CN1261981C - 单晶片式基片清洗方法及其装置 - Google Patents

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Abstract

作为在通过药液湿式清洗晶片表面时，可有效地防止对晶片背面的药液回流的单晶片式湿式清洗技术，对旋转支撑的一片晶片W的表面Wa从上方向依次供给多种药液进行湿式清洗时，通过对晶片W的背面Wb喷射供给纯水，从而使该纯水清洗背面Wb，并且可有效地防止对背面Wb的药液回流。

Description

单晶片式基片清洗方法及其装置
技术领域
本发明涉及单晶片式基片清洗方法和单晶片式基片清洗装置，特别涉及半导体和电子零件等器件的制造工序中对半导体晶片等进行每片湿式清洗处理的单晶片式湿式清洗技术。
背景技术
作为对半导体晶片(以下简称为晶片)进行湿式清洗的方法，以往，对于将多个清洗槽连续排列的湿式台型的清洗处理来说，将装载台中收容的多片晶片、或省略装载台而直接将多片晶片通过搬运装置依次进行浸渍处理的所谓的批量式湿式清洗成为主流，但半导体器件也迎来超微米时代，随着这种器件结构的微细化、高集成化，近来对于晶片的表面也需要非常高清洁度，作为满足更高清洁度要求的湿式清洗技术，开发提出了在密闭的清洗室内对晶片进行每片非盒式湿式清洗的所谓单晶片式湿式清洗。
作为该单晶片式湿式清洗，具有可以高精度地进行没有微粒再附着等高清洁环境下的清洗，而且装置结构简单、小型，即使多品种少量生产也可以有效地应对的优点。
一般地，在该单晶片式湿式清洗中，仅对晶片的表面即上表面按预定的顺序进行各种药液的清洗处理。
但是，在这样仅以晶片的表面为对象的湿式清洗中，对晶片表面供给的药液沿晶片的背面侧回流，有污染该背面的危险。而且，如果晶片的背面被污染，则存在安装该晶片的装卸模具、例如定标器式机械人的机械手等也会被污染，通过该污染的机械手而存在使被处理的其它晶片也被连锁污染的问题。
关于这方面，近来，迫切需要开发防止对晶片表面供给的药液向背面回流的技术，作为防止这种药液回流的技术，例如已经提出图7A、图7B所示的技术(参照日本第2000-343054号发明专利申请公开公报)。
该防止药液回流技术一边由基片旋转部a旋转支撑晶片W，一边对晶片W的表面Wa供给药液，并从晶片W下侧的环状喷嘴b中供给气体，由支撑部件c一边防止向侧方的滑动一边使晶片W浮起，如图7B所示，具有吹散从晶片W的表面Wa向背面Wb侧回流的药液的构成。
但是，在这种通过气体来吹散药液的方式中，不能进行背面Wb的清洗，难以完全防止污染，期望进一步改善。
发明内容
本发明是鉴于这样的以往的问题而提出的发明，其目的在于提供一种单晶片式基片清洗技术，在密闭的清洗室内对晶片的表面通过药液进行非盒式湿式清洗时，有效地防止向晶片背面的药液回流。
为了实现上述目的，本发明的单晶片式基片清洗方法，在密闭的清洗室内，对基片进行每片非盒式湿式清洗，其特征在于，对旋转支撑的基片的表面由多个上侧供给喷嘴从上方向依次供给多种药液来进行药液清洗，并且在该药液清洗中，对所述基片的背面由下侧供给喷嘴喷射供给纯水。
作为优选实施例如此设定，即相对于旋转支撑的所述基片的背面的径向方向中心部位，通过由所述下侧供给喷嘴喷射供给纯水，该喷射供给的纯水一边用所述基片的旋转产生的离心力沿基片的背面向放射方向流动，一边对该背面进行纯水清洗。此外，设定来自所述下侧供给喷嘴的喷射供给的纯水，使得该喷射供给的纯水利用其喷射力使所述基片浮起，并且通过该基片旋转产生的离心力，沿基片的背面到达基片的外周边缘。
本发明的单晶片式基片清洗装置适合于实施所述清洗方法，该装置在密闭的清洗室内对基片进行每片非盒式湿式清洗，该装置包括：基片旋转部件，在所述清洗室内以水平状态来支撑旋转一片基片；清洗腔，在所述基片旋转部件的外周部，形成基片旋转部件上旋转支撑的基片的清洗处理用空间；药液供给部件，对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的表面供给药液；以及纯水供给部件，对所述基片旋转部件上旋转支撑的背面供给纯水；其特征在于，对于所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的表面由所述药液供给部件从上方向依次供给多种药液，同时通过所述纯水供给部件对所述基片的背面喷射供给纯水。
作为优选实施例，所述纯水供给部件包括对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的背面喷射供给纯水的喷嘴，将该喷嘴在所述基片旋转部件的可旋转的旋转轴的上端部位中向上并且固定地设置，并且可连通到纯水供给源。此外，所述喷嘴由连通到所述配管的存储部和在该存储部中设置的多个喷射孔构成。
在本发明的单晶片式基片清洗中，对旋转支撑的晶片的表面由上侧供给喷嘴从上方向依次供给多种药液来进行清洗，并且在该药液清洗中，对所述晶片的背面由下侧供给喷嘴喷射供给纯水。由此，在密闭的清洗室内对晶片的表面通过药液进行非盒式湿式清洗时，可以提供有效地防止向晶片背面的药液回流的单晶片式湿式清洗技术。
即，在本发明的单晶片式基片清洗中，在密闭的清洗室内，对晶片进行每片非盒式湿式清洗时，对旋转支撑的晶片的表面由上侧供给喷嘴从上方向依次供给多种药液来清洗，并且在该药液清洗时，通过对所述晶片背面由下侧供给喷嘴喷射供给纯水来有效地防止向该背面的药液回流。
换句话说，对晶片表面供给的药液因晶片旋转产生的离心力向晶片的外周边缘流动后，要从该外周边缘向背面回流。因此，在药液清洗晶片表面的情况下，通过对晶片的背面喷射供给纯水，该喷射供给的纯水因所述晶片的旋转产生的离心力沿晶片的背面向放射方向流动，并且对该背面进行纯水清洗，同时对从晶片的表面要向背面回流的药液形成屏蔽作用，有效地防止因晶片背面的药液产生的污染。
附图说明
图1表示本发明一实施例的单晶片式基片清洗装置的内部结构的正面剖面图。
图2表示该基片清洗装置的基片旋转部、清洗室和药液供给部之间配置关系的放大正面剖面图。
图3表示该基片旋转部和纯水供给部的下侧喷嘴结构的平面图。
图4表示该基片旋转部和纯水供给部的下侧喷嘴的周边主要部分结构的放大正面剖面图。
图5A～图5C表示该下侧喷嘴的喷射孔的排列结构的改变例的放大平面图。
图6表示通过从该下侧喷嘴对晶片背面喷射供给的纯水来防止药液向背面回流的机构的放大正面剖面图。
图7A表示现有的单晶片式基片清洗装置中的防止对晶片背面的药液回流的技术结构的正面剖面图，图7B表示通过从该结构中的下侧环状喷嘴对晶片背面喷射供给气体来防止药液向背面的回流的机构的放大正面剖面图。
具体实施方式
以下，根据附图来详细说明本发明的实施例。
本发明的单晶片式基片清洗装置示于图1，具体地说，该基片清洗装置具有在密闭的清洗室1内对晶片W进行每片非盒式湿式清洗的构造，由以下主要部分构成：在可密闭的上述清洗室1内，以水平状态支撑旋转一片晶片W的基片旋转部(基片旋转部件)2；可相对上下方向移动的清洗腔3；对晶片W的表面Wa供给药液的药液供给部(药液供给部件)4；对晶片W的背面Wb供给纯水的纯水供给部(纯水供给部件)5；供给用于防止氧化的惰性气体的惰性气体供给部(惰性气体供给部件)6；以及相互连动控制这些驱动部的控制部7。
清洗室1形成上部形成可密闭的清洗处理用的空间，同时下部配置在上部空间内并形成各种装置驱动部的设置部。具体地说，图中虽未示出，但在清洗室1的上部空间中，设置可开闭的基片搬运出入口，该基片搬运出入口在其闭塞时具有确保该部位的气密、不透水的构造。
基片旋转部2，在旋转清洗时和旋转干燥时以水平状态支撑一片晶片W并水平旋转，基片支撑部11以水平状态安装支撑在旋转轴10的前端部分，并且包括旋转驱动该旋转轴10的驱动电机12。
基片支撑部11和旋转轴10通过轴承支撑筒体13以垂直直立状态可旋转地配置在清洗室1的中央部，将一片晶片W以水平状态支撑在基片支撑部11上。
具体地说，如图2和图3所示，基片支撑部11形成在外周缘部环状壁部11a上升的圆盘形态，并且在上述环状壁部11a的上面包括装载支撑晶片W的周缘部的多个(图中情况下为4个)圆柱状的支撑体14、14、...。
这些支撑体14、14、...如图所示沿基片支撑部11的圆周方向等间隔配置，其前端内周部分形成支撑晶片W的外周缘Wc部位的支撑凹部14a。这些支撑体14、14、...的支撑凹部14a、14a...以彼此同一高度来设定，由此，以水平状态来支撑晶片W的周缘部。
另外，虽然在图中未具体地示出支撑凹部14a的支撑面，但具有与晶片W的周缘部的轮廓形状对应的剖面形状，由此，对晶片W的短形剖面的周缘部形成以点接触状态或线接触状态来对接支撑该周缘角部。
旋转轴10由轴承40通过支撑筒体13直立状旋转支撑，并且其下端部可皮带驱动连接到驱动电机12。然后，旋转轴10由该驱动电机12的驱动来旋转驱动，使上述基片支撑部11根据规定的转数来旋转。旋转轴10的旋转速度例如在旋转清洗处理时被设定为40～50r.p.m.的低速，而在旋转干燥时被设定为约3000r.p.m.的高速。
上述旋转轴10形成为图中示出的空心筒状，在其空心内部配置后述的纯水供给部5的下侧供给喷嘴26的配管30。
清洗腔3是对晶片W清洗处理的部位，其内径尺寸如后述那样，按与基片旋转部2的基片支撑部11的关系来设定，在基片旋转部2的外周部形成该基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的清洗处理用空间。
具体地如图1和图2所示，清洗腔3在其内周部中包括在上下方向上排列的多段圆环状处理槽15～18，并且形成对上述基片旋转部2沿上下方向可升降动作的结构。
在图中示出的实施例中，上述圆环状处理槽15～18以同心状并且沿上下方向排列为4段以便包围在基片旋转部2的基片支撑部11上支撑的晶片W。
这些圆环状处理槽15～18的内径边缘如此设定，即不与上述基片旋转部2的基片支撑部11的外径边缘接触，并且这两个边缘之间形成的环状间隙为具有阻止药液等向下侧漏泄的程度的微小间隔。
清洗腔3包括通过图中未示出的升降导轨沿上下方向可垂直升降地支撑、并且对基片旋转部2的基片支撑部11进行每次规定行程量的升降动作的升降机构20。
该升降机构20由使支撑清洗腔3的支撑框21升降动作的图中未示出的进给丝杆机构、以及旋转驱动该进给丝杆机构的驱动电机22构成。
根据清洗处理工序，通过与后述的基片旋转部2动作连动的驱动电机22的驱动，通过上述进给丝杆机构，清洗腔3沿上下方向每次升降规定行程，要进行清洗处理工序的圆环状处理槽15～18的某一个处理槽相对于上述基片旋转部2的基片支撑部11上支撑的晶片W有选择地决定其高度方向位置。
虽在图中未具体地示出，但在4个圆环状处理槽15～18中，分别设置连通到装置外部的排泄部。这些排泄部排出各处理槽15～18内的药液或惰性气体，或进行再利用回收，仅在清洗处理进行时形成开口，而在进行其它处理槽中的清洗处理的情况下闭塞。
药液供给部4对上述基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的表面Wa(图中上面)供给药液，主要包括对晶片W的表面Wa从上侧供给药液的上侧供给喷嘴25。
具体地说，该上侧供给喷嘴25形成对晶片W的表面Wa喷射供给药液的喷嘴形态，与要供给的药液的种类所对应的数目来配置，并且该上侧供给喷嘴25可连通到在清洗室1的外部设置的药液供给源27。
在图中示出的实施例中，上侧供给喷嘴25形成将多个喷嘴一体化的喷嘴部25A的形态，该喷嘴部25A在清洗室1内的上部中以向下状态可水平旋转地设置，并且被驱动连接到图中未示出的用于摆动的驱动电机。
在上述喷嘴部25A中，设置与要供给的药液种类对应数目的喷嘴口即喷嘴25、25、...，具体地说，设置3个喷嘴25、25、...(图2中仅示出一个)，分别具有作为后述的APM液、纯水和DHF液的供给口的功能。
上述喷嘴部25A的上侧喷嘴25相对于基片旋转部2的基片支撑部11上水平状态旋转支撑的晶片W的表面Wa，从其外周经过中心来水平旋转，并且在水平旋转静止后喷射供给规定的药液。
上述药液供给源27是对上侧喷嘴25供给清洗用药液的供给源，在图中示出的实施例中，是可选择包括用于进行APM(NH4OH+H2O2+H2O2)液的清洗的结构、以及用于进行DHF(HF+H2O)液的清洗的结构的2药液系统，与此相对，清洗腔3中的处理槽15～18分别是最下段的处理槽15用于APM液的清洗工序，处理槽15上段的处理槽16用于DHF液的清洗工序，处理槽16上段的处理槽17用于纯水的清洗，而最上段的处理槽18用于旋转干燥。
然后，上述药液供给源27通过适当选择设定清洗工序的处方，通过与后述的惰性气体供给源37协同动作，可有选择地执行i)APM+DHF+(O3+DIW)+DRY、ii)APM+DHF+DRY、iii)APM+DRY和DHF+DRY等清洗工序。
即，如后述，驱动控制上侧喷嘴25，以便根据上述某个选择设定的处方，对基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的表面Wa从上下方向依次供给多种药液来进行清洗，并且在这一连串的清洗工序中，从下侧供给喷嘴26供给纯水。
纯水供给部5对上述基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的背面Wb(图中的下面)供给纯水，包括对晶片W的背面Wb从下侧供给纯水的下侧供给喷嘴26作为主要部分。
具体地说，该下侧供给喷嘴形成对晶片W的背面Wb喷射供给纯水的喷嘴形态，并且可连通到在清洗室1的外部设置的纯水供给源28。
在图中示出的实施例中，将下侧喷嘴26设置在基片旋转部2的可旋转的旋转轴10的上端部位，相对于旋转支撑的晶片W的背面Wb以向上状态以固定方式设置。如图4所示，该下侧喷嘴26由存储部50、在该存储部50中设置的多个喷射孔51、51、...构成，上述存储部50通过旋转轴10内部配置的配管30可连通到上述纯水供给源28。
上述喷射孔51、51、...的排列结构在图中示出的实施例中如图3所示沿放射方向直线状延伸排列，但例如也可采用图5A、图5B、图5C所示的排列结构。
图5A、图5B、图5C所示的排列结构都以喷射孔51、51、...的合计开口面积外侧周边部分比其中心部不断增大来设定。这样的排列结构如后所述，从下侧喷嘴26对晶片W的背面Wb的径向方向中心部喷射供给的纯水，在用晶片W的旋转产生的离心力沿晶片W的背面Wb放射方向流动的结构情况下，是有效的排列结构。
顺便说明一句，图5A所示的喷射孔51、51、...形成圆弧状的缝隙形态，其长度尺寸和宽度尺寸以外侧周边部分比中心部不断增大来设定。此外，图5B所示的喷射孔51、51、...形成沿放射方向延伸的缝隙形态，其宽度尺寸以外侧周边部分比中心部不断增大来设定。而且，图5C所示的喷射孔51、51、...形成为根据规定间隔沿圆周方向和放射方向排列的圆形开口的形态，其直径尺寸以外侧周边部分比中心部不断增大来设定。
上述配管30在空心筒状的旋转轴10的空心内部沿上下方向贯通，并且通过图中未示出的支撑构造以与旋转轴10非接触状态以固定方式配置。
在该配管30的上端部中一体地设置圆板状的排水部31，在该排水部31的中心部设置上述下侧喷嘴26，其存储部50被连通到上述配管30的内部上贯通设置的多个纯水供给路径(纯水供给用配管)30a、30a、...。
上述排水部31以其上表面与上述基片支撑部11的环状壁部11a上表面相对来配置，并且其外径边缘不与上述环状壁部11a的内径面接触，并且在这两者之间形成的环状间隙45以阻止药液等向下侧漏泄程度的微小间隔来设定。
上述纯水供给路径30a、30a、...在配管30的下端部通过方向控制阀32可有选择地连通到上述纯水供给源28。
由该纯水供给源28从下侧喷嘴26喷射供给的纯水如图4所示，对基片旋转部2的基片支撑部11上旋转支撑的晶片W的背面Wb的径向中心部位喷射供给，并且用该晶片W的旋转产生的离心力，沿晶片W的背面Wb向放射方向流动。
在图中示出的实施例中，由上述纯水供给源28设定来自下侧喷嘴26的纯水的喷射供给，使得该喷射供给的纯水通过其喷射力使基片旋转部2的基片支撑部11上旋转支撑的晶片W浮起，并且通过该晶片W的旋转产生的离心力，使纯水沿晶片W的背面Wb到达其外周边缘Wc。
于是，上述纯水供给源28被驱动控制，使得与对晶片W的表面Wa的所述药液供给部4产生的药液清洗同步，从下侧供给喷嘴26供给纯水。由此，对晶片W的背面Wb从下侧喷嘴26根据上述设定条件喷射供给纯水，对晶片W的背面Wb进行纯水清洗，并且防止对背面Wb的药液回流。
参照图6，说明防止对该晶片W的背面Wb的药液回流的机理，对晶片W的表面Wa供给的药液在用晶片W的旋转产生的离心力向晶片W的外周边缘Wc流动后，要从该外周边缘Wc向背面Wb回流，但通过对晶片W的背面Wb喷射供给纯水，该喷射供给的纯水用晶片W的旋转产生的离心力沿其背面Wb向放射方向流动，并且对该背面Wb进行纯水清洗，同时对要从晶片W的表面Wa向背面Wb回流的药液形成屏蔽作用，有效地防止晶片W背面Wb的药液产生的污染。
惰性气体供给部6，对上述基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的正反面供给防止氧化的惰性气体，作为主要部分包括对晶片W的表面Wa供给惰性气体的上侧供给部35、以及对晶片W的背面Wb供给惰性气体的下侧供给部36，这些供给部35、36可连通到在清洗室1的外部设置的惰性气体供给源37。在图中示出的实施例中，使用氮气作为惰性气体。
上侧供给部35被设置在清洗室1内的上部，与清洗腔3协同动作，具有在基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的表面Wa周围形成干燥用密闭空间的圆形盖体的形态。
具体地说，上述上侧供给部35的外径边缘以与清洗腔3的内径边缘即最上段的圆环状处理槽18的外径边缘紧密状连接来设计，由此，在基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的表面Wa周围形成必要的最小限度的干燥用密闭空间。上侧供给部35通过配管38连通到上述惰性气体供给源37。
上述上侧供给部35在与上述清洗腔3协同动作的使用位置(图中省略)、和不干扰上述药液供给部4的使用等待位置即图1所示的高度位置之间可沿上下方向移动，并且驱动连接到图中未示出的升降部件。
下侧供给部36被设置在基片旋转部2的可旋转的旋转轴10的上端部位。具体地说，如图4所示，由形成与上述纯水供给部5兼用构造的所述下侧喷嘴26、旋转轴10的上端部的空心内周和配管30外周之间的上端间隙39构成。
上述下侧喷嘴26包括上述存储部50，该存储部50通过旋转轴10内部中配置的上述配管30可连通到上述惰性气体供给源37。
具体地说，在配管30的内部，与上述纯水供给路径30a平行来贯通设置惰性气体供给路径(惰性气体供给用的配管)30b，该惰性气体供给路径30b的上端连通到上述下侧喷嘴26的存储部50，并且其下端通过方向控制阀52可有选择地连通到上述惰性气体供给源37。
此外，下侧供给部36的另一个供给口的上端间隙39如图2和图4所示，面对通过上述排水部31和基片支撑部11形成的空间53来开口，并且通过惰性气体供给路径39a和图中未示出的方向控制阀可有选择地连通上述惰性气体供给源37。
在这样的惰性气体供给部6中，上侧供给部35具有在上述晶片W的清洗时和将清洗腔3内的药液排除置换时工作，喷射供给氮气的结构。
另一方面，下侧供给部36的下侧喷嘴26通过方向控制阀32、52的切换操作，在上述的晶片W的清洗时，从纯水供给源28喷射供给纯水，并且除此以外还与上述上侧供给部35同步来喷射供给氮气。
下侧供给部36的上端间隙39与上侧供给部35同样，在晶片W的清洗时和排出置换清洗腔3内的药液时进行工作，喷射供给氮气，对排水部31和基片支撑部11间的空间53进行氮气清洁来常时保持正压，由此，有效地阻止从环状间隙45向下侧漏泄药液等。
控制部7相互连动驱动控制上述基片清洗装置的各构成部，通过该控制部7全自动地执行以下一连串的湿式处理工序。
(1)清洗处理前的晶片W通过图中未示出的清洗室1的基片搬运出入口被搬运到清洗腔3内的基片支撑部11上，清洗腔3密闭后，通过清洗腔3的升降动作，晶片W在清洗腔3内的晶片清洗处理位置上定位后，按预定的顺序执行上述各种清洗处理。
(2)例如，如果是上述ii)的清洗处理工序(APM+DHF+DRY)，则通过清洗腔3的升降位置的定位，基片支撑部11上的晶片W首先定位配置在最下段的处理槽15，一边从上侧喷嘴25喷射供给APM液，一边通过基片旋转部2使晶片W低速旋转，进行APM液的清洗。
与该APM液的旋转清洗同步，从下侧喷嘴26对晶片W的背面Wb喷射供给纯水，如上所述，对晶片W的背面Wb进行纯水清洗，并且防止向背面Wb的APM液的回流。
(3)接着定位配置在从上数第2段的处理槽17，从上侧喷嘴25喷射供给纯水，并且通过基片旋转部2使晶片W低速旋转，进行纯水的漂洗处理。
这种情况下，也与上述漂洗处理同步，从下侧喷嘴26对晶片W的背面Wb喷射供给纯水，如上所述，对晶片W的背面Wb进行纯水清洗，并且防止向背面Wb的来自表面侧的漂洗排水的回流。
(4)接着定位配置在从上数第3段的处理槽16，从上侧喷嘴25供给DHF液，并且通过基片旋转部2使晶片W低速旋转，进行DHF液的旋转清洗。
与该DHF液的旋转清洗同步，从下侧喷嘴26对晶片W的背面Wb喷射供给纯水，如上所述，对晶片W的背面Wb进行纯水清洗，并且防止向背面Wb的DHF液的回流。
(5)再次定位配置到上述处理槽17，从上侧喷嘴25喷射供给纯水，并且通过基片旋转部2使晶片W低速旋转，进行纯水的漂洗，同时从下侧喷嘴26对晶片W的背面Wb喷射供给纯水，进行晶片W的背面Wb的清洗和防止对背面Wb的来自表面侧的漂洗排水的回流。
(6)最后定位配置到最上段的处理槽18，通过从惰性气体供给部6的上侧供给部35和下侧供给部36(即下侧喷嘴26)喷射氮气，并且通过基片旋转部2的高速旋转来进行旋转干燥。
在该干燥工序中，通过将惰性气体供给部6的上侧供给部35下降至与清洗腔3协同动作的使用位置，与清洗腔3协同动作来形成干燥用密闭空间，在该干燥用密闭空间内供给充满氮气。
因此，通过用氮气对密闭空间A内部进行清洁，而且根据不同情况，通过从圆环状处理槽18的排泄部强制排气，在干燥用密闭空间A内产生从惰性气体供给部6至排泄部的路径的气流，由此使晶片W的表面Wa的整个周围的氧浓度实质上为零，在该状态下进行旋转干燥。
(7)将结束了基片清洗装置中的一连串清洗处理的晶片W再次通过清洗室1的基片搬运出入口搬出。
但是，在以上那样构成的基片清洗装置中，在密闭的清洗室1内，对旋转支撑的一片晶片W的表面Wa由上侧供给喷嘴25从上下方向依次供给多种药液来进行湿式清洗，在该晶片W的表面Wa进行湿式清洗时，对晶片W的背面Wb由下侧喷嘴26喷射供给纯水，有效地防止清洗该背面Wb和对背面Wb的药液回流。
即，对晶片W的表面Wa供给的药液用晶片W旋转产生的离心力向晶片W的外周边缘流动后，要从该外周边缘向背面Wb回流。因此，在对晶片W的表面Wa进行药液清洗的情况下，通过对晶片W的背面Wb喷射供给纯水，该喷射供给的纯水靠上述晶片W的旋转产生的离心力沿晶片W的背面Wb向放射方向流动，并且对该背面Wb进行纯水清洗，同时对要从晶片W的表面Wa向背面Wb回流的药液起到屏蔽作用，有效地防止晶片W背面Wb的药液造成的污染。
上述实施例仅仅表示本发明的优选实施例，本发明并不限于此，在其范围内可进行各种设计变更。
例如，图中示出的实施例的基片清洗装置可单独使用，也可以作为包括装载部、卸载部或移载机械人等各种装置的基片清洗系统的基本构成要素来使用。
此外，本实施例中所用的药液仅是示例，根据需要，例如也可以使用HPM(HCl+H2O2+H2O2)和SPM(H2SO4+H2O2+H2O)等其它药液。
而且，在图中示出的实施例中，下侧喷嘴26连通的纯水供给路径30a、30a、...通过方向控制阀32可以形成有选择地连通上述纯水供给源28和药液供给源27的结构，通过这样的结构，除了图中示出实施例的对晶片W的表面Wa的单面清洗以外，还可以对晶片W的正反两面Wa、Wb有选择地实施两面清洗。

Claims (10)

1.一种单晶片式基片清洗方法，在密闭的清洗室内，对基片进行每片非盒式湿式清洗，其特征在于，对旋转支撑的基片的表面由多个上侧供给喷嘴从上方向依次供给多种药液来进行药液清洗，并且在该药液清洗中，对所述基片的背面由下侧供给喷嘴喷射供给纯水，相对于旋转支撑的所述基片的背面的径向方向中心部位，通过由所述下侧供给喷嘴喷射供给纯水，该喷射供给的纯水一边用所述基片的旋转产生的离心力沿基片的背面向放射方向流动，一边对该背面进行纯水清洗，来自所述下侧供给喷嘴的纯水的喷射供给按下述方式被设定，即使得该喷射供给的纯水利用其喷射力使所述基片浮起，并且通过该基片旋转产生的离心力，沿基片的背面到达基片的外周边缘。
2.一种单晶片式基片清洗装置，该装置在密闭的清洗室内对基片进行每片非盒式湿式清洗，该装置包括：基片旋转部件，在所述清洗室内以水平状态来支撑旋转一片基片；清洗腔，在所述基片旋转部件的外周部，形成基片旋转部件上旋转支撑的基片的清洗处理用空间；药液供给部件，对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的表面供给药液；以及纯水供给部件，对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的背面供给纯水；其特征在于，对于所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的表面由所述药液供给部件从上方向依次供给多种药液，同时通过所述纯水供给部件对所述基片的背面喷射供给纯水。
3.如权利要求2所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述纯水供给部件包括对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的背面喷射供给纯水的喷嘴，将该喷嘴在所述基片旋转部件的可旋转的旋转轴的上端部位中向上并且以固定方式设置，并且可连通到纯水供给源。
4.如权利要求3所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述基片旋转部件的旋转轴形成为空心筒状，并且在该旋转轴的空心内部，将可连通到所述纯水供给源的纯水供给用的配管沿上下方向贯通并且与所述旋转轴非接触状态下以固定方式配置，将所述下侧供给喷嘴向上并且以固定方式设置在该纯水供给用的配管的上端部上。
5.如权利要求4所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，在所述旋转轴的空心内部，所述纯水供给用的配管和可连通到惰性气体供给源的惰性气体供给用的配管沿上下方向贯通并且与所述旋转轴非接触状态下以固定方式配置，将所述下侧供给喷嘴向上并且以固定方式设置在这些配管的上端部上。
6.如权利要求4或5所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述喷嘴由连通到所述配管的存储部和在该存储部中设置的多个喷射孔构成。
7.如权利要求3所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述喷嘴可有选择地连通到所述纯水供给源和所述药液供给部件的药液供给源，通过所述药液供给部件，有选择地执行对所述基片表面的单面清洗和对所述基片的正反面的双面清洗。
8.如权利要求4所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述基片旋转部件的旋转轴内周和所述配管外周之间的间隙具有作为惰性气体供给口的功能。
9.如权利要求2所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述清洗腔可相对于所述基片旋转部件沿上下方向相对地升降，并且在该清洗腔的内周部中形成所述清洗处理用空间的环状清洗槽同心状、并且沿上下方向多段排列，以便包围所述基片旋转部件上支撑的基片，根据清洗处理工序，这些环状清洗槽的某一个通过所述清洗腔的沿上下方向的升降，移动而定位在所述基片旋转部件上支撑的基片所对应的位置。
10.如权利要求9所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述清洗腔按下述方式被设定，即使得所述环状处理槽的内径边缘与所述基片旋转部件的基片支撑部的外形边缘不接触，并且在这两个边缘之间形成的环状间隙为具有阻止药液等向下侧漏泄的程度的微小间隔。
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Granted publication date: 20060628

Termination date: 20090930