TWI613749B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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稻垣幸彥
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斯克林半導體科技有限公司
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    • B05B13/0221—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts
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Abstract

一處理區塊配置於裝載區塊與另一處理區塊之間。一基板由裝載區塊之主搬送機構搬送至一處理區塊之主搬送機構，且由一處理區塊之主搬送機構搬送至第1處理部及熱處理部，而對基板進行處理。處理後之基板由一處理區塊之主搬送機構搬送至裝載區塊之主搬送機構。另一基板由裝載區塊之主搬送機構搬送至副搬送室之副搬送機構，且由副搬送室之副搬送機構搬送至另一處理區塊之主搬送機構。基板由另一處理區塊之主搬送機構搬送至副搬送室之副搬送機構，且由副搬送室之副搬送機構搬送至裝載區塊之主搬送機構。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置(例如參照日本專利特開2011-66049號公報)。
日本專利特開2011-66049號公報中所記載之基板處理裝置包括裝載區塊、以及第1及第2處理區塊。第1及第2處理區塊分別包括第1及第2搬送部。未處理之基板由第1搬送部自裝載區塊搬送至第1處理區塊。於第1處理區塊中，對基板進行第1處理。其後，基板由第1搬送部交接至第2搬送部，且由第2搬送部搬送至第2處理區塊。於第2處理區塊中，對基板進行第2處理。
於日本專利特開2011-66049號公報中所記載之基板處理裝置中，藉由第1及第2搬送部進行上述基板之搬送，而對基板進行各種處理。然而，於利用該基板處理裝置於第1及第2處理區塊中進行相互不同之獨立之處理之情形時，第2處理區塊之產能受到第1處理區塊之產能之限制。
本發明之目的在於提供一種可提昇產能之基板處理裝置及基板處理方法。
(1)本發明之一態樣之基板處理裝置包括第1、第2及第3處理區域、以及副搬送區域，第2處理區域配置於第1處理區域與第3處理區域之間，第1處理區域包括搬送基板之第1主搬送機構，第2處理區域包括對基板進行處理之第1處理部、及搬送基板之第2主搬送機構，第3處理區域包括搬送基板之第3主搬送機構，副搬送區域包括搬送基板之副搬送機構，第2主搬送機構係以於第1主搬送機構與第1處理部之間搬送基板之方式構成，副搬送機構係以將基板自第1主搬送機構搬送至第3主搬送機構並且將基板自第3主搬送機構搬送至第1主搬送機構之方式構成。
於該基板處理裝置中，第2處理區域配置於第1處理區域與第3處理區域之間。一基板由第1處理區域之第1主搬送機構搬送至第2處理區域之第2主搬送機構，且由第2主搬送機構搬送至第1處理部。藉由第1處理部對基板進行處理。處理後之基板由第2主搬送機構搬送至第1主搬送機構。
又，另一基板由第1處理區域之第1主搬送機構搬送至副搬送區域之副搬送機構，且由副搬送機構搬送至第3處理區域之第3主搬送機構。進而，基板由第3處理區域之第3主搬送機構搬送至副搬送區域之副搬送機構，且由副搬送機構搬送至第1處理區域之第1主搬送機構。
根據該構成，不使用第2處理區域之第2主搬送機構便可於第1處理區域與第3處理區域之間搬送基板。藉此，可防止第1或第3處理區域中之產能受第2處理區域中之產能之限制。因此，可使基板處理裝置之產能提昇。
(2)亦可第3處理區域進而包括對基板進行處理之第2處理部，第3主搬送機構係以於副搬送機構與第2處理部之間搬送基板之方式構 成。
根據此種構成，可於第2處理區域之第1處理部及第3處理區域之第2處理部，分別並列地對基板進行獨立之處理。於該情形時，第2主搬送機構與第3主搬送機構可進行同一或類似之搬送動作。藉此，可抑制對第2及第3主搬送機構之基板搬送動作之控制複雜化。因此，可使控制第2及第3主搬送機構之軟體簡化。
(3)基板處理裝置亦可進而包括：第1基板載置部，其暫時載置於第1主搬送機構與副搬送機構之間搬送之基板；及第2基板載置部，其暫時載置於第3主搬送機構與副搬送機構之間搬送之基板。
於該情形時，經由第1基板載置部而於第1主搬送機構與副搬送機構之間搬送基板。又，經由第2基板載置部而於副搬送機構與第3主搬送機構之間搬送基板。藉此，即便於第1主搬送機構與副搬送機構之搬送速度不同之情形時，亦可於第1主搬送機構與副搬送機構之間確實地搬送基板。又，即便於副搬送機構與第3主搬送機構之搬送速度不同之情形時，亦可於副搬送機構與第3主搬送機構之間確實地搬送基板。
(4)亦可第1處理部包括對基板進行使用處理液之處理之第1液體處理單元、及對基板進行熱處理之第1熱處理單元，第2處理部包括對基板進行使用處理液之處理之第2液體處理單元、及對基板進行熱處理之第2熱處理單元，第2處理區域包括配置有第1液體處理單元之第1液體處理區域、配置有第1熱處理單元之第1熱處理區域、及配置有第2主搬送機構之第1主搬送區域，第3處理區域包括配置有第2液體處理單元之第2液體處理區域、配置有第2熱處理單元之第2熱處理區域、及配置有第3主搬送機構之第2主搬送區域，第1及第2液體處理區域係以於第1方向上相鄰之方式配置，第1及第2熱處理區域係以於第1方向上相鄰之方式配置，第1及第2主搬送區域係以於第1方向上相鄰之方 式配置，第1主搬送區域於與第1方向交叉之第2方向上配置於第1液體處理區域與第1熱處理區域之間，第2主搬送區域於第2方向配置於第2液體處理區域與第2熱處理區域之間，副搬送區域係在關於第1及第2熱處理區域而與第1及第2主搬送區域相反之側，以沿第1方向延伸之方式設置，第1基板載置部配置於第1主搬送區域與副搬送區域之間，第2基板載置部配置於第2主搬送區域與副搬送區域之間。
於該情形時，利用簡單之構成，藉由第1主搬送區域之第2主搬送機構將基板搬送至第1液體處理區域之第1液體處理單元及第1熱處理區域之第1熱處理單元。
又，利用簡單之構成，經由第1基板載置部而於第1主搬送機構與副搬送機構之間搬送基板，並且經由第2基板載置部而於副搬送機構與第2主搬送區域之第3主搬送機構之間搬送基板。進而，利用簡單之構成，藉由第3主搬送機構將基板搬送至第2液體處理區域之第2液體處理單元及第2熱處理區域之第2熱處理單元。
藉此，可於第2處理區域及第3處理區域中分別對基板獨立且並列地進行液體處理及熱處理。因此，可使基板處理裝置之產能提昇，而不使基板處理裝置之構成及控制複雜化。
(5)亦可第1處理部包括：第1下部處理部；及第1上部處理部，其配置於第1下部處理部之上方；第2主搬送機構包括：第1下部主搬送機構，其對第1下部處理部進行基板之搬入或搬出；及第1上部主搬送機構，其配置於第1下部主搬送機構之上方，且對第1上部處理部進行基板之搬入或搬出；第2處理部包括：第2下部處理部；及第2上部處理部，其配置於第2下部處理部之上方；第3主搬送機構包括：第2下部主搬送機構，其對第2下部處理部進行基板之搬入或搬出；及第2上部主搬送機構，其配置於第2下部主搬送機構之上方，且對第2上部處理部進行基板之搬入或搬出；副搬送機構包括：第1副搬送機構，其 以將基板自第1主搬送機構搬送至第2下部主搬送機構並且將基板自第2下部主搬送機構搬送至第1主搬送機構之方式構成；及第2副搬送機構，其以將基板自第1主搬送機構搬送至第2上部主搬送機構並且將基板自第2上部主搬送機構搬送至第1主搬送機構之方式構成；且第1副搬送機構係構成為可將基板自第1主搬送機構搬送至第2上部主搬送機構，並且構成為可將基板自第2上部主搬送機構搬送至第1主搬送機構，第2副搬送機構係構成為可將基板自第1主搬送機構搬送至第2下部主搬送機構，並且構成為可將基板自第2下部主搬送機構搬送至第1主搬送機構。
於該情形時，於第2處理區域中，藉由第1下部主搬送機構將基板搬入至第1下部處理部，且將基板自第1下部處理部搬出。又，於第2處理區域中，藉由第1上部主搬送機構將基板搬入至第1上部處理部，且將基板自第1上部處理部搬出。又，藉由第1副搬送機構將基板自第1處理區域搬送至第2下部主搬送機構，於第3處理區域中，藉由第2下部主搬送機構將基板搬入至第2下部處理部。進而，於第3處理區域中，藉由第2下部主搬送機構將基板自第2下部處理部搬出，且藉由第1副搬送機構將基板搬送至第1處理區域。藉此，可對多片基板並列地進行處理。
又，第1副搬送機構可將基板自第1主搬送機構搬送至第2上部主搬送機構，並且可將基板自第2上部主搬送機構搬送至第1主搬送機構。藉此，即便於第2副搬送機構產生異常之情形時，亦可於第1主搬送機構與第2上部主搬送機構之間進行基板之搬送。進而，即便第2下部處理部或第2下部主搬送機構產生異常之情形時，亦可於第1主搬送機構與第2上部主搬送機構之間進行基板之搬送，藉此，可持續進行基板之處理。
又，第2副搬送機構可將基板自第1主搬送機構搬送至第2下部主 搬送機構，並且可將基板自第2下部主搬送機構搬送至第1主搬送機構。藉此，即便於第1副搬送機構產生異常之情形時，亦可於第1主搬送機構與第2下部主搬送機構之間進行基板之搬送。進而，即便於第2上部處理部或第2上部主搬送機構產生異常之情形時，亦可於第1主搬送機構與第2下部主搬送機構之間進行基板之搬送，藉此，可持續進行基板之處理。
(6)亦可第2處理區域之第1處理部與第3處理區域之第2處理部對基板進行彼此相同之處理。
於該情形時，可藉由同一軟體控制第2及第3主搬送機構。藉此，可使控制第2及第3主搬送機構之軟體簡化。
(7)本發明之另一態樣之基板處理裝置包括第1、第2及第3處理區域、以及副搬送區域，第2處理區域配置於第1處理區域與第3處理區域之間，第1處理區域包括搬送基板之第1主搬送機構，第2處理區域包括對基板進行處理之處理部、及搬送基板之第2主搬送機構，處理部包括複數個處理單元，第3處理區域包括搬送基板之第3主搬送機構，副搬送區域包括搬送基板之副搬送機構，副搬送機構係以於第1主搬送機構與複數個處理單元中之至少一處理單元之間搬送基板之方式構成，第2主搬送機構係以對複數個處理單元中之另一處理單元進行基板之搬入或搬出、於與第1主搬送機構之間進行基板之交接、且於與第3主搬送機構之間進行基板之交接之方式構成。
於該基板處理裝置中，第2處理區域配置於第1處理區域與第3處理區域之間。基板由第1處理區域之第1主搬送機構搬送至副搬送區域之副搬送機構，且由副搬送機構搬送至第2處理區域之處理部之複數個處理單元中之至少一處理單元。藉由一處理單元對基板進行一處理。
一處理後之基板由第2主搬送機構搬入至複數個處理單元中之另 一處理單元。藉由另一處理單元對基板進行另一處理。另一處理後之基板由第2主搬送機構自另一處理單元搬出，且交接至第3處理區域之第3主搬送機構。又，基板由第3主搬送機構交接至第2主搬送機構，且由第2主搬送機構交接至第1主搬送機構。
於該情形時，藉由副搬送機構向第2處理區域之處理部之複數個處理單元中之至少一處理單元進行基板之搬送。因此，第2主搬送機構進行搬送之步驟數減少。藉此，可減輕第2主搬送機構之負擔。其結果，可使基板處理裝置之產能提昇。
(8)基板處理裝置亦可進而包括第1基板載置部，該第1基板載置部暫時載置於第1主搬送機構與副搬送機構之間搬送之基板，並且暫時載置於副搬送機構與第2主搬送機構之間搬送之基板。
於該情形時，經由第1基板載置部而於第1主搬送機構與副搬送機構之間搬送基板。又，經由第1基板載置部而於副搬送機構與第2主搬送機構之間搬送基板。藉此，即便於第1主搬送機構與副搬送機構之搬送速度不同之情形時，亦可於第1主搬送機構與副搬送機構之間確實地搬送基板。又，即便於副搬送機構與第2主搬送機構之搬送速度不同之情形時，亦可於副搬送機構與第2主搬送機構之間確實地搬送基板。
(9)亦可複數個處理單元包括對基板進行使用處理液之處理之液體處理單元、及對基板進行熱處理之熱處理單元，至少一處理單元包括熱處理單元，第2處理區域包括配置有液體處理單元之液體處理區域、配置有熱處理單元之熱處理區域、及配置有第2主搬送機構之主搬送區域，主搬送區域配置於液體處理區域與熱處理區域之間，副搬送區域設置於關於熱處理區域而與主搬送區域相反之側，第1基板載置部配置於主搬送區域與副搬送區域之間。
於該情形時，利用簡單之構成，藉由主搬送區域之第2主搬送機 構而將基板搬送至第1液體處理區域及熱處理區域。藉此，可對基板進行熱處理作為一處理。又，可對基板進行使用處理液之處理及熱處理作為另一處理。
(10)基板處理裝置亦可進而包括：第2基板載置部，其暫時載置於第1主搬送機構與第2主搬送機構之間交接之基板；及第3基板載置部，其暫時載置於第2主搬送機構與第3主搬送機構之間搬送之基板。
於該情形時，經由第2基板載置部而於第1主搬送機構與第2主搬送機構之間搬送基板。又，經由第3基板載置部而於第2主搬送機構與第3主搬送機構之間搬送基板。藉此，即便於第1主搬送機構與第2主搬送機構之搬送速度不同之情形時，亦可於第1主搬送機構與第2主搬送機構之間確實地搬送基板。又，即便於第2主搬送機構與第3主搬送機構之搬送速度不同之情形時，亦可於第2主搬送機構與第3主搬送機構之間確實地搬送基板。
(11)亦可第1處理區域進而包括載置收納基板之基板收納容器之容器載置部，第1主搬送機構係以於載置於容器載置部之基板收納容器與第2主搬送機構之間搬送基板並且於載置於容器載置部之基板收納容器與副搬送機構之間搬送基板之方式構成。
於該情形時，收納於容器載置部之基板收納容器中之基板由第1主搬送機構依次搬送至第2主搬送機構或副搬送機構。又，由第2主搬送機構或副搬送機構搬送至第1主搬送機構之基板依次收納於容器載置部之基板收納容器。藉此，可對複數個基板高效率地進行處理。
(12)基板處理裝置亦可進而包括以鄰接於第3處理區域之方式配置之第4處理區域，第4處理區域包括搬送基板之第4主搬送機構，第3主搬送機構係以於副搬送機構、第2處理部與第4主搬送機構之間搬送基板之方式構成。
於該情形時，可藉由第3主搬送機構而於副搬送機構、第2處理 部與第4主搬送機構之間搬送基板。
(13)本發明之進而另一態樣之基板處理方法係使用包括第1、第2及第3處理區域、以及副搬送區域之基板處理裝置者，第2處理區域配置於第1處理區域與第3處理區域之間，且該基板處理方法包括以下步驟：藉由配置於第1處理區域之第1主搬送機構搬送基板；藉由配置於第2處理區域之第2主搬送機構，於第1主搬送機構與第2處理區域之處理部之間搬送基板；藉由處理部對基板進行處理；藉由配置於第3處理區域之第3主搬送機構搬送基板；藉由配置於副搬送區域之副搬送機構將基板自第1主搬送機構搬送至第3主搬送機構；及藉由副搬送機構將基板自第3主搬送機構搬送至第1主搬送機構。
於該基板處理方法中，第2處理區域配置於第1處理區域與第3處理區域之間。一基板由第1處理區域之第1主搬送機構搬送至第2處理區域之第2主搬送機構，且由第2主搬送機構搬送至處理部。藉由處理部對基板進行處理。處理後之基板由第2主搬送機構搬送至第1主搬送機構。
又，另一基板由第1處理區域之第1主搬送機構搬送至副搬送區域之副搬送機構，且由副搬送機構搬送至第3處理區域之第3主搬送機構。進而，基板由第3處理區域之第3主搬送機構搬送至副搬送區域之副搬送機構，且由副搬送機構搬送至第1處理區域之第1主搬送機構。
根據該構成，不使用第2處理區域之第2主搬送機構便可於第1處理區域與第3處理區域之間搬送基板。藉此，可防止第1或第3處理區域中之產能受第2處理區域中之產能之限制。因此，可使基板處理裝置之產能提昇。
(14)本發明之進而另一態樣之基板處理方法係使用包括第1、第2及第3處理區域、以及副搬送區域之基板處理裝置者，第2處理區域配置於第1處理區域與第3處理區域之間，且該基板處理方法包括以下步 驟：藉由配置於第1處理區域之第1主搬送機構搬送基板；藉由配置於第2處理區域之第2主搬送機構，於與第1主搬送機構之間進行基板之交接；藉由配置於第2處理區域之複數個處理單元對基板進行處理；藉由配置於副搬送區域之副搬送機構而於第1主搬送機構與複數個處理單元中之至少一處理單元之間搬送基板，並且於至少一處理單元與第2主搬送機構之間搬送基板；藉由第2主搬送機構而於副搬送機構與複數個處理單元中之另一處理單元之間搬送基板；藉由第2主搬送機構而於與第3主搬送機構之間進行基板之交接；及藉由配置於第3處理區域之第3主搬送機構搬送基板。
於該基板處理方法中，第2處理區域配置於第1處理區域與第3處理區域之間。基板由第1處理區域之第1主搬送機構搬送至副搬送區域之副搬送機構，且由副搬送機構搬送至第2處理區域之處理部之複數個處理單元中之至少一處理單元。藉由一處理單元對基板進行一處理。
一處理後之基板由副搬送機構及第2主搬送機構搬入至複數個處理單元中之另一處理單元。藉由另一處理單元對基板進行另一處理。另一處理後之基板由第2主搬送機構自另一處理單元搬出，且交接至第3處理區域之第3主搬送機構。又，基板由第3主搬送機構交接至第2主搬送機構，且由第2主搬送機構交接至第1主搬送機構。
於該情形時，藉由副搬送機構向第2處理區域之處理部之複數個處理單元中之至少一處理單元進行基板之搬送。因此，第2主搬送機構進行搬送之步驟數減少。藉此，可減輕第2主搬送機構之負擔。其結果，可使基板處理裝置之產能提昇。
11‧‧‧裝載區塊
12、13‧‧‧處理區塊
14‧‧‧傳遞區塊
14A‧‧‧清洗乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
21~24、31~34‧‧‧處理室
25、35‧‧‧旋轉夾頭
27、37‧‧‧護罩
50、60‧‧‧流體箱部
100‧‧‧基板處理裝置
110‧‧‧副搬送室
111‧‧‧載具載置部
112、122、132、163‧‧‧搬送部
113‧‧‧載具
114‧‧‧主控制器
115、127、128、137、138、141、142、146‧‧‧主搬送機構
116‧‧‧手部
117、118‧‧‧副搬送機構
119‧‧‧開口部
121‧‧‧第1處理部
123、133‧‧‧熱處理部
125、135‧‧‧上段搬送室
126、136‧‧‧下段搬送室
131‧‧‧第2處理部
161、162‧‧‧清洗乾燥處理部
301、303‧‧‧上段熱處理部
302、304‧‧‧下段熱處理部
311、312、313、411、412、413、511、512、513‧‧‧導軌
314、414、514‧‧‧移動構件
315‧‧‧旋轉構件
415、515‧‧‧支持構件
CP‧‧‧冷卻單元
EEW‧‧‧邊緣曝光部
H1~H10‧‧‧手部
LC1、LC2‧‧‧現場控制器
PAHP‧‧‧密接強化處理單元
PASS1~PASS17‧‧‧基板載置部
PHP‧‧‧熱處理單元
PN‧‧‧主面板
P-BF1、P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
SD1、SD2‧‧‧清洗乾燥處理單元
W‧‧‧基板
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之模式俯視圖。
圖2係自+Y方向側觀察圖1之第1處理部及第2處理部之圖。
圖3係自-Y方向側觀察圖1之熱處理部之圖。
圖4係自-X方向側觀察圖1之第1處理部、搬送部及熱處理部之圖。
圖5係自-Y方向側觀察搬送部之圖。
圖6係表示主搬送機構之立體圖。
圖7係第1實施形態之基板處理裝置之水平剖面圖。
圖8(a)~(c)係表示副搬送機構之構成之圖。
圖9係本發明之第2實施形態之基板處理裝置之模式俯視圖。
圖10係第2實施形態之基板處理裝置之水平剖面圖。
圖11係自+Y方向側觀察圖9之第1處理部、第2處理部及清洗乾燥處理部之圖。
圖12係自-Y方向側觀察圖9之熱處理部及清洗乾燥處理部之圖。
圖13係自-Y方向側觀察圖9之搬送部之圖。
圖14係表示清洗乾燥處理區塊之內部構成之圖。
圖15係第3實施形態之基板處理裝置之水平剖面圖。
圖16係自+Y方向側觀察圖15之第1處理部、第2處理部及清洗乾燥處理部之圖。
圖17係自-Y方向側觀察圖15之熱處理部及清洗乾燥處理部之圖。
以下，利用圖式對本發明之實施形態之基板處理裝置及基板處理方法進行說明。再者，於以下說明中，基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。
本實施形態中所使用之基板之至少一部分具有圓形之外周部。例如除定位用之切口(定向平面或凹口)以外之外周部具有圓形。
[1]第1實施形態
(1)基板處理裝置之構成
圖1係本發明之第1實施形態之基板處理裝置之模式俯視圖。於圖1及圖2以及之後之特定之圖中，為了使位置關係明確，而標註表示相互正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向於水平面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。再者，將各方向上之箭頭所朝之方向設為+方向，將其相反之方向設為-方向。
如圖1所示，基板處理裝置100包括裝載區塊11及處理區塊12、13。裝載區塊11包括複數個載具載置部111及搬送部112。於各載具載置部111，載置有將複數個基板W分多段收納之載具113。於本實施形態中，採用FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式晶圓盒)作為載具113，但並不限定於此，亦可採用SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械界面)晶圓盒或將收納基板W暴露於外部空氣中之OC(Open Cassette，開放式卡匣)等。
於搬送部112，設置有主控制器114及主搬送機構115。主控制器114控制基板處理裝置100之各種構成要素。主搬送機構115具有用以保持基板W之手部116。主搬送機構115藉由手部116而一面保持基板W一面搬送該基板W。又，如下述之圖5所示，於搬送部112，形成有用以於載具113與主搬送機構115之間交接基板W之開口部119。
於搬送部112之側面，設置有主面板PN。主面板PN連接於主控制器114。使用者可藉由主面板PN而確認基板處理裝置100中之基板W之處理狀況等。於主面板PN之附近，設置有例如包括鍵盤之操作部。使用者可藉由對操作部進行操作，而進行基板處理裝置100之動作設定等。
處理區塊12包括第1處理部121、搬送部122及熱處理部123。於本實施形態中，第1處理部121係塗佈處理部。第1處理部121及熱處理 部123係以夾隔搬送部122而對向之方式設置。於搬送部122與裝載區塊11之間，設置有載置基板W之基板載置部PASS1及下述基板載置部PASS2~PASS4(圖5)。於搬送部122，設置有搬送基板W之主搬送機構127及下述主搬送機構128(圖5)。
處理區塊13包括第2處理部131、搬送部132及熱處理部133。於本實施形態中，第2處理部131係塗佈處理部。第2處理部131及熱處理部133係以夾隔搬送部132而對向之方式設置。於搬送部132與搬送部122之間，設置有載置基板W之基板載置部PASS5及下述基板載置部PASS6~PASS8(圖5)。於搬送部132，設置有搬送基板W之主搬送機構137及下述主搬送機構138(圖5)。
(2)第1處理部及第2處理部之構成
圖2係自+Y方向側觀察圖1之第1處理部121及第2處理部131之圖。如圖2所示，於第1處理部121，分層地設置有4個處理室21、22、23、24。於第2處理部131，分層地設置有4個處理室31、32、33、34。於本實施形態中，處理室21~24、31~34係塗佈處理室。
於各處理室21~24、31~34，設置有複數個旋轉夾頭25、複數個護罩(cup)27及未圖示之複數個處理液噴嘴。於本實施形態中，旋轉夾頭25及護罩27係於各處理室21~24、31~34各設置2個。
各旋轉夾頭25於保持基板W之狀態下由未圖示之驅動裝置(例如電動馬達)進行旋轉驅動。護罩27以包圍旋轉夾頭25之周圍之方式設置。自未圖示之處理液貯存部經過處理液配管而對各處理液噴嘴供給處理液。於本實施形態中，處理液係抗蝕膜用之處理液(抗蝕液)。藉由一面旋轉夾頭25旋轉一面自處理液噴嘴噴出處理液，而將處理液塗佈至旋轉之基板W上。
如圖1及圖2所示，於第1處理部121，以鄰接於第2處理部131之方式設置有流體箱部50。於第2處理部131，以與第1處理部121對向之 方式設置有流體箱部60。於流體箱部50及流體箱部60內，收納有與對處理室21~24、31~34供給處理液以及自處理室21~24、31~34排液及排氣等相關之流體相關機器。流體相關機器包括導管、接頭、閥、流量計、調整器(regulator)、泵及溫度調節器等。
(3)熱處理部之構成
圖3係自-Y方向側觀察圖1之熱處理部123、133之圖。如圖3所示，熱處理部123具有設置於上方之上段熱處理部301及設置於下方之下段熱處理部302。於本實施形態中，於上段熱處理部301，設置有複數個熱處理單元PHP、複數個冷卻單元CP及複數個基板載置部PASS9、PASS10。於下段熱處理部302，設置有複數個熱處理單元PHP、複數個冷卻單元CP及複數個基板載置部PASS11、PASS12。
基板載置部PASS9、PASS10及冷卻單元CP配置於上段熱處理部301之最下部，基板載置部PASS11、PASS12及冷卻單元CP配置於下段熱處理部302之最上部。於熱處理單元PHP中，進行基板W之加熱處理及冷卻處理。於冷卻單元CP中，進行基板W之冷卻處理。
於熱處理部123之最上部設置有現場控制器LC1。現場控制器LC1進行熱處理部123中之熱處理單元PHP及冷卻單元CP之溫度控制。又，現場控制器LC1控制圖2之旋轉夾頭25之動作及對處理液噴嘴之處理液之供給等。進而，現場控制器LC1控制圖1之主搬送機構127之動作。
熱處理部133具有設置於上方之上段熱處理部303及設置於下方之下段熱處理部304。於本實施形態中，於上段熱處理部303，設置有複數個熱處理單元PHP、複數個冷卻單元CP及複數個基板載置部PASS13、PASS14。於下段熱處理部304，設置有複數個熱處理單元PHP、複數個冷卻單元CP及複數個基板載置部PASS15、PASS16。
基板載置部PASS13、PASS14及冷卻單元CP配置於上段熱處理部 303之最下部，基板載置部PASS15、PASS16及冷卻單元CP配置於下段熱處理部304之最上部。
於熱處理部133之最上部，設置有現場控制器LC2。現場控制器LC2進行熱處理部133中之熱處理單元PHP及冷卻單元CP之溫度控制。又，現場控制器LC2控制圖2之旋轉夾頭25之動作及對處理液噴嘴之處理液之供給等。進而，現場控制器LC2控制圖1之主搬送機構137之動作。
於上段熱處理部301、303與下段熱處理部302、304之間設置有副搬送室110。於副搬送室110，設置有2個副搬送機構117、118。副搬送機構117、118受裝載區塊11之主控制器114控制。副搬送室110內之副搬送機構117、118之構成及動作係於下文敍述。
再者，現場控制器LC1、LC2及主控制器114根據控制程式(控制軟體)控制各構成要素。
(4)搬送部之構成
圖4係自-X方向側觀察圖1之第1處理部121、搬送部122及熱處理部123之圖。圖5係自-Y方向側觀察搬送部122、132之圖。如圖4及圖5所示，搬送部122具有上段搬送室125及下段搬送室126。如圖5所示，搬送部132具有上段搬送室135及下段搬送室136。
於上段搬送室125設置有主搬送機構127，於下段搬送室126設置有主搬送機構128。又，於上段搬送室135設置有主搬送機構137，於下段搬送室136設置有主搬送機構138。
如圖4所示，處理室21、22與上段熱處理部301係以夾隔上段搬送室125而對向之方式設置，處理室23、24與下段熱處理部302係以夾隔下段搬送室126而對向之方式設置。同樣地，處理室31、32(圖2)與上段熱處理部303(圖3)係以夾隔上段搬送室135(圖5)而對向之方式設置，處理室33、34(圖2)與下段熱處理部304(圖3)係以夾隔下段搬送室 136(圖5)而對向之方式設置。
如圖5所示，於搬送部112與上段搬送室125之間，設置有基板載置部PASS1、PASS2，於搬送部112與下段搬送室126之間，設置有基板載置部PASS3、PASS4。於上段搬送室125與上段搬送室135之間，設置有基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間，設置有基板載置部PASS7、PASS8。於本實施形態中，亦可視基板W之搬送路徑而不使用基板載置部PASS1~PASS8。
再者，於基板載置部PASS1及基板載置部PASS3，可載置自裝載區塊11向處理區塊12搬送之基板W，於基板載置部PASS2及基板載置部PASS4，可載置自處理區塊12向裝載區塊11搬送之基板W。又，於基板載置部PASS5及基板載置部PASS7，可載置自處理區塊12向處理區塊13搬送之基板W，於基板載置部PASS6及基板載置部PASS8，可載置自處理區塊13向處理區塊12搬送之基板W。
(5)主搬送機構之構成
其次，對主搬送機構127、128、137、138進行說明。圖6係表示主搬送機構127之立體圖。如圖6所示，主搬送機構127包括長條狀之導軌311、312。如圖5所示，導軌311、312係於上段搬送室125內以沿上下方向(Z方向)延伸且於X方向上相互相隔之方式配置。導軌311係於X方向上固定於靠近距搬送部112較近之側面之位置。導軌312係於X方向上固定於靠近距搬送部112較遠之側面之位置。
於導軌311與導軌312之間，以沿水平方向(X方向)延伸之方式設置有長條狀之導軌313。導軌313可上下移動地安裝於導軌311、312。於導軌313安裝有移動構件314。移動構件314係可沿導軌313於X方向上移動地設置。
於移動構件314之上表面，可繞Z方向之軸旋轉地設置有旋轉構件315。於旋轉構件315，安裝有用以保持基板W之手部H1及手部 H2。手部H1、H2係設置成可相對於旋轉構件315進退。主搬送機構128、137、138具有與主搬送機構127相同之構成。
根據如上所述之構成，主搬送機構127、128、137、138之手部H1、H2分別可於上段搬送室125、下段搬送室126、上段搬送室135及下段搬送室136內沿X方向及Z方向移動，並且可繞Z方向之軸旋轉且可進退。
主搬送機構127可利用手部H1、H2對處理室21、22(圖2)、基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、PASS9、PASS10(圖3及圖5)及上段熱處理部301(圖3)進行基板W之交接。主搬送機構128可利用手部H1、H2對處理室23、24(圖2)、基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、PASS11、PASS12(圖3及圖5)及下段熱處理部302(圖3)進行基板W之交接。
主搬送機構137可利用手部H1、H2對處理室31、32(圖2)、基板載置部PASS5、PASS6、PASS13、PASS14(圖3及圖5)及上段熱處理部303(圖3)進行基板W之交接。主搬送機構138可利用手部H1、H2對處理室33、34(圖2)、基板載置部PASS7、PASS8、PASS15、PASS16(圖5)及下段熱處理部304(圖3)進行基板W之交接。
(6)副搬送室及副搬送機構
其次，對副搬送室110之構成以及副搬送機構117、118之構成及動作進行說明。
圖7係第1實施形態之基板處理裝置100之水平剖面圖。如圖7所示，Y方向上之各冷卻單元CP之長度較圖1之各熱處理單元PHP之長度短。基板載置部PASS9~PASS16之長度大致等於各冷卻單元CP之長度。
如圖4及圖7所示，副搬送室110係設置於由上段熱處理部301、303之複數個熱處理單元PHP之最下表面、下段熱處理部302、304之 複數個熱處理單元PHP之最上表面、熱處理部123、133之背面、複數個冷卻單元CP之背面(與搬送部122相反之側之面)、及基板載置部PASS9~PASS16之背面(與搬送部122相反之側之面)包圍之空間內。副搬送室110係自與裝載區塊11鄰接之處理區塊12之側面延伸至與裝載區塊11相反之側之處理區塊13之側面。
於該情形時，利用簡單之構成，藉由搬送部122之主搬送機構127、128而將基板W搬送至第1處理部121之處理室21~24、熱處理部123之上段熱處理部301或下段熱處理部302。
又，利用簡單之構成，於主搬送機構115與副搬送機構117、118之間搬送基板W，並且於副搬送機構117、118與搬送部132之主搬送機構137、138之間搬送基板W。進而，利用簡單之構成，藉由主搬送機構137、138而將基板W搬送至第2處理部131之處理室31~34、熱處理部133之上段熱處理部303或下段熱處理部304。
藉此，於處理區塊12、13中可分別對基板W獨立且並列地進行處理。因此，可使基板處理裝置100之產能提昇，而不使基板處理裝置100之構成及控制複雜化。
圖8係表示副搬送機構117、118之構成之圖。圖8(a)、(b)、(c)分別係自+Z方向、-Y方向及-X方向觀察副搬送機構117、118之圖。
如圖8所示，副搬送機構117包括長條狀之導軌411、412。導軌411、412係於圖3之副搬送室110內以沿上下方向(Z方向)延伸且於X方向上相互相隔之方式配置。導軌411固定於圖3之搬送部112側之端部且靠近基板載置部PASS9~PASS12之位置。導軌412固定於與搬送部112相反之側之端部且靠近基板載置部PASS13~PASS16之位置。
於導軌411與導軌412之間，以沿水平方向(X方向)延伸之方式設置有長條狀之導軌413。導軌413可上下移動地安裝於導軌411、412。於導軌413安裝有移動構件414。移動構件414係可沿導軌413於X方向 上移動地設置。
於移動構件414之上表面，可上下移動地設置有支持構件415。於支持構件415，可沿水平方向(Y方向)進退地安裝有用以保持基板W之手部H3及手部H4。
副搬送機構118包括長條狀之導軌511、512。導軌511、512係於圖3之副搬送室110內以沿上下方向(Z方向)延伸且於X方向上相互相隔之方式配置。導軌511固定於圖3之搬送部112側之端部且於Y方向上與導軌411相隔之位置。導軌512固定於與搬送部112相反之側之端部且於Y方向上與導軌412相隔之位置。
於導軌511與導軌512之間，以沿水平方向(X方向)延伸之方式設置有長條狀之導軌513。導軌513可上下移動地安裝於導軌511、512。於導軌513安裝有移動構件514。移動構件514係可沿導軌513於X方向上移動地設置。
於移動構件514之上表面，可上下移動地設置有支持構件515。於支持構件515，可沿水平方向(Y方向)進退地安裝有用以保持基板W之手部H3及手部H4。
根據上述構成，副搬送機構117、118之手部H3、H4於圖3之副搬送室110內可沿X方向及Z方向移動，並且可沿Y方向進退。
再者，支持構件415、515亦可分別可繞Z方向之軸旋轉地設置於移動構件414、514。於該情形時，副搬送機構117、118之手部H3、H4可繞Z方向之軸旋轉。
副搬送機構117、118之手部H3、H4可藉由支持構件415、515之上下移動而於微小範圍內沿Z方向移動。又，副搬送機構117、118之手部H3、H4可藉由導軌413、513之上下移動而於副搬送室110內之上端部至下端部之範圍內沿Z方向移動。以下，將利用支持構件415、515之上下移動實現之手部H3、H4之Z方向之移動稱為正常移動，將 利用導軌413、513之上下移動實現之手部H3、H4之Z方向之移動稱為緊急移動。
副搬送機構117於正常情況下係藉由手部H3、H4之X方向之移動及Z方向之正常移動，而對基板載置部PASS9、PASS10、PASS13、PASS14(圖3)進行基板W之交接。又，副搬送機構118於正常情況下係藉由手部H3、H4之X方向之移動及Z方向之正常移動，而對基板載置部PASS11、PASS12、PASS15、PASS16(圖3)進行基板W之交接。
副搬送機構117係於副搬送機構118產生故障等異常之情形時，藉由手部H3、H4之X方向之移動及Z方向之緊急移動，而對基板載置部PASS9~PASS16(圖3)進行基板W之交接。又，副搬送機構118係於副搬送機構117產生故障等異常之情形時，藉由手部H3、H4之X方向之移動及Z方向之緊急移動，而對基板載置部PASS9~PASS16(圖3)進行基板W之交接。
(7)基板處理裝置中之基板之搬送動作之一例
(7-1)概略動作
以下，將於處理區塊12、13中未經處理之基板W稱為未處理之基板W，將於處理區塊12、13中經處理之基板W稱為處理過之基板W。
本例中，如圖7中一點鏈線之箭頭所示，將未處理之基板W自裝載區塊11經過副搬送室110而搬送至處理區塊12，並且將未處理之基板W自裝載區塊11經過副搬送室110而搬送至處理區塊13。又，將處理過之基板W自處理區塊12經過副搬送室110而搬送至裝載區塊11，並且將處理過之基板W自處理區塊13經過副搬送室110而搬送至裝載區塊11。
本例中，經由基板載置部PASS9~PASS12而於主搬送機構115與副搬送機構117、118或主搬送機構127、128之間搬送基板W。藉此，即便於主搬送機構115、副搬送機構117、118及主搬送機構127、128 之搬送時機不同之情形時，亦可於主搬送機構115與副搬送機構117、118或主搬送機構127、128之間確實地搬送基板W。
同樣地，經由基板載置部PASS13~PASS16而於副搬送機構117、118與主搬送機構137、138之間搬送基板W。藉此，即便於副搬送機構117、118及主搬送機構137、138之搬送時機不同之情形時，亦可於副搬送機構117、118與主搬送機構137、138之間確實地搬送基板W。
本例之搬送動作中未使用基板載置部PASS1~PASS8，但亦可使用基板載置部PASS1~PASS8，以於裝載區塊11與處理區塊12之間進行基板W之搬送。
(7-2)裝載區塊中之搬送動作
以下，主要利用圖1、圖3及圖5說明裝載區塊11中之搬送動作。
首先，將收容有未處理之基板W之載具113載置於裝載區塊11之載具載置部111。主搬送機構115自該載具113取出一片基板W，且將該基板W搬送至基板載置部PASS9。其後，主搬送機構115自載具113取出另一片未處理之基板W，且將該基板W搬送至基板載置部PASS11。
當於基板載置部PASS10載置有處理過之基板W之情形時，主搬送機構115將未處理之基板W搬送至基板載置部PASS9後，自基板載置部PASS10取出該處理過之基板W。然後，主搬送機構115將該處理過之基板W搬送至載具113。
同樣地，當於基板載置部PASS12載置有處理過之基板W之情形時，主搬送機構115將未處理之基板W搬送至基板載置部PASS11後，自基板載置部PASS12取出該處理過之基板W。然後，主搬送機構115將該處理過基板W搬送至載具113。
於該情形時，收納於載具載置部111之載具113之基板W由主搬送機構115依次搬送至基板載置部PASS9、PASS11。又，載置於基板載 置部PASS10、PASS12之基板W依次收納於載具載置部111之載具113。藉此，可對複數個基板W高效率地進行處理。
(7-3)副搬送室中之搬送動作
其次，主要利用圖3、圖4及圖7說明副搬送室110中之搬送動作之一例。
副搬送機構117利用手部H3取出載置於基板載置部PASS9之未處理之基板W。又，副搬送機構117將由手部H4保持之處理過之基板W載置至基板載置部PASS10。
其次，副搬送機構117使手部H3、H4自與基板載置部PASS9、PASS10對向之位置移動至與基板載置部PASS13、PASS14對向之位置。副搬送機構117將由手部H3保持之未處理之基板W載置至基板載置部PASS13。又，副搬送機構117利用手部H4自基板載置部PASS14取出處理過之基板W。其後，使手部H3、H4自與基板載置部PASS13、PASS14對向之位置移動至與基板載置部PASS9、PASS10對向之位置，且將由手部H4保持之基板W搬送至基板載置部PASS10。
當副搬送機構117於基板載置部PASS9、PASS10與基板載置部PASS13、PASS14之間搬送基板W時，藉由裝載區塊11之主搬送機構115將未處理之基板W載置至基板載置部PASS9，且藉由處理區塊12之主搬送機構127將其取出。又，藉由處理區塊12之主搬送機構127將處理過之基板W載置至基板載置部PASS10，且藉由裝載區塊11之主搬送機構115將其取出。
副搬送機構118利用手部H3取出載置於基板載置部PASS11之未處理之基板W。又，副搬送機構118將由手部H4保持之處理過之基板W載置至基板載置部PASS12。
其次，副搬送機構118使手部H3、H4自與基板載置部PASS11、PASS12對向之位置移動至與基板載置部PASS15、PASS16對向之位 置。副搬送機構118將由手部H3保持之未處理之基板W載置至基板載置部PASS15。又，副搬送機構118利用手部H4自基板載置部PASS16取出處理過之基板W。其後，使手部H3、H4自與基板載置部PASS15、PASS16對向之位置移動至與基板載置部PASS11、PASS12對向之位置，且將由手部H4保持之基板W搬送至基板載置部PASS12。
當副搬送機構118於基板載置部PASS11、PASS12與基板載置部PASS15、PASS16之間搬送基板W時，藉由裝載區塊11之主搬送機構115將未處理之基板W載置至基板載置部PASS11，且藉由處理區塊12之主搬送機構128將其取出。又，藉由處理區塊12之主搬送機構128將處理過之基板W載置至基板載置部PASS12，且藉由裝載區塊11之主搬送機構115將其取出。
(7-4)處理區塊12中之搬送動作
以下，主要利用圖1、圖2、圖3及圖5對處理區塊12中之搬送動作進行說明。
主搬送機構127利用手部H1取出載置於基板載置部PASS9之未處理之基板W。又，主搬送機構127將由手部H2保持之處理過之基板W載置至基板載置部PASS10。再者，自主搬送機構127載置至基板載置部PASS10之基板W係形成抗蝕膜後之基板W。
其次，主搬送機構127利用手部H2將冷卻處理後之基板W自上段熱處理部301之一冷卻單元CP取出。又，主搬送機構127將由手部H1保持之未處理之基板W搬入至該冷卻單元CP。於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適於抗蝕膜形成處理之溫度。
其次，主搬送機構127利用手部H1將形成抗蝕膜後之基板W自處理室21或處理室22之旋轉夾頭25取出。又，主搬送機構127將由手部H2保持之冷卻處理後之基板W載置至該旋轉夾頭25上。於處理室21、22中，於基板W上形成有抗蝕膜。
其次，主搬送機構127利用手部H2將熱處理後之基板W自上段熱處理部301之一熱處理單元PHP取出。又，主搬送機構127將由手部H1保持之冷卻處理後之基板W搬入至該熱處理單元PHP。於熱處理單元PHP中，連續進行基板W之加熱處理及冷卻處理。
主搬送機構127將自熱處理單元PHP取出之處理過之基板W搬送至基板載置部PASS10。
同樣地，下段搬送室126內之主搬送機構128利用手部H1、H2而於基板載置部PASS11、下段熱處理部302之一冷卻單元CP、處理室23或處理室24、一熱處理單元PHP及基板載置部PASS12之間依次搬送基板W。藉此，將基板W冷卻至適於抗蝕膜形成處理之溫度，於基板W上形成抗蝕膜，且對基板W進行加熱處理及冷卻處理。處理過之基板W被搬送至基板載置部PASS12。
(7-5)處理區塊13中之搬送動作
以下，主要利用圖1、圖2、圖3及圖5對處理區塊13中之搬送動作進行說明。
上段搬送室135內之主搬送機構137利用手部H1、H2而於基板載置部PASS13、上段熱處理部303之一冷卻單元CP、處理室31或處理室32、一熱處理單元PHP及基板載置部PASS14之間依次搬送基板W。藉此，將基板W冷卻至適於抗蝕膜形成處理之溫度，於基板W上形成抗蝕膜，且對基板W進行加熱處理及冷卻處理。處理過之基板W被搬送至基板載置部PASS14。
下段搬送室136內之主搬送機構138利用手部H1、H2而於基板載置部PASS15、下段熱處理部304之一冷卻單元CP、處理室33或處理室34、一熱處理單元PHP及基板載置部PASS16之間依次搬送基板W。藉此，將基板W冷卻至適於抗蝕膜形成處理之溫度，於基板W上形成抗蝕膜，且對基板W進行加熱處理及冷卻處理。處理過之基板W被搬送 至基板載置部PASS16。
(7-6)產生異常時之副搬送室中之搬送動作
其次，主要利用圖3說明產生異常時之搬送動作。
副搬送機構117係於副搬送機構118產生故障等異常之情形時，藉由手部H3、H4之X方向之移動及Z方向之緊急移動，而於基板載置部PASS9、PASS10與基板載置部PASS13、PASS14之間搬送基板W，並且於基板載置部PASS11、PASS12與基板載置部PASS15、PASS16之間搬送基板W。
又，副搬送機構117係於主搬送機構127、128、137、138中之任一者或處理區塊12、13中之任一者產生故障等異常之情形時，進行手部H3、H4之X方向之移動及Z方向之緊急移動。藉此，副搬送機構117可於基板載置部PASS9、PASS10與基板載置部PASS15、PASS16之間搬送基板W，且可於基板載置部PASS11、PASS12與基板載置部PASS13、PASS14之間搬送基板W。其結果，即便於主搬送機構127、128、137、138中之任一者或處理區塊12、13中之任一者產生故障等異常之情形時，亦可持續進行基板W之處理。
同樣地，副搬送機構118係於副搬送機構117產生故障等異常之情形時，藉由手部H3、H4之X方向之移動及Z方向之緊急移動，而於基板載置部PASS9、PASS10與基板載置部PASS13、PASS14之間搬送基板W，並且於基板載置部PASS11、PASS12與基板載置部PASS15、PASS16之間搬送基板W。
又，副搬送機構118係於主搬送機構127、128、137、138中之任一者或處理區塊12、13中之任一者產生故障等異常之情形時，進行手部H3、H4之X方向之移動及Z方向之緊急移動。藉此，副搬送機構118可於基板載置部PASS9、PASS10與基板載置部PASS15、PASS16之間搬送基板W，且可於基板載置部PASS11、PASS12與基板載置部 PASS13、PASS14之間搬送基板W。其結果，即便於主搬送機構127、128、137、138中之任一者或處理區塊12、13中之任一者產生故障等異常之情形時，亦可持續進行基板W之處理。
(8)效果
於本實施形態之基板處理裝置100中，藉由處理區塊12、13，對基板W進行抗蝕膜之形成處理。根據該構成，不使用處理區塊12之主搬送機構127、128便可於裝載區塊11與處理區塊13之間搬送基板W。藉此，可防止裝載區塊11或處理區塊13中之產能受處理區塊12中之產能之限制。因此，可使基板處理裝置100之產能提昇。
又，根據上述構成，主搬送機構127、128與主搬送機構137、138可進行同一或類似之搬送動作。藉此，可抑制對主搬送機構127、128及主搬送機構137、138之基板W搬送動作之控制複雜化。因此，可使控制主搬送機構127、128及主搬送機構137、138之軟體簡化。
[2]第2實施形態
(1)基板處理裝置之構成
關於第2實施形態之基板處理裝置，說明與第1實施形態之基板處理裝置100不同之處。圖9係本發明之第2實施形態之基板處理裝置之模式俯視圖。圖10係第2實施形態之基板處理裝置100之水平剖面圖。於本實施形態中，處理區塊13之構成係第2處理部131為顯影處理部，除此以外，與第1實施形態中之處理區塊13之構成相同。
如圖9及圖10所示，基板處理裝置100進而包括清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B而構成傳遞區塊(interface block)14。以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式配置有曝光裝置15。
清洗乾燥處理區塊14A包括清洗乾燥處理部161、162及搬送部163。清洗乾燥處理部161、162係以夾隔搬送部163而對向之方式設 置。於搬送部163，設置有主搬送機構141、142。於搬送部163與搬送部132之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1及下述載置兼緩衝部P-BF2(圖13)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2構成為可收容複數個基板W。
又，於主搬送機構141、142之間，以鄰接於搬入搬出區塊14B之方式設置有基板載置部PASS17及下述載置兼冷卻部P-CP(圖13)。載置兼冷卻部P-CP具有冷卻基板W之功能(例如冷卻板)。於載置兼冷卻部P-CP，將基板W冷卻至適於曝光處理之溫度。
於搬入搬出區塊14B，設置有主搬送機構146。主搬送機構146對曝光裝置15進行基板W之搬入及搬出。於曝光裝置15，設置有用以搬入基板W之基板搬入部15a及用以搬出基板W之基板搬出部15b。再者，曝光裝置15之基板搬入部15a及基板搬出部15b既可以於水平方向鄰接之方式配置，或亦可上下配置。
根據該等構成，於進行清洗乾燥處理區塊14A、搬入搬出區塊14B及曝光裝置15之維護時，可藉由僅使搬入搬出區塊14B移動而不使清洗乾燥處理區塊14A移動，大幅度地減少作業者之勞力及作業時間。
(2)第1處理部及第2處理部之構成
圖11係自+Y方向側觀察圖9之第1處理部121、第2處理部131及清洗乾燥處理部161之圖。於本實施形態中，處理室31~34係顯影處理室。如圖11所示，於各處理室31~34，設置有複數個旋轉夾頭35、複數個護罩37及未圖示之複數個顯影液噴嘴。於本實施形態中，旋轉夾頭35及護罩37係於各處理室31~34各設置3個。
各旋轉夾頭35於保持基板W之狀態下由未圖示之驅動裝置(例如電動馬達)進行旋轉驅動。護罩37以包圍旋轉夾頭35之周圍之方式設置。藉由一面旋轉夾頭35旋轉一面自顯影液噴嘴噴出顯影液作為處理液，而將顯影液供給至旋轉之基板W上。藉此，進行基板W之顯影處 理。
於清洗乾燥處理部161，設置有複數個(本例中為4個)清洗乾燥處理單元SD1。於清洗乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前之基板W之清洗及乾燥處理。再者，於清洗乾燥處理單元SD1中，亦可使用刷等進行基板W之背面、及基板W之端部(斜面部)之拋光處理。此處，所謂基板W之背面係指與形成電路圖案等各種圖案之基板W之面相反之側之面。
(3)熱處理部之構成
圖12係自-Y方向側觀察圖9之熱處理部123、133及清洗乾燥處理部162之圖。如圖12所示，於本實施形態中，於上段熱處理部303進而設置有邊緣曝光部EEW。又，於下段熱處理部304進而設置有邊緣曝光部EEW。
於邊緣曝光部EEW，進行基板W之周緣部之曝光處理(邊緣曝光處理)。藉由對基板W進行邊緣曝光處理，而於後續之顯影處理時，除去基板W之周緣部上之抗蝕膜。藉此，防止於顯影處理後，於基板W之周緣部與其他部分接觸之情形時，基板W之周緣部上之抗蝕膜剝離而成為微粒。
於清洗乾燥處理部162，設置有複數個(本例中為5個)清洗乾燥處理單元SD2。於清洗乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後之基板W之清洗及乾燥處理。
(4)搬送部之構成
圖13係自-Y方向側觀察圖9之搬送部122、132、163之圖。如圖13所示，於上段搬送室135與搬送部163之間，設置有載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬送室136與搬送部163之間設置有載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163，以與搬入搬出區塊14B鄰接之方式設置有基板載置部PASS17及複數個載置兼冷卻部P-CP。
載置兼緩衝部P-BF1構成為可利用主搬送機構137及主搬送機構141、142(圖9)進行基板W之搬入及搬出。載置兼緩衝部P-BF2構成為可利用主搬送機構138及主搬送機構141、142(圖9)進行基板W之搬入及搬出。又，基板載置部PASS17及載置兼冷卻部P-CP構成為可利用主搬送機構141、142(圖9)及主搬送機構146進行基板W之搬入及搬出。
再者，圖13之例中，僅設置有1個基板載置部PASS17，但亦可上下設置複數個基板載置部PASS17。於該情形時，亦可使用複數個基板載置部PASS17作為用以暫時載置基板W之緩衝部。
於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2，載置自處理區塊13向清洗乾燥處理區塊14A搬送之基板W，於載置兼冷卻部P-CP，載置自清洗乾燥處理區塊14A向搬入搬出區塊14B搬送之基板W，於基板載置部PASS17，載置自搬入搬出區塊14B向清洗乾燥處理區塊14A搬送之基板W。搬入搬出區塊14B之主搬送機構146具有用以保持基板W之手部H9、H10。
(5)清洗乾燥處理區塊之構成
圖14係表示清洗乾燥處理區塊14A之內部構成之圖。再者，圖14係自+X方向側觀察清洗乾燥處理區塊14A之圖。如圖14所示，主搬送機構141具有用以保持基板W之手部H5、H6，主搬送機構142具有用以保持基板W之手部H7、H8。
於主搬送機構141之+Y側，分層地設置有清洗乾燥處理單元SD1，於主搬送機構142之-Y側，分層地設置有清洗乾燥處理單元SD2。於主搬送機構141、142之間，於-X側，上下設置有載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。又，上段熱處理部303及下段熱處理部304之熱處理單元PHP構成為可自清洗乾燥處理區塊14A搬入基板W。
(6)基板處理裝置中之基板之搬送動作之一例
(6-1)概略動作
如圖10中一點鏈線之箭頭所示，本例中，將未處理之基板W自裝載區塊11經過基板載置部PASS1、PASS3而搬送至處理區塊12之搬送部122，將已於處理區塊12中形成抗蝕膜之基板W經過基板載置部PASS2、PASS4而搬送至裝載區塊11。
又，將已形成抗蝕膜之基板W自裝載區塊11經過副搬送室110而搬送至處理區塊13之搬送部132，進而經過載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2而搬送至傳遞區塊14。已於傳遞區塊14中經處理之基板W被搬入至曝光裝置15，利用曝光裝置15進行曝光處理後之基板W被搬出至傳遞區塊14。已於傳遞區塊14中經處理之基板W係經過處理區塊13之上段熱處理部303或下段熱處理部304之熱處理單元PHP而被搬送至搬送部132。於處理區塊13中經顯影處理之基板W係經過副搬送室110而被搬送至裝載區塊11。
(6-2)裝載區塊中之搬送動作
以下，主要利用圖9、圖12及圖13說明裝載區塊11之動作。於本實施形態中，於複數個載具113之一部分收納有未處理之基板W，於其他載具113收納有已形成抗蝕膜之基板W。
本實施形態中之主搬送機構115自載具113取出一片未處理之基板W，且將該基板W搬送至基板載置部PASS1。其後，主搬送機構115自載具113取出另一片未處理之基板W，且將該基板W搬送至基板載置部PASS3。
當於基板載置部PASS2載置有形成抗蝕膜後之基板W之情形時，主搬送機構115將未處理之基板W搬送至基板載置部PASS1後，自基板載置部PASS2取出該形成抗蝕膜後之基板W。然後，主搬送機構115將該形成抗蝕膜後之基板W搬送至載具113。
同樣地，當於基板載置部PASS4載置有形成抗蝕膜後之基板W之 情形時，主搬送機構115將未處理之基板W搬送至基板載置部PASS3後，自基板載置部PASS4取出該形成抗蝕膜後之基板W。然後，主搬送機構115將該形成抗蝕膜後之基板W搬送至載具113。
進而，主搬送機構115將已形成抗蝕膜之基板W自載具113搬送至基板載置部PASS9、PASS11。又，主搬送機構115自基板載置部PASS10、PASS12取出顯影處理後之基板W。
(6-3)副搬送室中之搬送動作
其次，主要利用圖9、圖10及圖13說明副搬送室110中之搬送動作之一例。本實施形態中之副搬送機構117、118之動作除以下方面以外，其他與第1實施形態中之副搬送機構117、118之動作相同。
於本實施形態中，載置於基板載置部PASS9之所有基板W係由副搬送機構117搬送至基板載置部PASS13。又，載置於基板載置部PASS11之所有基板W係由副搬送機構118搬送至基板載置部PASS15。
(6-4)處理區塊12中之搬送動作
以下，主要利用圖11~圖13對處理區塊12之動作進行說明。本實施形態中之處理區塊12之動作除以下方面以外，其他與第1實施形態之處理區塊12之動作相同。於處理區塊12內對複數個基板W進行抗蝕膜之形成處理。
主搬送機構127係自基板載置部PASS1而非基板載置部PASS9取出未處理之基板W。又，主搬送機構127將處理過之基板W搬送至基板載置部PASS2而非基板載置部PASS10。主搬送機構128係自基板載置部PASS3而非基板載置部PASS11取出未處理之基板W。又，主搬送機構128將處理過之基板W搬送至基板載置部PASS4而非基板載置部PASS12。
(6-5)處理區塊13中之搬送動作
以下，主要利用圖11~圖13對處理區塊13之動作進行說明。
上段搬送室135內之主搬送機構137利用手部H1、H2而於基板載置部PASS13、上段熱處理部303之邊緣曝光部EEW及載置兼緩衝部P-BF1之間依次搬送已形成抗蝕膜之基板W。藉此，對基板W進行邊緣曝光處理，且將邊緣曝光處理後之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF1。
又，主搬送機構137利用手部H1、H2而於上段熱處理部303之一熱處理單元PHP、一冷卻單元CP、處理室31或處理室32、另一熱處理單元PHP及基板載置部PASS14之間依次搬送利用曝光裝置15進行曝光處理後之基板W。藉此，依次對基板W進行曝光後烘烤(PEB，Post Exposure Bake)處理、冷卻處理、顯影處理及加熱處理。顯影處理後之基板W被搬送至基板載置部PASS14。
同樣地，下段搬送室136內之主搬送機構138利用手部H1、H2而於基板載置部PASS15、下段熱處理部304之邊緣曝光部EEW及載置兼緩衝部P-BF2之間依次搬送已形成抗蝕膜之基板W。藉此，對基板W進行邊緣曝光處理，且將邊緣曝光處理後之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF2。
又，主搬送機構138利用手部H1、H2而於下段熱處理部304之一熱處理單元PHP、一冷卻單元CP、處理室33或處理室34、另一熱處理單元PHP及基板載置部PASS16之間依次搬送利用曝光裝置15進行曝光處理後之基板W。藉此，依次對基板W進行PEB處理、冷卻處理、顯影處理及加熱處理。顯影處理後之基板W被搬送至基板載置部PASS16。
再者，上述例中係於進行處理室31~34中之基板W之顯影處理之前，於冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理，但只要可適當地進行顯影處理，亦可不於顯影處理前於冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理。
(6-6)清洗乾燥處理區塊及搬入搬出區塊中之搬送動作
以下，主要利用圖13及圖14對清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B之動作進行說明。
於清洗乾燥處理區塊14A中，主搬送機構141利用手部H5、H6而於載置兼緩衝部P-BF1、清洗乾燥處理部161之一清洗乾燥處理單元SD1及載置兼冷卻部P-CP之間依次搬送邊緣曝光處理後之基板W。同樣地，主搬送機構141利用手部H5、H6而於載置兼緩衝部P-BF2、清洗乾燥處理部161之一清洗乾燥處理單元SD1及載置兼冷卻部P-CP之間依次搬送基板W。
如此般，主搬送機構141利用手部H5、H6將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2之邊緣曝光處理後之基板W經由清洗乾燥處理部161交替地搬送至載置兼冷卻部P-CP。藉此，對基板W進行清洗及乾燥，且將其載置於載置兼冷卻部P-CP。於載置兼冷卻部P-CP，將基板W冷卻至適於曝光裝置15(圖9)中之曝光處理之溫度。
主搬送機構142利用手部H7、H8而將利用曝光裝置15進行曝光處理後之基板W搬送至基板載置部PASS17、清洗乾燥處理部162之一清洗乾燥處理單元SD2及上段熱處理部303之熱處理單元PHP(圖12)。同樣地，主搬送機構142利用手部H7、H8而將利用曝光裝置15進行曝光處理後之基板W搬送至基板載置部PASS17、清洗乾燥處理部162之一清洗乾燥處理單元SD2及下段熱處理部304之熱處理單元PHP(圖12)。
如此般，主搬送機構142利用手部H7、H8將載置於基板載置部PASS17之曝光處理後之基板W經由清洗乾燥處理部162交替地搬送至上段熱處理部303及下段熱處理部304。藉此，對基板W進行清洗及乾燥，且於上段熱處理部303或下段熱處理部304之熱處理單元PHP中，進行PEB處理。
於搬入搬出區塊14B中，主搬送機構146利用手部H9取出載置於 載置兼冷卻部P-CP之基板W，且將其搬送至曝光裝置15之基板搬入部15a。又，主搬送機構146利用手部H10自曝光裝置15之基板搬出部15b取出曝光處理後之基板W，且將其搬送至基板載置部PASS17。
再者，於曝光裝置15無法承收基板W之情形時，藉由主搬送機構141將清洗及乾燥處理後之基板W暫時收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。又，於處理區塊13之處理室31~34(圖10)無法承收曝光處理後之基板W之情形時，藉由主搬送機構137、138將PEB處理後之基板W暫時收容於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。
又，於因處理區塊13之不良情況等而無法將基板W正常搬送至載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2之情形時，亦可暫時停止利用主搬送機構141自載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2搬送基板W，直至基板W之搬送變得正常。
(7)效果
於本實施形態之基板處理裝置100中，藉由處理區塊12對基板W進行抗蝕膜之形成處理，藉由處理區塊13對另一基板W進行顯影處理。根據該構成，不使用處理區塊12之主搬送機構127、128便可於裝載區塊11與處理區塊13之間搬送基板W。藉此，可防止裝載區塊11或處理區塊13中之產能受處理區塊12中之產能之限制。因此，可使基板處理裝置100之產能提昇。
[3]第3實施形態
(1)基板處理裝置之構成
關於第3實施形態之基板處理裝置，說明與第2實施形態之基板處理裝置100不同之處。圖15係第3實施形態之基板處理裝置100之水平剖面圖。圖16係自+Y方向側觀察圖15之第1處理部121、第2處理部131及清洗乾燥處理部161之圖。圖17係自-Y方向側觀察圖15之熱處理部123、133及清洗乾燥處理部162之圖。於本實施形態中，處理室21 ~24、32、34係塗佈處理室，處理室31、33係顯影處理室。
如圖16所示，於各處理室21~24、32、34，設置有複數個旋轉夾頭25、複數個護罩27及未圖示之複數個處理液噴嘴。本實施形態中，處理室22、24之處理液噴嘴噴出抗反射膜用之處理液。處理室21、23之處理液噴嘴噴出抗蝕膜用之處理液(抗蝕液)。處理室32、34之處理液噴嘴噴出抗蝕覆蓋膜用之處理液。
於各處理室31、33，設置有複數個旋轉夾頭35、複數個護罩37及未圖示之複數個顯影液噴嘴。於本實施形態中，旋轉夾頭25及護罩27係於各處理室21~24、32、34各設置2個。旋轉夾頭35及護罩37係於各處理室31、33各設置3個。
如圖17所示，於本實施形態中，於上段熱處理部301進而設置有複數個密接強化處理單元PAHP。又，於下段熱處理部302進而設置有複數個密接強化處理單元PAHP。
於密接強化處理單元PAHP中，進行用以使基板W與抗反射膜之密接性提昇之密接強化處理。具體而言，於密接強化處理單元PAHP中，對基板W塗佈HMDS(Hexamethyl Disilazane，六甲基二矽氮烷)等密接強化劑，並且對基板W進行加熱處理。
本實施形態中之上段熱處理部303之構成與第2實施形態中之上段熱處理部303之構成相同。又，本實施形態中之下段熱處理部304之構成與第2實施形態中之下段熱處理部304之構成相同。
(2)基板處理裝置中之基板之搬送動作之一例
(2-1)概略動作
如圖15中一點鏈線之箭頭所示，本例中，將未處理之基板W自裝載區塊11經過副搬送室110而搬送至處理區塊12之密接強化處理單元PAHP。經密接強化處理單元PAHP處理之基板W係經過副搬送室110而被搬送至處理區塊12之搬送部122。已於處理區塊12中形成抗反射 膜及抗蝕膜之基板W係經過基板載置部PASS5、PASS7而被搬送至處理區塊13之搬送部132。已於處理區塊13中形成抗蝕覆蓋膜之基板W係經過載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2而被搬送至傳遞區塊14。已於傳遞區塊14中處理之基板W被搬入至曝光裝置15，利用曝光裝置15進行曝光處理後之基板W被搬出至傳遞區塊14。
已於傳遞區塊14中處理之基板W係經過處理區塊13之上段熱處理部303或下段熱處理部304之熱處理單元PHP而被搬送至搬送部132。已於處理區塊13中經顯影處理之基板W係經過基板載置部PASS6、PASS8、處理區塊12之搬送部122及基板載置部PASS2、PASS4而被搬送至裝載區塊11。
本例中係經由基板載置部PASS9、PASS11而於主搬送機構115與副搬送機構117、118之間搬送基板W。藉此，即便於主搬送機構115與副搬送機構117、118之搬送時機不同之情形時，亦可於主搬送機構115與副搬送機構117、118之間確實地搬送基板W。
又，經由基板載置部PASS5~PASS8而於主搬送機構127、128與主搬送機構137、138之間搬送基板W。藉此，即便於主搬送機構127、128與主搬送機構137、138之搬送時機不同之情形時，亦可於主搬送機構127、128與主搬送機構137、138之間確實地搬送基板W。
進而，經由基板載置部PASS2、PASS4而於主搬送機構127、128與主搬送機構115之間搬送基板W。藉此，即便於主搬送機構127、128與主搬送機構115之搬送時機不同之情形時，亦可於主搬送機構127、128與主搬送機構115之間確實地搬送基板W。
(2-2)裝載區塊中之搬送動作
以下，主要利用圖13、圖15及圖17說明裝載區塊11之動作。
本實施形態中之主搬送機構115自載具113取出一片未處理之基板W，且將該基板W搬送至基板載置部PASS9。其後，主搬送機構115自 載具113取出另一片未處理之基板W，且將該基板W搬送至基板載置部PASS11。
當於基板載置部PASS2載置有處理過之基板W之情形時，主搬送機構115將未處理之基板W搬送至基板載置部PASS9後，自基板載置部PASS2取出該處理過之基板W。然後，主搬送機構115將該處理過之基板W搬送至載具113。
同樣地，當於基板載置部PASS4載置有處理過之基板W之情形時，主搬送機構115將未處理之基板W搬送至基板載置部PASS11後，自基板載置部PASS4取出該處理過之基板W。然後，主搬送機構115將該處理過基板W搬送至載具113。
(2-3)副搬送室中之搬送動作
其次，主要利用圖15及圖17說明副搬送室110中之搬送動作之一例。
副搬送機構117利用手部H3、H4而於基板載置部PASS9、密接強化處理單元PAHP及基板載置部PASS10之間依次搬送未處理之基板W。藉此，對基板W進行密接強化處理。其後，密接強化處理後之基板W被搬送至基板載置部PASS10。
同樣地，副搬送機構118利用手部H3、H4而於基板載置部PASS11、密接強化處理單元PAHP及基板載置部PASS12之間依次搬送未處理之基板W。藉此，對基板W進行密接強化處理。其後，密接強化處理後之基板W被搬送至基板載置部PASS12。
(2-4)處理區塊12中之搬送動作
以下，主要利用圖13、圖15、圖16及圖17對處理區塊12之動作進行說明。
上段搬送室125內之主搬送機構127利用手部H1、H2而於基板載置部PASS10、上段熱處理部301之一冷卻單元CP、處理室22、一熱處 理單元PHP、另一冷卻單元CP、處理室21、另一熱處理單元PHP及基板載置部PASS5之間依次搬送密接強化處理後之基板W。藉此，依次對密接強化處理後之基板W進行冷卻處理、抗反射膜之形成處理、加熱處理及冷卻處理。其後，依次對該基板W進行冷卻處理、抗蝕膜之形成處理、加熱處理及冷卻處理。由此，於基板W上形成抗反射膜及抗蝕膜。形成抗蝕膜後之基板W被搬送至基板載置部PASS5。
又，主搬送機構127利用手部H1或手部H2將載置於基板載置部PASS6之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2。
同樣地，下段搬送室126內之主搬送機構128利用手部H1、H2而於基板載置部PASS11、下段熱處理部302之一冷卻單元CP、處理室24、一熱處理單元PHP、另一冷卻單元CP、處理室23、另一熱處理單元PHP及基板載置部PASS7之間依次搬送密接強化處理後之基板W。藉此，依次對密接強化處理後之基板W進行冷卻處理、抗反射膜之形成處理、加熱處理及冷卻處理。其後，依次對該基板W進行冷卻處理、抗蝕膜之形成處理、加熱處理及冷卻處理。由此，於基板W上形成抗反射膜及抗蝕膜。形成抗蝕膜後之基板W被搬送至基板載置部PASS7。
又，主搬送機構128利用手部H1或手部H2將載置於基板載置部PASS8之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4。
再者，上述例中係於進行處理室22、24中之抗反射膜之形成處理前，於冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理，但只要可適當地形成抗反射膜，亦可不於抗反射膜之形成中在冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理。同樣地，於進行處理室21、23中之抗蝕膜之形成處理前，於冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理，但只要可適當地形成抗蝕膜，亦可不於抗蝕膜之形成中在冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理。
(2-5)處理區塊13中之搬送動作
以下，主要利用圖13、圖15、圖16及圖17對處理區塊13之動作進行說明。
上段搬送室135內之主搬送機構137利用手部H1、H2而於基板載置部PASS5、上段熱處理部303之一冷卻單元CP、處理室32、一熱處理單元PHP、邊緣曝光部EEW及載置兼緩衝部P-BF1之間依次搬送已形成抗蝕膜之基板W。藉此，依次對已形成抗蝕膜之基板W進行冷卻處理、抗蝕覆蓋膜之形成處理、加熱處理及冷卻處理。其後，對該基板W進行邊緣曝光處理，且將邊緣曝光處理後之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF1。
又，主搬送機構137利用手部H1、H2而於上段熱處理部303之一熱處理單元PHP、一冷卻單元CP、處理室31、另一熱處理單元PHP及基板載置部PASS6之間依次搬送利用曝光裝置15進行曝光處理後之基板W。藉此，依次對曝光處理後之基板W進行PEB處理、冷卻處理、顯影處理及加熱處理。顯影處理後之基板W被搬送至基板載置部PASS6。
同樣地，下段搬送室136內之主搬送機構138利用手部H1、H2而於基板載置部PASS7、下段熱處理部304之一冷卻單元CP、處理室34、一熱處理單元PHP、邊緣曝光部EEW及載置兼緩衝部P-BF2之間依次搬送已形成抗蝕膜之基板W。藉此，依次對已形成抗蝕膜之基板W進行冷卻處理、抗蝕覆蓋膜之形成處理、加熱處理及冷卻處理。其後，對該基板W進行邊緣曝光處理，且將邊緣曝光處理後之基板W搬送至載置兼緩衝部P-BF2。
又，主搬送機構138利用手部H1、H2而於下段熱處理部304之一熱處理單元PHP、一冷卻單元CP、處理室33、另一熱處理單元PHP及基板載置部PASS8之間依次搬送利用曝光裝置15進行曝光處理後之基 板W。藉此，依次對曝光處理後之基板W進行PEB處理、冷卻處理、顯影處理及加熱處理。顯影處理後之基板W被搬送至基板載置部PASS8。
(2-6)清洗乾燥處理區塊及搬入搬出區塊中之搬送動作
本實施形態中之清洗乾燥處理區塊14A之動作與第2實施形態中之清洗乾燥處理區塊14A之動作相同。又，本實施形態中之搬入搬出區塊14B之動作與第2實施形態中之搬入搬出區塊14B之動作相同。
(3)效果
於本實施形態之基板處理裝置100中，藉由處理區塊12對基板W進行抗反射膜形成處理及抗蝕膜形成處理，藉由處理區塊13對基板W進行抗蝕覆蓋膜形成處理及顯影處理。根據該構成，藉由副搬送機構117、118而向處理區塊12之第1處理部121之密接強化處理單元PAHP搬送基板W。因此，主搬送機構127、128進行搬送之步驟數減少。藉此，可減輕主搬送機構127、128之負擔。其結果，可使基板處理裝置100之產能提昇。
[4]其他實施形態
(1)於第2或第3實施形態之基板處理裝置100中，亦可不設置處理區塊13。於該情形時，裝載區塊11成為第1處理區域，處理區塊12成為第2處理區域，傳遞區塊14成為第3處理區域。
(2)於第1~第3實施形態之基板處理裝置100中，亦可於裝載區塊11與處理區塊12之間設置其他處理區塊。於該情形時，裝載區塊11成為第1處理區域，其他處理區塊成為第2處理區域，處理區塊12成為第3處理區域，處理區塊13成為第4處理區域。
(3)於第1~第3實施形態之基板處理裝置100中，亦可於副搬送室110側之上段熱處理部301及下段熱處理部302之冷卻單元CP之側面設置基板W之搬入搬出部。藉此，副搬送機構117、118可相對於冷卻單 元CP直接搬入或搬出基板W。於該情形時，由於可將冷卻單元CP用作基板載置部，故而亦可不設置基板載置部PASS9~PASS12。
(4)於第1~第3實施形態之基板處理裝置100中，亦可於副搬送室110側之上段熱處理部303及下段熱處理部304之冷卻單元CP之側面設置基板W之搬入搬出部。藉此，副搬送機構117、118可相對於冷卻單元CP直接搬入或搬出基板W。於該情形時，由於可將冷卻單元CP用作基板載置部，故而亦可不設置基板載置部PASS13~PASS16。
(5)於第3實施形態之基板處理裝置100中，亦可於搬送部112側之上段熱處理部303及下段熱處理部304之密接強化處理單元PAHP之側面設置基板W之搬入搬出部。藉此，主搬送機構127、128可相對於密接強化處理單元PAHP直接搬入或搬出基板W。於該情形時，由於可將密接強化處理單元PAHP用作基板載置部，故而亦可不設置基板載置部PASS9~PASS12。
[5]技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應
以下，對技術方案之各構成要素與實施形態之各要素之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述例。
上述實施形態中，基板處理裝置100為基板處理裝置之例，裝載區塊11為第1處理區域之例，處理區塊12為第2處理區域之例，處理區塊13為第3處理區域之例，傳遞區塊14為第4處理區域之例。副搬送室110為副搬送區域之例，搬送部122為第1主搬送區域之例，搬送部132為第2主搬送區域之例，副搬送機構117、118為副搬送機構之例。
主搬送機構115為第1主搬送機構之例，主搬送機構127、128為第2主搬送機構之例，主搬送機構137、138為第3主搬送機構之例，主搬送機構141、142、146為第4主搬送機構之例。第1處理部121及熱處理部123為第1處理部之例，第2處理部131及熱處理部133為第2處理部之例，旋轉夾頭25及護罩27為第1液體處理單元之例，旋轉夾頭35及護 罩37為第2液體處理單元之例。
熱處理單元PHP、冷卻單元CP或密接強化處理單元PAHP為第1熱處理單元之例，熱處理單元PHP或冷卻單元CP為第2熱處理單元之例。第1處理部121為第1液體處理區域之例，第2處理部131為第2液體處理區域之例，熱處理部123為第1熱處理區域之例，熱處理部133為第2熱處理區域之例。
上段熱處理部301為第1上部處理部之例，下段熱處理部302為第1下部處理部之例，上段熱處理部303為第2上部處理部之例，下段熱處理部304為第2下部處理部之例。主搬送機構127為第1上部主搬送機構之例，主搬送機構128為第1下部主搬送機構之例，主搬送機構137為第2上部主搬送機構之例，主搬送機構138為第2下部主搬送機構之例。
副搬送機構118為第1副搬送機構之例，副搬送機構117為第2副搬送機構之例，熱處理單元PHP、冷卻單元CP或密接強化處理單元PAHP為處理單元之例，載具113為基板收納容器之例，載具載置部111為容器載置部之例。
於第1或第2實施形態之基板處理裝置100中，基板載置部PASS9~PASS12為第1基板載置部之例，基板載置部PASS13~PASS16為第2基板載置部之例。於第3實施形態之基板處理裝置100中，基板載置部PASS9、PASS11為第1基板載置部之例，基板載置部PASS2、PASS4為第2基板載置部之例，基板載置部PASS5~PASS8為第3基板載置部之例。
作為技術方案之各構成要素，亦可使用具有技術方案所記載之構成或功能之其他各種要素。
[產業上之可利用性]
本發明可有效用於各種基板之處理。
11‧‧‧裝載區塊
12、13‧‧‧處理區塊
50、60‧‧‧流體箱部
100‧‧‧基板處理裝置
110‧‧‧副搬送室
111‧‧‧載具載置部
112、122、132‧‧‧搬送部
113‧‧‧載具
114‧‧‧主控制器
115、128、138‧‧‧主搬送機構
116‧‧‧手部
117、118‧‧‧副搬送機構
121‧‧‧第1處理部
123、133‧‧‧熱處理部
131‧‧‧第2處理部
CP‧‧‧冷卻單元
PASS3、PASS7、PASS11、PASS15‧‧‧基板載置部
PN‧‧‧主面板
W‧‧‧基板
X、Y、Z‧‧‧方向

Claims (15)

  1. 一種基板處理裝置，其包括：第1、第2及第3處理區域；以及副搬送區域；上述第2處理區域配置於上述第1處理區域與上述第3處理區域之間，上述第1處理區域包括搬送基板之第1主搬送機構，上述第2處理區域包括對基板進行處理之第1處理部、及搬送基板之第2主搬送機構，上述第3處理區域包括對基板進行處理之第2處理部、及搬送基板之第3主搬送機構，上述副搬送區域包括搬送基板之副搬送機構，上述第2主搬送機構係以於上述第1主搬送機構與上述第1處理部之間搬送基板之方式構成，上述第3主搬送機構係以於上述副搬送機構與上述第2處理部之間搬送基板之方式構成，上述副搬送機構係以將基板自上述第1主搬送機構搬送至上述第3主搬送機構並且將基板自上述第3主搬送機構搬送至上述第1主搬送機構之方式構成，且上述第2處理區域包括配置有上述第2主搬送機構之第1主搬送區域，上述第3處理區域包括配置有上述第3主搬送機構之第2主搬送區域，上述第1處理部及上述第2處理部係以於第1方向上相鄰之方式配置，上述第1主搬送區域及上述第2主搬送區域係以於第1方向上相 鄰之方式配置，上述第1主搬送區域係於與上述第1方向交叉之第2方向上與上述第1處理部相鄰之方式配置，上述第2主搬送區域係於上述第2方向上與上述第2處理部相鄰之方式配置，上述副搬送區域係於與上述第1方向及第2方向交叉之第3方向上與上述第1及第2處理部重疊且以沿上述第1方向延伸之方式設置。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其進而包括：第1基板載置部，其暫時載置於上述第1主搬送機構與上述副搬送機構之間搬送之基板；及第2基板載置部，其暫時載置於上述第3主搬送機構與上述副搬送機構之間搬送之基板。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述第1基板載置部係以於第3方向上與上述第1處理部重疊之方式配置，上述第2基板載置部係以於第3方向上與上述第2處理部重疊之方式配置。
  4. 如請求項2或3之基板處理裝置，其中上述第1處理部包括對基板進行使用處理液之處理之第1液體處理單元、及對基板進行熱處理之第1熱處理單元，上述第2處理部包括對基板進行使用處理液之處理之第2液體處理單元、及對基板進行熱處理之第2熱處理單元，上述第2處理區域進一步包括配置有上述第1液體處理單元之第1液體處理區域及配置有上述第1熱處理單元之第1熱處理區域，上述第3處理區域進一步包括配置有上述第2液體處理單元之第2液體處理區域及配置有上述第2熱處理單元之第2熱處理區域， 上述第1及第2液體處理區域係以於第1方向上相鄰之方式配置，上述第1及第2熱處理區域係以於上述第1方向上相鄰之方式配置，上述第1主搬送區域於與上述第2方向上配置於上述第1液體處理區域與上述第1熱處理區域之間，上述第2主搬送區域於上述第2方向上配置於上述第2液體處理區域與上述第2熱處理區域之間，上述第1基板載置部配置於上述第1主搬送區域與上述副搬送區域之間，上述第2基板載置部配置於上述第2主搬送區域與上述副搬送區域之間。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述第1處理部包括：第1下部處理部；及第1上部處理部，其配置於上述第1下部處理部之上方；上述第2主搬送機構包括：第1下部主搬送機構，其對上述第1下部處理部進行基板之搬入或搬出；及第1上部主搬送機構，其配置於上述第1下部主搬送機構之上方，且對上述第1上部處理部進行基板之搬入或搬出；上述第2處理部包括：第2下部處理部；及第2上部處理部，其配置於上述第2下部處理部之上方；上述第3主搬送機構包括：第2下部主搬送機構，其對上述第2下部處理部進行基板之搬入或搬出；及第2上部主搬送機構，其配置於上述第2下部主搬送機構之上 方，且對上述第2上部處理部進行基板之搬入或搬出；上述副搬送機構包括：第1副搬送機構，其以將基板自上述第1主搬送機構搬送至上述第2下部主搬送機構並且將基板自上述第2下部主搬送機構搬送至上述第1主搬送機構之方式構成；及第2副搬送機構，其以將基板自上述第1主搬送機構搬送至上述第2上部主搬送機構並且將基板自上述第2上部主搬送機構搬送至上述第1主搬送機構之方式構成；且上述第1副搬送機構係構成為可將基板自上述第1主搬送機構搬送至上述第2上部主搬送機構，並且構成為可將基板自上述第2上部主搬送機構搬送至上述第1主搬送機構，上述第2副搬送機構係構成為可將基板自上述第1主搬送機構搬送至上述第2下部主搬送機構，並且構成為可將基板自上述第2下部主搬送機構搬送至上述第1主搬送機構。
  6. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述第2處理區域之上述第1處理部與上述第3處理區域之上述第2處理部係對基板進行彼此相同之處理。
  7. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其進一步包括第3基板載置部，該第3基板載置部係為了於上述第1主搬送區域及上述第2主搬送區域之間，在上述第2主搬送機構及上述第3主搬送機構之間進行基板之交接時，暫時載置基板。
  8. 一種基板處理裝置，其包括：第1、第2及第3處理區域；以及副搬送區域；上述第2處理區域配置於上述第1處理區域與上述第3處理區域之間， 上述第1處理區域包括搬送基板之第1主搬送機構，上述第2處理區域包括對基板進行處理之處理部、及搬送基板之第2主搬送機構，上述處理部包括複數個處理單元，上述第3處理區域包括搬送基板之第3主搬送機構，上述副搬送區域包括搬送基板之副搬送機構，上述副搬送機構係以於上述第1主搬送機構與上述複數個處理單元中之至少一處理單元之間搬送基板之方式構成，上述第2主搬送機構係以對上述複數個處理單元中之另一處理單元進行基板之搬入或搬出、於與上述第1主搬送機構之間進行基板之交接、且於與上述第3主搬送機構之間進行基板之交接之方式構成。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其進而包括第1基板載置部，該第1基板載置部係暫時載置於上述第1主搬送機構與上述副搬送機構之間搬送之基板，並且暫時載置於上述副搬送機構與上述第2主搬送機構之間搬送之基板。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中上述複數個處理單元包括對基板進行使用處理液之處理之液體處理單元、及對基板進行熱處理之熱處理單元，上述至少一處理單元包括上述熱處理單元，上述第2處理區域包括配置有上述液體處理單元之液體處理區域、配置有上述熱處理單元之熱處理區域、及配置有上述第2主搬送機構之主搬送區域，上述主搬送區域配置於上述液體處理區域與上述熱處理區域之間，上述副搬送區域設置於關於上述熱處理區域而與上述主搬送 區域相反之側，上述第1基板載置部配置於上述主搬送區域與上述副搬送區域之間。
  11. 如請求項8至10中任一項之基板處理裝置，其進而包括：第2基板載置部，其暫時載置於上述第1主搬送機構與上述第2主搬送機構之間交接之基板；及第3基板載置部，其暫時載置於上述第2主搬送機構與上述第3主搬送機構之間搬送之基板。
  12. 如請求項1至3及8至10中任一項之基板處理裝置，其中上述第1處理區域進而包括載置收納基板之基板收納容器之容器載置部，上述第1主搬送機構係以於載置於上述容器載置部之基板收納容器與上述第2主搬送機構之間搬送基板並且於載置於上述容器載置部之基板收納容器與上述副搬送機構之間搬送基板之方式構成。
  13. 如請求項1至3及8至10中任一項之基板處理裝置，其進而包括以鄰接於上述第3處理區域之方式配置之第4處理區域，上述第4處理區域包括搬送基板之第4主搬送機構，上述第3主搬送機構係以於上述副搬送機構、上述第2處理部與上述第4主搬送機構之間搬送基板之方式構成。
  14. 一種基板處理方法，其係使用包括第1、第2及第3處理區域、以及副搬送區域之基板處理裝置者，上述第2處理區域配置於上述第1處理區域與上述第3處理區域之間，且上述基板處理方法包括以下步驟：藉由配置於上述第1處理區域之第1主搬送機構搬送基板； 藉由配置於上述第2處理區域之第2主搬送機構，於上述第1主搬送機構與上述第2處理區域之第1處理部之間搬送基板；藉由上述處理部對基板進行處理；藉由配置於上述副搬送區域之副搬送機構將基板自上述第1主搬送機構搬送至配置於上述第3處理區域之上述第3主搬送機構；藉由第3主搬送機構，於上述副搬送機構及上述第3處理區域之第2處理部之間搬送基板；及藉由上述副搬送機構將基板自上述第3主搬送機構搬送至上述第1主搬送機構，且上述第2處理區域包括配置有上述第2主搬送機構之第1主搬送區域，上述第3處理區域包括配置有上述第3主搬送機構之第2主搬送區域，上述第1處理部及上述第2處理部係以於第1方向上相鄰之方式配置，上述第1主搬送區域及上述第2主搬送區域係以於第1方向上相鄰之方式配置，上述第1主搬送區域係於與上述第1方向交叉之第2方向上與上述第1處理部相鄰之方式配置，上述第2主搬送區域係於上述第2方向上與上述第2處理部相鄰之方式配置，上述副搬送區域係於與上述第1方向及第2方向交叉之第3方向上與上述第1及第2處理部重疊且以沿上述第1方向延伸之方式設置。
  15. 一種基板處理方法，其係使用包括第1、第2及第3處理區域、以及副搬送區域之基板處理裝置者， 上述第2處理區域配置於上述第1處理區域與上述第3處理區域之間，且上述基板處理方法包括以下步驟：藉由配置於上述第1處理區域之第1主搬送機構搬送基板；藉由配置於上述第2處理區域之第2主搬送機構，於與上述第1主搬送機構之間進行基板之交接；藉由配置於上述第2處理區域之複數個處理單元對基板進行處理；藉由配置於上述副搬送區域之副搬送機構於上述第1主搬送機構與上述複數個處理單元中之至少一處理單元之間搬送基板，並且於上述至少一處理單元與上述第2主搬送機構之間搬送基板；藉由上述第2主搬送機構於上述副搬送機構與上述複數個處理單元中之另一處理單元之間搬送基板；藉由上述第2主搬送機構於與上述第3主搬送機構之間進行基板之交接；及藉由配置於上述第3處理區域之第3主搬送機構搬送基板。
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