KR20110009181A - 스핀 처리 장치 및 스핀 처리 방법 - Google Patents

스핀 처리 장치 및 스핀 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110009181A
KR20110009181A KR1020107026570A KR20107026570A KR20110009181A KR 20110009181 A KR20110009181 A KR 20110009181A KR 1020107026570 A KR1020107026570 A KR 1020107026570A KR 20107026570 A KR20107026570 A KR 20107026570A KR 20110009181 A KR20110009181 A KR 20110009181A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing liquid
cup body
processing
receiving body
Prior art date
Application number
KR1020107026570A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101168649B1 (ko
Inventor
고노스케 하야시
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
Publication of KR20110009181A publication Critical patent/KR20110009181A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101168649B1 publication Critical patent/KR101168649B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은, 기판에 복수 종류의 처리액을 순차적으로 공급하여 처리하는 스핀(spin) 처리 장치로서, 컵체[cup body(1)]와, 컵체 내에 설치되어 기판을 지지하여 회전 구동되는 회전 테이블(8)과, 상면이 개구된 링형을 이루고 있고, 컵체의 내주와 회전 테이블의 외주와의 사이에 상하 방향으로 구동 가능하게 설치되어 회전하는 기판으로부터 비산(飛散)되는 처리액을 받는 처리액 받이체[receiving body(16)]와, 기판에 공급되는 처리액의 종류에 따라 처리액 받이체를 상하 방향으로 구동하여 그 높이를 설정하는 리니어 모터(21)와, 컵체에 설치되어 처리액 받이체가 받은 처리액을 처리액 받이체가 리니어 모터에 의해 설정된 높이에 따라 분리하여 회수하는 제1 분리 유로 내지 제3 분리 유로(27a~27c)를 구비한다.

Description

스핀 처리 장치 및 스핀 처리 방법{SPIN PROCESSING APPARATUS AND SPIN PROCESSING METHOD}
본 발명은 회전 구동되는 기판을 복수 종류의 처리액에 의해 순차적으로 처리하는 스핀(spin) 처리 장치 및 스핀 처리 방법에 관한 것이다.
예를 들면, 액정 표시 장치나 반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 직사각형의 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판에 회로 패턴을 형성하는 것이 행해지고 있다. 회로 패턴을 형성하는 경우, 상기 기판에 대하여 현상 처리, 에칭 처리 또는 레지스트의 박리 처리 등이 행해진다. 이들 처리를 행하는 경우, 먼저, 기판에 제1 처리액으로서 현상액, 에칭액 또는 박리액 등을 공급하여 소정의 처리를 행하고, 그 다음에, 제2 처리액으로서 순수(純水) 등의 세정액을 공급하여 세정 처리하는 것이 행해진다.
현상액, 에칭액 또는 박리액 등의 제1 처리액은 고가이기 때문에, 회수하여 반복 사용하는 것이 행해지고 있다. 제1 처리액을 반복하여 사용하는 경우, 제1 처리액과 제2 처리액이 혼합되지 않게 하면서 회수해야만 한다.
제1 처리액과 제2 처리액과의 혼합을 피하기 위해서는, 기판에 공급된 제1 처리액과 제2 처리액을 각각 별개의 경로에서 회수하지 않으면 안된다.
한편, 상기 기판은 전술한 복수 종류의 제1 처리액에 의해 순차적으로 처리하는 경우도 있다. 예를 들면, 현상 처리된 기판을 에칭액으로 에칭 처리한후, 세정액으로 세정 처리하고, 그 다음에, 박리액으로 레지스트의 박리 처리를 행한 후, 재차 세정액으로 세정 처리하여 다음 공정으로 반송하는 경우가 있다.
그와 같은 경우에도, 상기 에칭액과 박리액을 반복하여 사용하는 경우에는, 이들 처리액에 다른 처리액이나 세정액을 혼합시키지 않고 분리하여 회수하는 것이 요구된다.
종래, 기판을 복수의 처리액에 의해 처리하고, 각각의 처리액을 분리하여 회수하는 스핀 처리 장치로서는 특허 문헌 1에 나타낸 것이 알려져 있었다. 특허 문헌 1에 나타낸 스핀 처리 장치는, 컵체(cup body) 내에 기판을 지지하여 회전 구동되는 회전 테이블을 설치하고, 상기 컵체 내의, 상기 회전 테이블의 직경 방향으로 환형의 복수 개의 구획체를 상하 방향으로 구동 가능하게 설치한다.
그리고, 회전 테이블에 지지된 기판에 처리액을 공급하여 처리할 때, 복수 개의 구획체 중 1개를 상승시킨다. 그에 따라, 상기 기판의 회전에 의해 생기는 원심력에 의해 비산(飛散)되는 처리액을, 상승된 구획체의 내주면에 충돌시켜 낙하시킨다.
각각의 구획체의 내주면 측에 형성된 각각의 공간부에 대응하는 컵체의 저부(底部)에는 회수관이 접속되어 있다. 그에 따라, 각각의 공간부에 낙하하는 처리액을 상기 회수관에 의해 별개로 회수 가능하도록 되어 있다.
즉, 복수 개의 구획체 중 어떤 것을 상승시킬 것인지에 따라, 기판으로부터 비산되는 처리액이 낙하하는 공간부를 설정할 수 있으므로, 기판에 공급되는 복수 종류의 처리액을 각각의 공간부마다 분리하여 회수하는 것이 가능해지는 것이다.
일본공개특허 제2003-297801
그런데, 이와 같은 구성에 의하면, 회전 테이블의 회전 개시 시나 종료 시에는 그 회전 속도가 변화하기 때문에, 기판으로부터 비산되는 처리액의 비산 거리도 회전 속도에 따라 변화하게 된다. 즉, 회전 속도가 늦을 때는 처리액의 비산 거리가 작아진다.
처리액의 비산 거리가 작아지면, 기판으로부터 비산된 처리액은 상승된 구획체의 내주면에 도달하지 않는 경우가 있으므로, 그와 같은 경우에는 처리액이 설정된 공간부에 낙하하지 않고, 다른 공간부에 낙하하여 회수되어 버리는 경우가 있다.
또한, 기판이 일정 속도로 회전하고 있는 경우라도, 기판으로부터 비산되는 처리액의 비산 거리는 처리액의 기판으로의 공급 상태의 변화에 따라 변화하는 경우가 있으므로, 그와 같은 경우에도 기판으로부터의 처리액을 설정된 공간부에 낙하시켜 회수할 수 없는 경우가 있다.
기판으로부터 비산되는 처리액을 설정된 공간부에 낙하시킬 수 없으면, 그 처리액이 다른 처리액에 혼합되어 버리게 되므로, 복수 종류의 처리액을 확실하게 분리하여 회수할 수 없게 된다.
본 발명은, 기판을 복수 종류의 처리액에 의해 처리할 때, 각각의 처리액을 확실하게 분리하여 회수할 수 있도록 한 스핀 처리 장치 및 스핀 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 기판에 복수 종류의 처리액을 순차적으로 공급하여 처리하는 스핀 처리 장치로서,
컵체와,
상기 컵체 내에 설치되어 상기 기판을 지지하여 회전 구동되는 회전 테이블과,
상면이 개구된 링형을 이루고 있고, 상기 컵체의 내주와 상기 회전 테이블의 외주와의 사이에 상하 방향으로 구동 가능하게 설치되어 회전하는 상기 기판으로부터 비산되는 상기 처리액을 받는 처리액 받이체(receiving body)와,
상기 기판에 공급되는 처리액의 종류에 따라 상기 처리액 받이체를 상하 방향으로 구동하여 그 높이를 설정하는 상하 구동 수단과,
상기 컵체에 설치되어 상기 처리액 받이체가 받은 처리액을 상기 처리액 받이체가 상기 상하 구동 수단에 의해 설정된 높이에 따라 분리하여 회수하는 분리 회수 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 처리 장치이다.
상기 처리액 받이체는 내주벽, 외주벽 및 저벽(底壁)을 가지고, 이 저벽은 상기 컵체의 직경 방향에 대하여 경사져 있고, 경사 방향의 하단측에 위치하는 상기 내주벽 또는 외주벽 중 어느 한쪽에는 컵체의 내부를 상기 분리 회수 수단과 연통시키는 연통부가 설치되어 있는 것이 바람직하다.
상기 컵체의 내주와 상기 회전 테이블의 외주와의 사이에는, 주위 방향 전체 길이에 걸친 공간부가 형성되고,
상기 처리액 받이체는 상기 공간부에 상하 이동 가능하게 수용되어 있는 것이 바람직하다.
상기 분리 회수 수단은, 상기 컵체의 주위벽의 상하 방향이 상이한 높이 위치에 설치된 복수 개의 분리 유로를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명은, 기판에 복수 종류의 처리액을 순차적으로 공급하여 처리하는 스핀 처리 방법으로서,
컵체 내에 설치된 회전 테이블에 기판을 지지하여 회전 구동시키는 공정과,
회전하는 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정과,
상기 기판으로부터 비산되는 처리액을 상기 컵체의 내주와 상기 회전 테이블의 외주와의 사이에서 처리액의 종류에 따라 높이가 설정되는 처리액 받이체에 의해 받는 공정과,
상기 처리액 받이체에 의해 받은 처리액을 그 종류에 따라 분리하여 회수하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 처리 방법이다.
본 발명에 의하면, 기판으로부터 비산되는 처리액을 받는 처리액 받이체의 높이를 설정하고, 그 높이에 따라 처리액 받이체가 받은 처리액을 분리하므로, 기판으로부터 비산되는 처리액의 비산 거리와 관계없이, 복수 종류의 처리액을 확실하게 분리하여 회수하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예를 나타낸 스핀 처리 장치의 개략적 구성도이다.
도 2a는 처리액 받이체의 평면도이다.
도 2b는 처리액 받이체의 측면도이다.
도 3a는 처리액 받이체를 최하단에 위치 결정했을 때의 설명도이다.
도 3b는 처리액 받이체를 중단에 위치 결정했을 때의 설명도이다.
도 3c는 처리액 받이체를 최상단에 위치 결정했을 때의 설명도이다.
이하, 본 발명의 일 실시예를 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에 나타낸 스핀 처리 장치는 컵체(1)를 구비하고 있다. 이 컵체(1)는 통형의 주위벽(2)을 가지고, 이 주위벽(2)의 상단에는 직경 방향 중심을 향해 높아지도록 경사진 경사벽(3)이 설치되어 있다.
상기 컵체(1)의 저벽(4)의 중심부에는 투과공(5)이 형성되어 있다. 이 투과공(5)에는 구동원(6)이 설치되어 있다. 이 구동원(6)의 구동축(7)의 상단에는 회전 테이블(8)이 장착되어 있다. 이 회전 테이블(8)의 상면의 주변부에는 주위 방향으로 소정 간격으로 복수 개의 지지체(11)가 설치되어 있다. 각각의 지지체(11)의 상면에는 편심(偏心) 회전하는 걸어맞춤핀(12)이 설치되어 있다.
그리고, 회전 테이블(8)에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼로 이루어지는 기판 W가 공급되고, 이 기판 W의 주위 에지부가 상기 걸어맞춤핀(12)에 의해 걸어맞춤이 유지된다. 즉, 상기 걸어맞춤핀(12)을 편심 회전시킴으로써, 상기 기판 W가 회전 테이블(8)에 장착 및 분리 가능하게 유지된다.
그리고, 상기 회전 테이블(8)에는, 이 상면 및 외주면을 덮는 커버(13)가 설치되어 있다. 이 커버(13)의 주위벽은, 상기 컵체(1)의 저벽(4)에 형성된 투과공(5)의 주위에 세워 설치된 환형 벽(5a)의 내주면에 근접하여 대향하고 있다. 그에 따라, 컵체(1) 내에 공급된 처리액이 상기 투과공(5)으로부터 외부로 유출되는 것이 저지되고 있다.
상기 컵체(1) 내에는, 그 주위벽(2)과 상기 환형 벽(5a)에 의해 컵체(1)의 내주와 회전 테이블(8)의 외주와의 사이에, 주위 방향 전체 길이에 걸친 링형의 공간부(15)가 형성되어 있다. 이 공간부(15)에는 공간부(15)와 동일한 링형으로 형성된 처리액 받이체(16)가 상하 방향으로 이동 가능하게 수용되어 있다.
상기 처리 받이체(16)는 도 2a, 도 2b에 나타낸 바와 같이 환형의 내주벽(17)과 외주벽(18)이 동심형(同心形)으로 설치되어 있고, 이들 주위벽(17, 18)의 하단은 저벽(19)에 의해 연결되어 폐색(閉塞)되고, 상면은 개구되어 있다. 상기 저벽(19)은 처리액 받이체(16)의 직경 방향 내측으로부터 외측을 향해 낮아지도록 경사져 있다.
그리고, 처리액 받이체(16)는, 전체를 발수성(撥水性) 및 내(耐)약품성을 구비한 재료, 예를 들면, 불소 수지 등에 의해 형성되어 있지만, 금속 등의 재료로 형성하여 표면 전체에 불소 수지 등의 재료를 코팅하도록 해도 된다. 처리액 받이체(16)의 표면만을 발수성으로 하는 경우, 표면 중, 도 2a, 도 2b에 나타낸 내주벽(17)의 외주면(17a), 외주벽(18)의 내주면(18a) 및 저벽(19)의 상면에만 불소 수지 등의 재료를 코팅하여 발수 처리를 행하도록 해도 된다. 즉, 처리액 받이체(16) 중 적어도 표면을 발수성 및 내약품성으로 형성되어 있다.
상기 처리액 받이체(16)의 저벽(19)의 외저면(外底面)에는, 상하 구동 수단으로서의 리니어 모터(21)의 구동축(22)이 연결되어 있다. 그리고, 리니어 모터(21)는 컵체(1)의 주위 방향으로 소정 간격으로 복수 개, 이 실시예에서는 주위 방향으로 180도 간격으로 2개 배치되어 있다. 이 리니어 모터(21)는 상기 회전 테이블(8)의 구동원(6)과 함께 제어 장치(23)에 의해 구동이 제어된다. 그에 따라, 상기 처리액 받이체(16)는 상기 공간부(15) 내에서 상하 방향으로 단계적으로 높이가 설정되도록 되어 있다.
상기 처리액 받이체(16)의 외주벽(18)의 하단부에는 주위 방향으로 소정 간격, 이 실시예에서는 90도 간격으로 주위 방향을 따라 가늘고 긴 4개의 연통부로서의 유출공(25)이 형성되어 있다.
상기 컵체(1)의 주위벽(2)의, 상기 처리액 받이체(16)의 유출공(25)에 대응하는 개소, 즉 주위 방향으로 90도 간격의 개소에는, 각통형(角筒形)의 유로 집합체(26)의 일단이 접속되어 있다. 이 유로 집합체(26)의 내부는 분리 회수 수단을 구성하는 제1 분리 유로 내지 제3 분리 유로(27a~27c)로 각각 구획되어 있다. 즉, 유로 집합체(26)의 일단부 내에 있어서, 상기 제1 분리 유로 내지 제3 분리 유로(27a~27c)의 선단부는 상하 방향으로 구획되어 있다.
상기 처리액 받이체(16)는, 그 외주벽(18)에 형성된 유출공(25)이 유로 집합체(26)의 제1 분리 유로 내지 제3 분리 유로(27a~27c)에 순차적으로 대향하도록, 상기 리니어 모터(21)에 의해 상하 방향으로 단계적으로 구동된다. 그에 따라, 후술하는 바와 같이 상기 처리액 받이체(16)에 유입된 처리액은, 상기 유출공(25)이 대향한 유로 집합체(26)의 제1 분리 유로 내지 제3 분리 유로(27a~27c) 중 하나의 분리 유로로 흐르도록 되어 있다.
그리고, 각각의 분리 유로(27a~27c)의 선단부에서의 높이 치수는, 상기 유출공(25)의 높이 치수보다 크게 설정되어 있다. 그에 따라, 처리액 받이체(16)를 구동하여 소정의 높이로 위치 결정했을 때, 유출공(25)은 복수 개의 분리 유로(27a~27c) 중 하나의 분리 유로에만 확실하게 대향하도록 되어 있다.
상기 제1 분리 유로 내지 제3 분리 유로(27a~27c)의 타단에는, 이 제1 분리 유로 내지 제3 분리 유로(27a~27c)와 함께 분리 회수 수단을 구성하는 제1 회수 탱크 내지 제3 회수 탱크(28a~28c)가 접속되어 있다. 그에 따라, 각각의 분리 유로(27a~27c)를 흐른 처리액은 제1 회수 탱크 내지 제3 회수 탱크(28a~28c)에 분리하여 회수되도록 되어 있다.
상기 컵체(1)의 주위벽(2)에는 주위 방향으로 소정 간격으로 복수 개, 이 실시예에서는 180도 간격으로 2개의 배기관(29)(1개만 도시)의 일단이 접속되어 있다. 배기관(29)의 타단은 도시하지 않은 배기 블로어(blower)와 접속되어 있다.
그에 따라, 회전 테이블(8)에 지지된 기판 W의 상면 측의 분위기가 상기 컵체(1) 내의 공간부(15)를 통해서 배출되도록 되어 있다. 이와 같이, 기판 W의 상면의 분위기가 흐르는 것에 의해, 컵체(1) 내에 부유(浮遊)하는 미스트(mist)가 기판 W의 상면에 부착되지 않고 원활하게 배출되도록 되어 있다.
그리고, 컵체(1)의 주위벽(2) 내면에 개구된 배기관(29)의 개구단에는, 이 배기관(29)에 후술하는 바와 같이 기판 W로부터 비산된 처리액이 유입되는 것을 방지하기 위해, 도시하지 않은 차폐판(遮蔽板)이 소정 간격으로 배치되어 있다.
상기 회전 테이블(8)에 지지된 기판 W의 상면에는 처리액이 공급된다. 처리액의 공급은, 예를 들면, 컵체(1)의 위쪽에 배치된 복수 개의 노즐체, 이 실시예에서는 3개의 노즐체(31a~31c)로부터 선택적으로 공급되도록 되어 있다.
제1 노즐체(31a)는, 예를 들면, 현상액 등의 제1 처리액을 공급하고, 제2 노즐체(31b)는 순수 등의 제2 처리액을 공급한다. 제3 노즐체(31c)는 에칭액 등의 제3 처리액을 공급하도록 되어 있다.
다음에, 상기 구성의 스핀 처리 장치에 의해 기판 W를 제1 처리액 내지 제3 처리액에 의해 순차적으로 처리하는 경우에 대하여 도 3a~도 3c를 참조하면서 설명한다.
먼저, 도 3a에 나타낸 바와 같이, 처리액 받이체(16)를 리니어 모터(21)에 의해 최하단에 하강 위치결정하고, 그 외주벽(18)에 형성된 유출공(25)을 유로 집합체(26)에 형성된 최하단의 제1 분리 유로(27a)와 대향시킨다.
그 상태에서, 처리되지 않은 기판 W를 지지한 회전 테이블(8)을 회전시키는 동시에, 제1 노즐체(31a)로부터 기판 W에 제1 처리액인 현상액을 공급한다. 그에 따라, 기판 W의 상면에 도포된 레지스트가 제1 처리액에 의해 현상 처리되게 된다.
기판 W에 공급된 제1 처리액은, 회전하는 기판 W의 원심력에 의해 그 외주 에지로부터 주위로 비산되고, 컵체(1)의 공간부(15)에서 최하단의 높이로 위치결정된 처리액 받이체(16)의 상면 개구로부터 내부에 유입된다. 처리액 받이체(16) 내에 유입된 제1 처리액은 유출공(25)을 통하여 제1 분리 유로(27a)를 지나, 이 제1 분리 유로(27a)와 접속된 제1 회수 탱크(28a)에 회수된다. 즉, 제1 처리액인 현상액을 제1 회수 탱크(28a)에 분리하여 회수할 수 있다.
제1 처리액에 의한 기판 W의 처리가 종료되었으면, 리니어 모터(21)를 작동시켜 처리액 받이체(16)를 도 3b에 나타낸 바와 같이 중단의 높이로 위치결정하고, 그 유출공(25)을 제2 분리 유로(27b)와 대향시킨다. 처리액 받이체(16)를 중단의 높이로 위치결정했으면, 기판 W에는 제2 노즐체(31b)에 의해 제2 처리액인 순수를 공급한다.
그에 따라, 기판 W나 처리액 받이체(16)는 순수에 의해 세정되고, 그 순수는 처리액 받이체(16)의 유출공(25) 및 유로 집합체(26)의 제2 분리 유로(27b)를 통해서 제2 회수 탱크(28b)에 회수된다. 즉, 기판 W를 세정한 현상액을 포함하는 순수를 제2 회수 탱크(28b)로 분리하여 회수할 수 있다.
기판 W와 처리액 받이체(16)를 순수에 의해 세정 처리하였으면, 리니어 모터(21)를 작동시켜 처리액 받이체(16)를 도 3b에 나타낸 중단의 높이 위치로부터 도 3c에 나타낸 최상단의 높이로 상승시켜 위치결정하고, 그 유출공(25)을 제3 분리 유로(27c)와 대향시킨다.
그 다음에, 제3 노즐체(31c)로부터 제3 처리액으로서의 에칭액을 기판 W를 향해 분사 공급한다. 그에 따라, 기판 W의 상면의 레지스트가 노광되지 않고 제거된 부분이 에칭 처리되게 된다.
기판 W에 공급된 제3 처리액은, 처리액 받이체(16)의 유출공(25) 및 유로 집합체(26)의 제3 분리 유로(27c)를 통하여 제3 회수 탱크(28a)에 회수되게 된다. 즉, 제3 처리액으로서의 에칭액에 다른 처리액을 혼합시키지 않고, 분리하여 회수할 수 있다.
기판 W를 제3 처리액인 에칭액으로 처리하였으면, 리니어 모터(21)에 의해 처리액 받이체(16)를 도 3b에 나타낸 중단의 높이 위치로 설정하고, 기판 W에 제2 노즐체(31b)로부터 제2 처리액인 순수를 공급하여 세정 처리한다. 그에 따라, 에칭액을 포함하는 순수는 제2 회수 탱크(28b)에 회수되게 된다.
즉, 상기 구성의 스핀 처리 장치에 의하면, 제1 처리액 내지 제3 처리액을, 제1 회수 탱크 내지 제3 회수 탱크(28a~28c)에 분리하여 회수할 수 있다. 그에 따라, 처리액으로서 고가인, 제1 처리액으로서의 현상액이나 제3 처리액으로서의 에칭액을 재이용할 수 있다.
컵체(1)의 내주와, 회전 테이블(8)의 외주와의 사이의 공간부(15)에는 상면이 개구된 처리액 받이체(16)가 높이 위치를 조정할 수 있도록 설치되어 있다. 그러므로, 회전하는 기판 W의 상면에 공급된 처리액이 기판 W에 생기는 원심력에 의해 비산되면, 그 처리액은 기판 W로부터의 비산 거리에 관계없이, 상기 처리액 받이체(16)의 상면으로부터 그 내부에 확실하게 유입된다.
그리고, 처리액 받이체(16)에 유입된 처리액은, 처리액 받이체(16)가 설정된 높이에 따라 그 외주벽(18)의 유출공(25)으로부터 유로 집합체(26)의 제1 분리 유로 내지 제3 분리 유로(27a~27c) 중 하나의 분리 유로를 지나, 그 분리 유로와 접속된 제1 회수 탱크 내지 제3 회수 탱크(28a~28c) 중 하나의 회수 탱크에 회수된다.
즉, 처리액 받이체(16)의 높이를, 기판 W에 공급되는 처리액의 종류에 따라 변경함으로써, 종류가 상이한 처리액을 제1 회수 탱크 내지 제3 회수 탱크(28a~28c)에 확실하게 분리하여 회수할 수 있다.
상기 처리액 받이체(16)는 적어도 표면이 발수성이 높은 재료로 만들어져 있고, 또한 저벽(19)은 직경 방향 외측, 즉 외주벽(18)에 형성된 유출공(25)을 향해 낮아지도록 경사져 있다. 그러므로, 처리액 받이체(16)에 유입된 처리액은, 그 표면에 거의 부착 잔류하지 않고 회수되므로, 회수 효율이 향상되어, 경제성을 높일 수 있다.
상기 처리액 받이체(16)는 컵체(1)의 주위벽(2)과, 회전 테이블(8)의 외주와의 사이에 형성된 공간부(15)에 상하 이동 가능하게 설치하도록 했다. 상기 공간부(15)의 외주는 컵체(1)의 주위벽(2)에 의해 덮혀져 있다. 그러므로, 회전하는 기판 W로부터 비산되는 처리액의 비산 거리가 커져도, 그 처리액은 주위벽(2)에 충돌하여 낙하하므로, 상기 처리액 받이체(16)에 의해 확실하게 포착하여 회수할 수 있다.
상기 일 실시예에서는 기판에 공급하는 처리액을 변경할 때, 기판이나 처리액 받이체를 순수로 세정하도록 했지만, 원심력에 의해 기판의 상면에 처리액이 거의 잔류하지 않고, 또한 처리액 받이체 중 적어도 표면이 발수성의 재료로 만들어져, 그 표면에도 처리액이 거의 부착 잔류하지 않으므로, 회수되는 처리액의 순도 저하를 어느 정도, 용인할 수 있으면, 처리액의 종류를 변경할 때마다, 기판이나 처리액 받이체를 순수로 세정 처리하지 않아도 된다.
또한, 기판에 공급되는 처리액은 현상액과 에칭액뿐아니라, 또한 박리액을 공급하도록 해도 되고, 또는 현상액, 에칭액 및 박리액 이외의 복수 종류의 처리액을 공급하는 경우라도, 본 발명을 적용할 수 있다.
처리액의 종류가 증가한 경우에는, 그 종류의 수에 따라 노즐체의 수가 증가하는 것 외에, 유로 집합체에 형성되는 분리 유로의 수도 증가하게 된다. 그 경우, 분류 유로의 수에 따라 처리액 받이체는 리니어 모터에 의해 상하 방향으로 위치 결정되게 된다.
또한, 분리 회수 수단을 형성하는 유로 집합체를 컵체의 외주면에 설치하였으나, 투과공이 형성된 내주면에 설치하도록 해도 된다. 그 경우, 처리액 받이체의 저벽은 컵체의 직경 방향 내측을 향해 낮아지도록 경사지게 하고, 또한 유출공은 내주벽에 형성하면 된다.
그리고, 처리액 받이체의 내면을 처리액이 거의 부착 잔류하지 않도록 발수 처리하여 두면, 그 저벽은 경사지지 않도록 수평으로 해도, 내부에 유입된 처리액을 유로 집합체의 분리 유로에 유출시킬 수 있다.
1: 컵체, 8: 회전 테이블, 15: 공간부, 16: 처리액 받이체, 17: 내주벽, 18: 외주벽, 19: 저벽, 21: 리니어 모터(상하 구동 수단), 25: 유출공(연통부), 26: 유로 집합체, 27a~27c: 제1 분리 유로 내지 제3 분리 유로(분리 회수 수단), 28a~28c: 제1 회수 탱크 내지 제3 회수 탱크(분리 회수 수단), 31a~31c: 제1 노즐체 내지 제3 노즐체.

Claims (5)

  1. 기판에 복수 종류의 처리액을 순차적으로 공급하여 처리하는 스핀(spin) 처리 장치로서,
    컵체(cup body)와,
    상기 컵체 내에 설치되어 상기 기판을 지지하여 회전 구동되는 회전 테이블과,
    상면이 개구된 링형을 이루고 있고, 상기 컵체의 내주와 상기 회전 테이블의 외주와의 사이에 상하 방향으로 구동 가능하게 설치되어 회전하는 상기 기판으로부터 비산(飛散)되는 상기 처리액을 받는 처리액 받이체(receiving body)와,
    상기 기판에 공급되는 처리액의 종류에 따라 상기 처리액 받이체를 상하 방향으로 구동하여 그 높이를 설정하는 상하 구동 수단과,
    상기 컵체에 설치되어 상기 처리액 받이체가 받은 처리액을 상기 처리액 받이체가 상기 상하 구동 수단에 의해 설정된 높이에 따라 분리하여 회수하는 분리 회수 수단
    을 포함하는, 스핀 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 처리액 받이체는 내주벽, 외주벽 및 저벽(底壁)을 가지고, 상기 저벽은 상기 컵체의 직경 방향에 대하여 경사져 있고, 경사 방향의 하단측에 위치하는 상기 내주벽 또는 외주벽 중 어느 한쪽에는 컵체의 내부를 상기 분리 회수 수단과 연통시키는 연통부가 설치되어 있는, 스핀 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 컵체의 내주와 상기 회전 테이블의 외주와의 사이에는, 주위 방향 전체 길이에 걸친 공간부가 형성되고,
    상기 처리액 받이체는 상기 공간부에 상하 이동 가능하게 수용되어 있는, 스핀 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분리 회수 수단은, 상기 컵체의 주위벽의 상하 방향이 상이한 높이 위치에 설치된 복수 개의 분리 유로를 가지는, 스핀 처리 장치.
  5. 기판에 복수 종류의 처리액을 순차적으로 공급하여 처리하는 스핀 처리 방법으로서,
    컵체 내에 설치된 회전 테이블에 기판을 지지하여 회전 구동시키는 공정과,
    회전하는 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정과,
    상기 기판으로부터 비산되는 처리액을 상기 컵체의 내주와 상기 회전 테이블의 외주와의 사이에서 처리액의 종류에 따라 높이가 설정되는 처리액 받이체에 의해 받는 공정과,
    상기 처리액 받이체에 의해 받은 처리액을 그 종류에 따라 분리하여 회수하는 공정
    을 포함하는, 스핀 처리 방법.
KR1020107026570A 2008-06-30 2009-06-24 스핀 처리 장치 KR101168649B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008170306A JP5084639B2 (ja) 2008-06-30 2008-06-30 スピン処理装置
JPJP-P-2008-170306 2008-06-30
PCT/JP2009/061501 WO2010001781A1 (ja) 2008-06-30 2009-06-24 スピン処理装置及びスピン処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110009181A true KR20110009181A (ko) 2011-01-27
KR101168649B1 KR101168649B1 (ko) 2012-07-25

Family

ID=41465879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107026570A KR101168649B1 (ko) 2008-06-30 2009-06-24 스핀 처리 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8377251B2 (ko)
EP (1) EP2296170B1 (ko)
JP (1) JP5084639B2 (ko)
KR (1) KR101168649B1 (ko)
CN (1) CN102057464B (ko)
TW (1) TWI396233B (ko)
WO (1) WO2010001781A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101485579B1 (ko) * 2013-10-02 2015-01-22 주식회사 케이씨텍 기판세정장치

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101914298B1 (ko) * 2011-11-04 2018-12-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이용 글라스 윈도우 가공 장치 및 방법
CN105900218B (zh) 2014-01-16 2018-07-03 株式会社思可林集团 基板处理装置
EP2955745A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-16 Applied Materials Switzerland Sàrl Wafer cleaning system
JP6983602B2 (ja) * 2017-09-26 2021-12-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2019160988A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 信越ポリマー株式会社 基板用処理液の回収装置
KR102081706B1 (ko) 2018-07-18 2020-02-27 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102099105B1 (ko) 2018-07-18 2020-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN108906462B (zh) * 2018-07-23 2020-04-14 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种用于半导体湿法工艺设备的液体雾化装置
JP2023140684A (ja) * 2022-03-23 2023-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
JPH05190442A (ja) * 1992-01-10 1993-07-30 Hitachi Ltd 薬液処理装置
EP0976460B1 (en) * 1996-11-15 2007-01-10 Shibaura Mechatronics Corporation Spinning device and spinning method
JP3929192B2 (ja) * 1998-12-21 2007-06-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4257816B2 (ja) * 2000-03-16 2009-04-22 三益半導体工業株式会社 廃液回収機構付ウェーハ表面処理装置
TW504776B (en) 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
JP2003297801A (ja) 2002-03-28 2003-10-17 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
JP2004031400A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Sipec Corp 基板処理装置及びその処理方法
US7584760B2 (en) 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP4318913B2 (ja) * 2002-12-26 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
JP2004265912A (ja) * 2003-02-03 2004-09-24 Personal Creation Ltd 基板の処理装置
JP4441530B2 (ja) 2003-03-20 2010-03-31 ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト ディスク形状の物体を湿式処理するための装置及び方法
JP4293830B2 (ja) * 2003-05-12 2009-07-08 葵精機株式会社 基板処理装置およびその処理方法
US7467635B2 (en) 2003-05-12 2008-12-23 Sprout Co., Ltd. Apparatus and method for substrate processing
JP4413608B2 (ja) 2003-12-26 2010-02-10 旭化成エレクトロニクス株式会社 多電源電子回路の検証方法
JP2006086384A (ja) * 2004-09-16 2006-03-30 Ses Co Ltd 基板処理装置
JP4763567B2 (ja) * 2006-10-03 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101485579B1 (ko) * 2013-10-02 2015-01-22 주식회사 케이씨텍 기판세정장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW201009922A (en) 2010-03-01
US8377251B2 (en) 2013-02-19
CN102057464A (zh) 2011-05-11
JP5084639B2 (ja) 2012-11-28
EP2296170A1 (en) 2011-03-16
EP2296170A4 (en) 2012-07-18
CN102057464B (zh) 2013-03-27
JP2010010554A (ja) 2010-01-14
EP2296170B1 (en) 2013-08-14
TWI396233B (zh) 2013-05-11
US20110073565A1 (en) 2011-03-31
KR101168649B1 (ko) 2012-07-25
WO2010001781A1 (ja) 2010-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101168649B1 (ko) 스핀 처리 장치
KR101368156B1 (ko) 세정처리방법
KR101983897B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20130006349A (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
KR20080031110A (ko) 기판처리장치
WO2004001828A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN108695212B (zh) 基片处理装置
JPH11168078A (ja) 基板処理装置
KR20070007725A (ko) 기판의 스핀 처리 장치
JP2015176996A (ja) 基板処理装置
JP3837017B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法ならびに基板処理装置の洗浄方法
JP6983602B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3917384B2 (ja) 基板処理装置および基板洗浄装置
JP2009049432A (ja) ブラシ洗浄装置およびブラシ洗浄方法
JP4593713B2 (ja) スピン処理装置
JP2007235032A (ja) 基板処理装置
JP4637741B2 (ja) 基板処理装置
JP2002329705A (ja) スピン処理装置
JP3948963B2 (ja) スピン処理装置
JP4488497B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6095750B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6087771B2 (ja) 基板処理装置
JP2019106560A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2000260743A (ja) 回転式基板処理装置
JP6513774B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150618

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160616

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190617

Year of fee payment: 8