TWI832253B - 基板洗淨裝置及基板洗淨方法 - Google Patents

基板洗淨裝置及基板洗淨方法 Download PDF

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Abstract

本發明藉由基板保持部將基板以水平姿勢保持。於處理位置,藉由下表面刷子將由基板保持部保持之基板之下表面洗淨。於與由基板保持部保持之基板於上下方向重疊且位於處理位置下方之待機位置,藉由刷子洗淨部將下表面刷子洗淨。下表面刷子藉由下表面刷子升降驅動部而於處理位置與待機位置之間升降。

Description

基板洗淨裝置及基板洗淨方法
本發明係關於一種將基板之下表面洗淨之基板洗淨裝置及基板洗淨方法。
為對用於液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence:電致發光)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display:平板顯示器)用基板、半導體基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等各種基板進行各種處理,而使用基板處理裝置。為將基板洗淨,而使用基板洗淨裝置。
例如,專利第5904169號公報所記載之基板洗淨裝置具備保持晶圓之背面周緣部之2個吸附墊、保持晶圓之背面中央部之旋轉夾盤、及洗淨晶圓之背面之刷子。2個吸附墊保持晶圓且橫向移動。於該狀態下,以刷子洗淨晶圓之背面中央部。其後,旋轉夾盤自吸附墊接收晶圓,旋轉夾盤保持晶圓之背面中央部且旋轉。於該狀態下,以刷子洗淨晶圓之背面周緣部。
於基板洗淨裝置中,隨著重複基板之洗淨,刷子之清淨度逐漸降低。若刷子之清淨度降低,則無法有效地將基板洗淨。因此,謀求將刷子之清淨度維持為一定以上。然而,不降低處理量而維持刷子之清淨度並不容易。
本發明之目之在於提供一種可不降低處理量而維持刷子之清淨度之基板洗淨裝置及基板洗淨方法。
(1)根據本發明之一態様之基板洗淨裝置具備:基板保持部,其將基板以水平姿勢保持;下表面刷子,其於處理位置,將由基板保持部保持之基板之下表面洗淨;刷子洗淨部,其於與由基板保持部保持之基板於上下方向重疊且位於處理位置之下方之待機位置,將下表面刷子洗淨;及下表面刷子升降驅動部,其使下表面刷子於處理位置與待機位置之間升降。
於該基板洗淨裝置中,由於下表面刷子之待機位置與由基板保持部保持之基板於上下方向重疊,故即便於下表面刷子相對大型之情形時,佔據面積亦幾乎不增加。因此,可藉由使用相對大型之下表面刷子,以短時間將基板之下表面洗淨。因此,即便於設置有將下表面刷子洗淨之步驟之情形時,處理量亦幾乎不會變化。藉此,可不降低處理量而維持下表面刷子之清淨度。
(2)亦可為,基板洗淨裝置進而具備將由基板保持部保持之基板之上表面洗淨之上表面洗淨部,下表面刷子升降驅動部以於藉由上表面洗淨部將基板之上表面洗淨之期間,執行基板之下表面之洗淨及下表面刷子之洗淨之方式,使下表面刷子於處理位置與待機位置之間升降。該情形時,由於在藉由上表面洗淨部將基板之上表面洗淨之期間執行基板之下表面之洗淨及下表面刷子之洗淨,故可不降低處理量而維持下表面刷子之清淨度。
(3)亦可為,下表面刷子升降驅動部以執行複數次基板之下表面之洗淨及下表面刷子之洗淨之方式,使下表面刷子於處理位置與待機位置之間反復升降。該情形時,可以短時間將下表面刷子清淨化。
(4)亦可為,刷子洗淨部包含對下表面刷子之中央部噴出洗淨液之第1液體噴嘴、與對下表面刷子之端部噴出洗淨液之第2液體噴嘴。根據該構成,即便於下表面刷子相對大型之情形時,亦可容易地將下表面刷子整體洗淨。
(5)亦可為,刷子洗淨部包含貯存浸漬下表面刷子之洗淨液之洗淨槽。根據該構成,即便於下表面刷子相對大型之情形時,亦可容易地將下表面刷子整體洗淨。又,可以短時間將下表面刷子清淨化。
(6)亦可為,基板保持部及下表面刷子各自具有圓形之外形,且下表面刷子之直徑大於基板保持部之直徑。該情形時,可將下表面刷子相對大型化。
(7)亦可為,基板及下表面刷子各自具有圓形之外形,且下表面刷子之直徑較基板之直徑之1/3大。該情形時,可將下表面刷子相對大型化。
(8)根據本發明之另一態様之基板洗淨方法包含:藉由基板保持部將基板以水平姿勢保持;於處理位置,藉由下表面刷子將由基板保持部保持之基板之下表面洗淨;於與由基板保持部保持之基板於上下方向重疊且位於處理位置之下方之待機位置,藉由刷子洗淨部將下表面刷子洗淨;及使下表面刷子於處理位置與待機位置之間升降。
根據該基板洗淨方法,由於下表面刷子之待機位置與由基板保持部保持之基板於上下方向重疊,故即便於下表面刷子相對大型之情形時,佔據面積亦幾乎不會增加。因此,可藉由使用相對大型之下表面刷子,以短時間將基板之下表面洗淨。因此,即便於設置有將下表面刷子洗淨之步驟之情形時,處理量亦幾乎不會變化。藉此,可不降低處理量而維持下表面刷子之清淨度。
(9)亦可為,基板洗淨方法進而包含藉由上表面洗淨部將由基板保持部保持之基板之上表面洗淨,且基板之下表面之洗淨及下表面刷子之洗淨於藉由上表面洗淨部將基板之上表面洗淨之期間執行。該情形時,由於在藉由上表面洗淨部將基板之上表面洗淨之期間執行基板之下表面之洗淨及下表面刷子之洗淨,故可不降低處理量而維持下表面刷子之清淨度。
(10)亦可為,以執行複數次基板之下表面之洗淨及下表面刷子之洗淨之方式反復使下表面刷子於處理位置與待機位置之間升降。該情形時,可以短時間將下表面刷子清淨化。
(11)亦可為,藉由刷子洗淨部將下表面刷子洗淨包含藉由第1液體噴嘴對下表面刷子之中央部噴出洗淨液、與藉由第2液體噴嘴對下表面刷子之端部噴出洗淨液。根據該構成,即便於下表面刷子相對大型之情形時,亦可容易地將下表面刷子整體洗淨。
(12)亦可為,藉由刷子洗淨部將下表面刷子洗淨包含使下表面刷子浸漬於貯存於洗淨槽之洗淨液中。根據該構成,即便於下表面刷子相對大型之情形時,亦可容易地將下表面刷子整體洗淨。又,可以短時間將下表面刷子清淨化。
(13)亦可為,基板保持部及下表面刷子各自具有圓形之外形,且下表面刷子之直徑大於基板保持部之直徑。該情形時,可將下表面刷子相對大型化。
(14)亦可為,基板及下表面刷子各自具有圓形之外形,且下表面刷子之直徑較基板之直徑之1/3大。該情形時,可將下表面刷子相對大型化。
以下,對於本發明之實施形態之基板洗淨裝置及基板洗淨方法使用圖式進行說明。於以下說明中,基板係指半導體基板、液晶顯示裝置或有機EL(Electro Luminescence)顯示裝置等之FPD(Flat Panel Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。又,本實施形態中使用之基板之至少一部分具有圓形之外周部。例如,除定位用之凹口外,外周部具有圓形。
[1]第1實施形態 (1)基板處理裝置之構成 圖1係本發明之第1實施形態之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。圖2係顯示圖1之基板洗淨裝置1之內部構成之外觀立體圖。於本實施形態之基板洗淨裝置1中,為明確位置關係而定義互相正交之X方向、Y方向及Z方向。於圖1及圖2以後之特定圖式中,適當以箭頭表示X方向、Y方向及Z方向。X方向及Y方向於水平面內互相正交,Z方向相當於鉛直方向。
如圖1所示,基板洗淨裝置1具備上側保持裝置10A、10B、下側保持裝置20、台座裝置30、交接裝置40、下表面洗淨裝置50、杯裝置60、上表面洗淨裝置70、端部洗淨裝置80及開閉裝置90。該等構成要件設置於單元外殼2內。於圖2中,以虛線顯示單元外殼2。
單元外殼2具有矩形之底面部2a、與自底面部2a之4條邊向上方延伸之4個側壁部2b、2c、2d、2e。側壁部2b、2c互相對向,側壁部2d、2e互相對向。於側壁部2b之中央部,形成有矩形之開口。該開口為基板W之搬入搬出口2x,於對單元外殼2搬入及搬出基板W時使用。於圖2中,以較粗之虛線顯示搬入搬出口2x。於以下說明中,將Y方向上自單元外殼2之內部通過搬入搬出口2x朝向單元外殼2外側之方向(自側壁部2c朝向側壁部2b之方向)稱為前方,將其相反方向(自側壁部2b朝向側壁部2c之方向)稱為後方。
於側壁部2b中之搬入搬出口2x之形成部分及其附近之區域,設置有開閉裝置90。開閉裝置90包含構成為可將搬入搬出口2x開閉之擋板91、與驅動擋板91之擋板驅動部92。於圖2中,以較粗之兩點鏈線顯示擋板91。擋板驅動部92以對基板洗淨裝置1之搬入及搬出基板W時將搬入搬出口2x打開之方式驅動擋板91。又,擋板驅動部92以於基板洗淨裝置1中進行基板W洗淨時將搬入搬出口2x閉合之方式驅動擋板91。
於底面部2a之中央部,設置有台座裝置30。台座裝置30包含線性導軌31、可動台座32及台座驅動部33。線性導軌31包含2條軌道,且設置為於俯視下自側壁部2b之附近於Y方向延伸至側壁部2c之附近為止。可動台座32設置為可於線性導軌31之2條軌道上於Y方向移動。台座驅動部33例如包含脈衝馬達,使可動台座32於線性導軌31上於Y方向移動。
於可動台座32上,下側保持裝置20及下表面洗淨裝置50以於Y方向排列之方式設置。下側保持裝置20包含吸附保持部21及吸附保持驅動部22。吸附保持部21為所謂之旋轉夾盤,具有可吸附保持基板W之下表面之圓形吸附面,且構成為可繞於上下方向延伸之軸(Z方向之軸)旋轉。於以下說明中,於藉由吸附保持部21吸附保持基板W時,將基板W之下表面中應由吸附保持部21之吸附面吸附之區域稱為下表面中央區域。另一方面,將基板W之下表面中包圍下表面中央區域之區域稱為下表面外側區域。
吸附保持驅動部22包含馬達。吸附保持驅動部22之馬達以旋轉軸朝上方突出之方式設置於可動台座32上。吸附保持部21安裝於吸附保持驅動部22之旋轉軸之上端部。又,於吸附保持驅動部22之旋轉軸,形成有用以於吸附保持部21中吸附保持基板W之吸引路徑。該吸引路徑連接於未圖示之吸氣裝置。吸附保持驅動部22使吸附保持部21繞上述旋轉軸旋轉。
於可動台座32上,於下側保持裝置20之附近進而設置有交接裝置40。交接裝置40包含複數根(本例中為3根)支持銷41、銷連結構件42及銷升降驅動部43。銷連結構件42形成為於俯視下包圍吸附保持部21,且連結複數根支持銷41。複數根支持銷41於藉由銷連結構件42互相連結之狀態下,自銷連結構件42向上方延伸一定長度。銷升降驅動部43於可動台座32上使銷連結構件42升降。藉此,複數根支持銷41相對於吸附保持部21相對升降。
下表面洗淨裝置50包含下表面刷子51、2個液體噴嘴52、液體噴嘴52a、52b、氣體噴出部53、升降支持部54、移動支持部55、下表面刷子旋轉驅動部55a、下表面刷子升降驅動部55b及下表面刷子移動驅動部55c。移動支持部55設置為可於可動台座32上之一定區域內相對於下側保持裝置20於Y方向移動。如圖2所示,於移動支持部55上,可升降地設置有升降支持部54。升降支持部54具有於遠離吸附保持部21之方向(本例中為後方)朝斜下方傾斜之上表面54u。
如圖1所示,下表面刷子51於俯視下具有圓形之外形,於本實施形態中形成為相對較大型。具體而言,下表面刷子51之直徑較吸附保持部21之吸附面之直徑大,例如為吸附保持部21之吸附面之直徑之1.3倍。又,下表面刷子51之直徑較基板W之直徑之1/3大且較1/2小。另,基板W之直徑例如為300 mm。
下表面刷子51具有可與基板W之下表面接觸之洗淨面。又,下表面刷子51以洗淨面朝向上方之方式且以洗淨面可繞通過該洗淨面之中心且於上下方向延伸之軸旋轉之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u。
2個液體噴嘴52各自以位於下表面刷子51附近且液體噴出口朝向上方之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u上。於液體噴嘴52,連接有下表面洗淨液供給部56(圖3)。下表面洗淨液供給部56對液體噴嘴52供給洗淨液。液體噴嘴52於下表面刷子51將要洗淨基板W時,將自下表面洗淨液供給部56供給之洗淨液噴出至基板W之下表面。於本實施形態中,使用純水作為供給至液體噴嘴52之洗淨液。
2個液體噴嘴52a、52b各自以位於下表面刷子51附近且液體噴出口朝向斜上方之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u上。於液體噴嘴52a、52b,連接有刷子洗淨液供給部57(圖3)。刷子洗淨液供給部57對液體噴嘴52a、52b供給洗淨液。液體噴嘴52a、52b於下表面刷子51洗淨時,將自刷子洗淨液供給部57供給之洗淨液分別噴出至下表面刷子51之洗淨面之中央部及端部。於本實施形態中,使用純水作為供給至液體噴嘴52a、52b之洗淨液。
氣體噴出部53為具有於一方向延伸之氣體噴出口之狹縫狀之氣體噴射噴嘴。氣體噴出部53以於俯視下位於下表面刷子51與吸附保持部21之間且氣體噴射口朝向上方之方式,安裝於升降支持部54之上表面54u。於氣體噴出部53連接有噴出氣體供給部58(圖3)。噴出氣體供給部58對氣體噴出部53供給氣體。於本實施形態中,使用氮氣等惰性氣體作為供給至氣體噴出部53之氣體。氣體噴出部53於下表面刷子51之基板W之洗淨時及後述之基板W之下表面乾燥時,將自噴出氣體供給部58供給之氣體噴射至基板W之下表面。該情形時,於下表面刷子51與吸附保持部21之間,形成於X方向延伸之帶狀氣幕。
下表面刷子旋轉驅動部55a包含馬達,於下表面刷子51之基板W之洗淨時使下表面刷子51旋轉。下表面刷子升降驅動部55b包含步進馬達或氣缸,使升降支持部54相對於移動支持部55升降。下表面刷子移動驅動部55c包含馬達,使移動支持部55於可動台座32上於Y方向移動。此處,可動台座32中之下側保持裝置20之位置固定。因此,於下表面刷子移動驅動部55c之移動支持部55之Y方向移動時,移動支持部55相對於下側保持裝置20相對移動。於以下說明中,將可動台座32上最接近下側保持裝置20時之下表面洗淨裝置50之位置稱為接近位置,將可動台座32上距下側保持裝置20最遠時之下表面洗淨裝置50之位置稱為離開位置。
於底面部2a之中央部,進而設置有杯裝置60。杯裝置60包含杯61及杯驅動部62。杯61設置為於俯視下包圍下側保持裝置20及台座裝置30且可升降。於圖2中,以虛線顯示杯61。杯驅動部62根據下表面刷子51將要對基板W之下表面中之哪個部分進行洗淨而使杯61於下杯位置與上杯位置之間移動。下杯位置為杯61之上端部位於較由吸附保持部21吸附保持之基板W下方之高度位置。又,上杯位置為杯61之上端部位於較吸附保持部21上方之高度位置。
於較杯61上方之高度位置,以俯視下隔著台座裝置30對向之方式設置有一對上側保持裝置10A、10B。上側保持裝置10A包含下夾盤11A、上夾盤12A、下夾盤驅動部13A及上夾盤驅動部14A。上側保持裝置10B包含下夾盤11B、上夾盤12B、下夾盤驅動部13B及上夾盤驅動部14B。
下夾盤11A、11B相對於俯視下通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)延伸之鉛直面對稱配置,且設置為可於共通之水平面內於X方向移動。下夾盤11A、11B各自具有可自基板W之下方支持基板W之下表面周緣部之2根支持片。下夾盤驅動部13A、13B以下夾盤11A、11B互相接近之方式,或以下夾盤11A、11B互相遠離之方式,使下夾盤11A、11B移動。
上夾盤12A、12B與下夾盤11A、11B同樣地,相對於俯視下通過吸附保持部21之中心於Y方向(前後方向)延伸之鉛直面對稱配置,且設置為可在共同之水平面內於X方向移動。上夾盤12A、12B各自具有構成為可抵接於基板W之外周端部之2個部分而保持基板W之外周端部之2根保持片。上夾盤驅動部14A、14B以上夾盤12A、12B互相接近之方式,或以上夾盤12A、12B互相遠離之方式,使上夾盤12A、12B移動。
如圖1所示,於杯61之一側,以俯視下位於上側保持裝置10B附近之方式,設置有上表面洗淨裝置70。上表面洗淨裝置70包含旋轉支持軸71、臂72、噴霧噴嘴73及上表面洗淨驅動部74。
旋轉支持軸71於底面部2a上,以於上下方向延伸之方式且可升降並可旋轉地由上表面洗淨驅動部74支持。臂72如圖2所示,設置為在較上側保持裝置10B更上方之位置,自旋轉支持軸71之上端部於水平方向延伸。於臂72之前端部,安裝有噴霧噴嘴73。
於噴霧噴嘴73,連接上表面洗淨流體供給部75(圖3)。上表面洗淨流體供給部75對噴霧噴嘴73供給洗淨液及氣體。於本實施形態中,使用純水作為供給至噴霧噴嘴73之洗淨液,使用氮氣等惰性氣體作為供給至噴霧噴嘴73之氣體。噴霧噴嘴73於基板W之上表面之洗淨時,將自上表面洗淨流體供給部75供給之洗淨液與氣體混合而產生混合流體,並將產生之混合流體朝下方噴射。
上表面洗淨驅動部74包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等,使旋轉支持軸71升降,並使旋轉支持軸71旋轉。根據上述構成,於由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之上表面上,使噴霧噴嘴73圓弧狀移動,藉此可將基板W之上表面整體洗淨。
如圖1所示,於杯61之另一側,以俯視下位於上側保持裝置10A附近之方式,設置有端部洗淨裝置80。端部洗淨裝置80包含旋轉支持軸81、臂82、斜面刷83及斜面刷驅動部84。
旋轉支持軸81於底面部2a上,以於上下方向延伸之方式且可升降可旋轉地藉由斜面刷驅動部84支持。臂82如圖2所示,設置為於較上側保持裝置10A上方之位置,自旋轉支持軸81之上端部於水平方向延伸。於臂82之前端部,以朝下方突出之方式且以可繞上下方向之軸旋轉之方式設置有斜面刷83。
斜面刷83之上半部具有倒圓錐梯形形狀且下半部具有圓錐梯形形狀。根據該斜面刷83,可於外周面之上下方向上之中央部分將基板W之外周端部洗淨。
斜面刷驅動部84包含1個或複數個脈衝馬達及氣缸等,使旋轉支持軸81升降,且使旋轉支持軸81旋轉。根據上述構成,藉由使斜面刷83之外周面之中央部分接觸於由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之外周端部,可將基板W之外周端部整體洗淨。
此處,斜面刷驅動部84進而包含內置於臂82之馬達。該馬達使設置於臂82之前端部之斜面刷83繞上下方向之軸旋轉。因此,於基板W之外周端部之洗淨時,藉由使斜面刷83旋轉,基板W之外周端部中之斜面刷83之洗淨力提高。
圖3係顯示基板洗淨裝置1之控制系統之構成之方塊圖。圖3之控制裝置9包含CPU(Central Processing Unit:中央運算處理裝置)、RAM(Random Access Memory:隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory:唯讀記憶體)及記憶裝置。RAM作為CPU之作業區域使用。ROM記憶系統程式。記憶裝置記憶控制程式。
如圖3所示,控制裝置9作為功能部,包含夾盤控制部9A、吸附控制部9B、台座控制部9C、交接控制部9D、下表面洗淨控制部9E、杯控制部9F、上表面洗淨控制部9G、斜面洗淨控制部9H及搬入搬出控制部9I。藉由CPU於RAM上執行記憶於記憶裝置之基板洗淨程式而實現控制裝置9之功能部。控制裝置9之功能部之一部分或全部可藉由電子電路等硬體實現。
夾盤控制部9A為接收搬入至基板洗淨裝置1之基板W,並於吸附保持部21之上方之位置加以保持,而控制下夾盤驅動部13A、13B及上夾盤驅動部14A、14B。吸附控制部9B為由吸附保持部21吸附保持基板W且使所吸附保持之基板W旋轉,而控制吸附保持驅動部22。
台座控制部9C為使可動台座32相對於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W移動,而控制台座驅動部33。交接控制部9D為使基板W於由上側保持裝置10A、10B保持之基板W之高度位置、與由吸附保持部21保持之基板W之高度位置之間移動,而控制銷升降驅動部43。
下表面洗淨控制部9E為將基板W之下表面洗淨,而控制下表面刷子旋轉驅動部55a、下表面刷子升降驅動部55b、下表面刷子移動驅動部55c、下表面洗淨液供給部56及噴出氣體供給部58。又,下表面洗淨控制部9E為將下表面刷子51洗淨,而控制刷子洗淨液供給部57。杯控制部9F為以杯61接住洗淨由吸附保持部21吸附保持之基板W時自基板W飛散之洗淨液,而控制杯驅動部62。
上表面洗淨控制部9G為洗淨由吸附保持部21吸附保持之基板W之上表面,而控制上表面洗淨驅動部74及上表面洗淨流體供給部75。斜面洗淨控制部9H為洗淨由吸附保持部21吸附保持之基板W之外周端部,而控制斜面刷驅動部84。搬入搬出控制部9I為於基板洗淨裝置1之基板W之搬入時及搬出時將單元外殼2之搬入搬出口2x開閉,而控制擋板驅動部92。
(2)基板洗淨裝置之概略動作 圖4~圖15係用以說明圖1之基板洗淨裝置1之概略動作之模式圖。於圖4~圖15各圖中,於上段顯示基板洗淨裝置1之俯視圖。又,於中段顯示沿Y方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖,於下段顯示沿X方向觀察之下側保持裝置20及其周邊部之側視圖。中段之側視圖與圖1之A-A線側視圖對應,下段之側視圖與圖1之B-B線側視圖對應。另,為容易理解基板洗淨裝置1中之各構成要件之形狀及動作狀態,於上段之俯視圖與中段及下段之側視圖之間,一部分構成要件之縮放率不同。又,於圖4~圖15中,以兩點鏈線顯示杯61,且以較粗之一點鏈線顯示基板W之外形。
於對基板洗淨裝置1搬入基板W之前之初始狀態下,開閉裝置90之擋板91將搬入搬出口2x閉合。又,如圖1所示,下夾盤11A、11B維持彼此之距離充分大於基板W之直徑之狀態。又,上夾盤12A、12B亦維持彼此之距離充分大於基板W之直徑之狀態。
又,台座裝置30之可動台座32配置為於俯視下吸附保持部21之中心位於杯61之中心。於可動台座32上,下表面洗淨裝置50配置於接近位置。於下表面洗淨裝置50之升降支持部54中,下表面刷子51之洗淨面(上端部)位於較吸附保持部21下方之位置。將該初始狀態下之下表面刷子51之位置稱為待機位置。於基板W保持於吸附保持部21之狀態下,待機位置位於該基板W之下方。
又,於交接裝置40中,複數根支持銷41處於位於較吸附保持部21下方之狀態。再者,於杯裝置60中,杯61位於下杯位置。於以下說明中,將俯視下之杯61之中心位置稱為平面基準位置rp。又,將俯視下吸附保持部21之中心位於平面基準位置rp時之底面部2a上之可動台座32之位置稱為第1水平位置。
將基板W搬入基板洗淨裝置1之單元外殼2內。具體而言,於搬入基板W之前擋板91將搬入搬出口2x打開。其後,如圖4中粗實線之箭頭a1所示,未圖示之基板搬送機器人之手(基板保持部)RH通過搬入搬出口2x,將基板W搬入至單元外殼2內之大致中央位置。此時,由手RH保持之基板W如圖4所示,位於下夾盤11A及上夾盤12A與下夾盤11B與上夾盤12B之間。
接著,如圖5中粗實線之箭頭a2所示,下夾盤11A、11B以下夾盤11A、11B之複數根支持片位於基板W之下表面周緣部之下方之方式互相接近。於該狀態下,手RH下降,自搬入搬出口2x退出。藉此,由手RH保持之基板W之下表面周緣部之複數個部分由下夾盤11A、11B之複數根支持片支持。於手RH退出後,擋板91將搬入搬出口2x閉合。
接著,如圖6中粗實線之箭頭a3所示,上夾盤12A、12B以上夾盤12A、12B之複數根保持片抵接於基板W之外周端部之方式互相接近。藉由上夾盤12A、12B之複數根保持片抵接於基板W之外周端部之複數個部分,由下夾盤11A、11B支持之基板W進而由上夾盤12A、12B保持。又,如圖6中粗實線之箭頭a4所示,可動台座32以吸附保持部21自平面基準位置rp偏離特定距離且下表面刷子51之中心位於平面基準位置rp之方式,自第1水平位置向前方移動。此時,將位於底面部2a上之可動台座32之位置稱為第2水平位置。
接著,如圖7中粗實線之箭頭a5所示,升降支持部54以待機位置之下表面刷子51之洗淨面接觸於基板W之下表面中央區域之方式上升。將此時之下表面刷子51之位置稱為處理位置。又,如圖7中粗實線之箭頭a6所示,下表面刷子51繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此,附著於基板W之下表面中央區域之污染物質由下表面刷子51物理剝離。
於圖7之下段,於對話框內顯示下表面刷子51接觸於基板W之下表面之部分之放大側視圖。如該對話框內所示,於下表面刷子51接觸於基板W之狀態下,液體噴嘴52及氣體噴出部53保持於接近基板W之下表面之位置。此時,液體噴嘴52如白色箭頭a51所示,於下表面刷子51附近之位置向基板W之下表面噴出洗淨液。藉此,將自液體噴嘴52供給至基板W之下表面之洗淨液引導至下表面刷子51與基板W之接觸部,藉此由洗淨液沖洗由下表面刷子51自基板W之背面去除之污染物質。如此,於下表面洗淨裝置50中,液體噴嘴52與下表面刷子51一起安裝於升降支持部54。藉此,可效率良好地對下表面刷子51之基板W之下表面之洗淨部分供給洗淨液。因此,降低洗淨液之消耗量且抑制洗淨液之過度飛散。
此處,升降支持部54之上表面54u於遠離吸附保持部21之方向上朝斜下方傾斜。該情形時,於包含污染物質之洗淨液自基板W之下表面下落至升降支持部54上之情形時,將由上表面54u接住之洗淨液向遠離吸附保持部21之方向引導。
又,於下表面刷子51將基板W之下表面洗淨時,氣體噴出部53如圖7之對話框內白色箭頭a52所示,於下表面刷子51與吸附保持部21之間之位置向基板W之下表面噴射氣體。於本實施形態中,氣體噴出部53以氣體噴射口於X方向延伸之方式安裝於升降支持部54上。該情形時,於自氣體噴出部53向基板W之下表面噴射氣體時,於下表面刷子51與吸附保持部21之間形成於X方向延伸之帶狀氣幕。藉此,防止於下表面刷子51將基板W之下表面洗淨時,包含污染物質之洗淨液向吸附保持部21飛散。因此,防止於下表面刷子51將基板W之下表面洗淨時,包含污染物質之洗淨液附著於吸附保持部21,而將吸附保持部21之吸附面保持清淨。
另,於圖7之例中,氣體噴出部53如白色箭頭a52所示,自氣體噴出部53朝向下表面刷子51沿斜上方噴射氣體,但本發明不限定於此。氣體噴出部53亦可以自氣體噴出部53朝向基板W之下表面沿Z方向之方式噴射氣體。
接著,於圖7之狀態下,當基板W之下表面中央區域之洗淨完成後,停止下表面刷子51之旋轉,升降支持部54以下表面刷子51之洗淨面離開基板W特定距離之方式下降。又,停止自液體噴嘴52向基板W噴出洗淨液。此時,繼續自氣體噴出部53向基板W噴射氣體。
其後,如圖8中粗實線之箭頭a7所示,可動台座32以吸附保持部21位於平面基準位置rp之方式,向後方移動。即,可動台座32自第2水平位置移動至第1水平位置。此時,藉由繼續自氣體噴出部53對基板W噴射氣體,藉由氣幕依序將基板W之下表面中央區域乾燥。
接著,如圖9中粗實線之箭頭a8所示,升降支持部54以下表面刷子51之洗淨面位於較吸附保持部21之吸附面(上端部)下方之方式下降。藉此,下表面刷子51移動至待機位置。又,如圖9中粗實線之箭頭a9所示,上夾盤12A、12B以上夾盤12A、12B之複數根保持片離開基板W之外周端部之方式互相遠離。此時,基板W成為由下夾盤11A、11B支持之狀態。
其後,如圖9中粗實線之箭頭a10所示,銷連結構件42以複數根支持銷41之上端部位於較下夾盤11A、11B略上方之方式上升。藉此,由下夾盤11A、11B支持之基板W由複數根支持銷41接收。
接著,如圖10中粗實線之箭頭a11所示,下夾盤11A、11B互相遠離。此時,下夾盤11A、11B移動至俯視下不與由複數根支持銷41支持之基板W重疊之位置。藉此,上側保持裝置10A、10B皆返回至初始狀態。
接著,如圖11中粗實線之箭頭a12所示,銷連結構件42以複數根支持銷41之上端部位於較吸附保持部21下方之方式下降。藉此,支持於複數根支持銷41上之基板W由吸附保持部21接收。於該狀態下,吸附保持部21吸附保持基板W之下表面中央區域。與銷連結構件42之下降同時或於銷連結構件42之下降完成後,如圖11中粗實線之箭頭a13所示,杯61自下杯位置上升至上杯位置。
接著,如圖12中粗實線之箭頭a14所示,吸附保持部21繞上下方向之軸(吸附保持驅動部22之旋轉軸之軸心)旋轉。藉此,吸附保持於吸附保持部21之基板W以水平姿勢旋轉。
接著,上表面洗淨裝置70之旋轉支持軸71旋轉並下降。藉此,如圖12中粗實線之箭頭a15所示,噴霧噴嘴73移動至基板W之上方位置,並以噴霧噴嘴73與基板W之間之距離成為預設距離之方式下降。於該狀態下,噴霧噴嘴73對基板W之上表面噴射洗淨液與氣體之混合流體。又,旋轉支持軸71旋轉。藉此,如圖12中粗實線之箭頭a16所示,噴霧噴嘴73於旋轉之基板W之上方位置移動。藉由對基板W之上表面整體噴射混合流體,而將基板W之上表面整體洗淨。
又,於噴霧噴嘴73將基板W之上表面洗淨時,端部洗淨裝置80之旋轉支持軸81亦旋轉並下降。藉此,如圖12中粗實線之箭頭a17所示,斜面刷83移動至基板W之外周端部之上方位置。又,以斜面刷83之外周面之中央部分接觸於基板W之外周端部之方式下降。於該狀態下,斜面刷83繞上下方向之軸旋轉(自轉)。藉此,附著於基板W之外周端部之污染物質藉由斜面刷83物理剝離。自基板W之外周端部剝離之污染物質藉由自噴霧噴嘴73噴射至基板W之混合流體之洗淨液沖洗。
再者,於噴霧噴嘴73將基板W之上表面洗淨時,升降支持部54以待機位置之下表面刷子51之洗淨面接觸於基板W之下表面外側區域之方式上升。藉此,下表面刷子51移動至處理位置。又,如圖12中粗實線之箭頭a18所示,下表面刷子51繞上下方向之軸旋轉(自轉)。再者,液體噴嘴52向基板W之下表面噴出洗淨液,氣體噴出部53向基板W之下表面噴射氣體。藉此,可由下表面刷子51將由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之下表面外側區域遍及整體而洗淨。
下表面刷子51之旋轉方向亦可與吸附保持部21之旋轉方向相反。該情形時,可效率良好地將基板W之下表面外側區域洗淨。另,於下表面刷子51並非相對大型之情形時,如圖12中粗實線之箭頭a19所示,移動支持部55亦可於可動台座32上於接近位置與離開位置之間進行進退動作。即便於該情形時,亦可由下表面刷子51將由吸附保持部21吸附保持並旋轉之基板W之下表面外側區域遍及整體而洗淨。
又,於本實施形態中,使用噴霧噴嘴73之基板W之上表面之洗淨需要較長時間,相對於此,使用相對大型之下表面刷子51之基板W之下表面外側區域之洗淨可以相對較短時間執行。因此,於基板W之上表面之洗淨期間,交替執行上述下表面刷子51對基板W之下表面外側區域之洗淨、與使用圖1之液體噴嘴52a、52b之下表面刷子51之洗淨。關於圖12中之下表面刷子51之洗淨動作之細節予以後述。
接著,當基板W之上表面、外周端部及下表面外側區域之洗淨完成後,停止自噴霧噴嘴73向基板W噴射混合流體。又,如圖13中粗實線之箭頭a20所示,噴霧噴嘴73移動至杯61之一側方之位置(初始狀態之位置)。又,如圖13中粗實線之箭頭a21所示,斜面刷83移動至杯61之另一側方之位置(初始狀態之位置)。再者,停止下表面刷子51之旋轉,升降支持部54以下表面刷子51之洗淨面離開基板W特定距離之方式下降。藉此,下表面刷子51移動至待機位置。又,停止自液體噴嘴52向基板W噴出洗淨液、及自氣體噴出部53向基板W噴射氣體。於該狀態下,吸附保持部21高速旋轉,藉此甩掉附著於基板W之洗淨液,而將基板W之整體乾燥。
接著,如圖14中粗實線之箭頭a22所示,杯61自上杯位置下降至下杯位置。又,為將新的基板W搬入至單元外殼2內,如圖14中粗實線之箭頭a23所示,下夾盤11A、11B互相接近直至可支持新的基板W之位置為止。
最後,自基板洗淨裝置1之單元外殼2內搬出基板W。具體而言,於基板W搬出之前,擋板91將搬入搬出口2x打開。其後,如圖15中粗實線之箭頭a24所示,未圖示之基板搬送機器人之手(基板保持部)RH通過搬入搬出口2x進入單元外殼2內。接著,手RH接收吸附保持部21上之基板W,自搬入搬出口2x退出。於手RH退出後,擋板91將搬入搬出口2x閉合。
(3)下表面刷子之洗淨動作 圖16~圖21係用以說明圖12中之基板洗淨裝置1之概略動作之模式圖。如圖16所示,於洗淨圖12之基板W之上表面時,於吸附保持部21吸附保持有基板W之狀態下繞上下方向之軸旋轉,且將噴霧噴嘴73移動至基板W之大致中心之上方。於該狀態下,自噴霧噴嘴73向基板W之上表面噴射洗淨液與氣體之混合流體。
又,開始圖12之斜面刷83對基板W之外周端部之洗淨。此時,假設基板W之下表面外側區域之污染度為100%,下表面刷子51之污染度為0%。此處,污染度係表示清淨度之高低之指標,污染度高意指清淨度低。
接著,如圖17所示,噴霧噴嘴73於旋轉之基板W之上方向外側移動。繼續該噴霧噴嘴73之移動直至噴霧噴嘴73到達基板W之外周部之上方為止。又,以下表面刷子51之洗淨面接觸於基板W之下表面外側區域之方式,使下表面刷子51旋轉且自待機位置上升至上方之處理位置。再者,自圖12之液體噴嘴52向基板W之下表面噴出洗淨液。藉此,將基板W之下表面外側區域洗淨。於洗淨基板W之下表面外側區域時,自圖12之氣體噴出部53向基板W之下表面噴射氣體。
於圖17之基板W之下表面外側區域之洗淨動作中,假設相當於例如污染物60%之污染物質轉移至下表面刷子51。又,假設藉由洗淨液沖洗附著於基板W之污染物質中之例如相當於污染度20%之污染物質。該情形時,基板W之下表面外側區域之污染度降低至20%,下表面刷子51之污染度上升至60%。
接著,如圖18所示,以下表面刷子51之洗淨面離開基板W之下表面外側區域之方式,使下表面刷子51旋轉且自處理位置下降至下方之待機位置。又,於待機位置中,自液體噴嘴52a向下表面刷子51之洗淨面之中央部噴出洗淨液,且自液體噴嘴52b向下表面刷子51之洗淨面之端部噴出洗淨液。藉此,洗淨下表面刷子51。另,於本例中,將自液體噴嘴52a噴出之洗淨液抛物線狀地自斜上方供給至下表面刷子51之洗淨面之中央部。可對下表面刷子51之洗淨併用超音波洗淨。
於圖18之下表面刷子51之洗淨動作中,假設藉由洗淨液沖洗附著於下表面刷子51之污染物質中之例如相當於污染度20%之污染物質。該情形時,基板W之下表面外側區域之污染度保持20%不變,下表面刷子51之污染度下降至40%。
接著,如圖19所示,以下表面刷子51之洗淨面接觸於基板W之下表面外側區域之方式,使下表面刷子51旋轉且自待機位置上升至上方之處理位置,藉此再次將基板W之下表面外側區域洗淨。圖19中之基板W之下表面外側區域之洗淨動作與圖17中之基板W之下表面外側區域之洗淨動作同樣。
於圖19之基板W之下表面外側區域之洗淨動作中,於基板W之下表面外側區域與下表面刷子51之間互相轉移污染物質。然而,於當前時點,下表面刷子51之污染度較基板W之下表面外側區域之污染度大。因此,自下表面刷子51向基板W之下表面外側區域之污染物質之轉移量大於自基板W之下表面外側區域向下表面刷子51之污染物質之轉移量。因此,實質上,附著於下表面刷子51之污染物質被轉移至基板W之下表面外側區域。
假設附著於下表面刷子51之污染物質中、例如相當於污染度20%之污染物質被轉移至基板W之下表面外側區域。又,假設藉由洗淨液沖洗例如相當於污染度20%之污染物質。該情形時,基板W之下表面外側區域之污染度保持20%不變,下表面刷子51之污染度下降至20%。
其後,如圖20所示,以下表面刷子51之洗淨面離開基板W之下表面外側區域之方式,使下表面刷子51一面旋轉一面自處理位置下降至下方之待機位置,藉此再次洗淨下表面刷子51。圖20中之下表面刷子51之洗淨動作與圖18中之下表面刷子51之洗淨動作相同。
於圖20之下表面刷子51之洗淨動作中,假設藉由洗淨液沖洗附著於下表面刷子51之污染物質中之例如相當於污染度20%之污染物質。該情形時,基板W之下表面外側區域之污染度保持20%不變,下表面刷子51之污染度下降至0%。
重複圖19中之基板W之下表面外側區域之洗淨動作、與圖20中之下表面刷子51之洗淨動作。該情形時,於基板W之下表面外側區域之洗淨動作中,於基板W之下表面外側區域與下表面刷子51之間會互相轉移污染物質。此處,於當前時點,基板W之下表面外側區域之污染度大於下表面刷子51之污染度。因此,實質上,附著於基板W之下表面外側區域之污染物質會被轉移至下表面刷子51。藉此,基板W之下表面外側區域之污染度降低。
又,於基板W之下表面外側區域之洗淨動作中,即便於下表面刷子51之污染度上升之情形時,藉由於其後執行之下表面刷子51之洗淨動作,下表面刷子51之污染度仍會降低。因此,藉由重複基板W之下表面外側區域之洗淨動作、與下表面刷子51之洗淨動作,可將基板W之下表面外側區域之污染度及下表面刷子51之污染度皆設為0%。又,由於基板W之下表面外側區域之洗淨動作、與下表面刷子51之洗淨動作於基板W之上表面之洗淨期間重複進行,故處理量不會降低。
最後,如圖21所示,噴霧噴嘴73到達基板W之外周部之上方。藉由停止自噴霧噴嘴73向基板W噴射混合流體,基板W之上表面之洗淨結束。又,藉由停止下表面刷子51之旋轉,並將下表面刷子51移動至待機位置,基板W之下表面外側區域之洗淨及下表面刷子51之洗淨結束。
於本實施形態中,用於下表面刷子51之洗淨之洗淨液為純水,但實施形態不限定於此。用於下表面刷子51之洗淨之洗淨液亦可為溫水、功能水、淡碱水或藥液。於洗淨液為藥液之情形時,可根據去除對象之污染物質之種類適當變更藥液之種類。
又,液體噴嘴52a、52b於下表面刷子51位於處理位置時停止噴出洗淨液,但實施形態不限定於此。液體噴嘴52a、52b亦可於下表面刷子51位於處理位置時,即於將基板W之下表面外側區域洗淨之期間噴出洗淨液。再者,液體噴嘴52a、52b亦可於下表面刷子51於待機位置與處理位置之間升降之期間噴出洗淨液。
(4)基板洗淨處理 圖22及圖23係顯示圖3之控制裝置9之基板洗淨處理之流程圖。圖22及圖23之基板洗淨處理藉由控制裝置9之CPU於RAM上執行記憶於記憶裝置之基板洗淨程式而進行。以下,與圖22及圖23之流程圖一起使用圖3之控制裝置9及圖4~圖21之基板洗淨裝置1說明基板洗淨處理。
首先,藉由搬入搬出控制部9I控制擋板驅動部92,而將基板W搬入單元外殼2內(圖4、圖5以及步驟S1)。接著,藉由夾盤控制部9A控制下夾盤驅動部13A、13B及上夾盤驅動部14A、14B,而由上側保持裝置10A、10B保持基板W(圖5、圖6以及步驟S2)。
接著,藉由台座控制部9C控制台座驅動部33,而使可動台座32自第1水平位置移動至第2水平位置(圖6及步驟S3)。其後,藉由下表面洗淨控制部9E控制下表面刷子旋轉驅動部55a、下表面刷子升降驅動部55b、下表面刷子移動驅動部55c、下表面洗淨液供給部56及噴出氣體供給部58,而將基板W之下表面中央區域洗淨(圖7及步驟S4)。
接著,藉由下表面洗淨控制部9E控制噴出氣體供給部58,而使基板W乾燥(圖8及步驟S5)。又,藉由台座控制部9C控制台座驅動部33,而使可動台座32自第2水平位置移動至第1水平位置(圖8及步驟S6)。於本例中,步驟S5、S6大致同時執行。藉此,將基板W之下表面中央區域依序乾燥。
接著,夾盤控制部9A控制下夾盤驅動部13A、13B及上夾盤驅動部14A、14B,且交接控制部9D控制銷升降驅動部43,藉此將基板W自上側保持裝置10A、10B交接至下側保持裝置20(圖8~圖11及步驟S7)。於該狀態下,藉由吸附控制部9B以吸附基板W之下表面中央區域之方式控制吸附保持驅動部22,而由下側保持裝置20保持基板W(圖11及步驟S8)。
其後,並行執行步驟S9、步驟S10、步驟S11~S13。於執行步驟S9~S13時,藉由吸附控制部9B控制吸附保持驅動部22,而使基板W繞吸附保持驅動部22之旋轉軸之軸心旋轉。又,藉由杯控制部9F控制杯驅動部62,而使杯61自下杯位置上升至上杯位置。
於步驟S9中,藉由上表面洗淨控制部9G控制上表面洗淨驅動部74及上表面洗淨流體供給部75,而將基板W之上表面整體洗淨(圖12、圖16~圖21及步驟S9)。於步驟S10中,藉由斜面洗淨控制部9H控制斜面刷驅動部84,而將基板W之外周端部洗淨(圖12及步驟S10)。
於步驟S11中,藉由下表面洗淨控制部9E控制下表面刷子旋轉驅動部55a、下表面刷子升降驅動部55b、下表面洗淨液供給部56及噴出氣體供給部58,而將基板W之下表面外側區域洗淨(圖12、圖17及步驟S11)。另,於下表面刷子51並非相對大型之情形時,亦可藉由下表面洗淨控制部9E進而控制下表面刷子移動驅動部55c,而以將基板W之下表面外側區域洗淨之方式使下表面刷子51與可動台座32一起於Y方向移動。
接著,於步驟S12中,藉由下表面洗淨控制部9E控制下表面刷子旋轉驅動部55a、下表面刷子升降驅動部55b、刷子洗淨液供給部57及噴出氣體供給部58,而將下表面刷子51洗淨(圖18及步驟S12)。接著,於步驟S13中,下表面洗淨控制部9E判定下表面刷子51是否已洗淨特定次數(步驟S13)。
預先設定下表面刷子51之洗淨次數。下表面刷子51之洗淨次數可為任意次,但較佳為2次以上。又,較佳為下表面刷子51之洗淨次數為可於執行步驟S9之期間內執行之次數。
於下表面刷子51之洗淨未進行特定次數之情形時,下表面洗淨控制部9E返回至步驟S11。該情形時,於步驟S11中,再次將基板W之下表面外側區域洗淨(圖19)。又,於步驟S12中,再次洗淨下表面刷子51(圖20)。重複步驟S11~S13,直至下表面刷子51之洗淨進行特定次數為止。藉此,可將基板W之下表面外側區域之污染度及下表面刷子51之污染度皆設為0%。
於下表面刷子51之洗淨進行特定次數,且步驟S9~S13結束之情形時,藉由吸附控制部9B控制吸附保持驅動部22使吸附保持部21高速旋轉,而使基板W整體乾燥(圖13及步驟S14)。於乾燥結束後,上側保持裝置10A、10B及杯61等返回至初始狀態(圖14)。最後,藉由搬入搬出控制部9I控制擋板驅動部92,而自單元外殼2內搬出基板W(圖15及步驟S15),結束基板洗淨處理。
(5)效果 於本實施形態之基板洗淨裝置1中,由於下表面刷子51之待機位置與由下側保持裝置20保持之基板W於上下方向上重疊,故即便於下表面刷子51較大型之情形時,佔據面積亦幾乎不增加。因此,可藉由使用較大型之下表面刷子51,以短時間將基板W之下表面洗淨。
又,由於基板W之下表面之洗淨及下表面刷子51之洗淨於藉由上表面洗淨裝置70將基板W之上表面洗淨之期間執行,故即便設置有洗淨下表面刷子51之步驟之情形時,處理量亦不會變化。藉此,可不降低處理量而維持下表面刷子51之清淨度。
再者,下表面刷子51以執行複數次基板W之下表面之洗淨及下表面刷子51之洗淨之方式,於處理位置與待機位置之間藉由下表面刷子升降驅動部55b反復升降。根據該構成,與使下表面刷子51之洗淨面長時間接觸於基板W之下表面之情形相比,可以短時間將下表面刷子51清淨化。又,由於無需使下表面刷子51之洗淨面長時間接觸於基板W之下表面,故可將下表面刷子51之消耗最小化。
於洗淨下表面刷子51時,藉由液體噴嘴52a對下表面刷子51之中央部噴出洗淨液,藉由液體噴嘴52b對下表面刷子51之端部噴出洗淨液。根據該構成,即便於下表面刷子51較大型之情形時,亦可容易地洗淨下表面刷子51整體。
[2]第2實施形態 (1)基板洗淨裝置之構成 對於第2實施形態之基板洗淨裝置1,說明與第1實施形態之基板洗淨裝置1之不同點。圖24係顯示第2實施形態之基板洗淨裝置1之下表面刷子51之附近構成之放大剖視圖。如圖24所示,本實施形態之基板洗淨裝置1進而包含配置於待機位置之洗淨槽100。洗淨槽100具有杯形狀,貯存洗淨液。又,洗淨槽100收納位於待機位置之下表面刷子51。
下表面洗淨裝置50不包含升降支持部54,下表面刷子51安裝於下表面刷子旋轉驅動部55a之旋轉軸之上端。又,下表面洗淨裝置50代替圖16之液體噴嘴52a、52b,而包含液體噴嘴52c。液體噴嘴52c由未圖示之支持構件支持,且連接於圖3之刷子洗淨液供給部57。刷子洗淨液供給部57對液體噴嘴52c供給洗淨液。液體噴嘴52c將由刷子洗淨液供給部57供給之洗淨液噴出至洗淨槽100內。
再者,於本實施形態中,圖12之液體噴嘴52及氣體噴出部53由未圖示之支持構件支持。本實施形態中之液體噴嘴52及氣體噴出部53之動作分別與第1實施形態中之液體噴嘴52及氣體噴出部53之動作同樣。
於下表面刷子51之下方,於下表面刷子旋轉驅動部55a之旋轉軸,安裝平板狀之閉合部110。又,於洗淨槽100之底面,形成供下表面刷子旋轉驅動部55a之旋轉軸插通之開口部101。貯存於洗淨槽100內之洗淨液自開口部101逐漸排出。開口部101之面積較下表面刷子51之底部面積小,且較閉合部110之面積小。
於下表面刷子51下降至待機位置時,閉合部110離開洗淨槽100之底部,另一方面,以下表面刷子51之底部與開口部101重疊之方式接觸於洗淨槽100之底面之上部。藉此,將開口部101閉合。於下表面刷子51上升至處理位置時,下表面刷子51離開洗淨槽100之底部,另一方面,以閉合部110與開口部101重疊之方式接觸於洗淨槽100之底面之下部。藉此,將開口部101閉合。
於開口部101閉合時,自開口部101排出之洗淨液之流量較開口部101未閉合時自開口部101排出之洗淨液之流量小。即,開口部101亦可不完全閉合。因此,於下表面刷子51位於待機位置之情形時,下表面刷子51之底部亦可不與洗淨槽100之底面之上部牢固地接觸。又,於下表面刷子51位於處理位置之情形時,閉合部110亦可不與洗淨槽100之底面之下部牢固地接觸。
(2)基板洗淨裝置之動作 圖25~圖29係用以說明圖24之下表面刷子51之洗淨動作之模式圖。本實施形態之基板洗淨裝置1與圖4~圖15所示之第1實施形態之基板洗淨裝置1基本同樣地動作。因此,於圖25~圖29中,省略圖12中之下表面刷子51之洗淨動作以外之基板洗淨裝置1之動作之說明,但亦並行進行基板W之上表面之洗淨。
如圖25所示,於基板W之下表面外側區域之洗淨前,下表面刷子51於待機位置收納於洗淨槽100。此時,前一個下表面刷子51之洗淨步驟中使用之洗淨液之一部分可殘存於洗淨槽100內。該情形時,貯存於洗淨槽100內之洗淨液自開口部101逐漸排出。
接著,如圖26所示,以下表面刷子51之洗淨面接觸於基板W之下表面外側區域之方式,使下表面刷子51自待機位置上升至上方之處理位置。又,自液體噴嘴52c向洗淨槽100內噴出洗淨液。該情形時,由於開口部101由閉合部110閉合,故單位時間內供給至洗淨槽100內之洗淨液之量較自洗淨槽100內排出之洗淨液之量大。
接著,如圖27所示,藉由下表面刷子旋轉驅動部55a使下表面刷子51旋轉。此時,自圖12之液體噴嘴52向基板W之下表面噴出洗淨液,並自圖12之氣體噴出部53向基板W之下表面噴射氣體。藉此,將基板W之下表面外側區域洗淨。又,由於在基板W之下表面外側區域之洗淨期間,自液體噴嘴52c繼續噴出洗淨液且由閉合部110將開口部101閉合,故洗淨槽100內之洗淨液之液面上升。
於基板W之下表面外側區域之洗淨後,如圖28所示,停止下表面刷子51之旋轉及來自液體噴嘴52c之洗淨液之噴出。又,以下表面刷子51之洗淨面離開基板W之下表面外側區域之方式,使下表面刷子51自處理位置下降至下方之待機位置。該情形時,將洗淨液自開口部101逐漸排出,但由於開口部101被下表面刷子51閉合,故於洗淨槽100內,殘存有充足量之洗淨液。因此,下表面刷子51浸漬於貯存於洗淨槽100內之洗淨液中。
最後,如圖29所示,藉由下表面刷子旋轉驅動部55a使下表面刷子51旋轉。該情形時,於洗淨槽100內產生朝向外側之洗淨液之流動。藉此,有效率地去除附著於下表面刷子51之污染物質,且將所去除之污染物質與洗淨液一起自開口部101排出。其結果,將下表面刷子51洗淨。於本實施形態中,亦可對下表面刷子51之洗淨,併用超音波洗淨。
又,亦可於洗淨液中添加少量之藥液。該情形時,由於在洗淨槽100內攪拌添加有藥液之洗淨液,故藉由少量之洗淨液效率良好地將下表面刷子51洗淨。藉此,可削減洗淨液之消耗量。於污染物質為抗蝕劑等微粒之情形時,所添加之藥液可為鹼性水溶液。於污染物質包含金屬成分之情形時,所添加之藥液可為酸性水溶液。
又,液體噴嘴52c於下表面刷子51位於待機位置時停止洗淨液之噴出,但實施形態不限定於此。液體噴嘴52c於下表面刷子51位於待機位置時亦可噴出洗淨液。再者,液體噴嘴52c亦可於下表面刷子51在待機位置與處理位置之間升降之期間噴出洗淨液。
於圖26中,下表面刷子51之旋轉可於下表面刷子51移動至處理位置之前開始。同樣地,於圖29中,下表面刷子51之旋轉可於下表面刷子51移動至待機位置之前開始。即,下表面刷子51亦可於待機位置與處理位置之移動期間旋轉。另一方面,於圖29之下表面刷子51之洗淨動作中,下表面刷子51於待機位置旋轉,但於下表面刷子51於洗淨槽100內被充分洗淨之情形時,下表面刷子51亦可不於待機位置旋轉。
(3)效果 於本實施形態之基板洗淨裝置1中,由於下表面刷子51之待機位置與由下側保持裝置20保持之基板W於上下方向重疊,故即便於下表面刷子51相對大型之情形時,佔據面積亦幾乎不增加。因此,可藉由使用相對大型之下表面刷子51,以短時間將基板W之下表面洗淨。因此,即便於設置有洗淨下表面刷子51之步驟之情形時,處理量亦不會變化。藉此,可不降低處理量而維持下表面刷子51之清淨度。
於洗淨下表面刷子51時,下表面刷子51浸漬於貯存於洗淨槽100之洗淨液中。根據該構成,即便於下表面刷子51相對大型之情形時,亦可容易地將下表面刷子51整體洗淨。又,由於無需使下表面刷子51之洗淨面長時間接觸於基板W之下表面,故可將下表面刷子51之消耗最小化。
(4)變化例 於本實施形態中,基板洗淨裝置1包含閉合部110,但實施形態不限定於此。圖30係顯示第1變化例之基板洗淨裝置1之下表面刷子51之附近構成之放大剖視圖。如圖30所示,於本變化例中,洗淨槽100之開口部101之面積相對較小,且略微大於下表面刷子旋轉驅動部55a之旋轉軸之剖面積。該情形時,由於每單位時間自洗淨槽100排出之洗淨液之量相對較小,故基板洗淨裝置1不包含閉合部110。
圖31~圖33係顯示第2變化例之基板洗淨裝置1之下表面刷子51之附近構成之放大剖視圖。如圖31所示,本變化例之基板洗淨裝置1進而包含洗淨槽升降驅動部55d及外槽120。洗淨槽升降驅動部55d包含步進馬達或氣缸,基於圖3之下表面洗淨控制部9E之控制使洗淨槽100相對於圖1之移動支持部55升降。
洗淨槽升降驅動部55d具有中空之驅動軸。洗淨槽升降驅動部55d之驅動軸以包圍開口部101及下表面刷子旋轉驅動部55a之旋轉軸之方式安裝於洗淨槽100之底面之下部。外槽120具有杯形狀,於待機位置以包圍洗淨槽100之方式配置。於外槽120之底面,形成供下表面刷子旋轉驅動部55a之旋轉軸及洗淨槽升降驅動部55d之驅動軸插通之開口部121。
於基板W之下表面外側區域之洗淨時,如圖32所示,下表面刷子51藉由圖3之下表面刷子升降驅動部55b自待機位置上升至處理位置。又,洗淨槽100以與基板W接近之方式藉由洗淨槽升降驅動部55d自待機位置上升。藉由於該狀態下使下表面刷子51旋轉,而將基板W之下表面外側區域洗淨。又,自下表面刷子51飛散之洗淨液由外槽120接住。藉此,防止污染洗淨槽100之周邊。
又,於基板W之下表面外側區域之洗淨後,如圖33所示,可將下表面刷子51藉由下表面刷子升降驅動部55b自處理位置下降至下表面刷子51之洗淨面為洗淨槽100之上端之高度以下為止。於該狀態下,液體噴嘴52c可將較單位時間內自洗淨槽100內排出之洗淨液之量大之量的洗淨液噴出至洗淨槽100內。該情形時,洗淨液自洗淨槽100溢出,且於基板W與下表面刷子51之洗淨面之間形成洗淨液之液柱。藉由該洗淨液之液柱將下表面刷子51洗淨。其結果,可削減用於下表面刷子51之洗淨之洗淨液之量。
圖34係顯示第3變化例之基板洗淨裝置1之下表面刷子51之附近構成之放大剖視圖。如圖34所示,本變化例之基板洗淨裝置1進而包含洗淨槽旋轉驅動部55e。洗淨槽旋轉驅動部55e例如包含馬達,且基於圖9之下表面洗淨控制部9E之控制,經由皮帶及皮帶輪等動力傳遞構件使洗淨槽升降驅動部55d旋轉。藉此,洗淨槽100可旋轉。
又,於洗淨槽100之側壁,形成複數個排液孔102。於洗淨下表面刷子51時,藉由洗淨槽旋轉驅動部55e使洗淨槽100旋轉。該情形時,藉由將洗淨槽100內之洗淨液自複數個排液孔102排出,而於洗淨槽100內產生朝向外側之洗淨液之流動。藉此,有效率地去除附著於下表面刷子51之污染物質,且將所去除之污染物質與洗淨液一起自排液孔102排出。其結果,將下表面刷子51洗淨。
於本變化例中,於洗淨下表面刷子51時,可使下表面刷子51朝與洗淨槽100之旋轉方向相反方向旋轉。該情形時,可更容易地於洗淨槽100內產生朝向外側之洗淨液之流動。藉此,可更有效率地去除附著於下表面刷子51之污染物質。又,於本變化例中,於可容易地於洗淨槽100內產生朝向外側之洗淨液之流動之情形時,亦可不於洗淨槽100形成排液孔102。
[3]其他實施形態 (1)於上述實施形態中,於上側保持裝置10A、10B中執行基板W之下表面中央區域之洗淨後,於下側保持裝置20中執行基板W之下表面外側區域之洗淨與下表面刷子51之洗淨,但實施形態不限定於此。亦可於下側保持裝置20中執行基板W之下表面外側區域之洗淨與下表面刷子51之洗淨後,於上側保持裝置10A、10B中執行基板W之下表面中央區域之洗淨。又,亦可不執行基板W之下表面中央區域之洗淨。該情形時,基板洗淨裝置1不包含上側保持裝置10A、10B及交接裝置40。
(2)於上述實施形態中,基板W之上表面使用噴霧噴嘴73洗淨,但實施形態不限定於此。基板W之上表面亦可使用刷子洗淨,又可使用噴出清洗液之清洗液噴嘴洗淨。又,基板W之上表面亦可不洗淨。該情形時,基板洗淨裝置1不包含上表面洗淨裝置70。同樣地,基板W之外周端部亦可不洗淨。該情形時,基板洗淨裝置1不包含端部洗淨裝置80。
(3)於上述實施形態中,基板洗淨裝置1包含控制裝置9,但實施形態不限定於此。於基板洗淨裝置1構成為可由外部之信息處理裝置控制之情形時,基板洗淨裝置1亦可不包含控制裝置9。
(4)於第1實施形態中,下表面刷子51藉由自液體噴嘴52a、52b噴出之洗淨液而洗淨,但實施形態不限定於此。基板洗淨裝置1可與第2實施形態同樣,代替液體噴嘴52a、52b而包含液體噴嘴52c及洗淨槽100等。該情形時,下表面刷子51可於洗淨槽100內藉由自液體噴嘴52c噴出之洗淨液而洗淨。又,可重複處理位置中之基板W之下表面外側區域之洗淨、與待機位置中之下表面刷子51之洗淨,但亦可不重複。
[4]請求項之各構成要件與實施形態之各部之對應關係 以下,對請求項之各構成要件與實施形態之各要件之對應例進行說明,但本發明不限定於下述例。作為請求項之各構成要件,亦可使用具有請求項所記載之構成或功能之其他各種要件。
於上述實施形態中,基板W為基板之例,吸附保持部21為基板保持部之例,下表面刷子51為下表面刷子之例,液體噴嘴52a、52b或洗淨槽100為刷子洗淨部之例,下表面刷子升降驅動部55b為下表面刷子升降驅動部之例。基板洗淨裝置1為基板洗淨裝置之例,上表面洗淨裝置70為上表面洗淨部之例,液體噴嘴52a、52b分別為第1液體噴嘴及第2液體噴嘴之例,洗淨槽100為洗淨槽之例。
1:基板洗淨裝置 2:單元外殼 2a:底面部 2b,2c,2d,2e:側壁部 2x:搬入搬出口 9:控制裝置 9A:夾盤控制部 9B:吸附控制部 9C:台座控制部 9D:交接控制部 9E:下表面洗淨控制部 9F:杯控制部 9G:上表面洗淨控制部 9H:斜面洗淨控制部 9I:搬入搬出控制部 10A,10B:上側保持裝置 11A,11B:下夾盤 12A,12B:上夾盤 13A,13B:下夾盤驅動部 14A,14B:上夾盤驅動部 20:下側保持裝置 21:吸附保持部 22:吸附保持驅動部 30:台座裝置 31:線性導軌 32:可動台座 33:台座驅動部 40:交接裝置 41:支持銷 42:銷連結構件 43:銷升降驅動部 50:下表面洗淨裝置 51:下表面刷子 52:液體噴嘴 52a,52b:液體噴嘴 52c:液體噴嘴 53:氣體噴出部 54:升降支持部 54u:上表面 55:移動支持部 55a:下表面刷子旋轉驅動部 55b:下表面刷子升降驅動部 55c:下表面刷子移動驅動部 55d:洗淨槽升降驅動部 55e:洗淨槽旋轉驅動部 56:下表面洗淨液供給部 57:刷子洗淨液供給部 58:噴出氣體供給部 60:杯裝置 61:杯 62:杯驅動部 70:上表面洗淨裝置 71:旋轉支持軸 72:臂 73:噴霧噴嘴 74:上表面洗淨驅動部 75:上表面洗淨流體供給部 80:端部洗淨裝置 81:旋轉支持軸 82:臂 83:斜面刷 84:斜面刷驅動部 90:開閉裝置 91:擋板 92:擋板驅動部 100:洗淨槽 101:開口部 102:排液孔 110:閉合部 120:外槽 121:開口部 a1~a24,a51,a52:箭頭 RH:手 rp:平面基準位置 S1~S15:步驟 W:基板
圖1係本發明之第1實施形態之基板洗淨裝置之模式性俯視圖。 圖2係顯示圖1之基板洗淨裝置之內部構成之外觀立體圖。 圖3係顯示基板洗淨裝置之控制系統之構成之方塊圖。 圖4係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖5係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖6係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖7係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖8係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖9係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖10係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖11係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖12係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖13係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖14係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖15係用以說明圖1之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖16係用以說明圖12中之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖17係用以說明圖12中之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖18係用以說明圖12中之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖19係用以說明圖12中之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖20係用以說明圖12中之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖21係用以說明圖12中之基板洗淨裝置之概略動作之模式圖。 圖22係顯示圖3之控制裝置之基板洗淨處理之流程圖。 圖23係顯示圖3之控制裝置之基板洗淨處理之流程圖。 圖24係顯示第2實施形態之基板洗淨裝置之下表面刷子之附近構成之放大剖視圖。 圖25係用以說明圖24之下表面刷子之洗淨動作之模式圖。 圖26係用以說明圖24之下表面刷子之洗淨動作之模式圖。 圖27係用以說明圖24之下表面刷子之洗淨動作之模式圖。 圖28係用以說明圖24之下表面刷子之洗淨動作之模式圖。 圖29係用以說明圖24之下表面刷子之洗淨動作之模式圖。 圖30係顯示第1變化例之基板洗淨裝置之下表面刷子之附近構成之放大剖視圖。 圖31係顯示第2變化例之基板洗淨裝置之下表面刷子之附近構成之放大剖視圖。 圖32係顯示第2變化例之基板洗淨裝置之下表面刷子之附近構成之放大剖視圖。 圖33係顯示第2變化例之基板洗淨裝置之下表面刷子之附近構成之放大剖視圖。 圖34係顯示第3變化例之基板洗淨裝置之下表面刷子之附近構成之放大剖視圖。
21:吸附保持部
51:下表面刷子
52a,52b:液體噴嘴
54:升降支持部
55a:下表面刷子旋轉驅動部
73:噴霧噴嘴
W:基板

Claims (14)

  1. 一種基板洗淨裝置,其具備: 基板保持部,其將基板以水平姿勢保持; 下表面刷子,其於處理位置,將由上述基板保持部保持之上述基板之下表面洗淨; 刷子洗淨部,其於與由上述基板保持部保持之上述基板於上下方向重疊且位於上述處理位置下方之待機位置,將上述下表面刷子洗淨;及 下表面刷子升降驅動部,其使上述下表面刷子於上述處理位置與上述待機位置之間升降。
  2. 如請求項1之基板洗淨裝置,其進而具備: 上表面洗淨部,其將由上述基板保持部保持之上述基板之上表面洗淨;且 上述下表面刷子升降驅動部以於由上述上表面洗淨部將上述基板之上表面洗淨之期間執行上述基板下表面之洗淨及上述下表面刷子之洗淨之方式,使上述下表面刷子於上述處理位置與上述待機位置之間升降。
  3. 如請求項1或2之基板洗淨裝置,其中 上述下表面刷子升降驅動部以執行複數次上述基板下表面之洗淨及上述下表面刷子之洗淨之方式,使上述下表面刷子於上述處理位置與上述待機位置之間反復升降。
  4. 如請求項1或2之基板洗淨裝置,其中 上述刷子洗淨部包含對上述下表面刷子之中央部噴出洗淨液之第1液體噴嘴、與對上述下表面刷子之端部噴出洗淨液之第2液體噴嘴。
  5. 如請求項1或2之基板洗淨裝置,其中 上述刷子洗淨部包含貯存供上述下表面刷子浸漬之洗淨液的洗淨槽。
  6. 如請求項1或2之基板洗淨裝置,其中 上述基板保持部及上述下表面刷子各自具有圓形之外形; 上述下表面刷子之直徑大於上述基板保持部之直徑。
  7. 如請求項1或2之基板洗淨裝置,其中 上述基板及上述下表面刷子各自具有圓形之外形; 上述下表面刷子之直徑大於上述基板之直徑之1/3。
  8. 一種基板洗淨方法,其包含: 由基板保持部將基板以水平姿勢保持; 於處理位置,藉由下表面刷子將由上述基板保持部保持之上述基板之下表面洗淨; 於與由上述基板保持部保持之上述基板於上下方向重疊且位於上述處理位置之下方之待機位置,藉由刷子洗淨部將上述下表面刷子洗淨;且 使上述下表面刷子於上述處理位置與上述待機位置之間升降。
  9. 如請求項8之基板洗淨方法,其進而包含: 藉由上表面洗淨部將由上述基板保持部保持之上述基板之上表面洗淨;且 上述基板之下表面之洗淨及上述下表面刷子之洗淨係於藉由上述上表面洗淨部將上述基板之上表面洗淨之期間執行。
  10. 如請求項8或9之基板洗淨方法,其中 以執行複數次上述基板之下表面之洗淨及上述下表面刷子之洗淨之方式,反復使上述下表面刷子於上述處理位置與上述待機位置之間升降。
  11. 如請求項8或9之基板洗淨方法,其中 藉由刷子洗淨部將上述下表面刷子洗淨,包含:藉由第1液體噴嘴對上述下表面刷子之中央部噴出洗淨液、及藉由第2液體噴嘴對上述下表面刷子之端部噴出洗淨液。
  12. 如請求項8或9之基板洗淨方法,其中 藉由刷子洗淨部將上述下表面刷子洗淨,包含:使上述下表面刷子浸漬於貯存於洗淨槽之洗淨液。
  13. 如請求項8或9之基板洗淨方法,其中 上述基板保持部及上述下表面刷子各自具有圓形之外形; 上述下表面刷子之直徑大於上述基板保持部之直徑。
  14. 如請求項8或9之基板洗淨方法,其中 上述基板及上述下表面刷子各自具有圓形之外形; 上述下表面刷子之直徑大於上述基板之直徑之1/3。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201521103A (zh) * 2013-07-23 2015-06-01 Tokyo Electron Ltd 基板洗淨裝置、基板洗淨方法及記憶媒體

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5136103B2 (ja) * 2008-02-12 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及びその方法、塗布、現像装置及びその方法、並びに記憶媒体
JP2010021457A (ja) * 2008-07-14 2010-01-28 Fujitsu Microelectronics Ltd ブラシの洗浄方法
JP6543534B2 (ja) * 2015-08-26 2019-07-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP2021052166A (ja) * 2019-09-17 2021-04-01 株式会社Screenホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201521103A (zh) * 2013-07-23 2015-06-01 Tokyo Electron Ltd 基板洗淨裝置、基板洗淨方法及記憶媒體

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