KR20160090733A - 유체공정 처리장치 - Google Patents

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Abstract

유체공정 처리장치는 기반, 회전모터, 기판고정부, 수집부 및 액체공급부를 포함한다. 수집부는 수집환 모듈, 승강모듈과 밑부분 수집판을 포함하고, 그 중에서 수집환 모듈은 복수의 수집환을 포함하고 순서적으로 방사상으로 설치하며, 승강모듈은 복수의 승강장치를 포함하고 각각 복수의 수집환에 연결하여 독립적으로 복수의 수집환을 승강하며, 밑부분 수집판은 수집환 모듈 아래에 설치하고 복수의 액체배출구와 적어도 하나의 기체배출구가 있다. 상기 유체공정 처리장치는 구조설계를 간편화 할 수 있고 서로 다른 유체 사이의 서로오염을 방지할 수 있다.

Description

유체공정 처리장치 {FLUID PROCESS DEALING DEVICE}
본원은 유체공정 처리장치에 관한 것이고, 특히 서로 다른 유체 사이의 서로오염을 방지하는 유체공정 처리장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼, 태양에너지 기판, 디스플레이 유리기판, LED기판 등 기판의 제조과정 중에 기판 처리시스템으로 기판의 표면에 공급하는 처리액(예를 들면, 화학품 또는 탈염수 등)에 대하여 에칭, 청소 등 처리과정이 필요한데, 기판의 처리시스템에서 반드시 액체처리장치로 사용한 처리액에 대하여 수집, 액체배출, 회수 등 후속처리를 해야 한다.
기존의 기판 처리시스템은 대체적으로 기판고정부, 회전부, 액체공급부 및 수집부를 포함하고, 기판고정부는 회전부에 설치하고 회전부는 기판고정부의 회전을 이끌 수 있으며 기판고정부는 재하에 사용되고, 또한 고정장치를 이용하여 기판을 고정시키며, 액체공급부는 기판고정부에 설치하여 기판고정부의 기판 공급처리액 (예를 들면 HCl, )을 재하하며 수집부는 회전부와 기판고정부의 외측을 둘러싸며 설치된다.
그 중에서, 수집부는 복수의 수집환을 포함하고 복수의 수집환은 반드시 외부 승강기구의 구동을 이용하여 승강작동을 상대적으로 하고, 서로 다른 액체수집을 할 때, 미리 특정된 수집환을 승강하여 액체가 각 수집환의 가이드에 따라 각 수집환의 아래 방향의 액체배출 파이프로 배출되게 할 수 있다. 그러나 외부 승강기구는 반드시 추가적인 가죽벨트, 나사, 모터 등 장치로 각 수집환을 이끌어 구조가 복잡하고 원가의 높음을 초래한다. 그 외에, 각 수집환 사이는 서로 오염될 가능성이 있다.
이와 같이, 서로 다른 유체 사이의 서로 오염을 방지하는 유체공정 처리장치를 제공하는 것이 현재 가장 노력해야 할 목표이다.
본 발명은 유체공정 처리장치를 제공하였고, 복수의 수집환은 독립적으로 승강할 수 있어 기구의 설계를 간편화 한다. 바람직하게, 비 작업중의 수집환은 차단하여 서로 다른 유체 사이의 서로오염을 방지할 수 있다.
본 발명의 일실시예의 유체공정 처리과정은 기판의 처리과정에 응용되고, 기체공정 처리장치는 기판, 회전모터, 기판고정부, 수집부 및 액체공급부를 포함한다. 회전모터는 기반에 설치된다. 기판고정부는 회전모터에 설치되고 기판고정부는 재하 플랫폼과 고정장치를 포함하며, 재하 플랫폼은 기판을 재하하고, 또한 고정창치를 이용하여 기판을 고정하며; 수집부는 기반에 설치되고 기판고정부를 둘러싼다. 수집부는 수집환 모듈, 승강모듈과 밑부분 수집판을 포함하고, 수집환 모듈은 복수의 수집환을 포함하고 순서적으로 방사상으로 설치하며 승강모듈은 복수의 승강장치를 포함하고 각각 복수의 수집환에 연결하여 독립적으로 복수의 수집환의 상승위치 또는 하강위치를 승강하며, 밑부분 수집판은 수집환 모듈의 아래에 설치되고 밑부분 수집판의 밑부분은 복수의 액체배출구와 적어도 하나의 기체배출구를 포함한다. 액체공급부는 기반에 설치되고 처리액을 기판에 공급한다.
아래에 구체적인 실시예와 첨부된 도면을 결합하여 상세하게 설명하여 더욱 쉽게 본 발명의 목적, 기술내용, 특점 및 기타 도달하는 효과를 알 수 있다.
도1은 본 발명의 일실시예에 따른 유체공정 처리장치의 수집부 내부구조의 대략적인 단면도를 도시한다.
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 유체공정 처리장치의 수집부 내부구조의 대략적인 단면도를 도시한다.
도3은 본 발명의 일실시예에 따른 유체공정 처리장치에 처리액을 기판에 추가할 때, 수집부 내부의 작동상태의 대략적인 단면도를 도시한다.
도4은 본 발명의 일실시예에 따른 유체공정 처리장치에 처리액을 기판에 추가할 때, 수집부 내부의 작동상태의 대략적인 단면도를 도시한다.
도5은 본 발명의 일실시예에 따른 유체공정 처리장치에 처리액을 기판에 추가할 때, 수집부 내부의 작동상태의 대략적인 단면도를 도시한다.
도6은 본 발명의 일실시예에 따른 유체공정 처리장치에 처리액을 기판에 추가할 때, 수집부 내부의 작동상태의 대략적인 단면도를 도시한다.
아래에 첨부도면의 예시를 결합하여 본 발명의 각 실시예에 대하여 상세하게 설명한다. 이러한 상세설명을 제외한 외에, 본 발명은 다른 실시예에서도 광범위하게 실행될 수 있고, 임의의 상기 실시예의 대체, 수정, 같은 효과의 변화는 모두 본 발명의 범위에 포함되며 청구항을 기준으로 한다. 명세서의 설명에서 독자들이 본 발명에 대하여 비교적 완전한 이해를 주기 위하여 많은 특정세부사항을 제공하였지만, 본 발명은 부분적 또는 전부의 특정세부사항을 생략한 전제하에서도 여전히 실시될 수 있다. 그 외에, 모두 알고 있는 단계 또는 요소는 세부사항에 설명하지 않았는데 이는 본 발명에 불필요한 제한을 형성하는 것을 피하기 위해서이다. 도면에서 동일한 또는 유사한 요소는 동일한 또는 유사한 부호로 표시한다. 특별히 주의해야 할 것은 도면은 단지 예시용으로써 요소의 실제 치수 또는 수량을 대표하지 않고 일부 세부사항은 완전히 도시하지 않을 수 있는데 도면의 간략화를 위해서이다.
도1 내지 도2를 참고하면, 도1은 본 발명의 일실시예에 따른 유체공정 처리장치의 수집부 내부구조의 대략적인 단면도(1)를 도시하였고, 도2는 본 발명의 일실시예에 따른 유체공정 처리장치의 수집부 내부구조의 대략적인 단면도(2)를 도시하였다. 도와 같이, 본 발명의 유체공정 처리장치는 기판(W)의 처리과정에 응용되고, 유체공정 처리장치는 기반(10), 회전모터(20), 기판고정부(30), 수집부(40) 및 액체공급부(50)를 포함한다. 주의할 것은, 본 실시예에서 유체공정 처리장치의 수집부(40)의 외관은 대체적으로 원통형이고 내부의 회전모터(20)는 기판고정부(30)를 구동하여 축Z를 중심으로 회전하며 수집부(40)내부의 각 대략적 단면도를 설명함에 있어서, 축Z의 좌우측은 수집부(40)의 중심선이 서로 다른 방향으로의 방사상 단면도이고, 수집부(40)의 특수구조를 동일 평면으로 이동하여 선명하게 균등단면을 디스플레이 함으로써, 이런 형식의 단면도에 의하여 본 발명의 기술내용을 진일보로 설명한다.
회전모터(20)는 기반(10)에 설치되었다.
기판고정부(30)는 회전모터(20)에 설치되고 기판고정부(30)는 재하 플랫폼(31)과 고정장치(32)를 포함하고, 재하 플랫폼(31)은 기판(W)을 재하하고 고정장치(32)를 이용하여 기판(W)을 고정한다. 예를 들면, 고정장치(32)는 진공장치일 수 있고 고정장치(32)는 진공장치를 이용하여 기판(W)을 흡착 고정하며 진공장치로 기판(W)의 뒷면에 부의 압력을 형성하여 기판(W)을 흡착할 수 있다
수집부(40)는 기반(10)에 설치되고 기판고정부(30)을 둘러싸며 수집부(40)는 수집환 모듈(41), 승강모듈(42)과 밑부분 수집판(43)을 포함한다. 수집환 모듈(41)은 복수의 수집환을 포함하고 순서적으로 방사상으로 설치하여 인접한 각 수집환 사이에 환형 기체통로를 형성하고, 승강모듈(42)은 복수의 승강장치를 포함하고 균등 수집환에 각각 연결되어 복수의 수집환의 상승위치 또는 하강위치의 승강을 각각 독립적으로 제어하며 밑부분 수집부(43)는 수집환 모듈(41)의 아래에 설치하고, 또한 밑부분의 수집판(43)의 밑부분은 복수의 액체배출구(431)와 적어도 하나의 기체배출구(432)를 포함한다.
액체공급부(50)는 서로 다른 처리액을 기판(W)에 추가할 수 있다. 액체공급부(50)는 기존의 방식으로 실현할 수 있기에 액체공급부(50)의 상세한 설명은 생략한다. 액체공급부(50)는 복수의 파이프라인을 포함할 수 있고 서로 다른 처리액을 각각 추가하고 또한 분리하여 청소함으로써 공정중의 교차오염을 피할 수 있다.
본 발명의 유체공정 처리장치는 외부 기체배출장치(미도시)를 수집부(40)의 밑부분 수집판(43)의 기체배출구(432)에 연결하여 외부 기체배출장치가 밑부분 수집판(43)의 밑부분에 위치한 기체배출구(432)를 통하여 아래로 기체를 배출하며, 수집환 모듈(41)에 있는 균등 수집환 사이에 형성된 환형 기체통로의 단면적이 작아 기판(W) 주위에 위치한 기체가 전체 환형 기체통로에 의하여 밑부분 수집판(43)으로 유동하게 되고, 기판(W) 주위의 기체 흐름 범위가 균등 수집환 사이에 형성된 환형 기체통로를 따라 기체배출구(432)의 방향으로 균일하게 발전하여 균일하게 기체를 배출하는 효과에 달한다.
구체적으로, 본 실시예에서, 상기 수집환 모듈(41)은 제1수집환(411), 제2수집환(412) 및 제3수집환(413)을 포함하고, 제1수집환(411), 제2수집환(412) 및 제3수집환(413)은 순서적으로 방사상 외측으로 배열 설치된다. 제1수집환(411), 제2수집환(412) 및 제3수집환(413)에는 각각 위로 연장되는 제1가림판(411d), 제2가림판(412b) 및 제3가림판(413a)이 있다. 제1가림판(411d), 제2가림판(412b) 및 제3가림판(413a)은 기판(W)이 놓인 평면에 대한 협각은 90도보다 작아 처리액의 스플래시를 감소한다. 일실시예에서, 협각은 60도, 45도, 30도보다 작다. 제1수집환(411)은 제1환형섬프(411a)와 제2환형섬프(411b)를 포함하고, 그 중에서 제1환형섬프(411a)와 제2환형섬프(411b)는 각각 제1가림판(411d)의 내측과 외측에 설치된다. 제2수집환(412)은 제3환형섬프(412a) 및 제2돌출부(412c)를 포함하고, 그 중에서, 제3환형섬프(412a)는 제2가림판(412b)의 외측에 설치되며 제2수집환(412)의 내측표면 밑부분을 따라 제2돌출부(412c)는 제2환형섬프(411b)내까지 연장되고, 제2돌출부(412c)와 제2환형섬프(411b)의 벽은 방사상 방향에서 윗부분이 겹친다. 제3수집환(413)은 각각 제3가림판(413a)의 내측표면 및 외측표면의 아래로 연장되는 제3돌출부(413b) 및 제4돌출부(413c)를 포함하고, 그 중에서 제3돌출부(413b)는 제3환형섬프(412a)내까지 연장되며 제4돌출부(413c)는 제3환형섬프(412a)의 외측에 있고 제3돌출부(413b) 및 제4돌출부(413c)와 제3환형섬프(412a)의 벽은 방사상 방향으로 윗부분이 겹친다.
수집환 모듈(41)은 서로 다른 요구에 의하여 설계를 수정할 수 있다고 이해할 수 있다. 상기 실시예는 제1수집환(411), 제2수집환(412) 및 제3수집환(413)을 포함한 수집환 모듈(41)을 예로 설명하였지만 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제2수집환(412)을 생략하면 수집환 모듈(41)은 제1수집환(411) 및 제3수집환(413)만 포함하여도 본 발명을 실현할 수 있으며, 그 중에서 제3수집환(413)의 제3돌출부(413b)는 제2환형섬프(411b)내까지 연장되며 제4돌출부(413c)는 제2환형섬프(411b)의 외측에 있다. 같은 방법으로, 제1수집환(411) 및 제3수집환(413) 사이에도 복수의 제2수집환(412)을 설치할 수 있다.
계속하여, 본 실시예에서, 상승모듈(42)은 제1액체기체배출 실린더(421), 제2액체기체배출 실린더(422) 및 제1승강기체 실린더(423)를 포함한다. 제1액체기체배출 실린더(421)는 제1수집환(411)의 제2환형섬프(411b)의 밑부분에 설치되고, 제1액체기체배출 실린더(421)는 제1기압식 실린더(4211)와 제1홀로 샤프트(4212)를 포함하고 제1홀로 샤프트(4212)는 제1기압식 실린더(4211)내에 설치되고 제1홀로 샤프트(4212)는 제2환형섬프(411b)에서 밑부분 수집판(43) 중의 액체배출구(431)까지 연결함으로써, 제1액체기체배출 실린더(421)의 제1기압식 실린더(4211)는 제1수집환(411)의 승강을 제어할 수 있고, 제2환형섬프(411b)에 진입한 처리액은 제1홀로 샤프트(4212)로 대응하는 액체배출구(431)에 집중되어 제1수집환(411)과 제2수집환(412) 사이에 진입한 처리액을 회수한다. 그 외에, 제2액체기체배출 실린더(422)는 제2수집환(412)의 제3환형섬프(412a)의 밑부분에 설치하고 제2액체기체배출 실린더(422)는 제2기압식 실린더(4221)와 제2홀로 샤프트(4222)를 포함하며 제2홀로 샤프트(4222)는 제2기압식 실린더(4221)내에 설치되고 제2홀로 샤프트(4222)는 제3환형섬프(412a)에서 밑부분 수집판(43) 중의 액체배출구(431)까지 연결함으로써, 제2액체기체배출 실린더(422)의 제2기압식 실린더(4221)는 제2수집환(412)의 승강을 제어할 수 있고, 제3환형섬프(412a)에 진입한 처리액은 제2홀로 샤프트(4222)로 대응하는 액체배출구(431)에 집중되어 제2수집환(412)과 제3수집환(413) 사이에 진입한 처리액을 회수한다. 제1승강기체 실린더(423)는 제3수집환(413)까지 연결되어 제3수집환(413)의 승강을 제어한다.
본 실시예에서, 수집환 모듈(41)의 균등 수집환은 외측 가림판(414)을 더 포함할 수 있고, 외측 가림판(414)은 제3수집환(413)의 외측에 설치되며, 승강모듈(42)은 제2승강기체 실린더(424)를 더 포함하고 제2승강기체 실린더(424)는 외측 가림판(414)에 연결되어 외측 가림판(414)의 승강을 제어한다.
그 중에서, 수집환 모듈(41), 제1환형섬프(411a), 제2환형섬프(411b) 및 제3환형섬프(412a)는 모두 환형이고 유체공정 처리장치의 단면도에서, 축Z의 좌우측 제1환형섬프(411a)는 서로 연결되고, 축Z의 좌우측 제2환형섬프(411b)는 서로 연결되며, 축Z의 좌우측 제3환형섬프(412a)도 서로 연결된다.
이와 같이, 제1수집환(411), 제2수집환(412) 및 제3수집환(413)은 각각 직접 아래에 설치된 제1액체기체배출 실린더(421), 제2액체기체배출 실린더(422 및 제1승강기체 실린더(423)에 이끌려 승강할 수 있어 복잡한 외부 승강기구를 통한 이끌림이 필요 없게 되었다. 그 외에, 제1액체기체배출 실린더(421)와 제2액체기체배출 실린더(422)는 동시에 액체배출 파이프로 되어 제2환형섬프(411b) 및 제3환형섬프(412a)에 진입한 처리액을 각각 대응하는 액체배출구(431)로 가이드 하여 회수할 수 있으며, 이로써 서로 다른 처리액을 분리 수집할 수 있다.
본 실시예에서, 제1수집환(411)은 신축액체배출 파이프(411c)를 더 포함하고 신축액체배출 파이프(411c)는 제1환형섬프(411a)에서 밑부분 수집판(43) 중의 액체배출구(431)까지 연결되며, 신축액체배출 파이프(411c)는 제1액체기체배출 실린더(421)가 제1수집환(411)의 상승을 이끌 때 늘어나고 제1액체기체배출 실린더(421)가 제1수집환(411)의 하강을 이끌 때 줄어들어 제1환형섬프(411a)에서 밑부분 수집판(43) 대응 액체배출구(431)까지 연결을 유지함으로써 제1환형섬프(411a)에 진입한 처리액이 신축액체배출 파이프(411c)에 의해 대응하는 액체배출구(431)에 집중 및 회수되게 할 수 있다.
그 중에서, 유체공정 처리장치는 기체박스(70)를 더 포함하고, 기체박스(70)는 밑부분 수집판(43)의 밑부분 기체배출구(432)까지 연결되고, 기체박스(70)는 외부 기체배출장치와 기체배출구(432) 사이에 연결되어 기체가 유체공정 처리장치에서 밑부분 수집판(43)까지 균일하게 하강하고, 또한 기체배출구(432), 기체박스(70)에 의해 배출된다. 본 실시예에서, 기체박스(70)는 기반(10)의 아래에 설치되고 기체박스(70)내에는 기체배출 파이프(71)와 폐수 수집구(72)가 설치되어 있으며 폐수 수집구(72)는 기체박스(70)의 밑부분에 설치되어 폐수수집슬롯(미도시)에 폐수를 배출하며, 기체배출 파이프(71)는 폐수 수집구(72) 위에 설치되고, 또한 외부 기체배출 장치까지 연결되어 기체를 배출하는데 사용된다.
또한, 수집부(40)는 장벽모듈(44)을 더 포함하고, 장벽모듈(44)은 수집부(40)의 중앙에 설치되고, 또한 위쪽 커버(441)와 측환(442)을 포함하며, 위쪽커버(441)는 기판고정부(30)의 재하 플랫폼(31)의 아래에 설치되어 있고 제1환형섬프(411a)의 위까지 연장되는 제1돌출부(441a)가 있으며, 제1돌출부(441a)와 상승위치에 있는 제1환형섬프(411a)의 벽은 방사상 방향으로 윗부분이 겹친다. 측환(442)은 기판고정부(30)를 둘러싸고 밑부분 수집판(43)의 위쪽에 고정된다. 기판(W)에서 저속회전할 때, 원심력 부족으로 부분적 처리액이 제1수집환(411)과 기판고정부(30) 사이에 흘러 들어가고 장벽모듈(44)은 제1수집환(411)과 기판고정부(30) 사이에 진입한 처리액을 밑부분 수집판(43)까지 가이드 하며 기체배출구(432)로 처리액을 진일보로 폐수 수집구(72)까지 배출하여 폐수 수집슬롯으로 집중시킨다.
그 외에, 본 실시예에서, 기판고정부(30)는 탄성필름(33)을 더 포함하고 탄성필름(33)은 재하 플랫폼(31)에 설치된 윗표면 주변을 둘러싸고 진공장치가 작동할 때, 기판(W)의 밑부분과 탄성필름(33)의 내측에 부의 압력이 생겨 탄성필름(33)의 윗부분이 기판(W)의 밑부분에 흡착되게 함으로써 기판(W)표면의 처리액이 기판(W)을 떠날 때까지 압력을 가한 후, 탄성필름(33)은 처리액이 기판(W)의 밑부분에 의하여 진공장치에 흡입되어 진공장치를 파괴하는 것을 방지한다.
도3 내지 도6을 참고하면, 본 발명의 구체적 실시예의 유체공정 처리장치 사용상태의 단면도를 도시하였다. 도와 같이, 유체공정 처리장치에서 처리 프로그램을 시작하기 전에 기판(W)을 기판고정부(30)의 재하 플랫폼(31)에 놓고 회전모터(20)의 이끌림으로 기판(W)과 기판고정부(30)가 축Z를 중심축으로 회전한다.
도3과 같이, 기판(W)의 처리 프로그램을 할 때, 액체공급부(50)로 처리액(A)을 기판(W)까지 가한다고 설정하면, 제어모듈(미도시)로 수집부(40)의 승강모듈(42)의 제1액체기체배출 실린더(421)를 제어하여 제1수집환(411)을 올리고, 제2액체기체배출 실린더(미도시)를 제어하여 제2수집환(412)을 올리며, 제1승강기체 실린더(423)를 제어하여 제3수집환(413)을 올리고 제2승강기체 실린더(424)를 제어하여 외측 가림판(414)을 올리는데, 이때, 제1수집환(411)의 제1가림판(411d), 제2수집환(412)의 제2가림판(412b), 제3수집환(413)의 제3가림판(413a) 및 외측 가림판(414)의 앞부분은 순서적으로 함께 모여있어 서로 맞춰지며, 제1수집환(411)과 기판(W) 사이에 제1개구(T1)를 형성하고 제1개구(T1)는 기판(W)의 주변에 대응된다. 따라서, 기판(W)의 표면에 가한 처리액(A)은 원심력의 작용에 의해 기판(W)의 주변으로 뿌리쳐 나가며, 기판(W)을 떠난 처리액(A)과 기체(G)는 제1개구(T1)에 의하여 제1환형섬프(411a)내에 진입하고 처리액(A)은 제1환형섬프(411a)를 따라 신축액체배출 파이프(411c)로 흘러 들어가며 밑부분 수집판(43)의 대응 액체배출구(431)로 배출된다. 안개 형태의 처리액(A)은 기체(G)를 따라 제1환형섬프(411a)에 진입하고, 안개 형태의 처리액(A)은 제1환형섬프(411a)내에서 유동하고 제1환형섬프(411a)의 벽면에 응고되며, 다시 제1환형섬프(411a)의 벽면을 따라 아래로 집중되어 신축액체배출 파이프(411c)로 흐르고, 기체(G)는 제1수집환(411)을 따라 유동하고 제1수집환(411)과 장벽모듈(44) 사이의 간극으로 균일하게 밑부분 수집판(43)의 아래로 유동함으로 밑부분 수집판(43)의 기체배출구(432)로 다시 집중하여 배출시켜 처리액(A)과 기체(G)의 분리효과에 도달한다. 일실시예에서, 밑부분 수집판(43)은 비교적 큰 공간이고, 다시 말해서, 밑부분 수집판(43)의 기체통로는 수집환 모듈(41)을 통과하는 기체통로보다 크기에, 기체(G)가 밑부분 수집판(43)에서 유속이 느려져 제1환형섬프(411a)에서 응결되지 않은 안개형태의 처리액(a)이 밑부분 수집판(43)과 기체(G)에서 진일보로 분리됨을 초래한다.
도4와 같이, 기판(W)의 처리 프로그램을 할 때, 액체공급부(50)로 처리액(B)을 기판(W)까지 가한다고 설정하면, 제어모듈로 수집부(40)의 승강모듈(42)의 제1액체기체배출 실린더(421)를 제어하여 제1수집환(411)을 하강시키고, 제2액체기체배출 실린더(미도시)를 제어하여 제2수집환(412)을 올리며, 제1승강기체 실린더(423)를 제어하여 제3수집환(413)을 올리고 제2승강기체 실린더(424)을 제어하여 외측 가림판(414)을 올리며, 이때, 제2수집환(412)의 제2가림판(412b), 제3수집환(413)의 제3가림판(413a) 및 외측 가림판(414)의 앞부분은 순서적으로 함께 모여있어 서로 맞춰지며, 제1수집환(411)과 제2수집환(412) 사이에 제2개구(T2)를 형성하고 제2개구(T2)는 기판(W)의 주변에 대응된다. 따라서, 기판(W)의 표면에 가한 처리액(B)은 원심력의 작용에 의해 기판(W)의 주변으로 뿌리쳐 나가며, 기판(W)을 떠난 처리액(B)과 기체(G)는 제2개구(T2)에 의하여 제2환형섬프(411b)내에 진입하고 처리액(B)은 제2환형섬프(411b)를 따라 제1액체기체배출 실린더(421)의 제1홀로 샤프트(4212)로 흘러 들어가 밑부분 수집판(43)의 대응 배출구(431)로 배출된다. 안개 형태의 처리액(B)은 기체(G)를 따라 제2환형섬프(411b)에 진입하고, 안개 형태의 처리액(B)은 제2환형섬프(411b)내에서 유동하고 제2환형섬프(411b)의 벽면에 응고되며, 다시 제2환형섬프(411b)의 벽면을 따라 아래로 집중되어 제1홀로 샤프트(4212)로 흐르고, 기체(G)는 제2수집환(412)을 따라 유동하고 제2수집환(412) 하단과 제2환형섬프(411b) 사이의 간극을 에돌며 균일하게 밑부분 수집판(43)의 아래로 유동함으로 밑부분 수집판(43)의 기체배출구(432)로 다시 집중하여 배출하여 처리액(B)과 기체(G)의 분리효과에 도달한다.
도5와 같이, 기판(W)의 처리 프로그램을 할 때, 액체공급부(50)로 처리액(C)을 기판(W)까지 가한다고 설정하면, 제어모듈로 수집부(40)의 승강모듈(42)의 제1액체기체배출 실린더(미도시)를 제어하여 제1수집환(411)을 하강시키고, 제2액체기체배출 실린더(422)를 제어하여 제2수집환(412)을 하강시키고, 제1승강기체 실린더(423)를 제어하여 제3수집환(413)을 올리고 제2승강기체 실린더(424)를 제어하여 외측 가림판(414)을 올리며, 이때, 제1수집환(411)의 제1가림판(411d) 및 제2수집환(412)의 제2가림판(412b) 앞부분은 순서적으로 함께 모여있어 서로 맞춰지며, 제3수집환(413)의 제3가림판(413a) 및 외측 가림판(414)의 앞부분은 순서적으로 함께 모여있어 서로 맞춰지며, 제2수집환(412)과 제3수집환(413) 사이에 제3개구(T3)를 형성하고 제3개구(T3)는 기판(W)의 주변에 대응된다. 따라서, 기판(W)의 표면에 가한 처리액(C)은 원심력의 작용에 의해 기판(W)의 주변으로 뿌리쳐 나가며, 기판(W)을 떠난 처리액(C)과 기체(G)는 제3개구(T3)에 의하여 제3환형섬프(412a)내에 진입하고 처리액(C)는 제3환형섬프(412a)를 따라 제2액체기체배출 실린더(422)의 제2홀로 샤프트(4222)로 흘러 들어가며 밑부분 수집판(43)의 대응 액체배출구(431)로 배출된다. 안개 형태의 처리액(C)은 기체(G)를 따라 제3환형섬프(412a)에 진입하고, 안개 형태의 처리액(C)은 제3환형섬프(412a)내에서 유동하고 제3환형섬프(412a)의 벽면에 응고되며, 다시 제3환형섬프(412a)의 벽면을 따라 아래로 집중되어 제2홀로 샤프트(4222)로 흐른다. 기체(G)는 제3수집환(413)을 따라 유동하고 제3수집환(413) 하단과 제3환형섬프(412a) 사이의 간극을 에돌며 균일하게 밑부분 수집판(43)의 아래로 유동함으로 밑부분 수집판(43)의 기체배출구(432)로 다시 집중하여 배출하여 처리액(C)과 기체(G)의 분리효과에 도달한다.
도6과 같이, 기판(W)의 처리 프로그램을 할 때, 액체공급부(50)로 처리액(D)(일반적으로 맑은 물)을 기판(W)까지 가한다고 설정하면, 제어모듈로 수집부(40)의 승강모듈(42)을 제어하여 제1수집환(411), 제2수집환(412) 및 제3수집환(413)을 하강시키고, 제2승강기체 실린더(424)를 제어하여 외측 가림판(414)을 올리며, 이때, 제1수집환(411)의 제1가림판(411d), 제2수집환(412)의 제2가림판(412b) 및 제3수집환(413)의 제3가림판(413a)의 앞부분은 순서적으로 함께 모여있어 서로 맞춰지며, 제3수집환(413)과 외측 가림판(414) 사이에 제4개구(T4)를 형성하고 제4개구(T4)는 기판(W)의 주변에 대응한다. 따라서, 기판(W)의 표면에 가한 처리액(D)은 원심력의 작용에 의해 기판(W)의 주변으로 뿌리쳐 나가며, 기판(W)을 떠난 처리액(D)과 기체(G)는 제4개구(T4)에 의하여 밑부분 수집판(43)에 진입하고 처리액(D)은 외측 가림판(414)을 따라 밑부분 수집판(43)으로 흘러 들어가 밑부분 수집판(43)을 청소하여 밑부분 수집판(43)의 습기를 유지하고 기타 처리액의 부착으로 결정체가 되는 것을 방지하며 처리액(D)은 다시 기체배출구(432)로 연결된 폐수 수집슬롯으로 흐른다. 안개 형태의 처리액(D)은 기체(G)를 따라 외측 가림판(414) 아래로 진입하여 밑부분 수집판(43)의 기체배출구(432)로 배출된다.
또한, 안개 형태의 처리액(D)을 휴대한 기체는 수집환 모듈(41)을 통과한 후, 밑부분 수집판(43)의 공간이 제3수집환(413)과 외측 가림판(414) 사이에 형성된 환형기체 통로보다 크기에 기체가 환형기체 통로에서 밑부분 수집판(43)으로 유동한 후 속도가 느려져 기체가 휴대한 안개 형태의 처리액(D)이 운동에너지를 잃게되어 밑부분 수집판(43)의 벽면 및 밑면에 부착되는 것을 초래하고, 처리액(D)이 누적하여 모인 후, 기체배출구(432)로 흘러 들어가고, 다시 기체박스(70) 밑부분의 폐수 수집구(72)로 배출되며 기체는 폐수 수집구(72) 위쪽에 설치된 기체배출 파이프(71)로 배출되어 처리액(D)과 기체(G)가 분리효과에 도달한다.
상기 설명을 종합하면, 본 발명의 유체공정 처리장치는 복수의 독립 가능한 승강 수집환이 있기에 구조설계를 간편화 할 수 있다. 바람직하게, 비 작업에 있는 수집환은 차단하여 서로 다른 유체 사이의 서로오염을 방지할 수 있다. 그 외에, 수집환 모듈과 밑부분의 수집판에 형성된 밑부분의 기체배출구를 통하여 외부 기체장치가 기체배출구로 기체를 배출할 때, 수집환 모듈내의 기체는 균등 수집환 사이에 형성된 환형 기체통로를 따라 균일한 하강기류를 형성하여 균일한 기체배출 효과에 도달한다.
상기 실시예는 단지 본 발명의 기술사상 및 특점을 설명하기 위한 것이고, 그 목적은 본 기술에 익숙한 자가 본 발명의 내용을 이해하면서 실시하는 것이며, 이로써 본 발명의 청구범위를 한정하여서는 안되고, 즉 본 발명이 공개한 사상에 의한 균등한 변화 또는 수정은 모두 본 발명의 청구범위에 속한다.
10 기반
20 회전모터
30 기판고정부
31 재하 플랫폼
32 고정장치
33 탄성필름
40 수집부
41 수집환 모듈
411 제1수집환
411a 제1환형섬프
411b 제2한형섬프
411c 신축액체배출 파이프
411d 제1가림판
412 제2수집환
412a 제3환형섬프
412b 제2가림판
412c 제2돌출부
413 제3수집환
413a 제3가림판
413b 제3돌출부
413c 제4돌출부
414 외측 가림판
42 승강모듈
421 제1액체기체배출 실린더
4211 제1기압식 실린더
4212 제1홀로 샤프트
422 제2액체기체 실린더
4221 제2기압식 실린더
4222 제2홀로 샤프트
423 제1승강기체 실린더
424 제2승강기체 실린더
43 밑부분 수집판
431 액체배출구
432 기체배출구
44 장벽모듈
441 위쪽 커버
441a 제1돌출부
442 측환
50 액체공급부
70 기체박스
71 기체배출 파이프
72 폐수 수집구
A, B, C, D 처리액
G 기체
T1 제1개구
T2 제2개구
T3 제3개구
T4 제4개구
W 기판
Z 축

Claims (16)

  1. 기판의 처리과정에 응용되는 유체공정 처리장치에 있어서,
    기반;
    상기 기반에 설치한 회전모터;
    상기 회전모터에 설치한 기판고정부;
    상기 기반에 설치되고 상기 기판고정부를 둘러싼 수집부; 및
    상기 기반에 설치되어 상기 기판에 처리액을 공급하는 액체공급부
    를 포함하고,
    상기 기판고정부는 재하 플랫폼 및 고정장치를 포함하고, 상기 재하 플랫폼은 상기 기판을 재하하고, 또한 상기 고정장치를 이용하여 상기 기판을 고정하고,
    상기 수집부는 수집환 모듈, 승강 모듈 및 밑부분 수집판을 포함하고, 상기 수집환 모듈은 복수의 수집환을 포함하고 순서적으로 방사상으로 설치하며, 상기 승강 모듈은 복수의 승강장치를 포함하고 각각 상기 복수의 수집환에 연결하여 독립적으로 상기 복수의 수집환의 상승위치 또는 하강위치를 승강하며, 상기 밑부분 수집판은 상기 수집환 모듈 아래에 설치하고 상기 밑부분 수집판의 밑부분에는 복수의 액체배출구와 적어도 하나의 기체배출구를 포함하는 유체과정 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수집환 모듈은 제1수집환, 제3수집환 및 외측 가림판을 포함하고,
    상기 제1수집환, 상기 제3수집환 및 상기 외측 가림판은 순서적으로 방사상으로 밖으로 배열설치하고, 상기 제1수집환 및 상기 제3수집환에는 각각 위로 연장하는 제1가림판 및 제3가림판이 있고, 상기 상승위치에 있는 상기 제1가림판, 제3가림판 및 상기 외측 가림판의 앞부분은 함께 모여있으며, 및 상기 하가위치에 있는 상기 제1가림판 및 상기 제3가림판의 앞부분은 함께 모여있는 유체공정 처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1가림판, 상기 제3가림판 및 상기 외측 가림판이 상기 기판이 위치한 평면에 대한 협각은 90도보다 작은 유체공정 처리장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1수집환은,
    제1환형섬프 및 제2환형섬프
    를 포함하고,
    상기 제1환형섬프 및 상기 제2환형섬프는 각각 상기 제1가림판의 내측 및 외측에 설치되는 유체공정 처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1수집환은,
    신축 액체배출 파이프
    를 더 포함하고,
    상기 신축 액체배출 파이프는 제1환형섬프에서 상기 밑부분 수집판의 상기 액체배출구를 연결하는 유체공정 처리장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 수집부는 장벽모듈을 더 포함하고,
    상기 장벽모듈은 상기 수집부의 중심에 설치하고 위쪽 커버와 측환을 포함하며,
    상기 위쪽 커버는 상기 기판고정부의 상기 재하 플랫폼의 아래쪽에 설치되고 상기 제1환형섬프의 위까지 연장된 제1돌출부를 구비하고, 상기 제1돌출부는 상승위치에 있는 상기 제1환형섬프의 벽과 방사상 방향으로 윗부분 겹치고 상기 측환은 상기 기판고정부를 둘러싸고, 또한 상기 밑부분 수집판의 위에 설치된 유체공정 처리장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제3수집환은 각각 상기 제3가림판의 내측표면 및 외측표면을 따라 아래로 연장되는 제3돌출부 및 제4돌출부를 포함하고,
    상기 제3돌출부는 상기 제2환형섬프내까지 연장되고, 상기 제3돌출부 및 상기 제4돌출부는 상기 제2환형섬프의 벽과 방사상 방향으로 윗부분 겹치는 유체공정 처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 승강모듈은,
    제1액체기체배출 실린더 및 제1승강기체 실린더
    를 포함하고,
    상기 승강모듈은 상기 제3수집환에 연결되며,
    상기 제1액체기체배출 실린더는 상기 제1수집환의 상기 제2환형섬프의 밑부분에 설치되고,
    상기 제1액체기체배출 실린더는,
    제1기체 실린더 및 제1홀로 샤프트
    를 포함하며,
    상기 제1홀로 샤프트는 상기 제1기체 실린더 내에 설치되고, 상기 제1홀로 샤프트는 상기 제2환형섬프에서 상기 밑부분 수집판 중의 상기 액체배출구를 연결하는 유체공정 처리장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 승강모듈은,
    상기 외측 가림판에 연결된 제2승강기체 실린더
    를 더 포함하는 유체공정 처리장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 수집환 모듈은,
    상기 제1수집환 및 상기 제3수집환 사이에 설치한 제2수집환
    을 더 포함하고,
    상기 제2수집환은 위로 연장하는 제2가림판이 있고 상기 상승위치의 상기 제1가림판, 상기 제2가림판, 상기 제3가림판 및 상기 외측가림판의 앞부분에 함께 모여있으며, 및 상기 하강위치의 상기 제1가림판, 상기 제2가림판 및 상기 제3가림판의 앞부분에 함께 모여있는 유체공정 처리장치.
  11. 제10에 있어서,
    상기 제2수집환은,
    제3환형섬프 및 제2돌출부
    를 포함하고,
    상기 제3환형섬프는 상기 제2가림판의 외측에 설치되고, 상기 제2수집환의 상기 제2돌출부는 상기 제2가림판의 내측표면을 따라 아래로 상기 제2환형섬프내까지 연장되고, 상기 제2수집환의 상기 제2돌출부는 상기 제2환형섬프의 벽과 방사성 방향으로 윗부분 겹치며, 상기 제3수집환의 상기 제3돌출부는 상기 제3환형섬프내까지 연장되고, 상기 제3수집환의 상기 제3돌출부는 상기 제3환형섬프의 벽과 방사성 방향으로 윗부분 겹치는 유체공정 처리장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 승강모듈은,
    상기 제2수집환의 상기 제3환형섬프의 밑부분에 설치한 제2액체기체배출 실린더
    를 포함하고,
    상기 제2액체기체배출 실린더는
    제2기체 실린더와 제2홀로 샤프트
    를 포함하며,
    상기 제2홀로 샤프트는 상기 제2기체 실린더내에 설치되어 있고, 상기 제2홀로 샤프트는 상기 제3환형섬프에서 상기 밑부분의 수집판 사이의 상기 액체배출구를 연결하는 유체공정 처리장치.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 외측가림판의 내측표면은 상기 밑부분 수집판까지 연장되는 유체공정 처리장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 밑부분 수집판의 상기 기체배출구에 연결되는 기체박스
    를 더 포함하는 유체공정 처리장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 밑부분 수집판의 기체통로는 상기 수집환 모듈을 통과하는 기체통로보다 큰 유체공정 처리장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 고정장치는 진공장치이고 상기 기판고정부는 탄성필름을 더 포함하고, 상기 탄성필름은 상기 재하 플랫폼의 윗표면 주변을 둘러싸면서 설치하여 상기 진공장치가 작동할 때, 탄성필름이 상기 기판의 밑부분에 흡착되게 하는 유체공정 처리장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
CN112382594A (zh) * 2020-11-30 2021-02-19 冠礼控制科技（上海）有限公司 一种排液气缸
US11342215B2 (en) 2017-04-25 2022-05-24 Veeco Instruments Inc. Semiconductor wafer processing chamber

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI559990B (en) * 2015-11-06 2016-12-01 Grand Plastic Technology Corp Liquid collection apparatus for spin etcher
CN106711060B (zh) * 2015-11-16 2019-07-26 弘塑科技股份有限公司 旋转蚀刻清洗机台的流体收集装置
CN107093567B (zh) * 2016-02-18 2019-08-06 顶程国际股份有限公司 环状液体收集装置
JP6513048B2 (ja) * 2016-03-28 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
TWI646575B (zh) * 2016-07-27 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 流體製程處理裝置
TWI645913B (zh) * 2016-11-10 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 液體製程裝置
TWI665019B (zh) * 2017-02-15 2019-07-11 辛耘企業股份有限公司 基板處理裝置
CN109701943A (zh) * 2019-01-22 2019-05-03 上海提牛机电设备有限公司 一种晶片清洗盆
CN114951193B (zh) * 2022-07-29 2023-05-09 常州捷佳创精密机械有限公司 一种晶圆清洗设备及供液方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4257816B2 (ja) * 2000-03-16 2009-04-22 三益半導体工業株式会社 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
JP2003257925A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置及びスピン処理方法
JP4763567B2 (ja) * 2006-10-03 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US11342215B2 (en) 2017-04-25 2022-05-24 Veeco Instruments Inc. Semiconductor wafer processing chamber
CN112382594A (zh) * 2020-11-30 2021-02-19 冠礼控制科技（上海）有限公司 一种排液气缸

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