JP4319221B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 176
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 98
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 63
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 58
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 103
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 59
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
図18は、従来例の基板処理装置の概略図であり、図18Aにその断面図、図18Bにその上面図を示す。
図1に示すように、この基板処理装置は、被処理対象の基板11が設置され、当該基板11の表面を各種処理液(薬液)を用いて処理するための基板処理部1と、使用済みの各種薬液を選択的に分別回収する薬液回収部2とを備えて構成されている。
図2は、本実施形態の基板処理装置における昇降機構28の概略断面図である。この図2では、図1で示したフェンス3aを上昇させて回収槽16で薬液回収を行う場合の昇降機構28の駆動を示している。
図3は、図2に示したフェンス昇降板29の上面図である。ここで、図3において、○で示した位置は、各フェンス3a〜3dに接続された各シャフト30〜33が配置されている位置である。本実施形態においては、各フェンス3a〜3dに対して各シャフト30〜33がそれぞれ3つずつ接続されている。また、フェンス昇降板29には、各フェンス3a〜3dのそれぞれに対応して各カムチャート40〜43が形成されている。
図5は、上面から見た本実施形態の基板処理装置内の断面図である。
本実施形態では、回収槽が4槽の場合を示している。回収槽16〜19は、基板11の周囲を取り囲むように円形のフェンス3a〜3dで区切られて形成されており、そのフェンスの底面を各シャフト30〜33が各回収槽16〜19あたり3箇所(○の部分)配置されている。また、図5に示した●の部分には、排液口が設けられており、回収した薬液をこの排液口から排出できるように構成されている。さらに、図3に示した24〜27は、各回収槽16〜19に設けられ、回収したガスを排出する排気機構である。
図6は、回収槽16〜19を形成する各フェンス3a〜3dの先端部を示した概略断面図である。図6に示した状態は、薬液供給手段から基板11上に薬液が供給されて、その基板11を処理した薬液を一番外側の回収槽16で回収するときの様子を示す断面図である。このとき、回収槽16のみの入り口が開いており、他の回収槽17〜19の入り口が全て閉じられている。
図8,図10,図12,図14,図16は、本実施形態の基板処理装置における薬液回収の手順を示す概略断面図である。また、図9A,図11A,図13A,図15A,図17Aは、本実施形態の基板処理装置の薬液回収の各手順における昇降機構28の動作状態を示す断面図であり、図9B,図11B,図13B,図15B,図17Bは、本実施形態の基板処理装置の薬液回収の各手順におけるフェンス昇降板29の各カムチャートの上面図である。本実施形態では、4種類の薬液を基板11の周囲を囲むように配設された4枚のフェンス3a〜3d及び仕切り板3eにより画定される4つの回収槽16〜19で回収する例で説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば更にフェンスの枚数を増設して5つ以上の回収槽を構成することも可能である。
Claims (8)
- 被処理基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段で保持された前記被処理基板を回転させる基板回転手段と、
前記被処理基板上に複数の処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段で保持された前記被処理基板の周囲を取り囲む複数のフェンスを有し、当該各フェンスを昇降させて前記基板回転手段により前記被処理基板から飛散した前記処理液をその種類毎に前記各フェンスで画定される各回収槽に分別回収するとともに、前記処理液をある前記回収槽で回収するときに他の前記回収槽の入り口を閉じた状態で回収を行う処理液回収手段とを備え、
前記処理液回収手段は、前記各フェンスと係合して当該フェンスを昇降させる段差部が設けられたフェンス昇降板を有しており、当該フェンス昇降板を、当該フェンス昇降板の前記段差部が形成されている形成面内で回転させて前記各フェンスの前記昇降動作を行うことを特徴とする基板処理装置。 - 前記フェンス昇降板には、前記各フェンスのそれぞれに対応して前記段差部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記段差部は、前記フェンス昇降板の表面に凸部が形成されたものであり、
前記処理液回収手段は、前記フェンス昇降板を当該フェンス昇降板の前記段差部が形成されている形成面内で回転させ、前記凸部の上面に前記フェンスを移動させて当該フェンスを上昇させることによって前記処理液を回収する前記回収槽の導路を形成することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記段差部は、前記フェンス昇降板の表面に凸部が形成されたものであり、
前記処理液回収手段は、前記フェンス昇降板を当該フェンス昇降板の前記段差部が形成されている形成面内で回転させ、前記凸部の上面に前記フェンスを移動させて当該フェンスを上昇させることによって前記処理液を回収する前記回収槽の導路を形成することを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記各フェンスが前記各回収槽の入り口を閉じるように前記被処理基板に近いほうから順次重ね合って配設されており、
前記処理液回収手段は、前記被処理基板から離れた位置の回収槽から順次回収を行うことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記各フェンスが前記各回収槽の入り口を閉じるように前記被処理基板に近いほうから順次重ね合って配設されており、
前記処理液回収手段は、前記被処理基板から離れた位置の回収槽から順次回収を行うことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記各フェンスが前記各回収槽の入り口を閉じるように前記被処理基板に近いほうから順次重ね合って配設されており、
前記処理液回収手段は、前記被処理基板から離れた位置の回収槽から順次回収を行うことを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記各フェンスが前記各回収槽の入り口を閉じるように前記被処理基板に近いほうから順次重ね合って配設されており、
前記処理液回収手段は、前記被処理基板から離れた位置の回収槽から順次回収を行うことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004071006 | 2004-03-12 | ||
JP2004071006 | 2004-03-12 | ||
PCT/JP2005/003866 WO2005088691A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-03-07 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005088691A1 JPWO2005088691A1 (ja) | 2008-01-31 |
JP4319221B2 true JP4319221B2 (ja) | 2009-08-26 |
Family
ID=34975857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006510929A Active JP4319221B2 (ja) | 2004-03-12 | 2005-03-07 | 基板処理装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070272357A1 (ja) |
EP (1) | EP1727191A1 (ja) |
JP (1) | JP4319221B2 (ja) |
KR (1) | KR100837711B1 (ja) |
CN (1) | CN100466190C (ja) |
TW (1) | TW200537613A (ja) |
WO (1) | WO2005088691A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311446A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Realize Advanced Technology Ltd | 洗浄装置 |
JP4763567B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR100845916B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-07-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR100871821B1 (ko) * | 2007-03-29 | 2008-12-03 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR100912702B1 (ko) * | 2007-09-18 | 2009-08-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR100938231B1 (ko) * | 2007-10-01 | 2010-01-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR101008678B1 (ko) * | 2008-11-10 | 2011-01-17 | 세메스 주식회사 | 회수 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
TWI383444B (zh) * | 2008-12-12 | 2013-01-21 | Grand Plastic Technology Co Ltd | 清洗蝕刻機台移動式洩液槽之排氣裝置 |
US20100212831A1 (en) * | 2009-01-06 | 2010-08-26 | Grand Plastic Technology Co., Ltd. | Device with lifting and lowering drain tank for wet etching wafers |
JP5242632B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2013-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
US8899246B2 (en) | 2011-11-23 | 2014-12-02 | Lam Research Ag | Device and method for processing wafer shaped articles |
US20130255724A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
KR102270779B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2021-06-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102232836B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2021-03-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6983602B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-12-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR102385266B1 (ko) * | 2019-12-19 | 2022-04-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102620706B1 (ko) * | 2020-07-31 | 2024-01-03 | 세메스 주식회사 | 처리액을 공급 및 회수하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001077082A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Takata Corp | 処理液回収用チャンバー構造 |
JP2002353181A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Ses Co Ltd | 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 |
JP4018958B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-12-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4074814B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2008-04-16 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4091335B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2008-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP2004031400A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Sipec Corp | 基板処理装置及びその処理方法 |
US7584760B2 (en) * | 2002-09-13 | 2009-09-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US7467635B2 (en) * | 2003-05-12 | 2008-12-23 | Sprout Co., Ltd. | Apparatus and method for substrate processing |
-
2005
- 2005-03-07 US US10/592,311 patent/US20070272357A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-07 KR KR1020067019040A patent/KR100837711B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-03-07 CN CNB2005800079563A patent/CN100466190C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-07 WO PCT/JP2005/003866 patent/WO2005088691A1/ja active Application Filing
- 2005-03-07 EP EP05720138A patent/EP1727191A1/en not_active Withdrawn
- 2005-03-07 JP JP2006510929A patent/JP4319221B2/ja active Active
- 2005-03-11 TW TW094107527A patent/TW200537613A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100466190C (zh) | 2009-03-04 |
US20070272357A1 (en) | 2007-11-29 |
KR100837711B1 (ko) | 2008-06-13 |
KR20060118612A (ko) | 2006-11-23 |
EP1727191A1 (en) | 2006-11-29 |
CN1930667A (zh) | 2007-03-14 |
JPWO2005088691A1 (ja) | 2008-01-31 |
TW200537613A (en) | 2005-11-16 |
WO2005088691A1 (ja) | 2005-09-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090512 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090527 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130605 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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