TW202418510A - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

於本發明中，於一面覆蓋保持於基板保持部之上述基板之上表面一面將上述基板加熱之上表面保護加熱機構中，將基塊、第1底部區塊及第2底部區塊組合，形成間隙區域及環狀吹出口。且，於間隙區域中流動之氣體於由周緣加熱部加熱後，自環狀吹出口供給至基板之上表面之周緣部附近。又，周緣加熱部可將氣體、以及將基板之上表面之周緣部加熱之基板之周緣部之溫度以短時間升降至適於基板處理之溫度。

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種利用處理液處理基板之周緣部之基板處理裝置者。此處，基板包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用玻璃基板、太陽能電池用基板等(以下，簡稱為「基板」)。又，處理包含蝕刻處理。

作為使半導體晶圓等基板旋轉且對該基板之周緣部供給處理液而實施藥液處理或洗淨處理等之基板處理裝置，例如已知有日本專利特開2022-34285號公報所記載之裝置。於該基板處理裝置中，藉由旋轉吸盤將基板水平保持，但作為此時之輔助機構，設置有氣體供給單元。該氣體供給單元具有下表面與基板之上表面對向之阻斷板。於該阻斷板之中央部設置有噴嘴。且，自該噴嘴向基板之上表面之中央部供給氮氣等氣體。

為於如此處理基板之周緣部之例如於斜面處理中提高處理效率，需使基板之周緣部之溫度上升至期望溫度。因此，於上述先前裝置中，提案有自阻斷板之噴嘴供給加熱後之氣體(提案技術)。然而，自噴嘴供給之加熱氣體首先供給至基板之上表面之中央部，其後沿基板之上表面供給至周緣部。因此，具有高於常溫之溫度之氣體未必被有效地供給至基板之周緣部，且加熱氣體之使用量增大。即，於先前之基板處理裝置中，對於減少環境負荷有改善之餘地。又，隨著加熱氣體之使用量之增大，大量消耗氣體之加熱所需之電力，對於削減消耗電力亦有改善之餘地。

本發明係鑑於上述問題而完成者，目的在於，於藉由對由加熱後之氣體而升溫之基板之周緣部供給處理液而對該周緣部實施基板處理之基板處理裝置中，藉由削減加熱後之氣體之使用量而謀求減少環境負荷。

本發明係一種基板處理裝置，特徵在於具備：基板保持部，其設置為可一面將基板大致水平保持一面繞沿鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉；旋轉機構，其使基板保持部繞旋轉軸旋轉；處理機構，其藉由對保持於藉由旋轉機構旋轉之基板保持部之基板之上表面之周緣部供給處理液而對基板之周緣部實施基板處理；及上表面保護加熱機構，其一面覆蓋保持於基板保持部之基板之上表面一面將基板加熱；且上表面保護加熱機構具備：基塊，其於上表面之中央部設置用以導入供給至基板之上表面之氣體之第1開口，且於下表面之中央部設置較第1開口大之第2開口，形成有內徑自第1開口朝下方擴徑而與第2開口相連之漏斗狀空間；第1底部區塊，其於上表面之中央部設置具有與第2開口相同之形狀之第3開口，具有形成有自第3開口貫通至下表面之中央部之貫通空間之中空形狀，且於使第3開口與第2開口一致且使周緣部之下表面與基板之上表面之周緣部對向之狀態下，連結於基塊；周緣加熱部，其設置於第1底部區塊；及第2底部區塊，其於一面使下表面與基板之上表面之中央部對向一面遊插至貫通空間及漏斗狀空間之狀態下，連結於基塊；且於基板之上表面之周緣部附近形成於第1底部區塊之下表面與第2底部區塊之下表面之間之環狀吹出口，經由基塊及第1底部區塊與第2底部區塊之間之間隙區域連接於第1開口；周緣加熱部將於間隙區域流通之氣體加熱，且將基板之上表面之周緣部加熱。

於如此構成之發明中，環狀吹出口形成於基板之上表面之周緣部附近，自該環狀吹出口對基板之周緣部附近直接供給加熱後之氣體。因此，藉由使供給至基板之上表面之中央部之加熱氣體沿基板之上表面流動至基板之周緣部，相較於使基板之周緣部之溫度上升之提案技術，本發明可有效地使基板之周緣部之溫度上升。因此，可以較提案技術少之加熱氣體將基板之周緣部加熱。

又，藉由有效地進行基板之升溫，處理能力提高，即縮短處理時間。其結果，可削減藥液之使用量，減少環境負荷。

又，於本發明中，作為用以將於間隙區域流通之氣體加熱之加熱機構，於第1底部區塊設置有周緣加熱部。即，於自環狀吹出口供給之前將氣體加熱。因此，自環狀吹出口將高溫之加熱氣體供給至基板之上表面之周緣部。且，該基板之上表面之周緣部不僅由上述加熱氣體加熱，還由周緣加熱部加熱。因此，與提案技術相比，可以短時間將基板之周緣部之溫度升溫至適於基板處理之溫度。

另，說明書中之「遊插」意指以空間上存在餘裕之狀態插入。更具體而言，意指面向漏斗狀空間之基塊之表面及第2底部區塊之表面互不接觸，且面向貫通空間之第1底部區塊面之表面及第2底部區塊之表面互不接觸。

根據本發明，於藉由對由加熱後之氣體而升溫之基板之周緣部供給處理液而對該周緣部實施基板處理之基板處理裝置中，可削減加熱後之氣體之使用量，藉此可減少環境負荷。

圖1係顯示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施形態之基板處理系統之概略構成之俯視圖。圖1並非顯示基板處理系統100之外觀者，而係藉由將基板處理系統100之外壁面板或其他一部分構成除外而容易理解地表示其內部構造之模式圖。該基板處理系統100例如係設置於無塵室內，逐片處理僅於一主表面形成有電路圖案等(以下稱為「圖案」)之基板W之單片式裝置。然後，於裝備於基板處理系統100之處理單元1中，執行處理液之基板處理。本說明書中，將基板之兩主表面中形成有圖案之圖案形成面(一主表面)稱為「正面」，將其相反側之未形成圖案之另一主表面稱為「背面」。又，將朝向下方之面稱為「下表面」，將朝向上方之面稱為「上表面」。又，本說明書中，「圖案形成面」意指基板中於任意區域形成有凹凸圖案之面。

此處，作為本實施形態中之「基板」，可應用半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板。以下，主要採用用於半導體晶圓之處理之基板處理裝置為例而參考圖式進行說明，但同樣亦可應用於以上所例示之各種基板之處理。

如圖1所示，基板處理系統100具有對基板W實施處理之基板處理區域110。與該基板處理區域110相鄰而設置有傳載部120。傳載部120具有可保持複數個用以收納基板W之容器C(以密閉之狀態收納複數片基板W之FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓匣)、SMIF(Standard Mechanical Interface：標準機械介面)匣、OC(Open Cassette：開放式晶圓匣)等)之容器保持部121。又，傳載部120具備傳載機器人122，該傳載機器人122用以對保持於容器保持部121之容器C進行接取，自容器C取出未處理之基板W，或將已處理之基板W收納於容器C。於各容器C中，以大致水平之姿勢收納有複數片基板W。

傳載機器人122具備固定於裝置殼體之基座部122a、設置為可相對於基座部122a繞鉛直軸旋動之多關節臂122b、及安裝於多關節臂122b之前端之手122c。手122c為可於其上表面載置並保持基板W之構造。由於具有此種多關節臂及基板保持用之手之傳載機器人衆所周知，故省略詳細之說明。

於基板處理區域110中，載置台112設置為可載置來自傳載機器人122之基板W。又，於俯視下，於基板處理區域110之大致中央配置基板搬送機器人111。再者，以包圍該基板搬送機器人111之方式配置複數個處理單元1。具體而言，面向配置有基板搬送機器人111之空間配置複數個處理單元1。對於該等處理單元1，基板搬送機器人111隨機對載置台112進行接取，於與載置台112之間交接基板W。另一方面，各處理單元1係對基板W執行規定處理者，相當於本發明之基板處理裝置。本實施形態中，該等處理單元(基板處理裝置)1具有相同之功能。因此，可進行複數片基板W之並行處理。另，若基板搬送機器人111可自傳載機器人122直接交接基板W，則未必需要載置台112。

圖2係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之構成之圖。又，圖3係模式性顯示腔室之構成及安裝於腔室之構成之圖。於圖2、圖3及以下參考之各圖中，為便於理解，有誇大或簡化地圖示各部之尺寸或數量之情形。如圖3所示，基板處理裝置(處理單元)1中使用之腔室11具有自鉛直上方俯視時呈矩形形狀之底壁11a、自底壁11a之周圍立設之4片側壁11b～11e、及覆蓋側壁11b～11e之上端部之頂壁11f。藉由組合該等底壁11a、側壁11b～11e及頂壁11f，形成大致長方體形狀之內部空間12。

於底壁11a之上表面，基座支持構件16、16一面相互隔開一面由螺栓等緊固構件固定。即，自底壁11a立設基座支持構件16。於該等基座支持構件16、16之上端部，藉由螺栓等緊固構件固定基座構件17。該基座構件17由具有較底壁11a小之平面尺寸，同時厚度較底壁11a厚且具有高剛性之金屬板構成。如圖2所示，基座構件17藉由基座支持構件16、16自底壁11a向鉛直上方抬起。即，於腔室11之內部空間12之底部形成有所謂之高底板構造。如後續詳述般，該基座構件17之上表面加工成可設置對基板W實施基板處理之基板處理部SP，且於該上表面設置基板處理部SP。構成該基板處理部SP之各部與控制整個裝置之控制單元10電性連接，根據來自控制單元10之指示而動作。另，稍後詳述基座構件17之形狀、基板處理部SP之構成或動作。

如圖2及圖3所示，於腔室11之頂壁11f安裝有風扇過濾器單元(FFU：Fan Filter Unit)13。該風扇過濾器單元13將設置有基板處理裝置1之無塵室內之空氣進一步淨化，並供給至腔室11內之內部空間12。風扇過濾器單元13具備用以提取無塵室內之空氣並將其送出至腔室11內之風扇及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Air：高效微粒空氣)過濾器)，經由設置於頂壁11f之開口11f1而送入清潔空氣。藉此，於腔室11內之內部空間12形成清潔空氣之降流。又，為將自風扇過濾器單元13供給之清潔空氣均勻地分散，而於頂壁11f之正下方設置有穿設有複數個吹出孔之沖孔板14。

如圖3所示，於基板處理裝置1中，於4片側壁11b～11e中與基板搬送機器人111對向之側壁11b上設置有搬送用開口11b1，將內部空間12與腔室11之外部連通。因此，基板搬送機器人111之手(省略圖示)可經由搬送用開口11b1對基板處理部SP進行接取。即，藉由設置搬送用開口11b1，可對內部空間12搬入搬出基板W。又，用以將該搬送用開口11b1開閉之擋板15安裝於側壁11b。

於擋板15連接有擋板開閉機構(省略圖示)，根據來自控制單元10之開閉指令將擋板15開閉。更具體而言，於基板處理裝置1中，於將未處理之基板W搬入腔室11時，擋板開閉機構打開擋板15，藉由基板搬送機器人111之手將未處理之基板W以面朝上姿勢搬入基板處理部SP。即，基板W以將上表面Wf朝向上方之狀態載置於基板處理部SP之旋轉吸盤(圖5中之符號21)上。且，於搬入該基板後基板搬送機器人111之手自腔室11退避時，擋板開閉機構將擋板15關閉。且，於腔室11之處理空間(相當於後續詳述之密閉空間12a)內，藉由基板處理部SP，執行作為本發明之「基板處理」之一例之針對基板W之周緣部Ws之斜面處理。又，於斜面處理結束後，擋板開閉機構再次打開擋板15，由基板搬送機器人111之手將已處理之基板W自基板處理部SP搬出。如此，於本實施形態中，腔室11之內部空間12保持常溫環境。另，本說明書中，「常溫」意指處於5℃～35℃之溫度範圍內。

如圖3所示，側壁11d隔著設置於基座構件17之基板處理部SP(圖2)位於側壁11b之相反側。於該側壁11d設置有保養用開口11d1。於保養時，如該圖所示，將保養用開口11d1開放。因此，操作者可自裝置之外部經由保養用開口11d1對基板處理部SP進行接取。另一方面，於基板處理時，以將保養用開口11d1封閉之方式安裝蓋構件19。如此，於本實施形態中，蓋構件19相對於側壁11d裝卸自如。

又，於側壁11e之外側面，安裝有用以對基板處理部SP供給加熱後之惰性氣體(本實施形態中為氮氣)之加熱氣體供給部47。該加熱氣體供給部47內置有加熱器471。

如此，於腔室11之外壁側配置擋板15、蓋構件19及加熱氣體供給部47。相對於此，於腔室11之內側即內部空間12，於高底板構造之基座構件17之上表面設置基板處理部SP。

圖4係模式性顯示設置於基座構件上之基板處理部之構成之俯視圖。以下，為明確裝置各部之配置關係或動作等，適當標注以Z方向為鉛直方向，以XY平面為水平面之座標系。於圖4之座標系中，將與基板W之搬送路徑TP平行之水平方向設為「X方向」，將與其正交之水平方向設為「Y方向」。更詳細而言，將自腔室11之內部空間12朝向搬送用開口11b1及保養用開口11d1之方向分別稱為「+X方向」及「-X方向」，將自腔室11之內部空間12朝向側壁11c、11e之方向分別稱為「-Y方向」及「+Y方向」，將朝向鉛直上方及鉛直下方之方向分別稱為「+Z方向」及「-Z方向」。

基板處理部SP具備保持旋轉機構2、防飛散機構3、上表面保護加熱機構4、處理機構5、氛圍分離機構6、升降機構7、定心機構8及基板觀察機構9。該等機構設置於基座構件17上。即，以具有較腔室11高剛性之基座構件17為基準，以預設之位置關係互相配置保持旋轉機構2、防飛散機構3、上表面保護加熱機構4、處理機構5、氛圍分離機構6、升降機構7、定心機構8及基板觀察機構9。

保持旋轉機構2具備：基板保持部2A，其將基板W以基板W之正面朝向上方之狀態保持大致水平姿勢；及旋轉機構2B，其使保持有基板W之基板保持部2A及防飛散機構3之一部分同步旋轉。因此，當旋轉機構2B根據來自控制單元10之旋轉指令而作動時，基板W及防飛散機構3之旋轉杯部31繞與鉛直方向Z平行地延伸之旋轉軸AX旋轉。

如圖2所示，基板保持部2A具備較基板W小之圓板狀之構件即旋轉吸盤21。旋轉吸盤21相當於本發明之「基板保持部」之一例，係樹脂製。又，於水平面(XY平面)內，旋轉吸盤21之上表面為大致水平，較後續詳述之上表面保護加熱機構4之第2底部區塊之下表面窄。如後續說明之圖7所示，旋轉吸盤21之上表面之直徑D21與第2底部區塊之下表面之直徑D43具有(D43＞D21)之關係。且，旋轉吸盤21之上表面位於第2底部區塊之下表面之鉛直下方。設置為旋轉吸盤21之中心軸與旋轉軸AX一致。尤其，於本實施形態中，如圖4所示，基板保持部2A之中心(相當於旋轉吸盤21之中心軸)較腔室11之中心11g朝(+X)方向偏移。即，基板保持部2A配置為，自腔室11之上方俯視時，旋轉吸盤21之中心軸(旋轉軸AX)位於自內部空間12之中心11g朝搬送用開口11b1側偏移距離Lof之處理位置。另，為明確後述之裝置各部之配置關係，於本說明書中，將通過偏移之基板保持部2A之中心(旋轉軸AX)，且與搬送路徑TP正交之假想線及與搬送路徑TP平行之假想線分別稱為「第1假想水平線VL1」及「第2假想水平線VL2」。

於旋轉吸盤21之下表面連結圓筒狀之旋轉軸部22。旋轉軸部22於其軸線與旋轉軸AX一致之狀態下，沿鉛直方向Z延設。又，於旋轉軸部22連接旋轉機構2B。

旋轉機構2B具有產生用以使基板保持部2A及防飛散機構3之旋轉杯部31旋轉之旋轉驅動力之馬達23、及用以傳遞該旋轉驅動力之動力傳遞部24。馬達23具有伴隨旋轉驅動力之產生而旋轉之旋轉軸231。旋轉軸231以朝鉛直下方延設之姿勢設置於基座構件17之馬達安裝部位171。

於自基座構件17向下方突出之旋轉軸231之前端部安裝有第1滑輪241。又，於基板保持部2A之下方端部安裝有第2滑輪242。更詳細而言，基板保持部2A之下方端部插通設置於基座構件17之旋轉吸盤安裝部位172之貫通孔，朝基座構件17之下方突出。於該突出部分設置有第2滑輪242。且，於第1滑輪241及第2滑輪242之間架設環形帶243。如此，於本實施形態中，由第1滑輪241、第2滑輪242及環形帶243構成動力傳遞部24。

於旋轉吸盤21之中央部設置有貫通孔(省略圖示)，與旋轉軸部22之內部空間連通。於內部空間中，經由介裝有閥(省略圖示)之配管25而連接泵26。該泵26及閥電性連接於控制單元10，根據來自控制單元10之指令而動作。藉此，選擇性地將負壓及正壓施加至旋轉吸盤21。例如，當於將基板W以大致水平姿勢置於旋轉吸盤21之上表面之狀態下，泵26對旋轉吸盤21施加負壓時，旋轉吸盤21自下方吸附保持基板W。另一方面，當泵26對旋轉吸盤21施加正壓時，基板W可自旋轉吸盤21之上表面卸除。又，當停止泵26之吸引時，基板W可於旋轉吸盤21之上表面上水平移動。

於旋轉吸盤21中，經由設置於旋轉軸部22之中央部之配管28連接氮氣供給部29。氮氣供給部29將自設置基板處理系統100之工廠之設施等供給之常溫氮氣以與來自控制單元10之氣體供給指令相應之流量及時序輸送至旋轉吸盤21，於基板W之下表面Wb側使氮氣自中央部流通至徑向外側。另，於本實施形態中，使用氮氣，但亦可使用其他惰性氣體。關於此點，關於自後續說明之中央噴嘴噴出之加熱氣體亦同樣。又，「流量」意指氮氣等流體於每單位時間移動之量。

旋轉機構2B不僅使旋轉吸盤21與基板W一體旋轉，為與該旋轉同步地使旋轉杯部31旋轉，具有動力傳遞部27(圖2)。動力傳遞部27具有由非磁性材料或樹脂構成之圓環構件27a(圖2)、內置於圓環構件之旋轉吸盤側磁鐵(省略圖示)、及內置於旋轉杯部31之一構成即下杯32之杯側磁鐵(省略圖示)。圓環構件27a如圖2所示安裝於旋轉軸部22，可與旋轉軸部22一起繞旋轉軸AX旋轉。更詳細而言，旋轉軸部22如圖2所示，於旋轉吸盤21之正下方位置具有朝徑向外側伸出之凸緣部位。且，將圓環構件27a同心狀配置於凸緣部位，且藉由省略圖示之螺栓等連結固定。

於圓環構件27a之外周緣部，複數個旋轉吸盤側磁鐵以旋轉軸AX為中心放射狀且以等角度間隔配置。本實施形態中，於彼此相鄰之2個旋轉吸盤側磁鐵中之一者，以外側及內側分別成為N極及S極之方式配置，於另一者，以外側及內側分別成為S極及N極之方式配置。

與該等旋轉吸盤側磁鐵同樣，複數個杯側磁鐵以旋轉軸AX為中心放射狀且以等角度間隔配置。該等杯側磁鐵內置於下杯32。下杯32係以下說明之防飛散機構3之構成零件，具有圓環形狀。即，下杯32具有可與圓環構件27a之外周面對向之內周面。該內周面之內徑大於圓環構件27a之外徑。且，一面使該內周面與圓環構件27a之外周面隔開規定間隔(=(上述內徑-上述外徑)/2)而對向，一面將下杯32與旋轉軸部22及圓環構件27a同心狀配置。於該下杯32之外周緣上表面設置有卡合銷及連結用磁鐵，藉此，上杯33與下杯32連結，該連結體作為旋轉杯部31發揮功能。

下杯32於基座構件17之上表面上，藉由圖式中省略圖示之軸承，以於保持上述配置狀態下可繞旋轉軸AX旋轉地受支持。於該下杯32之內周緣部，如上述般，杯側磁鐵以旋轉軸AX為中心放射狀且以等角度間隔配置。又，關於彼此相鄰之2個杯側磁鐵之配置，亦與旋轉吸盤側磁鐵相同。即，於一者中，以外側及內側分別成為N極及S極之方式配置，於另一者中，以外側及內側分別成為S極及N極之方式配置。

於如此構成之動力傳遞部27中，當圓環構件27a藉由馬達23與旋轉軸部22一起旋轉時，藉由旋轉吸盤側磁鐵與杯側磁鐵之間之磁力作用，使下杯32維持氣隙(圓環構件27a與下杯32之間隙)且朝與圓環構件27a相同之方向旋轉。藉此，旋轉杯部31繞旋轉軸AX旋轉。即，旋轉杯部31與基板W朝相同方向且同步旋轉。

防飛散機構3具有可一面包圍保持於旋轉吸盤21之基板W之外周一面繞旋轉軸AX旋轉之旋轉杯部31、及以包圍旋轉杯部31之方式固定設置之固定杯部34。旋轉杯部31藉由將上杯33連結於下杯32，而設置為可一面包圍旋轉之基板W之外周一面繞旋轉軸AX旋轉。

圖5係顯示保持於旋轉吸盤之基板與旋轉杯部之尺寸關係之圖。圖6係顯示旋轉杯部及固定杯部之一部分之圖。下杯32具有圓環形狀。其之外徑較基板W之外徑大，自鉛直上方俯視時，於自由旋轉吸盤21保持之基板W朝徑向伸出之狀態下，下杯32配置為繞旋轉軸AX旋轉自如。於該伸出之區域，即下杯32之上表面周緣部，交替安裝有沿周向朝鉛直上方立設之卡合銷(省略圖示)與平板狀之下磁鐵(省略圖示)。

另一方面，如圖2、圖3及圖5所示，上杯33具有下圓環部位331、上圓環部位332、及將其等連結之傾斜部位333。下圓環部位331之外徑D331與下杯32之外徑D32相同，下圓環部位331位於下杯32之周緣部321之鉛直上方。於下圓環部位331之下表面，於相當於卡合銷之鉛直上方之區域中，朝下方開口之凹部設置為可與卡合銷之前端部嵌合。又，於相當於下磁鐵之鉛直上方之區域中，安裝有上磁鐵。因此，於凹部及上磁鐵分別與卡合銷及下磁鐵對向之狀態下，上杯33可相對於下杯32卡合脫離。

上杯33可藉由升降機構7於鉛直方向上升降。當上杯33藉由升降機構7朝上方移動時，於鉛直方向上，於上杯33與下杯32之間形成搬入搬出基板W用之搬送空間。另一方面，當上杯33藉由升降機構7朝下方移動時，凹部以被覆卡合銷之前端部之方式嵌合，而將上杯33相對於下杯32於水平方向上定位。又，上磁鐵接近下磁鐵，藉由於兩者之間產生之引力，上述定位後之上杯33及下杯32互相結合。藉此，如圖4之局部放大圖及圖6所示，於形成有沿水平方向延伸之間隙GPc之狀態下，上杯33及下杯32於鉛直方向上一體化。且，旋轉杯部31於保持形成有間隙GPc之狀態下繞旋轉軸AX自如地旋轉。

於旋轉杯部31中，如圖5所示，上圓環部位332之外徑D332略小於下圓環部位331之外徑D331。又，若比較下圓環部位331及上圓環部位332之內周面之直徑d331、d332，則下圓環部位331大於上圓環部位332，自鉛直上方俯視時，上圓環部位332之內周面位於下圓環部位331之內周面之內側。且，上圓環部位332之內周面與下圓環部位331之內周面遍及上杯33之全周由傾斜部位333連結。因此，傾斜部位333之內周面，即包圍基板W之面成為傾斜面334。即，如圖6所示，傾斜部位333可包圍旋轉之基板W之外周而捕集自基板W飛散之液滴，由上杯33及下杯32包圍之空間作為捕集空間SPc發揮功能。

且，面向捕集空間SPc之傾斜部位333自下圓環部位331朝向基板W之周緣部之上方傾斜。因此，如圖6所示，捕集至傾斜部位333之液滴可沿傾斜面334流動至上杯33之下端部，即下圓環部位331，進而經由間隙GPc排出至旋轉杯部31之外側。

固定杯部34以包圍旋轉杯部31之方式設置，形成排出空間SPe。固定杯部34具有受液部位341、及設置於受液部位341之內側之排氣部位342。受液部位341具有以面向間隙GPc之反基板側開口(圖6之左手側開口)之方式開口之杯構造。即，受液部位341之內部空間作為排出空間SPe發揮功能，經由間隙GPc與捕集空間SPc連通。因此，由旋轉杯部31捕集到之液滴與氣體成分一起經由間隙GPc引導至排出空間SPe。然後，液滴匯集至受液部位341之底部，自固定杯部34排出。

另一方面，氣體成分匯集至排氣部位342。該排氣部位342經由劃分壁343與受液部位341劃分開。又，於劃分壁343之上方配置氣體引導部344。氣體引導部344自劃分壁343之正上方位置分別延設至排出空間SPe及排氣部位342之內部，藉此自上方覆蓋劃分壁343而形成具有迷宮構造之氣體成分之流通路徑。因此，流入至受液部位341之流體中之氣體成分經由上述流通路徑而匯集至排氣部位342。該排氣部位342與排氣部38連接。因此，藉由根據來自控制單元10之指令使排氣部38作動而調整固定杯部34之壓力，有效地排出排氣部位342內之氣體成分。又，藉由精密控制排氣部38，而調整排出空間SPe之壓力或流量。例如，排出空間SPe之壓力相較於捕集空間SPc之壓力降低。其結果，可有效地將捕集空間SPc內之液滴引入至排出空間SPe，促進液滴自捕集空間SPc移動。

圖7係顯示上表面保護加熱機構之構成之剖視圖。圖8係圖7所示之上表面保護加熱機構之分解立體圖。上表面保護加熱機構4配置於保持在旋轉吸盤21之基板W之上表面Wf之上方。更詳細而言，上表面保護加熱機構4具有基塊41、配置於基塊41之鉛直下方之第1底部區塊42及第2底部區塊43、配置於第1底部區塊42之內部之周緣加熱加熱器44、及配置於第2底部區塊43之內部之中央加熱加熱器45。基塊41、第1底部區塊42、第2底部區塊43、周緣加熱加熱器44及中央加熱加熱器45分別如以下般構成，且，藉由將其等組合而構成阻斷板構造體40。

如圖8所示，基塊41整體具有大致圓盤形狀。於基塊41之上表面中央部，安裝有用以導入供給至基板W之上表面Wf之氮氣之輸入端口411。如圖2所示，輸入端口411經由配管46與加熱氣體供給部47連接。加熱氣體供給部47藉由加熱器471將自設置基板處理系統100之工廠之設備等供給之常溫氮氣加熱，並以與來自控制單元10之加熱氣體供給指令相應之流量及時序壓送至基塊41。

於基塊41中，如圖7所示，將輸入端口411之上端部開口，該開口412相當於本發明之「第1開口」之一例。又，於基塊41之下表面之中央部，設置有較開口412大之開口413。該開口413相當於本發明之「第2開口」之一例。且，於基塊41之下表面側，形成有漏斗狀空間414。該漏斗狀空間414之內徑自開口412朝下方擴徑，與開口413相連。

如圖7及圖8所示，第1底部區塊42具有附凸緣之圓環構件421及圓環構件422。又，由圓環構件421與圓環構件422夾入圓環形狀之周緣加熱加熱器44，並內置於第1底部區塊42。圓環構件421具有較基板W稍短之直徑。又，如圖8所示，於第1底部區塊42之周緣部設置有切口部425。這是為了防止與處理機構5中包含之處理液噴出噴嘴干涉而設置。切口部425朝向徑向外側開口。

於圓環構件421中，於由凸緣部位包圍之區域之中央部設置有與開口413相同形狀之貫通孔，該中央部具有中空形狀。又，圓環構件422及周緣加熱加熱器44亦與圓環構件421之中央部同樣，具有設置有與開口413相同形狀之貫通孔之圓環形狀。且，一面使上述貫通孔一致，一面將周緣加熱加熱器44及圓環構件422依序積層於圓環構件421之上表面。於如此構成之積層體(=第1底部區塊42+周緣加熱加熱器44)中，由圓環構件421與圓環構件422夾入圓環形狀之周緣加熱加熱器44，並內置於第1底部區塊42。又，如圖7之左側圖式所示，於該積層體之中央部形成貫通孔423，貫通孔423內之空間相當於本發明之「貫通空間」之一例。又，該貫通孔423之上方側之開口424相當於本發明之「第3開口」。且，以開口424與基塊41之開口413一致且第1底部區塊42之上表面與基塊41之下表面一致之方式，將上述積層體密接於基塊41，同時藉由螺栓等緊固構件415將第1底部區塊42及周緣加熱加熱器44固定於基塊41。於是，漏斗狀空間414與上述貫通空間相連，並一體化。藉此，形成可遊插以下說明之第2底部區塊43之空間(=漏斗狀空間414+貫通空間)。

第2底部區塊43具有圓盤構件431、中間構件432及圓錐台構件433。圓盤構件431具有較貫通孔423之內徑稍窄之外徑，且具有與圓環構件421相同之厚度，即鉛直方向上之高度。又，中間構件432具有與圓盤構件431相同形狀之圓盤部位、及自該圓盤部位朝鉛直上方延設之圓錐台部位。且，藉由由圓盤構件431與中間構件432夾入中央加熱加熱器45，而將中央加熱加熱器45內置於第2底部區塊43。另，中央加熱加熱器45具有與圓盤構件431相同之形狀且具有與中央加熱加熱器45相同之厚度。一面使圓盤構件431、中央加熱加熱器45、中間構件432及圓錐台構件433之旋轉對稱軸一致，一面將中央加熱加熱器45、中間構件432及圓錐台構件433依序積層於圓盤構件431之上表面。如此形成之積層體(=第2底部區塊43+中央加熱加熱器45)之下表面(即圓盤構件431之下表面)以於鉛直方向上與第1底部區塊42之下表面一致之方式，遊插於由漏斗狀空間414及貫通空間構成之空間。且，保持該遊插狀態不變，藉由螺栓等緊固構件416將第2底部區塊43及中央加熱加熱器45固定於基塊41。藉此，於阻斷板構造體40中，於基塊41及第1底部區塊42與第2底部區塊43之間形成間隙區域403，作為氣體供給路徑。又，於第1底部區塊42之下表面與第2底部區塊43之下表面之間形成環狀吹出口401。其結果，於經由開口412將加熱氣體導入上表面保護加熱機構4時，加熱氣體經由間隙區域403被引導至環狀吹出口401。且，自環狀吹出口401均勻地供給至基板W之上表面Wf之周緣部附近。

又，於上表面保護加熱機構4中，為驅動周緣加熱加熱器44，而設置有供電構件441。供電構件441如圖7所示，插通設置於基塊41及圓環構件422之貫通孔(省略圖示)，連接於周緣加熱加熱器44。因此，於將用以使周緣加熱加熱器44作動之電力自加熱器驅動部402經由供電構件441施加給周緣加熱加熱器44時，自周緣加熱加熱器44釋放熱。該熱經由圓環構件421施加給基板W之周緣部Ws，且於間隙區域403中將朝向環狀吹出口401流動之加熱氣體加熱。藉此，將基板W之周緣部Ws加溫，周緣部溫度上升。

除周緣加熱加熱器44外，為驅動中央加熱加熱器45，還設置有供電構件451。供電構件451如圖7所示，插通設置於基塊41、圓錐台構件433及中間構件432之貫通孔(省略圖示)，且連接於中央加熱加熱器45。因此，於將用以使中央加熱加熱器45作動之電力自加熱器驅動部402經由供電構件451施加給中央加熱加熱器45時，自中央加熱加熱器45釋放熱。該熱經由圓環構件421施加給基板W之上表面Wf之中央部，且於間隙區域403中將朝向環狀吹出口401之加熱氣體加熱。藉此，可提高供給至基板W之周緣部附近之加熱氣體之溫度，使基板W之周緣部溫度上升。又，可經由圓盤構件431將基板W之上表面Wf之中央部加溫，縮小與周緣部Ws之溫度差。即，可使基板W之面內溫度均勻化。藉此，可抑制基板W翹曲，使處理液之著液位置穩定化。又，於本實施形態中，如圖7所示，於樹脂製之旋轉吸盤21與第2底部區塊之間，(D43＞D21)之關係成立。即，於水平面內，旋轉吸盤21之上表面較第2底部區塊43之下表面窄，位於第2底部區塊43之下表面之鉛直下方。因此，旋轉吸盤21不易受到自環狀吹出口401供給至周緣部附近之加熱氣體或來自周緣加熱加熱器44之熱之影響，可防止旋轉吸盤21之劣化或形狀變化等，謀求斜面處理之穩定化。

再者，加熱器驅動部402可切換對周緣加熱加熱器44及中央加熱加熱器45供電、僅對周緣加熱加熱器44供電、及停止對兩者供電。且，於對周緣加熱加熱器44及中央加熱加熱器45兩者供電之情形時，可個別地控制施加給周緣加熱加熱器44之電力量、與施加給中央加熱加熱器45之電力量。藉由該電力控制，可相互獨立地調整周緣加熱加熱器44之發熱量與中央加熱加熱器45之發熱量。其結果，於本實施形態中，可精細地控制基板W之溫度。尤其，較佳為以周緣加熱加熱器44之發熱量大於中央加熱加熱器45之發熱量之方式控制。

此處，若將加熱器471配置於腔室11之內部空間12，則自加熱器471放射之熱可能會對基板處理部SP，尤其處理機構5或基板觀察機構9造成不良影響。因此，於本實施形態中，如圖4所示，具有加熱器471之加熱氣體供給部47配置於腔室11之外側。又，於本實施形態中，於配管46之一部分安裝有帶狀加熱器48。帶狀加熱器48根據來自控制單元10之加熱指令而發熱，將於配管46內流動之氮氣加熱。

如此加熱之氮氣，即加熱氣體不僅具有如上述般將基板W之周緣部Ws加熱之功能，還具有抑制基板W周圍之氛圍進入基板W之上表面Wf之功能。即，可有效地防止上述氛圍中包含之液滴被捲入由基板W與阻斷板構造體40夾持之空間SPa。

如圖2所示，如上述般構成之阻斷板構造體40由支持構件404支持。該支持構件404之上端部固定於沿第1假想水平線VL1延伸之梁構件49。該梁構件49與安裝於基座構件17之上表面之升降機構7連接，根據來自控制單元10之指令藉由升降機構7而升降。例如，於圖2中，藉由將梁構件49定位於下方，經由支持構件404與梁構件49連結之阻斷板構造體40(圖7)位於處理位置。另一方面，當升降機構7接收到來自控制單元10之上升指令而使梁構件49上升時，梁構件49、支持構件404及阻斷板構造體40一體上升，且上杯33亦連動而與下杯32分離並上升。藉此，旋轉吸盤21與上杯33及阻斷板構造體40之間較大，可進行對旋轉吸盤21之基板W之搬入搬出。

處理機構5具有配置於基板W之上表面側之處理液噴出噴嘴51F(圖4)、配置於基板W之下表面側之處理液噴出噴嘴51B(圖2)、及對處理液噴出噴嘴51F、51B供給處理液之處理液供給部52。以下，為區分上表面側之處理液噴出噴嘴51F與下表面側之處理液噴出噴嘴51B，而將其分別稱為「上表面噴嘴51F」及「下表面噴嘴51B」。又，於圖2中，圖示出2個處理液供給部52，但其等相同。

本實施形態中，設置3根上表面噴嘴51F，且對其等連接處理液供給部52。又，處理液供給部52構成為可供給SC1、DHF等藥液或功能水(CO2水等)作為處理液，可自3根上表面噴嘴51F各自獨立地噴出SC1、DHF及功能水。

於各上表面噴嘴51F中，於前端下表面設置有噴出處理液之噴出口(省略圖示)。且，如圖4中之放大圖所示，以使各噴出口朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢將複數個(本實施形態中為3個)上表面噴嘴51F之下方部配置於第1底部區塊42之切口部425(參考圖8)，且以上表面噴嘴51F之上方部相對於噴嘴座53於徑向D1(相對於第1假想水平線VL1，噴嘴噴出仰角度傾斜45°且旋轉角度傾斜65°左右之方向)上移動自如地安裝。該噴嘴座53連接於噴嘴移動部54。

圖9係模式性顯示噴嘴移動部之構成之圖。如圖9所示，噴嘴移動部54於保持有噴嘴頭56(=上表面噴嘴51F+噴嘴座53)之狀態下，安裝於後續說明之升降部713之升降件713a之上端部。因此，當升降件713a根據來自控制單元10之升降指令而於鉛直方向上伸縮時，與之相應，噴嘴移動部54及噴嘴頭56於鉛直方向Z移動。

又，於噴嘴移動部54中，基座構件541固定於升降件713a之上端部。於該基座構件541中安裝有直動致動器542。直動致動器542具有：馬達(以下稱為「噴嘴驅動馬達」)543，其作為徑向X上之噴嘴移動之驅動源發揮功能；及運動轉換機構545，其將與噴嘴驅動馬達543之旋轉軸連結之滾珠螺桿等旋轉體之旋轉運動轉換為直線運動，使滑塊544沿徑向D1往復移動。又，於運動轉換機構545中，為使滑塊544於徑向D1之移動穩定化，例如使用LM(Linear Motion：直線運動)導軌(註冊商標)等導軌。

於如此沿徑向X往復驅動之滑塊544中，經由連結構件546連結有頭支持構件547。該頭支持構件547具有沿徑向X延伸之棒形狀。頭支持構件547之(+D1)方向端部固定於滑塊544。另一方面，頭支持構件547之(-D1)方向端部朝向旋轉吸盤21水平地延設，且於其前端部安裝有噴嘴頭56。因此，當噴嘴驅動馬達543根據來自控制單元10之噴嘴移動指令而旋轉時，滑塊544、頭支持構件547及噴嘴頭56與該旋轉方向對應而朝(+D1)方向或(-D1)方向一體移動與旋轉量對應之距離。其結果，將安裝於噴嘴頭56之上表面噴嘴51F於徑向D1上定位。例如，如圖9所示，當將上表面噴嘴51F定位於預設之起始位置時，設置於運動轉換機構545之彈簧構件548由滑塊544壓縮，對滑塊544朝(-X)方向施加彈推力。藉此，可控制運動轉換機構545中包含之齒隙。即，由於運動轉換機構545具有導軌等機械零件，故事實上難以使沿著徑向D1之齒隙變為零，若不充分考慮上述情形，則徑向D1上之上表面噴嘴51F之定位精度會降低。因此，於本實施形態中，藉由設置彈簧構件548，而於使上表面噴嘴51F靜止於起始位置時，始終使齒隙偏向(-D1)方向。藉此，可獲得如下作用效果。根據來自控制單元10之噴嘴移動指令，噴嘴移動部54將3根上表面噴嘴51F一並朝方向D1驅動。該噴嘴移動指令包含與噴嘴移動距離相關之資訊。當上表面噴嘴51F基於該資訊於徑向D1上移動指定之噴嘴移動距離時，將上表面噴嘴51F正確地定位於斜面處理位置。

定位於斜面處理位置之上表面噴嘴51F之噴出口(省略圖示)朝向基板W之上表面Wf之周緣部。且，當處理液供給部52根據來自控制單元10之供給指令將3種處理液中與供給指令對應之處理液供給至該處理液用之上表面噴嘴51F時，自上表面噴嘴51F將處理液自基板W之端面供給至預設之位置。

又，氛圍分離機構6之下密閉杯構件61裝卸自如地固定於噴嘴移動部54之構成零件之一部分。即，於執行斜面處理時，上表面噴嘴51F及噴嘴座53經由噴嘴移動部54與下密閉杯構件61一體化，藉由升降機構7與下密閉杯構件61一起沿鉛直方向Z升降。另一方面，於執行校準處理時，下密閉杯構件61被卸除，上表面噴嘴51F及噴嘴座53藉由噴嘴移動部54沿徑向D1往復移動，且藉由升降機構7沿鉛直方向Z升降。

本實施形態中，為向基板W之下表面Wb之周緣部噴出處理液，而將下表面噴嘴51B及噴嘴支持部57設置於保持於旋轉吸盤21之基板W之下方。噴嘴支持部57具有沿鉛直方向延設之薄壁之圓筒部位571、及於圓筒部位571之上端部朝徑向外側彎折而擴展之具有圓環形狀之凸緣部位572。圓筒部位571具有自如遊插至形成於圓環構件27a與下杯32之間之氣隙之形狀。且，如圖2所示，以圓筒部位571遊插於氣隙，且凸緣部位572位於保持於旋轉吸盤21之基板W與下杯32之間之方式，固定配置噴嘴支持部57。對凸緣部位572之上表面周緣部安裝有3個下表面噴嘴51B。各下表面噴嘴51B具有朝向基板W之下表面Wb之周緣部開口之噴出口(省略圖示)，可噴出經由配管58自處理液供給部52供給之處理液。

藉由自該等上表面噴嘴51F及下表面噴嘴51B噴出之處理液，對基板W之周緣部執行斜面處理。又，於基板W之下表面側，將凸緣部位572延設至周緣部Ws附近。因此，經由配管28供給至下表面側之氮氣沿凸緣部位572流入至捕集空間SPc。其結果，有效地抑制液滴自捕集空間SPc逆流至基板W。

氛圍分離機構6具有下密閉杯構件61、及上密閉杯構件62。下密閉杯構件61及上密閉杯構件62均具有上下開口之筒形狀。且，其等之內徑大於旋轉杯部31之外徑，氛圍分離機構6配置為自上方完全包圍旋轉吸盤21、保持於旋轉吸盤21之基板W、旋轉杯部31及上表面保護加熱機構4，更詳細而言，如圖2所示，上密閉杯構件62以其上方開口自下方覆蓋頂壁11f之開口11f1之方式，固定配置於沖孔板14之正下方位置。因此，導入至腔室11內之清潔空氣之降流被分為通過上密閉杯構件62之內部者、與通過上密閉杯構件62之外側者。

又，上密閉杯構件62之下端部具有向內側折入之具有圓環形狀之凸緣部621。於該凸緣部621之上表面安裝有O形環63。於上密閉杯構件62之內側，下密閉杯構件61於鉛直方向上移動自如地配置。

下密閉杯構件61之上端部具有向外側彎折而擴展之具有圓環形狀之凸緣部611。該凸緣部611於自鉛直上方俯視時，與凸緣部621重疊。因此，當下密閉杯構件61下降時，如圖4中之局部放大圖所示，下密閉杯構件61之凸緣部611隔著O形環63由上密閉杯構件62之凸緣部621卡止。藉此，下密閉杯構件61被定位於下限位置。於該下限位置，於鉛直方向上，上密閉杯構件62與下密閉杯構件61相連，將導入至上密閉杯構件62之內部之降流引導至保持於旋轉吸盤21之基板W。

下密閉杯構件61之下端部具有向外側折入之具有圓環形狀之凸緣部612。該凸緣部612於自鉛直上方俯視時，與固定杯部34之上端部(受液部位341之上端部)重疊。因此，於上述下限位置中，如圖4中之局部放大圖所示，下密閉杯構件61之凸緣部612隔著O形環64由固定杯部34卡止。藉此，於鉛直方向上，下密閉杯構件61與固定杯部34相連，且由上密閉杯構件62、下密閉杯構件61及固定杯部34形成密閉空間12a。於該密閉空間12a內，可對基板W執行斜面處理。即，藉由將下密閉杯構件61定位於下限位置，密閉空間12a與密閉空間12a之外側空間12b分離(氛圍分離)。因此，可不受外側氛圍之影響而穩定地進行斜面處理。又，為進行斜面處理而使用處理液，但可確實地防止處理液自密閉空間12a洩漏至外側空間12b。因此，配置於外側空間12b之零件之選定、設計之自由度變高。

下密閉杯構件61構成為亦可朝鉛直上方移動。又，於鉛直方向上之下密閉杯構件61之中間部，如上所述，經由噴嘴移動部54之頭支持構件547固定噴嘴頭56(=上表面噴嘴51F+噴嘴座53)。又，除此以外，如圖2及圖4所示，還經由梁構件49將上表面保護加熱機構4固定於下密閉杯構件61之中間部。即，如圖4所示，下密閉杯構件61於周向上互不相同之3個部位分別與梁構件49之一端部、梁構件49之另一端部及頭支持構件547連接。且，藉由由升降機構7使梁構件49之一端部、梁構件49之另一端部及頭支持構件547升降，下密閉杯構件61亦隨之升降。

於該下密閉杯構件61之內周面中，如圖2及圖4所示，朝向內側突設複數根(4根)突起部613，作為可與上杯33卡合之卡合部位。各突起部613延設至上杯33之上圓環部位332之下方空間。又，各突起部613以於下密閉杯構件61被定位於下限位置之狀態下自上杯33之上圓環部位332朝下方離開之方式安裝。且，藉由下密閉杯構件61之上升，各突起部613可自下方卡合於上圓環部位332。於該卡合後，亦可藉由使下密閉杯構件61進一步上升而使上杯33與下杯32脫離。

本實施形態中，於下密閉杯構件61藉由升降機構7開始與上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56一起上升後，上杯33亦一起上升。藉此，上杯33、上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56自旋轉吸盤21朝上方離開。藉由下密閉杯構件61移動至退避位置，形成用以供基板搬送機器人111之手對旋轉吸盤21進行接取之搬送空間。且，可經由該搬送空間執行對旋轉吸盤21裝載基板W及自旋轉吸盤21卸載基板W。如此，於本實施形態中，可藉由升降機構7對下密閉杯構件61之最小限度之上升，而對旋轉吸盤21進行基板W之接取。

升降機構7具有2個升降驅動部71、72。於升降驅動部71中，第1升降馬達(省略圖示)安裝於基座構件17之第1升降安裝部位173(圖3)。第1升降馬達根據來自控制單元10之驅動指令而作動，產生旋轉力。2個升降部712、713連結於該第1升降馬達。升降部712、713自第1升降馬達同時受到上述旋轉力。然後，升降部712根據第1升降馬達之旋轉量，使支持梁構件49之一端部之支持構件491沿鉛直方向Z升降。又，升降部713根據第1升降馬達之旋轉量，使支持噴嘴頭56之頭支持構件547沿鉛直方向Z升降。

於升降驅動部72中，第2升降馬達(省略圖示)安裝於基座構件17之第2升降安裝部位174(圖3)。升降部722連結於第2升降馬達。第2升降馬達根據來自控制單元10之驅動指令而作動，產生旋轉力，施加給升降部722。升降部722根據第2升降馬達之旋轉量，使支持梁構件49之另一端部之支持構件492沿鉛直方向升降。

升降驅動部71、72相對於下密閉杯構件61之側面，使於其周向上分別固定於互不相同之3個部位之支持構件491、492、54同步地沿鉛直方向移動。因此，可穩定地進行上表面保護加熱機構4、噴嘴頭56及下密閉杯構件61之升降。又，隨著下密閉杯構件61之升降，亦可使上杯33穩定地升降。

定心機構8於停止泵26之吸引之期間(即基板W可於旋轉吸盤21之上表面上水平移動之期間)，執行定心處理。藉由該定心處理消除基板W相對於旋轉軸AX之偏心，基板W之中心與旋轉軸AX一致。如圖4所示，定心機構8具有：單抵接部81，其於相對於第1假想水平線VL1傾斜40°左右之抵接移動方向D2上，相對於旋轉軸AX配置於搬送用開口11b1側；多抵接部82，其配置於保養用開口11d1側；及定心驅動部83，其使單抵接部81及多抵接部82朝抵接移動方向D2移動。

單抵接部81具有與抵接移動方向D2平行延設之形狀，以可於旋轉吸盤21側之前端部與旋轉吸盤21上之基板W之端面抵接之方式加工。另一方面，多抵接部82於自鉛直上方俯視時具有大致Y字形狀，以可於旋轉吸盤21側之二股部位之各前端部與旋轉吸盤21上之基板W之端面抵接之方式加工。該等單抵接部81及多抵接部82於抵接移動方向D2上移動自如。

定心驅動部83具有用以使單抵接部81朝抵接移動方向D2移動之單移動部831、及用以使多抵接部82朝抵接移動方向D2移動之多移動部832。單移動部831安裝於基座構件17之單移動安裝部位175(圖3)，多移動部832安裝於基座構件17之多移動安裝部位176(圖3)。於不執行基板W之定心處理之期間，定心驅動部83如圖4所示，將單抵接部81及多抵接部82與旋轉吸盤21隔開而定位。因此，單抵接部81及多抵接部82離開搬送路徑TP，可有效地防止單抵接部81及多抵接部82與對腔室11搬入搬出之基板W干涉。

另一方面，於執行基板W之定心處理時，根據來自控制單元10之定心指令，單移動部831使單抵接部81朝旋轉軸AX移動，且多移動部832使多抵接部82朝旋轉軸AX移動。藉此，基板W之中心與旋轉軸AX一致。

基板觀察機構9具有光源部91、攝像部92、觀察頭93、及觀察頭驅動部94。光源部91及攝像部92並設於基座構件17之光學零件安裝位置177(圖3)。光源部91根據來自控制單元10之照明指令向觀察位置照射照明光。該觀察位置係與基板W之周緣部Ws對應之位置，相當於將觀察頭93定位之位置(省略圖示)。

觀察頭93可於觀察位置、與自觀察位置朝基板W之徑向外側離開之隔開位置之間往復移動。觀察頭驅動部94連接於該觀察頭93。觀察頭驅動部94於基座構件17之頭驅動位置178(圖3)安裝於基座構件17。且，觀察頭驅動部94根據來自控制單元10之頭移動指令，使觀察頭93沿相對於第1假想水平線VL1傾斜10°左右之頭移動方向D3往復移動。更具體而言，於不執行基板W之觀察處理之期間，觀察頭驅動部94將觀察頭93移動至退避位置而進行定位。因此，觀察頭93離開搬送路徑TP，可有效地防止觀察頭93與對腔室11搬入搬出之基板W干涉。另一方面，於執行基板W之觀察處理時，根據來自控制單元10之基板觀察指令，由觀察頭驅動部94使觀察頭93移動至觀察位置。

當將如此構成之觀察頭93定位於觀察位置，且於定位狀態下，光源部91依照來自控制單元10之照明指令而點亮時，照明光照射至觀察頭93之照明區域。藉此，藉由來自觀察頭93之擴散照明光，將基板W之周緣部Ws及其相鄰區域照明。又，將於周緣部Ws及其相鄰區域反射之反射光經由觀察頭93導光至攝像部92。

攝像部92具有由物體側遠心透鏡構成之觀察透鏡系統、及CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補金屬氧化物半導體)相機。因此，自觀察頭93導光之反射光中僅與觀察透鏡系統之光軸平行之光線入射至CMOS相機之感測器面，將基板W之周緣部Ws及相鄰區域之像成像於感測器面上。如此，攝像部92拍攝基板W之周緣部Ws及相鄰區域，取得基板W之上表面圖像、側面圖像及下表面圖像。然後，攝像部92將表示該圖像之圖像資料發送至控制單元10。

控制單元10具有運算處理部10A、記憶部10B、讀取部10C、圖像處理部10D、驅動控制部10E、通信部10F及排氣控制部10G。記憶部10B由硬碟驅動器等構成，記憶有用以藉由上述基板處理裝置1執行斜面處理之程式。該程式例如記憶於電腦可讀取之記錄媒體RM(例如，光碟、磁碟、磁光碟等)中，藉由讀取部10C自記錄媒體RM讀出，而保存於記憶部10B。又，該程式之提供並非限定於記錄媒體RM者，例如亦可以經由電性通信線路提供該程式之方式構成。圖像處理部10D對由基板觀察機構9拍攝到之圖像實施各種處理。驅動控制部10E控制基板處理裝置1之各驅動部。通信部10F與統合控制基板處理系統100之各部之控制部等進行通信。排氣控制部10G控制排氣部38。

又，於控制單元10，連接顯示各種資訊之顯示部10H(例如顯示器等)或受理來自操作者之輸入之輸入部10J(例如鍵盤及滑鼠等)。

運算處理部10A由具有CPU(=Central Processing Unit：中央處理單元)或RAM(=Random Access Memory：隨機存取記憶器)等之電腦構成，依照記憶於記憶部10B之程式如以下般控制基板處理裝置1之各部，而執行斜面處理。以下，參考圖10且對基板處理裝置1之斜面處理進行說明。

圖10係顯示藉由圖2所示之基板處理裝置執行作為基板處理動作之一例之斜面處理之流程圖。於藉由基板處理裝置1對基板W實施斜面處理時，運算處理部10A藉由升降驅動部71、72，使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件404及阻斷板構造體40一體上升。於該下密閉杯構件61之上升中途，突起部613與上杯33之上圓環部位332卡合，之後，上杯33與下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件404及阻斷板構造體40一起上升而定位於退避位置。藉此，於旋轉吸盤21之上方形成足够基板搬送機器人111之手(省略圖示)進入之搬送空間。又，運算處理部10A藉由定心驅動部83使單移動部831及多抵接部82移動至離開旋轉吸盤21之退避位置，且藉由觀察頭驅動部94使觀察頭93移動至離開旋轉吸盤21之待機位置。藉此，如圖4所示，配置於旋轉吸盤21周圍之構成要件中之噴嘴頭56、光源部91、攝像部92、馬達23及多抵接部82位於較第1假想水平線VL1靠保養用開口11d1側(該圖之下側)。又，單移動部831及觀察頭93位於較第1假想水平線VL1靠搬送用開口11b1側，但偏離沿著搬送路徑TP之基板W之移動區域。本實施形態中，由於採用此種佈局構造，故於對腔室11搬入搬出基板W時，可有效地防止配置於旋轉吸盤21周圍之構成要件與基板W干涉。

如此，於確認搬送空間之形成完成及與基板W之防止干涉後，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行基板W之裝載請求，等待沿圖4所示之搬送路徑TP將未處理之基板W搬入基板處理裝置1並載置於旋轉吸盤21之上表面。然後，將基板W載置於旋轉吸盤21上(步驟S1)。另，於該時點，泵26停止，基板W可於旋轉吸盤21之上表面上水平移動。

當基板W之裝載完成後，基板搬送機器人111沿搬送路徑TP自基板處理裝置1退避。繼而，運算處理部10A以使單移動部831及多抵接部82接近旋轉吸盤21上之基板W之方式，控制定心驅動部83。藉此，消除基板W相對於旋轉吸盤21之偏心，基板W之中心與旋轉吸盤21之中心一致(步驟S2)。如此，當定心處理完成後，運算處理部10A以使單抵接部81及多抵接部82與基板W隔開之方式控制定心驅動部83，且使泵26作動而對旋轉吸盤21施加負壓。藉此，旋轉吸盤21自下方吸附保持基板W。

接著，運算處理部10A對升降驅動部71、72施加下降指令。與此相應，升降驅動部71、72使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件404及阻斷板構造體40一體下降。於該下降中途，由下密閉杯構件61之突起部613自下方支持之上杯33連結於下杯32。藉此，形成旋轉杯部31(=上杯33與下杯32之連結體)。

於形成旋轉杯部31後，下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件404及阻斷板構造體40進一步一體下降，下密閉杯構件61之凸緣部611、612分別由上密閉杯構件62之凸緣部621及固定杯部34卡止。藉此，下密閉杯構件61定位於下限位置(圖2之位置)(步驟S3)。於上述卡止後，如圖4之局部放大圖所示，上密閉杯構件62之凸緣部621及下密閉杯構件61之凸緣部611隔著O形環63密接，且下密閉杯構件61之凸緣部612及固定杯部34隔著O形環63密接。其結果，如圖2所示，於鉛直方向上下密閉杯構件61與固定杯部34相連，藉由上密閉杯構件62、下密閉杯構件61及固定杯部34形成密閉空間12a，密閉空間12a與外側氛圍(外側空間12b)分離(氛圍分離)。

於該氛圍分離狀態下，阻斷板構造體40之下表面自上方覆蓋基板W之上表面Wf中除周緣部Ws以外之表面區域。又，上表面噴嘴51F於阻斷板構造體40之切口部425內以將噴出口511朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢定位。如此，當對基板W供給處理液之準備完成後，運算處理部10A對馬達23施加旋轉指令，開始保持基板W之旋轉吸盤21及旋轉杯部31之旋轉(步驟S4)。基板W及旋轉杯部31之旋轉速度例如設定為1800轉/分鐘。又，運算處理部10A對加熱器驅動部402進行驅動控制，使周緣加熱加熱器44及中央加熱加熱器45分別升溫至期望溫度。

接著，運算處理部10A對加熱氣體供給部47施加加熱氣體供給指令。藉此，將由加熱器471加熱之氮氣，即加熱氣體自加熱氣體供給部47壓送至上表面保護加熱機構4(步驟S5)。該加熱氣體於通過配管46之期間，由帶狀加熱器48加熱。藉此，一面防止加熱氣體於經由配管46之氣體供給過程中之溫度降低，一面將其供給至上表面保護加熱機構4。又，於上表面保護加熱機構4中，藉由周緣加熱加熱器44及中央加熱加熱器45將流過間隙區域403之加熱氣體加熱。如此加熱之加熱氣體於基板W之周緣部附近，向由基板W與阻斷板構造體40夾持之空間SPa(參考圖6)噴出。藉此，將基板W之上表面Wf之周緣部Ws集中加熱。又，基板W之周緣部Ws之加熱亦藉由周緣加熱加熱器44進行。因此，隨著時間之經過，基板W之周緣部Ws之溫度上升，達到適於斜面處理之溫度，例如90℃。又，周緣部Ws以外之溫度亦受到來自中央加熱加熱器45之熱，上升至大致相等之溫度。即，本實施形態中，基板W之上表面Wf之面內溫度大致均勻。因此，可有效抑制基板W翹曲。

繼而，運算處理部10A控制處理液供給部52，對上表面噴嘴51F及下表面噴嘴51B供給處理液。即，以自上表面噴嘴51F碰觸於基板W之上表面周緣部之方式噴出處理液之液流，且以自下表面噴嘴51B碰撞於基板W之下表面周緣部之方式噴出處理液之液流。藉此，執行對基板W之周緣部Ws之斜面處理(步驟S6)。然後，運算處理部10A於檢測到經過基板W之斜面處理所需之處理時間等時，對處理液供給部52施加供給停止指令，停止處理液之噴出。

繼而，運算處理部10A對加熱氣體供給部47施加供給停止指令，停止自加熱氣體供給部47向阻斷板構造體40供給加熱氣體(步驟S7)。又，運算處理部10A對馬達23施加旋轉停止指令，使旋轉吸盤21及旋轉杯部31停止旋轉(步驟S8)。

於接下來之步驟S9中，運算處理部10A觀察基板W之周緣部Ws，檢查斜面處理之結果。更具體而言，運算處理部10A與裝載基板W時同樣，將上杯33定位於退避位置，而形成搬送空間。然後，運算處理部10A控制觀察頭驅動部94，使觀察頭93接近基板W。然後，運算處理部10A藉由使光源部91點亮，而經由觀察頭93對基板W之周緣部Ws進行照明。又，攝像部92接收由周緣部Ws及相鄰區域反射之反射光，而拍攝周緣部Ws及相鄰區域。即，自於基板W繞旋轉軸AX旋轉之期間由攝像部92取得之複數個周緣部Ws之像，取得沿著基板W之旋轉方向之周緣部Ws之周緣部圖像。於是，運算處理部10A控制觀察頭驅動部94，使觀察頭93自基板W退避。與此並行，運算處理部10A基於拍攝到之周緣部Ws及相鄰區域之圖像，即周緣部圖像，由運算處理部10A檢查是否已良好地進行斜面處理。另，本實施形態中，作為該檢查之一例，自周緣部圖像檢查自基板W之端面朝向基板W之中央部由處理液處理後之處理寬度(處理後檢查)。

於檢查後，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行基板W之卸載請求，將已處理之基板W自基板處理裝置1搬出(步驟S10)。另，重複執行該等一連串之步驟。

於上述之實施形態中，加熱氣體相當於本發明之「氣體」之一例。又，周緣加熱加熱器44及中央加熱加熱器45分別相當於本發明之「周緣加熱部」及「中央加熱」之一例。

如上所述，於本實施形態中，環狀吹出口401形成於基板W之上表面Wf之周緣部附近，自該環狀吹出口401對基板W之周緣部附近直接供給加熱氣體。因此，與使供給至基板W之上表面Wf之中央部之加熱氣體沿基板W之上表面Wf流動至基板W之周緣部Ws之提案技術相比，可有效地使基板W之周緣部Ws之溫度上升。因此，可以更少之加熱氣體將基板W之周緣部Ws加熱。其結果，可削減加熱氣體之使用量，藉此可減少環境負荷。

又，作為用以將流過間隙區域403之加熱氣體進一步加熱之加熱機構，於第1底部區塊42設置有周緣加熱加熱器44。即，於自環狀吹出口401供給之前將加熱氣體進一步加熱。因此，自環狀吹出口401將高溫之加熱氣體供給至基板W之上表面Wf之周緣部Ws。且，該基板W之周緣部Ws不僅由上述加熱氣體加熱，還由周緣加熱加熱器44加熱。因此，與提案技術相比，可以短時間將基板W之周緣部Ws之溫度升溫至適於基板處理之溫度。

又，於上述實施形態中，除周緣加熱加熱器44外，還設置有中央加熱加熱器45。因此，可將基板W之上表面Wf之面內溫度保持均勻，有效地抑制基板W翹曲。又，有於基板W中已發生翹曲之情況，但亦可適當地應對該情況。如此，藉由對具有翹曲之基板W，分別個別地調整周緣加熱加熱器44與中央加熱加熱器45之加熱器輸出，而於基板W之中央附近與周緣附近產生溫度差。可藉由使用該溫度差而個別地控制各部之熱膨脹量。即，亦可藉由調整加熱器輸出，而減輕基板W之翹曲。

又，於上述實施形態中，間隙區域403以由基塊41與第2底部區塊43所夾持之傾斜部位、及由第1底部區塊42與第2底部區塊43夾持之垂直部位構成。即，將加熱氣體之流通路徑自傾斜部位緩慢地變更為垂直部位。因此，可抑制傾斜部位與垂直部位之連接部位處之加熱氣體之壓損，減小加熱氣體之溫度降低。

再者，於上述實施形態中，如圖3及圖4所示，用於獲得用以將基板W加熱之加熱氣體之加熱器471安裝於腔室11之外壁(側壁11e)。即，加熱器471設置於腔室11之外部。因此，可防止由加熱器471產生之熱波及配置於腔室11之內部空間12之各種機構。尤其，由於光源部91及攝像部92容易受到熱之影響，故於本實施形態中，將光源部91及攝像部92配置於離開加熱器471之安裝部位之隔開位置。因此，藉由採用上述佈局構造，光源部91及攝像部92不易受到加熱器471中產生之熱之影響。其結果，可防止因溫度變化之影響引起之觀察精度之降低，高精度地觀察基板之周緣部。又，關於來自加熱器471之熱影響，處理液噴出噴嘴51F、51B亦相同，故將處理液噴出噴嘴51F、51B配置於離開加熱器471之安裝部位之隔開位置。更詳細而言，如圖4所示，光源部91、攝像部92、處理液噴出噴嘴51F、51B於自腔室11之上方俯視時，隔著第2假想水平線VL2配置於加熱器471之相反側。藉由採用此種配置構造，自加熱器471至光源部91、攝像部92、處理液噴出噴嘴51F、51B之距離變長，可確實地抑制來自加熱器471之熱影響。

另，本發明並非限定於上述實施形態者，只要不脫離其主旨就可對上述者施加各種變更。例如，於上述實施形態中，將本發明應用於具有旋轉杯部31之基板處理裝置1。又，於上述實施形態中，將本發明應用於具有於基座構件17之上表面設置基板處理部SP之高底板構造之基板處理裝置。又，於上述實施形態中，將本發明應用於具有氛圍分離機構6、定心機構8及基板觀察機構9之基板處理裝置1。然而，可將本發明應用於不具有該等構成之基板處理裝置，即對基板W之周緣部供給處理液而處理上述周緣部之基板處理裝置。

又，於上述實施形態中，周緣加熱加熱器44由圓環構件421與圓環構件422夾入，但第1底部區塊42中之周緣加熱加熱器44之配設位置並非限定於此者。又，中央加熱加熱器45由圓盤構件431與中間構件432夾入，但第2底部區塊43中之中央加熱加熱器45之配設位置不限定於此。

又，於上述實施形態中，第1底部區塊42由2個構件(=圓環構件421+圓環構件422)構成，但亦可由單一之構件構成，又可由3個以上之構件構成。第2底部區塊43由3個構件(=圓盤構件431+中間構件432+圓錐台構件433)構成，但亦可由單一之構件、2個或4個以上構成。

又，將本發明應用於執行作為「基板處理」之一例之斜面處理之基板處理裝置，但亦可將本發明應用於藉由對旋轉之基板之周緣部供給處理液而對基板實施基板處理之基板處理裝置全體。

本發明可應用於藉由處理液處理基板之周緣部之基板處理裝置全體。

1:基板處理裝置 2:保持旋轉機構 2A:基板保持部 2B:旋轉機構 3:防飛散機構 4:上表面保護加熱機構 5:處理機構 6:氛圍分離機構 7:升降機構 8:定心機構 9:基板觀察機構 10:控制單元 10A:運算處理部 10B:記憶部 10C:讀取部 10D:圖像處理部 10E:驅動控制部 10F:通信部 10G:排氣控制部 10H:顯示部 10J:輸入部 11:腔室 11a:底壁 11b～11e:側壁 11b1:搬送用開口 11d1:保養用開口 11f:頂壁 11f1:開口 11g:中心 12:內部空間 12a:密閉空間 12b:外側空間 13:風扇過濾器單元 14:沖孔板 15:擋板 16:基座支持構件 17:基座構件 19:蓋構件 21:旋轉吸盤 22:旋轉軸部 23:馬達 24:動力傳遞部 25, 28:配管 26:泵 27:動力傳遞部 27a:圓環構件 29:氮氣供給部 31:旋轉杯部 32:下杯 33:上杯 34:固定杯部 38:排氣部 40:阻斷板構造體 41:基塊 42:第1底部區塊 43:第2底部區塊 44:周緣加熱加熱器(周緣加熱部) 45:中央加熱加熱器(中央加熱部) 46:配管 47:加熱氣體供給部 48:帶狀加熱器 49:梁構件 51B:處理液噴出噴嘴 51F:處理液噴出噴嘴 52:處理液供給部 53:噴嘴座 54:噴嘴移動部 56:噴嘴頭 57:噴嘴支持部 58:配管 61:下密閉杯構件 62:上密閉杯構件 63, 64:O形環 71, 72:升降驅動部 81:單抵接部 82:多抵接部 83:定心驅動部 91:光源部 92:攝像部 93:觀察頭 94:觀察頭驅動部 100:基板處理系統 110:基板處理區域 111:基板搬送機器人 112:載置台 120:傳載部 121:容器保持部 122:傳載機器人 122a:基座部 122b:多關節臂 122c:手 171:馬達安裝部位 172:旋轉吸盤安裝部位 173:第1升降安裝部位 174:第2升降安裝部位 175:單移動安裝部位 176:多移動安裝部位 177:光學零件安裝位置 178:頭驅動位置 231:旋轉軸 241:第1滑輪 242:第2滑輪 243:環形帶 331:下圓環部位 332:上圓環部位 333:傾斜部位 334:傾斜面 341:受液部位 342:排氣部位 343:劃分壁 344:氣體引導部 401:環狀吹出口 402:加熱器驅動部 403:間隙區域 404:支持構件 411:輸入端口 412, 413, 424:開口 414:漏斗狀空間 415, 416:緊固構件 421, 422:圓環構件 423:貫通孔 425:切口部 431:圓盤構件 432:中間構件 433:圓錐台構件 441, 451:供電構件 471:加熱器 541:基座構件 542:直動致動器 543:噴嘴驅動馬達 544:滑塊 545:運動轉換機構 546:連結構件 547:頭支持構件 548:彈簧構件 571:圓筒部位 572:凸緣部位 611, 612, 621:凸緣部 613:突起部 712, 713, 722:升降部 713a:升降件 831:單移動部 832:多移動部 AX:旋轉軸 C:容器 D1:徑向 D2:抵接移動方向 D3:頭移動方向 D21, D43:直徑 D32:外徑 D331, D332:外徑 d331, d332:直徑 GPc:間隙 Lof:距離 RM:記錄媒體 S1～S10:步驟 SP:基板處理部 SPa:空間 SPc:捕集空間 SPe:排出空間 TP:搬送路徑 VL1:第1假想水平線 VL2:第2假想水平線 W:基板 Wb:下表面 Wf:(基板之)上表面 Ws:(基板之)周緣部 Z:鉛直方向 +D1:方向 -D1:方向

圖1係顯示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施形態之基板處理系統之概略構成之俯視圖。 圖2係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之構成之圖。 圖3係模式性顯示腔室之構成及安裝於腔室之構成之圖。 圖4係模式性顯示設置於基座構件上之基板處理部之構成之俯視圖。 圖5係顯示保持於旋轉吸盤之基板與旋轉杯部之尺寸關係之圖。 圖6係顯示旋轉杯部及固定杯部之一部分之圖。 圖7係顯示上表面保護加熱機構之構成之剖視圖。 圖8係圖7所示之上表面保護加熱機構之分解立體圖。 圖9係模式性顯示噴嘴移動部之構成之圖。 圖10係顯示藉由圖2所示之基板處理裝置執行作為基板處理動作之一例之斜面處理之流程圖。

40:阻斷板構造體

41:基塊

42:第1底部區塊

43:第2底部區塊

44:周緣加熱加熱器(周緣加熱部)

45:中央加熱加熱器(中央加熱部)

401:環狀吹出口

403:間隙區域

411:輸入端口

412,413,424:開口

414:漏斗狀空間

415,416:緊固構件

421,422:圓環構件

423:貫通孔

431:圓盤構件

432:中間構件

433:圓錐台構件

441,451:供電構件

D21,D43:直徑

Claims (6)

1. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備： 基板保持部，其設置為可一面將基板大致水平保持一面繞沿鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉； 旋轉機構，其使上述基板保持部繞上述旋轉軸旋轉； 處理機構，其藉由對保持於藉由上述旋轉機構而旋轉之上述基板保持部之上述基板之上表面之周緣部供給處理液而對上述基板之周緣部實施基板處理；及 上表面保護加熱機構，其一面覆蓋保持於上述基板保持部之上述基板之上表面一面將上述基板加熱；且 上述上表面保護加熱機構具備： 基塊，其於上表面之中央部設置用以導入供給至上述基板之上表面之氣體之第1開口，且於下表面之中央部設置較上述第1開口大之第2開口，形成有內徑自上述第1開口朝下方擴徑而與上述第2開口相連之漏斗狀空間； 第1底部區塊，其於上表面之中央部設置具有與上述第2開口相同之形狀之第3開口，具有形成有自上述第3開口朝下表面之中央部貫通之貫通空間之中空形狀，於使上述第3開口與上述第2開口一致且使周緣部之下表面與上述基板之上表面之周緣部對向之狀態下，連結於上述基塊； 周緣加熱部，其設置於上述第1底部區塊；及 第2底部區塊，其於一面使下表面與上述基板之上表面之中央部對向一面遊插至上述貫通空間及上述漏斗狀空間之狀態下，連結於上述基塊；且 於上述基板之上表面之周緣部附近形成於上述第1底部區塊之下表面與上述第2底部區塊之下表面之間之環狀吹出口，經由上述基塊及上述第1底部區塊與上述第2底部區塊之間之間隙區域連接於上述第1開口； 上述周緣加熱部將於上述間隙區域流通之上述氣體加熱，且將上述基板之上表面之周緣部加熱。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述基板保持部係於上表面吸附並保持上述基板之下表面之中央部之樹脂製之旋轉吸盤。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中 於水平面內，上述旋轉吸盤之上表面較上述第2底部區塊之下表面窄，位於上述第2底部區塊之下表面之鉛直下方。
4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其具備： 中央加熱部，其設置於上述第2底部區塊，將於上述間隙區域流通之上述氣體加熱且將上述基板之中央部加熱。
5. 如請求項4之基板處理裝置，其中 可相互獨立地調整上述周緣加熱部之發熱量與上述中央加熱部之發熱量。
6. 如請求項5之基板處理裝置，其中 上述周緣加熱部之發熱量大於上述中央加熱部之發熱量。