CN1672245A - 基板处理装置及其基板处理方法 - Google Patents
基板处理装置及其基板处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1672245A CN1672245A CNA038174138A CN03817413A CN1672245A CN 1672245 A CN1672245 A CN 1672245A CN A038174138 A CNA038174138 A CN A038174138A CN 03817413 A CN03817413 A CN 03817413A CN 1672245 A CN1672245 A CN 1672245A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- substrate
- accumulator tank
- treatment fluid
- guardrail
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 194
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 124
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 69
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 18
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 94
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 89
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 8
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 7
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
旋转被基板卡盘部(13)保持的被处理基板(11)，向被处理基板(11)上供给多种处理液，具有被设置的多个回收槽(16～19)，该回收槽将由于旋转装置(15)从被处理基板(11)飞散的处理液按照其种类进行回收，用某个回收槽回收处理液时，驱动升降装置(28)，在只将该回收槽的入口打开的状态下进行回收，使要回收的处理液不混入其他的回收槽。
Description
技术领域
本发明涉及基板处理装置及其处理方法，特别是适合用于分别回收进行基板处理后的各种处理液。
背景技术
在现有的将半导体元件等形成在基板上的各种制造工序中，使用在每张基板上进行液体腐蚀、液体清洗等的药水处理的单张式基板处理装置。该基板处理装置是一面使被固定位置的基板旋转(旋转)，一面供给各种药水，对该基板进行各种处理，处理基板后的药水由于旋转的离心力从基板飞散，被回收到设置在基板侧方的回收槽内，被进行排出处理。此时，从基板飞散的药水与周围的空气混合、以薄雾状或气体状被回收到回收槽。
在现有的基板处理中，对处理基板后的药水进行回收时，酸性药水与碱性药水混合、经过化学反应生成盐，为了避免其成为质点的原因，用分别的基板处理装置进行用酸性药水的处理和用碱性药水的处理。
在此，作为现有的基板处理装置的一例，特开平5-283395号公报就上述药水的回收方法进行了说明。
图10A和图10B是现有的基板处理装置的概略图，图10A是表示其剖面图，图10B是表示其俯视图。
如图10A、图10B所示，101是被处理对象的基板，102是向基板101供给各种药水的药水供给喷嘴，103是保持基板101的基板卡盘部，104是与基板卡盘部103连接的旋转轴，105是将被基板卡盘部103保持的基板101向旋转轴104的轴方向旋转的马达，106～108是为了回收每种药水而设置的回收槽，109～111是设置在各回收槽106～108上的排液装置，112是将基板卡盘部103向上下方向移动的升降装置。
现有例所示的基板处理装置是用基板卡盘部103保持基板101，一面驱动马达105、将基板101向旋转轴104的轴方向旋转，一面从药水供给喷嘴102向基板101上供给药水，进行基板101的处理。并且，由于马达105的旋转从基板101飞散出的药水被回收槽106回收。另外，被回收的药水被从排液装置109排出。
然后，驱动升降装置112，使基板101的位置向回收槽107的入口位置移动。并且，一面驱动马达105、旋转基板101，一面从药水供给喷嘴102向基板101上供给其他的药水，进行基板101的处理，用回收槽107回收处理后的药水。然后，驱动升降装置112，使基板101的位置向回收槽108的入口位置移动，与上述同样地用另外的药水处理基板101，用回收槽108回收其处理后的药水。在此，被回收到回收槽106～108的处理基板101后的各种药水与周围的空气混合，以薄雾状或气体状被回收。用上述方法分别回收处理基板101后的多种药水。
但是，在上述的现有的基板处理装置中，由于在其他的回收槽的开口部打开的状态下进行药水回收，因此，有可能基板处理后的薄雾状或气体状的药水混入其他的回收槽。在进行用酸性药水处理和用碱性药水处理的情况下，会导致产生上述的质点，成为尤为明显的问题。为了防止这样的药水的混入，例如，在进行用酸性药水处理和用碱性药水处理的情况下，需要并存基板处理装置，这样会导致进一步的问题，即用多个基板处理装置进行处理带来的工序复杂化。
本发明鉴于上述问题，以提供以下的基板处理装置及基板处理方法为目的，即使用各种各样的处理液体对基板进行各种处理后，在回收这些处理液时，可以确实防止在用同一装置构成进行的连续工序中，使用后的各处理液的混合，可靠性高。
发明内容
本发明的基板处理装置具有基板保持装置、基板旋转装置、处理液供给装置以及处理液回收装置，基板保持装置保持被处理的基板；基板旋转装置旋转被上述基板保持装置保持的被处理基板；处理液供给装置向上述被处理基板上供给多种处理液；处理液回收装置是包围着被上述基板保持装置保持的被处理基板的周围地设置，具有多个被设置的回收槽，将由于上述基板旋转装置从上述被处理基板飞散的上述处理液按照其种类分离回收到回收槽，其特征在于，上述处理液回收装置以用某个回收槽回收上述处理液时关闭其他的回收槽入口的状态进行回收。
本发明的基板处理装置的其他形式的特征是，上述处理液回收装置具有多个护栏，通过向上方驱动规定的护栏，形成回收该处理液的上述回收槽的通道。
另外，本发明的基板处理装置的其他形式的特征是，使上述基板保持装置保持的上述被处理基板的位置位于不回收处理液时的上述护栏位置之上。
另外，本发明的基板处理装置的其他形式的特征是，上述护栏被从靠近上述被处理基板的一方开始依次重叠设置，可以关闭上述回收槽的入口，上述处理液回收装置是从离开上述被处理基板的位置的回收槽开始依次进行回收。
另外，本发明的基板处理装置的其他形式的特征是，上述护栏具有被弯曲的反射面形成的顶端部，该反射面反射从上述被处理基板飞散的上述处理液，并向被选择的上述回收槽内引导。
另外，本发明的基板处理装置的其他形式的特征是，在上述每个回收槽上设置有对内部气体进行分别排气的排气装置。
另外，本发明的基板处理装置的其他形式的特征是，在上述每个回收槽上设置有排出上述处理液的排液装置。
另外，本发明的基板处理装置的其他形式的特征是，设置有清洗上述回收槽内的清洗装置。
本发明的基板处理方法的特征是具有处理液供给工序和回收工序，处理液供给工序是一面旋转被保持的被处理基板、一面向上述被处理基板上供给多种处理液；回收工序是利用处理液回收装置，在用某个回收槽回收上述处理液时关闭其他回收槽的入口的状态下，只利用上述某个回收槽进行回收，处理液回收装置具有多个回收槽，该回收槽包围上述被处理基板的周围地设置，将从上述被处理基板飞散的上述处理液按照其种类分离回收。
本发明的基板处理方法的其他形式的特征是，上述处理液回收装置具有多个护栏，通过将规定的护栏向上方移动，形成回收该处理液的上述回收槽的通道。
另外，本发明的基板处理方法的其他形式的特征是，将被保持的上述被处理基板的位置位于不回收上述处理液时的上述护栏位置的上面。
另外，本发明的基板处理方法的其他形式的特征是，上述护栏被从靠近上述被处理基板的一方开始依次重叠设置，可以关闭上述回收槽入口，回收上述处理液的工序是从离开上述被处理基板的位置的回收槽开始依次进行回收。
另外，本发明的基板处理方法的其他形式的特征是，上述护栏具有被弯曲的反射面形成的顶端部，该反射面反射从上述被处理基板飞散的上述处理液，并向被选择的上述回收槽内引导。
另外，本发明的基板处理方法的其他形式的特征是，具有对上述每个回收槽分别进行内部气体排气的排气工序。
另外，本发明的基板处理装置的其他形式的特征是，具有对回收在上述每个回收槽内的上述处理液进行排出的排液工序。
另外，本发明的基板处理装置的其他形式的特征是，具有清洗上述回收槽内的清洗工序。
附图说明
图1是表示本发明的基板处理装置的实施方式的概略剖面图。
图2是表示本实施方式的基板处理装置的升降装置的概略剖面图。
图3是表示本实施方式的基板处理装置内的俯视剖面图。
图4是表示形成回收槽的护栏顶端部的概略剖面图。
图5是表示形成回收槽的护栏顶端部的概略剖面图。
图6是表示本实施方式的基板处理装置的药水回收步骤的概略剖面图。
图7是表示本实施方式的基板处理装置的药水回收步骤的概略剖面图。
图8是表示本实施方式的基板处理装置的药水回收步骤的概略剖面图。
图9是表示本实施方式的基板处理装置的药水回收步骤的概略剖面图。
图10A和图10B是现有例的基板处理装置的概略剖面图。
具体实施方式
以下参照附图，就本发明的基板处理装置及其处理方法的具体实施方式进行说明。
图1是表示本发明的基板处理装置的实施方式的概略剖面图。
如图1所示，该基板处理装置的构成是具有基板处理部1和药水回收部2，基板处理部1设置被处理对象的基板11，为了对该基板11的表面进行利用各种处理液(药水)的处理，药水回收部2选择性地分别回收使用后的各种药水。
在基板处理部1上，12是向基板11供给各种药水的药水供给喷嘴，13是保持基板11的基板卡盘部，14是与基板卡盘部13连接的旋转轴，15将被基板卡盘部13保持的基板11向旋转轴14的轴方向旋转的马达。
在药水回收部2上，16～19是为了分别回收各种药水、用各护栏3a～3d隔开的回收槽，20～23是被分别设置在回收槽16～19上的排液装置，24～27是被分别设置在回收槽16～19上的排气装置，28是使形成回收槽16～19的护栏3a～3d上下驱动、形成各回收槽16～19的通道的升降装置。在此，回收槽16通过护栏3a、3b，回收槽17通过护栏3b、3c，回收槽18通过护栏3c、3d，回收槽19通过护栏3d以及隔板3e被分别形成。虽然没有图示，各护栏3a～3d具有清洗装置，该装置是为了用纯净水等清洗其内部，由抗药性、抗吸水性好的材料，例如由特氟纶(R)构成。
以下就升降装置28进行详细说明。
图2是表示本实施方式的基板处理装置的升降装置28的概略剖面图。如图2所示，升降装置28具有旋转轴30～33，该旋转轴30～33是为了将形成回收槽16～19的凸轮29和护栏3a～3d向上方驱动。
在本实施方式的基板处理装置中，通过旋转凸轮29，经过旋转轴30～33，可以从外侧的护栏3a到3d依次向上方驱动。通过该升降装置的28驱动，通过驱动护栏3a～3d，该护栏3a～3d对从药水供给喷嘴12供给的每种药水形成各回收槽，可以在关闭其他回收槽入口的状态下进行回收。
以下，就形成回收槽16～19的护栏3a～3d的设置状态进行说明。
图3是表示从上面看本实施方式的基板处理装置内的剖面图。
在本实施方式中，表示了回收槽是4个槽的情况。回收槽16～19包围基板11的周围地、被圆形的护栏3a～3d隔开形成，使该护栏的底面在每个回收槽16～19的三个位置(●的部分)设置各旋转轴30～33。另外，在图3所示的○的部分上设置有排液口，是可以将回收的药水从该排液口排出的构成。并且，图3所示的24～27是被设置在各回收槽16～19上的、排出回收气体的排气装置。
以下，就回收槽16～19的入口部进行说明。
图4是表示形成回收槽16～49的护栏顶端部的概略剖面图。
图4所示的状态是药水被从药水供给装置向基板11上供给，用回收槽16回收处理该基板11后的药水时的状态的剖面图。只有回收槽16的入口打开，其他回收槽17～19的入口全部被关闭。
如图4所示，护栏3a～3d的顶端部4a～4d是弯曲的构造，只通过相互重叠就可以成为关闭各回收槽16～19的状态。另外，顶端部4a～4d是即使药水碰上也不会附着、存留的形状，并且是药水不向回收槽16～19的外部反射的形状。另外，例如，碰到顶端部4a的药水落到位于下方的护栏3b的弯曲的顶端部4b的顶端部分的情况下，成为通过顶端部4b～4d向回收槽16外流下的顶端形状。另外，在顶端部4a～4d上，不需要用包装等密封，通过重叠护栏3a～3d，回收槽内部成为负压、成为密封状态。用其他的回收槽回收药水时，该药水不能混入。这种情况下，如图5所示，由于顶端部4a～4d被设定成以下的弯曲度，即使从基板11飞散的药水碰到顶端部4a～4d、图示的例中碰到顶端部4a的情况下，该药水向回收槽16～19、图示的例中向回收槽16的内部反射、不向回收槽16外部飞散的弯曲度，因此，可以将药水确实只回收到对应该药水的回收槽。
以下，就利用本实施方式的基板处理装置回收处理基板后的药水的步骤进行说明。
图6～图9是表示本实施方式的基板处理装置的药水回收步骤的概略剖面图。
在本实施方式中，以用4个回收槽16～19进行回收为例进行说明，该4个回收槽是通过将4种药水包围基板11周围地设置的4张护栏3a～3d以及护栏3a～3d、隔板3e形成，本发明不局限于此，例如，也可以增加护栏的数量，构成5个以上的回收槽。
如图6所示，从药水喷嘴12供给第一药水之前，利用升降装置28将回收槽16的护栏3a向上方驱动，打开其入口。此时，其他回收槽17～19的入口被关闭。
在该状态下，一面利用马达15旋转被基板卡盘部13保持的基板11，一面从药水喷嘴12供给第一药水，对基板11进行处理。处理基板11后的第一药水由于马达15的旋转从基板11飞散，被回收槽16回收。此时，由于旋转的离心力，从基板11飞散的药水与周围的空气混合，以薄雾状或气体状被回收槽16回收。被回收槽16回收的药水被从排液装置20排出，并且，回收的气体被从排气装置24排出。
然后，如图7所示，从药水喷嘴12供给第二药水之前，打开回收槽17的入口的同时，利用升降装置28将回收槽17的护栏3b向上方驱动，直到关闭回收槽16的入口的位置。此时，由于回收槽18、19的入口被关闭，只有回收槽17的入口是打开的状态。
在该状态下，一面利用马达15旋转基板11，一面从药水喷嘴12供给第二药水，对基板11进行处理。处理基板11后的第二药水由于马达15的旋转从基板11飞散，被回收槽17回收。此时，由于旋转的离心力，从基板11飞散的药水与周围的空气混合，以薄雾状或气体状被回收槽17回收。被回收槽17回收的药水被从排液装置21排出，并且，回收的气体被从排气装置25排出。
然后，如图8所示，从药水喷嘴12供给第三药水之前，打开回收槽18的入口的同时，利用升降装置28将回收槽18的护栏3c向上方驱动，直到关闭回收槽17的入口的位置。此时，由于回收槽16、19的入口被关闭，只有回收槽18的入口是打开的状态。
在该状态下，一面利用马达15旋转基板11，一面从药水喷嘴12供给第三药水，对基板11进行处理。处理基板11后的第三药水由于马达15的旋转从基板11飞散，被回收槽18回收。此时，由于旋转的离心力，从基板11飞散的药水与周围的空气混合，以薄雾状或气体状被回收槽18回收。被回收槽18回收的药水被从排液装置22排出，并且，回收的气体被从排气装置26排出。
然后，如图9所示，从药水喷嘴12供给第四药水之前，打开回收槽19的入口的同时，利用升降装置28将回收槽19的护栏3d向上方驱动，直到关闭回收槽18的入口的位置。此时，由于回收槽16、17的入口被关闭，只有回收槽19的入口是打开的状态。
在该状态下，一面利用马达15旋转基板11，一面从药水喷嘴12供给第四药水，对基板11进行处理。处理基板11后的第四药水由于马达15的旋转从基板11飞散，被回收槽19回收。此时，由于旋转的离心力，从基板11飞散的药水与周围的空气混合，以薄雾状或气体状被回收槽19回收。被回收槽19回收的药水被从排液装置23排出，并且，回收的气体被从排气装置27排出。
通过进行上述处理，将多种药水向规定的回收槽内回收时，可以不混入其他的回收槽地进行回收，因此，可以高效率地进行分别回收·分别清除。另外，也可以是以下的构成，即使基板卡盘部13保持的基板11的位置位于不回收处理液时的护栏3a～3d的位置之上，可以通畅地进行基板11的搬进搬出。
根据本实施方式，使用各种各样的处理液对基板进行各种处理后，回收这些处理液时，可以确实防止使用后的各处理液的混合，成为可靠性高的基板处理。
根据本发明，使用某个回收槽回收进行基板处理后的处理液时，由于可以在关闭其他回收槽的入口的状态下进行回收，因此可以防止要进行回收的处理液混入其他回收槽。这样，例如，进行用酸性的药水处理和用碱性的药水处理时不会产生盐，该盐成为由于其混入而产生质点的原因，可以在用同一装置构成进行的连续的工序中进行基板处理。
另外，根据本发明的特征，由于使被基板保持部保持的被处理基板的位置位于形成不回收处理液时的回收槽的护栏的位置之上，可以通畅地进行被处理基板的搬进搬出。
另外，根据本发明的其他特征，由于是将形成回收槽的护栏的顶端部弯曲的构造，因此，即使从被处理基板飞散的处理液碰到护栏的顶端部的情况下，也可以不向回收槽外飞散，因此，可以高效率地进行处理液的回收。
Claims (16)
1.一种基板处理装置，具有：基板保持装置、基板旋转装置、处理液供给装置以及处理液回收装置，该基板保持装置保持被处理的基板；该基板旋转装置旋转由上述基板保持装置保持的被处理基板；该处理液供给装置向上述被处理基板上供给多种处理液；该处理液回收装置包围着被上述基板保持装置保持的被处理基板的周围地设置，具有多个回收槽，该回收槽被设置成将由于上述基板旋转装置从上述被处理基板飞散的上述处理液按照其种类分离回收，其特征在于，上述处理液回收装置以用某个回收槽回收上述处理液时关闭其他的回收槽入口的状态进行回收。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，上述处理液回收装置具有多个护栏，通过向上方驱动规定的护栏，形成回收该处理液的上述回收槽的通道。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，使上述基板保持装置保持的上述被处理基板的位置位于不回收处理液时的上述护栏位置之上。
4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述护栏被从靠近上述被处理基板的一方开始依次重叠设置，可以关闭上述回收槽的入口，上述处理液回收装置是从离开上述被处理基板的位置的回收槽开始依次进行回收。
5.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，上述护栏具有被弯曲的反射面形成的顶端部，该反射面反射从上述被处理基板飞散的上述处理液，并向被选择的上述回收槽内引导。
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述每个回收槽上设置有用于对内部气体进行分别排气的排气装置。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在上述每个回收槽上设置有用于排出上述处理液的排液装置。
8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，设置有用于清洗上述回收槽内的清洗装置。
9.一种基板处理方法，其特征在于，具有：处理液供给工序和回收工序，该处理液供给工序是一面旋转被保持的被处理基板、一面向上述被处理基板上供给多种处理液；该回收工序是利用处理液回收装置，在用某个回收槽回收上述处理液时关闭其他回收槽的入口的状态下，只利用上述某个回收槽进行回收，所述处理液回收装置具有多个回收槽，该回收槽包围上述被处理基板的周围地设置，将从上述被处理基板飞散的上述处理液按照其种类分离回收。
10.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，上述处理液回收装置具有多个护栏，通过将规定的护栏向上方移动，形成回收该处理液的上述回收槽的通道。
11.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，将被保持的上述被处理基板的位置位于不回收上述处理液时的上述护栏位置之上。
12.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，上述护栏被从靠近上述被处理基板的一方开始依次重叠设置，可以关闭上述回收槽入口，回收上述处理液的工序是从离开上述被处理基板的位置的回收槽开始依次进行回收。
13.如权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，上述护栏具有被弯曲的反射面形成的顶端部，该反射面反射从上述被处理基板飞散的上述处理液，并向被选择的上述回收槽内引导。
14.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，具有对上述每个回收槽分别进行内部气体排气的排气工序。
15.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，具有对回收在上述每个回收槽内的上述处理液进行排出的排液工序。
16.如权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，具有清洗上述回收槽内的清洗工序。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002181151A JP2004031400A (ja) | 2002-06-21 | 2002-06-21 | 基板処理装置及びその処理方法 |
| JP181151/2002 | 2002-06-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1672245A true CN1672245A (zh) | 2005-09-21 |
| CN100380601C CN100380601C (zh) | 2008-04-09 |
Family
ID=29996621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB038174138A Expired - Fee Related CN100380601C (zh) | 2002-06-21 | 2003-06-20 | 基板处理装置及其基板处理方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050244579A1 (zh) |
| EP (1) | EP1536460A4 (zh) |
| JP (1) | JP2004031400A (zh) |
| KR (1) | KR100704594B1 (zh) |
| CN (1) | CN100380601C (zh) |
| TW (1) | TWI311779B (zh) |
| WO (1) | WO2004001828A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958228B (zh) * | 2009-07-13 | 2012-06-20 | 弘塑科技股份有限公司 | 具有移动式泄液槽的清洗蚀刻机台 |
| CN103165496A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| CN109570126A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-05 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 多级药品回收的单片清洗装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1727191A1 (en) * | 2004-03-12 | 2006-11-29 | Sipec Corporation | Substrate processing equipment |
| KR100752246B1 (ko) | 2005-03-31 | 2007-08-29 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| JP4531612B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-08-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8544483B2 (en) * | 2005-04-01 | 2013-10-01 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| JP4796902B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2011-10-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板のスピン処理装置 |
| US20070169792A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-07-26 | Herman Itzkowitz | Apparatus and method of chemical separation |
| JP4637741B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-02-23 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置 |
| JP2007311446A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Realize Advanced Technology Ltd | 洗浄装置 |
| KR101191337B1 (ko) | 2006-07-07 | 2012-10-16 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리 유체로 마이크로일렉트로닉 워크피스를 처리하는데 사용되는 장치용 배리어 구조물 및 노즐장치 |
| KR100797081B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2008-01-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| JP4763567B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2008141010A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR100824306B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-04-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR100872877B1 (ko) * | 2007-03-06 | 2008-12-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| WO2009020524A1 (en) | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Fsi International, Inc. | Rinsing methodologies for barrier plate and venturi containment systems in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids, and related apparatuses |
| US8235062B2 (en) | 2008-05-09 | 2012-08-07 | Fsi International, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
| JP5084639B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-11-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置 |
| JP2012044213A (ja) * | 2011-10-26 | 2012-03-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
| CN107093567B (zh) * | 2016-02-18 | 2019-08-06 | 顶程国际股份有限公司 | 环状液体收集装置 |
| TWI656594B (zh) * | 2016-12-15 | 2019-04-11 | 辛耘企業股份有限公司 | 基板處理裝置 |
| TWI797121B (zh) | 2017-04-25 | 2023-04-01 | 美商維克儀器公司 | 半導體晶圓製程腔體 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0434902Y2 (zh) * | 1987-01-13 | 1992-08-19 | ||
| JPH0724396A (ja) * | 1993-07-12 | 1995-01-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US5608943A (en) * | 1993-08-23 | 1997-03-11 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for removing process liquid |
| JP3116297B2 (ja) * | 1994-08-03 | 2000-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
| TW306011B (zh) * | 1995-04-19 | 1997-05-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5843527A (en) * | 1995-06-15 | 1998-12-01 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Coating solution applying method and apparatus |
| US5725663A (en) * | 1996-01-31 | 1998-03-10 | Solitec Wafer Processing, Inc. | Apparatus for control of contamination in spin systems |
| TW357389B (en) * | 1996-12-27 | 1999-05-01 | Tokyo Electric Ltd | Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed |
| JP4043593B2 (ja) * | 1998-04-30 | 2008-02-06 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 基板処理装置 |
| JPH11333354A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-07 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
| JP3929192B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2007-06-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| TW504776B (en) * | 1999-09-09 | 2002-10-01 | Mimasu Semiconductor Ind Co | Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism |
| JP4426036B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2010-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2002
- 2002-06-21 JP JP2002181151A patent/JP2004031400A/ja active Pending
-
2003
- 2003-06-20 KR KR1020047020752A patent/KR100704594B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-06-20 EP EP03733530A patent/EP1536460A4/en not_active Withdrawn
- 2003-06-20 WO PCT/JP2003/007849 patent/WO2004001828A1/ja active Application Filing
- 2003-06-20 CN CNB038174138A patent/CN100380601C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-20 US US10/516,949 patent/US20050244579A1/en not_active Abandoned
- 2003-06-20 TW TW092116810A patent/TWI311779B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958228B (zh) * | 2009-07-13 | 2012-06-20 | 弘塑科技股份有限公司 | 具有移动式泄液槽的清洗蚀刻机台 |
| CN103165496A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| US9308559B2 (en) | 2011-12-16 | 2016-04-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium |
| CN103165496B (zh) * | 2011-12-16 | 2016-08-31 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| CN109570126A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-05 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 多级药品回收的单片清洗装置 |
| CN109570126B (zh) * | 2018-12-27 | 2021-06-22 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 多级药品回收的单片清洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1536460A1 (en) | 2005-06-01 |
| TW200405451A (en) | 2004-04-01 |
| CN100380601C (zh) | 2008-04-09 |
| JP2004031400A (ja) | 2004-01-29 |
| WO2004001828A1 (ja) | 2003-12-31 |
| KR20050016598A (ko) | 2005-02-21 |
| KR100704594B1 (ko) | 2007-04-10 |
| TWI311779B (en) | 2009-07-01 |
| US20050244579A1 (en) | 2005-11-03 |
| EP1536460A4 (en) | 2009-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1672245A (zh) | 基板处理装置及其基板处理方法 | |
| CN1930667A (zh) | 基片处理装置 | |
| CN1162895C (zh) | 湿式处理装置 | |
| CN1497667A (zh) | 高压处理方法及高压处理装置 | |
| CN1182281A (zh) | 半导体材料的清洗装置 | |
| CN1163947C (zh) | 处理装置及机械手装置 | |
| CN1974459A (zh) | 溶剂回收系统 | |
| CN1083746A (zh) | 具有离心分离器的连续式表面处理方法和设备 | |
| CN1097490C (zh) | 旋转处理装置 | |
| CN112235927B (zh) | 一种晶圆去静电和清洗装置 | |
| CN1894779A (zh) | 板片式晶片处理装置 | |
| CN2795158Y (zh) | 半导体处理设备中的出入口结构 | |
| CN1990127A (zh) | 基片存放容器的干式清洗装置 | |
| CN1868600A (zh) | 半导体处理的流体注射设备 | |
| CN1216720A (zh) | 可用多种方式进行清洗的膜分离设备 | |
| CN1246884C (zh) | 单片式芯片清洗装置 | |
| CN221344177U (zh) | 一种环保型雨水沉淀池 | |
| CN1095883C (zh) | 电镀层系统 | |
| CN112235926B (zh) | 一种晶圆去静电和清洗方法 | |
| CN217067720U (zh) | 一种设有自清洁结构的表面活性剂减压蒸馏反应装置 | |
| CN218133889U (zh) | 一种试管自动清洁机构 | |
| CN220827405U (zh) | 生物芯片检测仪 | |
| CN214881314U (zh) | 一种洗涤回收粗苯塔 | |
| CN211159056U (zh) | 一种树脂生产系统用废气处理装置 | |
| CN221319369U (zh) | 一种工业污水处理的循环利用装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080409 |