使其能夠擺動。基端部51a藉由未圖示之驅動構件而繞鉛直方向Z之軸芯擺動。噴嘴51於待機狀態下，以臂51c沿著側壁47b之方式定位。噴嘴51於待機狀態下，位於噴出部51b向側方離開載置部31之待機位置。噴嘴51於供給狀態下，位於噴出部51b處於載置部31上方之供給位置。
噴嘴53具備基端部53a、噴出部53b及臂53c。基端部53a自第2供給部45被供給第2流體。基端部53a與第2供給部45之側方鄰接而配置。噴出部53b與基端部53a連通連接。臂53c將基端部53a與噴出部53b連結。基端部53a保持臂53c使其能夠擺動。基端部53a藉由未圖示之驅動構件而繞鉛直方向Z之軸芯旋轉。噴嘴53於待機狀態下，如圖6所示以臂53c沿著側壁47c之方式定位。噴嘴53於待機狀態下，如圖6所示位於噴出部53b向側方離開載置部31之待機位置。噴嘴53於供給狀態下，位於噴出部53b處於載置部31上方之供給位置。
噴嘴55具備基端部55a、噴出部55b及臂55c。基端部55a自第3供給部46被供給第3流體。基端部55a與第2供給部45及第3供給部46之側方鄰接而配置。噴出部55b與基端部55a連通連接。臂55c將基端部55a與噴出部55b連結。基端部55a保持臂55c使其能夠擺動。基端部55a藉由未圖示之驅動構件而繞鉛直方向Z之軸芯旋轉。噴嘴55於待機狀態下，以臂55c沿著側壁47d之方式定位。噴嘴55於待機狀態下，位於噴出部55b向側方離開載置部31之待機位置。噴嘴55於供給狀態下，位於噴出部55b處於載置部31上方之供給位置。
基端部51a、53a、55a配置於與載置部31相比於寬度方向Y上更靠近側壁47c之位置。亦即，基端部51a、53a、55a配置於與載置部31相比更靠近正側面MS之位置。又，自正側面MS觀察時，各基端部51a、53a、55a配置於雖然局部重疊但不完全重疊之位置。換言之，各基端部51a、53a、55a中供配管等插通之中心部於自正側面MS觀察時不重疊。因此，下述各基端部51a、53a、55a之配管等不會配置於自正側面MS觀察時於前後方向X上重疊之位置。因此，各基端部51a、53a、55a之配管等不會於維護時變得難以視認。
處理部33中，於各噴嘴51、53、55處於待機位置之狀態下，於各噴出部51b、53b、55b之下方具備待機盒57。待機盒57回收自各噴嘴51、53、55之噴出部51b、53b、55b空噴出之流體等。
於本實施例中，將基端部51a、53a、55a設為上述配置，故而可縮短連自對應之第1供給部41、第2供給部45、第3供給部46之配管。藉此，如下所述之循環配管(供給管67、回流配管79)亦可縮短配管長度。其結果，於將該等配管設為溫度調節對象時，能穩定地進行調溫。又，能減少在供給至製品之前對待機盒57預分配之量，故而能抑制處理液之消耗。
再者，上述之噴嘴51相當於本發明中之「第1噴嘴」，噴嘴53相當於本發明中之「第2噴嘴」。
＜第1供給部41＞ 參照圖6及圖7。圖7係表示第1供給部之供給系統之模式圖。再者，圖7中，為了便於圖示，以包含3個處理單元19之處理部33之構成顯示。如圖4等所示，包含6個處理單元19之處理部33之構成亦為相同之構成。
第1供給部41具備遮蔽容器59。遮蔽容器59將內部之氣體氛圍自周圍遮蔽。遮蔽容器59內部之氣體由惰性氣體予以吹洗。惰性氣體例如為氮氣。自貯存部61向第1供給部41供給第1流體。貯存部61具備罐63及泵65。罐63貯存第1流體。泵65輸出罐63內之第1流體。於罐63之輸送部63a連通連接著供給管67之一端側。泵65配置於供給管67。泵65將罐63之第1流體輸出至供給管67。供給管67之另一端側與罐63之回流部63b連通連接。
於供給管67連通連接有3根供給分支管69之一端側。供給分支管69之另一端側與基端部51a連通連接。供給分支管69之另一端側通過基端部51a與噴出部51b連通連接。供給分支管69自靠近供給管67之位置朝向噴出部51b具備手動開關閥71、流量計73、流量調整閥75及供給控制閥77。
手動開關閥71以手動之方式容許及阻斷供給分支管69中之第1流體之流通。流量計73檢測供給分支管69中之第1流體之流量。流量調整閥75調整供給分支管69中之第1流體之流量。流量計73及流量調整閥75收容於遮蔽容器59中。遮蔽容器59由於將內部之氣體排出，故而能防止第1流體揮發而成之氣體滯留於遮蔽容器59中。因此，能構成防爆構造，從而能安全地進行處理。供給控制閥77操控以利用流量調整閥75設定之流量所進行之第1流體之供給。供給控制閥77操控第1流體自噴出部51b之供給及停止。
供給分支管69中，於供給控制閥77與流量調整閥75之間連通連接有回流配管79之一端側。回流配管79之另一端側經由供給管67之下游側與罐63之回流部63b連通連接。回流配管79具備回流開關閥81及手動開關閥83。回流開關閥81配置於回流配管79中靠近供給控制閥77之側。手動開關閥71、83及流量調整閥75配置於自處理單元19之正側面MS(側壁47c側)進行維護時作業人員能夠進出之位置，亦即靠近正側面MS之位置。供給分支管69自供給管67向基端部51a之配置較佳為設定為靠近正側面MS。此處所謂之靠近正側面MS之位置係指作業人員能夠將手自側壁47c側伸向基板搬送口39側來操控之距離。
於待機盒57連通連接有排出管85之一端側。排出管85之另一端側與未圖示之排液處理部連通連接。待機盒57於噴嘴51位於待機位置時，回收自噴出部51b排出之第1流體。由待機盒57回收之第1流體通過排出管85排出。
上述流量調整閥75、供給控制閥77及回流開關閥81係由控制部87利用電信號而電操控開啟及關閉。控制部87包含CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或記憶體等。控制部87亦進行上述載置部31之旋轉、或來自第2供給部45及第3供給部46之第2流體及第3流體之供給。控制部87亦進行上述搬送機構11、17等之控制。
再者，上述罐63相當於本發明中之「第1流體貯存部」，回流配管79相當於本發明中之「回收管」。又，手動開關閥71相當於本發明中之「第1手動開關閥」，手動開關閥83相當於本發明中之「第2手動開關閥」。上述待機盒57相當於本發明中之「回收部」。
＜第2供給部45及第3供給部46＞ 第2供給部45及第3供給部46係將上述第1供給部41省略回流配管79之構成而成。因此，省略關於第2供給部45及第3供給部46之詳細說明。再者，第2供給部45及第3供給部46同樣亦可採用與第1供給部41相同之構成。第2供給部45及第3供給部46個別地利用間隔壁進行分隔。但，亦可省略該等間隔壁，而將第2供給部45與第3供給部46配置於同一空間。
＜第1供給部41之動作例＞ 參照圖8～圖10。圖8係表示第1供給部處於待機狀態之情形之模式圖。圖9係表示自第1供給部供給第1流體之情形之模式圖。圖10係表示維護第1供給部之供給系統之情形之模式圖。再者，於該等圖中，以黑色來描繪關閉之閥，以白色來描繪打開之閥。
＜待機狀態＞ 如圖8所示，於第1供給部41為待機狀態之情形時，供給控制閥77關閉。手動開關閥71, 83、流量調整閥75及回流開關閥81打開。因此，自供給管67供給之第1流體會自供給分支管69通過回流配管79回流至罐63中。因此，第1流體不會滯留於供給管67及供給分支管69中。又，於需要對第1流體進行調溫之情形時，只要預先於該循環路徑中配置調溫機構，一面使第1流體循環，一面向目標溫度進行調溫即可。
於第1流體例如為異丙醇(IPA)之情形時，若長時間滯留於供給管67及供給分支管69中，則有污物積存於異丙醇中或配管之成分溶出而使異丙醇之品質下降之情況。因此，於噴嘴51位於待機位置時，較佳為如上所述般使異丙醇循環。藉此，異丙醇不會長時間滯留於供給管67及供給分支管69中。其結果，能抑制異丙醇之品質下降，故而能高清潔度地對基板W進行處理。
＜供給狀態＞ 如圖9所示，於自第1供給部41供給第1流體之情形時，回流開關閥81關閉。手動開關閥71, 83、流量調整閥75及供給控制閥77打開。因此，自供給管67供給之第1流體通過供給分支管69以經流量調整閥75調整之流量自噴出部51b向基板W噴出。
＜維護狀態＞ 如圖10所示，於進行第1供給部41之供給系統之維護之情形時，自基板處理裝置1之未圖示之操控盤來指示維護。詳細而言，指示對24個處理單元19中之哪一個進行維護。於此情形時，指示數可為一個，亦可為複數個。如此一來，控制部87將成為維護對象之處理單元19中之供給控制閥77及回流控制閥81關閉。其後，作業人員自基板處理裝置1之正側面MS進行作業，以手動之方式關閉手動開關閥71、83。於該狀態下進行第1供給部41之供給系統之維護。於此狀態下，成為維護對象之第1供給部41中，較手動開關閥71更靠噴出部51b之方向上之第1流體之流通被阻斷。因此，可對較手動開關閥71更靠噴出部51b側之供給分支管69、至手動開關閥83為止之回流配管79等配管、以及流量計73、流量調整閥75、噴嘴51進行維護作業。
又，於該維護狀態下，成為維護對象之處理單元19中之第1流體之流通被阻斷。因此，未成為維護對象之其他處理單元19可繼續進行對基板W之處理。其結果，儘管進行與處理單元19中之第1供給部41相關之維護，但能抑制基板處理裝置1之產能下降。
於上述基板處理裝置1中，如圖6所示，對載置於處理單元19之基板W例如自第3供給部46供給酸系處理液作為第3流體來進行處理。於此情形時，例如，使排氣箱43進行切換動作，而將排氣輸送至3個排氣管44中最靠近基板搬送口39之排氣管44。又，自第2供給部45供給鹼系處理液作為第2流體來進行處理。於此情形時，例如，使排氣箱43進行切換作動，而將排氣輸送至3個排氣管44中位於左右方向之中央之排氣管44。進而，自第1供給部41供給有機溶劑作為第1流體來進行處理。於此情形時，例如，使排氣箱43進行切換動作，而將排氣輸送至3個排氣管44中最靠近正側面MS之排氣管44。如此，根據處理液之種類來切換3個排氣管44。因此，能抑制包含不同處理液之霧之排氣彼此混合。
根據本實施例，基板處理裝置1於處理單元19中具備處理部33，且具備對處理部33供給第1流體之第1供給部41、對處理部33供給第2流體之第2供給部45、及對處理部33供給第3流體之第3供給部46。第1供給部41於自處理單元19之正側面觀察時配置於處理部33之一側方，第2供給部45及第3供給部46於自處理單元19之正側面觀察時配置於處理部33之另一側方。因此，並未將第1供給部41、第2供給部45及第3供給部46配置於位於正側面MS之相反側且於維護時作業人員難以進出之背側面。其結果，第1供給部41、第2供給部45及第3供給部46均可容易地自正側面MS進出，故而能提高維護性。又，第1供給部41、第2供給部45及第3供給部46可縮短配管長度。
本發明並不限定於上述實施方式，可如下所述變化實施。
(1)於上述實施例中，以具備第1供給部41、第2供給部45及第3供給部46這3個供給部之基板處理裝置1為例進行了說明。但，本發明並不限定於此種構成。亦即，本發明只要將如第1供給部41與第2供給部45、或第1供給部41與第3供給部46般之至少2個供給部中之一者自正側面MS觀察時配置於一側方，將另一者自正側面MS觀察時配置於另一側方即可。
(2)於上述實施例中，第1流體為有機系處理液，第2流體為鹼系處理液，第3流體為酸系處理液。但，本發明並不限定於此種處理液。又，亦無須使各流體不同，亦可為相同之流體。進而，流體並不限定於液體，亦可為氣體。
(3)於上述實施例中，流量調整閥75配置於靠近正側面MS之位置，但本發明並非必須設為此種配置。
(4)於上述實施例中，設為具備回流配管79而可使第1流體循環之構成。但，本發明並非必須設為該構成。藉此，可省略循環路徑，故而能抑制成本。
(5)於上述實施例中，具備手動開關閥71、83，但本發明並非必須具備該等開關閥71、83。
(6)於上述實施例中，利用遮蔽容器59而採用防爆構造。但，根據流體之種類，有時無須利用遮蔽容器59設為防爆構造。
(7)於上述實施例中，手動開關閥71、83及流量調整閥75配置於靠近正側面MS之位置。但，本發明並非必須設為此種配置。
(8)於上述實施例中，將排氣箱43配置於與第1供給部41鄰接之位置。但，本發明並非必須設為此種配置。
(9)於上述實施例中，處理單元19沿鉛直方向Z呈多層地積層配置。但，本發明並非必須設為此種積層配置。
(10)於上述實施例中，搬送機構11於寬度方向Y上之位置固定。但，本發明並不限定於此種構成。亦即，亦可設為搬送機構11沿寬度方向Y移動之構成。
(11)於上述實施例中，關於第1供給部41，例示了供給有機溶劑作為第1流體之構成。本發明亦可代替上述構成而設為例如噴出部51b具備筒狀外周面、第1噴射口、第2噴射口及供給噴嘴之構成。第1噴射口係於外周面開口之環狀噴射口。第2噴射口係於較第1噴射口更靠近基板面之位置，於外周面開口之環狀噴射口。供給噴嘴於筒狀之噴出部51b之下表面以面向基板W之方式開口。供給噴嘴噴出有機溶劑。第1噴射口及第2噴射口亦可設為以擴展至基板之周緣部之方式分別呈放射狀地噴射氣體之構成。藉此，來自第1噴射口及第2噴射口之氣體可保護基板免受進行洗淨處理時等到達基板之微粒等異物、或有機溶劑之飛沫或霧之影響，而抑制基板之污染。因此，能高清潔度地處理基板W。 本發明可於不脫離其精神或基本屬性之情況下以其他特定形式實施，因此，應當參考指示本發明之範圍之所附申請專利範圍，而並非前述說明書。
1:基板處理裝置 3:移載傳送部 5:處理區塊 7:載具載置部 9:搬送空間 11:搬送機構 13a,13b:手 15:手驅動部 17A:搬送機構 17B:搬送機構 19:處理單元 19A:處理單元 19B:處理單元 19C:處理單元 19D:處理單元 21A:搬送空間 21B:搬送空間 23A:基板載置部 23B:基板載置部 25:間隔壁 27:手 29:手驅動部 31:載置部 33:處理部 35:第1空間 37:第2空間 39:基板搬送口 41:第1供給部 43:排氣箱 44:排氣管 45:排氣口 45:第2供給部 46:第3供給部 47a:側壁 47b:側壁 47c:側壁 47d:側壁 47f:底板 49:防護罩 51:噴嘴 51a:基端部 51b:噴出部 51c:臂 53:噴嘴 53a:基端部 53b:噴出部 53c:臂 55:噴嘴 55a:基端部 55b:噴出部 55c:臂 57:待機盒 59:遮蔽容器 61:貯存部 63:罐 63a:輸送部 63b:回流部 65:泵 67:供給管 69:供給分支管 71:手動開關閥 73:流量計 75:流量調整閥 77:供給控制閥 79:回流配管 81:回流開關閥 83:手動開關閥 85:排出管 87:控制部 C:載具 MS:正側面 W:基板
為了說明本發明，於圖式中示出了目前較佳之幾種形式，然而，應當理解，本發明不限於所示之精確佈置及機構。
圖1係表示實施例之基板處理裝置之橫剖視圖。 圖2係基板處理裝置之前後方向之縱剖視圖。 圖3係圖1之箭頭E-E之縱剖視圖。 圖4係表示基板處理裝置之右部之構成之右側視圖。 圖5係表示基板處理裝置之左部之構成之左側視圖。 圖6係表示處理單元之橫剖視圖。 圖7係表示第1供給部之供給系統之模式圖。 圖8係表示第1供給部處於待機狀態之情形之模式圖。 圖9係表示自第1供給部供給第1流體之情形之模式圖。 圖10係表示維護第1供給部之供給系統之情形之模式圖。
5:處理區塊
19:處理單元
31:載置部
33:處理部
35:第1空間
37:第2空間
39:基板搬送口
41:第1供給部
43:排氣箱
44:排氣管
45:排氣口
45:第2供給部
46:第3供給部
47a:側壁
47b:側壁
47c:側壁
47d:側壁
47f:底板
49:防護罩
51:噴嘴
51a:基端部
51b:噴出部
51c:臂
53:噴嘴
53a:基端部
53b:噴出部
53c:臂
55:噴嘴
55a:基端部
55b:噴出部
55c:臂
57:待機盒
59:遮蔽容器
MS:正側面
W:基板

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其對基板供給流體而進行處理，上述裝置包含以下要件：第1處理殼體；處理部，其設置於上述第1處理殼體之內部，用於藉由流體對載置於載置部之基板進行處理；第1供給部，其自上述第1處理殼體之進行維護之正側面觀察時，配置於上述處理部之一側方，對上述處理部供給第1流體；及第2供給部，其自上述正側面觀察時配置於上述處理部之另一側方，對上述處理部供給第2流體；上述第1供給部具備：第1噴嘴，其對載置於上述載置部之基板供給上述第1流體；及第1流體供給部，其對上述第1噴嘴供給上述第1流體；且上述第2供給部具備：第2噴嘴，其對載置於上述載置部之基板供給上述第2流體；及第2流體供給部，其對上述第2噴嘴供給上述第2流體；且上述第1噴嘴具備：基端部，其自上述第1流體供給部被供給上述第1流體；噴出部，其與上述基端部連通連接；及臂，其將上述基端部與上述噴出部連結；且上述基端部配置於較上述載置部更靠上述第1流體供給部側，上述噴出部以上述基端部為中心，在位於上述載置部上方之供給位置與離開上述載置部之待機位置之間擺動，且上述第2噴嘴具備：基端部，其自上述第2流體供給部被供給上述第2 流體；噴出部，其與上述基端部連通連接；及臂，其將上述基端部與上述噴出部連結；且上述基端部配置於較上述載置部更靠上述第2流體供給部側，上述噴出部以上述基端部為中心，在位於上述載置部上方之供給位置與離開上述載置部之待機位置之間擺動。
  2. 一種基板處理裝置，其對基板供給流體而進行處理，上述裝置包含以下要件：第1處理殼體；處理部，其設置於上述第1處理殼體之內部，用於藉由流體對載置於載置部之基板進行處理；第1供給部，其自上述第1處理殼體之進行維護之正側面觀察時，配置於上述處理部之一側方，對上述處理部供給第1流體；及第2供給部，其自上述正側面觀察時配置於上述處理部之另一側方，對上述處理部供給第2流體；且與上述第1供給部鄰接地配置有將來自上述處理部之氣體排出之排氣箱。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述第1供給部具備：第1噴嘴，其對載置於上述載置部之基板供給上述第1流體；及第1流體供給部，其對上述第1噴嘴供給上述第1流體；且上述第2供給部具備：第2噴嘴，其對載置於上述載置部之基板供給上述第2流體；及 第2流體供給部，其對上述第2噴嘴供給上述第2流體。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述第1噴嘴具備：基端部，其自上述第1流體供給部被供給上述第1流體；噴出部，其與上述基端部連通連接；及臂，其將上述基端部與上述噴出部連結；且上述基端部配置於較上述載置部更靠上述第1流體供給部側，上述噴出部以上述基端部為中心，在位於上述載置部上方之供給位置與離開上述載置部之待機位置之間擺動，且上述第2噴嘴具備：基端部，其自上述第2流體供給部被供給上述第2流體；噴出部，其與上述基端部連通連接；及臂，其將上述基端部與上述噴出部連結；且上述基端部配置於較上述載置部更靠上述第2流體供給部側，上述噴出部以上述基端部為中心，在位於上述載置部上方之供給位置與離開上述載置部之待機位置之間擺動。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述第1流體與上述第2流體為不同之流體。
  6. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述第1流體與上述第2流體為不同之流體。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述第1流體及上述第2流體為液體。
  8. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述第1流體及上述第2流體為液體。
  9. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述第1流體及上述第2流體為液體。
  10. 如請求項4之基板處理裝置，其中上述第1流體及上述第2流體為液體。
  11. 如請求項1或4之基板處理裝置，其中上述第1流體供給部具備：第1流體貯存部，其貯存上述第1流體，且具備輸出上述第1流體之輸送部及供上述第1流體回流之回流部；供給管，其與上述第1流體貯存部之上述輸送部連通連接；回收管，其與上述第1流體貯存部之上述回流部連通連接；回收部，其設置於上述待機位置，回收自上述第1噴嘴供給之上述第1流體；排出管，其與上述回收部連通連接，將由上述回收部回收之上述第1流體排出；供給分支管，其一端部與上述供給管連通連接，另一端部與上述基端部連通連接；流量計，其測量上述供給分支管中之上述第1流體之流量；流量調整閥，其設置於較上述流量計更靠上述供給分支管之上述基 端部側，操控上述供給分支管中之上述第1流體之流量；及供給控制閥，其用於自上述噴嘴供給及停止供給經上述流量調整閥調整之上述第1流體。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述流量調整閥配置於上述第1處理殼體之靠近上述正側面之位置。
  13. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述第1流體供給部進而具備：回流配管，其一端側連通連接於上述供給分支管中之上述供給控制閥與上述流量調整閥之間，另一端側與上述回收管連通連接；及回流開關閥，其設置於上述回流配管，容許及阻斷上述第1流體於上述回流配管中之流通；且當上述第1噴嘴位於待機位置時，關閉上述供給控制閥，打開上述回流開關閥，使上述第1流體經由上述回流配管回流至上述第1流體貯存部，而使上述第1流體循環。
  14. 如請求項12之基板處理裝置，其中上述第1流體供給部進而具備：回流配管，其一端側連通連接於上述供給分支管中之上述供給控制閥與上述流量調整閥之間，另一端側與上述回收管連通連接；及回流開關閥，其設置於上述回流配管，容許及阻斷上述第1流體於上述回流配管中流通；且 當上述第1噴嘴位於待機位置時，關閉上述供給控制閥，打開上述回流開關閥，使上述第1流體經由上述回流配管回流至上述第1流體貯存部，而使上述第1流體循環。
  15. 如請求項13之基板處理裝置，其具備：第1手動開關閥，其設置於上述供給分支管，以手動之方式容許及阻斷上述第1流體於上述供給分支管中流通；及第2手動開關閥，其設置於上述回流配管，以手動之方式容許及阻斷上述第1流體於上述回流配管中流通。
  16. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述第1流體為有機溶劑，上述流量計及上述流量調整閥收容於將氣體氛圍自周圍遮蔽之遮蔽容器中，且上述遮蔽容器之內部被排氣。
  17. 如請求項15之基板處理裝置，其中上述第1手動開關閥及上述第2手動開關閥配置於上述第1處理殼體之靠近上述正側面之位置。
  18. 如請求項1或4之基板處理裝置，其中上述第1噴嘴及上述第2噴嘴之上述基端部配置於上述第1處理殼體之靠近上述正側面之位置。
  19. 如請求項1之基板處理裝置，其中與上述第1供給部鄰接地配置有將來自上述處理部之氣體排出之排氣箱。
  20. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中進而具備配置於上述第1處理殼體下方之第2處理殼體，上述第2處理殼體具備：處理部，其設置於上述第2處理殼體之內部，用於藉由流體對載置於載置部之基板進行處理；第1流體供給部，其自上述第2處理殼體之進行維護之正側面觀察時，配置於上述處理部之一側方，對上述處理部供給第1流體；及第2流體供給部，其自上述正側面觀察時，配置於上述處理部之另一側方，對上述處理部供給第2流體。
TW110137274A 2020-10-29 2021-10-07 基板處理裝置 TWI802038B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020181303A JP7509657B2 (ja) 2020-10-29 2020-10-29 基板処理装置
JP2020-181303 2020-10-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202226412A TW202226412A (zh) 2022-07-01
TWI802038B true TWI802038B (zh) 2023-05-11

Family

ID=81311608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110137274A TWI802038B (zh) 2020-10-29 2021-10-07 基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220134390A1 (zh)
JP (1) JP7509657B2 (zh)
KR (1) KR102689735B1 (zh)
CN (1) CN114429924A (zh)
TW (1) TWI802038B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200924096A (en) * 2007-09-13 2009-06-01 Sokudo Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201507011A (zh) * 2013-05-14 2015-02-16 Shibaura Mechatronics Corp 液供給裝置及基板處理裝置
TW201900285A (zh) * 2017-03-24 2019-01-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TW202013109A (zh) * 2018-09-19 2020-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 處方轉換方法、記憶媒體、處方轉換裝置以及基板處理系統
TW202030774A (zh) * 2018-09-20 2020-08-16 日商斯庫林集團股份有限公司 處方顯示裝置、處方顯示方法以及處方顯示程式

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4767783B2 (ja) * 2006-07-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP5122265B2 (ja) * 2007-10-01 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TWI480937B (zh) * 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5604371B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US9378988B2 (en) * 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
JP5832397B2 (ja) * 2012-06-22 2015-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6281161B2 (ja) 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6491900B2 (ja) * 2015-02-12 2019-03-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10332761B2 (en) * 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6779636B2 (ja) 2016-03-11 2020-11-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6739285B2 (ja) 2016-08-24 2020-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6975630B2 (ja) 2017-02-27 2021-12-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6865626B2 (ja) 2017-04-21 2021-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6921725B2 (ja) 2017-12-04 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 判定方法および基板処理装置
KR102037902B1 (ko) * 2018-11-26 2019-10-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP7326003B2 (ja) * 2019-04-09 2023-08-15 株式会社荏原製作所 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置
JP7546418B2 (ja) * 2020-09-09 2024-09-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200924096A (en) * 2007-09-13 2009-06-01 Sokudo Co Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201507011A (zh) * 2013-05-14 2015-02-16 Shibaura Mechatronics Corp 液供給裝置及基板處理裝置
TW201900285A (zh) * 2017-03-24 2019-01-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
TW202013109A (zh) * 2018-09-19 2020-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 處方轉換方法、記憶媒體、處方轉換裝置以及基板處理系統
TW202030774A (zh) * 2018-09-20 2020-08-16 日商斯庫林集團股份有限公司 處方顯示裝置、處方顯示方法以及處方顯示程式

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022072072A (ja) 2022-05-17
KR20220057458A (ko) 2022-05-09
JP7509657B2 (ja) 2024-07-02
CN114429924A (zh) 2022-05-03
KR102689735B1 (ko) 2024-07-30
US20220134390A1 (en) 2022-05-05
TW202226412A (zh) 2022-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4767783B2 (ja) 液処理装置
TWI623032B (zh) 基板處理裝置
TWI595583B (zh) 基板處理裝置
TWI467686B (zh) 基板處理裝置
CN109417027B (zh) 基板处理装置
TWI672757B (zh) 基板處理裝置
KR100929817B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법
KR101970844B1 (ko) 액 처리 장치
TWI475630B (zh) 基板處理裝置
JP5358366B2 (ja) 基板処理装置及び方法
TWI613749B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US11139192B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate transporting method
KR20070049693A (ko) 기판 가공 장치
JP4005609B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
TWI802038B (zh) 基板處理裝置
KR20140003988A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
TWI769711B (zh) 基板處理裝置
KR100760992B1 (ko) 기판의 위치 전환 장치
JP3966884B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
JP2008109158A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器
JP6404303B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH10247678A (ja) 基板処理装置
KR20240068095A (ko) 기판처리장치
JP2008124502A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法及び電子機器
JP2005142590A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法