CN109461685B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置(1)包括：具有上部开口(222)的腔室本体(22)；具有下部开口(232)的腔室盖部(23)；位于腔室盖部(23)的盖内部空间(231)的遮蔽板(51)。遮蔽板(51)的径方向的尺寸比下部开口(232)的径方向的尺寸大。腔室本体(22)的上部开口(222)通过腔室盖部(23)而被覆盖，从而形成使基板(9)容纳在内部的腔室体(21)。在基板处理装置(1)中，在基板(9)被移入而形成腔室体(21)之前，在遮蔽板(51)与下部开口(232)重合的状态下，从气体供给部(812)所供给的气体被填充至腔室盖部(23)的盖内部空间(231)中。由此，形成腔室体(21)后，腔室体(21)内迅速被气体所充满，从而能够实现所期望的低氧气气氛。

Description

基板处理装置
本申请是国际申请进入中国国家阶段日期为2016年08月10日，申请号为“201580007916.2”，发明名称为“基板处理装置以及基板处理方法”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及处理基板的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
以往，在半导体基板(以下，简称“基板”。)的制造工序中，使用多种类的基板处理装置对基板实施各种处理。例如，通过向表面上形成有抗蚀剂的图案的基板上供给药液，对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，蚀刻处理结束后，还进行向基板上供给去除液去除抗蚀剂或向基板上供给清洗液进行清洗的处理。
在存在氧气的环境下(例如，大气中)进行基板的处理的情况下，可能会有氧气对基板造成不良影响的情况产生。例如，处理中所使用的药液中溶解有氧气，当通过该药液接触基板的表面，会使基板的表面产生不良影响。尤其，在表面形成有金属膜的基板的处理中，会存在该金属膜在处理中被氧化的危险。因此，极力防止这种金属膜的氧化成为需求。
在日本特开第2010-56218号公报(文献1)的基板处理装置中，设置有与被基板保持机构所保持的基板相面对设置的遮蔽部。遮蔽部包括与基板的上表面相面对设置的基板面对设置面、从基板面对设置面的周围向基板保持机构突出的周壁部。被降低氧气浓度的非活性气体溶解水与药液原液混合的药液向基板上供给。在文献1的基板处理装置中，通过设置隔断部，使基板的上表面上的气氛与隔断部的外部的气氛隔断，企图抑制基板上的气氛中的氧气浓度的上升。从而基板上的氧气浓度降低，抑制了基板的上表面上设置的金属膜的氧化等。
但是，在文献1的基板处理装置中，由于隔断部的内部与外部并没有完全隔开，基板上的气氛中的氧气浓度的降低是有限的。另外，在迅速降低隔断部内部的氧气浓度方面也有限。另一方面，腔室体(处理室)的内部设置有基板保持部或处理液供给部，使基板移入后密闭腔室体，向内部空间供给非活性气体等而成为低氧气状态。然而，为使腔室体的内部空间成为充分的低氧气状态，需要一定程度长的时间。
发明内容
本发明涉及一种处理基板的基板处理装置以及基板处理方法，其目的在于，使腔室体内迅速成为所期望的气体气氛。
本发明的基板处理装置包括：基板保持部，其以水平状态保持基板；腔室盖部，其具有下部开口，所述下部开口的上方形成有盖内部空间；腔室本体，其具有与所述下部开口在上下方向上面对设置的上部开口，并形成本体内部空间；腔室开关机构，其使所述腔室盖部相对于所述腔室本体在所述上下方向上相对地移动，并通过由所述腔室盖部覆盖所述上部开口来形成在内部容纳所述基板保持部的腔室体；处理液供给部，其向所述基板的上表面供给处理液；遮蔽板，其配置于所述盖内部空间，并与所述基板的所述上表面面对设置，能够堵塞所述下部开口；遮蔽板移动机构，其使所述遮蔽板在所述盖内部空间相对于所述腔室盖部在所述上下方向上相对地移动，气体供给部，在所述遮蔽板与所述腔室盖部的所述下部开口重合的状态下，向所述盖内部空间供给气体。根据该基板处理装置能够实现在腔室体内迅速成为所期望的气体气氛。
本发明的一个优选实施方式中，还包括基板移动机构，其使所述基板与所述基板保持部一同相对于所述腔室体在所述上下方向上相对地移动，在所述遮蔽板从所述腔室盖部的所述下部开口分离的状态下，由所述基板移动机构使所述基板在所述腔室体内在所述盖内部空间与所述本体内部空间之间，经由所述下部开口以及所述上部开口相对地移动。
本发明的另一个优选实施方式中，所述腔室盖部包括：盖本体部，其呈上下反翻转的杯状；
环状的盖底面部，其从所述盖本体部的下端部向径方向内侧扩展，并且在中央部设置有所述下部开口，与所述下部开口重合的所述遮蔽板的下表面在所述下部开口的周围的整周上与所述盖底面部的上表面接触而堵塞所述下部开口。
更优选为，所述盖底面部的所述上表面越靠近所述径方向外侧而越朝向下方，所述腔室盖部的所述盖底面部与所述盖本体部的连接部设置有排出所述盖内部空间内的液体的排出端口。
本发明的其他的优选实施方式中，在所述遮蔽板的下表面的中央部设置有气体喷出口，由所述气体供给部，经由所述气体喷出口向所述遮蔽板的所述下表面与所述基板的所述上表面之间的空间供给所述气体。
在本发明的另一个优选实施方式中，还包括基板旋转机构，其使所述基板以朝向所述上下方向的中心轴为中心与所述基板保持部一同进行旋转。所述腔室本体包括杯部，其在所述腔室盖部的下方，位于所述基板保持部的径方向外侧且绕所述基板保持部的整周，接受从旋转的所述基板飞散的处理液。
更优选为，所述腔室本体还包括：外筒部，其位于所述杯部的所述径方向外侧且绕所述杯部的整周与所述腔室盖部接触来形成所述腔室体；外筒连接部，其使所述外筒部的上端部与所述杯部之间的间隙堵塞。
本发明的另一个优选实施方式中，还包括基板旋转机构，其使所述基板以朝向所述上下方向的中心轴为中心与所述基板保持部一同进行旋转。在所述盖内部空间所述基板利用所述基板旋转机构进行旋转时，所述遮蔽板在接近所述基板的位置上以所述中心轴为中心进行旋转。
本发明的基于基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理装置包括：基板保持部，其以水平状态保持基板；腔室盖部，其具有下部开口，所述下部开口的上方形成有盖内部空间；腔室本体，其具有与所述下部开口在上下方向上面对设置的上部开口，并形成本体内部空间；遮蔽板，其配置于所述盖内部空间，并与所述基板的上表面面对设置，能够堵塞所述下部开口。包括工序：a)在所述遮蔽板与所述腔室盖部的所述下部开口重合的状态下，向所述盖内部空间供给气体的工序；b)在所述腔室盖部从所述腔室本体分离的状态下，通过所述基板保持部来保持所述基板的工序；c)使所述腔室盖部相对于所述腔室本体在所述上下方向上相对地移动，并通过由所述腔室盖部覆盖所述上部开口来形成在内部容纳所述基板以及所述基板保持部的腔室体的工序；d)使所述遮蔽板相对于所述腔室盖部相对地上升而使所述遮蔽板从所述下部开口分离的工序；e)向所述腔室体内供给所述气体的工序；f)向所述基板的所述上表面供给处理液的工序。根据该基板处理方法，能够迅速使腔室体内成为所期望的气体气氛。
上述目的以及另外的目的、特征、形式以及优点将参照附图通过对以下所进行的发明的详细说明而明确。
附图说明
图1是表示一个实施方式的基板处理装置的剖视图。
图2是表示气液供给部以及气液排出部的模块图。
图3是表示基板处理装置的剖视图。
图4是表示基板处理装置的剖视图。
图5是表示基板的处理的流程图。
图6是表示基板的局部剖视图。
图7是表示基板处理装置的另外一例的剖视图。
图8是表示基板处理装置的另外一例的剖视图。
具体实施方式
图1是表示本发明一实施方式的基板处理装置1的结构的剖视图。基板处理装置1是向大致圆板状的半导体基板9(以下，简称“基板9”)供给处理液，对基板9一张一张进行处理的单张式处理装置。在图1中，基板处理装置1的局部结构的剖视中省略标注剖面线(在其他剖视图中也同样省略)。
基板处理装置1包括腔室体21、基板保持部31、基板旋转机构35、第一移动机构41、第二移动机构42、第三移动机构43、遮蔽板51、遮蔽板旋转机构55、外罩11。外罩11容纳腔室体21、基板保持部31以及遮蔽板51等。
腔室体21呈以朝上下方向的中心轴J1为中心的有盖以及有底的大致圆筒状。腔室体21包括腔室本体22和腔室盖部23。腔室本体22与腔室盖部23在上下方向上面对设置。在图1所示状态下，腔室本体22与腔室盖部23在上下方向上是分离的。腔室本体22呈以中心轴J1为中心的有底大致圆筒状，并形成本体内部空间221。腔室盖部23呈以中心轴J1为中心的有盖大致圆筒状，并形成盖内部空间231。腔室本体22的外径与腔室盖部23的外径大致相等。
腔室本体22具有大致圆形的上部开口222。腔室盖部23具有大致圆形的下部开口232。腔室本体22的上部开口222与腔室盖部23的下部开口232在上下方向上面对设置。腔室本体22的上部开口222的直径与腔室盖部23的下部开口232的直径大致相等。另外，在以中心轴J1为中心的径方向上，腔室盖部23的盖内部空间231的尺寸比下部开口232的径方向的尺寸(即、直径)大。针对腔室本体22以及腔室盖部23的结构会在后述中详细说明。
基板保持部31呈以中心轴J1为中心的大致圆板状。基板保持部31配置于基板9的下方，以水平状态保持基板9的外缘部。在图1所示状态下，基板保持部31在上下方向上位于腔室本体22与腔室盖部23之间。基板保持部31的直径比基板9的直径大。基板保持部31的直径比腔室本体22的上部开口222的直径、以及腔室盖部23的下部开口232的直径小。腔室本体22的上部开口222以及腔室盖部23的下部开口232与基板9以及基板保持部31在上下方向上面对设置。基板旋转机构35配置于基板保持部31的下方。基板旋转机构35使基板9与基板保持部31一同以中心轴J1为中心进行旋转。
遮蔽板51呈以中心轴J1为中心的大致圆板状。遮蔽板51配置于腔室盖部23的内部空间即盖内部空间231中。遮蔽板51的径方向的尺寸(即、直径)优选为比腔室盖部23的下部开口232的直径大。能够使遮蔽板51堵塞腔室盖部23的下部开口232。遮蔽板51与被基板保持部31所保持的基板9的上表面91经由下部开口232在上下方向上面对设置。
遮蔽板旋转机构55配置于遮蔽板51的上侧。遮蔽板旋转机构55是例如，中空轴电机。通过遮蔽板旋转机构55，遮蔽板51在腔室盖部23的盖内部空间231中以中心轴J1为中心进行旋转。通过遮蔽板旋转机构55的遮蔽板51的旋转与通过基板旋转机构35的基板9的旋转是独立进行的。
遮蔽板旋转机构55的旋转轴551经由在外罩11的上部设置的贯通孔、以及在腔室盖部23的上部设置的贯通孔与遮蔽板51连接。外罩11的该贯通孔的周围的部位与腔室盖部23的该贯通孔的周围的部位通过在上下方向上可伸缩的大致圆筒状的伸缩构件111(例如，波纹管)连接。另外，旋转轴551上设置有大致圆板状的法兰部553，法兰部553的外周部与外罩11的上述贯通孔的周围的部位通过在上下方向上可伸缩的大致圆筒状的伸缩构件552(例如，波纹管)连接。基板处理装置1中，通过法兰部553以及伸缩构件552使外罩11内的空间与外罩11外的空间隔开。另外，通过伸缩构件111使腔室盖部23内的空间与外罩11内且腔室盖部23外的空间隔开。
图2是表示基板处理装置1所包括的气液供给部18以及气液排出部19的模块图。气液供给部18包括处理液供给部811、气体供给部812。处理液供给部811包括上部中央喷嘴181、药液供给部813、纯水供给部814。药液供给部813以及纯水供给部814分别经由阀与上部中央喷嘴181连接。气体供给部812包括上部中央喷嘴181、多个盖喷嘴182、非活性气体供给部816。非活性气体供给部816经由阀与上部中央喷嘴181连接。非活性气体供给部816另外还经由阀与多个盖喷嘴182连接。
如图1以及图2所示，多个盖喷嘴182设置于腔室盖部23的上部。多个盖喷嘴182配置为以中心轴J1为中心的圆周状。如图2所示，各盖喷嘴182的下端设置有第一气体喷出口184。从非活性气体供给部816送出的非活性气体从腔室盖部23的上部设置的多个第一气体喷出口184向盖内部空间231供给。
如图1所示，上部中央喷嘴181设置于遮蔽板旋转机构55的旋转轴551内。如图2所示，上部中央喷嘴181的下端的中央部设置有向基板9的上表面91供给处理液(即、来自药液供给部813的药液、以及来自纯水供给部的814纯水)的处理液吐出口183。另外，在上部中央喷嘴181的下端上，处理液吐出口183的周围设置有大致环状的第二气体喷出口185。从非活性气体供给部816送出的非活性气体从第二气体喷出口185向遮蔽板51的下方空间(即、遮蔽板51的下表面512与基板9的上表面91之间的空间)供给。上部中央喷嘴181的下端在上下方向上配置于与遮蔽板51的下表面512大致相同的位置上。即、上部中央喷嘴181的处理液吐出口183以及第二气体喷出口185被设置于遮蔽板51的下表面512的中央部上。
气液排出部19包括本体排出端口226a、盖部排出端口237、气液分离部193、本体排气部194、药液回收部195、排液部196、气液分离部197、盖排气部198、排液部199。本体排出端口226a设置于腔室本体22上并与气液分离部193连接。气液分离部193分别经由阀与本体排气部194、药液回收部195以及排液部196连接。盖部排出端口237设置于腔室盖部23上并与气液分离部197连接。气液分离部197分别经由阀与盖排气部198以及排液部199连接。气液供给部18以及气液排出部19的各结构通过控制部10而被控制。第一移动机构41、第二移动机构42、第三移动机构43、基板旋转机构35以及遮蔽板旋转机构55(参照图1)也通过控制部10而被控制。
从药液供给部813经由上部中央喷嘴181向基板9上供给的药液是例如，聚合物去除液、或者氢氟酸、氢氧化四甲铵水溶液等蚀刻液。纯水供给部814经由上部中央喷嘴181向基板9供给纯水(DIW：deionized water)。处理液供给部811也可以包括供给上述药液以及纯水以外的处理液的其他供给部。从非活性气体供给部816供给的气体是例如，氮气(N2)。气体供给部812也可以包括其他供给部，以供给氮气以外的非活性气体、或非活性气体以外的气体。
如图1所示，腔室本体22包括外筒部223、外筒连接部224、杯部225、本体底部226。杯部225呈以中心轴J1为中心的大致圆筒状。杯部225在腔室盖部23的下方，并位于基板旋转机构35的径方向外侧的整周。杯部225包括呈以中心轴J1为中心的大致圆筒状的杯侧壁部227a、从杯侧壁部227a的上端向径方向内侧扩展的大致圆环板状的杯顶盖部227b。杯顶盖部227b的中央开口就是上述上部开口222。
外筒部223呈以中心轴J1为中心的大致圆筒状。外筒部223位于杯部225的径方向外侧的整周。外筒部223是例如，分别为圆周状的多个峰折线与分别为圆周状的多个谷折线在上下方向上交替排列的波纹管。外筒部223、杯部225以及基板保持部31的下方配置有底大致圆筒状的本体底部226。外筒部223的下端部与本体底部226的侧壁部的上端部在整周上连接。本体底部226的底面部设置有上述本体排出端口226a。本体排出端口226a在腔室本体22的内部空间即本体内部空间221中，配置于基板9、基板保持部31以及杯部225的下方。腔室本体22内的液体以及气体经由本体排出端口226a向腔室本体22外(即、腔室体21外)排出。在本体底部226中也可以设置在圆周方向上排列的多个本体排出端口226a。
外筒连接部224呈以中心轴J1为中心的大致圆环板状。外筒连接部224使外筒部223的上端部与杯部225的外缘部连接。具体而言，外筒连接部224与外筒部223的上端部、杯顶盖部227b的外缘部连接。通过外筒连接部224，外筒部223的上端部与杯部225之间的间隙被堵塞。
腔室盖部23包括盖本体部233、盖底面部234。盖本体部233呈以中心轴J1为中心的有盖大致圆筒状。换言之，盖本体部233呈以上下翻转的杯状。如前文所述，盖本体部233的中央部中的贯通孔，即腔室盖部23的上部中的贯通孔通过伸缩构件111、552、外罩11的上部的一部分、以及法兰部553而被堵塞。堵塞该贯通孔的这些构件可以视为是盖本体部233的一部分。另外，通过伸缩构件111、552所形成的筒状的空间是盖内部空间231的一部分。
盖底面部234呈以中心轴J1为中心的大致圆环板状，中央部设置有上述下部开口232。盖底面部234是从盖本体部233的下端部向径方向内侧扩展的。盖底面部234的上表面235以及下表面236是越靠近径方向外侧而越朝向下的倾斜面。腔室盖部23的盖底面部234与盖本体部233的连接部设置有上述盖部排出端口237。盖内部空间231内的液体、以及气体经由盖部排出端口237被排出。
在图1所示状态下，遮蔽板51与腔室盖部23的下部开口232重合。此时遮蔽板51的下表面512在下部开口232的周围的整周上与盖底面部234的上表面235接触。具体而言，遮蔽板51的下表面512的外周部与盖底面部234的上表面235中下部开口232附近的部位在整周上接触。由此，腔室盖部23的下部开口232通过遮蔽板51而被堵塞，下部开口232的上方的盖内部空间231成为封闭空间。此外，在本实施方式中，遮蔽板51与盖底面部234之间的接触部不是完全的气密结构，因此，盖内部空间231没有完全与外部的空间隔断。当然，该接触部也可以是包括密封构件等气密结构，让盖内部空间231成为与外部的空间隔开的密闭空间。
第一移动机构41配置于例如，外罩11的上侧。第一移动机构41使遮蔽板51与遮蔽板旋转机构55一同在上下方向上移动。遮蔽板51通过第一移动机构41在腔室盖部23的盖内部空间231中，在上下方向上移动。如上所述，遮蔽板51比腔室盖部23的下部开口232大，因此，遮蔽板51无法经由下部开口232移动到腔室盖部23的外部(即、盖底面部234的下方)。第一移动机构41包括例如，电机、螺杆(在第二移动机构42以及第三移动机构43中也相同)。
第二移动机构42配置于腔室本体22的侧方，并使腔室盖部23在上下方向上移动。具体而言，腔室盖部23通过第二移动机构42，在图1所示“上位置”与图3所示“下位置”之间移动。在腔室盖部23配置于上位置的状态下，下部开口232位于比基板保持部31上的基板9更靠上方的位置。在腔室盖部23配置于下位置的状态下，下部开口232位于比基板保持部31上的基板9更靠下方的位置。腔室盖部23从上位置向比上位置更靠下方的下位置移动时，通过第一移动机构41，遮蔽板51也在上下方向上移动，遮蔽板51相对于腔室盖部23在上下方向上的相对位置被变更。即、第一移动机构41以及第二移动机构42是使遮蔽板51在腔室盖部23的盖内部空间231中，相对于腔室盖部23而相对地在上下方向上移动的遮蔽板移动机构。
第三移动机构43配置于腔室本体22的侧方，使腔室本体22的一部分在上下方向上移动。具体而言，通过第三移动机构43，腔室本体22的杯部225通过第三移动机构43，在图1以及图3所示“下位置”与图4所示“上位置”之间移动。在杯部225配置于下位置的状态下，上部开口222位于比基板保持部31上的基板9更靠下方的位置。在杯部225配置于上位置的状态下，上部开口222位于比基板保持部31上的基板9更靠上方的位置。杯部225在上下方向上移动时，外筒部223在上下方向上伸缩。在基板处理装置1中，腔室本体22的杯部225从下位置向比下位置更靠上方的上位置移动时，遮蔽板51相对于腔室盖部23在上下方向上的相对位置也变更。此外，基板处理装置1中，腔室本体22的本体底部226以及基板保持部31不会在上下方向上移动。
如图3所示，在腔室盖部23位于下位置、腔室本体22的杯部225也位于下位置的状态下，腔室本体22的上部开口222与腔室盖部23的下部开口232面对设置、且该上部开口222通过腔室盖部23而被覆盖。由此，形成内部具有密闭空间(即、包含盖内部空间231以及本体内部空间221的空间，以下，称为“腔室空间”。)的腔室体21。具体而言，腔室盖部23中，盖本体部233与盖底面部234的连接部通过与腔室本体22的外筒部223接触而形成腔室体21。
另外，如图4所示，腔室本体22的杯部225位于上位置，且腔室盖部23与也位于上位置的状态下，也相同地，腔室本体22的上部开口222通过腔室盖部23而被覆盖，并形成腔室体21。如图3以及图4所示，腔室体21的内部(即、腔室空间)容纳有基板9以及基板保持部31。即、第二移动机构42以及第三移动机构43是使腔室盖部23相对于腔室本体22在上下方向上相对地移动，并使腔室本体22的上部开口222通过腔室盖部23被覆盖而形成腔室体21的腔室开关机构。
接着，参照图5对基于基板处理装置1的基板9的处理流程进行说明。首先，如图1所示，基板处理装置1中，腔室盖部23位于上位置、且腔室本体22的杯部225位于下位置。换言之，即腔室体21为打开的状态。另外，以遮蔽板51的下表面512与盖底面部234的上表面235接触的方式，遮蔽板51与腔室盖部23的下部开口232在平面视图中重合。由此，下部开口232被堵塞，盖内部空间231成为封闭空间。该状态下，由气体供给部812(参照图2)经由多个第一气体喷出口184向盖内部空间231供给氮气。另外，盖内部空间231的气体从盖部排出端口237向腔室盖部23的外部排出。由此，在盖内部空间231中填充氮气(步骤S11)。
此外，步骤S11中，腔室盖部23的下部开口232没有必要通过遮蔽板51而被气密地堵塞，只要遮蔽板51与下部开口232重合，遮蔽板51与盖底面部234之间可以存在若干个的间隙的堵塞方式也可。即使在这种堵塞的方式下，从气体供给部812向盖内部空间231供给的氮气的供给量被控制，通过向盖内部空间231流入的氮气的流入量与来自该间隙以及盖部排出端口237的气体的流出量大致相等方式在盖内部空间231内填充氮气。并且，通过适当调整该氮气的流入量等，能够使盖内部空间231内的氧气浓度降低至工序上所需要程度的低氧气状态。此外，在图1中，图示有基板9，而步骤S11是在基板9被移入基板处理装置1之前进行的。
接着，在如上述腔室盖部23从腔室本体22分离的状态下，使基板9从外罩11上设置的移出入口(未图示)移入到外罩11内，并被基板保持部31所保持(步骤S12)。步骤S12中，基板9在比腔室本体22的上部开口222更上方上，被基板保持部31所保持。
图6是为说明基板处理装置1中被处理的基板9的表面状态的一例剖视图。基板9是例如，上表面91上附着有聚合物残渣(即、干蚀刻或灰化后的残渣)，并露出金属图案。金属图案可以是铜或钨等金属的单膜，也可以是多个金属膜层叠的多层膜。该多层膜是例如，为防止扩散，在铜膜表面形成阻挡金属膜的层叠膜。
如图6所示，基板9的上表面91上形成层间绝缘膜911。在层间绝缘膜911上，从其上面挖掘而形成下布线槽912。下布线槽912中埋设有铜布线913。层间绝缘膜911上经由刻蚀阻挡膜914，层叠有作为被加工膜的一例的低电容率绝缘膜915。低电容率绝缘膜915上，从其上面挖掘而形成上布线槽916。进而，在低电容率绝缘膜915上，形成从上布线槽916的底面到达铜布线913的表面的通孔917。在上布线槽916以及通孔917中用铜一次埋入。
上布线槽916以及通孔917是在低电容率绝缘膜915上形成硬膜后，进行干蚀刻处理，去除低电容率绝缘膜915中的从硬膜露出的部分而形成的。形成上布线槽916以及通孔917后，进行灰化处理，从低电容率绝缘膜915上去除不需要的硬膜。干蚀刻时以及灰化时，包含低电容率绝缘膜915或硬膜的成分的反应生成物成为聚合物残渣，附着在低电容率绝缘膜915的表面(包含上布线槽916以及通孔917的里面。)等上。从而，向灰化后的基板9的表面上供给聚合物去除液，并进行为了从低电容率绝缘膜915的表面去除聚合物残渣的处理。
如上所述，表面为露出金属图案即铜布线913的基板9被基板保持部31所保持，通过驱动第一移动机构41以及第二移动机构42，遮蔽板51以及腔室盖部23向下方移动。腔室盖部23从图1所示上位置向图3所示下位置移动。换言之，腔室盖部23相对于腔室本体22在上下方向上相对地移动。并且，腔室本体22的上部开口222通过腔室盖部23而被覆盖，从而形成使基板9以及基板保持部31容纳在内部的腔室体21(步骤S13)。另外，与步骤S13同步，遮蔽板51相对于腔室盖部23而相对地上升，在腔室体21内中，遮蔽板51从腔室盖部23的下部开口232向上方分离(步骤S14)。
如上所述，腔室盖部23通过从上位置向下位置移动，被基板保持部31所保持的基板9通过腔室盖部23的下部开口232向盖内部空间231移动。换言之，在步骤S13、S14中，在形成腔室体21的状态下，基板9位于腔室空间的里面盖内部空间231中。如上所述，盖内部空间231中被氮气所填充，因此，通过使基板9向盖内部空间231移动，能够使基板9的周围迅速成为氮气气氛(即、低氧气气氛)。在盖内部空间231中，基板9的上表面91与遮蔽板51的下表面512在上下方向上面对设置并接近。
在基板处理装置1中，从步骤S11以后至对于基板9上的一系列处理结束为止，由气体供给部812持续供给氮气。在图3所示状态下，从位于比遮蔽板51更靠上方的多个盖喷嘴182的第一气体喷出口184(参照图2)向盖内部空间231供给氮气，而使盖内部空间231的气压变得比本体内部空间221的气压更高。换言之，盖内部空间231成为正压状态。从而，盖内部空间231的氮气从遮蔽板51与腔室盖部23的盖底面部234之间的间隙经由下部开口232以及上部开口222向本体内部空间221流出(即、从盖内部空间231向本体内部空间22送出)。另外，本体内部空间221的气体从本体排出端口226a向腔室体21的外部排出。由此，本体内部空间221也被来自气体供给部812所供给的氮气填充。换言之，由气体供给部812向腔室体21内供给氮气而被填充(步骤S15)。以下，步骤S15的处理称为“气体置换处理”。
步骤S15中，来自气体供给部812的氮气经由上部中央喷嘴181的第二气体喷出口185(参照图2)，也向遮蔽板51的下表面512与基板9的上表面91之间的空间供给。由此，能够使遮蔽板51与基板9之间的空间的气氛迅速置换为氮气气氛。此外，在步骤S11～S14之间的任何一个步骤中，根据需要也可以从第二气体喷出口185供给氮气。尤其，在步骤S14中，通过从第二气体喷出口185供给氮气，能够使步骤S15的气体置换处理更为有效率地进行。
接着，通过驱动第一移动机构41、第二移动机构42以及第三移动机构43，使遮蔽板51、腔室盖部23以及腔室本体22的杯部225向上方移动。腔室盖部23以及腔室本体22的杯部225分别从图3所示下位置向图4所示上位置移动。换言之，通过第二移动机构42以及第三移动机构43使基板9与基板保持部31一同相对于腔室体21相对地下降。第二移动机构42以及第三移动机构43是使基板9与基板保持部31一同相对于腔室体21在上下方向上相对地移动的基板移动机构。遮蔽板51的相对于腔室盖部23的相对位置不会变更，遮蔽板51被维持在从腔室盖部23的下部开口232向上方分离的状态。
如上所述，通过腔室体21从下位置向上位置移动，在腔室体21内，基板9从盖内部空间231经由下部开口232以及上部开口222本体向内部空间221移动(步骤S16)。由此，杯部225在腔室盖部23的下方，并位于基板9以及基板保持部31的径方向外侧的整周。
基板9位于本体内部空间221上，通过基板旋转机构35使基板9开始旋转。并且，通过处理液供给部811，经由上部中央喷嘴181的处理液吐出口183(图2参照)，向旋转中的基板9的上表面91上供给处理液(步骤S17)。向旋转的基板9的中央部供给的处理液通过离心力而在上表面91上向径方向外侧移动，并从基板9的外缘向杯部225飞散。通过杯部225而被接受的处理液经由配置于杯部225的下方的本体排出端口226a向腔室体21外排出。
在基板处理装置1中，通过只在规定的时间内向基板9的上表面91供给处理液，对基板9的上表面91进行规定的处理。以下，步骤S17的处理称为“液处理”。在步骤S17中，从药液供给部813供给的药液(例如，聚合物去除液或蚀刻液等)在经过规定的时间内向基板9上供给后，药液的供给被停止。由此，进行基板9的上表面91的药液处理。基板9上的药液通过基板9的旋转而向杯部225飞散，从而从基板9上去除。通过杯部225接受的药液经由本体排出端口226a向腔室体21外排出，通过药液回收部195(参照图2)而被回收。接着，从纯水供给部814所供给的纯水在经过规定的时间内向基板9上供给，使基板9的上表面91进行冲洗处理。通过杯部225所接受的纯水经由本体排出端口226a向腔室体21外排出，并通过排液部196而被废弃。
在基板处理装置1中，杯部225上也可以设有配置为同心圆状的多个杯。在这种情况下，向基板9上供给的处理液的种类被切换时，优选为将接受来自基板9处理液也进行切换。由此，在步骤S17中，多个种类的处理液被利用时，能够容易地对多个处理液进行分别回收或废弃。
如上所述，在步骤S17中，对基板9供给处理液的期间，也可以通过气体供给部812持续供给氮气。在图4所示状态下，也与在图3所示状态相同，从位于比遮蔽板51更上方的多个盖喷嘴182的第一气体喷出口184向盖内部空间231供给氮气。由此，优选使盖内部空间231的气压变得比本体内部空间221的气压更高，盖内部空间231成为正压状态。通过盖内部空间231成为正压状态，使盖内部空间231的氮气从遮蔽板51与腔室盖部23的盖底面部234之间的间隙经由下部开口232以及上部开口222向本体内部空间221送出。另外，从盖内部空间231向本体内部空间221流入的氮气经由本体排出端口226a而被引导向腔室体21外并排出。
由此，在腔室体21内形成依次通过遮蔽板51的外周缘附近、下部开口232的外周缘附近、上部开口222的外周缘附近、以及基板9的外周缘附近的大致圆筒状的氮气气流。对于基板9的上表面91的处理液的供给是在该大致圆筒状的气流的内部进行的。因此，能够抑制处理液的雾或烟等穿过大致圆筒状的气流从遮蔽板51与盖底面部234之间的间隙进入盖内部空间231。另外，处理液的雾或烟等能够通过该气流迅速向下方移动，快速向腔室体21外排出。
在基板处理装置1中，通过使本体排出端口226a配置于杯部225的下方，能够容易地形成上述气流。此外，该气流的流速等通过使来自多个盖喷嘴182的氮气的供给量、以及遮蔽板51与盖底面部234之间的间隙的尺寸等进行变更，从而能够容易地进行调整。另外，只要能够形成该气流，未必一定要使本体排出端口226a配置于杯部225的下方，只要配置于比位于本体内部空间221上的基板9以及基板保持部31更靠下方的位置即可。
在步骤S17中，经由上部中央喷嘴181的第二气体喷出口185，也可以向遮蔽板51的下表面512与基板9的上表面91之间的空间供给氮气。如此，在上述大致圆筒状的气流的内侧中，通过形成朝向基板9的上表面91的向下的气流，使基板9的上方的空间存在的处理液的雾或烟等朝向该大致圆筒状的气流压出。其结果，更加能够抑制处理液的雾或烟等进入盖内部空间231的同时，使该雾或烟等更快速地向腔室体21外排出。
对基板9的处理液的供给结束，通过驱动第一移动机构41、第二移动机构42以及第三移动机构43，使遮蔽板51、腔室盖部23以及腔室本体22的杯部225向下方移动。腔室盖部23以及腔室本体22的杯部225分别从图4所示上位置向图3所示下位置移动。换言之，通过第二移动机构42以及第三移动机构43，使基板9与基板保持部31一同相对腔室体21相对地上升。遮蔽板51的相对于腔室盖部23的相对位置不会变更，且遮蔽板51维持从腔室盖部23的下部开口232向上方分离的状态。
如上所述，腔室体21通过从上位置向下位置移动，在腔室体21内中，基板9从本体内部空间221经由上部开口222以及下部开口232向盖内部空间231移动(步骤S18)。在盖内部空间231中，基板9的上表面91与遮蔽板51的下表面512在上下方向上面对设置并接近。
接着，通过基板旋转机构35，基板9与基板保持部31一同以中心轴J1为中心进行较高速地旋转。由此，基板9上的处理液(例如，纯水)在上表面91上向径方向外侧移动，并从基板9的外缘向周围飞散。其结果，基板9上的处理液被去除(步骤S19)。以下，步骤S19的处理称为“干燥处理”。步骤S19中基板9的旋转速度比步骤S17中基板9的旋转速度大。
在步骤S19中，从旋转的基板9飞散的处理液被盖本体部233的内面以及盖底面部234的上表面235所接受，并向盖本体部233与盖底面部234之间的连接部移动。并且，该处理液(即、在步骤S19中从基板9上去除的处理液)通过盖部排出端口237向腔室盖部23外(即、腔室体21外)排出。如上所述，在腔室盖部23中，盖底面部234的上表面235是越靠近径方向外侧而越朝向下的倾斜面。从而，防止上表面235上的处理液向下部开口232移动。另外，上表面235上的处理液快速地向径方向外侧移动，因此，能够实现来自盖内部空间231的处理液的快速地排出。
盖内部空间231中基板9通过基板旋转机构35进行旋转时(即、步骤S19中)，通过遮蔽板旋转机构55，遮蔽板51在上下方向上接近基板9的上表面91的位置上，在与基板9相同旋转方向上以与基板9大致相等旋转速度、且以中心轴J1为中心进行旋转。通过在接近基板9的上表面91而配置的遮蔽板51，能够抑制(或防止)从基板9飞散的处理液再附着在基板9的上表面91上。另外，通过遮蔽板51的旋转，使遮蔽板51的上表面511以及下表面512上附着的处理液向周围飞散，并能够从遮蔽板51上去除处理液。
在基板处理装置1中，步骤S19中，经由上部中央喷嘴181的第二气体喷出口185(参照图2)，向遮蔽板51的下表面512与基板9的上表面91之间的空间供给氮气。由此，能够从基板9与遮蔽板51之间的空间更加快速地排出处理液，从而促进基板9的干燥。
基板9的干燥处理结束后，通过驱动第一移动机构41以及第二移动机构42，遮蔽板51以及腔室盖部23向上方移动。腔室盖部23从图3所示下位置向图1所示上位置移动。由此，腔室盖部23与腔室本体22在上下方向上分离，腔室体21被打开。之后，被实施上述一系列处理的基板9从外罩11上设置的移出入口(未图示)向外罩11外移出(步骤S20)。另外，遮蔽板51相对于腔室盖部23相对地下降，并与盖底面部234接触使下部开口232堵塞。并且，与步骤S11相同，通过从气体供给部812供给的氮气，使盖内部空间231被氮气填充。在基板处理装置1中，对多个基板9依次进行上述步骤S11～S20。
如以上说明，在基板处理装置1中，腔室盖部23的盖内部空间231设置有径方向的尺寸比下部开口232大的遮蔽板51。并且，在基板9被移入而形成腔室体21之前的步骤S11中，遮蔽板51与下部开口232重合的状态下，从气体供给部812所供给的气体被填充到腔室盖部23的盖内部空间231内。由此，形成腔室体21后，能够使腔室体21内迅速地成为所期望的气体气氛。其结果，能够缩短从形成腔室体21至在该气体气氛中基板9的处理开始为止的时间，能够提高基板处理装置1的生产性。
如上所述，在基板处理装置1中，通过从气体供给部812供给的气体使用氮气等非活性气体，能够在低氧气气氛中迅速进行基板9的液处理。其结果，能够抑制基板9的上表面91上设置的金属膜的氧化等。
如上所述，腔室盖部23包括盖本体部233、盖底面部234。在步骤S11中，遮蔽板51的下表面512通过与盖底面部234的上表面235接触，使腔室盖部23的下部开口232堵塞。由此，能够向盖内部空间231的气体的填充迅速且容易地进行。
在步骤S13中形成腔室体21的状态下，基板9位于预先填充有气体的盖内部空间231中。由此，能够在形成腔室体21的后紧接着使基板9的周围快速地成为所期望的气体气氛。
如上所述，在步骤S15中，在基板9配置于盖内部空间231的状态下，进行气体置换处理，在步骤S16中，通过第二移动机构42以及第三移动机构43使腔室体21向上位置移动，基板9从盖内部空间231向本体内部空间221相对地移动。另外，在步骤S17中，在基板9配置于本体内部空间221的状态下，对基板9进行液处理，在步骤S18中，通过第二移动机构42以及第三移动机构43使腔室体21向下位置移动，从而使基板9从本体内部空间221向盖内部空间231相对地移动。并且，在步骤S19中，在基板9配置于盖内部空间231的状态下使基板9进行干燥处理。
如此，基板处理装置1中，第二移动机构42以及第三移动机构43作为使基板9在盖内部空间231与本体内部空间221之间相对于腔室体21相对地移动的基板移动机构而起作用。通过该基板移动机构的基板9的相对移动是在腔室体21内，以遮蔽板51从腔室盖部23的下部开口232向上方分离的状态下，经由下部开口232以及上部开口222而进行的。由此，对基板9进行的多个处理(即、气体置换处理、液处理以及干燥处理的一系列处理)的空间能够适应处理内容而在本体内部空间221与盖内部空间231之间进行切换。
在步骤S17中液处理中，从旋转的基板9飞散的处理液通过配置于腔室盖部23的下方的杯部225所接受。由此，在液处理中所使用的处理液能够容易地回收。如上所述，杯部225的周围设置有通过与腔室盖部23接触而形成的腔室体21的外筒部223。外筒部223的上部与杯部225之间的间隙通过外筒连接部224而被堵塞，从而能够使腔室体21内填充来自气体供给部812的气体的空间变小。其结果，能够缩短步骤S15中气体置换处理所需要的时间。
在步骤S17中的液处理中，未必一定要形成上述大致圆筒状的气流。即使在腔室体21内没有形成上述大致圆筒状的气流的情况下，也能通过使盖内部空间231的气压比本体内部空间221的气压高，使盖内部空间231成为正压状态，从而能够抑制处理液的雾或烟等从遮蔽板51与盖底面部234之间的间隙进入盖内部空间231。
在上述基板处理装置1中，可以有多种变更。
例如，步骤S15的气体置换处理中，可以不进行来自在遮蔽板51的下表面512的中央部设置的第二气体喷出口185的气体的喷出。步骤S17的液处理、以及步骤S19的干燥处理中也相同。在这种情况下，可以省略第二气体喷出口185。
在步骤S17的液处理中，也可以通过遮蔽板51的下表面512与腔室盖部23的盖底面部234接触，使腔室盖部23的下部开口232通过遮蔽板51而被堵塞。即使在这种情况下，也能够抑制处理液的雾或烟等进入盖内部空间231。
在步骤S19的干燥处理中也可以是，与基板9的上表面91接近的遮蔽板51在圆周方向被固定在基板保持部31上，并通过基板旋转机构35使基板9以及基板保持部31一同旋转。在这种情况下，也与上述相同，防止干燥处理时在基板9上再附着处理液，且也能够从遮蔽板51上去除处理液。遮蔽板51通过基板旋转机构35而旋转的情况下，可以省略遮蔽板旋转机构55。
在图1所示例中，上述腔室开关机构包含移动腔室盖部23的第二移动机构42、移动腔室本体22的杯部225的第三移动机构43。例如，可以省略第二移动机构42以及第三移动机构43中的一个，而仅使用另一个作为腔室开关机构。另外，在图1所示例中，遮蔽板移动机构包含使遮蔽板51移动的第一移动机构41、使腔室盖部23移动的第二移动机构42。可以省略第一移动机构41以及第二移动机构42中的一个，而仅使用另一个作为遮蔽板移动机构。
在图1所示例中，上述基板移动机构包含使腔室盖部23移动的第二移动机构42、使腔室本体22的杯部225移动的第三移动机构43。基板移动机构也可以是例如，在腔室体21停止的状态下，使基板保持部31在腔室体21内在上下方向上进行移动的机构。
在基板处理装置1中，在步骤S13中形成腔室体21时，未必一定使腔室盖部23从上位置向下位置移动。在步骤S13中，例如，腔室本体22的杯部225可以通过第三移动机构43从图1所示下位置向图4所示上位置移动，从而形成腔室体21。在这种情况下，与步骤S13同时进行的步骤S14中，通过第一移动机构41，遮蔽板51向上方移动，并从腔室盖部23的下部开口232向上方分离。另外，步骤S15中，基板9在位于本体内部空间221的状态下进行气体置换处理。从而，省略从基板9的盖内部空间231向本体内部空间221的相对移动(步骤S16)。接着步骤S15，进行基板9的液处理(步骤S17)。
在基板处理装置1中，例如，代替图1所示腔室盖部23，如图7所示，也可以设置比腔室本体22的外径小的腔室盖部23a。在图7所示例中，有盖大致圆筒状的腔室盖部23a的外周下端部通过与腔室本体22的杯部225的上面接触，腔室本体22的上部开口222被腔室盖部23a所堵塞，从而形成腔室体21。另外，腔室盖部23a上没有设置盖底面部234(参照图1)，下部开口232的径方向的尺寸与腔室盖部23a的径方向的尺寸大致相等。盖内部空间231中配置有在径方向的尺寸比腔室盖部23a的外径略小的遮蔽板51。遮蔽板51在与腔室盖部23的下部开口232在上下方向上位于大致相同的位置上，通过与下部开口232在平面视图中重合，使其周围仅留有的很少间隙，被下部开口232实质地堵塞。在该状态下，来自气体供给部812的气体被供给填充至盖内部空间231中。
另外，在基板处理装置1中，代替图1所示遮蔽板51，可以如图8所示，设置有比起下部开口232的直径，外径略小的遮蔽板51a。图8所示例中，径方向的尺寸比下部开口232的直径略小的遮蔽板51a配置于盖内部空间231中。遮蔽板51a在与腔室盖部23的下部开口232在上下方向上大致相同的位置上，通过与下部开口232在平面视图中重合，使其周围仅留有很少间隙，被下部开口232实质地堵塞。在该状态下，来自气体供给部812气体被供给填充至盖内部空间231中。
在基板处理装置1中，也可以对半导体基板以外的多种基板进行处理。另外，在基板处理装置1中，不限于聚合物的去除或蚀刻，能够使用盐酸或氢氟酸等多种处理液，并在低氧气环境下进行所期望的多种液处理。为了实现低氧气状态，向腔室体21供给的气体也不限定于氮气，也可以是氩等其他非活性气体。向腔室体21供给的气体可以是使腔室体21内成为所期望的气体气氛的气体，例如，也可以是气体组成比例被管理的混合气体(即、混合多个种类的气体)。
在上述实施方式以及各变形例中的结构在互相不矛盾的范围内可以适当组合。
以上对本发明进行了详细描写说明，如前文所述的说明不限定于例示。而且在不脱离本发明的范围的情况下，可以有多种变形或方式。
附图标记的说明
1 基板处理装置
9 基板
21 腔室体
22 腔室本体
23，23a 腔室盖部
31 基板保持部
35 基板旋转机构
41 第一移动机构
42 第二移动机构
43 第三移动机构
51，51a 遮蔽板
91 (基板的)上表面
185 第二气体喷出口
221 本体内部空间
222 (腔室本体的)上部开口
223 外筒部
224 外筒连接部
225 杯部
226a 本体排出端口
231 盖内部空间
232 (腔室盖部的)下部开口
233 盖本体部
234 盖底面部
235 (盖底面部的)上表面
237 盖部排出端口
512 (遮蔽板的)下表面
811 处理液供给部
812 气体供给部
J1 中心轴
S11～S20 步骤

Claims (17)

1.一种基板处理装置，用于对基板进行处理，所述基板处理装置具有：
腔室盖部，具有下部开口，在所述下部开口的上方形成有盖内部空间；
腔室本体，形成本体内部空间，并且与所述腔室盖部一起形成腔室；
基板保持部，在所述本体内部空间以水平状态保持基板；
处理液供给部，向所述基板的上表面供给处理液；
遮蔽板，配置于所述盖内部空间，与所述基板的所述上表面相向，该遮蔽板能够堵塞所述下部开口；
气体供给部，在所述腔室内，所述遮蔽板从所述腔室盖部的所述下部开口向上方分离的状态下，该气体供给部通过从在所述腔室盖部中比所述遮蔽板更靠上侧设置的气体喷出口向所述盖内部空间供给气体，使所述盖内部空间的气压大于所述本体内部空间的气压，从而使所述盖内部空间的所述气体，从所述遮蔽板和所述腔室盖部之间的间隙经由所述下部开口向所述本体内部空间送出；
排出端口，在所述本体内部空间设置于比所述基板低的下方，该排出端口吸引从所述盖内部空间流入的所述气体来向所述腔室的外部排出。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述遮蔽板的下表面的中央部设置有气体喷出口，
通过所述气体供给部，经由所述气体喷出口向所述遮蔽板的所述下表面和所述基板的所述上表面之间的空间也供给所述气体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
在所述遮蔽板的下表面的中央部设置有处理液吐出口，
通过所述处理液供给部，经由所述处理液吐出口向所述基板的所述上表面供给处理液。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
还具有遮蔽板移动机构，该遮蔽板移动机构使所述遮蔽板在所述盖内部空间，相对于所述腔室盖部沿着上下方向相对地移动，
在形成所述腔室之前，所述遮蔽板重合于所述腔室盖部的所述下部开口的状态下，通过所述气体供给部向所述盖内部空间供给所述气体，从而在所述盖内部空间填充所述气体。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述腔室盖部具有：
上下翻转的杯状的盖本体部，
环状的盖底面部，从所述盖本体部的下端部向径方向内侧扩展，并且在中央部设置有所述下部开口；
重合于所述下部开口的所述遮蔽板的下表面，在所述下部开口的周围的整周上，与所述盖底面部的上表面相接触，从而堵塞所述下部开口。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
还具有：
基板移动机构，使所述基板与所述基板保持部一起相对于所述腔室沿着上下方向相对地移动，
基板旋转机构，使所述基板以朝向上下方向的中心轴为中心，与所述基板保持部一起旋转；
在向所述基板供给处理液的动作结束之后，通过所述基板移动机构使所述基板从所述本体内部空间向所述盖内部空间移动，
在所述盖内部空间通过所述基板旋转机构使所述基板旋转时，所述遮蔽板在接近所述基板的位置，以所述中心轴为中心旋转。
7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
还具有遮蔽板移动机构，该遮蔽板移动机构使所述遮蔽板在所述盖内部空间，相对于所述腔室盖部沿着上下方向相对地移动，
在形成所述腔室之前，所述遮蔽板重合于所述腔室盖部的所述下部开口的状态下，通过所述气体供给部向所述盖内部空间供给所述气体，从而在所述盖内部空间填充所述气体。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
所述腔室盖部具有：
上下翻转的杯状的盖本体部，
环状的盖底面部，从所述盖本体部的下端部向径方向内侧扩展，并且在中央部设置有所述下部开口；
重合于所述下部开口的所述遮蔽板的下表面，在所述下部开口的周围的整周上，与所述盖底面部的上表面相接触，从而堵塞所述下部开口。
9.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
还具有：
基板移动机构，使所述基板与所述基板保持部一起相对于所述腔室沿着上下方向相对地移动，
基板旋转机构，使所述基板以朝向上下方向的中心轴为中心，与所述基板保持部一起旋转；
在向所述基板供给处理液的动作结束之后，通过所述基板移动机构使所述基板从所述本体内部空间向所述盖内部空间移动，
在所述盖内部空间通过所述基板旋转机构使所述基板旋转时，所述遮蔽板在接近所述基板的位置，以所述中心轴为中心旋转。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述遮蔽板的下表面的中央部设置有处理液吐出口，
通过所述处理液供给部，经由所述处理液吐出口向所述基板的所述上表面供给处理液。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
还具有遮蔽板移动机构，该遮蔽板移动机构使所述遮蔽板在所述盖内部空间，相对于所述腔室盖部沿着上下方向相对地移动，
在形成所述腔室之前，所述遮蔽板重合于所述腔室盖部的所述下部开口的状态下，通过所述气体供给部向所述盖内部空间供给所述气体，从而在所述盖内部空间填充所述气体。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，
所述腔室盖部具有：
上下翻转的杯状的盖本体部，
环状的盖底面部，从所述盖本体部的下端部向径方向内侧扩展，并且在中央部设置有所述下部开口；
重合于所述下部开口的所述遮蔽板的下表面，在所述下部开口的周围的整周上，与所述盖底面部的上表面相接触，从而堵塞所述下部开口。
13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，
还具有：
基板移动机构，使所述基板与所述基板保持部一起相对于所述腔室沿着上下方向相对地移动，
基板旋转机构，使所述基板以朝向上下方向的中心轴为中心，与所述基板保持部一起旋转；
在向所述基板供给处理液的动作结束之后，通过所述基板移动机构使所述基板从所述本体内部空间向所述盖内部空间移动，
在所述盖内部空间通过所述基板旋转机构使所述基板旋转时，所述遮蔽板在接近所述基板的位置，以所述中心轴为中心旋转。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还具有遮蔽板移动机构，该遮蔽板移动机构使所述遮蔽板在所述盖内部空间，相对于所述腔室盖部沿着上下方向相对地移动，
在形成所述腔室之前，所述遮蔽板重合于所述腔室盖部的所述下部开口的状态下，通过所述气体供给部向所述盖内部空间供给所述气体，从而在所述盖内部空间填充所述气体。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，
所述腔室盖部具有：
上下翻转的杯状的盖本体部，
环状的盖底面部，从所述盖本体部的下端部向径方向内侧扩展，并且在中央部设置有所述下部开口；
重合于所述下部开口的所述遮蔽板的下表面，在所述下部开口的周围的整周上，与所述盖底面部的上表面相接触，从而堵塞所述下部开口。
16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还具有：
基板移动机构，使所述基板与所述基板保持部一起相对于所述腔室沿着上下方向相对地移动，
基板旋转机构，使所述基板以朝向上下方向的中心轴为中心，与所述基板保持部一起旋转；
在向所述基板供给处理液的动作结束之后，通过所述基板移动机构使所述基板从所述本体内部空间向所述盖内部空间移动，
在所述盖内部空间通过所述基板旋转机构使所述基板旋转时，所述遮蔽板在接近所述基板的位置，以所述中心轴为中心旋转。
17.根据权利要求1至16中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述腔室本体具有杯部，该杯部在所述腔室盖部的下方在整周上位于所述基板保持部的径方向外侧，
在所述杯部的下方设置有所述排出端口。
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