KR100929814B1 - 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

본 발명은 처리유체를 분사하는 분사유닛 및 이를 구비하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 분사유닛은 수평으로 놓여지는 샤프트 및 상기 샤프트에 축결합되어 상기 샤프트와 수직하는 방향으로 일정각도 회전되는 노즐들, 그리고 처리유체를 분사하기 위한 분사위치와 분사위치에 위치되기 전에 대기하기 위한 대기위치 상호간에 상기 노즐들을 독립적으로 회전시키는 구동유닛을 가진다. 본 발명은 기판 처리 공정시 처리 상이한 처리유체를 공급하는 노즐들의 교체 시간을 단축한다.
반도체, 노즐, 분사, 세정, 약액, 처리액

Description

분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치{INJECTION UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE SAME}
본 발명은 처리유체를 분사하는 분사유닛 및 이를 구비하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 집적회로 칩 제조를 위한 웨이퍼 및 평판 디스플레이 제조를 위한 유리 기판 등의 기판을 처리하는 장치들 중 세정 장치는 기판으로 처리유체를 분사하여 기판 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다.
이러한 세정 장치는 용기, 척, 그리고 분사유닛을 가진다. 용기는 상부가 개방된 컵 형상을 가지며, 척은 공정시 상기 용기 내부에서 기판을 지지 및 회전시킨다. 그리고, 분사유닛은 공정시 용기의 개방된 상부를 통해 척에 놓여진 웨이퍼의 처리면으로 처리유체를 분사한다. 분사유닛으로는 복수의 노즐들이 사용된다. 공정이 개시되면, 척에 웨이퍼가 놓여지고 각각의 노즐들은 척에 의해 회전되는 웨이퍼 상에 처리유체를 분사하여 웨이퍼를 세정한다. 이때, 각각의 노즐은 처리유체를 분사하기 전 장치의 일측에서 대기하며, 처리유체 분사시 노즐들 중 어느 하나가 선택적으로 처리유체를 분사하기 위한 분사위치로 이동되어 처리액을 분사한다. 그리 고, 처리유체 분사를 완료한 노즐은 다시 대기위치로 이동되고, 다른 노즐이 분사위치로 이동되어 다음의 처리유체를 기판상에 분사한다.
그러나, 이러한 기판 세정 장치는 노즐을 교체하는 시간이 길어 공정시간이 증가한다. 예를 들면, 세정 공정시 노즐의 토출단 부분은 용기의 개방된 상부를 통해 용기 내부 공간에 위치된 상태로 처리유체를 토출시킨다. 따라서, 이 경우 노즐이 분사위치와 대기위치 간에 이동시 노즐의 이동 경로 상에 용기가 위치되어 노즐과 용기가 충돌될 수 있다. 노즐과 용기의 충돌을 방지하기 위해서는 노즐이 이동되기 전에 노즐의 이동경로 상으로부터 용기의 위치를 변경시키거나, 노즐이 용기를 피해서 분사위치와 대기위치 상호간에 이동되도록 하여야 하므로, 노즐 교체에 따른 시간이 증가한다. 노즐 교체시에는 기판으로의 처리유체 공급이 중단되므로, 노즐을 교체하는 동안에 웨이퍼의 표면이 외부 공기 중에 노출되어 웨이퍼의 세정 효율이 저하된다.
본 발명은 노즐의 교체로 인해 기판 처리 공정 효율이 저하되는 것을 방지하는 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 노즐의 교체 시간을 단축하여 기판 처리 공정 시간을 단축하는 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 분사유닛은 수평으로 놓여지는 샤프트 및 상기 샤프트에 결합되어 상기 샤프트와 수직하는 방향으로 회전되는 노즐을 가지는 분사모듈 및 상기 분사모듈을 구동시키는 구동모듈을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐은 상기 샤프트와 축결합되는 회전부 및 상기 회전부로부터 연장되며 처리유체를 분사하는 토출부를 가진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 토출부는 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인, 상기 제1 라인과 수직하는 제2 라인, 그리고 상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하며, 라운드지는 형상을 가지는 연결라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 토출부는 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인 및 상기 제1 라인의 끝단으로부터 상기 제1 라인과 수직하게 아래방향으로 연장되는 제2 라인을 포함한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 가지는 용기, 상기 용기 내부에서 기판을 지지하는 척, 그리고 상기 척에 놓여진 기판으로 처리유체를 분사하는 분사유닛을 포함하되, 상기 분사유닛은 수평으로 놓여지는 샤프트 및 상기 샤프트에 결합되어 상기 샤프트와 수직하는 방향으로 회전되는 노즐을 가지는 분사모듈 및 상기 분사모듈을 구동시키는 구동모듈을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐은 상기 샤프트와 축결합되는 회전부 및 상기 회전부로부터 연장되며 처리유체를 분사하는 토출부를 가지되, 상기 토출부는 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인, 상기 제1 라인과 수직하는 제2 라인, 그리고 상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하며, 라운드지는 형상을 가지는 연결하는 연결라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 토출부는 상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인 및 상기 제1 라인의 끝단으로부터 아래방향으로 수직하게 연장되는 제2 라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구동모듈은 상기 노즐이 처리유체를 분사하기 위한 분사위치 및 상기 분사위치로 이동되기 전에 상기 노즐이 대기하는 대기위치 상호간에 위치되도록 상기 노즐을 회전시키는 노즐 구동기를 포함하되, 상기 분사위치는 상기 회전부가 수평으로 놓여지는 위치이고, 상기 대기위치는 상기 회전부가 수직하게 놓여지는 위치이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐은 복수가 일렬로 배치되고, 상기 구 동모듈은 각각의 상기 노즐을 독립적으로 상기 분사위치 및 상기 대기위치 상호간에 위치시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 구동모듈은 상기 분사모듈을 수평으로 일정각도로 스윙 운동시키는 제2 구동기 및 상기 제2 구동기를 직선왕복이동시키는 제3 구동기를 더 포함한다.
본 발명에 따른 분사유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치는 세정 공정시 노즐의 교체시간을 단축하여 기판의 처리 공정의 효율을 향상시키고, 기판 처리 공정 시간을 단축한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되는 것은 아니다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자, 즉 당업자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상은 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 기판 상에 처리유체를 분사하여 기판상의 이물질을 제거하는 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 처리유체를 분사하는 분사유닛을 구비하는 모든 장치에 적용이 가능할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 분사유닛의 구성들을 보여주는 도면이다. 그리고, 도 3은 도 1에 도시된 제1 내지 제3 노즐을 보여주는 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(10)는 반도체 기판(이하, 웨이퍼)(W)을 세정하는 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 세정유닛(cleaning unit)(100) 및 분사유닛(injection unit)(200)을 가진다. 세정유닛(100)은 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정공정을 수행하고, 분사유닛(200)은 세정공정시 웨이퍼(W) 상으로 처리유체를 분사한다.
세정유닛(100)은 용기(110) 및 스핀척(120)을 가진다.
용기(110)는 내부에 세정공정을 수행하는 공간을 가진다. 용기(110)는 상부가 개방된 컵(cup) 형상을 가진다. 용기(110)의 개방된 상부(112)는 웨이퍼(W)가 용기(110) 내 공간으로 출입되기 위한 통로로 사용된다.
스핀척(120)은 세정공정시 용기(110) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지 및 회전한다. 스핀척(120)은 스핀헤드(122), 회전축(124), 그리고 척 구동기(126)를 가진다. 스핀헤드(122)는 대체로 원통형상을 가진다. 스핀헤드(122)는 웨이퍼(W)가 놓여지는 상부면(122a)을 가진다. 상부면(122a)의 가장자리에는 복수의 척킹핀(122b)들이 설치된다. 척킹핀(122b)은 상부면(122a)에 놓여진 웨이퍼(W)의 가장자리를 척킹 및 언척킹하여, 스핀헤드(122) 상에 웨이퍼(W)를 고정시킨다.
회전축(124)은 용기(110) 하부벽(112) 중앙을 상하로 관통하도록 설치된다. 회전축(124)의 상단은 스핀헤드(122)의 하부 중앙에 결합되고, 회전축(124)의 하단은 척 구동기(126)에 결합된다. 그리고, 척 구동기(126)는 세정공정시 회전축(124)을 회전시켜, 스핀헤드(122)에 놓여진 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 또한, 척 구동기(126)는 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩시, 회전축(124)을 상승시켜 스핀헤드(122)의 상부면(122a)이 용기(110)의 개방된 상부(112)를 통해 용기(110) 외부 공간에 노출되도록 한다.
본 실시예에서는 스핀헤드(122)를 승강시켜 웨이퍼(W)의 로딩을 수행하는 경우를 설명하였으나, 용기(110)의 높이를 조절하여 스핀헤드(122)를 용기(110)의 개방된 상부(112)를 통해 용기(110) 외부로 노출되도록 하여 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩을 수행할 수 있다.
분사유닛(200)은 분사모듈(injection module)(202) 및 구동모듈(driving module)(250)을 가진다. 분사모듈(202)은 샤프트(shaft)(210), 제1 노즐(first nozzle)(220), 제2 노즐(second nozzle)(230), 그리고 제3 노즐(third nozzle)(240)을 가진다.
샤프트(210)는 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)의 회전을 위해 제공된다. 샤프트(210)는 각각의 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)과 축결합되어, 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 일정각도로 회전되도록 한다. 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)들은 샤프트(210)의 길이방향을 따라 서로 나란히 배치된다. 이때, 샤프 트(210)는 대체로 수평하게 놓여지며, 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)은 샤프트(210)를 축으로 하여 회전된다. 본 실시예에서는 하나의 샤프트(210)가 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)과 축결합되는 구조를 예로 들어 설명하였으나, 샤프트는 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240) 각각에 하나씩 구비될 수 있다.
제1 노즐(220)은 세정공정시 제1 유체를 분사한다. 제1 유체는 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 이물질을 제거하기 위한 세정액일 수 있다. 제1 노즐(220)은 제1 회전부(222) 및 제1 토출부(224)를 가진다. 제1 회전부(222)의 일측은 샤프트(210)와 축결합된다. 따라서, 제1 회전부(222)는 샤프트(210)를 기준으로 일정각도 회전된다. 제1 토출부(224)는 세정공정시 웨이퍼(W) 상으로 제1 유체를 토출한다. 제1 토출부(224)는 제1 회전부(222)의 타단으로부터 연장되되 라운드(round)지는 형상을 가진다. 예컨대, 제1 토출부(224)는 제1 라인(L1) 및 제2 라인(L2), 그리고 연결라인(L3)을 가진다. 제1 라인(L1)은 제1 회전부(222)의 타단으로부터 일직선으로 연장된다. 제2 라인(L2)은 제1 라인(L1)과 수직하는 라인이다. 제2 라인(L2)의 하단에는 제1 유체가 토출되는 토출홀(h1)이 형성된다. 그리고, 연결라인(L3)은 제1 라인(L1)와 제2 라인(L2)을 연결하는 라인이다. 이때, 연결라인(L3)은 제1 라인(L1)의 끝단으로부터 제2 라인(L2)의 상단으로 갈수록 굴곡지게 구부러지는 형상을 가진다.
제2 노즐(230) 및 제3 노즐(240)은 세정공정시 각각 제2 유체 및 제3 유체를 분사한다. 제2 유체는 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 제1 유체 및 기타 이물질을 제거하기 위한 린스액이고, 제3 유체는 웨이퍼(W)를 건조하기 위한 건조가스일 수 있다. 제2 노즐(230)은 제2 회전부(232) 및 제2 토출부(234)를 가지고, 제3 노즐(240)은 제3 회전부(242) 및 제3 토출부(244)를 가진다. 제2 및 제3 회전부(232, 242)는 상술한 제1 회전부(222)와 동일한 형상 및 구조를 가지고, 제2 및 제3 토출부(234, 244)는 상술한 제1 토출부(224)와 동일한 형상 및 구조를 가진다.
구동모듈(250)은 분사모듈(202)을 구동한다. 구동모듈(250)은 제1 구동기(242) 및 제2 구동기(244) 그리고 제3 구동기(246)를 가진다.
제1 구동기(242)는 각각의 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)을 독립적으로 구동시킨다. 예컨대, 도 2 및 3에 도시된 바와 같이, 제1 구동기(242)는 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240) 각각을 선택적으로 분사위치(a) 및 스탠바이위치(b) 상호간에 위치시키는 구동기(242a, 242b, 242c)를 가진다. 분사위치(a)는 공정시 각각의 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 처리유체를 분사하기 위한 위치이고, 스탠바이위치(b)는 각각의 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 분사위치(a)로 이동되기 전 대기하는 위치이다. 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240) 각각이 분사위치(a)에 위치되면 각각의 회전부(222, 232, 242)는 대체로 수평하게 놓여지며, 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240) 각각이 스탠바이위치(b)에 위치되면, 각각의 회전부(222, 232, 242)는 대체로 상하로 수직하게 놓여진다. 또한, 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 분사위치(a)에 위치되면, 토출구(h1, h2, h3)가 형성된 토출부(224, 234, 244)의 끝단은 용기(110) 내부 공간에 위치된다.
여기서, 각각의 구동기(242a, 242b, 242c)로는 구동실린더(driving cylinder)가 사용될 수 있다. 즉, 구동기(242a, 242b, 242c) 각각은 제1 내지 제3 회전부(222, 232, 242)의 일부를 밀거나 당겨 회전되도록 함으로서 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)들이 분사위치(a) 및 스탠바이위치(b) 상호간에 위치되도록 할 수 있다. 또는, 구동기(242a, 242b, 242c)로는 회전모터(rotating motor)가 사용될 수 있다. 즉, 각각의 구동기(242a, 242b, 242c)는 제1 내지 제3 회전부(222, 232, 242)를 각각 회전시켜 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 분사위치(a) 및 스탠바이위치(b) 상호간에 위치되도록 할 수 있다. 이 경우 제1 구동기(242)에는 구동기(242a, 242b, 242c)의 회전력을 제1 내지 제3 회전부(222, 232, 242)이 전달받기 위한 구성들, 예컨대 기어(gear) 및 벨트(belt)가 구비될 수 있다. 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)을 구동하는 방식은 다양한 구동기술이 적용될 수 있다.
제2 구동기(244)는 회전축(244a)을 회전방향(R)으로 회전시켜, 세정공정시 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 스윙운동(swing movement)하면서 처리유체를 분사하도록 한다. 또한, 제2 구동기(244)는 분사모듈(202)을 상하로 승강 및 하강시켜 제1 노즐 내지 제3 노즐(220, 230, 240)의 높이를 조절할 수 있다.
제3 구동기(246)는 분사모듈(202)을 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)으로 직선이동한다. 제3 구동기(246)는 제2 구동기(244)의 제1 및 제2 방향(X1, X2)으로의 이동을 안내하는 가이드레일(246a)을 가진다. 제3 구동기(246)는 제2 구동기(244)를 가이드레일(242a)를 따라 직선이동시켜, 분사모듈(202)을 공정위치(c) 및 대기위치(d) 상호간에 위치시킨다. 공정위치(c)는 세정공정시 제1 내지 제3 노즐(220, 230, 240)이 스핀척(122)에 놓여진 웨이퍼(W) 상에 처리유체를 분사하기 위한 분사모듈(202)의 위치이고, 대기위치(d)는 공정위치(c)로 이동되기 전에 분사모듈(202)이 세정유닛(100)의 일측에서 대기하는 위치이다.
본 실시예에서는 일부가 일정한 곡률로 라운드지는 토출부를 가지는 분사모듈(202)을 예로 들어 설명하였으나, 토출부의 형상은 다양하게 변경 및 변형이 가능하다. 예를 들면, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 분사모듈(202)은 일부분이 직각으로 구부러지는 형상의 토출부(224', 234', 244')를 가진다. 즉, 토출부(224', 234', 244')은 각각 회전부(222, 232, 242)의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인(224a, 234a, 244a) 및 각각의 제1 라인(224a, 234a, 244a)의 끝단으로부터 제1 라인(224a, 234, 244a)과 수직하게 아래로 연장되는 제2 라인(224b, 234b, 244b)를 가진다.
또는, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 분사모듈(202)은 일부분이 일정각도(θ)로 구부러지는 토출부(224'',234'',244'')를 가진다. 즉, 토출부(224'', 234'', 244'')는 제1 라인(224a',234a',244a') 및 제2 라인(224b', 234b', 244b')를 가진다. 제1 라인(224a', 234a', 244a')은 각각 회전부(222, 232, 242)의 끝단으로부터 제1 각도로 경사지도록 연장된다. 제2 라인(224b', 234b', 244b')은 제1 라인(224a', 234a', 244a')의 끝단으로부터 상기 제1 각도보다 큰 제2 각도로 아래로 경사지게 연장된다.
이하, 도 6 및 도 7a 내지 도 7e를 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 6는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이고, 도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
기판 처리 공정이 개시되면, 세정유닛(100)에 웨이퍼(W)가 로딩(loading)된다(S110). 즉, 도 7a를 참조하면, 로봇암(미도시됨)은 스핀척(120)의 스핀헤드(122) 상에 웨이퍼(W)를 안착시킨다. 이때, 스핀헤드(122)의 상부면은 용기(110)의 개방된 상부를 통해 용기(110) 외부에 노출되어 있다. 스핀헤드(122)에 웨이퍼(W)가 놓여지면, 척 구동기는 스핀헤드(122)를 용기(110) 내부로 위치시킨다.
웨이퍼(W)가 로딩되면, 구동모듈(250)의 제3 구동기(246)는 분사모듈(202)을 대기위치(d)로부터 공정위치(c)로 이동시킨다(S120). 즉, 제3 구동기(246)는 제2 구동기(244)를 가이드레일(246a)를 따라 제1 방향(X1)으로 이동시켜, 분사모듈(202)을 공정위치(c)에 위치시킨다.
분사모듈(202)이 공정위치(c)에 위치되면, 제1 노즐(220)에 의해 웨이퍼(W) 세정이 수행된다(S130). 즉, 도 7b를 참조하면, 척 구동기는 회전축(124)을 회전시켜, 스핀헤드(122)에 놓여진 웨이퍼(W)를 기설정된 회전속도로 회전시킨다. 그리고, 제1 구동기(242)는 스탠바이 위치(b)에 위치된 제1 노즐(220)을 회전시켜 분사위치(a)에 위치시킨다. 제1 노즐(220)이 분사위치(a)에 위치되면, 제1 노즐(220)의 토출홀(h1)은 용기(110) 내 공간에 위치된다. 분사위치(a)에 위치된 제1 노즐(220)은 회전되는 웨이퍼(W)의 처리면으로 제1 유체를 분사한다. 분사된 제1 유체는 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다. 이때, 제2 구동기(244)는 분사모듈(202)을 회전방향(R)으로 회전시켜, 제1 노즐(220)이 스윙운동하면서 제1 유체를 분사하도록 할 수 있다.
제1 노즐(220)에 의한 웨이퍼(W) 세정이 완료되면, 제2 노즐(230)에 의한 웨이퍼(W) 세정이 수행된다(S140). 즉, 도 7c를 참조하면, 제1 구동기(242)는 제1 노즐(220)을 분사위치(a)로부터 스탠바이 위치(b)로 이동시키고, 제2 노즐(230)을 스탠바이 위치(b)로부터 분사위치(a)로 이동시킨다. 이때, 제1 노즐(220)의 스탠바이 위치(b)로의 이동과 제2 노즐(230)의 분사위치(a)로의 이동은 동시에 수행될 수 있다. 제2 노즐(230)이 분사위치(a)에 위치되면, 제2 노즐(230)의 토출홀(h2)은 용기(210) 내 공간에 위치된다. 분사위치(a)에 위치된 제2 노즐(230)은 회전되는 웨이퍼(W)의 처리면으로 제2 유체를 분사한다. 분사된 제2 유체는 웨이퍼(W) 상에 잔류하는 제1 유체 및 기타 이물질을 제거한다. 이때, 제2 구동기(244)는 분사모듈(202)을 회전방향(R1)으로 왕복 회전시켜, 제2 노즐(230)이 스윙운동하면서 제2 유체를 분사하도록 할 수 있다.
제2 노즐(230)에 의한 웨이퍼(W) 세정이 완료되면, 제3 노즐(240)에 의한 웨이퍼(W)의 건조가 수행된다(S150). 즉, 도 7d를 참조하면, 제1 구동기(242)는 분사위치(a)에 위치된 제2 노즐(240)을 스탠바이 위치(b)로 이동시킴과 동시에 스탠바이 위치(b)에 위치된 제3 노즐(240)을 분사위치(a)로 이동시킨다. 제3 노즐(240)이 분사위치(a)에 위치되면, 제3 노즐(240)의 토출홀(h3)은 용기(110) 내 공간에 위치 된다. 분사위치(a)에 위치된 제3 노즐(240)은 회전되는 웨이퍼(W)의 처리면으로 제3 유체를 분사한다. 분사된 제3 유체는 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
제3 노즐(240)에 의한 웨이퍼(W)의 건조가 완료되면, 도 7e에 도시된 바와 같이 제3 구동기(246)는 공정위치(c)에 위치한 분사모듈(202)을 대기위치(d)로 이동시키고(S160), 웨이퍼(W)는 스핀척(120)으로부터 언로딩(unloading)된 후 후속 공정이 수행되는 설비로 반출된다(S170).
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 웨이퍼(W)의 세정시 각각의 노즐(220, 230, 240)의 교체 시간을 최소화하여 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 분사유닛의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 제1 내지 제3 노즐을 보여주는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 분사유닛을 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 분사유닛을 보여주는 도면이다.
도 6는 본 발명에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
10 : 기판 처리 장치
100 : 세정유닛
110 : 용기
120 : 스핀척
200 : 분사유닛
210 : 노즐
220 : 구동기

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 가지는 용기와,
    상기 용기 내부에서 기판을 지지하는 척, 그리고
    상기 척에 놓여진 기판으로 처리유체를 분사하는 분사유닛을 포함하되,
    상기 분사유닛은,
    수평으로 놓여지는 샤프트 및 상기 샤프트에 결합되어 상기 샤프트와 수직하는 방향으로 회전되는 노즐을 가지는 분사모듈과,
    상기 노즐이 상기 용기의 내부공간에서 상기 기판으로 처리유체를 분사하는 분사위치와 상기 분사위치로 이동되기 전에 상기 용기의 외부에서 대기하는 대기위치 상호간에 위치하도록 상기 노즐을 회전시키는 구동모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 노즐은,
    상기 샤프트와 축결합되는 회전부와,
    상기 회전부로부터 연장되며 처리유체를 분사하는 토출부를 가지되,
    상기 토출부는,
    상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인과,
    상기 제1 라인과 수직하는 제2 라인, 그리고
    상기 제1 라인과 상기 제2 라인을 연결하며, 라운드지는 형상을 가지는 연결하는 연결라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 토출부는,
    상기 회전부의 끝단으로부터 일직선으로 연장되는 제1 라인과,
    상기 제1 라인의 끝단으로부터 아래방향으로 수직하게 연장되는 제2 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 분사위치는,
    상기 회전부가 수평으로 놓여지는 위치이고,
    상기 대기위치는,
    상기 회전부가 수직하게 놓여지는 위치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 노즐은,
    상기 샤프트의 축방향을 따라 나란하게 복수개 배치되고,
    상기 구동모듈은,
    각각의 상기 노즐을 독립적으로 상기 분사위치 및 상기 대기위치 상호간에 위치시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 구동모듈은,
    상기 분사모듈의 하부에 위치하며, 상기 분사모듈을 지지하는 회전축;
    상기 회전축을 회전시키는 제2구동기; 및
    상기 분사모듈과 상기 용기의 거리가 변경되도록 상기 분사모듈을 직선이동시키는 제3구동기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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