TWM505052U - 流體製程處理裝置 - Google Patents

Description

流體製程處理裝置

本創作是有關一種流體製程處理裝置，特別是一種防止不同流體間互相污染之流體製程處理裝置。

於半導體晶圓、太陽能基板、顯示器玻璃基板、LED基板等基板的製造過程中，需要經過一基板處理系統，以對基板的表面供給處理液(例如化學品或去離子水等)進行蝕刻、清洗等處理程序，而在該基板處理系統中，則必須藉由一液體處理裝置來針對使用過之處理液進行收集、排液、回收等後續處理。

習知基板處理系統大致包含一基板固定單元、一旋轉單元、一液體供給單元及一收集單元，該基板固定單元設置於該旋轉單元上，該旋轉單元可帶動該基板固定單元旋轉，該基板固定單元用於承載並利用一固定裝置固定一基板，該液體供給單元設置於該基板固定單元上，用於對承載於該基板固定單元之基板供給處理液(例如HCl，H₃ NO₄ )，而該收集單元圍繞設置於該旋轉單元與該基板固定單元的外側。

其中，該收集單元包含多個收集環，該多個收集環必須利用外部升降機構驅動以相對進行升降作動，以在進行不同液體收集時，可事先升降特定收集環，使液體順著各該收集環的引導由各該收集環下方的排液管排出。但該外部升降機構必須額外藉由皮帶、螺桿、馬達等裝置帶動各該收集環，導致結構複雜且成本高。此外，各個收集環之間亦可互相污染的可能。

有鑑於此，提出一種防止不同流體間互相污染之流體製程處理裝置便是目前極需努力的目標。

本創作提供一種流體製程處理裝置，其多個收集環可獨立地升降，以簡化機構的設計。較佳者，非工作中之收集環可關閉以防止不同流體間的互相污染。

本創作一實施例之流體製程處理裝置，係應用於一基板的處理製程中，該流體製程處理裝置包括一基座、一旋轉馬達、一基板固定單元、一收集單元以及一液體供給單元。該旋轉馬達係設置於該基座。該基板固定單元係設置於該旋轉馬達上，該基板固定單元包含一載台與一固定裝置，該載台用於承載該基板並利用該固定裝置固定該基板；該收集單元係設置於該基座並圍繞該基板固定單元。該收集單元包含一收集環模組、一升降模組與一底部收集盤，該收集環模組包含多個收集環依序徑向設置，而該升降模組包含多個升降裝置分別連接該多個收集環，以獨立地升降該多個收集環至一上升位置或一下降位置，該底部收集盤設置於該收集環模組下方，並該底部收集盤的底部包含複數排液口與至少一抽氣口。該液體供給單元係設置於該基座，用以供應處理液至該基板上。

以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本創作之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。

以下將詳述本創作之各實施例，並配合圖式作為例示。除了這些詳細說明之外，本創作亦可廣泛地施行於其它的實施例中，任何所述實施例的輕易替代、修改、等效變化都包含在本創作之範圍內，並以申請專利範圍為準。在說明書的描述中，為了使讀者對本創作有較完整的瞭解，提供了許多特定細節；然而，本創作可能在省略部分或全部特定細節的前提下，仍可實施。此外，眾所周知的步驟或元件並未描述於細節中，以避免對本創作形成不必要之限制。圖式中相同或類似之元件將以相同或類似符號來表示。特別注意的是，圖式僅為示意之用，並非代表元件實際之尺寸或數量，有些細節可能未完全繪出，以求圖式之簡潔。

請參照第1圖至第2圖，第1圖為本創作第一具體實施例之流體製程處理裝置的收集單元內部結構的概略剖面示意圖一，第2圖係為本創作第一具體實施例之流體製程處理裝置的收集單元內部結構的概略剖面示意圖二。如圖所示，本創作之流體製程處理裝置，係應用於一基板W的處理製程中，該流體製程處理裝置包括一基座10、一旋轉馬達20、一基板固定單元30、一收集單元40以及一液體供給單元50。值得注意的是，本實施例中該流體製程處理裝置的該收集單元40之外觀大體上呈圓筒狀，且其內部的該旋轉馬達20驅動該基板固定單元30以一軸Z為中心旋轉，而於說明該收集單元40內部的各概略剖面圖式中，該軸Z之左右側係為由該收集單元40之中心線朝不同方向的徑向剖面示意圖，並將該收集單元40之特徵結構移至同一平面以清楚地顯示於該等剖面示意圖中，進而藉由此形式之剖面示意圖來說明本創作之技術內容。

該旋轉馬達20係設置於該基座10。

該基板固定單元30係設置於該旋轉馬達20上，該基板固定單元30包含一載台31與一固定裝置32，該載台31用於承載該基板W並利用該固定裝置32固定該基板W。舉例而言，該固定裝置32可為一真空裝置，固定裝置32即可利用該真空裝置吸附固定該基板W，亦即藉由該真空裝置於該基板W的背面形成負壓而吸住該基板W。

該收集單元40係設置於該基座10並圍繞該基板固定單元30，且該收集單元40包含一收集環模組41、一升降模組42與一底部收集盤43。該收集環模組41包含多個收集環依序徑向設置，以在相鄰的各該收集環之間形成一環狀氣體通道，而該升降模組42包含多個升降裝置分別連接該等收集環，以分別獨立控制該多個收集環升降至一上升位置或一下降位置，該底部收集盤43設置於該收集環模組41下方，並該底部收集盤43的底部包含多排液口431與至少一抽氣口432。

該液體供給單元50可施加不同處理液至該基板W。該液體供給單元50能夠以習知之方式實現，故省略該液體供給單元50之詳細說明。可以理解的是，該液體供給單元50可包含多個管路，以分別施加不同的處理液並分開清洗，如此可避免製程中交叉汙染。

本創作之流體製程處理裝置，可將一外部抽氣裝置(未圖示)連接該收集單元40之該底部收集盤43的該抽氣口432，以使該外部抽氣裝置透過位於該底部收集盤43底部的該抽氣口432向下抽氣，而由於該收集環模組41的該等收集環之間所形成之環狀氣體通道截面積小，使得位於該基板W周圍的氣體會經由整個環狀氣體通道流動至該底部收集盤43，亦即該基板W周圍的氣體流場將沿著該等收集環之間所形成之環狀氣體通道朝向該抽氣口432的方向均勻發展，而達到均勻抽氣的功效。

具體而言，於本實施例中，該收集環模組41包含一第一收集環411、一第二收集環412及一第三收集環413，該第一收集環411、該第二收集環412及該第三收集環413依序徑向朝外排列設置。該第一收集環411、該第二收集環412以及該第三收集環413分別具有向上延伸之一第一擋板411d、一第二擋板412b以及一第三擋板413a。該第一擋板411d、該第二擋板412b以及該第三擋板413a相對於該基板W所在之平面之夾角小於90度，以降低處理液之噴濺。於一實施例中，該夾角小於60度、45度或30度。該第一收集環411包含一第一環狀集液槽411a與一第二環狀集液槽411b，其中該第一環狀集液槽411a與該第二環狀集液槽411b分別設置於該第一擋板411d的內側與外側。該第二收集環412包含一第三環狀集液槽412a以及一第二突出部412c，其中該第三環狀集液槽412a設置於該第二擋板412b的外側，而沿該第二收集環412的內側表面底端之第二突出部412c延伸至該第二環狀集液槽411b內，且該第二突出部412c與該第二環狀集液槽411b之槽壁於徑向方向上部分重疊。該第三收集環413包含分別沿該第三擋板413a之內側表面以及外側表面向下延伸之一第三突出部413b以及一第四突出部413c，其中該第三突出部413b延伸至該第三環狀集液槽412a內，而該第四突出部413c則在該第三環狀集液槽412a外側，且該第三突出部413b以及該第四突出部413c與該第三環狀集液槽412a之槽壁於徑向方向上部分重疊。

可以理解的是，該收集環模組41可依不同的需求而修改設計。上述實施例是以該收集環模組41包含第一收集環411、第二收集環412及第三收集環413為例作說明，但不限於此。舉例而言，省略第二收集環412，該收集環模組41僅包含第一收集環411及第三收集環413亦可實現本創作，其中第三收集環413之該第三突出部413b延伸至該第二環狀集液槽411b內，而該第四突出部413c則在該第二環狀集液槽411b外側。同理，第一收集環411及第三收集環413之間亦可設置多個第二收集環412。

再者，本實施例中，該升降模組42包含一第一排液氣壓缸421、一第二排液氣壓缸422及一第一升降氣壓缸423。該第一排液氣壓缸421設置於該第一收集環411之該第二環狀集液槽411b的底部，且該第一排液氣壓缸421包含一第一氣壓缸體4211與一第一中空軸桿4212，該第一中空軸桿4212設置於該第一氣壓缸體4211內，而該第一中空軸桿4212連通該第二環狀集液槽411b至該底部收集盤43的其中之一排液口431，從而，該第一排液氣壓缸421的該第一氣壓缸體4211可控制該第一收集環411的升降，而進入該第二環狀集液槽411b的處理液可由該第一中空軸桿4212集中至對應的排液口431，以回收進入該第一收集環411與該第二收集環412之間的該處理液。另外，該第二排液氣壓缸422係設置於該第二收集環412之該第三環狀集液槽412a的底部，且該第二排液氣壓缸422包含一第二氣壓缸體4221與一第二中空軸桿4222，該第二中空軸桿4222設置於該第二氣壓缸體4221內，而該第二中空軸桿4222連通該第三環狀集液槽412a至該底部收集盤43的其中之一排液口431，從而，該第二排液氣壓缸422的該第二氣壓缸體4221可控制該第二收集環412的升降，而進入該第三環狀集液槽412a的處理液可由該第二中空軸桿4222集中至對應的排液口431，以回收進入該第二收集環412與該第三收集環413之間的該處理液。該第一升降氣壓缸423係連接至該第三收集環413，以控制該第三收集環413的升降。

於本實施例中，該收集環模組41的該等收集環可更包含一外側擋板414，該外側擋板414設置於該第三收集環413的外側，且該升降模組42更包含一第二升降氣壓缸424，該第二升降氣壓缸424連接至該外側擋板414，以控制該外側擋板414的升降。

其中，該收集環模組41、該第一環狀集液槽411a、該第二環狀集液槽411b及該第三環狀集液槽412a皆呈環狀，而於該流體製程處理裝置的剖面示意圖中，該軸Z之左右側的該第一環狀集液槽411a係相互連通，該軸Z之左右側的該第二環狀集液槽411b係相互連通，該軸Z之左右側的該第三環狀集液槽412a亦相互連通。

藉此，該第一收集環411、該第二收集環412及該第三收集環413可分別直接由設置於其下方的該第一排液氣壓缸421、該第二排液氣壓缸422及該第一升降氣壓缸423的帶動進行升降，而無須透過複雜的外部升降機構帶動。此外，該第一排液氣壓缸421與該第二排液氣壓缸422可同時作為排液管，以分別將進入該第二環狀集液槽411b及該第三環狀集液槽412a的處理液引導至對應的排液口431回收，如此即可分開收集不同的處理液。

於本實施例中，該第一收集環411更包含一伸縮排液管411c，該伸縮排液管411c連通該第一環狀集液槽411a至該底部收集盤43的其中一排液口431，該伸縮排液管411c可在該第一排液氣壓缸421帶動該第一收集環411上升時伸長，而在該第一排液氣壓缸421帶動該第一收集環411下降時縮短，以維持連通該第一環狀集液槽411a至該底部收集盤43的對應排液口431，使進入該第一環狀集液槽411a的處理液可由該伸縮排液管411c集中至對應的排液口431並回收。

其中，該流體製程處理裝置更包含一氣箱70，該氣箱70係連接至該底部收集盤43底部的該抽氣口432，該氣箱70連接於該外部抽氣裝置與該抽氣口432之間，使氣體於該流體製程處理裝置均勻下降至該底部收集盤43並經由該抽氣口432、該氣箱70排出。於本實施例中，該氣箱70設置於該基座10下方，該氣箱70內設置有一抽氣管71與一廢液收集口72，該廢液收集口72設置於該氣箱70的底部用於排出廢液至一廢液收集槽(圖未示)，而該抽氣管71設置於該廢液收集口72上方並連通至該外部抽氣裝置以供抽出氣體。

又，該收集單元40可更包含一阻隔模組44，該阻隔模組44設置於該收集單元40的中央並包含一上蓋441與一側環442，該上蓋441設置於該基板固定單元30的該載台31下方，且具有一第一突出部441a，其該延伸至該第一環狀集液槽411a上方，且該第一突出部441a與處於上升位置之該第一環狀集液槽411a之一槽壁於徑向方向上部分重疊。該側環442圍繞該基板固定單元30並設置於該底部收集盤43上方。於該基板W進行慢速旋轉時，由於離心力不足會使得部分處理液流入該第一收集環411與該基板固定單元30之間，該阻隔模組44用於將進入該第一收集環411與該基板固定單元30之間的該處理液引導至該底部收集盤43，而由該抽氣口432將該處理液進一步排至該廢液收集口72，進而集中至該廢液收集槽。

此外，於本實施例中，該基板固定單元30更包含一彈性軟片33，該彈性軟片33圍繞設置於該載台31的頂面周緣，當該真空裝置運作時，將於該基板W的底部與該彈性軟片33內側產生負壓，驅使該彈性軟片33的頂部吸附於該基板W之底部，從而，施加至該基板W表面的處理液離開該基板W後，該彈性軟片33都能防止該處理液經由該基板W的底部被吸入至該真空裝置中而破壞該真空裝置。

請參照第3圖至第6圖，係本創作一具體實施例之流體製程處理裝置使用狀態的剖面示意圖。如圖所示，於該流體製程處理裝置開始進行處理程序前，先將該基板W放置於該基板固定單元30之載台31上，並該基板W與該基板固定單元30藉由該旋轉馬達20之帶動而以該軸Z為中心軸旋轉。

如第3圖所示，進行該基板W之處理程序時，若設定由該液體供給單元50施加處理液A至該基板W，則可由一控制模組(未圖示)控制該收集單元40的該升降模組42之該第一排液氣壓缸421升起該第一收集環411，控制該第二排液氣壓缸(未圖示)升起該第二收集環412，控制該第一升降氣壓缸423升起該第三收集環413，且控制該第二升降氣壓缸424升起該外側擋板414，此時，該第一收集環411之第一擋板411d、該第二收集環412之第二擋板412b、該第三收集環413之第三擋板413a及該外側擋板414的前端依序抵靠在一起而相互密合，並在該第一收集環411與該基板W之間形成一第一開口T1，且該第一開口T1對應於該基板W之周緣。接著，施加至該基板W表面之該處理液A會因為離心力的作用朝該基板W的周緣甩出，自該基板W離開之該處理液A與該氣體G將由該第一開口T1進入該第一環狀集液槽411a內，該處理液A順著該第一環狀集液槽411a流至該伸縮排液管411c排至該底部收集盤43上的對應排液口431。呈霧狀之處理液A則會隨著該氣體G進入該第一環狀集液槽411a，且霧狀之處理液A將流動於該第一環狀集液槽411a內並凝結於該第一環狀集液槽411a之壁面，再順著該第一環狀集液槽411a之壁面向下集中流至該伸縮排液管411c中，而該氣體G則沿著該第一收集環411流動，並由該第一收集環411與該阻隔模組44之間的間隙均勻地朝該底部收集盤43向下流動，進而再集中由該底部收集盤43之抽氣口432排出，達到分離該處理液A與該氣體G的功效。於一實施例中，該底部收集盤43為一較大空間，換言之，該底部收集盤43之氣體流道遠大於通過該收集環模組41之氣體流道，因此，氣體G在該底部收集盤43的流速較慢，導致未在該第一環狀集液槽411a凝結之霧狀處理液A在該底部收集盤43與氣體G進一步分離。

如第4圖所示，進行該基板W之處理程序時，若設定由該液體供給單元50施加處理液B至該基板W，則可由該控制模組控制該收集單元40的該升降模組42之該第一排液氣壓缸421降下該第一收集環411，控制該第二排液氣壓缸(未圖示)升起該第二收集環412，控制該第一升降氣壓缸423升起該第三收集環413，且控制該第二升降氣壓缸424升起該外側擋板414，此時，該第二收集環412之該第二擋板412b、該第三收集環413之該第三擋板413a及該外側擋板414的前端依序抵靠在一起而相互密合，並在該第一收集環411與該第二收集環412之間形成一第二開口T2，且該第二開口T2對應於該基板W之周緣。接著，施加至該基板W表面之該處理液B會因為離心力的作用朝該基板W的周緣甩出，自該基板W離開之該處理液B與該氣體G將由該第二開口T2進入該第二環狀集液槽411b內，該處理液B順著該第二環狀集液槽411b流至該第一排液氣壓缸421的該第一中空軸桿4212排至該底部收集盤43上的對應排液口431。呈霧狀之處理液B則會隨著該氣體G進入該第二環狀集液槽411b，且霧狀之處理液B將流動於該第二環狀集液槽411b內並凝結於該第二環狀集液槽411b之壁面，再順著該第二環狀集液槽411b之壁面向下集中流至該第一中空軸桿4212中，而該氣體G則沿著該第二收集環412流動，並繞過該第二收集環412下端與該第二環狀集液槽411b之間的間隙均勻地朝該底部收集盤43向下流動，進而再集中由該底部收集盤43之抽氣口432排出，達到分離該處理液B與該氣體G的功效。

如第5圖所示，進行該基板W之處理程序時，若設定由該液體供給單元50施加處理液C至該基板W，則可由該控制模組控制該收集單元40的該升降模組42之該第一排液氣壓缸(未圖示)降下該第一收集環411，控制該第二排液氣壓缸422降下該第二收集環412，控制該第一升降氣壓缸423升起該第三收集環413，且控制該第二升降氣壓缸424升起該外側擋板414，此時，該第一收集環411之第一擋板411d及該第二收集環412之第二擋板412b的前端抵靠在一起而相互密合，該第三收集環413之第三擋板413a及該外側擋板414的前端抵靠在一起而相互密合，並在該第二收集環412與該第三收集環413之間形成一第三開口T3，且該第三開口T3對應於該基板W之周緣。接著，施加至該基板W表面之該處理液C會因為離心力的作用朝該基板W的周緣甩出，自該基板W離開之該處理液C與該氣體G將由該第三開口T3進入該第三環狀集液槽412a內，該處理液C順著該第三環狀集液槽412a流至該第二排液氣壓缸422的該第二中空軸桿4222排至該底部收集盤43上的對應排液口431。呈霧狀之處理液C則會隨著該氣體G進入該第三環狀集液槽412a，且霧狀之處理液C將流動於該第三環狀集液槽412a內並凝結於該第三環狀集液槽412a之壁面，再順著該第三環狀集液槽412a之壁面向下集中流至該第二中空軸桿4222中。該氣體G則沿著該第三收集環413流動，並繞過該第三收集環413下端與該第三環狀集液槽412a之間的間隙均勻地朝該底部收集盤43向下流動，進而再集中由該底部收集盤43之抽氣口432排出，達到分離該處理液C與該氣體G的功效。

如第6圖所示，進行該基板W之處理程序時，若設定由該液體供給單元50施加處理液D(一般為清水)至該基板W，則可由該控制模組控制該收集單元40的該升降模組42降下該第一收集環411、該第二收集環412及該第三收集環413，且控制該第二升降氣壓缸424升起該外側擋板414，此時，該第一收集環411之第一擋板411d、該第二收集環412之第二擋板412b及該第三收集環413之第三擋板413a的前端抵靠在一起而相互密合，並在該第三收集環413與該外側擋板414之間形成一第四開口T4，且該第四開口T4對應於該基板W之周緣。接著，施加至該基板W表面之處理液D會因為離心力的作用朝該基板W的周緣甩出，自該基板W離開之處理液D與氣體G將由該第四開口T4進入該底部收集盤43，該處理液D順著該外側擋板414流至該底部收集盤43上並清洗該底部收集盤43，以保持該底部收集盤43濕潤且防止因其他處理液沾黏而結晶，該處理液D再由該抽氣口432流至連通的廢液收集槽。呈霧狀之處理液D則會隨著該氣體G進入該外側擋板414下方，進而由該底部收集盤43之抽氣口432排出。

再者，當攜帶著霧狀之處理液D的氣體通過該收集環模組41後，由於該底部收集盤43的空間比該第三收集環413與該外側擋板414之間所形成該環狀氣體通道大，使得該氣體從該環狀氣體通道流動到該底部收集盤43後速度降低，導至由該氣體所攜帶的霧狀之處理液D失去動能而附著於該底部收集盤43的壁面及底面，並在該處理液D累積匯集後流至該抽氣口432，再由該氣箱70底部的廢液收集口72排出，而該氣體則由設置於該廢液收集口72上方的該抽氣管71抽出，達到分離該處理液D與該氣體G的功效。

綜上所述，本創作之流體製程處理裝置具有多個可獨立地升降的收集環，因此可簡化機構的設計。較佳者，非工作中之收集環可關閉以防止不同流體間的互相污染。此外，透過該收集環模組與形成於該底部收集盤的底部之抽氣口，使得一外部抽氣裝置由該抽氣口抽氣時，該收集環模組內的氣體沿著該等收集環之間的所形成之環狀氣體通道形成均勻的下降氣流，而達到均勻抽氣的功效。

以上所述之實施例僅是為說明本創作之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本創作之內容並據以實施，當不能以之限定本創作之專利範圍，即大凡依本創作所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本創作之專利範圍內。

10‧‧‧基座
20‧‧‧旋轉馬達
30‧‧‧基板固定單元
31‧‧‧載台
32‧‧‧固定裝置
33‧‧‧彈性軟片
40‧‧‧收集單元
41‧‧‧收集環模組
411‧‧‧第一收集環
411a‧‧‧第一環狀集液槽
411b‧‧‧第二環狀集液槽
411c‧‧‧伸縮排液管
411d‧‧‧第一擋板
412‧‧‧第二收集環
412a‧‧‧第三環狀集液槽
412b‧‧‧第二擋板
412c‧‧‧第二突出部
413‧‧‧第三收集環
413a‧‧‧第三擋板
413b‧‧‧第三突出部
413c‧‧‧第四突出部
414‧‧‧外側擋板
42‧‧‧升降模組
421‧‧‧第一排液氣壓缸
4211‧‧‧第一氣壓缸體
4212‧‧‧第一中空軸桿
422‧‧‧第二排液氣壓缸
4221‧‧‧第二氣壓缸體
4222‧‧‧第二中空軸桿
423‧‧‧第一升降氣壓缸
424‧‧‧第二升降氣壓缸
43‧‧‧底部收集盤
431‧‧‧排液口
432‧‧‧抽氣口
44‧‧‧阻隔模組
441‧‧‧上蓋
441a‧‧‧第一突出部
442‧‧‧側環
50‧‧‧液體供給單元
70‧‧‧氣箱
71‧‧‧抽氣管
72‧‧‧廢液收集口
A、B、C、D‧‧‧處理液
G‧‧‧氣體
T1‧‧‧第一開口
T2‧‧‧第二開口
T3‧‧‧第三開口
T4‧‧‧第四開口
W‧‧‧基板
Z‧‧‧軸

第1圖係本創作一具體實施例之流體製程處理裝置的收集單元內部結構的概略剖面示意圖一。 第2圖係本創作一具體實施例之流體製程處理裝置的收集單元內部結構的概略剖面示意圖二。 第3圖係本創作一具體實施例之流體製程處理裝置中施加處理液至基板時收集單元內部運作狀態的概略剖面示意圖。 第4圖係本創作一具體實施例之流體製程處理裝置中施加處理液至基板時收集單元內部運作狀態的概略剖面示意圖。 第5圖係本創作一具體實施例之流體製程處理裝置中施加處理液至基板時收集單元內部運作狀態的概略剖面示意圖。 第6圖係本創作一具體實施例之流體製程處理裝置中施加處理液至基板時收集單元內部運作狀態的概略剖面示意圖。

10‧‧‧基座

20‧‧‧旋轉馬達

30‧‧‧基板固定單元

31‧‧‧載台

32‧‧‧固定裝置

40‧‧‧收集單元

41‧‧‧收集環模組

411‧‧‧第一收集環

411a‧‧‧第一環狀集液槽

411b‧‧‧第二環狀集液槽

411d‧‧‧第一擋板

412‧‧‧第二收集環

412a‧‧‧第三環狀集液槽

412b‧‧‧第二擋板

413‧‧‧第三收集環

413a‧‧‧第三擋板

414‧‧‧外側擋板

42‧‧‧升降模組

421‧‧‧第一排液氣壓缸

422‧‧‧第二排液氣壓缸

424‧‧‧第二升降氣壓缸

43‧‧‧底部收集盤

431‧‧‧排液口

44‧‧‧阻隔模組

441‧‧‧上蓋

442‧‧‧側環

50‧‧‧液體供給單元

W‧‧‧基板

Z‧‧‧軸

Claims (16)

1. 一種流體製程處理裝置，係應用於一基板的處理製程中，該流體製程處理裝置包括： 一基座； 一旋轉馬達，係設置於該基座； 一基板固定單元，係設置於該旋轉馬達上，該基板固定單元包含一載台以及一固定裝置，該載台用於承載該基板並利用該固定裝置固定該基板； 一收集單元，係設置於該基座並圍繞該基板固定單元，且該收集單元包含一收集環模組、一升降模組以及一底部收集盤，該收集環模組包含多個收集環依序徑向設置，且該升降模組包含多個升降裝置分別連接該多個收集環，以獨立地升降該多個收集環至一上升位置或一下降位置，該底部收集盤設置於該收集環模組下方，且該底部收集盤的底部包含多個排液口與至少一抽氣口；以及 一液體供給單元，其係設置於該基座，用以供應處理液至該基板上。
2. 如請求項1所述之流體製程處理裝置，其中該收集環模組包含一第一收集環、一第三收集環以及一外側擋板，且該第一收集環、該第三收集環以及該外側擋板依序徑向朝外排列設置，其中，該第一收集環以及該第三收集環分別具有向上延伸之一第一擋板以及一第三擋板，且處於該上升位置之該第一擋板、該第三擋板以及該外側擋板之前端抵靠在一起，以及處於該下降位置之該第一擋板以及該第三擋板之前端抵靠在一起。
3. 如請求項2所述之流體製程處理裝置，其中該第一擋板、該第三擋板以及該外側擋板相對於該基板所在之一平面之夾角小於90度。
4. 如請求項2所述之流體製程處理裝置，其中該第一收集環包含一第一環狀集液槽以及一第二環狀集液槽，且該第一環狀集液槽以及該第二環狀集液槽分別設置於該第一擋板之內側以及外側。
5. 如請求項4所述之流體製程處理裝置，其中該第一收集環更包含一伸縮排液管，該伸縮排液管連通該第一環狀集液槽至該底部收集盤之其中之一該排液口。
6. 如請求項4所述之流體製程處理裝置，其中該收集單元更包含一阻隔模組，該阻隔模組設置於該收集單元的中央並包含一上蓋與一側環，其中該上蓋設置於該基板固定單元的該載台下方，且具有一第一突出部，其該延伸至該第一環狀集液槽上方，且該第一突出部與處於上升位置之該第一環狀集液槽之一槽壁於徑向方向上部分重疊，且該側環圍繞該基板固定單元並設置於該底部收集盤上方。
7. 如請求項4所述之流體製程處理裝置，其中該第三收集環包含分別沿該第三擋板之一內側表面以及一外側表面向下延伸之一第三突出部以及一第四突出部，其中該第三突出部延伸至該第二環狀集液槽內，且該第三突出部以及該第四突出部與該第二環狀集液槽之一槽壁於徑向方向上部分重疊。
8. 如請求項7所述之流體製程處理裝置，其中該升降模組包含一第一排液氣壓缸以及一第一升降氣壓缸，其連接至該第三收集環，其中該第一排液氣壓缸設置於該第一收集環之該第二環狀集液槽的底部，且該第一排液氣壓缸包含一第一氣壓缸體以及一第一中空軸桿，該第一中空軸桿設置於該第一氣壓缸體內，該第一中空軸桿連通該第二環狀集液槽至該底部收集盤之其中之一該排液口。
9. 如請求項8所述之流體製程處理裝置，其中該升降模組更包含一第二升降氣壓缸，其連接至該外側擋板。
10. 如請求項8所述之流體製程處理裝置，其中該收集環模組更包含一第二收集環，其設置於該第一收集環以及該第三收集環之間，其中，該第二收集環具有向上延伸之一第二擋板，且處於該上升位置之該第一擋板、該第二擋板、該第三擋板以及該外側擋板之前端抵靠在一起，以及處於該下降位置之該第一擋板、該第二擋板以及該第三擋板之前端抵靠在一起。
11. 如請求項10所述之流體製程處理裝置，其中該第二收集環包含一第三環狀集液槽以及一第二突出部，其中，該第三環狀集液槽設置於該第二擋板之外側，該第二收集環之該第二突出部沿該第二擋板之一內側表面向下延伸至該第二環狀集液槽內，該第二收集環之該第二突出部與該第二環狀集液槽之該槽壁於徑向方向上部分重疊，且該第三收集環之該第三突出部延伸至該第三環狀集液槽內，且該第三收集環之該第三突出部與該第三環狀集液槽之一槽壁於徑向方向上部分重疊。
12. 如請求項11所述之流體製程處理裝置，其中該升降模組包含一第二排液氣壓缸，其設置於該第二收集環之該第三環狀集液槽的底部，且該第二排液氣壓缸包含一第二氣壓缸體與一第二中空軸桿，該第二中空軸桿設置於該第二氣壓缸體內，該第二中空軸桿連通該第三環狀集液槽至該底部收集盤之其中之一該排液口。
13. 如請求項2所述之流體製程處理裝置，其中該外側擋板之一內側表面延伸至該底部收集盤。
14. 如請求項1所述之流體製程處理裝置，更包含一氣箱，其連接至該底部收集盤之該抽氣口。
15. 如請求項14所述之流體製程處理裝置，其中該底部收集盤之氣體通道大於通過該收集環模組之氣體通道。
16. 如請求項1所述之流體製程處理裝置，其中該固定裝置為一真空裝置，且該基板固定單元更包含一彈性軟片，該彈性軟片圍繞設置於該載台的頂面周緣，以在該真空裝置運作時該彈性軟片吸附於該基板之底部。