JP2022104093A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の乾燥処理を安定的に行うのに有利な技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板を内側に収容する処理容器と、処理容器の内側の保持位置において基板を保持する保持部と、処理容器の内側に向けて処理流体を吐出する供給開口部を有する流体供給部と、供給開口部と保持位置との間において供給開口部と対向し、供給開口部からの処理流体を、供給開口部の開口面積よりも大きな面積の範囲に拡げるように案内する供給案内部材と、を備える。【選択図】図８

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

処理液が付着した半導体ウェハなどの基板を、超臨界状態の処理流体を使って乾燥させる技術が知られている（特許文献１参照）。

特開２０１３－２５１５５０号公報

超臨界状態の処理流体を小径の開口から勢いよく噴出させる場合、処理流体の渦流が生じたり、処理流体の滞留が生じたりすることがある。そのような場合、必ずしも効率的には処理流体を基板（特に乾燥対象面）の周囲に導くことができず、結果的に、基板の乾燥処理に長時間を要することがある。また開口から勢いよく噴出した処理流体が基板に吹き付けられることで、意図せずに基板から液体が飛散してしまうことがある。

このため、基板表面全体の乾燥処理を安定的に行うことができない。

本開示は、基板の乾燥処理を安定的に行うのに有利な技術を提供する。

本開示の一態様は、液体が付着した基板を、超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理装置であって、基板を内側に収容する処理容器と、処理容器の内側の保持位置において基板を保持する保持部と、処理容器の内側に向けて処理流体を吐出する供給開口部を有する流体供給部と、供給開口部と保持位置との間において供給開口部と対向し、供給開口部からの処理流体を、供給開口部の開口面積よりも大きな面積の範囲に拡げるように案内する供給案内部材と、を備える基板処理装置に関する。

本開示によれば、基板の乾燥処理を安定的に行うのに有利である。

図１は、基板処理装置の一例を示す平面図である。 図２は、乾燥ユニット及び供給ユニットの具体的な構成例を示す図である。 図３は、第１実施形態に係る乾燥ユニットの一例を示す側方図である。 図４は、第１実施形態に係る乾燥ユニットの一例を示す側方図である。 図５は、第１実施形態に係る乾燥ユニットの一例を示す側方図である。 図６は、第１実施形態に係る乾燥ユニットの一例を示す正面図である。 図７は、第１実施形態に係る乾燥ユニットの一例を示す正面図である。 図８は、第１実施形態に係る乾燥ユニットの一例の断面を上方から見た図である。 図９は、供給案内部材の第１構造例を示す拡大断面図である。 図１０は、供給案内部材の第２構造例を示す拡大断面図である。 図１１は、供給案内部材の第３構造例を示す拡大断面図である。 図１２は、供給案内部材の第４構造例を示す拡大断面図である。 図１３は、供給案内部材の第５構造例を示す拡大断面図である。 図１４は、供給案内部材の第６構造例を示す拡大断面図である。 図１５は、供給案内部材の第７構造例を示す拡大断面図である。 図１６は、第３実施形態に係る乾燥ユニットの一例の断面を上方から見た図である。 図１７は、第３実施形態に係る乾燥ユニットの一例の断面を側方から見た図である。 図１８は、第１変形例に係る乾燥ユニットの一例の断面を側方から見た図である。

以下、図面を参照して本開示の一実施形態について説明する。本開示は、以下に説明される形態及び各図面に示される形態には限定されない。

各図面には各要素が簡略化されて例示的に示されている。したがって各要素の形態（例えば形状やサイズ）や要素間の寸法比は、図面間で必ずしも一致していない。

図１は、基板処理装置１の一例を示す平面図である。図面に示されたＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向はお互いに対して垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向であり、Ｚ軸方向は重力が作用する鉛直方向に沿う高さ方向である。

図１に示す基板処理装置１は、Ｘ軸方向に並んで設けられる搬入出ステーション２及び処理ステーション３を備える。

搬入出ステーション２は、Ｘ軸方向に並んで設けられる載置台２１、搬送部２２及び受渡部２３を有する。

載置台２１上には複数のキャリアＣが設けられる。各キャリアＣは複数の基板Ｗを収容する。搬送部２２には、１又は複数の基板Ｗを搬送することができる可動式の第１搬送装置２２ａが設けられている。受渡部２３には、１又は複数の基板Ｗを一時的に保持するトランジション装置２３ａが設けられている。各キャリアＣとトランジション装置２３ａとの間における基板Ｗの搬送は、第１搬送装置２２ａによって行われる。

基板Ｗは限定されないが、典型的には半導体基板（例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハ）やガラス基板である。基板Ｗの表面には、電子回路などのデバイスが設けられていてもよく、微細凹凸パターンが形成されていてもよい。

処理ステーション３は、搬送ブロック３１及び処理ブロック３２を有する。

搬送ブロック３１は、受渡部２３に対してＸ軸方向に隣り合うように設けられている。搬送ブロック３１には、基板Ｗを搬送することができる可動式の第２搬送装置３１ａが設けられている。第２搬送装置３１ａは、トランジション装置２３ａと処理ブロック３２の各ユニットとの間において、及び、処理ブロック３２の各ユニット間において、基板Ｗを搬送する。

処理ブロック３２は、搬送ブロック３１に対してＹ軸方向に隣り合うように設けられている。処理ブロック３２の数は限定されない。図１に示す例では、２つの処理ブロック３２が、搬送ブロック３１をＹ軸方向に挟むように設けられている。なお、複数の処理ブロック３２がＺ軸方向に並べられていてもよい。

各処理ブロック３２は、液膜形成ユニット３２ａ、乾燥ユニット３２ｂ及び供給ユニット３２ｃを有する。液膜形成ユニット３２ａ、乾燥ユニット３２ｂ及び供給ユニット３２ｃの各々の数は限定されない。図１に示す例では、各処理ブロック３２において、液膜形成ユニット３２ａ、乾燥ユニット３２ｂ及び供給ユニット３２ｃが２つずつ設けられている。

液膜形成ユニット３２ａは、基板Ｗに液体を付与し、基板Ｗの上面に液膜を形成する。液膜形成ユニット３２ａの具体的な構成は限定されない。一例として、液膜形成ユニット３２ａは、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャックと、基板Ｗの上面に向けて液体を吐出するノズルと、を有する。基板Ｗに付与される液体は限定されない。一例として、薬液（ＳＣ１（アンモニア及び過酸化水素の水溶液）やＤＨＦ（希フッ酸）等）、リンス液（脱イオン水等）及び乾燥液（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの有機溶剤等）を、この順番でノズルから吐出して基板Ｗに供給してもよい。

乾燥ユニット３２ｂは、液膜形成ユニット３２ａで基板Ｗ上に形成された液膜を超臨界状態の処理流体に置換することで、基板Ｗを乾燥させる。超臨界状態の処理流体は、臨界温度以上の温度を有し、且つ、臨界圧力以上の圧力を有する。超臨界状態の処理流体を使うことによって、基板Ｗ上の液体の表面張力に起因する基板Ｗの凹凸パターンの倒壊を抑制しつつ、基板Ｗを乾燥させることができる。処理流体は限定されず、例えば二酸化炭素（ＣＯ_２）を処理流体として用いることが可能である。

供給ユニット３２ｃは、乾燥ユニット３２ｂに流体を供給する。供給ユニット３２ｃの具体的な構成は限定されない。乾燥ユニット３２ｂ及び供給ユニット３２ｃの具体的な構成例については後述する（図２等参照）。

基板処理装置１は、基板処理装置１の各構成要素を制御する制御装置４を更に備える。図１に示す制御装置４は、例えばコンピュータによって構成され、演算処理部４１及び記憶部４２を備える。

演算処理部４１は、記憶部４２に記憶されているプログラムを適宜読み出して実行することにより、基板処理装置１の各構成要素を制御して各種処理を行う。記憶部４２には、基板処理装置１で行われる各種処理のためのプログラム及びデータが記憶される。制御部９３の記憶部に記憶されるプログラム及びデータは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されたものであって、当該記憶媒体から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）及びメモリカードなどがある。

図２は、乾燥ユニット３２ｂ及び供給ユニット３２ｃの具体的な構成例を示す図である。

図２に示す例において、処理流体の供給ラインは、上流側供給ライン５０、第１供給ライン５１及び第２供給ライン５２を含む。

上流側供給ライン５０は、第１流体供給源５５、第１供給ライン５１及び第２供給ライン５２に接続される。第１流体供給源５５は、処理流体の供給源であり、例えば処理流体を貯蔵するタンクである。処理流体は、第１流体供給源５５から、上流側供給ライン５０を通って、第１供給ライン５１及び第２供給ライン５２に供給される。

上流側供給ライン５０には、上流から下流に向かって順に、バルブ１０１、ヒータ１０２、圧力センサ１０３、オリフィス１０４、温度センサ１０５及びフィルタ１０６が設けられる。ここで言う上流及び下流の用語は、基板Ｗの乾燥処理における処理流体の通常の流れ方向を基準とする。

バルブ１０１は、第１流体供給源５５からの処理流体の供給をオン及びオフするバルブであり、開状態で下流側の供給ライン（すなわち上流側供給ライン５０）への処理流体の流入を許容し、閉状態で下流側の供給ラインに処理流体を流入させない。ヒータ１０２は、上流側供給ライン５０を流れる処理流体を加熱する。圧力センサ１０３は、ヒータ１０２とオリフィス１０４との間において上流側供給ライン５０を流れる処理流体の圧力を検出する。オリフィス１０４は、下流に送り出される処理流体の圧力を所望圧力（例えば１６ＭＰａ程度）に調整する。温度センサ１０５は、オリフィス１０４とフィルタ１０６との間において上流側供給ライン５０を流れる処理流体の温度を検出する。フィルタ１０６は、上流側供給ライン５０を流れる処理流体から異物を取り除く。

図２に示す上流側供給ライン５０には、第１流体供給源５５だけではなく、第２流体供給源５６及び第３流体供給源５７も接続される。第２流体供給源５６は、ＩＰＡの供給源であり、上流側供給ライン５０のうちバルブ１０１とヒータ１０２との間の部分にバルブ１０７を介して接続される。第３流体供給源５７は、不活性ガス（例えばＮ_２）の供給源であり、上流側供給ライン５０のうちバルブ１０１とヒータ１０２との間の部分にバルブ１０８を介して接続される。

第１供給ライン５１には、上流から下流に向かって順に、バルブ１１１、オリフィス１１２、圧力センサ１１３及び温度センサ１１４が設けられる。

バルブ１１１は、第１供給ライン５１における処理流体の流通をオン及びオフする。オリフィス１１２は、下流に送り出される処理流体の圧力を所望圧力に調整する。圧力センサ１１３は、第１供給ライン５１を流れる処理流体の圧力を検出する。温度センサ１１４は、第１供給ライン５１を流れる処理流体の温度を検出する。

第１供給ライン５１のうち温度センサ１１４よりも下流側の部分に、パージライン５４に接続される。パージライン５４は、第１供給ライン５１に接続されるとともに、パージガス供給源１２１に接続される。パージガス供給源１２１は、パージガス（例えばＮ_２等の不活性ガス）の供給源であり、例えばパージガスを貯蔵するタンクである。パージライン５４には、パージガス供給源１２１から第１供給ライン５１に向かって順に、チェックバルブ１２２及びバルブ１２３が設けられる。バルブ１２３は、パージライン５４におけるパージガスの流通をオン及びオフする。パージガスは、例えば乾燥ユニット３２ｂの処理空間への処理流体の供給が停止している間、パージガス供給源１２１からパージライン５４及び第１供給ライン５１を介して乾燥ユニット３２ｂの処理空間に供給される。

第２供給ライン５２は、第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂを含む。第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂは、上流側供給ライン５０が接続される部分からお互いに異なる方向に延びるが、乾燥ユニット３２ｂの供給ヘッダー（特に供給案内路（例えば図８の符号「６６」参照））に接続される。第１分岐供給ライン５２ａにはバルブ１３１が設けられ、第２分岐供給ライン５２ｂにはバルブ１３２が設けられる。バルブ１３１及びバルブ１３２は、供給ヘッダーへの処理流体の供給をオン及びオフするバルブである。

乾燥ユニット３２ｂには温度センサ１４１が設けられる。温度センサ１４１は、乾燥ユニット３２ｂにおける処理空間の温度を検出する。

排出ライン５３は、第１分岐排出ライン５３ａ、第２分岐排出ライン５３ｂ及び下流側排出ライン５３ｃを有する。第１分岐排出ライン５３ａ及び第２分岐排出ライン５３ｂは、乾燥ユニット３２ｂの処理空間からの気体（処理流体を含む）の排出路（例えば図８の符号「７０」参照）に接続されるとともに、下流側排出ライン５３ｃに接続される。

第１分岐排出ライン５３ａには、上流から下流に向かって順に、温度センサ１５１、圧力センサ１５２及びバルブ１５３が設けられる。温度センサ１５１は、第１分岐排出ライン５３ａを流れる処理流体の温度を検出する。圧力センサ１５２は、第１分岐排出ライン５３ａを流れる処理流体の圧力を検出する。バルブ１５３は、第１分岐排出ライン５３ａにおける処理流体の流通をオン及びオフするバルブである。第２分岐排出ライン５３ｂにはバルブ１５４が設けられ、バルブ１５４が第２分岐排出ライン５３ｂにおける処理流体の流通をオン及びオフする。

下流側排出ライン５３ｃには、上流から下流に向かって順に、圧力調整バルブ１５５、圧力センサ１５６、温度センサ１５７及びバルブ１５８が設けられる。圧力調整バルブ１５５は、下流側排出ライン５３ｃを流れる処理流体の圧力を調整するバルブである。圧力調整バルブ１５５の開度は、乾燥ユニット３２ｂの処理空間の圧力に応じて、制御装置４の制御下で適応的に調整される。圧力センサ１５６は、下流側排出ライン５３ｃを流れる処理流体の圧力を検出する。温度センサ１５７は、下流側排出ライン５３ｃを流れる処理流体の温度を検出する。バルブ１５８は、下流側排出ライン５３ｃにおける処理流体の流通をオン及びオフする。処理流体を外部に排出する場合にはバルブ１５８が開かれ、処理流体を外部に排出しない場合にはバルブ１５８が閉じられる。

上述の各圧力センサ及び各温度センサの計測結果は、制御装置４に送信され、基板処理装置１の構成要素（すなわち上述のバルブ、ヒータ１０２、圧力調整バルブ１５５及びその他のデバイス）の制御のための処理において、必要に応じて使われる。

図２に示す乾燥ユニット３２ｂ及び供給ユニット３２ｃの上述の構成は一例に過ぎず、乾燥ユニット３２ｂ及び／又は供給ユニット３２ｃは他の構成を有していてもよい。例えば、乾燥ユニット３２ｂの処理空間に処理流体を供給するラインとして、第１供給ライン５１及び第２供給ライン５２のうちの一方のみが設けられていてもよい。また第２供給ライン５２は、乾燥ユニット３２ｂの処理空間に接続される３以上の分岐供給ラインを含んでいてもよいし、単一ラインであってもよい。同様に、排出ライン５３は、乾燥ユニット３２ｂの処理空間に接続される３以上の分岐排出ラインを含んでいてもよいし、単一ラインであってもよい。また第２流体供給源５６及び第３流体供給源５７は設けられていなくてもよい。

次に、乾燥ユニット３２ｂにおける基板Ｗの乾燥処理の典型例について説明する。以下に説明する基板乾燥処理（基板処理方法）に含まれる各工程は、詳細な説明は省略するが、基板処理装置１の構成要素（例えば各バルブ）が制御装置４の制御下で適宜駆動することで行われる。

まず、第２搬送装置３１ａ（図１参照）を介し、乾燥ユニット３２ｂの処理空間に基板Ｗが配置され、当該処理空間が密閉される（搬入処理工程）。ここで言う「密閉」は、処理空間が外部から気密に遮断されている状態を指すが、厳密な気密状態（すなわち完全な気密状態）を必ずしも指すものではない。処理空間は、密閉された状態であっても、処理流体Ｆの流路（供給路及び排出路）が接続されており、当該流路を介して乾燥ユニット３２ｂの外側に設けられるラインやデバイスとつながっている。

その後、第１流体供給源５５からの処理流体を乾燥ユニット３２ｂの処理空間に供給することによって当該処理空間の圧力が上昇させられ、その結果、当該処理空間に超臨界状態の処理流体が供給されるようにする（昇圧処理工程）。

その後、乾燥ユニット３２ｂの処理空間の圧力を処理流体の超臨界状態が維持される圧力に保ちつつ、処理空間において基板Ｗの表面に沿うように流れる処理流体の層流が形成される（流通処理工程）。これにより、基板Ｗに付着した液体（例えば凹凸パターン間のＩＰＡ液体）が徐々に超臨界状態の処理流体に置換され、基板Ｗから液体が徐々に取り除かれる。

基板Ｗから液体が十分に取り除かれた後、乾燥ユニット３２ｂの処理空間への処理流体の供給を停止しつつ当該処理空間から処理流体が排出され、当該処理空間の圧力が所望圧力（例えば大気圧）まで徐々に下げられる（減圧処理工程）。

その後、第２搬送装置３１ａ（図１参照）を介し、乾燥ユニット３２ｂの処理空間から基板Ｗが取り出される（搬出処理工程）。

基板Ｗは、上述の一連の工程を経て、乾燥させられる。

次に、乾燥ユニット３２ｂの具体例について説明する。

［第１実施形態］
図３～図５は、第１実施形態に係る乾燥ユニット３２ｂの一例を示す側方図である。図６及び図７は、第１実施形態に係る乾燥ユニット３２ｂの一例を示す正面図である。図８は、第１実施形態に係る乾燥ユニット３２ｂの一例の断面を上方から見た図である。

図３～図８に示される例では、上述の第１供給ライン５１（図２参照）が設けられていない。すなわち、乾燥ユニット３２ｂの処理空間Ｓには、第１供給ライン５１が接続されておらず、第２供給ライン５２（第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂ）のみから処理流体Ｆが供給される。ただし以下で説明する技術は、乾燥ユニット３２ｂに第１供給ライン５１が接続されて第１供給ライン５１及び第２供給ライン５２の両方から処理空間Ｓに処理流体Ｆが供給される装置及び方法に対しても、適用可能である。

上述のように乾燥ユニット３２ｂは、液体が付着した基板Ｗを、超臨界状態の処理流体Ｆを用いて乾燥させる基板処理装置として機能する。図３～図８に示す乾燥ユニット３２ｂは、処理空間Ｓを有する圧力容器（処理容器）６０と、処理空間Ｓへの処理流体Ｆの供給のための供給ヘッダー６１と、処理空間Ｓからの処理流体Ｆの排出のための排出ヘッダー６２と、を有する。

圧力容器６０は中空構造であり、内側に処理空間Ｓを有する。処理空間Ｓは圧力容器６０により外側から覆われて区画されるが、処理空間Ｓの水平方向（Ｙ軸方向）の両端部は圧力容器６０により覆われることなく開口する。処理空間Ｓの両端部の開口は、相互に対向し、処理空間Ｓにおいて保持位置に配置される基板Ｗを挟むように位置する。

本例の圧力容器６０には、図８に示すように、２つの容器排出路７０が貫通形成されている。これらの容器排出路７０は、それぞれ第１分岐排出ライン５３ａ及び第２分岐排出ライン５３ｂに接続され、後述のように処理流体Ｆの排出路の一部を構成する。

処理空間Ｓに基板Ｗが導入及び配置されることで、圧力容器６０は乾燥対象の基板Ｗを内側に収容する。当該基板Ｗは、保持部６５（図７参照）によって、圧力容器６０の内側の保持位置において保持される。

保持部６５の具体的な構造は限定されない。本例の保持部６５は、処理空間Ｓにおいて上方に延びる複数のピンにより構成される。各ピンは、圧力容器６０に対して固定的に設けられていてもよし、圧力容器６０に対して移動可能に設けられていてもよく、例えば高さ方向に進退可能に設けられていてもよい。これらのピンに基板Ｗが載せられることで、当該基板Ｗは複数のピンによって下方から支持される。

供給ヘッダー６１は、処理空間Ｓの一方側の開口を覆うように設けられる。供給ヘッダー６１は、圧力容器６０の内側の処理空間Ｓに向けて処理流体Ｆを吐出する複数の供給開口部６７を有し、処理空間Ｓに処理流体Ｆを供給する流体供給部として機能する。

供給ヘッダー６１と圧力容器６０との間には封止部材（図示省略）が設けられており、当該封止部材によって、供給ヘッダー６１と圧力容器６０との間における処理空間Ｓの気密性が確保される。

供給ヘッダー６１の具体的な構造は限定されない。本例の供給ヘッダー６１は、図８に示すように、供給本体部６１ａと、供給本体部６１ａに形成される空間によって構成される供給案内路６６、複数の供給開口部６７及び供給凹部６３と、を有する。

供給案内路６６は、水平方向（本例ではＸ軸方向）に延びる。供給案内路６６の両端の開口部には、それぞれ第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂが接続される。供給案内路６６には、第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂを介して処理流体Ｆが供給される。

複数の供給開口部６７は、供給案内路６６に沿って水平方向（本例ではＸ軸方向）に並んで設けられ、供給案内路６６及び供給凹部６３の各々に接続される。図８に示す例では、Ｘ軸方向に関し、保持位置に配置される基板Ｗの全体範囲を覆う範囲にわたって、複数の供給開口部６７が分散配置される。

複数の供給開口部６７の具体的な配置形態は限定されない。例えば、複数の供給開口部６７は、水平方向（特にＸ軸方向）にお互いに異なる位置に一列に設けられてもよい。また水平方向（Ｘ軸方向）に並べられる２以上の供給開口部６７により構成される供給開口部列が、高さ方向（Ｚ軸方向）に２以上並べられてもよい。

図８に示す構造の場合、第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂからの距離に応じて、各供給開口部６７からの処理流体Ｆの噴出状態が変わりうる。例えば第１分岐供給ライン５２ａからの処理流体Ｆと第２分岐供給ライン５２ｂからの処理流体Ｆとが合流する供給案内路６６の中央部分に対面する供給開口部６７から、処理流体Ｆが、より勢いよく噴出される傾向がある。

そこで、第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂからの距離に応じて、各供給開口部６７の数密度、穴径及び／又は穴形状が変えられてもよい。これにより、例えば、複数の供給開口部６７からの処理流体Ｆの噴出状態（例えば噴出速度や噴出量等）を均一化することが可能である。

或いは、第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂからの距離によらず、各供給開口部６７の数密度、穴径及び／又は穴形状が決められてもよい。例えば、第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂからの距離によらず、各供給開口部６７の数密度、穴径及び／又は穴形状が均一であってもよい。この場合、処理空間Ｓにおける処理流体Ｆの流れを、意図的に不均一化することが可能である。また必要に応じて、複数の供給開口部６７の一部を封止し、処理空間Ｓの一部に向かってのみ供給ヘッダー６１から処理流体Ｆを噴出してもよい。

供給凹部６３は、処理空間Ｓに開口する横方流体吐出部７１を構成する。処理流体Ｆは、横方流体吐出部７１から処理空間Ｓに向けて吐出され、保持位置に配置される基板Ｗの周囲を通って、排出ヘッダー６２に至る。

このように本例では、保持位置に配置されている基板Ｗから水平方向に離れて位置付けられる供給ヘッダー６１（供給案内路６６、各供給開口部６７及び供給凹部６３）によって、処理流体Ｆを処理空間Ｓに導く供給路が構成される。

供給凹部６３には、供給案内部材（第１供給案内部材）８０の少なくとも一部が位置付けられている。

供給案内部材８０は、複数の供給開口部６７と、処理空間Ｓにおいて基板Ｗが位置付けられる保持位置との間に位置し、各供給開口部６７と対向する。供給案内部材８０は、各供給開口部６７から供給凹部６３に流入した処理流体Ｆを案内して、横方流体吐出部７１から処理空間Ｓに向けて流出させる。

具体的には、供給案内部材８０は、各供給開口部６７からの処理流体Ｆを、処理空間Ｓ（特に保持位置に配置されている基板Ｗ）に向けて案内しつつ、各供給開口部６７の開口面積よりも大きな面積の範囲に拡げるように案内する。これにより、流れが均一化された処理流体Ｆを、基板Ｗ（特に基板Ｗの上面）の周囲に向けて送り出すことができ、基板Ｗの乾燥処理を安定化させることができる。

なお、ここで言う「面積」は、例えば、Ｙ軸方向（水平方向）に垂直な面（ＸーＺ平面）を基準とすることができる。処理流体Ｆの範囲が供給案内部材８０により拡げられる具体的な方向は限定されない。供給案内部材８０によって、Ｙ軸を基準とした１又は複数の放射方向に、処理流体Ｆの範囲が拡げられてもよい。例えば、処理流体Ｆの範囲は、Ｘ軸方向に拡げられてもよいし、Ｚ軸方向に拡げられてもよいし、Ｘ軸方向及びＺ軸方向の両者に対して傾斜する方向に拡げられてもよい。

このように図８に示す供給案内部材８０は、各供給開口部６７と保持位置との間において、保持位置に配置されている基板Ｗから水平方向に離れて位置付けられる。

供給案内部材８０の具体的な構造は限定されず、供給案内部材８０の具体的な構造例が後述される（図９～図１２参照）。

排出ヘッダー６２は、処理空間Ｓの他方側の開口を覆うように設けられる。排出ヘッダー６２は、圧力容器６０の内側の処理空間Ｓから処理流体Ｆが流入する複数の排出開口部６８を有し、処理空間Ｓからの処理流体Ｆの排出を促す流体排出部として機能する。

排出ヘッダー６２の具体的な構造は限定されない。本例の排出ヘッダー６２は、排出本体部６２ａと、排出本体部６２ａに取り付けられる排出回転軸部６２ｂ及び排出路形成部６２ｃと、を有する。図３～図８に示す排出本体部６２ａ、排出回転軸部６２ｂ及び排出路形成部６２ｃは、同一部材によって、一体的に構成されている。

排出ヘッダー６２は移動可能に設けられ、処理空間Ｓの他方側の開口を覆う閉鎖位置と、処理空間Ｓの他方側の開口を覆わない開放位置とに配置可能である。具体的には、制御装置４（図１参照）の制御下で、開閉駆動装置（図示省略）からの動力が排出回転軸部６２ｂに伝えられることによって、排出ヘッダー６２全体が水平移動及び回転移動を行う。

例えば排出ヘッダー６２は、閉鎖位置（図３及び図６参照）から水平方向（本例ではＹ軸方向）に移動して、圧力容器６０から離れる（図４参照）。そして排出ヘッダー６２は、圧力容器６０と接触又は衝突しないように排出回転軸部６２ｂを中心に回転させられることで、開放位置に配置される（図５及び図７参照）。

一方、排出ヘッダー６２を開放位置から閉鎖位置に移動させる場合には、上述の「閉鎖位置から開放位置に移動させるための一連の動作」とは逆の順序で一連の動作が行われる。

排出ヘッダー６２が閉鎖位置に配置されている状態で、排出ヘッダー６２と圧力容器６０との間には封止部材（図示省略）が位置付けられる。当該封止部材によって、排出ヘッダー６２と圧力容器６０との間における処理空間Ｓの気密性が確保される。

排出ヘッダー６２が開放位置に配置される場合、図７に示すように、処理空間Ｓは水平方向に開放される。本例の排出路形成部６２ｃは、コの字状断面を有する。これにより、排出ヘッダー６２が開放位置に配置されている状態で、排出路形成部６２ｃは、処理空間Ｓの一部又は全体を水平方向から覆わない。

処理空間Ｓへの基板Ｗの搬入の工程及び処理空間Ｓからの基板Ｗの搬出の工程の各々は、排出ヘッダー６２が開放位置に配置されている状態で行われる。すなわち第２搬送装置３１ａ（図１参照）は、基板Ｗとともに水平方向に移動して、処理空間Ｓの水平開放された開口を介して処理空間Ｓに進入し、保持部６５に当該基板Ｗを渡す。また第２搬送装置３１ａは、処理空間Ｓの水平開放された開口を介して処理空間Ｓに進入し、保持部６５から基板Ｗを受け取って、当該基板Ｗとともに水平方向に移動して処理空間Ｓから退避する。

このように排出ヘッダー６２を可動式に設けることによって、処理空間Ｓに対する基板Ｗの搬入及び搬出のための適切なクリアランスが確保される。なお、排出ヘッダー６２に加えて或いは排出ヘッダー６２の代わりに、供給ヘッダー６１が移動可能に設けられてもよい。これらの場合にも、処理空間Ｓに対する基板Ｗの搬送のための適切なクリアランスを確保することが可能である。

排出路形成部６２ｃは、図８に示すように、複数の排出開口部６８及び排出案内路６９を有する。

複数の排出開口部６８は、排出案内路６９に沿って水平方向（本例ではＸ軸方向）に並べられ、排出案内路６９に接続される。図８に示す例では、Ｘ軸方向に関し、保持位置に配置される基板Ｗの全体範囲を覆う範囲にわたって、複数の排出開口部６８が分散配置される。排出案内路６９は、水平方向（本例ではＸ軸方向）に延びる。

排出ヘッダー６２が閉鎖位置に配置されている状態で、排出路形成部６２ｃは、圧力容器６０の内側（すなわち処理空間Ｓ）に位置する。当該状態で、複数の排出開口部６８は処理空間Ｓ及び排出案内路６９に接続され、排出案内路６９の両端の開口部はそれぞれ容器排出路７０に接続される。その結果、各排出開口部６８、排出案内路６９及び各容器排出路７０がお互いにつながる。

そのため処理流体Ｆは、各排出開口部６８を介して処理空間Ｓから排出案内路６９に流入し、その後、容器排出路７０を介して排出案内路６９から第１分岐排出ライン５３ａ及び第２分岐排出ライン５３ｂに流出することが可能になる。

このように本例では、排出ヘッダー６２（各排出開口部６８及び排出案内路６９）及び圧力容器６０（各容器排出路７０）によって、処理流体Ｆを圧力容器６０内の処理空間Ｓから圧力容器６０外に導く排出路が構成される。

上述の構成を有する乾燥ユニット３２ｂにおける基板Ｗの乾燥処理は、例えば以下のように行われる。

まず排出ヘッダー６２が開放位置に配置されている状態で、基板Ｗが処理空間Ｓに搬入されて、保持位置において保持部６５により保持される（搬入処理工程）。

その後、排出ヘッダー６２が閉鎖位置に配置される。これにより処理空間Ｓは、圧力容器６０、供給ヘッダー６１及び排出ヘッダー６２によって閉じられる。ただし処理空間Ｓは、供給路（供給凹部６３、各供給開口部６７及び供給案内路６６）を介し、第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂにつながっている。また処理空間Ｓは、排出路（各排出開口部６８、排出案内路６９及び各容器排出路７０）を介し、第１分岐排出ライン５３ａ及び第２分岐排出ライン５３ｂにつながっている。

そして第１分岐供給ライン５２ａ及び第２分岐供給ライン５２ｂを介して送られてくる処理流体Ｆが、供給案内路６６、各供給開口部６７及び供給凹部６３に流入する（昇圧処理工程及び流通処理工程）。処理流体Ｆは、排出開口部６８により整流された後に横方流体吐出部７１から処理空間Ｓに吐出され、層流の状態で基板Ｗの周囲を通って排出ヘッダー６２に向かう。そして処理流体Ｆは、各排出開口部６８、排出案内路６９及び各容器排出路７０を通って、第１分岐排出ライン５３ａ及び第２分岐排出ライン５３ｂに流出する。

このようにして基板Ｗの周囲を連続的に流れる処理流体Ｆにより、基板Ｗは乾燥される。特に、処理流体Ｆは、供給案内部材８０により渦流や滞留が防がれた状態で基板Ｗの周囲を流れるため、基板Ｗの乾燥処理を安定的に行うことができる。その結果、基板Ｗの凹凸パターンの倒壊やパーティクルの発生を抑制することができる。

基板Ｗが十分に乾燥された後、処理空間Ｓの圧力が下げられる（減圧処理工程）。

そして、排出ヘッダー６２が開放位置に配置され、処理空間Ｓから基板Ｗが搬出される（搬出処理工程）。

次に、第１実施形態に係る供給案内部材８０の具体的な構造例を説明する。

［供給案内部材の第１構造例］
図９は、供給案内部材８０の第１構造例を示す拡大断面図である。

本例では、複数の供給開口部６７が、水平方向（特にＸ軸方向）にお互いに異なる位置に一列に設けられる。

供給案内部材８０は、水平方向（特にＸ軸方向）に延びる一体構造を有し、これらの供給開口部６７と対向する。供給案内部材８０は、ネジ、ボルト或いはビス等の固定具（図示省略）によって供給本体部６１ａに固定される。

供給案内部材８０は、各供給開口部６７から噴出された処理流体Ｆの拡散及び流速を調整しつつ、処理流体Ｆの流れの均一化に寄与する任意の形状を有することができる。供給案内部材８０の形状は、実際の設計条件や用途に応じて決められることが好ましい。

図９に示す供給案内部材８０は、翼形状を有し、供給開口部６７からの処理流体Ｆを高さ方向（Ｚ軸方向）に拡げるように案内する。供給案内部材８０は、翼の前縁部が供給開口部６７に対向し且つ翼の後縁部が処理空間Ｓ（保持位置に配置される基板Ｗ）に向けられるように、配置される。供給案内部材８０の上面及び下面は、滑らかな表面形状を有し、供給開口部６７から処理空間Ｓ（特に保持位置に配置される基板Ｗ）に向かう処理流体Ｆの流れを阻害しない。

供給凹部６３における処理流体Ｆの流路は、供給本体部６１ａ及び供給案内部材８０により区画される。図９に示す供給案内部材８０は、供給開口部６７から処理空間Ｓに向かう方向（Ｙ軸方向）に関し、高さ方向に徐々に大きくなった後、高さ方向に徐々に小さくなる。そのため、供給凹部６３における処理流体Ｆの流路は、供給開口部６７から処理空間Ｓに向かう方向（Ｙ軸方向）に関し、高さ方向に徐々に狭まった後、高さ方向に徐々に拡大する。

このような翼形状を有する供給案内部材８０は、各供給開口部６７から基板Ｗ（保持位置）に向かう方向（Ｙ軸方向）への処理流体Ｆの流れを確保しつつ、Ｙ軸方向に垂直な方向へ処理流体Ｆを拡げるように案内するのに有効である。ただし、供給案内部材８０の具体的な翼形状（例えば翼弦長、中心線、最大翼厚及び最大キャンパ）は限定されない。

処理流体Ｆは、供給案内部材８０により案内され、供給案内部材８０の後方（すなわち保持位置に配置されている基板Ｗ側）に進むに従い、段階的に供給案内部材８０から剥離する。早い段階で供給案内部材８０から剥離した処理流体Ｆは、横方流体吐出部７１の高さ方向端部（上下端部）に向かって進行する傾向が強い。遅い段階で供給案内部材８０から剥離した処理流体Ｆは、横方流体吐出部７１の高さ方向中央部に向かって進行する傾向が強い。

最適な翼断面（エアフォイル）を有する供給案内部材８０を使って処理流体Ｆを処理空間Ｓに吐出することで、処理空間Ｓにおける処理流体Ｆの流速分布を改善し、初期昇圧時の基板Ｗからの液体の飛散や局所的な乾燥を抑制することができる。

供給凹部６３は、各供給開口部６７から遠ざかるに従って（すなわち処理空間Ｓ（特に保持位置に配置される基板Ｗ）に近づくに従って）、徐々に開口面積が大きくなる。処理流体Ｆは、各供給開口部６７から吐出された直後に供給案内部材８０に衝突して拡散させられ、処理流体Ｆの流速分布が平滑化される。

具体的には、処理流体Ｆは、供給案内路６６によってＸ軸方向（水平方向）に拡散され、その後、各供給開口部６７から噴出されて供給案内部材８０に衝突することでＺ軸方向に拡散される。その後、供給凹部６３のうち供給本体部６１ａと供給案内部材８０との間で局所的に狭められた部分において、処理流体ＦのＹ軸方向（水平方向）への流速が均一化される。その後、供給案内部材８０の表面からの処理流体Ｆの段階的剥離によって、処理流体Ｆは、再びＺ軸方向に拡散される。

処理流体Ｆは、これらの多段階の拡散工程を経て、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の各々に流れが均一化された後、横方流体吐出部７１から処理空間Ｓに流入する。

このように本構造例の供給案内部材８０によれば、処理流体Ｆは各供給開口部６７からの噴出直後に流速が低減されて勢いが抑制され、流れ状態が一様化された状態で横方流体吐出部７１から処理空間Ｓに送り出される。そのため、超臨界状態の処理流体Ｆが基板Ｗ（特に上面）の全体にわたって均一な状態で導かれ、基板Ｗの乾燥の局所的な進行を抑えて、基板Ｗの全体の乾燥処理を安定的に行うことができる。

また本構造例の供給案内部材８０は、少なくとも部分的に、供給ヘッダー６１の内側（すなわち供給凹部６３）に配置される。これにより、供給ヘッダー６１及び供給案内部材８０をユニット化することができ、圧力容器６０の構成を簡素化しうる。また省スペース構造の供給ヘッダー６１及び供給案内部材８０を用いることができる。

［シミュレーション結果］
本件発明者は、コンピュータを使ったシミュレーションを実際に行って、図９に示す第１構造例の供給ヘッダー６１及び供給案内部材８０を使った場合の処理流体Ｆの流れ状態のシミュレーション結果を考察した。

その際、図９に示す供給ヘッダー６１を具備するが、供給案内部材８０を具備しない乾燥ユニット３２ｂについても、基本的に同じ条件下でシミュレーションを行った。

乾燥ユニット３２ｂが供給案内部材８０を具備しない場合、供給開口部６７に対面する箇所と、供給開口部６７に対面しない箇所との間における、処理流体Ｆの流速差が大きかった。そのため、隣り合う供給開口部６７の間に対応する箇所（すなわち供給開口部６７に対面しない箇所）で、処理流体Ｆの渦流や滞留が生じやすいことが確認された。

なお、供給案内部材８０を設けない場合であっても、横方流体吐出部７１の断面積（特に高さ方向サイズ）を小さくすることによって、供給凹部６３における処理流体Ｆの渦流や滞留の発生を低減しうることが分かった。ただしこの場合、処理流体Ｆが横方流体吐出部７１から勢いよく吐出するため、処理空間Ｓのうち横方流体吐出部７１に対面しない箇所で、処理流体Ｆの渦流や滞留が生じやすいことが確認された。

このように、乾燥ユニット３２ｂが供給案内部材８０を具備しない場合には、処理流体Ｆの渦流や滞留が発生し、処理流体Ｆの流れが均一化及び安定化しにくいことが分かった。

一方、乾燥ユニット３２ｂが供給案内部材８０を具備する場合、処理流体Ｆの渦流や滞留の発生が有効に低減され、処理流体Ｆが基板Ｗの周囲を淀みなくスムーズに流れ、処理流体Ｆの流れの均一化及び安定化が促されることが分かった。

［供給案内部材の第２構造例］
本構造例において、上述の第１構造例と同様の事項については、詳細な説明を省略する。

図１０は、供給案内部材８０の第２構造例を示す拡大断面図である。

供給凹部６３には、複数の供給案内部材８０が設けられている。各供給案内部材８０は、翼形状を有し、供給凹部６３のＸ軸方向全体にわたって延び、供給本体部６１ａに固定されている。

これらの供給案内部材８０は、各供給開口部６７から保持位置に向かう方向（Ｙ軸方向）に、多段的に設けられている。すなわちＹ軸方向に関する第１配置位置に１以上の供給案内部材８０が設けられ、Ｙ軸方向に関して第１配置位置とは異なる第２配置位置に１以上の供給案内部材８０が設けられる。

図１０に示す例では、Ｙ軸方向に関して前段（すなわち供給開口部６７側）に位置する供給案内部材８０に対して高さ方向の上側及び下側の各々に、別の供給案内部材８０が位置する。これにより、前段の供給案内部材８０によって上下方向に拡散された処理流体Ｆが、後段（すなわち保持位置側）の供給案内部材８０によって更に上下方向に拡散される。その結果、各供給開口部６７から基板Ｗ（保持位置）に向かう方向（Ｙ軸方向）への処理流体Ｆの流れを確保しつつ、高さ方向に関する処理流体Ｆの拡散をより一層効果的に促すことができる。

なお図１０には複数の供給案内部材８０が簡略化されて示されており、供給案内部材８０の数、形状及び配置位置は限定されない。

このように本構造例の複数の供給案内部材８０によれば、処理流体Ｆを複数段階にわたって高さ方向に拡散して、より均一な流れ状態で横方流体吐出部７１から吐出することができる。

［供給案内部材の第３構造例］
本構造例において、上述の第１構造例と同様の事項については、詳細な説明を省略する。

図１１は、供給案内部材８０の第３構造例を示す拡大断面図である。

供給案内部材８０は、各供給開口部６７からの処理流体Ｆの案内の状態を変えるように可動に設けられている。図１１に示す翼形状の供給案内部材８０は、実線及び二点鎖線で示されるように、供給凹部６３において回転移動（揺動）する。

供給案内部材８０は、制御装置４の制御下で図示しない駆動装置により動かされてもよいし、手動的に操作者が供給案内部材８０を回転させて供給案内部材８０の向きを調整してもよい。

本構造例の供給案内部材８０によれば、高さ方向に関し、処理流体Ｆの流速（流量）のバランスを適宜変えることが可能である。

［供給案内部材の第４構造例］
本構造例において、上述の第１構造例と同様の事項については、詳細な説明を省略する。

図１２は、供給案内部材８０の第４構造例を示す拡大断面図である。

複数の供給開口部６７は、高さ方向に異なる位置に設けられる２以上の供給開口部６７を含んでいてもよい。そして供給案内部材８０は、高さ方向にお互いに異なる位置に設けられる複数の供給開口部６７と対向する一体構造を有していてもよい。

図１２に示す例では、３つの供給開口部６７が高さ方向に並べられ、翼形状の供給案内部材８０が、供給凹部６３においてこれらの３つの供給開口部６７と対向する。

高さ方向にお互いに異なる位置に設けられる複数の供給開口部６７と、供給案内部材８０との間には、合流路７２が設けられている。合流路７２は、少なくとも部分的に、供給凹部６３により構成される。複数の供給開口部６７から噴出した処理流体Ｆは、合流路７２において少なくとも部分的に合流し、その後に供給案内部材８０に衝突して供給案内部材８０により案内される。

本構造例によれば、高さ方向に異なる位置に設けられる複数の供給開口部６７によって、処理流体Ｆは、供給案内部材８０に到達する前に、高さ方向に拡散される。

また高さ方向に異なる位置に設けられる複数の供給開口部６７から噴出される処理流体Ｆは、合流路７２において合流することで、供給案内部材８０に到達する前に、流れの均一化が促される。

［第２実施形態］
本実施形態の乾燥ユニット３２ｂにおいて、上述の第１実施形態の乾燥ユニット３２ｂにおける要素と同一又は対応の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図１３～図１５は、第２実施形態に係る乾燥ユニット３２ｂの一例の断面を上方から見た図であり、それぞれ第５～第７構造例の供給案内部材８０を図示する。

本実施形態の供給ヘッダー６１の供給本体部６１ａは、供給案内路６６及び複数の供給開口部６７を有するが、供給凹部６３を有していない。そのため、処理流体Ｆは、各供給開口部６７から噴出された直後に、処理空間Ｓに進入する。

供給案内部材８０は、処理空間Ｓに設けられ、各供給開口部６７と基板Ｗ（保持位置）との間において各供給開口部６７と対向しつつ、保持位置に配置されている基板Ｗを部分的に水平方向の外側から囲む。供給案内部材８０の固定方法は限定されないが、典型的には、供給案内部材８０は圧力容器６０によって直接的又は間接的に固定される。

本実施形態の乾燥ユニット３２ｂにおいても、処理流体Ｆは、各供給開口部６７から噴出された後に供給案内部材８０により拡散され、処理流体Ｆの流れの均一化が促される。そのため、処理空間Ｓにおける処理流体Ｆの渦流や滞留の発生を抑えることができる。

また基板Ｗを部分的に水平方向の外側から囲むように供給案内部材８０を設けることによって、供給案内部材８０による整流後すぐの処理流体Ｆを、基板Ｗの周囲に流すことができる。

なお供給案内部材８０は、保持位置に配置されている基板Ｗに処理流体Ｆが到達する前に処理流体Ｆを拡散及び整流する必要があるので、保持位置（基板Ｗ）と供給ヘッダー６１（各供給開口部６７）との間に設けられる。そのため処理空間Ｓに対する基板Ｗのスムーズな搬入及び搬出を行う観点から、基板Ｗは、排出ヘッダー６２側の開口を介して処理空間Ｓに搬入及び搬出されることが好ましい。

また供給案内部材８０の設置範囲は、処理空間Ｓに対する基板Ｗの搬入及び搬出を阻害しない範囲に設定されることが好ましい。したがって、処理空間Ｓにおいて基板Ｗの搬入及び搬出のための通路が確保されるように、保持位置（基板Ｗ）と排出ヘッダー６２との間に供給案内部材８０が設けられないようにすることが好ましい。

次に、第２実施形態に係る供給案内部材８０の具体的な構造例を説明する。

［供給案内部材の第５構造例］
本構造例において、上述の第１構造例と同様の事項については、詳細な説明を省略する。

図１３は、供給案内部材８０の第５構造例を示す拡大断面図である。

処理空間Ｓに設けられる供給案内部材８０は、一体構造を有し、且つ、保持位置に配置される基板Ｗの外周に沿う形状を有している。

この場合にも、供給案内部材８０は翼形状を有することができ、供給案内部材８０の前縁部を供給ヘッダー６１側に位置付けつつ、供給案内部材８０の後縁部を保持位置に配置されている基板Ｗ側に位置付けてもよい。

本構造例の供給案内部材８０によれば、供給案内部材８０によって高さ方向に拡散されて整流された直後の処理流体Ｆを、基板Ｗの周囲に流すことができる。

［供給案内部材の第６構造例］
本構造例において、上述の第５構造例と同様の事項については、詳細な説明を省略する。

図１４は、供給案内部材８０の第６構造例を示す拡大断面図である。

本構造例では、複数の供給案内部材８０が、複数の供給開口部６７の配列方向（図１４に示す例ではＸ軸方向）に並べられている。

すなわち処理空間Ｓにおいて保持位置に配置されている基板Ｗは、各供給開口部６７から第１水平方向（図１４に示す例ではＹ軸方向）に離れている。そして複数の供給案内部材８０は、第１水平方向と直角を成す第２水平方向（図１４に示す例ではＸ軸方向）に並べられるように設けられている。

このようにして第２水平方向に並べられる複数の供給案内部材８０の一方の端部は、各供給開口部６７に近い位置で各供給開口部６７に対向し、他方の端部は、保持位置に配置されている基板Ｗに近い位置で当該基板Ｗを部分的に水平方向の外側から囲む。

図１４に示す例では、各供給案内部材８０のうち供給ヘッダー６１側の端部のＹ軸方向位置は、供給案内部材８０間で同じである。一方、各供給案内部材８０のうち基板Ｗ側（すなわち排出ヘッダー６２側）の端部のＹ軸方向位置は、Ｘ軸方向位置に応じて決められ、供給案内部材８０間で必ずしも同じにはならない。したがって、各供給案内部材８０のＹ軸方向の長さは、Ｘ軸方向位置に応じて変わる。

本構造例の供給案内部材８０によれば、処理流体Ｆは、各供給開口部６７から吐出された直後から複数の供給案内部材８０により案内され、供給案内部材８０により拡散されて整流された直後の処理流体Ｆを、基板Ｗの周囲に流すことができる。

なお、図１４に示す例において、各供給案内部材８０は、各供給開口部６７からの処理流体Ｆを水平方向（図１４に示す例ではＸ軸方向）に拡げるように案内する翼形状を有する。すなわち各供給案内部材８０の流線形状表面はＸ軸方向に向けられており、各供給案内部材８０により案内される処理流体Ｆは、Ｘ軸方向に拡散するように供給案内部材８０から剥離する。したがって、Ｘ軸方向に均一的に拡散された処理流体Ｆを、保持位置に配置されている基板Ｗの周囲に流すことができる。

［供給案内部材の第７構造例］
本構造例において、上述の第５構造例と同様の事項については、詳細な説明を省略する。

図１５は、供給案内部材８０の第７構造例を示す拡大断面図である。

本構造例では、複数の供給案内部材８０が、処理空間Ｓにおいて、複数の供給開口部６７の配列方向（Ｘ軸方向）及び複数の供給開口部６７の配列方向に垂直な水平方向（Ｙ軸方向）の両方向に並べられている。

すなわち、保持位置に配置されている基板Ｗは、各供給開口部６７から第１水平方向（図１５に示す例ではＹ軸方向）に離れている。複数の供給案内部材８０は、第１水平方向（Ｙ軸方向）に並べられる２以上の供給案内部材８０と、第１水平方向と直角を成す第２水平方向（Ｘ軸方向）に並べられる２以上の供給案内部材８０と、を含む。

保持位置に配置されている基板Ｗは、部分的に、第１水平方向（Ｙ軸方向）及び第２水平方向（Ｘ軸方向）の両方に関してお互いに異なる位置に配置される２以上の供給案内部材８０によって、水平方向の外側から囲まれる。

具体的には、各供給開口部６７に近い位置で各供給開口部６７に対向する複数の供給案内部材８０だけではなく、保持位置に配置されている基板Ｗに近い位置で当該基板Ｗを部分的に水平方向の外側から囲む複数の供給案内部材８０も設けられている。

なお図１５には複数の供給案内部材８０が簡略化されて示されており、供給案内部材８０の数、形状及び配置位置は限定されない。

本構造例の供給案内部材８０によれば、処理流体Ｆは、各供給開口部６７から吐出された直後から複数の供給案内部材８０により案内され、供給案内部材８０により拡散されて整流された直後の処理流体Ｆを、基板Ｗの周囲に流すことができる。

なお、図１５に示す各供給案内部材８０は、各供給開口部６７からの処理流体Ｆを水平方向（図１４に示す例ではＸ軸方向）に拡げるように案内する翼形状を有する。したがって、Ｘ軸方向に均一的に拡散された処理流体Ｆを、保持位置に配置されている基板Ｗの周囲に流すことができる。

また図１５に示す例では、Ｙ軸方向に関して前段に位置する供給案内部材８０に対してＸ軸方向の一方側及び他方側の各々に、別の供給案内部材８０が位置する。これにより、前段の供給案内部材８０によってＸ軸方向に拡散された処理流体Ｆが、後段の供給案内部材８０によって更にＸ軸方向に拡散される。その結果、各供給開口部６７から基板Ｗ（保持位置）に向かう方向（Ｙ軸方向）への処理流体Ｆの流れを確保しつつ、Ｘ軸方向に関する処理流体Ｆの拡散をより一層効果的に促すことができる。

［第３実施形態］
本実施形態の乾燥ユニット３２ｂにおいて、上述の第１実施形態の乾燥ユニット３２ｂにおける要素と同一又は対応の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

図１６は、第３実施形態に係る乾燥ユニット３２ｂの一例の断面を上方から見た図である。図１７は、第３実施形態に係る乾燥ユニット３２ｂの一例の断面を側方から見た図である。

処理空間Ｓに処理流体Ｆを供給する流体供給部として、複数の供給開口部６７（第１供給開口部）を有する供給ヘッダー６１（第１流体供給部）に加え、複数の下方分岐路（第２供給開口部）７６を有する圧力容器６０（第２流体供給部）が設けられている。

圧力容器６０のうち下側に位置する部分には、下方案内路７５、複数の下方分岐路７６及び複数の下方供給凹部７７が形成されている。下方案内路７５、複数の下方分岐路７６及び複数の下方供給凹部７７は、保持位置に配置される基板Ｗから下方向に離れて位置する。

下方案内路７５は、高さ方向に延びる部分と、高さ方向に接続される水平方向に延びる部分と、を含む。下方案内路７５のうち高さ方向に延びる部分には、第１供給ライン５１（図２参照）が接続されている。第１供給ライン５１から供給される処理流体Ｆは、下方案内路７５の高さ方向に延びる部分を経て、水平方向に延びる部分に流入する。

複数の下方分岐路７６は、下方案内路７５の水平方向に延びる部分に接続され、お互いに半径が異なる複数の同心円に沿ってそれぞれ設けられる。

複数の下方供給凹部７７は、それぞれ、複数の下方分岐路７６に接続され、お互いに半径が異なる複数の同心円に沿って設けられる。各下方供給凹部７７は、処理空間Ｓに開口する下方流体吐出部７３を構成する。

本実施形態では、案内部材として、水平方向に関して各供給開口部６７と保持位置との間に位置する第１供給案内部材８０ａに加え、高さ方向に関してそれぞれの下方分岐路７６と保持位置との間に位置する複数の第２供給案内部材８０ｂが設けられている。

図１６及び図１７に示す複数の第２供給案内部材８０ｂは、それぞれ、複数の下方供給凹部７７に配置され、お互いに半径が異なる複数の同心円に沿って設けられる。各第２供給案内部材８０ｂは、対向する下方分岐路７６からの処理流体Ｆを、当該下方分岐路７６の開口面積よりも大きな面積の範囲に拡げるように案内する。

図１６及び図１７に示す例において、第１供給案内部材８０ａは、上述の第１構造例の供給案内部材８０（図９参照）と同じ構成を有し、第２供給案内部材８０ｂは、第１構造例の供給案内部材８０と同様の翼形状を有する。

上述の昇圧処理工程において処理空間Ｓを急速に昇圧するためには、大量の処理流体Ｆを短時間に処理空間Ｓに送り込むことが求められる。この場合、基板Ｗの上面の液体の飛散や基板Ｗの上面の局所的乾燥の進行を防ぐため、基板Ｗの横方向からの処理流体Ｆの供給開始に先立って、基板Ｗの下方からの処理流体Ｆの供給が開始されることがある。

本実施形態では、基板Ｗの下方から処理空間Ｓに供給される処理流体Ｆも、案内部材（すなわち第２供給案内部材８０ｂ）によって拡散及び整流される。このように基板Ｗの下方から処理空間Ｓに供給される処理流体Ｆの勢いを各第２供給案内部材８０ｂにより抑えて、均一な流れの処理流体Ｆを基板Ｗの下方から処理空間Ｓに送り出すことで、基板Ｗからの液体飛散や基板Ｗの局所的乾燥を抑制できる。

［第１変形例］
図１８は、第１変形例に係る乾燥ユニット３２ｂの一例の断面を側方から見た図である。

本変形例では、処理空間Ｓにおいて、保持部（図示省略）により、複数の基板Ｗ（図１８に示す例では２つの基板Ｗ）が保持位置において高さ方向に並べられて保持される。また、それぞれの基板Ｗに対応する複数の供給案内部材８０が、高さ方向に並べられて設けられる。また、それぞれの基板Ｗに対応する複数の排出案内部材８３が、高さ方向に並べられて設けられる。

基板Ｗを保持する保持部（図示省略）は、任意の構成を有することができる。例えば、圧力容器６０に固定される複数の載置部であって、対応の基板Ｗを下方から支持する複数の載置部が、保持部として設けられてもよい。

各供給案内部材８０は、対応の基板Ｗの高さ方向位置に応じた高さ方向位置に設けられる。各供給案内部材８０は、対応の供給開口部６７に対向するように位置付けられている。

図１８に示す例では、上述の図９に示す例と同様に１つの供給案内部材８０に対して１つの供給開口部６７が対応付けられており、２つの供給開口部６７が高さ方向に並べられている。各供給開口部６７は、供給本体部６１ａが有する供給案内路６６及び対応の供給凹部６３に接続されている。図１８に示す例では、複数の供給開口部６７に対して共通の供給案内路６６が接続されているが、複数の供給開口部６７は別々に設けられる供給案内路６６に接続されてもよい。

各供給案内部材８０は、一部又は全体が対応の供給凹部６３に位置付けられている。

図１８に示す各供給案内部材８０は、図９に示す供給案内部材８０と同様の翼形状を有するが、他の形状（例えば図１０～図１２参照）を有していてもよい

各排出案内部材８３は、対応の基板Ｗの高さ方向位置に応じた高さ方向位置に設けられ、対応の排出開口部６８に対向するように位置付けられている。

図１８に示す例では、１つの排出案内部材８３に対して１つの排出開口部６８が対応付けられており、２つの排出開口部６８が高さ方向に並べられている。各排出開口部６８は、排出本体部６２ａが有する排出案内路６９及び対応の排出凹部８４に接続されている。図１８に示す例では、複数の排出開口部６８に対して共通の排出案内路６９が接続されているが、複数の排出開口部６８は別々に設けられる排出案内路６９に接続されてもよい。

各排出案内部材８３は、一部又は全体が対応の各排出凹部８４に位置付けられている。各排出凹部８４は、処理空間Ｓに開口する流体流出部８５を構成する。図１８に示す各排出案内部材８３は、供給案内部材８０と同様の翼形状を有するが、他の形状（例えば図１０～図１２参照）を有していてもよい。

本変形例の乾燥ユニット３２ｂによれば、圧力容器６０の内側の処理空間Ｓから処理流体Ｆが流入する排出開口部６８と保持位置（基板Ｗ）との間で排出開口部６８と対向する排出案内部材８３によって、処理流体Ｆが処理空間Ｓから排出開口部６８に案内される。そのため、保持位置に配置される基板Ｗから各排出開口部６８に向かう処理流体Ｆの流れを排出案内部材８３により整えることができ、処理流体Ｆの渦流や滞留の発生を抑制することができる。

また、高さ方向に複数の供給案内部材８０を設けることによって、処理空間Ｓの高さ方向のサイズが大きい場合であっても、処理空間Ｓ全体における処理流体Ｆの流れを整えて、処理流体Ｆの渦流や滞留の発生を抑えることができる。

また、処理空間Ｓにおいて複数の基板Ｗが配置される場合に、それぞれの基板Ｗに向けて処理流体Ｆを案内する複数の供給案内部材８０を設けることによって、流れが均一化された処理流体Ｆを各基板Ｗの周囲に向けて送り出すことができる。

なお、処理空間Ｓにおいて複数の基板Ｗが配置される上述の装置構成や排出案内部材８３が設けられる上述の装置構成は、様々な装置及び方法に適用可能であり、例えば上述の各実施形態及び各構造例に対しても適用可能である。

［他の変形例］
基板Ｗは、トレイ等の保持部（図示省略）により保持された状態で、当該保持部とともに処理空間Ｓに対して搬入及び搬出されてもよい。そのような保持部は、例えば供給ヘッダー６１及び排出ヘッダー６２のうちの可動式のヘッダーに取り付けられてもよい。

例えば、排出ヘッダー６２が移動可能に設けられる場合、排出ヘッダー６２が開放位置に配置されている状態で、第２搬送装置３１ａ（図１参照）によって、排出ヘッダー６２に取り付けられたトレイ（図示省略）に基板Ｗが載せられてもよい。この場合、排出ヘッダー６２が開放位置から閉鎖位置に移動することによって、基板Ｗはトレイとともに処理空間Ｓに搬入される。また、排出ヘッダー６２が閉鎖位置から開放位置に移動することによって、基板Ｗはトレイとともに処理空間Ｓから搬出される。

なお、基板Ｗの上面に液膜Ｌが形成されている場合、基板Ｗの上面が上方に向けられた状態で、基板Ｗはトレイに載せられる。そして、基板Ｗの上面が上方に向けられた状態を維持しつつ、排出ヘッダー６２が閉鎖位置と開放位置との間を移動する。

本明細書で開示されている実施形態及び変形例はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態及び変形例は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。

また上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーは限定されない。例えば上述の基板処理装置が他の装置に応用されてもよい。また上述の基板処理方法に含まれる１又は複数の手順（ステップ）をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的（ｎｏｎ－ｔｒａｎｓｉｔｏｒｙ）な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。

３２ｂ 乾燥ユニット
６０ 圧力容器
６１ 供給ヘッダー
６５ 保持部
６７ 供給開口部
８０ 供給案内部材
Ｆ 処理流体
Ｌ 液膜
Ｓ 処理空間
Ｗ 基板

Claims (16)

1. 液体が付着した基板を、超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる基板処理装置であって、
   前記基板を内側に収容する処理容器と、
   前記処理容器の内側の保持位置において前記基板を保持する保持部と、
   前記処理容器の内側に向けて前記処理流体を吐出する供給開口部を有する流体供給部と、
   前記供給開口部と前記保持位置との間において前記供給開口部と対向し、前記供給開口部からの前記処理流体を、前記供給開口部の開口面積よりも大きな面積の範囲に拡げるように案内する供給案内部材と、
   を備える基板処理装置。
2. 前記供給案内部材は、翼形状を有する請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記供給案内部材は、前記供給開口部からの前記処理流体を高さ方向に拡げるように案内する請求項１又は２に記載の基板処理装置。
4. 前記供給案内部材は、前記供給開口部からの前記処理流体を水平方向に拡げるように案内する請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記流体供給部は、前記供給開口部に接続される供給凹部であって、前記供給開口部から遠ざかるに従って徐々に開口面積が大きくなる供給凹部を有し、
   前記供給案内部材の少なくとも一部は、前記供給凹部に位置付けられる請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記供給案内部材は、前記供給開口部からの前記処理流体の案内の状態を変えるように可動に設けられている請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 前記供給案内部材は、前記保持位置に配置されている前記基板を部分的に水平方向の外側から囲む請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記供給開口部は複数設けられ、
   前記複数の供給開口部は、水平方向にお互いに異なる位置に設けられる２以上の供給開口部を含み、
   前記供給案内部材は、水平方向にお互いに異なる位置に設けられる２以上の供給開口部と対向する一体構造を有する請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記供給開口部は複数設けられ、
   前記複数の供給開口部は、高さ方向にお互いに異なる位置に設けられる２以上の供給開口部を含み、
   前記供給案内部材は、高さ方向にお互いに異なる位置に設けられる２以上の供給開口部と対向する一体構造を有する請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記供給案内部材は複数設けられ、
    前記複数の供給案内部材は、前記供給開口部から前記保持位置に向かう方向に関する第１配置位置に設けられる１以上の前記供給案内部材と、前記供給開口部から前記保持位置に向かう方向に関して前記第１配置位置とは異なる位置である第２配置位置に設けられる１以上の前記供給案内部材と、を含む請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 前記供給案内部材は複数設けられ、
    前記保持位置に配置されている前記基板は、前記供給開口部から第１水平方向に離れており、
    前記複数の供給案内部材は、前記第１水平方向と直角を成す第２水平方向に並べられる２以上の供給案内部材を含み、
    前記第２水平方向に並べられる２以上の供給案内部材は、前記保持位置に配置されている前記基板を部分的に水平方向の外側から囲む請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
12. 前記供給案内部材は複数設けられ、
    前記保持位置に配置されている前記基板は、前記供給開口部から第１水平方向に離れており、
    前記複数の供給案内部材は、前記第１水平方向に並べられる２以上の供給案内部材と、前記第１水平方向と直角を成す第２水平方向に並べられる２以上の供給案内部材と、を含み、
    前記第１水平方向及び前記第２水平方向の両方に関してお互いに異なる位置に配置される２以上の供給案内部材は、前記保持位置に配置されている前記基板を部分的に水平方向の外側から囲む請求項１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 前記流体供給部として、第１供給開口部を有する第１流体供給部が設けられ、
    前記第１供給開口部は、前記保持位置に配置されている前記基板から水平方向に離れて位置付けられており、
    前記供給案内部材として、前記第１供給開口部と前記保持位置との間に位置付けられた第１供給案内部材が設けられ、
    前記第１供給案内部材は、前記第１供給開口部からの前記処理流体を、前記第１供給開口部の開口面積よりも大きな面積の範囲に拡げるように案内する請求項１～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
14. 前記流体供給部として、第２供給開口部を有する第２流体供給部が設けられ、
    前記第２供給開口部は、前記保持位置に配置されている前記基板から下方向に離れて位置付けられており、
    前記供給案内部材として、前記第２供給開口部と前記保持位置との間に位置付けられた第２供給案内部材が設けられ、
    前記第２供給案内部材は、前記第２供給開口部からの前記処理流体を、前記第２供給開口部の開口面積よりも大きな面積の範囲に拡げるように案内する請求項１～１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
15. 前記第２供給案内部材は複数設けられ、
    前記複数の第２供給案内部材は、それぞれ、お互いに半径が異なる複数の同心円に沿って設けられる請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記処理容器の内側から前記処理流体が流入する排出開口部を有する流体排出部と、
    前記保持位置と前記排出開口部との間において前記排出開口部と対向し、前記処理容器の内側からの前記処理流体を、前記排出開口部に案内する排出案内部材と、を備える請求項１～１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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