KR101582567B1 - 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101582567B1
KR101582567B1 KR1020140052870A KR20140052870A KR101582567B1 KR 101582567 B1 KR101582567 B1 KR 101582567B1 KR 1020140052870 A KR1020140052870 A KR 1020140052870A KR 20140052870 A KR20140052870 A KR 20140052870A KR 101582567 B1 KR101582567 B1 KR 101582567B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
tank
line
liquid supply
substrate
Prior art date
Application number
KR1020140052870A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150125871A (ko
Inventor
조창희
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020140052870A priority Critical patent/KR101582567B1/ko
Publication of KR20150125871A publication Critical patent/KR20150125871A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101582567B1 publication Critical patent/KR101582567B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판으로 액을 공급하여 기판을 처리하는 제1 챔버와; 기판으로 상기 액을 공급하여 기판을 처리하는 제2 챔버와; 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버로 상기 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은, 상기 액을 저장하는 제1 탱크와; 상기 제1 탱크로부터 상기 액을 공급받는 제2 탱크와; 상기 제1 탱크에 저장된 상기 액을 상기 제1 챔버로 공급하는 제1 구동 펌프가 설치된 제1 액 공급라인과; 상기 제2 탱크에 저장된 상기 액을 상기 제2 챔버로 공급하는 제2 구동 펌프가 설치된 제2 액 공급라인과; 상기 제1 탱크에 설치되며, 상기 제1 탱크 내 액을 순환시키는 순환 펌프가 설치된 순환 라인과; 상기 순환 라인으로부터 분기되어 상기 순환 라인을 따라 흐르는 상기 액을 상기 제2 탱크로 공급하는 제1 분기 라인과; 상기 제1 액 공급라인으로부터 분기되어 상기 제1 액 공급라인을 흐르는 상기 액을 상기 제2 탱크로 공급하는 제2 분기 라인을 가진다.
본 발명에 의하면 액 공급 유닛의 탱크 간 액 교환 시간을 획기적으로 단축시킬 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD OF TREATING SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들이 수행된다. 각각의 공정에서 생성된 오염물 및 파티클을 제거하기 위해 각각의 공정이 진행되기 전 또는 후 단계에는 기판을 세정하는 세정 공정이 실시된다.
세정 공정으로는 액 공급 유닛으로부터 처리 유닛으로 액을 공급하고, 공급된 액을 이용하여 기판을 처리하는 공정이 수행된다. 액 공급 유닛에는 액을 저장하는 탱크가 제공되며, 탱크는 이에 연결되고, 온도 조절 부재가 설치된 순환라인을 따라 액을 순환시켜 액의 온도를 조절하는 구조를 가진다.
도 1은 일반적인 액 공급 유닛의 일예를 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 스트립(strip) 설비의 경우 액 교환시 캐스케이드(cascade) 방식을 이용한다. 캐스케이드는, 예를 들어, 첫 번째 탱크(1)의 액을 드레인(drain)한 후에 두 번째 탱크(2) 또는 세 번째 탱크의 액을 앞 구간으로 순차적으로 보내서 재활용하는 방식이다. 이와 같은 캐스케이드 동작시 탱크(1) 내 온도의 편차를 줄이기 위해 순환 펌프(circulation pump,3)를 밸브를 이용하여 캐스케이드 펌프(cascade pump)로 운용한다.
이 경우, 액 교환시 탱크 간 액 공급을 저출력의 순환 펌프(3)를 사용함으로써 액 교환에 오랜 시간이 소요된다. 이는 액 교환 완료 및 온도 안정화가 이루어질 때까지 설비 내 기판 처리를 할 수 없어서 생산량 감소로 연결되는 문제가 있었다.
본 발명은 액 공급 유닛의 탱크 간 액 교환 시간을 획기적으로 단축시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 동일한 액을 사용하는 처리 공정이 복수의 챔버에서 수행되는 경우 액의 재사용을 통해 액의 남용을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판으로 액을 공급하여 기판을 처리하는 제1 챔버와; 기판으로 상기 액을 공급하여 기판을 처리하는 제2 챔버와; 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버로 상기 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은, 상기 액을 저장하는 제1 탱크와; 상기 제1 탱크로부터 상기 액을 공급받는 제2 탱크와; 상기 제1 탱크에 저장된 상기 액을 상기 제1 챔버로 공급하는 제1 구동 펌프가 설치된 제1 액 공급라인과; 상기 제2 탱크에 저장된 상기 액을 상기 제2 챔버로 공급하는 제2 구동 펌프가 설치된 제2 액 공급라인과; 상기 제1 탱크에 설치되며, 상기 제1 탱크 내 액을 순환시키는 순환 펌프가 설치된 순환 라인과; 상기 순환 라인으로부터 분기되어 상기 순환 라인을 따라 흐르는 상기 액을 상기 제2 탱크로 공급하는 제1 분기 라인과; 상기 제1 액 공급라인으로부터 분기되어 상기 제1 액 공급라인을 흐르는 상기 액을 상기 제2 탱크로 공급하는 제2 분기 라인을 가진다.
일 예에 의하면, 상기 제1 구동 펌프는 상기 순환 펌프보다 더 큰 출력을 제공할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은, 상기 순환 라인으로부터 상기 제1 분기 라인이 분기된 이후 상기 순환 라인 상에 설치되어 상기 순환 라인의 상기 액의 흐름을 제어하는 순환 밸브와, 상기 제1 분기 라인 상에 설치되어 상기 제1 분기 라인의 상기 액의 흐름을 제어하는 제1 분기 밸브를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은, 상기 제2 분기 라인보다 하류에서 상기 제1 액 공급 라인 상에 설치되어 상기 제1 액 공급 라인의 상기 액의 흐름을 제어하는 액 공급 밸브와, 상기 제2 분기 라인 상에 설치되어 상기 제2 분기 라인의 상기 액의 흐름을 제어하는 제2 분기 밸브를 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은 상기 제2 탱크의 외부로 연장되게 제공되는 드레인 라인을 더 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 액 공급 유닛은, 상기 제1 챔버에 공급되어 기판의 처리에 사용된 상기 액을 상기 제1 탱크로 회수하는 제1 회수 라인과, 상기 제2 챔버에 공급되어 기판의 처리에 사용된 상기 액을 상기 제2 탱크로 회수하는 제2 회수 라인을 더 포함한다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따라 상기 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법은, 상기 제1 액 공급라인을 통해 상기 제1 챔버에 액을 공급하고 상기 제2 액 공급라인을 통해 상기 제2 챔버에 상기 액을 공급하여 기판을 처리하되, 상기 제1 탱크에서 상기 제2 탱크로 상기 액을 공급할 때에는 상기 액 공급 밸브는 닫히고 상기 제2 분기 밸브는 열린 상태에서 상기 제1 구동 펌프의 구동을 통해 이루어진다.
일 예에 의하면, 상기 제1 탱크에서 상기 제2 탱크로의 상기 액 공급은 상기 제1 구동 펌프의 구동과 동시에 상기 순환 밸브는 닫히고 상기 제1 분기 밸브는 열린 상태에서 상기 순환 펌프의 구동을 통해 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 액 공급 유닛의 탱크 간 액 교환 시간을 획기적으로 단축시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 동일한 액을 사용하는 처리 공정이 복수의 챔버에서 수행되는 경우 액의 재사용을 통해 액의 남용을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 일반적인 액 공급 유닛의 일예를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3 내지 도 5는 도 2의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 보여주는 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 각 도면은 명확한 설명을 위해 일부가 간략하거나 과장되게 표현되었다. 각 도면의 구성 요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호를 가지도록 도시되었음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 제1 챔버(100), 제2 챔버(200) 및 액 공급 유닛(300)을 포함한다. 이하 각 구성에 대해 상세히 설명한다.
제1 챔버(100)는 기판(S1)으로 액을 공급하여 기판(S1)을 처리한다. 제2 챔버(200)는 기판(S2)으로 액을 공급하여 기판(S2)을 처리한다. 즉, 제1 챔버(100)와 제2 챔버(200)에서는 유입되는 각각의 기판(S1,S2)의 처리 공정이 수행된다. 여기서 처리 공정은 에칭(etching), 스트리핑(stripping), 디벨로핑(developing) 또는 클리닝(cleaning) 등의 여러 공정이 포함될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 각각의 제1 챔버(100)와 제2 챔버(200)에는 대상 기판(S1,S2)에 대한 처리 공정을 위해 아쿠아나이프 및/또는 노즐 샤워 등이 구비된다.
기판은 제2 챔버(200)에서 먼저 1차 처리 후 제1 챔버(100)에서 2차 처리된다. 제1 기판(S1)과 제2 기판(S2)은 제2 챔버(200)에서 제1 챔버(100)로 순차적으로 이송된다. 제1 챔버(100)와 제2 챔버(200) 사이에는 기판(S)이 이동할 수 있는 공간이 제공된다. 이 경우, 기판(S)은 제1 챔버(100) 및 제2 챔버(200) 내에 각각 배치된 이송 부재(110,210)에 의해 제1 방향(D1)으로 이송된다. 이송 부재(110,210)는 일렬로 나란하게 배치된 복수의 샤프트와 각각의 샤프트에 설치되는 다수의 롤러들을 갖는다.
액 공급 유닛(300)은 제1 챔버(100) 및 제2 챔버(200)로 액을 공급한다. 액 공급 유닛(300)은 제1 탱크(310), 제2 탱크(320), 제1 액 공급라인(330), 제2 액 공급라인(340), 순환 라인(350), 제1 분기 라인(360), 그리고 제2 분기 라인(370)을 가진다.
제1 탱크(310)는 액을 저장한다. 제2 탱크(320)는 제1 탱크(310)로부터 액을 공급받는다. 여기서 액은 하나 또는 복수의 케미컬이 적용될 수 있으며, 그 하나 또는 복수의 케미컬에 순수가 혼합되어 적용될 수 있다. 또한, 상기 케미컬은 순수(DI)만이 적용될 수도 있다. 외부의 액 공급 장치(미도시)는 제1 탱크(310)로 액을 공급한다. 따라서 제1 탱크(310)에 저장된 액은 그 순도가 가장 높다.
제1 액 공급라인(330)에는 제1 구동 펌프(331)가 설치된다. 제1 구동 펌프(331)는 제1 탱크(310)에 저장된 액을 제1 챔버(100)로 공급한다. 제2 액 공급 라인(340)에는 제2 구동 펌프(341)가 설치된다. 제2 구동 펌프(341)는 제2 탱크(320)에 저장된 액을 제2 챔버(200)로 공급한다.
순환 라인(350)은 제1 탱크(310)에 설치된다. 순환 라인(350)에는 순환 펌프(351)가 설치된다. 순환 펌프(351)는 액의 온도 조절 등을 위해 제1 탱크(100) 내 액을 순환시킨다. 제1 구동 펌프(331)는 순환 펌프(351)보다 더 큰 출력을 제공할 수 있다. 일 예로, 제1 구동 펌프(331)는 고출력의 스프레이 펌프(spray pump)가 사용될 수 있다.
제1 분기 라인(360)은 순환 라인(350)으로부터 분기된다. 제1 분기 라인(360)은 순환 라인(350)을 따라 흐르는 액을 제2 탱크(320)로 공급한다. 제2 분기 라인(370)은 제1 액 공급라인(330)으로부터 분기된다. 제2 분기 라인(370)은 제1 액 공급라인(330)을 흐르는 액을 제2 탱크(320)로 공급한다.
즉, 본 발명은 탱크 간 캐스케이드 방식의 액 공급 시간 단축을 위해 제1 분기 라인(360) 외에 별도의 캐스케이드 라인(cascade line), 즉 제2 분기 라인(370)을 구성한다. 고출력의 제1 구동 펌프(331)를 통해 제2 분기 라인(370)에는 저출력의 순환 펌프(351)를 이용한 제1 분기 라인(360)보다 단위 시간당 액의 공급량이 더 많게 된다.
액 공급 유닛(300)은 순환 밸브(352), 제1 분기 밸브(361), 액 공급 밸브(332), 제2 분기 밸브(371), 액 제공 밸브(342), 드레인 라인(380), 제1 회수 라인(391), 그리고 제2 회수 라인(392)을 더 포함한다.
순환 밸브(352)는 순환 라인(350)으로부터 제1 분기 라인(360)이 분기된 이후 순환 라인(350) 상에 설치된다. 즉, 순환 밸브(352)는 제1 분기 라인(360)보다 하류에서 순환 라인(350) 상에 설치된다. 순환 밸브(352)는 순환 라인(352)의 액의 흐름을 제어한다.
제1 분기 밸브(361)는 제1 분기 라인(360) 상에 설치된다. 제1 분기 밸브(361)는 제1 분기 라인(360)의 액의 흐름을 제어한다.
액 공급 밸브(332)는 제2 분기 라인(370)보다 하류에서 제1 액 공급 라인(330) 상에 설치된다. 액 공급 밸브(332)는 제1 액 공급 라인(330)의 액의 흐름을 제어한다.
제2 분기 밸브(371)는 제2 분기 라인(370) 상에 설치된다. 제2 분기 밸브(371)는 제2 분기 라인(370)의 액의 흐름을 제어한다.
액 제공 밸브(342)는 제2 액 공급라인(340) 상에 설치된다. 액 제공 밸브(342)는 제2 액 공급라인(340)의 액의 흐름을 제어한다.
따라서, 본 발명은 밸브들(332,352,361,371)을 적절히 개폐하고 제1 액 공급 라인(330)에 설치된 고출력의 제1 구동 펌프(331)를 이용하면서 제2 분기 라인(370)을 통해 제1 탱크(310)에서 제2 탱크(320)로의 액을 공급할 수 있다. 이는 순환 라인(350)에 설치된 저출력의 순환 펌프(351)와 제1 분기 라인(360)을 통해 액을 공급하는 방식보다 탱크 간 액 교환 시간을 획기적으로 단축시킬 수 있다.
제1 회수 라인(391)은 제1 챔버(100)와 제1 탱크(310) 사이에 설치된다. 제1 회수 라인(391)은 제1 챔버(100)에 공급되어 기판(S1)의 처리에 사용된 액을 제1 탱크(310)로 회수한다.
제2 회수 라인(392)은 제2 챔버(200)와 제2 탱크(320) 사이에 설치된다. 제2 회수 라인(392)은 제2 챔버(200)에 공급되어 기판(S2)의 처리에 사용된 액을 제2 탱크(320)로 회수한다.
드레인 라인(380)은 제2 탱크(320)의 외부로 연장되게 제공된다. 드레인 라인(380)은 기판(S2)의 처리에 사용된 후 제2 회수 라인(392)을 통해 회수된 오염 물질이 많이 포함된 액을 드레인시킨다.
제1 탱크(310)는 외부의 액 공급 장치로부터 공급되는 액이 저장되어 액의 순도가 가장 높다. 따라서, 본 발명은 제1 탱크(310)의 액이 제1 챔버(310)에 공급된 후 회수되어 제2 탱크(320)로 공급되고 다시 제2 챔버(200)에 공급되고 재회수되는 방식으로 공급 및 회수되면서 액의 오염도가 커지는 방식으로 사용된다.
상기와 같은 구성을 갖는 기판 처리 장치(10)를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 3 내지 도 5는 도 2의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 보여주는 도면이다. 도 3 내지 도 5에서 밸브 내부가 진한 색채로 표시되면 그 밸브는 닫힌 상태이고 그렇지 않으면 열린 상태를 의미한다.
먼저, 제1 액 공급라인(330)을 통해 제1 챔버(100)에 액을 공급하고, 제2 액 공급라인(340)을 통해 제2 챔버(200)에 액을 공급하여 기판(S1,S2)을 처리한다.
도 3을 참조하면, 제1 및 제2 챔버(100,200)로의 액 공급은 액 공급 밸브(332), 액 제공 밸브(342) 및 순환 밸브(352)는 열리고, 제1 분기 밸브(361) 및 제2 분기 밸브(371)는 닫힌 상태에서 이루어진다.
이후, 제1 탱크(310)는 제2 탱크(320)에 액을 공급한다.
도 4를 참조하면, 제1 탱크(310)에서 제2 탱크(320)로 액을 공급할 때에는, 먼저 제2 탱크(320)의 액을 드레인 라인(380)을 통해 모두 드레인한다. 제2 탱크(320)의 드레인이 완료되면 액 공급 밸브(332)와 액 제공 밸브(342)는 닫고 제2 분기 밸브(371)는 연다.
이후, 제1 구동 펌프(331)의 구동을 통해 제2 분기 라인(370)을 이용하여 제1 탱크(310)에서 제2 탱크(320)로의 액 공급이 이루어진다.
또한, 제1 탱크(310)에서 제2 탱크(320)로의 액 공급은 제1 구동 펌프(331)의 구동과 동시에 순환 밸브(352)는 닫고 제1 분기 밸브(361)는 열린 상태에서 순환 펌프(351)의 구동을 통해 수행된다.
따라서 본 발명은 저출력의 순환 펌프(351)에 고출력의 제1 구동 펌프(331)를 추가 혹은 동시에 사용함으로써 탱크 간 액 교환을 매우 빠르게 수행할 수 있다. 더불어, 본 발명은 탱크 간 액 공급량을 정밀하게 제어하기 위해 고출력의 제1 구동 펌프(331)와 저출력의 순환 펌프(351)를 차등 제어하는 방식으로 운영할 수도 있다.
이후, 제1 탱크(310)에서 제2 탱크(320)로 액 공급이 완료되면 제2 분기 밸브(371)는 닫히고 액 공급 밸브(332)는 열려 제1 구동 펌프(331)는 제1 챔버(100)에 액을 공급하도록 전환된다.
이후, 도 5를 참조하면, 제1 탱크(310)에는 외부의 액 공급원으로부터 액 제공 라인(393)을 통해 새로운 액이 채워진다. 액 제공 라인(393) 상에는 밸브(393a)가 설치된다. 제1 탱크(310)에 새로운 액이 채워질 때 밸브(393a)는 오픈된다.
상기와 같은 구성 및 방법을 갖는 본 발명은 액 공급 유닛(300)의 탱크 간 액 교환 시간을 획기적으로 단축시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 동일한 액을 사용하는 처리 공정이 복수의 챔버에서 수행되는 경우 액의 재사용을 통해 액의 남용을 방지할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10 : 기판 처리 장치 100 : 제1 챔버
200 : 제2 챔버 300 : 액 공급 유닛
310 : 제1 탱크 320 : 제2 탱크
330 : 제1 액 공급라인 331 : 제1 구동 펌프
332 : 액 공급 밸브 340 : 제2 액 공급라인
341 : 제2 구동 펌프 350 : 순환 라인
351 : 순환 펌프 352 : 순환 밸브
360 : 제1 분기 라인 361 : 제1 분기 밸브
370 : 제2 분기 라인 371 : 제2 분기 밸브
380 : 드레인 라인 391 : 제1 회수 라인
392 : 제2 회수 라인

Claims (8)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판으로 액을 공급하여 기판을 처리하는 제1 챔버와;
    기판으로 상기 액을 공급하여 기판을 처리하는 제2 챔버와;
    상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버로 상기 액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
    상기 액 공급 유닛은,
    상기 액을 저장하는 제1 탱크와;
    상기 제1 탱크로부터 상기 액을 공급받는 제2 탱크와;
    상기 제1 탱크에 저장된 상기 액을 상기 제1 챔버로 공급하는 제1 구동 펌프가 설치된 제1 액 공급라인과;
    상기 제2 탱크에 저장된 상기 액을 상기 제2 챔버로 공급하는 제2 구동 펌프가 설치된 제2 액 공급라인과;
    상기 제1 탱크에 설치되며, 상기 제1 탱크 내 액을 순환시키는 순환 펌프가 설치된 순환 라인과;
    상기 순환 라인으로부터 분기되어 상기 순환 라인을 따라 흐르는 상기 액을 상기 제2 탱크로 공급하는 제1 분기 라인과;
    상기 제1 액 공급라인으로부터 분기되어 상기 제1 액 공급라인을 흐르는 상기 액을 상기 제2 탱크로 공급하는 제2 분기 라인을 가지고,
    상기 제1 구동 펌프는 상기 순환 펌프보다 더 큰 출력을 제공할 수 있는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은,
    상기 순환 라인으로부터 상기 제1 분기 라인이 분기된 이후 상기 순환 라인 상에 설치되어 상기 순환 라인의 상기 액의 흐름을 제어하는 순환 밸브와,
    상기 제1 분기 라인 상에 설치되어 상기 제1 분기 라인의 상기 액의 흐름을 제어하는 제1 분기 밸브를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은,
    상기 제2 분기 라인보다 하류에서 상기 제1 액 공급 라인 상에 설치되어 상기 제1 액 공급 라인의 상기 액의 흐름을 제어하는 액 공급 밸브와,
    상기 제2 분기 라인 상에 설치되어 상기 제2 분기 라인의 상기 액의 흐름을 제어하는 제2 분기 밸브를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은 상기 제2 탱크의 외부로 연장되게 제공되는 드레인 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은,
    상기 제1 챔버에 공급되어 기판의 처리에 사용된 상기 액을 상기 제1 탱크로 회수하는 제1 회수 라인과,
    상기 제2 챔버에 공급되어 기판의 처리에 사용된 상기 액을 상기 제2 탱크로 회수하는 제2 회수 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 4항의 상기 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서, 상기 제1 액 공급라인을 통해 상기 제1 챔버에 액을 공급하고 상기 제2 액 공급라인을 통해 상기 제2 챔버에 상기 액을 공급하여 기판을 처리하되, 상기 제1 탱크에서 상기 제2 탱크로 상기 액을 공급할 때에는 상기 액 공급 밸브는 닫히고 상기 제2 분기 밸브는 열린 상태에서 상기 제1 구동 펌프의 구동을 통해 이루어지는 기판 처리 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 탱크에서 상기 제2 탱크로의 상기 액 공급은 상기 제1 구동 펌프의 구동과 동시에 상기 순환 밸브는 닫히고 상기 제1 분기 밸브는 열린 상태에서 상기 순환 펌프의 구동을 통해 이루어지는 기판 처리 방법.
KR1020140052870A 2014-04-30 2014-04-30 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 KR101582567B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140052870A KR101582567B1 (ko) 2014-04-30 2014-04-30 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140052870A KR101582567B1 (ko) 2014-04-30 2014-04-30 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150125871A KR20150125871A (ko) 2015-11-10
KR101582567B1 true KR101582567B1 (ko) 2016-01-08

Family

ID=54605304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140052870A KR101582567B1 (ko) 2014-04-30 2014-04-30 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101582567B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107863313B (zh) * 2017-11-21 2020-12-04 长江存储科技有限责任公司 用于晶圆刻蚀的化学液供应装置及化学液供应方法
KR102232835B1 (ko) * 2019-12-31 2021-03-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034593A (ja) 2006-07-28 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 薬液処理装置及び薬液供給方法並びに薬液供給プログラム
JP2008187013A (ja) 2007-01-30 2008-08-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034593A (ja) 2006-07-28 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 薬液処理装置及び薬液供給方法並びに薬液供給プログラム
JP2008187013A (ja) 2007-01-30 2008-08-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150125871A (ko) 2015-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102003128B1 (ko) 기판습식 처리장치
US9466513B2 (en) Treatment liquid supply apparatus and substrate treatment apparatus including the same
TWI616968B (zh) 基板液體處理裝置、基板液體處理裝置之清洗方法及記錄媒體
TWI402902B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
CN111316400A (zh) 基板处理装置、基板处理装置的清洗方法
KR101042805B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101582567B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR102611293B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체
JP6223906B2 (ja) 処理液交換方法および液処理装置
JP5977058B2 (ja) 処理液供給装置および処理液供給方法
JP6371716B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6203489B2 (ja) 基板処理装置及びその洗浄方法
WO2017043495A1 (ja) 基板液処理装置及び流路洗浄方法
JP2013207207A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
KR20190019007A (ko) 약액 공급 장치, 기판 처리 장치, 약액 공급 방법, 및 기판 처리 방법
KR101308398B1 (ko) 약액 회수장치 및 이를 이용한 약액 회수방법
JP6576770B2 (ja) 基板処理装置におけるフィルタ交換方法
JP2009141182A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR102654039B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
JP2016063204A (ja) 基板処理装置の洗浄方法及び基板処理装置
TWI830345B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP2009081248A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US10916454B2 (en) Method of stripping a photoresist, and method of manufacturing a semiconductor device
JP7125280B2 (ja) 洗浄方法および洗浄装置
KR20070013488A (ko) 냉각 유체 회수 시스템을 갖는 반도체 제조 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191220

Year of fee payment: 5