TW202414524A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種藉由對保持於旋轉之基板保持部之基板供給處理液而對基板實施規定之基板處理，且捕集於該基板處理過程中自基板甩掉之處理液之液滴的基板處理技術。於該裝置中，一面使旋轉杯部繞旋轉軸旋轉一面自該旋轉杯部之內側對旋轉杯部直接供給杯清洗液。藉此，既可削減杯清洗液之使用量且自旋轉杯部去除處理液而將旋轉杯部保持清潔。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種藉由處理液對基板實施規定之基板處理之基板處理裝置及基板處理方法者。此處，基板包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用玻璃基板、太陽能電池用基板等(以下，簡稱為「基板」)。又，處理包含斜面處理。

作為使半導體晶圓等基板旋轉且對該基板供給處理液而實施藥液處理或洗淨處理等基板處理之基板處理裝置，例如已知有日本專利特開2017-92244號公報(專利文獻1)所記載之裝置。於該基板處理裝置中，為接住基板處理過程中自旋轉之基板飛散之處理液等，設置有外杯作為防飛散構件。外杯以一面使其內周面與基板之外周對向一面包圍旋轉之基板之外周之方式配置。因此，外杯捕集自旋轉之基板甩掉之處理液之液滴。

於該先前裝置中，為將外杯之內周面洗淨而於基座部設置有複數個杯洗淨噴嘴。又，於基座部之上方配置有杯洗淨構件。於進行杯洗淨時，自杯洗淨噴嘴將洗淨液(相當於本發明之「杯清洗液」之一例)通過設置於杯洗淨構件之引導部供給至外杯之內周面。因此，為將外杯之內周面全體洗淨，需設置多個杯洗淨噴嘴。且，難以將自各杯洗淨噴嘴向引導部噴出之洗淨液全部供給至外杯，有時洗淨液之一部分自引導部溢出。基於該等情況，外杯之洗淨(相當於本發明之「杯清洗處理」之一例)需要相對大量之洗淨液。即，於先前之基板處理裝置中，因使用大量之洗淨液而對環境賦予極大之負荷，對於減少環境負荷有改善之餘地。

本發明係鑑於上述問題而完成者，目的在於提供一種可藉由削減杯清洗處理所需之杯清洗液之使用量而減少環境負荷之基板處理裝置及基板處理方法。

本發明之一態様係一種基板處理裝置，特徵在於具備：基板保持部，其設置為可一面保持基板一面繞沿鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉；旋轉杯部，其設置為可一面包圍保持於基板保持部之基板之外周一面繞旋轉軸旋轉；旋轉機構，其使基板保持部及旋轉杯部旋轉；處理機構，其藉由對保持於旋轉之基板保持部之基板供給處理液，而對基板實施規定之基板處理；杯清洗機構，其藉由自旋轉軸側將杯清洗液直接供給至捕集自基板飛散之處理液之旋轉杯部，而進行自旋轉杯部去除處理液之杯清洗處理；及控制部，其以於進行基板處理後一面使旋轉杯部旋轉一面將杯清洗液供給至旋轉杯部之方式，控制旋轉機構及清洗液供給部。

又，本發明之另一態様係一種基板處理方法，特徵在於具備以下步驟：藉由於以旋轉杯部包圍繞沿鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉之基板之外周之狀態下對基板供給處理液，而由處理液對基板實施規定之基板處理，且以旋轉杯部捕集自基板飛散之處理液；及藉由一面使捕集到處理液之旋轉杯部繞旋轉軸旋轉，一面自旋轉軸側對旋轉杯部直接供給杯清洗液，而自旋轉杯部去除處理液。

於如此構成之發明中，一面使捕集到處理液之旋轉杯部繞旋轉軸旋轉一面自該旋轉杯部之內側對旋轉杯部直接供給杯清洗液。因此，與專利文獻1所記載之基板處理裝置中之使用量相比，可明顯削減杯清洗液之使用量。

如上所述，根據本發明，可藉由削減捕集自基板飛散之處理液之旋轉杯部之杯清洗所需之杯清洗液之使用量而減少環境負荷。

圖1係顯示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施形態之基板處理系統之概略構成之俯視圖。圖1並非顯示基板處理系統100之外觀者，而係藉由將基板處理系統100之外壁面板或其他一部分構成除外而容易理解地表示其內部構造之模式圖。該基板處理系統100例如係設置於無塵室內，逐片處理僅於一主表面形成有電路圖案等(以下稱為「圖案」)之基板W之單片式裝置。然後，於裝備於基板處理系統100之處理單元1中，執行處理液之基板處理。本說明書中，將基板之兩主表面中形成有圖案之圖案形成面(一主表面)稱為「正面」，將其相反側之未形成圖案之另一主表面稱為「背面」。又，將朝向下方之面稱為「下表面」，將朝向上方之面稱為「上表面」。又，本說明書中，「圖案形成面」意指基板中於任意區域形成有凹凸圖案之面。

此處，作為本實施形態中之「基板」，可應用半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板。以下，主要採用用於半導體晶圓之處理之基板處理裝置為例而參考圖式進行說明，但同樣亦可應用於以上所例示之各種基板之處理。

如圖1所示，基板處理系統100具有對基板W實施處理之基板處理區域110。與該基板處理區域110相鄰而設置有傳載部120。傳載部120具有可保持複數個用以收納基板W之容器C(以密閉之狀態收納複數片基板W之FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓匣)、SMIF(Standard Mechanical Interface：標準機械介面)匣、OC(Open Cassette：開放式晶圓匣)等)之容器保持部121。又，傳載部120具備傳載機器人122，該傳載機器人122用以對保持於容器保持部121之容器C進行接取，自容器C取出未處理之基板W，或將已處理之基板W收納於容器C。於各容器C中，以大致水平之姿勢收納有複數片基板W。

傳載機器人122具備固定於裝置殼體之基座部122a、設置為可相對於基座部122a繞鉛直軸旋動之多關節臂122b、及安裝於多關節臂122b之前端之手122c。手122c為可於其上表面載置並保持基板W之構造。由於具有此種多關節臂及基板保持用之手之傳載機器人衆所周知，故省略詳細之說明。

於基板處理區域110中，載置台112設置為可載置來自傳載機器人122之基板W。又，於俯視下，於基板處理區域110之大致中央配置基板搬送機器人111。再者，以包圍該基板搬送機器人111之方式配置複數個處理單元1。具體而言，面向配置有基板搬送機器人111之空間配置複數個處理單元1。對於該等處理單元1，基板搬送機器人111隨機對載置台112進行接取，於與載置台112之間交接基板W。另一方面，各處理單元1係對基板W執行規定處理者，相當於本發明之基板處理裝置。本實施形態中，該等處理單元(基板處理裝置)1具有相同之功能。因此，可進行複數片基板W之並行處理。另，若基板搬送機器人111可自傳載機器人122直接交接基板W，則未必需要載置台112。

圖2係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之構成之圖。又，圖3係模式性顯示腔室之構成及安裝於腔室之構成之圖。於圖2、圖3及以下參考之各圖中，為便於理解，有誇大或簡化地圖示各部之尺寸或數量之情形。如圖3所示，基板處理裝置(處理單元)1中使用之腔室11具有自鉛直上方俯視時呈矩形形狀之底壁11a、自底壁11a之周圍立設之4片側壁11b～11e、及覆蓋側壁11b～11e之上端部之頂壁11f。藉由組合該等底壁11a、側壁11b～11e及頂壁11f，形成大致長方體形狀之內部空間12。

於底壁11a之上表面，基座支持構件16、16一面相互隔開一面由螺栓等緊固構件固定。即，自底壁11a立設基座支持構件16。於該等基座支持構件16、16之上端部，藉由螺栓等緊固構件固定基座構件17。該基座構件17由具有較底壁11a小之平面尺寸，同時厚度較底壁11a厚且具有高剛性之板材構成。如圖2所示，基座構件17藉由基座支持構件16、16自底壁11a向鉛直上方抬起。即，於腔室11之內部空間12之底部形成有所謂之高底板構造。如後續詳述般，該基座構件17之上表面加工成可設置對基板W實施基板處理之基板處理部SP，且於該上表面設置基板處理部SP。構成該基板處理部SP之各部與控制整個裝置之控制單元10電性連接，根據來自控制單元10之指示而動作。另，稍後詳述基座構件17之形狀、基板處理部SP之構成或動作。

如圖2及圖3所示，於腔室11之頂壁11f安裝有風扇過濾器單元(FFU：Fan Filter Unit)13。該風扇過濾器單元13將設置有基板處理裝置1之無塵室內之空氣進一步淨化，並供給至腔室11內之內部空間12。風扇過濾器單元13具備用以提取無塵室內之空氣並將其送出至腔室11內之風扇及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Air：高效微粒空氣)過濾器)，經由設置於頂壁11f之開口11f1而送入清潔空氣。藉此，於腔室11內之內部空間12形成清潔空氣之降流。又，為將自風扇過濾器單元13供給之清潔空氣均勻地分散，而於頂壁11f之正下方設置有穿設有複數個吹出孔之沖孔板14。

如圖3所示，於基板處理裝置1中，於4片側壁11b～11e中與基板搬送機器人111對向之側壁11b上設置有搬送用開口11b1，將內部空間12與腔室11之外部連通。因此，基板搬送機器人111之手(省略圖示)可經由搬送用開口11b1對基板處理部SP進行接取。即，藉由設置搬送用開口11b1，可對內部空間12搬入搬出基板W。又，用以將該搬送用開口11b1開閉之擋板15安裝於側壁11b。

於擋板15連接有擋板開閉機構(省略圖示)，根據來自控制單元10之開閉指令將擋板15開閉。更具體而言，於基板處理裝置1中，於將未處理之基板W搬入腔室11時，擋板開閉機構打開擋板15，藉由基板搬送機器人111之手將未處理之基板W以面朝上姿勢搬入基板處理部SP。即，基板W以將上表面Wf朝向上方之狀態載置於基板處理部SP之旋轉吸盤21上。且，於搬入該基板後基板搬送機器人111之手自腔室11退避時，擋板開閉機構將擋板15關閉。且，於腔室11之處理空間(相當於後續詳述之密閉空間12a)內，藉由基板處理部SP，執行作為本發明之「基板處理」之一例之針對基板W之周緣部Ws之斜面處理。又，於斜面處理結束後，擋板開閉機構再次打開擋板15，由基板搬送機器人111之手將已處理之基板W自基板處理部SP搬出。如此，於本實施形態中，腔室11之內部空間12保持常溫環境。另，本說明書中，「常溫」意指處於5℃～35℃之溫度範圍內。

如圖3所示，側壁11d隔著設置於基座構件17之基板處理部SP(圖2)位於側壁11b之相反側。於該側壁11d設置有保養用開口11d1。於保養時，如該圖所示，將保養用開口11d1開放。因此，操作者可自裝置之外部經由保養用開口11d1對基板處理部SP進行接取。另一方面，於基板處理時，以將保養用開口11d1封閉之方式安裝蓋構件19。如此，於本實施形態中，蓋構件19相對於側壁11d裝卸自如。

又，於側壁11e之外側面，安裝有用以對基板處理部SP供給加熱後之惰性氣體(本實施形態中為氮氣)之加熱氣體供給部47。該加熱氣體供給部47內置有加熱器471。

如此，於腔室11之外壁側配置擋板15、蓋構件19及加熱氣體供給部47。相對於此，於腔室11之內側即內部空間12，於高底板構造之基座構件17之上表面設置基板處理部SP。以下，參考圖2至圖13，且對基板處理部SP之構成進行說明。

圖4係模式性顯示設置於基座構件上之基板處理部之構成之俯視圖。以下，為明確裝置各部之配置關係或動作等，適當標注以Z方向為鉛直方向，以XY平面為水平面之座標系。於圖4之座標系中，將與基板W之搬送路徑TP平行之水平方向設為「X方向」，將與其正交之水平方向設為「Y方向」。更詳細而言，將自腔室11之內部空間12朝向搬送用開口11b1及保養用開口11d1之方向分別稱為「+X方向」及「-X方向」，將自腔室11之內部空間12朝向側壁11c、11e之方向分別稱為「-Y方向」及「+Y方向」，將朝向鉛直上方及鉛直下方之方向分別稱為「+Z方向」及「-Z方向」。又，該圖中之「CR液」意指杯清洗液。

基板處理部SP具備保持旋轉機構2、防飛散機構3、上表面保護加熱機構4、處理機構5、氛圍分離機構6、升降機構7、定心機構8基板觀察機構9及杯清洗機構200。該等機構設置於基座構件17上。即，以具有較腔室11高剛性之基座構件17為基準，以預設之位置關係互相配置保持旋轉機構2、防飛散機構3、上表面保護加熱機構4、處理機構5、氛圍分離機構6、升降機構7、定心機構8、基板觀察機構9及杯清洗機構200。

如圖2所示，保持旋轉機構2具備：基板保持部2A，其將基板W以基板W之正面朝向上方之狀態保持大致水平姿勢；及旋轉機構2B，其使保持有基板W之基板保持部2A及防飛散機構3之一部分同步旋轉。因此，當旋轉機構2B根據來自控制單元10之旋轉指令而作動時，基板W及防飛散機構3之旋轉杯部31繞與鉛直方向Z平行地延伸之旋轉軸AX旋轉。

基板保持部2A具備較基板W小之圓板狀之構件即旋轉吸盤21。旋轉吸盤21設置為其上表面大致水平，其中心軸與旋轉軸AX一致。尤其，於本實施形態中，如圖4所示，基板保持部2A之中心(相當於旋轉吸盤21之中心軸)較腔室11之中心11g朝(+X)方向偏移。即，基板保持部2A配置為，自腔室11之上方俯視時，旋轉吸盤21之中心軸(旋轉軸AX)位於自內部空間12之中心11g朝搬送用開口11b1側偏移距離Lof之處理位置。另，為明確後述之裝置各部之配置關係，於本說明書中，將通過偏移之基板保持部2A之中心(旋轉軸AX)，且與搬送路徑TP正交之假想線及與搬送路徑TP平行之假想線分別稱為「第1假想水平線VL1」及「第2假想水平線VL2」。

於旋轉吸盤21之下表面連結圓筒狀之旋轉軸部22。旋轉軸部22於使其軸線與旋轉軸AX一致之狀態下，沿鉛直方向Z延設。又，於旋轉軸部22連接旋轉機構2B。

旋轉機構2B具有產生用以使基板保持部2A及防飛散機構3之旋轉杯部31旋轉之旋轉驅動力之馬達23、及用以傳遞該旋轉驅動力之動力傳遞部24。馬達23具有伴隨旋轉驅動力之產生而旋轉之旋轉軸231。旋轉軸231以朝鉛直下方延設之姿勢設置於基座構件17之馬達安裝部位171。更詳細而言，如圖3所示，馬達安裝部位171係一面與保養用開口11d1對向一面沿(+X)方向切除之部位。該馬達安裝部位171之切除寬度(Y方向尺寸)與馬達23之Y方向寬度大致相同。因此，馬達23一面使其側面與馬達安裝部位171卡合一面沿X方向自如移動。

於馬達安裝部位171，將馬達23一面於X方向上定位一面將其固定於基座構件17。於自基座構件17向下方突出之旋轉軸231之前端部安裝有第1滑輪241。又，於基板保持部2A之下方端部安裝有第2滑輪242。更詳細而言，基板保持部2A之下方端部插通設置於基座構件17之旋轉吸盤安裝部位172之貫通孔，朝基座構件17之下方突出。於該突出部分設置有第2滑輪242。且，於第1滑輪241及第2滑輪242之間架設環形帶243。如此，於本實施形態中，由第1滑輪241、第2滑輪242及環形帶243構成動力傳遞部24。

旋轉吸盤21之中央部設置有貫通孔(省略圖示)，與旋轉軸部22之內部空間連通。於內部空間中，經由介裝有閥(省略圖示)之配管25而連接泵26。該泵26及閥電性連接於控制單元10，根據來自控制單元10之指令而動作。藉此，選擇性地將負壓及正壓施加至旋轉吸盤21。例如，當於將基板W以大致水平姿勢置於旋轉吸盤21之上表面之狀態下，泵26對旋轉吸盤21施加負壓時，旋轉吸盤21自下方吸附保持基板W。另一方面，當泵26對旋轉吸盤21施加正壓時，基板W可自旋轉吸盤21之上表面卸除。又，當停止泵26之吸引時，基板W可於旋轉吸盤21之上表面上水平移動。

於旋轉吸盤21中，經由設置於旋轉軸部22之中央部之配管28連接氮氣供給部29。氮氣供給部29將自設置基板處理系統100之工廠之設備等供給之常溫氮氣以與來自控制單元10之氣體供給指令相應之流量及時序輸送至旋轉吸盤21，於基板W之下表面Wb側使氮氣自中央部朝徑向外側流通。另，於本實施形態中，使用氮氣，但亦可使用其他惰性氣體。關於此點，對於自後續說明之中央噴嘴噴出之加熱氣體亦同樣。又，「流量」意指氮氣等流體於每單位時間移動之量。

旋轉機構2B不僅使旋轉吸盤21與基板W一體旋轉，為與該旋轉同步地使旋轉杯部31旋轉，具有動力傳遞部27(圖2)。動力傳遞部27具有由非磁性材料或樹脂構成之圓環構件27a(圖2)、內置於圓環構件之旋轉吸盤側磁鐵(省略圖示)、及內置於旋轉杯部31之一構成即下杯32之杯側磁鐵(省略圖示)。圓環構件27a如圖2所示安裝於旋轉軸部22，可與旋轉軸部22一起繞旋轉軸AX旋轉。更詳細而言，旋轉軸部22如圖2所示，於旋轉吸盤21之正下方位置具有朝徑向外側突出之凸緣部位(省略圖示)。且，圓環構件27a同心狀配置於凸緣部位，且藉由省略圖示之螺栓等進行連結固定。

於圓環構件27a之外周緣部，複數個旋轉吸盤側磁鐵以旋轉軸AX為中心放射狀且以等角度間隔配置。本實施形態中，於彼此相鄰之2個旋轉吸盤側磁鐵中之一者，以外側及內側分別成為N極及S極之方式配置，於另一者，以外側及內側分別成為S極及N極之方式配置。

與該等旋轉吸盤側磁鐵同樣，複數個杯側磁鐵以旋轉軸AX為中心放射狀且以等角度間隔配置。該等杯側磁鐵內置於下杯32。下杯32係以下說明之防飛散機構3之構成零件，具有圓環形狀。即，下杯32具有可與圓環構件27a之外周面對向之內周面。該內周面之內徑大於圓環構件27a之外徑。且，一面使該內周面與圓環構件27a之外周面隔開規定間隔(=(上述內徑-上述外徑)/2)而對向，一面將下杯32與旋轉軸部22及圓環構件27a同心狀配置。於該下杯32之外周緣上表面設置有卡合銷及連結用磁鐵，藉此，上杯33與下杯32連結，該連結體作為旋轉杯部31發揮功能。

下杯32於基座構件17之上表面上，藉由圖式中省略圖示之軸承，以於保持上述配置狀態下可繞旋轉軸AX旋轉地受支持。於該下杯32之內周緣部，如上述般，杯側磁鐵以旋轉軸AX為中心放射狀且以等角度間隔配置。又，關於彼此相鄰之2個杯側磁鐵之配置，亦與旋轉吸盤側磁鐵相同。即，於一者中，以外側及內側分別成為N極及S極之方式配置，於另一者中，以外側及內側分別成為S極及N極之方式配置。

於如此構成之動力傳遞部27中，當圓環構件27a藉由馬達23與旋轉軸部22一起旋轉時，藉由旋轉吸盤側磁鐵與杯側磁鐵之間之磁力作用，使下杯32維持氣隙(圓環構件27a與下杯32之間隙)且朝與圓環構件27a相同之方向旋轉。藉此，旋轉杯部31繞旋轉軸AX旋轉。即，旋轉杯部31與基板W朝相同方向且同步旋轉。

防飛散機構3具有可一面包圍保持於旋轉吸盤21之基板W之外周一面繞旋轉軸AX旋轉之旋轉杯部31、及以包圍旋轉杯部31之方式固定設置之固定杯部34。旋轉杯部31藉由將上杯33連結於下杯32，而設置為可一面包圍旋轉之基板W之外周一面繞旋轉軸AX旋轉。

圖5係顯示保持於旋轉吸盤之基板與旋轉杯部之尺寸關係之圖。圖6係顯示旋轉杯部及固定杯部之一部分之圖。下杯32具有圓環形狀。其之外徑較基板W之外徑大，自鉛直上方俯視時，於自由旋轉吸盤21保持之基板W朝徑向伸出之狀態下，下杯32配置為繞旋轉軸AX旋轉自如。於該伸出之區域，即下杯32之上表面周緣部，交替安裝有沿周向朝鉛直上方立設之卡合銷(省略圖示)與平板狀之下磁鐵(省略圖示)。

另一方面，如圖2、圖3及圖5所示，上杯33具有下圓環部位331、上圓環部位332、及將其等連結之傾斜部位333。下圓環部位331之外徑D331與下杯32之外徑D32相同，下圓環部位331位於下杯32之周緣部321之鉛直上方。於下圓環部位331之下表面，於相當於卡合銷之鉛直上方之區域中，朝下方開口之凹部設置為可與卡合銷之前端部嵌合。又，於相當於下磁鐵之鉛直上方之區域中，安裝有上磁鐵。因此，於凹部及上磁鐵分別與卡合銷及下磁鐵對向之狀態下，上杯33可相對於下杯32卡合脫離。

上杯33可藉由升降機構7於鉛直方向上升降。當上杯33藉由升降機構7朝上方移動時，於鉛直方向上，於上杯33與下杯32之間形成搬入搬出基板W用之搬送空間。另一方面，當上杯33藉由升降機構7朝下方移動時，凹部以被覆卡合銷之前端部之方式嵌合，而將上杯33相對於下杯32於水平方向上定位。又，上磁鐵接近下磁鐵，藉由於兩者之間產生之引力，上述定位後之上杯33及下杯32互相結合。藉此，如圖4之局部放大圖及圖6所示，於形成有沿水平方向延伸之間隙GPc之狀態下，上杯33及下杯32於鉛直方向上一體化。且，旋轉杯部31於保持形成有間隙GPc之狀態下繞旋轉軸AX自如地旋轉。

於旋轉杯部31中，如圖5所示，上圓環部位332之外徑D332略小於下圓環部位331之外徑D331。又，若比較下圓環部位331及上圓環部位332之內周面之直徑d331、d332，則下圓環部位331大於上圓環部位332，自鉛直上方俯視時，上圓環部位332之內周面位於下圓環部位331之內周面之內側。且，上圓環部位332之內周面與下圓環部位331之內周面遍及上杯33之全周由傾斜部位333連結。因此，傾斜部位333之內周面，即包圍基板W之面成為傾斜面334。即，如圖6所示，傾斜部位333可包圍旋轉之基板W之外周而捕集自基板W飛散之液滴，由上杯33及下杯32包圍之空間作為捕集空間SPc發揮功能。另，本實施形態中，如下稱呼鉛直方向Z上之各部之高度位置。即，如圖6所示，將保持於旋轉吸盤21之基板W之上表面(正面)之位置稱為「高度位置Zw」，將後續詳述之上表面保護加熱機構4之圓板部42之上表面之位置稱為「高度位置Z42」。

且，面向捕集空間SPc之傾斜部位333自與下杯32連結而構成連結部位之下圓環部位331朝向基板W之周緣部之上方傾斜。因此，如圖6所示，自旋轉之基板W飛散之處理液之液滴於高度位置Zw被捕集至傾斜部位333之傾斜面334。且，該液滴可沿傾斜面334流動至上杯33之下端部，即下圓環部位331，進一步經由間隙GPc排出至旋轉杯部31之外側。

固定杯部34以包圍旋轉杯部31之方式設置，形成排出空間SPe。固定杯部34具有受液部位341、及設置於受液部位341之內側之排氣部位342。受液部位341具有以面向間隙GPc之反基板側開口(圖6之左手側開口)之方式開口之杯構造。即，受液部位341之內部空間作為排出空間SPe發揮功能，經由間隙GPc與捕集空間SPc連通。因此，由旋轉杯部31捕集到之液滴與氣體成分一起經由間隙GPc引導至排出空間SPe。然後，液滴匯集至受液部位341之底部，自固定杯部34排出。

另一方面，氣體成分匯集至排氣部位342。該排氣部位342經由劃分壁343與受液部位341劃分開。又，於劃分壁343之上方配置氣體引導部344。氣體引導部344自劃分壁343之正上方位置分別延設至排出空間SPe及排氣部位342之內部，藉此自上方覆蓋劃分壁343而形成具有迷宮構造之氣體成分之流通路徑。因此，流入至受液部位341之流體中之氣體成分經由上述流通路徑而匯集至排氣部位342。該排氣部位342與排氣部38連接。因此，藉由根據來自控制單元10之指令使排氣部38作動而調整固定杯部34之壓力，有效地排出排氣部位342內之氣體成分。又，藉由精密控制排氣部38，而調整排出空間SPe之壓力或流量。例如，排出空間SPe之壓力相較於捕集空間SPc之壓力降低。其結果，可有效地將捕集空間SPc內之液滴引入至排出空間SPe，促進液滴自捕集空間SPc移動。

圖7係顯示上表面保護加熱機構之構成之外觀立體圖。圖8係圖7所示之上表面保護加熱機構之剖視圖。上表面保護加熱機構4具有配置於保持於旋轉吸盤21之基板W之上表面Wf之上方之阻斷板41。該阻斷板41具有以水平姿勢保持之圓板部42。圓板部42內置有由加熱器驅動部422驅動控制之加熱器421。該圓板部42具有較基板W稍短之直徑。且，以使圓板部42之下表面自上方覆蓋基板W之上表面Wf中除周緣部Ws以外之表面區域之方式，藉由支持構件43支持圓板部42。另，圖7中之符號44係設置於圓板部42之周緣部之切口部，這是為了防止與處理機構5中包含之處理液噴出噴嘴之干涉而設置。切口部44朝向徑向外側開口。

支持構件43之下端部安裝於圓板部42之中央部。以上下貫通支持構件43與圓板部42之方式，形成圓筒狀之貫通孔。又，中央噴嘴45上下插通於該貫通孔。如圖2所示，該中央噴嘴45經由配管46與加熱氣體供給部47連接。加熱氣體供給部47藉由加熱器471將自設置基板處理系統100之工廠之設備等供給之常溫氮氣加熱，並以與來自控制單元10之加熱氣體供給指令相應之流量及時序供給至基板處理部SP。

此處，若將加熱器471配置於腔室11之內部空間12，則自加熱器471放射之熱可能會對基板處理部SP，尤其是如後述般之處理機構5或基板觀察機構9造成不良影響。因此，於本實施形態中，如圖4所示，具有加熱器471之加熱氣體供給部47配置於腔室11之外側。又，於本實施形態中，於配管46之一部分安裝有帶狀加熱器48。帶狀加熱器48根據來自控制單元10之加熱指令而發熱，將於配管46內流動之氮氣加熱。

將如此加熱後之氮氣(以下稱為「加熱氣體」)朝中央噴嘴45壓送，並自中央噴嘴45噴出。例如，如圖8所示，藉由於將圓板部42定位於接近保持於旋轉吸盤21之基板W之處理位置之狀態下供給加熱氣體，加熱氣體自由基板W之上表面Wf與內置加熱器之圓板部42夾持之空間SPa之中央部朝向周緣部流動。藉此，可抑制基板W周圍之氛圍進入基板W之上表面Wf。其結果，可有效地防止上述氛圍中包含之液滴被捲入由基板W與圓板部42夾持之空間SPa。又，可藉由加熱器421之加熱與加熱氣體將上表面Wf全體加熱，將基板W之面內溫度均勻化。藉此，可抑制基板W翹曲，使處理液之著液位置穩定化。

如圖2所示，支持構件43之上端部固定於沿第1假想水平線VL1延伸之梁構件49。該梁構件49與安裝於基座構件17之上表面之升降機構7連接，根據來自控制單元10之指令藉由升降機構7而升降。例如，於圖2中，藉由將梁構件49定位於下方，經由支持構件43與梁構件49連結之圓板部42位於處理位置。另一方面，當升降機構7接收到來自控制單元10之上升指令而使梁構件49上升時，梁構件49、支持構件43及圓板部42一體上升，且上杯33亦連動而與下杯32分離並上升。藉此，旋轉吸盤21與上杯33及圓板部42之間較大，可進行對旋轉吸盤21之基板W之搬入搬出。

處理機構5具有配置於基板W之上表面側之處理液噴出噴嘴51F(圖4)、配置於基板W之下表面側之處理液噴出噴嘴51B(圖2)、及對處理液噴出噴嘴51F、51B供給處理液之處理液供給部52。以下，為區分上表面側之處理液噴出噴嘴51F與下表面側之處理液噴出噴嘴51B，而將其分別稱為「上表面處理噴嘴51F」及「下表面處理噴嘴51B」。又，於圖2中，圖示出2個處理液供給部52，但其等相同。

圖9係顯示裝備於處理機構之上表面側之處理液噴出噴嘴、與裝備於杯清洗機構之上表面側之杯清洗液噴出噴嘴之立體圖，且係自斜下方向觀察各噴嘴之圖。本實施形態中，3根上表面處理噴嘴51F作為自保持於旋轉吸盤21之基板W之上方朝基板W之上表面Wf之周緣部Ws噴出處理液之上表面側之處理液噴出噴嘴而設置，且對其等連接處理液供給部52。又，處理液供給部52構成為可供給SC1、DHF、功能水(CO2水等)作為處理液，可自3根上表面處理噴嘴51F各自獨立地噴出SC1、DHF及功能水。

於各上表面處理噴嘴51F中，如圖9之(a)欄所示，於前端下表面設置有噴出處理液之噴出口511。且，如圖4中之放大圖所示，以使各噴出口朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢將複數個(本實施形態中為3個)上表面處理噴嘴51F之下方部與圖7之局部放大俯視圖所示之清洗液噴出噴嘴201一起配置於圓板部42之切口部44，且以上表面處理噴嘴51F之上方部與清洗液噴出噴嘴201一體相對於噴嘴座53於徑向D1(相對於第1假想水平線VL1，噴嘴噴出仰角度傾斜45°且旋轉角度傾斜65°左右之方向)上移動自如地安裝。該噴嘴座53連接於噴嘴移動部54。

圖10係模式性顯示噴嘴移動部之構成之圖。圖11A係顯示進行斜面處理時之噴嘴位置之模式圖，圖11B係顯示進行杯清洗處理時之噴嘴位置之模式圖。另，於圖11A及圖11B中，(a)欄係噴出處理液或杯清洗液之噴嘴之側視圖，(b)欄係自上方觀察噴嘴之俯視圖。又，符號AR表示出自旋轉軸AX朝向噴出處理液或杯清洗液之噴嘴之徑向。

如圖10所示，噴嘴移動部54於保持有噴嘴頭56(=上表面處理噴嘴51F+清洗液噴出噴嘴201+噴嘴座53)之狀態下，安裝於後續說明之升降部713之升降件713a之上端部。因此，當升降件713a根據來自控制單元10之升降指令而於鉛直方向上伸縮時，與之相應，噴嘴移動部54及噴嘴頭56於鉛直方向Z上移動。

又，於噴嘴移動部54中，基座構件541固定於升降件713a之上端部。於該基座構件541中安裝有直動致動器542。直動致動器542具有：馬達(以下稱為「噴嘴驅動馬達」)543，其作為徑向X上之噴嘴移動之驅動源發揮功能；及運動轉換機構545，其將與噴嘴驅動馬達543之旋轉軸連結之滾珠螺桿等旋轉體之旋轉運動轉換為直線運動，使滑塊544沿徑向D1往復移動。又，於運動轉換機構545中，為使滑塊544於徑向D1之移動穩定化，例如使用LM(Linear Motion：直線運動)導軌(註冊商標)等導軌。

於如此沿徑向X往復驅動之滑塊544中，經由連結構件546連結有頭支持構件547。該頭支持構件547具有沿徑向X延伸之棒形狀。頭支持構件547之(+D1)方向端部固定於滑塊544。另一方面，頭支持構件547之(-D1)方向端部朝向旋轉吸盤21水平地延設，且於其前端部安裝有噴嘴頭56。因此，當噴嘴驅動馬達543根據來自控制單元10之噴嘴移動指令而旋轉時，滑塊544、頭支持構件547及噴嘴頭56與該旋轉方向對應而朝(+D1)方向或(-D1)方向一體移動與旋轉量對應之距離。其結果，將安裝於噴嘴頭56之上表面處理噴嘴51F於徑向D1上定位。例如，如圖10所示，當將上表面處理噴嘴51F定位於預設之起始位置時，設置於運動轉換機構545之彈簧構件548由滑塊544壓縮，對滑塊544朝(-D1)方向施加彈推力。藉此，可控制運動轉換機構545中包含之齒隙。即，由於運動轉換機構545具有導軌等機械零件，故事實上難以使沿著徑向D1之齒隙變為零，若不充分考慮上述情形，則徑向D1上之上表面處理噴嘴51F之定位精度會降低。因此，於本實施形態中，藉由設置彈簧構件548，而於使上表面處理噴嘴51F於起始位置靜止時，始終使齒隙偏向(-D1)方向。藉此，可獲得如下作用效果。

根據來自控制單元10之噴嘴移動指令，噴嘴移動部54將3根上表面處理噴嘴51F及清洗液噴出噴嘴201一並朝徑向D1驅動。該噴嘴移動指令包含有與噴嘴移動距離相關之資訊。上表面處理噴嘴51F及清洗液噴出噴嘴201基於該資訊於徑向D1上移動指定之噴嘴移動距離。此處，於上述資訊為與斜面處理位置對應者時，如圖11A所示，將上表面處理噴嘴51F正確地定位於斜面處理位置(相當於本發明之「基板處理裝置」之一例)。另一方面，於上述資訊為與杯清洗處理位置對應者時，如圖11B所示，將清洗液噴出噴嘴201正確地定位於杯清洗位置。

定位於斜面處理位置之上表面處理噴嘴51F之噴出口511朝向基板W之上表面Wf之周緣部。且，當處理液供給部52根據來自控制單元10之供給指令將3種處理液中與供給指令對應之處理液供給至該處理液用之上表面處理噴嘴51F時，自上表面處理噴嘴51F將處理液自基板W之端面供給至預設之位置。另，於執行斜面處理之期間，停止對清洗液噴出噴嘴201供給杯清洗液。

另一方面，定位於杯清洗位置之清洗液噴出噴嘴201之噴出口202朝向上杯33之傾斜部位333。該噴出口202以其口徑大於上表面處理噴嘴51F之噴出口511之口徑之方式，設置於清洗液噴出噴嘴201。且，於杯清洗液供給部203(圖2)根據來自控制單元10之供給指令將常溫DIW(Deionized Water：去離子水)等杯清洗液供給至清洗液噴出噴嘴201時，如圖11B所示，自清洗液噴出噴嘴201對傾斜部位333供給杯清洗液。本實施形態中，如圖11B所示，杯清洗液之噴出方向D33於水平面(XY平面)內相對於自旋轉軸AX朝向清洗液噴出噴嘴201之徑向AR，朝上杯33之旋轉方向Dr傾斜角度θ。因此，可有效防止於杯清洗液碰撞傾斜部位333時產生之杯清洗液之回彈返回至清洗液噴出噴嘴201。另，於本實施形態中，如圖11A所示，處理液之噴出亦相對於徑向AR朝上杯33之旋轉方向Dr傾斜角度θ，但角度θ為任意，例如亦可設定為θ=零。又，於執行杯清洗處理之期間，停止對上表面處理噴嘴51F供給處理液。

又，氛圍分離機構6之下密閉杯構件61裝卸自如地固定於噴嘴移動部54之構成零件之一部分。即，於執行斜面處理時，上表面處理噴嘴51F及噴嘴座53經由噴嘴移動部54與下密閉杯構件61一體化，藉由升降機構7與下密閉杯構件61一起沿鉛直方向Z升降。

圖12係顯示裝備於處理機構之下表面側之處理液噴出噴嘴及支持該噴嘴之噴嘴支持部之立體圖。本實施形態中，為向基板W之下表面Wb之周緣部噴出處理液，而將下表面處理噴嘴51B及噴嘴支持部57設置於保持於旋轉吸盤21之基板W之下方。噴嘴支持部57具有沿鉛直方向延設之薄壁之圓筒部位571、及於圓筒部位571之上端部朝徑向外側彎折而擴展之具有圓環形狀之凸緣部位572。圓筒部位571具有自如遊插至形成於圓環構件27a與下杯32之間之氣隙之形狀。且，如圖2所示，以圓筒部位571遊插於氣隙，且凸緣部位572位於保持於旋轉吸盤21之基板W與下杯32之間之方式，固定配置噴嘴支持部57。對凸緣部位572之上表面周緣部安裝有3個下表面處理噴嘴51B。各下表面處理噴嘴51B具有朝向基板W之下表面Wb之周緣部開口之噴出口(省略圖示)，可噴出經由配管58自處理液供給部52供給之處理液。

藉由自該等上表面處理噴嘴51F及下表面處理噴嘴51B噴出之處理液，對基板W之周緣部執行斜面處理。又，於基板W之下表面側，將凸緣部位572延設至周緣部Ws附近。因此，經由配管28供給至下表面側之氮氣沿凸緣部位572流入至捕集空間SPc。其結果，有效地抑制液滴自捕集空間SPc逆流至基板W。

氛圍分離機構6具有下密閉杯構件61、及上密閉杯構件62。下密閉杯構件61及上密閉杯構件62均具有上下開口之筒形狀。且，其等之內徑大於旋轉杯部31之外徑，氛圍分離機構6配置為自上方完全包圍旋轉吸盤21、保持於旋轉吸盤21之基板W、旋轉杯部31及上表面保護加熱機構4，更詳細而言，如圖2所示，上密閉杯構件62以其上方開口自下方覆蓋頂壁11f之開口11f1之方式，固定配置於沖孔板14之正下方位置。因此，導入至腔室11內之清潔空氣之降流被分為通過上密閉杯構件62之內部者、與通過上密閉杯構件62之外側者。

又，上密閉杯構件62之下端部具有向內側折入之具有圓環形狀之凸緣部621。於該凸緣部621之上表面安裝有O形環63。於上密閉杯構件62之內側，下密閉杯構件61於鉛直方向上移動自如地配置。

下密閉杯構件61之上端部具有向外側彎折而擴展之具有圓環形狀之凸緣部611。該凸緣部611於自鉛直上方俯視時，與凸緣部621重疊。因此，當下密閉杯構件61下降時，如圖4中之局部放大圖所示，下密閉杯構件61之凸緣部611隔著O形環63由上密閉杯構件62之凸緣部621卡止。藉此，下密閉杯構件61被定位於下限位置。於該下限位置，於鉛直方向上，上密閉杯構件62與下密閉杯構件61相連，將導入至上密閉杯構件62之內部之降流引導至保持於旋轉吸盤21之基板W。

下密閉杯構件61之下端部具有向外側折入之具有圓環形狀之凸緣部612。該凸緣部612於自鉛直上方俯視時，與固定杯部34之上端部(受液部位341之上端部)重疊。因此，於上述下限位置中，如圖5中之局部放大圖所示，下密閉杯構件61之凸緣部612隔著O形環64由固定杯部34卡止。藉此，於鉛直方向上，下密閉杯構件61與固定杯部34相連，且由上密閉杯構件62、下密閉杯構件61及固定杯部34形成密閉空間12a。於該密閉空間12a內，可對基板W執行斜面處理。即，藉由將下密閉杯構件61定位於下限位置，密閉空間12a與密閉空間12a之外側空間12b分離(氛圍分離)。因此，可不受外側氛圍之影響而穩定地進行斜面處理。又，為進行斜面處理而使用處理液，但可確實地防止處理液自密閉空間12a洩漏至外側空間12b。因此，配置於外側空間12b之零件之選定、設計之自由度變高。

下密閉杯構件61構成為亦可朝鉛直上方移動。又，於鉛直方向上之下密閉杯構件61之中間部，如上所述，經由噴嘴移動部54之頭支持構件547固定噴嘴頭56(=上表面處理噴嘴51F+清洗液噴出噴嘴201+噴嘴座53)。又，除此以外，如圖2及圖4所示，還經由梁構件49將上表面保護加熱機構4固定於下密閉杯構件61之中間部。即，如圖4所示，下密閉杯構件61於周向上互不相同之3個部位分別與梁構件49之一端部、梁構件49之另一端部及頭支持構件547連接。且，藉由由升降機構7使梁構件49之一端部、梁構件49之另一端部及頭支持構件547升降，下密閉杯構件61亦隨之升降。

於該下密閉杯構件61之內周面中，如圖2及圖4所示，朝向內側突設複數根(4根)突起部613，作為可與上杯33卡合之卡合部位。各突起部613延設至上杯33之上圓環部位332之下方空間。又，各突起部613以於下密閉杯構件61被定位於下限位置之狀態下自上杯33之上圓環部位332朝下方離開之方式安裝。且，藉由下密閉杯構件61之上升，各突起部613可自下方卡合於上圓環部位332。於該卡合後，亦可藉由使下密閉杯構件61進一步上升而使上杯33與下杯32脫離。

本實施形態中，於下密閉杯構件61藉由升降機構7開始與上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56一起上升後，上杯33亦一起上升。藉此，上杯33、上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56自旋轉吸盤21朝上方離開。藉由下密閉杯構件61移動至退避位置，形成用以供基板搬送機器人111之手對旋轉吸盤21進行接取之搬送空間。且，可經由該搬送空間執行對旋轉吸盤21裝載基板W及自旋轉吸盤21卸載基板W。如此，於本實施形態中，可藉由升降機構7對下密閉杯構件61之最小限度之上升，而對旋轉吸盤21進行基板W之接取。

升降機構7具有2個升降驅動部71、72。於升降驅動部71中，第1升降馬達(省略圖示)安裝於基座構件17之第1升降安裝部位173(圖3)。第1升降馬達根據來自控制單元10之驅動指令而作動，產生旋轉力。2個升降部712、713連結於該第1升降馬達。升降部712、713自第1升降馬達同時受到上述旋轉力。然後，升降部712根據第1升降馬達之旋轉量，使支持梁構件49之一端部之支持構件491沿鉛直方向Z升降。又，升降部713根據第1升降馬達之旋轉量，使支持噴嘴頭56之頭支持構件547沿鉛直方向Z升降。

於升降驅動部72中，第2升降馬達(省略圖示)安裝於基座構件17之第2升降安裝部位174(圖3)。升降部722連結於第2升降馬達。第2升降馬達根據來自控制單元10之驅動指令而作動，產生旋轉力，施加給升降部722。升降部722根據第2升降馬達之旋轉量，使支持梁構件49之另一端部之支持構件492沿鉛直方向升降。

升降驅動部71、72相對於下密閉杯構件61之側面，使於其周向上分別固定於互不相同之3個部位之支持構件491、492、54同步地沿鉛直方向移動。因此，可穩定地進行上表面保護加熱機構4、噴嘴頭56及下密閉杯構件61之升降。又，隨著下密閉杯構件61之升降，亦可使上杯33穩定地升降。

定心機構8於停止泵26之吸引之期間(即基板W可於旋轉吸盤21之上表面上水平移動之期間)，執行定心處理。藉由該定心處理消除基板W相對於旋轉軸AX之偏心，基板W之中心與旋轉軸AX一致。如圖4所示，定心機構8具有：單抵接部81，其於相對於第1假想水平線VL1傾斜40°左右之抵接移動方向D2上，相對於旋轉軸AX配置於搬送用開口11b1側；多抵接部82，其配置於保養用開口11d1側；及定心驅動部83，其使單抵接部81及多抵接部82朝抵接移動方向D2移動。

單抵接部81具有與抵接移動方向D2平行延設之形狀，以可於旋轉吸盤21側之前端部與旋轉吸盤21上之基板W之端面抵接之方式加工。另一方面，多抵接部82於自鉛直上方俯視時具有大致Y字形狀，以可於旋轉吸盤21側之二股部位之各前端部與旋轉吸盤21上之基板W之端面抵接之方式加工。該等單抵接部81及多抵接部82於抵接移動方向D2上移動自如。

定心驅動部83具有用以使單抵接部81朝抵接移動方向D2移動之單移動部831、及用以使多抵接部82朝抵接移動方向D2移動之多移動部832。單移動部831安裝於基座構件17之單移動安裝部位175(圖3)，多移動部832安裝於基座構件17之多移動安裝部位176(圖3)。於不執行基板W之定心處理之期間，定心驅動部83如圖4所示，將單抵接部81及多抵接部82與旋轉吸盤21隔開而定位。因此，單抵接部81及多抵接部82離開搬送路徑TP，可有效地防止單抵接部81及多抵接部82與對腔室11搬入搬出之基板W干涉。

另一方面，於執行基板W之定心處理時，根據來自控制單元10之定心指令，單移動部831使單抵接部81朝旋轉軸AX移動，且多移動部832使多抵接部82朝旋轉軸AX移動。藉此，基板W之中心與旋轉軸AX一致。

基板觀察機構9具有光源部91、攝像部92、觀察頭93、及觀察頭驅動部94。光源部91及攝像部92於基座構件17之光學零件安裝位置177(圖3)並設。光源部91根據來自控制單元10之照明指令向觀察位置照射照明光。該觀察位置係與基板W之周緣部Ws對應之位置，相當於將觀察頭93定位之位置(省略圖示)。

觀察頭93可於觀察位置、與自觀察位置朝基板W之徑向外側離開之隔開位置之間往復移動。觀察頭驅動部94連接於該觀察頭93。觀察頭驅動部94於基座構件17之頭驅動位置178(圖3)安裝於基座構件17。且，觀察頭驅動部94根據來自控制單元10之頭移動指令，使觀察頭93沿相對於第1假想水平線VL1傾斜10°左右之頭移動方向D3往復移動。更具體而言，於不執行基板W之觀察處理之期間，觀察頭驅動部94將觀察頭93移動至退避位置而進行定位。因此，觀察頭93離開搬送路徑TP，可有效地防止觀察頭93與對腔室11搬入搬出之基板W干涉。另一方面，於執行基板W之觀察處理時，根據來自控制單元10之基板觀察指令，由觀察頭驅動部94使觀察頭93移動至觀察位置。

當將如此構成之觀察頭93定位於觀察位置，且於定位狀態下，光源部91依照來自控制單元10之照明指令而點亮時，照明光照射至觀察頭93之照明區域。藉此，藉由來自觀察頭93之擴散照明光，將基板W之周緣部Ws及其相鄰區域照明。又，將於周緣部Ws及其相鄰區域反射之反射光經由觀察頭93導光至攝像部92。

攝像部92具有由物體側遠心透鏡構成之觀察透鏡系統、及CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補金屬氧化物半導體)相機。因此，自觀察頭93導光之反射光中僅與觀察透鏡系統之光軸平行之光線入射至CMOS相機之感測器面，將基板W之周緣部Ws及相鄰區域之像成像於感測器面上。如此，攝像部92拍攝基板W之周緣部Ws及相鄰區域，取得基板W之上表面圖像、側面圖像及下表面圖像。然後，攝像部92將表示該圖像之圖像資料發送至控制單元10。

控制單元10具有運算處理部10A、記憶部10B、讀取部10C、圖像處理部10D、驅動控制部10E、通信部10F及排氣控制部10G。記憶部10B由硬碟驅動器等構成，記憶有用以藉由上述基板處理裝置1執行斜面處理之程式。該程式例如記憶於電腦可讀取之記錄媒體RM(例如，光碟、磁碟、磁光碟等)中，藉由讀取部10C自記錄媒體RM讀出，而保存於記憶部10B。又，該程式之提供並非限定於記錄媒體RM者，例如亦可以經由電性通信線路提供該程式之方式構成。圖像處理部10D對由基板觀察機構9拍攝到之圖像實施各種處理。驅動控制部10E控制基板處理裝置1之各驅動部。通信部10F與統合控制基板處理系統100之各部之控制部等進行通信。排氣控制部10G控制排氣部38。

又，於控制單元10，連接顯示各種資訊之顯示部10H(例如顯示器等)或受理來自操作者之輸入之輸入部10J(例如鍵盤及滑鼠等)。

運算處理部10A由具有CPU(=Central Processing Unit：中央處理單元)或RAM(=Random Access Memory：隨機存取記憶器)等之電腦構成，依照記憶於記憶部10B之程式如以下般控制基板處理裝置1之各部，而執行斜面處理。以下，參考圖13且對基板處理裝置1之斜面處理及杯清洗處理進行說明。

圖13係顯示藉由圖2所示之基板處理裝置執行作為基板處理動作之一例之斜面處理之流程圖。於藉由基板處理裝置1對基板W實施斜面處理時，運算處理部10A藉由升降驅動部71、72，使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體上升。於該下密閉杯構件61之上升中途，突起部613與上杯33之上圓環部位332卡合，之後，上杯33與下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一起上升而定位於退避位置。藉此，於旋轉吸盤21之上方形成足夠基板搬送機器人111之手(省略圖示)進入之搬送空間。又，運算處理部10A藉由定心驅動部83使單移動部831及多抵接部82移動至離開旋轉吸盤21之退避位置，且藉由觀察頭驅動部94使觀察頭93移動至離開旋轉吸盤21之待機位置。藉此，如圖4所示，配置於旋轉吸盤21周圍之構成要件中之噴嘴頭56、光源部91、攝像部92、馬達23及多抵接部82位於較第1假想水平線VL1靠保養用開口11d1側(該圖之下側)。又，單移動部831及觀察頭93位於較第1假想水平線VL1靠搬送用開口11b1側，但偏離沿著搬送路徑TP之基板W之移動區域。本實施形態中，由於採用此種佈局構造，故於對腔室11搬入搬出基板W時，可有效地防止配置於旋轉吸盤21周圍之構成要件與基板W干涉。

如此，於確認搬送空間之形成完成及與基板W之防止干涉後，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行基板W之裝載請求，等待沿圖4所示之搬送路徑TP將未處理之基板W搬入基板處理裝置1並載置於旋轉吸盤21之上表面。然後，於旋轉吸盤21上載置基板W(步驟S1)。另，於該時點，泵26停止，基板W可於旋轉吸盤21之上表面上水平移動。

當基板W之裝載完成後，基板搬送機器人111沿搬送路徑TP自基板處理裝置1退避。繼而，運算處理部10A以使單移動部831及多抵接部82接近旋轉吸盤21上之基板W之方式，控制定心驅動部83。藉此，消除基板W相對於旋轉吸盤21之偏心，基板W之中心與旋轉吸盤21之中心一致(步驟S2)。如此，當定心處理完成後，運算處理部10A以使單移動部831及多抵接部82與基板W隔開之方式控制定心驅動部83，且使泵26作動而對旋轉吸盤21施加負壓。藉此，旋轉吸盤21自下方吸附保持基板W。

接著，運算處理部10A對升降驅動部71、72施加下降指令。與此相應，升降驅動部71、72使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體下降。於該下降中途，由下密閉杯構件61之突起部613自下方支持之上杯33連結於下杯32。藉此，形成旋轉杯部31(=上杯33與下杯32之連結體)。

於形成旋轉杯部31後，下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42進一步一體下降，下密閉杯構件61之凸緣部611、612分別由上密閉杯構件62之凸緣部621及固定杯部34卡止。藉此，下密閉杯構件61定位於下限位置(圖2之位置)(步驟S3)。於上述卡止後，如圖4之局部放大圖所示，上密閉杯構件62之凸緣部621及下密閉杯構件61之凸緣部611隔著O形環63密接，且下密閉杯構件61之凸緣部612及固定杯部34隔著O形環63密接。其結果，如圖2所示，於鉛直方向上下密閉杯構件61與固定杯部34相連，藉由上密閉杯構件62、下密閉杯構件61及固定杯部34形成密閉空間12a，密閉空間12a與外側氛圍(外側空間12b)分離(氛圍分離)。

於該氛圍分離狀態下，圓板部42之下表面自上方覆蓋基板W之上表面Wf中除周緣部Ws以外之表面區域。又，上表面噴嘴51F於圓板部42之切口部44內以將噴出口511朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢定位。如此，當對基板W供給處理液之供給準備完成後，運算處理部10A對馬達23施加旋轉指令，開始保持基板W之旋轉吸盤21及旋轉杯部31之旋轉(步驟S4)。基板W及旋轉杯部31之旋轉速度例如設定為1800轉/分鐘。又，運算處理部10A驅動控制加熱器驅動部422，使加熱器421升溫至期望溫度，例如185℃。

接著，運算處理部10A對加熱氣體供給部47施加加熱氣體供給指令。藉此，將由加熱器471加熱之氮氣，即加熱氣體自加熱氣體供給部47壓送至中央噴嘴45(步驟S5)。該加熱氣體於通過配管46之期間，由帶狀加熱器48加熱。藉此，一面防止加熱氣體於經由配管46之氣體供給中之溫度降低，一面自中央噴嘴45向由基板W與圓板部42夾持之空間SPa(圖8)噴出。藉此，將基板W之上表面Wf全面加熱。又，基板W之加熱亦藉由加熱器421進行。因此，根據時間之經過，基板W之周緣部Ws之溫度上升，達到適於斜面處理之溫度，例如90℃。又，周緣部Ws以外之溫度亦上升至大致相等之溫度。即，本實施形態中，基板W之上表面Wf之面內溫度大致均勻。因此，可有效抑制基板W翹曲。

繼而，運算處理部10A控制處理液供給部52，對上表面處理噴嘴51F及下表面處理噴嘴51B供給處理液。即，以自上表面處理噴嘴51F碰觸於基板W之上表面周緣部之方式噴出處理液之液流，且以自下表面處理噴嘴51B碰觸於基板W之下表面周緣部之方式噴出處理液之液流。藉此，執行對基板W之周緣部Ws之斜面處理(步驟S6)。然後，運算處理部10A於檢測到經過基板W之斜面處理所需之處理時間等時，對處理液供給部52施加供給停止指令，停止處理液之噴出。

繼而，運算處理部10A對加熱氣體供給部47施加供給停止指令，停止自加熱氣體供給部47向中央噴嘴45供給氮氣(步驟S7)。又，運算處理部10A對馬達23施加旋轉停止指令，使旋轉吸盤21及旋轉杯部31停止旋轉(步驟S8)。

於接下來之步驟S9中，運算處理部10A觀察基板W之周緣部Ws，檢查斜面處理之結果。更具體而言，運算處理部10A與裝載基板W時同樣，將上杯33定位於退避位置，而形成搬送空間。然後，運算處理部10A控制觀察頭驅動部94，使觀察頭93接近基板W。然後，運算處理部10A藉由使光源部91點亮，而經由觀察頭93對基板W之周緣部Ws進行照明。又，攝像部92接收由周緣部Ws及相鄰區域反射之反射光，而拍攝周緣部Ws及相鄰區域。即，自於基板W繞旋轉軸AX旋轉之期間由攝像部92取得之複數個周緣部Ws之像，取得沿著基板W之旋轉方向之周緣部Ws之周緣部圖像。於是，運算處理部10A控制觀察頭驅動部94，使觀察頭93自基板W退避。與此並行，運算處理部10A基於拍攝到之周緣部Ws及相鄰區域之圖像，即周緣部圖像，由運算處理部10A檢查是否已良好地進行斜面處理。另，本實施形態中，作為該檢查之一例，自周緣部圖像檢查自基板W之端面朝向基板W之中央部由處理液處理後之處理寬度(處理後檢查)。

於檢查後，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行基板W之卸載請求，將已處理之基板W自基板處理裝置1搬出(步驟S10)。繼而，運算處理部10A判定是否到達應對旋轉杯部31執行杯清洗處理之時序(步驟S11)。此處，作為上述時序，例如相當於距離更換旋轉杯部31或上次保養之斜面處理之累積次數或累積時間已達到規定值等。亦包含有來自操作者之杯清洗請求之時序。

於運算處理部10A判定為無需杯清洗處理(於步驟S11中為「否(NO)」)時，不進行杯清洗處理，而結束一連串之處理。另一方面，於運算處理部10A判定為需要杯清洗處理(於步驟S11中為「是(YES)」)時，執行杯清洗處理(步驟S12)。

於杯清洗處理(步驟S12)中，運算處理部10A如下般控制裝置各部(步驟S12a～S12e)。即，運算處理部10A對升降驅動部71、72施加下降指令。與此相應，升降驅動部71、72使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體下降。於該下降中途，由下密閉杯構件61之突起部613自下方支持之上杯33連結於下杯32。藉此，於保持旋轉吸盤21中不存在基板W之狀態下，形成旋轉杯部31(=上杯33與下杯32之連結體)。

於形成旋轉杯部31後，下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42進一步一體下降，下密閉杯構件61之凸緣部611、612分別由上密閉杯構件62之凸緣部621及固定杯部34卡止。藉此，下密閉杯構件61定位於下限位置(圖2之位置)(步驟S12a)。

於該氛圍分離狀態下，如圖11B所示，圓板部42之下表面自上方覆蓋基板W之上表面Wf中除周緣部Ws以外之表面區域。又，運算處理部10A對噴嘴驅動馬達543施加驅動指令。滑塊544、頭支持構件547及噴嘴頭56一體移動與該驅動指令中包含之旋轉量對應之距離。其結果，清洗液噴出噴嘴201於圓板部42之切口部44內以將噴出口202朝向上杯33之傾斜部位333之姿勢，定位於適於杯清洗處理之杯清洗位置(圖11B所圖示之位置)(步驟S12b)。

如此，當對旋轉杯部31供給杯清洗液之準備完成後，運算處理部10A對馬達23施加旋轉指令，開始保持基板W之旋轉吸盤21及旋轉杯部31之旋轉(步驟S12c)。另，於杯清洗處理中，基板W及旋轉杯部31之旋轉速度設定為較斜面處理時之旋轉速度低，例如100～500轉/分鐘。

接著，運算處理部10A控制杯清洗液供給部203對清洗液噴出噴嘴201供給杯清洗液。即，自清洗液噴出噴嘴201，對上杯33之傾斜部位333之一部分，更詳細而言如圖11B所示，於鉛直方向Z上對杯清洗位置Zcr噴出杯清洗液。藉此，杯清洗液沿傾斜部位333之傾斜面334流下而執行杯清洗處理(步驟S12d)。然後，運算處理部10A於檢測到經過旋轉杯部31之杯清洗處理所需之處理時間等時，對杯清洗液供給部203施加供給停止指令，停止杯清洗液之噴出。

繼而，運算處理部10A對馬達23施加旋轉停止指令，使旋轉杯部31停止旋轉(步驟S12e)。然後，結束杯清洗處理，且結束一連串之處理。另，重複執行該等一連串之步驟(步驟S1～S12)。

如上所述，於本實施形態中，自旋轉軸AX側對繞旋轉軸AX旋轉之旋轉杯部31直接供給杯清洗液，藉此執行杯清洗處理。因此，可將旋轉杯部31保持清潔，且有效地防止因附著於旋轉杯部31之處理液之液滴而產生微粒。又，若對因處理液，尤其是藥液引起之杯污染置之不理，則有由樹脂材料等製作之旋轉杯部31變形之情況，但藉由於適當之時序執行杯清洗處理，而抑制旋轉杯部31之變形。即，可謀求旋轉杯部31之長壽命化。其結果，可抑制運行成本。且，用於發揮此種作用效果之杯清洗液之使用量較專利文獻1所記載之基板處理裝置少，可謀求減少環境負荷。

又，於旋轉杯部31中，以上杯33之傾斜部位333之傾斜面334捕集處理液。此時，伴隨杯旋轉而產生之離心力作用於附著於旋轉杯部31之傾斜部位333之傾斜面334之液滴。又，受到由在斜面處理過程中供給且沿基板W之上表面Wf及下表面Wb朝徑向外側流動之氮氣等形成之氣流之影響。藉此，沿著傾斜部位333之傾斜面334之向下矢量應力作用於液滴。且，對傾斜部位333供給杯清洗液，使之沿傾斜部位333朝下方流動。因此，可有效地自旋轉杯部31去除處理液。

又，於鉛直方向Z上，傾斜部位333中之杯清洗液之著液位置，即杯清洗位置Zcr設定得較捕集自旋轉之基板W飛散之處理液之液滴之高度位置Zw高。因此，可以沿傾斜部位333之傾斜面334流下之杯清洗液，對由傾斜部位333捕集到之所有處理液之液滴進行清洗去除，可獲得優異之杯清洗效果。

又，於本實施形態中，如圖11B所示，於上表面保護加熱機構4之圓板部42接近上杯33之傾斜部位333之狀態下，執行杯清洗處理。因此，有時著液於傾斜部位333之杯清洗液之一部分回彈。考慮到該點，於本實施形態中，杯清洗位置Zcr設定得較上表面保護加熱機構4之圓板部42之上表面之位置，即高度位置Z42低。因此，可有效地防止於杯清洗位置Zcr回彈之杯清洗液之液滴附著於圓板部42之上表面。

又，藉由來自上表面保護加熱機構4之散熱，不僅將基板W加熱，亦將上杯33加熱，但將常溫之杯清洗液供給至上杯33，藉此上杯33之溫度降低。其結果，可提高上杯33之耐熱性，且抑制上杯33之變形。

又，於本實施形態中，由於噴出口202之口徑大於上表面處理噴嘴51F之噴出口511之口徑，故可獲得以下作用效果。為抑制杯清洗液於杯清洗位置Zcr回彈，於本實施形態中，將杯清洗液之噴出速度設定得較處理液之噴出速度小。另一方面，如上述般將噴出口202之口徑設定得相對較大。因此，儘管抑制了杯清洗液之噴出速度，但可獲得每單位時間供給至杯清洗位置Zcr之杯清洗液之供給量。即，可抑制杯清洗液於杯清洗位置Zcr回彈，且對杯清洗處理供給充分之杯清洗液。其結果，可抑制因杯清洗液之回彈引起之不良影響且良好地進行杯清洗處理。

又，如圖11B所示，由於杯清洗液之噴出方向D33相對於徑向AR朝上杯33之旋轉方向Dr傾斜，故可如上述般有效地防止於杯清洗位置Zcr回彈之杯清洗液之液滴返回並附著於清洗液噴出噴嘴201。其結果，可繼續進行使用清洗液噴出噴嘴201之杯清洗處理，且可抑制清洗液噴出噴嘴201或旋轉杯部31之保養頻率，提高裝置之運轉效率。

又，於本實施形態中，藉由噴嘴座53將清洗液噴出噴嘴201與上表面處理噴嘴51F一併保持，構成噴嘴頭56。且，噴嘴頭56藉由噴嘴移動部54移動至杯清洗位置(參考圖11B)。藉此，將清洗液噴出噴嘴201高精度地定位於適於杯清洗處理之位置。因此，可對上杯33之期望位置供給杯清洗液，可良好地進行杯清洗處理。

如上所述，於本實施形態中，控制單元10相當於本發明之「控制部」之一例。杯清洗位置Zcr相當於本發明之「杯清洗液之噴出目的地」之一例。高度位置Zw相當於本發明之「基板之上表面之高度位置」之一例。清洗液噴出噴嘴201相當於本發明之「上表面清洗噴嘴」之一例。傾斜面334相當於本發明之「旋轉杯部之內周面」之一例。

然而，於上述第1實施形態中，於鉛直方向Z上自較藉由旋轉吸盤21保持基板W之基板保持高度上方朝傾斜面334之杯清洗位置Zcr噴出杯清洗液，但與此同時，亦可以自較基板保持高度下方朝傾斜面334噴出杯清洗液之方式向杯清洗位置Zcr噴出杯清洗液(第2實施形態)。

圖14係顯示本發明之基板處理裝置之第2實施形態之構成及動作之模式圖。該第2實施形態與第1實施形態大幅不同之點在於，於支持下表面處理噴嘴51B之噴嘴支持部57之上表面(凸緣部位572)設置有清洗液噴出噴嘴204。該清洗液噴出噴嘴204於使噴出杯清洗液之噴出口205朝向杯清洗位置Zcr之狀態下固定於噴嘴支持部57。另，由於其他構成及動作與第1實施形態同樣，故標註相同符號且省略說明。

於第2實施形態中，於杯清洗處理時(步驟S12d)，於運算處理部10A控制杯清洗液供給部203亦對清洗液噴出噴嘴204供給杯清洗液時，對杯清洗位置Zcr同時供給來自清洗液噴出噴嘴201、204之杯清洗液。因此，自斜上方及斜下方之兩者對上杯33之傾斜部位333供給杯清洗液。其結果，可獲得較第1實施形態優異之杯清洗性能。

如此，於第2實施形態中，清洗液噴出噴嘴204相當於本發明之「下表面清洗噴嘴」之一例。

又，作為本發明之清洗液噴出噴嘴，於第1實施形態中具有上表面清洗噴嘴201，於第2實施形態中具有上表面清洗噴嘴201及下表面清洗噴嘴204，但亦可構成為僅設置下表面清洗噴嘴204(第3實施形態)。於該第3實施形態中，由於不使用上表面清洗噴嘴，故於杯清洗處理時，可使噴嘴頭56(=上表面處理噴嘴51F+噴嘴座53)與傾斜部位333隔開。因此，可抑制由傾斜部位333反射之杯清洗液附著於上表面處理噴嘴51F。又，只要以噴出口205朝向杯清洗位置Zcr之姿勢將清洗液噴出噴嘴204固定於噴嘴支持部57即可，容易進行清洗液噴出噴嘴204之調整。且，由於使用固定配置之清洗液噴出噴嘴204，故無需第1實施形態或第2實施形態中之清洗液噴出噴嘴201對杯清洗位置之定位步驟(步驟S12b)。其結果，可謀求縮短處理時間。

另，本發明並非限定於上述實施形態者，只要不脫離其主旨即可對上述者施加各種變更。例如，於上述實施形態中，藉由1個馬達23旋轉驅動旋轉吸盤21與旋轉杯部31，但亦可藉由不同之馬達分別驅動旋轉吸盤21與旋轉杯部31。亦可將本發明應用於此種基板處理裝置。且，於該基板處理裝置中，於杯清洗處理中，可一面僅使旋轉杯部31旋轉一面供給杯清洗液。其結果，可減少杯清洗處理時之消耗電力，且可謀求減少環境負荷。

又，於上述實施形態中，將本發明應用於具有於基座構件17之上表面設置基板處理部SP之高底板構造之基板處理裝置。又，於上述實施形態中，將本發明應用於具有旋轉杯部31之基板處理裝置。又，於上述實施形態中，將本發明應用於具有上表面保護加熱機構4、氛圍分離機構6、定心機構8及基板觀察機構9之基板處理裝置。然而，例如如專利文獻1所記載般，可將本發明應用於不具有該等構成之基板處理裝置，即，於腔室11之內部空間12對基板W之周緣部供給處理液而處理上述周緣部之基板處理裝置。

又，將本發明應用於執行作為「基板處理」之一例之斜面處理之基板處理裝置，但亦可將本發明應用於藉由對旋轉之基板供給處理液而對基板實施基板處理之基板處理裝置全體。

本發明可應用於藉由處理液處理基板之基板處理全體。

1:基板處理裝置(基板處理單元) 2:保持旋轉機構 2A:基板保持部 2B:旋轉機構 3:防飛散機構 4:上表面保護加熱機構 5:處理機構 6:氛圍分離機構 7:升降機構 8:定心機構 9:基板觀察機構 10:控制單元(控制部) 10A:運算處理部 10B:記憶部 10C:讀取部 10D:圖像處理部 10E:驅動控制部 10F:通信部 10G:排氣控制部 10H:顯示部 10J:輸入部 11:腔室 11a:底壁 11b～11e:側壁 11b1:搬送用開口 11d1:保養用開口 11f:頂壁 11f1:開口 11g:中心 12:內部空間 12a:密閉空間 12b:外側空間 13:風扇過濾器單元 14:沖孔板 15:擋板 16:基座支持構件 17:基座構件 19:蓋構件 21:旋轉吸盤 22:旋轉軸部 23:馬達 24:動力傳遞部 25,28:配管 26:泵 27:動力傳遞部 27a:圓環構件 29:氮氣供給部 31:旋轉杯部 32:下杯 33:上杯 34:固定杯部 38:排氣部 41:阻斷板 42:圓板部 43:支持構件 44:切口部 45:中央噴嘴 46:配管 47:加熱氣體供給部 48:帶狀加熱器 49:梁構件 51B:下表面處理噴嘴(處理液噴出噴嘴) 51F:上表面處理噴嘴(處理液噴出噴嘴) 52:處理液供給部 53:噴嘴座 54:噴嘴移動部 56:噴嘴頭 57:噴嘴支持部 58:配管 61:下密閉杯構件 62:上密閉杯構件 63,64:O形環 71,72:升降驅動部 81:單抵接部 82:多抵接部 83:定心驅動部 91:光源部 92:攝像部 93:觀察頭 94:觀察頭驅動部 100:基板處理系統 110:基板處理區域 111:基板搬送機器人 112:載置台 120:傳載部 121:容器保持部 122:傳載機器人 122a:基座部 122b:多關節臂 122c:手 171:馬達安裝部位 172:旋轉吸盤安裝部位 173:第1升降安裝部位 174:第2升降安裝部位 175:單移動安裝部位 176:多移動安裝部位 177:光學零件安裝位置 178:頭驅動位置 200:杯清洗機構 201:(上表面)清洗液噴出噴嘴 202:(上表面清洗液噴出噴嘴之)噴出口 203:杯清洗液供給部 204:(下表面)清洗液噴出噴嘴 205:(下表面清洗液噴出噴嘴之)噴出口 231:旋轉軸 241:第1滑輪 242:第2滑輪 243:環形帶 331:下圓環部位 332:上圓環部位 333:(上杯之)傾斜部位 334:傾斜面 341:受液部位 342:排氣部位 343:劃分壁 344:氣體引導部 421:加熱器 422:加熱器驅動部 471:加熱器 511:噴出口 541:基座構件 542:直動致動器 543:噴嘴驅動馬達 544:滑塊 545:運動轉換機構 546:連結構件 547:頭支持構件 548:彈簧構件 571:圓筒部位 572:凸緣部位 611,612,621:凸緣部 613:突起部 712,713,722:升降部 713a:升降件 831:單移動部 832:多移動部 AR:徑向 AX:旋轉軸 C:容器 D1:徑向 D2:抵接移動方向 D3:頭移動方向 D32:外徑 D33:噴出方向 d331,d332:直徑 D331,D332:外徑 Dr:旋轉方向 GPc:間隙 Lof:距離 RM:記錄媒體 S1～S12:步驟 S12a～S12e:步驟 SP:基板處理部 Spa:空間 SPc:捕集空間 SPe:排出空間 TP:搬送路徑 VL1:第1假想水平線 VL2:第2假想水平線 W:基板 Wb:下表面 Wf:上表面 Ws:(基板之)周緣部 Z:鉛直方向 Z42:高度位置 Zcr:杯清洗位置 Zw:(基板之上表面之)高度位置 θ:角度 +D1:方向 -D1:方向

圖1係顯示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施形態之基板處理系統之概略構成之俯視圖。 圖2係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之構成之圖。 圖3係模式性顯示腔室之構成及安裝於腔室之構成之圖。 圖4係模式性顯示設置於基座構件上之基板處理部之構成之俯視圖。 圖5係顯示保持於旋轉吸盤之基板與旋轉杯部之尺寸關係之圖。 圖6係顯示旋轉杯部及固定杯部之一部分之圖。 圖7係顯示上表面保護加熱機構之構成之外觀立體圖。 圖8係圖7所示之上表面保護加熱機構之剖視圖。 圖9係顯示裝備於處理機構之上表面側之處理液噴出噴嘴、與裝備於杯清洗機構之上表面側之杯清洗液噴出噴嘴之立體圖。 圖10係模式性顯示噴嘴移動部之構成之圖。 圖11A係顯示進行斜面處理時之噴嘴位置之模式圖。 圖11B係顯示進行杯清洗處理時之噴嘴位置之模式圖。 圖12係顯示裝備於處理機構之下表面側之處理液噴出噴嘴及支持該噴嘴之噴嘴支持部之立體圖。 圖13係顯示藉由圖2所示之基板處理裝置執行作為基板處理動作之一例之斜面處理之流程圖。 圖14係顯示本發明之基板處理裝置之第2實施形態之構成及動作之模式圖。

1:基板處理裝置(基板處理單元)

2:保持旋轉機構

2A:基板保持部

3:防飛散機構

4:上表面保護加熱機構

5:處理機構

6:氛圍分離機構

7:升降機構

8:定心機構

9:基板觀察機構

11b,11d,11e:側壁

11b1:搬送用開口

11d1:保養用開口

11g:中心

12:內部空間

12a:密閉空間

12b:外側空間

15:擋板

17:基座構件

19:蓋構件

23:馬達

32:下杯

33:上杯

42:圓板部

47:加熱氣體供給部

49:梁構件

51F:上表面處理噴嘴(處理液噴出噴嘴)

53:噴嘴座

54:噴嘴移動部

56:噴嘴頭

61:下密閉杯構件

62:上密閉杯構件

63,64:O形環

81:單抵接部

82:多抵接部

83:定心驅動部

91:光源部

92:攝像部

93:觀察頭

94:觀察頭驅動部

201:(上表面)清洗液噴出噴嘴

341:受液部位

421:加熱器

471:加熱器

611,612,621:凸緣部

613:突起部

712,713,722:升降部

831:單移動部

832:多移動部

AX:旋轉軸

D1:徑向

D2:抵接移動方向

D3:頭移動方向

GPc:間隙

Lof:距離

SP:基板處理部

SPc:捕集空間

SPe:排出空間

TP:搬送路徑

VL1:第1假想水平線

VL2:第2假想水平線

W:基板

Wb:下表面

Ws:(基板之)周緣部

Z:鉛直方向

Claims (10)

1. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備： 基板保持部，其設置為可一面保持基板一面繞沿鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉； 旋轉杯部，其設置為可一面包圍保持於上述基板保持部之上述基板之外周一面繞上述旋轉軸旋轉； 旋轉機構，其使上述基板保持部及上述旋轉杯部旋轉； 處理機構，其藉由自處理液噴出噴嘴對保持於旋轉之上述基板保持部之上述基板供給處理液，而對上述基板實施規定之基板處理； 杯清洗機構，其藉由自上述旋轉軸側將杯清洗液直接供給至捕集自上述基板飛散之上述處理液之上述旋轉杯部，而進行自上述旋轉杯部去除上述處理液之杯清洗處理；及 控制部，其以於進行上述基板處理後一面使上述旋轉杯部旋轉一面將上述杯清洗液供給至上述旋轉杯部之方式，控制上述旋轉機構及上述杯清洗機構。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述旋轉杯部具有：下杯，其受到自上述旋轉機構賦予之旋轉驅動力而繞上述旋轉軸旋轉；及上杯，其一面藉由連結於上述下杯而與上述下杯一體繞上述旋轉軸旋轉，一面捕集自上述基板飛散而來之上述處理液之液滴； 上述上杯具有位於上述下杯之上方且與上述下杯連結之連結部位、及自上述連結部位朝上述基板之周緣部之上方傾斜之傾斜部位；於上述傾斜部位捕集上述液滴。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中 上述杯清洗機構具有向上述傾斜部位噴出上述杯清洗液之清洗液噴出噴嘴，來自上述清洗液噴出噴嘴之上述杯清洗液之噴出目的地為於鉛直方向上較保持於上述基板保持部之上述基板之上表面之高度位置高之杯清洗位置。
4. 如請求項3之基板處理裝置，其進而具備： 加熱機構，其具有圓板部，該圓板部內置將被供給上述處理液之上述基板之上表面中除上述周緣部以外之中央部加熱之加熱器，且藉由將上述圓板部配置於上述基板之上方，而將上述基板加熱；且 上述杯清洗位置於鉛直方向上較上述圓板部之上表面低。
5. 如請求項3之基板處理裝置，其中 來自上述清洗液噴出噴嘴之上述杯清洗液之噴出方向於水平面內相對於自上述旋轉軸朝向上述清洗液噴出噴嘴之徑向，朝上述旋轉杯部之旋轉方向傾斜。
6. 如請求項3至5中任一項之基板處理裝置，其中 上述處理機構具有自保持於上述基板保持部之上述基板之上方朝上述基板之上表面之周緣部噴出上述處理液之上表面處理噴嘴，作為上述處理液噴出噴嘴； 上述杯清洗機構具有於鉛直方向上自較藉由上述基板保持部保持上述基板之基板保持高度上方朝上述旋轉杯部之內周面噴出上述杯清洗液之上表面清洗噴嘴，作為上述清洗液噴出噴嘴。
7. 如請求項6之基板處理裝置，其具備： 噴嘴座，其將互相接近而配置之上述上表面處理噴嘴及上述上表面清洗噴嘴一併保持；及 噴嘴移動部，其使上述噴嘴座移動至用以進行上述基板處理之基板處理位置或用以進行上述杯清洗處理之杯清洗位置；且 上述控制部如下控制上述處理液噴出噴嘴及上述清洗液噴出噴嘴： 於上述噴嘴座移動至上述基板處理位置時，一面停止自上述上表面清洗噴嘴噴出上述杯清洗液，一面自上述上表面處理噴嘴噴出上述處理液， 於上述噴嘴座移動至上述杯清洗位置時，一面停止自上述上表面處理噴嘴噴出上述處理液，一面自上述上表面清洗噴嘴噴出上述杯清洗液。
8. 如請求項3至5中任一項之基板處理裝置，其中 上述處理機構具有自保持於上述基板保持部之上述基板之下方朝上述基板之下表面之周緣部噴出上述處理液之下表面處理噴嘴，作為上述處理液噴出噴嘴； 上述杯清洗機構具有於鉛直方向上自較藉由上述基板保持部保持上述基板之基板保持高度下方朝上述旋轉杯部之內周面噴出上述杯清洗液之下表面清洗噴嘴，作為上述清洗液噴出噴嘴。
9. 如請求項3至5中任一項之基板處理裝置，其中 上述處理機構具有自保持於上述基板保持部之上述基板之上方朝上述基板之上表面之周緣部噴出上述處理液之上表面處理噴嘴、及自保持於上述基板保持部之上述基板之下方朝上述基板之下表面之周緣部噴出上述處理液之下表面處理噴嘴，作為上述處理液噴出噴嘴； 上述杯清洗機構具有藉由於鉛直方向上自較藉由上述基板保持部保持上述基板之基板保持高度上方朝上述旋轉杯部之內周面噴出上述杯清洗液，而進行對上述內周面之上述杯清洗液之供給的上表面清洗噴嘴、及藉由自較上述基板保持高度下方朝上述旋轉杯部之內周面噴出上述杯清洗液，而進行對上述內周面之上述杯清洗液之供給的下表面清洗噴嘴，作為上述清洗液噴出噴嘴。
10. 一種基板處理方法，其特徵在於具備以下步驟： 藉由於以旋轉杯部包圍繞沿鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉之基板之外周之狀態下對上述基板供給處理液，而由上述處理液對上述基板實施規定之基板處理，且以上述旋轉杯部捕集自上述基板飛散之上述處理液；及 杯清洗，其藉由一面使捕集到上述處理液之上述旋轉杯部繞上述旋轉軸旋轉，一面自上述旋轉軸側對上述旋轉杯部直接供給杯清洗液，而自上述旋轉杯部去除上述處理液。