TW202418511A - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

於本發明之基板處理裝置中，用以將基板加熱之加熱機構具有配置於內部空間之氣體噴出噴嘴、安裝於腔室之外壁之加熱器、及將由加熱器加熱後之惰性氣體輸送至氣體噴出噴嘴之配管。另一方面，觀察基板之周緣部之觀察機構包含之光源部及攝像部配置於腔室之內部空間內，且離開腔室之外壁中安裝有加熱器之安裝部位之隔開位置。因此，光源部及攝像部不易受到加熱器所產生之熱之影響，防止因溫度變化之影響引起之觀察精度之降低。其結果，可高精度地觀察基板之周緣部。

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種於腔室之內部空間對基板之周緣部供給處理液而處理上述周緣部之基板處理裝置。

以下所示之日本申請案之說明書、圖式及申請專利範圍中之揭示內容以引用之方式將其所有內容併入本文中：

日本專利申請案2022-134813(2022年8月26日申請)。

作為此種基板處理裝置，例如已知有日本專利特開2017-11015號公報所記載之裝置。於該裝置中，藉由於以基板保持部保持基板之狀態下，將由配置於基板保持部附近之加熱器預先加熱之惰性氣體(氮氣)，即加熱氣體供給至基板，而將基板加熱。然後，對如此加熱後之基板之周緣部供給處理液。藉此，有效地進行將附著於上述周緣部之薄膜去除之所謂斜面處理。

於上述日本專利特開2017-11015號公報所記載之基板處理裝置中，不具有於斜面處理前或斜面處理後觀察周緣部之表面狀態之觀察機構。因此，需於斜面處理前後將基板搬送到例如國際公開第2003/028089號所記載之半導體晶圓檢查裝置。這成為生產率降低之要因之一。

因此，考慮將國際公開第2003/028089號所記載之半導體晶圓檢查裝置組裝至基板處理裝置，但單純之組裝會產生如下問題。半導體晶圓檢查裝置具備：照明裝置，其具有向保持於旋轉平台(基板保持部)之半導體晶圓(基板)之周緣部出射光之光源部而進行照明；及攝像裝置，其對由照明裝置照明之半導體晶圓之周緣部進行拍攝。照明裝置及攝像裝置等光學製品容易受到加熱器之熱影響，而有因溫度變化之影響招致觀察精度降低之虞。因此，藉由上述組裝，光學製品暴露於由加熱器產生之熱之影響下，這會招致觀察精度降低，難以進行高品質之基板處理。

本發明係鑑於上述問題而完成者，目的在於在腔室之內部空間內，於由基板保持部保持半導體晶圓等基板之狀態下執行加熱氣體之基板之加熱及基板之周緣部之處理之基板處理裝置中，一面抑制用以獲得加熱氣體之加熱機構之熱影響一面高精度地觀察基板之周緣部。

本發明係一種基板處理裝置，其特徵於在具備：腔室，其具有內部空間；基板保持部，其於內部空間之規定處理位置將基板大致水平保持；加熱機構，其具有配置於內部空間之氣體噴出噴嘴、安裝於腔室之外壁之加熱器、及將由加熱器加熱後之惰性氣體輸送至氣體噴出噴嘴之配管，且藉由自氣體噴出噴嘴對於基板保持部保持之基板供給惰性氣體而將基板加熱；處理機構，其具有於內部空間內對於基板保持部保持之基板之周緣部噴出處理液之處理液噴出噴嘴，藉由自處理液噴出噴嘴對由加熱機構加熱後之基板之周緣部供給處理液而處理基板；及觀察機構，其具有配置於內部空間內，且離開腔室之外壁中安裝有加熱器之安裝部位之隔開位置之光源部及攝像部，藉由以來自光源部之照明光對於基板保持部保持之基板之周緣部進行照明，且以攝像部對照明光所照明之基板之周緣部進行拍攝，而於執行處理機構之處理之前或之後觀察基板之周緣部。

本發明中，為獲得用以將基板加熱之加熱氣體，將加熱器安裝於腔室之外壁。且，於離開該安裝部位之隔開位置配置有光源部及攝像部。藉由採用此種佈局構造，光源部及攝像部不易受到加熱器所產生之熱之影響。即，防止因溫度變化之影響引起之觀察精度之降低。

根據本發明，於具有用以將保持於基板保持部之半導體晶圓等基板加熱之加熱機構之基板處理裝置中，可一面抑制加熱機構之熱影響一面高精度地觀察基板之周緣部。

上述之本發明之各態様具有之複數個構成要件並非皆為必須者，為解決上述問題之一部分或全部，或為達成本說明書所記載之效果之一部分或全部，可適當對上述複數個構成要件中之一部分構成要件進行變更、刪除、與新的其他構成要件之替換、限定內容之一部分刪除。又，為解決上述問題之一部分或全部，或為達成本說明書所記載之效果之一部分或全部，亦可將上述之本發明之一態様所包含之技術性特徵之一部分或全部與上述之本發明之其他態様所包含之技術性特徵之一部分或全部加以組合，而作為本發明之獨立之一態様。

圖1係顯示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施形態之基板處理系統之概略構成之俯視圖。圖1並非顯示基板處理系統100之外觀者，而係藉由將基板處理系統100之外壁面板或其他一部分構成除外而容易理解地表示其內部構造之模式圖。該基板處理系統100例如係設置於無塵室內，逐片處理僅於一主表面形成有電路圖案等(以下稱為「圖案」)之基板W之單片式裝置。然後，於裝備於基板處理系統100之處理單元1中，執行處理液之基板處理。本說明書中，將基板之兩主表面中形成有圖案之圖案形成面(一主表面)稱為「正面」，將其相反側之未形成圖案之另一主表面稱為「背面」。又，將朝向下方之面稱為「下表面」，將朝向上方之面稱為「上表面」。又，本說明書中，「圖案形成面」意指基板中於任意區域形成有凹凸圖案之面。

此處，作為本實施形態中之「基板」，可應用半導體晶圓、光罩用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板等各種基板。以下，主要採用用於半導體晶圓之處理之基板處理裝置為例而參考圖式進行說明，但同樣亦可應用於以上所例示之各種基板之處理。

如圖1所示，基板處理系統100具有對基板W實施處理之基板處理區域110。與該基板處理區域110相鄰而設置有傳載部120。傳載部120具有可保持複數個用以收納基板W之容器C(以密閉之狀態收納複數片基板W之FOUP(Front Opening Unified Pod：前開式晶圓匣)、SMIF(Standard Mechanical Interface：標準機械介面)匣、OC(Open Cassette：開放式晶圓匣)等)之容器保持部121。又，傳載部120具備傳載機器人122，該傳載機器人122用以對保持於容器保持部121之容器C進行接取，自容器C取出未處理之基板W，或將已處理之基板W收納於容器C。於各容器C中，以大致水平之姿勢收納有複數片基板W。

傳載機器人122具備固定於裝置殼體之基座部122a、設置為可相對於基座部122a繞鉛直軸旋動之多關節臂122b、及安裝於多關節臂122b之前端之手122c。手122c為可於其上表面載置並保持基板W之構造。由於具有此種多關節臂及基板保持用之手之傳載機器人衆所周知，故省略詳細之說明。

於基板處理區域110中，載置台112設置為可載置來自傳載機器人122之基板W。又，於俯視下，於基板處理區域110之大致中央配置基板搬送機器人111。再者，以包圍該基板搬送機器人111之方式配置複數個處理單元1。具體而言，面向配置有基板搬送機器人111之空間配置複數個處理單元1。對於該等處理單元1，基板搬送機器人111隨機對載置台112進行接取，於與載置台112之間交接基板W。另一方面，各處理單元1係對基板W執行規定處理者，相當於本發明之基板處理裝置。本實施形態中，該等處理單元(基板處理裝置)1具有相同之功能。因此，可進行複數片基板W之並行處理。另，若基板搬送機器人111可自傳載機器人122直接交接基板W，則未必需要載置台112。

圖2係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之構成之圖。又，圖3係模式性顯示腔室之構成及安裝於腔室之構成之圖。於圖2、圖3及以下參考之各圖中，為便於理解，有誇大或簡化地圖示各部之尺寸或數量之情形。如圖3所示，基板處理裝置(處理單元)1中使用之腔室11具有自鉛直上方俯視時呈矩形形狀之底壁11a、自底壁11a之周圍立設之4片側壁11b～11e、及覆蓋側壁11b～11e之上端部之頂壁11f。藉由組合該等底壁11a、側壁11b～11e及頂壁11f，形成大致長方體形狀之內部空間12。

於底壁11a之上表面，基座支持構件16、16一面相互隔開一面由螺栓等緊固構件固定。即，自底壁11a立設基座支持構件16。於該等基座支持構件16、16之上端部，藉由螺栓等緊固構件固定基座構件17。該基座構件17由具有較底壁11a小之平面尺寸，同時厚度較底壁11a厚且具有高剛性之金屬板構成。如圖2所示，基座構件17藉由基座支持構件16、16自底壁11a向鉛直上方抬起。即，於腔室11之內部空間12之底部形成有所謂之高底板構造。如後續詳述般，該基座構件17之上表面加工成可設置對基板W實施基板處理之基板處理部SP，且於該上表面設置基板處理部SP。構成該基板處理部SP之各部與控制整個裝置之控制單元10電性連接，根據來自控制單元10之指示而動作。另，稍後詳述基座構件17之形狀、基板處理部SP之構成或動作。

如圖2及圖3所示，於腔室11之頂壁11f安裝有風扇過濾器單元(FFU：Fan Filter Unit)13。該風扇過濾器單元13將設置有基板處理裝置1之無塵室內之空氣進一步淨化，並供給至腔室11內之內部空間12。風扇過濾器單元13具備用以提取無塵室內之空氣並將其送出至腔室11內之風扇及過濾器(例如HEPA(High Efficiency Particulate Air：高效微粒空氣)過濾器)，經由設置於頂壁11f之開口11f1而送入清潔空氣。藉此，於腔室11內之內部空間12形成清潔空氣之降流。又，為將自風扇過濾器單元13供給之清潔空氣均勻地分散，而於頂壁11f之正下方設置有穿設有複數個吹出孔之沖孔板14。

如圖3所示，於基板處理裝置1中，於4片側壁11b～11e中與基板搬送機器人111對向之側壁11b上設置有搬送用開口11b1，將內部空間12與腔室11之外部連通。因此，基板搬送機器人111之手(省略圖示)可經由搬送用開口11b1對基板處理部SP進行接取。即，藉由設置搬送用開口11b1，可對內部空間12搬入搬出基板W。又，用以將該搬送用開口11b1開閉之擋板15安裝於側壁11b。

於擋板15連接有擋板開閉機構(省略圖示)，根據來自控制單元10之開閉指令將擋板15開閉。更具體而言，於基板處理裝置1中，於將未處理之基板W搬入腔室11時，擋板開閉機構打開擋板15，藉由基板搬送機器人111之手將未處理之基板W以面朝上姿勢搬入基板處理部SP。即，基板W以將上表面Wf朝向上方之狀態載置於基板處理部SP之旋轉吸盤(圖5中之符號21)上。且，於搬入該基板後基板搬送機器人111之手自腔室11退避時，擋板開閉機構將擋板15關閉。且，於腔室11之處理空間(相當於後續詳述之密閉空間12a)內，藉由基板處理部SP，執行作為本發明之「基板處理」之一例之針對基板W之周緣部Ws之斜面處理。又，於斜面處理結束後，擋板開閉機構再次打開擋板15，由基板搬送機器人111之手將已處理之基板W自基板處理部SP搬出。如此，於本實施形態中，腔室11之內部空間12保持常溫環境。另，本說明書中，「常溫」意指處於5℃～35℃之溫度範圍內。

如圖3所示，側壁11d隔著設置於基座構件17之基板處理部SP(圖2)位於側壁11b之相反側。於該側壁11d設置有保養用開口11d1。於保養時，如該圖所示，將保養用開口11d1開放。因此，操作者可自裝置之外部經由保養用開口11d1對基板處理部SP進行接取。另一方面，於基板處理時，以將保養用開口11d1封閉之方式安裝蓋構件19。如此，於本實施形態中，蓋構件19相對於側壁11d裝卸自如。

又，於側壁11e之外側面，安裝有用以對基板處理部SP供給加熱後之惰性氣體(本實施形態中為氮氣)之加熱氣體供給部47。該加熱氣體供給部47內置有加熱器471。

如此，於腔室11之外壁側配置擋板15、蓋構件19及加熱氣體供給部47。相對於此，於腔室11之內側即內部空間12，於高底板構造之基座構件17之上表面設置基板處理部SP。以下，參考圖2、圖4至圖12，且對基板處理部SP之構成進行說明。

圖4係模式性顯示設置於基座構件上之基板處理部之構成之俯視圖。以下，為明確裝置各部之配置關係或動作等，適當標注以Z方向為鉛直方向，以XY平面為水平面之座標系。於圖4之座標系中，將與基板W之搬送路徑TP平行之水平方向設為「X方向」，將與其正交之水平方向設為「Y方向」。更詳細而言，將自腔室11之內部空間12朝向搬送用開口11b1及保養用開口11d1之方向分別稱為「+X方向」及「-X方向」，將自腔室11之內部空間12朝向側壁11c、11e之方向分別稱為「-Y方向」及「+Y方向」，將朝向鉛直上方及鉛直下方之方向分別稱為「+Z方向」及「-Z方向」。

基板處理部SP具備保持旋轉機構2、防飛散機構3、上表面保護加熱機構4、處理機構5、氛圍分離機構6、升降機構7、定心機構8及基板觀察機構9。該等機構設置於基座構件17上。即，以具有較腔室11高剛性之基座構件17為基準，以預設之位置關係互相配置保持旋轉機構2、防飛散機構3、上表面保護加熱機構4、處理機構5、氛圍分離機構6、升降機構7、定心機構8及基板觀察機構9。

圖5係顯示保持旋轉機構之構成之立體圖。保持旋轉機構2具備：基板保持部2A，其將基板W以基板W之正面朝向上方之狀態保持大致水平姿勢；及旋轉機構2B，其使保持有基板W之基板保持部2A及防飛散機構3之一部分同步旋轉。因此，當旋轉機構2B根據來自控制單元10之旋轉指令而作動時，基板W及防飛散機構3之旋轉杯部31繞與鉛直方向Z平行地延伸之旋轉軸AX旋轉。

基板保持部2A具備較基板W小之圓板狀之構件即旋轉吸盤21。旋轉吸盤21設置為其上表面大致水平，其中心軸與旋轉軸AX一致。尤其，於本實施形態中，如圖4所示，基板保持部2A之中心(相當於旋轉吸盤21之中心軸)較腔室11之中心11g朝(+X)方向偏移。即，基板保持部2A配置為，自腔室11之上方俯視時，旋轉吸盤21之中心軸(旋轉軸AX)位於自內部空間12之中心11g朝搬送用開口11b1側偏移距離Lof之處理位置。另，為明確後述之裝置各部之配置關係，於本說明書中，將通過偏移之基板保持部2A之中心(旋轉軸AX)，且與搬送路徑TP正交之假想線及與搬送路徑TP平行之假想線分別稱為「第1假想水平線VL1」及「第2假想水平線VL2」。

如圖5所示，於旋轉吸盤21之下表面連結圓筒狀之旋轉軸部22。旋轉軸部22於使其軸線與旋轉軸AX一致之狀態下，沿鉛直方向Z延設。又，於旋轉軸部22連接旋轉機構2B。

旋轉機構2B具有產生用以使基板保持部2A及防飛散機構3之旋轉杯部31旋轉之旋轉驅動力之馬達23、及用以傳遞該旋轉驅動力之動力傳遞部24。馬達23具有伴隨旋轉驅動力之產生而旋轉之旋轉軸231。旋轉軸231以朝鉛直下方延設之姿勢設置於基座構件17之馬達安裝部位171。更詳細而言，如圖3所示，馬達安裝部位171係一面與保養用開口11d1對向一面沿(+X)方向切除之部位。該馬達安裝部位171之切除寬度(Y方向尺寸)與馬達23之Y方向寬度大致相同。因此，馬達23一面使其側面與馬達安裝部位171卡合一面沿X方向自如移動。

於馬達安裝部位171，為將馬達23一面於X方向上定位一面固定於基座構件17，使馬達固定金屬件232藉由螺栓或螺絲等緊固構件233連結於基座構件17。如圖5所示，馬達固定金屬件232具有水平部位2321與鉛直部位2322，自(+Y)方向側視時具有大致L字形狀。雖省略對圖5之圖示，但於馬達固定金屬件232之水平部位2321之中央部設置有用以供旋轉軸231插通之貫通孔。於將旋轉軸231朝鉛直下方插通至該貫通孔之狀態下，水平部位2321支持馬達23。又，鉛直部位2322構成為與由水平部位2321自下方支持之馬達23卡合。於該鉛直部位2322中，於Y方向上互相隔開地安裝有2根螺栓或螺絲等緊固構件234。各緊固構件234之前端部貫通鉛直部位2322而朝(+X)方向延設，各前端部與馬達安裝部位171螺合。因此，藉由由操作者使緊固構件234正旋轉或逆旋轉，馬達固定金屬件232於保持支持馬達23之狀態下沿X方向移動。藉此，可將馬達23於X方向上定位。又，於定位後，藉由操作者使緊固構件233正旋轉，馬達23與馬達安裝部位171一體地牢固固定於基座構件17。

於自基座構件17向下方突出之旋轉軸231之前端部安裝有第1滑輪241。又，於基板保持部2A之下方端部安裝有第2滑輪242。更詳細而言，基板保持部2A之下方端部插通至設置於基座構件17之旋轉吸盤安裝部位172之貫通孔，朝基座構件17之下方突出。於該突出部分設置有第2滑輪242。且，於第1滑輪241及第2滑輪242之間架設環形帶243。如此，於本實施形態中，由第1滑輪241、第2滑輪242及環形帶243構成動力傳遞部24。

於使用具有此種構成之動力傳遞部24之情形時，可選定長條之正時皮帶作為環形帶243，可謀求環形帶243之長壽命化。儘管如此，藉由馬達23於X方向上之移動，需進行第1滑輪241及第2滑輪242之間隔調整或環形帶243之更換等保養作業。因此，於本實施形態中，如圖4所示，於自腔室11之上方俯視時，搬送用開口11b1、基板保持部2A、動力傳遞部24、馬達23及保養用開口11d1依序沿著第2假想水平線VL2且直線狀地配置。即，動力傳遞部24及馬達23以面向保養用開口11d1之方式配置。因此，當自腔室11卸除蓋構件19而將保養用開口11d1開放時，動力傳遞部24及馬達23經由保養用開口11d1於外部露出。其結果，容易由操作者進行保養作業，可提高保養作業之效率。

且，以下說明之其他機構配置於基座構件17之上方，相對於此，動力傳遞部24配置於基座構件17之下方。藉由採用此種配置，可更有效地由操作者進行保養作業，而不必考慮與其他機構之干涉。

如圖5所示，於旋轉吸盤21之中央部設置有貫通孔211，與旋轉軸部22之內部空間連通。於內部空間中，經由介裝有閥(省略圖示)之配管25而連接泵26。該泵26及閥電性連接於控制單元10，根據來自控制單元10之指令而動作。藉此，選擇性地將負壓及正壓施加至旋轉吸盤21。例如，當於將基板W以大致水平姿勢置於旋轉吸盤21之上表面之狀態下，泵26對旋轉吸盤21施加負壓時，旋轉吸盤21自下方吸附保持基板W。另一方面，當泵26對旋轉吸盤21施加正壓時，基板W可自旋轉吸盤21之上表面卸除。又，當停止泵26之吸引時，基板W可於旋轉吸盤21之上表面上水平移動。

於旋轉吸盤21中，經由設置於旋轉軸部22之中央部之配管28連接氮氣供給部29。氮氣供給部29將自設置基板處理系統100之工廠之設施等供給之常溫氮氣以與來自控制單元10之氣體供給指令相應之流量及時序輸送至旋轉吸盤21，於基板W之下表面Wb側使氮氣自中央部流通至徑向外側。另，於本實施形態中，使用氮氣，但亦可使用其他惰性氣體。關於此點，關於自後續說明之中央噴嘴噴出之加熱氣體亦同樣。又，「流量」意指氮氣等流體於每單位時間移動之量。

旋轉機構2B不僅使旋轉吸盤21與基板W一體旋轉，為與該旋轉同步地使旋轉杯部31旋轉，具有動力傳遞部27(圖2)。動力傳遞部27具有由非磁性材料或樹脂構成之圓環構件27a(圖5)、內置於圓環構件之旋轉吸盤側磁鐵(省略圖示)、及內置於旋轉杯部31之一構成即下杯32之杯側磁鐵(省略圖示)。圓環構件27a如圖5所示安裝於旋轉軸部22，可與旋轉軸部22一起繞旋轉軸AX旋轉。更詳細而言，旋轉軸部22如圖2及圖5所示，於旋轉吸盤21之正下方位置具有朝徑向外側伸出之凸緣部位。且，將圓環構件27a同心狀配置於凸緣部位，且藉由省略圖示之螺栓等連結固定。

於圓環構件27a之外周緣部，複數個旋轉吸盤側磁鐵以旋轉軸AX為中心放射狀且以等角度間隔配置。本實施形態中，於彼此相鄰之2個旋轉吸盤側磁鐵中之一者，以外側及內側分別成為N極及S極之方式配置，於另一者，以外側及內側分別成為S極及N極之方式配置。

與該等旋轉吸盤側磁鐵同樣，複數個杯側磁鐵以旋轉軸AX為中心放射狀且以等角度間隔配置。該等杯側磁鐵內置於下杯32。下杯32係以下說明之防飛散機構3之構成零件，具有圓環形狀。即，下杯32具有可與圓環構件27a之外周面對向之內周面。該內周面之內徑大於圓環構件27a之外徑。且，一面使該內周面與圓環構件27a之外周面隔開規定間隔(=(上述內徑-上述外徑)/2)而對向，一面將下杯32與旋轉軸部22及圓環構件27a同心狀配置。於該下杯32之外周緣上表面設置有卡合銷及連結用磁鐵，藉此，上杯33與下杯32連結，該連結體作為旋轉杯部31發揮功能。

下杯32於基座構件17之上表面上，藉由圖式中省略圖示之軸承，以於保持上述配置狀態下可繞旋轉軸AX旋轉地受支持。於該下杯32之內周緣部，如上述般，杯側磁鐵以旋轉軸AX為中心放射狀且以等角度間隔配置。又，關於彼此相鄰之2個杯側磁鐵之配置，亦與旋轉吸盤側磁鐵相同。即，於一者中，以外側及內側分別成為N極及S極之方式配置，於另一者中，以外側及內側分別成為S極及N極之方式配置。

於如此構成之動力傳遞部27中，當圓環構件27a藉由馬達23與旋轉軸部22一起旋轉時，藉由旋轉吸盤側磁鐵與杯側磁鐵之間之磁力作用，使下杯32維持氣隙(圓環構件27a與下杯32之間隙)且朝與圓環構件27a相同之方向旋轉。藉此，旋轉杯部31繞旋轉軸AX旋轉。即，旋轉杯部31與基板W朝相同方向且同步旋轉。

防飛散機構3具有可一面包圍保持於旋轉吸盤21之基板W之外周一面繞旋轉軸AX旋轉之旋轉杯部31、及以包圍旋轉杯部31之方式固定設置之固定杯部34。旋轉杯部31藉由將上杯33連結於下杯32，而設置為可一面包圍旋轉之基板W之外周一面繞旋轉軸AX旋轉。

圖6係顯示保持於旋轉吸盤之基板與旋轉杯部之尺寸關係之圖。圖7係顯示旋轉杯部及固定杯部之一部分之圖。下杯32具有圓環形狀。其之外徑較基板W之外徑大，自鉛直上方俯視時，於自由旋轉吸盤21保持之基板W朝徑向伸出之狀態下，下杯32配置為繞旋轉軸AX旋轉自如。於該伸出之區域，即下杯32之上表面周緣部，交替安裝有沿周向朝鉛直上方立設之卡合銷(省略圖示)與平板狀之下磁鐵(省略圖示)。

另一方面，如圖2、圖3及圖6所示，上杯33具有下圓環部位331、上圓環部位332、及將其等連結之傾斜部位333。下圓環部位331之外徑D331與下杯32之外徑D32相同，下圓環部位331位於下杯32之周緣部321之鉛直上方。於下圓環部位331之下表面，於相當於卡合銷之鉛直上方之區域中，朝下方開口之凹部設置為可與卡合銷之前端部嵌合。又，於相當於下磁鐵之鉛直上方之區域中，安裝有上磁鐵。因此，於凹部及上磁鐵分別與卡合銷及下磁鐵對向之狀態下，上杯33可相對於下杯32卡合脫離。

上杯33可藉由升降機構7於鉛直方向上升降。當上杯33藉由升降機構7朝上方移動時，於鉛直方向上，於上杯33與下杯32之間形成搬入搬出基板W用之搬送空間。另一方面，當上杯33藉由升降機構7朝下方移動時，凹部以被覆卡合銷之前端部之方式嵌合，而將上杯33相對於下杯32於水平方向上定位。又，上磁鐵接近下磁鐵，藉由於兩者之間產生之引力，上述定位後之上杯33及下杯32互相結合。藉此，如圖4之局部放大圖及圖7所示，於形成有沿水平方向延伸之間隙GPc之狀態下，上杯33及下杯32於鉛直方向上一體化。且，旋轉杯部31於保持形成有間隙GPc之狀態下繞旋轉軸AX自如地旋轉。

於旋轉杯部31中，如圖6所示，上圓環部位332之外徑D332略小於下圓環部位331之外徑D331。又，若比較下圓環部位331及上圓環部位332之內周面之直徑d331、d332，則下圓環部位331大於上圓環部位332，自鉛直上方俯視時，上圓環部位332之內周面位於下圓環部位331之內周面之內側。且，上圓環部位332之內周面與下圓環部位331之內周面遍及上杯33之全周由傾斜部位333連結。因此，傾斜部位333之內周面，即包圍基板W之面成為傾斜面334。即，如圖7所示，傾斜部位333可包圍旋轉之基板W之外周而捕集自基板W飛散之液滴，由上杯33及下杯32包圍之空間作為捕集空間SPc發揮功能。

且，面向捕集空間SPc之傾斜部位333自下圓環部位331朝向基板W之周緣部之上方傾斜。因此，如圖7所示，捕集至傾斜部位333之液滴可沿傾斜面334流動至上杯33之下端部，即下圓環部位331，進而經由間隙GPc排出至旋轉杯部31之外側。

固定杯部34以包圍旋轉杯部31之方式設置，形成排出空間SPe。固定杯部34具有受液部位341、及設置於受液部位341之內側之排氣部位342。受液部位341具有以面向間隙GPc之反基板側開口(圖7之左手側開口)之方式開口之杯構造。即，受液部位341之內部空間作為排出空間SPe發揮功能，經由間隙GPc與捕集空間SPc連通。因此，由旋轉杯部31捕集到之液滴與氣體成分一起經由間隙GPc引導至排出空間SPe。然後，液滴匯集至受液部位341之底部，自固定杯部34排出。

另一方面，氣體成分匯集至排氣部位342。該排氣部位342經由劃分壁343與受液部位341劃分開。又，於劃分壁343之上方配置氣體引導部344。氣體引導部344自劃分壁343之正上方位置分別延設至排出空間SPe及排氣部位342之內部，藉此自上方覆蓋劃分壁343而形成具有迷宮構造之氣體成分之流通路徑。因此，流入至受液部位341之流體中之氣體成分經由上述流通路徑而匯集至排氣部位342。該排氣部位342與排氣部38連接。因此，藉由根據來自控制單元10之指令使排氣部38作動而調整固定杯部34之壓力，有效地排出排氣部位342內之氣體成分。又，藉由精密控制排氣部38，而調整排出空間SPe之壓力或流量。例如，排出空間SPe之壓力相較於捕集空間SPc之壓力降低。其結果，可有效地將捕集空間SPc內之液滴引入至排出空間SPe，促進液滴自捕集空間SPc移動。

圖8係顯示上表面保護加熱機構之構成之外觀立體圖。圖9係圖8所示之上表面保護加熱機構之剖視圖。上表面保護加熱機構4具有配置於保持於旋轉吸盤21之基板W之上表面Wf之上方之阻斷板41。該阻斷板41具有以水平姿勢保持之圓板部42。圓板部42內置有由加熱器驅動部422驅動控制之加熱器421。該圓板部42具有較基板W稍短之直徑。且，以使圓板部42之下表面自上方覆蓋基板W之上表面Wf中除周緣部Ws以外之表面區域之方式，藉由支持構件43支持圓板部42。另，圖8中之符號44係設置於圓板部42之周緣部之切口部，這是為了防止與處理機構5中包含之處理液噴出噴嘴之干涉而設置。切口部44朝向徑向外側開口。

支持構件43之下端部安裝於圓板部42之中央部。以上下貫通支持構件43與圓板部42之方式，形成圓筒狀之貫通孔。又，中央噴嘴45上下插通於該貫通孔。如圖2所示，該中央噴嘴45經由配管46與加熱氣體供給部47連接。加熱氣體供給部47藉由加熱器471將自設置基板處理系統100之工廠之設備等供給之常溫氮氣加熱，並以與來自控制單元10之加熱氣體供給指令相應之流量及時序供給至基板處理部SP。

此處，若將加熱器471配置於腔室11之內部空間12，則自加熱器471放射之熱可能會對基板處理部SP，尤其是如後述般之處理機構5或基板觀察機構9造成不良影響。因此，於本實施形態中，如圖4所示，具有加熱器471之加熱氣體供給部47配置於腔室11之外側。又，於本實施形態中，於配管46之一部分安裝有帶狀加熱器48。帶狀加熱器48根據來自控制單元10之加熱指令而發熱，將於配管46內流動之氮氣加熱。

將如此加熱後之氮氣(以下稱為「加熱氣體」)朝中央噴嘴45壓送，並自中央噴嘴45噴出。例如，如圖9所示，藉由於將圓板部42定位於接近保持於旋轉吸盤21之基板W之處理位置之狀態下供給加熱氣體，加熱氣體自由基板W之上表面Wf與內置加熱器之圓板部42夾持之空間SPa之中央部朝向周緣部流動。藉此，可抑制基板W周圍之氛圍進入基板W之上表面Wf。其結果，可有效地防止上述氛圍中包含之液滴被捲入由基板W與圓板部42夾持之空間SPa。又，可藉由加熱器421之加熱與加熱氣體將上表面Wf全體加熱，將基板W之面內溫度均勻化。藉此，可抑制基板W翹曲，使處理液之著液位置穩定化。

如圖2所示，支持構件43之上端部固定於沿第1假想水平線VL1延伸之梁構件49。該梁構件49與安裝於基座構件17之上表面之升降機構7連接，根據來自控制單元10之指令藉由升降機構7而升降。例如，於圖2中，藉由將梁構件49定位於下方，經由支持構件43與梁構件49連結之圓板部42位於處理位置。另一方面，當升降機構7接收到來自控制單元10之上升指令而使梁構件49上升時，梁構件49、支持構件43及圓板部42一體上升，且上杯33亦連動而與下杯32分離並上升。藉此，旋轉吸盤21與上杯33及圓板部42之間較大，可進行對旋轉吸盤21之基板W之搬入搬出。

處理機構5具有配置於基板W之上表面側之處理液噴出噴嘴51F(圖4)、配置於基板W之下表面側之處理液噴出噴嘴51B(圖2)、及對處理液噴出噴嘴51F、51B供給處理液之處理液供給部52。以下，為區分上表面側之處理液噴出噴嘴51F與下表面側之處理液噴出噴嘴51B，而將其分別稱為「上表面噴嘴51F」及「下表面噴嘴51B」。又，於圖2中，圖示出2個處理液供給部52，但其等相同。

本實施形態中，設置3根上表面噴嘴51F，且對其等連接處理液供給部52。又，處理液供給部52構成為可供給SC1、DHF等藥液或功能水(CO2水等)作為處理液，可自3根上表面噴嘴51F各自獨立地噴出SC1、DHF及功能水。

於各上表面噴嘴51F中，於前端下表面設置有噴出處理液之噴出口(省略圖示)。且，如圖4中之放大圖所示，以使各噴出口朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢將複數個(本實施形態中為3個)上表面噴嘴51F之下方部配置於圓板部42之切口部44(參考圖6)，且以上表面噴嘴51F之上方部相對於噴嘴座53於徑向D1(相對於第1假想水平線VL1，噴嘴噴出仰角度傾斜45°且旋轉角度傾斜65°左右之方向)上移動自如地安裝。該噴嘴座53連接於噴嘴移動部54。

圖10係模式性顯示噴嘴移動部之構成之圖。如圖10所示，噴嘴移動部54於保持有噴嘴頭56(=上表面噴嘴51F+噴嘴座53)之狀態下，安裝於後續說明之升降部713之升降件713a之上端部。因此，當升降件713a根據來自控制單元10之升降指令而於鉛直方向上伸縮時，與之相應，噴嘴移動部54及噴嘴頭56於鉛直方向Z移動。

又，於噴嘴移動部54中，基座構件541固定於升降件713a之上端部。於該基座構件541中安裝有直動致動器542。直動致動器542具有：馬達(以下稱為「噴嘴驅動馬達」)543，其作為徑向X上之噴嘴移動之驅動源發揮功能；及運動轉換機構545，其將與噴嘴驅動馬達543之旋轉軸連結之滾珠螺桿等旋轉體之旋轉運動轉換為直線運動，使滑塊544沿徑向D1往復移動。又，於運動轉換機構545中，為使滑塊544於徑向D1之移動穩定化，例如使用LM(Linear Motion：直線運動)導軌(註冊商標)等導軌。

於如此沿徑向X往復驅動之滑塊544中，經由連結構件546連結有頭支持構件547。該頭支持構件547具有沿徑向X延伸之棒形狀。頭支持構件547之(+D1)方向端部固定於滑塊544。另一方面，頭支持構件547之(-D1)方向端部朝向旋轉吸盤21水平地延設，且於其前端部安裝有噴嘴頭56。因此，當噴嘴驅動馬達543根據來自控制單元10之噴嘴移動指令而旋轉時，滑塊544、頭支持構件547及噴嘴頭56與該旋轉方向對應而朝(+D1)方向或(-D1)方向一體移動與旋轉量對應之距離。其結果，將安裝於噴嘴頭56之上表面噴嘴51F於徑向D1上定位。例如，如圖10所示，當將上表面噴嘴51F定位於預設之起始位置時，設置於運動轉換機構545之彈簧構件548由滑塊544壓縮，對滑塊544朝(-X)方向施加彈推力。藉此，可控制運動轉換機構545中包含之齒隙。即，由於運動轉換機構545具有導軌等機械零件，故事實上難以使沿著徑向D1之齒隙變為零，若不充分考慮上述情形，則徑向D1上之上表面噴嘴51F之定位精度會降低。因此，於本實施形態中，藉由設置彈簧構件548，而於使上表面噴嘴51F靜止於起始位置時，始終使齒隙偏向(-D1)方向。藉此，可獲得如下作用效果。根據來自控制單元10之噴嘴移動指令，噴嘴移動部54將3根上表面噴嘴51F一並朝方向D1驅動。該噴嘴移動指令包含與噴嘴移動距離相關之資訊。當上表面噴嘴51F基於該資訊於徑向D1上移動指定之噴嘴移動距離時，將上表面噴嘴51F正確地定位於斜面處理位置。

定位於斜面處理位置之上表面噴嘴51F之噴出口511朝向基板W之上表面Wf之周緣部。且，當處理液供給部52根據來自控制單元10之供給指令將3種處理液中與供給指令對應之處理液供給至該處理液用之上表面噴嘴51F時，自上表面噴嘴51F將處理液自基板W之端面供給至預設之位置。

又，氛圍分離機構6之下密閉杯構件61裝卸自如地固定於噴嘴移動部54之構成零件之一部分。即，於執行斜面處理時，上表面噴嘴51F及噴嘴座53經由噴嘴移動部54與下密閉杯構件61一體化，藉由升降機構7與下密閉杯構件61一起沿鉛直方向Z升降。另一方面，於執行校準處理時，下密閉杯構件61被卸除，上表面噴嘴51F及噴嘴座53藉由噴嘴移動部54沿徑向D1往復移動，且藉由升降機構7沿鉛直方向Z升降。

本實施形態中，為向基板W之下表面Wb之周緣部噴出處理液，而將下表面噴嘴51B及噴嘴支持部57設置於保持於旋轉吸盤21之基板W之下方。噴嘴支持部57具有沿鉛直方向延設之薄壁之圓筒部位571、及於圓筒部位571之上端部朝徑向外側彎折而擴展之具有圓環形狀之凸緣部位572。圓筒部位571具有自如遊插至形成於圓環構件27a與下杯32之間之氣隙之形狀。且，如圖2所示，以圓筒部位571遊插於氣隙，且凸緣部位572位於保持於旋轉吸盤21之基板W與下杯32之間之方式，固定配置噴嘴支持部57。對凸緣部位572之上表面周緣部安裝有3個下表面噴嘴51B。各下表面噴嘴51B具有朝向基板W之下表面Wb之周緣部開口之噴出口(省略圖示)，可噴出經由配管58自處理液供給部52供給之處理液。

藉由自該等上表面噴嘴51F及下表面噴嘴51B噴出之處理液，對基板W之周緣部執行斜面處理。又，於基板W之下表面側，將凸緣部位572延設至周緣部Ws附近。因此，經由配管28供給至下表面側之氮氣沿凸緣部位572流入至捕集空間SPc。其結果，有效地抑制液滴自捕集空間SPc逆流至基板W。

氛圍分離機構6具有下密閉杯構件61、及上密閉杯構件62。下密閉杯構件61及上密閉杯構件62均具有上下開口之筒形狀。且，其等之內徑大於旋轉杯部31之外徑，氛圍分離機構6配置為自上方完全包圍旋轉吸盤21、保持於旋轉吸盤21之基板W、旋轉杯部31及上表面保護加熱機構4，更詳細而言，如圖2所示，上密閉杯構件62以其上方開口自下方覆蓋頂壁11f之開口11f1之方式，固定配置於沖孔板14之正下方位置。因此，導入至腔室11內之清潔空氣之降流被分為通過上密閉杯構件62之內部者、與通過上密閉杯構件62之外側者。

又，上密閉杯構件62之下端部具有向內側折入之具有圓環形狀之凸緣部621。於該凸緣部621之上表面安裝有O形環63。於上密閉杯構件62之內側，下密閉杯構件61於鉛直方向上移動自如地配置。

下密閉杯構件61之上端部具有向外側彎折而擴展之具有圓環形狀之凸緣部611。該凸緣部611於自鉛直上方俯視時，與凸緣部621重疊。因此，當下密閉杯構件61下降時，如圖4中之局部放大圖所示，下密閉杯構件61之凸緣部611隔著O形環63由上密閉杯構件62之凸緣部621卡止。藉此，下密閉杯構件61被定位於下限位置。於該下限位置，於鉛直方向上，上密閉杯構件62與下密閉杯構件61相連，將導入至上密閉杯構件62之內部之降流引導至保持於旋轉吸盤21之基板W。

下密閉杯構件61之下端部具有向外側折入之具有圓環形狀之凸緣部612。該凸緣部612於自鉛直上方俯視時，與固定杯部34之上端部(受液部位341之上端部)重疊。因此，於上述下限位置中，如圖3中之局部放大圖所示，下密閉杯構件61之凸緣部612隔著O形環64由固定杯部34卡止。藉此，於鉛直方向上，下密閉杯構件61與固定杯部34相連，且由上密閉杯構件62、下密閉杯構件61及固定杯部34形成密閉空間12a。於該密閉空間12a內，可對基板W執行斜面處理。即，藉由將下密閉杯構件61定位於下限位置，密閉空間12a與密閉空間12a之外側空間12b分離(氛圍分離)。因此，可不受外側氛圍之影響而穩定地進行斜面處理。又，為進行斜面處理而使用處理液，但可確實地防止處理液自密閉空間12a洩漏至外側空間12b。因此，配置於外側空間12b之零件之選定、設計之自由度變高。

下密閉杯構件61構成為亦可朝鉛直上方移動。又，於鉛直方向上之下密閉杯構件61之中間部，如上所述，經由噴嘴移動部54之頭支持構件547固定噴嘴頭56(=上表面噴嘴51F+噴嘴座53)。又，除此以外，如圖2及圖4所示，還經由梁構件49將上表面保護加熱機構4固定於下密閉杯構件61之中間部。即，如圖4所示，下密閉杯構件61於周向上互不相同之3個部位分別與梁構件49之一端部、梁構件49之另一端部及頭支持構件547連接。且，藉由由升降機構7使梁構件49之一端部、梁構件49之另一端部及頭支持構件547升降，下密閉杯構件61亦隨之升降。

於該下密閉杯構件61之內周面中，如圖2及圖4所示，朝向內側突設複數根(4根)突起部613，作為可與上杯33卡合之卡合部位。各突起部613延設至上杯33之上圓環部位332之下方空間。又，各突起部613以於下密閉杯構件61被定位於下限位置之狀態下自上杯33之上圓環部位332朝下方離開之方式安裝。且，藉由下密閉杯構件61之上升，各突起部613可自下方卡合於上圓環部位332。於該卡合後，亦可藉由使下密閉杯構件61進一步上升而使上杯33與下杯32脫離。

本實施形態中，於下密閉杯構件61藉由升降機構7開始與上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56一起上升後，上杯33亦一起上升。藉此，上杯33、上表面保護加熱機構4及噴嘴頭56自旋轉吸盤21朝上方離開。藉由下密閉杯構件61移動至退避位置，形成用以供基板搬送機器人111之手對旋轉吸盤21進行接取之搬送空間。且，可經由該搬送空間執行對旋轉吸盤21裝載基板W及自旋轉吸盤21卸載基板W。如此，於本實施形態中，可藉由升降機構7對下密閉杯構件61之最小限度之上升，而對旋轉吸盤21進行基板W之接取。

升降機構7具有2個升降驅動部71、72。於升降驅動部71中，第1升降馬達(省略圖示)安裝於基座構件17之第1升降安裝部位173(圖3)。第1升降馬達根據來自控制單元10之驅動指令而作動，產生旋轉力。2個升降部712、713連結於該第1升降馬達。升降部712、713自第1升降馬達同時受到上述旋轉力。然後，升降部712根據第1升降馬達之旋轉量，使支持梁構件49之一端部之支持構件491沿鉛直方向Z升降。又，升降部713根據第1升降馬達之旋轉量，使支持噴嘴頭56之頭支持構件547沿鉛直方向Z升降。

於升降驅動部72中，第2升降馬達(省略圖示)安裝於基座構件17之第2升降安裝部位174(圖3)。升降部722連結於第2升降馬達。第2升降馬達根據來自控制單元10之驅動指令而作動，產生旋轉力，施加給升降部722。升降部722根據第2升降馬達之旋轉量，使支持梁構件49之另一端部之支持構件492沿鉛直方向升降。

升降驅動部71、72相對於下密閉杯構件61之側面，使於其周向上分別固定於互不相同之3個部位之支持構件491、492、54同步地沿鉛直方向移動。因此，可穩定地進行上表面保護加熱機構4、噴嘴頭56及下密閉杯構件61之升降。又，隨著下密閉杯構件61之升降，亦可使上杯33穩定地升降。

圖11係模式性顯示定心機構之構成及動作之圖。定心機構8於停止泵26之吸引之期間(即基板W可於旋轉基座21之上表面上水平移動之期間)，執行定心處理。藉由該定心處理消除上述偏心，基板W之中心與旋轉軸AX一致。如圖4及圖11所示，定心機構8具有：單抵接部81，其於相對於第1假想水平線VL1傾斜40°左右之抵接移動方向D2上，相對於旋轉軸AX配置於搬送用開口11b1側(圖11之右手側)；多抵接部82，其配置於保養用開口11d1側(圖11之左手側)；及定心驅動部83，其使單抵接部81及多抵接部82朝抵接移動方向D2移動。

單抵接部81具有與抵接移動方向D2平行延設之形狀，以可於旋轉吸盤21側之前端部與旋轉吸盤21上之基板W之端面抵接之方式加工。另一方面，多抵接部82於自鉛直上方俯視時具有大致Y字形狀，以可於旋轉吸盤21側之二股部位之各前端部與旋轉吸盤21上之基板W之端面抵接之方式加工。該等單抵接部81及多抵接部82於抵接移動方向D2上移動自如。

定心驅動部83具有用以使單抵接部81朝抵接移動方向D2移動之單移動部831、及用以使多抵接部82朝抵接移動方向D2移動之多移動部832。單移動部831安裝於基座構件17之單移動安裝部位175(圖3)，多移動部832安裝於基座構件17之多移動安裝部位176(圖3)。於不執行基板W之定心處理之期間，定心驅動部83如圖4及圖11之(a)欄所示，將單抵接部81及多抵接部82與旋轉吸盤21隔開而定位。因此，單抵接部81及多抵接部82離開搬送路徑TP，可有效地防止單抵接部81及多抵接部82與對腔室11搬入搬出之基板W產生干涉。

另一方面，於執行基板W之定心處理時，根據來自控制單元10之定心指令，單移動部831使單抵接部81朝旋轉軸AX移動，且多移動部832使多抵接部82朝旋轉軸AX移動。藉此，如圖11之(b)欄所示，基板W之中心與旋轉軸AX一致。

圖12係顯示基板觀察機構之觀察頭之立體圖。圖13係圖12所示之觀察頭之分解組裝立體圖。基板觀察機構9具有光源部91、攝像部92、觀察頭93、及觀察頭驅動部94。光源部91及攝像部92並設於基座構件17之光學零件安裝位置177(圖3)。光源部91根據來自控制單元10之照明指令向觀察位置照射照明光。該觀察位置係與基板W之周緣部Ws對應之位置，於圖12中相當於將觀察頭93定位之位置。

觀察頭93可於觀察位置、與自觀察位置朝基板W之徑向外側離開之隔開位置之間往復移動。觀察頭驅動部94連接於該觀察頭93。觀察頭驅動部94於基座構件17之頭驅動位置178(圖3)安裝於基座構件17。且，觀察頭驅動部94根據來自控制單元10之頭移動指令，使觀察頭93沿相對於第1假想水平線VL1傾斜10°左右之頭移動方向D3往復移動。更具體而言，於不執行基板W之觀察處理之期間，觀察頭驅動部94將觀察頭93移動至退避位置而進行定位。因此，觀察頭93離開搬送路徑TP，可有效地防止觀察頭93與對腔室11搬入搬出之基板W產生干涉。另一方面，於執行基板W之觀察處理時，根據來自控制單元10之基板觀察指令，由觀察頭驅動部94使觀察頭93移動至觀察位置。

如圖12及圖13所示，該觀察頭93具備具有5個擴散面931a～931d之擴散照明部931、由3片鏡面構件932a～932c構成之引導部932、及保持部933。

保持部933例如由PEEK(聚醚醚酮：polyetheretherketone)構成，如圖12及圖13所示，於基板W側之端部設置有切口部9331。切口部9331之鉛直方向尺寸較基板W之厚度寬，如圖12所示，當將觀察頭93定位於觀察位置時，切口部9331進入至基板W之周緣部Ws及自周緣部Ws進一步朝徑向內側進入之區域。又，保持部933加工為可與擴散照明部931互相嵌合之形狀。且，保持部933具有自背面側分別支持鏡面構件932a～932c之鏡面支持部933a～933c。因此，擴散照明部931與保持部933藉由互相嵌合，一面保持鏡面構件932a～932c一面一體化。

擴散照明部931例如由PTFE(聚四氟乙烯：polytetrafluoroethylene)構成。如圖12及圖13所示，擴散照明部931具有沿水平方向延設之板形狀，且與保持部933同樣，於基板W側之端部形成切口部9311。該切口部9311如圖12所示，自基板W之周向觀察具有倒C字形狀。又，於擴散照明部931中，沿切口部9311設置有傾斜面。傾斜面係以隨著接近切口部9311而朝照明光行進之方向(與方向D3正交之水平方向)傾斜之方式加工之錐形面。尤其，該錐形面中之切口部9311之鉛直上方區域、側方區域及鉛直下方區域分別作為擴散面931a～931c發揮功能。又，於切口部9311中，位於鏡面構件932a、932c之旋轉軸AX側之區域分別作為擴散面931d、931e發揮功能。

當將如此構成之觀察頭93定位於觀察位置時，擴散面931a～931e位於光源部91之照明區域(圖12之粗虛線區域)。當於該定位狀態下，光源部91依照來自控制單元10之照明指令而點亮時，照明光照射至照明區域。此時，擴散面931a～931e使照明光擴散反射，自各種方向對基板W之周緣部Ws及其相鄰區域進行照明。此處，照明光中朝向包含周緣部Ws之基板W之上表面之上表面擴散光之一部分於周緣部Ws之上表面及周緣部Ws之相鄰區域(於徑向內側與周緣部Ws相鄰之上表面區域)被反射。該反射光於由鏡面構件932a之反射面反射後，被導光至攝像部92。又，照明光中朝向包含周緣部Ws之基板W之下表面之下表面擴散光之一部分於周緣部Ws之下表面及周緣部Ws之相鄰區域(於徑向內側與周緣部Ws相鄰之下表面區域)被反射。該反射光於由鏡面構件932c之反射面反射後，被導光至攝像部92。照明光中朝向基板W之側面(端面)Wse之側面擴散光之一部分於基板W之側面Wse被反射。該反射光於由鏡面構件62b之反射面反射後，被導光至攝像部92。

攝像部92具有由物體側遠心透鏡構成之觀察透鏡系統、及CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補金屬氧化物半導體)相機。因此，自觀察頭93導光之反射光中僅與觀察透鏡系統之光軸平行之光線入射至CMOS相機之感測器面，將基板W之周緣部Ws及相鄰區域之像成像於感測器面上。如此，攝像部92拍攝基板W之周緣部Ws及相鄰區域，取得基板W之上表面圖像、側面圖像及下表面圖像。然後，攝像部92將表示該圖像之圖像資料發送至控制單元10。

控制單元10具有運算處理部10A、記憶部10B、讀取部10C、圖像處理部10D、驅動控制部10E、通信部10F及排氣控制部10G。記憶部10B由硬碟驅動器等構成，記憶有用以藉由上述基板處理裝置1執行斜面處理之程式。該程式例如記憶於電腦可讀取之記錄媒體RM(例如，光碟、磁碟、磁光碟等)中，藉由讀取部10C自記錄媒體RM讀出，而保存於記憶部10B。又，該程式之提供並非限定於記錄媒體RM者，例如亦可以經由電性通信線路提供該程式之方式構成。圖像處理部10D對由基板觀察機構9拍攝到之圖像實施各種處理。驅動控制部10E控制基板處理裝置1之各驅動部。通信部10F與統合控制基板處理系統100之各部之控制部等進行通信。排氣控制部10G控制排氣部38。

又，於控制單元10，連接顯示各種資訊之顯示部10H(例如顯示器等)或受理來自操作者之輸入之輸入部10J(例如鍵盤及滑鼠等)。

運算處理部10A由具有CPU(=Central Processing Unit：中央處理單元)或RAM(=Random Access Memory：隨機存取記憶器)等之電腦構成，依照記憶於記憶部10B之程式如以下般控制基板處理裝置1之各部，而執行斜面處理。以下，參考圖14且對基板處理裝置1之斜面處理進行說明。

圖14係顯示藉由圖2所示之基板處理裝置執行作為基板處理動作之一例之斜面處理之流程圖。於藉由基板處理裝置1對基板W實施斜面處理時，運算處理部10A藉由升降驅動部71、72，使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體上升。於該下密閉杯構件61之上升中途，突起部613與上杯33之上圓環部位332卡合，之後，上杯33與下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一起上升而定位於退避位置。藉此，於旋轉吸盤21之上方形成足夠基板搬送機器人111之手(省略圖示)進入之搬送空間。又，運算處理部10A藉由定心驅動部83使單移動部831及多抵接部82移動至離開旋轉吸盤21之退避位置，且藉由觀察頭驅動部94使觀察頭93移動至離開旋轉吸盤21之待機位置。藉此，如圖4所示，配置於旋轉吸盤21周圍之構成要件中之噴嘴頭56、光源部91、攝像部92、馬達23及多抵接部82位於較第1假想水平線VL1靠保養用開口11d1側(該圖之下側)。又，單移動部831及觀察頭93位於較第1假想水平線VL1靠搬送用開口11b1側，但偏離沿著搬送路徑TP之基板W之移動區域。本實施形態中，由於採用此種佈局構造，故於對腔室11搬入搬出基板W時，可有效地防止配置於旋轉吸盤21周圍之構成要件與基板W產生干涉。

如此，於確認搬送空間之形成完成及與基板W之防止干涉後，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行基板W之裝載請求，等待沿圖4所示之搬送路徑TP將未處理之基板W搬入基板處理裝置1並載置於旋轉吸盤21之上表面。然後，於旋轉吸盤21上載置基板W(步驟S1)。另，於該時點，泵26停止，基板W可於旋轉吸盤21之上表面上水平移動。

當基板W之裝載完成後，基板搬送機器人111沿搬送路徑TP自基板處理裝置1退避。繼而，運算處理部10A以使單移動部831及多抵接部82接近旋轉吸盤21上之基板W之方式，控制定心驅動部83。藉此，消除基板W相對於旋轉吸盤21之偏心，基板W之中心與旋轉吸盤21之中心一致(步驟S2)。如此，當定心處理完成後，運算處理部10A以使單移動部831及多抵接部82與基板W隔開之方式控制定心驅動部83，且使泵26作動而對旋轉吸盤21施加負壓。藉此，旋轉吸盤21自下方吸附保持基板W。

接著，運算處理部10A對升降驅動部71、72施加下降指令。與此相應，升降驅動部71、72使下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42一體下降。於該下降中途，由下密閉杯構件61之突起部613自下方支持之上杯33連結於下杯32。藉此，形成旋轉杯部31(=上杯33與下杯32之連結體)。

於形成旋轉杯部31後，下密閉杯構件61、噴嘴頭56、梁構件49、支持構件43及圓板部42進一步一體下降，下密閉杯構件61之凸緣部611、612分別由上密閉杯構件62之凸緣部621及固定杯部34卡止。藉此，下密閉杯構件61定位於下限位置(圖2之位置)(步驟S3)。於上述卡止後，如圖4之局部放大圖所示，上密閉杯構件62之凸緣部621及下密閉杯構件61之凸緣部611隔著O形環63密接，且下密閉杯構件61之凸緣部612及固定杯部34隔著O形環63密接。其結果，如圖2所示，於鉛直方向上下密閉杯構件61與固定杯部34相連，藉由上密閉杯構件62、下密閉杯構件61及固定杯部34形成密閉空間12a，密閉空間12a與外側氛圍(外側空間12b)分離(氛圍分離)。

於該氛圍分離狀態下，圓板部42之下表面自上方覆蓋基板W之上表面Wf中除周緣部Ws以外之表面區域。又，上表面噴嘴51F於圓板部42之切口部44內以將噴出口511朝向基板W之上表面Wf之周緣部之姿勢定位。如此，當對基板W供給處理液之供給準備完成後，運算處理部10A對馬達23施加旋轉指令，開始保持基板W之旋轉吸盤21及旋轉杯部31之旋轉(步驟S4)。基板W及旋轉杯部31之旋轉速度例如設定為1800轉/分鐘。又，運算處理部10A驅動控制加熱器驅動部422，使加熱器421升溫至期望溫度，例如185℃。

接著，運算處理部10A對加熱氣體供給部47施加加熱氣體供給指令。藉此，將由加熱器471加熱之氮氣，即加熱氣體自加熱氣體供給部47壓送至中央噴嘴45(步驟S5)。該加熱氣體於通過配管46之期間，由帶狀加熱器48加熱。藉此，一面防止加熱氣體於經由配管46之氣體供給中之溫度降低，一面自中央噴嘴45向由基板W與圓板部42夾持之空間SPa(圖9)噴出。藉此，將基板W之上表面Wf全面加熱。又，基板W之加熱亦藉由加熱器421進行。因此，根據時間之經過，基板W之周緣部Ws之溫度上升，達到適於斜面處理之溫度，例如90℃。又，周緣部Ws以外之溫度亦上升至大致相等之溫度。即，本實施形態中，基板W之上表面Wf之面內溫度大致均勻。因此，可有效抑制基板W翹曲。

繼而，運算處理部10A控制處理液供給部52，對上表面噴嘴51F及下表面噴嘴51B供給處理液。即，以自上表面噴嘴51F碰觸於基板W之上表面周緣部之方式噴出處理液之液流，且以自下表面噴嘴51B碰觸於基板W之下表面周緣部之方式噴出處理液之液流。藉此，執行對基板W之周緣部Ws之斜面處理(步驟S6)。然後，運算處理部10A於檢測到經過基板W之斜面處理所需之處理時間等時，對處理液供給部52施加供給停止指令，停止處理液之噴出。

繼而，運算處理部10A對加熱氣體供給部47施加供給停止指令，停止自加熱氣體供給部47向中央噴嘴45供給氮氣(步驟S7)。又，運算處理部10A對馬達23施加旋轉停止指令，使旋轉吸盤21及旋轉杯部31停止旋轉(步驟S8)。

於接下來之步驟S9中，運算處理部10A觀察基板W之周緣部Ws，檢查斜面處理之結果。更具體而言，運算處理部10A與裝載基板W時同樣，將上杯33定位於退避位置，而形成搬送空間。然後，運算處理部10A控制觀察頭驅動部94，使觀察頭93接近基板W。然後，運算處理部10A藉由使光源部91點亮，而經由觀察頭93對基板W之周緣部Ws進行照明。又，攝像部92接收由周緣部Ws及相鄰區域反射之反射光，而拍攝周緣部Ws及相鄰區域。即，自於基板W繞旋轉軸AX旋轉之期間由攝像部92取得之複數個周緣部Ws之像，取得沿著基板W之旋轉方向之周緣部Ws之周緣部圖像。於是，運算處理部10A控制觀察頭驅動部94，使觀察頭93自基板W退避。與此並行，運算處理部10A基於拍攝到之周緣部Ws及相鄰區域之圖像，即周緣部圖像，由運算處理部10A檢查是否已良好地進行斜面處理。另，本實施形態中，作為該檢查之一例，自周緣部圖像檢查自基板W之端面朝向基板W之中央部由處理液處理後之處理寬度(處理後檢查)。

於檢查後，運算處理部10A經由通信部10F對基板搬送機器人111進行基板W之卸載請求，將已處理之基板W自基板處理裝置1搬出(步驟S10)。另，重複執行該等一連串之步驟。

於上述之實施形態中，馬達安裝部位171及旋轉吸盤安裝部位172分別相當於本發明之「第1保持部位」及「第2保持部位」之一例。

如上所述，於本實施形態中，由於裝置各部如上述般配置，故可獲得如下作用效果。

(A)於先前之基板處理裝置中，為對保持於作為基板保持部發揮功能之旋轉吸盤21之基板W進行接取並執行基板處理，旋轉吸盤21通常配置於腔室11之中心11g或其附近。相對於此，於本實施形態中，如圖4所示，於腔室11之內部空間12中，基板保持部2A配置於較內部空間12之中心11g朝搬送用開口側偏移之處理位置。將沿著搬送路徑TP之基板W之搬送距離及搬送時間縮短該偏移(距離Lof)之部分，從而省電化。

(B)即便不擴大腔室11之內部空間12，旋轉吸盤21之反搬送用開口側之區域，即隔著第1假想水平線VL1之搬送用開口11b1之相反側之區域亦擴大上述偏移量，針對處理機構5之配置之設計自由度變高。但，如圖10所示，於以藉由噴嘴移動部54使處理液噴出噴嘴51B朝基板W之徑向D1移動之方式構成之基板處理裝置中，噴嘴移動部54於處理液噴出噴嘴51B之移動方向上需要某種程度之衝程。因此，例如，若將處理液噴出噴嘴51B之移動方向設定為與搬送路徑TP相同之方向，則可能會產生儘管反搬送用開口側之區域擴大，處理機構，尤其是噴嘴移動部54亦不落於內部空間12之情形。然而，於本實施形態中，如上所述，噴嘴移動部54構成為使處理液噴出噴嘴51F朝基板W之徑向中相對於第1假想水平線VL1傾斜之徑向D1移動。藉此，可將腔室11內之旋轉吸盤21、噴嘴頭及噴嘴移動部54之配置關係最佳化，不會徒用內部空間12較大之腔室11，而良好地執行斜面處理。其結果，可抑制排氣部38對內部空間12之排氣量，可謀求環境負荷及消耗電力之減少。

(C)於上述實施形態中，如圖3及圖4所示，用於獲得用以將基板W加熱之加熱氣體之加熱器471安裝於腔室11之外壁(側壁11e)。即，加熱器471設置於腔室11之外部。因此，可防止由加熱器471產生之熱波及配置於腔室11之內部空間12之各種機構。尤其，由於光源部91及攝像部92容易受到熱之影響，故於本實施形態中，將光源部91及攝像部92配置於離開加熱器471之安裝部位之隔開位置。因此，藉由採用上述佈局構造，光源部91及攝像部92不易受到加熱器471中產生之熱之影響。其結果，可防止因溫度變化之影響引起之觀察精度之降低，高精度地觀察基板之周緣部。又，關於來自加熱器471之熱影響，處理液噴出噴嘴51F、51B亦相同，故將處理液噴出噴嘴51F、51B配置於離開加熱器471之安裝部位之隔開位置。更詳細而言，如圖4所示，光源部91、攝像部92、處理液噴出噴嘴51F、51B於自腔室11之上方俯視時，隔著第2假想水平線VL2配置於加熱器471之相反側。藉由採用此種配置構造，自加熱器471至光源部91、攝像部92、處理液噴出噴嘴51F、51B之距離變長，可確實地抑制來自加熱器471之熱影響。

(D)又，雖較加熱器471少，但亦自用以將加熱氣體(由加熱器471加熱之惰性氣體)送入中央噴嘴45之配管46及配置於配管46周圍之帶狀加熱器48釋放熱。因此，於本實施形態中，配管46及帶狀加熱器48於自腔室11之上方俯視時，隔著第2假想水平線VL2配設於容易受到來自加熱器471之熱影響之構成(光源部91、攝像部92、處理液噴出噴嘴51F、51B)之相反側，且隔著第1假想水平線VL1配設於搬送用開口11b1之相反側。因此，抑制自配管46等釋放之熱之影響波及上述構成。

(E)於上述實施形態中，由2個滑輪241、242及環形帶243構成動力傳遞部24，且藉由該動力傳遞部24連結有基板保持部2A及馬達23。因此，動力傳遞部24將由馬達產生之驅動力傳遞至基板保持部2A。因此，當隨著基板處理裝置1之運轉而於馬達23或動力傳遞部24中產生不良，例如環形帶243之拉伸或破損等時，需適當進行調整動力傳遞部24或更換構成動力傳遞部24之零件等之保養作業。此種情形時，操作者可藉由將蓋構件19自腔室11卸除並開放保養用開口11d1，而經由保養用開口11d1使動力傳遞部24及馬達23露出至外部。此外，操作者可經由保養用開口11d1進行保養作業。其結果，可提高保養作業之效率。

(F)藉由如上所述將基板保持部2A配置於較內部空間12之中心11g朝搬送用開口側偏移之處理位置，隔著第1假想水平線VL1，搬送用開口11b1之相反側之區域，即面向保養用開口11d1之區域擴大。因此，經由保養用開口11d1之保養作業相較於不伴隨偏移之情形更容易。關於此點，接下來之光源部91及攝像部92之保養作業亦同樣。

(G)如圖4所示，基板觀察機構9之光源部91及攝像部92亦以面向保養用開口11d1之方式配置，因此，操作者亦可經由保養用開口11d1對光源部91及攝像部92進行接取。因此，亦可容易地執行針對光源部91及攝像部92之保養作業。

(H)如圖5所示，馬達23以使其之旋轉軸231自腔室11之底壁11a朝上方隔開且朝向底壁11a(圖3)自基座構件17之馬達安裝部位171(圖3)之下表面垂下之姿勢，保持於基座構件17。又，基板保持部2A之下方端部以自底壁11a(圖3)朝上方隔開且朝向底壁11a自基座構件17之旋轉吸盤安裝部位172(圖3)之下表面垂下之姿勢，保持於基座構件17。且，動力傳遞部24(=第1滑輪241+第2滑輪242+環形帶243)配置於基座構件17之下方。藉由採用此種配置，可不考慮與其他機構之干涉，而有效地進行保養作業。又，可利用於基板保持部2A之下方端部及馬達23之旋轉軸231與底壁11a之間形成之間隙，更換環形帶243。即，可不卸除第1滑輪241及第2滑輪242，而更換環形帶243。

(I)又，基於在基板保持部2A之中央部設置用以連接配管25、28等之端口(省略圖示)等理由，基板保持部2A之下方端部有時沿鉛直下方延設。該情形時，形成於基板保持部2A之下方端部與底壁11a之間之間隙SPx變窄。因此，例如如圖15所示，亦可構成為於腔室11之底壁11a中與基板保持部2A之下方端部對向之區域設置擴孔部11a1，擴大上述間隙SPx。

(J)基座構件17配置於自腔室11之底壁11a朝上方隔開之隔開位置，且於腔室11之內部空間12內形成有所謂之高底板構造。且，該基座構件17之上表面作為用以設置基板處理部SP之載置面而加工。藉由採用此種高底板構造之佈局，假設發生處理液之漏液且積存於腔室11之底壁11a，亦可確實地防止該處理液與基板處理部SP接觸。因此，基座構件17未必由樹脂材料構成，可藉由由具有較底壁11a高剛性之材料構成，而以基座構件17之載置面為基準基座，於該載置面上設置基板處理部SP。因此，考慮到處理部之耐藥品性，可以較用樹脂材料構成底壁之先前裝置優異之保養性設置基板處理部SP。又，藉由於鉛直方向Z上將基板處理部SP設置於較底壁11a高之位置，而無需於基板處理部SP安裝用以事先防止因處理液引起之不良影響之蓋等追加構成。其結果，儘管將使用藥液作為處理液而處理基板W之基板處理部SP配置於腔室11之內部空間12，亦可避免因處理液之漏液引起之不良影響，且以低成本及良好之保養性對基板進行基板處理。

於上述之實施形態中，中央噴嘴45相當於本發明之「氣體噴出噴嘴」之一例。上表面保護加熱機構4相當於本發明之「加熱機構」之一例。基板觀察機構9相當於本發明之「觀察機構」之一例。運算處理部10A作為本發明之「圖像取得部」及「檢查部」發揮功能。

另，本發明並非限定於上述實施形態者，只要不脫離其主旨就可對上述者施加各種變更。例如，於上述實施形態中，於基板處理裝置1中，將本發明應用於具有於基座構件17之上表面設置基板處理部SP之高底板構造之基板處理裝置。又，於上述實施形態中，將本發明應用於具有旋轉杯部31之基板處理裝置。又，於上述實施形態中，將本發明應用於具有氛圍分離機構6及定心機構8之基板處理裝置。然而，例如如日本專利特開2017-11015號公報所記載般，可將本發明應用於不具有該等構成之基板處理裝置，即於腔室11之內部空間12對基板W之周緣部供給處理液而處理上述周緣部之基板處理裝置全體。

又，於上述第1實施形態中，運算處理部10A基於周緣部圖像進行處理後檢查，但亦可對於由處理機構5處理前之基板W，即剛由基板搬送機器人111搬入旋轉吸盤21後之基板W，取得緣部圖像，並自該周緣部圖像檢查基板W相對於旋轉軸AX之偏心(處理前檢查)。如此，處理前檢查亦與處理後檢查同樣，因採用上述佈局構造來抑制熱影響，而可高精度地進行。當然，除了如第1實施形態般進行處理後檢查之基板處理裝置、以及進行處理前檢查與處理後檢查之兩者之基板處理裝置以外，亦可將本發明應用於進行處理前檢查之基板處理裝置。

以上，已依照特定之實施例對發明進行說明，但該說明並非意欲以限定之意義進行解釋者。若參考發明之說明，則與本發明之其他實施形態同樣，精通該技術者將明瞭所揭示之實施形態之各種變化例。因此，認為附加之申請專利範圍於不脫離發明之真實範圍之範圍內，包含該變化例或實施形態。

本發明可應用於在腔室之內部空間對基板之周緣部供給處理液而處理上述周緣部之基板處理裝置全體。

1:基板處理裝置 2:保持旋轉機構 2A:基板保持部 2B:旋轉機構 3:防飛散機構 4:上表面保護加熱機構(加熱機構) 5:處理機構 6:氛圍分離機構 7:升降機構 8:定心機構 9:基板觀察機構 10:控制單元 10A:運算處理部 10B:記憶部 10C:讀取部 10D:圖像處理部 10E:驅動控制部 10F:通信部 10G:排氣控制部 10H:顯示部 10J:輸入部 11:腔室 11a:底壁 11a1:擴孔部 11b～11e:側壁 11b1:搬送用開口 11d1:保養用開口 11f:頂壁 11f1:開口 11g:(腔室之)中心 12:內部空間 12a:密閉空間 12b:外側空間 13:風扇過濾器單元 14:沖孔板 15:擋板 16:基座支持構件 17:基座構件 19:蓋構件 21:旋轉吸盤 22:旋轉軸部 23:馬達 24:動力傳遞部 25, 28:配管 26:泵 27:動力傳遞部 27a:圓環構件 29:氮氣供給部 31:旋轉杯部 32:下杯 33:上杯 34:固定杯部 38:排氣部 41:阻斷板 42:圓板部 43:支持構件 44:切口部 45:中央噴嘴(氣體噴出噴嘴) 46:配管 47:加熱氣體供給部 48:帶狀加熱器 49:梁構件 51B, 51F:處理液噴出噴嘴 52:處理液供給部 53:噴嘴座 54:噴嘴移動部 56:噴嘴頭 57:噴嘴支持部 58:配管 61:下密閉杯構件 62:上密閉杯構件 63, 64:O形環 71, 72:升降驅動部 81:單抵接部 82:多抵接部 83:定心驅動部 91:光源部 92:攝像部 93:觀察頭 94:觀察頭驅動部 100:基板處理系統 110:基板處理區域 111:基板搬送機器人 112:載置台 120:傳載部 121:容器保持部 122:傳載機器人 122a:基座部 122b:多關節臂 122c:手 171:馬達安裝部位(第1保持部位) 172:旋轉吸盤安裝部位(第2保持部位) 173:第1升降安裝部位 174:第2升降安裝部位 175:單移動安裝部位 176:多移動安裝部位 177:光學零件安裝位置 178:頭驅動位置 211:貫通孔 231:旋轉軸 233, 234:緊固構件 241:第1滑輪 242:第2滑輪 243:環形帶 331:下圓環部位 332:上圓環部位 333:傾斜部位 334:傾斜面 341:受液部位 342:排氣部位 343:劃分壁 344:氣體引導部 421:加熱器 422:加熱器驅動部 471:加熱器 511:噴出口 541:基座構件 542:直動致動器 543:噴嘴驅動馬達 544:滑塊 545:運動轉換機構 546:連結構件 547:頭支持構件 548:彈簧構件 571:圓筒部位 572:凸緣部位 611, 612, 621:凸緣部 613:突起部 712, 713, 722:升降部 713a:升降件 831:單移動部 832:多移動部 931:擴散照明部 931a～931e:擴散面 932:引導部 932a～932c:鏡面構件 933:保持部 933a～933c:鏡面支持部 2321:水平部位 2322:鉛直部位 9311, 9331:切口部 AX:旋轉軸 C:容器 D1:徑向 D2:抵接移動方向 D3:頭移動方向 D32:外徑 d331, d332:直徑 D331, D332:外徑 GPc:間隙 Lof: (偏移之)距離 RM:記錄媒體 S1～S10:步驟 SP:基板處理部 SPa:空間 SPc:捕集空間 SPe:排出空間 SPx:間隙 TP:搬送路徑 VL1:第1假想水平線 VL2:第2假想水平線 W:基板 Wb:下表面 Wf:上表面 Ws:(基板之)周緣部 Wse:側面 X:(第1)水平方向 Y:(第2)水平方向 Z:鉛直方向 +D1:方向 -D1:方向

圖1係顯示裝備本發明之基板處理裝置之第1實施形態之基板處理系統之概略構成之俯視圖。 圖2係顯示本發明之基板處理裝置之第1實施形態之構成之圖。 圖3係模式性顯示腔室之構成及安裝於腔室之構成之圖。 圖4係模式性顯示設置於基座構件上之基板處理部之構成之俯視圖。 圖5係顯示保持旋轉機構之構成之立體圖。 圖6係顯示保持於旋轉吸盤之基板與旋轉杯部之尺寸關係之圖。 圖7係顯示旋轉杯部及固定杯部之一部分之圖。 圖8係顯示上表面保護加熱機構之構成之外觀立體圖。 圖9係圖8所示之上表面保護加熱機構之剖視圖。 圖10係模式性顯示噴嘴移動部之構成之圖。 圖11(a)、(b)係模式性顯示定心機構之構成及動作之圖。 圖12係顯示基板觀察機構之觀察頭之立體圖。 圖13係圖12所示之觀察頭之分解組裝立體圖。 圖14係顯示藉由圖2所示之基板處理裝置執行作為基板處理動作之一例之斜面處理之流程圖。 圖15係顯示本發明之基板處理裝置之第2實施形態之構成之圖。

1:基板處理裝置

2:保持旋轉機構

2A:基板保持部

3:防飛散機構

4:上表面保護加熱機構

5:處理機構

6:氛圍分離機構

7:升降機構

8:定心機構

9:基板觀察機構

11b,11d,11e:側壁

11b1:搬送用開口

11d1:保養用開口

11g:(腔室之)中心

12:內部空間

12a:密閉空間

12b:外側空間

15:擋板

17:基座構件

19:蓋構件

23:馬達

32:下杯

33:上杯

42:圓板部

47:加熱氣體供給部

49:梁構件

51F:處理液噴出噴嘴

53:噴嘴座

54:支持構件

54:噴嘴移動部

56:噴嘴頭

61:下密閉杯構件

62:上密閉杯構件

63,64:O形環

81:單抵接部

82:多抵接部

91:光源部

92:攝像部

93:觀察頭

94:觀察頭驅動部

341:受液部位

342:排氣部位

421:加熱器

471:加熱器

611,612,621:凸緣部

613:突起部

712,713,722:升降部

831:單移動部

832:多移動部

AX:旋轉軸

D1:徑向

D2:抵接移動方向

D3:頭移動方向

GPc:間隙

Lof:(偏移之)距離

SP:基板處理部

SPc:捕集空間

SPe:排出空間

TP:搬送路徑

VL1:第1假想水平線

VL2:第2假想水平線

W:基板

Wb:下表面

Ws:(基板之)周緣部

X:(第1)水平方向

Y:(第2)水平方向

Z:鉛直方向

Claims (8)

1. 一種基板處理裝置，其特徵於在具備： 腔室，其具有內部空間； 基板保持部，其於上述內部空間之規定處理位置將基板大致水平保持； 加熱機構，其具有配置於上述內部空間之氣體噴出噴嘴、安裝於上述腔室之外壁之加熱器、及將由上述加熱器加熱之惰性氣體輸送至上述氣體噴出噴嘴之配管，且藉由自上述氣體噴出噴嘴對於上述基板保持部保持之上述基板供給上述惰性氣體而將上述基板加熱； 處理機構，其具有於上述內部空間內對於上述基板保持部保持之上述基板之周緣部噴出處理液之處理液噴出噴嘴，且藉由自上述處理液噴出噴嘴對由上述加熱機構加熱之上述基板之周緣部供給上述處理液而處理上述基板；及 觀察機構，其具有配置於上述內部空間內，且離開上述腔室之外壁中安裝有上述加熱器之安裝部位之隔開位置之光源部及攝像部，且藉由以來自上述光源部之照明光對於上述基板保持部保持之上述基板之周緣部進行照明，且以上述攝像部對由上述照明光照明之上述基板之周緣部進行拍攝，而於執行上述處理機構之上述處理之前或之後觀察上述基板之周緣部。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中 上述腔室具有用以於上述腔室之外部與上述基板保持部之間，沿搬送路徑搬送上述基板之搬送用開口； 於自上述腔室之上方俯視時，上述光源部及上述攝像部隔著通過上述基板保持部之中心且與上述搬送路徑正交之第1假想水平線位於上述搬送用開口之相反側，且，隔著通過上述基板保持部之中心且與上述搬送路徑平行之第2假想水平線位於上述加熱器之相反側。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中 上述腔室具有以隔著上述基板保持部於上述搬送用開口之相反側面向上述光源部及上述攝像部之方式設置之保養用開口。
4. 如請求項2之基板處理裝置，其中 自上述腔室之上方俯視時，上述配管隔著上述第2假想水平線配設於上述光源部及上述攝像部之相反側，且隔著上述第1假想水平線配設於上述搬送用開口之相反側。
5. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中 上述觀察機構於觀察上述基板之周緣部之觀察位置進而具有觀察頭，且該觀察頭具有：擴散照明部，其利用藉由使來自上述光源部之上述照明光擴散反射而產生之擴散光對上述周緣部進行照明；及引導部，其將於由上述擴散光照明之上述周緣部反射之反射光導光至上述攝像部； 上述攝像部接收由上述引導部導光之上述反射光而取得上述周緣部之像。
6. 如請求項5之基板處理裝置，其具備： 旋轉機構，其使上述基板保持部繞沿鉛直方向延伸之旋轉軸旋轉； 圖像取得部，其於將上述觀察頭定位於上述觀察位置之狀態下，自於由上述基板保持部保持之上述基板藉由上述旋轉機構而繞上述旋轉軸旋轉之期間，由上述攝像部取得之上述複數個周緣部之像，取得沿著上述基板之旋轉方向之上述周緣部之周緣部圖像；及 檢查部，其基於上述周緣部圖像檢查上述周緣部。
7. 如請求項6之基板處理裝置，其中 上述圖像取得部針對由上述處理機構處理前之上述基板，取得上述周緣部之上述周緣部圖像； 上述檢查部自上述周緣部圖像檢查上述基板相對於上述旋轉軸之偏心。
8. 如請求項6之基板處理裝置，其中 上述圖像取得部針對由上述處理機構處理後之上述基板，取得上述周緣部之上述周緣部圖像； 上述檢查部自上述周緣部圖像檢查自上述基板之端面朝向上述基板之中央部由上述處理液處理後之處理寬度。