TW201808473A - 基板處理裝置及處理罩洗淨方法 - Google Patents
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Abstract
基板處理裝置係具備有:筒狀的防護罩,係用以接住從自轉夾具朝外側飛散的液體;環狀的罩,係以接液槽接住被防護罩導引至下方的液體;防護罩升降單元,係使防護罩於上下方向移動;洗淨液供給單元,係將從清洗液噴嘴噴出的純水經由自轉夾具及防護罩供給至接液槽;洗淨液排出單元,係用以排出接液槽內的純水;以及控制裝置,係藉由控制洗淨液供給單元及洗淨液排出單元而將純水儲留於接液槽,並藉由控制防護罩升降單元而使筒狀部的下端部浸漬於接液槽內的純水。
Description
本發明係有關於一種基板處理裝置及處理罩洗淨方法;該基板處理裝置係具備有處理罩(processing cup),該處理罩係包含有防護罩(guard)以及罩(cup);該處理罩洗淨方法係用以洗淨處理罩。
處理對象的基板係包括例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display;場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等製造步驟中,使用用以處理半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板之基板處理裝置。於US2009320885A1中揭示有一種用以逐片處理基板之葉片式的基板處理裝置。
該基板處理裝置係包含有:自轉夾具(spin chuck),係一邊水平地保持基板一邊使基板繞著通過基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉;處理液噴嘴,係朝被自轉夾具保持的基板的上表面噴出處理液;筒狀的處理罩,係圍繞自轉夾具;以及排氣管,係用以排出處理罩內的氣體。
處理罩係包含有:複數個防護罩,係用以接住從自轉夾具朝外側排出的處理液;以及複數個罩,係用以分別接住藉由複數個防護罩朝下方導引的處理液。防護罩係包含有:筒狀部,係圍繞自轉夾具;以及頂部,係從筒狀部的上端部朝旋轉軸線斜上地延伸。罩係包含有:環狀的底壁部,係圍繞自轉夾具;內壁部,係從底壁部的內周部朝上方延伸;以及外壁部,係從底壁部的外周部朝上方延伸。底壁部、內壁部以及外壁部係形成朝上開放的環狀的接液槽。防護罩的下端部係位於接液槽的上方。
從處理液噴嘴噴出的處理液係在著液至旋轉中的基板的上表面後,沿著基板的上表面朝外側流動。到達基板的外周部之處理液係從基板飛散至基板的周圍並被防護罩接住。被防護罩接住的處理液係沿著防護罩的筒狀部的內周面朝下方流動並流落至罩的接液槽。罩內的處理液係從罩的底壁部排出。此外,處理罩內的氣體係朝上方通過防護罩的筒狀部與罩的外壁部之間的間隙並被排出至排氣管。
於防護罩的內表面殘留有藥液等處理液。因此,防護罩係在適當的時期被洗淨。防護罩的洗淨係例如藉由在基板未被保持於自轉夾具的狀態下使處理液噴嘴朝旋轉中的自轉夾具噴出純水而進行。從處理液噴嘴噴出的純水係經由自轉夾具被供給至防護罩,並沿著防護罩的筒狀部的內周面朝下方流動。藉此,純水係被直接供給至筒狀部的內周面並洗淨筒狀部的內周面。
然而,由於沿著防護罩的筒狀部的內周面朝下方流動之純水係從筒狀部的下端落下,因此純水難以直接碰觸至筒狀部的下表面及外周面。雖然沿著筒狀部的內周面朝下方流動的藥液難以直接碰觸這些部分(圖13中以粗的一點鍊線所示的部分),但會有藥液的霧氣(mist)或液滴接觸至這些部分之情形。尤其在US2009320885A1的基板處理裝置中,由於排氣係朝上方通過防護罩的筒狀部與罩的外壁部之間的間隙(參照圖13所示的箭頭),因此藥液容易附著至筒狀部的下端部的外周面。因此,會有微量的藥液殘留於筒狀部的下表面及外周面之情形。當此種藥液乾燥時,藥液的結晶係殘留於該部分。
本發明的實施形態之一提供一種基板處理裝置,係具備有:基板保持單元,係一邊將基板保持成水平一邊使基板
繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉;藥液噴嘴,係朝被前述基板保持單元所保持的基板噴出藥液;筒狀的防護罩,係用以接住從前述基板保持單元朝外側飛散的液體,並包含有圍繞被前述基板保持單元所保持的基板之筒狀部;環狀的罩,係形成位於前述筒狀部的下方之環狀的接液槽,並以前述接液槽接住被前述防護罩導引至下方的液體;防護罩升降單元,係使前述防護罩於上下方向移動;洗淨液供給單元,係包含有第一洗淨液噴嘴,前述第一洗淨液噴嘴係從配置於被前述基板保持單元所保持的基板的上方或下方之噴出口噴出與藥液不同的洗淨液,前述洗淨液供給單元係將從前述第一洗淨液噴嘴所噴出的洗淨液經由前述基板保持單元及前述防護罩供給至前述接液槽;洗淨液排出單元,係用以經由設置於前述接液槽內的排液口排出前述接液槽內的洗淨液;液量控制單元,係控制前述洗淨液供給單元及前述洗淨液排出單元,藉此將洗淨液儲留於前述接液槽;以及防護罩位置控制單元,係控制前述防護罩升降單元,藉此使前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液。
依據此構成,從藥液噴嘴噴出的藥液係著液至旋轉中的基板,並沿著基板朝外側流動。從基板排出至外側的藥液係經由防護罩被罩接住。之後,從第一洗淨液噴嘴噴出的洗淨液係著液至旋轉中的基板保持單元,並沿著基板保持單元朝外側流動。從基板保持單元排出至外側的洗淨液係被防護罩的筒狀部接住,並沿著筒狀部的內周面朝下方
流動。藉此,藥液的液滴係從包含有筒狀部的內周面之防護罩的內表面被去除並洗淨防護罩的內表面。
沿著防護罩的內表面朝下方流動之洗淨液係流落至罩的接液槽內。在處理基板時,接液槽內的液體係經由設置於接液槽內的排液口被排出。然而,在洗淨防護罩時,洗淨液係儲留至接液槽。之後,筒狀部的下端部係被浸漬於接液槽內的洗淨液。藉此,不僅是筒狀部的下端部的內周面,筒狀部的下端部的下表面及外周面係直接碰觸到接液槽內的洗淨液。因此,從筒狀部的下端部的下表面及外周面去除微量的藥液和藥液的結晶,並洗淨筒狀部的下端部。藉此,能減少殘留於防護罩的污染物質。
在前述實施形態中,亦可於前述基板處理裝置施加以下的特徵的至少一種。
前述防護罩位置控制單元係一邊使前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液,一邊使前述筒狀部的下端部於上下方向振動。
依據此構成,防護罩的筒狀部的下端部係在接液槽內的洗淨液中於上下方向移動。藉此,能有效地去除附著於筒狀部的下端部的微量的藥液和藥液的結晶。
前述防護罩位置控制單元係使前述防護罩在洗淨上位置與洗淨下位置之間於上下方向複數次往復移動,前述洗淨上位置係前述筒狀部的下端部位於前述接液槽內的洗淨液的上方之位置,前述洗淨下位置係前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液之位置。
依據此構成,筒狀部的下端部係於上下方向複數次地通過接液槽內的洗淨液的表面(上表面)。筒狀部的下端部從洗淨液的表面朝上方移出時,洗淨液的表面張力係將附著於筒狀部的下端部的藥液的結晶朝下方拉動。此外,在筒狀部的下端部進入至洗淨液的表面時,對附著於筒狀部的下端部的藥液的結晶施加衝擊。因此,從筒狀部的下端部有效地去除藥液的結晶。
前述液量控制單元係在前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液時,使前述接液槽內的洗淨液經由前述排液口排出。
依據此構成,一邊使筒狀部的下端部浸漬於接液槽內的洗淨液,一邊將接液槽內的洗淨液經由排液口排出。從筒狀部的下端部去除的藥液和藥液的結晶係與經由排液口從接液槽排出的洗淨液一起移動至接液槽的外部。因此,藥液和藥液的結晶不易再次附著於筒狀部的下端部。藉此,能減少殘留於防護罩的污染物質。
前述液量控制單元係在前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液時以及前述筒狀部的下端部未浸漬於前述接液槽內的洗淨液時中的至少一種情形中,使前述接液槽內的洗淨液從前述接液槽的入口溢出。
依據此構成,使接液槽內的洗淨液從設置於接液槽的上端之接液槽的入口溢出。當筒狀部的下端部浸漬於接液槽內的洗淨液時,藥液和藥液的結晶係混入至接液槽內的洗淨液。存在於接液槽內的洗淨液的表面附近的藥液等係與從接液槽溢出的洗淨液一起排出至接液槽的外部。因此,藥液和藥液的結晶不易再次附著至筒狀部的下端部。藉此,能減少殘留於防護罩的污染物質。
前述液量控制單元係在前述筒狀部的下端部在前述接液槽內的洗淨液中上升時,使前述接液槽內的洗淨液從前述接液槽的入口溢出。
在筒狀部的下端部於洗淨液中上升時,由於處於洗淨液中之筒狀部的一部分的體積逐漸減少,因此若不將洗淨液供給至接液槽,則洗淨液的表面會持續下降。依據此構成,即使在此種情形中,亦會以洗淨液會從接液槽溢出的大流量將洗淨液供給至接液槽。因此,能將混入至接液槽內的洗淨液的藥液等與從接液槽溢出的洗淨液一起確實地
排出。
前述罩係包含有:外表面,係將從前述接液槽的入口溢出的洗淨液朝下方導引。
依據此構成,從接液槽溢出的洗淨液係沿著包含有內壁部的內周面及外壁部的外周面之罩的外表面朝下方流動。雖然已使用於基板的處理之藥液不易直接碰觸罩的外表面,但會有藥液的霧氣或液滴直接接觸罩的外表面之情形。因此,使洗淨液直接接觸罩的外表面,藉此能去除附著於罩的外表面的藥液和藥液的結晶。
前述基板處理裝置係進一步具備有:槽部(vat),係位於前述罩的下方,用以接住從前述接液槽的入口溢出的洗淨液;下排液配管,係經由設置於前述槽部內的下排液口導引從前述槽部排出的洗淨液;以及流量感測器,係檢測於前述下排液配管流動之液體的流量;前述液量控制單元係依據前述流量感測器的檢測值判斷洗淨液是否已從前述接液槽溢出。
依據此構成,從罩溢出的洗淨液係被位於罩的下方的槽部接住,並經由下排液口從槽部排出至下排液配管。當洗淨液從罩的接液槽溢出時,於下排液配管流動之液體的流量係變化。洗淨液是否從接液槽溢出係依據用以檢測於
下排液配管流動之液體的流量之流量檢測器的檢測值而判斷。因此,能確實地偵測洗淨液從接液槽溢出。
前述洗淨液排出單元係使排出流量減少,藉此將前述排出流量設定成比供給流量還小,前述排出流量係用以表示經由前述排液口從前述接液槽排出之洗淨液的流量,前述供給流量係用以表示經由前述基板保持單元及前述防護罩從前述第一洗淨液噴嘴供給至前述接液槽之洗淨液的流量。
依據此構成,使排出流量從比供給流量還大的值變化成比供給流量還小的值(包含零)。藉此,能將洗淨液確實地儲留至罩。
前述洗淨液排出單元係包含有:通常配管,係用以導引經由前述排液口從前述接液槽排出的洗淨液;限制配管,係用以導引經由前述排液口從前述接液槽排出的洗淨液;縮窄部,係夾設於前述限制配管,並具有比前述通常配管的流路面積的最小值還小的流路面積;以及排出切換閥,係可切換成通常狀態與限制狀態,前述通常狀態係前述接液槽內的洗淨液被排出至前述通常配管之狀態,前述限制狀態係前述接液槽內的洗淨液被排出至前述限制配管之狀態。
依據此構成,為了將洗淨液儲留於罩,將排出切換閥從通常狀態切換成限制狀態。接液槽內的洗淨液並非是被排出至通常配管,而是被排出至限制配管。夾設於限制配管的縮窄部的流路面積係比通常配管的流路面積的最小值還小。藉此,排出流量變成比供給流量還小,洗淨液係儲留於罩。
前述洗淨液排出單元係包含有:通常配管,係用以導引經由前述排液口從前述接液槽排出的洗淨液;以及排出流量調整閥,係用以變更於前述通常配管內流動之液體的流量。
依據此構成,為了將洗淨液儲留於罩,使用以變更於通常配管內流動的液體的流量之排出流量調整閥的開度減少。接液槽內的洗淨液係被排出至通常配管。藉此,排出流量變成比供給流量還小,洗淨液係儲留於罩。
前述洗淨液供給單元係使用以表示經由前述基板保持單元及前述防護罩從前述第一洗淨液噴嘴供給至前述接液槽的洗淨液的流量之供給流量增加,藉此將前述供給流量設定成比用以表示經由前述排液口從前述接液槽排出的洗淨液的流量之排出流量還大。
依據此構成,使供給流量從比排出流量還小的值變化
成比排出流量還大的值。藉此,能將洗淨液確實地儲留於接液槽。
前述洗淨液供給單元係包含有:供給配管,係用以導引供給至前述第一洗淨液噴嘴的洗淨液;以及供給流量調整閥,係變更於前述供給配管內流動之液體的流量。
依據此構成,為了將洗淨液儲留於罩,使用以變更於供給配管內流動的液體的流量之供給流量調整閥的開度增加。洗淨液係從供給配管供給至第一洗淨液噴嘴,並從第一洗淨液噴嘴被噴出。藉此,供給流量變成比排出流量還大,洗淨液係儲留於罩。
前述洗淨液供給單元係包含有:第二洗淨液噴嘴,係與前述第一洗淨液噴嘴不同的噴嘴,用以從配置於被前述基板保持單元所保持的基板的上方或下方之噴出口噴出洗淨液。
依據此構成,不僅使第一洗淨液噴嘴噴出洗淨液,亦使第二洗淨液噴嘴噴出洗淨液。從第一洗淨液噴嘴及第二洗淨液噴嘴噴出的洗淨液係經由基板保持單元及防護罩被供給至罩的接液槽。藉此,供給流量變成比排出流量還大,洗淨液係儲留於罩。
本發明的另一實施形態提供一種處理罩洗淨方法,係包含有:藥液供給步驟,係一邊使被水平地保持的基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉,一邊朝前述基板噴出藥液;第一接液步驟,係使包含有圍繞前述基板之筒狀部的防護罩接住從前述基板朝外側排出的藥液;第一供給步驟,係一邊使用以形成位於前述筒狀部的下方之環狀的接液槽之罩接住被前述防護罩導引至下方的藥液,一邊經由設置於前述接液槽內的排液口將前述接液槽內的藥液排出;洗淨液噴出步驟,係於前述藥液供給步驟後,一邊使配置於前述基板的下方之自轉基座(spin base)繞著前述旋轉軸線旋轉,一邊在前述自轉基座的上方使第一洗淨液噴嘴噴出與藥液不同的洗淨液;第二接液步驟,係使前述防護罩接住從前述自轉基座朝外側排出的洗淨液;第二供給步驟,係使前述罩的接液槽接住被前述防護罩朝下方導引的洗淨液;儲留步驟,係將供給流量設定成比排出流量還大,藉此將洗淨液儲留於前述接液槽,前述供給流量係用以表示經由前述自轉基座及前述防護罩從前述第一洗淨液噴嘴供給至前述接液槽之洗淨液的流量,前述排出流量係用以表示經由前述排液口從前述接液槽排出之洗淨液的流量;以及浸漬步驟,係使前述防護罩下降,藉此使前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液。依據此構成,能達成與前述功效同樣的功效。
在前述實施形態中,前述處理罩洗淨方法亦可加上以
下的特徵中的至少一者。
前述浸漬步驟係包含有:一邊使前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液一邊使前述筒狀部的下端部於上下方向振動之步驟。依據此構成,能達成與前述功效同樣的功效。
前述浸漬步驟係包含有:使前述防護罩在洗淨上位置與洗淨下位置之間於上下方向複數次往復移動之步驟,前述洗淨上位置係前述筒狀部的下端部位於前述接液槽內的洗淨液的上方之位置,前述洗淨下位置係前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液之位置。依據此構成,能達成與前述功效同樣的功效。
前述儲留步驟係包含有:在前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液時使前述接液槽內的洗淨液經由前述排液口排出之步驟。依據此構成,能達成與前述功效同樣的功效。
前述儲留步驟係包含有:在前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液時以及前述筒狀部的下端部未浸漬於前述接液槽內的洗淨液時中的至少一種情形時使前述接液槽內的洗淨液從前述接液槽的入口溢出之步驟。依據此構成,能達成與前述功效同樣的功效。
前述儲留步驟係包含有:在前述筒狀部的下端部在前述接液槽內的洗淨液中上升時使前述接液槽內的洗淨液從前述接液槽的入口溢出之步驟。依據此構成,能達成與前述功效同樣的功效。
前述儲留步驟係包含有:使從前述接液槽的入口溢出的洗淨液沿著前述罩的外表面流下之步驟。依據此構成,能達成與前述功效同樣的功效。
前述處理罩洗淨方法係進一步包含有:以位於前述罩的下方之槽部接住從前述接液槽的入口溢出的洗淨液之步驟;經由設置於前述槽部內的下排液口將前述槽部內的洗淨液排出至下排液配管之步驟;以及依據於前述下排液配管內流動之液體的流量來判斷洗淨液是否已從前述接液槽溢出之步驟。依據此構成,能達成與前述功效同樣的功效。
前述儲留步驟係執行前述排出流量的減少與前述供給流量的增加中的至少一者,藉此將前述供給流量設定成比前述排出流量還大。依據此構成,能達成與前述功效同樣的功效。
本發明中的前述目的、特徵及功效與其他的目的、特徵及功效係藉由參照附加的圖式及下述實施形態的說明而
更加明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
4a‧‧‧腔室的底部
5‧‧‧自轉夾具
6‧‧‧夾具銷
7‧‧‧自轉基座
8‧‧‧自轉軸
9‧‧‧自轉馬達
10‧‧‧夾具殼體
11‧‧‧藥液噴嘴
11p、15p、20p‧‧‧噴出口
12‧‧‧藥液配管
13‧‧‧藥液閥
14‧‧‧第一噴嘴移動單元
15‧‧‧清洗液噴嘴
16‧‧‧第一清洗液配管
17‧‧‧第一清洗液閥
18‧‧‧第一供給流量調整閥
19‧‧‧第二噴嘴移動單元
20‧‧‧下表面噴嘴
20a‧‧‧圓板部
21‧‧‧第二清洗液配管
22‧‧‧第二清洗液閥
23‧‧‧第二供給流量調整閥
30‧‧‧處理罩
31‧‧‧外壁構件
32‧‧‧防護罩升降單元
33‧‧‧防護罩
33A‧‧‧第一防護罩
33B‧‧‧第二防護罩
33C‧‧‧第三防護罩
33D‧‧‧第四防護罩
34‧‧‧頂部
35‧‧‧筒狀部
36‧‧‧上側延伸設置部
37‧‧‧中間延伸部
38‧‧‧下側延伸設置部
39‧‧‧外側延伸設置部
40‧‧‧罩
40A‧‧‧第一罩
40B‧‧‧第二罩
40C‧‧‧第三罩
40o‧‧‧外表面
41‧‧‧內壁部
42‧‧‧外壁部
43‧‧‧底壁部
44‧‧‧接液槽
45‧‧‧排液口
46‧‧‧排液配管
47‧‧‧排液閥
48‧‧‧回收配管
49‧‧‧回收閥
50‧‧‧限制配管
50a‧‧‧分歧配管
50b‧‧‧集合配管
51‧‧‧限制閥
52‧‧‧縮窄部
53‧‧‧槽部
54‧‧‧下排液口
55‧‧‧下排液配管
56‧‧‧流量感測器
57‧‧‧排氣導管
58‧‧‧排氣阻尼器
60‧‧‧處理器
61‧‧‧記憶體
62‧‧‧計數器
63‧‧‧計時器
64‧‧‧排出流量調整閥
A1‧‧‧旋轉軸線
W‧‧‧基板
圖1係水平地觀看本發明的實施形態之一的基板處理裝置所具備的處理單元的內部之示意性的局部剖視圖。
圖2係用以說明用以將處理罩內的液體排出之排出系統之示意性的局部剖視圖。
圖3係用以顯示基板處理裝置所執行的處理的概要之示意圖。
圖4係用以說明基板處理裝置的電性構成之方塊圖。
圖5係用以說明在處理單元內處理基板之基板處理的一例之步驟圖。
圖6A係用以顯示執行藥液供給步驟時的處理單元的狀態之示意圖。
圖6B係用以顯示執行清洗液供給步驟時的處理單元的狀態之示意圖。
圖6C係用以顯示執行乾燥步驟時的處理單元的狀態
之示意圖。
圖7係用以說明用以洗淨處理單元的內部之腔室(chamber)洗淨的一例之步驟圖。
圖8係用以顯示屬於洗淨液的一例之純水儲留於第二罩的狀態之示意圖。
圖9係用以顯示第二防護罩的下端部浸漬於第二罩內的純水的狀態之示意圖。
圖10係用以顯示純水經由排液口從第二罩排出的狀態之示意圖。
圖11係用以說明本發明另一實施形態的排出系統之示意圖。
圖12係用以顯示本發明另一實施形態的第二罩的鉛直剖面之示意圖。
圖13係用以說明習知技術的問題點之示意圖。
圖1係用以顯示本發明的實施形態之一的基板處理裝
置1的概略構成之示意圖。圖2係用以說明用以將處理罩30內的液體排出之排出系統之示意性的局部剖視圖。
基板處理裝置1係用以逐片處理半導體晶圓等圓板狀的基板W之葉片式的裝置。如圖1所示,基板處理裝置1係包含有:處理單元2,係以處理液或處理氣體等處理流體處理基板W;搬運機器人(未圖示),係用以將基板W搬運至處理單元2;以及控制裝置3,係控制基板處理裝置1。
處理單元2係包含有:箱形的腔室4,係具有內部空間;自轉夾具5,係一邊在腔室4內水平地保持一片基板W一邊使基板W繞著通過基板W的中央部之鉛直的旋轉軸線A1旋轉;複數個噴嘴,係朝被自轉夾具5所保持的基板W噴出各種流體;以及筒狀的處理罩30,係用以接住從自轉夾具5朝外側排出的處理液。
自轉夾具5為基板保持單元的一例。自轉夾具5係包含有:圓板狀的自轉基座7,係保持成水平;複數個夾具銷(chuck pin)6,係在自轉基座7的上方的基板保持位置水平地保持基板W;以及夾具開閉機構(未圖示),係使複數個夾具銷6開閉。自轉夾具5係進一步包含有:自轉軸(spin axis)8,係從自轉基座7的中央部沿著旋轉軸線A1朝下方延伸;自轉馬達9,係使自轉軸8旋轉,藉此使被複數個夾具銷6所保持的基板W繞著旋轉軸線A1旋轉;以及筒狀的夾具殼體10,
係收容自轉馬達9。
複數個噴嘴係包含有用以將藥液朝下方噴出之藥液噴嘴11。藥液噴嘴11係連接至用以導引供給至藥液噴嘴11的藥液之藥液配管12。用以切換對於藥液噴嘴11供給藥液以及停止供給藥液之藥液閥13係夾設於藥液配管12。當藥液閥13開啟時,藥液係從藥液噴嘴11的噴出口11p朝下方連續地噴出。
供給至藥液噴嘴11的藥液係例如BHF(Buffered Hydrogen Fluoride;緩衝氫氟酸(包含有HF、NH4F以及H2O的混合液))。藥液並未限定於BHF,亦可為包含有下述至少一者的液體:硫酸、硝酸、鹽酸、氟酸、磷酸、乙酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide;氫氧化四甲銨)等)、界面活性劑、防腐蝕劑。
雖然未圖示,但藥液閥13係包含有:閥本體,係用以形成流路;閥體,係配置於流路內;以及制動器(actuator),係使閥體移動。關於後述的閥亦同樣。制動器係可為空壓制動器或電動制動器,亦可為這些制動器以外的制動器。控制裝置3係控制制動器,藉此使藥液閥13開閉。此外,控制裝置3係控制制動器,藉此變更第一供給流量調整閥18等流量調整閥的開度。
藥液噴嘴11係可在腔室4內移動的掃描噴嘴(scan nozzle)。藥液噴嘴11係連接至第一噴嘴移動單元14,該第一噴嘴移動單元14係使藥液噴嘴11朝鉛直方向及水平方向的至少一方向移動。第一噴嘴移動單元14係使藥液噴嘴11在處理位置(圖1所示的位置)與退避位置之間水平地移動,該處理位置係從藥液噴嘴11噴出的藥液著液至基板W的上表面之位置,該退避位置係俯視觀看時藥液噴嘴11位於自轉夾具5的周圍之位置。處理位置係包含有:中央處理位置,係藥液著液至基板W的上表面中央部之位置;以及外周處理位置,係藥液著液至基板W的上表面外周部之位置。
複數個噴嘴係包含有用以將清洗液朝下方噴出之清洗液噴嘴15。清洗液噴嘴15係連接至第一清洗液配管16,該第一清洗液配管16係用以導引供給至清洗液噴嘴15的清洗液。用以切換對於清洗液噴嘴15供給清洗液以及停止供給清洗液之第一清洗液閥17係夾設於第一清洗液配管16。用以變更供給至清洗液噴嘴15的清洗液的流量之第一供給流量調整閥18亦夾設於第一清洗液配管16。清洗液噴嘴15係第一洗淨噴嘴的一例,第一清洗液配管16係供給配管的一例。
當第一清洗液閥17開啟時,以與第一供給流量調整閥18的開度對應之流量從清洗液噴嘴15的噴出口15p朝下方連續地噴出清洗液。從清洗液噴嘴15噴出的清洗液係例如為
純水(去離子水(DIW;deionized water))。清洗液並未限定於純水,亦可為IPA(isopropyl alcohol;異丙醇)、電解離子水、氫水、臭氧水以及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水的任一者。
清洗液噴嘴15為掃描噴嘴。清洗液噴嘴15亦可為相對於腔室4的底部4a而被固定的固定噴嘴。清洗液噴嘴15係連接至第二噴嘴移動單元19,該第二噴嘴移動單元19係用以使清洗液噴嘴15朝鉛直方向及水平方向的至少一方向移動。清洗液噴嘴15亦可連接至第一噴嘴移動單元14。第二噴嘴移動單元19係使清洗液噴嘴15在處理位置(圖1所示的位置)與退避位置之間水平地移動。
複數個噴嘴係包含有用以朝上方對基板W的下表面中央部噴出處理液之下表面噴嘴20。下表面噴嘴20係相對於腔室4的底部4a而被固定。下表面噴嘴20係包含有以自轉基座7的上表面與基板W的下表面之間的高度被水平地保持之圓板部20a。圓板部20a係圍繞旋轉軸線A1之圓環狀,並具有比基板W的直徑還小的外徑。下表面噴嘴20的噴出口20p係在圓板部20a的上表面中央部呈開口。下表面噴嘴20的噴出口20p係於上下方向與基板W的下表面中央部相對向。下表面噴嘴20為第二洗淨噴嘴的一例。
下表面噴嘴20係連接至第二清洗液配管21,該第二清
洗液配管21係用以導引供給至下表面噴嘴20的清洗液。用以切換對於下表面噴嘴20之供給清洗液以及停止供給清洗液之第二清洗液閥22係夾設於第二清洗液配管21。用以變更供給至下表面噴嘴20的清洗液的流量之第二供給流量調整閥23亦夾設於第二清洗液配管21。當第二清洗液閥22開啟時,以與第二供給流量調整閥23的開度對應之流量從下表面噴嘴20的噴出口20p朝上方連續地噴出清洗液。清洗液係例如為純水。清洗液亦可為純水以外的清洗液。
處理罩30係包含有:複數個防護罩33,係用以接住從自轉夾具5朝外側排出的液體;複數個罩40,係用以接住被複數個防護罩33朝下方導引的液體;以及圓筒狀的外壁構件31,係圍繞複數個防護罩33與複數個罩40。圖1係顯示設置有四個防護罩33(第一防護罩33A、第二防護罩33B、第三防護罩33C以及第四防護罩33D)以及三個罩40(第一罩40A、第二罩40B以及第三罩40C)的例子。
在以下中,在分別言及第一防護罩33A、第二防護罩33B、第三防護罩33C以及第四防護罩33D之情形中,簡稱為防護罩33。同樣地,在分別言及第一罩40A、第二罩40B以及第三罩40C之情形中,簡稱為罩40。此外,會有於與第一防護罩33A對應的構成之前面附上「第一」之情形。例如,會有將與第一防護罩33A對應的筒狀部35稱為「第一筒狀部35」之情形。針對與第二防護罩33B至第四防護罩33D對
應的構成亦同樣。亦即,針對第二防護罩33B至第四防護罩33D逐次增加一個數字。
防護罩33係可在上位置與下位置之間於上下方向移動,上位置係防護罩33的上端位於比基板保持位置還上方之位置,該下位置係防護罩33的上端位於比基板保持位置還下方之位置。防護罩升降單元32係使複數個防護罩33於上下方向個別地移動。防護罩升降單元32係使防護罩33位於上位置至下位置中的任意的位置。防護罩升降單元32係例如包含有:電動馬達,係產生用以使防護罩33於上下方向移動的動力;以及滾珠螺桿(ball screw)以及滾珠螺帽(ball nut),係用以將電動馬達的旋轉轉換成朝上下方向的防護罩33的移動。
防護罩33係包含有:圓筒狀的筒狀部35,係圍繞自轉夾具5;以及圓環狀的頂部34,係從筒狀部35的上端部朝旋轉軸線A1斜上地延伸。第一頂部34至第四頂部34係從下方以第一頂部34至第四頂部34的順序於上下方向重疊。第一筒狀部35至第四筒狀部35係從內側以第一筒狀部35至第四筒狀部35的順序配置成同心圓狀。第一頂部34至第四頂部34的上端係分別相當於第一防護罩33A至第四防護罩33D的上端。俯視觀看時第一頂部34至第四頂部34的上端係圍繞自轉基座7。
如圖2所示,各個筒狀部35係包含有上側延伸設置部
36,上側延伸設置部36係從頂部34的下端部朝下方延伸。第一防護罩33A的筒狀部35除了包含有上側延伸設置部36之外,還包含有:圓環狀的中間傾斜部37,係從上側延伸設置部36的下端部朝旋轉軸線A1斜下地延伸;以及圓筒狀的下側延伸設置部38,係從中間傾斜部37的下端部(內端部)朝下方延伸。第三防護罩33C的筒狀部35除了包含有上側延伸設置部36之外,還包含有圓筒狀的外側延伸設置部39,該外側延伸設置部39係從頂部34的下端部朝下方延伸,並圍繞上側延伸設置部36。
複數個罩40係從內側以第一罩40A、第二罩40B、第三罩40C的順序配置成同心圓狀。第一罩40A係圍繞夾具殼體10。第一罩40A及第二罩40B係配置於比外壁構件31的上端還下方。第一罩40A及第二罩40B係相對於腔室4的底部4a被固定。第三罩40C係與第二防護罩33B一體,並與第二防護罩33B一起於上下方向移動。第二防護罩33B係可相對於第三罩40C進行移動。
罩40係具有朝上開放的U字狀的鉛直剖面,並形成朝上開放的環狀的接液槽44。罩40係包含有:圓筒狀的內壁部41,係圍繞旋轉軸線A1;圓筒狀的外壁部42,係隔著間隔圍繞內壁部41;以及圓環狀的底壁部43,係連結內壁部41及外壁部42的下端彼此。用以排出罩40內的液體之排液口45係於底壁部43的上表面呈開口。底壁部43的上表面係
以於周方向愈接近排液口45愈變低之方式相對於水平面斜向傾斜。
內壁部41的上端係可配置於與外壁部42的上端相等的高度,亦可配置於比外壁部42的上端還高或還低的位置。圖2係顯示下述例子:第一罩40A的內壁部41的上端配置於與第一罩40A的外壁部42的上端相等的高度,第二罩40B的內壁部41的上端配置於比第二罩40B的外壁部42的上端還下方,第三罩40C的內壁部41的上端配置於比第三罩40C的外壁部42的上端還上方。
複數個接液槽44係分別位於複數個筒狀部35的下端部的下方。當防護罩33從上位置移動至下位置時,筒狀部35的下端部係通過接液槽44的入口進入至接液槽44內。具體而言,第一防護罩33A的下側延伸設置部38係進入至接液槽44內,第二防護罩33B至第三防護罩33C的上側延伸設置部36係進入至接液槽44內。藉此,筒狀部35的下端部係在從外壁部42及內壁部41朝徑方向離開且從底壁部43朝上下方向離開的狀態下配置於接液槽44內。
如圖2所示,複數個罩40係分別連接至複數個排液配管46。第二罩40B除了連接至排液配管46之外,亦連接至回收配管48。排液配管46及回收配管48為通常配管的一例。限制配管50係分別連接至第一罩40A、第二罩40B及第三罩
40C。限制配管50係包含有:複數個分歧配管50a,係分別連接至複數個排液配管46;以及集合配管50b,係連接至各個分歧配管50a。排液閥47、回收閥49以及限制閥51係分別夾設於排液配管46、回收配管48以及限制配管50。限制閥51及縮窄部52係夾設於集合配管50b。
經由排液口45從罩40排出的液體係藉由包含於排出切換閥之三個閥亦即排液閥47、回收閥49以及限制閥51被導引至排液配管46、回收配管48以及限制配管50中的任一者。縮窄部52係配置於限制閥51的下游。只要夾設於集合配管50b,則縮窄部52亦可配置於限制閥51的上游。縮窄部52的流路面積係比排液配管46的流路面積的最小值還小,且比回收配管48的流路面積的最小值還小。
外壁構件31及夾具殼體10係從腔室4的底部4a朝上方延伸。圍繞自轉夾具5之環狀的槽部53係藉由外壁構件31、腔室4的底部4a以及夾具殼體10所形成。槽部53內的液體係經由在腔室4的底部4a呈開口之下排液口54排出至下排液配管55。於下排液配管55內流動之液體的流量係被流量感測器56檢測出。
用以導引從外壁構件31的內部排出的氣體之排氣導管57係從外壁構件31朝外側延伸。外壁構件31內的氣體係排出至排氣導管57。排氣導管57的上游端係配置於比自轉基
座7還下方。排氣導管57係朝設置有基板處理裝置1之工廠所設置的排氣設備導引腔室4內的氣體。排出至排氣導管57的排氣的流量係藉由排氣阻尼器58而增減。排氣阻尼器58係可為手動阻尼器,亦可為自動阻尼器。
圖3係用以顯示在基板處理裝置1所執行的處理的概要之示意圖。圖4係用以說明基板處理裝置1的電性構成之方塊圖。
如圖3所示,在基板處理裝置1中執行用以在處理單元2內處理基板W之基板處理以及用以洗淨處理單元2的內部之腔室洗淨。腔室洗淨係在已進行了一次以上的基板處理之後才執行。之後,再次執行基板處理。
腔室洗淨係可在每次以一個處理單元2處理複數片基板W時被執行,亦可在每次以處理單元2處理一片基板W時被執行,亦可因應基板處理裝置1的使用者的操作在任意時期被執行。此外,腔室洗淨亦可在從最近一次的腔室洗淨結束後的經過時間以及基板W的處理片數中的至少一者到達預先設定的值時被執行。在此情形中,如圖4所示,控制裝置3係包含有用以計數基板W的片數之計數器62以及用以計測時間之計時器63中的至少一者。
如圖4所示,控制裝置3為電腦,並包含有:記憶體61,
係用以記憶程式等資訊;以及處理器(processor)60,係依據記憶於記憶體61的資訊控制基板處理裝置1。控制裝置3為液量控制單元及防護罩位置控制單元的一例。
基板處理及腔室洗淨係藉由控制裝置3控制基板處理裝置1而執行。換言之,控制裝置3係以執行基板處理及腔室洗淨所含有之各步驟之方式被程式化。用以顯示基板處理所含有之一連串的步驟之配方(recipe)係記憶於記憶體61。控制裝置3係依據配方控制基板處理裝置1,藉此使基板處理裝置1執行基板處理所含有的各步驟。腔室洗淨亦可組入至配方。
在以下中,說明基板處理的一例與腔室洗淨的一例。首先,說明基板處理的一例。
圖5係用以說明基板處理的一例之步驟圖。圖6A至圖6C係用以顯示執行圖5所示的各步驟時的處理單元2的狀態之示意圖。圖6A、圖6B以及圖6C係分別用以顯示執行藥液供給步驟、清洗液供給步驟以及乾燥步驟時的處理單元2的狀態之示意圖。
於藉由基板處理裝置1處理基板W時,進行用以將基板W搬入至腔室4內之搬入步驟(圖5的步驟S1)。
具體而言,在全部的噴嘴從自轉夾具5的上方退避的狀態下,搬運機器人(未圖示)係使手部一邊支持基板W一邊使手部進入至腔室4內。之後,搬運機器人係在基板W的表面朝向上方的狀態下將手部上的基板W載置於自轉夾具5上。自轉馬達9係在藉由夾具銷6把持基板W後,使基板W開始旋轉。搬運機器人係在基板W被載置於自轉夾具5上之後,使手部從腔室4的內部退避。
接著,如圖6A所示,進行用以將藥液供給至基板W的上表面之藥液供給步驟(圖5的步驟S2)。
具體而言,第一噴嘴移動單元14係使藥液噴嘴11從退避位置移動至處理位置。再者,防護罩升降單元32係在使第一防護罩33A位於下位置的狀態下直接使第二防護罩33B至第四防護罩33D上升至上位置。之後,開啟藥液閥13。藉此,從藥液噴嘴11朝旋轉中的基板W的上表面噴出藥液。此時,第一噴嘴移動單元14亦可使藥液噴嘴11在中央處理位置與外周處理位置之間移動,亦可以藥液的著液位置位於基板W的上表面中央部之方式使藥液噴嘴11靜止。當藥液閥13開啟後經過預定時間時,藥液閥13係被關閉。之後,第一噴嘴移動單元14係使藥液噴嘴11移動至退避位置。
從藥液噴嘴11噴出的藥液係著液至基板W的上表面後,沿著旋轉中的基板W的上表面朝外側流動。藉此,形成
有用以覆蓋基板W的上表面全域之藥液的液膜,並對基板W的上表面全域供給藥液。尤其,在第一噴嘴移動單元14使藥液噴嘴11在中央處理位置與外周處理位置之間移動之情形中,由於基板W的上表面全域係在藥液的著液位置被掃描,因此藥液均勻地被供給至基板W的上表面全域。藉此,基板W的上表面係被均勻地處理。
在藥液噴嘴11噴出藥液時,第二防護罩33B的內表面係於水平方向與基板W直接相對向。從基板W朝外側排出的藥液係進入至第一防護罩33A與第二防護罩33B之間的空間。之後,藥液係被第一防護罩33A及第二防護罩33B的至少一者導引至第二罩40B的方向,並流落至第二罩40B的接液槽44。此時,排液閥47及限制閥51被關閉,回收閥49被開啟(參照圖2)。因此,第二罩40B內的藥液係經由排液口45排出至回收配管48,並被導引至回收槽。第二防護罩33B的下端部係位於第二罩40B內的藥液的表面的上方。
接著,如圖6B所示,進行用以將屬於清洗液的一例之純水供給至基板W的上表面及下表面的雙方之清洗液供給步驟(圖5的步驟S3)。
具體而言,第二噴嘴移動單元19係使清洗液噴嘴15從退避位置移動至處理位置。再者,防護罩升降單元32係在使第二防護罩33B至第四防護罩33D位於上位置的狀態下直接
使第一防護罩33A上升至上位置。之後,第一清洗液閥17被開啟,清洗液噴嘴15開始噴出純水。藉此,從清洗液噴嘴15朝旋轉中的基板W的上表面噴出純水。此時,第二噴嘴移動單元19係可使清洗液噴嘴15在中央處理位置與外周處理位置之間移動,亦可以清洗液的著液位置位於基板W的上表面中央部之方式使清洗液噴嘴15靜止。
著液至基板W的上表面之純水係沿著基板W的上表面朝外側流動。基板W上的藥液係被從清洗液噴嘴15噴出的純水沖流。藉此,形成有用以覆蓋基板W的上表面全域之純水的液膜。到達至基板W的上表面外周部之純水係從基板W飛散至基板W的周圍,並被第一防護罩33A接住。之後,純水係被第一防護罩33A導引至第一罩40A的方向,並流落至第一罩40A的接液槽44。當第一清洗液閥17開啟後經過預定時間時,第一清洗液閥17被關閉,停止噴出純水。之後,第二噴嘴移動單元19係使清洗液噴嘴15移動至退避位置。
另一方面,第二清洗液閥22被開啟,下表面噴嘴20開始噴出純水。藉此,從下表面噴嘴20朝旋轉中的基板W的下表面中央部噴出純水。第二清洗液閥22亦可與第一清洗液閥17同時開啟,亦可在第一清洗液閥17開啟之前或之後開啟。著液至基板W的下表面之純水係沿著基板W的下表面朝外側流動,並從基板W的外周部朝基板W的周圍飛散。附著至基板W的下表面之藥液的霧氣等係被從下表面噴嘴
20噴出的純水沖流。當從第二清洗液閥22開啟後經過預定時間時,第二清洗液閥22被關閉,停止噴出純水。
接著,如圖6C所示,進行乾燥步驟(圖5的步驟S4),該乾燥步驟係使基板W高速旋轉,藉此使基板W乾燥。
具體而言,防護罩升降單元32係在使第四防護罩33D位於上位置的狀態下直接使第一防護罩33A至第三防護罩33C下降至下位置。之後,自轉馬達9係使基板W於旋轉方向加速並以高旋轉速度(例如數千rpm)旋轉。藉此,大的離心力施加至附著至基板W的液體,液體係從基板W朝基板W的周圍飛散。因此,液體從基板W去除,基板W被乾燥。基板W開始高速旋轉後經過預定時間時,自轉馬達9停止旋轉。藉此,基板W停止旋轉。
接著,進行用以從腔室4搬出基板W之搬出步驟(圖5的步驟S5)。
具體而言,防護罩升降單元32係在使第一防護罩33A至第三防護罩33C位於下位置的狀態下直接使第四防護罩33D下降至下位置。之後,搬運機器人(未圖示)係使手部進入至腔室4內。搬運機器人係在解除複數個夾具銷6對於基板W的保持後,以手部支撐自轉夾具5上的基板W。之後,搬運機器人係一邊以手部支撐基板W一邊使手部從腔室4的
內部退避。藉此,從腔室4搬出處理完畢的基板W。
接著,說明腔室洗淨的一例。
圖7係用以說明腔室洗淨的一例之步驟圖。圖8係用以顯示屬於洗淨液的一例之純水儲留於第二罩40B的狀態之示意圖。圖9係用以顯示第二防護罩33B的下端部浸漬於第二罩40B內的純水的狀態之示意圖。圖10係用以顯示純水經由排液口45從第二罩40B排出的狀態之示意圖。在圖8至圖10中,以黑色顯示開啟中的閥,以白色顯示關閉中的閥。
如圖8所示,在洗淨第二防護罩33B時,控制裝置3係使第二防護罩33B至第四防護罩33D位於上位置,並使第一防護罩33A位於下位置(圖7的步驟S11)。再者,控制裝置3係使清洗液噴嘴15位於自轉基座7的上方,並使自轉基座7旋轉(圖7的步驟S12)。在此狀態下,控制裝置3係使清洗液噴嘴15噴出屬於洗淨液的一例之純水(圖7的步驟S13)。
從清洗液噴嘴15噴出的純水係著液至自轉基座7的上表面,並沿著自轉基座7的上表面朝外側擴展。到達至自轉基座7的外周部的純水係從自轉基座7朝自轉基座7的周圍飛散,並進入至第一防護罩33A與第二防護罩33B之間的空間。該純水係被第一防護罩33A的外表面及第二防護罩33B
的內表面中的至少一者導引至第二罩40B的方向,並流落至第二罩40B的接液槽44內。
純水持續地被供給至第二罩40B,另一方面,第二罩40B內的純水係經由排液口45被排出。如圖8所示,此時,控制裝置3係關閉排液閥47及回收閥49,並開啟限制閥51。供給至第二罩40B的純水的流量係比經由排液口45從第二罩40B排出的純水的流量還多。因此,純水儲留於第二罩40B,第二罩40B內的純水的表面(上表面)緩緩地上升。
當第二罩40B內的純水增加時,液面亦即純水的表面係上升。伴隨於此,在第二罩40B的內壁部41的外周面中之直接接觸到純水的區域的面積係增加。同樣地,在第二罩40B的外壁部42的內周面中之直接接觸到純水的區域的面積係增加。換言之,只要將純水積極地儲留於第二罩40B內,純水即會直接碰觸到純水不易碰觸的區域。在第二罩40B中,由於內壁部41遠低於外壁部42,因此純水直接接觸至內壁部41的外周面的全域。
如圖9所示,從接液槽44的入口溢出的純水係沿著包含有內壁部41的內周面及外壁部42的外周面之第二罩40B的為外表面40o朝下方流動,並流落至槽部53的底面。槽部53上的純水係經由下排液口54排出至下排液配管55。控制裝置3係依據流量感測器56的檢測值判斷第二罩40B是否
已被純水充滿,亦即判斷純水的表面是否已到達至接液槽44的入口。
當第二罩40B被純水充滿時,控制裝置3係使第二防護罩33B從相當於洗淨上位置之上位置下降至相當於洗淨下位置之下位置(圖7的步驟S14)。在第二防護罩33B到達至下位置之前,第二筒狀部35的下端部係浸漬於第二罩40B內的純水,且純水從第二罩40B溢出。如圖9所示,在第二罩40B中,由於內壁部41遠低於外壁部42,因此第二罩40B內的純水僅通過內壁部41上被排出。
控制裝置3係一邊使第二罩40B內的純水溢出一邊使第二防護罩33B下降至下位置。當第二防護罩33B到達至下位置時,控制裝置3係使第二防護罩33B從下位置上升至上位置。此時,第二筒狀部35的下端部係在第二罩40B內的純水中朝上方移動。並且,在第二防護罩33B到達至上位置之前,第二筒狀部35的下端部係在第二罩40B內的純水的表面朝上方通過,並流出至第二罩40B的接液槽44的外側。
自轉基座7的旋轉與從清洗液噴嘴15噴出純水係不僅在第二防護罩33B朝下位置下降時進行,在第二防護罩33B朝上位置上升時亦繼續進行。在第二筒狀部35的下端部在第二罩40B內的純水中上升之期間的至少一部分中,第二罩40B內的純水係從接液槽44的入口溢出。當在第二防護罩33B
到達至上位置時,控制裝置3係再次使第二罩40B下降至下位置。亦即,控制裝置3係使第二防護罩33B在上位置與下位置之間複數次往復移動(圖7的步驟S14)。
如圖9所示,第二罩40B內的純水增加時,位於下位置的第一防護罩33A的筒狀部35的下端部亦即上側延伸設置部36的下端部係浸漬於第二罩40B內的純水。因此,上側延伸設置部36的下端部的內周面、外周面以及下表面係直接碰觸第二罩40B內的純水。此時,控制裝置3係可使第一防護罩33A在下位置長時間地靜止,亦可與第二防護罩33B同樣地使第一防護罩33A在上位置與下位置之間複數次往復移動。
當開始第二防護罩33B的洗淨後經過預定時間時,為了結束第二防護罩33B的洗淨,控制裝置3係停止自轉基座7的旋轉以及停止從清洗液噴嘴15噴出純水(圖7的步驟S15以及步驟S16)。再者,如圖10所示,控制裝置3係關閉限制閥51,並開啟排液閥47。藉此,經由排液口45從第二罩40B排出的純水的流量係增加。因此,第二罩40B內的純水迅速地被排出,第二罩40B幾乎排盡全部的純水(圖7的步驟S17)。經由排液口45從第二罩40B排出的純水係可再利用,亦可廢棄。
如此,從清洗液噴嘴15噴出的純水係沿著旋轉中的自轉
基座7的上表面朝外側流動。附著至自轉基座7及夾具銷6的藥液係被純水沖洗。再者,純水不僅供給至自轉基座7及夾具銷6,亦被直接供給至包含有第一頂部34的上表面及第一筒狀部35的外周面之第一防護罩33A的外表面以及包含有第二頂部34的下表面及第二筒狀部35的內周面之第二防護罩33B的內表面。藉此,第一防護罩33A的外表面及第二防護罩33B的內表面被洗淨。
在洗淨第一防護罩33A的內表面等其他部位時,除了第一防護罩33A至第四防護罩33D的位置之外,進行與前述同樣的動作。具體而言,在洗淨第一防護罩33A的內表面時,第一防護罩33A至第四防護罩33D係被配置於上位置。在洗淨第二防護罩33B的外表面與第三防護罩33C的內表面時,第一防護罩33A至第二防護罩33B係被配置於下位置,第三防護罩33C至第四防護罩33D係被配置於上位置。
在洗淨第一防護罩33A的內表面時,亦可與第二防護罩33B及第二罩40B同樣地,將純水儲留於第一罩40A,並使第一防護罩33A的筒狀部35的下端部浸漬於第一罩40A內的純水。同樣地,亦可使第三防護罩33C的筒狀部35的下端部浸漬於第三罩40C內的純水。只要如此,即能使殘留於第一防護罩33A及第三防護罩33C的藥液等的量亦減少。
如上所述,在本實施形態中,純水被儲留於第二罩40B
的接液槽44。之後,第二筒狀部35的下端部亦即第二防護罩33B的筒狀部35的下端部係被浸漬於第二罩40B內的純水。藉此,不僅是第二筒狀部35的下端部的內周面,第二筒狀部35的下端部的下表面及外周面亦直接碰觸到第二罩40B內的純水。因此,微量的藥液和藥液的結晶從第二筒狀部35的下端部的下表面及外周面被去除,洗淨第二筒狀部35的下端部。藉此,能減少殘留於第二防護罩33B的污染物質。
在本實施形態中,第二下端部係在第二罩40B內的純水中於上下方向移動。藉此,有效地去除附著於第二筒狀部35的下端部的微量的藥液和藥液的結晶。
在本實施形態中,第二筒狀部35的下端部係複數次地於上下方向通過第二罩40B內的純水的表面(上表面)。在第二筒狀部35的下端部從純水的表面朝上方伸出時,純水的表面張力係將附著於第二筒狀部35的下端部的藥液的結晶朝下方拉扯。此外,在第二筒狀部35的下端部進入至純水的表面時,對附著於第二筒狀部35的下端部的藥液的結晶施加衝擊。因此,有效地從第二筒狀部35的下端部去除藥液的結晶。
在本實施形態中,一邊使第二筒狀部35的下端部浸漬於第二罩40B內的純水,一邊經由排液口45排出第二罩40B內的純水。從第二筒狀部35的下端部去除的藥液和藥液的結晶係與經由排液口45從接液槽44排出的純水一起移動至接
液槽44的外側。因此,藥液和藥液的結晶不易再次附著於第二筒狀部35的下端部。藉此,能減少殘留於第二防護罩33B的污染物質。
在本實施形態中,使第二罩40B內的純水從設置於接液槽44的上端的接液槽44的入口溢出。當第二筒狀部35的下端部浸漬於第二罩40B內的純水時,藥液和藥液的結晶係混入至第二罩40B內的純水。存在於第二罩40B內的純水的表面附近的藥液等係與從接液槽44溢出的純水一起排出至接液槽44的外側。因此,藥液和藥液的結晶係不易再次附著於第二筒狀部35的下端部。藉此,能減少殘留於第二防護罩33B的污染物質。
第二筒狀部35的下端部在純水中上升時,由於處於純水中之第二筒狀部35的一部分的體積逐漸減少,因此若不將純水供給至接液槽44,純水的表面會持續下降。在本實施形態中,即使在此種情形中,亦會以純水會從接液槽44溢出的大流量將純水供給至接液槽44。因此,能將混入至第二罩40B內的純水的藥液等與從接液槽44溢出的純水一起確實地排出。
在本實施形態中,從第二罩40溢出的純水係沿著包含有內壁部41的內周面及外壁部42的外周面之第二罩40B的外表面40o朝下方流動。雖然已使用於基板W的處理之藥液難
以直接碰觸至第二罩40B的外表面40o,但會有藥液的霧氣和液滴接觸至第二罩40B的外表面40o之情形。因此,使純水直接接觸至第二罩40B的外表面40o,藉此能去除附著於第二罩40B的外表面40o的藥液和藥液的結晶。
在本實施形態中,從第二罩40B溢出的純水係被位於第二罩40B的下方的槽部53接住,並經由下排液口54從槽部53排出至下排液配管55。當純水從第二罩40B溢出時,於下排液配管55流動之液體的流量係變化。純水是否從第二罩40B溢出係依據用以檢測於下排液配管55流動的液體的流量之流量感測器56的檢測值來判斷。因此,能確實地偵測純水從第二罩40B溢出。
在本實施形態中,為了將純水儲留於第二罩40B,將包含有排液閥47、回收閥49以及限制閥51之排出切換閥從通常狀態切換至限制狀態。第二罩40B內的純水並非排出至排液配管46及回收配管48,而是排出至限制配管50。夾設於限制配管50之縮窄部52的流路面積係比排液配管46及回收配管48的流路面積的最小值還小。藉此,經由排液口45從第二罩40B排出的液體的流量(排出流量)係變得比供給至第二罩40B的接液槽44之純水的流量(供給流量)還小,純水係儲留至第二罩40B。
本發明並未限定於前述實施形態的內容,可進行各種變
化。
例如,用以洗淨處理罩30之洗淨液亦可為純水以外的液體。例如,亦可使用碳酸水作為洗淨液以取代純水。
亦即,在附著於處理罩30的藥液的結晶為水溶性之情形中,洗淨液較佳為以水作為主成分之含有水的液體(水的含有率例如為80%的液體)。純水及碳酸水為含有水的液體的一例。此外,在附著於處理罩30的藥液的結晶為撥水性之情形中,洗淨液較佳為IPA等有機溶劑的液體。
在使第二筒狀部35的下端部浸漬於第二罩40B內的純水時,係可使第二筒狀部35的下端部在第二罩40B內的純水中靜止,亦可使第二筒狀部35的下端部浸漬於第二罩40B內的純水的狀態下直接使第二防護罩33B於上下方向振動。
在使第二筒狀部35的下端部浸漬於第二罩40B內的純水時,亦可使第二防護罩33B在與上位置及下位置不同的兩個位置升降。亦即,洗淨上位置及洗淨下位置亦可為與上位置及下位置不同的位置。在此情形中,洗淨上位置亦可為第二筒狀部35的下端部被浸漬於第二罩40B內的純水之位置。
為了將純水儲留於第二罩40B,亦可停止將純水排出至排液口45,並將純水供給至第二罩40B。亦即,亦可在關閉
排液閥47、回收閥49以及限制閥51的狀態下將純水供給至第二罩40B。在此情形中,由於開始供給純水時,藥液的含有率比較高的純水被供給到第二罩40B,因此亦可僅在開始供給純水時捨棄第二罩40B內的純水後,停止從排液口45排出純水。
亦可依據開始對第二罩40B供給純水後的經過時間來判斷純水是否已從第二罩40B溢出。或者,亦可依據用以檢測第二罩40B內的純水的表面的高度之液面計的檢測值來判斷純水是否已從第二罩40B溢出。
在純水從第二罩40B溢出之前,亦可使第二筒狀部35的下端部浸漬於第二罩40B內的純水。
在使第二筒狀部35的下端部浸漬於第二罩40B內的純水時,亦可不使純水從第二罩40B溢出。
如圖11所示,亦可省略限制配管50(參照圖2),並於複數個排液配管46中的至少一個排液配管46設置排出流量調整閥64。或者,亦可取代縮窄部52(參照圖2),將排出流量調整閥64設置於限制配管50。即使在任一種情形中,皆能變更排出流量調整閥64的開度,藉此變更經由排液口45從罩40排出的液體的流量(排出流量)。
雖然已說明限制配管50分別連接至第一罩40A、第二罩40B以及第三罩40C的情形,但限制配管50亦可僅連接至供給有藥液的罩40,亦即限制配管50亦可僅連接至第二罩40B。
將純水儲留於第二罩40B時,亦可以供給至第二罩40B的接液槽44之純水的流量(供給流量)超過經由排液口45從第二罩40B排出之純水的流量(排出流量)之方式使供給流量增加。
具體而言,亦可使第一供給流量調整閥18的開度增加,藉此使供給流量增加。或者,亦可在將純水儲留於第二罩40B時,使清洗液噴嘴15及下表面噴嘴20兩者噴出純水。在此情形中,供給流量係增加達至從下表面噴嘴20噴出之純水的流量。
亦可在洗淨處理罩30時,取代清洗液噴嘴15,使下表面噴嘴20噴出純水。
如圖12所示,第二罩40B的外壁部42的上端亦可配置於比第二罩40B的內壁部41的上端還下方。在此情形中,從第二罩40B溢出的純水係沿著外壁部42的上端部的外周面朝下方流動。外壁部42的上端部的外周面係形成朝向排氣導管57流動之排氣的通路。藥液的霧氣容易附著至外壁部42的上端部的外周面。因此,能有效地減少殘留於處理罩30
的藥液和藥液的結晶。
處理罩30所具備的防護罩33的數量係可為1個至3個中的任一者,亦可為5個以上。處理罩30所具備的罩40的數量係可為1個至2個中的任一者,亦可為4個以上。
自轉夾具5並未限定於用以使複數個夾具銷6接觸至基板W的外周面之夾持式的夾具,亦可為真空式的夾具,該真空式的夾具係藉由使屬於非器件(device)形成面的基板W的背面(下表面)吸附於自轉基座7的上表面而將基板W保持成水平。
基板處理裝置1並未限定於用以處理圓板狀的基板W之裝置,亦可為用以處理多角形的基板W之裝置。
亦可組合前述全部的構成中的兩個構成以上。亦可組合前述全部步驟中的兩個步驟以上。
本申請案係與於2016年7月19日於日本特許廳所提出的日本特願2016-141463號對應,並將該日本特願2016-141463號的全部內容援用並組入至本說明書中。
雖然已詳細地說明本發明的實施形態,但這些實施形態僅是用以明瞭本發明技術性內容之具體例,本發明並未被限
定地侷限在這些具體例,本發明的發明思想及範圍僅被界定於附件的申請專利範圍。
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧腔室
4a‧‧‧腔室的底部
5‧‧‧自轉夾具
6‧‧‧夾具銷
7‧‧‧自轉基座
8‧‧‧自轉軸
9‧‧‧自轉馬達
10‧‧‧夾具殼體
15‧‧‧清洗液噴嘴
16‧‧‧第一清洗液配管
17‧‧‧第一清洗液閥
18‧‧‧第一供給流量調整閥
20‧‧‧下表面噴嘴
30‧‧‧處理罩
31‧‧‧外壁構件
33A‧‧‧第一防護罩
33B‧‧‧第二防護罩
33C‧‧‧第三防護罩
33D‧‧‧第四防護罩
34‧‧‧頂部
35‧‧‧筒狀部
40A‧‧‧第一罩
40B‧‧‧第二罩
40C‧‧‧第三罩
40o‧‧‧外表面
41‧‧‧內壁部
42‧‧‧外壁部
43‧‧‧底壁部
44‧‧‧接液槽
45‧‧‧排液口
46‧‧‧排液配管
47‧‧‧排液閥
48‧‧‧回收配管
49‧‧‧回收閥
50‧‧‧限制配管
52‧‧‧縮窄部
53‧‧‧槽部
54‧‧‧下排液口
55‧‧‧下排液配管
56‧‧‧流量感測器
57‧‧‧排氣導管
58‧‧‧排氣阻尼器
A1‧‧‧旋轉軸線
Claims (23)
- 一種基板處理裝置,係具備有:基板保持單元,係一邊將基板保持成水平一邊使前述基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉;藥液噴嘴,係朝被前述基板保持單元所保持的基板噴出藥液;筒狀的防護罩,係用以接住從前述基板保持單元朝外側飛散的液體,並包含有圍繞被前述基板保持單元所保持的基板之筒狀部;環狀的罩,係形成位於前述筒狀部的下方之環狀的接液槽,並以前述接液槽接住被前述防護罩導引至下方的液體;防護罩升降單元,係使前述防護罩於上下方向移動;洗淨液供給單元,係包含有第一洗淨液噴嘴,前述第一洗淨液噴嘴係從配置於被前述基板保持單元所保持的基板的上方或下方之噴出口噴出與藥液不同的洗淨液,前述洗淨液供給單元係將從前述第一洗淨液噴嘴所噴出的洗淨液經由前述基板保持單元及前述防護罩供給至前述接液槽;洗淨液排出單元,係用以經由設置於前述接液槽內的排液口排出前述接液槽內的洗淨液; 液量控制單元,係控制前述洗淨液供給單元及前述洗淨液噴出單元,藉此將洗淨液儲留於前述接液槽;以及防護罩位置控制單元,係控制前述防護罩升降單元,藉此使前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液。
- 如請求項1所記載之基板處理裝置,其中前述防護罩位置控制單元係一邊使前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液,一邊使前述筒狀部的下端部於上下方向振動。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述防護罩位置控制單元係使前述防護罩在洗淨上位置與洗淨下位置之間於上下方向複數次往復移動,前述洗淨上位置係前述筒狀部的下端部位於前述接液槽內的洗淨液的上方之位置,前述洗淨下位置係前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液之位置。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述液量控制單元係在前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液時,使前述接液槽內的洗淨液經由前述排液口排出。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述液量控制單元係在前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液時以及前述筒狀部的下端部未浸漬於前 述接液槽內的洗淨液時中的至少一種情形中,使前述接液槽內的洗淨液從前述接液槽的入口溢出。
- 如請求項5所記載之基板處理裝置,其中前述液量控制單元係在前述筒狀部的下端部在前述接液槽內的洗淨液中上升時,使前述接液槽內的洗淨液從前述接液槽的入口溢出。
- 如請求項5所記載之基板處理裝置,其中前述罩係包含有:外表面,係將從前述接液槽的入口溢出的洗淨液朝下方導引。
- 如請求項5所記載之基板處理裝置,其中前述基板處理裝置係進一步具備有:槽部,係位於前述罩的下方,用以接住從前述接液槽的入口溢出的洗淨液;下排液配管,係經由設置於前述槽部內的下排液口導引從前述槽部排出的洗淨液;以及流量感測器,係檢測於前述下排液配管流動之液體的流量;前述液量控制單元係依據前述流量感測器的檢測值判斷洗淨液是否已從前述接液槽溢出。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述洗淨液排出單元係使排出流量減少,藉此將前述排出流量設定成比供給流量還小,前述排出流量係用以表示經由前述排液口從前述接液槽排出之洗淨液的流量,前述供給流量係用以表示經由前述基板保持單元及前 述防護罩從前述第一洗淨液噴嘴供給至前述接液槽之洗淨液的流量。
- 如請求項9所記載之基板處理裝置,其中前述洗淨液排出單元係包含有:通常配管,係用以導引經由前述排液口從前述接液槽排出的洗淨液;限制配管,係用以導引經由前述排液口從前述接液槽排出的洗淨液;縮窄部,係夾設於前述限制配管,並具有比前述通常配管的流路面積的最小值還小的流路面積;以及排出切換閥,係可切換成通常狀態與限制狀態,前述通常狀態係前述接液槽內的洗淨液被排出至前述通常配管之狀態,前述限制狀態係前述接液槽內的洗淨液被排出至前述限制配管之狀態。
- 如請求項9所記載之基板處理裝置,其中前述洗淨液排出單元係包含有:通常配管,係用以導引經由前述排液口從前述接液槽排出的洗淨液;以及排出流量調整閥,係用以變更於前述通常配管內流動之液體的流量。
- 如請求項1或2所記載之基板處理裝置,其中前述洗淨液供給單元係使用以表示經由前述基板保持單元及前述防護罩從前述第一洗淨液噴嘴供給至前述接液槽 的洗淨液的流量之供給流量增加,藉此將前述供給流量設定成比用以表示經由前述排液口從前述接液槽排出的洗淨液的流量之排出流量還大。
- 如請求項12所記載之基板處理裝置,其中前述洗淨液供給單元係包含有:供給配管,係用以導引供給至前述第一洗淨液噴嘴的洗淨液;以及供給流量調整閥,係變更於前述供給配管內流動之液體的流量。
- 如請求項12所記載之基板處理裝置,其中前述洗淨液供給單元係包含有:第二洗淨液噴嘴,係與前述第一洗淨液噴嘴不同的噴嘴,用以從配置於被前述基板保持單元所保持的基板的上方或下方之噴出口噴出洗淨液。
- 一種處理罩洗淨方法,係包含有:藥液供給步驟,係一邊使被水平地保持的基板繞著通過前述基板的中央部之鉛直的旋轉軸線旋轉,一邊朝前述基板噴出藥液;第一接液步驟,係使包含有圍繞前述基板之筒狀部的防護罩接住從前述基板朝外側排出的藥液;第一供給步驟,係一邊使用以形成位於前述筒狀部的下方之環狀的接液槽之罩接住被前述防護罩導引至下方的藥液,一邊經由設置於前述接液槽內的排液口將前述接液槽內的藥液排出; 洗淨液噴出步驟,係於前述藥液供給步驟後,一邊使配置於前述基板的下方之自轉基座繞著前述旋轉軸線旋轉,一邊在前述自轉基座的上方使第一洗淨液噴嘴噴出與藥液不同的洗淨液;第二接液步驟,係使前述防護罩接住從前述自轉基座朝外側排出的洗淨液;第二供給步驟,係使前述罩的接液槽接住被前述防護罩朝下方導引的洗淨液;儲留步驟,係使供給流量設定成比排出流量還大,藉此將洗淨液儲留於前述接液槽,前述供給流量係用以表示經由前述自轉基座及前述防護罩從前述第一洗淨液噴嘴供給至前述接液槽之洗淨液的流量,前述排出流量係用以表示經由前述排液口從前述接液槽排出之洗淨液的流量;以及浸漬步驟,係使前述防護罩下降,藉此使前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液。
- 如請求項15所記載之處理罩洗淨方法,其中前述浸漬步驟係包含有:一邊使前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液一邊使前述筒狀部的下端部於上下方向振動之步驟。
- 如請求項15或16所記載之處理罩洗淨方法,其中前述浸漬步驟係包含有:使前述防護罩在洗淨上位置與洗淨下位置之間於上下方向複數次往復移動之步驟,前述洗淨上位置係前述筒狀部的下端部位於前述接液 槽內的洗淨液的上方之位置,前述洗淨下位置係前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液之位置。
- 如請求項15或16所記載之處理罩洗淨方法,其中前述儲留步驟係包含有:在前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液時使前述接液槽內的洗淨液經由前述排液口排出之步驟。
- 如請求項15或16所記載之處理罩洗淨方法,其中前述儲留步驟係包含有:在前述筒狀部的下端部浸漬於前述接液槽內的洗淨液時以及前述筒狀部的下端部未浸漬於前述接液槽內的洗淨液時中的至少一種情形時使前述接液槽內的洗淨液從前述接液槽的入口溢出之步驟。
- 如請求項19所記載之處理罩洗淨方法,其中前述儲留步驟係包含有:在前述筒狀部的下端部在前述接液槽內的洗淨液中上升時使前述接液槽內的洗淨液從前述接液槽的入口溢出之步驟。
- 如請求項19所記載之處理罩洗淨方法,其中前述儲留步驟係包含有:使從前述接液槽的入口溢出的洗淨液沿著前述罩的外表面流下之步驟。
- 如請求項19所記載之處理罩洗淨方法,其中進一步包含有:以位於前述罩的下方之槽部接住從前述接液槽的入口溢出的洗淨液之步驟; 經由設置於前述槽部內的下排液口將前述槽部內的洗淨液排出至下排液配管之步驟;以及依據於前述下排液配管內流動之液體的流量來判斷洗淨液是否已從前述接液槽溢出之步驟。
- 如請求項19所記載之處理罩洗淨方法,其中前述儲留步驟係執行前述排出流量的減少與前述供給流量的增加中的至少一者,藉此將前述供給流量設定成比前述排出流量還大。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016-141463 | 2016-07-19 | ||
JP2016141463A JP6722532B2 (ja) | 2016-07-19 | 2016-07-19 | 基板処理装置および処理カップ洗浄方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201808473A true TW201808473A (zh) | 2018-03-16 |
TWI671138B TWI671138B (zh) | 2019-09-11 |
Family
ID=60988138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106123668A TWI671138B (zh) | 2016-07-19 | 2017-07-14 | 基板處理裝置及處理罩洗淨方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10658203B2 (zh) |
JP (1) | JP6722532B2 (zh) |
KR (1) | KR101941370B1 (zh) |
CN (1) | CN107634015B (zh) |
TW (1) | TWI671138B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI749295B (zh) * | 2018-03-26 | 2021-12-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6910164B2 (ja) * | 2017-03-01 | 2021-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR101899915B1 (ko) * | 2017-04-26 | 2018-09-20 | 세메스 주식회사 | 게이트 도어 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치 |
JP7412340B2 (ja) * | 2017-10-23 | 2024-01-12 | ラム・リサーチ・アーゲー | 高アスペクト比構造のスティクションを防ぐためのシステムおよび方法、および/または、高アスペクト比の構造を修復するためのシステムおよび方法 |
JP7072415B2 (ja) | 2018-03-26 | 2022-05-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7149087B2 (ja) | 2018-03-26 | 2022-10-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US11742232B2 (en) * | 2018-08-22 | 2023-08-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
CN109065485B (zh) * | 2018-09-04 | 2020-09-11 | 江苏晶品新能源科技有限公司 | 一种单晶硅生产线用硅片高效清洗装置 |
JP7203685B2 (ja) * | 2019-05-27 | 2023-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法およびプログラム |
CN111085491B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-12-03 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种防溅回收组件 |
JP7455608B2 (ja) * | 2020-02-25 | 2024-03-26 | 株式会社荏原製作所 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
JP7438015B2 (ja) * | 2020-05-01 | 2024-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7330307B2 (ja) * | 2022-01-13 | 2023-08-21 | 三益半導体工業株式会社 | 処理液回収機構付ウェーハ表面処理装置及びウェーハ表面処理方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3745900B2 (ja) | 1998-05-07 | 2006-02-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給装置 |
JP3761482B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2006-03-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置およびスプラッシュガードの洗浄方法 |
US7584760B2 (en) * | 2002-09-13 | 2009-09-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP4494840B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005191511A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006024793A (ja) | 2004-07-08 | 2006-01-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 薬液回収方法および基板処理装置 |
KR100945768B1 (ko) | 2006-10-05 | 2010-03-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 배액컵의 세정 방법 |
JP2008153521A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回収カップ洗浄方法および基板処理装置 |
JP5312856B2 (ja) | 2008-06-27 | 2013-10-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5270251B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-08-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4703704B2 (ja) | 2008-10-02 | 2011-06-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5864232B2 (ja) | 2011-02-01 | 2016-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP5890108B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2016-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 洗浄処理方法 |
JP5782317B2 (ja) * | 2011-07-12 | 2015-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN103094151B (zh) * | 2011-10-27 | 2015-07-22 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种化学液回收装置 |
JP5596071B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2014-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP6250973B2 (ja) | 2013-08-08 | 2017-12-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6432824B2 (ja) * | 2014-08-15 | 2018-12-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
US9601358B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-03-21 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method |
JP6537398B2 (ja) | 2015-08-03 | 2019-07-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
-
2016
- 2016-07-19 JP JP2016141463A patent/JP6722532B2/ja active Active
-
2017
- 2017-07-12 CN CN201710565095.5A patent/CN107634015B/zh active Active
- 2017-07-13 US US15/648,900 patent/US10658203B2/en active Active
- 2017-07-14 TW TW106123668A patent/TWI671138B/zh active
- 2017-07-17 KR KR1020170090258A patent/KR101941370B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI749295B (zh) * | 2018-03-26 | 2021-12-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107634015A (zh) | 2018-01-26 |
TWI671138B (zh) | 2019-09-11 |
JP2018014353A (ja) | 2018-01-25 |
KR101941370B1 (ko) | 2019-01-22 |
US20180025922A1 (en) | 2018-01-25 |
US10658203B2 (en) | 2020-05-19 |
KR20180009709A (ko) | 2018-01-29 |
CN107634015B (zh) | 2021-06-11 |
JP6722532B2 (ja) | 2020-07-15 |
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