CN103456664B - 用于干燥基板的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于干燥基板的装置和方法。该装置包括壳体、基板支撑件、流体供给件、以及排放件。壳体设有在其中执行干燥处理的空间。基板支撑件设置在壳体中以支撑基板。流体供给件包括用于将超临界状态的处理流体供给到壳体的供给管线。排放件包括用于将处理流体从壳体排放出的排放管线。这里，供给管线包括设置为以第一供给流速将处理流体供给到壳体的第一供给管线，以及设置为以第二供给流速将处理流体供给到壳体的第二供给管线。

Description

用于干燥基板的装置和方法
技术领域
在这里，本发明涉及一种用于制造半导体基板的装置和方法，并且更具体地说，涉及一种用于干燥基板的装置和方法。
背景技术
通常来说，通过在诸如硅晶片的基板上执行诸如拍照处理、蚀刻处理、离子注入处理、以及沉积处理的多种处理来制造半导体器件。
在此情形中，在处理过程中出现诸如颗粒、有机污染物、以及金属杂质的各种异物。由于这些异物造成基板的缺陷并且充当对半导体器件的性能以及击穿具有直接影响的因素，因此用于移除异物的清洗处理必然在半导体器件的制造处理过程中执行。
清洗处理包括：通过化学制品将基板上的污染物移除的化学处理过程、利用纯水将保留在基板上的化学制品移除的湿式清洗处理、以及通过供给干燥流体将保留在基板上的纯水移除的干燥处理。
在过去，通过将加热的氮气供给到其上保留有纯水的基板上来执行干燥处理。然而，由于形成在基板上的图案的管线宽变窄并且纵横比增加，因此难以移除图案之间的纯水。为此，近年来，纯水由诸如具有比纯水更高的挥发性与更低的表面张力的异丙醇的液态有机溶剂所取代，然后供给加热的氮气以干燥基板。
然而，由于非极性有机溶剂与极性纯水不容易混合，因此需要长时间供给大量液体有机溶剂以便以液体有机溶剂取代纯水。
在通常的干燥处理中，纯水已经被诸如具有较低表面张力的异丙醇的有机溶剂取代，然后被蒸发。
然而，在此干燥方法中，即使使用有机溶剂，仍会造成关于包括微细电路图案（其中管线宽等于或小于约30nm）的半导体器件的图案塌陷。为了克服此限制，目前使用超临界干燥处理替换通常的干燥处理。
发明内容
本公开提供了一种用于干燥基板的装置和方法，当将超临界流体供给到处理室时，所述装置和方法通过减小出现的颗粒来防止基板的泄露。
本公开还提供了一种用于干燥基板的装置和方法，其通过快速供给与排放超临界流体而缩短了处理时间并且提高了处理效率。
本发明构思的实施方式提供了用于干燥基板的装置，该装置包括：壳体，该壳体提供在其中执行干燥处理的空间；基板支撑件，该基板支撑件设置在壳体中以支撑基板；流体供给件，该流体供给件包括用于将超临界状态的处理流体供给到壳体的供给管线；以及排放件，该排放件包括用于使处理流体从壳体排放的排放管线，其中供给管线包括：第一供给管线，该第一供给管线设置为将处理流体以第一供给流速供给到壳体；以及第二供给管线，该第二供给管线设置为将处理流体以第二供给流速供给到壳体。
在一些实施方式中，供给管线可以包括：前供给管线，该前供给管线连接到处理流体的存储部；以及后供给管线，该后供给管线连接到壳体。这里，第一供给管线与第二供给管线彼此平行连接，并且可以连接在前供给管线与后供给管线之间。
在其它实施方式中，第一供给管线可以包括控制所述处理流体以第一供给流速流动的第一流量控制阀。第二供给管线可以包括控制处理流体以第二供给流速流动的第二流量控制阀。此外，所述第一流量控制阀与所述第二流量控制阀可以控制为使得所述第二供给流速大于所述第一供给流速。
在另一个实施方式中，供给管线还包括第三供给管线，所述第三供给管线设有控制处理流体以第三供给流速流动的第三流量控制阀，并且第三流量控制阀可以控制为使得第三供给流速大于第二供给流速。
在另一个实施方式中，供给管线还包括控制流量控制阀的流速的控制器，并且控制器可以控制第二流量控制阀在干燥处理期间的开度，以使得经过供给管线的处理流体的流速受到控制。
在本发明构思的另一个实施方式中，用于干燥基板的装置包括：壳体，该壳体提供在其中执行干燥处理的空间；基板支撑件，该基板支撑件设置在壳体中以支撑基板；流体供给件，该流体供给件包括用于将超临界状态的处理流体供给到壳体的供给管线；以及排放件，该排放件包括用于将处理流体从壳体排放出的排放管线，其中该排放管线包括：第一排放管线，其设置为将处理流体以第一排放流速从壳体排放出，以及第二排放管线，其设置为将处理流体以第二排放流速从壳体排放出。
在一些实施方式中，排放管线还可以包括：前排放管线，该前排放管线连接到壳体；以及后排放管线，该后排放管线连接到用于处理流体的再循环装置，并且第一排放管线与第二排放管线可以彼此平行连接，并且可以连接在前排放管线与后排放管线之间。
在其它实施方式中，第一排放管线可以包括控制所述处理流体以第一排放流速流动的第一流量控制阀。第二排放管线可以包括控制处理流体以第二排放流速流动的第二流量控制阀。此外第一流量控制阀与第二流量控制阀可以控制为使得第一排放流速大于第二排放流速。
还在其它实施方式中，排放管线还可以包括第三排放管线，所述第三排放管线设有控制处理流体以第三排放流速流动的第三流量控制阀，并且第三流量控制阀可以控制为使得第三排放流速大于第二排放流速。
在本发明构思的其它实施方式中，提供用于通过控制供给到壳体中的超临界状态的处理流体的流速以控制壳体的内部压力来干燥基板的方法，包括：在初始阶段将处理流体以第一供给流速供给到壳体中；以及在最终阶段将处理流体以第二供给流速供给到壳体中，其中第一供给流速小于第二供给流速。
在一些实施方式中，以第二供给流速供给处理流体可以包括当通过以第一供给流速将处理流体供给到壳体中而使壳体的内部压力达到预定压力时以第二供给流速供给处理流体。
在其它实施方式中，以第一供给流速供给处理流体可以包括通过壳体的下表面将处理流体供给到壳体中，并且以第二供给流速供给处理流体可以包括通过壳体的上表面将处理流体供给到壳体中。
仍然在其它实施方式中，以第一供给流速供给处理流体可以包括通过壳体的下表面将处理流体供给到壳体中，并且以第二供给流速供给处理流体可以包括同时通过壳体的上表面和下表面二将处理流体供给到所述壳体中。
在此外的其它实施方式中，在以第一供给流速供给处理流体与以第二供给流速供给处理流体中，处理流体可以相应地通过不同的供给管线供给到壳体中。
在此外的其它实施方式中，可以通过控制设置在供给管线中的流量控制阀来调节处理流体的流速。
在此外的其它实施方式中，可以通过在处理流体的供给期间控制流量控制阀来调节处理流体的流速与壳体的内部压力。
在此外的其它实施方式中，该方法还可以包括以第三供给流速供给处理流体。这里，当通过以第一供给流速将处理流体供给到壳体来使得壳体的内部压力达到预定压力时，可以以第三供给流速供给处理流体。此外，当壳体的内部压力达到另一个预定压力时，可以以第二供给流速供给处理流体。
在本发明构思的其它实施方式中，提供了用于通过控制从壳体排放出的超临界状态的处理流体的流速以控制壳体的内部压力来干燥基板的方法，包括：在初始阶段以第一排放流速将处理流体从壳体排放出；以及在最终阶段以第二排放流速将处理流体排放到壳体中，其中第一排放流速小于第二排放流速。
在一些实施方式中，以第二排放流速排放处理流体可以包括当通过以第一排放流速将处理流体从壳体排放出而使所述壳体的内部压力达到预定压力时，以第二排放流速排放处理流体。
在其它实施方式中，在以第一排放流速排放处理流体与以第二排放流速排放处理流体中，处理流体可以相应地通过不同的排放管线从壳体排放出。
在此外其它实施方式中，可以通过控制设置在供给管线中的流量控制阀来调节处理流体的流速。
在此外的其它实施方式中，该方法还可以包括以第三排放流速排放处理流体。这里，当通过以第一排放流速将处理流体从壳体排放出而使壳体的内部压力达到预定压力时，可以以第三排放流速排放处理流体。此外，当壳体的内部压力达到另一预定压力时，可以以第二排放流速排放处理流体。
附图说明
附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解，并且并入说明书中且构成本说明书的一部分。此附图示出了本发明构思的示例性实施方式，其连同附图说明一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
图1是示出二氧化碳的相变的图表；
图2是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的平面图；
图3是示出图2的第一处理室的横截面视图；
图4是示出根据本发明构思的实施方式的图2的第二处理室的横截面视图。
图5是示出基板干燥装置的视图，在基板干燥装置中处理流体供给管线与排放管线均连接到根据本发明构思的实施方式的图2的第二处理室；
图6是示出基板干燥装置的视图，在基板干燥装置中处理流体供给管线与排放管线均连接到根据本发明构思的修改实施方式的图2的第二处理室；
图7是示出基板干燥装置的视图，在基板干燥装置中处理流体供给管线与排放管线均连接到根据本发明构思的另一个实施方式的图2的第二处理室；
图8是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图；
图9是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图；以及
图10至图14是示出图9的基板处理方法的操作的视图。
具体实施方式
下面将参照附图更加详细地描述本发明构思的示例性实施方式。然而，本发明构思可以以不同的形式体现并且不应理解为对这里阐述的实施方式进行限定。相反，这些实施方式设置为使得本公开将更全面与完整，并且将本发明构思的范围充分地传达到本领域中的技术人员。
在下文中，将参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施方式。
在下文中，将详细地描述根据本发明构思的实施方式的基板处理装置（图2的100）。
基板处理装置100可以执行超临界处理，其中将超临界流体用作处理流体来处理基板S。
这里，基板S是包括全部半导体器件或平板显示器（FPD）以及用于制造其中电路图案形成在薄膜上的产品的其它基板的综合概念。基板S的实例可以包括具有硅晶片、玻璃基板与有机基板的晶片。
超临界流体表示具有气态和液态的特性的相态，当达到超过临界温度与压力的超临界状态时形成此相态。超临界流体在分子密度上接近液体，但是在粘度上接近气体。因此，超临界流体在扩散、渗透、以及分解特性上是卓越的，超临界流体对于化学反应来说是有利的。此外，由于超临界流体具有小的表面张力，因此，超临界流体不会将界面张力施加到微细结构。
可以利用此超临界流体的特征来执行超临界处理。超临界处理的实例可以包括超临界干燥处理与超临界蚀刻处理。在下文中，将超临界干燥处理示例为超临界处理。然而，由于这仅是为了方便说明，因此基板处理装置100可以执行除了超临界干燥处理以外的超临界处理。
可以通过以超临界流体溶解保留在基板S的电路图案上的有机溶剂利用干燥基板S的方法来执行超临界干燥处理。超临界干燥处理在干燥效率上是卓越的，并且能够防止图案塌陷。当将超临界流体用于超临界干燥处理时，可以使用与有机溶剂易混合的原料。例如，可以将超临界二氧化碳（scCO2）用作超临界流体。
图1是示出二氧化碳的相变的图表。
由于二氧化碳具有约31.1°C的相对低的临界温度以及约7.38Mpa的相对低的临界压力，因此易于通过调节温度与压力来获得临界状态并且控制相变，并且二氧化碳的价格很低。此外，二氧化碳对于人类是无毒且无害的，并且是不易燃且惰性的。由于超临界二氧化碳具有比水或其它有机溶剂高约10到100倍的扩散系数，因此有机溶剂的取代很快。此外，由于超临界二氧化碳具有小的表面张力，因此超临界二氧化碳具有用于干燥包括微细电路图案的基板S的有利特性。此外，二氧化碳可以作为多种化学反应的副产品被再循环，并且在用于超临界干燥处理以后，可以转换成气体以与有机溶剂分离并且再使用，以减少环境污染的负荷。
在下文中，将详细地描述根据本发明构思的实施方式的基板处理装置100。除了超临界干燥处理以外，基板处理装置100还可以执行清洗处理。
图2是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的平面图。
参照图2，基板处理装置100包括分度器模块（index module）1000和处理模块2000。
分度器模块1000可以接收基板S并且将基板S传送到处理模块2000，并且处理模块2000可以执行超临界干燥处理。
作为设备前端模块（EFEM）的分度器模块1000，可以包括加载端口1100和转移框架1200。
容器C可以布置在加载端口1100上。可以将前开式晶圆盒（FOUP）用作容器C。可以通过高架传送（OHT）将容器C从外侧引到加载端口1100上或者可以从加载端口1100引到外侧。
转移框架1200可以在容器C与处理模块2000之间转移基板S。转移框架1200可以包括分度器机械手1210和分度器轨道1220。分度器机械手1210可以当在分度器轨道1220上移动时转移基板S。
作为实际执行处理的模块的处理模块2000，可以包括缓冲室2100、转移室2200、第一处理室3000、以及第二处理室4000。
缓冲室2100可以提供提供空间，在所述空间中基板S在临时停止的分度器模块1000与处理模块2000之间转移。缓冲室2100可以设有缓冲槽，基板S布置在缓冲槽上。
转移室2200可以在布置在转移室2200周围的缓冲室2100、第一处理室3000与第二处理室4000之间转移基板S。转移室2200可以包括转移机械手2210和转移轨道2220。转移机械手2210可以当其在转移轨道2220上移动时转移基板S。
第一处理室3000和第二处理室4000可以执行清洗处理。在此情形中，可以在第一处理室3000与第二处理室4000中顺序地执行清洗处理。例如，可以在第一处理室3000中执行清洗处理的化学处理、冲洗处理、以及有机溶剂处理，并且可以在第二处理室4000中执行超临界干燥处理。
第一处理室3000和第二处理室4000可以布置在转移室2200的侧表面上。例如，第一处理室3000和第二处理室4000可以布置在转移室2200的不同侧表面上以便面向彼此。
此外，可以给处理模块2000设置多个第一处理室3000和第二处理室4000。多个处理室3000和4000可以成行布置在侧表面上，或者可以沿着竖直方向堆叠，或者可以以它们组合的方式布置。
第一处理室3000和第二处理室4000的布置不限于上述实例，而是可以考虑诸如基板处理装置100的处理效率或表面区域（footprint）的多个因素而适当地更改。
在下文中，将详细地描述第一处理室3000。
图3是示出图2的第一处理室的横截面视图。
第一处理室3000可以执行化学处理、冲洗处理、以及有机溶剂处理。此外，第一处理室3000可以选择性地执行这些处理中的仅一部分。这里，化学处理可以是用于通过将清洗剂提供给基板S来移除基板S上的异物的处理，以及冲洗处理可以是通过将冲洗剂提供给基板S来冲洗存留在基板S上的清洗剂的处理。有机溶剂处理可以是通过将有机溶剂提供给基板S来利用具有低表面张力的有机溶剂替换保持在基板S上的电路图案之间的冲洗剂的处理。
参照图3，第一处理室3000可以包括支撑件3100、喷嘴件3200、以及回收件3300。
支撑件3100可以支撑基板S，并且可以使所支撑的基板S旋转。支撑件3100包括支撑板3110、支撑销3111、卡盘销3112、轴3120、以及旋转驱动器3130。
支撑板3110可以具有与基板S相同或类似形状的上表面。支撑销3111和卡盘销3112可以布置在支撑板3110的上表面上。支撑销3111可以支撑基板S，并且卡盘销3112可以固定被支撑的基板S。
轴3120可以连接到支撑板3110的下部。轴3120可以接收来自旋转驱动器3130的旋转力以使支撑板3110旋转。因此，可以旋转位于支撑板3110上的基板S。在此情形中，卡盘销3112可以防止基板S偏离常规位置。
喷嘴件3200可以将化学制品喷射在基板S上。喷嘴件3200可以包括喷嘴3210、喷嘴杠3220、喷嘴轴3230、以及喷嘴轴驱动器3240。
喷嘴3210可以将化学制品喷射在位于支撑板3110上的基板S上。化学制品可以包括清洗剂、冲洗剂、以及有机溶剂。这里，作为清洗剂，可以使用过氧化氢（H2O2）溶液、氨水（NH4OH）、盐酸（HCl）、或与过氧化氢混合的硫酸（H2SO4）溶液、或者氢氟酸溶液。此外，作为冲洗剂，可以使用纯水。作为有机溶剂，可以使用乙基乙二醇、1-丙醇、四氢呋喃（tetrahydraulic franc）、4-羟基、4-甲基、2-戊酮、1-丁醇、2-丁醇、甲醇、乙醇，正丙醇、以及二甲醚。
喷嘴3210可以布置在喷嘴杠3220的一端下方。喷嘴杠3220可以接合到喷嘴轴3230。喷嘴轴3230可以设置为使得可竖直移动或可旋转。喷嘴轴驱动器3240可以通过使喷嘴轴3230竖直移动或旋转来控制喷嘴3210的定位。
回收件3300可以回收供给到基板S的化学制品。当经由喷嘴件3200将化学制品供给到基板S时,支撑件3100可以使基板S旋转以允许化学制品均匀地供给到基板S的整个区域。当基板S旋转时，化学制品可能从基板S分散。分散的化学制品可以通过回收件3300回收。
回收件3300可以包括回收容器3310、回收管线3320、冲洗与下落杠3330、以及冲洗与下落驱动器3340。
回收容器3310可以设置成围绕支撑板3110的圆环形状。可以设有多个回收容器3310。可以将多个回收容器3310设置成当从顶部观察时顺序地成为远离支撑板3110的环形。更远离支撑板3110的回收容器3310可以具有比更靠近支撑板3110的回收容器3310更高的高度。因此，可以在回收容器3310之间形成回收开口3311以接收从基板S分散的化学制品。
回收管线3320可以布置在回收容器3310的下方。回收管线3320可以将回收到回收容器3310的化学制品供给到化学再循环系统（未示出）以便使化学制品再循环。
升降杠3330可以连接到回收容器3310并且接收来自升降驱动器3340的动力以使回收容器3310竖直移动。当设有多个回收容器3310时，升降杠3330可以连接到最外面的回收容器3310。升降驱动器3340可以通过升降杠3330使回收容器3310竖直地移动以选择用于接收来自多个回收容器3311的分散的化学制品的回收开口3311。
图4是示出根据本发明构思的实施方式的图2的第二处理室的横截面视图。
参照图4，第二处理室可以包括壳体4100、升降件4200、支撑件4300、加热件4400、供给端口4500、阻挡件4600、以及排放端口4700。
第二处理室4000可以利用超临界流体执行超临界干燥处理。如上所述，在第二处理室4000中执行的处理可以是超临界处理而不是超临界干燥处理。此外，第二处理室4000还可以利用替代超临界流体的其它处理流体来执行处理。
壳体4100可以提供执行超临界干燥处理的空间。壳体4100可以由能够经受等于或大于临界压力的高压的材料形成。
壳体4100可以通过包括的上壳体4110和布置在上壳体4110下方的下壳体4120而被设置成分为上部和下部的结构。
上壳体4110可以固定地布置，而下壳体4120可以布置为使得可竖直移动。当下壳体4120向下移动以与上壳体4110隔开时，第二处理室4000的内部空间可以打开，并且可以将基板S引到第二处理室4000的内部空间中或外部。这里，引到第二处理室4000中的基板可以处于在第一处理室3000中进行有机溶剂处理以后保留有机溶剂的状态中。当下壳体4120向上移动以附着到上壳体4110时，第二处理室4000的内部空间可以闭合，并且可以在其中执行超临界干燥处理。
升降件4200可以使下壳体4120竖直移动。升降件4200可以包括升降缸体4210与升降杆4220。升降缸体4210可以接合到下壳体4120以产生竖直驱动力，即升降力。升降杆4220可以在其一端插入到升降缸体4210，并且可以沿着竖直向上的方向延伸以在其另一端部接合到上壳体4110。当通过此结构在升降缸体4210中产生驱动力时，升降缸体4210与升降杆4220可以相对地升高与降低，以允许下壳体4120接合到升降缸体4210以竖直地移动。
支撑件4300可以在上壳体4110与下壳体4120之间支撑基板S。支撑件4300可以布置在上壳体4110下方以便沿着竖直向下的方向延伸，并且可以设置成其中支撑件4300在其下端沿着水平方向正交弯曲的结构。
水平状态控制件4111可以布置在上壳体4110上，支撑件4300布置在上壳体4110下方。水平状态控制件4111可以控制上壳体4110的水平状态。当上壳体4110的水平状态被控制时，位于布置在上壳体4110下方的支撑件4300上的基板S的水平状态可以被控制。当基板S在超临界干燥处理中倾斜时，保持在基板S上的有机溶剂可以沿着倾斜表面流动。在此情形中，基板S的特定部分可能不被干燥，或者可能过度干燥，造成基板S的损坏。水平状态控制件4111可以通过控制基板S的水平状态来防止基板S的损坏。
加热件4400可以加热第二处理室4000的内部。加热件4400可以将供给到第二处理室4000内的超临界流体加热到临界温度或更高以保持超临界流体相态或者将液化的超临界流体回收到超临界流体。加热件4400可以嵌入上壳体4110和下壳体4120的至少一个壁中。例如，加热件4400可以是从外部接收能量以产生热量的加热器。
供给端口4500可以将超临界流体供给到第二处理室4000。供给端口4500可以包括上供给端口4510和下供给端口4520。上供给端口4510可以形成在上壳体4110中以将超临界流体供给到由支撑件4300支撑的基板S的上表面。下供给端口4520可以形成在下壳体4120中以将超临界流体供给到由支撑件4300支撑的基板S的下表面。
在此情形中，下供给端口4520可以首先供给超临界流体，并且然后上供给端口4510可以供给超临界流体。由于可以在第二处理室4000的内部压力小于初始阶段的临界压力的状态下执行超临界干燥处理，因此可以使供给到第二处理室4000中的超临界流体液化。因此在超临界干燥处理的初始阶段，当将超临界流体供给到供给端口4510时，超临界流体可能液化并且降落在基板S上，造成基板S的损坏。当超临界流体经由下供给端口4520供给到第二处理室4000并且第二处理室4000的内部压力达到临界压力时，上供给端口4510可以开始供给超临界流体，由此防止供给的超临界流体液化并且降落到基板S上。
阻挡件4600可以阻挡通过供给端口4500供给的超临界流体直接地喷射到基板S。阻挡件4600可以包括阻挡板4610与支撑件4620。
在超临界干燥处理的初始阶段，当通过下供给端口4520供给超临界流体时，壳体4500的内部压力可较低。因此，供给的超临界流体可以以高速度喷射。因此，当喷射的超临界流体以高速直接地到达倾斜的基板S时，其中由于超临界流体的物理压力，因此接触喷射的超临界流体的基板S的一部分可能发生弯曲。此外，超临界流体的喷射力可使基板S晃动，造成保留在基板S上的有机溶剂流动并且因此损坏基板S的电路图案。
因此，布置在下供给端口4520与支撑件4300之间的阻挡板4610可以阻挡超临界流体直接喷射到基板S上，以防止由于超临界流体的物理力而损坏基板S。
选择性地，阻挡件4600可以从第二处理室4000排除。
排放端口4700可以将超临界流体从第二处理室400排放出。
排放端口4700可以形成在下壳体4120中。在超临界干燥处理的后期，超临界流体可以从第二处理室4000排放出，并且因此第二处理室4000的内部压力可以减小到临界压力或更小，以使超临界流体液化。液化的超临界流体可以在重力的作用下通过形成在下壳体4120中的排放端口4700排放出。
在下文中，将详细地描述根据本发明构思的一个实施方式的基板干燥装置（超临界流体在其中供给与排放）。图5是示出基板干燥装置的视图，在基板干燥装置中处理流体供给与排放管线连接到根据本发明构思的实施方式的图2的第二处理室；
参照图5，超临界流体可以经由供给管线4800供给到第二处理室4000的壳体4100中，并且可以经由排放管线4900排放到第二处理室4000的壳体4100的外部。
供给管线4800可以包括前供给管线4880、后供给管线4890、4891和4892、第一供给管线4810和第二供给管线4820。
前供给管线4880的一端可以连接到存储箱4850，并且第一后供给管线4891与第二后供给管线4892的一端可以连接到第二处理室4000。第一供给管线4810与第二供给管线4820彼此平行连接，并且可以连接在前供给管线4880与后供给管线4890之间。
前供给管线4880可以连接在存储箱4850与第一供给管线4810和第二供给管线4820之间。前供给管线4880的一端可以连接到存储箱4850，并且其另一端可以连接到平行连接的第一供给管线4810与第二供给管线4820的分支点。超临界流体可以通过前供给管线4880从存储箱4850移动到第一供给管线4810与第二供给管线4820的分支点。
第一供给管线4810与第二供给管线4820可以彼此平行连接。第一供给管线4810与第二供给管线4820的一个分支点可以连接到前供给管线4880，并且其另一个分支点可以连接到后供给管线4890。
第一供给管线4810可以包括第一截流阀4810a和第一流量控制阀4810b。第一截流阀4810a可以控制从前供给管线4880供给到第一供给管线4810的超临界流体。第一流量控制阀4810b可以控制流入到第一供给管线4810的超临界流体的流速。第一流量控制阀4810b可以通过使超临界流体以预定流速流动来控制流入到第二处理室4000中的超临界流体的压力。
第二供给管线4820可以包括第二截流阀4820a和第二流量控制阀4820b。第二截流阀4820a可以控制从前供给管线4880供给到第二供给管线4820的超临界流体。第二流量控制阀4820b可以控制流入到第二供给管线4820的超临界流体的流速。第二流量控制阀4820b可以通过使超临界流体以预定流速流动来控制流入到第二处理室4000中的超临界流体的压力。第二流量控制阀4820b与第一流量控制阀4810b可以构造为在第一供给管线4810与第二供给管线4820中流动的超临界流体的流速彼此不同。在一个实施方式中，第二供给流速可以大于第一供给流速。
在超临界流体的供给过程的初始阶段，可以通过第一供给管线4810提供流入第二处理室内的超临界流体。由于超临界流体通过第一供给管线4810的流速小于通过第二供给管线4820的流速，因此在第二处理室4000中的超临界流体的初始增压可以较低。因此，可以防止在第二处理室4000中出现颗粒。此外，由于超临界流体的初始增加，因此可以防止基板S受损。当由于通过第一供给管线4810供给超临界流体而使第二处理室4000的内部压力达到预定压力时，可以通过第二供给管线4820供给较大量的超临界流体。因此，可以缩短处理时间，并且可以提高处理效率。
后供给管线4890、4891与4892可以将以不同流速流动的超临界流体通过第一供给管线4810与第二供给管线4820供给到第二处理室4000中。后供给管线4890可以包括连接到第二处理室4000的上部的第一后供给管线4891以及连接到第二处理室4000的下部的第二后供给管线4892。在一个实施方式中，当基板S定位在第二处理室4000的内部的上侧时，来自第一供给管线4810的超临界流体可以通过第二后供给管线4892提供到第二处理室4000的下部。这用于防止由于通过将超临界流体供给到在超临界流体供给的初始阶段远离基板S的下供给端口4520的初始增压而损坏基板S。因此，当通过经由第二后供给管线4892供给超临界流体达到预定压力时，可以通过第一后供给管线4891供给较大量的超临界流体。
排放管线4900可以包括前排放管线4980、后排放管线4990、第一排放管线4910、第二排放管线4920和第三排放管线4930。
前排放管线4980可以连接在第二处理室4000与第一排放管线至第三排放管线4910、4920和4930之间。前排放管线4980的一端可以连接到第二处理室4000，并且其另一端可以连接到平行连接的第一排放管线到第三排放管线4910、4920和4930的分支点。超临界流体可以通过前排放管线4980从第二处理室4000流动到第一排放管线至第三排放管线4910、4920和4930的分支点。
第一排放管线4910、第二排放管线4920和第三排放管线4930可以彼此平行连接。
第一排放管线4910的一端可以连接到第一排放管线4910、第二排放管线4920、与第三排放管线4930的分支点，并且其另一端可以连接到外部（未示出）。超临界流体可以流动到第一排放管线4910以便排放到外部。
第一排放管线4910可以包括第一截流阀4910a、第一流量控制阀4910b、和第一止回阀4910c。第一截流阀4910a可以控制从前排放管线4980供给到第一排放管线4910的超临界流体。第一流量控制阀4910b可以控制流入到第一排放管线4910的超临界流体的流速。第一流量控制阀4910b可以通过使超临界流体以预定第一排放流速流动来控制从第二处理室4000排放的超临界流体的压力。第一止回阀4910c可以允许超临界流体仅沿着从第二处理室4000到大气的方向流动。
第二排放管线4920的一端可以连接到第一排放管线4910、第二排放管线4920、与第三排放管线4930的分支点，并且其另一端可以连接到后排放管线4990。第二排放管线4920可以平行连接到第三排放管线4930。
第二排放管线4920可以包括第二截流阀4920a、第二流量控制阀4920b、和第二止回阀4920c。第二截流阀4920a可以控制从前排放管线4980供给到第二排放管线4910的超临界流体。第二流量控制阀4920b可以控制流入到第二排放管线4920的超临界流体的流速。第二流量控制阀4920b可以通过使超临界流体以预定第二排放流速流动来控制流入到第二处理室4000中的超临界流体的压力。第二流量控制阀4920b与第一流量控制阀4910b可以构造为在第一排放管线4910与第二排放管线4920中流动的超临界流体的流速彼此不同。在一个实施方式中，第一排放流速可以大于第二排放流速。第二止回阀4920c可以允许超临界流体仅沿着超临界流体再循环装置4950的方向流动。
第三排放管线4930的一端可以连接到第一排放管线4910、第二排放管线4920、与第三排放管线4930的分支点，并且其另一端可以连接到后排放管线4990。第二排放管线4920可以平行连接到第三排放管线4930。在干燥处理期间，第三排放管线4930可以用于排放超临界流体同时反复供给与排放超临界流体。
第三排放管线4930可以包括第三截流阀4930a、第三流量控制阀4930b和第三止回阀4930c。第三截流阀4930a可以控制从前排放管线4980供给到第三排放管线4930的超临界流体。第三流量控制阀4930b可以控制流入到第三排放管线4930的超临界流体的流速。第三流量控制阀4930b可以通过使超临界流体以预定流速流动来控制流入到第二处理室4000中的超临界流体的压力。第三止回阀4930c可以允许超临界流体仅沿着超临界流体再循环装置4950的方向流动。
在排放处理的初始阶段，超临界流体可以通过第二排放管线4920从第二处理室4000排放出。由于超临界流体通过第二排放管线4920的流速小于通过第一供给管线4910的流速，因此在第二处理室4000中超临界流体的初始压力变化可以较低。因此，可以防止在第二处理室4000中出现颗粒。此外，由于临界流体的初始增加，因此可以防止基板S受损。当由于通过第二排放管线4920供给超临界流体而使第二处理室4000的内部压力达到预定压力时，可以通过第一供给管线4910供给较大量的超临界流体。因此，可以缩短处理时间，并且可以提高处理效率。
后排放管线4990可以允许以不同流速流动的超临界流体通过第一排放管线4910与第二排放管线4920以流动到超临界流体再循环装置4950。后排放管线4920的一侧可以连接到第一排放管线4910与第二排放管线4920的分支点，并且其一端可以连接到超临界流体再循环装置4950。
在下文中，将详细地描述根据本发明构思的一个修改实施方式的基板干燥装置（超临界流体在其中供给与排放）。图6是示出基板干燥装置的视图，在基板干燥装置中处理流体供给与排放管线连接到根据本发明构思的修改实施方式的图2的第二处理室。
参照图6，供给管线5800可以包括前供给管线5880、后供给管线5890、5891和5892、第一供给管线5810、第二供给管线5820和第三供给管线5830。
与图5的供给管线4800相比，供给管线5800可以进一步包括第三供给管线5830。第三供给管线5830可以设置为允许比第一供给管线5810和第二供给管线5820更大量的超临界流体在其中流动。在超临界流体供给的初始阶段，超临界流体可以通过第一供给管线5810以低压供给。当达到预定压力时，便可以通过第三供给管线5830供给较大量的超临界流体。由于第三供给管线5830比第二供给管线5820供给更多的超临界流体，因此可以缩短处理时间并且提高处理效率。
第三供给管线5830可以平行连接到第一供给管线5810和第二供给管线5820。一个分支点可以连接到前供给管线5880，并且另一个分支点可以连接到后供给管线5890。
第三供给管线5830可以包括第三截流阀5830a和第三流量控制阀5830b。第三截流阀5830a可以控制从前供给管线5880供给到第三供给管线5830的超临界流体。第三流量控制阀5830b可以控制流入到第三供给管线5830的超临界流体的流速。第三流量控制阀5830b可以通过使超临界流体以预定流速流动来控制流入到第二处理室4000中的超临界流体的压力。在一个实施方式中，第三流量控制阀5830b可以构造为使得在第三供给管线5830中流动的超临界流体的流速大于在第二供给管线5820中流动的超临界流体的流速。
排放管线5900可以包括前排放管线5980、后排放管线5990、第一排放管线5910、第二排放管线5920、第三排放管线5930和第四排放管线5930。
与图5的供给管线4900相比，排放管线5900可以进一步包括第四排放管线5940。第四排放管线5940可以设置为允许比第一排放管线5910和第二排放管线5920更大量的超临界流体流动。在超临界流体排放的初始阶段，当达到预定压力同时通过第一排放管线5910排放超临界流体使得压力变化较低时，较大量的超临界流体可以通过第四排放管线5940排放出。由于第四排放管线5940比第一供给管线5910和第二供给管线5920排放更多的超临界流体，因此可以缩短排放时间并且提高处理效率。
第四排放管线5940可以平行连接到第一排放管线5910、第二排放管线5930、以及第三排放管线5930。一个分支点可以连接到前排放管线5980，并且另一个分支点可以连接到后排放管线5990。
第四排放管线5940可以包括第四截流阀5940a、第一排放流量控制阀5940b和第四止回阀4940c。第四截流阀5940a可以控制从前排放管线5980供给到第四排放管线5940的超临界流体。第一排放流量控制阀5940b可以控制流入到第四排放管线5940中的超临界流体的流速。第一排放流量控制阀5940b可以通过使超临界流体以预定流速排放来控制第二处理室4000的内部压力变化。第四止回阀4940c可以允许超临界流体仅沿着超临界再循环装置5950的方向流动。
在下文中，将详细地描述根据本发明构思的另一个实施方式的基板干燥装置（超临界流体在其中供给与排放）。图7是示出了基板干燥装置的视图，在基板干燥装置中处理流体供给与排放管线连接到根据本发明构思的另一个实施方式的图2的第二处理室。
参照图7，供给管线6800可以包括前供给管线6880、后供给管线6891和6892以及控制器6870。
控制器6870可以通过控制在供给管线6800上的流量控制阀6880b来控制在供给管线6800中流动的超临界流体的流速。在超临界流体的供给过程中，控制器6870可以通过控制流量控制阀6880b来控制供给到第二处理室4000中的超临界流体的压力。因此，当将超临界流体供给到第二处理室4000中时，可以防止在第二处理室4000中出现颗粒，并且可以防止基板S损坏。
排放管线6900可以包括前排放管线6980、第一排放管线6910、第二排放管线6920、第一控制器6971、以及第二控制器6972。
第一控制器6971和第二控制器6972可以通过控制在第一排放管线6910和第二排放管线6920上的第一流量控制阀6910b和第二流量控制阀6920b来控制在第一排放管线6910和第二排放管线6920中流动的超临界流体的流速。在超临界流体的供给过程中，当将超临界流体从第二处理室4000排放时，第一控制器6971和第二控制器6972可以通过控制第一流量控制阀6910b和第二流量控制阀6920b来控制压力变化。因此，当超临界流体从第二处理室4000排放时，由于快速压力变化可以防止在第二处理室4000中出现颗粒，并且可以防止基板损坏S。
在下文中，将要描述利用上述基板处理装置100的根据本发明构思的实施方式的基板干燥方法。然而，由于这仅用于方便说明，因此可以利用与基板处理装置100相同或类似的其它装置来执行基板干燥方法。此外，根据本发明构思的实施方式的基板处理方法可以以编码或程序的形式存储在计算机可读取介质中以便执行基板干燥方法。
在下文中，将要参照附图详细描述根据本发明构思的实施方式的基板处理方法。基板处理方法的实施方式涉及全部清洗处理。
图8是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图。
基板处理方法可以包括将基板S转移到第一处理室3000（S110）中、执行化学处理（S120）、执行冲洗处理（S130）、执行有机容器处理（S140）、将基板S转移到第二处理室4000中（S150）、执行超临界干燥处理（S160）、以及将基板S加载在布置在加载端口1100上的容器C上。与此同时，无需通过上述顺序执行上述处理。因此，可以早于先前描述的另一处理执行后面描述的处理。其同样适用于后面描述的基板处理方法的其它实施方式。在下文中，将要更加详细地描述基板处理方法。
在操作S110中，基板S可以被转移到第一处理室中。首先，诸如高架转移的转移装置可以将加载有基板S的容器C布置在加载端口1100上。当布置好容器C时，分度器机械手1210可以将基板S从容器C卸载，然后可以将基板S加载在到缓冲槽中。加载到缓冲槽中的基板S可以通过转移机械手2210卸载，然后可以转移到第一处理室3000中。此后，基板S可以定位在支撑板3110上。
当基板S转移到第一处理室3000中时，可以在操作S120中执行化学处理。当基板S布置在支撑板3110上时，可以通过喷嘴轴驱动器3240使喷嘴轴3230移动且旋转，以允许喷嘴3210定位在基板S上方。喷嘴3210可以在基板S的上表面上喷射清洗剂。当喷射清洗剂时，可以将异物从基板S移除。在此情形中，旋转驱动器3130可以使轴3120旋转从而使基板S旋转。当基板S旋转时，清洗剂可以被均匀地供给到基板S，并且可以从基板S分散。分散的清洗剂可以回收到回收容器3310中，并且可以通过回收管线3320传送到处理流体再循环装置（未示出）。在此情形中，升降干燥器3340可以通过升降杠使回收容器3310竖直移动，从而使得可将分散的清洗剂引入到多个回收容器3310中的一个中。
当从基板S充分地移除异物时，可以在操作S130中执行冲洗处理。当完成化学处理时，可以将异物从基板S移除，并且清洗剂可以保留在基板S上。喷射清洗剂的喷嘴3210可以偏离基板S，并且另一个喷嘴3210可以在基板S上方移动，并且可以将冲洗剂喷射在基板S的上表面上。当供给冲洗剂时，可以清洗保留在基板S上的清洗剂。即使在冲洗处理过程中，也能够执行基板S的旋转与化学制品的回收。升降驱动器3340可以调节回收容器3310的高度，以使得冲洗剂可以被引入到除了已经回收清洗剂的回收容器3310之外的回收容器3310中。
当充分清洗基板S时，可以在操作S140中执行有机溶剂处理。当完成冲洗处理时，另一个喷嘴3210可以在基板S上方移动，然后可以喷射有机溶剂。当供给有机溶剂时，在基板S上的冲洗剂可以以有机溶剂替代。与此同时，在有机溶剂处理过程中，基板S不能旋转或者可以以低速旋转。这是因为当有机溶剂直接从基板S蒸发时，由于有机溶剂的表面张力，因此界面张力可以作用在电路图案上，造成图案塌陷。
在操作S150中，当完成在第一处理室中的有机溶剂处理时，可以将基板S转移到第二处理室4000中，并且第二处理室4000可以执行超临界干燥处理。在后面描述的基板处理方法的另一个实施方式中将更加详细地描述操作S150与S160。
当完成超临界干燥处理时，可以将基板S加载在布置在加载端口1100上的容器C上。当第二处理室4000打开时，转移机械手2210可以卸载基板S。基板S可以被转移到缓冲室2100中，然后可以通过分度器机械手1110从缓冲室2100卸载以便加载在容器C上。
在下文中，将描述根据本发明构思的另一个实施方式的基板处理方法。基板处理方法的另一个实施方式涉及通过第二处理室执行超临界干燥处理的方法。
图9是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图。
基板处理方法可以包括将基板S转移到第二处理室4000（S210）中，密封壳体4100（S220），以第一供给流速供给超临界流体（S230），当第二处理室的内部压力达到预定压力时以第二供给流速供给超临界流体（S240），在第二处理室4000的一定内部压力范围内反复供给与排放超临界流体（S250），以第一排放流速排放超临界流体（S260），当达到预定压力时以第二排放流速排放超临界流体（S270），打开壳体4100（S280），以及从第二处理室4000转移基板S（S290）。在下文中，将更加详细地描述用于供给与排放超临界流体的操作S230到S270。
图10至图14是示出图9的基板处理方法的操作的视图。
下面将要描述在处理的初始阶段将超临界流体供给到第二处理室4000。参照图10，在引入超临界流体的初始阶段，可以打开第一供给管线4810的第一截流阀4810a与第二后供给管线4892的截流阀4892a，并且可以关闭第二供给管线4820的第二截流阀4820a与第一后供给管线4891的止回阀4891a。因此，超临界流体可以通过前供给管线4880、第一供给管线4810、以及第二后供给管线4892从存储箱4850供给到第二处理室4000。
在处理的初始阶段，当将超临界流体引入到第二处理室4000时，基板S可能损坏，或者可能在第二处理室4000中出现颗粒。为了防止此限制，第一供给管线4810的第一流量控制阀4801a可以将超临界流体的流速调节到第一供给流速。第一供给流速可以产生低压变化，使得在第二处理室4000中的超临界流体的初始预增压的情况下基板S不被损坏或者不出现颗粒。在此情形中，超临界流体可以通过远离基板S的第二后供给管线4892供给到第二处理室的下表面以防基板S损坏。
当由于引入超临界流体使第二处理室4000的内部压力达到预定压力时，可以供给大量超临界流体。参照图11，当第二处理室4000的内部压力由于图10中的超临界流体的供给而达到预定压力时，可以关闭第一供给管线4810的第一截流阀4810a与第二后供给管线4892的止回阀4892a，并且可以打开第二供给管线4820的第二截流阀4820a与第一后供给管线4891的截流阀4891a。超临界流体可以通过前供给管线4880、第二供给管线4820、以及第一后供给管线4891从存储箱4850供给到第二处理室中。在此情形中，经过第二供给管线4820的超临界流体的第二供给流速可以控制为比第一供给管线4810的第一供给流速更大。当第二处理室4000的内部压力等于或大于一定压力时，由于基于压力变化基板S不会被损坏或者不会出现颗粒，因此大量超临界流体可以密集地供给到基板S。因此，可以缩短干燥处理时间，并且可以提高干燥处理效率。
当第二处理室4000的内部压力达到预定压力时，可以同时通过上部与下部供给超临界流体以增加处理速度和效率。参照图12，作为基板干燥实施方式的修改实例，当由于超临界流体的供给使第二处理室4000的内部压力达到预定压力时，超临界流体便可以通过第一后供给管线4891和第二后供给管线4892供给到第二处理室4000中。在此情形中，可以关闭第一供给管线4810的第一截流阀4810a，并且可以打开第一后供给管线4891的截流阀4891a、第二后供给管线4892的截流阀4892a、以及第二供给管线4820的第二截流阀4820a。在此情形中，通过增加进入第二处理室4000的超临界流体的供给速度能够缩短处理时间并且能够提高处理效率。
尽管未示出，但是在处理过程中可以通过控制第二供给管线4820的第二流量控制阀4820b来调节在第二供给管线4820中流动的超临界流体的流速。在此情形中，在没有额外供给管线的处理过程中，可以通过控制超临界流体的流速来调节第二处理的内部压力。因此，可以防止在第二处理室4000中出现颗粒，并且可以防止基板S损坏。
此外，尽管未示出，可以以大于第一供给管线4810和第二供给管线4820的超临界流体的预定流速的第三流速供给超临界流体。在此情形中，当内部压力通过第一供给管线4810供给超临界流体而达到预定压力时，可以以第三供给流速供给超临界流体，以缩短处理时间并且提高处理效率。
在超临界流体的排放处理的初始阶段，可以排放少量的超临界流体。参照图13，在排放处理的初始阶段，可以关闭第一排放管线4910的第一截流阀4910a与第三排放管线4930的第三截流阀4930a，并且可以打开第二排放管线4920的第二截流阀4920a。因此，超临界流体可以通过前排放管线4980和第二排放管线4910从第二处理室4000排放出。
第二排放管线4920的第二流量控制阀4920b可以将超临界流体的流速调节到第二排放流速，使得在初始排放阶段由于快速压力变化不会损坏基板S或者在第二处理室4000中不会出现颗粒。第二排放流速可以构造为使得第二处理室4000的内部压力在初始排放阶段不会快速地改变。因此，能够防止在第二处理室4000中出现颗粒，并且能够防止基板S损坏。
当通过第二排放管线4920使第二处理室4000的内部压力达到预定压力时，可以通过第一排放管线4910排放超临界流体。参照图14，当通过排放超临界流体使第二处理室4000的内部压力达到预定压力时，可以关闭第二排放管线4920的第二截流阀4920a与第三排放管线4930的第三截流阀4930a，并且可以打开第一排放管线4910的第一截流阀4910a。超临界流体可以通过前排放管线4980和第一排放管线4910从第二处理室4000排放出。在此情形中，可以将通过第一排放管线4910排放的超临界流体的第一排放流速调节为比第二排放管线4920的第二排放流速更大。当第二处理室4000的内部压力达到预定压力时，在不考虑快速压力变化的情况下由于基板S不会损坏或在第二处理室4000中不会出现颗粒，因此可以排放大量超临界流体。因此，可以缩短干燥处理时间，并且可以提高干燥处理效率。
尽管未示出，在处理过程中可以通过控制第二排放管线4920的第二流量控制阀4920b来调节通过第二排放管线4920流动的超临界流体的流速。在此情形中，在没有额外排放管线的处理过程中，可以通过控制超临界流体的流速来调节第二处理室4000的内部压力。因此，可以防止在第二处理室4000中出现颗粒，并且可以防止基板S损坏。
此外，尽管未示出，可以以大于第一排放管线4910和第二排放管线4920的超临界流体的预定流速的第三排放流速排放超临界流体。在此情形中，当通过以第一排放流速排放超临界流体而达到预定压力时，通过以第三排放流速排放超临界流体能够缩短处理时间并且提高处理效率。
根据本发明构思的实施方式，当将超临界流体供给到处理室中时，能够防止出现颗粒，并且能够防止基板损坏。
根据本发明构思的实施方式，通过快速地供给并且排放超临界流体能够缩短处理时间并且因此能够提高处理效率。
上面公开的主题将被认为是示意性的，而非限定性的，并且随附的权利要求旨在覆盖属于本发明构思的真正精神与范围的全部这些修改、增强、以及其它实施方式。因此，在法律允许的最大范围内，本发明构思的范围将通过对下面的权利要求与它们的等效物所允许的最宽泛的解释来确定，并且不应被上述详细描述限制或限定。

Claims (12)

1.一种用于干燥基板的装置，该装置包括：
壳体，其提供在其中执行干燥处理的空间，并且包括上供给端口和下供给端口；
基板支撑件，其设置在所述壳体中以支撑所述基板；
阻挡板，布置在所述下供给端口与所述基板支撑件之间，用于阻挡处理流体直接喷射到所述基板上；
流体供给件，其包括用于将超临界状态的处理流体供给到所述壳体的供给管线；以及
排放件，其包括用于使所述处理流体从所述壳体排放出的排放管线，
其中所述供给管线包括：
第一供给管线，其设置为将所述处理流体以第一供给流速供给到所述壳体；
第二供给管线，其设置为将所述处理流体以第二供给流速供给到所述壳体；
第三供给管线，其设有控制所述处理流体以第三供给流速流动的第三流量控制阀，并且所述第三流量控制阀控制为使得所述第三供给流速大于所述第二供给流速；
前供给管线，其连接到所述处理流体的存储部；以及
后供给管线，其连接到所述壳体，
其中所述第一供给管线、所述第二供给管线与所述第三供给管线彼此平行连接，并且连接在所述前供给管线与所述后供给管线之间，其中
所述第一供给管线包括控制所述处理流体以第一供给流速流动的第一流量控制阀；
所述第二供给管线包括控制所述处理流体以第二供给流速流动的第二流量控制阀；并且
所述第一流量控制阀与所述第二流量控制阀控制为使得所述第二供给流速大于所述第一供给流速。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述供给管线还包括控制所述流量控制阀的流速的控制器，并且所述控制器控制所述第二流量控制阀在所述干燥处理期间的开度，以使得经过所述供给管线的所述处理流体的所述流速受到控制。
3.一种用于干燥基板的装置，该装置包括：
壳体，其提供在其中执行干燥处理的空间，并且包括上供给端口和下供给端口；
基板支撑件，其设置在所述壳体中以支撑所述基板；
阻挡板，布置在所述下供给端口与所述基板支撑件之间，用于阻挡处理流体直接喷射到所述基板上；
流体供给件，其包括用于将超临界状态的处理流体供给到所述壳体的供给管线；以及
排放件，其包括用于将所述处理流体从所述壳体排放出的排放管线，
其中，所述排放管线包括：
第一排放管线，其设置为将所述处理流体以第一排放流速从所述壳体排放出；
第二排放管线，其设置为将所述处理流体以第二排放流速从所述壳体排放出；
第三排放管线，其设有控制所述处理流体以第三排放流速流动的第三流量控制阀，并且所述第三流量控制阀控制为使得所述第三排放流速大于所述第二排放流速；
前排放管线，其连接到所述壳体；以及
后排放管线，其连接到用于所述处理流体的再循环装置，并且
所述第一排放管线、所述第二排放管线与所述第三排放管线彼此平行连接，并且连接在所述前排放管线与所述后排放管线之间，其中
所述第一排放管线包括控制所述处理流体以第一排放流速流动的第一流量控制阀；
所述第二排放管线包括控制所述处理流体以第二排放流速流动的第二流量控制阀；并且
所述第一流量控制阀与所述第二流量控制阀控制为使得所述第一排放流速小于所述第二排放流速。
4.一种用于通过控制供给到壳体中的超临界状态的处理流体的流速以控制所述壳体的内部压力来干燥基板的方法，所述方法包括：
在初始阶段将所述处理流体以第一供给流速供给到所述壳体，所述壳体包括上供给端口和下供给端口，布置在所述下供给端口与所述基板支撑件之间的阻挡板阻挡处理流体直接喷射到所述基板上；以及
在最终阶段将所述处理流体以第二供给流速供给到所述壳体，
其中，所述第一供给流速小于所述第二供给流速；
所述方法还包括以第三供给流速供给所述处理流体，
其中，当通过以第一供给流速将所述处理流体供给到所述壳体来使得所述壳体的所述内部压力达到预定压力时，以大于所述第二供给流速的所述第三供给流速供给所述处理流体，并且当所述壳体的所述内部压力达到另一预定压力时，以所述第二供给流速供给所述处理流体，并且其中
以所述第二供给流速供给所述处理流体包括当通过以所述第一供给流速将所述处理流体供给到所述壳体中而使所述壳体的所述内部压力达到另一预定压力时以所述第二供给流速供给所述处理流体。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，以所述第一供给流速供给所述处理流体包括通过所述壳体的下表面将所述处理流体供给到所述壳体中，并且以所述第二供给流速供给所述处理流体包括通过所述壳体的上表面将所述处理流体供给到所述壳体中。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，以所述第一供给流速供给所述处理流体包括通过所述壳体的下表面将所述处理流体供给到所述壳体中，并且以所述第二供给流速供给所述处理流体包括同时通过所述壳体的上表面和下表面二者将所述处理流体供给到所述壳体中。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，在以所述第一供给流速供给所述处理流体与以所述第二供给流速供给所述处理流体中，所述处理流体相应地通过不同的供给管线供给到所述壳体中。
8.根据权利要求4所述的方法，其中，通过控制设置在所述供给管线中的流量控制阀来调节所述处理流体的所述流速。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过在所述处理流体的所述供给期间控制所述流量控制阀来调节所述处理流体的所述流速与所述壳体的所述内部压力。
10.一种用于通过控制从壳体排放出的超临界状态的处理流体的流速以控制所述壳体的内部压力来干燥基板的方法，所述方法包括：
在初始阶段以第一排放流速将所述处理流体从所述壳体排放出，所述壳体包括上供给端口和下供给端口，布置在所述下供给端口与所述基板支撑件之间的阻挡板阻挡处理流体直接喷射到所述基板上；以及
在最终阶段以第二排放流速将所述处理流体排放到所述壳体中，
其中所述第一排放流速小于所述第二排放流速；
所述方法还包括以第三排放流速排放所述处理流体，
其中，当通过以所述第一排放流速将所述处理流体从所述壳体排放出而使得所述壳体的所述内部压力达到预定压力时，以大于所述第二排放流速的所述第三排放流速排放所述处理流体，并且当所述壳体的所述内部压力达到另一预定压力时，以所述第二排放流速排放所述处理流体，并且其中
以所述第二排放流速排放所述处理流体包括当通过以所述第一排放流速将所述处理流体从所述壳体排放出而使所述壳体的所述内部压力达到另一预定压力时，以所述第二排放流速排放所述处理流体。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在以所述第一排放流速排放所述处理流体与以所述第二排放流速排放所述处理流体中，所述处理流体相应地通过不同的排放管线从所述壳体排放出。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，通过控制设置在供给管线中的流量控制阀来调节所述处理流体的所述流速。
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