JPS6019657B2 - マスクアライナのウエハ密着・分離機構 - Google Patents
マスクアライナのウエハ密着・分離機構Info
- Publication number
- JPS6019657B2 JPS6019657B2 JP52149222A JP14922277A JPS6019657B2 JP S6019657 B2 JPS6019657 B2 JP S6019657B2 JP 52149222 A JP52149222 A JP 52149222A JP 14922277 A JP14922277 A JP 14922277A JP S6019657 B2 JPS6019657 B2 JP S6019657B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask
- close contact
- adhesion
- brought
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、各種半導体菱贋を製造する場合に使用され
るマスクアラィナに関し、特にマスクアラィナにおいて
、受光用マスクに対して半導体ウェハを密着させたり、
露光用マスクから半導体ウェハを分離したりするための
ウェハ密着・分離機構の改良に関する。
るマスクアラィナに関し、特にマスクアラィナにおいて
、受光用マスクに対して半導体ウェハを密着させたり、
露光用マスクから半導体ウェハを分離したりするための
ウェハ密着・分離機構の改良に関する。
従釆、この種のウェハ密着・分離機構としては、ゥェハ
チャック本体に多数の通気孔を設け、マスクに半導体ウ
ェハを密着させる際には上記通気孔から圧縮ガスを吹上
げ、マスクからゥェハを分離する際には上記通気孔を介
してウェハを吸引するものが知られている。
チャック本体に多数の通気孔を設け、マスクに半導体ウ
ェハを密着させる際には上記通気孔から圧縮ガスを吹上
げ、マスクからゥェハを分離する際には上記通気孔を介
してウェハを吸引するものが知られている。
また、この種の機構において、マスクにウェハを密着さ
せる場合に、一層厳密な密着状態を得たいときは、ウェ
ハを取図む所定空間を減圧状態下において大気圧による
密着力補強を行なったり、あるいはゥェハチャックとマ
スクとの間に機械的外力を付加したりすることも知られ
ている。しかるに、従来のゥェハ密着・分離機構では、
かかる密着力補強手段をとってもなおマスクとゥヱハと
の間に特にウェハの周辺部で十分な密着状態を形成する
のが困難であった。
せる場合に、一層厳密な密着状態を得たいときは、ウェ
ハを取図む所定空間を減圧状態下において大気圧による
密着力補強を行なったり、あるいはゥェハチャックとマ
スクとの間に機械的外力を付加したりすることも知られ
ている。しかるに、従来のゥェハ密着・分離機構では、
かかる密着力補強手段をとってもなおマスクとゥヱハと
の間に特にウェハの周辺部で十分な密着状態を形成する
のが困難であった。
これは、発明者の研究によれば、前述の通気孔から吹出
されるガスの圧力分布がウヱハの中央部で高圧に且つウ
ェハの周辺部で低圧になるように規定されることによる
ものであると認められた。このようなマスクとウェハと
の間の不十分な密着状態は当然にマスクパターンの解像
不良をひきおこすものであり、マスクとウェハとの間に
良好な密着状態を形成できるようにするのが望ましい。
一方、マスクからウェハを分離するにあたっては、いよ
いよステイッキング現象が発生し、ウェハチャックの吸
引力だけではウェハ分離が困難なことがあった。ステイ
ッキング現象は主にゥェハ中央部を周辺部より先にマス
クから引離すためウェハ中央部とマスクとの間に減圧部
が形成されることに起因して生ずるものであることが解
明された。この発明の目的は、上述した従来技術の欠点
をなくし、マスクとウェハとの間に十分な密着状態を容
易に形成できるとともにマスクからのウェハの分離を簡
単且つスムーズに達成できる新規なウェハ密着・分離機
構を提供することにある。
されるガスの圧力分布がウヱハの中央部で高圧に且つウ
ェハの周辺部で低圧になるように規定されることによる
ものであると認められた。このようなマスクとウェハと
の間の不十分な密着状態は当然にマスクパターンの解像
不良をひきおこすものであり、マスクとウェハとの間に
良好な密着状態を形成できるようにするのが望ましい。
一方、マスクからウェハを分離するにあたっては、いよ
いよステイッキング現象が発生し、ウェハチャックの吸
引力だけではウェハ分離が困難なことがあった。ステイ
ッキング現象は主にゥェハ中央部を周辺部より先にマス
クから引離すためウェハ中央部とマスクとの間に減圧部
が形成されることに起因して生ずるものであることが解
明された。この発明の目的は、上述した従来技術の欠点
をなくし、マスクとウェハとの間に十分な密着状態を容
易に形成できるとともにマスクからのウェハの分離を簡
単且つスムーズに達成できる新規なウェハ密着・分離機
構を提供することにある。
この発明の特徴とするところは、露光用マスクにウェハ
を密着させる際には圧力ガスにより膨脹された形でウェ
ハを押圧すると共に、マスクからウェハを分離する際に
は排気されて収縮した形でウェハを吸着する吸盤部材を
ウェハチャツク本体のウェハ周辺部に対応した位置に付
設した点にある。吸盤部村は好ましくはゴムのようなフ
レキシブルな材料からなり、ウェハ周辺形状に対応して
連続したりング状に配置される。吸盤部材の他の配置の
仕方としてはウェハ周辺形状に対応して多数個リング状
に配置するようにしてもよい。いずれにしても、かかる
吸盤部材を配置すると、ウェハチャツクからウェハの周
辺部に作用する押圧力及び吸引力を増強させることがで
きるので、一様′にして且つ強力な密着状態を得ること
ができると共にウェハ分離作業を簡単且つ円滑になしう
るようになる。以下、添付図面を参照してこの発明の１
つの実施例を説明する。
を密着させる際には圧力ガスにより膨脹された形でウェ
ハを押圧すると共に、マスクからウェハを分離する際に
は排気されて収縮した形でウェハを吸着する吸盤部材を
ウェハチャツク本体のウェハ周辺部に対応した位置に付
設した点にある。吸盤部村は好ましくはゴムのようなフ
レキシブルな材料からなり、ウェハ周辺形状に対応して
連続したりング状に配置される。吸盤部材の他の配置の
仕方としてはウェハ周辺形状に対応して多数個リング状
に配置するようにしてもよい。いずれにしても、かかる
吸盤部材を配置すると、ウェハチャツクからウェハの周
辺部に作用する押圧力及び吸引力を増強させることがで
きるので、一様′にして且つ強力な密着状態を得ること
ができると共にウェハ分離作業を簡単且つ円滑になしう
るようになる。以下、添付図面を参照してこの発明の１
つの実施例を説明する。
第１図において、１０は、ウェハチャツク本体であり、
これには、半導体ウェハ１４の中央部に対応した位置に
多数の通気孔１０ａが形成されている。また、ウェハチ
ャツク本体１０のウェハ周辺部に対応した凹部にはゴム
製のりング状吸盤部材１２が装着されており、ウェハチ
ャツク本体１０と吸盤部材１２との間に規定される空所
には、本体１０に設けた別の通気孔１０ｂを介してガス
の流入・流出ができるようになっている。ウェハ１２の
密着・分離の対象となる露光用マスク１６は、適当なガ
ラス板からなり、その下面（ウェハ密着面）にはクロム
（Ｃｒ）などからなる適宜のパターンが被着されている
。マスク１６の上方には、図示しない露光用光源が配置
され、ウェハ１４の表面に塗布したホトレジスト剤をマ
スク１６を介して照射するようになっている。ウェハ１
４は露光処理に先立ってマスク１６の下面に密着され、
露光処理後にマスク１４から分離される。次に、第２ａ
図及び第２ｂ図を参照してウヱハ１４のマスク１６に対
する密着操作及びウェハ１４のマスク１６からの分離操
作について説明する。
これには、半導体ウェハ１４の中央部に対応した位置に
多数の通気孔１０ａが形成されている。また、ウェハチ
ャツク本体１０のウェハ周辺部に対応した凹部にはゴム
製のりング状吸盤部材１２が装着されており、ウェハチ
ャツク本体１０と吸盤部材１２との間に規定される空所
には、本体１０に設けた別の通気孔１０ｂを介してガス
の流入・流出ができるようになっている。ウェハ１２の
密着・分離の対象となる露光用マスク１６は、適当なガ
ラス板からなり、その下面（ウェハ密着面）にはクロム
（Ｃｒ）などからなる適宜のパターンが被着されている
。マスク１６の上方には、図示しない露光用光源が配置
され、ウェハ１４の表面に塗布したホトレジスト剤をマ
スク１６を介して照射するようになっている。ウェハ１
４は露光処理に先立ってマスク１６の下面に密着され、
露光処理後にマスク１４から分離される。次に、第２ａ
図及び第２ｂ図を参照してウヱハ１４のマスク１６に対
する密着操作及びウェハ１４のマスク１６からの分離操
作について説明する。
密着操作時においては、第２ａ図に示すように、通気孔
１０ａ及び１０ｂに窒素（Ｎ２）からなる圧縮ガスを供
ｖ給する。すると、通気孔１０ａを介して送られる圧縮
ガスによりウェハ１４の中央部が周辺部に優先してマス
ク１６に密着され、しかる後、通気孔１０ｂを介して送
られる前者よりも圧力の高い圧縮ガスにより吸盤部材１
２が膨脹してウェハ１４の周辺部をマスク１６に押圧し
且つ密着させる。このようにウェハ中央部を優先的にマ
スク面に密着させるためには、通気孔１０ａ，１０ｂに
対する圧縮ガスの供給タイミングを、通気孔１０ａの方
を通気孔１０ｂより優先させるようにすればよいが、か
りに双方同時に行なっても吸盤部材１２の膨脹に要する
時間が遅れとして作用するので、ウェハ中央部が周辺部
より先にマスク１６に押圧される。このように、ウヱハ
中央部を周辺部より先にマスク１６に密着させるように
すると、ウヱハ中央部のガスが周辺側へ追いだされてか
らウェハ周辺部が密着するので、ウェハ１４の中央部に
は密着を妨げるガス残り又は空所が生ずることがなくな
る。また、定常的には吸盤部材１２がウェハ面に密着し
て一種の封止の作用をするので、通気孔１０ａからの圧
縮ガスによる圧力はウェハ１４の表面に均一に作用し、
この均一圧力は吸盤部材１２の押圧力と相俊ってゥェハ
１４のマスク１６に対する一様な密着を形成するように
作用する。以上のようにして、ウェハ１４とマスク１６
との間には全面的で且つ親密な密着状態が得られること
になり、このような良好な密着状態の下では、高い解像
度でマスクパターン嬢付（露光）処理を行なうことがで
きる。なお、上記の吹上密着操作時においては、密着力
を補強するため、真空又は大気圧の力や外部からの機械
力を併用してもよい。一方、マスク１６からゥヱハ１４
を分離する場合には、第２ｂ図に示すように、通気孔１
０ａ，１０ｂを共に真空ＶＡＣをひいて排気を行なう。
１０ａ及び１０ｂに窒素（Ｎ２）からなる圧縮ガスを供
ｖ給する。すると、通気孔１０ａを介して送られる圧縮
ガスによりウェハ１４の中央部が周辺部に優先してマス
ク１６に密着され、しかる後、通気孔１０ｂを介して送
られる前者よりも圧力の高い圧縮ガスにより吸盤部材１
２が膨脹してウェハ１４の周辺部をマスク１６に押圧し
且つ密着させる。このようにウェハ中央部を優先的にマ
スク面に密着させるためには、通気孔１０ａ，１０ｂに
対する圧縮ガスの供給タイミングを、通気孔１０ａの方
を通気孔１０ｂより優先させるようにすればよいが、か
りに双方同時に行なっても吸盤部材１２の膨脹に要する
時間が遅れとして作用するので、ウェハ中央部が周辺部
より先にマスク１６に押圧される。このように、ウヱハ
中央部を周辺部より先にマスク１６に密着させるように
すると、ウヱハ中央部のガスが周辺側へ追いだされてか
らウェハ周辺部が密着するので、ウェハ１４の中央部に
は密着を妨げるガス残り又は空所が生ずることがなくな
る。また、定常的には吸盤部材１２がウェハ面に密着し
て一種の封止の作用をするので、通気孔１０ａからの圧
縮ガスによる圧力はウェハ１４の表面に均一に作用し、
この均一圧力は吸盤部材１２の押圧力と相俊ってゥェハ
１４のマスク１６に対する一様な密着を形成するように
作用する。以上のようにして、ウェハ１４とマスク１６
との間には全面的で且つ親密な密着状態が得られること
になり、このような良好な密着状態の下では、高い解像
度でマスクパターン嬢付（露光）処理を行なうことがで
きる。なお、上記の吹上密着操作時においては、密着力
を補強するため、真空又は大気圧の力や外部からの機械
力を併用してもよい。一方、マスク１６からゥヱハ１４
を分離する場合には、第２ｂ図に示すように、通気孔１
０ａ，１０ｂを共に真空ＶＡＣをひいて排気を行なう。
この場合、通気孔１０ｂを１０ａよりも先に真空で引い
た方が望ましい。すると、吸盤部材１２の吸盤作用によ
りウェハ１４の周辺部が優先的にマスク１６から引離さ
れ、次いで全体がウェハチャツクの通常の真空力により
引離される。このように、ウヱハ１４の周辺部が中央部
より先にマスク１６から離れると、いわゆるステイッキ
ング現象を伴うことなくスムーズにゥェハ分離を達成す
ることができる。なお、以上の実施例の説明において、
リング状吸盤部材１２を代えて、多数個の吸盤部材をウ
ェハ周辺部に対応した形でリング状に配置するようにし
てもよく、同様の作用効果が得られる。
た方が望ましい。すると、吸盤部材１２の吸盤作用によ
りウェハ１４の周辺部が優先的にマスク１６から引離さ
れ、次いで全体がウェハチャツクの通常の真空力により
引離される。このように、ウヱハ１４の周辺部が中央部
より先にマスク１６から離れると、いわゆるステイッキ
ング現象を伴うことなくスムーズにゥェハ分離を達成す
ることができる。なお、以上の実施例の説明において、
リング状吸盤部材１２を代えて、多数個の吸盤部材をウ
ェハ周辺部に対応した形でリング状に配置するようにし
てもよく、同様の作用効果が得られる。
第１図は、この発明の一実施例によるマスクアラィナの
ウヱハ密着・分離機構を示す断面図、第２ａ図及び第２
ｂ図は、上記ウェハ密着・分離機構の動作を説明するた
めの部分断面図である。 １０・・・・・・ウェハチャック本体、１２…・・・吸
盤部材、１４・・・・・・半導体ウェハ、１６・…・・
露光用マスク。 界ー図 界ＺＡ図 鰭Ｚ〆図
ウヱハ密着・分離機構を示す断面図、第２ａ図及び第２
ｂ図は、上記ウェハ密着・分離機構の動作を説明するた
めの部分断面図である。 １０・・・・・・ウェハチャック本体、１２…・・・吸
盤部材、１４・・・・・・半導体ウェハ、１６・…・・
露光用マスク。 界ー図 界ＺＡ図 鰭Ｚ〆図
Claims (1)
- １ 露光用マスクにウエハを密着させるときは圧縮ガス
により膨脹された形で該ウエハを押圧すると共にマスク
からウエハを分離するときは排気されて収縮した形で前
記ウエハに吸着する吸盤部材をウエハチヤツク本体のウ
エハ周辺部に対応した位置に付設し、密着時にはウエハ
中央部と先に、しかる後周辺部を密着させ、分離時には
周辺部を先に、しかる後中央部を分離せしめる如く成し
たことを特徴とするマスクアライナのウエハ密着・分離
機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52149222A JPS6019657B2 (ja) | 1977-12-14 | 1977-12-14 | マスクアライナのウエハ密着・分離機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52149222A JPS6019657B2 (ja) | 1977-12-14 | 1977-12-14 | マスクアライナのウエハ密着・分離機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5482173A JPS5482173A (en) | 1979-06-30 |
| JPS6019657B2 true JPS6019657B2 (ja) | 1985-05-17 |
Family
ID=15470518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52149222A Expired JPS6019657B2 (ja) | 1977-12-14 | 1977-12-14 | マスクアライナのウエハ密着・分離機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6019657B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340461U (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-18 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI645913B (zh) * | 2016-11-10 | 2019-01-01 | 辛耘企業股份有限公司 | 液體製程裝置 |
-
1977
- 1977-12-14 JP JP52149222A patent/JPS6019657B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0340461U (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5482173A (en) | 1979-06-30 |
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