KR102003128B1 - 기판습식 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판습식 처리장치를 공개하였고, 기판에 대하여 습식처리과정을 한다. 상기 기판습식 처리장치는 기판에 대하여 상기 함침처리과정을 진행하는 함침처리탱크; 기판 반전 스테이지를 포함하는 분무세척처리탱크; 기판에 대하여 세척건조과정을 진행하는 세척건조탱크를 포함하고, 기판은 기판 반전 스테이지에 놓고 기판에 대하여 분무세척처리과정을 한다.

Description

기판습식 처리장치{APPARATUS FOR SUBSTRATE WET PROCESSING}
본 발명은 기판습식 처리장치에 관한 것이고, 기판에 대하여 습식처리과정을 진행하며, 습식처리과정은 함침처리과정, 분무세척처리과정 및 세척건조과정을 포함하고, 기판에서 분무세척처리과정은 기판을 반전 상태로 하는 기판습식 처리장치이다.
반도체 제조과정에서, 기판(예하면 웨이퍼)에 대하여 여러 번의 청결과정 진행하여 기판표면의 잡질을 제거하는 것이 필요하다. 포토 리소그래피로 기판을 에칭하여 패턴을 형성한 후, 반드시 여러 번의 청결과정으로 포토 레지스트(Photo Resistor, PR) 또는 금속막(Metal Film)을 제거한다. 전통적인 제조과정은 배치로 기판을 처리하고 기판을 한꺼번에 동시에 처리하여 처리효과가 정확하지 않은 문제가 존재한다. 다른 전통적인 제조과정은 비록 단기판 수평식 처리를 사용하지만 세척단계에서 기판이 정방향 위치로 회전하여 세척할 때, 세척과정에서 기판과 세척액이 생성한 제거물 또는 박리물은 기판을 재오염파괴시킨다. 상술한 전통적인 제조과정에서 처리과정의 효과는 정확하지 않거나 기판 오염파괴 등 문제가 있어 종래의 기술을 개선할 필요가 있는 실정이다.
본 발명은 기판에 대하여 습식처리과정을 진행하고, 습식처리과정은 함침처리과정, 분무세척처리과정 및 세척건조과정을 포함하고, 기판에서 분무세척처리과정은 기판을 반전 상태로 하는 기판습식 처리장치이다.
이런 기판습식 처리장치는 기판에 대하여 습식처리과정을 진행하고, 습식처리과정은 함침처리과정, 분무세척처리과정 및 세척건조과정을 포함한다. 기판습식 처리장치는 함침처리탱크, 분무세척처리탱크 및 세척건조탱크를 포함하고, 함침처리탱크는 기판에 대하여 함침처리과정을 진행하고, 분무세척처리탱크sms 기판에 대하여 분무세척처리과정을 하며, 분무세척처리탱크는 기판 반전 스테이지를 포함하고, 기판은 기판 반전 스테이지에 놓으며, 세척건조탱크는 기판에 대하여 상기 세척건조과정을 진행하고, 처리과정 제어유닛은 함침처리탱크, 분무세척처리탱크 및 세척건조탱크를 전기적으로 연결하고, 처리과정 제어유닛은 기판이 기판습식 처리장치 내에서의 습식처리과정을 제어한다.
본 발명은 기판 분무세척처리과정에서 기판을 반전으로 탱크 내에 놓는 것을 통하여 분무세척처리를 하고, 분무세척과정에서 전통적인 기판의 비반전 상태에 비하면 제거물 또는 박리물을 더 쉽게 제거할 수 있으며 다시 붙는 등 문제를 방지한다.
본 발명은 함침처리탱크와 분무세척처리탱크를 같은 탱크본체의 기판습식 처리장치에 설치하여 전송시간을 감소하여 약액의 교차오염 발생을 피하는 것도 공개하였다.
본 발명은 함침처리탱크, 분무세척처리탱크 및 세척건조탱크를 같은 탱크본체의 기판습식 처리장치에 설치하여 습식처리과정에서 밀폐공간을 형성할 수 있어 전체 처리과정의 전송시간을 감소하고 약액의 교차오염 발생을 피하는 외에, 화학기체 발산의 문제를 방지할 수 있는 것도 공개하였다.
본 발명은 세척건조과정에서 기판을 정방향 위치로 전환하여 세척건조 하여 세척건조 후의 탈이온수가 약액에 떨어져 오염되는 것을 방지하는 것도 공개하였다.
본 명세서 내에 포함되어 있음.
도 1A는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판습식 처리장치의 설명도이다.
도 1B는 본 발명의 제1실시예에 따른 함침처리탱크에, 복수 개의 기판을 수직으로 담근 설명도이다.
도 1C는 본 발명의 제1실시예에 따른 함침처리탱크에, 복수 개의 기판을 수평으로 담근 설명도이다.
도 1D는 본 발명의 제1실시예에 따른 분무세척처리탱크의 설명도이다.
도 1E는 본 발명의 제1실시예에 따른 세척건조탱크에서 기판을 수직 처리하는 설명도이다.
도 1F는 본 발명의 제1실시예에 따른 세척건조탱크에서 기판을 수평 처리하는 설명도이다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판에 함침하는 과정의 설명도이다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 기판에 분무세척을 하는 과정의 설명도이다.
도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 설명도이다.
도 5는 본 발명의 제3실시예에 따른 세척건조탱크와 분무세척처리탱크가 상하 분리되어 기판 수출입구를 형성하는 설명도이다.
도 6은 본 발명의 제3실시예의 다른 설명도이다.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 기판에 세척건조를 하는 과정의 다른 설명도이다.
도 8은 본 발명의 제3실시예의 기판습식 처리장치의 작동 설명도이다.
도 9는 본 발명의 제3실시예의 기판습식 처리장치의 작동 설명도이다.
귀 심사위원이 본 발명의 기술내용을 더 이해하게 하기 위하여, 아래와 같이 바람직한 구체적 실시예를 예로 들어 설명한다. 아래에 도 1을 참고하여 본 발명의 제1실시예에 따른 기판습식 처리장치의 설명도이다.
도 1A와 같이, 본 발명은 기판습식 처리장치(1)를 공개하였고, 기판(90)에 대하여 습식처리과정을 하고, 습식처리과정은 함침처리과정, 분무세척처리과정 및 세척건조과정을 포함한다. 본 발명의 실시예에 따라, 기판습식 처리장치(1)는 함침처리탱크(10), 분무세척처리탱크(20), 세척건조탱크(30) 및 처리과정 제어유닛(40)을 포함하고, 처리과정 제어유닛(40)은 함침처리탱크(10), 분무세척처리탱크(20) 및 세척건조탱크(30)를 전기적으로 연결하고, 처리과정 제어유닛(40)은 기판(90)이 기판습식 처리장치(1) 내에서 습식처리과정을 제어한다.
도 1A, 도 1B와 도 1C와 같이, 제1실시예에서, 함침처리탱크(10), 분무세척처리탱크(20)와 세척건조탱크(30)는 각자 독립적인 탱크본체이고, 처리과정 제어유닛(40)은 수송도구(41)를 더 포함하고, 기판(90)의 습식처리과정은 함침처리탱크(10), 분무세척처리탱크(20) 및 세척건조탱크(30)에서 각각 진행되고, 수송도구(41)로 기판(90)을 추출하여 함침처리탱크(10)에 먼저 넣어 약액의 함침처리과정을 한다. 여기서 주의할 것은 본 실시예에서, 처리과정 제어유닛(40)은 제어기 또는 컴퓨터로 실행하는 제어과정이고, 수송도구(41)은 기계적 암이지만 본 발명은 본 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명의 구체적인 실시예에 따라, 함침처리과정을 할 때, 제어처리액온도, 제어처리액 유동장 및 흔들림 기판(90)의 적어도 하나를 더 포함한다.
본 실시예에서, 함침처리과정은 도 1B와 같이, 함침처리탱크(10)는 복수 개의 수직으로 놓은 기판(90)을 수용할 수 있고, 도 1C와 같이, 함침처리탱크(10a)는 복수 개의 수평으로 놓은 기판(90)을 수용할 수 있으며, 복수 개의 기판 함침처리를 진행한다.
함침처리탱크(10)가 복수 개의 기판 함침처리를 할 때, 처리과정 제어유닛(40)은 각 기판(90)을 함침처리탱크(10)에 넣는 함침순서가 같거나 다른 도록 각각 제어한다. 처리과정 제어유닛(40)은 수송도구(41)로 각각의 기판(90)이 함침처리탱크(10)에서 함침처리과정을 각각 제어한다. 여기서, 같은 제조과정조건의 각각의 기판(90)은 각각 같은 함침처리시간을 경과한 후, 다시 분무세척처리탱크(20)에 순차적으로 이동된다. 각각의 기판(90)의 함침처리시간이 같기에 함침시간이 다름으로 인하여 조성되는 세척정도의 차이를 피할 수 있어 합격률을 높일 수 있다. 또한, 처리과정 제어유닛(40)은 제조과정의 요구에 의하여 서로 다른 제조과정조건의 복수 개의 기판(90)을 처리할 수 있다. 서로 다른 제조과정조건이 소요하는 함침처리시간은 서로 다르고, 처리과정 제어유닛(40)으로 각각의 기판(90)이 소요하는 특정의 함침처리시간을 각각 제어할 수 있다.
또한, 각 기판(90)의 함침처리 소요시간이 분무세척처리 소요시간보다 크게 제어할 수 있어, 각 기판(90)상의 처리할 물체를 효과적으로 제거(예를 들면, 포토 레지스트 또는 금속막이 효과적으로 떨어질 수 있음)할 수 있다. 처리과정 제어유닛(40)은 함침처리과정의 소요시간과 분무세척처리과정의 소요시간의 시간차이 값에 의하여 각 기판(90)을 함침처리탱크(10)에 넣는 함침순서를 스케쥴링할 수 있다. 각 기판(90) 처리의 선후순서는 제1기판, 제2기판을 예로 들고, 제1기판, 제2기판을 함침처리탱크(10)에 넣어 각각 진행하는 함침처리과정을 선후로 스케쥴링하고, 제1기판이 담금 완료 후, 분무세척처리탱크(20)에 이송하고, 제2기판의 담금 완료를 할 때, 제1기판은 이미 분무세척 완료를 하여 다음 과정(예를 들면, 세척건조탱크(30))으로 이송된다. 따라서, 처리과정 제어유닛(40)은 함침처리탱크(10)에서 직접 제2기판을 추출하여 분무세척처리탱크(20)에 이송할 수 있어, 어떠한 방해도 받지 않으며, 각 기판(90)의 함침처리시간을 효과적으로 제어할 수 있다.
도 1A와 같이, 함침처리과정을 완료한 후, 수송도구(41)는 기판(90)을 추출하여 분무세척처리탱크(20)에 넣는 분무세척처리과정을 하고, 도 1D와 같이, 이때, 기판(90)을 분무세척처리탱크(20)의 기판 반전 스테이지(21)에 놓는다. 본 발명의 구체적인 실시예에 따라, 기판 반전 스테이지(21)에는 기판고정부재 (미도시)가 설치되어 있어 기판(90)을 고정하여 반전으로 분무세척처리과정을 한다. 분무세척처리탱크(20)에는 적어도 회수유닛(22, 22a)이 설치되어 있고, 여기서, 처리액 노즐(80)은 분무세척처리액(100)을 제공하고, 기판 반전 스테이지(21)는 기판(90)의 회전상태를 고정하에, 기판(90)에 대하여 분무세척하고, 회수유닛(22, 22a)으로 분무세척처리액(100)을 회수한다.
도 1D와 같이, 복수 개의 회수유닛(22, 22a)을 설치할 수 있고, 여기서, 처리액 노즐(80)은 서로 다른 분무세척처리액(100)을 제공할 수 있고, 개별적 분무세척처리액에 대응하는 회수유닛(22) 또는 회수유닛(22a)으로 서로 다른 분무세척처리액을 대응하게 회수한다.
본 발명의 실시예에 따라, 기체분무세척유닛(미도시)을 포함하고, 분무세척처리탱크(20) 및 함침처리탱크(10)의 적어도 하나의 위쪽에 설치하고, 상기 기판(90)에 대하여 탱크본체를 빼낼 때, 기체분무세척을 하여 기판(90)상의 잔액을 분무제거 할 수 있어 진일보로 잔액의 잔류량을 감소한다. 기체분무세척유닛은 탱크본체 위쪽 또는 탱크벽의 위쪽에 설치할 수 있고, 본 발명은 한정하지 않는다.
기판(90)이 약액에 의하여 분무세척처리 후, 수송도구(41)는 다시 기판(90)을 추출하여 세척건조탱크(30)에 넣고, 처리액(예를 들면, 탈이온수)으로 세척건조과정을 하여 기판(90)의 습식처리과정을 완료하고, 도 1E와 같이, 기판(90)은 세척건조탱크(30)내에 똑바로 놓아져 세척건조과정을 한다. 본 발명의 구체적인 실시예에 따라, 도 1F와 같이, 기판(90)은 세척건조탱크(30a)내 수평으로 놓아져 세척 및 회전건조를 하여 세척건조과정을 한다.
도 2와 도3은 본 발명의 제2실시예의 설명도이고, 제2실시예에서 기판습식 처리장치(1a)의 함침처리탱크(10c)와 분무세척처리탱크(20)은 동일한 탱크본체이고, 함침처리탱크(10c)는 분무세척처리탱크(20)의 아래에 위치하며, 처리과정 제어유닛(40)으로 함침처리과정을 완료하는 기판(90)이 함침처리탱크(10c)에 의하여 분무세척처리탱크(20)에 상승하여 넣는 것을 제어하여 분무세척과정을 계속하여 진행한다.
본 발명의 구체적인 실시예에 따라, 도 2와 같이, 기판습식 처리장치(1a)에는 스테이지 구동모듈(60)이 설치되어 있고, 스테이지 구동모듈(60)과 기판 반전 스테이지(21)는 전기적으로 연결되며 기판 반전 스테이지(21)를 하강하여 함침처리탱크(10c)에 넣고 기판(90)에 대하여 함침처리과정을 하고, 함침처리과정을 완료한 후, 스테이지 구도모듈(60)은 기판 반전 스테이지(21)를 상승하여 분무세척처리탱크(20)에 넣어, 기판(90)에 대하여 분무세척처리과정을 한다. 본 실시예에서, 스테이지 구동모듈(60)은 구동모터이지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기타 기판 반전 스테이지(21)을 구동하는 장치는 모두 적용할 수 있다.
도 2와 같이, 함침처리과정을 진행할 때, 스테이지 구동모듈(60)은 기판 반전 스테이지(21)를 하강하여 함침처리탱크(10c)에 넣고 기판(90)에 대하여 함침처리과정을 하고, 본 실시예의 함침처리탱크(10c)는 내탱크구(11)와 외팅크구(12)로 나눌 수 있고, 스테이지 구동모듈(60)이 기판 반전 스테이지(21)를 구동하여, 기판(90)을 내탱크구(11)의 담금약액(200)내에 반전으로 진입시킬 때, 담금약액(200)은 내탱크구(11)에서 외탱크구(12)로 넘쳐나 약액순환을 하고, 순환적으로 온도제어를 할 수 있다. 실시예에 따라, 기판 반전 스테이지(21)는 기판(90)의 회전상태를 고정하에서, 이때, 기판(90)은 회전하여 담금약액(200)의 영향 및 온도처리를 균일하게 받을 수 있고, 함침처리과정을 완료한 후, 스테이지 구동모듈(60)은 기판 반전 스테이지(21)를 구동시켜 상승하여 담금약액(200)에서 벗어진다.
본 발명의 구체적인 실시예에 따라, 함침처리과정을 할 때, 제어처리액(담금액체(200))온도, 제어처리액(담금액체(200)) 유동장 및 흔들림 기판(90)의 적어도 하나를 포함하고, 함침처리과정을 완료한 후, 도 3과 같이, 스테이지 구동모듈(60)은 기판 반전 스테이지(21)를 상승하여 분무세척처리탱크(20)에 넣고 기판(90)에 대하여 분무세척처리과정을 한다.
도 3에 따라, 분무세척처리탱크(20)는 적어도 회전유닛(22, 22a)을 설치하여 분무세척처리액(100)을 회수하고, 회수유닛(22, 22a)에서 회수하지 못한 분무세척처리액(100)은 분무세척처리탱크(20) 아래에 위치한 함침처리탱크(10c)에 떨어진다. 여기서, 기판회전속도를 향상시켜 분무세척처리액(100)이 분무세척 후, 원심력의 회전으로 회수유닛(22, 22a) 내에 회수되게 한다.
본 발명의 구체적인 실시예에 따라, 도 3을 참고하면, 분무세척처리액(100)과 담금약액(200)은 같은 성분의 처리액(예를 들면, 같은 배치의 같은 처리액, 또는 신구의 같은 처리액)이고, 따라서 회수유닛(22, 22a)에 회수하지 못한 분무세척처리액(100)은 분무세척처리탱크(20) 아래에 위치한 함침처리탱크(10c)에 떨어지고, 분무세척처리액(100)은 담금약액(200)에 혼합되어 계속 사용되기에 처리액 교차오염의 문제가 없다.
본 발명의 구체적인 실시예에 따라, 습식처리과정은 함침전 분무세척처리과정을 더 포함하고, 함침전 분무세척처리과정을 할 때, 처리과정 제어유닛(40)은 기판(90)을 기판 반전 스테이지(21)에 넣어 함침전 분무세척처리과정을 한 후, 스테이지 구동모듈(60)은 다시 기판(90)을 하강하여 함침처리탱크(10c)에 넣는다.
분무세척처리과정을 완료한 후, 스테이지 구동모듈(60)은 분무세척처리과정을 완료한 기판(90)과 기판 반전 스테이지(21)를 상승하여 세척건조탱크(30)에 넣어 세척건조과정을 하고, 기판(90)은 세척건조탱크(30) 내에서 처리액(예를 들면, 탈이온수(300))으로 분무세척하고, 파이프가 세척후의 탈이온수(300)를 배출한 후, 다시 질소 분무세척건조 고속회전건조를 진행할 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 세척건조탱크(30)가 탱크내에서 휘발성 액체를 공급하여 건조세척하고, 예를 들면, 기판(90)이 표면 구조성 기판이면, 바람직한 세척효과가 있을 수 있다.
도 4에서 도 9는 본 발명의 제3실시예의 설명도이고, 기판습식 처리장치의 함침처리탱크(10c), 분무세척처리탱크(20)와 세척건조탱크(30)는 모두 동일한 탱크본체이고, 분무세척처리탱크(20)와 세척건조탱크(30)가 동일한 탱크본체의 서로 다른 회수유닛일 때, 습식처리과정에 있어서 밀폐공간을 형성할 수 있다.
도 4와 같이, 분무세척처리과정을 완료한 후, 스테이지 구동모듈(60)은 분무세척처리과정을 완료한 기판(90)과 기판 반전 스테이지(21)를 상승하여 세척건조탱크(30)에 넣고, 상기 기판(90)에 대하여 탈이온수(300)로 분무세척하고, 회수유닛(22b)으로 회수한다. 본 발명의 실시예에 따라, 기판(90)을 정방향 위치로 전환하여 세척건조과정을 하여 세척건조 후에 탈이온수(300)가 분무세척처리탱크(20)에 떨어져 조성하는 오염을 방지할 수 있다. 이 단계에서, 기판 반전 스테이지(21)이 정방향 위치로 전환하는 순서는 세척건조탱크(30)에 넣기 전 또는 넣은 후 일 수 있다.
도 5와 같이, 세척건조탱크(30)와 분무세척처리탱크(20)는 상하 분리되어, 기판(90) 수출입구를 형성하는 설명도이다. 예를 들면, 세척건조과정이 종료한 후, 세척건조탱크(30)는 상승하여 기판습식 처리과정을 완료한다.
본 발명의 구체적인 실시예에 따라, 도 6과 같이 기판습식 처리장치(1b)는 세척건조탱크(30)의 회수유닛(31)을 분무세척처리탱크(20)의 회수유닛(22, 22a)의 인근에 설치하고, 분무세척처리과정을 할 때, 처리액 노즐(80)은 분무세척처리액(100)을 사용하여 기판(90)에 대하여 분무세척하고, 적어도 회수유닛(22, 22a)으로 분무세척처리액(100)을 회수한다. 분무세척처리과정을 종료한 후, 도 7과 같이 스테이지 구동모듈(60)은 분무세척처리과정을 완료한 기판(90) 및 기판 반전 스테이지(21)를 세척건조탱크(30)의 회수유닛(31)으로 탈이온수(300)를 회수하는 위치로 상승시켜 다음 단계의 세척건조과정을 진행하고, 회수유닛(31)으로 세척건조 후의 탈이온수(300)를 회수한다. 본 실시예의 설명 및 도는 비록 기판 반전 스테이지(21)의 승강으로 분무세척처리과정 및 세척건조과정을 예로 들었지만, 이 실시방식에 한정되지 않으며, 예를 들면, 각 회수유닛(22, 22a, 31) 등을 승강하는 방식을 통하여 동일한 탱크 내에서 분무세척처리과정 및 세척건조과정을 완료한다. 회수유닛의 형식 및 구동방법이 본 발명의 수정 중점이 아니기에 여기서 더 이상 설명하지 않는다.
본 발명의 구체적인 실시예에서, 도 8, 도 9와 같이, 기판습식 처리장치(1c)의 함침처리탱크(10), 분무세척처리탱크(20)와 세척건조탱크(30)은 모두 동일한 탱크본체이고, 분무세척처리탱크(20)와 세척건조탱크(30)은 동일한 탱크본체의 서로 다른 회수유닛(각 회수유닛은 도 4, 도 5의 예를 참고)이고, 습식처리과정에 있어서 밀폐공간을 형성할 수 있고, 기판습식 처리장치(1c)는 탱크본체 제어유닛(901)을 포함하고, 탱크본체 제어유닛(901)은 세척건조탱크(30)와 분무세척처리탱크(20)를 제어하여 밀폐(도 9) 또는 분리(도 8)를 형성할 수 있고, 세척건조탱크(30)와 분무세척처리탱크(20)가 밀폐일 때, 기판(90)은 세척건조탱크(30)에서 세척건조 될 수 있어 세척액이 장치 외로 분무되는 것을 방지하며 화학기체가 발산되는 문제를 방지하고, 세척건조탱크(30)와 분무세척처리탱크(20)가 분리될 때, 기판 수출입구(902)를 형성할 수 있고, 기판(90)은 기판 수출입구(902)에 의하여 단 기판습식 처리장치(1c)를 수출입 한다. 본 발명의 구체적인 실시예에 따라, 탱크본체 제어유닛(901)은 구동모터 또는 기계적 암일 수 있지만, 본 발명은 이 실시방식에 한정되지 않는다.
도 8과 도9와 같이, 기판 반전 스테이지(21) 반전 위치(P1) 및 정방향 위치(P2)를 포함하고, 여기서 기판 반전 스테이지(21)는 스테이지 구동모듈(60)에 의하여 기판 반전 스테이지(21)를 구동하여 반전 위치(P1) 및 정방향 위치(P2)간을 뒤집는다. 기판습식 처리장치(1c)가 기판(90)에 대하여 함침처리과정 및 분무세척처리과정을 할 때, 기판 반전 스테이지(21)는 반전 위치(P1)로 되고, 기판습식 처리장치(1c)가 기판(90)에 대하여 세척건조과정을 할 때, 기판 반전 스테이지(21)은 정방향 위치(P2)가 된다. 본 실시예는 기판습식 처리장치를 동일한 탱크에 병합하여 진행하면, 습식처리과정의 처리시간을 축소하는 외에, 기판(90)이 복수 개의 탱크에서 전환할 때, 조성하는 분무세척처리액(100) 또는 담금약액(200)의 누수상황을 감소하여 습식처리과정 전환시, 처리액의 서로 오염 및 화학기체의 발산 등 문제를 해결하였다.
1, 1a, 1b, 1c: 기판습식 처리장치
10, 10a, 10c: 함침처리탱크
20: 분무세척처리탱크
21: 기판 반전 스테이지
30: 세척건조탱크
40: 처리과정 제어유닛
41: 수송도구
60: 스테이지 구동모듈
22, 22a, 22b, 31: 회수유닛
80: 처리액 노즐
801: 분무세척유닛
90: 기판
901: 탱크본체 제어유닛
902: 기판수출입구
P1: 반전 위치
P2: 정방향 위치
200: 담금약액
300: 이온수
100: 분무세척액

Claims (20)

  1. 기판에 대하여 습식처리과정을 진행하고, 상기 습식처리과정은 함침처리과정, 분무세척처리과정 및 세척건조과정을 포함하는 기판습식 처리장치에 있어서,
    상기 기판에 대하여 상기 함침처리과정을 진행하는 함침처리탱크;
    분무세척처리탱크;
    상기 기판에 대하여 상기 세척건조과정을 진행하는 세척건조탱크; 및
    상기 함침처리탱크, 상기 분무세척처리탱크 및 상기 세척건조탱크를 전기적으로 연결하는 처리과정 제어유닛
    을 포함하고,
    상기 분무세척처리탱크는 기판 반전 스테이지를 포함하고, 상기 기판은 상기 기판 반전 스테이지에 놓고, 상기 기판에 대하여 상기 분무세척처리과정을 하고,
    상기 처리과정 제어유닛은 상기 기판이 상기 기판습식 처리장치 내에서의 습식처리과정을 제어하며,
    상기 함침처리탱크와 상기 분무세척처리탱크는 동일한 탱크본체이고, 상기 함침처리탱크는 상기 분무세척처리탱크의 아래에 위치하는,
    기판습식 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 함침처리탱크는 복수의 상기 기판을 수용할 수 있고, 상기 함침처리탱크가 상기 함침처리과정을 진행할 때, 상기 처리과정 제어유닛은 각 상기 기판을 상기 함침처리탱크에 넣는 함침순서를 각각 제어하는
    기판습식 처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 처리과정 제어유닛은 각 상기 기판이 상기 함침처리탱크에 진출하는 순서를 각각 제어하는
    기판습식 처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 처리과정 제어유닛은 각 상기 기판의 함침처리과정의 시간이 같도록 제어하고, 각 상기 기판을 각각 상기 함침처리탱크에 넣는 것을 스케쥴링 하여 상기 함침처리과정을 진행하는
    기판습식 처리장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 처리과정 제어유닛은 각 상기 기판에 대한 함침처리과정의 시간이 다른 것을 각각 제어하고, 각 상기 기판을 상기 함침처리탱크에 넣는 것을 스케쥴링 하여 상기 함침처리과정을 진행하는
    기판습식 처리장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 기판의 상기 함침처리과정 소요시간이 상기 분무세척처리과정 소요시간보다 큰데 대하여, 상기 처리과정 제어유닛은 상기 함침처리과정 소요시간과 상기 분무세척처리과정 소요시간의 시간차이 값에 의하여 각 상기 기판을 상기 함침처리탱크에 넣는 상기 함침순서를 스케쥴링하는
    기판습식 처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 처리과정 제어유닛은 상기 함침처리과정의 상기 기판의 상승으로 상기 분무세척처리탱크에 넣어 완료하는,
    기판습식 처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    분무세척 처리액을 사용하여 상기 기판에 대하여 상기 분무세척처리를 하면, 상기 분무세척 처리액은 상기 분무세척처리탱크 아래에 위치하는 상기 함침처리탱크에 떨어져 회수되는
    기판습식 처리장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 분무세척처리탱크는 회수유닛을 포함하고,
    분무세척 처리액을 사용하여 상기 기판에 대하여 상기 분무세척처리를 하고, 상기 회수유닛으로 상기 분무세척 처리액을 회수하며, 상기 회수유닛에 분무되지 않은 상기 분무세척 처리액은 상기 분무세척처리탱크의 아래에 위치한 상기 함침처리탱크에 떨어져 회수되는
    기판습식 처리장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 기판을 상기 기판 반전 스테이지에 놓으면, 상기 기판습식 처리장치는 스테이지 구동모듈을 더 포함하고,
    상기 기판 반전 스테이지를 하강하여 상기 함침처리탱크에 넣어 상기 기판에 대하여 상기 함침처리과정을 하고, 상기 함침처리과정을 완료한 후, 스테이지 구동모듈은 상기 기판 반전 스테이지를 상승하여 상기 분무세척처리탱크에 넣어 상기 기판에 대하여 상기 분무세척처리과정을 하는
    기판습식 처리장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 습식처리과정은 함침전 분무세척처리과정을 더 포함하고,
    상기 처리과정 제어유닛은 상기 기판을 상기 기판 반전 스테이지에 넣어 상기 함침전 분무세척처리과정을 한 후, 상기 스테이지 구동모듈은 상기 기판 반전 스테이지를 하강시켜 상기 함침처리탱크에 넣어 상기 기판에 대하여 상기 함침처리과정을 하는
    기판습식 처리장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 분무세척처리탱크는 복수 개의 처리액 노즐을 포함하여 서로 다른 분무세척처리액을 제공하는데 대응하는
    기판습식 처리장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 분무세척처리탱크는 복수 개의 회수유닛을 포함하여 서로 다른 분무세척처리액을 회수하는데 대응하는
    기판습식 처리장치.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 함침처리탱크, 상기 분무세척처리탱크와 상기 세척건조탱크는 모두 같은 탱크본체이고, 상기 분무세척처리탱크와 상기 세척건조탱크는 같은 탱크본체의 서로 다른 회수유닛인
    기판습식 처리장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 탱크본체는 밀폐식 탱크본체인
    기판습식 처리장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 세척건조탱크는 상기 분무세척처리탱크의 위에 위치하고, 기판습식처리장치는 스테이지 구동모듈을 더 포함하며, 상기 분무세척처리를 완료한 상기 기판과 상기 기판 반전 스테이지를 상승하여 상기 세척건조탱크에 넣어 상기 세척건조과정을 하는
    기판습식 처리장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 스테이지 구동모듈은 상기 분무세척처리탱크에 위치한 상기 기판 반전 스테이지를 정방향 위치로 전환하고, 상기 기판을 상기 세척건조탱크에 정방향 위치로 넣어 상기 세척건조과정을 하는
    기판습식 처리장치.
  18. 제14항에 있어서,
    탱크본체 제어유닛을 포함하고,
    상기 탱크본체 제어유닛은 상기 세척건조탱크와 상기 분무세척처리탱크의 상하분리를 제어하여 기판 수출입구를 형성하고, 상기 기판은 상기 기판 수출입구에 의하여 상기 기판습식 처리장치에 수출입하는
    기판습식 처리장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 분무세척처리탱크 또는 상기 함침처리탱크의 적어도 하나의 위에 설치하고, 상기 기판이 탱크본체에 대하여 탱크본체에서 뺄 때, 기체분무세척을 하는 기체분무세척유닛
    을 더 포함하는
    기판습식 처리장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 기판 반전 스테이지에 놓고, 상기 기판에 대하여 상기 습식처리과정을 하며,
    상기 기판습식 처리장치는,
    상기 기판 반전 스테이지가 인버트 위치 및 정방향 위치의 전환을 구동하는 스테이지 구동모듈을 더 포함하고,
    상기 기판습식 처리장치가 상기 기판에 대하여 상기 함침처리과정 및 상기 분무세척처리과정을 할 때, 상기 기판 반전 스테이지는 상기 인버트 위치로 되고, 상기 기판습식 처리장치가 상기 기판에 대하여 세척건조과정을 할 때, 상기 기판 반전 스테이지는 정방향 위치가 되는
    기판습식 처리장치.
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