CN1217386C - 单晶片式基片清洗方法及其装置 - Google Patents

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Abstract

在密闭的清洗室内对晶片进行每片非盒式湿式清洗的单晶片式基片清洗的干燥工序中，一边向晶片的表面供给防止氧化的惰性气体，一边以高速支撑旋转该晶片进行旋转干燥，同时设定对上述晶片表面的惰性气体的供给量，使得外侧周边部分的供给量比晶片表面的中心部的供给量多，不但具有单晶片式湿式清洗的优点，而且有效地防止晶片表面的氧化。

Description

单晶片式基片清洗方法及其装置
技术领域
本发明涉及单晶片式基片清洗方法和单晶片式基片清洗装置，特别涉及半导体和电子零件等器件的制造工序中对半导体晶片等进行每片湿式清洗处理的单晶片式湿式清洗技术。
背景技术
作为对半导体晶片(以下简称为晶片)进行湿式清洗的方法，以往，对于将多个清洗槽连续排列的湿式台型的清洗处理来说，将装载台中收容的多片晶片、或省略装载台而直接将多片晶片通过搬运装置依次进行浸渍处理的所谓的批量式湿式清洗成为主流，但半导体器件也迎来超微米时代，随着这种器件结构的微细化、高集成化，近来对于晶片的表面也需要非常高清洁度，作为满足更高清洁度要求的湿式清洗技术，开发提出了在密闭的清洗室内对晶片进行每片非盒式湿式清洗的所谓单晶片式湿式清洗。
作为该单晶片式湿式清洗，具有可以高精度地进行没有微粒再附着等高清洁环境下的清洗，而且装置结构简单、小型，即使多品种少量生产也可以有效地对付的优点。
但是，在该单晶片式湿式清洗中，对晶片表面的各种药液的清洗处理按预定的顺序来进行，并且最后通过使晶片高速旋转的旋转干燥来进行晶片的干燥处理，在该干燥处理时，因药液的种类，在密闭的清洗室内的干燥环境中残存氧，所以存在晶片的表面容易氧化的问题，要求进一步改善。
发明内容
本发明是鉴于这样的以往的问题而提出的发明，其目的在于提供一种单晶片式基片清洗方法，具有在密闭的清洗室内对晶片进行每片非盒式湿式清洗的单晶片式清洗的优点，而且可有效地防止晶片表面的氧化。
本发明的另一目的在于提供一种单晶片式基片清洗装置，具有可以实施上述单晶片式基片清洗方法的结构。
为了实现上述目的，本发明的单晶片式基片清洗方法在密闭的清洗室内，对基片进行每片非盒式湿式清洗，其特征在于，基片表面周围形成干燥用的密闭空间，在干燥工序中，一边向基片的表面供给防止氧化的惰性气体，一边以高速支撑旋转该基片进行旋转干燥，同时设定对所述基片表面的惰性气体的供给量，使得外侧周边部分的供给量比晶片表面的中心部的供给量多。
作为优选实施例，在所述基片表面周围形成干燥用密闭空间，在该干燥用密闭空间内供满所述惰性气体，使用氮气作为所述惰性气体。
本发明的单晶片式基片清洗装置适合实施所述清洗方法，该装置包括：基片旋转部件，在可密闭的清洗室内，以水平状态来支撑旋转一片基片；清洗腔，在所述基片旋转部件的外周部，形成基片旋转部件上旋转支撑的基片的清洗处理用空间；药液供给部件，对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的表面供给清洗液；以及惰性气体供给部件，对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的表面供给用于防止氧化的惰性气体；其特征在于，该惰性气体供给部件的供给口具有，使总开口面积在外侧周边部分比上述基片表面的中心部分大的结构。
作为优选实施例，所述惰性气体供给部件包括与所述清洗腔配合、在所述基片旋转部件上旋转支撑的基片表面周围形成干燥用密闭空间的圆形盖体形态的气体喷出部，该气体喷出部为内部与惰性气体供给源连通的扁平空心形状，并且在其平面底部设置所述供给口。
此外，所述气体喷出部的供给口的具体结构由对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片表面同心的放射状配置的多个喷射口组成，这些喷射口的总开口面积以外侧周边部分比所述基片表面中心部不断增大方式设定。
作为一例，所述喷射口的开口面积以外侧周边部分比所述基片表面中心部不断增大方式设定，或者所述喷射口的配置数以外侧周边部分比所述基片表面中心部不断增大方式设定。
而且，在所述气体喷出部的空心内部插装阻止将对惰性气体直接流到所述供给口中央部的挡板部件。
在本发明的单晶片式基片清洗中，在密闭的清洗室内，对晶片表面的各种药液的清洗工序按预定的顺序来进行，并且最后通过使晶片高速旋转的旋转干燥来进行晶片的干燥处理，在该干燥处理时，因药液的种类，在密闭的清洗室内的干燥环境中残存氧，因该残存的氧而有晶片的表面会氧化的危险。
在本发明中，考虑到这点，通过一边对晶片的表面供给用于防止氧化的惰性气体，一边高速支撑旋转该晶片来进行旋转干燥，从而防止晶片的氧化。
这种情况下，晶片的氧化程度取决于晶片表面的周围环境的氧浓度，本发明人的试验研究的结果表明，该晶片表面周围环境的氧浓度在常态下，外侧周边部分比晶片表面的中心部高。
为了防止该晶片表面的氧化，需要使该晶片表面的氧化浓度为零或接近零的值。因此，有在清洗室内供满氮气等惰性气体，使整个清洗室内钝化的方法，但在该方法中，需要使用大量的惰性气体，导致运行成本升高，是不经济的。
因此，在本发明中，通过将上述晶片表面的惰性气体的供给量以外侧周边部分比晶片表面的中心部大的方式设定，可以尽量减少惰性气体的使用量，并且使氧浓度为零或接近零的值，可以防止晶片表面的氧化。
进一步详述这点，在密闭的清洗室内，在对晶片进行每片非盒式湿式清洗的单晶片式基片清洗的干燥工序中，一边对晶片的表面供给用于防止氧化的惰性气体，一边高速支撑旋转该晶片来进行旋转干燥，并且将上述晶片表面的惰性气体的供给量以外侧周边部分比晶片表面的中心部大的方式设定，所以可以提供具有叶片式湿式清洗的优点，并且有效地防止晶片表面的氧化的单晶片式基片清洗技术。
即，作为单晶片式基片清晰，在密闭的清洗室内，对晶片表面的各种药液的清洗工序按预定的顺序来进行，并且最后通过使晶片高速旋转的旋转干燥来进行晶片的干燥处理，在该干燥工序中，  因药液的种类，在密闭的清洗室内的干燥环境中残存氧，因该残存的氧而有晶片的表面会氧化的危险。
在本发明中，考虑到这点，通过一边对晶片的表面供给用于防止氧化的惰性气体，一边高速支撑旋转该晶片来进行旋转干燥，从而防止晶片的氧化。
特别在晶片的氧化程度取决于晶片表面的周围环境的氧浓度的情况下，在本发明中，通过将上述晶片表面的惰性气体的供给量以外侧周边部分比晶片表面的中心部大的方式设定，可以尽量减少惰性气体的使用量，并且使氧浓度为零或接近零的值，可以防止晶片表面的氧化。
附图说明
图1是表示本发明一实施例的单晶片式基片清洗装置的内部结构的正面剖面图。
图2是以剖面表示该基片清洗装置的基片旋转部和惰性气体供给部之间配置关系的放大正面图。
图3是以剖面表示该基片旋转部和惰性气体供给部的干燥工序中的配置关系的放大正面图。
图4(a)～图4(c)是表示该惰性气体供给部的气体喷出口的具体结构的底面图。
图5是表示该基片旋转部的基片支撑部上支撑的晶片表面的周围环境为常态的氧浓度分布的线图。
具体实施方式
以下，根据附图来详细说明本发明的实施例。
本发明的单晶片式基片清洗装置示于图1，具体地说，该基片清洗装置具有在密闭的清洗室1内对晶片W进行每片非盒式湿式清洗的构造，由以下主要部分构成：在可密闭的上述清洗室1内，以水平状态支撑旋转一片晶片的基片旋转部(基片旋转部件)2；可相对上下方向移动的清洗腔3；供给清洗液的药液供给部(药液供给部件)4；供给用于防止氧化的惰性气体的惰性气体供给部(惰性气体供给部件)5；以及相互连动控制这些驱动部的控制部6。
清洗室1的上部形成可密闭的清洗处理用的空间，同时下部配置在上部空间内并形成各种装置驱动部的设置部。具体地说，图中虽未示出，但在清洗室1的上部空间中，设置可开闭的基片搬运出入口，该基片搬运出入口在其闭塞时具有确保该部位的气密、不透水的构造。
基片旋转部2，作为在旋转清洗时和旋转干燥时以水平状态支撑一片晶片W并使其水平旋转的结构，在旋转轴10的前端部分以水平状态安装支撑有基片支撑部11，并且包括旋转驱动该旋转轴10的驱动电机12。
基片支撑部11和旋转轴10通过轴承支撑筒体13以垂直直立状态可旋转地配置在清洗室1的中央部，将一片晶片W以水平状态支撑在基片支撑部11上。
具体地说，如图2和图3所示，基片支撑部11包括搭载支撑晶片W的周缘部的晶片搭载部14。
该晶片搭载部14如图所示以水平状态被支撑，其周缘部倾斜，形成越向外周越堆高的杯形状，并且包括支撑晶片W的周缘部的多个卡爪部14a、14a、…。晶片搭载部14的卡爪部14a、14a…以彼此同一高度来设定，由此，以水平状态来支撑晶片W的周缘部。
卡爪部14a的支撑面图中没有具体地示出，但具有与晶片W的周缘部的轮廓形状对应的剖面形状，由此，对晶片W的短形剖面的周缘部形成以点接触状态或线接触状态来对接支撑该周缘角部。
旋转轴10通过轴承支撑筒体13直立状旋转支撑，并且其下端部可皮带驱动连接着驱动电机12，由该驱动电机12的驱动来旋转驱动，使上述基片支撑部11根据规定的转数来旋转。旋转轴10的旋转速度例如在旋转清洗处理时被设定为40～50r.p.m.的低速，而在旋转干燥时被设定为约3000r.p.m.的高速。
清洗腔3是对晶片W清洗处理的部位，其内径尺寸如后述那样，按与基片旋转部2的基片支撑部11的关系来设定，在基片旋转部2的外周部形成基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的清洗处理用空间。
具体地如图2和图3所示，清洗腔3在其内周部中，包括在上下方向上排列的多段圆环状处理槽15～18，并且形成对上述基片旋转部2沿上下方向可升降的结构。
在图示的实施例中，上述圆环状处理槽15～18，以同心状并沿上下方向排列为4段以便包围基片旋转部2的基片支撑部11上支撑的晶片W。
这些圆环状处理槽15～18的内径边缘按下述方式被设定，即与上述基片旋转部2的基片支撑部11的外径边缘非接触，并且这两个边缘之间形成的环状间隙为阻止清洗液等向下侧漏泄的微小间隔。
清洗腔3包括通过图中未示出的升降导轨沿上下方向可垂直升降地支撑，并且对基片旋转部2的基片支撑部11进行每次规定行程量的升降的升降机构20。
该升降机构20由使支撑清洗腔3的支撑框21升降动作的图中未示出的进给丝杆机构、以及旋转驱动该进给丝杆机构的驱动电机22构成。
根据清洗处理工序，通过与后述的基片旋转部2动作连动的驱动电机22的驱动，通过上述进给丝杆机构，清洗腔3沿上下方向每次升降规定行程，要进行清洗处理工序的圆环状处理槽15～18的某一个处理槽相对于上述基片旋转部2的基片支撑部11上支撑的晶片W有选择地决定其高度方向位置。
虽未具体地示出，但在4个圆环状处理槽15～18中，分别设置连通到装置外部的排泄部。这些排泄部排出各处理槽15～18内的清洗液或惰性气体，仅在清洗处理进行时形成开口，而在进行其他处理槽中的清洗处理的情况下闭塞。
药液供给部4对上述基片旋转部2旋转支撑的晶片W的表面供给清洗液，该药液供给部被设置在清洗室1内的上部，并且可与在清洗室1的外部设置的药液供给源25连通。
具体地说，药液供给部4具有从上侧对基片旋转部2的基片支撑部11上支撑的晶片W表面喷射供给清洗液的喷嘴形态。
该药液供给部4在清洗室1内的上部，以向下状态可水平旋转方式设置，并且被驱动连接到图中未示出的用于摆动的驱动电机。
此外，相对于基片旋转部2的基片支撑部11上水平状态旋转支撑的晶片W的表面，该药液供给部4从其外周经过中心水平旋转，并在水平旋转静止后喷射供给清洗液。
在图示的实施例中，在药液供给部4中，设置与要供给的清洗液的种类所对应数目的喷嘴口，具体地说，设置3个喷嘴口(图中省略)，分别具有作为后述的APM液、纯水、DHF液的供给口的功能。
对应于该药液供给部4，在旋转轴10的上端部，形成使具有与药液供给部4的喷嘴口相同数目、即3个喷嘴口(图中省略)的喷嘴26开口，从下侧对晶片W背面喷射供给清洗液的构造。该喷嘴26与上述喷嘴4同样，通过旋转轴10的内部配管可与上述药液供给源25连通，具有作为APM液、纯水、DHF液的供给口的功能。
由此，可将晶片W的其正反面同时或有选择地清洗。
惰性气体供给部5对上述基片旋转部2上旋转支撑的晶片W表面供给用于防止氧化的惰性气体，该供给部设置在清洗室1内的上部，并且可与在清洗室1的外部设置的惰性气体供给源27连通。在图示的实施例中，使用氮气(N2)作为惰性气体。
具体地说，如图3所示，惰性气体供给部5包括与清洗腔3协同工作，在基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的表面周围形成干燥用密闭空间A的圆形盖形态的气体喷出部30。
如图3所示，将该气体喷出部30的外径边缘以与清洗腔3的内径边缘即最上段的圆环状处理槽18的外边缘紧密连接状方式设计，由此，在基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的表面周围形成需要的最小限度的干扰用密闭空间A。
该气体喷出部30形成内部通过连通配管33与上述惰性气体供给源27连通的扁平空心状，在其平面底部即平板状的底板31上设置供给口32。
具体地说，该供给口32由对上述基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的表面同心放射状配置的多个喷射口32a、32a、…组成(参照图4(a)～图4(c))，使向上述晶片W表面供给的氮气量形成外侧周边部比晶片W表面的中心部多。将供给口32形成为这样的结构的原因在于以下理由。
即，晶片W的氧化程度取决于晶片W表面的周围环境的氧浓度，本发明人的试验结果表明，该晶片W表面周围环境的氧浓度在常态下如图5所示，外侧周边部分比晶片W表面的中心部高。
为了防止该晶片W表面的氧化，需要使该晶片W表面的氧化浓度为零或接近零的值。因此，有在清洗室1内供满氮气等惰性气体，使整个清洗室1内钝化的方法，但在该方法中，需要使用大量的惰性气体，导致运行成本升高，是不经济的。
因此，在本发明中，通过以外侧周边部分比晶片W表面的中心部多的方式设定对上述晶片W表面的惰性气体供给量，可尽量减少惰性气体的使用量，并使氧浓度为零或接近零的值，实现防止晶片W表面的氧化。
作为按上述方式构成对晶片W表面的惰性气体供给量的具体方法，将上述喷射口32a、32a、…的总开口面积以外侧周边部分比上述晶片W表面的中心部不断增大方式设定。
在图示的实施例中，这些喷射口32a、32a、…开口面积以外侧周边部分比晶片W表面的中心部分不断增大方式设定，其一例示于图4(a)、(b)、(c)。
即，图4(a)所示的喷射口32a、32a、…形成圆弧状的缝隙形态，其长度尺寸和宽度尺寸以外侧周边部比晶片W表面的中心部不断增大方式设定。
图4(b)所示的喷射口32a、32a、…形成沿放射方向延伸的缝隙形态，其宽度尺寸以外侧周边部比晶片W表面的中心部不断增大方式设定。
图4(c)所示的喷射口32a、32a、…形成按照规定间隔沿圆周方向和放射方向配置的圆形开口形态，其直径尺寸以外侧周边部比晶片W表面的中心部不断增大方式设定。
或者，图中虽未示出，但将喷射口32a、32a、…的配置数目以外侧周边部比晶片W表面的中心部不断增多方式设定，也可以将这样的配置数目和图4(a)、(b)、(c)所示的开口面积的结构进行组合。
如上所述，只设定喷射口32a、32a、…的配置数目或开口面积，也可以控制惰性气体的供给量，但在本实施例中，除了这些结构以外，在气体喷出部30的空心部还安装挡板部件35。
挡板部件35阻止氮气向上述供给口32的中央部的直接流动，形成直径比气体喷出部30的底板31小的圆板形状。
通过连通配管33供给到气体喷出部30内的氮气沿上述挡板部件35的上表面向外周边缘流动，转该外周边缘达到上述底板31的供给口32，由此，对供给口32的外周部分供给更多量的氮气。
因此，通过边考虑该挡板部件35的作用，边设定构成供给口32的喷射口32a、32a、…的配置数目和开口面积，就可设计出边减少氮气的使用量，边使晶片W表面的周围环境的氧浓度为0的氮气流量模型(参照图2的箭头)。
上述气体喷出口30，在与上述清洗腔3协同工作的使用位置即图3所示的高度位置和不干扰上述药液供给部4的使用等待位置即图1所示的高度位置之间，沿上下方向可移动，并且与图中未示出的升降部件驱动连接。
药液供给源25是对喷嘴4和26供给清洗用药液的供给源，在图示的实施例中，是可选择包括用于进行APM(NH4OH+H2O2+H2O)液的清洗的结构、以及用于进行DHF(HF+H2O)液的清洗的结构的2药液系统，与此相对应，清洗腔3中的处理槽15～18分别是最下段的处理槽15用于APM液的清洗工序，处理槽15上段的处理槽16用于DHF液的清洗工序，处理槽16上段的处理槽17用于纯水的清洗，而最上段的处理槽18用于旋转干燥。
但是，在上述结构的基片清洗装置中，通过上述清洗腔3的上下方向的升降，有选择地到达基片旋转部2的基片支撑部11上支撑的晶片W和上述清洗腔3的处理槽15～18的某一个之间的定位，并且通过基片旋转部2，基片支撑部11上支撑的晶片W根据规定的旋转速度进行水平旋转。
然后，通过选择设定清洗工序的处方，可有选择地执行i)APM+DHF+(O3+DIW)+DRY，ii)APM+DHF+DRY，iii)APM+DRY和DHF+DRY等清洗工序。
控制部6相互连动驱动控制上述基片清洗装置10的各构成部，通过该控制部6全自动地执行以下一连串的湿式处理工序。
(1)清洗处理前的晶片W通过图中未示出的清洗室1的基片搬运出入口被搬运到清洗腔3内的基片支撑部11上，清洗腔3密闭后，通过清洗腔3的升降动作，晶片W定位在清洗腔3内的晶片清洗处理的位置后，按预定的顺序执行上述各种清洗处理。
(2)例如，如果是上述ii)的清洗处理工序(APM+DHF+DRY)，则通过清洗腔3的升降定位，基片支撑部11上的晶片W首先定位配置在最下段的处理槽15，从喷嘴4供给APM液，并且通过基片旋转部2的低速旋转进行旋转清洗。
(3)接着，定位在从上数第2段的处理槽17，从喷嘴4供给纯水，并且通过基片旋转部2的低速旋转进行漂洗。
(4)接着，定位在从上数第3段的处理槽16，从喷嘴4供给DHF液，并且通过基片旋转部2的低速旋转进行旋转清洗。
(5)再次定位配置在上述处理槽17，从喷嘴4供给纯水，并且通过基片旋转部2的低速旋转进行漂洗。
(6)最后，定位配置在最上段的处理槽18的位置块，通过基片旋转部2的高速旋转进行旋转干燥。
在该干燥工序中，惰性气体供给部5的气体喷出部30，通过下降至图3所示的位置，与清洗腔3协同工作形成干燥用密闭空间A，在该干燥用密闭空间A内供满氮气。这种情况下，向晶片W表面供给的氮气量以外侧周边部分比晶片表面的中心部大的方式设定。
因此，通过用氮气对密闭空间A内部进行清洗，原封不动地使该密闭空间A内充满氮气，而且根据不同情况，通过从圆环状处理槽18的排泄部强制排气，在干燥用密闭空间A内产生从惰性气体供给部5至排泄部的路径的气流，使晶片W的整个表面周围的氧浓度实质上为零或接近零的值。在该状态下进行旋转干燥。
(7)将结束了基片清洗装置中的一连串清洗处理的晶片W再次通过清洗室1的基片搬运出入口搬出。
但是，在以上方式构成的基片清洗装置中，在密闭的清洗室1内，按预定的顺序进行对晶片W表面的各种药液的清洗工序，最后，在通过使晶片W高速旋转的旋转干燥来进行晶片W的干燥处理时，通过对晶片W表面供给防止氧化的氮气，并且高速旋转支撑该晶片W来进行旋转干燥，从而防止晶片的氧化。
这种情况下，通过以外侧周边部分比晶片W表面的中心部多的方式设定晶片W表面的氮气，可以尽量减少氮气的使用量，使氧浓度为零或接近零的值，可以实现防止晶片W表面的氧化。
上述实施例仅仅表示本发明的优选实施例，本发明并不限于此，在其范围内可进行各种设计变更。
例如，本实施例的基片清洗装置可单独使用，也可以作为包括装载部、卸载部或移载机械人等各种装置的基片清洗系统的基本构成要素来使用。
本实施例中所用的清洗液(药液)仅是示例，根据需要，例如也可以使用HPM(HCl+H2O2+H2O)和SPM(H2SO4+H2O2+H2O)等其他清洗液。

Claims (14)

1.一种单晶片式基片清洗方法，在密闭的清洗室内，对基片进行每片非盒式湿式清洗，其特征在于，基片表面周围形成干燥用的密闭空间，在干燥工序中，一边向基片的表面供给防止氧化的惰性气体，一边以高速支撑旋转该基片进行旋转干燥，同时设定对所述基片表面的惰性气体的供给量，使得外侧周边部分的供给量比晶片表面的中心部的供给量多。
2.如权利要求1所述的单晶片式基片清洗方法，其特征在于，在所述基片表面周围形成干燥用密闭空间，在该干燥用密闭空间内供满所述惰性气体。
3.如权利要求1或2所述的单晶片式基片清洗方法，其特征在于，所述惰性气体是氮气。
4.一种单晶片式基片清洗装置，该装置在密闭的清洗室内对基片进行每片非盒式湿式清洗，该装置包括：基片旋转部件，在所述清洗室内以水平状态来支撑旋转一片基片；清洗腔，在所述基片旋转部件的外周部，形成基片旋转部件上旋转支撑的基片的清洗处理用空间；药液供给部件，对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的表面供给清洗液；以及惰性气体供给部件，对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的表面供给用于防止氧化的惰性气体；其特征在于，该惰性气体供给部件的供给口具有，使总开口面积在外侧周边部分比上述基片表面的中心部分大的结构。
5.如权利要求4所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述惰性气体供给部件包括与所述清洗腔配合、在所述基片旋转部件上旋转支撑的基片表面周围形成干燥用密闭空间的圆形盖体形态的气体喷出部，该气体喷出部为内部与惰性气体供给源连通的扁平空心形状，并且在其平面底部设置所述供给口。
6.如权利要求5所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述气体喷出部的供给口由对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片表面同心放射状配置的多个喷射口组成，这些喷射口的总开口面积以外侧周边部分比所述基片表面中心部不断增大的方式设定。
7.如权利要求6所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述喷射口的开口面积以外侧周边部分比所述基片表面中心部不断增大方式设定。
8.如权利要求6所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述喷射口的配置数以外侧周边部分比所述基片表面中心部不断增多方式设定。
9.如权利要求5～8中的任何一项所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，在所述气体喷出部的空心内部插装阻止将对惰性气体直接流到所述供给口中央部的挡板部件。
10.如权利要求5～8中的任何一项所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述气体喷出部可在与所述清洗室配合使用的位置和不干扰所述药液供给部件的使用等待位置之间移动。
11.如权利要求4所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述清洗腔对所述基片旋转部件可向上下方向相对地升降，并且在该清洗腔的内周部，所述清洗用空间的环状清洗槽以同心状并沿上下方向多段排列，以便包围所述基片旋转部件上支撑的基片，根据清洗处理工序，这些环状清洗槽的某一个通过沿所述清洗腔的上下方向的升降移动定位在所述基片旋转部件上支撑的基片对应的位置。
12.如权利要求4或11所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述清洗腔被这样设定：在所述环状处理槽的内径边缘与所述基片旋转部件的基片支撑部的外径边缘之间形成不接触的环状间隙，所述环状间隙为阻止清洗液向下侧泄漏的微小间隔。
13.如权利要求4所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述药液供给部形成从上侧对所述基片旋转部件上支撑的基片表面喷射供给清洗液的喷嘴形态，该喷嘴以向下的状态可水平旋转方式设置，相对于所述基片旋转部件上水平状态旋转支撑的基片的表面，一边从其外周到中心水平旋转，一边在水平旋转静止后喷射供给清洗液。
14.如权利要求4～8中的任何一项所述的单晶片式基片清洗装置，其特征在于，所述惰性气体是氮气。
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