CN1930667A - 基片处理装置 - Google Patents

基片处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1930667A
CN1930667A CNA2005800079563A CN200580007956A CN1930667A CN 1930667 A CN1930667 A CN 1930667A CN A2005800079563 A CNA2005800079563 A CN A2005800079563A CN 200580007956 A CN200580007956 A CN 200580007956A CN 1930667 A CN1930667 A CN 1930667A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
fence
substrate
accumulator tank
lifter plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800079563A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100466190C (zh
Inventor
远藤民夫
大藏领一
吉田达朗
泷川喜重
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sipec Corp
Original Assignee
Sipec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sipec Corp filed Critical Sipec Corp
Publication of CN1930667A publication Critical patent/CN1930667A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100466190C publication Critical patent/CN100466190C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

在使被保持的被处理基片旋转,向被处理基片上提供多种药液,并把因旋转机构而从被处理基片飞溅的药液按照其种类分别回收于各回收槽(16~19)的同时,在用某个回收槽回收该药液时是在关闭其他回收槽入口的状态下进行回收,在对为进行这种回收而划定回收槽(16~19)的各栅栏(3a~3d)的升降动作进行控制的升降机构中,具备设有与各栅栏(3a~3d)接合而使该栅栏升降的台阶部(29a)的栅栏升降板(29),利用电机(34)使该栅栏升降板(29)在该栅栏升降板(29)的圆周方向旋转以进行各栅栏(3a~3d)的升降动作,而且需要回收的药液不混入其他回收槽中。

Description

基片处理装置
技术领域
本发明有关基片处理装置,特别适用于对基片处理后的各种处理液分别进行回收的情况。
背景技术
一直以来,在把半导体元件等组装在基片上的各种制造工艺中,要使用对各基片进行湿腐蚀和湿式清洗等药液处理的单张式的基片处理装置。该基片处理装置,是一边使位置固定的基片旋转(自转)一边提供各种药液以对该基片进行各种处理,基片处理后的药液,由于旋转离心力而从基片飞溅并被回收到设于基片侧的回收槽中,并排出处理。这时,从基片飞溅的药液,与周围大气混合以雾状或气状被回收到回收槽中。
在现有的基片处理中,在回收基片处理后的药液时,酸性药液和碱性药液混合经过化学反应而生成盐,这是产生颗粒的原因,为了避免这种情况,要在不同的基片处理装置中进行酸性药液的处理和碱性药液的处理。
这里例举以下所述的专利文献1,作为现有的基片处理装置的一个例子,对上述药液回收方法进行说明。
图18是现有例子的基片处理装置的概略图,图18A是其剖面图,图18B是其俯视图。
如图18所示,101是作为被处理对象的基片,102是向基片101提供各种药液的药液供应嘴,103是保持基片101的基片夹持部,104是被接续在基片夹持部103上的轴,105是使由基片夹持部103保持的基片101在轴104的轴向旋转的电机,106~108是为对各种药液进行回收而设的回收瓶,109~111是设于各回收瓶106~108上的排液机构,112是使基片夹持部103的高度在上下方向移动的升降装置。
现有例子所示的基片处理装置,用基片夹持部103保持基片101,一边驱动电机105使基片101在轴104的轴向旋转一边从药液供应嘴102向基片101上提供药液,以对基片101进行处理。而且,因电机105的旋转而从基片101飞溅的药液,被回收到回收瓶106中。此外,被回收的药液从排液机构109排出。
接着,驱动升降装置112使基片101的位置移动到回收瓶107的入口位置。而且一边驱动电机105使基片101旋转一边从药液供应嘴102向基片101上提供其他的药液,以对基片101进行处理,并用回收瓶107回收处理后的药液。接着,驱动升降装置112使基片101的位置移动到回收瓶108的入口位置,按照上述同样方法,再用其他的药液对基片101进行处理,并用回收瓶108回收该处理后的药液。这里,被回收于回收瓶106~108中的处理基片101后的各种药液,与周围大气混合以雾状或气状回收。由以上的做法,分别回收处理基片101后的多种药液。
专利文献1:特开平5-283395号公报
发明内容
然而,在上述现有的基片处理装置中,由于是在其他回收瓶开口部开启的状态下进行药液回收,所以基片处理后的雾状或气状的药液可能混入到其他的回收瓶中。当进行酸性药液的处理和碱性药液的处理时,这会引起上述颗粒的发生,所以这是很明显的问题。为了防止这种药液的混入,例如,需要同时使用多个基片处理装置进行酸性药液的处理和碱性药液的处理,可是由于使用多个基片处理装置进行药液处理,又出现工艺复杂这一更大的问题。
进而,最近随着半导体基片等的高集成化,其制造装置的高性能化也取得了进展,制造装置的构成也越来越复杂化。因此,对于向被处理基片上提供各种药液,并对处理该被处理基片后的药液进行回收的基片处理装置,也要求其装置构成尽可能简化。
本发明就是鉴于上述问题而进行的,其目的是,提供一个在使用各种处理液对基片进行各种处理后,对这些处理后的处理液进行回收时,确实地可防止同一装置的连续工艺中使用后的各种处理液混合,并且结构简单且可靠性高的基片处理装置。
本发明的基片处理装置,具备保持被处理基片的基片保持机构、使由上述基片保持机构保持的上述被处理基片旋转的基片旋转机构、向上述被处理基片上提供多种处理液的处理液供应机构、具有包围由上述基片保持机构保持的上述被处理基片周围的多个栅栏、并使各栅栏升降以把因上述基片旋转机构而从上述被处理基片飞溅的上述处理液按照其种类分别回收于由上述各栅栏所划定的各回收槽中,同时用某个上述回收槽回收上述处理液时在关闭其他上述回收槽入口的状态下进行回收的处理液回收机构,上述处理液回收机构,具有设有与上述各栅栏连接而使该栅栏升降的台阶部的栅栏升降板,并使该栅栏升降板在该栅栏升降板形成上述台阶部的形成面内旋转以进行上述各栅栏的上述升降动作。
本发明的基片处理装置的另一形式,在上述栅栏升降板上,与上述各栅栏对应设有上述台阶部。
此外,本发明基片处理装置的再一形式,上述台阶部在上述栅栏升降板的表面形成凸部,上述处理液回收机构,通过使上述栅栏升降板在该栅栏升降板形成上述台阶部的形成面内旋转,并使上述栅栏移动到上述凸部的上面以使该栅栏上升,以此形成回收上述处理液的上述回收槽的导路。
另外,本发明的基片处理装置的又一形式,上述各栅栏为关闭上述各回收槽入口而从离上述被处理基片最近的开始依次重合而配设,上述处理液回收机构,从离开上述被处理基片的位置上的回收槽开始依次进行回收。
附图简单说明
图1是本发明实施方式相关的基片处理装置的概略剖面图。
图2是本实施方式的基片处理装置的升降机构的概略剖面图。
图3是图2所示的栅栏升降板的俯视图。
图4是图3所示的各凸轮分布的剖面图。
图5是俯视的本实施方式的基片处理装置内的剖面图。
图6是表示形成回收槽的各栅栏前端部的概略剖面图。
图7是表示形成回收槽的各栅栏前端部的概略剖面图。
图8是本实施方式基片处理装置药液回收前的概略剖面图。
图9A是图8所示的基片处理装置的升降机构的剖面图。
图9B是图8所示的基片处理装置的栅栏升降板的各凸轮分布的俯视图。
图10是继图8,表示本实施方式基片处理装置药液回收顺序的概略剖面图。
图11A是图10所示的基片处理装置的升降机构的剖面图。
图11B是图10所示的基片处理装置的栅栏升降板的各凸轮分布的俯视图。
图12是继图10,表示本实施方式基片处理装置药液回收顺序的概略剖面图。
图13A是图12所示的基片处理装置的升降机构的剖面图。
图13B是图12所示的基片处理装置的栅栏升降板的各凸轮分布的俯视图。
图14是继图12,表示本实施方式基片处理装置药液回收顺序的概略剖面图。
图15A是图14所示的基片处理装置的升降机构的剖面图。
图15B是图14所示的基片处理装置的栅栏升降板的各凸轮分布的俯视图。
图16是继图14,表示本实施方式基片处理装置药液回收顺序的概略剖面图。
图17A是图16所示的基片处理装置的升降机构的剖面图。
图17B是图16所示的基片处理装置的栅栏升降板的各凸轮分布的俯视图。
图18A是现有例子的基片处理装置的概略剖面图。
图18B是现有例子的基片处理装置的概略俯视图。
具体实施方式
以下,一边参照附图一边就本发明的基片处理装置及其处理方法的具体实施方式进行说明。
图1是本发明实施方式相关的基片处理装置的概略剖面图。
如图1所示,该基片处理装置,具有:设有被处理对象的基片11、并使用各种处理液(药液)对该基片11的表面进行处理的基片处理部1;选择性地分别回收使用后的各种药液的药液回收部2。
在基片处理部1中,12是向基片11提供各种药液的药液供应嘴,13是保持基片11的基片夹持部,14是被接续在基片夹持部13上的轴,15是使由基片夹持部13保持的基片11在轴14的轴向旋转的电机。
在药液回收部2中,16~19是为对各种药液进行回收而由各栅栏3a~3d及隔离板3e所划定的回收槽,20~23是分别设于各回收槽16~19上的排液机构,24~27是分别设于各回收槽16~19上的排气机构,28是使划定各回收槽16~19的栅栏3a~3d上下驱动以形成各回收槽16~19导路的升降机构。这里,回收槽16由栅栏3a及3b划定,回收槽17由栅栏3b及3c划定,回收槽18由栅栏3c及3d划定,回收槽19由栅栏3d及隔离板3e划定。各栅栏3a~3d具备图中未显示的为用纯水等清洗其内部的清洗机构,并由耐化学性和耐吸水性优异的材料,例如特氟隆(R)制成。
接着,就升降机构28进行详细叙述。
图2是本实施方式的基片处理装置的升降机构28的概略剖面图,图2表示使图1所示的栅栏3a上升以用回收槽16进行药液回收时升降机构28的驱动。
如图2所示,升降机构28由被接续在各栅栏3a~3d上的各轴30~33、设有与各轴30~33连接的凸轮(台阶部)29a的栅栏升降板29、使栅栏升降板29在圆周方向旋转的电机34构成。此外,在各轴30~33的侧面,设有对各轴30~33进行定位的导轨35,这些导轨由例如含氟树脂或在不与药液接触的结构的情况下由不锈钢等金属材料制成。
本实施方式的基片处理装置,通过用电机34使栅栏升降板29在圆周方向旋转,并使被接续在各栅栏3a~3d上的各轴30~33与凸轮29a接合,以此使各栅栏3a~3d上升以形成各回收槽16~19的导路,从而用形成了该导路的回收槽回收各种药液。
这里,就栅栏升降板29进行详细叙述。
图3是图2所示的栅栏升降板29的俯视图。在图3中,○所示的位置,是配置了被接续在各栅栏3a~3d上的各轴30~33的位置。在本实施方式中,各轴30~33相对各栅栏3a~3d分别各接续三个。此外,在栅栏升降板29上,对应各栅栏3a~3d而形成了各凸轮分布40~43。
图4是图3所示的各凸轮分布40~43的剖面图。图4也表示了配置了被接续在各栅栏3a~3d上的各轴30~33的位置。
由图4可知,凸轮29a在栅栏升降板的表面形成了凸部,在把被接续在各栅栏3a~3d上的各轴30~33压在凸部上面(图4中“高”所示的面)的面形成缓斜面,在把各轴30~33从该上面落下的面形成陡斜面或者垂直面。在本实施方式中,该凸轮29a的缓斜面,与各凸轮分布40~43的各凸轮都形成了30°左右的角度。此外,之所以把各轴30~33从凸轮29a的上面落下的面形成陡斜面或者垂直面,是为了快速使各栅栏3a~3d下降。
图3中各凸轮分布40~43黑色所示的区域,是表示图4所示的凸轮29a凸部上面的区域。此外,图3中各凸轮分布40~43阴影线所示的区域,是图4所示的凸轮29a上述缓斜面的区域。再有,图3中各凸轮分布40~43白色所示的区域,是没有形成图4所示的凸轮29a的区域(图4中“低”所示的面)。
接着,就形成回收槽16~19的栅栏3a~3d的设置状态进行说明。
图5是俯视的本实施方式的基片处理装置内的剖面图。
本实施方式所示的是回收槽为4槽的情况。回收槽16~19,为了围住基片11的周围,由圆形栅栏3a~3d隔离而形成,各轴30~33在其栅栏的底面在各回收槽16~19配置了三个(○的部分)。此外,图5所示的●的部分,设有排液口,以便能让回收的药液从该排液口排出。进而,图3所示的24~27是被设在各回收槽16~19中以对回收的气体进行排出的排气机构。
接着,就回收槽16~19的入口部进行详细叙述。
图6是表示形成回收槽16~19的各栅栏3a~3d前端部的概略剖面图。图6所示的状态,是表示由药液供应机构向基片11上提供药液,从最外侧的回收槽16对处理该基片11后的药液进行回收时的情况的剖面图。这时,只有回收槽16的入口开启,其他回收槽17~19的入口全部关闭。
如图6所示,栅栏3a~3d的前端部4a~4d,做成弯曲结构,以便能够只分别重合即可处于使回收槽16~19关闭的状态。此外,前端部4a~4d做成即使药液碰到也不会附着而残留的形状,而且该形状还不会使药液反射到回收槽16~19的外部。另外,它的前端形状还成为例如在碰到前端部4a的药液落到了位于下方的栅栏3b弯曲的前端部4b的前端部分时,使该药液通过前端部4b~4d流到回收槽16外。
此外,前端部4a~4d不需要用密封件等进行密封,它通过使栅栏3a~3d重合,以形成回收槽内部成负压的密闭状态,从而用其他回收槽回收药液时,其药液不会混入。这时,如图7所示,前端部4a~4d的弯曲度,由于被设定成即使从基片11的表面飞溅的药液碰到前端部4a~4d,图示例子是碰到前端部4a时,该药液反射到回收槽16~19,图示例子是回收槽16的内部,而不会飞散到回收槽16外部,所以可以把药液确实地回收到只与该药液对应的回收槽中。
下面,就利用本实施方式的基片处理装置对处理基片后的药液进行回收的顺序进行说明。
图8、图10、图12、图14和图16是表示本实施方式基片处理装置药液回收顺序的概略剖面图。此外,图9A、图11A、图13A、图15A和图17A是表示本实施方式基片处理装置药液回收各顺序中的升降机构28动作状态的剖面图,图9B、图11B、图13B、图15B和图17B是本实施方式基片处理装置药液回收各顺序中的栅栏升降板29各凸轮分布的俯视图。在本实施方式中,虽然是以四个回收槽16~19回收四种药液为例进行说明,该回收槽16~19由为包围基片11周围而配设的四片栅栏3a~3d及隔离板3e所划定,但是本发明并不限于此,例如,也可以增设更多的栅栏片数以构成五个以上的回收槽。
首先,图8是本实施方式基片处理装置药液回收前的概略剖面图。此外,图9A及图9B是表示图8所示的基片处理装置的升降机构28动作状态的概略图。图9A表示的是升降机构28的剖面图(图2中右半部分的剖面图),图9B表示的是栅栏升降板29各凸轮分布的俯视图(图3中各凸轮分布)。
如图8所示,在从药液嘴12提供各种药液前,各栅栏3a~3d为关闭各回收槽16~19入口而从离基片11最近的开始依次重合而配设,任何一个栅栏都没有驱动到上方。这时,升降机构28,如图9A所示,被接续在各栅栏3a~3d上的各轴30~33和栅栏升降板29的凸轮29a没有接合。此外,这时的各轴30~33和凸轮29a(黑色所示的区域及阴影线所示的区域)的位置关系,如图9B所示。
接着,如图10所示,在从药液嘴12提供第一种药液前,利用升降机构28使划定回收槽16的栅栏3a驱动到上方,并提前开启该回收槽16的入口。这时,其他回收槽17~19的入口关闭。
在这个状态下,一边用电机15使由基片夹持部13保持的基片11旋转一边从药液嘴12提供第一种药液,以对基片11进行处理。处理基片11后的第一种药液,因电机15的旋转而从基片11飞溅,并被回收到回收槽16中。这时,因旋转离心力而从基片飞溅的第一种药液与周围大气混合而以雾状或气状回收到回收槽16中。被回收到回收槽16中的第一种药液,从排液机构20排出,并且被回收的气体从排气机构24排出。
这时,在升降机构28中,驱动图2所示的电机34以使栅栏升降板29在圆周方向旋转。在本实施方式中,使栅栏升降板29相对图9A所示的位置逆时针旋转约21°左右。由此,如图11A所示,配设在特定位置上的轴30和旋转移动的栅栏升降板29的凸轮29a连接,从而使被接续在轴30上的栅栏3a驱动到上方。这时的各轴30~33和凸轮29a(黑色所示的区域及阴影线所示的区域)的位置关系,如图11B所示。图11B还表明,只有最外周的轴30与凸轮29a接合,其他轴31~33不与凸轮29a连接(白色所示的区域)。
接着,如图12所示,在从药液嘴12提供第二种药液前,利用升降机构28使划定回收槽17的栅栏3b驱动到上方,直到开启该回收槽17的入口并关闭回收槽16入口的位置。这时,回收槽18和19的入口关闭,所以只有回收槽17的入口开启。
在这个状态下,一边用电机15使基片11旋转一边从药液嘴12提供第二种药液,以对基片11进行处理。处理基片11后的第二种药液,因电机15的旋转而从基片11飞溅,并被回收到回收槽17中。这时,因旋转离心力而从基片飞溅的第二种药液与周围大气混合而以雾状或气状回收到回收槽17中。被回收到回收槽17中的第二种药液,从排液机构21排出,并且被回收的气体从排气机构25排出。
这时,在升降机构28中,驱动图2所示的电机34以使栅栏升降板29再在圆周方向旋转。在本实施方式中,使栅栏升降板29相对图9A所示的位置逆时针旋转约45°左右。由此,如图13A所示,配设在特定位置上的轴30、31和旋转移动的栅栏升降板29的凸轮29a接合,从而使被接续在轴30、31上的栅栏3a、3b驱动到上方。这时的各轴30~33和凸轮29a(黑色所示的区域及阴影线所示的区域)的位置关系,如图13B所示。图13B还表明,轴30、31与凸轮29a接合,其他轴32、33不与凸轮29a接合(白色所示的区域)。
接着,如图14所示,在从药液嘴12提供第三种药液前,利用升降机构28使划定回收槽18的栅栏3c驱动到上方,直到开启该回收槽18的入口并关闭回收槽17入口的位置。这时,回收槽16和19的入口关闭,所以只有回收槽18的入口开启。
在这个状态下,一边用电机15使基片11旋转一边从药液嘴12提供第三种药液,以对基片11进行处理。处理基片11后的第三种药液,因电机15的旋转而从基片11飞溅,并被回收到回收槽18中。这时,因旋转离心力而从基片飞溅的第三种药液与周围大气混合而以雾状或气状回收到回收槽18中。被回收到回收槽18中的第三种药液,从排液机构22排出,并且被回收的气体从排气机构26排出。
这时,在升降机构28中,驱动图2所示的电机34以使栅栏升降板29再在圆周方向旋转。在本实施方式中,使栅栏升降板29相对图9A所示的位置逆时针旋转约73°左右。由此,如图15A所示,配设在特定位置上的轴30~32和旋转移动的栅栏升降板29的凸轮29a接合,从而使被接续在轴30~32上的栅栏3a~3c驱动到上方。这时的各轴30~33和凸轮29a(黑色所示的区域及阴影线所示的区域)的位置关系,如图15B所示。图15B还表明,轴30~32与凸轮29a接合,其他轴33不与凸轮29a接合(白色所示的区域)。
接着,如图16所示,在从药液嘴12提供第四种药液前,利用升降机构28使划定回收槽19的栅栏3d驱动到上方,直到开启该回收槽19的入口并关闭回收槽18入口的位置。这时,回收槽16和17的入口关闭,所以只有回收槽19的入口开启。
在这个状态下,一边用电机15使基片11旋转一边从药液嘴12提供第四种药液,以对基片11进行处理。处理基片11后的第四种药液,因电机15的旋转而从基片11飞溅,并被回收到回收槽19中。这时,因旋转离心力而从基片飞溅的第四种药液与周围大气混合而以雾状或气状回收到回收槽19中。被回收到回收槽19中的第四种药液,从排液机构23排出,并且被回收的气体从排气机构27排出。
这时,在升降机构28中,驱动图2所示的电机34以使栅栏升降板29再在圆周方向旋转。在本实施方式中,使栅栏升降板29相对图9A所示的位置逆时针旋转约107°左右。由此,如图17A所示,配设在特定位置上的轴30~33和旋转移动的栅栏升降板29的凸轮29a接合,从而使被接续在轴30~33上的栅栏3a~3d驱动到上方。这时的各轴30~33和凸轮29a(黑色所示的区域及阴影线所示的区域)的位置关系,如图17B所示。图17B还表明,所有的轴30~33都与凸轮29a接合。
通过进行上述的处理,在用规定的回收槽回收多种药液时,由于可在不会混入到其他的回收槽中的情况下进行回收,所以可以进行有效的分类回收和分类废弃。此外,还可以构成使由基片夹持部13保持的基片11的位置,位于未回收处理液时的栅栏3a~3d的位置之上,以便可顺利搬入或搬出基片11的结构。
另外,升降机构28,为了把多种药液按照其种类分别回收到各回收槽中,虽然把接续在轴30~33上的栅栏3a~3d按照栅栏3a、栅栏3b、栅栏3c和栅栏3d的顺序分别独立地驱动到上方,但是该分别回收结束后,为了处理下一个被处理基片而把驱动到上方的各栅栏3a~3d降到原来的高度时,要使各栅栏3a~3d按照栅栏3d、栅栏3c、栅栏3b和栅栏3a的顺序分别独立地驱动到下方。在本发明的实施方式中,使驱动到上方的各栅栏3a~3d降到原来的高度时,既可适用驱动图2所示的电机34,使栅栏升降板29从图17B所示的位置再逆时针旋转(向与栅栏向上驱动相同的方向旋转)以使各栅栏3a~3d降到原来高度的方法,或者也可适用利用电机34使栅栏升降板29顺时针旋转(向与栅栏向上驱动相反的方向旋转)使该栅栏升降板回到图9B所示的原来的位置以使各栅栏3a~3d降到原来高度的方法。
利用本发明的实施方式的话,由于用某个回收槽回收基片11处理后的药液时,是在关闭其他回收槽入口的状态下进行回收,所以可以防止需要回收的处理液混入到其他的回收槽中。由此,例如,在进行酸性药液的处理和碱性药液的处理时,不会发生因它们混入所生成的颗粒而引起的盐,并可以在由同一装置构成的连续工艺中进行基片处理。
进而,由于使栅栏升降板29在形成了该栅栏升降板的凸轮(台阶部)29a的形成面内(实施例中,由于栅栏升降板29制成圆形,所以是在圆周方向)旋转,并使该凸轮29a和栅栏接合以进行栅栏的升降动作,所以可以在不使基片处理装置的构成复杂化的情况下,以简单的构成把各种药液按照其种类分别进行回收。通过这种构成,例如,与使用汽缸以及使用滚珠丝杆进行栅栏升降动作的情况相比,可以显著简化其装置构成。此外,在凸轮29a中,由于把被接续在各栅栏3a~3d上的各轴30~33压在上面的面形成缓斜面,把各轴30~33从该上面落下的面形成陡峭的陡斜面或者垂直面,所以把驱动到上方的各栅栏3a~3d降到原来高度时,在使用使栅栏升降板29向与该栅栏向上驱动相同方向旋转而下降的方法时,可以快速地使各栅栏3a~3d下落。
由上可知,可以提供,使用多种处理液对基片进行各种处理后,对这些处理液进行回收时,可确实地防止使用后的各处理液混合,并且构成简单且可靠性高的基片处理装置。
另外,在本实施方式的基片处理装置中,虽然所示的是四个为把各种药液按照其种类分别进行回收的回收槽的例子,但是本发明也可以适用多个回收槽的构成。此外,在本实施方式中,虽然所示的是相对划定各回收槽的各栅栏3a~3d,分别接续三个轴的例子,但是本发明也可以适用接续若干个轴的构成。
再有,设在栅栏升降板29上的、与各轴接合的凸轮29a的个数,在本实施方式中,虽然每个轴各为1个,但是凸轮29a可以考虑栅栏升降板29的面积、各栅栏升降所需的电机扭矩、缓斜面角度、各栅栏升降高度等因素进行设计,只要强度及扭矩等允许,还可以相对各个栅栏设置多个凸轮,以期提高各栅栏升降的效率。
还有,在使栅栏升降板29在同一方向旋转而使各栅栏升降时,本实施方式,虽然构成的凸轮在栅栏上升时具有缓斜面,在下降时具有陡斜面,但是为保证栅栏升降的凸轮角度是任意的,既可是上升时和下降时都是同一角度的凸轮,当然也可以相反为上升时为陡斜面下降时为缓斜面的凸轮。
产业上利用的可能性
利用本发明,由于用某个回收槽回收基片处理后的处理液时,是在关闭其他回收槽入口的状态下进行回收,所以可以防止需要回收的处理液混入到其他的回收槽中。由此,例如,在进行酸性药液的处理和碱性药液的处理时,不会发生因它们混入所生成的颗粒而引起的盐,并可以在由同一装置构成的连续工艺中进行基片处理。进而,由于使栅栏升降板在形成了该栅栏升降板的台阶部(凸轮)的形成面内旋转,并使该台阶部和栅栏接合以进行栅栏的升降动作,所以可以在不使基片处理装置的构成复杂化的情况下,以简单的构成把各种处理液按照其种类分别进行回收。

Claims (8)

1.一种基片处理装置,其特征在于,具备保持被处理基片的基片保持手段,
使由上述基片保持手段保持的上述被处理基片旋转的基片旋转手段,
向上述被处理基片上提供多种处理液的处理液供应手段,
具有包围由上述基片保持手段保持的上述被处理基片周围的多个栅栏并使各栅栏升降以把因上述基片旋转手段而从上述被处理基片飞溅的上述处理液按照其种类分别回收于由上述各栅栏所划定的各回收槽中的同时用某个上述回收槽回收上述处理液时在关闭其他上述回收槽入口的状态下进行回收的处理液回收手段,
上述处理液回收手段,具有设有与上述各栅栏连接而使该栅栏升降的台阶部的栅栏升降板,并使该栅栏升降板在该栅栏升降板形成上述台阶部的形成面内旋转以进行上述各栅栏的上述升降动作。
2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于,在上述栅栏升降板上,与上述各栅栏对应设有上述台阶部。
3.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于,上述台阶部在上述栅栏升降板的表面形成凸部,
上述处理液回收手段,通过使上述栅栏升降板在该栅栏升降板形成上述台阶部的形成面内旋转,并使上述栅栏移动到上述凸部的上面以使该栅栏上升,以此形成回收上述处理液的上述回收槽的导路。
4.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于,上述台阶部在上述栅栏升降板的表面形成凸部,
上述处理液回收手段,通过使上述栅栏升降板在该栅栏升降板形成上述台阶部的形成面内旋转,并使上述栅栏移动到上述凸部的上面以使该栅栏上升,以此形成回收上述处理液的上述回收槽的导路。
5.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于,上述各栅栏为关闭上述各回收槽入口而从离上述被处理基片最近的开始依次重合而配设,
上述处理液回收机构,从离开上述被处理基片的位置上的回收槽开始依次进行回收。
6.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于,上述各栅栏为关闭上述各回收槽入口而从离上述被处理基片最近的开始依次重合而配设,
上述处理液回收机构,从离开上述被处理基片的位置上的回收槽开始依次进行回收。
7.如权利要求3所述的基片处理装置,其特征在于,上述各栅栏为关闭上述各回收槽入口而从离上述被处理基片最近的开始依次重合而配设,
上述处理液回收机构,从离开上述被处理基片的位置上的回收槽开始依次进行回收。
8.如权利要求4所述的基片处理装置,其特征在于,上述各栅栏为关闭上述各回收槽入口而从离上述被处理基片最近的开始依次重合而配设,
上述处理液回收机构,从离开上述被处理基片的位置上的回收槽开始依次进行回收。
CNB2005800079563A 2004-03-12 2005-03-07 基片处理装置 Expired - Fee Related CN100466190C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004071006 2004-03-12
JP071006/2004 2004-03-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1930667A true CN1930667A (zh) 2007-03-14
CN100466190C CN100466190C (zh) 2009-03-04

Family

ID=34975857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005800079563A Expired - Fee Related CN100466190C (zh) 2004-03-12 2005-03-07 基片处理装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20070272357A1 (zh)
EP (1) EP1727191A1 (zh)
JP (1) JP4319221B2 (zh)
KR (1) KR100837711B1 (zh)
CN (1) CN100466190C (zh)
TW (1) TW200537613A (zh)
WO (1) WO2005088691A1 (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311446A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置
JP4763567B2 (ja) * 2006-10-03 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100845916B1 (ko) * 2006-12-22 2008-07-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100871821B1 (ko) * 2007-03-29 2008-12-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100912702B1 (ko) * 2007-09-18 2009-08-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100938231B1 (ko) * 2007-10-01 2010-01-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101008678B1 (ko) * 2008-11-10 2011-01-17 세메스 주식회사 회수 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 장치
TWI383444B (zh) * 2008-12-12 2013-01-21 Grand Plastic Technology Co Ltd 清洗蝕刻機台移動式洩液槽之排氣裝置
US20100212831A1 (en) * 2009-01-06 2010-08-26 Grand Plastic Technology Co., Ltd. Device with lifting and lowering drain tank for wet etching wafers
JP5242632B2 (ja) * 2010-06-03 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
US8899246B2 (en) 2011-11-23 2014-12-02 Lam Research Ag Device and method for processing wafer shaped articles
US20130255724A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
KR102270779B1 (ko) * 2013-12-31 2021-06-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102232836B1 (ko) * 2014-05-30 2021-03-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6983602B2 (ja) * 2017-09-26 2021-12-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102385266B1 (ko) * 2019-12-19 2022-04-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102620706B1 (ko) * 2020-07-31 2024-01-03 세메스 주식회사 처리액을 공급 및 회수하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077082A (ja) * 1999-09-06 2001-03-23 Takata Corp 処理液回収用チャンバー構造
JP2002353181A (ja) * 2001-05-30 2002-12-06 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP4018958B2 (ja) * 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4074814B2 (ja) * 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4091335B2 (ja) * 2002-05-13 2008-05-28 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2004031400A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Sipec Corp 基板処理装置及びその処理方法
US7584760B2 (en) * 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US7467635B2 (en) * 2003-05-12 2008-12-23 Sprout Co., Ltd. Apparatus and method for substrate processing

Also Published As

Publication number Publication date
US20070272357A1 (en) 2007-11-29
WO2005088691A1 (ja) 2005-09-22
EP1727191A1 (en) 2006-11-29
CN100466190C (zh) 2009-03-04
JP4319221B2 (ja) 2009-08-26
JPWO2005088691A1 (ja) 2008-01-31
KR20060118612A (ko) 2006-11-23
KR100837711B1 (ko) 2008-06-13
TW200537613A (en) 2005-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1930667A (zh) 基片处理装置
CN1672245A (zh) 基板处理装置及其基板处理方法
CN1162895C (zh) 湿式处理装置
CN1165385C (zh) 半导体晶片载架的清洗装置和方法
CN1864811A (zh) 多重循环稳定双碱法烟气脱硫工艺及装置
CN1580371A (zh) 用于洗衣机的蒸汽发生器
CN1292736A (zh) 处理微电子工件的微环境反应器
CN1497667A (zh) 高压处理方法及高压处理装置
CN107970647A (zh) 一种污水处理用斜板沉淀池
CN107088568B (zh) 一种液体化学品吨桶清洗装置
CN1872707A (zh) 废水中氨氮的真空负压抽吸脱除方法及设备
CN2632848Y (zh) 晶圆清洗装置
CN1109873C (zh) 增强的热交换系统
CN112661086A (zh) 一种环境修复用药剂生产设备
CN1894779A (zh) 板片式晶片处理装置
CN100337311C (zh) 纵型热处理装置
CN1226075C (zh) 搅拌传热装置
CN1267973C (zh) 基板处理方法及装置
CN1157760C (zh) 加工晶片的设备
CN111847785A (zh) 一种危废填埋场渗滤液处理药剂喷射嘴效率计算及设备
CN1992152A (zh) 用于制造平板显示装置的蚀刻设备及使用其的制造方法
CN216073181U (zh) 一种水力澄清装置
CN1721093A (zh) 厨余垃圾处理装置
CN217202203U (zh) 一种聚合氯化铝生产用浆料沉降匀料池
CN110627173A (zh) 一种漆渣提取装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090304

Termination date: 20160307