CN108269750B - 基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法。所述基板处理装置包括：壳体，其提供用于在其中执行基板处理工艺的空间；支撑单元，其在壳体内支撑基板并旋转基板；处理液喷嘴，其将处理液供应到位于支撑单元上的基板；和流量测量单元，其测量由处理液喷嘴排出的处理液的排出量，该流量测量单元包括：容器，其位于壳体的外部并具有容纳空间，容纳空间的上侧敞开并且在其内部容纳有从处理液喷嘴排出的处理液；测量构件，其被配置成测量容纳在容纳空间中的处理液的量；和排放管线，排放管线将容器中的处理液排出。

Description

基板处理装置、使用其测量排出量的方法和基板处理方法
技术领域
本文描述的发明构思的实施方式涉及用于处理基板的装置和方法。
背景技术
基板表面上的污染物例如颗粒、有机污染物和金属污染物大大地影响半导体器件的特性和收率。由此，去除附着在基板表面的各种污染物的清洁工序非常重要，在半导体制造的单元工序前后进行清洁基板的工序。通常，基板清洁工序包括：使用诸如化学品等处理液除去残留在基板上的金属物质、有机物质及颗粒的化学处理工序；使用纯水除去残留在基板上的化学品的冲洗工序；和使用有机溶剂、超临界流体或氮气干燥基板的干燥工序。
为了精确处理基板，如在清洁工序中那样向基板供应化学品以处理基板的过程需要精确地调节排出液体的喷嘴的每单位时间排出量的过程。因此，用于向基板供应液体以处理基板的装置周期性地测量喷嘴的每单位时间排出量。
当测量喷嘴的每单位时间排出量时，操作者通过直接使用夹具盖和量筒来测量从喷嘴排出的液体的流量。此外，容纳在量筒中的液体不容易排出。因此，当使用的液体被分类为有毒物质时，操作过程复杂且操作暴露于危险之中。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了用于容易地测量喷嘴的排出量的装置和方法。
本发明构思的实施方式还提供了用于容易地排出用于测量喷嘴的排出量的液体的装置和方法。
本发明构思的实施方式还提供了用于防止操作者在测量喷嘴的排出量时暴露于危险的装置和方法。
本发明构思所要解决的问题不限于上述问题，并且本发明构思所属领域的技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提到的问题。
本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，其提供用于在其中执行基板处理工艺的空间；支撑单元，其在壳体内支撑基板并旋转基板；处理液喷嘴，其将处理液供应到位于支撑单元上的基板；和流量测量单元，其测量由处理液喷嘴排出的处理液的排出量，该流量测量单元包括：容器，其位于壳体的外部并具有容纳空间，容纳空间的上侧敞开并且在其内部容纳有从处理液喷嘴排出的处理液；测量构件，其被配置成测量容纳在容纳空间中的处理液的量；和排放管线，排放管线将容器中的处理液排出。
测量构件可以包括：测量窗口，其设置在容器的侧壁的区域中，并且通过该测量窗口观察容纳在容纳空间中的处理液；和测量刻度，通过该测量刻度，在测量窗口中形成被容纳在容纳空间中的处理液的液位。
处理液喷嘴可以包括彼此独立移动的第一喷嘴和第二喷嘴，容器可以包括：具有主容纳空间的主容器，第一喷嘴将处理液排出到主容纳空间；和具有第一辅助容纳空间的第一辅助容器，第二喷嘴将处理液排出到第一辅助容纳空间；并且当俯视时，第一辅助容器的面积可以小于主容器的面积。
排出到第一辅助容器的处理液可以被引入到主容纳空间中，并且测量窗口可以被设置在主容器的侧壁中。
第一辅助容纳空间的深度可以小于主容纳空间的深度，第一辅助容纳空间可以与主容纳空间连通，并且第一辅助容纳空间的底表面可以沿面对主容纳空间的方向向下倾斜。
处理液喷嘴还可以包括独立移动的第三喷嘴，容器还可以包括第二辅助容器，第二辅助容器具有第二辅助容纳空间，第三喷嘴将处理液排出到第二辅助容纳空间，并且当俯视时，第二辅助容器的面积可以小于主容器的面积。
第二辅助容纳空间的深度可以小于主容纳空间的深度，第二辅助容纳空间可以与主容纳空间连通，并且第二辅助容纳空间的底表面可以沿面对主容纳空间的方向向下倾斜。
第一辅助容器和第二辅助容器可以相对于主容器设置在相对两侧。
防止处理液从容纳空间溢出的防溢出管线可以连接到容器的侧壁。
基板处理装置还可以包括多个备用端口，多个备用端口位于壳体的外部，供处理液喷嘴在其中就位，并且被配置为将由处理液喷嘴排出的处理液排出到外部；并且备用端口中的至少一者被设置为流量测量单元。
备用端口可以包括将从第一喷嘴排出的处理液排放到外部的第一备用端口、将从第二喷嘴排出的处理液排放到外部的第二备用端口、和将从第三喷嘴排出的处理液排出到外部的第三备用端口，第二备用端口、第一备用端口和第三备用端口可以依次布置成行，第一备用端口可以设置为流量测量单元，第一辅助容器可以位于主容器和第二备用端口之间，第二辅助容器可以位于主容器和第三备用端口之间。
本发明构思还提供了一种通过使用基板处理装置来测量处理液喷嘴的处理液排出量的方法。该方法包括：通过处理液喷嘴将处理液排出到容纳空间中；以及通过处理液喷嘴测量容纳空间中的处理液的量。
排出处理液可以包括通过处理液喷嘴将特定量的处理液排出到容纳空间，所述特定量从最小量到不大于由测量刻度测量的最大值。
该方法还可以包括在排出处理液之前关闭排放阀。
该方法可以进一步包括：在测量处理液之后，通过打开排放阀将容纳空间中的处理液排放到外部。
本发明构思还提供了一种通过使用基板处理装置处理基板的方法。该方法可以包括：测量处理液喷嘴的处理液排出量；调节处理液喷嘴的处理液排出量；以及通过处理液喷嘴将处理液供应到位于支撑单元上的基板来处理基板。
测量排出量可以包括：通过处理液喷嘴将处理液排出到容纳空间中；以及测量容纳空间中的处理液的量。
测量排出量还可以包括在排出处理液之前关闭排放阀。
测量排出量还可以包括在测量处理液之后通过打开排放阀将容纳空间中的处理液排放到外部。
排出处理液可以包括：通过处理液喷嘴将特定量的处理液排出到容纳空间，所述特定量从最小量到不大于由测量刻度测量的最大值。
处理基板可以包括：将基板置于支撑单元上；以及通过处理液喷嘴将处理液供应到基板上。
附图说明
通过参考以下附图的以下描述，上述和其它目的和特征将变得显而易见，其中除非另有说明，否则相同的附图标记在所有各个附图中表示相同的部件，并且其中：
图1是示意性地示出根据本发明构思的基板处理系统的平面图；
图2是示出基板处理装置的示例的平面图；
图3是示出图2的基板处理装置的截面图；
图4是示出图2的流量测量单元的示例的立体图；
图5是当从方向AA看时图4的流量测量单元的截面图；
图6是示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理装置的平面图；
图7是示出图6的流量测量单元的示例的立体图；
图8是当从AA方向看时图7的流量测量单元的截面图；
图9是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图；和
图10是示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的示例性实施方式。本发明构思的实施方式可以以各种形式进行修改，并且本发明构思的范围不应被解释为限于以下实施方式。提供本发明构思的实施方式用于向本领域技术人员更完全地描述本发明构思。因此，附图的部件的形状被夸大以强调对其更清楚的说明。
在本发明构思的实施方式中，将描述用于执行基板清洁工序的基板处理装置。然而，本发明构思不限于此，而是可以应用于将液体施加到基板上的各种类型的装置。
在下文中，将参考附图详细描述本发明构思的装置和方法的示例。
图1是示意性地示出根据本发明构思的基板处理系统1的平面图。参考图1，基板处理系统1具有转位模块10及工艺处理模块20，转位模块10具有多个负载端口120以及进给框架140。负载端口120、进给框架140以及工艺执行模块20可以依次排列成行。在下文中，负载端口120、进给框架140和工艺处理模块20所沿的方向将被称为第一方向12。当俯视时，垂直于第一方向12的方向将被称为第二方向14，并且与包括第一方向12和第二方向14的平面垂直的方向将被称为第三方向16。
其中容纳有基板W的载体18位于负载端口120上。负载端口120设置有多个，并且沿第二方向14成行布置。图1示出了设置有四个负载端口120。负载端口120的数量可以根据工艺执行模块20的处理效率、占空条件等而增加或减少。在载体18中形成有多个用于支撑基板W的周边的槽(未图示)。沿第三方向16设置有多个槽，基板W在载体18中放置成使得基板W沿第三方向16彼此间隔开地堆叠。前端开启式晶圆传送盒(Front Opening Unified Pod，FOUP)可以用作载体18。
工艺处理模块20包括缓冲单元220、进给室240和多个处理室260。进给室240被布置成使得其长度方向平行于第一方向12。处理室260沿第二方向14布置在进给室240的相对两侧。位于进给室240的一侧的处理室260和位于进给室240的相反侧的处理室260相对于进给室240彼此对称。一些处理室260沿进给室240的长度方向布置。此外，一些处理室260布置为彼此堆叠。也就是说，具有A×B阵列(A和B是自然数)的处理室260可以布置在进给室240的一侧。这里，A是沿第一方向12成行设置的处理室260的数量，B是沿第三方向16成行设置的处理室260的数量。当在进给室240的一侧设置四个或六个处理室260时，处理室260可以布置成2×2阵列或3×2阵列。处理室260的数量可以增加或减少。与上述描述不同的是，处理室260可以仅设置在进给室240的一侧。此外，与上述描述不同，处理室260可以设置在进给室240的一侧或对置侧以形成单层。
缓冲单元220布置在进给框架140和进给室240之间。缓冲单元220在进给室240和进给框架140之间提供使基板W在被传送之前停留的空间。在缓冲单元220中设置有供放置基板W的槽(未示出)，多个槽(未示出)沿第三方向16彼此间隔开设置。缓冲单元220的面向进给框架140的面以及面向进给室240的面敞开。
进给框架140在位于负载端口120上的载体18与缓冲单元220之间传送基板W。在进给框架140中设置有转位轨道142和转位机械手144。转位轨道142设置成使得其长度方向与第二方向14平行。转位机械手144安装在转位轨道142上，并沿着转位轨道142沿第二方向14线性移动。转位机械手144具有基部144a、主体144b和多个转位臂144c。基部144a被安装成沿转位轨道142移动。主体144b联接到基部144a。主体144b被设置成在基部144a上沿第三方向16移动。主体144b被设置成在基部144a上旋转。转位臂144c联接到主体144b，并被设置成相对于主体144b前后移动。多个转位臂144c被设置成被单独驱动。转位臂144c被布置成沿第三方向16彼此间隔开地堆叠。当将基板W从工艺处理模块20传送到载体18时使用一些转位臂144c，并且当将基板W从载体18传送到工艺处理模块20时可以使用一些转位臂144c。该结构可以防止在通过转位机械手144将基板W载入和载出的过程中在工艺处理之前产生自基板W的颗粒附着到工艺处理之后的基板W上。
进给室240在缓冲单元220和处理室260之间以及处理室260之间传送基板W。在进给室240中设置有导轨242和主机械手244。导轨242被布置成使得其长度方向与第一方向12平行。主机械手244安装在导轨242上，并且在转位轨道242上沿第一方向12线性移动。主机械手244具有基部244a、主体244b和多个主臂244c。基部244a被安装成沿导轨242移动。主体244b联接到基部244a。主体244b被设置成在基部244a上沿第三方向16移动。主体244b被设置成在基部244a上旋转。主臂244c联接到主体244b，并被设置成相对于主体244b前后移动。多个主臂244c被设置成被单独驱动。主臂244c被布置成沿第三方向16彼此间隔开地堆叠。当将基板W从缓冲单元220传送到处理室260时所使用的主臂244c可以与当将基板W从处理室260传送到缓冲单元220时所使用的主臂244c不同。
在处理室260中提供对基板W执行清洁工序的基板处理装置300。根据所执行的清洁工序的类型，设置在处理室260中的基板处理装置300可以具有不同的结构。选择性地，处理室260中的基板处理装置300可以具有相同的结构。选择性地，处理室260可以被分类为多个组，以使得设置在属于同一组的处理室260中的基板处理装置300具有相同的结构，并且设置在属于不同组的处理室260中的基板处理装置300具有不同的结构。例如，当处理室260被分成两组时，第一组处理室260可以设置在进给室240的一侧，第二组处理室260可以设置在进给室240的另一侧。选择性地，在进给室240的相对两侧，第一组处理室260可以设置在进给室240的下侧，第二组处理室260可以设置在进给室240的上侧。第一组处理室260和第二组处理室260可以根据所使用的化学品的种类或清洁方法的类型进行分类。
在下文中，将描述通过使用处理液来清洁基板W的基板处理装置300的示例。图2是示出基板处理装置300的示例的平面图。图3是示出图2的基板处理装置300的截面图。参考图2和图3，基板处理装置300包括壳体320、支撑单元340、升降单元360，处理液喷嘴380、流量测量单元400以及备用端口500。
壳体320在其内部具有用于执行基板处理工艺的空间，并且壳体320的上侧敞开。壳体320具有内回收容器322、中间回收容器324和外回收容器326。回收容器322、324和326回收在工艺中使用的不同处理液。内回收容器322具有围绕支撑单元340的环形形状，中间回收容器324具有围绕内回收容器322的环形形状，并且外回收容器具有围绕中间回收容器324的环形形状。内回收容器322的内部空间322a、内回收容器322和中间回收容器324之间的空间324a以及中间回收容器324和外回收容器326之间的空间326a用作将处理液引入内回收容器322、中间回收容器324和外回收容器326的入口。从回收容器322、324和326沿其底表面的向下方向垂直延伸的回收管线322b、324b和326b分别与回收容器322、324和326连接。回收管线322b、324b和326b排放通过回收容器322、324和326引入的处理液。排出的处理液可以通过外部处理液回收系统(未示出)被重新使用。
支撑单元340布置在壳体320中。支撑单元340支撑基板W。支撑单元340可以设置在将所支撑的基板W旋转的旋转头340中。根据实施方式，旋转头340布置在壳体320内。旋转头340在工艺期间支撑并旋转基板W。旋转头340具有主体342、多个支撑销344、多个卡盘销346和支撑轴348。当俯视时，主体342具有大致圆形形状的上表面。可由电机349旋转的支撑轴348固定地联接到主体342的底部。设置有多个支撑销344。支撑销344可以布置成在主体342的上表面的周边处彼此间隔开并且从主体342向上突出。支撑销344被布置为通过其组合而具有总体环形形状。支撑销344支撑基板W的后表面的周边，使得基板W与主体342的上表面间隔开预定距离。设置有多个卡盘销346。卡盘销346被布置成比支撑销344更远离主体342的中心。卡盘销346被设置成从主体342向上突出。卡盘销346支撑基板W的侧面，使得当旋转头340旋转时，基板W不会从适当的位置侧向移离。卡盘销346被设置成沿主体342的径向方向在备用位置和支撑位置之间线性移动。备用位置是比支撑位置更远离主体342的中心的位置。当基板W被装载到旋转头340上或者从旋转头340卸下时，卡盘销346位于备用位置，并且当对基板W进行处理时，卡盘销346位于支撑位置。卡盘销346在支撑位置与基板W的侧面接触。
升降单元360将壳体320上下线性移动。当壳体320上下移动时，壳体320相对于旋转头340的相对高度被改变。升降单元360具有支架362、可移动轴364和驱动器366。支架362被固定地安装在壳体320的外壁上，并且通过驱动器366上下移动的可移动轴364固定地联接到支架362。壳体320被降下，使得当基板W位于旋转头340上或从旋转头340升高时，壳体320下降为使得旋转头340突出到壳体320的上侧。当执行工艺时，根据供应到基板W的处理液的种类，将壳体320的高度调节成使得处理液被引入到预设回收容器360中。例如，当通过第一处理液处理基板W时，基板W位于与内回收容器322的内部空间322a对应的高度。此外，在通过第二处理液和第三处理液处理基板W时，基板W可以位于与内回收容器322和中间回收容器324之间的空间324a以及中间回收容器324和外回收容器326之间的空间326a相对应的高度。与上面描述的那些不同，升降单元360可以被设置成使旋转头340而不是壳体320上下移动。
处理液喷嘴380将处理液供应到位于旋转头340上的基板W上。根据实施方式，可以设置有多个喷嘴。处理液喷嘴380可以将不同的处理液供应到位于旋转头340上的基板W上。例如，处理液喷嘴380包括第一喷嘴381、第二喷嘴382和第三喷嘴383。第一喷嘴381可以供应第一处理液，第二喷嘴382可以供应第二处理液，第三喷嘴383可以供应第三处理液。第一喷嘴381、第二喷嘴382和第三喷嘴383可以独立地移动。例如，第一喷嘴381、第二喷嘴382和第三喷嘴383可移动到处理位置和备用位置。处理位置是供排出处理液的第一喷嘴381、第二喷嘴382和第三喷嘴383的排出孔位于壳体320的竖直上侧的位置，备用位置是供排出处理液的第一喷嘴381、第二喷嘴382和第三喷嘴383的排出孔偏离壳体320的竖直上侧的位置。第一喷嘴381、第二喷嘴382和第三喷嘴383可以是摆动型喷嘴。第一喷嘴381、第二喷嘴382和第三喷嘴383将处理液供应到包括位于旋转头340上的基板W上的中心区域的区域。处理液可以是有机溶剂，例如异丙醇(IPA)。
基板处理装置300还可以包括：冲洗液喷嘴391，其供应用于冲洗位于旋转头340上的基板W的冲洗液；以及干燥气体供应喷嘴392，其将用于干燥基板W的干燥气体供应到位于旋转头340上的基板W上。干燥气体可以是被加热的惰性气体。例如，干燥气体可以是被加热的氮气。
图4是表示图2的流量测量单元400的示例的立体图。图5是从方向AA看的图4的流量测量单元400的截面图。参考图2、图4和图5，流量测量单元400测量从处理液喷嘴380排出的处理液的排出量。例如，流量测量单元400测量从处理液喷嘴380排出的处理液的每单位时间的排出量。根据实施方式，流量测量单元400包括容器410、测量单元420、排放管线430、排放阀440和防溢出管线450。
容器410位于壳体320的外部。容器410在其内部具有容纳空间411。容纳空间的上侧敞开。从处理液喷嘴380排出的处理液被容纳在容纳空间411内。根据实施方式，容器410包括主容器410a、第一辅助容器410b以及第二辅助容器410c。
主容器410a在其内部具有供第一喷嘴381排出处理液的主容纳空间411a。第一辅助容器410b在其内部具有供第二喷嘴382排出处理液的第一辅助容纳空间411b。第二辅助容器410c在其内部具有供第三喷嘴383排出处理液的第二辅助容纳空间411c。根据实施方式，第一辅助容器410b和第二辅助容器410c从主容器410a的侧壁向外突出。当俯视时，第一辅助容器410b的面积和第二辅助容器410c的面积小于主容器410a的面积。因此，可以减小第一辅助容器410b和第二辅助容器410c所占据的空间，并且可以使与装置的其它构造的干扰最小化。排放到第一辅助容器410b和第二辅助容器410c的处理液可以被引入到主容纳空间411a中。例如，第一辅助容纳空间411b和第二辅助容纳空间411c的深度小于主容纳空间411a的深度。第一辅助容纳空间411b和第二辅助容纳空间411c与主容纳空间411a连通。第一辅助容纳空间411b和第二辅助容纳空间411c的底表面沿面对主容纳空间411a的方向向下倾斜。第一辅助容器410b和第二辅助容器410c可以相对于主容器410a设置在相对两侧。与此不同，容器410可以具有供处理液喷嘴380可以容易地将处理液排放到容纳空间中的各种形状。
测量构件420可以测量容纳在容纳空间411中的处理液的量。根据实施方式，测量构件420包括测量窗口421。测量窗口421设置在容器410的侧壁的区域中。可以通过测量窗口421观察容纳在容纳空间411中的处理液。例如，测量窗口421可以设置在主容器410a的侧壁中。与此不同，根据测量者测量容纳在容纳空间411中的处理液的液位所在的位置，测量窗口421可以设置在第一辅助容器410b或第二辅助容器410c的侧壁中，使得测量者可以容易地测量处理液的液位。在测量窗口421中形成有测量刻度422。容纳在容纳空间411中的处理液的液位可以通过使用测量刻度422来测量。
容纳空间411中的处理液通过排放管线430排放。排放管线430可以连接到容器410的底表面。根据实施方式，排放管线430与主容器410a的下端壁连接以与主容纳空间411a连通。
排放阀440打开和关闭排放管线430。排放阀440可以设置在排放管线430上。为了测量处理液喷嘴380的排出量，在处理液喷嘴380将处理液排放到容纳空间中时排放阀440关闭排放管线430，否则打开排放管线430。与此不同，当通过排放管线430排出的处理液的流量小于处理液喷嘴380的排出量时，排放管线430可以在向容纳空间中排出处理液的同时被保持在打开状态，并且还在其它情况下测量处理液喷嘴380的排出量。
防溢出管线450防止处理液从容纳空间411溢出。防溢出管线450与容器410的侧壁连接以与容纳空间411连通。例如，防溢出管线450连接到比主容器410a的侧壁的测量窗口421更高的位置。因此，与超过可通过使用测量窗口421和测量刻度422测量的高度的液位对应的在容纳空间411中容纳的处理液通过防溢出管线450排出。防溢出管线450可以容纳的处理液的最大流量可以等于或大于可以从处理液喷嘴380排出的处理液的最大流量。
备用端口500位于壳体320的外部。处理液喷嘴380在备用端口500就位。即，当处理液喷嘴380位于备用位置时，处理液喷嘴380位于处理液可以被排放到备用端口500的位置处。备用端口500将从处理液喷嘴380排放的处理液排放到外部。由于在将处理液排出到位于旋转头340上的基板W上之前，从备用端口500排出特定量的处理液，所以可以将与排出孔邻接的固化的处理液以及可能与异物混合的处理液从处理液喷嘴380除去。备用端口500的数量可以对应于处理液喷嘴380的数量。备用端口500中的至少一个可以设置到流量测量单元400。根据实施方式，备用端口500包括第一备用端口510、第二备用端口520和第三备用端口530。第一喷嘴381在第一备用端口510上就位时排出处理液。第一备用端口510将从第一喷嘴381排出的处理液排出到外部。第二喷嘴382在第二备用端口520上就位时排出处理液。第二备用端口520将从第二喷嘴382排出的处理液排出到外部。第三喷嘴383在第三备用端口530上就位时排出处理液。第三备用端口530将从第三喷嘴383排出的处理液排出到外部。第二备用端口520、第一备用端口510和第三备用端口530依次布置成行。第一备用端口510可以设置在流量测量单元400中。在这种情况下，第一辅助容器410b位于主容器410a和第二备用端口520之间，并且第二辅助容器410c位于主容器410a和第三备用端口530。因此，第一辅助容器410b和第二辅助容器410c被定位成使得第二喷嘴382和第三喷嘴383可以容易地在备用位置以及第一辅助容器410b和第二辅助容器410c之间移动。另外，由于在流量测量单元400中设置了备用端口500的其中一个，所以不需要在装置内用于安装流量测量单元400的单独空间。
图6是示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理装置1300的平面图。图7是示出图6的流量测量单元1400的示例的立体图。图8是从AA方向看的图7的流量测量单元1400的截面图。参考图6至图8，与图2的基板处理装置300不同，可以设置两个处理液喷嘴1380。例如，处理液喷嘴1380包括第一喷嘴1381和第二喷嘴1382。第一喷嘴1381可以供应第一处理液，第二喷嘴1382可以供应第二处理液。第一喷嘴1381和第二喷嘴1382可以移动至其处理位置和备用位置。处理位置是用于供排出处理液的第一喷嘴1381和第二喷嘴1382的排出孔在壳体320的竖直上侧的位置，备用位置是用于供排出处理液的第一喷嘴381和第二喷嘴382的排出孔从壳体320的竖直上侧偏离的位置。第一喷嘴1381和第二喷嘴1382可以是摆动型喷嘴。
在这种情况下，容器1410可以包括主容器1410a和第一辅助容器1410b。主容器1410a在其内部具有主容纳空间1411a，第一喷嘴1381将处理液排出到主容纳空间1411a。第一辅助容器1410b在其内部具有第一辅助容纳空间1411b，第二喷嘴1382向第一辅助容纳空间1411b排出处理液。根据实施方式，第一辅助容器1410b从主容器1410a的侧壁向外突出。当俯视时，第一辅助容器1410b的面积小于主容器1410a的面积。因此，可以减小第一辅助容器1410b所占据的空间，并且可以使与装置的其它构造的干扰最小化。排放到第一辅助容器1410b的处理液可以被引入到主容纳空间1411a中。例如，第一辅助容纳空间1411b的深度小于主容纳空间1411a的深度。第一辅助容纳空间1411b可以与主容纳空间1411a连通。第一辅助容纳空间1411b的底表面可以沿面对主容纳空间1411a的方向向下倾斜。与此不同，容器1410可以具有供处理液喷嘴1380可以容易地将处理液排放到容纳空间中的各种形状。
此外，在这种情况下，备用端口1500可以包括第一备用端口1510和第二备用端口1520。第一喷嘴1381在第一备用端口1510上就位时排放处理液。第一备用端口1510将从第一喷嘴1381排出的处理液排出到外部。第二喷嘴1382在第二备用端口1520就位时排出处理液。第二备用端口1520将从第二喷嘴1382排出的处理液排出到外部。第二备用端口1520和第一备用端口1510被布置在装置中以彼此相邻。第一备用端口1510可以设置在流量测量单元1400中。在这种情况下，第一辅助容器1410b位于主容器1410a和第二备用端口1520之间。因此，第一辅助容器1410b被定位成使得第二喷嘴1382可以容易地在备用位置与第一辅助容器1410b之间移动。另外，由于在流量测量单元1400中设置有备用端口1500中的一个，所以不需要装置内用于安装流量测量单元1400的单独空间。
除了基板处理装置1300的处理液喷嘴1380、流量测量单元1400和备用端口1500之外的元件的其它构造、结构和功能与图2的基板处理装置300的那些基本相同。
在下文中，为了便于描述，将描述根据本发明构思的实施方式的通过使用图2的基板处理装置处理基板方法。
图9是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图。参考图2至图5和图9所示，基板处理方法包括排出量测量操作S10、排出量调节操作S20和处理操作S30。
在排出量测量操作S10中，测量处理液喷嘴380的处理液排出量。例如，在排出量测量操作S10中，测量第一喷嘴381、第二喷嘴382和第三喷嘴383的处理液排出量。根据实施方式，排出量测量操作S10包括关闭阀操作S11、排出操作S12、测量操作S13和排放操作S14。
在关闭阀操作S11中，排放阀440被关闭。因此，为了测量处理液喷嘴380的每单位时间的处理液排出量，在排出操作S12和测量操作S13中，可以防止从处理液喷嘴380排出的处理液被排放。
在执行关闭阀操作S11之后执行排出操作S12。在排出操作S12中，处理液喷嘴380的381、382和383中的一个将处理液排出到容纳空间411。在排出操作S12中，处理液喷嘴380将对应于特定量(从最小量到不大于可以通过测量刻度422测量的最大值)的处理液排出到容纳空间411。例如，在排出操作S12中，第一喷嘴381将可通过测量刻度422测量的最小量(即，位于测量刻度422的最低位置的刻度)的处理液排出到主容纳空间411a中。与此不同，在排出操作S12中，第二喷嘴382或第三喷嘴383将可通过测量刻度422测量的最小量的处理液排放到第一辅助容纳空间411b或第二辅助容纳空间411c中。
在排出操作S12之后执行测量操作S13。在测量操作S13中，处理液喷嘴380在将处理液排放到容纳空间411中的同时测量容纳空间411中的处理液的量的变化。例如，在测量操作S13中，在第一喷嘴381向容纳空间411a中排出处理液达特定时间段时，通过使用测量窗口421和测量刻度422来测量主容纳空间411a中的处理液的量的变化。在这种情况下，第一喷嘴381排出处理液达预定时间段。例如，特定时间段可以是30秒。
在测量操作S13之后执行排放操作S14。在排放操作S14中，通过打开排放阀440将容纳空间411中的处理液排放到外部。在除了关闭阀操作S11、排出操作S12和测量操作S13之外的情况下，排放阀440通常保持打开状态。因此，在除了关闭阀操作S11、排出操作S12和测量操作S13之外的情况下，流量测量单元400可以用作第一备用端口510。
当设置有排出量需要被调节的多个处理液喷嘴380时，在对一个处理液喷嘴380执行了关闭阀操作S11、排出操作S12和测量操作S13以及排放操作S14之后，对另一处理液喷嘴380进行关闭阀操作S11、排出操作S12、测量操作S13和排放操作S14。
在执行排出量测量操作S10之后执行排出量调节操作S20。当设置有多个处理液喷嘴380时，可以在对排出量需要被调节的所有处理液喷嘴380进行排出量测量操作S10之后执行排出量调节操作S20。与此不同，在对排出量需要被调节的处理液喷嘴380中的一个执行了排出量测量操作S10和排出量调节操作S20之后，可以对另一个处理液喷嘴380执行排出量测量操作S10和排出量调节操作S20。在排出量调节操作S20中，根据已经在排出量测量操作S10中测量的处理液喷嘴380的每单位时间排出量来调节处理液喷嘴380的处理液排出量。例如，当通过排出量测量操作S10测量的第一喷嘴381的每单位时间排出量小于适于处理位于旋转头340上的基板W的量时，将第一喷嘴381的每单位时间排出量调大。相反，当通过排出量测量操作S10测量的第一喷嘴381的每单位时间排出量大于适于处理位于旋转头340上的基板W的量时，将第一喷嘴381的每单位时间排出量调小。在排出量调节操作S20中用于调节第二喷嘴382和第三喷嘴383的排出量的方法基本上与第一喷嘴381的情况相同。
在处理操作S30中，通过用处理液喷嘴380将处理液供应到位于支撑单元340上的基板W来处理基板W。当设置有多个处理液喷嘴380时，可以在对所有处理液喷嘴380进行了排出量测量操作S10和排出量调节操作S20之后进行处理操作S30。与此不同，选择性地，也可以在对处理液喷嘴380中的排出量需要被调节的一些进行了排出量测量操作S10和排出量调节操作S20之后进行处理操作S30。可以将处理操作S30重复多次。当重复处理操作S30多次时，当通过再次执行排出量测量操作S10和排出量调节操作S20来处理基板时，可以维持适当范围的处理液喷嘴的每单位时间排出量。处理操作S30包括基板装载操作S31和处理液供应操作S32。在基板装载操作S31中，外部进给单元将基板W置于支撑单元340上。在处理液供应操作S33中，通过用处理液喷嘴380向位于支撑单元340上的基板W供应处理液来处理基板W。之后，通过进给单元将处理后的基板W载出基板处理装置300。
图10是示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理方法的流程图。当通过排放管线430排放的处理液的流量小于处理液喷嘴380的排出量时，在排出操作S12a中排放管线430可以不关闭，因为即使在排放管线430打开的状态下，在处理液喷嘴380向处理空间排出处理液以测量处理液喷嘴380的排出量时，容纳空间中的处理液的液位也会增加。因此，排出量测量操作S10a包括排出操作S12a和测量操作S13a，并且与图9的情况不同，排放阀440在排出操作S12a之前关闭，并且在测量操作S13a之后不需要打开排放阀440的操作。基板处理方法的其它工序基本上与图9的基板处理方法相同。
如上所述，根据本发明构思，通过向具有上述特征的流量测量单元400和1400设置一些备用端口，可以容易地测量处理液喷嘴380和1380的排出量。此外，可以容易地排出用于测量处理液喷嘴380和1380的排出量的液体。此外，由于操作者不必通过使用量筒直接进行测量，所以当测量处理液喷嘴380和1380的排出量时，可以防止操作暴露于危险中。
根据本发明构思的实施方式，可容易地测量喷嘴的排出量。
根据本发明构思的实施方式，可以容易地排出用于测量喷嘴的排出量的液体。
此外，根据实施方式，当测量喷嘴的排出量时，可以防止操作者暴露于危险中。
以上描述举例说明了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方式，而本发明构思可以在多种其它组合、变化和环境中使用。也就是说，可以在不脱离说明书中公开的发明构思的范围、与本书面公开等同的范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下对本发明构思进行修改和修正。所描述的实施方式描述了实施本发明构思的技术精神的最佳状态，可以作出本发明构思的具体应用领域和目的所要求的各种变化。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方式状态中。而且，应该理解，所附权利要求包括其它实施方式。

Claims (25)

1.一种基板处理装置，包括：
壳体，所述壳体提供用于在其中执行基板处理工艺的空间；
支撑单元，所述支撑单元在所述壳体内支撑所述基板并旋转所述基板；
处理液喷嘴，所述处理液喷嘴将处理液供应到位于所述支撑单元上的基板；和
流量测量单元，所述流量测量单元测量由所述处理液喷嘴排出的处理液的排出量；
其中所述流量测量单元包括：
容器，所述容器位于所述壳体的外部并具有容纳空间，所述容纳空间的上侧敞开并且在所述容纳空间内部容纳有从所述处理液喷嘴排出的处理液；
测量构件，所述测量构件被配置成测量容纳在所述容纳空间中的所述处理液的量；和
排放管线，所述排放管线将所述容器中的处理液排出，
其中所述处理液喷嘴包括彼此独立移动的第一喷嘴和第二喷嘴，
其中所述容器包括：
主容器，所述主容器具有主容纳空间，所述第一喷嘴将处理液排出到所述主容纳空间；和
第一辅助容器，所述第一辅助容器具有第一辅助容纳空间，所述第二喷嘴将处理液排出到所述第一辅助容纳空间；
其中当俯视时，所述第一辅助容器的面积小于所述主容器的面积。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述测量构件包括：
测量窗口，所述测量窗口设置在所述容器的侧壁的一部分区域中，并且通过所述测量窗口来观察容纳在所述容纳空间中的处理液；以及
测量刻度，通过所述测量刻度在所述测量窗口中形成容纳在所述容纳空间中的处理液的液位。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，被排出到所述第一辅助容器的处理液被引入到所述主容纳空间中，并且
所述测量窗口设置在所述主容器的侧壁中。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第一辅助容纳空间的深度小于所述主容纳空间的深度，所述第一辅助容纳空间与所述主容纳空间连通，并且所述第一辅助容纳空间的底表面沿面对所述主容纳空间的方向向下倾斜。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述处理液喷嘴还包括独立移动的第三喷嘴，
所述容器还包括：
具有第二辅助容纳空间的第二辅助容器，所述第三喷嘴将处理液排出到所述第二辅助容纳空间；
其中当俯视时，所述第二辅助容器的面积小于所述主容器的面积。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第二辅助容纳空间的深度小于所述主容纳空间的深度，所述第二辅助容纳空间与所述主容纳空间连通，并且所述第二辅助容纳空间的底表面沿面对所述主容纳空间的方向向下倾斜。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述第一辅助容器和所述第二辅助容器相对于所述主容器设置在相对两侧。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括：
多个备用端口，所述多个备用端口位于所述壳体的外部，供所述处理液喷嘴在其中就位，并且被配置为将所述处理液喷嘴所排出的处理液排出到外部；
其中所述备用端口中的至少一者被设置为所述流量测量单元。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中所述备用端口包括：
第一备用端口，所述第一备用端口将从所述第一喷嘴排出的处理液排出到外部；和
第二备用端口，所述第二备用端口将从所述第二喷嘴排出的处理液排出到外部，
其中所述第一备用端口被设置为所述流量测量单元，
其中所述第一辅助容器位于所述主容器和所述第二备用端口之间。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
所述处理液喷嘴还包括独立移动的第三喷嘴，
所述容器还包括：
具有第二辅助容纳空间的第二辅助容器，所述第三喷嘴将处理液排出到所述第二辅助容纳空间；并且
其中当俯视时，所述第二辅助容器的面积小于所述主容器的面积。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述第二辅助容纳空间的深度小于所述主容纳空间的深度，所述第二辅助容纳空间与所述主容纳空间连通，并且所述第二辅助容纳空间的底表面沿面对所述主容纳空间的方向向下倾斜。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述第一辅助容器和所述第二辅助容器相对于所述主容器设置在相对两侧。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中所述备用端口包括：
第一备用端口，所述第一备用端口将从所述第一喷嘴排出的处理液排出到外部；
第二备用端口，所述第二备用端口将从所述第二喷嘴排出的处理液排出到外部；和
第三备用端口，所述第三备用端口将从所述第三喷嘴排出的处理液排出到外部；
其中，所述第二备用端口、所述第一备用端口和所述第三备用端口依次布置成行，
其中所述第一备用端口被设置为所述流量测量单元，
其中所述第一辅助容器位于所述主容器和所述第二备用端口之间，并且
其中所述第二辅助容器位于所述主容器和所述第三备用端口之间。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的基板处理装置，还包括：
排放阀，所述排放阀打开和关闭所述排放管线。
15.根据权利要求1至13中任一项所述的基板处理装置，其中，防止处理液从所述容纳空间溢出的防溢出管线连接到所述容器的侧壁。
16.一种使用根据权利要求14所述的基板处理装置测量处理液喷嘴的处理液的排出量的方法，所述方法包括：
排出步骤，其通过所述处理液喷嘴将处理液排出到所述容纳空间中；和
测量步骤，其通过所述处理液喷嘴测量所述容纳空间中的处理液的量。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述排出步骤中，通过所述处理液喷嘴将特定量的处理液排出到所述容纳空间，所述特定量从最小量到不大于由测量刻度测量的最大值。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
关闭阀步骤，其在所述排出步骤之前关闭所述排放阀。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括：
排放步骤，其在所述测量步骤之后通过打开所述排放阀，将所述容纳空间中的处理液排放到外部。
20.一种通过使用根据权利要求14所述的基板处理装置处理基板的方法，所述方法包括：
排出量测量步骤，其测量所述处理液喷嘴的处理液排出量；
排出量调节步骤，其调节所述处理液喷嘴的处理液排出量；和
处理步骤，其通过由所述处理液喷嘴将处理液供应到位于所述支撑单元上的所述基板来处理所述基板。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述排出量测量步骤包括：
排出步骤，其通过所述处理液喷嘴将处理液排出到所述容纳空间中；和
测量步骤，其测量所述容纳空间中的处理液的量。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述排出量测量步骤还包括：
关闭阀步骤，其在所述排出步骤之前关闭所述排放阀。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述排出量测量步骤还包括：
排放步骤，其在所述测量步骤之后通过打开所述排放阀将所述容纳空间中的处理液排放到外部。
24.根据权利要求21所述的方法，其中，在所述排出步骤中，通过所述处理液喷嘴将特定量的处理液排出到所述容纳空间，所述特定量从最小量到不大于由测量刻度测量的最大值。
25.根据权利要求21所述的方法，其中所述处理步骤包括：
装载步骤，其将所述基板置于所述支撑单元上；和
供应步骤，其通过所述处理液喷嘴向所述基板供应处理液。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102081706B1 (ko) * 2018-07-18 2020-02-27 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102245294B1 (ko) * 2019-06-21 2021-04-28 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR20220159668A (ko) * 2021-05-26 2022-12-05 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10216605A (ja) * 1997-01-31 1998-08-18 Sony Corp 薬液回転塗布装置
CN103377870A (zh) * 2012-04-30 2013-10-30 细美事有限公司 基板处理设备
CN103447256A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 细美事有限公司 清洁基板的设备和方法
CN103674164A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 武汉理工大学 称重式液面位置的检测物块、装置及检测方法
JP2014067910A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
CN103968900A (zh) * 2014-05-19 2014-08-06 中国航空动力机械研究所 流体流量测量系统及测量方法
KR20140117202A (ko) * 2013-03-26 2014-10-07 (주)마스터코리아 플로우 코팅 장치
CN104501916A (zh) * 2014-12-08 2015-04-08 西尼尔(南京)过程控制有限公司 一种液体标定系统及其标定方法
CN105091957A (zh) * 2015-05-27 2015-11-25 东南大学 一种火电机组给水流量测定方法
CN105575854A (zh) * 2014-10-31 2016-05-11 细美事有限公司 基板处理装置
KR20160054145A (ko) * 2014-11-05 2016-05-16 세메스 주식회사 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 정전기 제거 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4344469A (en) * 1980-06-09 1982-08-17 Fmc Corporation Liquid transfer apparatus
KR20060009774A (ko) 2004-07-26 2006-02-01 삼성전자주식회사 반도체 제조 설비의 약액 공급 장치
KR101421752B1 (ko) * 2008-10-21 2014-07-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US9378988B2 (en) * 2011-07-20 2016-06-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method using processing solution
CN105914167B (zh) 2015-02-25 2018-09-04 株式会社思可林集团 基板处理装置
JP6332095B2 (ja) * 2015-03-20 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 薬液供給装置の調整方法、記憶媒体及び薬液供給装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10216605A (ja) * 1997-01-31 1998-08-18 Sony Corp 薬液回転塗布装置
CN103377870A (zh) * 2012-04-30 2013-10-30 细美事有限公司 基板处理设备
CN103447256A (zh) * 2012-05-31 2013-12-18 细美事有限公司 清洁基板的设备和方法
JP2014067910A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
KR20140117202A (ko) * 2013-03-26 2014-10-07 (주)마스터코리아 플로우 코팅 장치
CN103674164A (zh) * 2013-12-26 2014-03-26 武汉理工大学 称重式液面位置的检测物块、装置及检测方法
CN103968900A (zh) * 2014-05-19 2014-08-06 中国航空动力机械研究所 流体流量测量系统及测量方法
CN105575854A (zh) * 2014-10-31 2016-05-11 细美事有限公司 基板处理装置
KR20160054145A (ko) * 2014-11-05 2016-05-16 세메스 주식회사 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 정전기 제거 방법
CN104501916A (zh) * 2014-12-08 2015-04-08 西尼尔(南京)过程控制有限公司 一种液体标定系统及其标定方法
CN105091957A (zh) * 2015-05-27 2015-11-25 东南大学 一种火电机组给水流量测定方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
喷孔流量系数精确测量方法研究;杜慧勇等;《车用发动机》;20130225(第01期);正文全文 *

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