CN1894779A - 板片式晶片处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明是为提供一种板片式晶片处理装置，其在旋转处理中可以进行与公知的浸渍处理相同的浸渍处理，且对于每一片晶片的药液处理可以降低药液消耗量，并且可以利用药液的反应热而不须要加温用加热器，达到节省能源，再者由于将药液的调配藉由旋转圆板部加以实施并且在其后立即被使用，因此不会造成药液劣化的问题，并可利用到药液的最大效果点。本发明的装置包括：在上面形成介质流路的旋转圆板(12)；被设置于该旋转圆板上面的多个晶片承载部(18)；位于与承载于该晶片承载部的晶片(W)的外周缘部相比更外方，且上缘部位于与该承载的晶片的上面相比更上方地被设置在该旋转圆板的外周部的环状堤堰构件(48)；及被设置在承载于该晶片承载部的晶片的上方，且供给药液及清洗液的喷嘴机构(60a－d)。

Description

板片式晶片处理装置
技术领域
本发明是有关于对于晶片，尤其是半导体晶片可以进行旋转处理及浸渍处理的板片式晶片处理装置。
背景技术
进行旋转蚀刻等旋转处理的晶片处理装置，近年来是以旋转制程(spin process)等名称，尤其是伴随着半导体晶片的大口径化，其认知度被提升。其理由如下。为由晶片的大口径化而造成的处理药液的增多、或伴随电路图案的细微化而造成的粒子层次(particle level)的提升，为了降低混合污染而防止交叉混合等看来，作为将每一片晶片所使用的药液量抑制为最小量进行清洗等的处理层次来作为最高层次的方法，采用将药液用后即弃(1pass)处理的易于实施的方法的板片式旋转处理倍受瞩目。针对此种板片式旋转处理装置，本案申请人是进行了各种提案(日本专利文献1及2)。
以下，藉由图6及图7说明公知的板片式旋转处理装置的构造例。图6是为显示公知的板片式旋转处理装置的一例的立体说明图，图7是为显示将晶片支撑于图6的板片式旋转处理装置的状态立体说明图。
在图6及图7中，10是为关于本发明的晶片支撑装置，并且具有旋转圆板12。在该旋转圆板12的中心部穿通设置了贯通孔14。在该旋转圆板12的上面隔着规定间隔呈放射状地直立设置多个(在图示例中为16片)的叶片板16。
在该多片的叶片板16的上面设置了承载晶片W外周部的晶片承载部18。该晶片承载部18的形状是只要是可以承载晶片W外周部的话，则没有特别的限定，而在图示例中则构成为承载段差部。该晶片承载部18是不一定要设置于叶片板16上，在不会造成问题限定下，直接设置于该旋转圆板12上面亦可。又该晶片承载部18的设置个数，是以即使在旋转状态下亦可以支撑晶片W的个数，例如3个以上为佳，但是在图示例中，则显示了在对称位置设置4个晶片承载部18的情况。
20是为垂下设置于该旋转圆板12的下面中央部的旋转轴，并且在其内部，使连通上述贯通孔14的中空部22穿通设置于轴方向。该中空部22是在该旋转轴20的下端开口，而成为下端开口部24。
在该旋转轴20的下端部安装了减压调整机构，在图示例中为减压调整阀。该减压调整机构26是藉由调整该旋转轴20的中空部22的开口程度，可以控制流入该中空部22内的空气量。在图示例中虽然显示了将该减压调整机构26设置于旋转轴20的下端部的情况，但是因为只要可以调整中空部22的开口程度，不一定要设置于下端部，也可以设置于中间部或上部等适当位置。
28是为设置于该旋转轴20的下部的滑轮，并且藉由滑轮传送带34而连接于马达30的电动滑轮32。当驱动该马达30时，使电动滑轮32旋转，而该旋转是藉由滑轮传送带34传达至滑轮28，使该旋转轴20旋转地加以构成。
在上述的公知装置10中，就介质而言，除了例如空气等气体或纯水、药液等液体的外，亦可以使用混合两种者，以将空气作为介质的情况为例加以说明其作用。
首先，如图7所示，藉由晶片承载部18，将晶片W配置于旋转圆板12上面的上方，也就是隔着间隔，具体而言为隔着间隔配置于叶片板16上面的上方。再者，藉由减压调整机构26，对应该晶片W的厚度的最适合的减压状态地调整旋转轴20的中空部22的开口程度。当该中空部22的开口越宽则减压的程度变小，其开口越窄则减压的程度变大。又，即使没有凿开穿通贯通孔14的构造，亦可以于旋转圆板12面上形成减压状态，藉由该吸引力当然也可以进行晶片W的支撑。
该减压状态的调整，除了上述中空部22的开口程度的调整之外，也可以藉由旋转圆板12的旋转速度的调整加以进行。若是使旋转圆板12的旋转越快则减压程度变大，其旋转越慢则减压程度变小。
在该状态下，当驱动马达30时，藉由电动滑轮32、滑轮传送带34及滑轮28，使马达30的旋转传达至旋转轴20，并使连接于该旋转轴20的旋转圆板12旋转。当该旋转圆板12旋转时，藉由旋转所致的离心力，使旋转圆板12上面的介质(图示例的情况为空气)朝外方排出，换言之，使该旋转圆板12上的介质A藉由被形成于旋转圆板12上面、一对相互对置的叶片板16、16、及晶片W下面之间的多个介质流路36朝外方排出。
藉由该介质A的朝外方排出，使该介质流路36内达到减压状态。藉由该减压状态的吸引力，使从该旋转轴20的中空部22的下端开口部24吸气来的介质A通过该中空部22及贯通孔14而被供给至该旋转圆板12的上面，接着通过该介质流路36内而连续地朝外方排气，使该介质流路36内是继续维持于减压状态。
只要使该旋转圆板12继续旋转，该介质流路36内是维持于减压状态。藉由该介质流路36的减压状态的吸引力，该晶片W是使其外周部被固定支撑于晶承载部18。此时，该晶片W的背面是位于叶片板16上面的上方，而没有与该叶片板16上面接触。
在图6及图7所示的例子中，虽然显示了将叶片板16呈放射状地直立设置于旋转圆板12上面，但是设置为如图8所示的螺旋状或是如图9所示的涡旋状皆可。呈放射状或螺旋状地设置叶片板16的情况，必须使用多个叶片板16而设置出多个介质流路36，但是在呈涡旋状地设置叶片板16的情况，当然也可以使用多个叶片板16，可是如图9所示则是利用1片叶片板16形成1个介质流路36，仍然可以达成相同的作用效果。
又，在图示例中，虽然显示了将叶片板16作为个体而直立设置于旋转圆板12上面的例子，但是因为只要利用叶片板16使介质流路36形成于旋转圆板12上面即可，例如藉由将介质流路36的部份穿通设置为沟状后，在利用隆起状态留下叶片板16的部份，使叶片板16一体成形地设置于该旋转圆板12上面亦可。
在上述的公知的板片式旋转处理装置10中，如图10所示，利用混合药液槽100中实施药液混合，制作处理药液后再利用加热器102进行加温调整，在工作处理点104进行传送处理。药液槽100的容量通常为20L-50L的范围，而且根据从最初的药液制作的时间管理，在劣化部分的药液补给或经过一定时间以上，必须进行排液后再重新制作药液。在图10中，106是为第1药液用配管、108是为第2药液用配管、110是为纯水用配管、112是为温纯水用配管，而P1、P2、P3、P4、P15、P16是为泵机构，V1、V2、V3、V4是为阀机构。在上述的公知的板片式旋转处理装置10中，从对旋转中的晶片而言为上方的喷嘴机构流下药液，利用通过晶片上时的药液的反应效果，进行清洗等处理。根据晶片的处理内容，期待较公知的以来的浸渍晶片的方法更为有效，尤其是可以同时处理晶片的表面及内面的板片式旋转处理装置。
专利文献1：特开2001-148414
专利文献2：特开2001-267278
发明内容
本发明者为进行上述公知的板片式旋转处理装置的改良而反复进行研究的结果发现，根据晶片的处理内容而浸渍以来的晶片的方法更为有效，尤其是当必须同时处理晶片的表面及内面的晶片的情况下，利用板片式旋转处理装置的晶片支撑部使晶片成为浸渍状态时，可以得到综合性最大的效果，进而完成了本发明。
本发明的目的在于提供如下板片式晶片处理装置，即，在旋转处理中可以进行与公知的浸渍处理相同的浸渍处理，且对于每一片晶片的药液处理可以降低药液消耗量，并且可以利用药液的反应热而不须要加温用加热器，达到节省能源，再者将药液的调配藉由喷嘴机构及/或旋转圆板部加以实施，使药液的调配量成为最小必要量，而可以提升安全性及降低药液成本，而其结果药液是可以原液供给而不必进行不用循环加温的调配药液的管理，由于利用旋转圆板部实施药液的调配，并且在其后立即被使用，因此不会造成药液劣化的问题，并可利用到药液的最大效果点，能够使用比公知药液的使用浓度更低的药液浓度的板片式晶片处理装置。
为了解决上述课题，关于本发明的板片式晶片处理装置的第1形态，是具有：在上面形成介质流路的旋转圆板；被设置于该旋转圆板上面的多个晶片承载部；位于与承载于该晶片承载部的晶片的外周缘部相比更外方，且上缘部位于与该承载的晶片的上面相比更上方地被设置在该旋转圆板的外周部的环状堤堰构件；及被设置在承载于该晶片承载部的晶片的上方，且供给药液及清洗液的喷嘴机构。
上述板片式晶片处理装置的第1形态，是为将所述介质流路内的介质利用旋转所致的离心力而朝外方排出，由此使在该介质流路内出现减压状态，再藉由该减压状态的吸引力，将所述晶片朝下方吸引，并且利用所述晶片承载部加以支撑，在藉由该晶片承载部，使晶片隔着间隔而承载于所述旋转圆板上方的状态下，利用由所述喷嘴机构使该晶片成为浸渍状态地供给药液或消洗液至所述环状堤堰构件的内部，进行该晶片的药液浸渍处理或浸渍清洗处理，又在将该浸渍状态的晶片支撑于该晶片承载部的状态下，通过使该旋转圆板高速旋转，而可以进行该晶片及旋转圆板上的药液或是清洗液的甩出。
关于本发明的板片式晶片处理装置的第2形态，是具有：在上面形成介质流路的旋转圆板；设置于该旋转圆板上面的多个晶片承载部；位于与承载于该晶片承载部的晶片的外周缘部相比更外方，且使上缘部位于与该承载的晶片的上面相比更上方地设置在该旋转圆板外周部的环状堤堰构件；设置在承载于该晶片承载部的晶片的上方，且供给药液及清洗液的喷嘴机构；穿通设置于该旋转圆板的中心部的贯通孔；及供给药液或清洗液或干燥用气体至该贯通孔的供给机构。
上述板片式晶片处理装置的第2形态，是为将所述介质流路内的介质利用旋转所致的离心力而朝外方排出，由此使在该介质流路内出现减压状态，再藉由该减压状态的吸引力，将所述晶片朝下方吸引，并且利用所述晶片承载部加以支撑，在藉由该晶片承载部，使该晶片隔着间隔而承载于所述旋转圆板上方的状态下，利用由所述喷嘴机构使该晶片成为浸渍状态地供给药液或清洗液至所述环状堤堰构件的内部，进行该晶片的药液浸渍处理或浸渍清洗处理，又在将该浸渍状态的晶片支撑于该晶片承载部的状态下，通过使该旋转圆板高速旋转，而可以进行该晶片及旋转圆板上的药液或是清洗液的甩出，进一步再利用由该贯通孔喷出供给干燥用气体，而可以进行该晶片的干燥处理。
还具有使连通所述贯通孔的中空部穿通设置于轴方向，并且垂直设置于所述旋转圆板的下面中央部的旋转轴，在进行所述晶片的药液浸渍处理或浸渍清洗处理时，藉由该中空部从该旋转轴的中空部的下端开口部供给药液或清洗液至该贯通孔，又在进行该晶片的干燥处理时，藉由该中空部从该旋转轴的中空部的下端开口部供给干燥用气体至该贯通孔的构造是为适用的。
所述晶片承载部是由承载晶片下面的下侧导引栓及承载晶片外侧面的外侧导引栓构成者为佳。
在所述旋转圆板的上面，将叶片板设置为放射状、螺旋状或是涡旋状，并使所述介质流路被形成于该旋转圆板上面、相互对置的叶片板、及晶片下面之间。也可以将所述晶片承载部设置于叶片板的上面。
也可以采用在穿通设置于所述旋转圆板中心部的贯通孔的上方设置挡板，并使藉由该贯通孔而供给至该旋转圆板上面的药液或清洗液或干燥用气体，藉由该挡板而朝叶片板方向引导的构成。
在供给多种药液来作为规定调配比率的调配药液时，利用由所述喷嘴机构以规定的调配比例，供给各种药液至被承载于所述晶片承载部的晶片上，又由所述贯通孔以规定的调配比例，喷出供给各种药液至所述旋转圆板的上面，使药液的调配量达到最小必要量，且可以提升安全性及降低药液成本，又其结果药液是可以原液供给而不必进行不用循环加温的调配药液的管理，再者由于将药液的调配藉由旋转圆板部加以实施，并且于其后立即被使用，因此不会造成药液劣化的问题，并可利用到药液的最大效果点，而达到较公知药液的使用浓度更低的药液浓度。
若采用本发明的板片式晶片处理装置，则在旋转处理中可以进行与公知的浸渍处理相同的浸渍处理，且对于每一片晶片的药液处理可以降低药液消耗量，并且可以利用药液的反应热而不须要加温用加热器，达到节省能源，再者由于将药液的调配藉由喷嘴机构及/或旋转圆板部加以实施，因此可以使药液的调配量达到最小必要量，而可以提升安全性及降低药液成本。
附图说明
图1是为显示关于本发明的板片式晶片处理装置的一实施方式的剖面侧面概略说明图。
图2是为图1的旋转圆板的放大俯视图。
图3是为显示图1所示的板片式晶片处理装置的各构件与控制器的电气连接状态说明图。
图4是为显示使用本发明的板片式晶片处理装置的晶片浸渍处理的操作顺序的一例的流程图。
图5是为显示关于本发明的板片式晶片处理装置的其他实施方式的剖面侧面概略说明图。
图6是为显示公知的板片式晶片处理装置的一例的立体说明图。
图7是为显示将晶片支撑于图6的晶片支撑装置的状态立体说明图。
图8是为显示叶片板的其他例的俯视图。
图9是为显示叶片板的另一例的俯视图。
图10是为显示公知的板片式晶片处理装置中的药液等供给机构的概略说明图。
(主要元件符号说明)
10：公知的板片式晶片处理装置
11、11a：本发明的板片式晶片处理装置
12：旋转圆板
14：贯通孔
16：叶片板
18：晶片承载部
20：旋转轴
22：中空部
24：下端开口部
26：减压调整机构
26A：旋转接头(rotary joint)
28：滑轮
30：马达
32：电动滑轮
34：滑轮传送带
46：挡板
48：环状堤堰构件
A：介质
W：晶片
具体实施方式
以下，虽然根据添付图面说明本发明的实施方式，但是只要不脱离本发明的技术思想，在图示例以外当然可以进行各种变形。
图1是为显示关于本发明的板片式晶片处理装置的一实施方式的剖面侧面概略说明图。图2是为图1的旋转圆板的放大俯视图。在图1及图2中，利用相同符号表示与图6或图7中的相同或类似构件。
在图1中，11是为本发明的板片式晶片处理装置，并且具有在上面形成介质流路的旋转圆板12。在该旋转圆板12的上面设置了多个晶片承部18。该晶片承载部18是与图6及图7所示的图例不同，是由承载晶片W的下面的下侧导引栓18a及承载晶片W的外侧面的外侧导引栓18b所构成。48为设置于该旋转圆板12外周部的环状堤堰构件，并且位于较承载于该晶片承载部18的晶片W的外周缘部更外方，且使该环状堤堰构件48的上缘部位于与该承载的晶片的上面相比更上方地形成。60是为摇动喷嘴机构，并且设置在承载于该晶片承载部18的晶片W的上方，且达到喷出供给硫酸或过氧化氢水溶液等药液及纯水或温纯水等清洗液的作用。
50是为第1药液，例如硫酸用上部导管，并且设置泵机构P5及阀机构V5。52是为第2药液，例如过氧化氢水溶液用上部导管，并且设置泵机构P6及阀机构V6。54是为纯水用上部导管，并且设置泵机构P7及阀机构V7。56是为温纯水用上部导管，并且设置泵机构P8及阀机构V8。上述各上部导管50、52、54、56是连接于配置在旋转圆板12上方的摇动喷嘴机构60，并于该摇动喷嘴机构60上突出设置第1喷嘴60a、第2喷嘴60b、第3喷嘴60c、第4喷嘴60d。分别从第1喷嘴60a喷出供给第1药液、从第2喷嘴60b喷出供给第2药液、从第3喷嘴60c喷出供给纯水、从第4喷嘴60d喷出供给温纯水地构成。
在所述旋转圆板12的中心部穿通设置贯通孔14。20为垂直设置于所述旋转圆板12的下面中央部的旋转轴，并且在其轴方向上穿通设置连通该贯通孔14的中空部22。在该旋转轴20的下端部，是连通该中空部22而设置旋转接头26A。
62是为干燥用气体，例如氮气或空气用下部导管，并且设置阀机构V9。64是为第1药液，例如硫酸用下部导管，并且设置泵机构P10及阀机构V10。66是为第2药液，例如过氧化氢水溶液用下部导管，并且设置泵机构P11及阀机构VII。68是为纯水用下部导管，并且设置泵机构P12及阀机构V12。70是为温纯水用下部导管，并且设置泵机构P13及阀机构V13。上述各下部导管62、64、66、68、70是藉由主导管72而连接于所述旋转接头26A。利用该旋转接头26A使流量被调节的干燥用气体、第1药液、第2药液、纯水或是温纯水等介质A是通过旋转轴20的中空部22后而供给至旋转圆板12的上面侧。因此，从该旋转圆板12的下面侧供给药液或清洗液或干燥用气体至该贯通孔14的供给机构，是除了上述中空部22外，由上述泵机构P10-P13、上述各下部导管62、64、66、68、70及主导管72等所构成。在进行所述晶片的药液浸渍处理或浸渍清洗处理时，从该旋转圆板的下面侧供给药液或清洗液至该贯通孔，又在进行该晶片的干燥处理时，从该旋转圆板的下面侧供给干燥用气体至该贯通孔。
46是为位于穿通设置于该旋转圆板12的中心部的贯通孔14的上方地设置于该旋转圆板12上的挡板。藉由该贯通孔14而被供给至该旋转圆板12的上面的介质A是利用该挡板46而朝叶片板16方向引导。
藉由该挡板46的设置，即使在介质A中混杂了不纯物的情况下，由于介质A是不会直接吹向晶片W的下面，而可以防止由于不纯物等而被污染的事故，或是具有防止作业进行中晶片W破裂的情况下介质A朝向上方吹出的优点。
图3是为显示图1所示的板片式晶片处理装置的各构件与控制器的电气连接状态说明图。在图3中，74是为邻接于板片式晶片处理装置本体11a而设置的搬运机械装置，并且进行将承载于晶片装载部76的晶片W搬入承载于晶片承载部18，将承载于该晶片承载部18的晶片W搬出承载于晶片卸载部78的动作。80是为控制器，并且电气连接于板片式晶片处理装置本体11a、搬运机械装置74、阀机构V5-V8、V9-V13及泵机构P5-P8、P10-P13，进行旋转处理的控制、搬运机械装置的控制、各阀机构及各泵机构的控制。又，上述说明以外的构成是因为与图6及图7的构成相同而将再次说明予以省略。
藉由上述构成，在藉由晶片承载部18使晶片W隔着间隔而承载于该旋转圆板12上方的状态下，藉由一面使该旋转圆板12低速旋转，一面使该晶片W成为浸渍状态地将药液或是清洗液供给至所述环状堤堰构件48的内部，进行该晶片W的药液浸渍处理或浸渍清洗处理。其次，在将该浸渍状态的晶片W支撑于该晶片承载部18的状态下，藉由使该旋转圆板12高速旋转，可以将该晶片W及旋转圆板12的药液或清洗液甩出或是进行该晶片W的干燥处理。与图6及图7所示的装置的情况相同，当旋转旋转圆板12时，藉由旋转所致的离心力，使旋转圆板12上面的介质(图1的情况是为药液)朝外方排出，也就是使通过贯通孔14的介质A是藉由挡板46的下面而朝侧方引导，接着使该旋转圆板12上的介质A藉由形成在旋转圆板12上面、一对相互对置的叶片板16、16、及晶片W下面之间的多个介质流路36朝外方排出。
更具体而言，根据图4所示的流程图，针对用本发明的板片式晶片处理装置的晶片浸渍处理的操作顺序加以说明。
首先，使用搬运机械装置74，从晶片装载部76将晶片W置放于晶片承载部18(步骤200)。将喷嘴机构60移动至晶片W的上方(步骤202)。其次使旋转圆板12低速旋转(0-100rpm)(步骤204)。
在藉由该晶片承载部18，使晶片W隔着间隔承载于该旋转圆板12上方的状态下，一面使该旋转圆板12低速旋转，一面使该晶片W成为浸渍状态地将药液(例如硫酸及过氧化氢水溶液)供给至所述环状堤堰构件48的内部。
具体而言，打开阀机构V5及V6，且使泵机构P5及P6动作后，将药液送入该喷嘴机构60，再藉由该喷嘴机构60将药液喷出喷射于该晶片W上面的同时，打开阀机构V10及V11，且使泵机构P10及P11动作后，利用藉由旋转接头26A及中空部22，从贯通孔14将药液喷出供给至旋转圆板12的上面，使该晶片W成为浸渍状态地将药液填满所述环状堤堰构件48的内部(步骤206)。
藉由将该晶片W于该药液中浸渍规定时间(例如5-10分钟程度)，进行该晶片W的浸渍处理(步骤208)，在将该浸渍状态的晶片W支撑于该晶片承载部18的状态下，使该旋转圆板高速旋转(500-2000rpm)(步骤210)。
藉由将该高速旋转进行规定时间(例如30秒程度)，将该晶片W及旋转圆板12上的药液甩出(步骤212)。在使该晶片W高速旋转的状态下，打开阀机构V7及V8，且使泵机构P7及P8动作后，将纯水或是温纯水送入该喷嘴机构60，再藉由该喷嘴机构60将纯水或是温纯水喷出喷射于该晶片W上面的同时，打开阀机构V12及V13，且使泵机构P12及P13动作后，利用藉由旋转接头26A及中空部22，从贯通孔14将纯水或温纯水喷出供给至旋转圆板12的上面，进行药液甩出后的晶片W的旋转清洗处理(步骤214)。
该清洗处理结束后，使旋转圆板12的旋转成为低速旋转(0-100rpm)(步骤216)。一面使该旋转圆板12低速旋转，一面使该晶片W成为浸渍状态地将纯水或温纯水供给至所述环状堤堰构件48的内部。
具体而言，打开阀机构V7及V8，且使泵机构P7及P8动作后，将纯水或温纯水送入该喷嘴机构60，再藉由该喷嘴机构60将纯水或温纯水喷出喷射于该晶片W上面的同时，打开阀机构V12及V13，且使泵机构P12及P13动作后，利用藉由旋转接头26A及中空部22，从贯通孔14将纯水或温纯水喷出供给至旋转圆板12的上面，使该晶片W成为浸渍状态地使纯水或温纯水填满所述环状堤堰构件48的内部(步骤218)。
藉由将该晶片W于该纯水或温纯水中浸渍规定时间(例如1分钟程度)，进行该晶片W的浸渍清洗处理(步骤220)。在将该浸渍状态的晶片W支撑于该晶片承载部18的状态下，使该旋转圆板高速旋转(500-2000rpm)(步骤222)。
在使该晶片W高速旋转的状态下，打开阀机构V7及V8，且使泵机构P7及P8动作后，将纯水或是温纯水送入该喷嘴机构60，再藉由该喷嘴机构60将纯水或是温纯水喷出喷射于该晶片W上面的同时，打开阀机构V12及V13，且使泵机构P12及P13动作后，利用藉由旋转接头26A及中空部22，从贯通孔14将纯水或温纯水喷出供给至旋转圆板12的上面，进行晶片W的旋转清洗处理(步骤224)。
在该旋转清洗处理后，使该旋转圆板12进行超高速旋转(1500-2500rpm)(步骤226)。在使该晶片W超高速旋转的状态下，利用藉由旋转接头26A及中空部22，从贯通孔14将阀机构V9的干燥用气体(例如氮气或空气)喷出供给至旋转圆板12的上面，进行晶片W的旋转干燥处理(步骤228)。
旋转干燥处理结束后，停止旋转圆板12的旋转(步骤230)。最后，使用搬运机械装置74，将浸渍处理结束的晶片W从晶片承载部18取出，并收纳于晶片卸载部78(步骤232)。
针对根据使用本发明装置的作用加以说明。在利用本发明装置的旋转处理中，由于为了使多种药液于旋转圆板12流下并进行调配，而必须使药液的混合状态为佳，因此可以采用使旋转圆板进行正转及反转的构造，而且将从喷嘴机构60喷出的药液设定为并非连续喷出，而是使各种药液为不同时地间断性的喷出条件为佳。
若是针对药液制作时的反应热利用，作为尤其可利用反应热的药液，有硫酸及过氧化氢水溶液的混合液，该混合液是被利用于在装置工程中进行有机物除去的目的，又亦被使用于光阻膜的除去。该混合液的混合比率大多为硫酸4比过氧化氢水溶液1的重量比率，且使用温度是为80℃-130℃。由于在依照该比率的混合时所发生的反应热是可以使混合液整体由25℃升温至100℃程度，因此在使用温度为130℃的高温领域的情况下，只要将原液温度加温至55℃程度的话，即可对应。又若是使用温度为100℃，原液则是在室温的状态下即可使用。
反应热少的混合液的情况，在RCA清洗的SC-1、SC-2等混合液的情况中，由于其大部份的成分为水，而可以藉由混合成为温水以配合目的温度。
反应热少的药液与药液的情况，虽然可以分别将原液加温后再供给，但是考虑了药液的调配比等而藉由将根据加温而劣化少的药液加温后再供给，使药液劣化抑制在最小值。
在图1-图4所示的本发明装置的实施方式中，就将药液等供给至环状堤堰构入48的内部的机构方法而言，虽然说明了针对藉由除了利用喷嘴机构60由上方将药液等流下之外，并且从穿通设置于旋转圆板12的中央的贯通孔14将药液等喷出的所谓由上下两方向供给药液等的形态加以进行的例子，但是即使是省略由下方而来的药液等供给，也就是从贯通孔14喷出药液等的构成，本发明的作用效果还是可以充分表达，并于以下说明之。
图5是为显示关于本发明的板片式晶片处理装置的其他实施方式的剖面侧面概略说明图。在图5中，与图1相同构件或是类似构件则利用同一符号加以表示。
在图5中，11a是为本发明的板片式晶片处理装置，与图1所示的装置的不同处是为省略了贯通孔14、中空部22、旋转接头26A、挡板46、下部导管62、64、66、68、70及主导管72，而其他构成是因为与图1的处理装置11完全相同而将再次说明予以省略。又其作用是除了没有由下方而来的药液等供给的点之外，其他皆与图4的流程图所示者完全相同，因此同样地将再次说明予以省略。
又在图1所示的处理装置11中，利用下部导管62所供给的干燥用气体(例如氮气或是空气)是除了作为晶片干燥用的作用之外，还有防止朝向晶片下面的药液等的回流或防止朝晶片下面中心部的吸附过剩等作用，但是在图5的处理装置11a中，则会发生无法由下方进行干燥气体的吹附的不适合情形。而于图5的处理装置11a中，干燥用气体的吹附是通过设置了喷嘴机构以外的吹附机构(未图示)并藉由该吹附机构加以进行即可。
若采用本发明的板片式晶片处理装置，则药液是可以原液供给从而不需要进行不必循环加温的调配药液的管理，再者由于将药液的调配藉由旋转圆板部加以实施，并且在其后立即被使用，因此不会造成药液劣化的问题，并可以利用到药液的最大效果点，使药液浓度比以往的药液的使用浓度更低。

Claims (11)

1.一种板片式晶片处理装置，其特征为，包括：
在上面形成介质流路的旋转圆板；
被设置于该旋转圆板上面的多个晶片承载部；
位于与承载于该晶片承载部的晶片的外周缘部相比更外方，且上缘部位于与该承载的晶片的上面相比更上方地被设置在该旋转圆板的外周部的环状堤堰构件；及
被设置在承载于该晶片承载部的晶片的上方，且供给药液及清洗液的喷嘴机构。
2.如权利要求1所述的板片式晶片处理装置，其使所述介质流路内的介质利用由旋转产生的离心力而朝外方排出，由此使在该介质流路内出现减压状态，并藉由该减压状态的吸引力，将所述晶片朝下方吸引，并利用所述晶片承载部加以支撑，其特征为：
在藉由该晶片承载部，使该晶片隔着间隔地承载于所述旋转圆板上方的状态下，从所述喷嘴机构将药液或清洗液按照使该晶片成为浸渍状态的方式供给至所述环状堤堰构件的内部，进行该晶片的药液浸渍处理或浸渍清洗处理，并且在该浸渍状态的晶片支撑于该晶片承载部的状态下，通过使该旋转圆板高速旋转，使该晶片及旋转圆板上的药液或清洗液被甩出。
3.一种板片式晶片处理装置，其特征为，包括：
在上面形成介质流路的旋转圆板；
被设置于该旋转圆板上面的多个晶片承载部；
位于与承载于该晶片承载部的晶片的外周缘部相比更外方，且上缘部位于与该承载的晶片的上面相比更上方地被设置在该旋转圆板的外周部的环状堤堰构件；
被设置在承载于该晶片承载部的晶片的上方，且供给药液及清洗液的喷嘴机构；
穿通设置于该旋转圆板的中心部的贯通孔；及
供给药液或清洗液或干燥用气体至该贯通孔的供给机构。
4.如权利要求3所述的板片式晶片处理装置，其使所述介质流路内的介质利用由旋转产生的离心力而朝外方排出，由此使在该介质流路内出现减压状态，并藉由该减压状态的吸引力，将所述晶片朝下方吸引，并利用所述晶片承载部加以支撑，其特征为：
在藉由该晶片承载部，使该晶片隔着间隔地承载于所述旋转圆板上方的状态下，从所述喷嘴机构以及所述贯通孔将药液或清洗液按照该晶片成为浸渍状态的方式供给至所述环状堤堰构件的内部，进行该晶片的药液浸渍处理或浸渍清洗处理，并且在将该浸渍状态的晶片支撑于该晶片承载部的状态下，通过使该旋转圆板高速旋转，使该晶片及旋转圆板上的药液或清洗液甩出，再通过由该贯通孔喷出供给干燥用气体，进行该晶片的干燥处理。
5.如权利要求3或4所述的板片式晶片处理装置，其特征是：
还具有使连通所述贯通孔的中空部穿通设置于轴方向、且垂直设置于所述旋转圆板的下面中央部的旋转轴，在进行所述晶片的药液浸渍处理或浸渍清洗处理时，从该旋转轴的中空部的下端开口部藉由该中空部而供给药液或清洗液至该贯通孔，并且，在进行该晶片的干燥处理时，从该旋转轴的中空部的下端开口部藉由该中空部供给干燥用气体至该贯通孔。
6.如权利要求1～5中任意一项所述的板片式晶片处理装置，其特征是：所述晶片承载部由承载晶片下面的下侧导引栓及承载晶片外侧面的外侧导引栓构成。
7.如权利要求1～6中任意一项所述的板片式晶片处理装置，其特征是：在所述旋转圆板的上面，将叶片板设置为放射状、螺旋状或是涡旋状，并使所述介质流路被形成于该旋转圆板上面、相互对置的叶片板、及晶片下面之间。
8.如权利要求7所述的板片式晶片处理装置，其特征是：将所述晶片承载部设置于所述叶片板的上面。
9.如权利要求7或8所述的板片式晶片处理装置，其特征是：在穿通设置于所述旋转圆板中心部的贯通孔的上方设置挡板，并利用该挡板，使经由该贯通孔而供给至该旋转圆板上面的药液或清洗液或干燥用气体朝叶片板方向引导。
10.如权利要求1～9中任意一项所述的板片式晶片处理装置，其特征是：在将多种药液作为规定调配比率的调配药液进行供给时，由所述喷嘴机构以规定调配比例供给各种药液至被承载于所述晶片承载部的晶片上。
11.如权利要求3～10中任意所述的板片式晶片处理装置，其特征是：在将多种药液作为规定调配比率的调配药液进行供给时，由所述贯通孔以规定调配比例喷出供给各种药液至所述旋转圆板的上面。
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