WO2004001828A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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WO2004001828A1
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processing
processing liquid
recovery
processed
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Minoru Matsuzawa
Michio Nagasaka
Original Assignee
Sipec Corporation
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    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method thereof, and is particularly suitable for separating and recovering various processing liquids after processing a substrate.
  • a single-wafer-type substrate processing apparatus that performs chemical processing such as edge etching and edge cleaning for each substrate is used.
  • This substrate processing apparatus performs various processes on the substrate by supplying various chemicals while rotating (spinning) the substrate at a fixed position.
  • the chemicals that have processed the substrate are separated from the substrate by the centrifugal force of rotation.
  • the particles are scattered and collected in a collection tank provided on the side of the substrate, and are discharged. At this time, the chemical solution scattered from the substrate and the surrounding atmosphere are mixed and collected in a mist or gas state in the collection tank.
  • FIGS. 10A and 10B are schematic diagrams of a conventional substrate processing apparatus.
  • FIG. 10A shows a cross-sectional view thereof
  • FIG. 10B shows a top view thereof.
  • 101 is a substrate to be processed
  • 102 is a chemical supply nozzle for supplying various chemicals to the substrate 101
  • 103 is a substrate 10 1 is a substrate chuck unit holding 104
  • 104 is a shaft connected to the substrate chuck unit 103
  • 105 is a substrate chuck held by the substrate chuck unit 103.
  • Axial direction Rotating in the opposite direction, 106 to 108 are provided in the collecting pots provided for collecting various chemicals, and 109 to 111 are provided in each collecting pot 106 to 108.
  • the liquid draining mechanism 112 is an elevating device for moving the height of the substrate chuck 103 in the vertical direction ⁇ s>.
  • the substrate chuck 101 holds the substrate 101, and drives the motor 105 to rotate the substrate 101 in the axial direction of the shaft 104.
  • the chemical solution is supplied from the chemical solution supply nozzle 102 onto the substrate 101 to process the substrate 101.
  • the chemical scattered from the substrate 101 by the rotation of the motor 105 is collected in the collection pot 106.
  • the collected chemical is discharged from the drainage mechanism 109.
  • the lifting device 111 is driven to move the position of the substrate 101 to the position of the entrance of the collection pot 107.
  • another chemical is supplied from the chemical supply nozzle 102 onto the substrate 101 while the substrate 101 is rotated by driving the substrate 105 to process the substrate 101.
  • the treated chemical is collected in the collection pot 107.
  • the lifting / lowering device 111 is driven to move the position of the substrate 101 to the position of the entrance of the collection pot 108, and the substrate 101 is treated with another chemical solution as described above. Then, the treated chemical is collected in the collection pot 108.
  • the various chemicals that have processed the substrate 101 collected in the collection pots 106 to 108 are mixed with the surrounding atmosphere and collected in the form of a mist or gas.
  • a plurality of chemical solutions obtained by treating the substrate 101 are separated and collected.
  • the mist or gaseous chemical after the substrate processing is mixed into another recovery pot because the chemical is collected while the opening of the other recovery pot is open. There was a risk of doing it.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and performs various processes on a substrate using various types of processing solutions, and then collects these processing solutions in a continuous process using the same apparatus configuration. It is an object of the present invention to provide a highly reliable substrate processing apparatus and a reliable substrate processing method by reliably preventing each used processing liquid from being mixed therein. Disclosure of the invention
  • the substrate processing apparatus of the present invention includes: a substrate holding unit configured to hold a substrate to be processed; a substrate rotating unit configured to rotate the substrate held by the substrate holding unit; and a plurality of processing liquids on the substrate.
  • a processing liquid supply unit for supplying, and a processing liquid that is disposed so as to surround a substrate to be processed held by the substrate holding unit, and separates and collects the processing liquid scattered from the substrate by the substrate rotating unit for each type.
  • a processing liquid collecting means having a plurality of collecting tanks provided so that the processing liquid is collected in a certain collecting tank while the entrance of another collecting tank is closed. It is intended to be collected.
  • the processing liquid collecting means has a plurality of fences, and a predetermined fence is driven upward to guide the recovery tank for collecting the processing liquid. It is characterized by forming a road.
  • the position of the substrate to be processed held by the substrate holding means is positioned above the position of the fence when the processing liquid is not collected. It is characterized by the following.
  • the fence is disposed so as to sequentially close the substrate to be processed so as to close an entrance of the recovery tank, Sequentially from a collection tank at a position away from the substrate to be processed It is characterized by performing recovery.
  • the fence includes a reflecting surface curved so as to reflect the processing liquid scattered from the substrate to be processed and to guide the processing liquid into the selected recovery tank. Characterized in that it has a leading end portion. Still another aspect of the substrate processing apparatus of the present invention is characterized in that an exhaust unit for separately exhausting the internal gas is provided for each of the recovery tanks. Still another aspect of the substrate processing apparatus according to the present invention is characterized in that a drainage unit for discharging the processing liquid is provided for each of the recovery tanks. Still another aspect of the substrate processing apparatus according to the present invention is characterized in that a cleaning unit for cleaning the inside of the recovery tank is provided.
  • the substrate processing method of the present invention comprises: a step of supplying a plurality of processing liquids onto the substrate to be processed while rotating the held substrate to be processed; and a step of surrounding the periphery of the substrate to be processed;
  • the processing liquid collected in a certain recovery tank is collected by using a processing liquid recovery unit having a plurality of recovery tanks provided so as to separate and collect the processing liquid scattered from the processing substrate for each type, A step of closing the entrance of the collection tank and collecting only the collection tank.
  • the processing liquid recovery means includes a plurality of fences, and a predetermined fence is driven upward to guide the recovery tank for recovering the processing liquid. It is characterized by forming a road.
  • the position of the held substrate to be processed is positioned higher than the position of the fence when the processing liquid is not collected. Is what you do.
  • the fence is disposed so as to sequentially close the substrate to be processed so as to close an entrance of the recovery tank.
  • the collecting step is characterized in that the collecting is sequentially performed from a collecting tank at a position distant from the substrate to be processed.
  • the fence includes a reflecting surface curved so as to reflect the processing liquid scattered from the substrate to be processed and guide the processing liquid into the selected recovery tank. Characterized in that it has a leading end portion.
  • the substrate processing method further includes an exhaust step of performing a separate exhaust of the internal gas for each of the recovery tanks.
  • the substrate processing method further comprises a draining step of discharging the processing liquid that has been turned on for each of the recovery tanks.
  • the method further includes a cleaning step of cleaning the inside of the recovery tank.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view of an elevating mechanism in the substrate processing apparatus of the present embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional top view of the inside of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the tip of the fence forming the recovery tank.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the tip of a fence forming a recovery tank.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a procedure of collecting a chemical solution of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a procedure of collecting a chemical solution of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a procedure of collecting a chemical solution of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
  • ⁇ FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating a procedure of collecting a chemical solution of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
  • 1OA and 10B are schematic sectional views of a conventional substrate processing apparatus. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
  • the substrate processing apparatus includes a substrate processing unit 1 for mounting a substrate 11 to be processed, and performing a processing with various processing liquids (chemicals) on the surface of the substrate 11.
  • a chemical liquid collecting section 2 for selectively separating and collecting various used chemical liquids.
  • reference numeral 12 denotes a chemical supply nozzle for supplying various chemicals to the substrate 11
  • reference numeral 13 denotes a substrate chuck for holding the substrate 11
  • reference numeral 14 denotes a substrate chuck connected to the substrate chuck 13.
  • the shaft 15 is a motor for rotating the substrate 11 held by the substrate chuck 13 in the axial direction of the shaft 14.
  • 16 to 19 are collection tanks separated by fences 3a to 3d for collecting various chemicals
  • 20 to 23 are each collection tanks 16 to 19
  • 24 to 27 are exhaust mechanisms provided in each recovery tank 16 to 19
  • 28 is a fence 3a to form each recovery tank 16 to 19
  • This is a lifting mechanism that drives 3d up and down to form a conduit for each of the recovery tanks 16 to 19.
  • collection tank 16 is made of fences 3a and 3b
  • collection tank 17 is made of fences 3b and 3c
  • collection tank 18 is made of fences 3c and 3d
  • collection tank 19 is made of fence 3d.
  • each of the fences 3a to 3d has a cleaning mechanism for cleaning the inside thereof with pure water or the like, and is made of a material excellent in chemical resistance and water absorption, such as Teflon (R). It is composed of Next, the lifting mechanism 28 will be described in detail.
  • Figure 2, as shown in c Figure 2 is a schematic cross-sectional view of the lifting mechanism 2 8 in the substrate processing apparatus of the present embodiment, the lifting mechanism 2 8 forms a cam 2 9 and the collection tank 1 6 -1 9 It has shafts 30 to 33 for driving the fences 3a to 3d upward.
  • the fences 3a to 3d on the outer side can be sequentially driven upward through the shafts 30 to 33.
  • the fences 3a to 3d forming each recovery tank are driven for each chemical supplied from the chemical supply nozzle 12, so that the entrance of the other recovery tank is closed. Can be recovered. Subsequently, the installation state of the fences 3a to 3d forming the recovery tanks 16 to 19 will be described.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the inside of the substrate processing apparatus of the present embodiment viewed from above.
  • the collection tanks 16 to 19 are formed by being divided by circular fences 3 a to 3 d so as to surround the periphery of the substrate 11, and each shaft 30 to 33 is formed by a shaft 30 to 33 on the bottom surface of the fence. There are three collection tanks (climbing area) per collection tank.
  • a drain port is provided in a part (2) shown in FIG. 3, so that the collected chemical solution can be drained from the drain port.
  • reference numerals 24 to 27 shown in FIG. 3 denote exhaust mechanisms provided in the respective recovery tanks 16 to 19 for discharging the recovered gas. Next, the entrance of the recovery tanks 16 to 19 will be described in detail.
  • FIG. 4 is a schematic sectional view showing the tip of the fence forming the recovery tanks 16 to 19.
  • the state shown in FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which a chemical solution is supplied from the chemical solution supply means onto the substrate 11 and the chemical solution obtained by treating the substrate 11 is collected in the collection tank 16.
  • the entrance of tank 16 is open, and the entrances of other collection tanks 17 to 19 are all closed.
  • the tips 4a to 4d of the fences 3a to 3d are curved so that the collection tanks 16 to 19 can be closed just by overlapping them. It has become.
  • the tips 4a to 4d are shaped so that they do not accumulate and accumulate even if the chemical solution hits, and the shape does not reflect the chemical solution outside the collection tanks 16 to 19. ing.
  • the recovery tank 16 passes through the tips 4b to 4d. It has a tip shape that flows down.
  • the chemical solution is set to have such a curvature that it does not reflect to the inside of the collection tank 16 and the scattering tank 16 in the example shown in the drawing, the chemical solution is applied to the chemical tank. It can be reliably collected only in the corresponding collection tank. Next, a procedure for collecting a chemical solution that has processed a substrate in the substrate processing apparatus of the present embodiment will be described.
  • FIG. 6 to FIG. 9 are schematic cross-sectional views illustrating a procedure of collecting a chemical solution in the substrate processing apparatus of the present embodiment.
  • four recovery tanks 16 to ⁇ 9 formed by four fences 3 a to 3 d and a partition plate 3 e provided so as to surround the periphery of the substrate 11 with four types of chemicals.
  • the present invention is not limited to this.
  • the fence 3a of the recovery tank 16 is driven upward by the elevating mechanism 28 to open the entrance.
  • the entrances of the other recovery tanks 17 to 19 are closed.
  • the substrate 11 is processed by supplying the first chemical from the chemical nozzle 12 while rotating the substrate 11 held by the substrate chuck 13 with the motor 15.
  • the first chemical solution obtained by treating the substrate 11 is scattered from the substrate 11 by the rotation of the motor 15 and is collected in the collection tank 16. At this time, the chemical solution scattered from the substrate and the surrounding air are mixed by the centrifugal force of rotation and are collected in the mist or gas form in the collection tank 16.
  • the chemical solution collected in the collection tank 16 is discharged from the drainage mechanism 20, and the collected gas is discharged from the exhaust mechanism 24.
  • the fence 3b of the recovery tank 17 is opened and the entrance of the recovery tank 17 is opened. It is driven upward by the lifting mechanism 28 until the entrance is closed.
  • the substrate 11 is processed by supplying the second chemical from the chemical nozzle 12 while rotating the substrate 11 with the motor 15.
  • the second chemical solution that has processed the substrate 11 is scattered from the substrate 11 by the rotation of the motor 15 and is collected in the collection tank 17.
  • the chemical solution scattered from the substrate and the surrounding atmosphere are mixed by the centrifugal force of rotation, and are collected in the mist or gas state in the collection tank 17.
  • the chemical solution collected in the collection tank 17 is discharged from the drainage mechanism 21, and the collected gas is discharged from the exhaust mechanism 25. Subsequently, as shown in FIG.
  • the fence 3c of the collection tank 18 is opened and the entrance of the collection tank 18 is opened. It is driven upward by the lifting mechanism 28 until the entrance is closed. At this time, since the entrances of the recovery tanks 16 and 19 are closed, only the entrance of the recovery tank 18 is open. In this state, the third chemical is supplied from the chemical liquid nozzle 12 while rotating the substrate 11 with the motor 15 to process the substrate 11. The third chemical that has processed the substrate 11 It is scattered from the substrate 11 by the rotation of the evening 15 and collected in the collection tank 18. At this time, the chemical liquid scattered from the substrate and the surrounding atmosphere are mixed by the centrifugal force of rotation, and are collected in the mist or gas form in the collection tank 18.
  • the chemical solution collected in the collection tank 18 is discharged from the drainage mechanism 22, and the collected gas is discharged from the exhaust mechanism 26. Subsequently, as shown in FIG. 9, before the fourth chemical solution is supplied from the chemical solution nozzle 12, the fence 3d of the collection tank 19 is opened and the entrance of the collection tank 19 is opened. It is driven upward by the lifting mechanism 28 until the entrance is closed. At this time, since the entrances of the recovery tanks 16 and 17 are closed, only the entrance of the recovery tank 19 is open. In this state, the substrate 11 is processed by supplying the fourth chemical solution from the chemical solution nozzle 12 while rotating the substrate 11 at a constant speed 15. The fourth chemical solution that has processed the substrate 11 is scattered from the substrate 11 by the rotation of the motor 15 and is collected in the collection tank 19.
  • the chemical liquid scattered from the substrate and the surrounding atmosphere are mixed by the centrifugal force of rotation, and are collected in the mist or gas form in the collection tank 19.
  • the chemical solution collected in the collection tank 19 is discharged from the drainage mechanism 23, and the collected gas is discharged from the exhaust mechanism 27.
  • the recovery liquid is collected in a state where the entrance of the other collection tank is closed. It is possible to prevent the treatment liquid from being mixed.
  • a continuous process using the same apparatus configuration can be performed without generating a salt that causes particles generated by the mixing.
  • Substrate processing can be performed in it.
  • the position of the substrate to be processed held by the substrate holding means is positioned above the position of the fence forming the recovery tank when the processing liquid is not recovered. With this configuration, it is possible to smoothly carry in and carry out the substrate to be processed.
  • the tip of the fence forming the recovery tank has a curved structure, even when the processing liquid scattered from the substrate to be processed hits the tip of the fence, the recovery tank is formed.
  • the processing solution can be efficiently collected because it can be prevented from scattering outside.

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Abstract

基板チャック部（１３）で保持された被処理基板（１１）を回転させて、被処理基板（１１）上に複数の処理液を供給し、回転手段（１５）により被処理基板（１１）から飛散した処理液をその種類毎に回収するように設けられた複数の回収槽（１６～１９）を有しており、処理液をある回収槽で回収するときは昇降機構（２８）を駆動させてその回収槽のみの入り口を開いた状態で回収するようにして、他の回収槽にその回収しようとする処理液が混入しないようにする。

Description

明 細 書 基板処理装置及び基板処理方法 技術分野
本発明は、 基板処理装置及びその処理方法に関し、 特に、 基板を処理した後の 各種処理液を分別回収するものに用いて好適なものである。 背景技術
従来、 半導体素子等を基板に形成する各種製造プロセスにおいて、 各基板毎に ゥエツトエッチング、 ゥエツト洗浄等の薬液処理を行う枚葉式の基板処理装置が 用いられる。 この基板処理装置は、 位置固定された基板を回転 （スピン） させな がら各種薬液を供給して当該基板に各種処理を行うものであり、 基板を処理した 薬液は、 回転の遠心力により基板から飛散して基板側方に設けられた回収槽に回 収されて、 排出処理される。 このとき、 基板から飛散した薬液と周囲の大気とが 混ざり合ってミスト状もしくはガス状で回収槽に回収される。 従来の基板処理においては、 基板を処理した薬液を回収するときに、 酸の薬液 とアル力リの薬液とが混合して化学反応により塩が発生し、 それがパーティクル の原因となってしまうのを避けるため、 酸の薬液による処理とアル力リの薬液に よる処理とを別の基板処理装置で行っている。 ここで、 従来における基板処理装置の一例として、 特開平 5 _ 2 8 3 3 9 5号 公報を挙げて、 前述した薬液の回収方法について説明する。
図 1 0 A及び図 1 0 Bは、 従来例の基板処理装置の概略図であり、 図 1 0 Aに その断面図、 図 1 0 Bにその上面図を示す。
図 1 0 A、 図 1 0 Bに示すように、 1 0 1は被処理対象である基板、 1 0 2は 基板 1 0 1に各種薬液を供給する薬液供給ノズル、 1 0 3は基板 1 0 1を保持す る基板チャック部、 1 0 4は基板チャック部 1 0 3に接続されているシャフト、 1 0 5は基板チャック部 1 0 3で保持された基板 1 0 1をシャフト 1 0 4の軸方 向に回転させるモー夕、 1 0 6〜 1 0 8は各種薬液毎に回収するために設けられ た回収ポット、 1 0 9〜 1 1 1は各回収ポット 1 0 6〜 1 0 8に設けられた排液 機構、 1 1 2は基板チャック部 1 0 3の高さを上下方向に移動させる昇降装置で あ <s>。 従来例に示す基板処理装置は、 基板チヤック部 1 0 3で基板 1 0 1を保持し、 モータ 1 0 5を駆動させて基板 1 0 1をシャフト 1 0 4の軸方向に回転させなが ら薬液供給ノズル 1 0 2から基板 1 0 1上に薬液を供給して、 基板 1 0 1を処理 する。 そして、 モータ 1 0 5の回転により基板 1 0 1から飛散した薬液は、 回収 ポット 1 0 6に回収される。 また、 回収された薬液は排液機構 1 0 9から排出さ れる。 続いて、 昇降装置 1 1 2を駆動させて基板 1 0 1の位置を回収ポット 1 0 7の 入り口の位置に移動させる。 そして、 モ一夕 1 0 5を駆動させて基板 1 0 1を回 転させながら薬液供給ノズル 1 0 2から基板 1 0 1上に別の薬液を供給して、 基 板 1 0 1を処理し、 処理した薬液を回収ポット 1 0 7で回収する。 続いて、 昇降 装置 1 1 2を駆動させて基板 1 0 1の位置を回収ポット 1 0 8の入り口の位置に 移動させて、 前述と同様にさらに別の薬液で基板 1 0 1を処理して、 その処理し た薬液を回収ポット 1 0 8で回収する。 ここで、 回収ポット 1 0 6〜 1 0 8に回 収される基板 1 0 1を処理した各種薬液は、 周囲の大気と混ざり合ってミスト状 もしくはガス状で回収される。 以上のようにすることで、 基板 1 0 1を処理した 複数の薬液を分別して回収している。 しかしながら、 上記した従来の基板処理装置では、 他の回収ポットの開口部が 開いた状態で薬液回収を行うために、 基板処理後のミスト状もしくはガス状の薬 液が他の回収ポッ卜に混入してしまう恐れがあった。 これは酸の薬液による処理 とアル力リの薬液による処理とを行う場合に、 上述したようなパーティクルの発 生を惹起するため、 特に顕著な問題となる。 このような薬液の混入を防止するた めには、 例えば、 酸の薬液による処理とアルカリの薬液による処理とを行う場合 に基板処理装置を併用することが必要であるが、 これにより、 複数の基板処理装 置で処理することによる工程の煩雑さを招くという更なる問題を招いている。 本発明は前述の問題点に鑑みてなされたものであり、 多種多様の処理液を用い て基板に各種処理を施した後、 これらの処理液を回収するに際して、 同一の装置 構成による連続した工程のなかで使用済みの各処理液が混合することを確実に防 止し、 信頼性の高い基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。 発明の開示
本発明の基板処理装置は、 被処理基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保 持手段で保持された被処理基板を回転させる基板回転手段と、 前記被処理基板上 に複数の処理液を供給する処理液供給手段と、 前記基板保持手段で保持された被 処理基板の周囲を取り囲むように配置され、 前記基板回転手段により前記被処理 基板から飛散した前記処理液をその種類毎に分離回収するように設けられた複数 の回収槽を有する処理液回収手段とを備え、 前記処理液回収手段は、 前記処理液 をある回収槽で回収するときに他の回収槽の入り口を閉じた状態で回収すること を特徵とするものである。 本発明の基板処理装置の他の様態は、 前記処理液回収手段は、 複数のフェンス を有しており、 所定のフェンスを上方に駆動させることによって当該処理液を回 収する前記回収槽の導路を形成することを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理装置の更に他の様態は、 前記基板保持手段で保持され る前記被処理基板の位置を、 処理液を回収していないときの前記フェンスの位置 よりも上に位置させることを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理装置の更に他の様態は、 前記フェンスが前記回収槽の 入り口を閉じるように前記被処理基板に近いほうから順次重ね合って配設されて おり、 前記処理液回収手段は、 前記被処理基板から離れた位置の回収槽から順次 回収を行うことを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理装置の更に他の様態は、 前記フェンスは、 前記被処理 基板から飛散した前記処理液を反射して選択された前記回収槽内へ導くように湾 曲された反射面とされてなる先端部を有することを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理装置の更に他の様態は、 前記回収槽毎に内部ガスを分 別排気するための排気手段を設けたことを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理装置の更に他の様態は、 前記回収槽毎に前記処理液を 排出するための排液手段を設けたことを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理装置の更に他の様態は、 前記回収槽内を洗浄するため の洗浄手段を設けたことを特徴とするものである。 ' 本発明の基板処理方法は、 保持された被処理基板を回転させながら前記被処理 基板上に複数の処理液を供給する工程と、 前記被処理基板の周囲を取り囲むよう に配置され、 前記被処理基板から飛散した前記処理液をその種類毎に分離回収す るように設けられた複数の回収槽を有する処理液回収手段を用いて、 前記処理液 をある回収槽で回収するときに他の回収槽の入り口を閉じた状態として、 前記あ る回収槽のみにより回収する工程とを有することを特徴とするものである。 本発明の基板処理方法の他の様態は、 前記処理液回収手段は、 複数のフェンス を有しており、 所定のフェンスを上方に駆動させることによって当該処理液を回 収する前記回収槽の導路を形成することを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理方法の更に他の様態は、 保持された前記被処理基板の 位置を、 前記処理液を回収していないときの前記フェンスの位置よりも上に位置 させることを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理方法の更に他の様態は、 前記フェンスが前記回収槽の 入り口を閉じるように前記被処理基板に近いほうから順次重ね合って配設されて お 0、 前記処理液を回収する工程は、 前記被処理基板から離れた位置の回収槽か ら順次回収を行うことを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理方法の更に他の様態は、 前記フェンスは、 前記被処理 基板から飛散した前記処理液を反射して選択された前記回収槽内へ導くように湾 曲された反射面とされてなる先端部を有することを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理方法の更に他の様態は、 前記回収槽毎に内部ガスの分 別排気を行う排気工程を有することを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理方法の更に他の様態は、 前記回収槽毎に回^した前記 処理液の排出を行う排液工程を有することを特徴とするものである。 また、 本発明の基板処理方法の更に他の様態は、 前記回収槽内の洗浄を行う洗 浄工程を有することを特徴とするものである。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明に係る基板処理装置の実施形態を示す概略断面図である。
図 2は、 本実施形態の基板処理装置における昇降機構の概略断面図である。 図 3は、 本実施形態の基板処理装置内の上面断面図である。
図 4は、 回収槽を形成するフェンスの先端部を示した概略断面図である。
図 5は、 回収槽を形成するフェンスの先端部を示した概略断面図である。
図 6は、 本実施形態の基板処理装置の薬液回収の手順を示す概略断面図である, 図 7は、 本実施形態の基板処理装置の薬液回収の手順を示す概略断面図である < 図 8は、 本実施形態の基板処理装置の薬液回収の手順を示す概略断面図である < 図 9は、 本実施形態の基板処理装置の薬液回収の手順を示す概略断面図である < 図 1 O A及び図 1 0 Bは、 従来例の基板処理装置の概略断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 添付図面を参照しながら本発明の基板処理装置及びその処理方法の具体 的な実施形態について説明する。 図 1は、 本発明に係る基板処理装置の実施形態を示す概略断面図である。 図 1に示すように、 この基板処理装置は、 被処理対象の基板 1 1が設置され、 当該基板 1 1の表面に各種処理液 （薬液） による処理を行うための基板処理部 1 と、 使用済みの各種薬液を選択的に分別回収する薬液回収部 2とを備えて構成さ れている。 基板処理部 1においては、 1 2は基板 1 1に各種薬液を供給する薬液供給ノズ ル、 1 3は基板 1 1を保持する基板チャック部、 1 4は基板チャック部 1 3に接 続されているシャフト、 1 5は基板チヤック部 1 3で保持された基板 1 1をシャ フト 1 4の軸方向に回転させるモータである。 薬液回収部 2においては、 1 6〜 1 9は各種薬液毎に回収するために各フェン ス 3 a〜3 dで区切られた回収槽、 2 0〜2 3は各回収槽 1 6〜 1 9にそれぞれ 設けられた排液機構、 2 4〜 2 7は各回収槽 1 6〜 1 9にそれぞれ設けられた排 気機構、 2 8は各回収槽 1 6〜1 9を形成するフェンス 3 a〜3 dを上下に駆動 し、 各回収槽 1 6〜 1 9の導路を形成する昇降機構である。 ここで、 回収槽 1 6 がフェンス 3 a， 3 bにより、 回収槽 1 7がフェンス 3 b , 3 cにより、 回収槽 1 8がフェンス 3 c， 3 dにより、 回収槽 1 9がフェンス 3 d及び仕切り板 3 e によりそれぞれ形成されている。 各フェンス 3 a ~ 3 dは、 不図示であるがその 内部を純水等で洗浄するための洗浄機構を備えており、 耐薬品性、 耐吸水性に優 れた材料、 例えばテフロン （R ) で構成されている。 続いて、 昇降機構 2 8について詳述する。 図 2は、 本実施形態の基板処理装置における昇降機構 2 8の概略断面図である c 図 2に示すように、 昇降機構 2 8は、 カム 2 9と回収槽 1 6 ~ 1 9を形成するフ エンス 3 a ~ 3 dを上方へ駆動させるためのシャフト 3 0 ~ 3 3を有している。 本実施形態の基板処理装置では、 カム 2 9を回転させることによって、 シャフ ト 3 0〜 3 3を介して外側のフェンス 3 aから 3 dへ順次に上方に駆動させるこ とができる。 この昇降機構 2 8の駆動により、 薬液供給ノズル 1 2から供給され た薬液毎に各回収槽を形成するフェンス 3 a〜 3 dを駆動させることによって、 他の回収槽の入り口を閉じた状態で回収することができる。 続いて、 回収槽 1 6〜 1 9を形成するフェンス 3 a〜 3 dの設置状態について 説明する。
図 3は、 上面から見た本実施形態の基板処理装置内,の断面図である。
本実施形態では、 回収槽が 4槽の場合を示している。 回収槽 1 6〜 1 9は、 基 板 1 1の周囲を取り囲むように円形のフェンス 3 a〜 3 dで区切られて形成され ており、 そのフェンスの底面を各シャフト 3 0〜 3 3が各回収槽 1 6 ~ 1 9あた り 3箇所 （攀の部分） 配置されている。 また、 図 3に示した〇の部分には、 排液 口が設けられており、 回収した薬液をこの排液口から排出できるように構成され ている。 さらに、 図 3に示した 2 4〜2 7は、 各回収槽 1 6〜 1 9に設けられ、 回収したガスを排出する排気機構である。 続いて、 回収槽 1 6〜 1 9の入り口部について詳述する。
図 4は、 回収槽 1 6〜 1 9を形成するフェンスの先端部を示した概略断面図で ある。
図 4に示した状態は、 薬液供給手段から基板 1 1上に薬液が供給されて、 その 基板 1 1を処理した薬液を回収槽 1 6で回収するときの様子を示す断面図である, 回収槽 1 6のみの入り口が開いており、 他の回収槽 1 7〜 1 9の入り口が全て閉 じられている。 図 4に示すように、 フェンス 3 a〜 3 dの先端部 4 a〜4 dは、 それぞれ重ね 合わせるだけで各回収槽 1 6 ~ 1 9を閉じた状態とすることができるように湾曲 した構造となっている。 また、 先端部 4 a〜4 dは、 薬液が例え当たったとして も付着して溜まらないような形状となっており、 さらに、 薬液が回収槽 1 6〜 1 9の外部に反射しない形状となっている。 また、 例えば先端部 4 aに当たった薬 液が下方に位置するフェンス 3 bの湾曲した先端部 4 bの先端部分に落ちた場合 には、 先端部 4 b〜4 dを通して回収槽 1 6外に流れ落ちるような先端形状とな つている。 また、 先端部 4 a〜4 dには、 パッキン等で封止する必要はなく、 フ エンス 3 a〜 3 dを重ね合わせることで、 回収槽内部が陰圧となって密閉状態と なり、 薬液を他の回収槽で回収しているときに、 その薬液が混入しないようにな つている。 この場合、 図 5に示すように、 先端部 4 a〜4 dは、 基板 1 1の表面 から飛散した薬液が先端部 4 a〜4 d、 図示の例では先端部 4 aに当たった場合 でも、 当該薬液が回収槽 1 6〜 1 9、 図示の例では回収槽 1 6の内部へ反射し、 回収槽 1 6外部へ飛び散らないような湾曲度に設定されているため、 薬液を当該 薬液に対応した回収槽のみに確実に回収することができる。 次に、 本実施形態の基板処理装置で基板を処理した薬液を回収する手順につい て説明する。
図 6〜図 9は、 本実施形態の基板処理装置の薬液回収の手順を示す概略断面図 である。
本実施形態では、 4種類の薬液を基板 1 1の周囲を囲むように配設された 4枚 のフェンス 3 a〜 3 d及び仕切り板 3 eにより形成される 4つの回収槽 1 6〜丄 9で回収する例で説明するが、 本発明はこれに限定されるものではなく、 例えば 更にフェンスの枚数を増設して 5つ以上の回収槽を構成することも可能である。 図 6に示すように、 第 1の薬液を薬液ノズル 1 2から供給する前に、 回収槽 1 6のフェンス 3 aを昇降機構 2 8で上方に駆動させてその入り口を開いておく。 このとき、 他の回収槽 1 7 ~ 1 9の入り口は閉じられている。 この状態で基板チャック部 1 3により保持された基板 1 1をモータ 1 5で回転 させながら薬液ノズル 1 2から第 1の薬液を供給して、 基板 1 1を処理する。 基 板 1 1を処理した第 1の薬液は、 モー夕 1 5の回転により基板 1 1から飛散して、 回収槽 1 6に回収される。 このとき、 回転の遠心力により基板から飛散した薬液 と周囲の大気とが混ざり合ってミスト状もしくはガス状で回収槽 1 6に回収され る。 回収槽 1 6に回収された薬液は排液機構 2 0から排出され、 また、 回収した ガスは排気機構 2 4から排出される。 続いて、 図 7に示すように、 第 2の薬液を薬液ノズル 1 2から供給する前に、 回収槽 1 7のフェンス 3 bをその回収槽 1 7の入り口を開くとともに、 回収槽 1 6の入り口を閉じる位置まで昇降機構 2 8により上方に駆動させる。 このとき、 回収槽 1 8、 1 9の入り口は閉じられているため、 回収槽 1 7の入り口のみが開 いた状態となっている。 この状態で基板 1 1をモータ 1 5で回転させながら薬液ノズル 1 2から第 2の 薬液を供給して、 基板 1 1を処理する。 基板 1 1を処理した第 2の薬液は、 モ一 タ 1 5の回転により基板 1 1から飛散して、 回収槽 1 7に回収される。 このとき、 回転の遠心力により基板から飛散した薬液と周囲の大気とが混ざり合ってミスト 状もしくはガス状で回収槽 1 7に回収される。 回収槽 1 7に回収された薬液は排 液機構 2 1から排出され、 また、 回収したガスは排気機構 2 5から排出される。 続いて、 図 8に示すように、 第 3の薬液を薬液ノズル 1 2から供給する前に、 回収槽 1 8のフェンス 3 cをその回収槽 1 8の入り口を開くとともに、 回収槽 1 7の入り口を閉じる位置まで昇降機構 2 8により上方に駆動させる。 このとき、 回収槽 1 6、 1 9の入り口は閉じられているため、 回収槽 1 8の入り口のみが開 いた状態となっている。 この状態で基板 1 1をモータ 1 5で回転させながら薬液ノズル 1 2から第 3の 薬液を供給して、 基板 1 1を処理する。 基板 1 1を処理した第 3の薬液は、 モー 夕 1 5の回転により基板 1 1から飛散して、 回収槽 1 8に回収される。 このとき、 回転の遠心力により基板から飛散した薬液と周囲の大気とが混ざり合ってミスト 状もしくはガス状で回収槽 1 8に回収される。 回収槽 1 8に回収された薬液は排 液機構 2 2から排出され、 また、 回収したガスは排気機構 2 6から排出される。 続いて、 図 9に示すように、 第 4の薬液を薬液ノズル 1 2から供給する前に、 回収槽 1 9のフェンス 3 dをその回収槽 1 9の入り口を開くとともに、 回収槽 1 8の入り口を閉じる位置まで昇降機構 2 8により上方に駆動させる。 このとき、 回収槽 1 6、 1 7の入り口は閉じられているため、 回収槽 1 9の入り口のみが開 いた状態となっている。 この状態で基板 1 1をモ一夕 1 5で回転させながら薬液ノズル 1 2から第 4の 薬液を供給して、 基板 1 1を処理する。 基板 1 1を処理した第 4の薬液は、 モー 夕 1 5の回転により基板 1 1から飛散して、 回収槽 1 9に回収される。 このとき、 回転の遠心力により基板から飛散した薬液と周囲の大気とが混ざり合ってミスト 状もしくはガス状で回収槽 1 9に回収される。 回収槽 1 9に回収された薬液は排 液機構 2 3から排出され、 また、 回収したガスは排気機構 2 7から排出される。 以上のような処理を行うことで、 複数種類の薬液を所定の回収槽に回収すると きに、 他の回収槽に混入することなく回収を行うことができるため、 効率のよい 分別回収 ·分別廃棄を行うことができる。 また、 基板チャック部 1 3で保持する 基板 1 1の位置を、 処理液を回収していないときのフェンス 3 a〜3 dの位置よ りも上に位置させて、 基板 1 1の搬入及び搬出をスムーズに行うことができるよ うに構成することも可能である。 本実施形態によれば、 多種多様の処理液を用いて基板に各種処理を施した後、 これらの処理液を回収するに際して、 使用済みの各処理液が混合することを確実 に防止し、 信頼性の高い基板処理が可能となる。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 基板を処理した処理液をある回収槽で回収するときに、 他の 回収槽の入り口を閉じた状態で回収するようにしたので、 他の回収槽にその回収 しょうとする処理液の混入の防止を図ることができる。 これにより、 例えば、 酸 の薬液による処理とアル力リの薬液による処理とを行う場合に、 その混入により 生じるパーティクルの原因となる塩を発生させることなく、 同一の装置構成によ る連続した工程のなかで基板処理を行うことができる。 また、 本発明の他の特徴によれば、 基板保持手段で保持される被処理基板の位 置を、 処理液を回収していないときの回収槽を形成するフェンスの位置よりも上 に位置させるようにしたので、 被処理基板の搬入及び搬出をスムーズに行うこと ができる。 また、 本発明のその他の特徴によれば、 回収槽を形成するフェンスの先端部を 湾曲した構造にしたので、 被処理基板から飛散した処理液がフェンスの先端部に 当たった場合でも、 回収槽の外に飛び散らないようにすることができるため、 効 率よく処理液を回収することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 被処理基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段で保持された被処理基板を回転させる基板回転手段と、 前記被処理基板上に複数の処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段で保持された被処理基板の周囲を取り囲むように配置され、 前記基板回転手段により前記被処理基板から飛散した前記処理液をその種類毎に 分離回収するように設けられた複数の回収槽を有する処理液回収手段とを備え、 前記処理液回収手段は、 前記処理液をある回収槽で回収するときに他の回収槽 の入り口を閉じた状態で回収することを特徴とする基板処理装置。
2 . 前記処理液回収手段は、 複数のフェンスを有しており、 所定のフェンスを 上方に駆動させることによって当該処理液を回収する前記回収槽の導路を形成す ることを特徴とする請求項 1に記載の基板処理装置。
3 . 前記基板保持手段で保持される前記被処理基板の位置を、 処理液を回収し ていないときの前記フェンスの位置よりも上に位置させることを特徴とする請求 項 2に記載の基板処理装置。
4 . 前記フェンスが前記回収槽の入り口を閉じるように前記被処理基板に近い ほうから順次重ね合って配設されており、
前記処理液回収手段は、 前記被処理基板から離れた位置の回収槽から順次回収 を行うことを特徴とする請求項 2に記載の基板処理装置。
5 . 前記フェンスは、 前記被処理基板から飛散した前記処理液を反射して選択 された前記回収槽内へ導くように湾曲された反射面とされてなる先端部を有する ことを特徴とする請求項 2に記載の基板処理装置。
6 . 前記回収槽毎に内部ガスを分別排気するための排気手段を設けたことを特 徵とする請求項 1に記載の基板処理装置。
7 . 前記回収槽毎に前記処理液を排出するための排液手段を設けたことを特徴 とする請求項 1に記載の基板処理装置。
8 . 前記回収槽内を洗浄するための洗浄手段を設けたことを特徴とする請求項 1に記載の基板処理装置。
9 . 保持された被処理基板を回転させながら前記被処理基板上に複数の処理液 を供給する工程と、
前記被処理基板の周囲を取り囲むように配置され、 前記被処理基板から飛散し た前記処理液をその種類毎に分離回収するように設けられた複数の回収槽を有す る処理液回収手段を用いて、 前記処理液をある回収槽で回収するときに他の回収 槽の入り口を閉じた状態として、 前記ある回収槽のみにより回収する工程と を有することを特徴とする基板処理方法。
1 0 . 前記処理液回収手段は、 複数のフェンスを有しており、 所定のフェンス を上方に駆動させることによって当該処理液を回収する前記回収槽の導路を形成 することを特徴とする請求項 9に記載の基板処理方法。
1 1 . 保持された前記被処理基板の位置を、 前記処理液を回収していないとき の前記フェンスの位置よりも上に位置させることを特徴とする請求項 1 0に記載 の基板処理方法。
1 2 . 前記フェンスが前記回収槽の入り口を閉じるように前記被処理基板に近 いほうから順次重ね合って配設されており、
前記処理液を回収する工程は、 前記被処理基板から離れた位置の回収槽から順 次回収を行うことを特徴とする請求項 1 0に記載の基板処理方法。
1 3 . 前記フェンスは、 前記被処理基板から飛散した前記処理液を反射して選 択された前記回収槽内へ導くように湾曲された反射面とされてなる先端部を有す ることを特徴とする請求項 1 0に記載の基板処理方法。
1 4 . 前記回収槽毎に内部ガスの分別排気を行う排気工程を有することを特徴 とする請求項 9に記載の基板処理方法。
1 5 . 前記回収槽毎に回収した前記処理液の排出を行う排液工程を有すること を特徴とする請求項 9に記載の基板処理方法。
1 6 . 前記回収槽内の洗浄を行う洗浄工程を有することを特徴とする請求項 9 に記載の基板処理方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006107549A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-12 Fsi International, Inc. Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
CN100466190C (zh) * 2004-03-12 2009-03-04 禧沛股份有限公司 基片处理装置
US8967167B2 (en) 2006-07-07 2015-03-03 Tel Fsi, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US9039840B2 (en) 2008-05-09 2015-05-26 Tel Fsi, Inc. Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4531612B2 (ja) * 2005-03-31 2010-08-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR100752246B1 (ko) 2005-03-31 2007-08-29 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4796902B2 (ja) * 2005-07-11 2011-10-19 芝浦メカトロニクス株式会社 基板のスピン処理装置
US20070169792A1 (en) * 2005-12-16 2007-07-26 Herman Itzkowitz Apparatus and method of chemical separation
JP4637741B2 (ja) * 2005-12-28 2011-02-23 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理装置
JP2007311446A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置
KR100797081B1 (ko) * 2006-08-24 2008-01-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP4763567B2 (ja) * 2006-10-03 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2008141010A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100824306B1 (ko) * 2006-12-22 2008-04-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100872877B1 (ko) * 2007-03-06 2008-12-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
WO2009020524A1 (en) 2007-08-07 2009-02-12 Fsi International, Inc. Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses
JP5084639B2 (ja) * 2008-06-30 2012-11-28 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
CN101958228B (zh) * 2009-07-13 2012-06-20 弘塑科技股份有限公司 具有移动式泄液槽的清洗蚀刻机台
JP2012044213A (ja) * 2011-10-26 2012-03-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5693438B2 (ja) 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
CN107093567B (zh) * 2016-02-18 2019-08-06 顶程国际股份有限公司 环状液体收集装置
TWI656594B (zh) * 2016-12-15 2019-04-11 辛耘企業股份有限公司 基板處理裝置
WO2018200398A1 (en) 2017-04-25 2018-11-01 Veeco Precision Surface Processing Llc Semiconductor wafer processing chamber
CN109570126B (zh) * 2018-12-27 2021-06-22 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 多级药品回收的单片清洗装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63111960U (ja) * 1987-01-13 1988-07-19
JPH0724396A (ja) * 1993-07-12 1995-01-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US5945161A (en) * 1996-12-27 1999-08-31 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed
US5965200A (en) * 1994-08-03 1999-10-12 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method
JPH11309404A (ja) * 1998-04-30 1999-11-09 Toshiba Corp 基板処理装置
JPH11333354A (ja) * 1998-05-27 1999-12-07 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 回転式基板処理装置
JP2000183010A (ja) * 1998-12-21 2000-06-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5608943A (en) * 1993-08-23 1997-03-11 Tokyo Electron Limited Apparatus for removing process liquid
TW306011B (ja) * 1995-04-19 1997-05-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5843527A (en) * 1995-06-15 1998-12-01 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Coating solution applying method and apparatus
US5725663A (en) * 1996-01-31 1998-03-10 Solitec Wafer Processing, Inc. Apparatus for control of contamination in spin systems
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
JP4426036B2 (ja) * 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63111960U (ja) * 1987-01-13 1988-07-19
JPH0724396A (ja) * 1993-07-12 1995-01-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US5965200A (en) * 1994-08-03 1999-10-12 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method
US5945161A (en) * 1996-12-27 1999-08-31 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed
JPH11309404A (ja) * 1998-04-30 1999-11-09 Toshiba Corp 基板処理装置
JPH11333354A (ja) * 1998-05-27 1999-12-07 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 回転式基板処理装置
JP2000183010A (ja) * 1998-12-21 2000-06-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1536460A4 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100466190C (zh) * 2004-03-12 2009-03-04 禧沛股份有限公司 基片处理装置
WO2006107549A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-12 Fsi International, Inc. Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US7681581B2 (en) 2005-04-01 2010-03-23 Fsi International, Inc. Compact duct system incorporating moveable and nestable baffles for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US8899248B2 (en) 2005-04-01 2014-12-02 Tel Fsi, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US8967167B2 (en) 2006-07-07 2015-03-03 Tel Fsi, Inc. Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids
US8978675B2 (en) 2006-07-07 2015-03-17 Tel Fsi, Inc. Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles
US9666456B2 (en) 2006-07-07 2017-05-30 Tel Fsi, Inc. Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles
US9039840B2 (en) 2008-05-09 2015-05-26 Tel Fsi, Inc. Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation

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